JP4330821B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体装置の製造方法に関するもので、特に素子形成の終了したウェーハを個々のチップに個片化し、各々のチップをピックアップして実装する工程に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体装置の製造工程は、例えば図６１のフローチャートに示すように行われている。まず、半導体基板（ウェーハ）に、周知のプロセスにより素子を形成する（ＳＴＥＰ１）。次に、素子を形成したウェーハの主表面に、上記素子に電気的に接続されたバンプを形成する（ＳＴＥＰ２）。上記ウェーハの裏面に裏面研削用のテープ（ＢＳＧテープ）を貼り付け（ＳＴＥＰ３）、裏面研削（ＢＳＧ）を行ってウェーハを薄厚化する（ＳＴＥＰ４）。その後、薄厚化したウェーハの素子形成面にダイシング・テープを貼り付け（ＳＴＥＰ５）、ダイヤモンドブレードやレーザーブレード等により裏面側からダイシング（フルカット・ダイシング）して個片化する（ＳＴＥＰ６）。次に、ウェーハを個片化して形成したチップの裏面をコレットと呼ばれる吸着ツールを用いてピックアップし（ＳＴＥＰ７）、基板に封止樹脂を貼り付けた後、この封止樹脂を貼り付けた基板にチップを貼り付け（ＳＴＥＰ８）、フリップチップ接続及び封止を行って実装する（ＳＴＥＰ９）。
【０００３】
しかしながら、上記のような製造方法では、下記（ａ）〜（ｃ）のような問題がある。
【０００４】
（ａ） バンプを形成した後に裏面研削を行うので、バンプを起点にしてウェーハが割れてしまい、歩留まりが低下する。このため、バンプの高さを制限することが必須となり、ボール・バンプやスタッド・バンプのような高いバンプを使うチップは、ウェーハを薄くすることができない。
【０００５】
（ｂ） 基板への封止樹脂の貼り付けと、基板（封止樹脂付き）とチップの貼り付けの２つの工程が必要となるため、貼り付けの位置ズレが大きい。
【０００６】
（ｃ） 上記位置ズレを回避するために、封止樹脂のサイズをチップサイズよりも大きくすることが必要となるため、フリップチップ接続時に、チップ裏面に封止樹脂が這い上がることがある。これを抑えるためには、フリップチップ接続時にチップ裏面を覆うためのテフロンシート等が必要となり、製造コストが高くなる。
【０００７】
上記（ａ）の問題を回避するために、図６２のフローチャートに示すように、ウェーハを個々のチップに個片化（ＳＴＥＰ５：フルカット・ダイシング及びＳＴＥＰ６：ピックアップ）してからバンプを形成する（ＳＴＥＰ７：スタッド・バンプ形成）製造方法も提案されているが、各チップ毎にスタッド・バンプを形成しなければならないため、ウェーハ状態でバンプを形成する製造方法に比べて製造工程の複雑化を招くことになり、製造コストの上昇は避けられない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように従来の半導体装置の製造方法は、裏面研削時にバンプを起点にしてウェーハが割れてしまい、歩留まりが低下するという問題があった。
【０００９】
また、ボール・バンプやスタッド・バンプのような高いバンプを使うチップは、ウェーハを薄くすることができないという問題があった。
【００１０】
更に、基板への封止樹脂の貼り付けと、基板（封止樹脂付き）とチップの貼り付けの２つの工程が必要となり、位置ズレにより実装精度が低下するという問題があった。
【００１１】
更にまた、チップ裏面への封止樹脂の這い上がりを防止しようとするとテフロンシート等が必要となり、製造コストが高くなるという問題があった。
【００１２】
また、ウェーハを個片化してからバンプを形成する製造方法は、製造工程の複雑化を招き、製造コストも上昇するという問題があった。
【００１３】
この発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、ウェーハの割れによる製造歩留まりの低下を抑制できる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１４】
また、この発明の他の目的は、ボール・バンプやスタッド・バンプのような高いバンプを使うチップであってもウェーハを薄くすることができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１５】
この発明の更に他の目的は、基板への封止樹脂の貼り付けと、基板（封止樹脂付き）とチップの貼り付けの位置ズレを小さくして実装精度を向上できる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１６】
この発明の別の目的は、フリップチップ接続時にチップ裏面を覆うためのテフロンシート等を不要にして低コスト化が図れる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１７】
この発明の更に別の目的は、製造工程の簡単化と低コスト化を図れる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
この発明の第１の半導体装置の製造方法は、素子が形成されたウェーハの主表面に、前記素子に電気的に接続されたバンプを形成する工程と、前記ウェーハのダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って、前記ウェーハの主表面側から裏面に達しない深さの溝を形成する工程と、前記ウェーハのバンプ形成面側を封止材で被覆する工程と、前記ウェーハの裏面研削を行うことにより、ウェーハの薄厚化と個々のチップへの分離を同時に行う工程と、前記裏面研削によって個片化されたチップをピックアップする工程と、ピックアップしたチップのバンプを基板に接合して実装し、且つ同時に前記封止材を溶融させて封止する工程とを具備することを特徴としている。
【００１９】
また、この発明の第２の半導体装置の製造方法は、素子が形成されたウェーハのダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って、前記ウェーハの主表面側から裏面に達しない深さの溝を形成する工程と、前記ウェーハの主表面に、前記素子に電気的に接続されたバンプを形成する工程と、前記ウェーハのバンプ形成面側を封止材で被覆する工程と、前記ウェーハの裏面研削を行うことにより、ウェーハの薄厚化と個々のチップへの分離を同時に行う工程と、前記裏面研削によって個片化されたチップをピックアップする工程と、ピックアップしたチップの前記バンプを基板に接合して実装し、且つ同時に前記封止材を溶融させて封止する工程とを具備することを特徴としている。
【００２０】
更に、この発明の第３の半導体装置の製造方法は、素子が形成されたウェーハの主表面に、前記素子に電気的に接続されたバンプを形成する工程と、前記ウェーハのバンプ形成面側を封止材で被覆する工程と、前記ウェーハのダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って、前記封止材を切断し且つ前記ウェーハの裏面に達しない深さの溝を形成する工程と、前記ウェーハの裏面研削を行うことにより、ウェーハの薄厚化と個々のチップへの分離を同時に行う工程と、前記裏面研削によって個片化されたチップをピックアップする工程と、ピックアップしたチップの前記バンプを基板に接合して実装し、且つ同時に前記封止材を溶融させて封止する工程とを具備することを特徴としている。
【００２１】
上記のような製造方法によれば、バンプ形成後にウェーハの主表面を封止材で被覆するため、バンプ以外の部分が封止材で埋め込まれ、見かけ上のバンプの突起がなくなるので、裏面研削時のウェーハの割れを低減でき、ボール・バンプやスタッド・バンプのような高いバンプを使うチップであってもウェーハの割れを抑制しつつ薄くすることができる。これによって、製造歩留まりの低下を抑制でき、ウェーハの更なる薄厚化も図れる。
【００２２】
また、チップと封止材が一体化した状態でピックアップを行うので、封止材がチップの補強部材としての役割を担うことになり、薄いチップをピックアップする際のチップの割れを大幅に低減できる。
【００２３】
更に、ピックアップしたチップを基板に実装する際、封止材を溶融させて実装と封止を同時に行うので、製造工程の簡単化と低コスト化が図れる。
【００２４】
更にまた、第３の製造方法のように、チップと封止材を一体化した状態で溝を形成すれば、チップと封止材とを同時に切断するので、チップと封止材の位置ズレがなく、実装精度を向上できる。しかも、チップと封止材の位置ズレがないので、封止材のサイズをチップサイズよりも大きくする必要がなく、封止時にチップ裏面に封止樹脂が這い上がることがない。よって、チップ裏面を覆うためのテフロンシート等を不要にして低コスト化も図れる。
【００２５】
また、ウェーハ状態でバンプを形成するので、ウェーハを個々のチップに個片化してからバンプを形成する製造方法に比べて製造工程の簡単化と低コスト化を図れる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
［第１の実施の形態］
図１及び図２はそれぞれ、この発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、図１（ａ）〜（ｇ）はそれぞれ製造工程を順次示す断面図、図２はそのフローチャートである。
【００２７】
まず、半導体基板（ウェーハ）に、周知のプロセスにより種々の素子を形成する（ＳＴＥＰ１）。次に、図１（ａ）に示すように、素子形成の終了したウェーハ１の主表面にバンプ２を形成する（ＳＴＥＰ２）。ここでは、スタッド・バンプを形成する場合を例にとって示しており、キャピラリ１０を用いて上記素子に電気的に接続されたバンプ２を形成する。その後、図１（ｂ）に示すように、ウェーハ１の素子形成面側からダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って、ダイヤモンドスクライバー、ダイヤモンドブレード、あるいはレーザースクライバー等を用いて裏面に達しない深さの溝４を形成、いわゆるハーフカット・ダイシングを実施する（ＳＴＥＰ３）。次に、図１（ｃ）に示すように、上記ウェーハ１の素子形成面側を、液状樹脂によるスピンコートにより、上記バンプ２を埋め込むように封止材３Ａでコーティングする（ＳＴＥＰ４）。この封止材は、シート状の樹脂を貼り付けることによって形成することもできる。その後、図１（ｄ）に示すように、上記封止材３Ａ上に表面保護テープ（ＢＳＧテープ）５を貼り付け（ＳＴＥＰ５）、図１（ｅ）に示すように、砥石６によりウェーハ１の裏面研削（ＳＴＥＰ６）を行って、ウェーハ１の薄厚化と個々のチップ１’への分割を同時に行う（先ダイシング）。研削終了後、個片化されたチップ１’をピックアップ装置の固定テーブルに装着し、ピックアップの対象となるチップ１’にピックアップツールが対応するように、固定テーブルをＸＹ方向に移動させる。そして、図１（ｆ）に示すように、ピックアップ装置のバックアップホルダ１３の内部をバキュームで引いて、表面保護テープ５をバックアップホルダ１３の上面に吸着して固定する。この状態で、突き上げピン１１が取り付けられているピンホルダ１２を上昇させ、突き上げピン１１をバックアップホルダ１３の上面から突出させることにより、表面保護テープ５を介在してチップ１’を封止材３Ａ側から矢印方向に突き上げてチップ１’のコーナー部を表面保護テープ５から剥離し、コレットと呼ばれる吸着ツールでチップ１’の裏面側を吸着して剥離することによりピックアップする（ＳＴＥＰ７）。この際、封止材３Ａは、溝４上に対応する位置で引きちぎられて切断される。その後、図１（ｇ）に示すように、ピックアップしたチップ１’と基板（配線基板）１４との位置決めを行い、リフロー炉に入れてバンプ２を溶融することにより、チップ１’のバンプ２と基板１４上に形成されたパッドまたはバンプとをフリップチップ接続で接合して実装するとともに、封止材３Ａを溶融させてチップ１’と基板１４との間の領域を封止樹脂３で封止する。これによって、チップ１’の基板１４への実装と樹脂封止とが同時に行なわれる（ＳＴＥＰ８）。
【００２８】
上記のような製造方法によれば、バンプ２の形成後にウェーハ１の主表面を封止材３Ａでコーティングするため、バンプ２以外の部分が封止材で埋め込まれ、見かけ上のバンプ２の突起がなくなるので、裏面研削時のウェーハ１の割れを低減し、歩留まりの低下を抑制できる。従来は、ボール・バンプやスタッド・バンプ等の高さの高いバンプでは、裏面研削用の表面保護テープ５ではバンプの突起による段差を吸収することができず、ウェーハ１が割れる恐れがあった。しかし、封止材を液状樹脂によるスピンコートで形成した場合には、バンプの高さに依存せずにバンプ２による段差の吸収が可能になり、ボール・バンプやスタッド・バンプ等の高さの高いバンプを用いることができる。一方、シート状の樹脂を貼り付けた場合にも、封止材としての樹脂を貼った後に、表面保護テープ５を貼り付けることによって、２つの部材で段差を吸収するので、従来よりも高いバンプまで対応可能になる。
【００２９】
また、チップ１’と封止材３Ａが一体化した状態でピックアップを行うので、封止材３Ａがチップ１’の補強部材として働き、薄いチップ１’をピックアップする際に発生するチップ１’の割れを大幅に低減できる。
【００３０】
更に、ピックアップしたチップ１’をフリップチップ接続で基板１４に実装する際に、封止材３Ａを溶融させて実装と封止を同時に行うことができるので、製造工程の簡単化と低コスト化が図れる。
【００３１】
しかも、ピックアップ時にウェーハ１の素子形成面に形成した封止材３Ａを溝４上で切断するので、封止材３Ａのサイズはチップサイズとほぼ等しくなり、チップ１’と封止材３Ａの位置ズレを小さくしてフリップチップ接続時に封止材３Ａがチップ裏面に這い上がるのを抑制できる。よって、従来の製造方法で必要となったテフロンシート等が不要となり、製造コストの削減が図れる。
【００３２】
また、ウェーハ状態でバンプ２を形成するので、ウェーハ１を個々のチップ１’に個片化してからバンプ２を形成する製造方法に比べて製造工程の簡単化と低コスト化を図れる。
【００３３】
［第２の実施の形態］
図３及び図４はそれぞれ、この発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、図３（ａ）〜（ｈ）はそれぞれ製造工程を順次示す断面図、図４はそのフローチャートである。
【００３４】
本第２の実施の形態が上述した第１の実施の形態と異なるのは、図３（ｇ）に示す工程（ＳＴＥＰ８）でチップ１’の基板１４への実装と樹脂封止を同時に行なった後、図３（ｈ）に示すように、封止樹脂３を硬化させるためにアフター・キュアー（矢印１５で表す）を行う（ＳＴＥＰ９）点にある。
【００３５】
他の工程は、第１の実施の形態と同様であるので、同一部分に同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。
【００３６】
このような製造方法であっても、上記第１の実施の形態と実質的に同様な作用効果が得られる。
【００３７】
［第３の実施の形態］
