JP5262014B2 - 架橋基を有する有機化合物、有機電界発光素子用組成物および有機電界発光素子 - Google Patents

Description

本発明は、湿式成膜法による成膜が可能な、架橋基を有する有機化合物と、該有機化合物を含有する有機電界発光素子用組成物と、該有機化合物を含有する有機層を有する、発光効率が高く、駆動安定性に優れた有機電界発光素子に関するものである。

近年、有機薄膜を用いた電界発光素子（有機電界発光素子）の開発が行われている。有機電界発光素子における有機薄膜の形成方法としては、真空蒸着法と湿式成膜法が挙げられる。
真空蒸着法は積層化が可能であるため、陽極および／または陰極からの電荷注入の改善、励起子の発光層封じ込めが容易であるという利点を有する。湿式成膜法は真空プロセスが要らず、大面積化が容易で、１つの層（塗布液）に様々な機能をもった複数の材料を混合して入れることが容易である等の利点がある。

しかしながら、湿式成膜法は積層化が困難であるため、真空蒸着法による素子に比べて駆動安定性に劣り、一部を除いて実用レベルに至っていないのが現状である。特に、湿式成膜法での積層化は、有機溶媒と水系溶媒を使用するなどして二層の積層は可能であるが、三層以上の積層化は困難であった。

このような積層化における問題点を解決するために、例えば特許文献１では、エポキシ基を有するジアミン化合物を使用して成膜を行っている。
しかしながら、該ジアミン化合物は電子および励起子を発光層に封じ込める効果が小さく、特に燐光発光を利用する有機電界発光素子に使用することは困難であった。

また、特許文献２には、下記の様な架橋基を有する芳香族アミン化合物が提案されている。

上記の化合物は、特許文献１に記載されるジアミン化合物に比べて、電子などを閉じ込める効果は大きいと考えられるが、アミンのｐ−位全てが電子供与性の強い置換基であるため、非常に酸化されやすく保存安定性に問題があった。
特開平７−８５９７３号公報 特開平７−１１４９８７号公報

本発明は、湿式成膜法に適した有機化合物、特に電子および励起子を発光層側に封じ込める効果が高く、保存安定性に優れる有機化合物を提供することを課題とする。
本発明はまた、発光効率が高く、駆動安定性が高い有機電界発光素子を提供することを課題とする。

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、下記の特定構造を有する架橋基を有する有機化合物が、高い正孔輸送能、高い電子および励起子阻止能を有し、保存安定性にも優れる、湿式成膜法に適した化合物であることを見出し、本発明に到達した。
即ち、本発明者らは、上記特許文献２に記載される架橋基を有する芳香族アミン化合物は、保存安定性が低いため、この化合物の構造を多少変化させても保存安定性が改良されることはなく、有機電界発光素子への使用は困難であると考えたが、敢えてこの化合物の窒素原子に結合する３つのフェニレン基のうちの２つをビフェニレン基に変えて、ベンゼン環を増やしてみたところ、保存安定性が改良されるだけでなく、電子および励起子を発光層側に封じ込める効果、さらには正孔輸送能までもが向上するという効果を得ることができることを見出し、本発明に到達した。

本発明はこのような知見に基いて達成されたものであり、以下を要旨とする。

［１］ 下記式（Ｉ−１）で表され、下記架橋基が、下記式（ａ）、（ｂ）、（ｃ）のいずれかで表される環状エーテル基である有機化合物。

（式中、Ｔ ^１ 、Ｔ^２ およびＴ ^３ は、それぞれ独立に、直接又は連結基を介してｐ−ビフェニル基に結合する架橋基を表す。該連結基はアルキレン基、エーテル基、スルフィド基から選択される。ｎはＴ ^１ の置換数を表し、ｍはＴ ^２ の置換数を表し、それぞれ独立に、０〜２の整数を表す。但し、ｍ＋ｎは２以上の整数である。ｐは、Ｔ^３の置換数を表し、０〜２の整数を表す。）

（式（ａ）〜（ｃ）において、※は連結位置を示す。）

［２］ 前記式（Ｉ−１）が下記式（Ｉ−２）で表される［１］に記載の有機化合物。

（式中、Ｔ^１１〜Ｔ^１３は、それぞれ独立に、前記式（ａ）、（ｂ）、（ｃ）のいずれかで表される架橋基を表す。ｍ、ｎ、およびｐは、それぞれ式（Ｉ−１）におけるものと同義である。）

［３］ ［１］または［２］のいずれかに記載の有機化合物を含有する有機電界発光素子用組成物。

［４］ 基板上に、陽極、陰極、および該陽極と該陰極に挟持された１層または２層以上の有機層を有する有機電界発光素子において、該有機層の少なくとも１層が、［１］〜［３］のいずれかに記載の有機化合物を含有する有機電界発光素子。

［５］ 該有機化合物を含有する層が、正孔輸送層である［４］に記載の有機電界発光素子。

［６］ 該正孔輸送層上に、発光層を有する［５］に記載の有機電界発光素子。

［７］ 前記有機層が、正孔注入層、正孔輸送層および発光層を有し、正孔注入層、正孔輸送層および発光層の全てが湿式成膜法により形成される［４］〜［６］のいずれかに記載の有機電界発光素子。

本発明の有機化合物は、高い正孔輸送能、高い電子および励起子阻止能を有し、保存安定性にも優れる。また、この有機化合物は湿式成膜法に適しており、この有機化合物を用いて有機電界発光素子の有機層を湿式成膜法で積層して形成することが可能となる。

また、この有機化合物を含む有機電界発光素子用組成物を用いて、湿式成膜法により形成される有機電界発光素子は、大面積化が可能である。
また、この有機化合物を含む有機電界発光素子用組成物を用いて、有機溶剤に不溶な有機薄膜を形成することも可能であり、有機電界発光素子の湿式成膜法による積層化が容易となる。
さらに、本発明の有機化合物を含む有機電界発光素子によれば、高い効率で発光させることが可能となり、かつ素子の安定性、特に駆動安定性が向上する。

また、本発明の有機化合物は、優れた製膜性、電荷輸送性、発光特性、耐熱性から、素子の層構成に合わせて、正孔注入材料、正孔輸送材料、発光材料、ホスト材料、電子注入材料、電子輸送材料などとしても適用可能である。

本発明の有機化合物を含む有機電界発光素子は、フラットパネル・ディスプレイ（例えばＯＡコンピュータ用や壁掛けテレビ）、車載表示素子、携帯電話表示や面発光体としての特徴を生かした光源（例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源）、表示板、標識灯への応用が考えられ、その技術的価値は大きいものである。

なお、本発明の有機化合物は、本質的に優れた耐酸化還元安定性を有することから、有機電界発光素子に限らず、電子写真感光体にも有用である。

以下に本発明の有機化合物、有機電界発光素子用組成物および有機電界発光素子の実施の形態を詳細に説明するが、以下に記載する構成要件の説明は、本発明の実施態様の一例（代表例）であり、本発明はその要旨を超えない限り、これらの内容に特定されない。

［有機化合物］
本発明の有機化合物は、下記式（Ｉ）で表される。

（式中、環Ａは置換基を有していてもよいベンゼン環を表す。Ｔ^１およびＴ^２は、それぞれ独立に、架橋基を含む置換基を表す。ｍおよびｎは、それぞれ架橋基を含む置換基が置換する数を表し、それぞれ独立に、０〜２の整数を表す。但し、ｍ＋ｎは２以上の整数である。）

［１］構造上の特徴
本発明の有機化合物は２以上のｐ−ビフェニル基を有する第三アミン構造を有し、保存安定性に優れ、高い正孔輸送能を有し、高い電子および励起子阻止能を有する。また、２以上の架橋基を有するため、これを架橋させることにより、湿式成膜法により形成した膜を、有機溶媒に不溶とすることが可能である。

［２］分子量範囲
本発明の有機化合物の分子量は、通常、３０００以下、好ましくは２０００以下であり、また通常４００以上、好ましくは５００以上である。分子量がこの上限値を超えると、不純物の高分子量化によって精製が困難となる場合があり、また分子量がこの下限値を下回ると、ガラス転移温度および、融点、気化温度などが低下するため、耐熱性が著しく損なわれるおそれがある。

［３］物性
本発明の有機化合物のガラス転移温度は、耐熱性の観点から、５０℃以上であることが好ましく、７０℃以上であることが更に好ましい。

［４］環Ａ
本発明の有機化合物における環Ａは、任意の置換基を有してもよいベンゼン環を表す。該置換基としては、架橋基を有するものであっても、架橋基を有さないものであってもよい。また、該置換基の分子量は通常６００以下であり、環Ａは、このような置換基を１または２以上有していてもよいが、環Ａに結合する置換基の合計の分子量としては、通常２０００以下である。

