JP5245301B2 - 樹脂組成物、プリプレグ、積層板、及び半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、樹脂組成物、プリプレグ、積層板、及び半導体装置に関するものである。

エポキシ樹脂などに代表される絶縁樹脂組成物の硬化物は、機械的特性、電気的特性、化学的特性等に優れており、電気・電子機器部品等の広い用途に使用されている。これらの熱硬化性樹脂組成物には、火災に対する安全性を確保するため難燃性が付与されている場合が多い。

絶縁樹脂組成物を難燃化する手法のひとつとして、臭素化エポキシ樹脂等のハロゲン含有化合物を用いる方法がある（例えば、特許文献１参照。）。
しかし、ハロゲン含有化合物は高度な難燃性を付与できるものの、例えば、臭素化芳香族化合物は、熱分解で腐食性を有する臭素、臭化水素を生ずるだけでなく、酸素の存在下で分解した場合には毒性の高いポリブロモジベンゾフラン、ポリブロモジベンゾオキシンを生成する可能性がある。そして、臭素を含有する老朽廃材の処分は極めて困難である。このような理由から、ハロゲン含有化合物に代わる難燃剤が検討されている。

ハロゲン含有化合物を用いない難燃化技術としては、ホスフィンオキサイド化合物などのリン含有化合物を用いる方法や（例えば、特許文献２〜４参照。）、水酸化アルミニウムを用いる方法がある（例えば、特許文献５参照）。

また近年、電子機器の高機能化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、高密度実装化が進んでおり、これらに使用される高密度実装対応の積層板等は、従来にも増して、小型化や高密度化での用途も広がっている。これらの用途でも利用可能とするためには、積層板の低熱膨張化や接続信頼性が重要となってくる（例えば、特許文献６参照。）。

特開２０００−２１２２４９号公報 特開２００１−２５４００１号公報 特開２００４−０６７９６８号公報 特開平１１−１２４４８９号公報 特開２００５−２０６９２号公報 特開２００５−７７８３号公報

本発明は、電子機器に用いられる積層板に用いた場合に、冷熱サイクル試験等の熱衝撃試験により、導体回路層の剥離やクラックが発生しない低熱膨張性、高温、多湿の環境下においても高い絶縁信頼性、及び高い難燃性を有し、さらに高密度、高多層成形の積層板の作製を可能とする絶縁樹脂組成物と、これを用いたプリプレグ、積層板、及び半導体装置を提供するものである。

（１）繊維基材に含浸させてシート状のプリプレグを形成し、前記プリプレグを１枚以上重ね合わせ、前記プリプレグの少なくとも一方の外側の面に銅箔を配置して加熱加圧成形してなる積層板を形成するために用いる絶縁樹脂組成物であり、硬化物の線膨張係数が、２５℃において６ｐｐｍ／℃以上６０ｐｐｍ／℃以下である絶縁樹脂組成物であって、
（ａ）平均粒径が０．１μｍ以上８μｍ以下である金属水酸化物、
（ｂ）ノボラック型エポキシ樹脂を含み、かつ、実質的にハロゲン化されていないエポキシ樹脂、
（ｃ）紫外線吸収剤、
（ｄ）硬化剤
を含有し、
前記（ａ）金属水酸化物は水酸化アルミニウムであるとともに含有される金属イオン性不純物であるナトリウムイオンの濃度が５００ｐｐｍ以下であり、
前記絶縁樹脂組成物全体として、前記（ａ）金属水酸化物の含有量が１重量％以上５０重量％以下であり、
前記（ｃ）紫外線吸収剤がクマリン構造を有する化合物であり、
前記銅箔は、キャリア箔付き極薄銅箔であって、前記キャリア箔付き極薄銅箔の極薄銅箔の厚さが０．１μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする絶縁樹脂組成物。
（２）前記絶縁樹脂組成物は、（ｅ）モリブデン酸亜鉛で表面処理された、金属水酸化物以外の無機充填材を含有する（１）に記載の絶縁樹脂組成物。
（３）前記絶縁樹脂組成物の３００℃における重量減少率が１５％以下である（１）または（２）に記載の絶縁樹脂組成物。
（４）前記（ａ）金属水酸化物の３００℃における重量減少率が２０重量％以上４０重量％以下である（１）ないし（３）のいずれか一項に記載の絶縁樹脂組成物。
（５）前記（ｅ）モリブデン酸亜鉛で表面処理された、金属水酸化物以外の無機充填材は、タルクの表面をモリブデン酸亜鉛で表面処理したものである（２）ないし（４）のいずれか一項に記載の絶縁樹脂組成物。
（６）前記（ｄ）硬化剤は、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、アリールアルキレン型ノボラック樹脂よりなる群から選ばれる少なくとも1種のノボラック型フェノール樹脂である（１）ないし（５）のいずれか一項に記載の絶縁樹脂組成物。
（７）（１）ないし（６）のいずれか一項に記載の絶縁樹脂組成物を繊維基材に含浸させてなるプリプレグ。
（８）前記繊維基材は、ガラス繊維である（７）に記載のプリプレグ。
（９）前記繊維基材は、有機繊維である（７）に記載のプリプレグ。
（１０）（７）ないし（９）のいずれか一項に記載のプリプレグを１枚以上重ね合わせ、前記プリプレグの少なくとも一方の外側の面に銅箔を配置して加熱加圧成形してなる積層板。
（１１）前記銅箔は、キャリア箔付き極薄銅箔である（１０）に記載の積層板。
（１２）前記キャリア箔付き極薄銅箔の極薄銅箔の厚さが０．１μｍ以上１０μｍ以下である（１１）に記載の積層板。
（１３）（７）ないし（１２）のいずれか一項に記載のプリプレグ及び／または積層板を用いてなるプリント配線板。
（１４）（７）ないし（１２）のいずれか一項に記載のプリプレグ及び／または積層板を用いてなる多層プリント配線板。
（１５）（１４）に記載の多層プリント配線板に半導体素子を搭載してなる半導体装置。

本発明の絶縁樹脂組成物、プリプレグは、ハロゲン含有化合物、リン含有化合物を用いることなく難燃性を達成することができるとともに、従来のものと比較して、優れた低熱膨張性、絶縁信頼性を発現できる積層板、及び半導体装置を得ることができるものである。

