JP4731191B2 - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は半導体装置及びその製造方法に係わり、特に、小型の指紋センサ等に用いられる半導体装置及びその製造方法に関する。

近年、指紋による個人確認を可能とする指紋センサが普及しつつある。指紋センサは携帯端末や携帯電話などの小型の電子機器に用いられるため、指紋センサ用半導体装置には、実装面積の縮小化が求められている。また、指紋センサでは、人間の指で直接半導体装置に接触して指紋を認識させるため、指紋センサ用半導体装置には高い実装信頼性が求められている。さらに、指紋センサは、携帯端末、携帯電話等の民生用の電子機器に使用されることが多く、指紋センサ用半導体装置には低コスト化が求められている。

従来の指紋センサ用半導体装置は、他用途で使用されている半導体装置と同様に、半導体素子とインターポーザ（再配線層又は際配線基板）とを組合せてパッケージングすることで半導体装置として形成される。しかし、そのような従来のパッケージングでは、インターポーザを使用しているため、半導体装置の実装面積が半導体素子よりも大きくなる。また、チップ毎の組立、半導体装置毎のテストを行なっているため、組立製造コストを低減することが難しい。

図１は従来の指紋センサ用半導体装置の断面図である。半導体素子１は、インターポーザ２に搭載され、ワイヤボンディング等のワイヤ３によりインターポーザ２に電気的に接続される。半導体素子１は、センサ面１ｂとなる半導体素子１の表面の一部分が露出した状態で封止樹脂４により封止されてパッケージングされる。インターポーザ２は多層配線基板であり、半導体素子１が搭載された面の反対側に、外部接続端子としてはんだボール５が設けられる。

パッケージングされた指紋センサ用半導体装置は、図２に示すように、組み込まれる機器の内部基板７にはんだボール５を用いて実装される。指紋センサ用半導体装置が実装された内部基板７は、機器内部からセンサ面１ｂとなる素子表面が外部に露出した状態で、機器の筐体６内に組み込まれる。

従来の指紋センサ用半導体装置が、下記特許文献１及び特許文献２に記載されている。
特開２００２−１５０２５６号公報 特開２００４−３１９６７８号公報

上述の従来の指紋センサ用半導体装置では、インターポーザ２を使用しているので、半導体素子１とインターポーザ２との接続部（ワイヤボンディングを施す部分）が必要となる。したがって、接続部を設ける分だけ、指紋センサ用半導体装置の面積は半導体素子１よりも大きくなり、実装面積の低減の妨げとなる。

指紋センサ用半導体装置の組立においては、半導体素子１毎にインターポーザ２との接続が行なわれる。半導体装置としてのテストにおいても、半導体装置毎にテストが実施される。したがって、指紋センサ用半導体装置の製造において、組立及びテスト工程は、半導体素子１毎の処理となり、半導体素子１の数だけ同じ処理を行なうこととなり、処理効率が低い。

実装信頼性面においては、半導体装置を機器の内部基板に実装する際、はんだボール５などの外部接続端子を内部基板に接続して実装しているが、半導体装置のはんだボール接続は、インターポーザ２の平坦な端子に接続されているため、接続面積の大きさによりその実装強度が決定されてしまう。実装強度の向上を目的として接続面積を大きくするためには、インターポーザ２の端子面積を大きくすればよい。しかし、端子面積を増大することは、インターポーザ２の面積を低減するよりは、むしろインターポーザ２の面積を更に大きくすることとなる。すなわち、インターポーザ２の端子面積を増大することは、指紋センサ用半導体装置の面積を増大し、実装面積の縮小化の妨げとなる。

本発明は上述の問題に鑑みなされたものであり、指紋センサ用半導体装置の実装面積を縮小化し、組立、テスト工程の処理能力を向上させて製造コストを削減し、実装信頼性を向上させることを目的とする。

上述の目的を達成するために、本発明によれば、所定の機能を提供する機能面を有する半導体装置であって、電極が形成された回路形成面と該回路形成面の反対側の背面とを有し、該回路形成面の一部が前記機能面として機能する半導体素子と、前記回路形成面に設けられた電極と、前記回路形成面の前記機能面以外を覆う絶縁層と、該絶縁層上に形成され、前記回路形成面の前記電極に接続された第１の配線と、前記絶縁層と前記第１の配線とを覆う第１の封止樹脂と、前記半導体素子の前記背面上に形成された第２の配線と、前記第２の配線を覆う第２の封止樹脂と、前記半導体素子の前記回路形成面と前記背面との間を貫通して延在し、前記第１の配線と前記第２の配線とを電気的に接続する接続部と、前記第２の配線に接続され、該第２の封止樹脂の表面から突出し、前記半導体素子の前記背面側で前記半導体装置の外部に露出した外部接続端子とを有し、前記半導体素子の側面は、前記第１の封止樹脂に覆われた前記回路形成面側の第１の傾斜面と、前記第２の封止樹脂に覆われた前記背面側の第２の傾斜面と、前記第１及び第２の傾斜面の間に位置し前記第１及び第２の封止樹脂のいずれにも覆われない露出面とを有することを特徴とする半導体装置が提供される。

本発明によれば、半導体素子を貫通した導電部材よりなる接続部を設けることで、表側の電極を裏側の配線に電気的に接続し、表側の電極と裏側の外部接続端子とを電気的に接続している。したがって、半導体素子の外形より突出する部分が不要であり、半導体装置１０の外形は半導体素子の外形に等しくなる。これにより、半導体装置が占める面積（実装面積）が低減され、実質的にとり得る最小の面積となる。

また、外部接続端子の先端が封止樹脂から突出している場合、実装時の接合面積が増大し（突出した部分の側面も接合面積となる）、実装信頼性が向上する。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。

まず、本発明の第１実施例による指紋センサ用半導体装置について、図３を参照しながら説明する。図３は本発明の第１実施例による指紋センサ用半導体装置の断面図である。

図３に示す指紋センサ用半導体装置１０は、電極１１ａを有する半導体素子１１と、電極１１ａの反対側で半導体素子１１上に形成された外部接続端子１２と、外部接続端子１２側に設けられた封止樹脂１３Ｂと、センサ面１１ｂ側に設けられた封止樹脂１３Ａとを有する。なお、センサ面１１ｂは、人間の指が接触しながら移動することで、指紋のパターンを認識するためのセンサ機能を提供する機能面として機能する。

半導体素子１１の電極１１ａ及びセンサ面１１ｂは、半導体素子１１の回路形成面（以下、表面とも称する）に形成されるため、同じ面に設けられている。電極１１ａはセンサ面１１ｂの周囲に配置される。

半導体素子１１の背面（センサ面１１ｂの反対側の面であり、裏面とも称する）には、配線（再配線とも称する）１４が施され、配線１４上に外部接続端子１２が形成されている。

