JP5114935B2 - 電子部品用液状樹脂組成物、及びこれを用いた電子部品装置 - Google Patents
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トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール等の三級アミン化合物及びこれらの誘導体、
2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジルー2−フェニルイミダゾール、1−ベンジルー2−メチルイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2,4−ジアミノ−6−(2´−メチルイミダゾリル−(1´))−エチル−s−トリアジン、2−ヘプタデシルイミダゾール等のイミダゾール化合物及びこれらの誘導体、
トリブチルホスフィン等のトリアルキルホスフィン、ジメチルフェニルホスフィン等のジアルキルアリールホスフィン、メチルジフェニルホスフィン等のアルキルジアリールホスフィン、トリフェニルホスフィン、アルキル基置換トリフェニルホスフィンなどの有機ホスフィン類及びこれらの誘導体、
及びこれらの化合物に無水マレイン酸、1,4−ベンゾキノン、2,5−トルキノン、1,4−ナフトキノン、2,3−ジメチルベンゾキノン、2,6−ジメチルベンゾキノン、2,3−ジメトキシ−5−メチル−1,4−ベンゾキノン、2,3−ジメトキシ−1,4−ベンゾキノン、フェニル−1,4−ベンゾキノン等のキノン化合物、ジアゾフェニルメタン、フェノール樹脂等のπ結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有する化合物、及びこれらの誘導体
などが挙げられ、さらには2−エチル−4−メチルイミダゾールテトラフェニルボレート、N−メチルモルホリンテトラフェニルボレート等のフェニルボロン塩等などが挙げられ、これらの1種を単独で用いても2種以上を組合わせて用いてもよい。
Mg1−XAlX(OH)2(CO3)X/2・mH2O (I)
(式(I)中、0<X≦0.5、mは正の数)
(化2)
BiOx(OH)y(NO3)z (II)
(式(II)中、0.9≦x≦1.1、 0.6≦y≦0.8、
0.2≦z≦0.4)
これらイオントラップ剤の添加量としてはハロゲンイオンなどの陰イオンを捕捉できる十分量であれば特に制限はないが、耐マイグレーション性の観点から液状樹脂組成物に対して0.1質量%以上3.0質量%以下が好ましく、さらに好ましくは0.3質量%以上1.5質量%以下である。イオントラップ剤の平均粒径は0.1μm以上3.0μm以下が好ましく、最大粒径は10μm以下が好ましい。なお、上記式(I)の化合物は市販品として協和化学工業株式会社製商品名DHT−4Aとして入手可能である。また、上記式(II)の化合物は市販品としてIXE500(東亞合成株式会社製商品名)として入手可能である。また必要に応じてその他の陰イオン交換体を添加することもできるたとえば、マグネシウム、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、アンチモン等から選ばれる元素の含水酸化物等が挙げられ、これらを単独又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
p(M1 aOb)・q(M2 cOd)・r(M3 cOd)・mH2O
(III)
(組成式(III)で、M1、M2及びM3は互いに異なる金属元素を示し、a、b、c、d、p、q及びmは正の数、rは0又は正の数を示す。)
上記組成式(III)中のM1、M2及びM3は互いに異なる金属元素であれば特に制限はないが、難燃性の観点からは、M1が第3周期の金属元素、IIA族のアルカリ土類金属元素、IVB族、IIB族、VIII族、IB族、IIIA族及びIVA族に属する金属元素から選ばれ、M2がIIIB〜IIB族の遷移金属元素から選ばれることが好ましく、M1がマグネシウム、カルシウム、アルミニウム、スズ、チタン、鉄、コバルト、ニッケル、銅及び亜鉛から選ばれ、M2が鉄、コバルト、ニッケル、銅及び亜鉛から選ばれることがより好ましい。流動性の観点からは、M1がマグネシウム、M2が亜鉛又はニッケルで、r=0のものが好ましい。p、q及びrのモル比は特に制限はないが、r=0で、p/qが1/99〜1/1であることが好ましい。なお、金属元素の分類は、典型元素をA亜族、遷移元素をB亜族とする長周期型の周期律表に基づいて行った。上記した難燃剤は1種を単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
諸元は、チップサイズ20×20×0.55tmm(回路はアルミのデイジーチェーン接続、パッシベーション:日立化成デュポンマイクロシステムズ製ポリイミド膜商品名HD4000)、バンプ:はんだボール(Sn−Ag−Cu、Φ80μm、 7,744pin、)、バンプピッチ:190μm、基板:FR−5(日立化成工業製ソルダーレジスト商品名SR7000、60×60×0.8tmm)、チップ/基板間のギャップ:50μmである。
諸元は、チップサイズ20×20×0.55tmm(誘電率2.7の誘電体層を3層形成、回路はアルミのデイジーチェーン接続、パッシベーション:ポリイミド膜HD4000,日立化成デュポンマイクロシステムズ製商品名)、バンプ:はんだボール(Sn−Ag−Cu、Φ80μm、7,744pin、)、バンプピッチ:190μm、基板:FR−5(日立化成工業製ソルダーレジスト商品名SR7000、60×60×0.8tmm)、チップ/基板間のギャップ:50μmである。