環Ａに結合する任意の置換基として具体的には、次のようなものが挙げられるが、環Ａの置換基は、以下に例示する置換基が複数個連結されてなるものであってもよい。

＜環Ａの置換基の具体例＞
置換基を有していてもよいアルキル基（好ましくは炭素数１から８の直鎖または分岐のアルキル基であり、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、２−プロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよいアルケニル基（好ましくは炭素数２から９のアルケニル基であり、例えばビニル、アリル、１−ブテニル基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよいアルキニル基（好ましくは炭素数２から９のアルキニル基であり、例えばエチニル、プロパルギル基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよいアラルキル基（好ましくは炭素数７から１５のアラルキル基であり、例えばベンジル基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよいアルコキシ基（好ましくは置換基を有していてもよい炭素数１〜８のアルコキシ基であり、たとえばメトキシ、エトキシ、ブトキシ基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよいアリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基を有するものであり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシ基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよいヘテロアリールオキシ基（好ましくは５または６員環の芳香族複素環基を有するものであり、例えばピリジルオキシ、チエニルオキシ基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよいアシル基（好ましくは置換基を有していてもよい炭素数２〜１０のアシル基であり、例えばホルミル、アセチル、ベンゾイル基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基（好ましくは置換基を有していてもよい炭素数２〜１０のアルコキシカルボニル基であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよいアリールオキシカルボニル基（好ましくは置換基を有していてもよい炭素数７〜１３のアリールオキシカルボニル基であり、例えばフェノキシカルボニル基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよいアルキルカルボニルオキシ基（好ましくは置換基を有していてもよい炭素数２〜１０のアルキルカルボニルオキシ基であり、例えばアセトキシ基などが挙げられる。）
ハロゲン原子（特に、フッ素原子または塩素原子）、
カルボキシ基
シアノ基
水酸基
メルカプト基
置換基を有していてもよいアルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜８のアルキルチオ基であり、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよいアリールチオ基（好ましくは炭素数６〜１２のアリールチオ基であり、例えば、フェニルチオ基、１−ナフチルチオ基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよいスルホニル基（例えばメシル基、トシル基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよいシリル基（例えばトリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよいボリル基（例えばジメシチルボリル基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよいホスフィノ基（例えばジフェニルホスフィノ基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基（例えばベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環などの、５または６員環の単環または２〜５縮合環由来の１価の基が挙げられる。）
置換基を有していてもよい芳香族複素環基（例えばフラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環などの、５または６員環の単環または２〜４縮合環由来の１価の基が挙げられる。）

また、上記置換基がさらに置換基を有する場合、その置換基としては、上記例示置換基が挙げられる。

環Ａの置換基としては、正孔輸送性および耐熱性を向上させる観点から、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基が好ましく、より好ましくは置換基を有してもよいフェニル基である。また、有機溶剤に対する不溶化をより促進する観点から、該フェニル基の置換基としては架橋基を含む置換基であることが好ましい。

すなわち、本発明の有機化合物は下記式（Ｉ−１）で表されることが好ましい。

（式中、Ｔ^３は、架橋基を含む置換基を表す。ｐは、Ｔ^３の置換数を表し、０〜２の整数を表す。Ｔ^１、Ｔ^２、ｍおよびｎは、それぞれ式（Ｉ）におけるものと同義である。）
なお、上記式（Ｉ−１）において、ｍ＋ｎは２以上の整数であるから、ｍ＋ｎ＋ｐも２以上の整数である。

［５］Ｔ^１〜Ｔ^３
上記式（Ｉ）におけるＴ^１，Ｔ^２、上記式（Ｉ−１）におけるＴ^３は、それぞれ独立に、架橋基を含む置換基を表す。
この架橋基を含む置換基とは、置換基の一部に架橋性を有する部位を有する基である。架橋基を含む置換基は架橋基のみからなる基であってもよいし、架橋基に他の基が連結しているものであってもよい。
Ｔ^１〜Ｔ^３はそれぞれ、分子量４００以下の基であることが好ましい。
また、Ｔ^１〜Ｔ^３のうち少なくとも２つ（Ｔ^１およびＴ^２）が同一であることが好ましく、３つが同一であることがより好ましい。特に、中心のアミノ基のＮ原子に結合する３つの基がその置換基も含めて、３つ中２つが同一であることが好ましく、３つ全てが同一であることがより好ましい。

Ｔ^１〜Ｔ^３に含まれる架橋基は、熱や光などの電磁エネルギーにより、互いに結合を形成し得る基であれば特に制限されないが、不飽和二重結合、環状エーテル、ベンゾシクロブタンなどを含む基が好ましい。
特に、架橋基が、環状エーテル基および下記式（II−１）〜（II−４）からなる群から選ばれる基のいずれかであることが好ましい。

該環状エーテル基としては反応性が高く、架橋反応が進行しやすいため、オキシラン環またはオキセタン環由来の基が好ましい。

（式（II−１）中、Ｒ^１〜Ｒ^３は、それぞれ独立に、水素原子または任意の置換基を表す。）

Ｒ^１〜Ｒ^３の任意の置換基として具体的には、環Ａの置換基として例示した置換基が挙げられるが、Ｒ^１〜Ｒ^３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基であることが、電気化学的耐久性の点から好ましく、Ｒ^１およびＲ^２がともに水素原子であることが、架橋反応が進行しやすいためにさらに好ましく、Ｒ^１〜Ｒ^３がすべて水素原子であることが特に好ましい。

中でも、下記式（II−２）で表されるように、Ｒ^１〜Ｒ^３がすべてフッ素原子であることが、熱や光などの電磁エネルギーによりシクロブタン環を形成して架橋することが可能になるため、特に好ましい。

（式（II−３）中、Ｒ^４〜Ｒ^６は、それぞれ独立に、水素原子または任意の置換基を表す。）

Ｒ^４〜Ｒ^６の任意の置換基として具体的には、環Ａの置換基として例示した置換基群が挙げられるが、Ｒ^４〜Ｒ^６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基であることが、電気化学的耐久性の点から好ましく、Ｒ^４およびＲ^５がともに水素原子であることが、架橋反応が進行しやすいためにさらに好ましく、Ｒ^４およびＲ^５がともに水素原子でＲ^６がメチル基であること、または、Ｒ^４〜Ｒ^６がすべて水素原子であることが特に好ましい。

また、Ｒ^５およびＲ^６が水素原子でＲ^４が芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であることが、熱や光などの電磁エネルギーによりシクロブタン環を形成して架橋することが可能になるため、特に好ましい。中でもＲ^５およびＲ^６が水素原子でＲ^４がフェニル基であることが好ましい。

（式（II−４）中、Ｒ^７およびＲ^８は、それぞれ独立に、水素原子または任意の置換基を表す。）

Ｒ^７およびＲ^８の任意の置換基として具体的には、環Ａの置換基として例示した置換基群が挙げられるが、Ｒ^７およびＲ^８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコシキル基であることが、電気化学的耐久性、溶解性の点から好ましく、Ｒ^７およびＲ^８がともに水素原子であることが、架橋反応が進行しやすいためにさらに好ましい。Ｒ^７およびＲ^８がともに置換基である場合、Ｒ^７とＲ^８は互いに結合してジオキサンなどの環状エーテル、シクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素環、ベンゼンなどの芳香族炭化水素環、ピリジンなどの芳香族複素環等の環を形成していてもよい。
Ｔ^１〜Ｔ^３の架橋基を含む置換基の架橋基以外の部分として具体的には、前記環Ａの置換基として例示したものが挙げられる。これら例示の基は１価基であるが、１価の基のままで或いは２価の基となりうるものは２価基として、Ｔ^１〜Ｔ^３の一部を構成してもよい。

上記式（Ｉ）、（Ｉ−１）または下記詳述する式（Ｉ−２）で表される有機化合物におけるｍ，ｎおよびｐは、それぞれ０〜２の整数を表すが、好ましくは１または２、より好ましくは１である。なお、上記式（Ｉ）において、ｍ＋ｎは２以上の整数、上記式（Ｉ−１）および下記式（Ｉ−２）において、ｍ＋ｎ＋ｐは２以上の整数である。
特に、上記式（Ｉ）においてｍ＝ｎ＝１であること、上記式（Ｉ−１）および下記式（Ｉ−２）においてｍ＝ｎ＝ｐ＝１であることが好ましい。

上述した架橋基は、２以上のｐ−ビフェニル基を有する第三アミン構造に直接結合してもよいが、本発明の有機化合物の特徴である高い正孔輸送能、高い電子および励起子阻止能をより向上させるため、連結基を介して結合した方が好ましい。

連結基としては、任意の２価の基が適用可能であるが、アルキレン基、エーテル基、スルフィド基が好ましく、溶解性および電気化学的安定性を向上させる観点から、エーテル基が特に好ましい。

すなわち、本発明の有機化合物は、Ｔ^１〜Ｔ^３としての架橋基を含む置換基が、エーテル基を介してｐ−ビフェニル基のベンゼン環に結合する基であること、すなわち、下記式（Ｉ−２）で表されることが特に好ましい。

（式中、Ｔ^１１〜Ｔ^１３は、それぞれ独立に、架橋基を含む置換基を表す。ｍおよびｎは、それぞれ式（Ｉ）におけるものと同義であり、ｐは、式（Ｉ−１）におけるものと同義である。）
Ｔ^１１〜Ｔ^１３は、それぞれ独立に架橋基を含む置換基を表し、前記Ｔ^１〜Ｔ^３と同義である。好ましい例および具体例もＴ^１〜Ｔ^３と同義である。

また、前述の如く、ｎ＝ｎ＝ｐ＝１であることが好ましいことから、本発明の有機化合物は、高い三重項励起準位を有する点および溶解性が特に高い点で、下記式（Ｉ−３）で表されることが好ましく、耐熱性に優れる点で、下記式（Ｉ−４）で表されることが好ましい。

（式（Ｉ−３），（Ｉ−４）中、Ｔ^１１〜Ｔ^１３は上記式（Ｉ−２）におけるものと同義である。）

［６］例示
以下に、本発明の有機化合物として好ましい具体的な例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。下記具体例の他、実施例において合成した化合物も、具体例として挙げられる。

［７］合成法
本発明の有機化合物は、目的とする化合物の構造に応じて原料を選択し、公知の手法を用いて合成することができる。

例えば、下記反応式に示すように、トリス（４−ブロモフェニル）アミンと式（VIII−１）で表される架橋基を有するフェニルボレートとを反応（鈴木カップリング）させることによって、式（VIII）で表される、本発明の有機化合物が得られる。