図５及び図６はそれぞれ、この発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、図５（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ製造工程を順次示す断面図、図６はそのフローチャートである。
【００３８】
まず、半導体基板（ウェーハ）に、周知のプロセスにより種々の素子を形成する（ＳＴＥＰ１）。次に、図５（ａ）に示すように、素子形成の終了したウェーハ１の主表面にバンプ２を形成する（ＳＴＥＰ２）。ここでは、スタッド・バンプを形成する場合を例にとって示しており、キャピラリ１０を用いて上記素子に電気的に接続されたバンプ２を形成する。その後、図５（ｂ）に示すように、ウェーハ１の素子形成面側からダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って、ダイヤモンドスクライバー、ダイヤモンドブレード、あるいはレーザースクライバー等を用いて裏面に達しない深さの溝４を形成、いわゆるハーフカット・ダイシングを実施する（ＳＴＥＰ３）。引き続き、図５（ｃ）に示すように、上記ウェーハ１の素子形成面側に、シート状の樹脂を貼り付けることによって、上記バンプ２を埋め込むように封止材３Ｂでコーティングする（ＳＴＥＰ４）。この封止材３Ｂは、シート状の基材３Ｂ−１と、この基材３Ｂ−１の表面に形成された封止樹脂層３Ｂ−２とで形成され、上記封止樹脂層３Ｂ−２側が上記ウェーハ１の素子形成面に接着される。その後、図５（ｄ）に示すように、砥石６によりウェーハ１の裏面研削（ＳＴＥＰ５）を行って、ウェーハ１の薄厚化と個々のチップ１’への分割を同時に行う（先ダイシング）。研削終了後、個片化されたチップ１’をピックアップ装置の固定テーブルに装着し、ピックアップの対象となるチップ１’にピックアップツールが対応するように、固定テーブルをＸＹ方向に移動させる。そして、図５（ｅ）に示すように、ピックアップ装置のバックアップホルダ１３の内部をバキュームで引いた状態で、突き上げピン１１が取り付けられているピンホルダ１２を上昇させ、突き上げピン１１をバックアップホルダ１３の上面から突出させることにより、チップを封止樹脂３Ｂ側から矢印方向に突き上げ、コレットと呼ばれる吸着ツールでチップ１’の裏面側を吸着して剥離することによりピックアップする（ＳＴＥＰ６）。この際、封止樹脂層３Ｂ−２は、基材３Ｂ−１から剥がされ、チップ１’の素子形成面側に残存される。その後、図５（ｆ）に示すように、ピックアップしたチップ１’と基板（配線基板）１４との位置決めを行い、リフロー炉に入れてバンプ２を溶融することにより、チップ１’のバンプ２と基板１４上に形成されたパッドまたはバンプとをフリップチップ接続で接合して実装するとともに、封止樹脂層３Ｂ−２を溶融させてチップ１’と基板１４との間の領域を封止樹脂３で封止する。これによって、フリップチップ接続による実装と樹脂封止とが同時に行なわれる（ＳＴＥＰ７）。
【００３９】
上記のような製造方法によれば、バンプ２の形成後にウェーハ１の主表面を封止材３Ｂでコーティングするため、バンプ２以外の部分が封止材３Ｂで埋め込まれ、見かけ上のバンプ２の突起がなくなるので、裏面研削時のウェーハ１の割れを低減し、歩留まりの低下を抑制できる。
【００４０】
また、チップ１’と封止樹脂層３Ｂ−２が一体化した状態でピックアップを行うので、封止樹脂層３Ｂ−２がチップ１’の補強部材として働き、薄いチップ１’をピックアップする際に発生するチップ１’の割れを大幅に低減できる。
【００４１】
更に、ピックアップしたチップ１’をフリップチップ接続で基板１４に実装する際に、封止樹脂層３Ｂ−２を溶融させて実装と封止を同時に行うことができるので、製造工程の簡単化と低コスト化が図れる。
【００４２】
しかも、ピックアップ時にウェーハ１の素子形成面に形成した封止樹脂層３Ｂ−２を溝４上で切断するので、封止樹脂層３Ｂ−２のサイズはチップサイズとほぼ等しくなり、チップ１’と封止材の位置ズレを小さくしてフリップチップ接続時に封止材がチップ裏面に這い上がるのを抑制できる。よって、従来の製造方法で必要となったテフロンシート等が不要となり、製造コストの削減が図れる。
【００４３】
また、ウェーハ状態でバンプ２を形成するので、ウェーハ１を個々のチップ１’に個片化してからバンプ２を形成する製造方法に比べて製造工程の簡単化と低コスト化を図れる。
【００４４】
［第４の実施の形態］
図７及び図８はそれぞれ、この発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、図７（ａ）〜（ｇ）はそれぞれ製造工程を順次示す断面図、図８はそのフローチャートである。
【００４５】
本第４の実施の形態が上述した第３の実施の形態と異なるのは、図７（ｆ）に示す工程（ＳＴＥＰ７）でチップ１’の基板１４への実装と樹脂封止を同時に行なった後、図７（ｇ）に示すように、封止樹脂３を硬化させるためにアフター・キュアー（矢印１５で表す）を行う（ＳＴＥＰ８）点にある。
【００４６】
他の工程は、第３の実施の形態と同様であるので、同一部分に同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。
【００４７】
このような製造方法であっても、上記第３の実施の形態と実質的に同様な作用効果が得られる。
【００４８】
［第５の実施の形態］
図９及び図１０はそれぞれ、この発明の第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、図９（ａ）〜（ｇ）はそれぞれ製造工程を順次示す断面図、図１０はそのフローチャートである。
【００４９】
まず、半導体基板（ウェーハ）に、周知のプロセスにより種々の素子を形成する（ＳＴＥＰ１）。次に、図９（ａ）に示すように、ウェーハ１の素子形成面側からダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って、ダイヤモンドスクライバー、ダイヤモンドブレード、あるいはレーザースクライバー等を用いて裏面に達しない深さの溝４を形成、いわゆるハーフカット・ダイシングを実施する（ＳＴＥＰ２）。その後、図９（ｂ）に示すように、素子形成の終了したウェーハ１の主表面にバンプ２を形成する（ＳＴＥＰ３）。ここでは、スタッド・バンプを形成する場合を例にとって示しており、キャピラリ１０を用いて上記素子に電気的に接続されたバンプ２を形成する。次に、図９（ｃ）に示すように、上記ウェーハ１の素子形成面側を、液状樹脂によるスピンコートにより、上記バンプ２を埋め込むように封止材３Ａでコーティングする（ＳＴＥＰ４）。この封止材は、シート状の樹脂を貼り付けることによって形成することもできる。その後、図９（ｄ）に示すように、ウェーハ１の素子形成面側の封止材３Ａ上に表面保護テープ（ＢＳＧテープ）５を貼り付け（ＳＴＥＰ５）、図９（ｅ）に示すように、砥石６によりウェーハ１の裏面研削（ＳＴＥＰ６）を行って、ウェーハ１の薄厚化と個々のチップ１’への分割を同時に行う（先ダイシング）。研削終了後、個片化されたチップ１’をピックアップ装置の固定テーブルに装着し、ピックアップの対象となるチップ１’にピックアップツールが対応するように、固定テーブルをＸＹ方向に移動させる。そして、図９（ｆ）に示すように、ピックアップ装置のバックアップホルダ１３の内部をバキュームで引いて、表面保護テープ５をバックアップホルダ１３の上面に吸着して固定する。この状態で、突き上げピン１１が取り付けられているピンホルダ１２を上昇させ、突き上げピン１１をバックアップホルダ１３の上面から突出させることにより、表面保護テープ５を介在してチップ１’を封止材３Ａ側から矢印方向に突き上げてチップ１’のコーナー部を表面保護テープ５から剥離し、コレットと呼ばれる吸着ツールでチップ１’の裏面側を吸着して剥離することによりピックアップする（ＳＴＥＰ７）。この際、封止材３Ａは、溝４上に対応する位置で引きちぎられて切断される。その後、図１（ｇ）に示すように、ピックアップしたチップ１’と基板（配線基板）１４との位置決めを行い、リフロー炉に入れてバンプ２を溶融することにより、チップ１’のバンプ２と基板１４上に形成されたパッドまたはバンプとをフリップチップ接続で接合して実装するとともに、封止材３Ａを溶融させてチップ１’と基板１４との間の領域を封止樹脂３で封止する。これによって、フリップチップ接続による実装と樹脂封止とが同時に行なわれる（ＳＴＥＰ８）。
【００５０】
上記のような製造方法によれば、バンプ２の形成後にウェーハ１の主表面を封止材３Ａでコーティングするため、バンプ２以外の部分が封止材で埋め込まれ、見かけ上のバンプ２の突起がなくなるので、裏面研削時のウェーハ１の割れを低減し、歩留まりの低下を抑制できる。封止材３Ａを液状樹脂によるスピンコートで形成した場合には、バンプの高さに依存せずにバンプ２による段差の吸収が可能になり、ボール・バンプやスタッド・バンプ等の高さの高いバンプを用いることができる。一方、シート状の樹脂を貼り付けた場合にも、封止材としての樹脂を貼った後に、表面保護テープ５を貼り付けることによって、２つの部材で段差を吸収するので、従来よりも高いバンプまで対応可能になる。
【００５１】
また、チップ１’と封止材３Ａが一体化した状態でピックアップを行うので、封止材３Ａがチップ１’の補強部材として働き、薄いチップ１’をピックアップする際に発生するチップ１’の割れを大幅に低減できる。
【００５２】
更に、ピックアップしたチップ１’をフリップチップ接続で基板１４に実装する際に、封止材３Ａを溶融させて実装と封止を同時に行うことができるので、製造工程の簡単化と低コスト化が図れる。
【００５３】
しかも、ピックアップ時にウェーハ１の素子形成面に形成した封止材３Ａを溝４上で切断するので、封止材３Ａのサイズはチップサイズとほぼ等しくなり、チップ１’と封止材３Ａの位置ズレを小さくしてフリップチップ接続時に封止材３Ａがチップ裏面に這い上がるのを抑制できる。よって、従来の製造方法で必要となったテフロンシート等が不要となり、製造コストの削減が図れる。
【００５４】
また、ウェーハ状態でバンプ２を形成するので、ウェーハ１を個々のチップ１’に個片化してからバンプ２を形成する製造方法に比べて製造工程の簡単化と低コスト化を図れる。
【００５５】
［第６の実施の形態］
図１１及び図１２はそれぞれ、この発明の第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、図１１（ａ）〜（ｈ）はそれぞれ製造工程を順次示す断面図、図１２はそのフローチャートである。
【００５６】
本第６の実施の形態が上述した第５の実施の形態と異なるのは、図１１（ｇ）に示す工程（ＳＴＥＰ８）でチップ１’の基板１４への実装と樹脂封止を同時に行なった後、図１１（ｈ）に示すように、封止樹脂３を硬化させるためにアフター・キュアー（矢印１５で表す）を行う（ＳＴＥＰ９）点にある。
【００５７】
他の工程は、第５の実施の形態と同様であるので、同一部分に同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。
【００５８】
このような製造方法であっても、上記第５の実施の形態と実質的に同様な作用効果が得られる。
【００５９】
［第７の実施の形態］
図１３及び図１４はそれぞれ、この発明の第７の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、図１３（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ製造工程を順次示す断面図、図１４はそのフローチャートである。
【００６０】
まず、半導体基板（ウェーハ）に、周知のプロセスにより種々の素子を形成する（ＳＴＥＰ１）。次に、図１３（ａ）に示すように、ウェーハ１の素子形成面側からダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って、ダイヤモンドスクライバー、ダイヤモンドブレード、あるいはレーザースクライバー等を用いて裏面に達しない深さの溝４を形成、いわゆるハーフカット・ダイシングを実施する（ＳＴＥＰ２）。その後、図１３（ｂ）に示すように、素子及び溝４の形成が終了したウェーハ１の主表面にバンプ２を形成する（ＳＴＥＰ３）。ここでは、スタッド・バンプを形成する場合を例にとって示しており、キャピラリ１０を用いて上記素子に電気的に接続されたバンプ２を形成する。次に、図１３（ｃ）に示すように、上記ウェーハ１の素子形成面側を、シート状の樹脂を貼り付けることによって、上記バンプ２を埋め込むように封止材３Ｂでコーティングする（ＳＴＥＰ４）。この封止材３Ｂは、シート状の基材３Ｂ−１と、この基材３Ｂ−１の表面に形成された封止樹脂層３Ｂ−２とで形成され、上記封止樹脂層３Ｂ−２側が上記ウェーハ１の素子形成面に接着される。その後、図１３（ｄ）に示すように、砥石６によりウェーハ１の裏面研削（ＳＴＥＰ５）を行って、ウェーハ１の薄厚化と個々のチップ１’への分割を同時に行う（先ダイシング）。研削終了後、個片化されたチップ１’をピックアップ装置の固定テーブルに装着し、ピックアップの対象となるチップ１’にピックアップツールが対応するように、固定テーブルをＸＹ方向に移動させる。そして、図１３（ｅ）に示すように、ピックアップ装置のバックアップホルダ１３の内部をバキュームで引いて、封止材３Ｂをバックアップホルダ１３の上面に吸着して固定する。この状態で、突き上げピン１１が取り付けられているピンホルダ１２を上昇させ、突き上げピン１１をバックアップホルダ１３の上面から突出させることにより、チップ１’を封止材３Ｂ側から矢印方向に突き上げ、コレットと呼ばれる吸着ツールでチップ１’の裏面側を吸着して剥離することによりピックアップする（ＳＴＥＰ６）。この際、封止樹脂層３Ｂ−２は、基材３Ｂ−１から剥がされ、チップ１’の素子形成面側に残存される。その後、図１３（ｆ）に示すように、ピックアップしたチップ１’と基板（配線基板）１４との位置決めを行い、リフロー炉に入れてバンプ２を溶融することにより、チップ１’のバンプ２と基板１４上に形成されたパッドまたはバンプとをフリップチップ接続で接合して実装するとともに、封止樹脂層３Ｂ−２を溶融させてチップ１’と基板１４との間の領域を封止樹脂３で封止する。これによって、フリップチップ接続による実装と樹脂封止とが同時に行なわれる（ＳＴＥＰ７）。
【００６１】
上記のような製造方法によれば、バンプ２の形成後にウェーハ１の主表面を封止材３Ｂでコーティングするため、バンプ２以外の部分が封止材３Ｂで埋め込まれ、見かけ上のバンプ２の突起がなくなるので、裏面研削時のウェーハ１の割れを低減し、歩留まりの低下を抑制できる。
【００６２】
また、チップ１’と封止樹脂層３Ｂ−２が一体化した状態でピックアップを行うので、封止樹脂層３Ｂ−２がチップ１’の補強部材として働き、薄いチップ１’をピックアップする際に発生するチップ１’の割れを大幅に低減できる。
【００６３】
更に、ピックアップしたチップ１’をフリップチップ接続で基板１４に実装する際に、封止樹脂層３Ｂ−２を溶融させて実装と封止を同時に行うことができるので、製造工程の簡単化と低コスト化が図れる。
【００６４】
