JP4406554B2 - 研磨用組成物 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置の配線構造を形成するための研磨に用いられる研磨用組成物に関するものである。

近年、コンピュータに使用されるＵＬＳＩ等の高集積化及び高速化に伴い、半導体装置のデザインルールは微細化が進んでいる。よって、半導体装置の配線構造の微細化による配線抵抗の増大に対処するために、銅を含有する金属材料を配線材料として使用することが検討されている。

銅を含有する金属材料を配線材料として使用する場合、異方性エッチングによる配線構造の形成は金属材料の性質上難しい。このため、配線構造はＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法を用いた方法等によって形成される。具体的には、タンタルや窒化タンタル等のタンタル含有化合物により形成されているバリア膜を、表面に配線溝が凹設された絶縁膜上に成膜する。次いで、銅を含有する金属材料により形成されている導体膜を、少なくとも配線溝内が完全に埋まるようにバリア膜上に成膜する。続いて、第１の研磨工程で導体膜の一部を研磨する。そして、第２の研磨工程で、導体膜を配線溝以外の箇所のバリア膜が露出するまで研磨する。次いで、第３の研磨工程でバリア膜を配線溝以外の箇所の絶縁膜が露出するまで研磨することにより、配線溝内に配線部を形成する。

従来、研磨用組成物は、二酸化ケイ素等の研磨材、α−アラニン、過酸化水素及び水を含有している（例えば特許文献１参照。）。また、アルミナ等の研磨材、過酢酸等の酸化剤、クエン酸等の錯生成剤及びイミダゾール等の膜生成剤を含有しているものもある（例えば特許文献２参照。）。これら研磨用組成物は、研磨材により被研磨面を機械的に研磨するとともに、α−アラニンや錯生成剤等により銅を含有する金属材料に対する研磨を促進する。
特開２０００−１６０１４１号公報 特開平１１−２１５４６号公報

ところが、これら研磨用組成物は、第２の研磨工程で用いられたときには、銅を含有する金属材料に対する研磨速度が高いために導体膜を過剰に研磨する。このため、研磨後の被研磨面には、配線溝に対応する箇所の導体膜の表面がバリア膜の表面に比べて内方へ後退する現象、即ちディッシングが発生するという問題があった。

本発明は、このような従来技術に存在する問題点に着目してなされたものである。その目的とするところは、ディッシングの発生を抑制することができるとともに、銅を含有する金属材料に対する研磨速度を高く維持することができる研磨用組成物を提供することにある。

上記の目的を達成するために、請求項１に記載の発明の研磨用組成物は、半導体基板の研磨に用いられ、下記（ａ）〜（ｆ）の各成分を含有するものである。
（ａ）：α−アミノ酸を０．０１〜２質量％
（ｂ）：下記一般式（２）〜（５）のいずれか一つにより示されるベンゾトリアゾール誘導体であって、ベンゾトリアゾール誘導体が一般式（２）で示されるときは、０．０００５〜０．０１質量％、一般式（３）で示されるときは、０．００００５〜０．００５質量％、一般式（４）又は一般式（５）で示されるときは、０．００１〜０．１質量％に設定される

（式中、Ｙはアルキレン基を示す。）

（ｃ）：酸化ケイ素
（ｄ）：界面活性剤
（ｅ）：酸化剤
（ｆ）：水

請求項２に記載の発明の研磨用組成物は、請求項１に記載の発明において、成分（ａ）がアラニンである。

本発明の研磨用組成物によれば、ディッシングの発生を抑制することができるとともに、銅を含有する金属材料に対する研磨速度を高く維持することができる。

以下、本発明を具体化した実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
図１（ａ）に示すように、半導体装置を構成する半導体基板１１上の絶縁膜１２表面には、回路設計に基づく所定のパターンの配線溝１３が公知のリソグラフィ技術やパターンエッチング技術等により形成されている。絶縁膜１２としてはＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を用いたＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の方法によって形成されるＳｉＯ₂膜の他、ＳｉＯＦ膜、ＳｉＯＣ膜等が挙げられる。