（式中、Ｔは架橋基を有する置換基を表し、Ｒは任意の基を表す。）

上記の例は、トリス（４−ブロモフェニル）アミンと式（VIII−１）で表される架橋基を有するフェニルボレートとを１：３（モル比）で反応させた例であるが、これを１：１または１：２で反応させた後、一回目の反応とは異なるフェニルボレートとの反応を行うことにより、非対称型の化合物が得られる。

また、下記反応式で示すように、置換基を有していてもよいアニリンと、式（IX）で表される架橋基を有するハロゲン化ビフェニル誘導体とを、塩基存在下、パラジウム触媒または銅触媒を用いて反応させることによって、式（Ｘ）で表される本発明の有機化合物が得られる。

（式中、環Ａは任意の置換基を有していてもよいベンゼン環を表す。Ｔは架橋基を有する置換基を表し、Ｘはハロゲン原子（好ましくはＸ＝Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ）を表す。）

上記の例は、置換基を有しても良いアニリンとハロゲン化ビフェニル誘導体とを１：２（モル比）で反応させた例であるが、これを１：１で反応させた後、一回目の反応とは異なるハロゲン化ビフェニル誘導体との反応を行うことにより、非対称型の化合物が得られる。

また、下記反応式に示すように、式（XII）で表される対応するフェノール体を合成してから、架橋基を導入することも可能である。フェノール体は対応する式（XI）で表されるアニシル体に三臭化ホウ素などを作用させることによって合成される。式（XII）で表される対応するフェノール体と架橋基とハロゲン原子を有する化合物（Ｔ−Ｘ）とを塩基存在下で反応させることによって、式（XIII）で表される本発明の有機化合物が得られる。

（式中、環Ａは任意の置換基を有していてもよいベンゼン環を表す。Ｔは架橋基を有する置換基を表し、Ｘはハロゲン原子（好ましくはＸ＝Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ）を表す。）

その他、公知のカップリング反応が使用可能である。公知のカップリング手法としては、具体的には、「Palladium in Heterocyclic Chemistry：A guide for the Synthetic Chemist」（第二版、2002、Jie Jack Li and Gordon W．Gribble、Pergamon社）、「遷移金属が拓く有機合成 その多彩な反応形式と最新の成果」（1997年、辻二郎、化学同仁社）、「ボルハルト・ショアー現代有機化学 下」（2004年、K.P.C.Vollhardt、化学同人社））などに記載または引用されている、ハロゲン化アリールとアリールボレートとのカップリング反応などの、環同士の結合（カップリング）反応）を用いることができる。

化合物の精製方法としては、「分離精製技術ハンドブック」（１９９３年、（財）日本化学会編）、「化学変換法による微量成分および難精製物質の高度分離」（１９８８年、（株）アイ ピー シー発行）、あるいは「実験化学講座（第４版）１」（１９９０年、（財）日本化学会編）の「分離と精製」の項に記載の方法をはじめとし、公知の技術を利用可能である。具体的には、抽出（懸濁洗浄、煮沸洗浄、超音波洗浄、酸塩基洗浄を含む）、吸着、吸蔵、融解、晶析（溶媒からの再結晶、再沈殿を含む）、蒸留（常圧蒸留、減圧蒸留）、蒸発、昇華（常圧昇華、減圧昇華）、イオン交換、透析、濾過、限外濾過、逆浸透、圧浸透、帯域溶解、電気泳動、遠心分離、浮上分離、沈降分離、磁気分離、各種クロマトグラフィー（形状分類：カラム、ペーパー、薄層、キャピラリー、移動相分類：ガス、液体、ミセル、超臨界流体。分離機構：吸着、分配、イオン交換、分子ふるい、キレート、ゲル濾過、排除、アフィニティー）などが挙げられる。

生成物の確認や純度の分析方法としては、ガスクロマトグラフ（ＧＣ）、高速液体クロマトグラフ（ＨＰＬＣ）、高速アミノ酸分析計（有機化合物）、キャピラリー電気泳動測定（ＣＥ）、サイズ排除クロマトグラフ（ＳＥＣ）、ゲル浸透クロマトグラフ（ＧＰＣ）、交差分別クロマトグラフ（ＣＦＣ）、質量分析（ＭＳ、ＬＣ／ＭＳ，ＧＣ／ＭＳ，ＭＳ／ＭＳ）、核磁気共鳴装置（ＮＭＲ（^１ＨＮＭＲ，^１３ＣＮＭＲ））、フーリエ変換赤外分光高度計（ＦＴ−ＩＲ）、紫外可視近赤外分光高度計（ＵＶ．ＶＩＳ，ＮＩＲ）、電子スピン共鳴装置（ＥＳＲ）、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ−ＥＤＸ）電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）、金属元素分析（イオンクロマトグラフ、誘導結合プラズマ−発光分光（ＩＣＰ−ＡＥＳ）原子吸光分析（ＡＡＳ）、蛍光Ｘ線分析装置（ＸＲＦ））、非金属元素分析、微量成分分析（ＩＣＰ−ＭＳ，ＧＦ−ＡＡＳ，ＧＤ−ＭＳ）等を必要に応じ、適用可能である。

［有機電界発光素子用組成物］
本発明の有機電界発光素子用組成物は、陽極と陰極とに挟持された有機層を有する有機電界発光素子において、通常、該有機層を湿式成膜法により形成する際の塗布液として用いられる。本発明の有機電界発光素子用組成物は、該有機層のうち、正孔輸送層を形成するために用いられることが好ましい。

なお、ここでは、有機電界発光素子における陽極−発光層間の層が１つの場合には、これを「正孔輸送層」と称し、２つ以上の場合は、陽極に接している層を「正孔注入層」、それ以外の層を総称して「正孔輸送層」と称す。また、陽極−発光層間に設けられた層を総称して「正孔注入・輸送層」と称する場合がある。

本発明の有機電界発光素子用組成物は、前記本発明の有機化合物を含有することを特徴とするが、通常、さらに溶媒を含有する。
該溶媒は、本発明の有機化合物を溶解するものが好ましく、通常、有機化合物を０．０５重量％以上、好ましくは０．５重量％以上、さらに好ましくは１重量％以上溶解する溶媒である。
なお、本発明の有機電界発光素子用組成物は、本発明の有機化合物の１種のみを含むものであってもよく、２種以上を含むものであってもよい。

また、本発明の有機電界発光素子用組成物は、必要に応じ、電子受容性化合物や、後述の正孔輸送層の溶解性を低下させ、正孔輸送層上へ他の層を塗布することを可能とする架橋反応を促進するための添加物等の添加剤を含んでいてもよい。この場合は、溶媒としては、本発明の有機化合物と添加剤の双方を０．０５重量％以上、好ましくは０．５重量％以上、さらに好ましくは１重量％以上溶解する溶媒を使用することが好ましい。

本発明の有機電界発光素子用組成物に含まれる、本発明の有機化合物の架橋反応を促進する添加物としては、アルキルフェノン化合物、アシルホスフィンオキサイド化合物、メタロセン化合物、オキシムエステル化合物、アゾ化合物、オニウム塩などの重合開始剤や重合促進剤、縮合多環炭化水素、ポルフィリン化合物、ジアリールケトン化合物などの光増感剤等が挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

また、本発明の有機電界発光素子用組成物に含まれる電子受容性化合物としては、本発明の有機電界発光素子の正孔注入層に含有される電子受容性化合物として後述したものの１種または２種以上を使用することができる。

本発明の有機電界発光素子用組成物に含有される溶媒としては、特に制限されるものではないが、本発明の有機化合物を溶解させる必要があることから、好ましくは、トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族化合物；１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の含ハロゲン溶媒；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル、１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル等のエーテル系溶媒；酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル等の脂肪族エステル；酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸イソプロピル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等のエステル系溶媒等の有機溶媒が挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

本発明の有機電界発光素子用組成物に含有される溶媒の組成物中の濃度は、通常１０重量％以上、好ましくは５０重量％以上、より好ましくは８０重量％以上である。

なお、水分は有機電界発光素子の性能劣化、中でも特に連続駆動時の輝度低下を促進する可能性があることが広く知られており、塗膜中に残留する水分をできる限り低減するために、これらの溶媒の中でも、２５℃における水の溶解度が１重量％以下であるものが好ましく、０．１重量％以下である溶媒がより好ましい。

本発明の有機電界発光素子用組成物に含有される溶媒として、２０℃における表面張力が４０ｄｙｎ／ｃｍ未満、好ましくは３６ｄｙｎ／ｃｍ以下、より好ましくは３３ｄｙｎ／ｃｍ以下である溶媒が挙げられる。

即ち、本発明の有機化合物を含有する層を湿式成膜法により形成する場合、下地との親和性が重要である。膜質の均一性は有機電界発光素子の発光の均一性、安定性に大きく影響するため、湿式成膜法に用いる塗布液には、よりレベリング性が高く均一な塗膜を形成しうるように表面張力が低いことが求められる。このような溶媒を使用することにより、本発明の有機化合物を含有する均一な層を形成することができる。

このような低表面張力の溶媒の具体例としては、前述したトルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族系溶媒、安息香酸エチル等のエステル系溶媒、アニソール等のエーテル系溶媒、トリフルオロメトキシアニソール、ペンタフルオロメトキシベンゼン、３−（トリフルオロメチル）アニソール、エチル（ペンタフルオロベンゾエート）等が挙げられる。

