JP4657129B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、封止樹脂との密着性が図られるリードフレームを備えた半導体装置の製造方法に関するものである。

半導体装置には、封止樹脂で半導体チップを封止した樹脂封止型の半導体装置がある。図１１に示すように、この種の半導体装置１０１では、半導体チップ１０３はリードフレーム１０５の所定の位置に搭載されて、その状態でモールド樹脂等の封止樹脂１０７によって封止されている。

次に、そのような半導体装置１０１の製造方法について簡単に説明する。まず、図１２に示すように、リードフレーム１０５は、あらかじめ所定の形状に打ち抜かれる。このとき、リードフレームを所定の金型によって打ち抜くことで、図１３に示すように、リードフレーム１０５の端にはバリ１１０が生じている。

次に、リードフレーム１０５の所定の領域を所定の金型にてコイニングを行うことによって、図１４および図１５に示すように、打ち抜きの際に生じたバリ１１０を押えてリードフレーム１０５の領域に窪み１１１がつけられる。その後、半導体チップ１０３が、その窪み１１１の領域に銀ペーストなどのプリフォーム１０９（図１１参照）によってダイボンドされる。そして、リードフレーム１０５とともに封止樹脂１０７によって封止されて、図１１に示す半導体装置１０１が製造されることになる。

ところで、封止樹脂１０７とリードフレーム１０５との密着性がよくないと、半導体装置１０１の動作に伴って発生する熱と、リードフレーム１０５と封止樹脂１０７との熱膨張係数の違いとによって、封止樹脂１０７がリードフレーム１０５の表面から剥離することがある。封止樹脂１０７がリードフレーム１０５から剥離すると封止樹脂１０７とリードフレーム１０５との間に隙間が生じ、その隙間から水分等が浸入して耐湿性が悪化し、半導体装置１０１の信頼性が損なわれることがある。

そのため、図１６に示すように、リードフレーム１０５の表面にあらかじめ凹凸処理を施すことによって凹凸表面１０５ａを形成し、封止樹脂１０７とリードフレーム１０５との接触面積を増加させて、封止樹脂１０７とリードフレーム１０５との密着性が図られている。なお、この種の技術を開示した文献の一つとして特許文献１がある。
特開平５−２２６５６３号公報

しかしながら、従来の半導体装置１０１では次のような問題点があった。図１６に示すように、リードフレーム１０５の表面にプレス加工を施すことによって形成される凹凸表面１０５ａは比較的なだらかな凹凸となる。そのため、封止樹脂１０７とリードフレーム１０５との接触面積をある程度増やすことはできても、高温で多湿な状態のもとで半導体装置１０１を長時間動作させると、封止樹脂１０７がリードフレーム１０５から剥離することがあり、半導体装置１０１の信頼性が損なわれるおそれがあった。

本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、封止樹脂との密着性がより高められて信頼性がさらに向上するリードフレームを備えた半導体装置の製造方法を提供することである。

本発明に係る半導体装置の製造方法は、リードフレームにダイボンドされた半導体チップを封止した半導体装置の製造方法であって、以下の工程を備えている。リードフレームに接触する部分に所定の突起が形成された第１押圧部材によって押圧することにより、リードフレームの表面に凹部と凸部とを形成する（１回目の第１押圧工程）。１回目の第１押圧工程の後、１回目の第１押圧工程に使用した第１押圧部材を用い、第１押圧部材のリードフレームに対する相対的な位置関係が、１回目の第１押圧工程における第１押圧部材のリードフレームに対する相対的な位置関係とは異なるように第１押圧部材を配置し、その配置された第１押圧部材によって押圧することにより、リードフレームの表面に凹部と凸部とをさらに形成する（２回目の第１押圧工程）。第１押圧工程の後、リードフレームに接触する部分が平坦な第２押圧部材によって押圧することにより、凹部の間に位置する凸部の先端部分を押し潰して側方に延在するカギ部を形成する（第２押圧工程）。第２押圧工程の後、リードフレーム上にプリフォームを介在させて、半導体チップをダイボンドする。リードフレームにダイボンドされた半導体チップを封止樹脂によって封止する。

この方法によれば、第１押圧工程において金属薄板の表面に形成される複数の凹部の間に位置する凸部を、第２押圧工程において押し潰すことで、側方に延在するカギ部を容易に形成することができる。これにより、半導体チップとリードフレームを封止樹脂によって封止する際に凹部に入り込んだ封止樹脂の部分がカギ部によって引掛けられて、封止樹脂がリードフレームの表面に密着する。その結果、たとえ高温で多湿な状態のもとで半導体装置を長時間動作させたとしても、封止樹脂がリードフレームから剥離するのを抑制して、半導体装置としての信頼性を大幅に向上させることができる。

