JP5129645B2 - 部品内蔵配線基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、内部にコンデンサなどの部品が収容されている部品内蔵配線基板の製造方法に関するものである。

コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路素子（ＩＣチップ）は、近年ますます高速化、高機能化しており、これに付随して端子数が増え、端子間ピッチも狭くなる傾向にある。一般的にＩＣチップの底面には多数の端子が密集してアレイ状に配置されており、このような端子群はマザーボード側の端子群に対してフリップチップの形態で接続される。ただし、ＩＣチップ側の端子群とマザーボード側の端子群とでは端子間ピッチに大きな差があることから、ＩＣチップをマザーボード上に直接的に接続することは困難である。そのため、通常はＩＣチップをＩＣチップ搭載用配線基板上に搭載してなるパッケージを作製し、そのパッケージをマザーボード上に搭載するという手法が採用される。この種のパッケージを構成するＩＣチップ搭載用配線基板においては、ＩＣチップのスイッチングノイズの低減や電源電圧の安定化を図るために、コンデンサ（「キャパシタ」とも言う）を設けることが提案されている。その一例として、高分子材料製のコア基板内にチップ状のコンデンサを埋め込むとともに、そのコア基板の表面及び裏面にビルドアップ層を形成した配線基板が従来提案されている（例えば、特許文献１参照）。

上記従来の配線基板の製造方法の一例を以下に説明する。まず、コア主面２０１及びコア裏面２０２の両方にて開口する収容穴部２０３を有する高分子材料製のコア基板２０４（図２３参照）を準備する。併せて、コンデンサ主面２０５及びコンデンサ裏面２０６にそれぞれ複数の表面電極２０７を突設したコンデンサ２０８（図２３参照）を準備する。次に、コア裏面２０２側に粘着テープ２０９を貼り付けるテーピング工程を行い、収容穴部２０３のコア裏面２０２側の開口をあらかじめシールする。そして、収容穴部２０３内にコンデンサ２０８を収容する収容工程を行い、コンデンサ裏面２０６を粘着テープ２０９の粘着面に貼り付けて仮固定する（図２３参照）。

次に、コア主面２０１及びコンデンサ主面２０５に高分子材料を主体とする樹脂絶縁層２１０を形成する（図２４参照）。併せて、樹脂絶縁層２１０の一部により、収容穴部２０３の内壁面とコンデンサ２０８の側面との隙間を埋めて、コンデンサ２０８を固定する（図２４参照）。そして、この時点で、粘着テープ２０９を剥離する。次に、コア裏面２０２及びコンデンサ裏面２０６に高分子材料を主体とする樹脂絶縁層２１１を形成する（図２５参照）。さらに、レーザー孔あけ加工を行い、樹脂絶縁層２１０，２１１をそれぞれ貫通するビア孔を複数箇所に形成し、表面電極２０７を露出させる。そして、樹脂絶縁層２１０，２１１及びビア孔の内面に対する無電解銅めっきを行った後にエッチングレジストを形成し、次いで電解銅めっきを行う。さらに、エッチングレジストを除去してソフトエッチングを行う。これにより、樹脂絶縁層２１０，２１１上に導体層２１３がパターン形成されるとともに、各ビア孔の内部にビア導体２１２が形成される（図２５参照）。

この後、樹脂絶縁層２１０，２１１に対して、樹脂絶縁層の形成及び導体層の形成を交互に行うことで、ビルドアップ層を形成する。その結果、所望の配線基板が得られる。
特開２００６−３５１７８２号公報（図１など）

ところが、コア基板２０４やコンデンサ２０８には、形成時に生じる反りなどに起因して、厚さのバラツキが生じやすい。また、コンデンサ２０８は、一般的にコア基板２０４よりも薄く形成されるため、コア主面２０１とコンデンサ主面２０５との間に段差が生じてしまう。よって、コア基板２０４上及びコンデンサ２０８上に樹脂絶縁層２１０，２１１を形成すると、樹脂絶縁層２１０，２１１の厚さや、樹脂絶縁層２１０，２１１に形成されるビア孔の深さにもバラツキが生じてしまう。従って、上記したレーザー孔あけ加工を行ってビア孔を複数箇所に形成しようとすると、レーザーの出力の調節が困難になる。即ち、樹脂絶縁層２１０，２１１において薄くなっている部分にビア孔を形成する場合、樹脂絶縁層２１０，２１１を通過したレーザーは、出力が高いままの状態で表面電極２０７に照射されるため、条件によっては、表面電極２０７が発熱して溶融してしまう可能性がある。一方、樹脂絶縁層２１０，２１１において厚くなっている部分（例えば、樹脂絶縁層２１０においてコンデンサ主面２０５上の部分）にビア孔を形成する場合、樹脂絶縁層２１０，２１１を通過するレーザーが表面電極２０７まで到達しないため、表面電極２０７の上面に樹脂が残るなどして、表面電極２０７を上手く露出させることができない可能性がある。また、樹脂絶縁層２１０，２１１において厚くなっている部分にビア孔を形成すると、ビア孔が深くなるため、ビア孔内に形成されるビア導体２１２は、アスペクト比（ビア導体２１２の厚さ／ビア導体２１２の直径）が大きくなり、細長くなる。このため、ビア孔内にビア導体２１２を完全に充填することは困難であるし、仮に、完全に充填しようとすれば生産性が低下してしまう。

その結果、ビア孔内にビア導体２１２を形成したとしても、ビア導体２１２の端部を表面電極２０７に上手く接続できないため、ビア導体２１２と表面電極２０７との導通を図ることが困難になる。この場合、製造される配線基板が不良品となるため、配線基板の信頼性が低下するおそれがある。

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、部品と層間絶縁層とを確実に接続することにより、信頼性に優れた部品内蔵配線基板の製造方法を提供することにある。

そして上記課題を解決するための手段（手段１）としては、コア主面及びコア裏面を有し、少なくとも前記コア裏面にて開口する収容穴部を有するコア基板を準備するコア基板準備工程と、部品主面、部品裏面及び部品側面を有する部品本体、前記部品裏面上に突設された複数の突設導体を有する部品を準備する部品準備工程と、前記コア基板準備工程及び前記部品準備工程後、前記コア裏面と前記部品裏面とを同じ側に向けた状態で、前記収容穴部内に前記部品を収容する収容工程と、前記収容工程後、前記複数の突設導体の頂部の表面と、前記コア裏面上に形成された導体層の表面とを同じ高さに合わせるべく前記頂部及び前記導体層の少なくとも一方を機械的に除去する高さ合わせ工程とを含むことを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法がある。

従って、手段１の部品内蔵配線基板の製造方法によると、高さ合わせ工程を行って、複数の突設導体の頂部の表面と、コア裏面上に形成された導体層の表面とを同じ高さに合わせているため、厚さのバラツキの小さい裏面側層間絶縁層を形成することができる。よって、上記の裏面側層間絶縁層を貫通するビア導体用のビア孔を複数形成する場合、ビア孔の深さのバラツキが小さくなるため、各ビア孔内にビア導体を確実に形成することができる。その結果、突設導体とビア導体とを確実に導通させることができるため、不良品の発生を防止でき、信頼性に優れた部品内蔵配線基板を得ることができる。

以下、手段１の部品内蔵配線基板の製造方法について説明する。

コア基板準備工程では、上記部品内蔵配線基板を構成するコア基板を、従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。部品内蔵配線基板を構成するコア基板は、例えばコア主面及びその反対側に位置するコア裏面を有する板状に形成されており、部品を収容するための収容穴部を有している。収容穴部は、コア裏面側のみにて開口する非貫通穴であってもよく、あるいはコア主面側及びコア裏面側の両方にて開口する貫通穴であってもよい。

コア基板を形成する材料は特に限定されないが、好ましいコア基板は高分子材料を主体として形成される。コア基板を形成するための高分子材料の具体例としては、例えば、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド・トリアジン樹脂）、ＰＰＥ樹脂（ポリフェニレンエーテル樹脂）などがある。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料を使用してもよい。

また、部品準備工程では、上記部品内蔵配線基板を構成する部品を、従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。部品は、部品主面、部品裏面及び部品側面を有する部品本体、及び、前記部品裏面上に突設された複数の突設導体を有している。部品の形状は、任意に設定することが可能であるが、例えば、部品主面の面積が部品側面の面積よりも大きい板状などに設定される。また、部品の平面視での形状としては、複数の辺を有する平面視多角形状であることが好ましい。平面視多角形状としては、例えば、平面視略矩形状、平面視略三角形状、平面視略六角形状などを挙げることができるが、特には、一般的な形状である平面視略矩形状であることが好ましい。ここで、「平面視略矩形状」とは、平面視で完全な矩形状のみをいうのではなく、角部が面取りされた形状や、辺の一部が曲線となっている形状も含むものとする。

なお、好適な前記部品としては、コンデンサ、半導体集積回路素子（ＩＣチップ）、半導体製造プロセスで製造されたＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子などを挙げることができる。ここで、「半導体集積回路素子」とは、主としてコンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される素子をいう。

また、好適なコンデンサの例としては、チップコンデンサや、誘電体層を介して複数の内部電極層が積層配置された構造を有するコンデンサ本体、前記複数の内部電極層に接続される複数のコンデンサ内ビア導体、前記複数のコンデンサ内ビア導体における少なくとも前記部品裏面側の端部に接続された複数の表面電極、及び、前記複数の表面電極上に突設された複数の突設導体を備えるコンデンサなどを挙げることができる。なお、コンデンサは、前記複数のコンデンサ内ビア導体が全体としてアレイ状に配置されたビアアレイタイプのコンデンサであることが好ましい。このような構造であれば、コンデンサのインダクタンスの低減化が図られ、ノイズ吸収や電源変動平滑化のための高速電源供給が可能となる。また、コンデンサ全体の小型化が図りやすくなり、ひいては部品内蔵配線基板全体の小型化も図りやすくなる。しかも、小さいわりに高静電容量が達成しやすく、より安定した電源供給が可能となる。