このように、半導体素子１１の電極１１ａは半導体装置１１の表面に形成され、外部接続端子１２は半導体素子１１の裏面に設けられるため、電極１１ａと外部接続端子１２を電気的に接続する必要がある。本実施例では、半導体素子１１の周囲部分において、半導体素子１１の表面から裏面へ貫通して延在する接続部１５を設けて、電極１１ａと外部接続端子１２とを電気的に接続している。接続部１５は、半導体素子１１にスルーホールを形成して、その中に金属などの導電材を充填することにより形成される。

外部接続端子１２は円柱状の電極であり、その先端面は保護金属層１２ａで覆われている。半導体素子１１の裏面側は、封止樹脂１３Ｂにより覆われており、封止樹脂１３Ｂの表面から外部接続端子１２の保護金属層１２ａが設けられた部分が僅かに突出している。

一方、半導体素子１１の表面側は、センサ面１１ｂを残して、封止樹脂１３Ａにより覆われている。すなわち、センサ面１１ｂの周囲に配置された電極１１ａ及び接続部１５の端部は封止樹脂１３Ａにより封止されている。

なお、半導体素子１１の裏面には絶縁層１６が形成され、配線１４は絶縁層１６の上に形成されている。

本実施例では、半導体素子１１を貫通した導電部材よりなる接続部１５を設けることで、表側の電極１１ａを裏側の配線１４に電気的に接続し、表側の電極１１ａと裏側の外部接続端子１２とを電気的に接続している。したがって、半導体素子１１の外形より突出する部分が不要であり、指紋センサ用半導体装置１０の外形は、半導体素子１１の外形に等しくなる。これにより、指紋センサ用半導体装置１０が占める面積（実装面積）が低減され、実質的にとり得る最小の面積となる。

また、外部接続端子１２の先端が封止樹脂１３Ｂから突出しているため、実装時の接合面積が増大し（突出した部分の側面も接合面積となる）、実装信頼性が向上する。

次に、半導体素子１１の電極１１ａと外部接続端子１２とを電気的に接続する構造を形成する工程について説明する。図４は電極１１ａと外部接続端子１２とを電気的に接続する構造を形成する工程を示す図である。なお、図４に示す半導体素子１１の一部は、図３に示す半導体素子１１とは上下が反対となっている。また、以下に説明する工程は、半導体装置の製造工程で一般的に行われている技術を用いて行なうことができ、ここでは工程の概要のみを説明する。

まず、図４（Ａ）に示すように、シリコン基板から形成された半導体素子１１の電極１１ａの近傍にスルーホールを形成し、電解銅（Ｃｕ）めっきによりスルーホール内に銅を充填すると共に、スルーホールと電極１１ａとを銅めっきにより接続する。スルーホール内に充填された銅が、図３における接続部１５に相当する。

なお、半導体素子１１（あるいはシリコンウェハ）の表面及び裏面には、不動態化膜及び絶縁膜（ＰＳＧ／ＳｉＮ）が形成されており、その上にポリイミド樹脂等よりなる絶縁カバー膜が形成されている。図３における絶縁層１６はこれら不動態化膜及び絶縁膜及び絶縁カバー膜を含むものとする。スルーホールはこの絶縁層１６も貫通して形成され、電極１１ａ上の絶縁層１６も除去されて、スルーホールと同様に電解銅めっきにより銅が充填される。

次に、図４（Ｂ）に示すように、半導体素子１１の裏面側全体に密着金属層２１及び配線下地金属層２２を形成する。密着金属層２１及び配線下地金属層２２は、銅をスパッタや蒸着等により絶縁層１６上に堆積させたもので、電解銅めっきを施すための電極となる部分である。

そして、図４（Ｃ）に示すように、配線用レジスト２３を配線下地金属層２２の上に形成してから、配線１４となる部分の配線用レジスト２３を除去し、配線用レジスト２３を除去した部分に電解銅めっきにより配線１４を形成する。

その後、図４（Ｄ）に示すように、配線レジスト２３を除去してから外部端子用レジスト２４を形成し、外部端子に相当する部分の外部端子用レジスト２４を除去し配線１４の一部を露出させ、その上に電解銅めっきにより銅を堆積させて外部接続端子１２を形成する。そして、外部端子用レジスト２４が残っている状態で、保護金属層１２ａを外部接続端子１２の露出表面上に形成する。

保護金属層１２ａは、例えばニッケル（Ｎｉ）の上に金（Ａｕ）を被覆した２層構造が一般的である。また、外部端子用レジスト２４としてフォトレジストを用いることが一般的である。

続いて、図４（Ｅ）に示すように、外部端子用レジスト２４を除去し、露出した配線下地金属層２２及びその下の密着金属層２１をエッチングにより除去する。

以上の処理で、半導体素子１１の表側の電極１１ａと裏側に形成された外部接続端子１２とが接続部１５により電気的に接続された構造が形成される。

以上の工程で外部接続端子１２を形成することにより、インターポーザを使用せずに指紋センサ用半導体装置１０を形成することができ、半導体素子１１と同じサイズの指紋センサ用半導体装置１０を形成することができる。したがって、指紋センサ用半導体装置１０の実装面積を縮小化することができる。

上述の指紋センサ用半導体装置１０は、機器に組み込まれる前に、基板実装用の接合部材が外部接続端子１２に設けられる。図５に示す例では、外部接続端子１２にはんだボール１８が設けられている。また、図６に示す例では、外部接続端子１２にはんだがコーティングされてはんだコート１９が形成されている。

指紋センサ用半導体装置１０を基板に実装する際は、はんだボール１８やはんだコート１９がはんだリフローにより溶融されてから固化することで、外部接続端子１２が基板の端子に接合される。この際、外部接続端子１２が封止樹脂１３Ｂから突出した部分の側面にもはんだが固着するため、側面の面積だけ接合面積が増大したこととなり、実装信頼性が向上する。

次に、本発明の第２実施例による指紋センサ用半導体装置について、図７を参照しながら説明する。図７は本発明の第２実施例による指紋センサ用半導体装置の断面図である。図７において、図３に示す構成部品と同等な部品には同じ符号を付す。

図７に示す指紋センサ用半導体装置１０Ａは、電極１１ａを有する半導体素子１１と、電極１１ａの反対側で半導体素子１１上に形成された外部接続端子部１７と、外部接続端子部１７側に設けられた封止樹脂１３Ｂと、センサ面１１ｂ側に設けられた封止樹脂１３Ａとを有する。

半導体素子１１の電極１１ａ及びセンサ面１１ｂは、半導体素子１１の回路形成面（以下、表面とも称する）に形成されるため、同じ面に設けられている。電極１１ａはセンサ面１１ｂの周囲に配置される。