これらの溶媒の組成物中の濃度は、通常１０重量％以上、好ましくは３０重量％以上、より好ましくは５０重量％以上である。

本発明の有機電界発光素子用組成物に含有される溶媒としてはまた、２５℃における蒸気圧が１０ｍｍＨｇ以下、好ましくは５ｍｍＨｇ以下で、通常０．１ｍｍＨｇ以上の溶媒が挙げられる。このような溶媒を使用することにより、有機電界発光素子を湿式成膜法により製造するプロセスに好適な、また、本発明の有機化合物の性質に適した組成物を調製することができる。このような溶媒の具体例としては、前述したトルエン、キシレン、メチシレン等の芳香族系溶媒、エーテル系溶媒およびエステル系溶媒が挙げられる。これらの溶媒の組成物中の濃度は、通常１０重量％以上、好ましくは３０重量％以上、より好ましくは５０重量％以上である。

本発明の有機電界発光素子用組成物に含有される溶媒として、２５℃における蒸気圧が２ｍｍＨｇ以上、好ましくは３ｍｍＨｇ以上、より好ましくは４ｍｍＨｇ以上（但し、上限は好ましくは１０ｍｍＨｇ以下である。）である溶媒と、２５℃における蒸気圧が２ｍｍＨｇ未満、好ましくは１ｍｍＨｇ以下、より好ましくは０．５ｍｍＨｇ以下である溶媒との混合溶媒が挙げられる。このような混合溶媒を使用することにより、湿式製膜法により本発明の有機化合物、更には電子受容性化合物を含む均質な層を形成することができる。このような混合溶媒の組成物中の濃度は、通常１０重量％以上、好ましくは３０重量％以上、より好ましくは５０重量％以上である。

有機電界発光素子は、多数の有機化合物からなる層を積層して形成するため、膜質が均一であることが非常に重要である。湿式成膜法で層形成する場合、その材料や、下地の性質によって、スピンコート法、スプレー法などの塗布法や、インクジェット法、スクリーン法などの印刷法等、公知の成膜方法が採用できる。例えばスプレー法は、凹凸のある面への均一な膜形成に有効であるため、パターニングされた電極や画素間の隔壁による凹凸が残る面に、有機化合物からなる層を設ける場合に、好ましい。スプレー法による塗布の場合、ノズルから塗布面へ噴射された塗布液の液滴はできる限り小さい方が 、均一な膜質が得られるため好ましい。そのためには、塗布液に蒸気圧の高い溶剤を混合し、塗布雰囲気中において噴射後の塗布液滴から溶剤の一部が揮発することにより、基板に付着する直前に細かい液滴が生成する状態が好ましい。また、より均一な膜質を得るためには、塗布直後に基板上に生成した液膜がレベリングする時間を確保することが必要で、この目的を達成するためにはより乾燥の遅い溶剤、すなわち蒸気圧の低い溶剤をある程度含有させる手法が用いられる。

具体例としては、２５℃における蒸気圧が２ｍｍＨｇ以上１０ｍｍＨｇ以下である溶媒としては、例えば、キシレン、アニソール、シクロヘキサノン、トルエン等が挙げられる。２５℃における蒸気圧が２ｍｍＨｇ未満である溶媒としては、安息香酸エチル、安息香酸メチル、テトラリン、フェネトール等が挙げられる。

混合溶媒の比率は、２５℃における蒸気圧が２ｍｍＨｇ以上である溶媒が、混合溶媒総量中、５重量％以上、好ましくは２５重量％以上、但し５０重量％未満であり、２５℃における蒸気圧が２ｍｍＨｇ未満である溶媒が、混合溶媒総量中、３０重量％以上、好ましくは５０重量％以上、特に好ましくは７５重量％以上、但し、９５重量％未満である。

なお、有機電界発光素子は、多数の有機化合物からなる層を積層して形成するため、各層がいずれも均一な層であることが要求される。湿式成膜法で層形成する場合、層形成用の溶液（組成物）に水分が混入することにより、塗膜に水分が混入して膜の均一性が損なわれるおそれがあるため、溶液中の水分含有量はできるだけ少ない方が好ましい。具体的には、有機電界発光素子組成物中に含まれる水分量は、好ましくは１重量％以下、より好ましくは０．１重量％以下、さらに好ましくは０．０５重量％以下である。

また、一般に、有機電界発光素子は、陰極等の水分により著しく劣化する材料が多く使用されているため、素子の劣化の観点からも、水分の存在は好ましくない。溶液中の水分量を低減する方法としては、例えば、窒素ガスシール、乾燥剤の使用、溶媒を予め脱水する、水の溶解度が低い溶媒を使用する等が挙げられる。なかでも、水の溶解度が低い溶媒を使用する場合は、塗布工程中に、溶液塗膜が大気中の水分を吸収して白化する現象を防ぐことができるため好ましい。
この様な観点からは、本発明の有機電界発光素子用組成物は、例えば２５℃における水の溶解度が１重量％以下（好ましくは０．１重量％以下）である溶媒を、該組成物中１０重量％以上含有することが好ましい。なお、上記溶解度条件を満たす溶媒が３０重量％以上であればより好ましく、５０重量％以上であれば特に好ましい。

なお、本実施の形態が適用される有機電界発光素子用組成物に含有される溶媒として、前述した溶媒以外にも、必要に応じて、各種の他の溶媒を含んでいてもよい。このような他の溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類；ジメチルスルホキシド等がある。
また、本発明の有機電界発光素子用組成物は、レベリング剤や消泡剤等の塗布性改良剤などの各種添加剤を含んでいてもよい。

［成膜方法］
前述の如く、有機電界発光素子は、多数の有機化合物からなる層を積層して形成するため、膜質が均一であることが非常に重要である。湿式成膜法で層形成する場合、その材料や、下地の性質によって、スピンコート法、スプレー法などの塗布法や、インクジェット法、スクリーン法などの印刷法等、公知の成膜方法が採用できる。

湿式成膜法を用いる場合、本発明の有機化合物および必要に応じて用いられるその他の成分（電子受容性化合物、架橋反応を促進する添加物や塗布性改良剤等）を、適切な溶媒に溶解させ、上記有機電界発光素子用組成物を調製する。この組成物を、スピンコート法やディップコート法等の手法により、形成する層の下層に該当する層上に塗布し、乾燥することにより、本発明の有機化合物を含有する層を形成する。
通常、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて形成される層は、正孔輸送層として用いられる。そのため、通常は、この層は正孔注入層上に形成されるか、陽極上に形成される。

また、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて形成された層に引き続き発光層を形成するためには、発光層成膜用の塗布組成物に、形成された正孔輸送層が溶解しないことが好ましい。このため、本発明の有機電界発光素子用組成物を成膜後、加熱および／または光などの電磁エネルギー照射により、本発明の有機化合物が架橋反応を起こし、反応後の膜の溶解性を低下させることが好ましい。

加熱の手法は特に限定されないが、例としては加熱乾燥、減圧乾燥等が挙げられる。加熱乾燥の場合の条件としては、通常１２０℃以上、好ましくは４００℃以下に本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて形成された層を加熱する。加熱時間としては、通常１分以上、好ましくは２４時間以下である。加熱手段としては特に限定されないが、形成された層を有する積層体をホットプレート上に載せたり、オーブン内で加熱するなどの手段が用いられる。例えば、ホットプレート上で１２０℃以上、１分間以上加熱する等の条件を用いることができる。

光などの電磁エネルギー照射による場合には、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、赤外ランプ等の紫外・可視・赤外光源を直接用いて照射する方法、あるいは前述の光源を内蔵するマスクアライナ、コンベア型光照射装置を用いて照射する方法などが挙げられる。光以外の電磁エネルギー照射では、例えばマグネトロンにより発生させたマイクロ波を照射する装置、いわゆる電子レンジを用いて照射する方法が挙げられる。

照射時間としては、膜の溶解性を低下させるために必要な条件を設定することが好ましいが、通常、０．１秒以上、好ましくは１０時間以下照射される。

加熱および光などの電磁エネルギー照射は、それぞれ単独、あるいは組み合わせて行ってもよい。組み合わせる場合、実施する順序は特に限定されない。

加熱および光を含む電磁エネルギー照射は、実施後に層に含有する水分および／または表面に吸着する水分の量を低減するために、窒素ガス雰囲気等の水分を含まない雰囲気で行うことが好ましい。同様の目的で、加熱および／または光などの電磁エネルギー照射を組み合わせて行う場合には、少なくとも有機発光層の形成直前の工程を窒素ガス雰囲気等の水分を含まない雰囲気で行うことが特に好ましい。

［有機電界発光素子］
本発明の有機電界発光素子は、基板上に、陽極、陰極、および該陽極と該陰極に挟持された１層または２層以上の有機層を有する有機電界発光素子において、該有機層の少なくとも１層が、上記本発明の有機化合物を含有することを特徴とする。本発明の有機化合物を含有する層は、上記本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法により形成されることが好ましい。
本発明の有機化合物を含有する層は、正孔輸送層であることが好ましく、この正孔輸送層上に発光層を有することがより好ましい。また、正孔輸送層および発光層が湿式成膜法で形成されることが好ましく、さらに正孔注入層も湿式成膜法で形成されることが好ましい。
発光層が湿式成膜法により形成される場合、正孔輸送層は架橋基を有する化合物を架橋してなるポリマーを含有することが好ましく、特に発光層が湿式成膜法で形成される低分子材料からなる層である場合には、正孔輸送層が架橋基を有する化合物を架橋してなるポリマーを含有する層であることにより、有機電界発光素子の特性を向上することができる。すなわち、発光層が湿式成膜法で形成される低分子材料からなる層である場合には、本発明のような架橋基を有する化合物を架橋して正孔輸送層を形成することが好ましい。

図１は、本発明の有機電界発光素子の構造の一例を模式的に示す断面図である。図１に示す有機電界発光素子は、基板１の上に、陽極２、正孔注入層３、正孔輸送層４、有機発光層５、正孔阻止層６，電子注入層７および陰極８を、この順に積層して構成される。この構成の場合、通常は正孔輸送層４が上述の本発明の有機化合物含有層に該当することになる。