以下に本発明の絶縁樹脂組成物、プリプレグ、積層板、及び半導体装置について詳細に説明する。

本発明の絶縁樹脂組成物の硬化物（以下、単に「硬化物」ということがある）の線膨張係数は、２５℃において６ｐｐｍ／℃以上６０ｐｐｍ／℃以下である。これにより、硬化物を積層板や半導体装置に用いた際、冷熱サイクル試験等の熱衝撃試験において導体回路層の剥離やクラックの発生を抑制したり、プレス成形時または半田リフロー時の基板の反りを抑制できる。また、特に限定はされないが、前記線膨張係数は、８ｐｐｍ／℃以上４０ｐｐｍ／℃以下が好ましく、さらに１０ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下が好ましく、さらには１２ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下が好ましい。これにより前記作用を効果的に発現させることができる。

線膨張係数が前記下限値未満であると、基板の厚みによっては導体回路との線膨張のミスマッチにより、プレス成形時や半田リフロー時の基板の反りを抑制することができなくなことがある。また、前記上限値を超えると、こちらも導体回路との線膨張のミスマッチにより、プレス成形時や半田リフロー時の基板の反りや冷熱サイクル試験等の熱衝撃試験における導体回路層の剥離やクラックの発生を抑制することができなくなる恐れがある。

尚、絶縁樹脂組成物の硬化物の線膨張係数は、樹脂の種類、樹脂の含有量、充填材の種類、充填材の量に依存する。本発明は、樹脂の選択、選択した樹脂の含有量と（ａ）金属イオン性不純物の濃度が５００ｐｐｍ以下である金属水酸化物、（ｅ）モリブデン酸亜鉛で表面処理された、金属水酸化物以外の無機充填材、或いは選択した無機充填材を含有量とを調整することで任意に線膨張係数を設定することができる。

本発明の絶縁樹脂組成物の硬化物は、特に限定されないが３００℃における重量減少率が１５％以下である。これにより、硬化物を積層板や半導体装置に用いた際、吸湿後の半田耐熱性を改良することができる。また前記重量減少率は１０％以下が好ましい。これにより前記作用を効果的に発現させることができる。
尚、重量減少率は、ＴＧ−ＤＴＡ（示差熱熱重量同時測定）により、試料を３０℃から５００℃まで１０℃／分の条件で昇温させ、試料の重量変化を追跡し、（（３０℃の試料重量）−（３００℃の試料重量））／（３０℃の試料重量）×１００で求まる値とした。

本発明の絶縁樹脂組成物に用いる（ａ）金属イオン性不純物の濃度が５００ｐｐｍ以下である金属水酸化物（以下、単に「（ａ）金属水酸化物」ということがある）は、金属水酸化物中に含有する金属イオン性不純物の濃度が５００ｐｐｍ以下である。これにより、硬化物を積層板や半導体装置に用いた際、ＨＡＳＴ試験やＰＣＴ試験などの高温、多湿下で処理しても高い絶縁信頼性を保持することができる。また、特に限定はされないが、前記金属イオン性不純物の濃度は、４００ｐｐｍ以下が好ましく、さらに３００ｐｐｍ以下が好ましく、さらには２００ｐｐｍ以下が好ましい。これにより前記作用を効果的に発現させることができる。
前記上限値を超えると絶縁信頼性が損なわれる恐れがある。
金属イオン性不純物の濃度は、金属水酸化物を純水中で８０℃、２４時間処理し、純水中に金属イオンを抽出した後、ＩＣＰ−ＭＳ（誘導結合プラズマイオン源質量分析装置）を用い測定できる。

本発明の絶縁樹脂組成物に用いる（ａ）金属水酸化物に含まれる金属イオン性不純物は、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、ルビジウムイオン、セシウムイオン、フランシウムイオン、ベリリウムイオン、カルシウムイオン、ストロンチウムイオン、バリウムイオン、亜鉛イオン、スズイオン、及び鉛イオンからなる郡より選ばれる少なくとも１種類以上であることが望ましい。これらの中でも特にナトリウムイオン、カリウムイオンであることが望ましい。これらの濃度が前記範囲内であれば、硬化物を積層板や半導体装置に用いた際、高温、多湿条件下に曝されるＨＡＳＴ試験やＰＣＴ試験などにおいても高い絶縁信頼性を保持することができる。

本発明の絶縁樹脂組成物に用いる（ａ）金属水酸化物の平均粒径は、特に限定されないが、０．１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。これにより、絶縁樹脂組成物からなるワニスの粘度及び絶縁樹脂組成物をＢステージ化した際の最低溶融粘度の調整が容易となり、また加熱加圧時の成形性や内層回路基板の埋め込み性も良好となる。さらに、Ｂステージ化あるいは硬化後の絶縁樹脂組成物の表面を化学的及び／あるいは物理的な処理によって粗化した際の樹脂表面粗さを調整することができる。平均粒径は、例えば粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、ＬＡ−５００）により測定することができる。

前記（ａ）金属水酸化物の平均粒径は、さらに０．１μｍ以上８μｍ以下が好ましく、さらに０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましく、特に０．１μｍ以上３μｍ以下が好ましい。これにより前記作用を効果的に発現させることができる。
（ａ）金属水酸化物の平均粒径が前記下限値未満では、絶縁樹脂組成物からなるワニスの粘度が高くなるため繊維基材への含浸しにくくなり、プリプレグの作製が困難となる。さらに絶縁樹脂組成物をＢステージ化した際の最低溶融粘度が高くなるため、加熱加圧時の成形性や内層回路基板の埋め込み性が低下する。また、前記上限値を超えると、Ｂステージ化あるいは硬化状態の絶縁樹脂組成物よりなるプリプレグの表面を化学的及び／あるいは物理的な処理によって粗化した際の樹脂表面粗さが大きくなったり、絶縁信頼性が低下したりする。

前記プリプレグの表面を化学的及び／あるいは物理的な処理によって粗化する際の表面粗さは特に限定はされないが、Ｒａ（算術平均粗さ）が１μｍ以下であることが好ましい。これにより、高周波回路基板の用途で用いる場合には、導体回路の信号伝搬速度へ与える影響を軽減することができる。

