JP4996366B2 - ３次元構造データ作成装置 - Google Patents

Description

本発明は、３次元構造データ作成方法、３次元構造データ作成装置、コンピュータプログラム、記録媒体および計算機システムに関する。

現在、Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ−Ｃｏｍｐｕｔｏｒ−Ａｉｄｅｄ−Ｄｅｓｉｇｎ（ＴＣＡＤ）と呼ばれるシミュレーション技術が、半導体製品を開発するために広く活用されている。ＴＣＡＤは、大きく分けて、プロセスシミュレーション、デバイスシミュレーション（例えば、特許文献１）、回路シミュレーションの３要素から構成されている。

ここで、特に、大きな成果を挙げている回路シミュレーションについて、以下簡単に説明する。

昨今のＬＳＩには、数億から数十億個のトランジスタが搭載されている。しかし、当然、ＬＳＩの回路はトランジスタだけで動作しているのではない。トランジスタの他に、抵抗、キャパシタ、電源、電流源または配線など、さらに多くの要素を含んでいる。

このように、多くの要素を含むＬＳＩの回路シミュレーションを実施する上では、各要素をコンパクトモデルに置き換え、ＣＰＵにかかる負担を軽減することが必要となる。コンパクトモデルは多数のパラメータを含んでいる。そして、トランジスタをはじめとする回路の各要素の実際の動作を再現するように、それら多数のパラメータを調整している。

もっとも、ＬＳＩを構成する要素となる半導体デバイスは、ＬＳＩが世代交代するごとに微細化していく。このため、量子力学的効果や多体効果など、デバイス動作に影響する物理現象も多くなってくる。さらに、それらの物理現象が相互に作用するため、前世代で抽出したパラメータを用いると、次世代でのデバイス特性を再現できないという状況が生じている。

つまり、ＬＳＩの世代ごとにパラメータの抽出、すなわち、キャリブレーションが必要となる。そして、時には、コンパクトモデル自体の更新も必要となる。このように、世代ごとに改訂されてきたコンパクトモデルには、複雑になった物理現象に対応するため、更に多くのパラメータが追加されることになる。

ここで、キャリブレーションというのは、実際のＬＳＩ回路を作りこむ前に、各要素となる半導体デバイスを試作し、実際に測定した半導体デバイスのデバイス特性を再現するように、コンパクトモデルのパラメータを調整することである。

上述したように、半導体デバイスの微細化とともに物理現象が複雑になることによってパラメータの数が増えると、キャリブレーションにかかる手間も増大することになる。しかしながら、一旦キャリブレーションが完成すれば、このキャリブレーションに基づくコンパクトモデルを用いてＬＳＩの回路シミュレーションが行われる。したがって、ＬＳＩの開発にとってコンパクトモデルのキャリブレーションは、極めて重要な役割を担っている。

一方、半導体デバイスの微細化のもう一つの側面として、デバイス特性の形状依存性が強くなっていることがあげられる。図２６、図２７を用いて、このデバイス特性の形状依存性について説明する。

図２６（ａ）は、前世代、つまり、サイズが大きい場合のトランジスタの断面図である。図２６（ｂ）は、次世代、すなわち、開発中のサイズが小さい場合のトランジスタの断面図である。

図に示すように、いずれもゲートのソースおよびドレイン側の下部が欠けている。この欠けている部分の大きさは、どちらも同じである。しかしながら、図２６（ｂ）の方が、欠けている部分のゲート長（Ｌ）に対する割合が大きいため、デバイス特性に対する影響が相対的に大きくなる。

図２７は、デバイス特性の形状依存性が、デバイスの３次元的形状に基づくことを説明する図である。図２７は、図２６の断面図に直交する方向の断面図である。素子分離のために形成された溝（Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ：ＳＴＩ）の一部が欠け、ゲート幅（Ｗ）が狭くなっている。ゲート幅が狭くなることにより、ドレイン電流の低減が引き起こされる。そして、このドレイン電流低減効果も、微細化とともに大きくなる。

図２６のゲート長方向の影響と、この図２７のゲート幅方向の影響の両方があることから、デバイス特性の形状依存性は、デバイスの３次元的形状に基づくことが理解できる。なお、図２６、図２７では形状を単純化して説明しているが、実際のデバイスにおいては、さらに複雑な３次元形状をとる。したがって、デバイス特性の形状依存性も、さらに複雑なものとなる。

デバイス特性の形状依存性に関して、さらに問題となるのは、微細化が進むにつれて、形状のばらつきに伴うデバイス特性のばらつきも大きくなることである。図２８を参照して、この問題について説明する。

図２８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、図２６と同じ方向のトランジスタの断面図である。図２８（ｂ）が、図２６（ｂ）と同じ形状をしている。図２８（ａ）および図２８（ｃ）は、図２８（ｂ）から、ゲート形状がばらついた場合の断面図を示している。

図２８に示すような形状のばらつきは、サイズの大きい世代のデバイスにおいても存在していた。しかしながら、デバイスのサイズが大きいために、形状依存性が無視できるほど小さかったため、形状のばらつきに伴う、特性のばらつきも無視できるほど小さかった。

すなわち、デバイスの微細化によりゲート長が短くなると、形状のばらつきに伴う、特性のばらつきが無視できなくなってくる。そして、ゲート長方向同様、ゲート幅方向についてもデバイス形状のばらつきは存在し、ゲート幅方向の形状ばらつきに伴うデバイス特性のばらつきも生じることは言うまでもない。

このように、デバイスの微細化により、形状ばらつきに伴うデバイス特性のばらつきが大きくなってくると、試作したデバイスサンプルの実測デバイス特性データを用いてキャリブレーションする際の、フィッティング精度が低下する。したがって、必然的に、回路シミュレーションの精度も低下してくる。
特開平３−１３６３４４号公報

上述したように、デバイスの微細化に伴い、形状のばらつきに伴う、特性のばらつきが無視できなくなってくる。このため、有用な回路シミュレーションを行うためには、３次元的な形状ばらつきをパラメータとして取り込んだ、コンパクトモデルを構築することが必要とされている。