半導体素子１１の背面（センサ面１１ｂの反対側の面であり、裏面とも称する）には、配線（再配線とも称する）１４が施され、配線１４上に外部接続端子部１７が形成されている。外部接続端子部１７は、実質的に外部配線端子となる部分であるが、配線１４と一体的に形成される場合もあるので、外部接続端子部と称する。

このように、半導体素子１１の電極１１ａは半導体装置１１の表面に形成され、外部接続端子部１７は半導体素子１１の裏面に設けられるため、電極１１ａと外部接続端子部１７を電気的に接続する必要がある。本実施例では、半導体素子１１の周囲部分において、半導体素子の表面から裏面へ貫通して延在する接続部１５を設けて、電極１１ａと外部接続端子部１７とを電気的に接続している。接続部１５は、半導体素子１１にスルーホールを形成して、その中に金属などの導電部材を充填することにより形成される。

本実施例では、外部接続端子部１７は、保護金属層が設けられた配線１４の一部に相当する。半導体素子１１の裏面側は、封止樹脂１３Ｂにより覆われているが、外部接続端子部１７の部分のみ封止樹脂１３Ｂは設けられていない。すなわち、封止樹脂１３Ｂに開口が設けられ、その中で外部接続端子部１７が露出している。

一方、半導体素子１１の表面側は、センサ面１１ｂを残して、封止樹脂１３Ａにより覆われている。すなわち、センサ面１１ｂの周囲に配置された電極１１ａ及び接続部１５の端部は封止樹脂１３Ａにより封止されている。

なお、半導体素子１１の裏面には絶縁層１６が形成され、配線１４は絶縁層１６の上に形成されている。

本実施例では、半導体素子１１を貫通した接続部１５を設けて、表側の電極１１ａを裏側の配線１４に電気的に接続することで、表側の電極１１ａと裏側の外部接続端子部１７とを電気的に接続している。したがって、半導体素子１１の外形より突出する部分が不要であり、指紋センサ用半導体装置１０Ａの外形は、半導体素子１１の外形に等しくなる。これにより、指紋センサ用半導体装置１０Ａが占める面積（実装面積）が低減され、実質的にとり得る最小の面積となる。また、外部接続端子が配線１４とは別個に形成されていないため、製造コストを低減することができる。更に、配線１４をスパッタ金属膜のみで形成することで、更なる低コスト化が可能となる。

次に、半導体素子１１の電極１１ａと外部接続端子部１７とを電気的に接続する構造を形成する工程について説明する。図８は電極１１ａと外部接続端子部１７とを電気的に接続する構造を形成する工程を示す図である。なお、図８に示す半導体素子１１の一部は、図７に示す半導体素子１１とは上下が反対となっている。また、以下に説明する工程は、半導体装置の製造工程で一般的に行われている技術を用いて行なうことができ、ここでは工程の概要のみを説明する。

ここで、図８（Ａ）〜図８（Ｃ）に示す工程は、上述の図４（Ａ）〜図４（Ｃ）に示す工程と同じであり、説明を省略する。

図８（Ｃ）に示す工程が終了する、次に、図８（Ｄ）に示すように、配線用レジスト２３を除去して、配線１４を露出させる。配線１４は外部接続端子部１７に相当する部分を含んでいる。

続いて、図８（Ｅ）に示すように、配線１４を外部接続端子部用レジスト２５で覆い、
外部接続端子部１７に相当する部分だけ外部接続端子部用レジスト２５を除去して開口を形成してから、開口内で露出した配線１４の上に保護金属層１７ａを形成する。保護金属層１７ａは例えば、ニッケル（Ｎｉ）めっきと金（Ａｕ）めっきの２層構造である。

次に、外部接続端子部用レジスト２５を全て除去してから、露出した配線下地金属層２２及びその下の密着金属層２１をエッチングにより除去する。配線１４の上に保護金属層１７ａが設けられた部分が外部接続端子部１７となる。ただし、保護金属層１７ａが不要な場合は、図８（Ｅ）に示す工程は省略され、封止樹脂１３Ｂから露出された配線１４の一部が外部接続端子部１７となる。

以上の処理で、半導体素子１１の表側の電極１１ａと裏側に形成された外部接続端子部１７とが接続部１５により電気的に接続された構造が形成される。

以上の工程で外部接続端子部１７を形成することにより、インターポーザを使用せずに指紋センサ用半導体装置１０Ａを形成することができ、半導体素子１１と同じサイズの指紋センサ用半導体装置１０Ａを形成することができる。したがって、指紋センサ用半導体装置１０Ａの実装面積を縮小化することができる。

上述の指紋センサ用半導体装置１０Ａは、機器に組み込まれる前に、基板実装用の接合部材が外部接続端子部１７に設けられる。図９に示す例では、外部接続端子部１７にはんだボール１８が設けられている。また、図１０に示す例では、外部接続端子部１７にはんだがコーティングされてはんだコート１９が形成されている。

指紋センサ用半導体装置１０を基板に実装する際は、はんだボール１８やはんだコート１９がはんだリフローにより溶融されてから固化することで、外部接続端子１２が基板の端子に接合される。

さらに、図１１に示す例では外部接続端子部１７に突状端子２０が設けられている。突状端子２０は、例えばワイヤボンディングで形成されるスタッドバンプ等である。突状端子２０は、例えば導電性接着剤等で基板の端子に接続される。

上述の実施例による指紋センサ用半導体装置１０，１０Ａは、一枚のシリコンウェハに複数個まとめて形成した後で、各々を個片化することで効率的に製造することができる。以下に、指紋センサ用半導体装置（以下簡略化して半導体装置と称する）をウェハ状態でまとめて製造する際の利点について説明する。なお、以下の説明では、図３に示す指紋センサ用半導体装置１０の製造を例にとって説明する。

図１２は側面も封止樹脂で覆われた半導体装置１０の断面図である。図１２に示す半導体装置１０は、半導体素子１１の側面（外周面）に表面側からと裏面側から続く傾斜面が形成され、表面側から続く傾斜面１１ｃは上側の封止樹脂１３Ａにより覆われ、裏面から続く傾斜面１１ｄは下側の封止樹脂１３Ｂにより覆われている。

このように、側面まで樹脂封止することにより、樹脂封止１３Ａ，１３Ｂと半導体素子１１との境目が、外部からの衝撃等のストレスから保護され、半導体素子１１のカケや割れが防止される。また、封止樹脂１３Ａ，１３Ｂと半導体素子１１との密着面積が増加するので、樹脂密着強度が向上し、半導体装置１０の信頼性が向上する。

なお、図１２に示す例では、半導体素子１１の表面側と裏面側の両方から続く傾斜面１１ｃ、１１ｄが設けられているが、必ずしも両側に傾斜面を設ける必要はなく、いずれか一方側からの傾斜面だけであってもよい。