前記（ａ）金属水酸化物は、特に限定されないが、平均粒径が単分散の金属水酸化物を用いることもできるし、平均粒径が多分散の金属水酸化物を用いることができる。さらに平均粒径が単分散及び／または、多分散の水酸化物を１種類または２種類以上とを併用することもできる。

前記（ａ）金属水酸化物の３００℃における重量減少率は、２０重量％以上４０重量％以下であることが好ましい。これにより、耐熱性を損なわずに難燃性を付与することができる。前記重量減少率が前記下限値未満では、十分に難燃性を発揮することが難しく、前記上限値を超えると、耐熱性が悪化する恐れがある。
なお、重量減少率は、ＴＧ−ＤＴＡ（示差熱熱重量同時測定）により、試料を３０℃から５００℃まで１０℃／分の条件で昇温させ、試料の重量変化を追跡し、（（３０℃の試料重量）−（３００℃の試料重量））／（３０℃の試料重量）×１００で求まる値とした。

前記（ａ）金属水酸化物の含有量は、特に限定はされないが絶縁樹脂組成物全体に対して、１重量％以上５０重量％以下であることが好ましい。これにより、耐熱性を損なわずに難燃性を付与することができる。含有量さらに２重量％以上４５重量％以下が好ましく、さらに５重量％以上４０重量％以下が好ましく、特に１０重量％以上３０重量％以下が好ましい。これにより、前記作用を効果的に発現させることができる。含有量が前記下限値未満では、難燃性の効果を十分に得られない恐れがあり、前記上限値を超えると、耐熱性が低下する恐れがある。

前記（ａ）金属水酸化物は、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化ガリウム、及び水酸化ジルコニルよりなる群から選ばれる少なくとも１種類以上であることが好ましい。これにより、難燃性を付与することができる。これらの中でも特に水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムが好ましい。これにより、耐熱性を損なわずに難燃性を付与することができる。

本発明の絶縁樹脂組成物で用いる（ｂ）ノボラック型エポキシ樹脂を含み、かつ、実質的にハロゲン化されていないエポキシ樹脂（以下、単に「（ｂ）ノボラック型エポキシ樹脂」ということがある）は、ハロゲン化されていないものである。これにより、硬化物の熱分解時に、ハロゲンに起因する腐食性、毒性を有する成分の発生をなくすことができる。また、ノボラック型エポキシ樹脂は、この絶縁樹脂組成物の硬化物の架橋密度を増加させ、高い難燃性と耐熱性とを付与することができることから、実質的にハロゲン化合物を用いることなく、難燃性を付与することができる。

前記（ｂ）ノボラック型エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂等を挙げることができる。これらの中でもクレゾールノボラック型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、前記効果に加えて、硬化物の吸水率を低下させ、高湿環境下での耐湿性を向上させることができる。

前記（ｂ）ノボラック型エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、エポキシ樹脂全体の６０〜９０重量％であることが好ましい。さらに好ましくは６５〜７５重量％である。これにより、前記作用を効果的に発現させることができる。
（ｂ）ノボラック型エポキシ樹脂の含有量が前記下限値未満であると、耐熱性を向上させる効果が充分でないことがある。また、前記上限値を超えると、硬化物が硬くなり、ドリル加工性や打ち抜き加工性が低下することがある。

本発明の絶縁樹脂組成物は、前記（ｂ）ノボラック型エポキシ樹脂以外に、さらにエポキシ樹脂を用いることができる。このようなエポキシ樹脂としては例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂などが挙げられる。
ここで、液状のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を併用すると、繊維基材への含浸性を向上させることができる。また、固形のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を併用すると、銅箔への密着性を向上させることができる。

本発明の絶縁樹脂組成物に用いる（ｃ）紫外線吸収剤は、前記絶縁樹脂組成物を用いてプリント配線板のソルダーレジストを露光する際、照射した紫外線がプリント配線板を透過して反対面のソルダーレジストを感光させ、反対面の本来露光すべきでない部分のソルダーレジストも同時に露光してしまうことを防ぐことができる。
前記（ｃ）紫外線吸収剤としては、例えば、ジアミノスチルベンジスルホン酸誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、クマリン誘導体等を挙げることができる。この中でもクマリン誘導体が好ましく、例えば７−ジエチルアミノ−４−メチルクマリンなどが挙げられる。
これらは、露光機に利用されているランプの波長領域での光の吸収率が高いため、より効果的に露光時の光の透過を防ぐことができる。

前記（ｃ）紫外線吸収剤の含有量は、特に限定はされないが、前記絶縁樹脂組成物１００重量％に対して、０．１重量％以上１０重量％以下が好ましい。さらに０．２重量％以上５重量％が好ましく、さらには０．３重量％以上２重量％以下が好ましい。
含有量が前記下限値未満であると露光時の前記プリント配線板を形成する絶縁樹脂組成物の紫外線の吸収が弱く、光透過を効率良く防ぐ効果が現れない場合があり、前記上限値を超えると、耐熱性やプレス成形性が低下したり、基板作製後に紫外線吸収剤が溶出する場合がある。

本発明に用いる（ｄ）硬化剤は、例えばフェノール樹脂などのエポキシ基と反応する基を有する化合物、もしくはイミダゾールなどのエポキシ基同士の反応を促進する化合物を用いることができる。前記フェノール樹脂は、特に限定されないが、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、アリールアルキレン型ノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂等が挙げられる。これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用したり、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。これらの中でも特に、ノボラック型フェノール樹脂が好ましい。これにより、さらに吸湿半田耐熱性を向上させることができる。

前記（ｄ）硬化剤の含有量は、特に限定されないが、前記絶縁樹脂組成物の０．０５〜１０重量％が好ましく、特に０．２〜５重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると硬化を促進する効果が現れない場合があり、前記上限値を超えるとプリプレグの保存性が低下する場合がある。

