JP4354695B2 - 光学情報媒体 - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、レーザ光ビームによって再書込み可能な記録用光学情報媒体であって、当該媒体が、基板を有し、その基板の一方の側に、
− ２層の誘電層の間にはさまれた相変化型記録層を有する第一記録スタック、
− ２層の誘電層の間にはさまれた相変化型記録層を有する第二記録スタック、
− 前記レーザ光ビームの焦点深度より大きい層厚を有する、前記第一および前記第二記録スタックの間に介在する透明スペーサ層、そして
− 前記第二記録スタックの近傍にありかつ前記透明スペーサ層から離れた前記第二記録スタックの側にある金属ミラー層
を配置させた記録用光学情報媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
このような光学情報媒体は、米国特許第６，１９０，７５０号から公知である。当該特許には、片面二重層記録用の光学情報媒体が記載されている。
【０００３】
相変化の原理に基づく光学データ記録は、それが、直接重ね書き（ＤＯＷ）および高記憶密度の可能性と、読取り専用光学データ記録システムとの容易な互換性とを兼ね備えるので、魅力的である。相変化光学記録法は、フォーカスされた相対的に強力なレーザ光ビームを使用して、結晶薄膜内にサブマイクロメータのサイズのアモルファス記録マークを形成するものである。情報を記録する間、媒体は、記録される情報に従って変調されるフォーカスされたレーザ光ビームに対して、移動させられる。これにより、クェンチングが相変化記録層内に起こり、その結果、露出されていない領域内では結晶状態のままの記録層の、露出された領域内に、アモルファス情報マークが形成される。アモルファスマークの消去は、記録層を融解させずに、中間パワーレベルで同じレーザーを用いて加熱し、再結晶化させることにより実現される。アモルファスマークは、低パワーのフォーカスされたレーザ光ビームにより、例えば、基板を介して、読み出すことができるデータビットを表す。記録層の結晶性の未露光領域とのアモルファスマークの反射率の差は、レーザ光ビームを変調させ、これは、次いで、検出器により、記録されたデジタル情報に従って変調された光電流に変換される。
【０００４】
片面ディスクのＤＶＤ−ＲｅｗｒｉｔａｂｌｅおよびＤＶＲ（デジタルビデオレコーダ）のような光記録媒体の記憶容量を増大させることは、１つの目標である。これは、レーザ光のスポットサイズが（λ／ＮＡ）２に比例するので、レーザ光波長λを低減させおよび／または記録レンズの開口数（ＮＡ）を増大させることにより達成することができる。レーザ光スポットのサイズがより小さくなるので、記録されるマークも、より小さくなる。したがって、より多くのマークがディスクの単位面積当たりに適合するので、ディスクの記憶容量は増大する。これの１つの代替方法は、多重記録層の適用である。光ディスクの同じ側に２層の記録層が使用される際には、これは、二層またはデュアル層記録と呼ばれる。光ディスクの同じ側に３層以上の記録層を使用する場合、それはマルチ層記録と呼ばれる。これらの新規なディスクに対しては、完全消去時間（ＣＥＴ）は、最大でも６０ｎｓでなければならない。ＣＥＴは、結晶性環境中においてアモルファスマークを完全に結晶化させる消去パルスの最小継続時間として規定され、これは静的に測定される。１２０ｍｍ径のディスク当たり４．７ＧＢの記憶密度を有することができるＤＶＤ−Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅに対しては、３３ Ｍｂｉｔ／ｓのユーザーデータビットレートが必要であり、そしてＤＶＲ−赤および−青（赤および青は、使用されるレーザ光波長）に対しては、当該データビットレートは、それぞれ、３５Ｍｂｉｔ／ｓと５０Ｍｂｉｔ／ｓである。これらのデータビットレートの各々は、いくつかのパラメータ（例えば、使用される記録層材料および記録スタックの熱的設計）により影響を受ける最大ＣＥＴに、変換することができる。
【０００５】