ここで、上述の傾斜面１１ｃの形成方法について、図１３を参照しながら説明する。半導体装置１０はウェハ（基板）状態で複数個を一括して製造するものとする。ウェハ状態で半導体装置１０を製造する場合、ウェハをダイシングにより切断することにより、ウェハ上で繋がった各半導体装置１０を個片化する。この際に、半導体素子１１を樹脂封止する前に、図１３（Ａ）〜図１３（Ｃ）に示すように、切断するために用いるダイシングブレードよりも幅の広いダイシングブレード２６を使用して、ハーフカットを施す。ダイシングブレード２６の先端をV字状としておくことで、半導体素子１１に傾斜面１１ｃが形成される。図１３の例では、ダイシングラインの両側に半導体素子１１が形成されおり、V字状のダイシングブレード２６によりV溝を形成することで、両側の半導体素子１１に同時に傾斜面１１ｃが形成される。

傾斜面１１ｃが形成された後、図１３（D）に示すように、ウェハ全体を一括して樹脂封止し、封止樹脂１３Aを半導体素子１１上に設ける。この際、ハーフカットで形成されたV溝にも封止樹脂が充填される。

樹脂封止した後、図１３（E)〜図１３（G）に示すようにハーフカット用のダイシングブレード２６より幅の小さなダイシングブレード２７を用いてダイシングラインに沿ってウェハを切断することで、傾斜面１１ｃが封止樹脂１３Aで覆われた半導体装置１０が個片化される。言い換えれば、ダイシングで削り取られる幅より大きな幅を有する溝をハーフカットにより形成して、半導体素子１１の側面にも封止樹脂が形成されるようにしている。

以上のように、ウェハ状態において、V溝を形成することで、半導体素子１１に容易に傾斜面を形成することができ、側面の一部が封止樹脂で覆われた半導体装置１０を容易に形成することができる。

なお、ハーフカット用のダイシングブレード２６の形状を変更してV溝の形状を変更することで、半導体素子の側面の封止形状を変更することができる。

次に、半導体素子の表側と裏側で異なる種類の封止樹脂を用いる場合について、図１４及び図１５を参照しながら説明する。

図１４は図３に示す半導体装置１０において、表側（センサ面側）の封止樹脂１３Ａと裏側（実装面側）の封止樹脂１３Ｂとを異なる種類（異なる特性）の樹脂で形成した例を示す断面図である。

図１４に示す例では、センサ面、実装面ともに圧縮成型により封止樹脂成１３Ａ，１３Ｂを成形する。この場合、樹脂の種類としては例えばモールド可能なエポキシ樹脂が選定されるが、実装面側に用いる封止樹脂１３Ｂとして、
センサ面側に用いる封止樹脂１３Ａよりも線膨張係数αの大きな樹脂を選定する。したがって、センサ面側に対してはセンサ面とマッチングの良い樹脂（αが小さい）を選定することで環境ストレスなどによる樹脂ハガレ等を防止し、実装面側に対しては実装基板に近い（αが大きい）樹脂の選定することで実装環境ストレス耐性を向上させることができる。

図１５は図７に示す半導体装置１０Ａにおいて、表側（センサ面側）の封止樹脂１３Ａと裏側（実装面側）の封止樹脂１３Ｂとを異なる種類（異なる特性）の樹脂で形成した例を示す断面図である。

図１５に示す例では、センサ面側に圧縮成型により封止樹脂１３Ａを成形し、実装面側には印刷やスピンコートにより液状の樹脂を塗布して封止樹脂成１３Ｂを成形している。実装面側の封止樹脂１３Ｂとして、感光性の樹脂、例えばポリイミドやエポキシレジスト等を用いれば、外部接続端子部を露出させるための開口部を感光性樹脂のパターニング処理により形成することができる。

また、ウェハ状態での処理において、ウェハに反りが生じるような場合、ウェハの表面側及び裏面側に異なる特性の樹脂を選択することで、反りを防止することも可能である。

次に、上述の半導体装置１０をウェハ（基板）状態で一括して製造する工程について、図１６を参照しながら説明する。

まず、半導体製造用基板であるウェハ上で半導体素子１１を一括して形成する。次に、図１６（Ａ）に示すように、導電部となる接続部１５を各半導体素子１１に形成する（電極裏面移設工程）。そして、図１６（Ｂ）に示すように、配線１４を施してその上に外部接続端子１２を形成する（再配置配線工程）。

続いて、図１６（Ｃ）に示すように、ウェハの表面側及び裏面側に封止樹脂１３Ａ及び封止樹脂１３Ｂを形成する（樹脂封止工程）。そして、図１６（Ｄ）に示すように、外部接続端子１２の先端にはんだボール１８を設ける（端子形成工程）。

その後、図１６（Ｅ）に示すように、ウェハ状態のまま各半導体装置１０にコンタクタ２８を接触させて各半導体装置１０の電気的特性試験を行なう。

次に、図１６（Ｆ）に示すように、ウェハの表面側にダイシングテープ２９を貼り付けてウェハを上下逆にし、ダイシングにより切断して半導体装置１０を個片化する（個片分割工程）。個片化した半導体装置１０をダイシングテープ２９から剥がすことにより、図１６（Ｇ）に示すように、複数の半導体装置１０を一括して製造することができる。

以上の工程により、ウェハサイズを統一して汎用性のある装置を使用することができ、開発費や設備投資費の低減、及び製造対応期間の短縮が可能となる。また、組立やテスト処理能力を向上させることが出来るので、コストの低減化を行うことができる。

次に、半導体素子１１を樹脂封止する方法の一例について、図１７乃至図２２を参照しながら説明する。

まず、図１７（Ａ）に示すように、半導体素子１１が形成されたウェハを圧縮成形用の金型（上型３０及び下型３１Ａ，３１Ｂ）内に配置する。この際、外部接続端子１２を上型３０に向けた状態とし、ウェハと上型３０との間に弾性シート材３２を配置する。樹脂材は弾性シート材３２とウェハとの間に供給される。弾性シート材３２は、樹脂と密着しない、例えば、フッ素系樹脂からなる弾性を持つシート材である。また、ウェハと下型３１Ａ，３１Ｂとの間には、やはりフッ素樹脂系のシート材３３が配置される。

金型を閉じて、下型３１Ｂを上型３０に向けて押圧することで、供給した樹脂を流動させ、圧縮成型を行なう。この際、下型３１Ｂによりウェハは上型３０に向けて押圧されるため、ウェハ上の外部接続端子１２の先端は図１８（Ａ）に示す状態から図１８（Ｂ）に示す状態となる。すなわち、外部接続端子１２の先端は、弾性シート材３２に食い込んだ状態となる。図１８（Ｂ）に示す状態で、金型内で樹脂が流動し、圧縮成型により封止樹脂１３Ｂが形成される。