電子部品用液状樹脂組成物の25℃での粘度をE型粘度計(コーン角度3°、回転数5rpm)を用いて測定した。
電子部品用液状樹脂組成物の25℃での表面張力を表面張力測定器DCAT11(英弘精機株式会社製)を用い、プレート法(19.9mm×10mm×0.2mm、白金−イリジウム製ウィルヘルミプレート)により測定した。
ソルダーレジストSR7000(日立化成工業製商品名)の表面に電子部品用液状樹脂組成物を直径3mm高さ3mmに成形した試験片を作製し、ボンドテスターDS100型(DAGE製)を用いて、ヘッドスピード50μm/sec、25℃の条件でせん断応力をかけ、成形品がソルダーレジストから剥離する強度を測定した。この測定は、試験片成形直後、及び130℃、85%RHのHAST(高度加速寿命試験、Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test)条件下で150h処理後に行った。
感光性ポリイミドHD4000(日立化成デュポンマイクロシステムズ製商品名)の表面に電子部品用液状樹脂組成物を直径3mm高さ3mmに成形した試験片を作製し、ボンドテスターDS100型(DAGE製)を用いて、ヘッドスピード50μm/sec、25℃の条件でせん断応力をかけ、成形品が感光性ポリイミドから剥離する強度を測定した。この測定は、試験片成形直後、及び130℃、85%RHのHAST条件下で150h処理後に行った。
半導体装置を110℃に加熱したホットプレート上に置き、デイスペンサーを用いて電子部品用液状樹脂組成物の所定量をチップの側面(1辺)に滴下し、樹脂組成物が対向する側面に浸透するまでの時間を測定した。
電子部品用液状樹脂組成物をアンダーフィル及び硬化した半導体装置の内部を超音波探傷装置AT−5500(日立建機製)で観察し、ボイドの有無を調べた。
電子部品用液状樹脂組成物をアンダーフィル及び硬化した半導体装置を120℃/12時間加熱乾燥した後、85℃、60%RH下で168時間吸湿させ、遠赤外線加熱方式のリフロー炉(予熱150℃〜180℃で50秒、ピーク温度260℃、250℃以上の加熱時間40秒)中を3回通した後、内部を超音波探傷装置で観察し、樹脂硬化物とチップ及び基板との剥離、樹脂硬化物のクラックの有無を調べ不良パッケージ数/評価パッケージ数で評価した。
電子部品用液状樹脂組成物をアンダーフィル及び硬化した半導体装置を−50℃〜150℃、各30分のヒートサイクルで1000サイクル処理し、導通試験を行いアルミ配線及びパッドの断線不良を調べ、不良パッケージ数/評価パッケージ数で評価した。
電子部品用液状樹脂組成物をアンダーフィル及び硬化した半導体装置を130℃、85%RHのHAST条件下で150h処理後、アルミ配線及びパッドの断線有無を導通試験より確認し、不良パッケージ数/評価パッケージ数で評価した。
(A)液状エポキシ樹脂としてビスフェノールFをエポキシ化して得られるエポキシ当量160の液状ジエポキシ樹脂(エポキシ樹脂1、ジャパンエポキシレジン株式会社製商品名jER806)、アミノフェノールをエポキシ化して得られるエポキシ当量95の3官能液状エポキシ樹脂(エポキシ樹脂2、ジャパンエポキシレジン株式会社製商品名jER630)を用意した。
Claims (12)
- 電子部品の封止に用いられる電子部品用液状樹脂組成物であって、(A)液状エポキシ樹脂、(B)液状芳香族アミンを含む硬化剤、(C)非イオン性界面活性剤、(D)無機充填剤を含有し、前記(C)非イオン性界面活性剤は、エポキシ基と反応する官能基を有するオルガノシロキサンと常温で液体のエポキシ樹脂との反応で得られる、常温で液体のシリコーン変性エポキシ樹脂であり、前記オルガノシロキサンが、重量平均分子量500以上5000以下である電子部品用液状樹脂組成物。
- 配線基板上に電子部品を直接バンプ接続する電子部品装置に用いられる請求項1記載の電子部品用液状樹脂組成物。
- バンプが鉛を含まない金属である請求項2記載の電子部品用液状樹脂組成物。
- 電子部品の長辺の長さが5mm以上であり、かつ電子部品装置を構成する配線基板と前記電子部品のバンプ接続面の距離が80μm以下である請求項2または3記載の電子部品用液状樹脂組成物。
- 電子部品の長辺の長さが5mm以上であり、かつ前記電子部品が誘電率3.0以下の誘電体層を有する半導体素子である請求項2〜4いずれかに記載の電子部品用液状樹脂組成物。
- さらに硬化促進剤を含有し、前記硬化促進剤がイミダゾール誘導体である請求項1〜5いずれかに記載の電子部品用液状樹脂組成物。
- 前記硬化促進剤が、フェニル基及び水酸基を置換基として有するイミダゾール誘導体である請求項6記載の電子部品用液状樹脂組成物。
- 前記イミダゾール誘導体が、マイクロカプセル化されたイミダゾール誘導体である請求項6または7記載の電子部品用液状樹脂組成物。
- 請求項1〜8のいずれかに記載の電子部品用液状樹脂組成物により封止された電子部品を備えた電子部品装置。
- バンプが鉛を含まない金属である請求項9記載の電子部品装置。
- 電子部品の長辺の長さが5mm以上であり、かつ電子部品装置を構成する配線基板と前記電子部品のバンプ接続面の距離が80μm以下である請求項9または10記載の電子部品装置。
- 電子部品の長辺の長さが5mm以上であり、かつ前記電子部品が誘電率3.0以下の誘電体層を有する半導体素子である請求項2〜11いずれかに記載の電子部品装置。
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