二層記録の場合、第一記録スタックは、第二記録スタックに対する適切な読取り／書込み特性を確保するために十分な透過性を有していなければならない。米国特許第 ６，１９０，７５０号により公知である媒体は、再書込み可能な相変化記録のため、｜ ＩＰ１ＩＭ１Ｉ＋｜Ｓ｜ＩＰ２ＩＭ２構造を有する。この構造は、２つの金属層を有し、その第一層（Ｍ１）は、相対的に薄くかつ高い光透過率を有し、第二層（Ｍ２）は、高い光反射率を有するミラーである。Ｉは誘電層を表し、Ｉ＋はさらなる誘電層を表し、レーザ光線が先に入射するＰ １ 、ならびにＰ ２ は、相変化記録層を表し、かつＳは透明スペーサ層を表す。金属層は、反射ミラーとして機能するのみならず、書込みの間に、アモルファス相をクエンチするために急速冷却を確実にするヒートシンクとしても機能する。同一材料または極めて類似した材料からなる２層の記録層Ｐ１およびＰ２の記録および消去の挙動は、スタックにおけるそれらの位置のために異なる。Ｐ１層は、ヒートシンク容量が限られた相対的に薄い金属層Ｍ １ 層の近くに存在し、Ｐ２層は、記録の間Ｐ２層を相当冷却させる相対的に厚い金属ミラー層Ｍ２の近くに存在する。記録層の冷却挙動により、相当程度、記録の間のレーザ光ビームに必要なレーザ光書込みパルスストラテジと記録速度とが決まる。さらに、相対的に薄い金属層Ｍ１ は、レーザ光の相当部分をブロックすることが避けられず、これはＰ２層で記録パワーを低減させてしまう原因となる。
【０００６】
この公知の媒体の問題点は、第一記録層と第二記録層とで、記録および消去の挙動が、実質上異なる点である。これは、各々の記録層に対し異なるレーザ光線書込みパルスストラテジと記録速度とを要求するので、より複雑な記録装置が必要になる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的は、最適な記録および消去の挙動が、どの記録層にも実質上等しい記録速度と、どの記録層にも実質上等しいレーザ光書込みパルスストラテジとにより達成される、第一パラグラフに記載されている種類の光学情報媒体を提供することである。
【０００８】
この目的は、
− 前記第一記録スタックが、実質上成長主体の結晶化を有する種類と、実質上核生成主体の結晶化を有する種類とから、選択された種類の相変化型記録層を有し、かつ
− 前記第二記録スタックが、前記第一記録スタックに対して選択された前記種類とは異なる種類の相変化型記録層を有することにより達成される。
【０００９】
本発明の光学情報媒体の原理は、例えば、次の層構造により模式的に説明することができる：
｜ ＩＰ１Ｉ｜ Ｓ｜ ＩＰ２Ｉ ｜Ｍ｜
ここで、ＩＰ１Ｉは第一記録スタックで、ＩＰ２Ｉは第二記録スタックで、ここで、ＩおよびＳは、上述した意味を有し、Ｍは金属ミラー層で、かつＰ１およびＰ２は異なる種類の相変化型記録層である。記録および読出しの間、光学レコーダのレーザ光ビームは、第一記録スタックを介して入射する。層構造が配置される基板は、金属層Ｍに隣接して存在していてもよいし（この場合、レーザ光ビームは基板を通過せずに第一記録スタックを介して入射する）、第一記録スタックに隣接して存在していてもよい（この場合、レーザ光ビームは、基板層を通過した後に第一記録スタックを介して入射する）。基板から離れた方の層構造の片側に、層構造を環境から保護するためにカバー層を、設けることも出来る。
【００１０】
本発明は、記録層の結晶化の動力学（ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ ｋｉｎｅｔｉｃｓ）を、記録層の材料の選択により、記録層に隣接する層の熱および／または光学特性に整合させなければならないと言う洞察に基づいている。結晶化には、成長主体の結晶化、および核生成主体の結晶化と言う２つの機構が、公知である。Ｍがヒートシンクとして機能するので、金属ミラーＭの存在は、第二記録スタックを相対的に速い冷却構造とすることが出来る。他方、第一記録スタックは、金属ヒートシンクが存在しないので相対的に遅い冷却構造となる。換言すれば、書込みの間アモルファス相をクエンチするために重要である冷却速度と、記録感度とは、記録スタックごとに異なる。これは、実質上異なる結晶化特性を有する記録層を選択することにより、補償することができる。少なくとも一つの透明でかつしたがって、相対的に薄い金属層を、第一記録スタックに隣接させて追加することも、可能である。このような付加される金属層のヒートシンクの容量は、相対的に低い。したがって、このような層を、光反射を微調整し、かつ第一記録スタックのヒートシンク容量を微調整するために使用することができる。
【００１１】
