JP4606540B2 - マルチドメイン型液晶表示装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はマルチドメイン型液晶表示装置に関するものであり、特に、高品質のＭＶＡ（マルチドメイン垂直配向）型液晶表示装置における応答速度を向上させるための構成に特徴のあるマルチドメイン型液晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、情報機器の普及に伴い、表示パネルの高性能化が要請されており、このような要請に応えるために、垂直配向膜を用いるとともに負の誘電率異方性を有するネガ型液晶を組合せ、さらに、複数の方向に液晶分子の配向分割を行なったＭＶＡ型液晶表示装置（必要ならば、特開平１１−２４２２２５号公報）が注目されている。
【０００３】
ここで、図９を参照して従来のＭＶＡ型液晶表示装置を説明する。
図９（ａ）参照
図９（ａ）は、電圧を印加しない状態における従来のＭＶＡ型液晶表示装置における概略的要部断面図であり、ＴＦＴ基板６１上にＩＴＯ透明電極からなる画素電極６２を設けるとともに、局所的に液晶分子７０の配向を規制する絶縁体からなる突起６３を設け、これらを覆うように垂直配向膜６４を設ける。
一方、ＴＦＴ基板６１と対向するＣＦ（カラーフィルタ）基板６５上には、ＩＴＯ透明電極からなる共通電極６６を設けるとともに、局所的に液晶分子７０の配向を規制する絶縁体からなる突起６７を突起６３と投影的に重ならない位置に設け、これらを覆うように垂直配向膜６８を設け、対向するＴＦＴ基板６１とＣＦ基板６５との間に負の誘電率異方性を有する液晶６９を注入する。
【０００４】
この場合、突起６３，６７の近傍の液晶分子７０は、突起６３，６７の形状に依存した配向状態を示すことになり、突起６３，６７の表面を覆う垂直配向膜６４，６８の法線方向に揃うように液晶分子７０は傾斜することになる。
一方、突起６３，６７から離れた位置の液晶分子７０は垂直配向することになる。
【０００５】
この様な液晶表示装置において、ＴＦＴ基板６１側に設ける偏光板７１とＣＦ基板６５側に設ける偏光板７２とをクロスニコルに配置することによって、電圧を印加しない状態においては“黒”表示になる。
【０００６】
図９（ｂ）参照
図９（ｂ）は電圧を印加した状態における液晶分子７０の配列状態を示す図であり、電圧を印加することによって、既に傾斜配向している突起６３，６７の近傍の液晶分子７０の配向の傾斜が伝搬し、負の誘電率異方性を有する液晶分子７０全体が、印加電圧に応じて傾斜角θｐだけ傾斜し、“白”表示が得られることになる。
【０００７】
この様に、ＭＶＡ型液晶表示装置においては、予め突起６３，６７を設けて液晶分子７０の一部を傾斜配向させているので、従来の液晶表示装置に比べて速い応答速度が得られるとともに、液晶分子が複数の方向に分割されて配向されているので、コントラスト比が１０以上において、上下左右１６０°の広い視野角が実現している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、この様なＭＶＡ型液晶表示装置においても、傾斜方向を規制する構造、即ち、突起６３，６７のない領域を液晶配向の傾斜が伝播するのには時間がかかり、画素全体の液晶が応答するのに時間が必要となり、必ずしも十分な応答性が得られないという問題がある。
特に、中間調表示が低階調の場合、電圧が低いために液晶配向の伝播が遅くなり、応答時間が通常の３倍以上となるという問題がある。
【０００９】
図１０参照
図１０は、従来のＭＶＡ型液晶表示装置の一例の特性の説明図であり、●は透過率の印加電圧依存性を示す特性曲線であり、■は応答速度の印加電圧依存性を示す特性曲線である。
図から明らかなように、透過率は印加電圧の増加とともに透過率の上昇するのに対し、応答速度は印加電圧の増加とともに速くなるが、４．５Ｖ程度で再び遅くなる傾向を示す。
【００１０】
したがって、低階調の中間調表示の場合、印加電圧が低いので応答速度は１００ｍｓ以上となり、動画を表示する時に、像が流れる表示が見られるという問題がある。
【００１１】
したがって、本発明は、表示品質を損なうことなく、応答速度を向上することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
ここで、図１を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明する。
なお、図１は本発明のマルチドメイン型液晶表示装置の概略的要部断面図である。
図１参照
（１）本発明は、互いに対向する二枚の基板１，２の間に誘電率異方性が正の液晶３を挟持するとともに、両方の基板１，２の対向する表面に絶縁性の突起状の構造物４，５を１画素内に複数設け、垂直配向膜７，８を構造物４，５の表面に沿って基板１，２の全面を覆うように設けて電圧無印加時における液晶分子６の配向を基板１，２の厚さ方向に歪ませるとともに、電圧を二枚の基板１，２の間に印加するマルチドメイン型液晶表示装置において、電圧無印加時における液晶分子６の配向が二枚の基板１，２の間の中心面に対して対称になっていることを特徴とする。
【００１３】
この様に、液晶分子６の配向を二枚の基板１，２の間の中心面に対して対称にすることにより、絶縁性の突起状の構造物４，５の近傍に局在している液晶分子６のみが、構造物４，５の傾斜によってベント配向して表示に寄与するため、液晶配向する時間が短くなり、応答速度が向上する。
なお、この様に、液晶分子６の配向を二枚の基板１，２の間の中心面に対して対称にするためには、両方の構造物４，５が互いに投影的に重なるように対称に設ければ良い。
【００１４】
（２）また、本発明は、互いに対向する二枚の基板１，２の間に誘電率異方性が正の液晶３を挟持するとともに、一方の基板１の他方の基板２に対向する表面に絶縁性の突起状の構造物４を１画素内に複数設け、垂直配向膜７を前記構造物４の表面に沿って前記基板１の全面を覆うように設けて電圧無印加時における液晶分子６の配向を前記基板１，２の厚さ方向に歪ませるとともに、電圧を前記二枚の基板１，２の間に印加するマルチドメイン型液晶表示装置において、電圧無印加時における液晶分子６の配向が構造物４の基板１に垂直な中心線に対して対称になっていることを特徴とする。
【００１５】