［１］基板
基板１は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。

［２］陽極
陽極２は、後述する有機発光層側の層（正孔注入層３または有機発光層５など）への正孔注入の役割を果たすものである。この陽極２は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウムおよび／またはスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子などにより構成される。陽極２の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われることが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅などの微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末などの場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散し、基板１上に塗布することにより陽極２を形成することもできる。更に、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板１上に薄膜を形成したり、基板１上に導電性高分子を塗布して陽極２を形成することもできる（Applied Physics Letters，1992年，Vol.60，pp.2711参照）。陽極２は異なる物質で積層して形成することも可能である。

陽極２の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが望ましく、この場合、厚みは、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下の範囲である。不透明で良い場合、陽極２は基板１と同一でもよい。また、更には上記の陽極２の上に異なる導電材料を積層することも可能である。

なお、陽極に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的として、陽極表面を紫外線（ＵＶ）／オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理することが好ましい。また、正孔注入の効率を更に向上させ、かつ、有機層全体の陽極への付着力を改善させる目的で、正孔注入層３と陽極２との間に公知の陽極バッファ層を挿入してもよい。

［３］正孔注入層
正孔注入層３は、陽極２から有機発光層５へ正孔を輸送する層である。通常はこの正孔注入層３が、陽極２上に形成される。よって、正孔注入層３は、好ましくは正孔注入性化合物および電子受容性化合物を含有して構成されることになる。更に、正孔注入層３は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、その他の成分を含有していてもよい。

正孔注入層３を陽極２上に形成する手法としては、湿式成膜法、真空蒸着法が挙げられるが、上述したように、均質で欠陥がない薄膜を容易に得られる点や、形成のための時間が短くて済む点から、湿式成膜法が好ましい。また、陽極２として一般的に用いられるＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）は、その表面が１０ｎｍ程度の表面粗さ（Ｒａ）を有するのに加えて、局所的に突起を有することが多く、短絡欠陥を生じ易いという課題があった。陽極２の上の正孔注入層３を湿式成膜法により形成することは、真空蒸着法で形成する場合と比較して、陽極２表面の凹凸に起因する素子の欠陥の発生を低減するという利点をも有する。

正孔注入性化合物としての芳香族アミン化合物としては、トリアリールアミン構造を含む化合物が好ましく、従来有機電界発光素子における正孔注入層の形成材料として利用されてきた化合物の中から適宜選択してもよい。芳香族アミン化合物として、例えば、下記一般式（１）で表されるビナフチル系化合物が挙げられる。

一般式（１）中、Ａｒ^４〜Ａｒ^７は各々独立に、置換基を有していてもよい５または６員環の芳香族炭化水素環または芳香族複素環の単環基または縮合環基であり、Ａｒ^４とＡｒ^５、Ａｒ^６とＡｒ^７は、各々結合して環を形成していてもよい。Ｗ１およびＷ２は各々０〜４の整数を表し、Ｗ１＋Ｗ２≧１である。Ｘ^１およびＸ^２は各々独立に、直接結合または２価の連結基を表す。また、一般式（１）中のナフタレン環は、−（Ｘ^１ＮＡｒ^４Ａｒ^５）および−（Ｘ^２ＮＡｒ^６Ａｒ^７）に加えて、任意の置換基を有していてもよい。

一般式（１）中、Ａｒ^４〜Ａｒ^７の置換基を有していてもよい５または６員環の芳香族炭化水素環または芳香族複素環の単環基または縮合環基としては、各々独立に、例えば５または６員環の単環または２〜３縮合環であり、具体的には、フェニル基、ナフチル基、アントリル基等の芳香族炭化水素環由来の基；ピリジル基、チエニル基等の芳香族複素環由来の基が挙げられる。これらはいずれも置換基を有していてもよい。

Ａｒ^４〜Ａｒ^７の有することがある置換基としては、Ａｒ^８〜Ａｒ^１５が有することがある置換基として後述するもの、および、アリールアミノ基（即ち、後述の−（ＮＡｒ^８Ａｒ^９），−（ＮＡｒ^１０Ａｒ^１１）に相当する）が挙げられる。

また、Ａｒ^４とＡｒ^５、および／または、Ａｒ^６とＡｒ^７は、各々結合して環を形成していてもよい。この場合、形成する環の具体例としては、それぞれ、置換基を有することがあるカルバゾール環、フェノキサジン環、イミノスチルベン環、フェノチアジン環、アクリドン環、アクリジン環、イミノジベンジル環等が挙げられる。中でもカルバゾール環が好ましい。

一般式（１）において、Ｗ１およびＷ２は各々０〜４の整数を表し、Ｗ１＋Ｗ２≧１である。特に好ましいものは、Ｗ１＝１かつＷ２＝１である。なお、Ｗ１および／またはＷ２が２以上の場合のアリールアミノ基は、各々同一であっても異なっていても良い。

Ｘ^１およびＸ^２は各々独立に直接結合または２価の連結基を表す。２価の連結基としては特に制限はないが、例えば、下記に示すもの等が挙げられる。Ｘ^１およびＸ^２として、直接結合が特に好ましい。

一般式（１）におけるナフタレン環は、−（Ｘ^１ＮＡｒ^４Ａｒ^５）および−（Ｘ^２ＮＡｒ^６Ａｒ^７）に加えて、任意の位置に任意の置換基を１個または２個以上有していてもよい。このような置換基として好ましいものは、ハロゲン原子、水酸基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基よりなる群から選ばれる１種または２種以上の置換基である。これらのうち、アルキル基が特に好ましい。

一般式（１）で表されるビナフチル系化合物として、下記一般式（１−１）で表されるように、Ａｒ^４およびＡｒ^６が、更にそれぞれアリールアミノ基で置換されたビナフチル系化合物が好ましい。

（一般式（１−１）中、Ａｒ^８〜Ａｒ^１５は各々独立に、置換基を有していてもよい５または６員環の芳香族炭化水素環または芳香族複素環の単環基または縮合環基を表し、Ａｒ^８とＡｒ^９、Ａｒ^１０とＡｒ^１１は各々結合して環を形成していてもよい。Ｗ１およびＷ２は一般式（１）におけるのと同義である。Ｘ^１およびＸ^２は一般式（１）におけるのと同義である。）

一般式（１−１）中のナフタレン環は、ナフタレン環にそれぞれ結合したアリールアミノ基を含む置換基−（Ｘ^１ＮＡｒ^１２Ａｒ^１３ＮＡｒ^９Ａｒ^８）および−（Ｘ^２ＮＡｒ^１４Ａｒ^１５ＮＡｒ^１０Ａｒ^１１）に加えて、任意の置換基を有していてもよい。また、これらの置換基−（Ｘ^１ＮＡｒ^１２Ａｒ^１３ＮＡｒ^９Ａｒ^８）および−（Ｘ^２ＮＡｒ^１４Ａｒ^１５ＮＡｒ^１０Ａｒ^１１）は、ナフタレン環のいずれの置換位置に置換基を有していてもよい。中でも、一般式（１−１）におけるナフタレン環の、各々４−位、４’−位に置換したビナフチル系化合物がより好ましい。

また、正孔注入性化合物として使用する、分子中に正孔輸送部位を有する高分子化合物としては、例えば芳香族三級アミノ基を構成単位として主骨格に含む高分子化合物が挙げられる。具体例として、以下の一般式（２）で表される構造を繰り返し単位として有する正孔注入性化合物が挙げられる。

（式（２）中、Ａｒ^４４〜Ａｒ^４８は、各々独立して置換基を有していてもよい２価の芳香族環基を示し、Ｒ^３１〜Ｒ^３２は、各々独立して置換基を有していてもよい１価の芳香族環基を示し、Ｘは直接結合、または下記の連結基から選ばれる。なお、「芳香族環基」とは、「芳香族炭化水素環由来の基」および「芳香族複素環由来の基」の両方を含む。）

（式（３）中、Ａｒ^４９は置換基を有していてもよい２価の芳香族環基を示し、Ａｒ^５０は置換基を有していてもよい１価の芳香族環基を示す。）

一般式（２）において、Ａｒ^４４〜Ａｒ^４８は、好ましくは、各々独立して置換基を有していてもよい２価のベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環由来の基またはビフェニル基であり、好ましくはベンゼン環由来の基である。前記置換基としてはハロゲン原子；メチル基、エチル基等の炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基；ビニル基等のアルケニル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の炭素数２〜７の直鎖または分岐のアルコキシカルボニル基；メトキシ基、エトキシ基等の炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルコキシ基；フェノキシ基、ベンジルオキシ基などの炭素数６〜１２のアリールオキシ基；ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基等の、炭素数１〜６のアルキル鎖を有するジアルキルアミノ基、などが挙げられる。これらのうち、好ましくは炭素数１〜３のアルキル基が挙げられ、特に好ましくはメチル基が挙げられる。Ａｒ^４４〜Ａｒ^４８がいずれも無置換の芳香族環基である場合が、最も好ましい。

Ｒ^３１およびＲ^３２として好ましくは、各々独立して、置換基を有することがあるフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピリジル基、トリアジル基、ピラジル基、キノキサリル基、チエニル基、またはビフェニル基であり、好ましくはフェニル基、ナフチル基またはビフェニル基であり、より好ましくはフェニル基である。該置換基としては、Ａｒ^４４〜Ａｒ^４８における芳香族環が有しうる基として、前述した基と同様の基が挙げられる。