ＤＯＷの間、アモルファス相記録マークを再結晶化させることができるスピードは、ＣＥＴに反比例するデータレートを決定する。新規なマークの書込みを可能とする前に、既存のマークは完全に消去しなければならない。したがって、消去または再結晶を行うことができるスピードにより、記録媒体の最大データレートが制限される。第一記録スタックは、相対的に遅い冷却構造であり、かつ記録層は、第二記録スタックに充分なレーザ光線を透過させるために薄くなければならない。
【００１２】
第二記録スタックの記録層の相変化材料が、核生成主体の結晶化を有し、かつ相対的に低いＣＥＴを有する場合、第一記録スタックの記録層の相変化材料の選択は、相対的に低いＣＥＴを有する成長主体の結晶化の材料である。層が薄い場合、晶子（ｃｒｙｓｔａｌｌｉｔｅｓ）の核生成が発生しにくいので、核生成主体の結晶化の相変化材料を選択することは、相対的に高いＣＥＴをもたらすことになろう。
【００１３】
第二記録スタックが、成長主体の結晶化と相対的に大きいＣＥＴを有する相変化記録層材料を有する場合、第一記録スタックに薄い結晶化核生成主体の記録層を選択することは、第二記録スタックにおける記録層の挙動と整合させるために有利である。
【００１４】
誘電層は、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合体、例えば、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０が好ましい。これに代えて、この層を、それらの非化学量論比の配合物を含む、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＺｎＳ、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＳｉＣとすることができる。特に、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＳｉＣは、それらの熱伝導率が良好であると言う理由から、好ましい。
【００１５】
金属ミラー層に対しては、Ａｌ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒ、およびこれらの金属の合金のような金属を、使用することができる。適切な合金の具体例は、ＡｌＴｉ、ＡｌＣｒおよびＡｌＴａである。この金属ミラー層の層厚は、ほとんどクリティカルでないが、透過率は、最大の反射を得るために実質上ゼロであることが好ましい。実際には、光透過率がゼロでかつ堆積が容易である約１００ｎｍの層が、多用される。
【００１６】
一実施例の場合、第一記録スタックは、Ｑ（Ｑは、ＡｇおよびＧｅの群から選択される）、Ｉｎ、ＳｂおよびＴｅの化合物を含む実質上成長主体の結晶化を有する種類と、Ｇｅ、ＳｂおよびＴｅの化合物を含む実質上核生成主体の結晶化を有する種類とから選択される種類の相変化型記録層を有する。
【００１７】
実質上成長主体の結晶化の記録層としては、Ｑ、Ｉｎ、ＳｂおよびＴｅの化合物（Ｑは、Ａｇ、およびＧｅの群から選択され、そして化合物の原子組成は、組成式ＱａＩｎｂＳｂｃＴｅｄ、かつ０ ＜ ａ ≦ １５、０ ＜ ｂ ≦ ６、５５ ≦ ｃ ≦ ８０、１６ ≦ ｄ ≦ ３５、ａ ＋ ｂ ＋ ｃ ＋ ｄ ＝ １００により規定される）が、有用である。
【００１８】
国際特許出願公開第ＷＯ ０１／１３３７０に記載されている化合物は、実質上成長主体の結晶化を有する記録層として特に有用である。この適用例に記載されている化合物の原子組成は、組成式ＱａＩｎｂＳｂｃＴｅｄ（２ ≦ ａ ≦ ９、０ ＜ ｂ ≦ ６、５５ ≦ ｃ ≦ ８０、１６ ≦ ｄ ≦ ３０、ａ ＋ ｂ ＋ ｃ ＋ ｄ ＝ １００、かつＱが、 ＡｇまたはＧｅである）により規定されている。これらの化合物の場合、成長主体の結晶化スピードが相対的に速い。
【００１９】
Ｇｅ、ＳｂおよびＴｅの化合物が、実質上核生成主体の結晶化を有する相変化型記録層として有用である。ここで、化合物の原子組成は、三元組成ダイアグラムＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅにおける領域により規定され、その領域は、頂点：Ｓｂ３Ｔｅ７、Ｇｅ２Ｔｅ３、Ｇｅ３Ｔｅ２およびＳｂＴｅを有する四角形の形状である。
【００２０】