この様に、絶縁性の突起状の構造物４を一方の基板１にのみ設けた場合にも、構造物４の近傍に局在している液晶分子６のみが、構造物４の傾斜によってＨＡＮ（Ｈｙｂｒｉｄ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）型に配向して表示に寄与するため、液晶配向する時間が短くなり、応答速度が向上する。
【００１７】
特に、垂直配向膜７，８と正の誘電率異方性を有する液晶３を組み合わせて用いることによって、構造物４，５の近傍に局在する液晶分子６のみを表示に寄与させることができ、確実に応答時間を速くすることができる。
即ち、正の誘電率異方性を有する液晶３を用いているので、構造物４，５から離れた領域における液晶分子６は、電圧の印加状態の如何に拘わらず、常に垂直配向しているので表示は寄与しないことになる。
【００１８】
また、本発明は、上記（１）乃至（３）のいずれかにおいて、構造物４，５が、基板１，２の厚さ方向の断面形状が半円形状、矩形状、台形状、或いは、三角形状のいずれかの形状の突起であることが望ましい。
【００１９】
この様に、構造物４，５としては、構造物４，５の近傍に局在する液晶分子６が十分傾斜して配向するように、基板１，２の厚さ方向の断面形状が半円形状、矩形状、台形状、或いは、三角形状のいずれかの形状の突起であることが望ましい。
【００２４】
【発明の実施の形態】
ここで、図２を参照して本発明の第１の実施の形態のマルチドメイン型液晶表示装置を説明する。
なお、図においては、ＴＦＴ基板、ＣＦ基板、ＴＦＴ等のアクティブ素子、及び、偏光板等の図示を省略している。
図２（ａ）参照
図２（ａ）は、本発明の第１の実施の形態のマルチドメイン型液晶表示装置の概略的要部断面図であり、中央の一点鎖線より左側は電圧を印加しない状態を示し、右側は電圧を印加した状態を示している。
図に示すように、ＩＴＯからなるＴＦＴ基板側透明電極１１及びＣＦ基板側透明電極２１上に、透明度の高いフォトレジスト、例えば、ポジ型フォトレジストＰＣ−３３５（ＪＳＲ製商品名）を塗布してパターニングすることによって、例えば、幅が５μｍで高さが５μｍの半円状の突起１２，２２を形成し、全面に垂直配向膜１３，２３を設ける。
【００２５】
図２（ｂ）参照
図２（ｂ）は、突起１２の概略的パターンを示す平面図であり、画素マトリクス１６に対して突起１２は山折れ状のパターンとなっており、隣接する突起１２の間隔、即ち、突起１２の中心線の間隔は、例えば、１３μｍにする。
なお、図示を省略するものの、突起２２も全く同様のパターンに形成する。
【００２６】
再び、図２（ａ）参照
次いで、ＴＦＴ基板側透明電極１１とＣＦ基板側透明電極２１とを突起１２と突起２２とが投影的に重なるように対向させ、スペーサ（図示せず）を用いてＴＦＴ基板側透明電極１１とＣＦ基板側透明電極２１との間に正の誘電率異方性を有する液晶１４を注入して液晶セルを構成する。
なお、互いに対向する突起１２と突起２２との間隔、即ち、セルギャップは１０μｍとする。
【００２７】
この場合、液晶１４を構成する液晶分子１５は、垂直配向膜１３，２３の法線方向に沿って垂直配向することになるが、突起１２，２２の近傍においては、突起１２，２２を覆う垂直配向膜１３，２３の表面の法線方向が基板の厚さ方向に対して傾斜するので、液晶分子１５が傾斜してベント配向となる。
【００２８】
したがって、偏光板（図示を省略）を図９（ａ）に示すようにクロスニコルにした場合には、電圧無印加時には、突起１２，２２の近傍の液晶分子１５の配向が表示に寄与して“白”表示となる。
【００２９】
一方、電圧印加時においては、突起１２，２２の近傍の液晶分子１５も、正の誘電率異方性によって電圧印加方向に沿って垂直配向するので、“黒”表示となる。
なお、突起１２，２２から離れた領域における液晶分子１５は、電圧の印加状態の如何によらず常に垂直配向しているので、表示に寄与することはない。
【００３０】
この様に、本発明の第１の実施の形態においては、表示に寄与するのは突起１２，２２の近傍に局在する液晶分子１５のみであるので、液晶配向が伝播する時間が短くなり、且つ、突起１２，２２の近傍における液晶分子１５のベンド配向によってＯＣＢ（光学補償ベンド配向）効果（必要ならば、例えば、Ｓ．Ｏｎｄａ ｅｔ ａｌ．，Ａｓｉａ Ｄｉｓｐｌａｙ ‘９８ Ｄｉｇｅｓｔ，ｐ．１０５５，１９８８参照）が得られるので、応答速度が短くなる。
なお、この場合、突起１２，２２から離れた領域の液晶が表示に寄与しないので、輝度が低くなるが、隣接する突起１２，２２同士の間隔を狭めることで輝度の低下を抑制することができる。
但し、あまり間隔を狭くすると液晶分子１５の配向が乱れる問題がある。
【００３１】
次に、図３を参照して、本発明の第１の実施の形態の変形例を二つ説明するが、突起の形状が異なるだけで、製造工程及び使用材料は第１の実施の形態と全く同様であるので、工程等の説明は省略する。
図３（ａ）参照
図３（ａ）は、本発明の第１の実施の形態の変形例の概略的要部断面図であり、この場合の突起１７，２４は、例えば、幅３μｍで高さが３μｍの矩形状であり、また、突起１７，２４の中心線の間隔は８μｍとし、且つ、互いに対向する突起１７と突起２４との間隔、即ち、セルギャップは８μｍとする。
【００３２】
この変形例においては、突起１７，２４の形状が矩形状であるので、液晶分子１５のベンド配向が非常に強くなり、それによって、パネルの透過率が高くなるので明るい表示が可能になる。
但し、この様な矩形状の突起１７，２４を設けた場合に、垂直配向膜１３，２３を均一に塗布することが困難になる。
【００３３】
図３（ｂ）参照
図３（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態の他の変形例の概略的要部断面図であり、この場合の突起１８，２５は、例えば、幅５μｍで高さが５μｍの三角形状であり、また、突起１８，２５の中心線の間隔は１３μｍとし、且つ、互いに対向する突起１８と突起２５との間隔、即ち、セルギャップは１０μｍとする。
【００３４】
この変形例においては、突起１８，２５の形状が三角形状であるので、液晶分子１５のベンド配向が第１の実施の形態より強くなり、パネルの透過率が高くなるので明るい表示が可能になる。
【００３５】
次に、図４を参照して、本発明の第２の実施の形態を説明するが、基本的構成は上記第１の実施の形態と同様である。
図４参照