本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、リードフレームにダイボンドされた半導体チップを封止した半導体装置の製造方法であって、以下の工程を備えている。リードフレームに接触する部分に所定の突起が形成された第１押圧部材によって押圧することにより、リードフレームの表面に凹部と凸部とを形成する（１回目の第１押圧工程）。１回目の第１押圧工程の後、１回目の第１押圧工程に使用した第１押圧部材を用い、第１押圧部材とリードフレームとの位置関係が、１回目の第１押圧工程における第１押圧部材とリードフレームとの位置関係とは相対的に異なる位置関係のもとで、第１押圧部材によって押圧することにより、リードフレームの表面に凹部と凸部とをさらに形成する（２回目の第１押圧工程）。第１押圧工程の後、リードフレームに接触する部分が平坦な第２押圧部材によって押圧することにより、凹部の間に位置する凸部の先端部分を押し潰して側方に延在するカギ部を形成する（第２押圧工程）。第２押圧工程の後、リードフレーム上にプリフォームを介在させて、半導体チップをダイボンドする。リードフレームにダイボンドされた半導体チップを封止樹脂によって封止する。

この方法によれば、第１押圧工程において金属薄板の表面に形成される複数の凹部の間に位置する凸部を、第２押圧工程において押し潰すことで、側方に延在するカギ部を容易に形成することができる。これにより、半導体チップとリードフレームを封止樹脂によって封止する際に凹部に入り込んだ封止樹脂の部分がカギ部によって引掛けられて、封止樹脂がリードフレームの表面に密着する。その結果、たとえ高温で多湿な状態のもとで半導体装置を長時間動作させたとしても、封止樹脂がリードフレームから剥離するのを抑制して、半導体装置としての信頼性を大幅に向上させることができる。

第１押圧部材の突起の形状は四角錐であることが好ましい。

また、第１押圧部材の突起は丸みを帯びていてもよい。

第１押圧部材の突起は所定のピッチをもって配置され、２回目の押圧工程では、１回目の第１押圧工程におけるリードフレームに対する第１押圧部材の相対的な位置関係に対して、第１押圧部材の突起のピッチが半ピッチだけずらされていることが好ましい。

ダイボンドする工程では、プリフォームはリードフレームの凹部に入り込む態様でリードフレームと半導体チップとの間に介在することが好ましい。

封止する工程では、封止樹脂は、リードフレームの凹部に入り込む態様で半導体チップを封止することが好ましい。

リードフレームを、金属箔板を所定の形状に打ち抜くことによって形成する工程を含み、第１押圧工程の後、第２押圧工程の前に、金属箔板を打ち抜くことによって生じたバリを平坦にするパンチング工程を含むことが好ましい。

第１押圧工程は、２回目の第１押圧工程の後、第１押圧部材によって、凹部の間に位置する凸部を押し潰す態様でリードフレームをさらに押圧する工程を含むことが好ましい。また、リードフレームの厚さは１２５μｍであってもよい。

実施の形態１
本発明の実施の形態１に係るリードフレームと、そのリードフレームを備えた半導体装置について説明する。図１に示すように、樹脂封止型の半導体装置１では、リードフレーム５における所定の位置に半導体チップ３が搭載されて、その状態で半導体チップ３とリードフレーム５とがモールド樹脂等の封止樹脂７によって封止されている。半導体チップ３はリードフレーム５上にプリフォーム９を介在させてリードフレーム５にダイボンドされている。

図２に示すように、そのリードフレーム５の表面には凹凸部６が形成され、その凹凸部６における凹部５ａと凹部５ａとの間に位置する凸部５ｂの先端部分にカギ部５ｃが形成されている。カギ部５ｃは凹凸部６の凸部５ｂの先端を押し潰すことによって形成されて、凹凸部６の凹部５ａに入り込んだ封止樹脂７を引掛けるように凹部５ａの深さ方向と交差する側方に延在している。

上述した半導体装置１では、リードフレーム５の表面に凹凸部６が形成され、その凸部５ｂの先端部分にカギ部５ｃが形成されている。これにより、半導体チップ３とリードフレーム５を封止樹脂７によって封止する際に、リードフレーム５における凹凸部６の凹部５ａに入り込んだ封止樹脂７の部分がカギ部５ｃによって引掛けられて、封止樹脂７がリードフレーム５の表面に密着する。