しかも、ピックアップ時にウェーハ１の素子形成面に形成した封止樹脂層３Ｂ−２を溝４上で切断するので、封止樹脂層３Ｂ−２のサイズはチップサイズとほぼ等しくなり、チップ１’と封止材の位置ズレを小さくしてフリップチップ接続時に封止材がチップ裏面に這い上がるのを抑制できる。よって、従来の製造方法で必要となったテフロンシート等が不要となり、製造コストの削減が図れる。
【００６５】
また、ウェーハ状態でバンプ２を形成するので、ウェーハ１を個々のチップ１’に個片化してからバンプ２を形成する製造方法に比べて製造工程の簡単化と低コスト化を図れる。
【００６６】
［第８の実施の形態］
図１５及び図１６はそれぞれ、この発明の第８の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、図１５（ａ）〜（ｇ）はそれぞれ製造工程を順次示す断面図、図１６はそのフローチャートである。
【００６７】
本第８の実施の形態が上述した第７の実施の形態と異なるのは、図１５（ｆ）に示す工程（ＳＴＥＰ７）でチップ１’の基板１４への実装と樹脂封止を同時に行なった後、図１５（ｇ）に示すように、封止樹脂３を硬化させるためにアフター・キュアー（矢印１５で表す）を行う（ＳＴＥＰ８）点にある。
【００６８】
他の工程は、第７の実施の形態と同様であるので、同一部分に同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。
【００６９】
このような製造方法であっても、上記第７の実施の形態と実質的に同様な作用効果が得られる。
【００７０】
［第９の実施の形態］
図１７及び図１８はそれぞれ、この発明の第９の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、図１７（ａ）〜（ｈ）はそれぞれ製造工程を順次示す断面図、図１８はそのフローチャートである。
【００７１】
まず、半導体基板（ウェーハ）に、周知のプロセスにより種々の素子を形成する（ＳＴＥＰ１）。次に、図１７（ａ）に示すように、素子形成の終了したウェーハ１の主表面にバンプ２を形成する（ＳＴＥＰ２）。ここでは、スタッド・バンプを形成する場合を例にとって示しており、キャピラリ１０を用いて上記素子に電気的に接続されたバンプ２を形成する。その後、図１７（ｂ）に示すように、ウェーハ１の素子形成面側からダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って、ダイヤモンドスクライバー、ダイヤモンドブレード、あるいはレーザースクライバー等を用いて裏面に達しない深さの溝４を形成、いわゆるハーフカット・ダイシングを実施する（ＳＴＥＰ３）。次に、図１７（ｃ）に示すように、上記ウェーハ１の素子形成面側を、液状樹脂によるスピンコートにより、上記バンプ２を埋め込むように封止材３Ａでコーティングする（ＳＴＥＰ４）。この封止材は、シート状の樹脂を貼り付けることによって形成することもできる。その後、図１７（ｄ）に示すように、ウェーハ１の素子形成面に形成した封止材３Ａ上に表面保護テープ（ＢＳＧテープ）５を貼り付け（ＳＴＥＰ５）、図１７（ｅ）に示すように、砥石６によりウェーハ１の裏面研削（ＳＴＥＰ６）を行って、ウェーハ１の薄厚化と個々のチップ１’への分割を同時に行う（先ダイシング）。研削終了後、図１７（ｆ）に示すように、フラットリング（ウェーハリング）８に装着したピックアップ・テープ９に、上述したような工程で個片化された各チップ１’の裏面を位置決めして接着した後、表面保護テープ５を剥離する。これによって、個々のチップ１’が表面保護テープ５からピックアップ・テープ９へ転写される（ＳＴＥＰ７）。次に、上記フラットリング８をピックアップ装置の固定テーブルに装着し、ピックアップの対象となるチップ１’にピックアップツールが対応するように、固定テーブルをＸＹ方向に移動させる。その後、各チップ１’の表面をモニタし、個々のチップ１’の位置検出、及び良品／不良品を判別するためのマーク検出等を行う。そして、図１７（ｇ）に示すように、ピックアップ装置のバックアップホルダ１３の内部をバキュームで引いて、ピックアップ・テープ９をバックアップホルダ１３の上面に吸着して固定する。この状態で、突き上げピン１１が取り付けられているピンホルダ１２を上昇させ、突き上げピン１１をバックアップホルダ１３の上面から突出させることにより、ピックアップ・テープ９を介在してチップ１’を裏面側から矢印方向に突き上げてチップ１’のコーナー部をピックアップ・テープ９から剥離し、コレットと呼ばれる吸着ツールでチップ１’の素子形成側を吸着して剥離することによりピックアップする（ＳＴＥＰ８）。この際、封止材３Ａは、溝４に対応する位置で引きちぎられて切断される。その後、図１７（ｈ）に示すように、ピックアップしたチップ１’と基板（配線基板）１４との位置決めを行い、リフロー炉に入れてバンプ２を溶融することにより、チップ１’のバンプ２と基板１４上に形成されたパッドまたはバンプとをフリップチップ接続で接合して実装するとともに、封止材３Ａを溶融させてチップ１’と基板１４との間の領域を封止樹脂３で封止する。これによって、フリップチップ接続による実装と樹脂封止とが同時に行なわれる（ＳＴＥＰ９）。
【００７２】
上記のような製造方法によれば、バンプ２の形成後にウェーハ１の主表面を封止材３Ａでコーティングするため、バンプ２以外の部分が封止材で埋め込まれ、見かけ上のバンプ２の突起がなくなるので、裏面研削時のウェーハ１の割れを低減し、歩留まりの低下を抑制できる。封止材３Ａを液状樹脂によるスピンコートで形成した場合には、バンプの高さに依存せずにバンプ２による段差の吸収が可能になり、ボール・バンプやスタッド・バンプ等の高さの高いバンプを用いることができる。一方、シート状の樹脂を貼り付けた場合にも、封止材としての樹脂を貼った後に、表面保護テープ５を貼り付けることによって、２つの部材で段差を吸収するので、従来よりも高いバンプまで対応可能になる。
【００７３】
また、チップ１’と封止材３Ａが一体化した状態でピックアップを行うので、封止材３Ａがチップ１’の補強部材として働き、薄いチップ１’をピックアップする際に発生するチップ１’の割れを大幅に低減できる。
【００７４】
更に、ピックアップしたチップ１’をフリップチップ接続で基板１４に実装する際に、封止材３Ａを溶融させて実装と封止を同時に行うことができるので、製造工程の簡単化と低コスト化が図れる。
【００７５】
しかも、ピックアップ時にウェーハ１の素子形成面に形成した封止材３Ａを溝４上で切断するので、封止材３Ａのサイズはチップサイズとほぼ等しくなり、チップ１’と封止材３Ａの位置ズレを小さくしてフリップチップ接続時に封止材３Ａがチップ裏面に這い上がるのを抑制できる。よって、従来の製造方法で必要となったテフロンシート等が不要となり、製造コストの削減が図れる。
【００７６】
また、ウェーハ状態でバンプ２を形成するので、ウェーハ１を個々のチップ１’に個片化してからバンプ２を形成する製造方法に比べて製造工程の簡単化と低コスト化を図れる。
【００７７】
［第１０の実施の形態］
図１９及び図２０はそれぞれ、この発明の第１０の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、図１９（ａ）〜（ｉ）はそれぞれ製造工程を順次示す断面図、図２０はそのフローチャートである。
【００７８】
本第１０の実施の形態が上述した第９の実施の形態と異なるのは、図１９（ｈ）に示す工程（ＳＴＥＰ９）でチップ１’の基板１４への実装と樹脂封止を同時に行なった後、図１９（ｉ）に示すように、封止樹脂３を硬化させるためにアフター・キュアー（矢印１５で表す）を行う（ＳＴＥＰ１０）点にある。
【００７９】
他の工程は、第９の実施の形態と同様であるので、同一部分に同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。
【００８０】
このような製造方法であっても、上記第９の実施の形態と実質的に同様な作用効果が得られる。
【００８１】
［第１１の実施の形態］
図２１及び図２２はそれぞれ、この発明の第１１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、図２１（ａ）〜（ｇ）はそれぞれ製造工程を順次示す断面図、図２２はそのフローチャートである。
【００８２】
まず、半導体基板（ウェーハ）に、周知のプロセスにより種々の素子を形成する（ＳＴＥＰ１）。次に、図２１（ａ）に示すように、素子形成の終了したウェーハ１の主表面にバンプ２を形成する（ＳＴＥＰ２）。ここでは、スタッド・バンプを形成する場合を例にとって示しており、キャピラリ１０を用いて上記素子に電気的に接続されたバンプ２を形成する。その後、図２１（ｂ）に示すように、ウェーハ１の素子形成面側からダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って、ダイヤモンドスクライバー、ダイヤモンドブレード、あるいはレーザースクライバー等を用いて裏面に達しない深さの溝４を形成、いわゆるハーフカット・ダイシングを実施する（ＳＴＥＰ３）。次に、図２１（ｃ）に示すように、上記ウェーハ１の素子形成面側を、液状樹脂によるスピンコートにより、上記バンプ２を埋め込むように封止材３Ａでコーティングする（ＳＴＥＰ４）。この封止材は、シート状の樹脂を貼り付けることによって形成することもできる。その後、図２１（ｄ）に示すように、砥石６によりウェーハ１の裏面研削（ＳＴＥＰ５）を行って、ウェーハ１の薄厚化と個々のチップ１’への分割を同時に行う（先ダイシング）。研削終了後、図２１（ｅ）に示すように、フラットリング８に装着したピックアップ・テープ９に、個片化された各チップ１’の裏面を位置決めして接着する（ＳＴＥＰ６）。次に、上記フラットリング８をピックアップ装置の固定テーブルに装着し、ピックアップの対象となるチップ１’にピックアップツールが対応するように、固定テーブルをＸＹ方向に移動させる。その後、各チップ１’の表面をモニタし、個々のチップ１’の位置検出、及び良品／不良品を判別するためのマーク検出等を行う。そして、図２１（ｆ）に示すように、ピックアップ装置のバックアップホルダ１３の内部をバキュームで引いて、ピックアップ・テープ９をバックアップホルダ１３の上面に吸着して固定する。この状態で、突き上げピン１１が取り付けられているピンホルダ１２を上昇させ、突き上げピン１１をバックアップホルダ１３の上面から突出させることにより、ピックアップ・テープ９を介在してチップを裏面側から矢印方向に突き上げてチップ１’のコーナー部をピックアップ・テープ９から剥離し、コレットと呼ばれる吸着ツールでチップ１’の素子形成面側を吸着して剥離することによりピックアップする（ＳＴＥＰ７）。この際、封止材３Ａは、溝４に対応する位置で引きちぎられて切断される。その後、図２１（ｇ）に示すように、ピックアップしたチップ１’と基板（配線基板）１４との位置決めを行い、リフロー炉に入れてバンプ２を溶融することにより、チップ１’のバンプ２と基板１４上に形成されたパッドまたはバンプとをフリップチップ接続で接合して実装するとともに、封止材３Ａを溶融させてチップ１’と基板１４との間の領域を封止樹脂３で封止する。これによって、フリップチップ接続による実装と樹脂封止とが同時に行なわれる（ＳＴＥＰ８）。
【００８３】
上記のような製造方法によれば、バンプ２の形成後にウェーハ１の主表面を封止材３Ａでコーティングするため、バンプ２以外の部分が封止材で埋め込まれ、見かけ上のバンプ２の突起がなくなるので、裏面研削時のウェーハ１の割れを低減し、歩留まりの低下を抑制できる。封止材３Ａを液状樹脂によるスピンコートで形成した場合には、バンプの高さに依存せずにバンプ２による段差の吸収が可能になり、ボール・バンプやスタッド・バンプ等の高さの高いバンプを用いることができる。
【００８４】
また、チップ１’と封止材３Ａが一体化した状態でピックアップを行うので、封止材３Ａがチップ１’の補強部材として働き、薄いチップ１’をピックアップする際に発生するチップ１’の割れを大幅に低減できる。
【００８５】
更に、ピックアップしたチップ１’をフリップチップ接続で基板１４に実装する際に、封止材３Ａを溶融させて実装と封止を同時に行うことができるので、製造工程の簡単化と低コスト化が図れる。
【００８６】
しかも、ピックアップ時にウェーハ１の素子形成面に形成した封止材３Ａを溝４上で切断するので、封止材３Ａのサイズはチップサイズとほぼ等しくなり、チップ１’と封止材３Ａの位置ズレを小さくしてフリップチップ接続時に封止材３Ａがチップ裏面に這い上がるのを抑制できる。よって、従来の製造方法で必要となったテフロンシート等が不要となり、製造コストの削減が図れる。
【００８７】
また、ウェーハ状態でバンプ２を形成するので、ウェーハ１を個々のチップ１’に個片化してからバンプ２を形成する製造方法に比べて製造工程の簡単化と低コスト化を図れる。
【００８８】
［第１２の実施の形態］
図２３及び図２４はそれぞれ、この発明の第１２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、図２３（ａ）〜（ｈ）はそれぞれ製造工程を順次示す断面図、図２４はそのフローチャートである。
【００８９】
本第１２の実施の形態が上述した第１１の実施の形態と異なるのは、図２３（ｇ）に示す工程（ＳＴＥＰ８）でチップ１’の基板１４への実装と樹脂封止を同時に行なった後、図２３（ｈ）に示すように、封止樹脂３を硬化させるためにアフター・キュアー（矢印１５で表す）を行う（ＳＴＥＰ９）点にある。
【００９０】
他の工程は、第１１の実施の形態と同様であるので、同一部分に同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。
【００９１】
このような製造方法であっても、上記第１１の実施の形態と実質的に同様な作用効果が得られる。
【００９２】
［第１３の実施の形態］
図２５及び図２６はそれぞれ、この発明の第１３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、図２５（ａ）〜（ｈ）はそれぞれ製造工程を順次示す断面図、図２６はそのフローチャートである。
【００９３】