本発明の絶縁樹脂組成物は、さらに（ｅ）モリブデン酸亜鉛で表面処理された、金属水酸化物以外の無機充填材を含むことが好ましい。これによって、耐熱性や絶縁信頼性を損なわずに、効果的に難燃性を付与することができる。
前記（ｅ）モリブデン酸亜鉛で表面処理された、金属水酸化物以外の無機充填材の無機充填材としては、例えばタルク、焼成タルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、シリカ、溶融シリカ等の酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素等の窒化物、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム等のチタン酸塩等を挙げることができる。これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、２種類以上を併用したりすることもできる。

本発明の（ｅ）モリブデン酸亜鉛で表面処理された、金属水酸化物以外の無機充填材は、特にタルクの表面をモリブデン酸亜鉛で表面処理したものであることが好ましい。これにより、耐熱性を損なわずに低熱膨張性や難燃性を付与することができる。

前記（ｅ）モリブデン酸亜鉛で表面処理された、金属水酸化物以外の無機充填材（以下、単に「（ｅ）無機充填材」ということがある）の含有量は、特に限定はされないが、絶縁樹脂組成物全体に対して５重量％以上７０重量％以下であることが好ましい。さらに１０重量％以上６０重量％以下が好ましく、さらに１５重量％以上５０重量％以下が好ましい。これにより、前記作用を効果的に発現させることができる。含有量が前記下限値未満では、低熱膨張性や難燃性の効果を十分に得られない恐れがあり、前記上限値を超えると、加熱加圧時の成形性が低下する恐れがある。

前記絶縁樹脂組成物は、特に限定されないが、カップリング剤を用いることが好ましい。前記カップリング剤は、前記絶縁樹脂組成物中の絶縁樹脂と、前記金属水酸化物及び前記無機充填材との界面の濡れ性を向上させることにより、絶縁樹脂等と金属水酸化物及び無機充填材とが結合し、機械強度、耐熱性、特に吸湿処理後の半田耐熱性を改良することができる。
前記カップリング剤としては、通常用いられるものなら特に限定されないが、例えば、エポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤の中から選ばれる１種以上のカップリング剤を使用することが好ましい。これにより、エポキシ樹脂や硬化剤と金属水酸化物及び無機充填材の界面との濡れ性を高くすることができ、それによって耐熱性をより向上させることできる。

前記カップリング剤の含有量は、前記（ａ）金属水酸化物、（ｅ）無機充填材、及びその他の無機充填材の比表面積に依存するので特に限定されないが、（ａ）金属水酸化物、（ｅ）無機充填材、及びその他の無機充填材を合わせた１００重量部に対して０．０５〜３重量％が好ましく、特に０．１〜２重量％が好ましい。カップリング剤の含有量が前記下限値未満であると（ａ）金属水酸化物、（ｅ）無機充填材、及びその他の無機充填材を十分に被覆できないため耐熱性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると反応に影響を与え、曲げ強度等が低下する場合がある。

本発明の絶縁樹脂組成物は、さらにフェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリスチレン樹脂等の熱可塑性樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−イソプレン共重合体等のポリスチレン系熱可塑性エラストマー、ポリオレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリエステル系エラストマー等の熱可塑性エラストマ−、ポリブタジエン、エポキシ変性ポリブタジエン、アクリル変性ポリブタジエン、メタクリル変性ポリブタジエン等のジエン系エラストマーを併用しても良い。
また、前記絶縁樹脂組成物は、必要に応じて、顔料、染料、消泡剤、レベリング剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、イオン捕捉剤等の前記成分以外の添加物を添加しても良い。

次に、プリプレグについて説明する。
本発明のプリプレグは、上記の絶縁樹脂組成物を繊維基材に含浸させてなるものである。これにより、誘電特性、高温多湿下での機械的、電気的接続信頼性等の各種特性に優れたプリント配線板を製造するのに好適なプリプレグを得ることができる。

本発明で用いる繊維基材としては、例えば、ガラス織布、ガラス不織布等のガラス繊維基材、ポリアミド樹脂繊維、芳香族ポリアミド樹脂繊維、全芳香族ポリアミド樹脂繊維等のポリアミド系樹脂繊維、ポリエステル樹脂繊維、芳香族ポリエステル樹脂繊維、全芳香族ポリエステル樹脂繊維等のポリエステル系樹脂繊維、ポリイミド樹脂繊維、フッ素樹脂繊維等を主成分とする織布または不織布で構成される合成繊維基材、クラフト紙、コットンリンター紙、リンターとクラフトパルプの混抄紙等を主成分とする紙基材等の有機繊維基材等が挙げられる。これらの中でもガラス繊維基材が好ましい。これにより、プリプレグの強度が上がり、また低吸水化することができる。また、プリプレグの線膨張係数を小さくすることができる。

本発明の絶縁樹脂組成物を繊維基材に含浸させる方法には、例えば、本発明の絶縁樹脂組成物を有機溶剤に分散させて樹脂ワニスに調製し、繊維基材を樹脂ワニスに浸漬する方法、各種コーター装置による塗布する方法、スプレーによる吹き付ける方法等が挙げられる。これらの中でも、繊維基材を樹脂ワニスに浸漬する方法が好ましい。これにより、繊維基材に対する絶縁樹脂組成物の含浸性を向上させることができる。なお、繊維基材を樹脂ワニスに浸漬する場合、通常の含浸塗布設備を使用することができる。

前記樹脂ワニスに用いられる溶媒は、前記絶縁樹脂組成物中の樹脂成分に対して良好な溶解性を示すことが望ましいが、悪影響を及ぼさない範囲で貧溶媒を使用しても構わない。良好な溶解性を示す溶媒としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系等が挙げられる。
前記樹脂ワニス中の不揮発分濃度としては特に限定されないが、４０〜８０重量％が好ましく、特に５０〜６５重量％が好ましい。これにより、樹脂ワニスの粘度を好適な水準とすることができ、繊維基材への含浸性を更に向上させることができる。前記繊維基材に前記絶縁樹脂組成物を含浸させ、所定温度、例えば８０〜２００℃で乾燥させることによりプリプレグを得ることが出来る。