コンデンサを構成する前記誘電体層としては、セラミック誘電体層、樹脂誘電体層、セラミック−樹脂複合材料からなる誘電体層などが挙げられる。前記セラミック誘電体層としては、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ほう素、炭化珪素、窒化珪素などといった高温焼成セラミックの焼結体が好適に使用されるほか、ホウケイ酸系ガラスやホウケイ酸鉛系ガラスにアルミナ等の無機セラミックフィラーを添加したガラスセラミックのような低温焼成セラミックの焼結体が好適に使用される。この場合、用途に応じて、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ストロンチウムなどの誘電体セラミックの焼結体を使用することも好ましい。誘電体セラミックの焼結体を使用した場合、静電容量の大きなコンデンサを実現しやすくなる。また、前記樹脂誘電体層としては、エポキシ樹脂、接着剤を含んだ四フッ化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）などの樹脂が好適に使用される。さらに、前記セラミック−樹脂複合材料からなる誘電体層としては、セラミックとして、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ストロンチウムなどが好適に使用され、樹脂材料として、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステルなどの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂、及び、ニトリルブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、フッ素ゴムなどのラテックスが好適に使用される。

前記内部電極層、前記コンデンサ内ビア導体、前記表面電極としては特に限定されないが、例えば誘電体層がセラミック誘電体層である場合にはメタライズ導体であることが好ましい。なお、メタライズ導体は、金属粉末を含む導体ペーストを従来周知の手法、例えばメタライズ印刷法で塗布した後に焼成することにより、形成される。同時焼成法によってメタライズ導体及びセラミック誘電体層を形成する場合、メタライズ導体中の金属粉末は、セラミック誘電体層の焼成温度よりも高融点である必要がある。例えば、セラミック誘電体層がいわゆる高温焼成セラミック（例えばアルミナ等）からなる場合には、メタライズ導体中の金属粉末として、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）等やそれらの合金が選択可能である。セラミック誘電体層がいわゆる低温焼成セラミック（例えばガラスセラミック等）からなる場合には、メタライズ導体中の金属粉末として、銅（Ｃｕ）または銀（Ａｇ）等やそれらの合金が選択可能である。

前記部品を構成する前記複数の突設導体は、前記部品裏面上にて突設されている。複数の突設導体は、前記部品裏面上に加え、さらに前記部品主面上にて突設されていてもよい。また、複数の突設導体は、前記部品裏面上に直接突設されていてもよいし、前記部品裏面上に配置された前記複数の表面電極上に突設されていてもよい。なお、突設導体は、導電性の金属材料などによって形成することが可能である。突設導体を構成する金属材料としては、例えば銅、銀、鉄、コバルト、ニッケルなどが挙げられる。

突設導体が例えば金属材料からなる場合、前記複数の突設導体は、めっきによって形成されることが好ましい。このようにすれば、突設導体を簡単かつ低コストで形成することができる。しかし、複数の突設導体は、金属ペーストを印刷することによって形成されていてもよいし、金属箔を貼付する工程のみを行うことによって形成されていてもよいし、突設導体よりも大きい金属箔を貼付した後、金属箔に対するエッチングを行うことによって形成されていてもよい。さらに、複数の突設導体を形成する別の方法としては、突設導体の焼成を、前記誘電体層や部品を構成する導体（前記内部電極層、前記コンデンサ内ビア導体、前記表面電極）の焼成と同時に行う同時焼成法などが挙げられる。また、誘電体層や上記の部品を構成する導体の焼成を行った後で、突設導体の焼成を行う後焼成法などを採用することもできる。なお、同時焼成法によって突設導体を形成すれば、部品の製造に必要な工数が減るため、部品を容易にかつ低コストで形成できる。

また、前記複数の突設導体が、前記複数の表面電極上にて突設される場合、前記複数の突設導体の厚さは、前記複数の表面電極の厚さよりも大きいことが好ましく、具体的には、前記高さ合わせ工程前において、１００μｍ以上３００μｍ以下に設定されることが好ましく、１８０μｍ以上２００μｍ以下であることがより好ましい。仮に、複数の突設導体の厚さが１００μｍ未満であると、前記収容穴部内に前記部品を収容した際に各突設導体が前記コア裏面から突出しにくくなるため、突設導体の頂部を除去して頂部の表面と導体層の表面とを同じ高さに合わせる工程を行うことが困難になる。一方、複数の突設導体の厚さが３００μｍよりも大きいと、突設導体の頂部の除去（研磨など）に時間が掛かってしまい、部品の生産性が低下してしまう。

さらに、前記複数の突設導体が、前記部品裏面上に配置された複数の表面電極上にて突設されている場合、前記複数の突設導体の直径は、前記複数の表面電極の直径と等しいことが好ましい。このようにすれば、突設導体の直径が表面電極の直径よりも小さい場合に比べて、突設導体の断面積が大きくなるため、突設導体の低抵抗化が図られるとともに、突設導体の導電性が向上する。また、突設導体の直径が表面電極の直径と等しいため、通常、互いに隙間を有した状態で配置される複数の表面電極上にそれぞれ突設導体を突設すれば、隣接する突設導体同士が必ず隙間を有した状態で配置される。従って、突設導体同士の接触による短絡を防止できる。

なお、前記部品準備工程は、前記部品主面、前記部品裏面及び前記部品側面のうち少なくとも前記部品裏面を覆う樹脂被覆層を形成する樹脂被覆層形成工程を含んでいることが好ましい。この場合、前記高さ合わせ工程では、前記頂部の表面を研磨すると同時に前記部品裏面を覆う樹脂被覆層を研磨することが好ましい。このようにすれば、樹脂被覆層形成工程を行うことによって、部品裏面を覆う樹脂被覆層の少なくとも一部が複数の突設導体間に配置された状態となる。これにより、複数の突設導体が部品裏面を覆う樹脂被覆層の一部によって固定されるため、高さ合わせ工程を行う際に各突設導体に大きな力が掛かったとしても、各突設導体の破損を防止することができる。また、高さ合わせ工程では、頂部の研磨と同時に、樹脂被覆層の研磨が行われる。これにより、高さ合わせ工程が簡略化されるため、部品内蔵配線基板を容易に製造できるとともに、低コスト化を図ることができる。

前記樹脂被覆層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。樹脂被覆層を形成するための高分子材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。そのほか、これらの樹脂にガラスフィラーを添加した材料等を使用してもよい。

ここで、前記部品裏面を覆う樹脂被覆層の厚さは、前記複数の突設導体の厚さ以上であることが好ましい。即ち、各突設導体の頂部の表面は、樹脂被覆層によって覆われていてもよいし、樹脂被覆層の外側面から露出していてもよい。仮に、部品裏面を覆う樹脂被覆層の厚さが複数の突設導体の厚さよりも小さいと、樹脂被覆層の表面から各突設導体の頂部が突出してしまうため、高さ合わせ工程において各突設導体に大きな力がかかった際に、各突設導体が破損しやすくなる。なお、部品裏面を覆う樹脂被覆層の厚さが複数の突設導体の厚さよりも大きすぎると、樹脂被覆層の除去（研磨など）に時間がかかってしまい、部品の生産性が低下してしまう。

また、前記樹脂被覆層は、部品裏面のみを覆っていてもよいし、部品裏面に加えて、部品主面及び部品側面の少なくとも一方を覆っていてもよい。なお、樹脂被覆層が部品側面を覆うようにすれば、収容穴部と部品との間に生じる隙間が小さくなるため、高さ合わせ工程において部品に大きな力がかかったとしても、部品の破損を防止することができる。

続く収容工程では、前記コア裏面と前記部品裏面とを同じ側に向けた状態で、前記収容穴部内に前記部品を収容する。なお、部品は、完全に埋設された状態で収容穴部内に収容されてもよいし、一部分が収容穴部の開口部から突出した状態で収容穴部内に収容されてもよい。さらに、収容穴部がコア主面側及びコア裏面側の両方にて開口する貫通穴である場合、前記収容工程を、前記コア主面及び前記コア裏面の両方にて開口する前記収容穴部の前記コア主面側開口を粘着面を有する粘着テープで塞いだ状態で行い、前記高さ合わせ工程後に前記粘着テープを除去してもよい。

なお、前記収容工程後かつ前記高さ合わせ工程前に、前記コア裏面上及び前記部品裏面上に樹脂層を形成するともに、前記樹脂層の一部で前記収容穴部の内壁面と前記部品側面との隙間を埋める樹脂層形成工程と、前記樹脂層形成工程後、前記樹脂層を硬化させて前記部品を固定する固定工程とを行い、前記高さ合わせ工程では、前記頂部の表面を研磨すると同時に前記樹脂層を研磨することが好ましい。このようにした場合、高さ合わせ工程を行う前にあらかじめ樹脂層によって部品を固定できるため、高さ合わせ工程を行う際に部品に大きな力がかかったとしても、部品の破損を防止することができる。しかも、樹脂層で上記の隙間を収容穴部の底部まで埋めることができるため、ボイド等の発生を防止することができる。ゆえに、信頼性に優れた部品内蔵配線基板を得ることができる。さらに、高さ合わせ工程では、頂部の表面の研磨と同時に、樹脂層の研磨が行われる。これにより、高さ合わせ工程が簡略化されるため、部品内蔵配線基板を容易に製造できるとともに、低コスト化を図ることができる。

前記樹脂層は、前記部品を固定するためのものであり、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。樹脂層を形成するための高分子材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂などが挙げられる。また、樹脂層を形成するための高分子材料の別の好適例としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂が挙げられる。さらに、樹脂層を形成するための高分子材料として、上記の熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂にガラスフィラーを添加した材料等を使用してもよい。