図４は、本発明の第２の実施の形態のマルチドメイン型液晶表示装置の概略的要部断面図であり、中央の一点鎖線より左側は電圧を印加しない状態を示し、右側は電圧を印加した状態を示している。
図に示すように、ＩＴＯからなるＴＦＴ基板側透明電極１１及びＣＦ基板側透明電極２１上に、透明度の高いフォトレジスト、例えば、ポジ型フォトレジストＰＣ−３３５（ＪＳＲ製商品名）を塗布してパターニングすることによって、図３（ｂ）に示す実施例と同様に、例えば、幅が５μｍで高さが５μｍの三角形状の突起１８，２５を形成し、次いで、全面に水平配向膜１９，２６を設ける。
なお、この場合も、隣接する突起１８，２５の間隔、即ち、突起１８，２５の中心線の間隔は、例えば、１３μｍにする。
【００３６】
次いで、ＴＦＴ基板側透明電極１１とＣＦ基板側透明電極２１とを突起１８と突起２５とが投影的に重なるように対向させ、スペーサ（図示せず）を用いてＴＦＴ基板側透明電極１１とＣＦ基板側透明電極２１との間に正の誘電率異方性を有する液晶１４を注入して液晶セルを構成する。
なお、互いに対向する突起１８と突起２５との間隔、即ち、セルギャップは１０μｍとする。
【００３７】
この場合、液晶１４を構成する液晶分子１５は、突起１８，２５の近傍においては、突起１８，２５を覆う水平配向膜１９，２６の表面の形状に沿って傾斜するので、液晶分子１５は上記の図３（ｂ）の場合とは逆に傾斜するベント配向となる。
【００３８】
したがって、この場合にも、偏光板（図示を省略）をクロスニコルにした場合には、電圧無印加時には、突起１８，２５の近傍の液晶分子１５の配向が表示に寄与して“白”表示となる。
一方、電圧印加時においては、突起１８，２５の近傍の液晶分子１５も、正の誘電率異方性によって電圧印加方向に沿って垂直配向するので、“黒”表示となる。
【００３９】
この様に、本発明の第２の実施の形態においても、表示に実効的に寄与するのは突起１８，２５の近傍に局在する液晶分子１５のみであるので、液晶配向が伝播する時間が短くなり、応答速度が短くなる。
【００４０】
次に、図５を参照して本発明の第３の実施の形態のマルチドメイン型液晶表示装置を説明するが、この第３の実施の形態においては、一方の基板側にのみ突起を設けただけで、他の構成は上記の第１の実施の形態と同様である。
なお、この場合も、ＴＦＴ基板、ＣＦ基板、ＴＦＴ等のアクティブ素子、及び、偏光板等の図示を省略している。
図５参照
図５は、本発明の第３の実施の形態のマルチドメイン型液晶表示装置の概略的要部断面図であり、中央の一点鎖線より左側は電圧を印加しない状態を示し、右側は電圧を印加した状態を示している。
図に示すように、ＩＴＯからなるＴＦＴ基板側透明電極１１上に、透明度の高いフォトレジスト、例えば、ポジ型フォトレジストＰＣ−３３５（ＪＳＲ製商品名）を塗布してパターニングすることによって、例えば、幅が５μｍで高さが５μｍの半円状の突起１２を形成し、次いで、ＴＦＴ基板側透明電極１１及びＣＦ基板側透明電極２１の全面に垂直配向膜１３，２３を設ける。
なお、この場合も隣接する突起１２の間隔、即ち、突起１２の中心線の間隔は、例えば、１３μｍにする。
【００４１】
次いで、ＴＦＴ基板側透明電極１１とＣＦ基板側透明電極２１とを対向させ、スペーサ（図示せず）を用いてＴＦＴ基板側透明電極１１とＣＦ基板側透明電極２１との間に正の誘電率異方性を有する液晶１４を注入して液晶セルを構成する。
なお、互いに対向する突起１２とＣＦ基板側透明電極２１との間隔、即ち、セルギャップは１０μｍとする。
【００４２】
この場合、液晶１４を構成する液晶分子１５は、垂直配向膜１３，２３の法線方向に沿って垂直配向することになるが、突起１２の近傍においてのみ、突起１２を覆う垂直配向膜１３の表面の法線方向が基板の厚さ方向に対して傾斜するので、液晶分子１５は傾斜してＨＡＮ型にハイブリッド配向する。
【００４３】
したがって、偏光板（図示を省略）をクロスニコルにした場合には、電圧無印加時には、突起１２の近傍の液晶分子１５の配向が表示に寄与して“白”表示となる。
一方、電圧印加時においては、突起１２の近傍の液晶分子１５も、正の誘電率異方性によって電圧印加方向に沿って垂直配向するので、“黒”表示となる。
なお、突起１２から離れた領域における液晶分子１５は、電圧の印加状態の如何によらず常に垂直配向しているので、表示に寄与することはない。
【００４４】
この様に、本発明の第３の実施の形態においては、表示に寄与するのは突起１２の近傍に局在する液晶分子１５のみであるので、液晶配向が伝播する時間が短くなり、応答速度が短くなる。
【００４５】
次に、図６を参照して、本発明の第３の実施の形態の変形例を二つ説明するが、突起の形状が異なるだけで、製造工程及び使用材料は第３の実施の形態と全く同様であるので、工程等の説明は省略する。
図６（ａ）参照
図６（ａ）は、本発明の第３の実施の形態の変形例の概略的要部断面図であり、この場合の突起１７は、例えば、幅３μｍで高さが３μｍの矩形状であり、また、突起１７の中心線の間隔は８μｍとし、且つ、互いに対向する突起１７とＣＦ基板側透明電極２１との間隔、即ち、セルギャップは５μｍとする。
【００４６】
この変形例においては、突起１７の形状が矩形状であるので、図３（ａ）の場合と同様に、液晶分子１５のＨＡＮ型のハイブリッド配向が非常に強くなり、パネルの透過率が高くなるので明るい表示が可能になる。
但し、この様な矩形状の突起１７を設けた場合に、垂直配向膜１３を均一に塗布することが困難になる。
【００４７】
図６（ｂ）参照
図６（ｂ）は、本発明の第３の実施の形態の他の変形例の概略的要部断面図であり、この場合の突起１８は、例えば、幅５μｍで高さが５μｍの三角形状であり、また、突起１８の中心線の間隔は１３μｍとし、且つ、互いに対向する突起１８とＣＦ基板側透明電極２１との間隔、即ち、セルギャップは８μｍとする。
【００４８】
この変形例においては、突起１８の形状が三角形状であるので、液晶分子１５のＨＡＮ型のハイブリッド配向が第３の実施の形態より強くなり、パネルの透過率が高くなるので明るい表示が可能になる。
【００４９】
次に、図７を参照して、本発明の第４の実施の形態を説明するが、基本的構成は上記第３の実施の形態と同様である。
図７参照
図７は、本発明の第４の実施の形態のマルチドメイン型液晶表示装置の概略的要部断面図であり、中央の一点鎖線より左側は電圧を印加しない状態を示し、右側は電圧を印加した状態を示している。