しかしながら、微細化が更に進むと、デバイスを試作するためのコストが劇的に増大して来る。そのため、このような３次元的な形状ばらつきをパラメータとして取り込んだコンパクトモデルの構築のためには、試作したデバイスの実測に代えて、デバイスの３次元構造データを用いたデバイスシミュレーションによりデバイス特性データを取得する手法が考えられる。ここで、精度の高いデバイス特性データをシミュレーションにより取得するためには、現実のデバイス形状に則した３次元構造データが必要となる。よって、現実のデバイス形状に則した３次元構造データを簡易に作成する手法が切望されている。

本発明は、上記事情を考慮してなされたものであり、その目的とするところは、３次元構造データを簡易に作成できる３次元構造データ作成装置を提供することにある。

本発明の一態様の３次元構造データ作成装置は、複数の異なる素材で構成された３次元構造物の３次元構造データ作成に際し、ＧＵＩを用いてユーザを支援する３次元構造データ作成装置であって、前記３次元構造データ作成が、前記３次元構造物の第１の２次元断面の画像と、前記第１の２次元断面のと法線ベクトルの異なる第２の２次元断面の画像を準備し、前記第１の２次元断面の画像を基に第１のユニット図を作成し、前記第２の２次元断面の画像を基に第２のユニット図を作成し、前記第１のユニット図を前記素材毎に区画化し、前記第２のユニット図を前記素材毎に区画化し、前記第１のユニット図と、前記第２のユニット図を各々の法線ベクトルに従って配置し、区画化した前記第１のユニット図を、前記第２のユニット図に平行する方向に引き伸ばすことによって３次元化し、区画化した前記第２のユニット図を、前記第１のユニット図に平行する方向に引き伸ばすことによって３次元化し、３次元化した前記第１のユニット図のそれぞれの区画と、３次元化した前記第２のユニット図のそれぞれの区画とが交差する領域のうち、前記第１のユニット図の素材と、前記第２のユニット図の素材とが一致する領域には、一致した素材を割り当て、３次元化した前記第１のユニット図のそれぞれの区画と、３次元化した前記第２のユニット図のそれぞれの区画とが交差する領域のうち、前記第１のユニット図の素材と、前記第２のユニット図の素材とが一致しない領域には、前記第１のユニット図の区画の素材と、前記第２のユニット図の区画の素材のいずれか一方を選択し、選択された素材を割り当てることによって実行され、区画化した前記第１のユニット図を、前記第２のユニット図に平行する座標軸方向に引き伸ばすことによって３次元化したデータと、区画化した前記第２のユニット図を、前記第１のユニット図に平行する座標軸方向に引き伸ばすことによって３次元化したデータとを合成することによって得られたボリューム図を表示するボリューム図表示画面生成手段と、前記ボリューム図の前記座標軸のいずれかに沿った２次元断面図を、表示位置を所定の間隔で平行移動することによって、連続的に表示し、３次元化した前記第１のユニット図のそれぞれの区画と、３次元化した前記第２のユニット図のそれぞれの区画とが交差する領域のうち、前記第１のユニット図の素材と、前記第２のユニット図の素材とが一致しない領域には、ユーザが前記第１のユニット図の区画の素材と前記第２のユニット図の区画の素材のいずれか一方を選択し、選択された素材を割り当てることを可能とするレタッチング処理画面生成手段と、前記ボリューム図表示画面と、前記レタッチング処理画面を表示する表示手段を有することを特徴とする。

本発明によれば、３次元構造データを簡易に作成できる３次元構造データ作成装置を提供することが可能となる。

以下、図面を用いて本発明の実施の形態について説明する。

なお、本明細書中において、ＧＵＩ（Ｇｒａｐｈｉｃ Ｕｓｅｒ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）とは、ユーザに対する情報の表示にグラフィックを多用し、大半の操作をマウスなどのポインティングデバイスによって行うことができるユーザインターフェースをいう。そして、ＧＵＩで表示される画面自体をＧＵＩ画面と称する。

（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態の３次元構造データ作成方法は、複数の異なる素材で構成された３次元構造物の３次元構造データ作成方法である。そして、本実施の形態における３次元構造データ作成は、以下のように行われる。まず、３次元構造物の第１の２次元断面の画像と、この第１の２次元断面と法線ベクトルの異なる第２の２次元断面の画像を準備する。そして、第１の２次元断面の画像を基に第１のユニット図を作成し、第２の２次元断面の画像を基に第２のユニット図を作成する。そして、第１のユニット図を素材毎に区画化し、第２のユニット図も素材毎に区画化する。そして、第１のユニット図と、第２のユニット図を各々の法線ベクトルに従って配置する。そして、区画化した第１のユニット図を、第２のユニット図に平行する方向に引き伸ばすことによって３次元化し、区画化した第２のユニット図も、第１のユニット図に平行する方向に引き伸ばすことによって３次元化する。そして、３次元化した前記第１のユニット図のそれぞれの区画と、３次元化した第２のユニット図のそれぞれの区画とが交差する領域のうち、第１のユニット図の素材と、第２のユニット図の素材とが一致する領域には、この一致した素材を割り当てる。そして、３次元化した第１のユニット図のそれぞれの区画と、３次元化した第２のユニット図のそれぞれの区画とが交差する領域のうち、第１のユニット図の素材と、第２のユニット図の素材とが一致しない領域には、第１のユニット図の区画の素材と、第２のユニット図の区画の素材のいずれか一方を選択し、この選択された素材を割り当てる。

さらに、本実施の形態においては、上記３次元構造データ作成を容易にするために、ＧＵＩを用いてユーザを支援する。また、本実施の形態においては、３次元構造データが、シミュレータに読み込み可能なメッシュデータである。

図２は、本実施の形態の３次元構造データ作成方法を実行する３次元構造データ作成装置の概略構成を示すブロック図である。３次元構造データ作成装置１００は、制御部１０２、記憶部１０４、表示部１０６、入力部１０８で構成されている。

制御部１０２は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）を備えている。記憶部１０４は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ハードディスク等である。オペレーティングシステム、ウィンドウシステム、アプリケーション等の各種プログラム、プログラムが必要とするデータ等は、あらかじめ記憶部１０４の例えば、ＲＯＭやハードディスクに記憶されている。そして、プログラムは、例えば、ＲＡＭにロードされ、ロードされたプログラムをＣＰＵが処理することで実行される。