その結果、たとえ高温で多湿な状態のもとで半導体装置１を長時間動作させたとしても、封止樹脂７がリードフレーム５から剥離するのを抑制して、半導体装置１としての信頼性を大幅に向上させることができる。しかも、リードフレームの表面に化学的にエッチングを施すことによって凹凸部を形成する場合と比べて、後述するように、所定の加工パンチによる機械的な加工だけなので、生産コストの上昇を最小限に抑えることができる。

この半導体装置１についてＪＥＤＥＣ（Joint Electron Device Engineering Council）に規定される加湿評価を行なったところ、従来の半導体装置では達成できなかった、ＭＳＬ（Moisture Stress Level）のレベル１（保管条件：温度８５℃/相対湿度８５％ＲＨ以下、保管期限：無期限）を達成できることが実証された。なお、相対湿度とは、空気中の実際の水蒸気の分圧と、その温度での飽和水蒸気圧との比をいう。

実施の形態２
次に、リードフレーム５の表面に上述した凹凸部６を形成する方法を含めた半導体装置１の製造方法について説明する。まず、図３および図４に示すように、リードフレーム５は、金型によってあらかじめ所定の形状に打ち抜かれる。次に、リードフレーム５において封止樹脂によって封止される領域（点線枠内）に位置するリードフレーム５の部分の表面に対して、図５に示すように、所定の配置パターンに基づいて突起２０ａが形成された加工パンチ２０による２回のパンチング処理が施され、次に、表面が平坦な加工パンチによるパンチング処理が施される。突起２０ａの形状は、たとえば四角錐状とされる。

このパンチング処理についてさらに詳しく説明する。図６に示すように、最初の２回のパンチング処理に使用される加工パンチ２０には、表面に所定のピッチをもって複数の突起２０ａが形成されている。まず、最初のステージＡでは、リードフレーム５に対する加工パンチ２０の所定の相対的な位置関係のもとでパンチング処理が施されて、リードフレーム５の表面に突部２０ａに対応した凹部５ａが形成される。ステージＡにおけるパンチング処理が完了すると、リードフレーム５は、次のステージＢにまで搬送される。

ステージＢでは、図７に示すように、ステージＡにおけるリードフレーム５に対する加工パンチ２０の相対的な位置関係に対し、突起のピッチＰが半ピッチだけずれるような位置関係のもとで、２回目のパンチング処理をリードフレーム５に施すことで、ステージＡにおいて形成された凹部５ａの位置とは異なる位置に凹部５ａが形成される。

ステージＢにおけるパンチング処理が完了すると、リードフレーム５は次のステージＣにまで搬送される。ステージＣでは、表面の平らな加工パンチ２１によってリードフレーム５の表面にパンチング処理を施すことによって、リードフレーム５の表面に形成された複数の凹部５ａの間に位置する凸部５ｂの先端部分が押し潰されてカギ部５ｃが形成される。

次に、カギ部５ｃが形成されたリードフレーム５の表面にプリフォーム９により半導体チップ３がダイボンドされる。そして、リードフレーム５における所定のリードフレームの部分（外部リード）と半導体チップ３とが、たとえば金線によって電気的に接続される。その後、半導体チップ３を搭載したリードフレーム５を所定の金型（図示せず）に装着し、その金型内にモールド樹脂等の封止樹脂７を流し込むことで半導体チップ３とリードフレーム５とが封止される。封止樹脂７から突出しているリードフレーム５の部分を所定の向きに曲げることによって、図１に示す半導体装置１が完成する。

上述した製造方法では、１回目のパンチング処理によってリードフレーム５の表面に形成される複数の凹部５ａの位置とは異なる位置に凹部５ａが形成されるように２回目のパンチング処理を施すことによって、リードフレーム５の表面をさらに粗面化して表面積を増加させることができるとともに、凹部５ａと凹部５ａとの間に位置する凸部５ｂの数を増やすことができる。これにより、その凸部５ｂに対して３回目のパンチング処理を施すことによって、より多くのカギ部５ｃを形成することができる。その結果、封止樹脂７がそのカギ部５ｃによって引掛けられて、封止樹脂７とリードフレーム５との密着性をさらに向上させることができる。