まず、半導体基板（ウェーハ）に、周知のプロセスにより種々の素子を形成する（ＳＴＥＰ１）。次に、図２５（ａ）に示すように、ウェーハ１の素子形成面側からダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って、ダイヤモンドスクライバー、ダイヤモンドブレード、あるいはレーザースクライバー等を用いて裏面に達しない深さの溝４を形成、いわゆるハーフカット・ダイシングを実施する（ＳＴＥＰ２）。その後、素子及び溝４を形成したウェーハ１の主表面にバンプ２を形成する（ＳＴＥＰ３）。ここでは、スタッド・バンプを形成する場合を例にとって示しており、キャピラリ１０を用いて上記素子に電気的に接続されたバンプ２を形成する。次に、図２５（ｃ）に示すように、上記ウェーハ１の素子形成面側を、液状樹脂によるスピンコートにより、上記バンプ２を埋め込むように封止材３Ａでコーティングする（ＳＴＥＰ４）。この封止材は、シート状の樹脂を貼り付けることによって形成することもできる。その後、図２５（ｄ）に示すように、上記封止材３Ａ上に表面保護テープ（ＢＳＧテープ）５を貼り付け（ＳＴＥＰ５）、図２５（ｅ）に示すように、砥石６によりウェーハ１の裏面研削（ＳＴＥＰ６）を行って、ウェーハ１の薄厚化と個々のチップ１’への分割を同時に行う（先ダイシング）。研削終了後、図２５（ｆ）に示すように、フラットリング８に装着したピックアップ・テープ９に、個片化された各チップ１’の裏面を位置決めして接着した後、表面保護テープ５を剥離する。これによって、チップ１’が表面保護テープ５からピックアップ・テープ９へ転写される（ＳＴＥＰ７）。次に、上記フラットリング８をピックアップ装置の固定テーブルに装着し、ピックアップの対象となるチップ１’にピックアップツールが対応するように、固定テーブルをＸＹ方向に移動させる。その後、各チップ１’の表面をモニタし、個々のチップ１’の位置検出、及び良品／不良品を判別するためのマーク検出等を行う。そして、図２５（ｇ）に示すように、ピックアップ装置のバックアップホルダ１３の内部をバキュームで引いて、ピックアップ・テープ９をバックアップホルダ１３の上面に吸着して固定する。この状態で、突き上げピン１１が取り付けられているピンホルダ１２を上昇させ、突き上げピン１１をバックアップホルダ１３の上面から突出させることにより、ピックアップ・テープ９を介在してチップ１’を裏面側から矢印方向に突き上げてチップ１’のコーナー部をピックアップ・テープ９から剥離し、コレットと呼ばれる吸着ツールでチップ１’の素子形成面側を吸着して剥離することによりピックアップする（ＳＴＥＰ８）。この際、封止材３Ａは、溝４に対応する位置で引きちぎられて切断される。その後、図２５（ｈ）に示すように、ピックアップしたチップ１’と基板（配線基板）１４との位置決めを行い、リフロー炉に入れてバンプ２を溶融することにより、チップ１’のバンプ２と基板１４上に形成されたパッドまたはバンプとをフリップチップ接続で接合して実装するとともに、封止材３Ａを溶融させてチップ１’と基板１４との間の領域を封止樹脂３で封止する。これによって、フリップチップ接続による実装と樹脂封止とが同時に行なわれる（ＳＴＥＰ９）。
【００９４】
上記のような製造方法によれば、バンプ２の形成後にウェーハ１の主表面を封止材３Ａでコーティングするため、バンプ２以外の部分が封止材で埋め込まれ、見かけ上のバンプ２の突起がなくなるので、裏面研削時のウェーハ１の割れを低減し、歩留まりの低下を抑制できる。封止材３Ａを液状樹脂によるスピンコートで形成した場合には、バンプの高さに依存せずにバンプ２による段差の吸収が可能になり、ボール・バンプやスタッド・バンプ等の高さの高いバンプを用いることができる。一方、シート状の樹脂を貼り付けた場合にも、封止材としての樹脂を貼った後に、表面保護テープ５を貼り付けることによって、２つの部材で段差を吸収するので、従来よりも高いバンプまで対応可能になる。
【００９５】
また、チップ１’と封止材３Ａが一体化した状態でピックアップを行うので、封止材３Ａがチップ１’の補強部材として働き、薄いチップ１’をピックアップする際に発生するチップ１’の割れを大幅に低減できる。
【００９６】
更に、ピックアップしたチップ１’をフリップチップ接続で基板１４に実装する際に、封止材３Ａを溶融させて実装と封止を同時に行うことができるので、製造工程の簡単化と低コスト化が図れる。
【００９７】
しかも、ピックアップ時にウェーハ１の素子形成面に形成した封止材３Ａを溝４上で切断するので、封止材３Ａのサイズはチップサイズとほぼ等しくなり、チップ１’と封止材３Ａの位置ズレを小さくしてフリップチップ接続時に封止材３Ａがチップ裏面に這い上がるのを抑制できる。よって、従来の製造方法で必要となったテフロンシート等が不要となり、製造コストの削減が図れる。
【００９８】
また、ウェーハ状態でバンプ２を形成するので、ウェーハ１を個々のチップ１’に個片化してからバンプ２を形成する製造方法に比べて製造工程の簡単化と低コスト化を図れる。
【００９９】
［第１４の実施の形態］
図２７及び図２８はそれぞれ、この発明の第１４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、図２７（ａ）〜（ｉ）はそれぞれ製造工程を順次示す断面図、図２８はそのフローチャートである。
【０１００】
本第１４の実施の形態が上述した第１３の実施の形態と異なるのは、図２７（ｈ）に示す工程（ＳＴＥＰ９）でチップ１’の基板１４への実装と樹脂封止を同時に行なった後、図２７（ｉ）に示すように、封止樹脂３を硬化させるためにアフター・キュアー（矢印１５で表す）を行う（ＳＴＥＰ１０）点にある。
【０１０１】
他の工程は、第１３の実施の形態と同様であるので、同一部分に同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。
【０１０２】
このような製造方法であっても、上記第１３の実施の形態と実質的に同様な作用効果が得られる。
【０１０３】
［第１５の実施の形態］
図２９及び図３０はそれぞれ、この発明の第１５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、図２９（ａ）〜（ｇ）はそれぞれ製造工程を順次示す断面図、図３０はそのフローチャートである。
【０１０４】
まず、半導体基板（ウェーハ）に、周知のプロセスにより種々の素子を形成する（ＳＴＥＰ１）。次に、図２９（ａ）に示すように、ウェーハ１の素子形成面側からダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って、ダイヤモンドスクライバー、ダイヤモンドブレード、あるいはレーザースクライバー等を用いて裏面に達しない深さの溝４を形成、いわゆるハーフカット・ダイシングを実施する（ＳＴＥＰ２）。引き続き、図２９（ｂ）に示すように、素子及び溝を形成したウェーハ１の主表面にバンプ２を形成する（ＳＴＥＰ３）。ここでは、スタッド・バンプを形成する場合を例にとって示しており、キャピラリ１０を用いて上記素子に電気的に接続されたバンプ２を形成する。その後、図２９（ｃ）に示すように、上記ウェーハ１の素子形成面側を、液状樹脂によるスピンコートにより、上記バンプ２を埋め込むように封止材３Ａでコーティングする（ＳＴＥＰ４）。この封止材は、シート状の樹脂を貼り付けることによって形成することもできる。その後、図２９（ｄ）に示すように、砥石６によりウェーハ１の裏面研削（ＳＴＥＰ５）を行って、ウェーハ１の薄厚化と個々のチップ１’への分割を同時に行う（先ダイシング）。研削終了後、図２９（ｅ）に示すように、フラットリング８に装着したピックアップ・テープ９に、個片化された各チップ１’の裏面を位置決めして接着する。これによって、チップ１’がピックアップ・テープ９へ転写される（ＳＴＥＰ６）。次に、上記フラットリング８をピックアップ装置の固定テーブルに装着し、ピックアップの対象となるチップ１’にピックアップツールが対応するように、固定テーブルをＸＹ方向に移動させる。その後、各チップ１’の表面をモニタし、個々のチップ１’の位置検出、及び良品／不良品を判別するためのマーク検出等を行う。そして、図２９（ｆ）に示すように、ピックアップ装置のバックアップホルダ１３の内部をバキュームで引いて、ピックアップ・テープ９をバックアップホルダ１３の上面に吸着して固定する。この状態で、突き上げピン１１が取り付けられているピンホルダ１２を上昇させ、突き上げピン１１をバックアップホルダ１３の上面から突出させることにより、ピックアップ・テープ９を介在してチップを裏面側から矢印方向に突き上げてチップ１’のコーナー部をピックアップ・テープ９から剥離し、コレットと呼ばれる吸着ツールでチップ１’の素子形成面側を吸着して剥離することによりピックアップする（ＳＴＥＰ７）。この際、封止材３Ａは、溝４に対応する位置で引きちぎられて切断される。その後、図２９（ｇ）に示すように、ピックアップしたチップ１’と基板（配線基板）１４との位置決めを行い、リフロー炉に入れてバンプ２を溶融することにより、チップ１’のバンプ２と基板１４上に形成されたパッドまたはバンプとをフリップチップ接続で接合して実装するとともに、封止材３Ａを溶融させてチップ１’と基板１４との間の領域を封止樹脂３で封止する。これによって、フリップチップ接続による実装と樹脂封止とが同時に行なわれる（ＳＴＥＰ８）。
【０１０５】
上記のような製造方法によれば、バンプ２の形成後にウェーハ１の主表面を封止材３Ａでコーティングするため、バンプ２以外の部分が封止材で埋め込まれ、見かけ上のバンプ２の突起がなくなるので、裏面研削時のウェーハ１の割れを低減し、歩留まりの低下を抑制できる。封止材３Ａを液状樹脂によるスピンコートで形成した場合には、バンプの高さに依存せずにバンプ２による段差の吸収が可能になり、ボール・バンプやスタッド・バンプ等の高さの高いバンプを用いることができる。
【０１０６】
また、チップ１’と封止材３Ａが一体化した状態でピックアップを行うので、封止材３Ａがチップ１’の補強部材として働き、薄いチップ１’をピックアップする際に発生するチップ１’の割れを大幅に低減できる。
【０１０７】
更に、ピックアップしたチップ１’をフリップチップ接続で基板１４に実装する際に、封止材３Ａを溶融させて実装と封止を同時に行うことができるので、製造工程の簡単化と低コスト化が図れる。
【０１０８】
しかも、ピックアップ時にウェーハ１の素子形成面に形成した封止材３Ａを溝４上で切断するので、封止材３Ａのサイズはチップサイズとほぼ等しくなり、チップ１’と封止材３Ａの位置ズレを小さくしてフリップチップ接続時に封止材３Ａがチップ裏面に這い上がるのを抑制できる。よって、従来の製造方法で必要となったテフロンシート等が不要となり、製造コストの削減が図れる。
【０１０９】
また、ウェーハ状態でバンプ２を形成するので、ウェーハ１を個々のチップ１’に個片化してからバンプ２を形成する製造方法に比べて製造工程の簡単化と低コスト化を図れる。
【０１１０】
［第１６の実施の形態］
図３１及び図３２はそれぞれ、この発明の第１６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、図３１（ａ）〜（ｈ）はそれぞれ製造工程を順次示す断面図、図３２はそのフローチャートである。
【０１１１】
本第１６の実施の形態が上述した第１５の実施の形態と異なるのは、図３１（ｇ）に示す工程（ＳＴＥＰ８）でチップ１’の基板１４への実装と樹脂封止を同時に行なった後、図３１（ｈ）に示すように、封止樹脂３を硬化させるためにアフター・キュアー（矢印１５で表す）を行う（ＳＴＥＰ９）点にある。
【０１１２】
他の工程は、第１５の実施の形態と同様であるので、同一部分に同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。
【０１１３】
このような製造方法であっても、上記第１５の実施の形態と実質的に同様な作用効果が得られる。
【０１１４】
［第１７の実施の形態］
図３３及び図３４はそれぞれ、この発明の第１７の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、図３３（ａ）〜（ｉ）はそれぞれ製造工程を順次示す断面図、図３４はそのフローチャートである。
【０１１５】
まず、半導体基板（ウェーハ）に、周知のプロセスにより種々の素子を形成する（ＳＴＥＰ１）。次に、図３３（ａ）に示すように、素子形成の終了したウェーハ１の主表面にバンプ２を形成する（ＳＴＥＰ２）。ここでは、スタッド・バンプを形成する場合を例にとって示しており、キャピラリ１０を用いて上記素子に電気的に接続されたバンプ２を形成する。その後、図３３（ｂ）に示すように、ウェーハ１の素子形成面側からダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って、ダイヤモンドスクライバー、ダイヤモンドブレード、あるいはレーザースクライバー等を用いて裏面に達しない深さの溝４を形成、いわゆるハーフカット・ダイシングを実施する（ＳＴＥＰ３）。次に、図３２（ｃ）に示すように、上記ウェーハ１の素子形成面側を、液状樹脂によるスピンコートにより、上記バンプ２を埋め込むように封止材３Ａでコーティングする（ＳＴＥＰ４）。この封止材は、シート状の樹脂を貼り付けることによって形成することもできる。その後、図３３（ｄ）に示すように、上記封止材３Ａ上に表面保護テープ（ＢＳＧテープ）５を貼り付け（ＳＴＥＰ５）、図３３（ｅ）に示すように、砥石６によりウェーハ１の裏面研削（ＳＴＥＰ６）を行って、ウェーハ１の薄厚化と個々のチップ１’への分割を同時に行う（先ダイシング）。研削終了後、図３３（ｆ）に示すように、フラットリング８に装着した紫外線（ＵＶ）硬化型のピックアップ・テープ９ＵＶに、個片化された各チップ１’の裏面を位置決めして接着し、表面保護テープ５を剥離する。これによって、チップ１’が表面保護テープ５からピックアップ・テープ９ＵＶへ転写される（ＳＴＥＰ７）。その後、図３３（ｇ）に示すように、上記ピックアップ・テープ９ＵＶに光源１６から紫外線を照射して硬化させることにより粘着力を低下させる（ＳＴＥＰ８）。次に、上記フラットリング８をピックアップ装置の固定テーブルに装着し、ピックアップの対象となるチップ１’にピックアップツールが対応するように、固定テーブルをＸＹ方向に移動させる。その後、各チップ１’の表面をモニタし、個々のチップ１’の位置検出、及び良品／不良品を判別するためのマーク検出等を行う。そして、図３３（ｈ）に示すように、ピックアップ装置のバックアップホルダ１３の内部をバキュームで引いて、ピックアップ・テープ９ＵＶをバックアップホルダ１３の上面に吸着して固定する。この状態で、突き上げピン１１が取り付けられているピンホルダ１２を上昇させ、突き上げピン１１をバックアップホルダ１３の上面から突出させることにより、ピックアップ・テープ９ＵＶを介在してチップを裏面側から矢印方向に突き上げてチップ１’のコーナー部をピックアップ・テープ９ＵＶから剥離し、コレットと呼ばれる吸着ツールでチップ１’の素子形成面側を吸着して剥離することによりピックアップする（ＳＴＥＰ９）。この際、封止材３Ａは、溝４に対応する位置で引きちぎられて切断される。その後、図３３（ｉ）に示すように、ピックアップしたチップ１’と基板（配線基板）１４との位置決めを行い、リフロー炉に入れてバンプ２を溶融することにより、チップ１’のバンプ２と基板１４上に形成されたパッドまたはバンプとをフリップチップ接続で接合して実装するとともに、封止材３Ａを溶融させてチップ１’と基板１４との間の領域を封止樹脂３で封止する。これによって、フリップチップ接続による実装と樹脂封止とが同時に行なわれる（ＳＴＥＰ１０）。
【０１１６】
上記のような製造方法によれば、バンプ２の形成後にウェーハ１の主表面を封止材３Ａでコーティングするため、バンプ２以外の部分が封止材で埋め込まれ、見かけ上のバンプ２の突起がなくなるので、裏面研削時のウェーハ１の割れを低減し、歩留まりの低下を抑制できる。封止材３Ａを液状樹脂によるスピンコートで形成した場合には、バンプの高さに依存せずにバンプ２による段差の吸収が可能になり、ボール・バンプやスタッド・バンプ等の高さの高いバンプを用いることができる。一方、シート状の樹脂を貼り付けた場合にも、封止材としての樹脂を貼った後に、表面保護テープ５を貼り付けることによって、２つの部材で段差を吸収するので、従来よりも高いバンプまで対応可能になる。