絶縁膜１２上には、所定の厚みのバリア膜１４がスパッタリング法等により成膜されている。このバリア膜１４は、タンタルや窒化タンタル等のタンタル含有化合物により形成されている。バリア膜１４表面の配線溝１３に対応する箇所は凹状に形成されている。バリア膜１４上には、少なくとも配線溝１３内が完全に埋まるように導体膜１５が成膜されている。この導体膜１５は、銅、銅−アルミニウム合金、銅−チタン合金等の銅を含有する金属材料（以下、銅含有金属という。）により形成されている。導体膜１５表面の配線溝１３に対応する箇所には、一般に初期段差と呼ばれる配線溝１３由来の初期凹溝１６が形成されている。

半導体装置の配線構造は、前記半導体基板１１がＣＭＰ法によって研磨されることにより形成されている。具体的には、図１（ｂ）に示すように、第１の研磨工程で導体膜１５が研磨される。この第１の研磨工程による導体膜１５の研磨は、バリア膜１４が露出する前に終了される。第１の研磨工程後、図１（ｃ）に示すように、第２の研磨工程で配線溝１３以外の箇所のバリア膜１４が露出するまで導体膜１５が研磨される。続いて、図１（ｄ）に示すように、第３の研磨工程で絶縁膜１２が露出するまでバリア膜１４が研磨されることにより、配線溝１３内に配線部１７が形成される。本実施形態では、前記第２の研磨工程に用いられる研磨用組成物を示す。

本実施形態の研磨用組成物には、（ａ）α−アミノ酸、（ｂ）ベンゾトリアゾール誘導体、（ｃ）酸化ケイ素、（ｄ）界面活性剤、（ｅ）酸化剤及び（ｆ）水の各成分が含有されている。

成分（ａ）のα−アミノ酸はディッシング量低減作用を有し、ディッシング量を低減してディッシングの発生を抑制する。このディッシングが発生したときには、配線部１７の断面積が小さくなるために配線抵抗が増大するとともに、半導体基板１１表面の平坦性が低下するために配線構造の多層化が困難になるといった不具合が生じる。図２（ａ）に示すように、ディッシング量とは、バリア膜１４の配線溝１３以外の箇所の表面と導体膜１５表面との間の深さ方向の距離（高さの差）ｄのことである。

さらに成分（ａ）は、銅含有金属に対する研磨速度を銅含有金属の研磨除去に適した範囲に高める研磨促進作用を有している。これは、成分（ａ）が研磨中に銅とキレート結合することにより発揮される。α−アミノ酸としてはアラニン、グリシン、バリン等が挙げられる。これらは単独で含有されてもよいし、二種以上が組み合わされて含有されてもよい。これらの中でも、アラニンが、ディッシング量低減作用が強いとともに成分（ｆ）に対する溶解性が高いために好ましい。

研磨用組成物中の成分（ａ）の含有量は０．０１〜２質量％が好ましく、０．４〜１．５質量％がより好ましい。成分（ａ）の含有量が０．０１質量％未満では、ディッシング量低減作用は弱く、ディッシングの発生を抑制するのが困難である。一方、２質量％を超えると、銅含有金属に対する研磨が成分（ａ）により抑制され、銅含有金属に対する研磨速度が低下する。さらに、研磨後の被研磨面上には、銅含有金属の研磨除去が不十分となるために銅含有金属が残留する。よって、被研磨面の平坦性を示すクリアー性が悪化するおそれが高まる。

成分（ｂ）のベンゾトリアゾール誘導体は下記一般式（１）により示され、銅含有金属を成分（ｅ）による腐食から保護することにより導体膜１５表面の腐食を防止する。さらに、成分（ｂ）は、導体膜１５表面の保護作用によって導体膜１５の過剰の研磨を抑制し、ディッシングの発生を抑制する。