一般式（３）において、Ａｒ^４９は、置換基を有していてもよい２価の芳香族環基、好ましくは正孔輸送性の面からは芳香族炭化水素環基であり、具体的には置換基を有していてもよい２価のベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環由来の基、ビフェニレン基、およびターフェニレン基等が挙げられる。また、該置換基としては、Ａｒ^４４〜Ａｒ^４８における芳香族環が有しうる基として、前述した基と同様の基が挙げられる。これらのうち、好ましくは炭素数１〜３のアルキル基が挙げられ、特に好ましくはメチル基が挙げられる。

Ａｒ^５０は、置換基を有していてもよい芳香族環基、好ましくは正孔輸送性の面からは芳香族炭化水素環基であり、具体的には、置換基を有することがあるフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピリジル基、トリアジル基、ピラジル基、キノキサリル基、チエニル基、およびビフェニル基等が挙げられる。該置換基としては、一般式（２）のＡｒ^４４〜Ａｒ^４８における芳香族環が有しうる基として、前述した基と同様の基が挙げられる。

一般式（３）において、Ａｒ^４９およびＡｒ^５０がいずれも無置換の芳香族環基である場合が、最も好ましい。

芳香族三級アミノ基を側鎖として含む正孔注入性化合物としては、例えば、以下の一般式（４）および（５）で表される構造を有する繰り返し単位として有する化合物が挙げられる。

（式（４）中、Ａｒ^５１は置換基を有していてもよい２価の芳香族環基を示し、Ａｒ^５２〜Ａｒ^５３は、各々独立して置換基を有していてもよい１価の芳香族環基を示し、Ｒ^３３〜Ｒ^３５は、各々独立して水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、置換基を有していてもよい１価の芳香族環基を示す。）

（式（５）中、Ａｒ^５４〜Ａｒ^５８は、各々独立して置換基を有していてもよい２価の芳香族環基を示し、Ｒ^３６およびＲ^３７は、各々独立して置換基を有していてもよい芳香族環基を示し、Ｙは直接結合、または下記の連結基から選ばれる。）

一般式（４）において、Ａｒ^５１は、好ましくは、各々置換基を有していてもよい２価のベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環由来の基、ビフェニレン基であり、また、置換基としては、例えば、前述した一般式（２）のＡｒ^４４〜Ａｒ^４８における芳香族環が有しうる基として、前述した基と同様の基が挙げられ、好ましい基も同様である。

Ａｒ^５２およびＡｒ^５３として、好ましくは、各々独立してフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピリジル基、トリアジル基、ピラジル基、キノキサリル基、チエニル基、およびビフェニル基が挙げられ、これらは置換基を有することがある。該置換基としては例えば、一般式（２）のＡｒ^４４〜Ａｒ^４８における芳香族環が有しうる基として、前述した基と同様の基が挙げられ、好ましい基も同様である。

Ｒ^３３〜Ｒ^３５は、好ましくは、各々独立して、水素原子；ハロゲン原子；メチル基、エチル基等の炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基等の炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルコキシ基；フェニル基；またはトリル基である。

一般式（５）において、Ａｒ^５４〜Ａｒ^５８は、好ましくは、各々独立して置換基を有することがある２価のベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環由来の基、ビフェニレン基であり、好ましくはベンゼン環由来の基である。該置換基としては、一般式（２）のＡｒ^４４〜Ａｒ^４８における芳香族環が有しうる基として、前述した基と同様の基が挙げられ、好ましい基も同様である。

Ｒ^３６およびＲ^３７は、好ましくは、各々独立して置換基を有することがあるフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピリジル基、トリアジル基、ピラジル基、キノキサリル基、チエニル基、またはビフェニル基である。該置換基としては、一般式（２）のＡｒ^４４〜Ａｒ^４８における芳香族環が有しうる基として、前述した基と同様の基が挙げられ、好ましい基も同様である。

一般式（２）〜（５）で示される構造のうち好ましい例を以下に示すが、何らこれらに限定されない。

分子中に正孔輸送部位を有する高分子化合物である正孔注入性化合物は、一般式（２）〜（５）のいずれかで表される構造のホモポリマーであることが最も好ましいが、他の任意のモノマーとの共重合体（コポリマー）であってもよい。共重合体である場合、一般式（２）〜（５）で表される構成単位を５０モル％以上、特に７０モル％以上含有することが好ましい。なお、高分子化合物である正孔注入性材料は、一化合物中に、一般式（２）〜（５）で表される構造を複数種含有していてもよい。また、一般式（２）〜（５）で表される構造を含む化合物を、複数種併用して用いてもよい。一般式（２）〜（５）のうち、特に好ましくは、一般式（２）で表される繰り返し単位からなるホモポリマーである。

高分子化合物からなる正孔注入性材料としては、さらに、共役系高分子が挙げられる。この目的のために、ポリフルオレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリパラフェニレンビニレンが好適である。

次に、電子受容性化合物について説明する。
正孔注入層に含有される電子受容性化合物としては、例えば、トリアリールホウ素化合物、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、アリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる１種または２種以上の化合物等が挙げられる。これらの電子受容性化合物は、正孔注入性材料と混合して用いられ、正孔注入性材料を酸化することにより正孔注入層の導電率を向上させることができる。

電子受容性化合物として、トリアリールホウ素化合物としては、下記一般式（６）に示したホウ素化合物が挙げられる。一般式（６）で表されるホウ素化合物は、ルイス酸であることが好ましい。また、このホウ素化合物の電子親和力は、通常４ｅＶ以上、好ましく、５ｅＶ以上である。

一般式（６）において、好ましくは、Ａｒ^１〜Ａｒ^３は、各々独立に、置換基を有することがあるフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ビフェニル基等の５または６員環の単環、またはこれらが２〜３個縮合および／または直接結合してなる芳香族炭化水素環基；或いは置換基を有することがあるチエニル基、ピリジル基、トリアジル基、ピラジル基、キノキサリル基等の５または６員環の単環、またはこれらが２〜３個縮合および／または直接結合してなる芳香族複素環基を表す。

Ａｒ^１〜Ａｒ^３が有することがある置換基としては、例えば、ハロゲン原子；アルキル基；アルケニル基；アルコキシカルボニル基；アルコキシ基；アリールオキシ基；アシル基；ハロアルキル基；シアノ基等が挙げられる。

特に、Ａｒ^１〜Ａｒ^３の少なくとも１つが、ハメット定数（σ_ｍおよび／またはσ_ｐ）が正の値を示す置換基であることが好ましく、Ａｒ^１〜Ａｒ^３が、いずれもハメット定数（σ_ｍおよび／またはσ_ｐ）が正の値を示す置換基であることが特に好ましい。このような、電子吸引性の置換基を有することにより、これらの化合物の電子受容性が向上する。また、Ａｒ^１〜Ａｒ^３がいずれも、ハロゲン原子で置換された芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であることがさらに好ましい。

一般式（６）で表されるホウ素化合物の好ましい具体例を以下の６−１〜６−１７に示すが、これらに限定するものではない。

これらの中、以下に示す化合物が特に好ましい。

電子受容性化合物として、オニウム塩としては、ＷＯ２００５／０８９０２４号公報に記載のものが挙げられ、その好適例も同様であるが、特に好ましくは以下の化合物である。

正孔注入層３の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下の範囲である。

なお、正孔注入層３における電子受容性化合物の正孔注入性化合物に対する含有量は、通常０．１モル％以上、好ましくは１モル％以上である。但し、通常１００モル％以下、好ましくは４０モル％以下である。

［４］正孔輸送層
正孔輸送層４は、陽極２、正孔注入層３の順に注入された正孔を有機発光層５に注入する機能を有すると共に、発光層５から電子が陽極２側に注入されることによる発光効率の低下を抑制する機能を有する。

この機能を発現するため、正孔輸送層４は、本発明の有機化合物を含むこと或いは本発明の有機化合物を含有する有機電界発光素子用組成物を用いて形成された層であることが好ましい。すなわち、本発明の有機化合物は正孔輸送性化合物として使用されることが好ましい。

正孔輸送層は、前記［成膜方法］に記載の方法で形成される。
その膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下の範囲である。

［５］有機発光層
正孔輸送層４の上には、通常有機発光層５が設けられる。有機発光層５は、電界を与えられた電極間において、陽極２から正孔注入層３および正孔輸送層４を通じて注入された正孔と、陰極８から電子注入層７，正孔阻止層６を通じて注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。

有機発光層５は、少なくとも、発光の性質を有する材料（発光材料）を含有するとともに、好ましくは、正孔輸送の性質を有する材料（正孔輸送性化合物）、或いは、電子輸送の性質を有する材料（電子輸送性化合物）とを含有する。更に、有機発光層５は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、その他の成分を含有していてもよい。これらの材料としては、後述のように湿式成膜法で有機発光層５を形成する観点から、何れも低分子系の材料を使用することが好ましい。

発光材料としては、任意の公知の材料を適用可能である。例えば、蛍光発光材料であってもよく、燐光発光材料であってもよいが、内部量子効率の観点から、好ましくは燐光発光材料である。

なお、溶剤への溶解性を向上させる目的で、発光材料の分子の対称性や剛性を低下させたり、或いはアルキル基などの親油性置換基を導入したりすることも、重要である。

青色発光を与える蛍光色素としては、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、ｐ−ビス（２−フェニルエテニル）ベンゼンおよびそれらの誘導体等が挙げられる。緑色蛍光色素としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体等が挙げられる。黄色蛍光色素としては、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。赤色蛍光色素としては、ＤＣＭ（4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran）系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。

燐光発光材料としては、例えば、長周期型周期表（以下、特に断り書きの無い限り「周期表」という場合には、長周期型周期表を指すものとする。）第７〜１１族から選ばれる金属を含む有機金属錯体が挙げられる。