【０１１７】
また、チップ１’と封止材３Ａが一体化した状態でピックアップを行うので、封止材３Ａがチップ１’の補強部材として働き、薄いチップ１’をピックアップする際に発生するチップ１’の割れを大幅に低減できる。
【０１１８】
更に、ピックアップしたチップ１’をフリップチップ接続で基板１４に実装する際に、封止材３Ａを溶融させて実装と封止を同時に行うことができるので、製造工程の簡単化と低コスト化が図れる。
【０１１９】
しかも、ピックアップ時にウェーハ１の素子形成面に形成した封止材３Ａを溝４上で切断するので、封止材３Ａのサイズはチップサイズとほぼ等しくなり、チップ１’と封止材３Ａの位置ズレを小さくしてフリップチップ接続時に封止材３Ａがチップ裏面に這い上がるのを抑制できる。よって、従来の製造方法で必要となったテフロンシート等が不要となり、製造コストの削減が図れる。
【０１２０】
また、ウェーハ状態でバンプ２を形成するので、ウェーハ１を個々のチップ１’に個片化してからバンプ２を形成する製造方法に比べて製造工程の簡単化と低コスト化を図れる。
【０１２１】
更にまた、ピックアップ・テープ９ＵＶに紫外線を照射して硬化させることにより粘着力を低下させるので、ピックアップを容易化できる。
【０１２２】
［第１８の実施の形態］
図３５及び図３６はそれぞれ、この発明の第１８の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、図３５（ａ）〜（ｊ）はそれぞれ製造工程を順次示す断面図、図３６はそのフローチャートである。
【０１２３】
本第１８の実施の形態が上述した第１７の実施の形態と異なるのは、図３５（ｉ）に示す工程（ＳＴＥＰ１０）でチップ１’の基板１４への実装と樹脂封止を同時に行なった後、図３５（ｊ）に示すように、封止樹脂３を硬化させるためにアフター・キュアー（矢印１５で表す）を行う（ＳＴＥＰ１１）点にある。
【０１２４】
他の工程は、第１７の実施の形態と同様であるので、同一部分に同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。
【０１２５】
このような製造方法であっても、上記第１１の実施の形態と実質的に同様な作用効果が得られる。
【０１２６】
［第１９の実施の形態］
図３７及び図３８はそれぞれ、この発明の第１９の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、図３７（ａ）〜（ｈ）はそれぞれ製造工程を順次示す断面図、図３８はそのフローチャートである。
【０１２７】
まず、半導体基板（ウェーハ）に、周知のプロセスにより種々の素子を形成する（ＳＴＥＰ１）。次に、図３７（ａ）に示すように、素子形成の終了したウェーハ１の主表面にバンプ２を形成する（ＳＴＥＰ２）。ここでは、スタッド・バンプを形成する場合を例にとって示しており、キャピラリ１０を用いて上記素子に電気的に接続されたバンプ２を形成する。その後、図３７（ｂ）に示すように、ウェーハ１の素子形成面側からダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って、ダイヤモンドスクライバー、ダイヤモンドブレード、あるいはレーザースクライバー等を用いて裏面に達しない深さの溝４を形成、いわゆるハーフカット・ダイシングを実施する（ＳＴＥＰ３）。次に、図３７（ｃ）に示すように、上記ウェーハ１の素子形成面側を、液状樹脂によるスピンコートにより、上記バンプ２を埋め込むように封止材３Ａでコーティングする（ＳＴＥＰ４）。この封止材は、シート状の樹脂を貼り付けることによって形成することもできる。その後、図３７（ｄ）に示すように、砥石６によりウェーハ１の裏面研削（ＳＴＥＰ５）を行って、ウェーハ１の薄厚化と個々のチップ１’への分割を同時に行う（先ダイシング）。研削終了後、図３７（ｅ）に示すように、フラットリング８に装着した紫外線（ＵＶ）硬化型のピックアップ・テープ９ＵＶに、個片化された各チップ１’の裏面を位置決めして接着する。これによって、チップ１’がピックアップ・テープ９ＵＶへ転写される（ＳＴＥＰ６）。その後、図３７（ｆ）に示すように、上記ピックアップ・テープ９ＵＶに紫外線を照射（ＳＴＥＰ７）して硬化させることにより粘着力を低下させる。次に、上記フラットリング８をピックアップ装置の固定テーブルに装着し、ピックアップの対象となるチップ１’にピックアップツールが対応するように、固定テーブルをＸＹ方向に移動させる。その後、各チップ１’の表面をモニタし、個々のチップ１’の位置検出、及び良品／不良品を判別するためのマーク検出等を行う。そして、図３７（ｇ）に示すように、ピックアップ装置のバックアップホルダ１３の内部をバキュームで引いて、ピックアップ・テープ９ＵＶをバックアップホルダ１３の上面に吸着して固定する。この状態で、突き上げピン１１が取り付けられているピンホルダ１２を上昇させ、突き上げピン１１をバックアップホルダ１３の上面から突出させることにより、ピックアップ・テープ９ＵＶを介在してチップを裏面側から矢印方向に突き上げてチップ１’のコーナー部をピックアップ・テープ９ＵＶから剥離し、コレットと呼ばれる吸着ツールでチップ１’の素子形成面側を吸着して剥離することによりピックアップする（ＳＴＥＰ８）。この際、封止材３Ａは、溝４に対応する位置で引きちぎられて切断される。その後、図３７（ｈ）に示すように、ピックアップしたチップ１’と基板（配線基板）１４との位置決めを行い、リフロー炉に入れてバンプ２を溶融することにより、チップ１’のバンプ２と基板１４上に形成されたパッドまたはバンプとをフリップチップ接続で接合して実装するとともに、封止材３Ａを溶融させてチップ１’と基板１４との間の領域を封止樹脂３で封止する。これによって、フリップチップ接続による実装と樹脂封止とが同時に行なわれる（ＳＴＥＰ９）。
【０１２８】
上記のような製造方法によれば、バンプ２の形成後にウェーハ１の主表面を封止材３Ａでコーティングするため、バンプ２以外の部分が封止材で埋め込まれ、見かけ上のバンプ２の突起がなくなるので、裏面研削時のウェーハ１の割れを低減し、歩留まりの低下を抑制できる。封止材３Ａを液状樹脂によるスピンコートで形成した場合には、バンプの高さに依存せずにバンプ２による段差の吸収が可能になり、ボール・バンプやスタッド・バンプ等の高さの高いバンプを用いることができる。
【０１２９】
また、チップ１’と封止材３Ａが一体化した状態でピックアップを行うので、封止材３Ａがチップ１’の補強部材として働き、薄いチップ１’をピックアップする際に発生するチップ１’の割れを大幅に低減できる。
【０１３０】
更に、ピックアップしたチップ１’をフリップチップ接続で基板１４に実装する際に、封止材３Ａを溶融させて実装と封止を同時に行うことができるので、製造工程の簡単化と低コスト化が図れる。
【０１３１】
しかも、ピックアップ時にウェーハ１の素子形成面に形成した封止材３Ａを溝４上で切断するので、封止材３Ａのサイズはチップサイズとほぼ等しくなり、チップ１’と封止材３Ａの位置ズレを小さくしてフリップチップ接続時に封止材３Ａがチップ裏面に這い上がるのを抑制できる。よって、従来の製造方法で必要となったテフロンシート等が不要となり、製造コストの削減が図れる。
【０１３２】
また、ウェーハ状態でバンプ２を形成するので、ウェーハ１を個々のチップ１’に個片化してからバンプ２を形成する製造方法に比べて製造工程の簡単化と低コスト化を図れる。
【０１３３】
更にまた、ピックアップ・テープ９ＵＶに紫外線を照射して硬化させることにより粘着力を低下させるので、ピックアップを容易化できる。
【０１３４】
［第２０の実施の形態］
図３９及び図４０はそれぞれ、この発明の第２０の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、図３９（ａ）〜（ｉ）はそれぞれ製造工程を順次示す断面図、図４０はそのフローチャートである。
【０１３５】
本第２０の実施の形態が上述した第１９の実施の形態と異なるのは、図３９（ｈ）に示す工程（ＳＴＥＰ９）でチップ１’の基板１４への実装と樹脂封止を同時に行なった後、図３９（ｉ）に示すように、封止樹脂３を硬化させるためにアフター・キュアー（矢印１５で表す）を行う（ＳＴＥＰ１０）点にある。
【０１３６】
他の工程は、第１９の実施の形態と同様であるので、同一部分に同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。
【０１３７】
このような製造方法であっても、上記第１９の実施の形態と実質的に同様な作用効果が得られる。
【０１３８】
［第２１の実施の形態］
図４１及び図４２はそれぞれ、この発明の第２１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、図４１（ａ）〜（ｉ）はそれぞれ製造工程を順次示す断面図、図４２はそのフローチャートである。
【０１３９】
まず、半導体基板（ウェーハ）に、周知のプロセスにより種々の素子を形成する（ＳＴＥＰ１）。次に、図４１（ａ）に示すように、ウェーハ１の素子形成面側からダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って、ダイヤモンドスクライバー、ダイヤモンドブレード、あるいはレーザースクライバー等を用いて裏面に達しない深さの溝４を形成、いわゆるハーフカット・ダイシングを実施する（ＳＴＥＰ２）。次に、図４１（ｂ）に示すように、素子及び溝４を形成したウェーハ１の主表面にバンプ２を形成する（ＳＴＥＰ３）。ここでは、スタッド・バンプを形成する場合を例にとって示しており、キャピラリ１０を用いて上記素子に電気的に接続されたバンプ２を形成する。その後、図４１（ｃ）に示すように、上記ウェーハ１の素子形成面側を、液状樹脂によるスピンコートにより、上記バンプ２を埋め込むように封止材３Ａでコーティングする（ＳＴＥＰ４）。この封止材は、シート状の樹脂を貼り付けることによって形成することもできる。その後、図４１（ｄ）に示すように、上記封止材３Ａ上に表面保護テープ（ＢＳＧテープ）５を貼り付け（ＳＴＥＰ５）、図４１（ｅ）に示すように、砥石６によりウェーハ１の裏面研削（ＳＴＥＰ６）を行って、ウェーハ１の薄厚化と個々のチップ１’への分割を同時に行う（先ダイシング）。研削終了後、図４１（ｆ）に示すように、フラットリング８に装着した紫外線（ＵＶ）硬化型のピックアップ・テープ９ＵＶに、個片化された各チップ１’の裏面を位置決めして接着した後、表面保護テープ５を剥離する。これによって、チップ１’が表面保護テープ５からピックアップ・テープ９ＵＶへ転写される（ＳＴＥＰ７）。その後、図４１（ｇ）に示すように、上記ピックアップ・テープ９ＵＶに光源１６から紫外線を照射して硬化させることにより粘着力を低下させる（ＳＴＥＰ８）。次に、上記フラットリング８をピックアップ装置の固定テーブルに装着し、ピックアップの対象となるチップ１’にピックアップツールが対応するように、固定テーブルをＸＹ方向に移動させる。その後、各チップ１’の表面をモニタし、個々のチップ１’の位置検出、及び良品／不良品を判別するためのマーク検出等を行う。そして、図４１（ｈ）に示すように、ピックアップ装置のバックアップホルダ１３の内部をバキュームで引いて、ピックアップ・テープ９ＵＶをバックアップホルダ１３の上面に吸着して固定する。この状態で、突き上げピン１１が取り付けられているピンホルダ１２を上昇させ、突き上げピン１１をバックアップホルダ１３の上面から突出させることにより、ピックアップ・テープ９ＵＶを介在してチップを裏面側から矢印方向に突き上げてチップ１’のコーナー部をピックアップ・テープ９ＵＶから剥離し、コレットと呼ばれる吸着ツールでチップ１’の素子形成面側を吸着して剥離することによりピックアップする（ＳＴＥＰ９）。この際、封止材３Ａは、溝４に対応する位置で引きちぎられて切断される。その後、図４１（ｉ）に示すように、ピックアップしたチップ１’と基板（配線基板）１４との位置決めを行い、リフロー炉に入れてバンプ２を溶融することにより、チップ１’のバンプ２と基板１４上に形成されたパッドまたはバンプとをフリップチップ接続で接合して実装するとともに、封止材３Ａを溶融させてチップ１’と基板１４との間の領域を封止樹脂３で封止する。これによって、フリップチップ接続による実装と樹脂封止とが同時に行なわれる（ＳＴＥＰ１０）。
【０１４０】
上記のような製造方法によれば、バンプ２の形成後にウェーハ１の主表面を封止材３Ａでコーティングするため、バンプ２以外の部分が封止材で埋め込まれ、見かけ上のバンプ２の突起がなくなるので、裏面研削時のウェーハ１の割れを低減し、歩留まりの低下を抑制できる。封止材３Ａを液状樹脂によるスピンコートで形成した場合には、バンプの高さに依存せずにバンプ２による段差の吸収が可能になり、ボール・バンプやスタッド・バンプ等の高さの高いバンプを用いることができる。一方、シート状の樹脂を貼り付けた場合にも、封止材としての樹脂を貼った後に、表面保護テープ５を貼り付けることによって、２つの部材で段差を吸収するので、従来よりも高いバンプまで対応可能になる。
【０１４１】
また、チップ１’と封止材３Ａが一体化した状態でピックアップを行うので、封止材３Ａがチップ１’の補強部材として働き、薄いチップ１’をピックアップする際に発生するチップ１’の割れを大幅に低減できる。
【０１４２】
更に、ピックアップしたチップ１’をフリップチップ接続で基板１４に実装する際に、封止材３Ａを溶融させて実装と封止を同時に行うことができるので、製造工程の簡単化と低コスト化が図れる。
【０１４３】
しかも、ピックアップ時にウェーハ１の素子形成面に形成した封止材３Ａを溝４上で切断するので、封止材３Ａのサイズはチップサイズとほぼ等しくなり、チップ１’と封止材３Ａの位置ズレを小さくしてフリップチップ接続時に封止材３Ａがチップ裏面に這い上がるのを抑制できる。よって、従来の製造方法で必要となったテフロンシート等が不要となり、製造コストの削減が図れる。
【０１４４】
また、ウェーハ状態でバンプ２を形成するので、ウェーハ１を個々のチップ１’に個片化してからバンプ２を形成する製造方法に比べて製造工程の簡単化と低コスト化を図れる。
【０１４５】
更にまた、ピックアップ・テープ９ＵＶに紫外線を照射して硬化させることにより粘着力を低下させるので、ピックアップを容易化できる。
【０１４６】
［第２２の実施の形態］
図４３及び図４４はそれぞれ、この発明の第２２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、図４３（ａ）〜（ｊ）はそれぞれ製造工程を順次示す断面図、図４４はそのフローチャートである。
【０１４７】
本第２２の実施の形態が上述した第２１の実施の形態と異なるのは、図４３（ｉ）に示す工程（ＳＴＥＰ１０）でチップ１’の基板１４への実装と樹脂封止を同時に行なった後、図４３（ｊ）に示すように、封止樹脂３を硬化させるためにアフター・キュアー（矢印１５で表す）を行う（ＳＴＥＰ１１）点にある。
【０１４８】
他の工程は、第２１の実施の形態と同様であるので、同一部分に同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。