米国特許第５，８７６，８２２号に記載されている化合物は、実質上核生成主体の結晶化の相変化型記録層として特に有用である。この特許に記載されている化合物の原子組成は、組成式Ｇｅ ５０ｘ Ｓｂ４０−４０ｘＴｅ６０−１０ｘ、および０．１６６ ≦ ｘ ≦ ０．４４４により規定されている。これらの化合物の場合、核生成主体の結晶化スピードは相対的に高い。
【００２１】
第一記録スタックの相変化型記録層は、５および１５ｎｍの間の層厚を有する。第一記録スタックのより厚い記録層は、レーザ光に対して透過率が低くなりすぎると言う結果になる。第二記録スタックの記録層は、より厚く（例えば、１０と３５ｎｍの間）することができる。
【００２２】
透明スペーサ層は、通常、少なくとも１０マイクロメータの層厚を有し、かつ第一記録スタックと第二記録スタックとの間に存在する。層厚は、レーザ光ビームの焦点深度より大である。レーザ光ビームの焦点深度は、式λ／（２（ＮＡ）２）（λは、レーザ光の波長で、かつＮＡは、読取り／書込み対物レンズの開口数）により決定される。透明スペーサの層厚がこの焦点深度より実質上大であるため、第一および第二記録スタックが、光学的に分断されることが保証される。すなわち、第一記録スタックの記録層にフォーカスされるレーザ光ビームは、第二記録スタックの記録層から／へ情報を読取らない／書込まない、およびその逆も成り立つ。このようにして、記憶容量は、単一層の情報媒体に対し、二倍になる。透明スペーサ層の材料は、例えば、ＵＶ硬化されたアクリレート接着剤または樹脂である。この場合、サーボトラックは複製プロセスにより設けることができる。
【００２３】
第一記録スタックにおいて、レーザ光ビームが最初に入射する誘電層は、記録層を湿度から保護し、隣接層を熱損傷から保護し、かつ光学コントラストを最適化する。ジッターの視点から、この誘電層の層厚は、少なくとも７０ｎｍであることが好ましい。ジッターは、記録マークの形状の歪みの尺度であり、そして情報信号における上昇エッジと下降エッジの時間ずれとして測定される。光学コントラストからみて、この層の層厚は、実質上、（７０ ＋ λ／２ｎ） ｎｍ（λはレーザ光ビームの波長で、ｎは誘電層の屈折率）に等しいことが好ましい。第二記録スタックにおいて、透明スペーサ層と記録層との間の誘電層は、同じ理由により同じ範囲内の層厚を有する。しかしながら、これらの好ましい値を変更することも可能である。
【００２４】
第二記録スタックにおいて、記録層と金属ミラー層との間の誘電層は、１０および５０ｎｍ、好ましくは、２０および４０ｎｍの間の層厚を有する。この層が１０ｎｍより薄い場合、記録層と金属ミラー層の間の熱絶縁は、低くなり過ぎる。この結果、第二記録層の冷却速度が増大するので、結晶化は劣下し、サイクラビリティ（ｃｙｃｌａｂｉｌｉｔｙ）も劣下する。この層が５０ｎｍより厚い場合、記録層と金属ミラー層の間の熱絶縁は、高くなり過ぎる。冷却速度は減少し、その結果、書込みの間の媒体の記録層のクェンチングスピードが、減少し、アモルファスマークの形成が妨げられる。
【００２５】
第一記録層と透明スペーサ層との間に存在する第一記録スタックの誘電層は、最大の透過率を得るために最適化され、そしてその層厚は誘電材料の屈折率ｎに依存する。
【００２６】
情報媒体の基板は、例えば、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アモルファスポリオレフィンまたはガラスから構成されている。典型的な具体例の場合、基板は、ディスク形状で、１２０ｍｍの径、かつ０．６もしくは１．２ｍｍの層厚を有する。レーザ光ビームが基板の入射面を介して媒体に入射する場合、第一記録スタックは、基板に隣接して存在し、かつ基板は、少なくともレーザ光に対し透明である。
【００２７】
これに代えて、レーザ光が、第一記録スタックに隣接するカバー層を介して、媒体に入射することも可能である。この場合、基板は、金属ミラーに隣接している。例えば、カバー層は、新規な６０ｍｍ径のデジタルビデオレコーディング（ＤＶＲ）ディスクに対して使用される。このディスクは、このカバー層を介して書き込まれかつ読み出される。したがって、これは、良好な光学品質を有していなければならない。カバー層として適切な材料は、例えば、紫外線硬化されたポリアクリレートまたはポリメタクリレート（ｐｏｌｙ（ｍｅｔｈ）ａｃｒｙｌａｔｅ）である。記録スタックが、カバー層を介して書き込まれ、かつ読み出される場合、基板は、必ずしもレーザ光に対し透明である必要は無い。
