JPS6372007A - 透明導電膜のエツチング方法 - Google Patents
透明導電膜のエツチング方法Info
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- JPS6372007A JPS6372007A JP21541786A JP21541786A JPS6372007A JP S6372007 A JPS6372007 A JP S6372007A JP 21541786 A JP21541786 A JP 21541786A JP 21541786 A JP21541786 A JP 21541786A JP S6372007 A JPS6372007 A JP S6372007A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本究明は、表示素子や撮像素子に用いられろ透明感１！
噂のエツチング方法に関する。
噂のエツチング方法に関する。
液晶表示素子や撮像素子て用いられる透明４電ＷｔＡは
、酸化インジウムや酸化スズを少量添加し几酸化インジ
ウムである場合が多い。この種の導電膜のエツチング方
法としては、ガスプラズマによるドライエツチングも試
入られているが、塩酸や硝酸添加した塩酸によるウェッ
トエツチングが主流である。
、酸化インジウムや酸化スズを少量添加し几酸化インジ
ウムである場合が多い。この種の導電膜のエツチング方
法としては、ガスプラズマによるドライエツチングも試
入られているが、塩酸や硝酸添加した塩酸によるウェッ
トエツチングが主流である。
しかし、この種のウェットエツチングされた透明導電膜
の端面ば、傾斜が急である。そのため、第２図に示すよ
うに基板１上でパターニングされた透明導電膜２上に、
層間絶縁膜６を彩暖し、さらに金属薄膜７を配線すると
１段差部での層間絶縁膜の被覆性が悪いため透明導電膜
２と金属薄膜７との短絡や、金属薄膜７のｈ線が発生す
ることがある。これらの問題の発生け、透明導電膜２の
端面の傾斜ｈ”＝急であることに起因している。そのた
め透明導電膜の端面になだらかな傾斜をも之せる方法と
して、特開昭６１−４２３５ の様な方法が考案され
友。
の端面ば、傾斜が急である。そのため、第２図に示すよ
うに基板１上でパターニングされた透明導電膜２上に、
層間絶縁膜６を彩暖し、さらに金属薄膜７を配線すると
１段差部での層間絶縁膜の被覆性が悪いため透明導電膜
２と金属薄膜７との短絡や、金属薄膜７のｈ線が発生す
ることがある。これらの問題の発生け、透明導電膜２の
端面の傾斜ｈ”＝急であることに起因している。そのた
め透明導電膜の端面になだらかな傾斜をも之せる方法と
して、特開昭６１−４２３５ の様な方法が考案され
友。
この方法は、第５図に示すように、透明導電膜のエツチ
ング成分である硝酸に対し等方性エッチヤントであるモ
リブデンを主成分とする金属薄寒８、透明４［１’４２
上に積層して、少量の硝酸を含む塩酸によって２層同時
にエツチングするものでモリブデン金Ｍ＊喚８が透明感
ＴＩＬ膜２よりもエツチング連関が速Ａｆｃめに、透明
導電ＶＸ２の川面になだちかな傾斜がつけることが可能
である。
ング成分である硝酸に対し等方性エッチヤントであるモ
リブデンを主成分とする金属薄寒８、透明４［１’４２
上に積層して、少量の硝酸を含む塩酸によって２層同時
にエツチングするものでモリブデン金Ｍ＊喚８が透明感
ＴＩＬ膜２よりもエツチング連関が速Ａｆｃめに、透明
導電ＶＸ２の川面になだちかな傾斜がつけることが可能
である。
しかし前述の従来技術では一透明導電膜のエツチング液
ｒ対して、透明導電膜よりエツチング速度の速り＠属薄
膜を形成しなければならず、工程ｈ；複雑になるという
問題点を有する。そこで本発明け、このような問題点を
解決するもので、その目的とする所は、単純な工程を追
加するだけで、透明導１！膜の端面になだらかな傾斜を
つける方法を提供するところＫある。
ｒ対して、透明導電膜よりエツチング速度の速り＠属薄
膜を形成しなければならず、工程ｈ；複雑になるという
問題点を有する。そこで本発明け、このような問題点を
解決するもので、その目的とする所は、単純な工程を追
加するだけで、透明導１！膜の端面になだらかな傾斜を
つける方法を提供するところＫある。
本発明の透明導電ｈλのエツチング方法は、透明導電膜
の表面を少なくともフッ素源ガスを用いたガスプラズマ
処理する工程と、前記透明導電膜上に所定のレジストパ
ターンを形成する工程と、塩酸を主成分とする液で前記
透明導電膜をエツチングする工程からなることを特徴と
する。
の表面を少なくともフッ素源ガスを用いたガスプラズマ
処理する工程と、前記透明導電膜上に所定のレジストパ
ターンを形成する工程と、塩酸を主成分とする液で前記