また、上述した製造方法では、所定の加工パンチ２０，２１による機械的な加工だけなので、リードフレームの表面に化学的にエッチングを施して凹凸部を形成する場合のコストと比べると、その約２０分の１のコストでもって封止樹脂７とリードフレーム５との密着性に優れた半導体装置１を製造することができて、製造コストの上昇を最小限に抑えることができる。

なお、上述した製造方法では、最初の２回のパンチング処理に使用する加工パンチとして同じ突起２０ａの形成された加工パンチ２０を使用してリードフレーム５の表面に凹部５ａを形成する場合を例に挙げて説明した。この他に、たとえば図８に示すように、突起の配置パターンの異なる２つの加工パンチ２０，２２を用いてもよい。すなわち、１回目のパンチング処理では、所定のピッチＰをもって突起２０ａが形成された加工パンチ２０を使用し、２回目のパンチング処理では、突起のピッチを半ピッチだけずらした突起２２ａが形成された加工パンチ２２を使用する。

この場合には、ステージＢでは、ステージＡにおけるリードフレーム５に対する加工パンチ２０の相対的な位置関係と同じ位置関係のもとで、加工パンチ２２による２回目のパンチング処理をリードフレーム５に施すことになる。このような方法によっても、同様のカギ部５ｃを備えた凹凸部６を形成することができる。

また、上述した製造方法では、リードフレーム５の表面に２回のパンチング処理を施すことによって凹部５ａを形成する場合を例に挙げて説明したが、図９に示すように、リードフレーム５の表面に形成される複数の凹部５ａの間に位置する凸部５ｂを押し潰してカギ部５ｃを形成することができるのであれば、リードフレーム５に複数の凹部５ａを形成するパンチング処理の回数としては２回に限られず、１回でもよいし３回以上でもよい。

特に、突起が形成された加工パンチ２０，２１によって複数回パンチング処理を施すことで、最初のパンチング処理によって形成された凹部５ａに対して、その凹部５ａの位置とは異なる位置に加工パンチの凸部５ｂがパンチングされて、リードフレーム５の部分が凹部５ａの深さ方向に対して交差する方向に延在する部分が形成されやすくなり、これがカギ部５ｃとなって封止樹脂７とリードフレーム５との密着性をさらに向上させることができる。

このようにしてリードフレーム５の表面に形成される凹凸部６の凹部５ａでは、パンチングを施す回数にも依存するが、たとえばリードフレーム５の厚み約１２５μｍに対して、その深さＤはたとえば数μｍ〜数１０μｍ程度となり、また、その幅Ｌもたとえば数μｍ〜数１０μｍ程度となる。

なお、加工パンチ２０，２２の突起２０ａ，２２ａの形状として四角錐状の突起を例に挙げて説明したが、リードフレーム５の表面に複数の凹部５ａを形成し、その複数の凹部５ａの間に位置する凸部５ｂの先端を潰してカギ部５ｃを形成することができるものであれば、四角錐状の突起に限られない。したがって、先端部分が尖っていない突起でも、カギ部を形成することができれば、たとえば図１０に示すような凹部５ａの底が丸みを帯びた形状の凹凸部６を形成することが可能な加工パンチを使用してもよい。

また、リードフレームとして所定の形状に打ち抜かれた後、突起を備えた加工パンチによるパンチング処理を施す前に、打ち抜いた際に生じたバリを平坦にするパンチング処理を施すようにしてもよい。

今回開示された実施の形態は例示であってこれに制限されるものではない。本発明は上記で説明した範囲ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲でのすべての変更が含まれることが意図される。

本発明の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。 同実施の形態において、図１に示す半導体装置の部分拡大断面図である。 同実施の形態において、図１に示す半導体装置の製造方法の一工程を示す平面図である。 同実施の形態において、図３に示す断面線ＩＶ−ＩＶにおける断面図である。 同実施の形態において、パンチング処理に使用される加工パンチを示す部分拡大斜視図である。 同実施の形態において、図３に示す工程の後に行われる、加工パンチによるパンチング処理を示す部分平面図である。 同実施の形態において、図６に示すパンチング処理に使用される２つの加工パンチを示す部分拡大平面図である。 同実施の形態において、図６に示すパンチング処理に使用される２つの加工パンチを示す他の部分拡大平面図である。 同実施の形態において、加工パンチによるパンチング処理の特徴を説明するための部分拡大平面図である。 同実施の形態において、他の半導体装置の部分拡大断面図である。 従来の半導体装置の断面図である。 図１１に示す半導体装置の製造方法の一工程を示す平面図である。 図１２に示す断面線ＸＩＩＩ−ＸＩＩＩにおける断面図である。 図１２に示す工程の後に行われる工程を示す平面図である。 図１４に示す断面線ＸＶ−ＸＶにおける断面図である。 図１１に示す半導体装置の部分拡大断面図である。