次に、積層板について説明する。
本発明の積層板は、上記のプリプレグを少なくとも１枚成形してなるものである。これにより、誘電特性、高温多湿化での機械的、電気的接続信頼性に優れた積層板を得ることができる。
プリプレグ１枚のときは、その上下両面もしくは片面に金属箔あるいはフィルムを重ねる。また、プリプレグを２枚以上積層することもできる。プリプレグを２枚以上積層するときは、積層したプリプレグの最も外側の上下両面もしくは片面に金属箔あるいはフィルムを重ねる。次に、プリプレグと金属箔等とを重ねたものを加熱、加圧することで積層板を得ることができる。前記加熱する温度は、特に限定されないが、１２０〜２２０℃が好ましく、特に１５０〜２００℃が好ましい。また、前記加圧する圧力は、特に限定されないが、２〜５ＭＰａが好ましく、特に２．５〜４ＭＰａが好ましい。

また、前記積層板に用いるフィルムとしては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、フッ素系樹脂等を挙げることができる。

前記積層板に用いる金属箔としては、例えば銅及び銅系合金、アルミ及びアルミ系合金、銀及び銀系合金、金及び金系合金、亜鉛及び亜鉛系合金、ニッケル及びニッケル系合金、錫及び錫系合金、鉄および鉄系合金等が挙げられる。

前記金属箔は、キャリア箔付き極薄金属箔を用いることもできる。キャリア箔付き極薄金属箔とは、剥離可能なキャリア箔と極薄金属箔とを張り合わした金属箔である。キャリア箔付き極薄金属箔を用いることで積層板の両面に極薄金属箔層を形成できることから、例えば、セミアディティブ法などで回路を形成する場合、無電解メッキを行うことなく、極薄金属箔を直接給電層として電解メッキすることで、回路を形成後、極薄銅箔をフラッシュエッチングすることができる。キャリア箔付き極薄金属箔を用いることによって、厚さ１０μｍ以下の極薄金属箔でも、例えばプレス工程での極薄金属箔のハンドリング性の低下や、極薄銅箔の割れや切れを防ぐことができる。前記極薄金属箔の厚さは、０．１μｍ以上１０μｍ以下が好ましい。さらに、０．５μｍ以上５μｍ以下が好ましく、さらに１μｍ以上３μｍ以下が好ましい。前記極薄金属箔の厚さが前記下限値未満であると、キャリア箔を剥離後の極薄金属箔の傷つき、極薄金属箔のピンホールの発生、ピンホールの発生による回路パターン成形時のメッキバラツキ、回路配線の断線、エッチング液やデスミア液等の薬液の染み込みなどが発生する怖れがあり、前記上限値を超えると、極薄金属箔の厚みバラツキが大きくなったり、極薄金属箔の粗化面の表面粗さのバラツキが大きくなる場合がある。
通常、キャリア箔付き極薄金属箔は、プレス成形後の積層板に回路パターン形成する前にキャリア箔を剥離する。

前記キャリア箔付き極薄金属箔のキャリア箔としては、特に限定されないが、例えば、銅及び／又は銅系合金、アルミ及び／又はアルミ系合金、鉄及び／又は鉄系合金、銀及び／又は銀系合金、金及び金系合金、亜鉛及び亜鉛系合金、ニッケル及びニッケル系合金、錫及び錫系合金等の金属箔などが挙げられる。また、極薄金属箔としては、銅及び／又は銅系合金、アルミ及び／又はアルミ系合金、鉄及び／又は鉄系合金、銀及び／又は銀系合金、金及び金系合金、亜鉛及び亜鉛系合金、ニッケル及びニッケル系合金、錫及び錫系合金等の金属箔などが挙げられる。

前記キャリア箔付き極薄金属箔の極薄金属箔としては、特に限定されないが、例えば、銅及び／又は銅系合金、アルミ及び／又はアルミ系合金、鉄及び／又は鉄系合金、銀及び／又は銀系合金、金及び金系合金、亜鉛及び亜鉛系合金、ニッケル及びニッケル系合金、錫及び錫系合金等の金属箔などが挙げられる。また、極薄金属箔としては、銅及び／又は銅系合金、アルミ及び／又はアルミ系合金、鉄及び／又は鉄系合金、銀及び／又は銀系合金、金及び金系合金、亜鉛及び亜鉛系合金、ニッケル及びニッケル系合金、錫及び錫系合金等の金属箔などが挙げられる。

次に半導体装置について説明する。
前記積層板に通常行われる導体回路等を形成し、半導体素子を実装して所定の加工をすることにより、半導体装置を作製した。

以下、本発明を実施例及び比較例により説明するが、本発明はこれに限定されるものでない。

（実施例１）
（１）樹脂ワニスの調整
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（「エピクロンＮ-６９０」、エポキシ当量２１０、大日本インキ化学工業株式会社製）３４重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（１）（「エピクロン８５０」、エポキシ当量１９０、大日本インキ化学工業株式会社製）１０重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（２）（「エピクロン７０５０」、エポキシ当量１９００、大日本インキ化学工業株式会社製）４重量部、硬化剤１重量部、およびエポキシシラン型カップリング剤（Ａ−１８７、ＧＥ東芝シリコーン株式会社製）１重量部をメチルエチルケトンに常温で溶解し、洗浄した金属水酸化物（１）（水酸化アルミニウム、ＨＰ−３６０、平均粒径２．７μｍ、金属イオン性不純物（ナトリウムイオン）濃度１０ｐｐｍ、３００℃の重量減少率２５％、昭和電工株式会社製）１０重量部、無機充填材（１）（球状溶融シリカ、ＳＯ−２５Ｒ、平均粒径０．５μｍ、株式会社アドマテックス社製）３５重量部、無機充填材（２）（モリブデン酸亜鉛処理タルク、ケムガード１１００、シャーウィンウィリアムズカンパニー社製）５重量部、紫外線吸収剤（７−ジエチルアミノ−４−メチルクマリン）０．１重量部を添加し、高速攪撹拌機を用いて１０分攪撹拌して、樹脂ワニスを得た。金属イオン性不純物の濃度は、金属水酸化物を純水中で８０℃、２４時間処理し、純水中に金属イオンを抽出した後、ＩＣＰ−ＭＳにてナトリウムイオンを測定した。以下特に断りがない場合は同様に測定した。