（式中、Ｒはカルボキシル基を含有するアルキル基、ヒドロキシル基と３級アミノ基とを含有するアルキル基、ヒドロキシル基を含有するアルキル基又はアルキル基を示す。）
上記一般式（１）で示されるベンゾトリアゾール誘導体において、Ｒがカルボキシル基を含有するアルキル基を示すものとしては下記一般式（２）で示されるものが挙げられ、具体例としては下記式（６）で示される１−（１，２−ジカルボキシエチル）ベンゾトリアゾールが挙げられる。

また、Ｒがヒドロキシル基と３級アミノ基とを含有するアルキル基を示すものとしては下記一般式（３）で示されるものが挙げられ、具体例としては下記式（７）で示される１−［Ｎ，Ｎ−ビス（ヒドロキシエチル）アミノメチル］ベンゾトリアゾールが挙げられる。

Ｒがヒドロキシル基を含有するアルキル基を示すものとしては下記一般式（４）又は下記一般式（５）で示されるものが挙げられる。これら具体例としては、下記式（８）で示される１−（２，３−ジヒドロキシプロピル）ベンゾトリアゾール又は下記式（９）で示される１−（ヒドロキシメチル）ベンゾトリアゾールが挙げられる。

前記一般式（２）〜（５）において、Ｙはアルキレン基を示す。前記一般式（２）〜（５）で示されるベンゾトリアゾール誘導体は単独で含有されてもよいし、二種以上が組み合わされて含有されてもよい。成分（ｂ）は、前記一般式（２）〜（５）で示されるものが、導体膜１５表面の保護作用がより強いために好ましい。

研磨用組成物中の成分（ｂ）の含有量は０．１質量％以下が好ましい。さらに、成分（ｂ）が前記一般式（２）で示されるときには０．０００５〜０．０１質量％がより好ましく、０．００２〜０．００８質量％が最も好ましい。一方、成分（ｂ）が前記一般式（３）で示されるときには０．００００５〜０．００５質量％がより好ましく、０．０００１〜０．００１質量％が最も好ましい。成分（ｂ）が前記一般式（４）又は一般式（５）で示されるときには０．００１〜０．１質量％がより好ましく、０．００３〜０．００５質量％が最も好ましい。成分（ｂ）の含有量が前記範囲未満では、導体膜表面の保護効果及びディッシング量低減効果は低く、研磨後の導体膜表面に面荒れが発生するとともにディッシングが発生するおそれが高まる。一方、成分（ｂ）の含有量が前記範囲を超えると、銅含有金属に対する研磨が抑制され、銅含有金属に対する研磨速度が低下するとともに被研磨面のクリアー性が悪化するおそれが高まる。

成分（ｃ）の酸化ケイ素は、被研磨面に対する機械的研磨作用を有する。酸化ケイ素としては、コロイダルシリカ（Colloidal SiO₂）、ヒュームドシリカ（Fumed SiO₂）、沈殿法シリカ（Precipitated SiO₂)等の製造方法や性状の異なる種々のものが挙げられる。これらは単独で含有されてもよいし二種以上が組み合わされて含有されてもよい。これらの中でも、銅含有金属に対する研磨速度が高いために、コロイダルシリカ又はヒュームドシリカが好ましく、コロイダルシリカがより好ましい。

成分（ｃ）の粒子径は、レーザー回折散乱法により求められる平均粒子径（Ｄ_N4）で０．０１〜０．５μｍが好ましく、０．０３〜０．３μｍがより好ましい。Ｄ_N4が０．０１μｍ未満では、成分（ｃ）の機械的研磨作用は弱く、銅含有金属に対する研磨速度が低下するとともに被研磨面のクリアー性が悪化するおそれが高まる。一方、０．５μｍを超えると、銅含有金属に対する研磨速度は過剰に高くなり、ディッシング量が増加する。さらに導体膜１５だけでなくバリア膜１４や絶縁膜１２も研磨され、エロージョン量が増加する。加えて、成分（ｃ）の沈降性が高くなるために、研磨用組成物は成分（ｃ）の分散状態を維持するのが困難になり安定性が低下するおそれが高まる。

