JP4987029B2 - シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ - Google Patents
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Description
口径32インチ(約800mm)の石英ガラスルツボA1を用意した。この石英ガラスルツボの不透明石英ガラス層の気泡径分布は、表1に示すように、直径が40μm未満の気泡が12.1%、直径が40μm以上90μm未満の気泡が72.9%、直径が90μm以上の気泡が15.0%であった。気泡径分布は、同一原料・同一条件で製造した石英ガラスルツボの断面を顕微鏡観察することにより求めたものである。さらに、使用前の石英ガラスルツボの赤外線透過率を測定した。赤外線透過率Eは、波長0.5〜3.5μm、ピーク波長1.0μmの赤外線ランプから30cm離れた位置に受熱面積1cm2の赤外線パワーメーターを設置し、測定用ルツボ片を挿入しないで赤外線の受熱量Cを直接測定し、次いで受熱面の直前に測定用ルツボ片を挿入して赤外線の受熱量Dを測定し、E=(D/C)×100[%]として算出した。その結果、ルツボの側壁部、湾曲部及び底部の赤外線透過率の平均値は63.8%であった。
口径36インチ(約900mm)の石英ガラスルツボのサンプルA2を用意した。この石英ガラスルツボの不透明石英ガラス層の気泡径分布は、表1に示すように、直径が40μm未満の気泡が16.4%、直径が40μm以上90μm未満の気泡が69.2%、直径が90μm以上の気泡が14.4%であった。さらに、使用前の石英ガラスルツボの赤外線透過率を測定したところ、ルツボの側壁部、湾曲部及び底部の赤外線透過率の平均値は63.0%であった。
口径40インチ(約1000mm)の石英ガラスルツボのサンプルA3を用意した。この石英ガラスルツボの不透明石英ガラス層の気泡径分布は、表1に示すように、直径が40μm未満の気泡が13.3%、直径が40μm以上90μm未満の気泡が68.8%、直径が90μm以上の気泡が17.9%であった。さらに、使用前の石英ガラスルツボの赤外線透過率を測定したところ、ルツボの側壁部、湾曲部及び底部の赤外線透過率の平均値は61.4%であった。
口径32インチ(約800mm)の石英ガラスルツボのサンプルA4を用意した。この石英ガラスルツボは上部と下部とで不透明石英ガラス層の気泡径分布が異なるものであり、表1に示すように、ルツボ上部の不透明石英ガラス層の気泡径分布は、直径が40μm未満の気泡が22.6%、直径が40μm以上90μm未満の気泡が54.3%、直径が90μm以上の気泡が23.1%であった。また、ルツボ下部の不透明石英ガラス層の気泡径分布は、直径が40μm未満の気泡が15.8%、直径が40μm以上90μm未満の気泡が69.1%、直径が90μm以上の気泡が15.1%であった。さらに、使用前の石英ガラスルツボの赤外線透過率を測定したところ、ルツボの側壁部、湾曲部及び底部の赤外線透過率の平均値は61.4%であった。
口径32インチ(約800mm)の石英ガラスルツボのサンプルA5を用意した。この石英ガラスルツボは側壁部と底部とで不透明石英ガラス層の気泡径分布が異なるものであり、表1に示すように、ルツボ側壁部の不透明石英ガラス層の気泡径分布は、直径が40μm未満の気泡が28.1%、直径が40μm以上90μm未満の気泡が45.5%、直径が90μm以上の気泡が26.4%であった。また、ルツボ底部の不透明石英ガラス層の気泡径分布は、直径が40μm未満の気泡が16.6%、直径が40μm以上90μm未満の気泡が68.9%、直径が90μm以上の気泡が14.5%であった。さらに、使用前の石英ガラスルツボの赤外線透過率を測定したところ、ルツボの側壁部、湾曲部及び底部の赤外線透過率の平均値は60.7%であった。
口径32インチ(約800mm)の石英ガラスルツボのサンプルA6を用意した。この石英ガラスルツボは側壁部、湾曲部、及び底部の各部位で不透明石英ガラス層の気泡径分布が異なるものであり、表1に示すように、ルツボ側壁部の不透明石英ガラス層の気泡径分布は、直径が40μm未満の気泡が25.6%、直径が40μm以上90μm未満の気泡が49.5%、直径が90μm以上の気泡が24.9%であった。また、ルツボ湾曲部の不透明石英ガラス層の気泡径分布は、直径が40μm未満の気泡が22.7%、直径が40μm以上90μm未満の気泡が58.1%、直径が90μm以上の気泡が19.2%であった。また、ルツボ底部の不透明石英ガラス層の気泡径分布は、直径が40μm未満の気泡が14.1%、直径が40μm以上90μm未満の気泡が71.7%、直径が90μm以上の気泡が14.2%であった。さらに、使用前の石英ガラスルツボの赤外線透過率を測定したところ、ルツボの側壁部、湾曲部及び底部の赤外線透過率の平均値は61.8%であった。
口径32インチの石英ガラスルツボのサンプルB1を用意した。この石英ガラスルツボの不透明石英ガラス層の気泡径分布は、表1に示すように、直径が40μm未満の気泡が9.6%、直径が40μm以上90μm未満の気泡が84.1%、直径が90μm以上の気泡が6.3%であった。さらに、使用前の石英ガラスルツボの赤外線透過率を測定したところ、ルツボの側壁部、湾曲部及び底部の赤外線透過率の平均値は49.4%であった。
口径36インチの石英ガラスルツボのサンプルB2を用意した。この石英ガラスルツボの不透明石英ガラス層の気泡径分布は、表1に示すように、直径が40μm未満の気泡が7.9%、直径が40μm以上90μm未満の気泡が88.2%、直径が90μm以上の気泡が3.9%であった。さらに、使用前の石英ガラスルツボの赤外線透過率を測定したところ、ルツボの側壁部、湾曲部及び底部の赤外線透過率の平均値は46.1%であった。
口径40インチの石英ガラスルツボのサンプルB3を用意した。この石英ガラスルツボの不透明石英ガラス層の気泡径分布は、表1に示すように、直径が40μm未満の気泡が9.5%、直径が40μm以上90μm未満の気泡が85.6%、直径が90μm以上の気泡が4.9%であった。さらに、使用前の石英ガラスルツボの赤外線透過率を測定したところ、ルツボの側壁部、湾曲部及び底部の赤外線透過率の平均値は44.2%であった。
10A ルツボの側壁部
10B ルツボの底部
10C ルツボの湾曲部
11 不透明石英ガラス層
11a 第1の不透明石英ガラス層
11b 第2の不透明石英ガラス層
12 透明石英ガラス層
20 石英ガラスルツボ
30 石英ガラスルツボ
Claims (4)