（２）プリプレグの製造
前記の樹脂ワニスをガラス織布（厚さ９４μｍ、日東紡製、ＷＥＡ−２１１６）に含浸し、１５０℃の加熱炉で２分間乾燥してプリプレグを得た。

（３）積層板の製造
前記で得たプリプレグを所定枚数重ね、両面にキャリア箔厚１８μｍ、極薄銅箔厚３μｍのキャリア箔付き極薄銅箔（ＭＴ１８ＥＸ、三井金属鉱業株式会社製）を重ねて、圧力４ＭＰａ、温度２００℃で２時間成形し、キャリア箔を剥離することによって、両面に銅箔を有する積層板を得た。ここで、キャリア箔付き極薄銅箔を使用せずに通常の銅箔（例えば３ＥＣ−Ｍ３−ＶＬＰ、厚さ１２μｍ、三井金属鉱業株式会社製）を使用する場合には、当然ながらキャリア箔を剥離する工程は必要としない。

（４）半導体装置の製造
前記の両面に銅箔を有する積層板（厚さ０．１ｍｍのプリプレグを2枚重ねて作製した積層板）に所定の回路配線を形成し、その後ソルダーレジスト（太陽インキ社製ＰＳＲ４０００／ＡＵＳ３０８）を形成し、露光・現像により半導体素子が実装できるよう接続用電極部を露出させ、ニッケル金メッキ処理を施し、５０ｍｍ×５０ｍｍの大きさに切断し、パッケージ基板を得た。得られたパッケージ基板に、半田バンプを有する半導体素子（厚さ０．７５ｍｍ、１５ｍｍ×１５ｍｍ角）をフリップチップボンダー装置により実装し、リフロー炉にて接合し、半導体素子とパッケージ基板との間にアンダーフィルを充填することによって、半導体装置を作製した。

（実施例２）
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂を３０重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（１）を９重量部、洗浄した金属水酸化物（１）を５重量部、無機充填材（１）を４０重量部、無機充填材（２）を１０重量部とした以外は、実施例１と同様に作製した。

（実施例３）
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂を２５重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（１）を８重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（２）を３重量部、洗浄した金属水酸化物（１）を２重量部、無機充填材（１）を４５重量部、無機充填材（２）を１５重量部とした以外は、実施例１と同様に作製した。

（実施例４）
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂を１９重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（１）を６重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（２）を２重量部、洗浄した金属水酸化物（１）を１重量部、無機充填材（１）を５０重量部、無機充填材（２）を２０重量部とした以外は、実施例１と同様に作製した。

（実施例５）
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂を１７重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（１）を４重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（２）を２重量部、洗浄した金属水酸化物（１）を５重量部、無機充填材（１）を６５重量部、紫外線吸収剤を０．５重量部とした以外は、実施例１と同様に作製した。

（実施例６）
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂を１２重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（１）を４重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（２）を２重量部、無機充填材（１）を６５重量部、紫外線吸収剤を１重量部とした以外は、実施例１と同様に作製した。

（実施例７）
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂を３６重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（１）を１２重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（２）を５重量部、洗浄した金属水酸化物（１）を３０重量部、無機充填材（１）を１０重量部、紫外線吸収剤を０．０６重量部とした以外は、実施例１と同様に作製した。

（実施例８）
洗浄した金属水酸化物（１）を４０重量部、無機充填材（１）を５重量部とした以外は、実施例１と同様に作製した。

（実施例９）
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂を２８重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（２）を５重量部、洗浄した金属水酸化物（１）を４５重量部、無機充填材（１）を５重量部とした以外は、実施例１と同様に作製した。

（実施例１０）
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂を２８重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（２）を５重量部、洗浄した金属水酸化物（１）を５０重量部、無機充填材（１）を配合しなかった以外は、実施例１と同様に作製した。

（実施例１１）
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂を３６重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（１）を９重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（２）を３重量部、無機充填材（１）を１０重量部、無機充填材（２）を３０重量部とした以外は、実施例１と同様に作製した。

（実施例１２）
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂を２９重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（１）を１３重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（２）を６重量部とした以外は、実施例１と同様に作製した。

（実施例１３）
洗浄した金属水酸化物（１）の代わりに洗浄した金属水酸化物（２）（水酸化アルミニウム、ＨＰ−３２、平均粒径８．０μｍ、金属イオン性不純物（ナトリウムイオン）濃度２００ｐｐｍ、３００℃の重量減少率３０％、昭和電工株式会社製）を１０重量部とした以外は、実施例１と同様に作製した。

（実施例１４）
洗浄した金属水酸化物（１）の代わりに洗浄した金属水酸化物（３）（水酸化アルミニウム、ＨＰ−４２Ｍ、平均粒径１．０μｍ、金属イオン性不純物（ナトリウムイオン）濃度４００ｐｐｍ、３００℃の重量減少率３０％、昭和電工株式会社製）を１０重量部とした以外は、実施例１と同様に作製した。

（実施例１５）
洗浄した金属水酸化物（１）の代わりに洗浄した金属水酸化物（４）（水酸化アルミニウム、ＨＰ−４３Ｍ、平均粒径０．６μｍ、金属イオン性不純物（ナトリウムイオン）濃度５００ｐｐｍ、３００℃の重量減少率３０％、昭和電工株式会社製）を１０重量部とした以外は、実施例１と同様に作製した。

（実施例１６）
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂の代わりにフェノールノボラック型エポキシ樹脂（「エピクロンＮ-７７０」、エポキシ当量１９０、大日本インキ化学工業株式会社製）を３４重量部とした以外は、実施例１と同様に作製した。

（実施例１７）
無機充填材（１）を１０重量部、無機充填材（２）を４０重量部とした以外は、実施例１と同様に作製した。

（参考例１）
洗浄した金属水酸化物（１）の代わりに洗浄した金属水酸化物（５）（水酸化アルミニウム、ＨＳ−３２０、平均粒径１０．０μｍ、金属イオン性不純物（ナトリウムイオン）濃度２０ｐｐｍ、３００℃の重量減少率２５％、昭和電工株式会社製）を１０重量部とした以外は、実施例１と同様に作製した。

（比較例１）
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂を５４重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（１）を２１重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（２）を１８重量部、洗浄した金属水酸化物（１）を２０重量部とし、無機充填材を配合しなかった以外は、実施例１と同様に作製した。