表示部１０６は、ＣＰＵで実行されたプログラムにより生成されるＧＵＩ画面を表示する。表示部１０６は、例えば、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）であり、例えば、ＬＣＤ制御回路を備えている。

入力部１０８は、キーボード、マウス、ハードウェアキー、または、タッチパネル等からなる。ユーザによって、各種キー等が操作されると、その操作によって特定された指示を処理するプログラムが制御部１０２で実行される。

図１は、本実施の形態の３次元構造データ作成方法の基本概念を説明する図である。なお、本実施の形態においては、複数の異なる素材で構成された３次元構造物として、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリのメモリセル（以下、フラッシュメモリセルともいう）を例にして説明する。

まず、フラッシュメモリセルのビット線に垂直な方向に切った断面（以下、ビット線垂直断面ともいう）のＴＥＭ写真と、ワード線に垂直な方向に切った断面（以下、ワード線垂直断面ともいう）のＴＥＭ写真を撮影する。通常、同時に同一のフラッシュメモリセルの直交する断面写真を撮影することは不可能である。したがって、２枚のＴＥＭ写真は、別々のフラッシュメモリセルから取得しても構わない。通常、ワード線とビット線は直交しており、前記２枚の断面も直交するものと考えられる。しかしながら、ワード線とビット線が直交しない回路を設計することは原理的に不可能ではないし、又、ワード線とビット線のそれぞれに直交しない断面でＴＥＭ写真を撮影することも原理的に不可能ではない。したがって、より一般的な言い方をすれば、法線ベクトルの異なる２つの断面で撮影したＴＥＭ写真を用いることによって３次元構造データを作成することが可能である。前述の直交する場合とは、２つの法線ベクトルが直交する特殊な場合を指している。習慣上、このようにワード線に垂直な方向の断面と、ビット線に垂直な方向の断面が用いられることが多いので、以後、断面が直交する場合、すなわち断面の法線ベクトルが直交する場合を例にとって説明する。しかし、本発明を、この特殊な場合に限定するものではない。

次に、２枚の断面ＴＥＭ写真から、ユニット図を切り出す。図１のＴＥＭ写真中、矩形の枠で囲まれた部分が切り出されるユニット図に相当する。

次に、この２枚のユニット図から、ボリューム図を合成する。このボリューム図は、２枚のユニット図を、それぞれ、ユニット図の法線方向に引き伸ばすことによって３次元化して形成する。より一般的な言い方をすれば、互いの相手のユニット図と平行する座標軸方向に引き伸ばす。その後、このボリューム図に対して、レタッチングと呼ばれる処理を行い、３次元構造を形成する。レタッチングの詳細については後述する。

次に、形成された３次元構造を数値化し、メッシュデータ作成を実行することによって、シミュレータに読み込み可能なメッシュデータが生成される。

そして、その後、このメッシュデータが入力データとして、高精度デバイスシミュレータに入力され、デバイスシミュレーションが実行される。

このようにして、３次元形状の情報を忠実に再現したメッシュデータに基づくシミュレーションにより、デバイス特性が得られる。このデバイス特性を用い、コンパクトモデルのキャリブレーションが行われることになる。

図３は、本実施の形態の３次元構造データ作成方法のフローチャートである。まず、２枚の２次元断面画像を準備する。次に、断面画像の位置やサイズの調整を行う。次に、断面画像からユニット図作成を行う。次に、ユニット図の縮尺を決定する。次に、ユニット図を素材ごとに区画化するラベリング処理を行う。次に、区画化した領域に具体的な素材名を割り当てる。次に、３次元化してボリューム図を作成するボリューム図合成を行う。次に、ボリューム図中、素材が一意的に決まらない領域に対して、素材を選択するレタッチング処理を行い、３次元構造図を完成させる。最後に、３次元構造図をメッシュデータ化する。

以下、図３のフローチャートに示した、３次元構造データ作成方法を、ユーザとコンピュータ間のインターフェースとして使用されるＧＵＩ画面等を具体的に参照しつつ説明する。

図４は、２次元断面画像調整画面を示す図である。まず、メモリセルのワード線垂直断面画像２０２とビット線垂直断面画像２０４を、３次元構造データ作成のための２次元断面画像として準備する。これらの画像はいずれもＴＥＭ写真である。このワード線垂直断面画像２０２とビット線垂直断面２０４は、メモリセルの互いに直交する断面である。そして、図４に示すように、２次元断面画像調整画面に、２枚のＴＥＭ写真を並べて表示する。

このように、同一画面上に２枚の２次元断面画像を表示することにより、後に、続く作業の見通しが立てやすくなる。

ここで、２次元断面画像調整画面に表示された、ＴＥＭ写真は、必ずしもスケールが一致しているわけではない。そこで、２次元断面画像調整画面には、２枚のＴＥＭ写真２０２、２０４のスケール調整、および、スケール調整のための位置調整を支援する機能が付加されている。

図５は、２次元断面画像調整画面におけるスケール調整および位置調整の機能を説明する図である。このスケール調整および位置調整は、２次元断面画像調整画面に２本の平行線を表示し、第１の２次元断面画像と、第２の２次元断面画像との対応する部位の位置が２本の平行線に一致するようユーザが、第１の２次元断面画像または第２の２次元断面画像を上下に移動、縮小または拡大することによって行う。

具体的には、図５のＴＥＭ写真上に白線で示される、上下に配置された２本の水平線、すなわち、第１水平線２０６および第２水平線２０８を調整のために利用する。これらの２本の水平線２０６、２０８は、左右の断面画像２０２、２０４を貫いている。そして、２本の水平線２０６、２０８は、それぞれが、２枚のＴＥＭ写真２０２、２０４上で連動して移動する。ここで、例えば、２本の水平線２０６、２０８を色分けして視認性を向上させることも可能である。

２枚のＴＥＭ写真２０２、２０４のスケールをあわせるために、まず、例えば、図５に示すように、第１水平線２０６を、ワード線上の金属配線２１０の上辺にあわせる。このとき、第１水平線２０６を、ワード線垂直断面画像２０２の、金属配線２１０の上辺に合致するよう移動させる。その後、第２水平線２０８を移動させ、例えば、シリコン基板２１２の上面に合致させる。