ここで、エロージョンとは、図２（ｂ）に示すように、配線溝１３が密に形成されている領域内のバリア膜１４及び絶縁膜１２が研磨されることによって、その領域の表面が他の領域のバリア膜１４表面に比べて内方へ後退することをいう。このエロージョンが発生すると、ディッシングと同様に配線抵抗が増大するとともに配線構造の多層化が困難になるといった不具合が生じる。エロージョン量とは、配線溝１３が密に形成されている領域の表面と、配線溝１３が疎に形成されている領域のバリア膜１４の表面との間の深さ方向の距離（高さの差）ｅのことである。エロージョンは、このエロージョン量の増加に起因して発生する。

研磨用組成物中の成分（ｃ）の含有量は０．０１〜１０質量％が好ましく、０．１〜３質量％がより好ましい。成分（ｃ）の含有量が０．０１質量％未満では、被研磨面に対する十分な研磨速度が得られないとともに被研磨面のクリアー性が悪化するおそれが高まる。一方、１０質量％を超えると、銅含有金属等に対する研磨速度が過剰に高くなり、ディッシング及びエロージョンが発生するおそれが高まる。

成分（ｄ）の界面活性剤はディッシング量低減作用を有し、ディッシングの発生を抑制する。界面活性剤としては、下記式（１０）で示されるヤシ油脂肪酸サルコシントリエタノールアミン、下記式（１１）で示されるヤシ油脂肪酸メチルタウリンナトリウム、下記式（１２）で示されるポリオキシエチレンヤシ油脂肪酸モノエタノールアミド硫酸ナトリウム、下記式（１３）で示されるポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテルリン酸、下記式（１４）で示されるドデシルベンゼンスルホン酸トリエタノールアミン、下記式（１５）で示されるポリオキシエチレンアルキル（１２〜１４）スルホコハク酸二ナトリウム、下記式（１６）で示されるスルホコハク酸塩（ジオクチル系）、下記式（１７）で示されるポリオキシエチレンラウリルエーテル硫酸トリエタノールアミン、下記式（１８）で示されるジイソブチルジメチルブチンジオールポリオキシエチレングリコールエーテル等が挙げられる。

研磨用組成物中の成分（ｄ）の含有量は０．０２５〜０．２質量％が好ましく、０．０３〜０．１質量％がより好ましい。成分（ｄ）の含有量が０．０２５質量％未満では、ディッシング量低減効果が低い。一方、０．２質量％を超えると、銅含有金属に対する研磨が成分（ｄ）により抑制されるおそれが高い。

成分（ｅ）の酸化剤は、銅含有金属を酸化させることにより剥ぎ取られやすい酸化膜を被研磨面上に生成し、成分（ｃ）による機械的研磨を促進する。酸化剤は一般的に銅を酸化するのに十分な酸化力を持つものが用いられ、その具体例としては過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム等の過硫酸塩、過ヨウ素酸、過酢酸、過塩素酸、過炭酸アンモニウム、過酸化水素等が挙げられる。これらの中でも、銅に対する酸化力が強いために過硫酸塩が好ましく、過硫酸アンモニウムがより好ましい。

研磨用組成物中の成分（ｅ）の含有量は０．５〜１０質量％が好ましく、１〜５質量％がより好ましい。０．５質量％未満では、研磨促進効果は低く、銅含有金属に対する研磨速度が低下するおそれが高まる。一方、１０質量％を超えると、銅含有金属に対する研磨速度が過剰に高くなり、ディッシングが発生するおそれが高まる。

成分（ｆ）の水は、他の成分を溶解又は分散させる。成分（ｆ）は他の成分の作用を阻害するのを防止するために不純物をできるだけ含有しないものが好ましい。具体的には、成分（ｆ）は、イオン交換樹脂にて不純物イオンを除去した後にフィルターを通して異物を除去した純水や超純水、又は蒸留水が好ましい。研磨用組成物中の成分（ｆ）の含有量は、研磨用組成物中の他の成分の含有量に対する残量である。