（比較例２）
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂を３６重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（１）を１２重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（２）を５重量部、洗浄した金属水酸化物（１）の代わりに未洗浄の金属水酸化物（６）（水酸化アルミニウム、ＨＰ−４２Ｉ、平均粒径１．０μｍ、金属イオン性不純物（ナトリウムイオン）濃度２８００ｐｐｍ、３００℃の重量減少率２５％、昭和電工株式会社製）を３０重量部、無機充填材（１）を１０重量部とした以外は、実施例１と同様に作製した。

（比較例３）
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂を５７重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（１）を１８重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（２）を７重量部、硬化剤を２重量部、無機充填材（１）を１５重量部とし、洗浄した金属水酸化物（１）と無機充填材（２）を配合しなかった以外は、実施例１と同様に作製した。

（比較例４）
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂を５７重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（１）を１８重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（２）を７重量部、硬化剤を２重量部、無機充填材（２）を１５重量部とし、洗浄した金属水酸化物（１）と無機充填材（１）を配合しなかった以外は、実施例１と同様に作製した。

（比較例５）
紫外線吸収剤を配合しなかった以外は、実施例１と同様に作製した。

（比較例６）
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（２）を５重量部、硬化剤を配合しなかった以外は、実施例１と同様に作製した。

実施例および比較例で得られた樹脂組成物、プリプレグ、積層板、半導体装置について、特性の評価を行った。結果を表１及び表２に示す。

評価方法は、以下の通りである。

１．線膨張係数
厚さ１．２ｍｍの両面に銅箔を有する積層板の銅箔を全面エッチングし、得られた積層板から２ｍｍ×２ｍｍのテストピースを切り出し、ＴＭＡを用いて５℃／分の条件で０℃〜２８０℃まで昇温させ、２５℃における厚み方向（Ｚ方向）の線膨張係数を測定した。なお、前記テストピース作製に用いた積層板は、前記積層板の製造においてプリプレグ厚さ０．１ｍｍのプリプレグを１２枚重ねて作製したものを用いた。

２．熱衝撃試験
前記で得られた半導体装置をフロリナート中で−５５℃１０分、１２５℃１０分、−５５℃１０分を１サイクルとして、１０００サイクル処理し、半導体装置にクラックが発生していないか確認した。
各符号は以下の通りである。
○：クラック発生なし
×：クラック発生

３．基板の反り
温度可変レーザー三次元測定機（日立テクノロジーアンドサービス社製 形式LS220-MT100MT50）を用い、前記測定機のサンプルチャンバーに前記で得られた半導体装置の半導体素子面を下にして設置し、パッケージ基板面の高さ方向の変位を測定し、変位差の最も大きい値を反り量とした。

４．絶縁信頼性試験
厚さ０．４ｍｍの両面に銅箔を有する積層板に、メカニカルドリルを用いて径０．４ｍｍ、壁間距離０．４ｍｍのスルーホールを開け、その後メッキ、回路配線を形成して、８５℃、８５％ＲＨ、印加電圧５０Ｖの条件下で１０００ｈ処理し、１００Ｖで絶縁抵抗を測定した。なお、前記絶縁信頼性試験に用いた積層板は、前記積層板の製造において０．１ｍｍ厚のプリプレグを４枚重ねて作製したものを用いた。
各符号は以下の通りである。
○：１．０×１０^１０Ω以上
×：１．０×１０^１０Ω以下

５．プレス成形性
内層回路銅の厚さが３５μｍ、２０ｍｍ径のアンクラッドが配列されたパターンのテスト基板上下に、上記のプリプレグを各１枚、１８μｍの銅箔を重ねて、圧力４ＭＰａ、温度２００℃で２時間加熱加圧成形後、銅箔を全面エッチングしてプレス成形ボイドがないか確認した。
各符号は以下の通りである。
○：成形ボイドなし
×：成形ボイドあり

６．算術表面粗さ：Ｒａ
厚さ０．６ｍｍの両面に銅箔を有する積層板の銅箔を全面エッチング後、膨潤：８０℃、５分、粗化：８０℃、１０分、中和：４０℃、５分の条件でデスミアを行い、基板のＲａを測定した。なお、前記積層板は、前記積層板の製造において０．１ｍｍ厚のプリプレグを６枚重ねて作製したものを用いた。

７．ガラス転移温度
厚さ０．６ｍｍの銅箔を全面エッチングし、得られた積層板から１０ｍｍ×６０ｍｍのテストピースを切り出し、動的粘弾性測定装置（ＤＭＡ９８３、ＴＡインスツルメント社製）を用いて３℃／分で昇温し、ｔａｎδのピーク位置をガラス転移温度とした。なお、前記テストピース作製に用いた積層板は、前記積層板の製造において０．１ｍｍ厚のプリプレグを６枚重ねて作製したものを用いた。

８．重量減少率
前記両面に銅箔を有する積層板の銅箔を全面エッチング後、絶縁樹脂組成物の硬化物を削り取り、ＴＧ−ＤＴＡを用い３０℃から５００℃まで１０℃／分の条件で昇温し、（（３０℃の硬化物重量）−（３００℃の硬化物重量））／（３０℃の硬化物重量）×１００から重量減少率（％）を算出した。

９．難燃性試験
ＵＬ−９４規格に従い、積層板（厚さ１ｍｍ、銅箔を両面エッチングしたもの）のテストピースを垂直法により測定した。

１０．吸水率
厚さ０．６ｍｍの銅箔を全面エッチングし、得られた積層板から５０ｍｍ×５０ｍｍのテストピースを切り出し、ＪＩＳＣ ６４８１に従い測定した。前記テストピース作製に用いた積層板は、前記積層板の製造において０．１ｍｍ厚のプリプレグを１６枚重ねて作製したものを用いた。

１０．ピール強度
厚さ０．６ｍｍの両面に銅箔を有する積層板をＪＩＳ Ｃ ６４８１に準拠して測定した。前記両面に銅箔を有する積層板は、前記積層板の製造において０．１ｍｍ厚のプリプレグを６枚重ねて作製したものを用いた。