次に、ビット線垂直断面画像２０４自体を上下移動させることにより、第１水平線２０６が、金属配線２１０上に合致するようにする。そして、第１水平線２０６が金属配線２１０上に合致したままで、シリコン基板２１２の上面が第２水平線２０８に合致するようビット線垂直断面画像２０４の画像サイズを縮小または拡大させる。このようにして、２枚のＴＥＭ写真２０２、２０４のスケールが一致する。

次に、スケールを一致させた２枚のＴＥＭ写真から、２枚のユニット図を作成する。図６は、ユニット図作成画面上でユニット図を作成する方法を説明する図である。

ユニット図の作成において、まず、準備した第１の２次元断面画像および第２の２次元断面画像をユニット図作成画面に同時に表示する。そして、第１の２次元断面画像と第２の２次元断面画像とのそれぞれの画像上に表示される２つの矩形領域であって、一方の矩形領域の対向する２辺、ここでは水平方向の２辺が、他方の矩形領域の対向する２辺、ここでは水平方向の２辺に連動して動く２つの矩形領域のサイズをユーザが所望のサイズに調整する。そして、３次元構造データ作成に用いる第１のユニット図および第２のユニット図を切り出す。

具体的には、スケール調整の終了した２枚のＴＥＭ写真２０２、２０４を、２次元断面画像調整画面の場合と同様に並べて表示させる。そして、ワード線垂直断面画像２０２とビット線垂直断面画像２０４のそれぞれの画像上に、第１の矩形領域２１６と第２の矩形領域２１８を表示する。ここで、第１の矩形領域２１６のサイズを変えると、第２の矩形領域２１８のサイズは水平方向の２辺の間の間隔、および、水平方向の２辺の上下位置が、第１の矩形領域２１６と同一になるよう連動して変化する。一方、垂直方向の２辺の位置は、独立に変化しうる。

このようにして、２つの矩形領域２１６、２１８のサイズを、ユーザが３次元構造データを形成する上で適当と考える範囲に調整する。そして、２つの矩形領域２１６、２１８で囲まれた画像が、それぞれ２枚のユニット図として切り出される。

以上の作業は、デバイスシミュレーションで不要な部分を切り落とす作業でもある。図７に、このようにして作成されたユニット図２２２，２２４を表示するＧＵＩ画面を示す。図７から明らかなように、切り出されたユニット図は、水平方向の２辺の間の間隔、および、上下位置が同一になるよう形成されている。

次に、作成されたユニット図の縮尺を縮尺決定画面で決定する。図８は、縮尺決定画面でユニット図の縮尺を決定する方法を説明する図である。

縮尺決定の処理は、まず、第１のユニット図または第２のユニット図を縮尺決定画面に表示する。そして、第１のユニット図または第２のユニット図上で２点をユーザが指定する。その後、この２点間の距離をユーザが設定することにより縮尺が決定される。

この処理は、本実施の形態のように、デバイスシミュレーション用の３次元構造データを作成する場合に、必要となる処理である。

具体的には、例えば、図８に示すように、第１のユニット図２２２上で、２つの十字により、２点をユーザが指定する。そして、距離入力ボックス２２６に、２点間の距離を、例えば、キーボードを操作することによって入力する。図８では、一例として、２点間の距離を０．０４４５μｍ（４４．５ｎｍ）と指定する場合を示している。

なお、指定する２点の位置は、特に限定されるものではない。しかしながら、寸法が特定しやすいゲート長を縮尺の指標とすることが望ましい。このためには、図８の例とは異なり、ゲートの両端の２点を指定することが望ましい。

また、例えば、ＴＥＭ写真が取得された現実のフラッシュメモリセルの場合と異なる距離を入力することも可能である。例えば、現実と異なるサイズのセルについてシミュレーションを行う要望がある場合に、この手法は有用である。

次に、ラベリング処理画面においてユニット図の区画化を行う。図９、図１０および図１１は、ラベリング処理画面でユニット図の区画化を行う方法を説明する図である。

ラベリング処理は、まず、第１のユニット図または第２のユニット図をラベリング処理画面に表示する。そして、例えば、第１のユニット図または第２のユニット図に、ユーザが境界線を引くことにより縁取りして区画化する。そして、境界線で区画化された領域を連続領域として認識させる。

具体的には、図９に示すように、例えば、ワード線上の金属配線２１０について境界線を描きこむ。境界線は、例えば、マウスやタブレットペンを操作してポインターをフリーハンドで動かすことによって描きこむことが可能である。

このように、ユニット図に境界線を描きこむことによって、異なる素材毎に区画化する。図１０は、区画化がすべて終了した状態を表示する画面である。このように、区画化を行っただけでも、ある程度の３次元構造が浮き彫りになる。

そして、境界線で区画化された領域を連続領域として認識させる。すなわち、ひとつの区画化された領域内は、すべて同じ素材で構成されているとするデータ処理を行う。このデータ処理により作成されたデータに基づき、例えば、各領域を色分けして塗りつぶしたり、濃淡で区別して塗りつぶしたり、領域ごとに番号やアルファベットでラベルを貼ることも可能である。

図１１は、連続領域として認識された各領域を、塗りつぶして表示した画面を示す。ラベリング処理画面では、塗りつぶし画像表示チェックボックス２３０にチェックを入れることでこのような画像を表示できる。また、塗りつぶし画像表示チェックボックス２３０のチェックをはずし、境界線チェックボックス２３２のみにチェックをいれることで、図１０に示した画像を表示できる。塗りつぶし画像表示チェックボックス２３０、境界線チェックボックス２３２双方のチックをはずすことで、区画化情報を含まないラベリング処理前のユニット図を表示することも可能である。

次に、素材割り当て画面において、素材割り当てを行う。図１２は、素材割り当て画面において、素材割り当てを行う方法を説明する図である。

素材割り当ては、ラベリング処理画面上で区画化された第１のユニット図または第２のユニット図を、素材割り当て画面に表示し、区画化された領域に、それぞれ所望の素材をユーザが割り当てることによって実行される。

具体的には、ラベリング処理により区画化された各領域をクリックすると、領域リスト画面２３６の対応する行が反転する。そして、反転表示された領域に割り当てたい素材をコンボボックス２３８から選択する。コンボボックス２３８に新しい素材名を加えることも可能である。