圧縮成型が終了したら、図１７（Ｃ）に示すように、金型を開いて裏面が樹脂封止されたウェハを金型から取り出す。図１９は金型から取り出され状態のウェハを示す断面図である。弾性シート材３２に食い込んだ部分の外部接続端子１２が封止樹脂１３Ｂから突出している。外部接続端子１２の封止樹脂１３Ｂからの突出量は、図１８（Ｂ）に示すように、弾性シート材３２への食い込み量Ｘに等しい。

なお、弾性シート材３２及びシート材３３は封止樹脂と密着しないシートであり、これを介在させることで、通常、金型との型離れを行うために樹脂に添加されている離型剤を使用しないで成型することができるので、高密着な樹脂層（封止樹脂）を得ることができる。また、弾性シート材３２を介在させることで、金型とセンサ面との接触を防ぎ、センサ面を保護することができる。

ウェハの裏側（実装面側）の樹脂封止が終了したら、次に、ウェハの表側（センサ面側）の樹脂封止を行なう。図２０はウェハの表側の樹脂封止工程を示す図である。図２０（Ａ）は金型にウェハをセットした状態を示し、図２０（Ｂ）は金型を閉じて樹脂を圧縮成型している状態を示し、図２０（Ｃ）は圧縮成型が終了して金型を開いた状態を示す。

裏側の樹脂封止工程と同様に、圧縮成型により封止樹脂１３Ａが成型される。ただし、上型３０には、各半導体素子１１のセンサ面１１ｂに対応する位置に突部３０ａが設けられている。ウェハが金型にセットされて下型３１Ｂにより押圧された際、突部３０ａは各半導体素子１１のセンサ面１１ｂに当接する。これにより、センサ面１１ｂ上には封止樹脂が流れ込まなくなり、結果としてセンサ面１１ｂが露出した状態で樹脂封止が行なわれる。なお、ウェハと上型３０及び下型３１Ａ，３１Ｂとの間には、シート材３３が配置される。

図２１（Ａ）は金型から取り出した状態のウェハの断面図である。このウェハを半導体素子１１の境界部分、すなわち、ダイシングラインに沿って切断することにより、図２１（Ｂ）に示すように複数の半導体装置１０が個片化される。

なお、上述の樹脂封止工程は、ウェハの裏側と表側の樹脂封止を異なる工程としたが、図２２に示すように、ウェハの裏面を下型３１Ｂに向けてセンサ面１１ｂを上型に向けてウェハを配置し、ウェハと下型３１Ａ，３１Ｂとの間に弾性シート材３２を配置し、上型３０に突部３０ａを設けることで、ウェハの表側と裏側を一つの金型で同時に樹脂封止することができる。

また、ウェハの表側（センサ面側）の樹脂封止を、圧縮成型ではなく、印刷法により行なうこともできる。図２３は印刷法により樹脂封止する工程を示す図である。

まず、図１７に示す圧縮成型工程により、ウェハの裏側（実装面側）の樹脂封止を行ない封止樹脂１３Ｂを形成しておく。次に、図２３（Ａ）に示すように、封止樹脂１３Ａが設けられる部分が開口している印刷マスク３４を準備する。そして、図２３（Ｂ）に示すように、印刷マスク３４をウェハの表面上においてペースト又は液状樹脂をスキージを用いて印刷マスク３４の開口に充填し、硬化させる。

そして、図２３（Ｃ）に示すように、印刷マスク３４をウェハから取り外すと、センサ面１１ｂが露出した状態で封止樹脂１３Ａがウェハ上に残る。その後、図２３（Ｄ）に示すように、外部接続端子１２にはんだボール１８を設けてから、ウェハをダイシングすることにより、複数の半導体装置１０を得ることができる。

また、ウェハの表側（センサ面側）の封止封止を光硬化型樹脂として、パターニングマスクを用いて樹脂封止することもできる。図２４は、パターニングマスクを用いてウェハのセンサ面側を樹脂封止する工程を示す図である。

まず、図１７に示す圧縮成型工程により、ウェハの裏側（実装面側）の樹脂封止を行ない封止樹脂１３Ｂを形成しておく。次に、図２４（Ａ）に示すように、ウェハと同じ大きさの開口を有するマスク３５を準備する。そして、図２４（Ｂ）に示すように、マスク３５をウェハの表面上においてペースト又は液状の感光性樹脂をスキージを用いてマスク３５の開口に充填し、図２４（Ｃ）に示すようにウェハの表面全体に感光性樹脂を塗布する。

続いて、図２４（Ｄ）に示すように、パターニングマスク３６を介して感光性樹脂を露光させ、硬化させる。パターニングマスク３６は、各半導体素子１１のセンサ面１１ｂを除く部分に光を照射できるようにパターン化されている。したがって、センサ面１１ｂに相当する部分の感光性樹脂は硬化せず、センサ面１１ｂ以外の部分の感光性樹脂のみ硬化する。

したがって、図２４（Ｅ）に示すように、硬化しなかった感光性樹脂を取り除くことによりセンサ面１１ｂが露出し、且つ硬化した封止樹脂１３Ａがウェハ上に残る。その後、図２４（Ｆ）に示すように、外部接続端子１２にはんだボール１８を設けてから、ウェハをダイシングすることにより、複数の半導体装置１０を得ることができる。

また、ウェハの裏面側（実装面側）を印刷法を用いて樹脂封止することもできる。図２５は印刷法を用いてウェハの裏面を樹脂封止する工程を示す図である。

まず、図２０に示す圧縮成型工程により、ウェハの表側（センサ面側）の樹脂封止を行ない封止樹脂１３Ａを形成しておく。次に、図２５（Ａ）に示すように、封止樹脂１３Ｂに対応するパターンの開口を有する印刷マスク３７を準備する。そして、図２５（Ｂ）に示すように、印刷マスク３７をウェハの表面上においてペースト又は液状の樹脂をスキージを用いて印刷マスク３７の開口に充填し、硬化させる。

そして、図２５（Ｃ）に示すように、印刷マスク３７をウェハから取り外すと、外部接続端子部１７が露出した状態で封止樹脂１３Ｂがウェハ上に残る。その後、図２５（Ｄ）に示すように、外部接続端子部１７にはんだボール１８を設けてから、ウェハをダイシングすることにより、複数の半導体装置１０Ａを得ることができる。

また、ウェハの裏側（実装面側）の封止樹脂を光硬化型樹脂として、パターニングマスクを用いて樹脂封止することもできる。図２６は、パターニングマスクを用いてウェハの実装面側を樹脂封止する工程を示す図である。

まず、図２０に示す圧縮成型工程により、ウェハの裏側（実装面側）の樹脂封止を行ない封止樹脂１３Ｂを形成しておく。次に、図２５（Ａ）に示すように、ウェハと同じ大きさの開口を有するマスク３５を準備する。そして、図２５（Ｂ）に示すように、マスク３８をウェハの表面上においてペースト又は液状の感光性樹脂をスキージを用いてマスク３８の開口に充填し、図２５（Ｃ）に示すようにウェハの裏面全体に感光性樹脂を塗布する。