- 側壁部、湾曲部及び底部を有するシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボであって、ルツボの内表面側に設けられた透明石英ガラス層と、ルツボの外表面側に設けられた多数の気泡を内包する不透明石英ガラス層とを備え、
前記透明石英ガラス層の気泡含有率は0.1%以下であり、前記不透明石英ガラス層の気泡含有率は前記透明石英ガラス層の気泡含有率よりも大きく、
前記不透明石英ガラス層に含まれる気泡の径分布は、40μm未満の直径を有する気泡が10%以上30%未満、40μm以上90μm未満の直径を有する気泡が40%以上80%未満、90μm以上の直径を有する気泡が10%以上30%未満であることを特徴とするシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ。 - ルツボ上部の前記不透明石英ガラス層は、ルツボ下部の前記不透明石英ガラス層に比べて直径の大きな気泡をより多く含む径分布を有し、且つ、より高い気泡含有率を有することを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ。
- 前記側壁部の前記不透明石英ガラス層は、前記底部の前記不透明石英ガラス層に比べて直径の大きな気泡をより多く含む径分布を有し、且つ、より高い気泡含有率を有することを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ。
- 前記不透明石英ガラス層は、前記底部から前記側壁部に向かうにつれて、直径の大きな気泡をより多く含む径分布を有し、且つ、より高い気泡含有率を有することを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5047227B2 (ja) * | 2009-05-27 | 2012-10-10 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶引き上げ装置 |
| DE102010021694A1 (de) * | 2010-05-27 | 2011-12-01 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Quarzglastiegel und Verfahren für dessen Herstellung |
| JP5473878B2 (ja) * | 2010-12-02 | 2014-04-16 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボの製造方法 |
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| CN102080256B (zh) * | 2011-03-02 | 2013-03-27 | 镇江荣德新能源科技有限公司 | 一种石英坩埚 |
| US20120267280A1 (en) * | 2011-04-25 | 2012-10-25 | Glen Bennett Cook | Vessel for molten semiconducting materials and methods of making the same |
| US9809902B2 (en) | 2011-12-22 | 2017-11-07 | Sumco Corporation | Method for evaluating silica glass crucible, method for producing silicon single crystals |
| JP5762945B2 (ja) * | 2011-12-30 | 2015-08-12 | 株式会社Sumco | シリカガラスルツボ |
| SG11201508512PA (en) * | 2013-05-23 | 2015-12-30 | Applied Materials Inc | A coated liner assembly for a semiconductor processing chamber |
| EP3088572B1 (en) * | 2013-12-28 | 2019-05-15 | SUMCO Corporation | Quartz glass crucible and manufacturing method therefor |
| JP6253976B2 (ja) * | 2013-12-28 | 2017-12-27 | 株式会社Sumco | 石英ガラスルツボ及びその製造方法 |
| KR101643702B1 (ko) * | 2014-07-31 | 2016-07-29 | 권영철 | 크루서블 및 이의 제조방법 |
| JP6114795B2 (ja) * | 2015-09-29 | 2017-04-12 | 株式会社Sumco | シリカガラスルツボの気泡分布の三次元分布の決定方法、シリコン単結晶の製造方法 |
| CN106868583B (zh) * | 2015-12-10 | 2019-06-14 | 有研半导体材料有限公司 | 一种石英坩埚 |
| DE112018003457B4 (de) * | 2017-07-04 | 2024-10-17 | Sumco Corporation | Quarzglastiegel |
| JP6885286B2 (ja) * | 2017-09-28 | 2021-06-09 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の製造方法 |
| JP7141844B2 (ja) | 2018-04-06 | 2022-09-26 | 信越石英株式会社 | 石英ガラスるつぼの製造方法 |
| CN112243493B (zh) * | 2018-05-17 | 2024-08-27 | 胜高股份有限公司 | 石英坩埚的透过率测定方法及装置 |
| DE112019006417B4 (de) * | 2018-12-27 | 2024-03-21 | Sumco Corporation | Quarzglastiegel und herstellungsverfahren für einen silicium-einkristall |
| JP7509528B2 (ja) * | 2019-11-11 | 2024-07-02 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコン単結晶の製造方法 |