次に、ボリューム図を合成する。ボリューム図は、ラベリング処理により区画化した第１のユニット図を、第２のユニット図に平行する方向に引き伸ばすことによって３次元化したデータと、同様に区画化した第２のユニット図を、第１のユニット図に平行する方向に引き伸ばすことによって３次元化したデータとを合成することによって得られる。

図１３は、２つのユニット図を合成して、３次元のボリューム図を形成する方法を説明する図である。複数の画素（ピクセル）に分割された第１のユニット図２２２および第２のユニット図２２４を、各々の法線ベクトルに従って配置する。すなわち、第１および第２のユニットの基となった断面画像の本来の３次元的位置と同様の配置におく。本実施の形態のように、互いに直行する断面の画像であった場合には、それぞれのユニット図が直交するよう配置する。そして、他方のユニット図に平行する方向、ここではそれぞれのユニット図の法線方向、すなわち、矢印で示す方向に引き伸ばして３次元化する。２つのユニット図２２２，２２４の引き伸ばされた画素が、交差することによって形成される立方体を立方体要素（ボクセル）と称する。そして、３次元のボリューム図は、この立方体要素の集合体として構成されることになる。

図１４は、ラベリング処理された２枚のユニット図から合成されたボリューム図を表示するボリューム図表示画面を示す図である。この図は、ワード線に垂直な方向からみたボリューム図である。

このボリューム図表示画面において、ユーザによって、ボリューム図が回転、平行移動、拡大、縮小可能、または、ボリューム図の解像度変更が可能、または、ボリューム図の任意の位置の２次元断面図を表示可能とすることができる。回転した後、断面表示することで、任意の法線での断面を表示させることも可能である。

図１５は、ボリューム図表示画面上で、向きを回転させる場合を示す。図１６は、ボリューム図表示画面上で、解像度を変更して表示する場合を示す。

また、図１７は、ボリューム図画面上で、任意の位置の２次元断面図を表示する場合を示す。このような表示断面の位置の変更は、Ｘ軸、Ｙ軸またはＺ軸方向の座標位置を、座標位置スクロールバー２４２を移動させて指定することで可能となる。

ここで、ボリューム図画面において、ユーザによって、前記ボリューム図の任意の領域または任意の素材を、画面上で非表示にすることも可能である。図１８は、表示する素材の選択、非選択を変更して表示した例である。ここでは、メモリセルのシリコンとシリコン酸化膜からなる部分を、非表示にした場合を示している。このため、すべての素材を表示する場合と比較して、シリコンやシリコン酸化膜に埋もれていた領域の構造がユーザに把握しやすくなる。

次に、合成されたボリューム図に対してレタッチング処理を行う。レタッチング処理においては、３次元化した第１のユニット図のそれぞれの区画と、３次元化した第２のユニット図のそれぞれの区画とが交差する領域のうち、第１のユニット図の素材と、第２のユニット図の素材とが一致する領域には、一致した素材を割り当てる。また、３次元化した第１のユニット図のそれぞれの区画と、３次元化した第２のユニット図のそれぞれの区画とが交差する領域のうち、第１のユニット図の素材と、第２のユニット図の素材とが一致しない領域には、第１のユニット図の区画の素材と、第２のユニット図の区画の素材のいずれか一方を選択し、選択された素材を割り当てる。

具体的には、以下の通りである。先に、図１３を用いて、２つのユニット図を合成して、３次元のボリューム図を形成する方法を説明した。ボリューム図は、２つのユニット図である直交する断面ＴＥＭ写真を法線方向に引き伸ばして作成している。このため、２つの異なる素材が割り当てられた領域が残っている。図１３で見れば、生成されたボクセルのなかに、対応する２つの画素（ピクセル）が異なる素材を有するために、２つの異なる素材が割り当てられるボクセルが存在することになる。

このように、２つの異なる素材が割り当てられた領域について、その領域にどちらの素材を割り当てるかの指示を行わなければ、現実に即した３次元立体構造を生成することは不可能である。

図１９は、レタッチング処理を説明する図である。図示された左右２枚のユニット図からボリューム図を合成する場合を考える。ここで、左図のユニット図の点線で囲まれた領域中に存在するＯＮＯ膜（Ｏｘｉｄｅ−Ｎｉｒｔｉｄｅ−Ｏｘｉｄｅ ｆｉｌｍ）に注目する。このＯＮＯ膜は、ボリューム合成の際に、左図のユニット図に垂直な方向（法線方向）に引き伸ばされる。これに対し、左図に直交する断面である右図のユニット図が引き伸ばされると、ボリューム図中において、左図のＯＮＯ膜と、右図のポリシリコンとの両方の素材が割り当てられる領域が形成されることになる。この領域において、ポリシリコンの素材が割り当てられると、実際は、存在すべきＯＮＯ膜が削りとられてしまい、ＯＮＯ膜が欠けてしまうことになる。

図２０は、レタッチング処理を説明する図である。図２０（ａ）が図１９のユニット図から合成されたボリューム図にレタッチング処理をした図。図２０（ｂ）がレタッチング処理をしない図である。なお、ここでは、レタッチング処理有りとは、図１９で、点線で示した部分のＯＮＯ膜と、ポリシリコンの両方が割り当てられた領域において、ポリシリコンが選択された場合を指す。また、レタッチング処理無しとは、その領域についてＯＮＯ膜が選択された場合を指す。

レタッチング処理を行わない図２０（ｂ）の場合には、実際には存在するＯＮＯ膜が消失するとともに、本来、蝶の羽の形をした浮遊ゲート（ＦＧ）が平面的になってしまっている。このように、２つの異なる素材が割り当てられる領域（ボクセル）については、適切に、どちらの素材を割り当てるべきかを指示する処理を必要がある。この処理をレタッチング処理と称する。

一方、第１のユニット図の素材と、第２のユニット図の素材とが一致する領域は、一致した素材を割り当てることになる。

図２１は、レタッチング処理画面の説明図である。画面右側の素材選択ダイアログ２４６に素材候補１と素材候補２が表示され、そのうち、どちらかを選択可能となっている。これらの素材候補は、対応するボクセルを構成する２つの画素に割り当てられた素材である。図の素材選択ダイアログ２４６中、上から２行は既に、“ｏｘｉｄｅ”を選択しており、３行目以降は未選択の状態である。

