JP4739773B2 - 蒸着用るつぼ - Google Patents
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Description
電子銃加熱を使用した真空蒸着、および。イオンプレーティング法用のるつぼ。
プラズマ加熱を使用した真空蒸着、および。イオンプレーティング法用のるつぼなどへの応用が考えられる。また、その他に、例えば、写真用レンズのコーティング膜成膜装置など、成膜装置一般への応用も考えられる。
2…底面
2a…内面
3…側面
4…溝
10…真空槽
10a…出入口
10b…真空ポンプ
11…基材
12…反射鏡
20…アルミニウム
Claims (1)
- 真空蒸着法若しくはイオンプレーティング法で使用される蒸着用るつぼであり、該蒸着用るつぼの底面の内面には、この蒸着用るつぼで溶融されている部材が1箇所に溜まるのを阻止するために、前記蒸着用るつぼの側面の形状にほぼ相似する形状とされた複数の溝が形成され、前記蒸着用るつぼの側面と前記複数の溝及び前記複数の溝同士がほぼ平行な間隔を有するようにされていることを特徴とする蒸着用るつぼ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005040696A JP4739773B2 (ja) | 2005-02-17 | 2005-02-17 | 蒸着用るつぼ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005040696A JP4739773B2 (ja) | 2005-02-17 | 2005-02-17 | 蒸着用るつぼ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006225717A JP2006225717A (ja) | 2006-08-31 |
| JP4739773B2 true JP4739773B2 (ja) | 2011-08-03 |
Family
ID=36987340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005040696A Expired - Fee Related JP4739773B2 (ja) | 2005-02-17 | 2005-02-17 | 蒸着用るつぼ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4739773B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI419989B (zh) * | 2006-06-30 | 2013-12-21 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 組合式坩鍋 |
| KR101354985B1 (ko) * | 2012-04-20 | 2014-01-27 | (주)엠엠티 | 열 증착용 고효율 담체 |
| CN206396318U (zh) * | 2017-01-24 | 2017-08-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种坩埚 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5040850A (ja) * | 1973-08-14 | 1975-04-14 | ||
| JPS50119731A (ja) * | 1974-03-05 | 1975-09-19 | ||
| KR100981904B1 (ko) * | 2003-11-20 | 2010-09-13 | 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 | 금속 증발 발열체 및 금속의 증발 방법 |
-
2005
- 2005-02-17 JP JP2005040696A patent/JP4739773B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2006225717A (ja) | 2006-08-31 |
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