研磨用組成物は、安定化、研磨加工上の必要性等に応じ、前記各成分以外にもその他の添加成分として増粘剤、消泡剤、防腐剤等を含有してもよい。研磨用組成物中のその他の添加成分の含有量は、研磨用組成物の常法に従って決定される。研磨用組成物は、成分（ｆ）に他の成分を混合し、例えば翼式撹拌機による撹拌や超音波分散等によって、各成分を分散又は溶解させることにより調製される。ここで、成分（ｆ）に対する他の成分の混合順序は限定されない。

研磨用組成物のｐＨは７以上が好ましく、７〜１２がより好ましく、８〜１０が最も好ましい。研磨用組成物のｐＨが７未満では、銅含有金属の研磨除去が十分進まず、研磨速度が低下する。一方、１２を超えると、銅含有金属に対する研磨速度が過剰に高くなり、ディッシングが発生するおそれがある。研磨用組成物のｐＨの調整は、アンモニア等の配合により行われる。

さて、第２の研磨工程において本実施形態の研磨用組成物を用いて導体膜１５を研磨するときには、第１の研磨工程後の導体膜１５表面に研磨用組成物を供給しながら研磨パッドを導体膜１５表面に押し付けて回転させる。このとき、研磨用組成物は、成分（ｃ）によって被研磨面を機械的研磨することにより、導体膜１５を研磨することができる。従って、実施形態の研磨用組成物は（ａ）、（ｂ）及び（ｄ）の各成分を含有しているために、これら成分によりディッシングの発生を抑制することができる。さらに研磨用組成物は、（ａ）及び（ｅ）の各成分により銅含有金属に対する研磨速度を高く維持することができる。

（試験例１〜３３及び比較例１〜１６）
試験例１においては、成分（ａ）としてのアラニン（０．０１質量％）、成分（ｂ）としての１−（２，３ジヒドロキシプロピル）ベンゾトリアゾール（０．０１質量％）、成分（ｃ）としてのコロイダルシリカ（０．５質量％）、成分（ｄ）としてのヤシ油脂肪酸サルコシントリエタノールアミン（０．０２質量％）及びポリオキシエチレンラウリルエーテル硫酸トリエタノールアミン（０．０１５質量％）、成分（ｅ）としての過硫酸アンモニウム（１質量％）及び成分（ｆ）の水を混合して研磨用組成物を調製した。ここで、コロイダルシリカは、N4 Plus Submicron Particle Sizer（Beckman Coulter, Inc.の製品名）で測定されがＤ_N4で０．０５μｍであり、２０質量％水溶液中における鉄、ニッケル、銅、クロム、亜鉛及びカルシウムの含有量の合計は２０ｐｐｂ以下であった。

試験例２〜３３及び比較例１〜１６においては、各成分の種類又は含有量を表１又は表２に示すように変更した以外は、試験例１と同様にして研磨用組成物を調製した。そして、各研磨用組成物のｐＨを測定するとともに、下記各項目について評価を行った。その結果を表１及び表２に示す。尚、各表において含有量（質量％）を「量」で示し、含有量の記載が省略されている成分は試験例１と同じ含有量である。ただし、試験例２７においては、Ａ１の含有量を０．０３５質量％とした。

＜研磨速度：Ｒ＞
銅ブランケットウエハの厚みを、シート抵抗機（ＶＲ−１２０；国際電気システムサービス株式会社製）を用いて測定した。次いで、銅ブランケットウエハ表面に、各例の研磨用組成物を用いるとともに下記研磨条件１により１分間研磨を施した。そして、研磨後の銅ブランケットウエハの厚みを前記と同様にして測定した後、下記計算式に基づいて研磨速度を求めた。