ここで、前記樹脂層を形成する方法としては、前記コア裏面上及び前記部品裏面上に対して樹脂材を塗布する（または吹き付ける）ことにより、樹脂層を形成する方法、前記コア裏面上及び前記部品裏面上に対して樹脂シートを貼付することにより、樹脂層を形成する方法、前記コア裏面上及び前記部品裏面上に、樹脂層の形成予定位置に開口部を有するマスクを積層配置した後、マスクを介して樹脂を印刷することにより、樹脂層を形成する方法などが挙げられる。

なお、前記部品側面が前記樹脂被覆層によって覆われている場合、部品側面を覆う樹脂被覆層の表面は、部品側面と平行に配置されることが好ましい。仮に、部品側面と平行でないと、部品側面を覆う樹脂被覆層の表面が収容穴部の内壁面に対して傾斜した状態となってしまい、部品側面を覆う樹脂被覆層の表面と収容穴部の内壁面との隙間に樹脂層の一部を上手く充填できなくなる可能性がある。

前記固定工程では、前記樹脂層の一部で前記隙間を埋めた状態で、前記樹脂層を硬化させて前記部品を固定する。なお、樹脂層が熱硬化性樹脂である場合、樹脂層を硬化させる工程としては、未硬化状態の樹脂層を加熱することなどが挙げられる。また、樹脂層が熱可塑性樹脂である場合、樹脂層を硬化させる工程としては、前記樹脂層形成工程において加熱された樹脂層を冷却することなどが挙げられる。

続く高さ合わせ工程では、前記複数の突設導体の頂部の表面と、前記コア裏面上に形成された導体層の表面とを同じ高さに合わせる。その後、前記コア主面上に主面側配線積層部を形成したり、前記コア裏面上に裏面側配線積層部を形成したりすれば、部品内蔵配線基板が完成する。

なお、前記高さ合わせ工程において、前記複数の突設導体の頂部の表面と、前記コア裏面上に形成された導体層の表面とを同じ高さに合わせる方法としては、前記複数の突設導体を低くすることにより、頂部の表面と導体層の表面とを同じ高さに合わせる方法や、導体層を薄くすることにより、頂部の表面と導体層の表面とを同じ高さに合わせる方法や、前記複数の突設導体を高くすることにより、頂部の表面と導体層の表面とを同じ高さに合わせる方法や、導体層を厚くすることにより、頂部の表面と導体層の表面とを同じ高さに合わせる方法などを挙げることができる。上記の中でも、前記複数の突設導体を低くすることにより、前記頂部の表面と前記導体層の表面とを同じ高さに合わせることが好ましい。仮に、導体層を薄くすることにより、頂部の表面と導体層の表面とを同じ高さに合わせようとすると、一般的に元々薄い導体層をさらに薄くしなければならないため、導体層を薄くしたとしても、頂部の表面と導体層の表面とを同じ高さに合わせることができない可能性がある。また、複数の突設導体を高くしたり、導体層を厚くしたりすることにより、頂部の表面と導体層の表面とを同じ高さに合わせる場合、突設導体の頂部の表面や導体層の表面に導体ペーストを印刷するなどの工程が必要となるため、部品内蔵配線基板の製造が複雑になるとともに、部品内蔵配線基板の製造コストが上昇してしまう。なお、前記複数の突設導体を低くすることにより、頂部の表面と導体層の表面とを同じ高さに合わせる場合、前記部品は前記コア基板よりも薄く形成されるとともに、前記複数の突設導体は、前記収容穴部内に前記部品が収容された状態で前記コア裏面から突出する程度の厚さに形成されることがよい。このようにすれば、各突設導体を低くする加工（研磨など）を確実に行うことができる。

手段１の製造方法において、前記複数の突設導体を低くしたり、導体層を薄くしたりするなどして、頂部の表面と導体層の表面とを同じ高さに合わせる方法としては、前記頂部及び前記導体層の少なくとも一方を機械的に除去する方法が採用される。このようにすれば、頂部及び導体層の少なくとも一方を化学的に除去する場合よりも低コストかつ簡単に高さ合わせ工程を行うことができる。

なお、前記頂部及び前記導体層の少なくとも一方を機械的に除去する方法としては、前記頂部の一部及び前記導体層の一部の少なくとも一方を切断する方法や、前記頂部の表面及び前記導体層の表面の少なくとも一方を研磨する方法などが挙げられる。前記頂部の表面及び前記導体層の表面の少なくとも一方を研磨する方法としては、サンドペーパーを取り付けたベルトサンダー装置による研磨、円板状の不織布などの外周面に研磨剤を塗布し、回転させながら頂部の表面や導体層の表面に押し当てるバフ研磨などが挙げられる。なお、サンドペーパーの研磨面の算術平均粗さ、及び、研磨剤の粒径は、頂部の表面や導体層の表面の研磨後における算術平均粗さの値と等しいことが好ましい。

前記高さ合わせ工程では、硬化状態の樹脂材を前記複数の突設導体間に配置した状態で、前記頂部の表面を研磨することが好ましい。このようにすれば、複数の突設導体が硬化状態の樹脂材によって固定されるため、高さ合わせ工程を行う際に各突設導体に大きな力がかかったとしても、各突設導体の破損を防止することができる。ここで、樹脂材としては、前記部品裏面を覆う樹脂被覆層や、前記樹脂層などが挙げられる。

なお、前記高さ合わせ工程後に、前記コア裏面及び前記部品裏面上に裏面側層間絶縁層を形成する裏面側層間絶縁層形成工程と、レーザー孔あけ加工を行って、前記裏面側層間絶縁層を貫通するビア孔を形成し、前記頂部の表面を露出させるビア孔形成工程と、前記ビア孔の内部にビア導体を形成するビア導体形成工程とを行うことがよい。このようにすれば、高さ合わせ工程において平坦化された前記コア裏面及び前記部品裏面上に裏面側層間絶縁層を形成するため、裏面側層間絶縁層の厚さのバラツキを小さくすることができる。よって、ビア孔形成工程においてビア孔を複数形成する場合、ビア孔の深さのバラツキが小さくなるため、ビア導体形成工程において各ビア孔内にビア導体を確実に形成することができる。その結果、突設導体とビア導体とを確実に導通させることができるため、不良品の発生を防止でき、信頼性に優れた部品内蔵配線基板を得ることができる。

また、前記樹脂被覆層及び前記樹脂層は、裏面側層間絶縁層形成工程によって形成される前記裏面側層間絶縁層と同じ材料によって形成されていてもよいし、前記裏面側層間絶縁層とは異なる材料によって形成されていてもよいが、前記裏面側層間絶縁層と同じ材料によって形成されていることが好ましい。このようにすれば、樹脂被覆層や樹脂層の形成に際して裏面側層間絶縁層とは別の材料を準備しなくても済む。よって、部品内蔵配線基板の製造に必要な材料が少なくなるため、部品内蔵配線基板の低コスト化を図ることが可能となる。

なお、「前記裏面側層間絶縁層と同じ材料」とは、前記裏面側層間絶縁層を形成する高分子材料と同じ高分子材料であって、前記裏面側層間絶縁層と同じ熱膨張係数を有する材料をいう。よって、樹脂被覆層や樹脂層と、裏面側層間絶縁層との間に熱膨張係数差が生じにくくなるため、各層間でのデラミネーションの発生を防止できる。ゆえに、部品内蔵配線基板の信頼性がよりいっそう高くなる。

ここで、「熱膨張係数」とは、厚み方向（Ｚ方向）に対して垂直な方向（ＸＹ方向）の熱膨張係数のことを意味し、０℃〜１００℃の間のＴＭＡ（熱機械分析装置）にて測定した値のことをいう。「ＴＭＡ」とは、熱機械的分析をいい、例えばＪＰＣＡ−ＢＵ０１に規定されるものをいう。

また、本発明の課題を解決するための別の手段（手段２）としては、コア主面及びコア裏面を有するとともに、少なくとも前記コア裏面にて開口する収容穴部を有し、前記コア主面上にコア主面側導体層が形成されるとともに、前記コア裏面上にコア裏面側導体層が形成されるコア基板と、部品主面、部品裏面及び部品側面を有する部品本体、前記部品裏面上に突設された複数の突設導体を有し、前記コア裏面と前記部品裏面とを同じ側に向けた状態で前記収容穴部に収容された部品と、主面側層間絶縁層及び主面側導体層を前記コア主面上にて積層した構造を有するとともに、半導体集積回路素子を搭載可能な半導体集積回路素子搭載領域が表面に設定された主面側配線積層部と、裏面側層間絶縁層及び裏面側導体層を前記コア裏面上にて積層した構造を有し、母基板に接続可能な接続端子部が表面に形成された裏面側配線積層部とを備える部品内蔵配線基板であって、前記コア裏面側導体層の表面及び前記複数の突設導体の頂部の表面が同一平面上に位置するとともに、前記コア裏面側導体層の表面及び前記頂部の表面の算術平均粗さが、前記コア主面側導体層の表面の算術平均粗さよりも粗くなっており、前記コア裏面側導体層は、前記コア主面側導体層よりも薄くなっていることを特徴とする部品内蔵配線基板がある。

従って、手段２によると、コア裏面側導体層の表面及び複数の突設導体の頂部の表面が同一平面上に位置しているため、コア裏面上に形成される裏面側層間絶縁層の厚さのバラツキを小さくすることができる。よって、上記の裏面側層間絶縁層内にビア導体を複数形成する場合、ビア導体が形成されるビア孔の深さのバラツキが小さいため、ビア導体を確実に形成させることができる。その結果、突設導体とビア導体とを確実に導通させることができるため、不良品の発生を防止でき、信頼性に優れた部品内蔵配線基板を得ることができる。