図に示すように、ＩＴＯからなるＴＦＴ基板側透明電極１１上に、透明度の高いフォトレジスト、例えば、ポジ型フォトレジストＰＣ−３３５（ＪＳＲ製商品名）を塗布してパターニングすることによって、図６（ｂ）に示す実施例と同様に、例えば、幅が５μｍで高さが５μｍの三角形状の突起１８を形成し、次いで、全面に水平配向膜１９，２６を設ける。
【００５０】
次いで、ＴＦＴ基板側透明電極１１とＣＦ基板側透明電極２１とを対向させ、スペーサ（図示せず）を用いてＴＦＴ基板側透明電極１１とＣＦ基板側透明電極２１との間に正の誘電率異方性を有する液晶１４を注入して液晶セルを構成する。
なお、互いに対向する突起１８とＣＦ基板側透明電極２１との間隔、即ち、セルギャップは８μｍとする。
【００５１】
この場合、液晶１４を構成する液晶分子１５は、突起１８の近傍においては、突起１８を覆う水平配向膜１９の表面の形状に沿って傾斜するので、液晶分子１５はＨＡＮ型のハイブリッド配向となる。
【００５２】
したがって、この場合にも、偏光板（図示を省略）をクロスニコルにした場合には、電圧無印加時には、突起１８の近傍の液晶分子１５の配向が表示に寄与して“白”表示となる。
一方、電圧印加時においては、突起１８の近傍の液晶分子１５も、正の誘電率異方性によって電圧印加方向に沿って垂直配向するので、“黒”表示となる。
【００５３】
この様に、本発明の第４の実施の形態においても、表示に実効的に寄与するのは突起１８の近傍に局在する液晶分子１５のみであるので、液晶配向が伝播する時間が短くなり、応答速度が短くなる。
【００５４】
次に、図８を参照して、本発明の第１乃至第４の実施の形態における突起のパターンの変形例を４つ説明するが、各図は突起のパターンを示す概略的平面図である。
図８（ａ）参照
図８（ａ）の場合には、突起３１をデータバスライン或いはゲートバスラインに沿って直線状の突起にしたものであり、最も簡単なパターンとしている。
【００５５】
図８（ｂ）参照
図８（ｂ）の場合には、突起３２を山折れ状の波型にしたものであり、実質的には、図２（ｂ）に示したパターンと同様であり、図８（ａ）の場合に比べて液晶分子の配向方向が紙面の上下方向に分散するので視野角が広くなる利点がある。
【００５６】
図８（ｃ）参照
図８（ｃ）の場合には、突起３３を格子状にしたものであり、この場合も液晶分子の配向方向が紙面の上下方向に分散するので図８（ａ）の場合に比べて視野角を広くすることができる。
【００５７】
図８（ｄ）参照
図８（ｄ）の場合には、突起３４をハニカム状にしたものであり、この場合も液晶分子の配向方向が紙面の上下方向に分散するので図８（ａ）の場合に比べて視野角を広くすることができる。
【００７２】
以上、本発明の各実施の形態を説明してきたが、本発明は各実施の形態に記載した構成及び条件に限られるものではなく、各種の変更が可能である。
例えば、上記の第１乃至第４の実施の形態においては、液晶として、正の誘電率異方性を有する液晶を用いているが、従来のＭＶＡ型液晶表示装置と同様に負の誘電率異方性を有する液晶を用いても良いものであり、その場合には、電圧印加とともにベンド配向或いはＨＡＮ型配向が強くなるので、上記の第１乃至第４の実施の形態とは逆に“黒”表示となる。
【００７３】
また、上記の第１乃至第４の実施の形態においては、偏光板をクロスニコル配置にして、ノーマリホワイト表示にしているが、偏光板をパラニコル配置にしてノーマリブラック表示にしても良いものである。
【００７４】
また、上記の第３及び第４の実施の形態においては、突起をＴＦＴ基板側に設けているが、逆にＣＦ基板側に設けても良いものであり、第３及び第４の実施の形態と全く同様な効果が得られるものである。
【００８０】
【発明の効果】
本発明によれば、基板の少なくとも一方に設けた突起の近傍に局在する液晶分子のみの配向に対する寄与を利用しているので、低階調を含めた全階調において応答速度を改善することができ、それによって、広視野角のＭＶＡ型液晶表示装置の高速化に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の概略的要部構造図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の変形例の概略的要部断面図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態の概略的要部断面図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態の概略的要部断面図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態の変形例の概略的要部断面図である。
【図７】本発明の第４の実施の形態の概略的要部断面図である。
【図８】本発明の第１乃至第４の実施の形態における突起のパターンの変形例の概略的平面図である。
【図９】 従来のＭＶＡ型液晶表示装置の説明図である。
【図１０】 従来のＭＶＡ型液晶表示装置の特性の説明図である。
【符号の説明】
１ 基板
２ 基板
３ 液晶
４ 構造物
５ 構造物
６ 液晶分子
７ 垂直配向膜
８ 垂直配向膜
９ 透明電極
１０ 透明電極
１１ ＴＦＴ基板側透明電極
１２ 突起
１３ 垂直配向膜
１４ 液晶
１５ 液晶分子
１６ 画素マトリクス
１７ 突起
１８ 突起
１９ 水平配向膜
２１ ＣＦ基板側透明電極
２２ 突起
２３ 垂直配向膜
２４ 突起
２５ 突起
２６ 水平配向膜
３１ 突起
３２ 突起
３３ 突起
３４ 突起
６１ ＴＦＴ基板
６２ 画素電極
６３ 突起
６４ 垂直配向膜
６５ ＣＦ基板
６６ 共通電極
６７ 突起
６８ 垂直配向膜
６９ 液晶
７０ 液晶分子
７１ 偏光板
７２ 偏光板
【発明の属する技術分野】
本発明はマルチドメイン型液晶表示装置に関するものであり、特に、高品質のＭＶＡ（マルチドメイン垂直配向）型液晶表示装置における応答速度を向上させるための構成に特徴のあるマルチドメイン型液晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、情報機器の普及に伴い、表示パネルの高性能化が要請されており、このような要請に応えるために、垂直配向膜を用いるとともに負の誘電率異方性を有するネガ型液晶を組合せ、さらに、複数の方向に液晶分子の配向分割を行なったＭＶＡ型液晶表示装置（必要ならば、特開平１１−２４２２２５号公報）が注目されている。