また、左のユニット図では、現在選択されている領域、ここでは浮遊ゲート、が白の縁取りで表示されている。この領域が素材選択ダイアログ２４６中の３行目の領域に対応する。

本実施の形態のレタッチング処理においては、ボリューム図の座標軸のいずれかに沿った２次元断面図を、表示位置を所定の間隔で平行移動することによって、連続的にレタッチング処理画面に表示する。そして、３次元化した第１のユニット図のそれぞれの区画と、３次元化した第２のユニット図のそれぞれの区画とが交差する領域のうち、第１のユニット図の素材と、第２のユニット図の素材とが一致しない領域には、ユーザが第１のユニット図の区画の素材と第２のユニット図の区画の素材のいずれか一方を選択し、選択された素材を割り当てる。

すなわち、図２１に示したようなボリューム図の断面を、断面位置をすこしずつ平行移動してずらしながら連続的に表示していき、素材選択を繰り返していくことになる。断面が直交する座標軸は、Ｘ軸でも、Ｙ軸でも、Ｚ軸でもあるいは別途定義した軸でも、ユーザによって任意に選択することが可能である。ユーザが素材選択をしやすい、座標軸を選択すればよい。

また、平行移動する際の２次元断面画像間の間隔は、断面が直行する軸方向の解像度（メッシュ間隔）と同等かあるいはそれより大きいことが望ましい。解像度以下でレタッチング処理を行っても、３次元構造データにおける情報量は増加しないからである。

ここで、連続的に表示される２次元断面図の一つが、位相幾何学的にその一つ前の２次元断面図と同一である場合に、各区画が一つ前の２次元断面図と同じ素材で構成されるものであると自動的に認識させても構わない。

たとえば、データの解像度をあげた場合には、レタッチング処理において、素材選択をする２次元断面図の枚数が多くなる。したがって、レタッチング処理に必要な作業時間が増大する。そこで、前後する２次元断面が、位相幾何学的に同一であれば、前の２次元画面において選択した素材を継承し、自動的に素材の割り当てを行うことが有効である。

図２２は素材の自動割り当て処理を説明する図である。図２２（ａ）〜（ｄ）は、この順に連続して表示される断面画像の一例である。ここで、図２２（ａ）、（ｂ）、(ｃ)は、すべて３つの閉鎖領域が存在するため、位相幾何学的に同一と判断される。したがって、自動割り当てが選択された場合、図２２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）中の対応する領域には、すべて同一の素材が割り当てられる。

これに対して、図２２（ｄ）においては、４つの閉鎖領域が存在する。したがって、図２２（ｃ）で示される直前の２次元断面画像とは、位相幾何学的に異なっていることになる。よって、自動割り当て処理を選択していたとしても、自動的に素材を割り当てられることはなく、ユーザが手動で素材を選択することになる。

なお、自動割り当ての実行は、たとえば、図２１に示すレタッチング処理画面に自動割り当てボタン２４８を設け、これをクリックすることで行うことが可能である。

図２３は、自動割り当てを実行し、処理が終了した際に表示されるダイアログの一例を示す図である。

レタッチング処理が終了すると、次に、メッシュデータ作成を行う。メッシュデータ作成は、レタッチング処理によって作成された３次元構造データに対して公知のメッシュデータ作成方法を適用することで行われる。図２４は、メッシュデータから作成したワイヤフレームを表示した画面を示す図である。

以上、本実施の形態によれば、２枚の２次元断面画像のみから、簡易に３次元構造データを作成できる。特に、ＧＵＩを用いて、ユーザを支援することで、３次元構造データの作成を一層容易にしている。

そして、本実施の形態で作成された３次元構造メッシュデータを入力データとして、デバイスシミュレーションを行えば、実際のデバイスの３次元形状に対応したデバイス特性を抽出することが可能になる。そして、このデバイス特性を用いることによって、３次元形状用のパラメータを盛り込んだコンパクトモデルのキャリブレーションが実行可能となる。そして、３次元的な形状ばらつきをパラメータとして取り込んだコンパクトモデルにより、デバイスの微細化が進んでも、高精度な回路シミュレーションが可能となる。

なお、本実施の形態において、２枚のユニット図のどちらか一方あるいは両方を、左右あるいは上下反転させるなどの処理をおこなうことによって、新たなユニット図を作成してもよい。このような方法は、たとえば、同一メモリアレイ上に存在する、対称な２つのメモリセルの構造を比較する場合に有用である。

また、ＴＥＭ断面図、ユニット図、３次元構造図の断面図等を画像に表示させる場合に、任意の２点を指定して、その２点間の距離を測定するというＧＵＩ機能を持たせてもよい。この機能によれば、ユーザによる平面画像および立体構造把握を容易にするという効果が得られる。

また、ＴＥＭ断面図、ユニット図、３次元構造図の断面図等を画像に表示させる場合に、任意の３点を指定して、その３点間を結ぶ折れ線のなす角を計測するというＧＵＩ機能を持たせてもよい。この機能によっても、ユーザによる平面画像および立体構造把握を容易にするという効果が得られる。

（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態の３次元構造データ作成方法は、準備される第１の２次元断面の画像および第２の２次元断面の画像が、半導体デバイスの断面ＴＥＭ写真を中抜きして合成した合成写真であること以外は、第１の実施の形態と同様であるので、重複する記述を省略する。

図２５は、中抜きを説明する図である。まず、ユニット図の基となる２枚の断面ＴＥＭ写真を準備する。ここでは、第１の実施の形態同様、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリのメモリセルを例として示している。

２枚の断面ＴＥＭ写真から中央部分を削除し、残った左右の部分を張り合わせる。その後は、第１に実施の形態と同様の方法でユニット図の作成を行う。なお、本実施の形態においては、デバイスサンプルは、次世代ＬＳＩプロセスを想定したプロセスフローで製造されている。

本実施の形態によれば、次世代ＬＳＩ用のリソグラフィーが立ち上がる前に、次世代プロセスの３次元構造データを作成することが出来る。したがって、次世代ＬＳＩのデバイス特性を、リソグラフィーが立ち上がる前に取得することができるという作用、効果が得られる。