【００２８】
少なくとも一層の付加的な透明スペーサ層により、第一および第二記録スタックから分離されている少なくとも一つの付加的な記録スタックを設けることができる。付加的な記録スタックの記録層は、相変化型であり、第一および第二記録スタックの記録層のレーザ光書込みパルスストラテジと記録速度とに整合する結晶化の動力学（ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ ｋｉｎｅｔｉｃｓ）を有するものとされる。
【００２９】
ディスク形状の基板の記録スタック側の表面には、光学的に走査することができるサーボトラックを設けることが好ましい。このサーボトラックは、しばしばらせん形状の溝であり、かつ射出成形またはプレスの間に、モールドによって基板に形成される。これに代えて、これらの溝を、透明スペーサ層（例えば、紫外線硬化可能なアクリレート）の合成樹脂に複製プロセスにより形成することもできる。
【００３０】
金属ミラー層と誘電層は、蒸着またはスパッタリングにより設けられた。
【００３１】
相変化記録層は、蒸着法、電子ビーム蒸着法、化学蒸着法、イオンプレーティングまたはスパッタリングにより基板に設けられた。
【００３２】
本発明は、例示的な実施例により、かつ添付の図面を参照してより詳細に解明されるであろう。図において、寸法は、比例関係には描かれていない。
【００３３】
【発明を実施するための形態】
図１は、レーザ光ビーム１４または１５によって、再書込み可能な記録用光学情報媒体の層構造を示す。この媒体は、基板１を有する。相変化型記録層１０を有する第一記録スタック８が、基板の一方の側に存在する。記録層１０は、それぞれ、例えば、１００ｎｍおよび９０ｎｍの層厚を有する、例えば、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる２層の誘電層９および１１の間にはさまれている。
【００３４】
相変化型記録層５を有する第二記録スタック２も、存在する。記録層５は、それぞれ、例えば、２５ｎｍおよび９５ｎｍの層厚を有し、例えば、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる２層の誘電層４および６の間にはさまれている。
【００３５】
透明スペーサ層７は、第一記録スタック８と第二記録スタック２の間に介在し、かつレーザ光ビーム１４または１５の焦点深度より大きい層厚を有する。透明スペーサ層７は、例えば、５０μｍの層厚の、例えば、ＵＶ硬化されたアクリレートとすることができる。
【００３６】
金属ミラー層３（例えば、１００ｎｍの層厚を有するアルミニウム製）は、第二記録スタック２の近くで、かつ透明スペーサ層７の側とは反対側の第二記録スタックの側に存在する。第一記録スタック８は、実質上成長主体の結晶化を有する種類、または実質上核生成主体の結晶化を有する種類の、相変化型記録層１０を有する。この実施例の場合、第一記録スタック８は、Ｇｅ、ＳｂおよびＴｅの化合物を含む実質上核生成主体の結晶化を有する種類の相変化型記録層１０を有する。例えば、７ｎｍの層厚を有する、例えば、化学量論比化合物Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５が、適切である。第二記録スタック２は、第一記録スタック８に対して選択された種類とは異なる種類の相変化型記録層５を有する。例えば、原子組成Ｇｅ１．９Ｉｎ０．１Ｓｂ６８Ｔｅ３０を有し、１５ｎｍの層厚で、実質上成長主体の結晶化を有するＧｅ、Ｉｎ、ＳｂおよびＴｅの化合物が適切である。
【００３７】
基板１は、１２０ｍｍの径および０．６ｍｍの層厚を有するポリカーボネートのディスク形状の基板である。
【００３８】
例えば、１００μｍの層厚の、ＵＶ硬化させた樹脂Ｄａｉｃｕｒｅ ＳＤ６４５からなるカバー層１２が、誘電層１１に隣接して存在する。
【００３９】
記録層５および１０の当初の結晶状態は、レコーダにおけるフォーカスされたレーザビームを用いて、積層されたままのアモルファス合金を加熱することにより、得られる。
【００４０】
情報の記録、再生および消去のためのレーザ光ビーム１４は、第一記録スタック８の記録層１０にフォーカスされ、カバー層１２を介してスタック８に入射している。レーザ光ビーム１５は、第二記録スタック２の記録層５にフォーカスされている。
【００４１】