【０００３】
ここで、図９を参照して従来のＭＶＡ型液晶表示装置を説明する。
図９（ａ）参照
図９（ａ）は、電圧を印加しない状態における従来のＭＶＡ型液晶表示装置における概略的要部断面図であり、ＴＦＴ基板６１上にＩＴＯ透明電極からなる画素電極６２を設けるとともに、局所的に液晶分子７０の配向を規制する絶縁体からなる突起６３を設け、これらを覆うように垂直配向膜６４を設ける。
一方、ＴＦＴ基板６１と対向するＣＦ（カラーフィルタ）基板６５上には、ＩＴＯ透明電極からなる共通電極６６を設けるとともに、局所的に液晶分子７０の配向を規制する絶縁体からなる突起６７を突起６３と投影的に重ならない位置に設け、これらを覆うように垂直配向膜６８を設け、対向するＴＦＴ基板６１とＣＦ基板６５との間に負の誘電率異方性を有する液晶６９を注入する。
【０００４】
この場合、突起６３，６７の近傍の液晶分子７０は、突起６３，６７の形状に依存した配向状態を示すことになり、突起６３，６７の表面を覆う垂直配向膜６４，６８の法線方向に揃うように液晶分子７０は傾斜することになる。
一方、突起６３，６７から離れた位置の液晶分子７０は垂直配向することになる。
【０００５】
この様な液晶表示装置において、ＴＦＴ基板６１側に設ける偏光板７１とＣＦ基板６５側に設ける偏光板７２とをクロスニコルに配置することによって、電圧を印加しない状態においては“黒”表示になる。
【０００６】
図９（ｂ）参照
図９（ｂ）は電圧を印加した状態における液晶分子７０の配列状態を示す図であり、電圧を印加することによって、既に傾斜配向している突起６３，６７の近傍の液晶分子７０の配向の傾斜が伝搬し、負の誘電率異方性を有する液晶分子７０全体が、印加電圧に応じて傾斜角θｐだけ傾斜し、“白”表示が得られることになる。
【０００７】
この様に、ＭＶＡ型液晶表示装置においては、予め突起６３，６７を設けて液晶分子７０の一部を傾斜配向させているので、従来の液晶表示装置に比べて速い応答速度が得られるとともに、液晶分子が複数の方向に分割されて配向されているので、コントラスト比が１０以上において、上下左右１６０°の広い視野角が実現している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、この様なＭＶＡ型液晶表示装置においても、傾斜方向を規制する構造、即ち、突起６３，６７のない領域を液晶配向の傾斜が伝播するのには時間がかかり、画素全体の液晶が応答するのに時間が必要となり、必ずしも十分な応答性が得られないという問題がある。
特に、中間調表示が低階調の場合、電圧が低いために液晶配向の伝播が遅くなり、応答時間が通常の３倍以上となるという問題がある。
【０００９】
図１０参照
図１０は、従来のＭＶＡ型液晶表示装置の一例の特性の説明図であり、●は透過率の印加電圧依存性を示す特性曲線であり、■は応答速度の印加電圧依存性を示す特性曲線である。
図から明らかなように、透過率は印加電圧の増加とともに透過率の上昇するのに対し、応答速度は印加電圧の増加とともに速くなるが、４．５Ｖ程度で再び遅くなる傾向を示す。
【００１０】
したがって、低階調の中間調表示の場合、印加電圧が低いので応答速度は１００ｍｓ以上となり、動画を表示する時に、像が流れる表示が見られるという問題がある。
【００１１】
したがって、本発明は、表示品質を損なうことなく、応答速度を向上することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
ここで、図１を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明する。
なお、図１は本発明のマルチドメイン型液晶表示装置の概略的要部断面図である。
図１参照
（１）本発明は、互いに対向する二枚の基板１，２の間に誘電率異方性が正の液晶３を挟持するとともに、両方の基板１，２の対向する表面に絶縁性の突起状の構造物４，５を１画素内に複数設け、垂直配向膜７，８を構造物４，５の表面に沿って基板１，２の全面を覆うように設けて電圧無印加時における液晶分子６の配向を基板１，２の厚さ方向に歪ませるとともに、電圧を二枚の基板１，２の間に印加するマルチドメイン型液晶表示装置において、電圧無印加時における液晶分子６の配向が二枚の基板１，２の間の中心面に対して対称になっていることを特徴とする。
【００１３】
この様に、液晶分子６の配向を二枚の基板１，２の間の中心面に対して対称にすることにより、絶縁性の突起状の構造物４，５の近傍に局在している液晶分子６のみが、構造物４，５の傾斜によってベント配向して表示に寄与するため、液晶配向する時間が短くなり、応答速度が向上する。
なお、この様に、液晶分子６の配向を二枚の基板１，２の間の中心面に対して対称にするためには、両方の構造物４，５が互いに投影的に重なるように対称に設ければ良い。
【００１４】
（２）また、本発明は、互いに対向する二枚の基板１，２の間に誘電率異方性が正の液晶３を挟持するとともに、一方の基板１の他方の基板２に対向する表面に絶縁性の突起状の構造物４を１画素内に複数設け、垂直配向膜７を前記構造物４の表面に沿って前記基板１の全面を覆うように設けて電圧無印加時における液晶分子６の配向を前記基板１，２の厚さ方向に歪ませるとともに、電圧を前記二枚の基板１，２の間に印加するマルチドメイン型液晶表示装置において、電圧無印加時における液晶分子６の配向が構造物４の基板１に垂直な中心線に対して対称になっていることを特徴とする。
【００１５】
この様に、絶縁性の突起状の構造物４を一方の基板１にのみ設けた場合にも、構造物４の近傍に局在している液晶分子６のみが、構造物４の傾斜によってＨＡＮ（Ｈｙｂｒｉｄ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）型に配向して表示に寄与するため、液晶配向する時間が短くなり、応答速度が向上する。
【００１７】
特に、垂直配向膜７，８と正の誘電率異方性を有する液晶３を組み合わせて用いることによって、構造物４，５の近傍に局在する液晶分子６のみを表示に寄与させることができ、確実に応答時間を速くすることができる。
即ち、正の誘電率異方性を有する液晶３を用いているので、構造物４，５から離れた領域における液晶分子６は、電圧の印加状態の如何に拘わらず、常に垂直配向しているので表示は寄与しないことになる。