研磨速度［ｎｍ／分］＝（研磨前の銅ブランケットウエハの厚み［ｎｍ］−研磨後の銅ブランケットウエハの厚み［ｎｍ］）÷研磨時間［分］
＜研磨条件１＞
研磨機：片面ＣＭＰ用研磨機（Ｍｉｒｒａ；アプライドマテリアルズ社製）、被研磨物：銅ブランケットウエハ（電解メッキ法により銅を成膜された８インチシリコンウエハ）、研磨パッド：ポリウレタン製の積層研磨パッド（ＩＣ−１０００／Ｓｕｂａ４００；ロデール社製）、研磨加工圧力：２ｐｓｉ（＝約１３．８ｋＰａ）、定盤回転数：６０ｒｐｍ、研磨用組成物の供給速度：２００ｍｌ／ｍｉｎ、キャリア回転数：６０ｒｐｍ
＜ディッシング量：ｄ及び被研磨面のクリアー性：Ｃ＞
銅パターンウエハ表面に、第１の研磨工程用の研磨用組成物（ＰＬＡＮＥＲＥＬＩＴＥ−７１０２；株式会社フジミインコーポレーテッド製）を用いるとともに下記研磨条件２により研磨を施した。研磨量は初期膜厚の７０％（７００ｎｍ）とした。上記研磨後、銅パターンウエハ表面に、各例の研磨用組成物を用いるととも前記研磨条件１により、エンドポイントシグナルが現れてから銅膜の研磨量にして２００ｎｍオーバーの研磨を施した。次いで、第２研磨後の銅パターンウエハ表面の１００μｍ幅の孤立配線部において、接触式の表面測定装置であるプロフィラ（ＨＲＰ３４０；ケーエルエー・テンコール社製）を用いてディッシング量（ｎｍ）を測定した。さらに、微分干渉顕微鏡（ＯＰＴＩＰＨＯＴＯ３００；ＮＩＫＯＮ製）を用いて銅配線部以外のバリア膜上に残る銅含有金属の量を目視にて観察した。

そして、被研磨面のクリアー性について、（◎）銅含有金属の残留が全く見られない、（○）斑点状の銅含有金属の残留がわずかに見られる、（△）全体的に斑点状の銅含有金属の残留が見られるが第３の研磨工程で研磨除去できる範囲、（×）全体に銅含有金属が残留して配線部が見えず第３の研磨工程で研磨除去するのが困難の４段階で評価した。
＜研磨条件２＞
研磨機：片面ＣＭＰ用研磨機（Ｍｉｒｒａ；アプライドマテリアルズ社製）、被研磨物：銅パターンウエハ（ＳＥＭＡＴＥＣＨ社製、８５４マスクパターン、成膜厚さ１０００ｎｍ、初期凹溝８００ｎｍ）、研磨パッド：ポリウレタン製の積層研磨パッド（ＩＣ−１４００；ロデール社製）、研磨加工圧力：２．０ｐｓｉ（＝約１３．８ｋＰａ）、定盤回転数：１００ｒｐｍ、研磨用組成物の供給速度：２００ｍｌ／ｍｉｎ、キャリア回転数：１００ｒｐｍ
＜ポットライフ：Ｐ＞
研磨用組成物の調製直後に前記項目＜研磨速度＞と同様にして研磨速度を求めた。次いで、研磨用組成物を密閉容器にて保存し、保存開始後一定期間経過毎に前記と同様にして研磨速度を求めた。続いて、調製直後の研磨速度に対して研磨速度が９０％低下したときの経過時間をポットライフとした。そして、ポットライフについて、（◎）２週間以上、（○）１週間以上２週間未満、（△）３日以上１週間未満、（×）３日未満の４段階で評価した。