【０１４９】
このような製造方法であっても、上記第２１の実施の形態と実質的に同様な作用効果が得られる。
【０１５０】
［第２３の実施の形態］
図４５及び図４６はそれぞれ、この発明の第２３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、図４５（ａ）〜（ｈ）はそれぞれ製造工程を順次示す断面図、図４６はそのフローチャートである。
【０１５１】
まず、半導体基板（ウェーハ）に、周知のプロセスにより種々の素子を形成する（ＳＴＥＰ１）。次に、図４５（ａ）に示すように、ウェーハ１の素子形成面側からダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って、ダイヤモンドスクライバー、ダイヤモンドブレード、あるいはレーザースクライバー等を用いて裏面に達しない深さの溝４を形成、いわゆるハーフカット・ダイシングを実施する（ＳＴＥＰ２）。次に、図４５（ｂ）に示すように、素子及び溝を形成したウェーハ１の主表面にバンプ２を形成する（ＳＴＥＰ３）。ここでは、スタッド・バンプを形成する場合を例にとって示しており、キャピラリ１０を用いて上記素子に電気的に接続されたバンプ２を形成する。その後、図４５（ｃ）に示すように、上記ウェーハ１の素子形成面側を、液状樹脂によるスピンコートにより、上記バンプ２を埋め込むように封止材３Ａでコーティングする（ＳＴＥＰ４）。この封止材は、シート状の樹脂を貼り付けることによって形成することもできる。その後、図４５（ｄ）に示すように、砥石６によりウェーハ１の裏面研削（ＳＴＥＰ５）を行って、ウェーハ１の薄厚化と個々のチップ１’への分割を同時に行う（先ダイシング）。研削終了後、図４５（ｅ）に示すように、フラットリング８に装着した紫外線（ＵＶ）硬化型のピックアップ・テープ９ＵＶに、個片化された各チップ１’の裏面を位置決めして接着する（ＳＴＥＰ６）。その後、図４５（ｆ）に示すように、上記ピックアップ・テープ９ＵＶに光源１６から紫外線を照射して硬化させることにより粘着力を低下させる（ＳＴＥＰ７）。次に、上記フラットリング８をピックアップ装置の固定テーブルに装着し、ピックアップの対象となるチップ１’にピックアップツールが対応するように、固定テーブルをＸＹ方向に移動させる。その後、各チップ１’の表面をモニタし、個々のチップ１’の位置検出、及び良品／不良品を判別するためのマーク検出等を行う。そして、図４５（ｇ）に示すように、ピックアップ装置のバックアップホルダ１３の内部をバキュームで引いて、ピックアップ・テープ９ＵＶをバックアップホルダ１３の上面に吸着して固定する。この状態で、突き上げピン１１が取り付けられているピンホルダ１２を上昇させ、突き上げピン１１をバックアップホルダ１３の上面から突出させることにより、ピックアップ・テープ９ＵＶを介在してチップを裏面側から矢印方向に突き上げてチップ１’のコーナー部をピックアップ・テープ９ＵＶから剥離し、コレットと呼ばれる吸着ツールでチップ１’の素子形成面側を吸着して剥離することによりピックアップする（ＳＴＥＰ８）。この際、封止材３Ａは、溝４に対応する位置で引きちぎられて切断される。その後、図４５（ｈ）に示すように、ピックアップしたチップ１’と基板（配線基板）１４との位置決めを行い、リフロー炉に入れてバンプ２を溶融することにより、チップ１’のバンプ２と基板１４上に形成されたパッドまたはバンプとをフリップチップ接続で接合して実装するとともに、封止材３Ａを溶融させてチップ１’と基板１４との間の領域を封止樹脂３で封止する。これによって、フリップチップ接続による実装と樹脂封止とが同時に行なわれる（ＳＴＥＰ９）。
【０１５２】
上記のような製造方法によれば、バンプ２の形成後にウェーハ１の主表面を封止材３Ａでコーティングするため、バンプ２以外の部分が封止材で埋め込まれ、見かけ上のバンプ２の突起がなくなるので、裏面研削時のウェーハ１の割れを低減し、歩留まりの低下を抑制できる。封止材３Ａを液状樹脂によるスピンコートで形成した場合には、バンプの高さに依存せずにバンプ２による段差の吸収が可能になり、ボール・バンプやスタッド・バンプ等の高さの高いバンプを用いることができる。一方、シート状の樹脂を貼り付けた場合にも、封止材としての樹脂を貼った後に、表面保護テープ５を貼り付けることによって、２つの部材で段差を吸収するので、従来よりも高いバンプまで対応可能になる。
【０１５３】
また、チップ１’と封止材３Ａが一体化した状態でピックアップを行うので、封止材３Ａがチップ１’の補強部材として働き、薄いチップ１’をピックアップする際に発生するチップ１’の割れを大幅に低減できる。
【０１５４】
更に、ピックアップしたチップ１’をフリップチップ接続で基板１４に実装する際に、封止材３Ａを溶融させて実装と封止を同時に行うことができるので、製造工程の簡単化と低コスト化が図れる。
【０１５５】
しかも、ピックアップ時にウェーハ１の素子形成面に形成した封止材３Ａを溝４上で切断するので、封止材３Ａのサイズはチップサイズとほぼ等しくなり、チップ１’と封止材３Ａの位置ズレを小さくしてフリップチップ接続時に封止材３Ａがチップ裏面に這い上がるのを抑制できる。よって、従来の製造方法で必要となったテフロンシート等が不要となり、製造コストの削減が図れる。
【０１５６】
また、ウェーハ状態でバンプ２を形成するので、ウェーハ１を個々のチップ１’に個片化してからバンプ２を形成する製造方法に比べて製造工程の簡単化と低コスト化を図れる。
【０１５７】
更にまた、ピックアップ・テープ９ＵＶに紫外線を照射して硬化させることにより粘着力を低下させるので、ピックアップを容易化できる。
【０１５８】
［第２４の実施の形態］
図４７及び図４８はそれぞれ、この発明の第２４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、図４７（ａ）〜（ｉ）はそれぞれ製造工程を順次示す断面図、図４８はそのフローチャートである。
【０１５９】
本第２４の実施の形態が上述した第２３の実施の形態と異なるのは、図４７（ｈ）に示す工程（ＳＴＥＰ９）でチップ１’の基板１４への実装と樹脂封止を同時に行なった後、図４７（ｉ）に示すように、封止樹脂３を硬化させるためにアフター・キュアー（矢印１５で表す）を行う（ＳＴＥＰ１０）点にある。
【０１６０】
他の工程は、第２３の実施の形態と同様であるので、同一部分に同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。
【０１６１】
このような製造方法であっても、上記第２３の実施の形態と実質的に同様な作用効果が得られる。
【０１６２】
［第２５の実施の形態］
図４９及び図５０はそれぞれ、この発明の第２５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、図４９（ａ）〜（ｇ）はそれぞれ製造工程を順次示す断面図、図５０はそのフローチャートである。
【０１６３】
まず、半導体基板（ウェーハ）に、周知のプロセスにより種々の素子を形成する（ＳＴＥＰ１）。次に、図４９（ａ）に示すように、素子形成の終了したウェーハ１の主表面にバンプ２を形成する（ＳＴＥＰ２）。ここでは、スタッド・バンプを形成する場合を例にとって示しており、キャピラリ１０を用いて上記素子に電気的に接続されたバンプ２を形成する。その後、図４９（ｂ）に示すように、上記ウェーハ１の素子形成面側を、液状樹脂によるスピンコートにより、上記バンプ２を埋め込むように封止材３Ａでコーティングする（ＳＴＥＰ３）。この封止材は、シート状の樹脂を貼り付けることによって形成することもできる。この状態で、図４９（ｃ）に示すように、ウェーハ１のダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って、ダイヤモンドスクライバー、ダイヤモンドブレード、あるいはレーザースクライバー等を用いて、封止材３Ａを切断し且つウェーハ１の裏面に達しない深さの溝４を形成、いわゆるハーフカット・ダイシングを実施する（ＳＴＥＰ４）。その後、図４９（ｄ）に示すように、上記封止材３Ａ上に表面保護テープ（ＢＳＧテープ）５を貼り付け（ＳＴＥＰ５）、図４９（ｅ）に示すように、砥石６によりウェーハ１の裏面研削（ＳＴＥＰ６）を行って、ウェーハ１の薄厚化と個々のチップ１’への分割を同時に行う（先ダイシング）。研削終了後、図４９（ｆ）に示すように、ピックアップ装置のバックアップホルダ１３の内部をバキュームで引いて、表面保護テープ５をバックアップホルダ１３の上面に吸着して固定する。この状態で、突き上げピン１１が取り付けられているピンホルダ１２を上昇させ、突き上げピン１１をバックアップホルダ１３の上面から突出させることにより、表面保護テープ５を介在してチップを封止材３Ａ側から矢印方向に突き上げ、チップ１’のコーナー部を表面保護テープ５から剥離し、コレットと呼ばれる吸着ツールでチップ１’の裏面側を吸着して剥離することによりピックアップする（ＳＴＥＰ７）。この際、封止材３Ａは、溝４に対応する位置で引きちぎられて切断される。その後、図４９（ｇ）に示すように、ピックアップしたチップ１’と基板（配線基板）１４との位置決めを行い、リフロー炉に入れてバンプ２を溶融することにより、チップ１’のバンプ２と基板１４上に形成されたパッドまたはバンプとをフリップチップ接続で接合して実装するとともに、封止材３Ａを溶融させてチップ１’と基板１４との間の領域を封止樹脂３で封止する。これによって、フリップチップ接続による実装と樹脂封止とが同時に行なわれる（ＳＴＥＰ８）。
【０１６４】
上記のような製造方法によれば、バンプ２の形成後にウェーハ１の主表面を封止材３Ａでコーティングするため、バンプ２以外の部分が封止材で埋め込まれ、見かけ上のバンプ２の突起がなくなるので、裏面研削時のウェーハ１の割れを低減し、歩留まりの低下を抑制できる。封止材３Ａを液状樹脂によるスピンコートで形成した場合には、バンプの高さに依存せずにバンプ２による段差の吸収が可能になり、ボール・バンプやスタッド・バンプ等の高さの高いバンプを用いることができる。一方、シート状の樹脂を貼り付けた場合にも、封止材としての樹脂を貼った後に、表面保護テープ５を貼り付けることによって、２つの部材で段差を吸収するので、従来よりも高いバンプまで対応可能になる。
【０１６５】
また、ウェーハ１上に封止樹脂（封止材）３を形成し、これらが一体となった状態でハーフカット・ダイシングを行って、ウェーハ１と封止材３Ａを同時に切断して溝４を形成するので、チップ１’と封止材３Ａの位置ズレが発生しない。この結果、封止材３Ａのサイズはチップサイズとほぼ等しくなり、フリップチップ接続時に封止材３Ａがチップ裏面に這い上がることがない。よって、従来の製造方法で必要となったテフロンシート等が不要となり、製造コストの削減が図れる。
【０１６６】
更に、チップ１’と封止材３Ａが一体化した状態でピックアップを行うので、封止材３Ａがチップ１’の補強部材として働き、薄いチップ１’をピックアップする際に発生するチップ１’の割れを大幅に低減できる。
【０１６７】
更にまた、ピックアップしたチップ１’をフリップチップ接続で基板１４に実装する際に、封止材３Ａを溶融させて実装と封止を同時に行うことができるので、製造工程の簡単化と低コスト化が図れる。
【０１６８】
しかも、ウェーハ状態でバンプ２を形成するので、ウェーハ１を個々のチップ１’に個片化してからバンプ２を形成する製造方法に比べて製造工程の簡単化と低コスト化を図れる。
【０１６９】
［第２６の実施の形態］
図５１及び図５２はそれぞれ、この発明の第２６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、図５１（ａ）〜（ｈ）はそれぞれ製造工程を順次示す断面図、図５２はそのフローチャートである。
【０１７０】
本第２６の実施の形態が上述した第２５の実施の形態と異なるのは、図５１（ｇ）に示す工程（ＳＴＥＰ８）でチップ１’の基板１４への実装と樹脂封止を同時に行なった後、図５１（ｈ）に示すように、封止樹脂３を硬化させるためにアフター・キュアー（矢印１５で表す）を行う（ＳＴＥＰ９）点にある。
【０１７１】
他の工程は、第２５の実施の形態と同様であるので、同一部分に同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。
【０１７２】
このような製造方法であっても、上記第２５の実施の形態と実質的に同様な作用効果が得られる。
【０１７３】
［第２７の実施の形態］
図５３及び図５４はそれぞれ、この発明の第２７の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、図５３（ａ）〜（ｈ）はそれぞれ製造工程を順次示す断面図、図５４はそのフローチャートである。
【０１７４】
まず、半導体基板（ウェーハ）に、周知のプロセスにより種々の素子を形成する（ＳＴＥＰ１）。次に、図５３（ａ）に示すように、素子形成の終了したウェーハ１の主表面にバンプ２を形成する（ＳＴＥＰ２）。ここでは、スタッド・バンプを形成する場合を例にとって示しており、キャピラリ１０を用いて上記素子に電気的に接続されたバンプ２を形成する。その後、図５３（ｂ）に示すように、上記ウェーハ１の素子形成面側を、液状樹脂によるスピンコートにより、上記バンプ２を埋め込むように封止材３Ａでコーティングする（ＳＴＥＰ３）。この封止材は、シート状の樹脂を貼り付けることによって形成することもできる。この状態で、図５３（ｃ）に示すように、ウェーハ１のダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って、ダイヤモンドスクライバー、ダイヤモンドブレード、あるいはレーザースクライバー等を用いて、封止材３Ａを切断し、且つウェーハ１’の裏面に達しない深さの溝４を形成、いわゆるハーフカット・ダイシングを実施する（ＳＴＥＰ４）。その後、図５３（ｄ）に示すように、上記封止材３Ａ上に表面保護テープ（ＢＳＧテープ）５を貼り付け（ＳＴＥＰ５）、図５３（ｅ）に示すように、砥石６によりウェーハ１の裏面研削（ＳＴＥＰ６）を行って、ウェーハ１の薄厚化と個々のチップ１’への分割を同時に行う（先ダイシング）。研削終了後、図５３（ｆ）に示すように、フラットリング８に装着したピックアップ・テープ９に、個片化された各チップ１’を位置決めして接着した後、表面保護テープ５を剥離する。これによって、チップ１’が表面保護テープ５からピックアップ・テープ９へ転写される（ＳＴＥＰ７）。次に、上記フラットリング８をピックアップ装置の固定テーブルに装着し、ピックアップの対象となるチップ１’にピックアップツールが対応するように、固定テーブルをＸＹ方向に移動させる。その後、各チップ１’の表面をモニタし、個々のチップ１’の位置検出、及び良品／不良品を判別するためのマーク検出等を行う。そして、図５３（ｇ）に示すように、ピックアップ装置のバックアップホルダ１３の内部をバキュームで引いて、ピックアップ・テープ９をバックアップホルダ１３の上面に吸着して固定する。この状態で、突き上げピン１１が取り付けられているピンホルダ１２を上昇させ、突き上げピン１１をバックアップホルダ１３の上面から突出させることにより、ピックアップ・テープ９を介在してチップを裏面側から矢印方向に突き上げてチップ１’のコーナー部をピックアップ・テープ９から剥離し、コレットと呼ばれる吸着ツールでチップ１’の素子形成面側を吸着して剥離することによりピックアップする（ＳＴＥＰ８）。この際、封止材３Ａは、溝４に対応する位置で引きちぎられて切断される。その後、図５３（ｈ）に示すように、ピックアップしたチップ１’と基板（配線基板）１４との位置決めを行い、リフロー炉に入れてバンプ２を溶融することにより、チップ１’のバンプ２と基板１４上に形成されたパッドまたはバンプとをフリップチップ接続で接合して実装するとともに、封止材３Ａを溶融させてチップ１’と基板１４との間の領域を封止樹脂３で封止する。これによって、フリップチップ接続による実装と樹脂封止とが同時に行なわれる（ＳＴＥＰ９）。