| CN118186567B (zh) * | 2024-05-15 | 2024-07-23 | 浙江美晶新材料股份有限公司 | 一种具有单质硅掺杂层的石英坩埚及其制备方法与应用 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4935046A (en) * | 1987-12-03 | 1990-06-19 | Shin-Etsu Handotai Company, Limited | Manufacture of a quartz glass vessel for the growth of single crystal semiconductor |
| JPH0729871B2 (ja) * | 1987-12-03 | 1995-04-05 | 信越半導体 株式会社 | 単結晶引き上げ用石英るつぼ |
| JP2602442B2 (ja) * | 1988-02-03 | 1997-04-23 | 三菱マテリアル 株式会社 | シリコン単結晶引上げ用石英ルツボ |
| JPH0692276B2 (ja) | 1988-02-03 | 1994-11-16 | 三菱マテリアル株式会社 | シリコン単結晶引上げ用石英ルツボ |
| JPH01261293A (ja) | 1988-04-12 | 1989-10-18 | Mitsubishi Metal Corp | シリコン単結晶引上げ用石英ルツボ |
| JP2630649B2 (ja) * | 1989-07-05 | 1997-07-16 | 東芝セラミックス株式会社 | 単結晶引上げ用石英ガラスルツボ |
| US5306473A (en) * | 1992-01-31 | 1994-04-26 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Quartz glass crucible for pulling a single crystal |
| JPH0742193B2 (ja) * | 1992-04-27 | 1995-05-10 | 信越半導体株式会社 | 単結晶引き上げ用石英るつぼ |
| JP2923720B2 (ja) * | 1992-12-26 | 1999-07-26 | 三菱マテリアルクォーツ株式会社 | シリコン単結晶引上げ用石英ルツボ |
| US5772714A (en) | 1995-01-25 | 1998-06-30 | Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | Process for producing opaque silica glass |
| JP3533416B2 (ja) * | 1996-02-06 | 2004-05-31 | 三菱住友シリコン株式会社 | 単結晶引上装置 |
| JP4285788B2 (ja) * | 1996-03-14 | 2009-06-24 | 信越石英株式会社 | 単結晶引き上げ用大口径石英るつぼの製造方法 |
| JP4454059B2 (ja) * | 1999-01-29 | 2010-04-21 | 信越石英株式会社 | シリコン単結晶引き上げ用大口径石英ガラスるつぼ |
| EP1094039B1 (en) * | 1999-04-06 | 2015-04-29 | Wacom Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing quartz glass crucible |
| JP4447738B2 (ja) * | 2000-05-31 | 2010-04-07 | 信越石英株式会社 | 多層構造の石英ガラスルツボの製造方法 |
| JP4390461B2 (ja) | 2003-02-21 | 2009-12-24 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | 石英ガラスルツボ及びこれを用いたシリコン単結晶の引き上げ方法 |
| JP4358555B2 (ja) | 2003-05-30 | 2009-11-04 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | シリコン単結晶引上用石英ガラスルツボとその引上方法 |
| JP4789437B2 (ja) | 2004-07-16 | 2011-10-12 | 信越石英株式会社 | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスるつぼおよびその製造方法 |
| US7427327B2 (en) * | 2005-09-08 | 2008-09-23 | Heraeus Shin-Etsu America, Inc. | Silica glass crucible with barium-doped inner wall |
| US7383696B2 (en) * | 2005-09-08 | 2008-06-10 | Heraeus Shin-Etsu America, Inc. | Silica glass crucible with bubble-free and reduced bubble growth wall |
| KR100847500B1 (ko) * | 2006-03-30 | 2008-07-22 | 코바렌트 마테리얼 가부시키가이샤 | 실리카 유리 도가니 |
| JP4702898B2 (ja) * | 2007-09-18 | 2011-06-15 | 信越石英株式会社 | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボの製造方法 |
| JP4799536B2 (ja) * | 2007-12-14 | 2011-10-26 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | 大径のシリコン単結晶インゴット中のピンホール欠陥の低減を可能とする大径シリコン単結晶インゴット引上げ用高純度石英ガラスルツボ |
| JP4995068B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2012-08-08 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ |
| JP2010076949A (ja) * | 2008-09-24 | 2010-04-08 | Japan Siper Quarts Corp | 石英ガラスルツボの製造方法と装置、および石英ガラスルツボ |
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