燐光性有機金属錯体に含まれる、周期表第７〜１１族から選ばれる金属として、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられる。これらの有機金属錯体として、好ましくは下記式（III）または式（IV）で表される化合物が挙げられる。

ＭＬ_{（ｑ−ｊ）}Ｌ′_ｊ （III）
（式（III）中、Ｍは金属を表し、ｑは上記金属の価数を表す。また、ＬおよびＬ′は二座配位子を表す。ｊは０、１または２の数を表す。）

（式（IV）中、Ｍ^７は金属を表し、Ｔは炭素原子または窒素原子を表す。Ｒ^９２〜Ｒ^９５は、それぞれ独立に置換基を表す。但し、Ｔが窒素原子の場合は、Ｒ^９４およびＲ^９５は無い。）

以下、まず、式（III）で表される化合物について説明する。
式（III）中、Ｍは任意の金属を表し、好ましいものの具体例としては、周期表第７〜１１族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。

また、式（III）中、二座配位子Ｌは、以下の部分構造を有する配位子を示す。

（上記Ｌの部分構造において、環Ａ１は、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。）

該芳香族炭化水素基としては、５または６員環の単環または２〜５縮合環が挙げられる。具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環由来の１価の基などが挙げられる。

該芳香族複素環基としては、５または６員環の単環または２〜４縮合環が挙げられる。具体例としては、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環由来の１価の基などが挙げられる。

また、上記Ｌの部分構造において、環Ａ２は、置換基を有していてもよい、含窒素芳香族複素環基を表す。

該含窒素芳香族複素環基としては、５または６員環の単環または２〜４縮合環由来の基が挙げられる。具体例としては、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、フロピロール環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環由来の１価の基などが挙げられる。

環Ａ１または環Ａ２がそれぞれ有していてもよい置換基の例としては、ハロゲン原子；アルキル基；アルケニル基；アルコキシカルボニル基；アルコキシ基；アリールオキシ基；ジアルキルアミノ基；ジアリールアミノ基；カルバゾリル基；アシル基；ハロアルキル基；シアノ基；芳香族炭化水素基等が挙げられる。

また、式（III）中、二座配位子Ｌ′は、以下の部分構造を有する配位子を示す。但し、以下の式において、「Ｐｈ」はフェニル基を表す。

中でも、Ｌ′としては、錯体の安定性の観点から、以下に挙げる配位子が好ましい。

式（III）で表される化合物として、更に好ましくは、下記式（IIIａ），（IIIｂ），（IIIｃ）で表される化合物が挙げられる。

（式（IIIａ）中、Ｍ^４は、Ｍと同様の金属を表し、ｗは、上記金属の価数を表し、環Ａ１は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表し、環Ａ２は、置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。）

（式（IIIｂ）中、Ｍ^５は、Ｍと同様の金属を表し、ｗは、上記金属の価数を表し、環Ａ１は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、環Ａ２は、置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。）

（式（IIIｃ）中、Ｍ^６は、Ｍと同様の金属を表し、ｗは、上記金属の価数を表し、ｊは、０、１または２を表し、環Ａ１および環Ａ１′は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、環Ａ２および環Ａ２′は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。）

上記式（IIIａ），（IIIｂ），（IIIｃ）において、環Ａ１および環Ａ１′の好ましい
例としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、チエニル基、フリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾフリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、カルバゾリル基等が挙げられる。

上記式（IIIａ）〜（IIIｃ）において、環Ａ２および環Ａ２′の好ましい例としては、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、ベンゾチアゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾイミダゾール基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基、フェナントリジル基等が挙げられる。

上記式（IIIａ）〜（IIIｃ）で表される化合物が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子；アルキル基；アルケニル基；アルコキシカルボニル基；アルコキシ基；アリールオキシ基；ジアルキルアミノ基；ジアリールアミノ基；カルバゾリル基；アシル基；ハロアルキル基；シアノ基等が挙げられる。

なお、これら置換基は互いに連結して環を形成してもよい。具体例としては、環Ａ１が有する置換基と環Ａ２が有する置換基とが結合するか、または、環Ａ１′が有する置換基と環Ａ２′が有する置換基とが結合するかして、一つの縮合環を形成してもよい。このような縮合環としては、７，８−ベンゾキノリン基等が挙げられる。

中でも、環Ａ１、環Ａ１′、環Ａ２および環Ａ２′の置換基として、より好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、シアノ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、ジアリールアミノ基、カルバゾリル基が挙げられる。

また、式（IIIａ）〜（IIIｃ）におけるＭ^４〜Ｍ^６の好ましい例としては、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金または金が挙げられる。

上記式（III）および（IIIａ）〜（IIIｃ）で示される有機金属錯体の具体例を以下に示すが、下記の化合物に限定されるものではない。

上記式（III）で表される有機金属錯体の中でも、特に、配位子Ｌおよび／またはＬ′として２−アリールピリジン系配位子、即ち、２−アリールピリジン、これに任意の置換基が結合したもの、および、これに任意の基が縮合してなるものを有する化合物が好ましい。

また、国際特許公開第２００５／０１９３７３号明細書に記載の化合物も、発光材料として使用することが可能である。

次に、式（IV）で表される化合物について説明する。
式（IV）中、Ｍ^７は金属を表す。具体例としては、周期表第７〜１１族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。中でも好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金または金が挙げられ、特に好ましくは、白金、パラジウム等の２価の金属が挙げられる。

また、式（IV）において、Ｒ^９２およびＲ^９３は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、アリールオキシ基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。

更に、Ｔが炭素原子の場合、Ｒ^９４およびＲ^９５は、それぞれ独立に、Ｒ^９２およびＲ^９３と同様の例示物で表される置換基を表す。また、Ｔが窒素原子の場合は、Ｒ^９４およびＲ^９５は無い。

また、Ｒ^９２〜Ｒ^９５は、更に置換基を有していてもよい。置換基を有する場合、その種類に特に制限はなく、任意の基を置換基とすることができる。
更に、Ｒ^９２〜Ｒ^９５のうち任意の２つ以上の基が互いに連結して環を形成してもよい。

式（IV）で表される有機金属錯体の具体例（Ｔ−１、Ｔ−１０〜Ｔ−１５）を以下に示すが、下記の例示物に限定されるものではない。また、以下の化学式において、Ｍｅはメチル基を表し、Ｅｔはエチル基を表す。

本発明において、発光材料として用いる化合物の分子量は、通常１００００以下、好ましくは５０００以下、より好ましくは４０００以下、更に好ましくは３０００以下、また、通常１００以上、好ましくは２００以上、より好ましくは３００以上、更に好ましくは４００以上の範囲である。分子量が１００未満であると、耐熱性が著しく低下したり、ガス発生の原因となったり、膜を形成した際の膜質の低下を招いたり、或いはマイグレーションなどによる有機電界発光素子のモルフォロジー変化を来したりするため、好ましくない。分子量が１００００を超えると、有機化合物の精製が困難となったり、溶媒に溶解させる際に時間を要する可能性が高いため、好ましくない。

なお、発光層は、上に説明した各種の発光材料のうち、何れか一種を単独で含有していてもよく、二種以上を任意の組み合わせおよび比率で併有していてもよい。

低分子系の正孔輸送性化合物の例としては、前述の正孔輸送層の正孔輸送性化合物として例示した各種の化合物の他、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルに代表される、２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン（特開平５−２３４６８１号公報）、４，４’，４”−トリス（１−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物（Journal of Luminescence，1997年，Vol.72-74，pp.985）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物（Chemical Communications，1996年，pp.2175）、２，２’，７，７’−テトラキス−（ジフェニルアミノ）−９，９’−スピロビフルオレン等のスピロ化合物（Synthetic Metals，1997年，Vol.91，pp.209）等が挙げられる。

低分子系の電子輸送性化合物の例としては、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＮＤ）や、２，５−ビス（６’−（２’，２”−ビピリジル））−１，１−ジメチル−３，４−ジフェニルシロール（ＰｙＰｙＳＰｙＰｙ）や、バソフェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）や、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ、バソクプロイン）、２−（４−ビフェニリル）−５−（ｐ−ターシャルブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔＢｕ−ＰＢＤ）や、４，４’−ビス（９−カルバゾール）−ビフェニル（ＣＢＰ）等がある。

これら正孔輸送性化合物や電子輸送性化合物は発光層においてホスト材料として使用されることが好ましいが、ホスト材料として具体的には以下のような化合物を使用することができる。

有機発光層５の形成法としては、湿式成膜法、真空蒸着法が挙げられるが、上述したように、均質で欠陥がない薄膜を容易に得られる点や、形成のための時間が短くて済む点、更には、本発明の有機化合物による正孔輸送層４の不溶化の効果を享受できる点から、湿式成膜法が好ましい。湿式成膜法により有機発光層５を形成する場合、上述の材料を適切な溶剤に溶解させて塗布溶液を調製し、それを上述の形成後の正孔輸送層４の上に塗布・成膜し、乾燥して溶剤を除去することにより形成する。その形成方法としては、前記正孔輸送層の形成方法と同様である。

有機発光層５の膜厚は、通常３ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。

［６］正孔阻止層
図１では、有機発光層５と電子輸送層７の間に、正孔阻止層６が設けられているが、正孔阻止層６はこれを省略してもよい。
正孔阻止層６は、有機発光層５の上に、有機発光層５の陰極８側の界面に接するように積層されるが、陽極２から移動してくる正孔が陰極８に到達するのを阻止する役割と、陰極８から注入された電子を効率よく有機発光層５の方向に輸送することができる化合物より形成される。