透明導電膜をエツチングする工程からなることを特徴と
する。
本発明の上記の構成てよれば、透明導電膜の？Ｊ而をガ
スプラズマ処理−することによって透明導電膜の界面（
数十λ）に透明導電膜のエツチング液ニ対して、透明導
電膜のエツチング速変上り速い層を形喫することｂ”−
できろ。し友がって、特定時間にエツチングされる量は
、水平方向ｈ′−垂直方向（エツチング方向）Ｋ比べて
大きいため、双方のエツチング連関の差で、透明導電膜
の端面に適切な傾斜をつけろことができる。
スプラズマ処理−することによって透明導電膜の界面（
数十λ）に透明導電膜のエツチング液ニ対して、透明導
電膜のエツチング速変上り速い層を形喫することｂ”−
できろ。し友がって、特定時間にエツチングされる量は
、水平方向ｈ′−垂直方向（エツチング方向）Ｋ比べて
大きいため、双方のエツチング連関の差で、透明導電膜
の端面に適切な傾斜をつけろことができる。
以下本発明の詳細を図面を参照して説明する。
第１図は１本発明の一実施例であり、工程（α）〜ωに
そったｌ！ｆｉ面図である。基板１に、インジウム酸化
物を主成分とする透明導電膜２をスノシックリングによ
り２０００大堆積する。次に、四弗化炭素と酸素の比が
５対１の混合ガス約０．３ ｔｏｒｒを尋人した高周波
プラズマ装置によりプラズマ処理をすると、透明導電膜
２の表面に、数十λの透明導電膜のフッ素化された層３
が形成される。次に、ポジ形フォトレジスト４を塗布し
て、フォトリソグラフィにより所定のレジストパターン
を形成する。
そったｌ！ｆｉ面図である。基板１に、インジウム酸化
物を主成分とする透明導電膜２をスノシックリングによ
り２０００大堆積する。次に、四弗化炭素と酸素の比が
５対１の混合ガス約０．３ ｔｏｒｒを尋人した高周波
プラズマ装置によりプラズマ処理をすると、透明導電膜
２の表面に、数十λの透明導電膜のフッ素化された層３
が形成される。次に、ポジ形フォトレジスト４を塗布し
て、フォトリソグラフィにより所定のレジストパターン
を形成する。
そして、ポストベーク後、塩醒、硝酸、紳水を１０対１
対１０の割合で混合し之エツチング液にてエツチングす
ると、透明導電膜のフッ素化された層３のエツチング速
度け、透明導？！！膜２より数倍ｔなど速いため、透明
導電膜２００ＯＡをエツチングする時間に７−）素化さ
れたｆｆｉが水平方向１ｃｊμｍはどエツチングされて
、透明導１！＠２の端面になだらかな傾斜ｈ；つぐ。最
後に、残ったレジストを剥離する。パターニングされた
透明導電膜の六曜の傾斜角５（基板の法線知対する端面
の角度）ｌ−ｔ、約８０変であった。表面に形成されて
いる。透明２ｓ１！膜のフッ素化されたＲｒｒｉ、数十
Ａと薄い定め２４？！！性透明度において全く問題ない
が、十分希釈し、た塩酸で軽くエツチングすることで除
去で剖る。
対１０の割合で混合し之エツチング液にてエツチングす
ると、透明導電膜のフッ素化された層３のエツチング速
度け、透明導？！！膜２より数倍ｔなど速いため、透明
導電膜２００ＯＡをエツチングする時間に７−）素化さ
れたｆｆｉが水平方向１ｃｊμｍはどエツチングされて
、透明導１！＠２の端面になだらかな傾斜ｈ；つぐ。最
後に、残ったレジストを剥離する。パターニングされた
透明導電膜の六曜の傾斜角５（基板の法線知対する端面
の角度）ｌ−ｔ、約８０変であった。表面に形成されて
いる。透明２ｓ１！膜のフッ素化されたＲｒｒｉ、数十
Ａと薄い定め２４？！！性透明度において全く問題ない
が、十分希釈し、た塩酸で軽くエツチングすることで除
去で剖る。
また、傾斜角を変えるには、四弗化炭素と酸素の混合比
を変えろことで簡単に達成できろ。この場合、四弗化炭
素の分圧北本を高めれば高めろほど傾斜角が犬六〈なろ
類句にある。
を変えろことで簡単に達成できろ。この場合、四弗化炭
素の分圧北本を高めれば高めろほど傾斜角が犬六〈なろ
類句にある。
フッ素夛を用い之プラズマガス改分としては、木実施例
では、四弗化炭素を４１１にあげて説明している＾；、
フッ素、フッ化水素、ｃ２ｃ４Ｆ、、Ｃ韮、Ｃ王シ、。
では、四弗化炭素を４１１にあげて説明している＾；、
フッ素、フッ化水素、ｃ２ｃ４Ｆ、、Ｃ韮、Ｃ王シ、。
ＳＦ、 、 Ｘｅ Ｆ２．０２Ｆ６．０３Ｆ、、 Ｃ
ＨＦ３． ＣＣ１Ｆ、、三フッ化窒素、四フッ化ケイ素
＋ Ｃ３ｒＦｓ、ＣＣ４’２． ＣｔｃｔＦ５゜ＣＨ
αＦ２ 筑でもよい。
ＨＦ３． ＣＣ１Ｆ、、三フッ化窒素、四フッ化ケイ素
＋ Ｃ３ｒＦｓ、ＣＣ４’２． ＣｔｃｔＦ５゜ＣＨ
αＦ２ 筑でもよい。
また、上記ガスと混合するガスは、酸素以外に９素等の
不活性ガスを用いることもできる。
不活性ガスを用いることもできる。
なお、透明導［膿け、酸化インジウムを酸化スズの比率
は、酸化インジウムが主体であればよく酸化インジウム