１１．吸湿半田耐熱
厚さ０．６ｍｍの両面に銅箔を有する積層板から５０ｍｍ×５０ｍｍに切り出し、ＪＩＳ Ｃ ６４８１に従い半面エッチングを行ってテストピースを作成した。１２１℃のプレッシャークッカーで２時間処理した後、２６０℃のはんだ槽に銅箔面を下にして浮かべ、１２０秒後における外観の異常を調べた。なお、前記テストピース作製に用いた積層板は、前記積層板の製造において０．１ｍｍ厚のプリプレグを６枚重ねて作製したものを用いた。
各符号は以下の通りである。
○：異常なし
×：フクレあり

１２．露光性
厚さ０．２ｍｍの両面に銅箔を有する積層板の両面にサブトラクティブ法により回路を形成した後、ソルダーレジスト層をその両面に形成し、露光機にて紫外線露光を形成されたソルダーレジストを目視観察して、未現像部がないか確認した。尚、用いた積層板は、前記積層板の製造において０．１ｍｍ厚のプリプレグを２枚重ねて作製したものを用いた。
各符号は以下の通りである。
○：ソルダーレジスト層に実用上問題なし
×：ソルダーレジスト層に実用上問題あり

表１からも明らかなように、実施例１〜１８は、絶縁樹脂組成物の硬化物の線膨張係数が低く、金属水酸化物、ノボラック型エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂及び、無機充填材を含有する本発明の樹脂組成物と、これを用いたプリプレグ、積層板、及び半導体装置である。
実施例１〜１８はいずれも、低熱膨張性、絶縁信頼性、難燃性、吸湿半田耐熱性等すべての評価において良好なものであった。
これに対し、比較例１は、無機充填材が含有ないため、線膨張係数が大きくなり、熱衝撃試験や吸湿半田耐熱試験でクラックやフクレが発生した。
比較例２は、金属水酸化物中の金属イオン性不純物の濃度が高く、絶縁信頼性試験で絶縁抵抗が低下した。
比較例３、４は、金属水酸化物を含有せず、無機充填材の含有量が少ないため、難燃性が低下した。
比較例５は、紫外線吸収剤を含有せず、露光性が低下した。
比較例６は、硬化剤を含有せず、吸湿耐半田性、プレス成形性が低下した。

本発明の絶縁樹脂組成物は、プリプレグ、該プリプレグを用いた積層板、該積層板よりなる半導体装置に好適に用いることができるが、その他、難燃性、耐半田性、絶縁信頼性、熱衝撃性等の信頼性にも優れることから、車載用の電子部品装置、例えば、燃料電池自動車およびハイブリッド自動車等のパワーエレクトロニクス機器等やハイブッド車のモーター駆動用の電子部品のチップの保護などに用いる樹脂部分に用いることも可能である。

Claims (15)

1. 繊維基材に含浸させてシート状のプリプレグを形成し、前記プリプレグを１枚以上重ね合わせ、前記プリプレグの少なくとも一方の外側の面に銅箔を配置して加熱加圧成形してなる積層板を形成するために用いる絶縁樹脂組成物であり、硬化物の線膨張係数が、２５℃において６ｐｐｍ／℃以上６０ｐｐｍ／℃以下である絶縁樹脂組成物であって、
   （ａ）平均粒径が０．１μｍ以上８μｍ以下である金属水酸化物、
   （ｂ）ノボラック型エポキシ樹脂を含み、かつ、実質的にハロゲン化されていないエポキシ樹脂、
   （ｃ）紫外線吸収剤、
   （ｄ）硬化剤
   を含有し、
   前記（ａ）金属水酸化物は水酸化アルミニウムであるとともに含有される金属イオン性不純物であるナトリウムイオンの濃度が５００ｐｐｍ以下であり、
   前記絶縁樹脂組成物全体として、前記（ａ）金属水酸化物の含有量が１重量％以上５０重量％以下であり、
   前記（ｃ）紫外線吸収剤がクマリン構造を有する化合物であり、
   前記銅箔は、キャリア箔付き極薄銅箔であって、前記キャリア箔付き極薄銅箔の極薄銅箔の厚さが０．１μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする絶縁樹脂組成物。
2. 前記絶縁樹脂組成物は、（ｅ）モリブデン酸亜鉛で表面処理された、金属水酸化物以外の無機充填材を含有する請求項１に記載の絶縁樹脂組成物。
3. 前記絶縁樹脂組成物の３００℃における重量減少率が１５％以下である請求項１または２に記載の絶縁樹脂組成物。
4. 前記（ａ）金属水酸化物の３００℃における重量減少率が２０重量％以上４０重量％以下である請求項１ないし３のいずれか一項に記載の絶縁樹脂組成物。
5. 前記（ｅ）モリブデン酸亜鉛で表面処理された、金属水酸化物以外の無機充填材は、タルクの表面をモリブデン酸亜鉛で表面処理したものである請求項２ないし４のいずれか一項に記載の絶縁樹脂組成物。
6. 前記（ｄ）硬化剤は、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、アリールアルキレン型ノボラック樹脂よりなる群から選ばれる少なくとも1種のノボラック型フェノール樹脂である請求項１ないし５のいずれか一項に記載の絶縁樹脂組成物。
7. 請求項１ないし６のいずれか一項に記載の絶縁樹脂組成物を繊維基材に含浸させてなるプリプレグ。
8. 前記繊維基材は、ガラス繊維である請求項７に記載のプリプレグ。
9. 前記繊維基材は、有機繊維である請求項７に記載のプリプレグ。
10. 請求項７ないし９のいずれか一項に記載のプリプレグを１枚以上重ね合わせ、前記プリプレグの少なくとも一方の外側の面に銅箔を配置して加熱加圧成形してなる積層板。
11. 前記銅箔は、キャリア箔付き極薄銅箔である請求項１０に記載の積層板。
12. 前記キャリア箔付き極薄銅箔の極薄銅箔の厚さが０．１μｍ以上１０μｍ以下である請求項１１に記載の積層板。
13. 請求項７ないし１２のいずれか一項に記載のプリプレグ及び／または積層板を用いてなるプリント配線板。
14. 請求項７ないし１２のいずれか一項に記載のプリプレグ及び／または積層板を用いてなる多層プリント配線板。
15. 請求項１４に記載の多層プリント配線板に半導体素子を搭載してなる半導体装置。