なお、最もコア裏面側に位置する裏面側層間絶縁層は、厚さのバラツキが５μｍ以下であることが好ましく、特には２μｍ以下であることが好ましい。また、上記の場合、最もコア裏面側に位置する裏面側層間絶縁層の内部にビア導体が形成されることがよい。仮に、厚さのバラツキが５μｍよりも大きいと、最もコア裏面側に位置する裏面側層間絶縁層に複数のビア孔を形成した場合に、ビア孔の深さのバラツキをさほど小さくすることができない。ゆえに、ビア孔内にビア導体を確実に形成することができず、突設導体とビア導体とを確実に導通させることができないため、部品内蔵配線基板の信頼性が低下してしまう。

前記主面側配線積層部を構成する主面側層間絶縁層、及び、前記裏面側配線積層部を構成する裏面側層間絶縁層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。主面側層間絶縁層及び裏面側層間絶縁層を形成するための高分子材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料、あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等を使用してもよい。

なお、本明細書で述べられている「算術平均粗さ」とは、ＪＩＳ Ｂ０６０１で定義されている算術平均粗さＲａである。なお、算術平均粗さＲａの測定方法はＪＩＳ Ｂ０６５１に準じるものとする。

以下、本発明の部品内蔵配線基板を具体化した一実施形態を図面に基づき詳細に説明する。

図１に示されるように、本実施形態の部品内蔵配線基板（以下「配線基板」という）１０は、ＩＣチップ搭載用の配線基板である。配線基板１０は、略矩形板状のコア基板１１と、コア基板１１のコア主面１２（図１では上面）上に形成される主面側ビルドアップ層３１（主面側配線積層部）と、コア基板１１のコア裏面１３（図１では下面）上に形成される裏面側ビルドアップ層３２（裏面側配線積層部）とからなる。

コア基板１１のコア主面１２上に形成された主面側ビルドアップ層３１は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる２層の主面側樹脂絶縁層３３，３５（いわゆる主面側層間絶縁層）と、銅からなる主面側導体層４１とを交互に積層した構造を有している。第２層の主面側樹脂絶縁層３５の表面上における複数箇所には、端子パッド４４がアレイ状に形成されている。さらに、主面側樹脂絶縁層３５の表面は、ソルダーレジスト３７によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト３７の所定箇所には、端子パッド４４を露出させる開口部４６が形成されている。端子パッド４４の表面上には、複数のはんだバンプ４５が配設されている。各はんだバンプ４５は、矩形平板状をなすＩＣチップ２１（半導体集積回路素子）の面接続端子２２に電気的に接続されている。なお、各端子パッド４４及び各はんだバンプ４５からなる領域は、ＩＣチップ２１を搭載可能なＩＣチップ搭載領域２３（半導体集積回路素子搭載領域）である。ＩＣチップ搭載領域２３は、主面側ビルドアップ層３１の表面３９に設定されている。また、第２層の主面側樹脂絶縁層３５内における複数箇所にはビア導体４３が形成されている。各ビア導体４３の下端となる箇所は、主面側樹脂絶縁層３３の表面上に形成された主面側導体層４１に接続されており、各ビア導体４３の上端となる箇所は、主面側樹脂絶縁層３５の表面上に形成された主面側導体層４１、または、端子パッド４４に接続されている。このビア導体４３は、主面側導体層４１及び端子パッド４４を相互に電気的に接続している。

図１に示されるように、コア基板１１のコア裏面１３上に形成された裏面側ビルドアップ層３２は、上述した主面側ビルドアップ層３１とほぼ同じ構造を有している。即ち、裏面側ビルドアップ層３２は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる２層の裏面側樹脂絶縁層３４，３６（いわゆる裏面側層間絶縁層）と、裏面側導体層４２とを交互に積層した構造を有している。第１層の裏面側樹脂絶縁層３４内における複数箇所にはビア導体４７が形成されている。各ビア導体４７の下端となる箇所は、裏面側樹脂絶縁層３４の表面上に形成された裏面側導体層４２に接続されている。第２層の裏面側樹脂絶縁層３６内における複数箇所にはビア導体４３が形成されており、裏面側樹脂絶縁層３６の下面上において各ビア導体４３の下端となる箇所には、ビア導体４３を介して裏面側導体層４２に電気的に接続されるＢＧＡ用パッド４８が格子状に形成されている。また、裏面側樹脂絶縁層３６の下面は、ソルダーレジスト３８によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト３８の所定箇所には、ＢＧＡ用パッド４８を露出させる開口部４０が形成されている。ＢＧＡ用パッド４８の表面上には、図示しないマザーボード（母基板）に対して電気的に接続可能な複数のはんだバンプ４９が配設されている。即ち、ＢＧＡ用パッド４８及びはんだバンプ４９は、裏面側ビルドアップ層３２の表面に形成された接続端子部５０を構成している。そして、各はんだバンプ４９により、図１に示される配線基板１０は図示しないマザーボード上に実装される。

図１に示されるように、本実施形態のコア基板１１は、縦２５ｍｍ×横２５ｍｍ×厚さ１．０ｍｍの平面視略矩形板状である。コア基板１１は、ガラスエポキシからなる基材１６１と、基材１６１の上面及び下面に形成され、シリカフィラーなどの無機フィラーを添加したエポキシ樹脂からなるサブ基材１６４と、同じく基材１６１の上面及び下面に形成され、銅からなる導体層１６３とによって構成されている。また、コア基板１１には、複数のスルーホール導体１６がコア主面１２、コア裏面１３及び導体層１６３を貫通するように形成されている。かかるスルーホール導体１６は、コア基板１１のコア主面１２側とコア裏面１３側とを接続導通するとともに、導体層１６３に電気的に接続している。なお、スルーホール導体１６の内部は、例えばエポキシ樹脂などの閉塞体１７で埋められている。スルーホール導体１６の上端は、主面側樹脂絶縁層３３の表面上にある主面側導体層４１の一部に電気的に接続されており、スルーホール導体１６の下端は、裏面側樹脂絶縁層３４の下面上にある裏面側導体層４２の一部に電気的に接続されている。

図１に示されるように、コア基板１１のコア主面１２上には、銅からなるコア主面側導体層６１がパターン形成されており、各コア主面側導体層６１は、スルーホール導体１６に電気的に接続されている。同様に、コア基板１１のコア裏面１３上には、銅からなるコア裏面側導体層６２（導体層）がパターン形成されており、各コア裏面側導体層６２は、スルーホール導体１６に電気的に接続されている。コア裏面側導体層６２は、コア主面側導体層６１（厚さ７５μｍ）よりも薄くなっており、本実施形態では６５μｍに設定されている。また、コア裏面側導体層６２の表面及び頂部５２の表面の算術平均粗さＲａは、前記コア主面側導体層６１の表面の算術平均粗さＲａ（本実施形態では０．５μｍ）よりも粗くなっており、具体的には０．８μｍに設定されている。

図１に示されるように、コア基板１１は、コア主面１２の中央部及びコア裏面１３の中央部にて開口する平面視で矩形状の収容穴部９０を１つ有している。即ち、収容穴部９０は貫通穴である。そして、収容穴部９０内には、図２〜図４等に示すセラミックコンデンサ１０１（部品）が、埋め込まれた状態で収容されている。なお、セラミックコンデンサ１０１は、コンデンサ裏面１０３をコア基板１１のコア裏面１３と同じ側に向けた状態で収容されている。本実施形態のセラミックコンデンサ１０１は、縦１０．０ｍｍ×横１０．０ｍｍ×厚さ０．８ｍｍの平面視略矩形板状である。即ち、セラミックコンデンサ１０１はコア基板１１よりも薄く形成されている。セラミックコンデンサ１０１は、コア基板１１において前記ＩＣチップ搭載領域２３の真下の領域に配置されている。なお、ＩＣチップ搭載領域２３の面積（ＩＣチップ２１において面接続端子２２が形成される面の面積）は、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ主面１０２の面積よりも小さくなるように設定されている。セラミックコンデンサ１０１の厚さ方向から見た場合、ＩＣチップ搭載領域２３は、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ主面１０２内に位置している。

図１〜図４等に示されるように、本実施形態のセラミックコンデンサ１０１は、いわゆるビアアレイタイプのコンデンサである。セラミックコンデンサ１０１を構成するセラミック焼結体１０４（部品本体）は、部品主面である１つのコンデンサ主面１０２（図１では上面）、部品裏面である１つのコンデンサ裏面１０３（図１では下面）、及び、部品側面である４つのコンデンサ側面１０６（図１では左面、右面）を有する板状物である。

図２に示されるように、セラミック焼結体１０４は、セラミック誘電体層１０５を介して電源用内部電極層１４１とグランド用内部電極層１４２とを交互に積層配置した構造を有している。また、セラミック誘電体層１０５は、高誘電率セラミックの一種であるチタン酸バリウムの焼結体からなり、電源用内部電極層１４１及びグランド用内部電極層１４２間の誘電体（絶縁体）として機能する。電源用内部電極層１４１及びグランド用内部電極層１４２は、いずれもニッケルを主成分として形成された層であって、セラミック焼結体１０４の内部において一層おきに配置されている。

図１〜図４に示されるように、セラミック焼結体１０４には、多数のビアホール１３０が形成されている。これらのビアホール１３０は、セラミック焼結体１０４をその厚さ方向に貫通するとともに、セラミック焼結体１０４の全面にわたって格子状（アレイ状）に配置されている。各ビアホール１３０内には、セラミック焼結体１０４のコンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面１０３間を連通する複数のコンデンサ内ビア導体１３１，１３２が、ニッケルを主材料として形成されている。なお本実施形態において、ビアホール１３０の直径は約１００μｍに設定されているため、コンデンサ内ビア導体１３１，１３２の直径も約１００μｍに設定されている。各電源用コンデンサ内ビア導体１３１は、各電源用内部電極層１４１を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各グランド用コンデンサ内ビア導体１３２は、各グランド用内部電極層１４２を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各電源用コンデンサ内ビア導体１３１及び各グランド用コンデンサ内ビア導体１３２は、全体としてアレイ状に配置されている。本実施形態では、説明の便宜上、コンデンサ内ビア導体１３１，１３２を５列×５列で図示したが、実際にはさらに多くの列が存在している。