【００１８】
また、本発明は、上記（１）乃至（３）のいずれかにおいて、構造物４，５が、基板１，２の厚さ方向の断面形状が半円形状、矩形状、台形状、或いは、三角形状のいずれかの形状の突起であることが望ましい。
【００１９】
この様に、構造物４，５としては、構造物４，５の近傍に局在する液晶分子６が十分傾斜して配向するように、基板１，２の厚さ方向の断面形状が半円形状、矩形状、台形状、或いは、三角形状のいずれかの形状の突起であることが望ましい。
【００２４】
【発明の実施の形態】
ここで、図２を参照して本発明の第１の実施の形態のマルチドメイン型液晶表示装置を説明する。
なお、図においては、ＴＦＴ基板、ＣＦ基板、ＴＦＴ等のアクティブ素子、及び、偏光板等の図示を省略している。
図２（ａ）参照
図２（ａ）は、本発明の第１の実施の形態のマルチドメイン型液晶表示装置の概略的要部断面図であり、中央の一点鎖線より左側は電圧を印加しない状態を示し、右側は電圧を印加した状態を示している。
図に示すように、ＩＴＯからなるＴＦＴ基板側透明電極１１及びＣＦ基板側透明電極２１上に、透明度の高いフォトレジスト、例えば、ポジ型フォトレジストＰＣ−３３５（ＪＳＲ製商品名）を塗布してパターニングすることによって、例えば、幅が５μｍで高さが５μｍの半円状の突起１２，２２を形成し、全面に垂直配向膜１３，２３を設ける。
【００２５】
図２（ｂ）参照
図２（ｂ）は、突起１２の概略的パターンを示す平面図であり、画素マトリクス１６に対して突起１２は山折れ状のパターンとなっており、隣接する突起１２の間隔、即ち、突起１２の中心線の間隔は、例えば、１３μｍにする。
なお、図示を省略するものの、突起２２も全く同様のパターンに形成する。
【００２６】
再び、図２（ａ）参照
次いで、ＴＦＴ基板側透明電極１１とＣＦ基板側透明電極２１とを突起１２と突起２２とが投影的に重なるように対向させ、スペーサ（図示せず）を用いてＴＦＴ基板側透明電極１１とＣＦ基板側透明電極２１との間に正の誘電率異方性を有する液晶１４を注入して液晶セルを構成する。
なお、互いに対向する突起１２と突起２２との間隔、即ち、セルギャップは１０μｍとする。
【００２７】
この場合、液晶１４を構成する液晶分子１５は、垂直配向膜１３，２３の法線方向に沿って垂直配向することになるが、突起１２，２２の近傍においては、突起１２，２２を覆う垂直配向膜１３，２３の表面の法線方向が基板の厚さ方向に対して傾斜するので、液晶分子１５が傾斜してベント配向となる。
【００２８】
したがって、偏光板（図示を省略）を図９（ａ）に示すようにクロスニコルにした場合には、電圧無印加時には、突起１２，２２の近傍の液晶分子１５の配向が表示に寄与して“白”表示となる。
【００２９】
一方、電圧印加時においては、突起１２，２２の近傍の液晶分子１５も、正の誘電率異方性によって電圧印加方向に沿って垂直配向するので、“黒”表示となる。
なお、突起１２，２２から離れた領域における液晶分子１５は、電圧の印加状態の如何によらず常に垂直配向しているので、表示に寄与することはない。
【００３０】
この様に、本発明の第１の実施の形態においては、表示に寄与するのは突起１２，２２の近傍に局在する液晶分子１５のみであるので、液晶配向が伝播する時間が短くなり、且つ、突起１２，２２の近傍における液晶分子１５のベンド配向によってＯＣＢ（光学補償ベンド配向）効果（必要ならば、例えば、Ｓ．Ｏｎｄａ ｅｔ ａｌ．，Ａｓｉａ Ｄｉｓｐｌａｙ ‘９８ Ｄｉｇｅｓｔ，ｐ．１０５５，１９８８参照）が得られるので、応答速度が短くなる。
なお、この場合、突起１２，２２から離れた領域の液晶が表示に寄与しないので、輝度が低くなるが、隣接する突起１２，２２同士の間隔を狭めることで輝度の低下を抑制することができる。
但し、あまり間隔を狭くすると液晶分子１５の配向が乱れる問題がある。
【００３１】
次に、図３を参照して、本発明の第１の実施の形態の変形例を二つ説明するが、突起の形状が異なるだけで、製造工程及び使用材料は第１の実施の形態と全く同様であるので、工程等の説明は省略する。
図３（ａ）参照
図３（ａ）は、本発明の第１の実施の形態の変形例の概略的要部断面図であり、この場合の突起１７，２４は、例えば、幅３μｍで高さが３μｍの矩形状であり、また、突起１７，２４の中心線の間隔は８μｍとし、且つ、互いに対向する突起１７と突起２４との間隔、即ち、セルギャップは８μｍとする。
【００３２】
この変形例においては、突起１７，２４の形状が矩形状であるので、液晶分子１５のベンド配向が非常に強くなり、それによって、パネルの透過率が高くなるので明るい表示が可能になる。
但し、この様な矩形状の突起１７，２４を設けた場合に、垂直配向膜１３，２３を均一に塗布することが困難になる。
【００３３】
図３（ｂ）参照
図３（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態の他の変形例の概略的要部断面図であり、この場合の突起１８，２５は、例えば、幅５μｍで高さが５μｍの三角形状であり、また、突起１８，２５の中心線の間隔は１３μｍとし、且つ、互いに対向する突起１８と突起２５との間隔、即ち、セルギャップは１０μｍとする。
【００３４】
この変形例においては、突起１８，２５の形状が三角形状であるので、液晶分子１５のベンド配向が第１の実施の形態より強くなり、パネルの透過率が高くなるので明るい表示が可能になる。
【００３５】
次に、図４を参照して、本発明の第２の実施の形態を説明するが、基本的構成は上記第１の実施の形態と同様である。
図４参照
図４は、本発明の第２の実施の形態のマルチドメイン型液晶表示装置の概略的要部断面図であり、中央の一点鎖線より左側は電圧を印加しない状態を示し、右側は電圧を印加した状態を示している。
図に示すように、ＩＴＯからなるＴＦＴ基板側透明電極１１及びＣＦ基板側透明電極２１上に、透明度の高いフォトレジスト、例えば、ポジ型フォトレジストＰＣ−３３５（ＪＳＲ製商品名）を塗布してパターニングすることによって、図３（ｂ）に示す実施例と同様に、例えば、幅が５μｍで高さが５μｍの三角形状の突起１８，２５を形成し、次いで、全面に水平配向膜１９，２６を設ける。
なお、この場合も、隣接する突起１８，２５の間隔、即ち、突起１８，２５の中心線の間隔は、例えば、１３μｍにする。