【０１７５】
上記のような製造方法によれば、バンプ２の形成後にウェーハ１の主表面を封止材３Ａでコーティングするため、バンプ２以外の部分が封止材で埋め込まれ、見かけ上のバンプ２の突起がなくなるので、裏面研削時のウェーハ１の割れを低減し、歩留まりの低下を抑制できる。封止材３Ａを液状樹脂によるスピンコートで形成した場合には、バンプの高さに依存せずにバンプ２による段差の吸収が可能になり、ボール・バンプやスタッド・バンプ等の高さの高いバンプを用いることができる。一方、シート状の樹脂を貼り付けた場合にも、封止材としての樹脂を貼った後に、表面保護テープ５を貼り付けることによって、２つの部材で段差を吸収するので、従来よりも高いバンプまで対応可能になる。
【０１７６】
また、ウェーハ１上に封止樹脂（封止材）３を形成し、これらが一体となった状態でハーフカット・ダイシングを行って、ウェーハ１と封止材３Ａを同時に切断して溝４を形成するので、チップ１’と封止材３Ａの位置ズレが発生しない。この結果、封止材３Ａのサイズはチップサイズとほぼ等しくなり、フリップチップ接続時に封止材３Ａがチップ裏面に這い上がることがない。よって、従来の製造方法で必要となったテフロンシート等が不要となり、製造コストの削減が図れる。
【０１７７】
更に、チップ１’と封止材３Ａが一体化した状態でピックアップを行うので、封止材３Ａがチップ１’の補強部材として働き、薄いチップ１’をピックアップする際に発生するチップ１’の割れを大幅に低減できる。
【０１７８】
更にまた、ピックアップしたチップ１’をフリップチップ接続で基板１４に実装する際に、封止材３Ａを溶融させて実装と封止を同時に行うことができるので、製造工程の簡単化と低コスト化が図れる。
【０１７９】
しかも、ウェーハ状態でバンプ２を形成するので、ウェーハ１を個々のチップ１’に個片化してからバンプ２を形成する製造方法に比べて製造工程の簡単化と低コスト化を図れる。
【０１８０】
［第２８の実施の形態］
図５５及び図５６はそれぞれ、この発明の第２８の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、図５５（ａ）〜（ｉ）はそれぞれ製造工程を順次示す断面図、図５６はそのフローチャートである。
【０１８１】
本第２８の実施の形態が上述した第２７の実施の形態と異なるのは、図５１（ｈ）に示す工程（ＳＴＥＰ９）でチップ１’の基板１４への実装と樹脂封止を同時に行なった後、図５５（ｉ）に示すように、封止樹脂３を硬化させるためにアフター・キュアー（矢印１５で表す）を行う（ＳＴＥＰ１０）点にある。
【０１８２】
他の工程は、第２７の実施の形態と同様であるので、同一部分に同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。
【０１８３】
このような製造方法であっても、上記第２７の実施の形態と実質的に同様な作用効果が得られる。
【０１８４】
［第２９の実施の形態］
図５７及び図５８はそれぞれ、この発明の第２９の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、図５７（ａ）〜（ｉ）はそれぞれ製造工程を順次示す断面図、図５８はそのフローチャートである。
【０１８５】
まず、半導体基板（ウェーハ）に、周知のプロセスにより種々の素子を形成する（ＳＴＥＰ１）。次に、図５７（ａ）に示すように、素子形成の終了したウェーハ１の主表面にバンプ２を形成する（ＳＴＥＰ２）。ここでは、スタッド・バンプを形成する場合を例にとって示しており、キャピラリ１０を用いて上記素子に電気的に接続されたバンプ２を形成する。その後、図５７（ｂ）に示すように、上記ウェーハ１の素子形成面側を、液状樹脂によるスピンコートにより、上記バンプ２を埋め込むように封止材３Ａでコーティングする（ＳＴＥＰ３）。この封止材は、シート状の樹脂を貼り付けることによって形成することもできる。この状態で、図５７（ｃ）に示すように、ウェーハ１の素子形成面側からダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って、ダイヤモンドスクライバー、ダイヤモンドブレード、あるいはレーザースクライバー等を用いて、封止材３Ａを切断し、且つウェーハ１’の裏面に達しない深さの溝４を形成、いわゆるハーフカット・ダイシングを実施する（ＳＴＥＰ４）。その後、図５７（ｄ）に示すように、上記封止材３Ａ上に表面保護テープ（ＢＳＧテープ）５を貼り付け（ＳＴＥＰ５）、図５７（ｅ）に示すように、砥石６によりウェーハ１の裏面研削（ＳＴＥＰ６）を行って、ウェーハ１の薄厚化と個々のチップ１’への分割を同時に行う（先ダイシング）。研削終了後、図５７（ｆ）に示すように、フラットリング８に装着した紫外線（ＵＶ）硬化型のピックアップ・テープ９ＵＶに、個片化された各チップ１’の裏面を位置決めして接着した後、表面保護テープ５を剥離する。これによって、チップ１’が表面保護テープ５からピックアップ・テープ９ＵＶへ転写される（ＳＴＥＰ７）。その後、図５７（ｇ）に示すように、上記ピックアップ・テープ９ＵＶに紫外線を照射（ＳＴＥＰ８）して硬化させることにより粘着力を低下させる。次に、上記フラットリング８をピックアップ装置の固定テーブルに装着し、ピックアップの対象となるチップ１’にピックアップツールが対応するように、固定テーブルをＸＹ方向に移動させる。その後、各チップ１’の表面をモニタし、個々のチップ１’の位置検出、及び良品／不良品を判別するためのマーク検出等を行う。そして、図５７（ｈ）に示すように、ピックアップ装置のバックアップホルダ１３の内部をバキュームで引いて、ピックアップ・テープ９ＵＶをバックアップホルダ１３の上面に吸着して固定する。この状態で、突き上げピン１１が取り付けられているピンホルダ１２を上昇させ、突き上げピン１１をバックアップホルダ１３の上面から突出させることにより、ピックアップ・テープ９ＵＶを介在してチップを裏面側から矢印方向に突き上げてチップ１’のコーナー部をピックアップ・テープ９ＵＶから剥離し、コレットと呼ばれる吸着ツールでチップ１’の素子形成面側を吸着して剥離することによりピックアップする（ＳＴＥＰ９）。この際、封止材３Ａは、溝４に対応する位置で引きちぎられて切断される。その後、図５７（ｉ）に示すように、ピックアップしたチップ１’と基板（配線基板）１４との位置決めを行い、リフロー炉に入れてバンプ２を溶融することにより、チップ１’のバンプ２と基板１４上に形成されたパッドまたはバンプとをフリップチップ接続で接合して実装するとともに、封止材３Ａを溶融させてチップ１’と基板１４との間の領域を封止樹脂３で封止する。これによって、フリップチップ接続による実装と樹脂封止とが同時に行なわれる（ＳＴＥＰ１０）。
【０１８６】
上記のような製造方法によれば、バンプ２の形成後にウェーハ１の主表面を封止材３Ａでコーティングするため、バンプ２以外の部分が封止材で埋め込まれ、見かけ上のバンプ２の突起がなくなるので、裏面研削時のウェーハ１の割れを低減し、歩留まりの低下を抑制できる。封止材３Ａを液状樹脂によるスピンコートで形成した場合には、バンプの高さに依存せずにバンプ２による段差の吸収が可能になり、ボール・バンプやスタッド・バンプ等の高さの高いバンプを用いることができる。一方、シート状の樹脂を貼り付けた場合にも、封止材としての樹脂を貼った後に、表面保護テープ５を貼り付けることによって、２つの部材で段差を吸収するので、従来よりも高いバンプまで対応可能になる。
【０１８７】
また、ウェーハ１上に封止材３Ａを形成し、これらが一体となった状態でハーフカット・ダイシングを行って、ウェーハ１と封止材３Ａを同時に切断して溝４を形成するので、チップ１’と封止材３Ａの位置ズレが発生しない。この結果、封止材３Ａのサイズはチップサイズとほぼ等しくなり、フリップチップ接続時に封止材３Ａがチップ裏面に這い上がることがない。よって、従来の製造方法で必要となったテフロンシート等が不要となり、製造コストの削減が図れる。
【０１８８】
更に、チップ１’と封止材３Ａが一体化した状態でピックアップを行うので、封止材３Ａがチップ１’の補強部材として働き、薄いチップ１’をピックアップする際に発生するチップ１’の割れを大幅に低減できる。
【０１８９】
更にまた、ピックアップしたチップ１’をフリップチップ接続で基板１４に実装する際に、封止材３Ａを溶融させて実装と封止を同時に行うことができるので、製造工程の簡単化と低コスト化が図れる。
【０１９０】
しかも、ピックアップ・テープ９ＵＶに紫外線を照射して硬化させることにより粘着力を低下させるので、ピックアップを容易化できる。
【０１９１】
また、ウェーハ状態でバンプ２を形成するので、ウェーハ１を個々のチップ１’に個片化してからバンプ２を形成する製造方法に比べて製造工程の簡単化と低コスト化を図れる。
【０１９２】
［第３０の実施の形態］
図５９及び図６０はそれぞれ、この発明の第３０の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、図５９（ａ）〜（ｊ）はそれぞれ製造工程を順次示す断面図、図６０はそのフローチャートである。
【０１９３】
本第３０の実施の形態が上述した第２９の実施の形態と異なるのは、図５９（ｉ）に示す工程（ＳＴＥＰ１０）でチップ１’の基板１４への実装と樹脂封止を同時に行なった後、図５９（ｊ）に示すように、封止樹脂３を硬化させるためにアフター・キュアー（矢印１５で表す）を行う（ＳＴＥＰ１１）点にある。
【０１９４】
他の工程は、第２９の実施の形態と同様であるので、同一部分に同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。
【０１９５】
このような製造方法であっても、上記第２９の実施の形態と実質的に同様な作用効果が得られる。
【０１９６】
以上第１乃至第３０の実施の形態を用いてこの発明の説明を行ったが、この発明は上記各実施の形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。
【０１９７】
以下、この発明の種々の変形例について説明する。
【０１９８】
［変形例１］
上記各実施の形態における表面保護テープ５に紫外線硬化型のものを用い、ウェーハの裏面研削工程の後に、表面保護テープ５に紫外線を照射して粘着力を低下させるようにしても良い。
【０１９９】
［変形例２］
上記各実施の形態における裏面研削（ＢＳＧ）工程においては、ウェーハ１を固定するチャックテーブルと研削用砥石を回転させ、砥石を降下させながらウェーハ１の裏面を削るインフィード研削と呼ばれる方法や、ウェーハ１と砥石６を回転させながら削るスルーフィード研削またはクリープフィード研削と呼ばれる方法を用いることができる。この際、ウェーハ１の裏面を溝４に達するまで削ると、ウェーハは個々のチップ１’に分割されるが、ウェーハ１が個々のチップ１’に分割された後も研削（及び研磨）を続け、少なくとも５μｍ以上研削及び研磨することによって、ハーフカット・ダイシングによって形成された溝４の側壁面と研削及び研磨によって形成された面とが交わる部分にチッピングが発生しても、この領域を研削及び研磨によって除去できる。研削及び研磨する量を増加させれば、より大きなチッピングを除去できるが、この研削及び研磨量はウェーハ１の厚さや完成時のチップ１’の厚さ等必要に応じて設定すれば良い。これによって、チップ１’の完成時の厚さは、例えば３０〜５０μｍまで薄厚化が可能となる。
【０２００】
また、上記ウェーハ１の裏面を、溝４に達するまで削って個々のチップ１’に分割する際、１種類の砥粒径の研削砥石を用いても良いが、研削時間の短縮とチッピングの発生の防止との両方を考慮すると、次のように少なくとも２種類の砥粒径の研削砥石を用いて２段階、あるいはそれ以上で行うことが好ましい。すなわち、まず＃３６０（主要な砥粒径が４０〜６０μｍ）程度の砥粒径の大きい研削砥石により研削及び研磨した後、＃２０００（主要な砥粒径が４〜６μｍ）程度の砥粒径の小さい研削砥石により研削及び研磨して個々のチップ１’に分離すれば、ウェーハ１を個々のチップ１’に分離するまでの時間短縮が図れ、且つ最終的に分離する際には砥粒径の小さい研削砥石を用いるのでチッピングの発生も低減できる。
【０２０１】
［変形例３］
上記各実施の形態におけるチップ１’の基板１４へのフリップチップ接続時に、超音波を印加しても良い。これによって、より強固に接合することができる。
【０２０２】
［変形例４］
上記各実施の形態におけるチップ１’の基板１４への実装工程は、金属固相拡散接合、金属液相拡散接合、及び接触接合等を用いることができる。上記金属固相拡散接合としては、例えばバンプにＡｕ／ＡｕやＡｕ／Ｃｕを用いる超音波熱圧着を用いることができる。超音波熱圧着は、高速且つ低温接合が可能であり、アンダーフィルレスが必要なデバイスに対応できる。
【０２０３】
また、上記金属液相拡散接合としては、例えばバンプにハンダ／ハンダを用いるＣ４接続（Controlled Collapse Chip Connection）を用いることができる。Ｃ４接続は、接合信頼性が高く、表面実装技術（SMT:Surface Mount Technology）同一プロセスが実現できる。
【０２０４】
更に、上記接触接合としては、Ａｕ／Ｓｎ−Ａｇ、Ａｕ／Ｓｎ、Ａｕ／Ｂｉを用いた一括封止接続や、Ｃｕ／Ｓｎ−Ｂｉを用いた圧接接合を用いることができる。圧接接合は、低温プロセスであり、ガラス基板への実装にも対応でき、狭ピッチ化が可能である。
【０２０５】
以上第１乃至第３０の実施の形態並びに第１乃至第４の変形例を用いてこの発明の説明を行ったが、各実施の形態並びに変形例には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件の適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば各実施の形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題の少なくとも１つが解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果の少なくとも１つが得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【０２０６】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、ウェーハの割れによる製造歩留まりの低下を抑制できる半導体装置の製造方法が得られる。