そして図２等に示されるように、セラミック焼結体１０４のコンデンサ主面１０２上には、複数の主面側電源用電極１１１と複数の主面側グランド用電極１１２とが突設されている。なお、各主面側グランド用電極１１２は、コンデンサ主面１０２上において個別に形成されているが、一体に形成されていてもよい。主面側電源用電極１１１は、複数の電源用コンデンサ内ビア導体１３１におけるコンデンサ主面１０２側の端面に対して直接接続されており、主面側グランド用電極１１２は、複数のグランド用コンデンサ内ビア導体１３２におけるコンデンサ主面１０２側の端面に対して直接接続されている。

また、セラミック焼結体１０４のコンデンサ裏面１０３上には、複数の裏面側電源用電極１２１（表面電極）と複数の裏面側グランド用電極１２２（表面電極）とが突設されている。なお、各裏面側グランド用電極１２２は、コンデンサ裏面１０３上において個別に形成されているが、一体に形成されていてもよい。裏面側電源用電極１２１は、複数の電源用コンデンサ内ビア導体１３１におけるコンデンサ裏面１０３側の端面に対して直接接続されており、裏面側グランド用電極１２２は、複数のグランド用コンデンサ内ビア導体１３２におけるコンデンサ裏面１０３側の端面に対して直接接続されている。よって、電源用電極１１１，１２１は電源用コンデンサ内ビア導体１３１及び電源用内部電極層１４１に導通しており、グランド用電極１１２，１２２はグランド用コンデンサ内ビア導体１３２及びグランド用内部電極層１４２に導通している。

図２等に示されるように、電極１１１，１１２，１２１，１２２は、ニッケルを主材料として形成され、表面が図示しない銅めっき層によって全体的に被覆されている。なお本実施形態の電極１１１，１１２，１２１，１２２は、直径が約５００μｍ、厚さが約５０μｍの平面視略矩形状をなし、ピッチの最小長さが約５８０μｍに設定されている。

図１，図２に示されるように、各裏面側電源用電極１２１上及び各裏面側グランド用電極１２２上には、それぞれ突設導体５１が突設されている。本実施形態の突設導体５１は、銅めっきによって形成された導体（銅ポスト）である。また、各突設導体５１は、断面円形状かつ断面等面積の円柱状をなしており、各突設導体５１の中心軸線は、電極１２１，１２２の中心と一致している。各突設導体５１の頂部５２の表面は、円形状をなしており、頂部５２の表面は前記コンデンサ主面１０２と平行になっている。また、各突設導体５１の直径は、電極１２１，１２２の直径と等しく、かつ、コンデンサ内ビア導体１３１，１３２の直径（約１００μｍ）よりも大きくなっており、本実施形態では約５００μｍに設定されている。また、配線基板１０が完成した状態での各突設導体５１の厚さは、本実施形態では１００μｍに設定されている。即ち、各突設導体５１の厚さは、電極１２１，１２２の厚さよりも大きくなっている。また、各突設導体５１の頂部５２の表面は、前記コア裏面側導体層６２の表面と同一平面上に位置している。そして、各突設導体５１は、最もコア裏面１３側に位置する前記裏面側樹脂絶縁層３４内における複数箇所に形成されたビア導体４７に接続されている。なお本実施形態では、裏面側樹脂絶縁層３４の厚さが約５０μｍに設定され、厚さのバラツキが５μｍに設定されている。

図１〜図４等に示されるように、前記セラミック焼結体１０４は樹脂被覆層１５１によって覆われている。樹脂被覆層１５１は、１つのコンデンサ主面１０２と、１つの前記コンデンサ裏面１０３と、４つの前記コンデンサ側面１０６全体とを覆っている。セラミックコンデンサ１０１が配線基板１０に内蔵された状態において、コンデンサ主面１０２を覆う樹脂被覆層１５１は、コンデンサ主面１０２を完全に覆っておらず、電極１１１，１１２が露出した状態になっている。同様に、コンデンサ裏面１０３を覆う樹脂被覆層１５１は、コンデンサ裏面１０３を完全に覆っておらず、電極１２１，１２２上に突設された突設導体５１の頂部５２の表面が露出した状態になっている。なお、コンデンサ主面１０２を覆う樹脂被覆層１５１の厚さは５０μｍに設定され、コンデンサ裏面１０３を覆う樹脂被覆層１５１の厚さは１５０μｍに設定され、コンデンサ側面１０６を覆う樹脂被覆層１５１の厚さは１０００μｍに設定されている。即ち、コンデンサ裏面１０３を覆う樹脂被覆層１５１の厚さは、各突設導体５１の厚さよりも大きくなっており、各突設導体５１の頂部５２の表面は、樹脂被覆層１５１によって覆われている。また、樹脂被覆層１５１は、樹脂絶縁層３３〜３６と同じ材料（即ち、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂）によって形成されている。これにより、樹脂被覆層１５１の熱膨張係数も、樹脂絶縁層３３〜３６の熱膨張係数と同じ値となっており、具体的には、１０〜６０ｐｐｍ／℃程度（具体的には２０ｐｐｍ／℃程度）に設定されている。また、樹脂被覆層１５１の熱膨張係数は、セラミック焼結体１０４の熱膨張係数よりも大きい値に設定されている。

図１等に示されるように、前記収容穴部９０の内壁面９１と、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ側面１０６を覆う樹脂被覆層１５１の表面との隙間は、前記コア裏面１３上及びコンデンサ裏面１０３上に形成された樹脂層９２の一部によって埋められている。この樹脂層９２は、セラミックコンデンサ１０１をコア基板１１に固定する機能を有している。樹脂層９２は、樹脂絶縁層３３〜３６及び樹脂被覆層１５１と同じ材料（即ち、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂）によって形成されている。これにより、樹脂層９２の熱膨張係数も、樹脂絶縁層３３〜３６及び樹脂被覆層１５１の熱膨張係数と同じ値となっており、具体的には、１０〜６０ｐｐｍ／℃程度（具体的には２０ｐｐｍ／℃程度）に設定されている。なお、セラミックコンデンサ１０１は、平面視略正方形状をなしており、四隅に面取り寸法０．５５ｍｍ以上（本実施形態では面取り寸法０．６ｍｍ）の面取り部を有している。これにより、温度変化に伴う樹脂層９２の変形時において、セラミックコンデンサ１０１の角部への応力集中を緩和できるため、樹脂層９２のクラックの発生を防止できる。

そして図１に示されるように、コンデンサ主面１０２側にある電極１１１，１１２は、ビア導体４７、主面側導体層４１、ビア導体４３、端子パッド４４、はんだバンプ４５及びＩＣチップ２１の面接続端子２２を介して、ＩＣチップ２１に電気的に接続される。一方、コンデンサ裏面１０３側にある電極１２１，１２２は、突設導体５１、ビア導体４７、裏面側導体層４２、ビア導体４３、ＢＧＡ用パッド４８及びはんだバンプ４９を介して、図示しないマザーボードが有する電極に対して電気的に接続される。

例えば、マザーボード側から電極１２１，１２２を介して通電を行い、電源用内部電極層１４１−グランド用内部電極層１４２間に電圧を加えると、電源用内部電極層１４１に例えばプラスの電荷が蓄積し、グランド用内部電極層１４２に例えばマイナスの電荷が蓄積する。その結果、セラミックコンデンサ１０１がコンデンサとして機能する。また、セラミックコンデンサ１０１では、電源用コンデンサ内ビア導体１３１及びグランド用コンデンサ内ビア導体１３２がそれぞれ交互に隣接して配置され、かつ、電源用コンデンサ内ビア導体１３１及びグランド用コンデンサ内ビア導体１３２を流れる電流の方向が互いに逆向きになるように設定されている。これにより、インダクタンス成分の低減化が図られている。

次に、本実施形態の配線基板１０の製造方法について述べる。

コア基板準備工程では、コア基板１１の中間製品を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。

コア基板１１の中間製品は以下のように作製される。まず、縦３５０ｍｍ×横３７５ｍｍ×厚み０．６ｍｍの基材１６１の両面に銅箔１６２が貼付された銅張積層板（図５参照）を準備する。次に、銅張積層板の両面の銅箔１６２のエッチングを行って導体層１６３を例えばサブトラクティブ法によってパターニングする（図６参照）。具体的には、無電解銅めっきの後、この無電解銅めっき層を共通電極として電解銅めっきを施す。さらにドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、ドライフィルムを所定パターンに形成する。この状態で、不要な電解銅めっき層、無電解銅めっき層及び銅箔１６２をエッチングで除去する。その後、ドライフィルムを剥離する。次に、基材１６１の上面及び下面と導体層１６３とを粗化した後、基材１６１の上面及び下面に、無機フィラーが添加されたエポキシ樹脂フィルム（厚さ８０μｍ）を熱圧着により貼付し、サブ基材１６４を形成する（図７参照）。

次に、上側のサブ基材１６４の上面にコア裏面側導体層６２（厚さ７５μｍ）をパターン形成するとともに、下側のサブ基材１６４の下面にコア主面側導体層６１（厚さ５０μｍ）をパターン形成する。具体的には、上側のサブ基材１６４の上面及び下側のサブ基材１６４の下面に対する無電解銅めっきを行った後にエッチングレジストを形成し、次いで電解銅めっきを行う。さらに、エッチングレジストを除去してソフトエッチングを行う。次に、基材１６１及びサブ基材１６４からなる積層体に対してルータを用いて孔あけ加工を行い、収容穴部９０となる貫通孔を所定位置に形成し、コア基板１１の中間製品を得る（図８参照）。なお、コア基板１１の中間製品とは、コア基板１１となるべき領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した構造の多数個取り用コア基板である。

また、部品準備工程（コンデンサ準備工程）では、突設導体５１を有するセラミックコンデンサ１０１を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。