続いて、図２５（Ｄ）に示すように、パターニングマスク３９を介して感光性樹脂を露光させ、硬化させる。パターニングマスク３９は、各半導体素子１１の封止樹脂１３Ｂを設ける部分に光を照射できるようにパターン化されている。したがって、外部接続端子部１７が露出する部分に相当する感光性樹脂は硬化せず、これ以外の部分の感光性樹脂のみ硬化する。

したがって、図２５（Ｅ）に示すように、硬化しなかった感光性樹脂を取り除くことにより外部接続端子部１７が内部に露出した開口を有する封止樹脂１３Ｂがウェハ上に残る。その後、図２５（Ｆ）に示すように、外部接続端子部１７にはんだボール１８を設けてから、ウェハをダイシングすることにより、複数の半導体装置１０Ａを得ることができる。

また、ウェハの裏面側（実装面側）をスピンコート法を用いて樹脂封止することもできる。図２７はスピンコート法を用いてウェハの裏面を樹脂封止する工程を示す図である。

まず、図２０に示す圧縮成型工程により、ウェハの裏側（実装面側）の樹脂封止を行ない封止樹脂１３Ｂを形成しておく。次に、図２７（Ａ）に示すように、液状の感光性樹脂をウェハの実装面上に滴下しながらウェハを回転し、図２７（Ｂ）に示すように、感光性樹脂をウェハの裏面全体に一様な厚みで行き渡らせる。

続いて、図２７（Ｃ）に示すように、パターニングマスク３９を介して感光性樹脂を露光させ、硬化させる。パターニングマスク３９は、各半導体素子１１の封止樹脂１３Ｂを設ける部分に光を照射できるようにパターン化されている。したがって、外部接続端子部１７が露出する部分に相当する感光性樹脂は硬化せず、これ以外の部分の感光性樹脂のみ硬化する。

したがって、図２７（Ｄ）に示すように、硬化しなかった感光性樹脂を取り除くことにより外部接続端子部１７が内部に露出した開口を有する封止樹脂１３Ｂがウェハ上に残る。その後、図２５（Ｅ）に示すように、外部接続端子部１７にはんだボール１８を設けてから、ウェハをダイシングすることにより、複数の半導体装置１０Ａを得ることができる。

ここで、図２０に示す圧縮成型において、シート材３１を介して凸部３０ａをセンサ面１１ｂに押し付けることでセンサ面１１ｂ上に封止樹脂が流れ込まないようにしているが、押圧の程度や、成型条件等のばらつきにより、シート材３１とセンサ面１１ｂとの間に僅かに樹脂が侵入し、その結果、図２８（Ａ）に示すように、樹脂バリ（樹脂の薄い膜）１３Ａａがセンサ面１１ｂに形成されるおそれがある。

そこで、樹脂バリ１３Ａａを除去するために、封止樹脂１３Ａを圧縮成型した後で、図２８（Ｂ）に示すように、ウェハのセンサ面側にプラズマを照射してアッシング処理を行なう。アッシング処理により樹脂バリ１３Ａａは疎化されて脆弱となり、センサ面１１ｂへの密着力も弱まるため、簡単に除去することができる。

すなわち、図２８（Ｃ）に示すように、アッシング処理した樹脂バリ１３Ａａをスクラブ処理（ウェハを回転させながらブラッシングと水洗処理を行なう）により除去し、図２８（Ｄ）に示すように、センサ面１１ｂを確実に露出させる。

なお、実装面側で外部接続端子１２や外部接続１７の上にも樹脂バリが形成されるおそれがある場合、これらの部分にも上述のアッシング処理を行なって樹脂バリを除去することができる。また、図２８には一つの半導体装置の樹脂バリを除去する工程が示されているが、樹脂バリの除去はウェハ状態で行なうことが好ましい。

次に、上述のようにウェハをダイシングにより切断する際に位置検出に用いる認識マークについて説明する。

図２９はセンサ面に認識マークが設けられた半導体装置１０の断面図であり、図３０は図２９におけるセンサ面を上から見た平面図である。上述の実施例による指紋センサ用半導体装置１０において、封止樹脂１３Ａから露出したセンサ面１１ｂの中に、認識マーク（インデックスマーク）４０が設けられる。認識マーク４０は、半導体素子１１の回路形成面で配線を形成する工程にいおいて、ダミーパターンとして形成される。配線が例えばアルミ配線である場合、認識マーク４０もアルミで形成される。

認識マーク４０は、封止樹脂１３Ａから露出したセンサ面１１ｂに設けられているので、最終工程においてダイシングによりウェハを切断する際、センサ面１１ｂを上面にしてウェハをセットして切断することで、切断位置の位置決めに用いることができる。すなわち、センサ面１１ｂに設けられた認識マーク４０を認識しながら半導体素子１１の境界部分（すなわち、ダイシングライン）の位置を決定し、ダイシングを行なうことができる。

以上のように、センサ面に認識マーク４０を設けることで、通常行なわれているようにダイシング時の認識マークとして使用されているセンサ面の外形位置を認識させた場合よりも、高精度でダイシングすることが可能となる。センサ面の外形は封止樹脂により画成されており、また、ウェハと金型の位置合わせにより精度が決まっており、ウェハ自体の位置と誤差が生じる場合があるためである。

図３１は実装面に認識マークが設けられた半導体装置１０の断面図であり、図３２は図３１における実装面を下から見た平面図である。上述の実施例による指紋センサ用半導体装置１０において、実装面側に再配線技術により認識用マーク４１が設けられている。認識マーク４１の形成は、外部接続端子１２や外部端子部１７と同様に、再配線技術を用いて形成される。認識マーク４１も、外部接続端子１２や外部接続端子部１７と同様に、封止樹脂１３Ｂから露出させられている。

認識マーク４１は、封止樹脂１３Ｂから露出して設けられているので、最終工程においてダイシングによりウェハを切断する際、実装面を上面にしてウェハをセットして切断することで、切断位置の位置決めに用いることができる。すなわち、実装面に露出した認識マーク４１を認識しながらダイシングラインの位置を決定し、ダイシングを行なうことができる。

以上のように、実装面に認識マーク４１を設けることで、通常行なわれているように外部接続用端子に設けられたはんだボール等を認識させる場合よりも、高精度でダイシングすることが可能となる。はんだボールは、はんだを溶融して接合している。はんだボールのサイズバラツキやはんだボールの形状バラツキ、はんだボールの搭載精度の影響が切断位置に誤差を生じさせる場合があるためである。