【００３６】
次いで、ＴＦＴ基板側透明電極１１とＣＦ基板側透明電極２１とを突起１８と突起２５とが投影的に重なるように対向させ、スペーサ（図示せず）を用いてＴＦＴ基板側透明電極１１とＣＦ基板側透明電極２１との間に正の誘電率異方性を有する液晶１４を注入して液晶セルを構成する。
なお、互いに対向する突起１８と突起２５との間隔、即ち、セルギャップは１０μｍとする。
【００３７】
この場合、液晶１４を構成する液晶分子１５は、突起１８，２５の近傍においては、突起１８，２５を覆う水平配向膜１９，２６の表面の形状に沿って傾斜するので、液晶分子１５は上記の図３（ｂ）の場合とは逆に傾斜するベント配向となる。
【００３８】
したがって、この場合にも、偏光板（図示を省略）をクロスニコルにした場合には、電圧無印加時には、突起１８，２５の近傍の液晶分子１５の配向が表示に寄与して“白”表示となる。
一方、電圧印加時においては、突起１８，２５の近傍の液晶分子１５も、正の誘電率異方性によって電圧印加方向に沿って垂直配向するので、“黒”表示となる。
【００３９】
この様に、本発明の第２の実施の形態においても、表示に実効的に寄与するのは突起１８，２５の近傍に局在する液晶分子１５のみであるので、液晶配向が伝播する時間が短くなり、応答速度が短くなる。
【００４０】
次に、図５を参照して本発明の第３の実施の形態のマルチドメイン型液晶表示装置を説明するが、この第３の実施の形態においては、一方の基板側にのみ突起を設けただけで、他の構成は上記の第１の実施の形態と同様である。
なお、この場合も、ＴＦＴ基板、ＣＦ基板、ＴＦＴ等のアクティブ素子、及び、偏光板等の図示を省略している。
図５参照
図５は、本発明の第３の実施の形態のマルチドメイン型液晶表示装置の概略的要部断面図であり、中央の一点鎖線より左側は電圧を印加しない状態を示し、右側は電圧を印加した状態を示している。
図に示すように、ＩＴＯからなるＴＦＴ基板側透明電極１１上に、透明度の高いフォトレジスト、例えば、ポジ型フォトレジストＰＣ−３３５（ＪＳＲ製商品名）を塗布してパターニングすることによって、例えば、幅が５μｍで高さが５μｍの半円状の突起１２を形成し、次いで、ＴＦＴ基板側透明電極１１及びＣＦ基板側透明電極２１の全面に垂直配向膜１３，２３を設ける。
なお、この場合も隣接する突起１２の間隔、即ち、突起１２の中心線の間隔は、例えば、１３μｍにする。
【００４１】
次いで、ＴＦＴ基板側透明電極１１とＣＦ基板側透明電極２１とを対向させ、スペーサ（図示せず）を用いてＴＦＴ基板側透明電極１１とＣＦ基板側透明電極２１との間に正の誘電率異方性を有する液晶１４を注入して液晶セルを構成する。
なお、互いに対向する突起１２とＣＦ基板側透明電極２１との間隔、即ち、セルギャップは１０μｍとする。
【００４２】
この場合、液晶１４を構成する液晶分子１５は、垂直配向膜１３，２３の法線方向に沿って垂直配向することになるが、突起１２の近傍においてのみ、突起１２を覆う垂直配向膜１３の表面の法線方向が基板の厚さ方向に対して傾斜するので、液晶分子１５は傾斜してＨＡＮ型にハイブリッド配向する。
【００４３】
したがって、偏光板（図示を省略）をクロスニコルにした場合には、電圧無印加時には、突起１２の近傍の液晶分子１５の配向が表示に寄与して“白”表示となる。
一方、電圧印加時においては、突起１２の近傍の液晶分子１５も、正の誘電率異方性によって電圧印加方向に沿って垂直配向するので、“黒”表示となる。
なお、突起１２から離れた領域における液晶分子１５は、電圧の印加状態の如何によらず常に垂直配向しているので、表示に寄与することはない。
【００４４】
この様に、本発明の第３の実施の形態においては、表示に寄与するのは突起１２の近傍に局在する液晶分子１５のみであるので、液晶配向が伝播する時間が短くなり、応答速度が短くなる。
【００４５】
次に、図６を参照して、本発明の第３の実施の形態の変形例を二つ説明するが、突起の形状が異なるだけで、製造工程及び使用材料は第３の実施の形態と全く同様であるので、工程等の説明は省略する。
図６（ａ）参照
図６（ａ）は、本発明の第３の実施の形態の変形例の概略的要部断面図であり、この場合の突起１７は、例えば、幅３μｍで高さが３μｍの矩形状であり、また、突起１７の中心線の間隔は８μｍとし、且つ、互いに対向する突起１７とＣＦ基板側透明電極２１との間隔、即ち、セルギャップは５μｍとする。
【００４６】
この変形例においては、突起１７の形状が矩形状であるので、図３（ａ）の場合と同様に、液晶分子１５のＨＡＮ型のハイブリッド配向が非常に強くなり、パネルの透過率が高くなるので明るい表示が可能になる。
但し、この様な矩形状の突起１７を設けた場合に、垂直配向膜１３を均一に塗布することが困難になる。
【００４７】
図６（ｂ）参照
図６（ｂ）は、本発明の第３の実施の形態の他の変形例の概略的要部断面図であり、この場合の突起１８は、例えば、幅５μｍで高さが５μｍの三角形状であり、また、突起１８の中心線の間隔は１３μｍとし、且つ、互いに対向する突起１８とＣＦ基板側透明電極２１との間隔、即ち、セルギャップは８μｍとする。
【００４８】
この変形例においては、突起１８の形状が三角形状であるので、液晶分子１５のＨＡＮ型のハイブリッド配向が第３の実施の形態より強くなり、パネルの透過率が高くなるので明るい表示が可能になる。
【００４９】
次に、図７を参照して、本発明の第４の実施の形態を説明するが、基本的構成は上記第３の実施の形態と同様である。
図７参照
図７は、本発明の第４の実施の形態のマルチドメイン型液晶表示装置の概略的要部断面図であり、中央の一点鎖線より左側は電圧を印加しない状態を示し、右側は電圧を印加した状態を示している。
図に示すように、ＩＴＯからなるＴＦＴ基板側透明電極１１上に、透明度の高いフォトレジスト、例えば、ポジ型フォトレジストＰＣ−３３５（ＪＳＲ製商品名）を塗布してパターニングすることによって、図６（ｂ）に示す実施例と同様に、例えば、幅が５μｍで高さが５μｍの三角形状の突起１８を形成し、次いで、全面に水平配向膜１９，２６を設ける。
【００５０】
次いで、ＴＦＴ基板側透明電極１１とＣＦ基板側透明電極２１とを対向させ、スペーサ（図示せず）を用いてＴＦＴ基板側透明電極１１とＣＦ基板側透明電極２１との間に正の誘電率異方性を有する液晶１４を注入して液晶セルを構成する。