セラミックコンデンサ１０１は以下のように作製される。即ち、セラミックのグリーンシートを形成し、このグリーンシートに内部電極層用ニッケルペーストをスクリーン印刷して乾燥させる。これにより、後に電源用内部電極層１４１となる電源用内部電極部と、グランド用内部電極層１４２となるグランド用内部電極部とが形成される。次に、電源用内部電極部が形成されたグリーンシートとグランド用内部電極部が形成されたグリーンシートとを交互に積層し、シート積層方向に押圧力を付与することにより、各グリーンシートを一体化してグリーンシート積層体を形成する。

さらに、レーザー加工機を用いてグリーンシート積層体にビアホール１３０を多数個貫通形成し、図示しないペースト圧入充填装置を用いて、ビア導体用ニッケルペーストを各ビアホール１３０内に充填する。次に、グリーンシート積層体の上面上にペーストを印刷し、グリーンシート積層体の上面側にて各導体部の上端面を覆うように裏面側電源用電極１２１及び裏面側グランド用電極１２２を形成する。また、グリーンシート積層体の下面上にペーストを印刷し、グリーンシート積層体の下面側にて各導体部の下端面を覆うように主面側電源用電極１１１及び主面側グランド用電極１１２を形成する。

この後、グリーンシート積層体の乾燥を行い、各電極１１１，１１２，１２１，１２２をある程度固化させる。次に、グリーンシート積層体を脱脂し、さらに所定温度で所定時間焼成を行う。その結果、チタン酸バリウム及びペースト中のニッケルが同時焼結し、セラミック焼結体１０４となる。

次に、得られたセラミック焼結体１０４が有する各電極１１１，１１２，１２１，１２２に対して無電解銅めっき（厚さ１０μｍ程度）を行う。その結果、各電極１１１，１１２，１２１，１２２の上に銅めっき層が形成される。

次に、セラミック焼結体１０４のコンデンサ裏面１０３上にドライフィルム１５３をラミネートし、同ドライフィルム１５３に対して露光及び現像を行うことにより、電極１２１，１２２の表面全体を露出させる複数の開口部１５２をドライフィルム１５３に形成する（図９参照）。これらの開口部１５２は、突設導体５１の形成予定位置に存在している。そして、ドライフィルム１５３を介して開口部１５２の内面に対する電解銅めっきを行う（図１０参照）。さらに、ドライフィルム１５３を除去する。その結果、裏面側電源用電極１２１上及び裏面側グランド用電極１２２上にそれぞれ突設導体５１が形成され、セラミックコンデンサ１０１が完成する（図１１参照）。なお、この時点での各突設導体５１の厚さは、１９０μｍ程度に設定されており、前記収容穴部９０内にセラミックコンデンサ１０１が収容された状態（図１５〜図１７参照）でコア裏面１３から突出する程度の厚さに形成されている。なお、本実施形態において各突設導体５１の厚さとして設定した「１９０μｍ程度」という値は、コア基板１１の厚さバラツキとセラミックコンデンサ１０１の厚さバラツキとを吸収するのに最低限必要な厚さである。そして、この程度の厚さに設定することにより、後述する高さ合わせ工程での表面研磨量を最小限に抑えることができ、生産性の低下を未然に防止することができる。

そして、完成したセラミックコンデンサ１０１のコンデンサ裏面１０３側を粗化した後、マウント装置（ヤマハ発動機株式会社製）を用いて、複数のセラミックコンデンサ１０１を、コンデンサ裏面１０３を上にした状態で治具（図示略）にセットする。詳述すると、治具上には剥離可能な粘着テープ１７２が配置されており、各セラミックコンデンサ１０１は、粘着テープ１７２の粘着面に貼り付けられて仮固定されている（図１２参照）。また、粘着テープ１７２上には矩形枠状のフレーム１７５が貼り付けられており、フレーム１７５内には各セラミックコンデンサ１０１が配置されている。このとき、各セラミックコンデンサ１０１は、粘着テープ１７２の粘着面と平行に配置した状態で、粘着面に沿って互いに離間配置されている。

続く樹脂被覆層形成工程では、治具にセットされた各セラミックコンデンサ１０１に、未硬化状態の樹脂被覆層１５１であるエポキシ樹脂フィルム１７３（厚さ４００μｍ）をラミネートする（図１３，図１４参照）。このとき、エポキシ樹脂フィルム１７３の一部は、互いに隣接するセラミックコンデンサ１０１のコンデンサ側面１０６間、及び、コンデンサ側面１０６とフレーム１７５の内壁面との間に充填される。そして、加熱処理（キュアなど）を行ってエポキシ樹脂フィルム１７３を硬化させる。このとき、硬化状態の樹脂被覆層１５１（樹脂材）の一部が、各突設導体５１間に配置された状態となる。なお、この状態のものは、樹脂被覆層１５１を有するセラミックコンデンサ１０１となるべき製品領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した配線基板内蔵用コンデンサ集合体１７４であると把握することができる。次に、従来周知のブレード装置を用いることにより、製品領域の外形線（図１４の一点鎖線参照）に沿って配線基板内蔵用コンデンサ集合体１７４の表面及び裏面にブレーク溝を形成する。さらに、配線基板内蔵用コンデンサ集合体１７４を、ブレーク溝に沿って分割して個片化する。その際、各コンデンサ側面１０６にそれぞれ厚さ５００μｍの樹脂被覆層１５１が形成されるように切断する。その結果、コンデンサ主面１０２、コンデンサ裏面１０３及びコンデンサ側面１０６が樹脂被覆層１５１によって覆われるセラミックコンデンサ１０１が多数個同時に得られる。そして、この時点で、粘着テープ１７２を剥離する。

続く収容工程では、マウント装置（ヤマハ発動機株式会社製）を用いて、コア裏面１３とコンデンサ裏面１０３とを同じ側に向けた状態で収容穴部９０内にセラミックコンデンサ１０１を収容する（図１５参照）。この状態において、各突設導体５１の頂部５２の表面は、コア裏面側導体層６２の表面よりも上方に位置している。なお、収容穴部９０のコア主面１２側開口は、剥離可能な粘着テープ１７１でシールされている。この粘着テープ１７１は、支持台（図示略）によって支持されている。かかる粘着テープ１７１の粘着面には、セラミックコンデンサ１０１が貼り付けられて仮固定されている。また、セラミックコンデンサ１０１がコア基板１１よりも薄いことから、コア裏面１３とコンデンサ裏面１０３との間には段差が生じている。

続く樹脂層形成工程では、コア裏面１３上及びコンデンサ裏面１０３上に、未硬化状態の樹脂層９２である樹脂シート１７６（厚さ２００μｍ）をラミネートする（図１６，図１７参照）。併せて、樹脂層９２（樹脂シート１７６）の一部で、収容穴部９０の内壁面９１とコンデンサ側面１０６を覆う樹脂被覆層１５１の表面との隙間を埋める。続く固定工程では、加熱処理（キュアなど）を行って樹脂層９２（樹脂シート１７６）を硬化させ、セラミックコンデンサ１０１をコア基板１１に固定する。

続く高さ合わせ工程では、各突設導体５１の頂部５２の表面と、コア裏面側導体層６２の表面とを同じ高さに合わせる（図１８参照）。具体的に言うと、ベルトサンダー装置を用いて、コア裏面側導体層６２の表面よりも上方に位置している頂部５２の表面を研磨して各突設導体５１を低くすると同時に、樹脂層９２と、コンデンサ裏面１０３を覆う樹脂被覆層１５１とを研磨する。さらに、樹脂層９２の研磨に伴って露出したコア裏面側導体層６２の表面も研磨する。その結果、頂部５２の一部及びコア裏面側導体層６２の一部が機械的に除去され、各突設導体５１の厚さが１００μｍとなり、コア裏面側導体層６２の厚さが６５μｍとなる。なお、ベルトサンダー装置に取り付けられたサンドペーパーの研磨面の算術平均粗さＲａは、コア裏面側導体層６２の表面及び頂部５２の表面の研磨後における算術平均粗さＲａと等しくなっており、具体的には０．８μｍに設定されている。また、ベルトサンダー装置による研磨時間は、３０秒に設定されている。そして、この時点で、粘着テープ１７１を剥離する。なお、電極１１１，１１２の表面及びコア主面側導体層６１の表面は、粘着テープ１７１に接触しているために、研磨しなくても同じ高さに位置している。

次に、従来周知の手法に基づいてコア主面１２の上に主面側ビルドアップ層３１を形成するとともに、コア裏面１３の上に裏面側ビルドアップ層３２を形成する。具体的に言うと、まず、コア主面１２及びコンデンサ主面１０２上に感光性エポキシ樹脂を被着して露光及び現像を行うことにより、最下層の主面側樹脂絶縁層３３を形成する（図１９参照）。なお、感光性エポキシ樹脂を被着する代わりに、絶縁樹脂や液晶ポリマー（ＬＣＰ：Liquid Crystalline Polymer）を被着してもよい。

次に、裏面側層間絶縁層形成工程を実施し、コア裏面１３及びコンデンサ裏面１０３に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、裏面側樹脂絶縁層３４を形成する（図１９参照）。なお、感光性エポキシ樹脂を被着する代わりに、絶縁樹脂や液晶ポリマーを被着してもよい。さらに、ＹＡＧレーザーまたは炭酸ガスレーザーを用いてレーザー孔あけ加工を行い、ビア導体４７が形成されるべき位置にビア孔１８１，１８２を形成する（図２０参照）。具体的には、主面側樹脂絶縁層３３を貫通するビア孔１８１を形成し、主面側電源用電極１１１及び主面側グランド用電極１１２を露出させる。また、裏面側樹脂絶縁層３４を貫通するビア孔１８２を形成し、裏面側電源用電極１２１上に突設された突設導体５１の頂部５２の表面と、裏面側グランド用電極１２２上に突設された突設導体５１の頂部５２の表面とを露出させる（ビア孔形成工程）。