（第３の実施の形態）
本発明の第３の実施の形態の３次元構造データ作成方法は、ユニット図作成にあたり、断面ＴＥＭ写真を基にしないこと以外は、第１の実施の形態と同様であるので、重複する記述を省略する。

本実施の形態においては、既存の図面作成ソフトウェアで作成された図面や、手書きで作成された図面をデジタル化した図面を、ユニット図作成の基礎となる２次元断面画像とする。

本実施の形態によれば、実施のデバイスサンプルを試作することなく、３次元構造データを作成することができる。したがって、第１の実施の形態に比較して、より簡便に３次元形状を考慮したＬＳＩのデバイス特性をシミュレーションすることが出来るという作用、効果が得られる。

（第４の実施の形態）
本発明の第４の実施の形態の３次元構造データ作成装置は、複数の異なる素材で構成された３次元構造物の３次元構造データ作成に際し、ＧＵＩを用いてユーザを支援する３次元構造データ作成装置である。そして、３次元構造データ作成が、３次元構造物の第１の２次元断面の画像と、第１の２次元断面と法線ベクトルの異なる第２の２次元断面の画像を準備し、第１の２次元断面画像を基に第１のユニット図を作成し、第２の２次元断面画像を基に第２のユニット図を作成し、第１のユニット図を素材毎に区画化し、第２のユニット図を素材毎に区画化し、第１のユニット図と、第２のユニット図を各々の法線ベクトルに従って配置し、区画化した第１のユニット図を、第２のユニット図に平行する方向に引き伸ばすことによって３次元化し、区画化した第２のユニット図を、第１のユニット図に平行する方向に引き伸ばすことによって３次元化し、３次元化した第１のユニット図のそれぞれの区画と、３次元化した第２のユニット図のそれぞれの区画とが交差する領域のうち、第１のユニット図の素材と、第２のユニット図の素材とが一致する領域には、一致した素材を割り当て、３次元化した第１のユニット図のそれぞれの区画と、３次元化した第２のユニット図のそれぞれの区画とが交差する領域のうち、第１のユニット図の素材と、第２のユニット図の素材とが一致しない領域には、第１のユニット図の区画の素材と、第２のユニット図の区画の素材のいずれか一方を選択し、選択された素材を割り当てることによって実行される。そして、区画化した第１のユニット図を、第２のユニット図に平行する座標軸方向に引き伸ばすことによって３次元化したデータと、区画化した第２のユニット図を、第１のユニット図に平行する座標軸方向に引き伸ばすことによって３次元化したデータとを合成することによって得られたボリューム図を表示するボリューム図表示画面生成手段を有している。また、ボリューム図の前記座標軸のいずれかに沿った２次元断面図を、表示位置を所定の間隔で平行移動することによって、連続的に表示し、３次元化した前記第１のユニット図のそれぞれの区画と、３次元化した第２のユニット図のそれぞれの区画とが交差する領域のうち、第１のユニット図の素材と、第２のユニット図の素材とが一致しない領域には、ユーザが第１のユニット図の区画の素材と第２のユニット図の区画の素材のいずれか一方を選択し、選択された素材を割り当てることを可能とするレタッチング処理画面生成手段を有している。さらに、ボリューム図表示画面と、レタッチング処理画面を表示する表示手段を有している。

図２は本実施の３次元構造データ作成装置の概略構成を示すブロック図である。第１の実施の形態で説明したように、３次元構造データ作成装置１００は、制御部１０２、記憶部１０４、表示部１０６、入力部１０８で構成されている。

本実施の３次元構造データ作成装置は、第１の実施の形態で説明した３次元構造データ作成方法を実現する装置である。そして、第１の実施の形態で説明したボリューム図表示画面を生成する手段として、制御部１０２を有している。また、第１の実施の形態で説明したレタッチング処理画面を生成する手段として、制御部１０２を有している。そして、ボリューム図表示画面と、レタッチング処理画面を表示する表示手段として、表示部１０６を有している。

なお、ＧＵＩ画面として、少なくともボリューム図表示画面と、レタッチング処理画面の２つの生成手段を備えていることが、ユーザにとっての３次元構造データ作成を容易にする上では重要である。

もっとも、第１の実施の形態で説明したその他のＧＵＩ画面、すなわち、２次元断面画像調整画面、ユニット図作成画面、縮尺決定画面、ラベリング処理画面、素材割り当て画面等の生成手段を有することが、ユーザ支援の観点からは望ましい。

（第５の実施の形態）
本発明の第５の実施の形態のコンピュータプログラムは、第１の実施の形態の３次元構造データ作成方法をコンピュータに実行させることを特徴とする。

本実施の形態のコンピュータプログラムによれば、このコンピュータプログラムをコンピュータ上で動作させることにより、３次元構造データを簡易に作成することが可能になる。

（第６の実施の形態）
本発明の第６の実施の形態のコンピュータ読み取り可能な記録媒体は、第１の実施の形態の３次元構造データ作成方法をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラムを記録したことを特徴とする。

記録媒体としては、例えば、フロッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、ＭＯ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、磁気テープ、不揮発性のメモリーカード、ＲＯＭ、ＤＶＤ（ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−Ｒ）などがある。

本実施の形態のコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録されたコンピュータプログラムを所望のコンピュータ上で動作させることにより、３次元構造データを簡易に作成することが可能になる。

（第７の実施の形態）
本発明の第７の実施の形態の計算機システムは、第１の実施の形態の３次元構造データ作成方法を用いて作成される３次元構造データを入力データとして、デバイス特性を予測することを特徴とする。

本実施の形態の計算機システムは、例えば、図２の３次元構造データ作成装置と同様のハードウェア構成を有している。そして、記憶部１０４にデバイスシミュレーションを実行するアプリケーションソフトウェアがインストールされている。そして、入力部１０８が、３次元構造データを入力する機能を有している。そして、制御部１０２においてデバイスシミュレーションの計算を実行する。そして、デバイスシミュレーションの結果として、予測されるデバイス特性を表示部１０６に表示する。

本実施の形態の計算機システムにより、３次元形状を考慮したデバイス特性の予測を容易に実行することが可能になる。

以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。上記、実施の形態はあくまで、例として挙げられているだけであり、本発明を限定するものではない。また、実施の形態の説明においては、３次元構造データ作成装置等で、本発明の説明に直接必要としない部分等については記載を省略したが、必要とされる３次元構造データ作成装置等に関わる要素を適宜選択して用いることができる。