第一記録スタックは、アモルファス状態において約６７％の透過率を有し、かつ結晶状態において約４７％の透過率を有する。第一記録スタックは、結晶状態において約８．２％の反射率を、かつアモルファス状態において約１．６％の反射率を有する。第二記録スタックは、アモルファス状態において約０．９％の実効反射率、かつ結晶状態において約８．５％の実効反射率を有する。「実効的」という語は、第一記録スタックを介してそのように「見える」ことを意味する。これらのスタックは、良好な記録特性を有する。４０００回の重ね書きサイクル後でも、ジッターは、１３％より小さい。
【００４２】
本発明は、基板の一方の側に配置された少なくとも２層の記録層を有し、かつそれらの記録層が必要とする記録速度とレーザ光書込みパルスストラテジが、実質上等しい、ＤＶＤ−ＲｅｗｒｉｔａｂｌｅまたはＤＶＲのような、再書込み可能な相変化光学情報媒体を提供する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光学情報媒体の模式的な横断面図を示す。
【符号の説明】
１ 基板
２ 第二記録スタック
３ 金属ミラー層
４ 誘電層
５ 相変化型記録層
６ 誘電層
７ 透明スペーサ層
８ 第一記録スタック
９ 誘電層
１０ 相変化型記録層
１１ 誘電層
１２ カバー層
１４ レーザ光ビーム
１５ レーザ光ビーム

Claims (6)

  1. レーザ光ビームによって再書込み可能な光学情報媒体であって、当該媒体が、基板を有し、その基板の一方の側に、
    − ２層の誘電層の間にはさまれた相変化型記録層を有する第一記録スタック、
    − ２層の誘電層の間にはさまれた相変化型記録層を有する第二記録スタック、
    − 前記レーザ光ビームの焦点深度より大きい層厚を有する、前記第一および前記第二記録スタックの間に介在する透明スペーサ層、そして
    − 前記第二記録スタックの近傍にありかつ前記透明スペーサ層から離れた前記第二記録スタックの側にある金属ミラー層
    を配置させた光学情報媒体に於て、
    − 前記第一記録スタックが、Ｑ（Ｑは、ＡｇおよびＧｅの群から選択される）、Ｉｎ、ＳｂおよびＴｅの化合物を含む成長主体の結晶化を有する相変化材料と、Ｇｅ、ＳｂおよびＴｅの化合物を含む核生成主体の結晶化を有する相変化材料とから、選択された材料からなる相変化型記録層を有し、かつ
    − 前記第二記録スタックが、Ｑ（Ｑは、ＡｇおよびＧｅの群から選択される）、Ｉｎ、ＳｂおよびＴｅの化合物を含む成長主体の結晶化を有する相変化材料と、Ｇｅ、ＳｂおよびＴｅの化合物を含む核生成主体の結晶化を有する相変化材料とから、選択された材料であって、前記第１記録スタックに対して選択された前記材料とは異なる材料からなる相変化型記録層を有することを特徴とする光学情報媒体。
  2. Ｑ、Ｉｎ、ＳｂおよびＴｅの前記化合物の原子組成が、組成式Ｑ ａ Ｉｎ ｂ Ｓｂ ｃ Ｔｅ ｄ 、かつ０ ＜ ａ ≦ １５、０ ＜ ｂ ≦ ６、５５ ≦ ｃ ≦ ８０、１６ ≦ ｄ ≦ ３５、ａ ＋ ｂ ＋ ｃ ＋ ｄ ＝ １００により規定されることを特徴とする請求項１に記載の光学情報媒体。
  3. Ｇｅ、ＳｂおよびＴｅの前記化合物の原子組成が、三元組成ダイアグラムＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅにおける領域により規定され、その領域が、頂点：Ｓｂ ３ Ｔｅ ７ 、Ｇｅ ２ Ｔｅ ３ 、Ｇｅ ３ Ｔｅ ２ およびＳｂＴｅを有する四角形の形状であることを特徴とする請求項１または２に記載の光学情報媒体。
  4. Ｇｅ、ＳｂおよびＴｅの前記化合物の原子組成が、組成式Ｇｅ ５０ ｘＳｂ ４０−４０ｘ Ｔｅ ６０−１０ｘ 、および０．１６６ ≦ ｘ ≦ ０．４４４により規定されていることを特徴とする請求項３に記載の光学情報媒体。
  5. 前記第一記録スタックの前記相変化型記録層が、５および１５ｎｍの間の層厚を有し、かつ前記第二記録スタックの前記相変化型記録層が、１０および３５ｎｍの間の層厚を有することを特徴とする請求項１から４いずれか１項に記載の光学情報媒体。
  6. 前記透明スペーサ層が、少なくとも１０マイクロメートルの層厚を有することを特徴とする請求項１から５いずれか１項に記載の光学情報媒体。
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