さらに、ドリル機を用いて孔あけ加工を行い、コア基板１１及び樹脂絶縁層３３，３４を貫通する貫通孔１９１を所定位置にあらかじめ形成しておく（図２０参照）。そして、樹脂絶縁層３３，３４の表面上、ビア孔１８１，１８２の内面、及び、貫通孔１９１の内面に対する無電解銅めっきを行った後にエッチングレジストを形成し、次いで電解銅めっきを行う。さらに、エッチングレジストを除去してソフトエッチングを行う。これにより、主面側樹脂絶縁層３３上に主面側導体層４１が形成されるとともに、裏面側樹脂絶縁層３４上に裏面側導体層４２がパターン形成される（図２１参照）。これと同時に、貫通孔１９１内にスルーホール導体１６が形成されるとともに、各ビア孔１８１，１８２の内部にビア導体４７が形成される（ビア導体形成工程）。その後、スルーホール導体１６の空洞部を絶縁樹脂材料（エポキシ樹脂）で穴埋めし、閉塞体１７を形成する（図２２参照）。

次に、樹脂絶縁層３３，３４上に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、ビア導体４３が形成されるべき位置にビア孔１８３，１８４を有する樹脂絶縁層３５，３６を形成する（図２２参照）。なお、感光性エポキシ樹脂を被着する代わりに、絶縁樹脂や液晶ポリマーを被着してもよい。この場合、レーザー加工機などにより、ビア導体４３が形成されるべき位置にビア孔１８３，１８４が形成される。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、前記ビア孔１８３，１８４の内部にビア導体４３を形成するとともに、主面側樹脂絶縁層３５上に端子パッド４４を形成し、裏面側樹脂絶縁層３６上にＢＧＡ用パッド４８を形成する。

次に、樹脂絶縁層３５，３６上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト３７，３８を形成する。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト３７，３８に開口部４０，４６をパターニングする。さらに、端子パッド４４上にはんだバンプ４５を形成し、かつ、ＢＧＡ用パッド４８上にはんだバンプ４９を形成する。なお、この状態のものは、配線基板１０となるべき製品領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した多数個取り用配線基板であると把握することができる。さらに、多数個取り用配線基板を分割すると、個々の製品である配線基板１０が多数個同時に得られる。

従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。

（１）本実施形態の配線基板１０の製造方法によれば、高さ合わせ工程を行って、複数の突設導体５１の頂部５２の表面と、コア裏面１３上に形成されたコア裏面側導体層６２の表面とを同じ高さに合わせているため、厚さのバラツキの小さい裏面側樹脂絶縁層３４を形成することができる。よって、ビア孔形成工程において裏面側樹脂絶縁層３４を貫通するビア孔１８２を複数形成し、ビア導体形成工程において各ビア孔１８２内にビア導体４７を形成したとしても、ビア孔１８２の深さのバラツキが小さくなる。これにより、裏面側樹脂絶縁層３４に対するレーザー孔あけ加工を行うにあたり、レーザーの出力を一定に調節することができるため、各ビア孔１８２を容易かつ確実に貫通させることができる。しかも、各ビア孔１８２内にビア導体４７を確実に形成することができる。その結果、突設導体５１とビア導体４７とを確実に導通させることができるため、不良品の発生を防止でき、信頼性に優れた配線基板１０を得ることができる。

（２）本実施形態では、高さ合わせ工程において、コンデンサ裏面１０３を覆う樹脂被覆層１５１を各突設導体５１間に配置した状態で、頂部５２の表面を研磨している。これにより、各突設導体５１が樹脂被覆層１５１によって固定されるため、高さ合わせ工程を行う際に各突設導体５１に大きな力がかかったとしても、各突設導体５１の破損を防止することができる。また、樹脂被覆層１５１を各突設導体５１間に配置することにより、各突設導体５１間の凹部が埋められて平坦になるため、頂部５２の表面や樹脂被覆層１５１の研磨時に生じる粉が残りにくくなる。

（３）本実施形態では、樹脂層９２の形成によってコア基板１１のコア裏面１３側が平坦になるため、コア裏面１３上に裏面側ビルドアップ層３２を形成すると、裏面側ビルドアップ層３２の表面に形成される接続端子部５０（即ちＢＧＡ用パッド４８）の高さが揃うようになる。従って、配線基板１０を確実にマザーボード上に実装することができ、配線基板１０の信頼性が向上する。

（４）本実施形態では、高さ合わせ工程において、突設導体５１の頂部５２及びコア裏面側導体層６２の両方を除去している。これにより、頂部５２の表面の平坦化が図られるだけでなく、樹脂層９２から露出したコア裏面側導体層６２の表面の平坦化も図られるため、突設導体５１やコア裏面側導体層６２の上側に形成される裏面側樹脂絶縁層３４の厚さのバラツキがよりいっそう小さくなる。よって、裏面側樹脂絶縁層３４にビア孔１８２を複数形成した際に、ビア孔１８２の深さのバラツキがよりいっそう小さくなるため、各ビア孔１８２内にビア導体４７をより確実に形成させることができ、突設導体５１とビア導体４７とをより確実に導通させることができる。その結果、よりいっそう信頼性に優れた配線基板１０を得ることができる。

（５）本実施形態では、セラミックコンデンサ１０１がＩＣチップ搭載領域２３に搭載されたＩＣチップ２１の直下に配置されるため、セラミックコンデンサ１０１とＩＣチップ２１とをつなぐ配線が短くなり、配線のインダクタンス成分の増加が防止される。従って、セラミックコンデンサ１０１によるＩＣチップ２１のスイッチングノイズを確実に低減できるとともに、電源電圧の確実な安定化を図ることができる。また、ＩＣチップ２１とセラミックコンデンサ１０１との間で侵入するノイズを極めて小さく抑えることができるため、誤動作等の不具合を生じることもなく高い信頼性を得ることができる。

（６）本実施形態では、ＩＣチップ搭載領域２３がセラミックコンデンサ１０１の真上の領域内に位置しているため、ＩＣチップ搭載領域２３に搭載されるＩＣチップ２１は高剛性で熱膨張率が小さいセラミックコンデンサ１０１によって支持される。よって、上記ＩＣチップ搭載領域２３においては、主面側ビルドアップ層３１が変形しにくくなるため、ＩＣチップ搭載領域２３に搭載されるＩＣチップ２１をより安定的に支持できる。従って、大きな熱応力に起因するＩＣチップ２１のクラックや接続不良を防止することができる。ゆえに、１０ｍｍ角以上の大型のＩＣチップや、脆いとされるＬｏｗ−ｋ（低誘電率）のＩＣチップを用いることができる。

なお、本実施形態は以下のように変更してもよい。

・上記実施形態の突設導体５１は、銅めっきによって形成された導体（同ポスト）であったが、例えば、銅ペーストを印刷することによって形成された導体であってもよい。

・上記実施形態では、セラミック焼結体１０４のコンデンサ裏面１０３上に配置された電極１２１，１２２上に、突設導体５１が突設されていた。しかし、コンデンサ主面１０２上に配置された電極１１１，１１２上にも、突設導体５１が突設されていてもよい。このようにすれば、電極１２１，１２２及び裏面側樹脂絶縁層３４内のビア導体４７を、突設導体５１を介して確実に接続できるだけでなく、電極１１１，１１２及び主面側樹脂絶縁層３３内のビア導体４７も、突設導体５１を介して確実に接続できるため、よりいっそう信頼性に優れた配線基板１０を得ることができる。しかし、コスト低減の観点から言えば、コア主面側導体層６１と同じ高さにある電極１１１，１１２上に突設導体５１を突設するよりも、電極１２１，１２２上のみに突設導体５１を突設することが好ましい。

・上記実施形態では、セラミックコンデンサ１０１に樹脂被覆層１５１を形成する樹脂被覆層形成工程が行われるとともに、コア裏面１３上及びコンデンサ裏面１０３上に樹脂層９２を形成する樹脂層形成工程が行われていたが、樹脂被覆層形成工程及び樹脂層形成工程のいずれか一方を省略してもよい。樹脂被覆層形成工程を省略した場合、高さ合わせ工程では、硬化状態の樹脂層９２を各突設導体５１間に配置した状態で、頂部５２の表面を研磨する。なお、樹脂層形成工程を省略した場合、コンデンサ側面１０６を覆う樹脂被覆層１５１は、上記実施形態の場合よりも厚く（例えば９００μｍ程度）形成されることがよい。

・上記実施形態では、主面側ビルドアップ層３１とは別に設けられた樹脂層９２の一部によって、収容穴部９０の内壁面９１とコンデンサ側面１０６を覆う樹脂被覆層１５１の表面との隙間を埋めていた。しかし、主面側ビルドアップ層３１を構成する裏面側樹脂絶縁層３４の一部によって、収容穴部９０の内壁面９１とコンデンサ側面１０６を覆う樹脂被覆層１５１の表面との隙間を埋めてもよい。このようにすれば、樹脂層形成工程を行わなくても済み、配線基板１０の製造に必要な工数が減るため、配線基板１０を容易にかつ低コストで形成できる。

・上記実施形態では、主面側ビルドアップ層３１側の表面３９にＩＣチップ搭載領域２３を設定してそこにＩＣチップ２１を搭載する一方、裏面側ビルドアップ層３２側の表面にマザーボード側と接続可能なＢＧＡパッド４８及びはんだバンプ４９を形成した。これに対し、例えば、裏面側ビルドアップ層３２側の表面にＩＣチップ搭載領域２３を設定してそこにＩＣチップ２１を搭載する一方、主面側ビルドアップ層３１側の表面３９にマザーボード側と接続可能なＢＧＡパッド４８及びはんだバンプ４９を形成してもよい。この構成の場合、ＩＣチップ搭載側に位置する電極１２１，１２２と、マザーボード接続側に位置する電極１１１，１１２とを比較すると、前者のほうが突設導体５１の厚さ分だけ実質的に厚くなる。ゆえに、ＩＣチップ２１に電気的に接続するセラミックコンデンサ１０１の導体部分を低抵抗にすることができる。さらに、ＩＣチップ２１は主面側ビルドアップ層３１側の表面３９及び裏面側ビルドアップ層３２側の表面の両方に搭載されることもできる。