符号の説明

１ 半導体装置、３ 半導体チップ、５ リードフレーム、５ａ 凹部、５ｂ 凸部、５ｃ カギ部、６ 凹凸部、７ 封止樹脂、９ プリフォーム、２０，２１，２２ 加工パンチ、２０ａ，２２ａ 突起。

Claims (10)

1. リードフレームにダイボンドされた半導体チップを封止した半導体装置の製造方法であって、
   リードフレームに接触する部分に所定の突起が形成された第１押圧部材によって押圧することにより、前記リードフレームの表面に凹部と凸部とを形成する１回目の第１押圧工程と、
   前記１回目の第１押圧工程の後、前記１回目の第１押圧工程に使用した前記第１押圧部材を用い、前記第１押圧部材の前記リードフレームに対する相対的な位置関係が、前記１回目の第１押圧工程における前記第１押圧部材の前記リードフレームに対する相対的な位置関係とは異なるように前記第１押圧部材を配置し、前記配置された前記第１押圧部材によって押圧することにより、前記リードフレームの表面に凹部と凸部とをさらに形成する２回目の第１押圧工程と、
   前記第１押圧工程の後、前記リードフレームに接触する部分が平坦な第２押圧部材によって押圧することにより、前記凹部の間に位置する前記凸部の先端部分を押し潰して側方に延在するカギ部を形成する第２押圧工程と、
   前記第２押圧工程の後、前記リードフレーム上にプリフォームを介在させて、半導体チップをダイボンドする工程と、
   前記リードフレームにダイボンドされた前記半導体チップを封止樹脂によって封止する工程と
   を備えた、半導体装置の製造方法。
2. リードフレームにダイボンドされた半導体チップを封止した半導体装置の製造方法であって、
   リードフレームに接触する部分に所定の突起が形成された第１押圧部材によって押圧することにより、前記リードフレームの表面に凹部と凸部とを形成する１回目の第１押圧工程と、
   前記１回目の第１押圧工程の後、前記１回目の第１押圧工程に使用した前記第１押圧部材を用い、前記第１押圧部材と前記リードフレームとの位置関係が、前記１回目の第１押圧工程における前記第１押圧部材と前記リードフレームとの位置関係とは相対的に異なる位置関係のもとで、前記第１押圧部材によって押圧することにより、前記リードフレームの表面に凹部と凸部とをさらに形成する２回目の第１押圧工程と、
   前記第１押圧工程の後、前記リードフレームに接触する部分が平坦な第２押圧部材によって押圧することにより、前記凹部の間に位置する前記凸部の先端部分を押し潰して側方に延在するカギ部を形成する第２押圧工程と、
   前記第２押圧工程の後、前記リードフレーム上にプリフォームを介在させて、半導体チップをダイボンドする工程と、
   前記リードフレームにダイボンドされた前記半導体チップを封止樹脂によって封止する工程と
   を備えた、半導体装置の製造方法。
3. 前記第１押圧部材の前記突起の形状は四角錐である、請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記第１押圧部材の前記突起は丸みを帯びている、請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記第１押圧部材の前記突起は所定のピッチをもって配置され、
   前記２回目の押圧工程では、前記１回目の第１押圧工程における前記リードフレームに対する前記第１押圧部材の相対的な位置関係に対して、前記第１押圧部材の前記突起のピッチが半ピッチだけずらされている、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記ダイボンドする工程では、前記プリフォームは前記リードフレームの前記凹部に入り込む態様で前記リードフレームと前記半導体チップとの間に介在する、請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記封止する工程では、前記封止樹脂は、前記リードフレームの前記凹部に入り込む態様で前記半導体チップを封止する、請求項１〜６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
8. 前記リードフレームを、金属箔板を所定の形状に打ち抜くことによって形成する工程を含み、
   前記第１押圧工程の後、前記第２押圧工程の前に、前記金属箔板を打ち抜くことによって生じたバリを平坦にするパンチング工程を含む、請求項１〜７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
9. 前記第１押圧工程は、前記２回目の第１押圧工程の後、前記第１押圧部材によって、前記凹部の間に位置する前記凸部を押し潰す態様で前記リードフレームをさらに押圧する工程を含む、請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
10. 前記リードフレームの厚さは１２５μｍである、請求項１〜９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。

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