その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての３次元構造データ作成装置は、本発明の範囲に包含される。本発明の範囲は、特許請求の範囲およびその均等物の範囲によって定義されるものである。

第１の実施の形態の３次元構造データ作成方法の基本概念を説明する図。 第１の実施の形態、第２の実施の形態に関する３次元構造データ作成装置の概略構成を示すブロック図。 第１の実施の形態の３次元構造データ作成方法のフローチャート。 第１の実施の形態の２次元断面画像調整画面を示す図。 第１の実施の形態の２次元断面画像調整画面におけるスケール調整および位置調整の機能を説明する図。 第１の実施の形態のユニット図作成画面上でユニット図を作成する方法を説明する図。 第１の実施の形態の切り出されたユニット図を表示するＧＵＩ画面を示す図。 第１の実施の形態の縮尺決定画面でユニット図の縮尺を決定する方法を説明する図。 第１の実施の形態のラベリング処理画面でユニット図の区画化を行う方法を説明する図。 第１の実施の形態のラベリング処理画面でユニット図の区画化を行う方法を説明する図。 第１の実施の形態のラベリング処理画面でユニット図の区画化を行う方法を説明する図。 第１の実施の形態の素材割り当て画面において、素材割り当てを行う方法を説明する図。 第１の実施の形態において、２つのユニット図を合成して、３次元のボリューム図を形成する方法を説明する図。 第１の実施の形態において、ラベリング処理された２枚のユニット図から合成されたボリューム図を表示するボリューム図表示画面を示す図。 第１の実施の形態のボリューム図表示画面上で、向きを回転させる場合を示す図。 第１の実施の形態のボリューム図表示画面上で、解像度を変更して表示する場合を示す図。 第１の実施の形態のボリューム図画面上で、任意の位置の２次元断面図を表示する場合を示す図。 第１の実施の形態において、表示する素材の選択、非選択を変更して表示した例を示す図。 第１の実施の形態のレタッチング処理を説明する図。 第１の実施の形態のレタッチング処理を説明する図。 第１の実施の形態のレタッチング処理画面の説明図。 第１の実施の形態の素材の自動割り当て処理を説明する図。 第１の実施の形態において、自動割り当てを実行し、処理が終了した際に表示されるダイアログの一例を示す図。 第１の実施の形態において、メッシュデータから作成したワイヤフレームを表示した画面を示す図。 第２の実施の形態の中抜きを説明する図。 デバイス特性の形状依存性を説明する図。 デバイス特性の形状依存性を説明する図。 微細化が進むにつれて、形状のばらつきに伴うデバイス特性のばらつきも大きくなることを説明する図。

符号の説明

１００ ３次元構造データ作成装置
１０２ 制御部
１０４ 記憶部
１０６ 表示部
１０８ 入力部
２０２ ワード線垂直断面画像
２０４ ビット線垂直断面画像
２０６ 第１水平線
２０８ 第２水平線
２１０ ワード線上の金属配線
２１６ 第１の矩形領域
２１８ 第２の矩形領域
２２２ ユニット図
２２４ ユニット図
２３０ 塗りつぶし画像表示チェックボックス
２３２ 境界線チェックボックス
２３６ 領域リスト画面
２３８ コンボボックス
２４２ 座標位置スクロールバー
２４６ 素材選択ダイアログ

Claims (1)

1. 複数の異なる素材で構成された３次元構造物の３次元構造データ作成に際し、ＧＵＩを用いてユーザを支援する３次元構造データ作成装置であって、
   前記３次元構造データ作成が、
   前記３次元構造物の第１の２次元断面の画像と、前記第１の２次元断面と法線ベクトルが異なる第２の２次元断面の画像を準備し、
   前記第１の２次元断面の画像を基に第１のユニット図を作成し、
   前記第２の２次元断面の画像を基に第２のユニット図を作成し、
   前記第１のユニット図を前記素材毎に区画化し、
   前記第２のユニット図を前記素材毎に区画化し、
   前記第１のユニット図と、前記第２のユニット図を各々の法線ベクトルに従って配置し、
   区画化した前記第１のユニット図を、前記第２のユニット図に平行する方向に引き伸ばすことによって３次元化し、
   区画化した前記第２のユニット図を、前記第１のユニット図に平行する方向に引き伸ばすことによって３次元化し、
   ３次元化した前記第１のユニット図のそれぞれの区画と、３次元化した前記第２のユニット図のそれぞれの区画とが交差する領域のうち、前記第１のユニット図の素材と、前記第２のユニット図の素材とが一致する領域には、一致した素材を割り当て、
   ３次元化した前記第１のユニット図のそれぞれの区画と、３次元化した前記第２のユニット図のそれぞれの区画とが交差する領域のうち、前記第１のユニット図の素材と、前記第２のユニット図の素材とが一致しない領域には、前記第１のユニット図の区画の素材と、前記第２のユニット図の区画の素材のいずれか一方を選択し、選択された素材を割り当てることによって実行され、
   区画化した前記第１のユニット図を、前記第２のユニット図に平行する座標軸方向に引き伸ばすことによって３次元化したデータと、区画化した前記第２のユニット図を、前記第１のユニット図に平行する座標軸方向に引き伸ばすことによって３次元化したデータとを合成することによって得られたボリューム図を表示するボリューム図表示画面生成手段と、
   前記ボリューム図の前記座標軸のいずれかに沿った２次元断面図を、表示位置を所定の間隔で平行移動することによって、連続的に表示し、３次元化した前記第１のユニット図のそれぞれの区画と、３次元化した前記第２のユニット図のそれぞれの区画とが交差する領域のうち、前記第１のユニット図の素材と、前記第２のユニット図の素材とが一致しない領域には、ユーザが前記第１のユニット図の区画の素材と前記第２のユニット図の区画の素材のいずれか一方を選択し、選択された素材を割り当てることを可能とするレタッチング処理画面生成手段と、
   前記ボリューム図表示画面と、前記レタッチング処理画面を表示する表示手段を有することを特徴とする３次元構造データ作成装置。