ここで、上述の図２９及び図３０に示す認識マーク４０は、半導体装置を個片化する際に用いられるだけでなく、図１３に示す傾斜面を形成するためのＶ溝を形成する工程においても位置認識用として用いることができる。図３２はＶ溝形成工程とダイシング工程の両方で、同じ認識マークを用いることを説明するための図である。

まず、図３３（Ａ）に示すように、ウェハ上において各センサ面１１ｂに設けられた認識マーク４０を画像認識してＶ溝を入れる位置（すなわち、半導体素子の境界部分であるダイシングライン）を決定し、図３３（Ｂ）に示すように、Ｖ字状のダイシングブレードによりハーフカットを施してＶ溝を形成する（ハーフカットは図１３を参照）。

次に、封止樹脂１３Ａを形成した後、個片化工程において、図３３（Ｃ）に示すように、各センサ面１１ｂに設けられた認識マーク４０を再度画像認識してウェハ上でダイシングラインを決定し、図３３（Ｄ）に示すようにダイシングして半導体装置１０を個片化する。

以上の方法によれば、ハーフカット時とダイシング時のダイシングラインの認識を、同じ認識マーク４０を用いて行なうため、ハーフカットの位置（Ｖ溝の位置）とダイシングの位置とが精度よく一致する。このため、図１２に示す半導体素子１１の傾斜面１１ｃを精度良く形成することができ、半導体素子１１の側部も確実に樹脂封止することができる。

上述のハーフカット時とダイシング時のダイシングラインの認識を同じ認識マークを用いる方法は、ウェハの実装面側に認識マーク４１を形成した場合にも用いることができる。すなわち、ウェハ上において配線１４上に設けられた認識マーク４１を画像認識してＶ溝を入れる位置（すなわち、半導体素子の境界部分であるダイシングライン）を決定し、Ｖ字状のダイシングブレードによりハーフカットを施してＶ溝を形成する（ハーフカットは図１３を参照）。そして、封止樹脂１３Ｂを形成した後、個片化工程において、封止樹脂１３Ｂから露出した認識マーク４１を再度画像認識してウェハ上でダイシングラインを決定し、ダイシングして半導体装置１０を個片化する。

以上説明したように、本明細書は以下の発明を開示する。

（付記１）
所定の機能を提供する機能面を有する半導体装置であって、
電極が形成された回路形成面と該回路形成面の反対側の背面とを有し、該回路形成面の一部が前記機能面として機能する半導体素子と、
該半導体素子の前記背面上に形成された配線と、
前記半導体素子の前記回路形成面と前記背面との間を貫通して延在し、前記電極と該配線とを電気的に接続する接続部と、
前記配線に接続され、前記半導体素子の前記背面側で前記半導体装置の外部に露出した外部接続端子と
を有することを特徴とする半導体装置。

（付記２）
付記１記載の半導体装置であって、
前記配線は封止樹脂により封止され、前記外部接続端子は該封止樹脂の表面から突出していることを特徴とする半導体装置。

（付記３）
付記２記載の半導体装置であって、
前記外部接続端子に、はんだボール、はんだコート、のうちいずれか一つが設けられていることを特徴とする半導体装置。

（付記４）
付記１記載の半導体装置であって、
前記配線は封止樹脂により封止され、前記外部接続端子は該封止樹脂に設けられた開口内で露出していることを特徴とする半導体装置。

（付記５）
付記４記載の半導体装置であって、
前記外部接続端子に、はんだボール、はんだコート、前記外部接続端子よりも小さい面積の突状端子、のうちいずれか一つが設けられていることを特徴とする半導体装置。

（付記６）
付記１記載の半導体装置であって、
前記半導体素子の前記回路形成面は、前記機能面が露出するように封止樹脂により封止され、該封止樹脂は前記半導体素子の側面の少なくとも一部を覆っていることを特徴とする半導体装置。

（付記７）
付記６記載の半導体装置であって、
前記半導体素子の側面は前記回路形成面に垂直な面から傾斜した傾斜面を含み、該傾斜面が前記封止樹脂により覆われていることを特徴とする半導体装置。

（付記８）
付記１記載の半導体装置であって、
前記半導体素子の前記背面に形成された前記配線は、前記外部接続用端子が露出するように封止樹脂により封止され、該封止樹脂は前記半導体素子の側面の少なくとも一部を覆っていることを特徴とする半導体装置。

（付記９）
付記８記載の半導体装置であって、
前記半導体素子の側面は前記背面に垂直な面から傾斜した傾斜面を含み、該傾斜面が前記封止樹脂により覆われていることを特徴とする半導体装置。

（付記１０）
付記１記載の半導体装置であって、
前記半導体素子の前記回路形成面は、前記機能面が露出するように第１の封止樹脂により封止され、
前記半導体素子の前記背面に形成された前記配線は、前記外部接続端子が露出するように第２の封止樹脂により封止され、
前記第１の封止樹脂と前記第２の封止樹脂は、特性が異なる樹脂であることを特徴とする半導体装置。

（付記１１）
付記１乃至１０記載の半導体装置であって、
前記機能面に、前記半導体素子の回路形成面に形成された配線と同じ材料で形成された認識マークが設けられていることを特徴とする半導体装置。

（付記１２）
付記１乃至１１のうちいずれか一項記載の半導体装置であって、
前記半導体素子の前記機能面は、指紋検出用のセンサ面であることを特徴とする半導体装置。

（付記１３）
電極が形成された回路形成面と該回路形成面の反対側の背面とを有し、該回路形成面の一部が所定の機能を提供する機能面として機能する半導体素子を有する、複数の半導体装置の製造方法であって
基板に整列して形成された複数の前記半導体素子の各々において、電極に電気的に接続され、前記半導体素子の前記回路形成面と前記背面との間を貫通して延在する接続部を導電部材により形成し、
前記半導体素子の各々において、該接続部に接続された配線を前記背面上に形成し、
前記半導体素子の各々において、該配線に接続された外部接続端子を形成し、
前記半導体素子を前記基板に形成された状態で、前記機能面及び前記外部接続端子が露出するように一括して樹脂封止し、
複数の前記半導体装置が基板中で形成された状態で、前記半導体装置の各々に電気的試験を施し、
前記基板を前記半導体素子の境界部分で切断して個片化することにより複数の前記半導体装置を一括して形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

（付記１４）
付記１３記載の半導体装置の製造方法であって、
前記樹脂封止は金型を用いた樹脂の圧縮成型法により行ない、該金型は前記機能面に対応する位置に突出部を有しており、該金型と前記基板との間に該樹脂に対して密着しないシート在を介在させることを特徴とする半導体装置の製造方法。