＜成分（ａ）及び研磨促進剤＞Ａｌａ：アラニン、Ｇｌｙ：グリシン、Ｖａｌ：バリン、Ｃｉｔ：クエン酸、ＬＡ：乳酸、Ｏｘａ：シュウ酸、ＮＡ：硝酸、ＳＡ：硫酸
＜成分（ｂ）及び防食剤＞Ｇ：１−（２，３ジヒドロキシプロピル）ベンゾトリアゾール、Ｈ：１−［Ｎ，Ｎ−ビス（ヒドロキシジメチル）アミノメチル］−ベンゾトリアゾール、Ｉ：１−（１，２−ジカルボキシエチル）ベンゾトリアゾール、Ｊ：ベンゾトリアゾール
＜成分（ｃ）＞ＣＳ１：Ｄ_N4が０．０３μｍのコロイダルシリカ、ＣＳ２：Ｄ_N4が０．０５μｍのコロイダルシリカ、ＣＳ３：Ｄ_N4が０．０７μｍのコロイダルシリカ、ＦＳ３：Ｄ_N4が０．０７μｍのフュームドシリカ
＜成分（ｄ）＞Ａ１：ヤシ油脂肪酸サルコシントリエタノールアミン、Ａ２：ヤシ油脂肪酸メチルタウリンナトリウム、Ａ３：ポリオキシエチレンヤシ油脂肪酸モノエタノールアミド硫酸ナトリウム、Ｂ１：ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテルリン酸、Ｂ２：ドデシルベンゼンスルホン酸トリエタノールアミン、Ｃ１：ポリオキシエチレンアルキル（１２〜１４）スルホコハク酸二ナトリウム、Ｃ２：スルホコハク酸塩、Ｄ：ポリオキシエチレンラウリルエーテル硫酸トリエタノールアミン、Ｅ：ジイソブチルジメチルブチンジオールポリオキシエチレングリコールエーテル
＜成分（ｅ）＞ＡＰＳ：過硫酸アンモニウム、ＨＰＯ：過酸化水素
表１に示すように、試験例１〜３３においては、ディッシング量を低減してディッシングの発生を抑制するとともに、銅含有金属に対する研磨速度を高く維持することができた。試験例１〜５に示すように、成分（ａ）の含有量を０．５〜１．５質量％にすることにより、銅含有金属に対する研磨速度を高く維持しつつディッシング量を特に低減することができた。一方、試験例６〜８に示すように、成分（ｂ）の含有量を０．００５〜０．０２質量％にすることにより、ディッシング量を特に低減することができた。

尚、本実施形態は、次のように変更して具体化することも可能である。
・ 前記研磨用組成物を、調製されるときには成分（ｆ）の含有量が研磨工程に用いられるときに比べて少なく設定されることにより成分（ｆ）以外の成分が濃縮され、研磨工程に用いられるときには成分（ｆ）が加えられて希釈されるように構成してもよい。このように構成した場合は、研磨用組成物の管理を容易に行なうとともに輸送効率を向上させることができる。

・ 前記成分（ｅ）と他の成分とを別々に分けた状態で研磨用組成物を調製及び保管し、使用する直前に成分（ｅ）を他の成分に加えても良い。このように構成した場合は、研磨用組成物を長期間保管するときに、成分（ｅ）の分解を抑制することができる。

・ 前記配線構造を形成するときには、第１の研磨工程で配線溝１３以外の箇所のバリア膜１４が露出するまで導体膜１５を研磨する。次いで、第２の研磨工程で絶縁膜１２が露出するまで研磨してもよい。このとき、研磨用組成物は第１の研磨工程に用いられる。

（ａ）〜（ｄ）は本実施形態の研磨方法を模式的に示す部分拡大端面図。 （ａ）はディッシングを模式的に示す部分拡大端面図、（ｂ）はエロージョンを模式的に示す部分拡大端面図。

符号の説明

１１…半導体基板。

Claims (2)

1. 半導体基板の研磨に用いられ、下記（ａ）〜（ｆ）の各成分を含有する研磨用組成物。
   （ａ）：α−アミノ酸を０．０１〜２質量％
   （ｂ）：下記一般式（２）〜（５）のいずれか一つにより示されるベンゾトリアゾール誘導体であって、ベンゾトリアゾール誘導体が一般式（２）で示されるときは、０．０００５〜０．０１質量％、一般式（３）で示されるときは、０．００００５〜０．００５質量％、一般式（４）又は一般式（５）で示されるときは、０．００１〜０．１質量％に設定される
   

   

   

   

   

   （式中、Ｙはアルキレン基を示す。）
   （ｃ）：酸化ケイ素
   （ｄ）：界面活性剤
   （ｅ）：酸化剤
   （ｆ）：水
2. 成分（ａ）がアラニンである請求項１に記載の研磨用組成物。

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