【０２０７】
また、ハンダバンプのような高いバンプを使うチップであってもウェーハを薄くすることができる半導体装置の製造方法が得られる。
【０２０８】
更に、基板の封止樹脂の貼り付けと、基板（封止樹脂付き）とチップの貼り付けの位置ズレを小さくして実装精度を向上できる半導体装置の製造方法が得られる。
【０２０９】
更にまた、フリップチップ接続時にチップ裏面をコーティングするためのテフロンシート等を不要にして低コスト化が図れる半導体装置の製造方法が得られる。
【０２１０】
また、製造工程の簡単化と低コスト化を図れる半導体装置の製造方法が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、製造工程を順次示す断面図。
【図２】この発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのフローチャート。
【図３】この発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、製造工程を順次示す断面図。
【図４】この発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのフローチャート。
【図５】この発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、製造工程を順次示す断面図。
【図６】この発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのフローチャート。
【図７】この発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、製造工程を順次示す断面図。
【図８】この発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのフローチャート。
【図９】この発明の第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、製造工程を順次示す断面図。
【図１０】この発明の第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのフローチャート。
【図１１】この発明の第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、製造工程を順次示す断面図。
【図１２】この発明の第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのフローチャート。
【図１３】この発明の第７の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、製造工程を順次示す断面図。
【図１４】この発明の第７の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのフローチャート。
【図１５】この発明の第８の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、製造工程を順次示す断面図。
【図１６】この発明の第８の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのフローチャート。
【図１７】この発明の第９の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、製造工程を順次示す断面図。
【図１８】この発明の第９の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのフローチャート。
【図１９】この発明の第１０の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、製造工程を順次示す断面図。
【図２０】この発明の第１０の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのフローチャート。
【図２１】この発明の第１１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、製造工程を順次示す断面図。
【図２２】この発明の第１１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのフローチャート。
【図２３】この発明の第１２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、製造工程を順次示す断面図。
【図２４】この発明の第１２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのフローチャート。
【図２５】この発明の第１３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、製造工程を順次示す断面図。
【図２６】この発明の第１３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのフローチャート。
【図２７】この発明の第１４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、製造工程を順次示す断面図。
【図２８】この発明の第１４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのフローチャート。
【図２９】この発明の第１５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、製造工程を順次示す断面図。
【図３０】この発明の第１５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのフローチャート。
【図３１】この発明の第１６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、製造工程を順次示す断面図。
【図３２】この発明の第１６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのフローチャート。
【図３３】この発明の第１７の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、製造工程を順次示す断面図。
【図３４】この発明の第１７の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのフローチャート。
【図３５】この発明の第１８の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、製造工程を順次示す断面図。
【図３６】この発明の第１８の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのフローチャート。
【図３７】この発明の第１９の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、製造工程を順次示す断面図。
【図３８】この発明の第１９の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのフローチャート。
【図３９】この発明の第２０の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、製造工程を順次示す断面図。
【図４０】この発明の第２０の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのフローチャート。
【図４１】この発明の第２１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、製造工程を順次示す断面図。
【図４２】この発明の第２１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのフローチャート。
【図４３】この発明の第２２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、製造工程を順次示す断面図。
【図４４】この発明の第２２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのフローチャート。
【図４５】この発明の第２３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、製造工程を順次示す断面図。
【図４６】この発明の第２３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのフローチャート。
【図４７】この発明の第２４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、製造工程を順次示す断面図。
【図４８】この発明の第２４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのフローチャート。
【図４９】この発明の第２５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、製造工程を順次示す断面図。
【図５０】この発明の第２５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのフローチャート。
【図５１】この発明の第２６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、製造工程を順次示す断面図。
【図５２】この発明の第２６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのフローチャート。
【図５３】この発明の第２７の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、製造工程を順次示す断面図。
【図５４】この発明の第２７の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのフローチャート。
【図５５】この発明の第２８の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、製造工程を順次示す断面図。
【図５６】この発明の第２８の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのフローチャート。
【図５７】この発明の第２９の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、製造工程を順次示す断面図。
【図５８】この発明の第２９の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのフローチャート。
【図５９】この発明の第３０の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのもので、製造工程を順次示す断面図。
【図６０】この発明の第３０の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するためのフローチャート。
【図６１】従来の半導体装置の製造方法について説明するためのフローチャート。
【図６２】従来の他の半導体装置の製造方法について説明するためのフローチャート。
【符号の説明】
１…ウェーハ、
１’…チップ、
２…バンプ、
３…封止樹脂、
３Ａ，３Ｂ…封止材、
３Ｂ−１…シート状の基材、
３Ｂ−２…封止樹脂層、
４…溝、
５…表面保護テープ（ＢＳＧテープ）、
６…裏面研削用の砥石、
８…フラットリング（ウェーハリング）、
９…ピックアップ・テープ、
９ＵＶ…紫外線硬化型のピックアップ・テープ、
１０…キャピラリ、
１１…突き上げピン、
１２…ピンホルダ、
１３…バックアップホルダ、
１４…基板（配線基板）、
１５…熱（アフター・キュアー）、
１６…紫外線の光源。

Claims (7)

1. 素子が形成されたウェーハの主表面に、前記素子に電気的に接続されたスタッド・バンプを形成する第１の工程と、
   前記ウェーハのスタッド・バンプ形成面側に、封止材として働くシート状の樹脂を貼り付けて被覆する第２の工程と、
   前記ウェーハのダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って、前記封止材を切断し且つ前記ウェーハの裏面に達しない深さの溝を形成する第３の工程と、
   前記ウェーハの裏面研削を少なくとも前記溝に達する深さまで行うことにより、ウェーハの薄厚化と個々のチップへの分離を同時に行う第４の工程と、
   前記裏面研削によって個片化されたチップをピックアップする第５の工程と、
   加熱して、ピックアップしたチップのスタッド・バンプを溶融させて基板にフリップチップ接続により接合して実装し、且つ同時に前記封止材を溶融させて前記ピックアップしたチップと前記基板との間を封止する第６の工程と
   を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記ウェーハの裏面研削工程の前に、前記ウェーハのバンプ形成面を被覆する前記封止材上に、表面保護テープを貼り付ける工程を更に具備することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記ウェーハの裏面研削工程の前に、前記ウェーハのバンプ形成面を被覆する前記封止材上に、紫外線硬化型の表面保護テープを貼り付ける工程と、前記ウェーハの裏面研削工程の後に、前記表面保護テープに紫外線を照射して粘着力を低下させる工程とを更に具備することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記ピックアップ工程の前に、個片化された各チップの裏面にピックアップ・テープを貼り付ける工程を更に具備することを特徴とする請求項１乃至３いずれか１つの項に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記ピックアップ工程の前に、個片化された各チップの裏面に紫外線硬化型のピックアップ・テープを貼り付ける工程と、このピックアップ・テープに紫外線を照射して粘着力を低下させる工程とを更に具備することを特徴とする請求項１乃至３いずれか１つの項に記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記フリップチップ接続工程において、前記バンプの基板への接合は、超音波を印加した状態で行われることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
7. ピックアップしたチップの前記バンプを基板に接合して実装し、且つ同時に前記封止材を溶融させて封止する工程の後に、アフター・キュアー工程を更に具備することを特徴とする請求項１乃至６いずれか１つの項に記載の半導体装置の製造方法。

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