なお、互いに対向する突起１８とＣＦ基板側透明電極２１との間隔、即ち、セルギャップは８μｍとする。
【００５１】
この場合、液晶１４を構成する液晶分子１５は、突起１８の近傍においては、突起１８を覆う水平配向膜１９の表面の形状に沿って傾斜するので、液晶分子１５はＨＡＮ型のハイブリッド配向となる。
【００５２】
したがって、この場合にも、偏光板（図示を省略）をクロスニコルにした場合には、電圧無印加時には、突起１８の近傍の液晶分子１５の配向が表示に寄与して“白”表示となる。
一方、電圧印加時においては、突起１８の近傍の液晶分子１５も、正の誘電率異方性によって電圧印加方向に沿って垂直配向するので、“黒”表示となる。
【００５３】
この様に、本発明の第４の実施の形態においても、表示に実効的に寄与するのは突起１８の近傍に局在する液晶分子１５のみであるので、液晶配向が伝播する時間が短くなり、応答速度が短くなる。
【００５４】
次に、図８を参照して、本発明の第１乃至第４の実施の形態における突起のパターンの変形例を４つ説明するが、各図は突起のパターンを示す概略的平面図である。
図８（ａ）参照
図８（ａ）の場合には、突起３１をデータバスライン或いはゲートバスラインに沿って直線状の突起にしたものであり、最も簡単なパターンとしている。
【００５５】
図８（ｂ）参照
図８（ｂ）の場合には、突起３２を山折れ状の波型にしたものであり、実質的には、図２（ｂ）に示したパターンと同様であり、図８（ａ）の場合に比べて液晶分子の配向方向が紙面の上下方向に分散するので視野角が広くなる利点がある。
【００５６】
図８（ｃ）参照
図８（ｃ）の場合には、突起３３を格子状にしたものであり、この場合も液晶分子の配向方向が紙面の上下方向に分散するので図８（ａ）の場合に比べて視野角を広くすることができる。
【００５７】
図８（ｄ）参照
図８（ｄ）の場合には、突起３４をハニカム状にしたものであり、この場合も液晶分子の配向方向が紙面の上下方向に分散するので図８（ａ）の場合に比べて視野角を広くすることができる。
【００７２】
以上、本発明の各実施の形態を説明してきたが、本発明は各実施の形態に記載した構成及び条件に限られるものではなく、各種の変更が可能である。
例えば、上記の第１乃至第４の実施の形態においては、液晶として、正の誘電率異方性を有する液晶を用いているが、従来のＭＶＡ型液晶表示装置と同様に負の誘電率異方性を有する液晶を用いても良いものであり、その場合には、電圧印加とともにベンド配向或いはＨＡＮ型配向が強くなるので、上記の第１乃至第４の実施の形態とは逆に“黒”表示となる。
【００７３】
また、上記の第１乃至第４の実施の形態においては、偏光板をクロスニコル配置にして、ノーマリホワイト表示にしているが、偏光板をパラニコル配置にしてノーマリブラック表示にしても良いものである。
【００７４】
また、上記の第３及び第４の実施の形態においては、突起をＴＦＴ基板側に設けているが、逆にＣＦ基板側に設けても良いものであり、第３及び第４の実施の形態と全く同様な効果が得られるものである。
【００８０】
【発明の効果】
本発明によれば、基板の少なくとも一方に設けた突起の近傍に局在する液晶分子のみの配向に対する寄与を利用しているので、低階調を含めた全階調において応答速度を改善することができ、それによって、広視野角のＭＶＡ型液晶表示装置の高速化に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の概略的要部構造図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の変形例の概略的要部断面図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態の概略的要部断面図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態の概略的要部断面図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態の変形例の概略的要部断面図である。
【図７】本発明の第４の実施の形態の概略的要部断面図である。
【図８】本発明の第１乃至第４の実施の形態における突起のパターンの変形例の概略的平面図である。
【図９】 従来のＭＶＡ型液晶表示装置の説明図である。
【図１０】 従来のＭＶＡ型液晶表示装置の特性の説明図である。
【符号の説明】
１ 基板
２ 基板
３ 液晶
４ 構造物
５ 構造物
６ 液晶分子
７ 垂直配向膜
８ 垂直配向膜
９ 透明電極
１０ 透明電極
１１ ＴＦＴ基板側透明電極
１２ 突起
１３ 垂直配向膜
１４ 液晶
１５ 液晶分子
１６ 画素マトリクス
１７ 突起
１８ 突起
１９ 水平配向膜
２１ ＣＦ基板側透明電極
２２ 突起
２３ 垂直配向膜
２４ 突起
２５ 突起
２６ 水平配向膜
３１ 突起
３２ 突起
３３ 突起
３４ 突起
６１ ＴＦＴ基板
６２ 画素電極
６３ 突起
６４ 垂直配向膜
６５ ＣＦ基板
６６ 共通電極
６７ 突起
６８ 垂直配向膜
６９ 液晶
７０ 液晶分子
７１ 偏光板
７２ 偏光板
Claims (2)
- 互いに対向する二枚の基板の間に誘電率異方性が正の液晶を挟持するとともに、前記両方の基板の対向する表面に絶縁性の突起状の構造物を１画素内に複数設け、垂直配向膜を前記構造物の表面に沿って前記基板の全面を覆うように設けて電圧無印加時における液晶分子の配向を前記基板の厚さ方向に歪ませるとともに、電圧を前記二枚の基板の間に印加するマルチドメイン型液晶表示装置において、前記電圧無印加時における液晶分子の配向が前記二枚の基板の間の中心面に対して対称になっていることを特徴とするマルチドメイン型液晶表示装置。
- 互いに対向する二枚の基板の間に誘電率異方性が正の液晶を挟持するとともに、一方の基板の他方の基板に対向する表面に絶縁性の突起状の構造物を１画素内に複数設け、垂直配向膜を前記構造物の表面に沿って前記基板の全面を覆うように設けて電圧無印加時における液晶分子の配向を前記基板の厚さ方向に歪ませるとともに、電圧を前記二枚の基板の間に印加するマルチドメイン型液晶表示装置において、前記電圧無印加時における液晶分子の配向が前記構造物の前記基板に垂直な中心線に対して対称になっていることを特徴とするマルチドメイン型液晶表示装置。
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