（付記１５）
付記１３記載の半導体装置の製造方法であって、
前記樹脂封止の工程は、
前記基板に形成された複数の前記半導体素子の前記回路形成面上に、前記機能面以外の部分に相当する部分に開口を有する印刷マスクを配置し、
該印刷マスクを介して液状の樹脂を前記回路形成面に塗布し、
該液状の樹脂を硬化させてから前記前記印刷マスクを取り外す
ことを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

（付記１６）
付記１３記載の半導体装置の製造方法であって、
前記樹脂封止の工程の後に、前記機能面及び外部接続端子の少なくとも一方に対してアッシング処理を行ない、前記樹脂封止による樹脂バリを除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。

（付記１７）
付記１３記載の半導体装置の製造方法であって、
前記半導体素子の前記回路形成面に配線を形成する際に、前記機能面に該配線と同時に認識マークを形成し、
該認識マークを用いて前記境界部分を認識しながら、前記基板を切断して前記半導体装置を個片化することを特徴とする半導体装置の製造方法。

（付記１８）
付記１７記載の半導体装置の製造方法であって、
前記基板を切断して前記半導体装置を個片化する前に、前記認識マークを用いて前記境界部分を認識しながら、前記切断で削り取られる部分の幅より大きい幅の溝を前記境界部分に沿って形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

（付記１９）
付記１３記載の半導体装置の製造方法であって、
前記半導体素子の前記背面に前記外部接続端子を形成する際に、前記外部接続端子と同時に認識マークを形成し、
該認識マークを用いて前記境界部分を認識しながら、前記基板を切断して前記半導体装置を個片化することを特徴とする半導体装置の製造方法。

（付記２０）
付記１９記載の半導体装置の製造方法であって、
前記基板を切断して前記半導体装置を個片化する前に、前記認識マークを用いて前記境界部分を認識しながら、前記切断で削り取られる部分の幅より大きい幅の溝を前記境界部分に沿って形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

従来の指紋センサ用半導体装置の断面図である。 図１の指紋センサ用半導体装置が機器に組み込まれた状態を示す図である。 本発明の第１実施例による指紋センサ用半導体装置の断面図である。 図３に示す半導体素子の電極と外部接続端子とを電気的に接続する構造を形成する工程を示す図である。 外部接続端子にはんだボールが設けられた図３に示す指紋センサ用半導体装置の断面図である。 外部接続端子にはんだコートが設けられた図３に示す指紋センサ用半導体装置の断面図である。 本発明の第２実施例による指紋センサ用半導体装置の断面図である。 図７に示す半導体素子の電極と外部接続端子部とを電気的に接続する構造を形成する工程を示す図である。 外部接続端子部にはんだボールが設けられた図７に示す指紋センサ用半導体装置の断面図である。 外部接続端子部にはんだコートが設けられた図７に示す指紋センサ用半導体装置の断面図である。 外部接続端子部に突状端子が設けられた図７に示す指紋センサ用半導体装置の断面図である。 側面も封止樹脂で覆われた図３に示す指紋センサ用半導体装置の断面図である。 側面を樹脂封止する工程を示す図である。 図３に示す半導体装置において、センサ面側の封止樹脂と実装面側の封止樹脂とを異なる種類の樹脂で形成した例を示す断面図である。 図７に示す半導体装置において、センサ面側の封止樹脂と実装面側の封止樹脂とを異なる種類の樹脂で形成した例を示す断面図である。 図３に示す半導体装置をウェハ状態で一括して製造する工程を示す図である。 ウェハの実装面側の樹脂封止工程を示す図である。 弾性シート材の作用を説明するための図である。 金型から取り出され状態のウェハの断面図である。 ウェハのセンサ面側の樹脂封止工程を示す図である。 （Ａ）は金型から取り出した状態のウェハの断面図であり、（Ｂ）は個片化した半導体装置の断面図である。 ウェハのセンサ面側及び実装面側を同時に樹脂封止する工程を示す図である。 ウェハのセンサ面側を印刷法を用いて樹脂封止する工程を示す図である。 パターニングマスクを用いて感光性樹脂によりウェハのセンサ面側を樹脂封止する工程を示す図である。 ウェハの実装面側を印刷法を用いて樹脂封止する工程を示す図である。 パターニングマスクを用いて感光性樹脂によりウェハの実装面側を樹脂封止する工程を示す図である。 ウェハの実装面側をスピンコートを用いて樹脂封止する工程を示す図である。 センサ面の樹脂バリを除去する工程を示す図である。 センサ面に認識マークが設けられた指紋センサ用半導体装置の断面図である。 図２９におけるセンサ面の平面図である。 実装面側に認識マークが設けられた指紋センサ用半導体装置の断面図である。 図３０における実装面の平面図である。 Ｖ溝形成工程とダイシング工程の両方で、同じ認識マークを用いることを説明するための図である。

符号の説明

１０，１０Ａ 指紋センサ用半導体装置
１１ 半導体素子
１１ａ 電極
１１ｂ センサ面
１１ｃ，１１ｄ 傾斜面
１２ 外部接続端子
１２ａ 保護金属層
１３Ａ，１３Ｂ 封止樹脂
１４ 配線
１５ 接続部
１６ 絶縁層
１７ 外部接続端子部
１７ａ 保護金属層
１８ はんだボール
１９ はんだコート
２０ 突状端子
２３ 配線レジスト
２４ 外部接続端子用レジスト
２６，２７ ダイシングブレード
３０ 上型
３１Ａ，３１Ｂ 下型
３２ 弾性シート材
３３ シート材
３４，３７ 印刷マスク
３５，３８ マスク
３６，３９ パターニングマスク
４０，４１ 認識マーク

Claims (1)

1. 所定の機能を提供する機能面を有する半導体装置であって、
   電極が形成された回路形成面と該回路形成面の反対側の背面とを有し、該回路形成面の一部が前記機能面として機能する半導体素子と、
   前記回路形成面に設けられた電極と、
   前記回路形成面の前記機能面以外を覆う絶縁層と、
   該絶縁層上に形成され、前記回路形成面の前記電極に接続された第１の配線と、
   前記絶縁層と前記第１の配線とを覆う第１の封止樹脂と、
   前記半導体素子の前記背面上に形成された第２の配線と、
   前記第２の配線を覆う第２の封止樹脂と、
   前記半導体素子の前記回路形成面と前記背面との間を貫通して延在し、前記第１の配線と前記第２の配線とを電気的に接続する接続部と、
   前記第２の配線に接続され、該第２の封止樹脂の表面から突出し、前記半導体素子の前記背面側で前記半導体装置の外部に露出した外部接続端子と
   を有し、
   前記半導体素子の側面は、前記第１の封止樹脂に覆われた前記回路形成面側の第１の傾斜面と、前記第２の封止樹脂に覆われた前記背面側の第２の傾斜面と、前記第１及び第２の傾斜面の間に位置し前記第１及び第２の封止樹脂のいずれにも覆われない露出面とを有することを特徴とする半導体装置。

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