次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。

（１）コア主面及びコア裏面を有し、少なくとも前記コア裏面にて開口する収容穴部を有するコア基板を準備するコア基板準備工程と、部品主面、部品裏面及び部品側面を有する部品本体、前記部品裏面上に配置された複数の表面電極、前記複数の表面電極上にて突設された複数の突設導体を有する部品を準備する部品準備工程と、前記コア基板準備工程及び前記部品準備工程後、前記コア裏面と前記部品裏面とを同じ側に向けた状態で、前記収容穴部内に前記部品を収容する収容工程と、前記収容工程後、前記複数の突設導体の頂部の表面と、前記コア裏面上に形成された導体層の表面とを同じ高さに合わせる高さ合わせ工程とを含むことを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法。

（２）コア主面及びコア裏面を有し、少なくとも前記コア裏面にて開口する収容穴部を有するコア基板を準備するコア基板準備工程と、部品主面、部品裏面及び部品側面を有する部品本体、前記部品裏面上に突設された複数の突設導体を有する部品を準備する部品準備工程と、前記コア基板準備工程及び前記部品準備工程後、前記コア裏面と前記部品裏面とを同じ側に向けた状態で、前記収容穴部内に前記部品を収容する収容工程と、前記収容工程後、前記複数の突設導体の頂部の表面、及び、前記コア裏面上に形成された導体層の表面の少なくとも一方を研磨することにより、前記頂部の表面と前記導体層の表面とを同じ高さに合わせる高さ合わせ工程とを含むことを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法。

（３）コア主面及びコア裏面を有し、少なくとも前記コア裏面にて開口する収容穴部を有するコア基板を準備するコア基板準備工程と、コンデンサ主面、コンデンサ裏面及びコンデンサ側面を有し、誘電体層を介して複数の内部電極層が積層配置された構造を有するコンデンサ本体、前記複数の内部電極層に接続される複数のコンデンサ内ビア導体、前記複数のコンデンサ内ビア導体における少なくとも前記コンデンサ裏面側の端部に接続された複数の表面電極、及び、前記複数の表面電極上に突設された複数の突設導体を備え、前記複数のコンデンサ内ビア導体が全体としてアレイ状に配置されたビアアレイタイプのコンデンサを準備するコンデンサ準備工程と、前記コア基板準備工程及び前記コンデンサ準備工程後、前記コア裏面と前記コンデンサ裏面とを同じ側に向けた状態で、前記収容穴部内に前記コンデンサを収容する収容工程と、前記収容工程後、前記複数の突設導体の頂部の表面と、前記コア裏面上に形成された導体層の表面とを同じ高さに合わせる高さ合わせ工程とを含むことを特徴とするコンデンサ内蔵配線基板の製造方法。

コア主面及びコア裏面を有するとともに、少なくとも前記コア裏面にて開口する収容穴部を有し、前記コア主面上にコア主面側導体層が形成されるとともに、前記コア裏面上にコア裏面側導体層が形成されるコア基板と、
部品主面、部品裏面及び部品側面を有する部品本体、前記部品裏面上に突設された複数の突設導体を有し、前記コア裏面と前記部品裏面とを同じ側に向けた状態で前記収容穴部に収容された部品と、
裏面側層間絶縁層及び裏面側導体層を前記コア裏面上にて積層した構造を有するとともに、半導体集積回路素子を搭載可能な半導体集積回路素子搭載領域が表面に設定された裏面側配線積層部と、
主面側層間絶縁層及び主面側導体層を前記コア主面上にて積層した構造を有し、母基板に接続可能な接続端子部が表面に形成された主面側配線積層部と
を備える部品内蔵配線基板であって、
前記コア裏面側導体層の表面及び前記複数の突設導体の頂部の表面が同一平面上に位置するとともに、前記コア裏面側導体層の表面及び前記頂部の表面の算術平均粗さが、前記コア主面側導体層の表面の算術平均粗さよりも粗くなっており、
前記コア裏面側導体層は、前記コア主面側導体層よりも薄くなっている
ことを特徴とする部品内蔵配線基板。

本発明を具体化した一実施形態の配線基板を示す概略断面図。 セラミックコンデンサを示す概略断面図。 セラミックコンデンサの内層における接続を説明するための概略説明図。 セラミックコンデンサの内層における接続を説明するための概略説明図。 配線基板の製造方法の説明図。 配線基板の製造方法の説明図。 配線基板の製造方法の説明図。 配線基板の製造方法の説明図。 配線基板の製造方法の説明図。 配線基板の製造方法の説明図。 配線基板の製造方法の説明図。 配線基板の製造方法の説明図。 配線基板の製造方法の説明図。 配線基板の製造方法の説明図。 配線基板の製造方法の説明図。 配線基板の製造方法の説明図。 配線基板の製造方法の説明図。 配線基板の製造方法の説明図。 配線基板の製造方法の説明図。 配線基板の製造方法の説明図。 配線基板の製造方法の説明図。 配線基板の製造方法の説明図。 従来技術における配線基板の製造方法の説明図。 同じく、配線基板の製造方法の説明図。 同じく、配線基板の製造方法の説明図。

符号の説明

１０…部品内蔵配線基板（配線基板）
１１…コア基板
１２…コア主面
１３…コア裏面
２１…半導体集積回路素子としてのＩＣチップ
２３…半導体集積回路素子搭載領域としてのＩＣチップ搭載領域
３１…主面側配線積層部としての主面側ビルドアップ層
３２…裏面側配線積層部としての裏面側ビルドアップ層
３３，３５…主面側層間絶縁層としての主面側樹脂絶縁層
３４，３６…裏面側層間絶縁層としての裏面側樹脂絶縁層
３９…主面側配線積層部の表面
４１…主面側導体層
４２…裏面側導体層
４７…ビア導体
５０…接続端子部
５１…突設導体
５２…頂部
６１…コア主面側導体層
６２…コア裏面上に形成された導体層としてのコア裏面側導体層
９０…収容穴部
９１…内壁面
９２…樹脂層
１０１…部品としてのセラミックコンデンサ
１０２…部品主面としてのコンデンサ主面
１０３…部品裏面としてのコンデンサ裏面
１０４…部品本体としてのセラミック焼結体
１０６…部品側面としてのコンデンサ側面
１２１…表面電極としての裏面側電源用電極
１２２…表面電極としての裏面側グランド用電極
１５１…樹脂材としての樹脂被覆層
１８２…ビア孔

Claims (9)

1. コア主面及びコア裏面を有し、少なくとも前記コア裏面にて開口する収容穴部を有するコア基板を準備するコア基板準備工程と、
   部品主面、部品裏面及び部品側面を有する部品本体、前記部品裏面上に突設された複数の突設導体を有する部品を準備する部品準備工程と、
   前記コア基板準備工程及び前記部品準備工程後、前記コア裏面と前記部品裏面とを同じ側に向けた状態で、前記収容穴部内に前記部品を収容する収容工程と、
   前記収容工程後、前記複数の突設導体の頂部の表面と、前記コア裏面上に形成された導体層の表面とを同じ高さに合わせるべく前記頂部及び前記導体層の少なくとも一方を機械的に除去する高さ合わせ工程と
   を含むことを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法。
2. 前記高さ合わせ工程では、硬化状態の樹脂材を前記複数の突設導体間に配置した状態で、前記頂部の表面を研磨することを特徴とする請求項１に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
3. 前記収容工程後かつ前記高さ合わせ工程前に、
   前記コア裏面上及び前記部品裏面上に樹脂層を形成するともに、前記樹脂層の一部で前記収容穴部の内壁面と前記部品側面との隙間を埋める樹脂層形成工程と、
   前記樹脂層形成工程後、前記樹脂層を硬化させて前記部品を固定する固定工程と
   を行い、
   前記高さ合わせ工程では、前記頂部の表面を研磨すると同時に前記樹脂層を研磨することを特徴とする請求項２に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
4. 前記部品準備工程は、前記部品主面、前記部品裏面及び前記部品側面のうち少なくとも前記部品裏面を覆う樹脂被覆層を形成する樹脂被覆層形成工程を含んでおり、
   前記高さ合わせ工程では、前記頂部の表面を研磨すると同時に前記部品裏面を覆う樹脂被覆層を研磨する
   ことを特徴とする請求項２に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
5. 前記部品は前記コア基板よりも薄く形成されるとともに、前記複数の突設導体は、前記収容穴部内に前記部品が収容された状態で前記コア裏面から突出する程度の厚さに形成されており、
   前記高さ合わせ工程では、前記複数の突設導体を低くすることにより、前記頂部の表面と前記導体層の表面とを同じ高さに合わせる
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
6. 前記高さ合わせ工程後に、
   前記コア裏面及び前記部品裏面上に裏面側層間絶縁層を形成する裏面側層間絶縁層形成工程と、
   レーザー孔あけ加工を行って、前記裏面側層間絶縁層を貫通するビア孔を形成し、前記頂部の表面を露出させるビア孔形成工程と、
   前記ビア孔の内部にビア導体を形成するビア導体形成工程と
   を行うことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
7. 前記複数の突設導体は、前記部品裏面上に配置された複数の表面電極上にて突設されており、
   前記複数の突設導体の厚さは、前記複数の表面電極の厚さよりも大きいことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
8. 前記複数の突設導体は、前記部品裏面上に配置された複数の表面電極上にて突設されており、
   前記複数の突設導体の直径は、前記複数の表面電極の直径と等しいことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
9. 前記複数の突設導体は、めっきによって形成されることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。

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