のみでもよい。ま之しンストとしては、有機フォトレジ
ストのほか、耐酸性のある金属薄ｌ！ワ、ＣＶＤ５ｉ０
２等の絶縁膜でもより０またパターニングはフォトレジ
ストを用いたリングラフィに限らず、印刷によるパター
ニング或は、クロムやＳＺ○２の被着でもよい。
は、酸化インジウムが主体であればよく酸化インジウム
のみでもよい。ま之しンストとしては、有機フォトレジ
ストのほか、耐酸性のある金属薄ｌ！ワ、ＣＶＤ５ｉ０
２等の絶縁膜でもより０またパターニングはフォトレジ
ストを用いたリングラフィに限らず、印刷によるパター
ニング或は、クロムやＳＺ○２の被着でもよい。
以上説明しえように本発明の透明、Ｓ電ｑ２のエツチン
グ方法は、単純を工程の追加のみで、透明碍電膜の端面
の傾斜ｂ；ゆるやかになり、上層配線のステヴプカバレ
ジをよくすることが可能であり、傾斜自邸をプラズマガ
スの故分比で９単にかえることｈ；できるという長所を
もつ。
グ方法は、単純を工程の追加のみで、透明碍電膜の端面
の傾斜ｂ；ゆるやかになり、上層配線のステヴプカバレ
ジをよくすることが可能であり、傾斜自邸をプラズマガ
スの故分比で９単にかえることｈ；できるという長所を
もつ。
第１図翰〜（ト）は１本発明の一実施例を示す工程にそ
一＋７’ｃｌＦ＋面図である。 第２図は、従来の透明基Ｔｌ膜の端面に傾斜がない場合
の断面図であり、第３図は従来の透明導電膜の端面に傾
斜を有した場合の凸面図である。 １・・・・・・基板 ２・・・・・・透明４電嘆 ３・・・・・・透明導電膜のフッ素化された層４・・曲
フオトレンスト ５・・・・・・端面の傾斜角 ６・・・・・・層間絶縁膜 ７・・・・・・金属薄膜
一＋７’ｃｌＦ＋面図である。 第２図は、従来の透明基Ｔｌ膜の端面に傾斜がない場合
の断面図であり、第３図は従来の透明導電膜の端面に傾
斜を有した場合の凸面図である。 １・・・・・・基板 ２・・・・・・透明４電嘆 ３・・・・・・透明導電膜のフッ素化された層４・・曲
フオトレンスト ５・・・・・・端面の傾斜角 ６・・・・・・層間絶縁膜 ７・・・・・・金属薄膜
Claims (1)
- イリジウム酸化物を主成分とする透明導電膜の表面を少
なくともフッ素源ガスを用いたガスプラズマ処理する工
程と、前記透明導電膜上に所定のレジストパターンを形
成する工程と、塩酸を主成分とする液で前記透明導電膜
をエッチングする工程からなることを特徴とする透明導
電膜のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21541786A JPS6372007A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 透明導電膜のエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21541786A JPS6372007A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 透明導電膜のエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6372007A true JPS6372007A (ja) | 1988-04-01 |
Family
ID=16671989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21541786A Pending JPS6372007A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 透明導電膜のエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6372007A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004191958A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-07-08 | Sharp Corp | 導電素子の形成方法および液晶表示装置の反射電極部形成方法 |
-
1986
- 1986-09-12 JP JP21541786A patent/JPS6372007A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004191958A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-07-08 | Sharp Corp | 導電素子の形成方法および液晶表示装置の反射電極部形成方法 |
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