正孔阻止層６を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いことが挙げられる。

このような条件を満たす正孔阻止材料としては、ビス（２−メチル−８−キノリノラト），（フェノラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト），（トリフェニルシラノラト）アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス（２−メチル−８−キノラト）アルミニウム−μ−オキソ−ビス−（２−メチル−８−キノリラト）アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物（特開平１１−２４２９９６号公報）、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール等のトリアゾール誘導体（特開平７−４１７５９号公報）、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体（特開平１０−７９２９７号公報）が挙げられる。更に、国際公開第２００５−０２２９６２号公報に記載の２，４，６位が置換されたピリジン環を少なくとも１個有する化合物も、正孔阻止材料として好ましい。

具体的には以下に記載の化合物が挙げられる。

正孔阻止層６も、正孔注入層３や有機発光層５と同様、湿式成膜法を用いて形成することもできるが、通常は真空蒸着法により形成される。真空蒸着法の手順の詳細は、後述の電子注入層７の場合と同様である。

正孔阻止層６の膜厚は、通常０．５ｎｍ以上、好ましくは１ｎｍ以上、また、通常１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下である。

［７］電子注入層
電子注入層７は、陰極８から注入された電子を効率良く有機発光層５へ注入する役割を果たす。
電子注入を効率よく行うには、電子注入層７を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。例としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属等が用いられる。その膜厚は通常０．１ｎｍ以上、５ｎｍ以下が好ましい。

更に、後述するバソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送材料に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする（特開平１０−２７０１７１号公報、特開２００２−１００４７８号公報、特開２００２−１００４８２号公報などに記載）ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。この場合の膜厚は通常、５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、また、通常２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。

電子注入層７は、湿式成膜法或いは真空蒸着法により、有機発光層５またはその上の正孔阻止層６上に積層することにより形成される。

湿式成膜法の場合の詳細は、正孔注入層３および有機発光層５の場合と同様である。
一方、真空蒸着法の場合には、真空容器内に設置されたるつぼまたは金属ボートに蒸着源を入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで１０^−４Ｐａ程度にまで排気した後、るつぼまたは金属ボートを加熱して蒸発させ、るつぼまたは金属ボートと向き合って置かれた基板上の有機発光層５または正孔阻止層６上に電子注入層７を形成する。

電子注入層としてのアルカリ金属の蒸着は、クロム酸アルカリ金属と還元剤をニクロムに充填したアルカリ金属ディスペンサーを用いて行う。このディスペンサーを真空容器内で加熱することにより、クロム酸アルカリ金属が還元されてアルカリ金属が蒸発される。有機電子輸送材料とアルカリ金属とを共蒸着する場合は、有機電子輸送材料を真空容器内に設置されたるつぼに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで１０^−４Ｐａ程度にまで排気した後、各々のるつぼおよびディスペンサーを同時に加熱して蒸発させ、るつぼおよびディスペンサーと向き合って置かれた基板上に電子注入層７を形成する。
このとき、電子注入層７の膜厚方向において均一に共蒸着されるが、膜厚方向において濃度分布があっても構わない。

［８］陰極
陰極８は、有機発光層５側の層（電子注入層７または有機発光層５など）に電子を注入する役割を果たす。陰極８の材料としては、前記の陽極２に使用される材料を用いることが可能であるが、効率良く電子注入を行うには、仕事関数の低い金属が好ましく、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属またはそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。

陰極８の膜厚は通常、陽極２と同様である。

低仕事関数金属から成る陰極を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層すると、素子の安定性が増すので好ましい。この目的のために、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。

［９］その他
以上、図１に示す層構成の有機電界発光素子を中心に説明してきたが、本発明の有機電界発光素子は、その趣旨を逸脱しない範囲において、別の構成を有していてもよい。例えば、その性能を損なわない限り、陽極２と陰極６との間に、上記説明にある層の他に任意の層を有していてもよく、また、任意の層が省略されていてもよい。

なお、本発明においては、正孔輸送層４に本発明の有機化合物を使用することにより、正孔注入層３、正孔輸送層４および有機発光層５を全て湿式成膜法により積層形成することができる。これにより、大面積のディスプレイを製造することが可能となる。

次に、本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。

［合成例］
以下に本発明の有機化合物の合成例を示す。
なお、以下の合成例において、ガラス転移温度はＤＳＣ測定により、重量減少開始温度はＴＧ−ＤＴＡ測定により、融点はＤＳＣ測定またはＴＧ−ＤＴＡ測定によりそれぞれ求めた。

（合成例１）
＜目的物１の合成＞

窒素気流中、反応容器にｐ−メトキシフェニルボロン酸（２０．５１ｇ）、トリス（４−ブロモフェニル）アミン（１４．４６ｇ）、炭酸ナトリウム（２８．６２ｇ）、トルエン（２００ｍｌ）、エタノール（５０ｍｌ）、および脱塩水（１００ｍｌ）を入れ、窒素でバブリングして系内を窒素で置換した。ここで、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム３．１２ｇを加えた後、オイルバス中、８０℃で５時間３０分、窒素気流下で加熱攪拌を行った。放冷後、得られた沈殿を濾取し、水・メタノール懸洗にて無機物を除去し、白色結晶の目的物１（１４．１２ｇ）を得た。

＜目的物２の合成＞

窒素気流中、目的物１（１３．５３ｇ）と塩化メチレン（２００ｍｌ）の混合物を攪拌し、氷浴により０℃に冷却した。ここに、三臭化ホウ素（１ｍｏｌ／ｌジクロロメタン溶液 １００ｍｌ）を滴下し、滴下終了後は室温で攪拌して一晩反応させた。氷水１００ｍｌを入れたビーカーにこれを添加し、析出する沈殿を濾取した。得られた固形分はシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢エチル）で精製し、酢酸エチル、ヘキサンで再沈殿することにより、目的物２（９．６ｇ）を得た。

＜目的物３の合成＞

窒素気流中、３−エチル−３−オキセタンメタノール（１０．１ｇ）、水（８０ｍｌ）、水酸化ナトリウム（２０．８８ｇ）を室温で３０分攪拌し、そこへｐ−トシルクロライド（２１．５６ｇ）のテトラヒドロフラン（８０ｍｌ）溶液を滴下し、室温で３時間反応させた。反応混合物に水を加え、酢酸エチルで抽出し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥、濃縮し、透明油状の目的物３（２３．１１ｇ）を得た。

^１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３、４００ＭＨｚ）：δ７．８１（ｄ，２Ｈ）、７．３７（ｄ，２Ｈ）、４．３６（ｄ，２Ｈ）、４．３０（ｄ，２Ｈ）、４．１５（ｓ，２Ｈ）、１．７４（ｍ，２Ｈ）、２．５１（ｓ，３Ｈ）、０．８３（ｔ，３Ｈ）

＜目的物４の合成＞

窒素気流中、ジメチルスルホキシド（１１０ｍｌ）と紛糾した水酸化カリウム（２．８１ｇ）を室温で攪拌し、ここに目的物２（８．３９ｇ）を加え、完全に溶解させた。ここへ目的物３（８．３９ｇ）を滴下し、室温で３時間反応させた。ここにメタノール（１０ｍｌ）を加え、５０℃で１時間加温して過剰の目的物３を分解し、沈殿を濾取した。得られた固形分はシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル）で精製し、メタノールによる洗浄により、白色結晶の化合物４（４．４７ｇ）を得た。

このもののガラス転移温度は８２℃、融点は１１７℃、窒素気流下での重量減少開始温度は４２１℃であった。
^１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３、４００ＭＨｚ）：δ７．５３（ｄ，６Ｈ）、７．４７（ｄ，６Ｈ）、７．２０（ｄ，６Ｈ）、７．００（ｄ，６Ｈ）、４．５９（ｄ，６Ｈ．）、４．５０（ｄ，６Ｈ）、４．１３（ｓ，６Ｈ）、１．９０（ｍ，６Ｈ）、０．９６（ｔ，９Ｈ）

（合成例２）
＜目的物５の合成＞

反応容器内のｍ−メトキシフェニルボロン酸（１７．１０ｇ）、トリス（４−ブロモフェニル）アミン （１２．０５ｇ）、炭酸ナトリウム（２３．８５ｇ）、トルエン（２００ｍｌ）、エタノール（５０ｍｌ）、および脱塩水（１００ｍｌ）を室温で攪拌し、窒素でバブリングして系内を窒素で置換した。テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（３．０５ｇ）を加えた後、オイルバス中、８０℃に加熱下、６．５時間攪拌し、室温まで放冷した。反応混合物に水を加え、トルエンで抽出し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥、濃縮した。濃縮残渣にトルエン、活性白土を加えて、攪拌し、不溶物を濾別した。濾液に含まれるトルエンを減圧留去した後、得られた固形分はシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル）で精製し、ジクロロメタン／メタノール混合液で再沈殿することにより、目的物５（１２．３ｇ）を得た。

＜目的物６の合成＞

窒素気流中、目的物５（６．２０ｇ）と塩化メチレン（９０ｍｌ）の混合物を攪拌し、氷浴により０℃に冷却した。ここに、三臭化ホウ素（１ｍｏｌ／ｌジクロロメタン溶液 ４３ｍｌ）を滴下し、滴下終了後は室温で攪拌して一晩反応させた。氷水１００ｍｌを入れたビーカーにこれを添加し、析出する沈殿を濾取した。得られた固形分はシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル）で精製し、酢酸エチル／ヘキサンで再沈殿することにより、目的物６（４．６ｇ）を得た。

＜目的物７の合成＞

窒素気流中、ジメチルスルホキシド（４０ｍｌ）と紛糾した水酸化カリウム（２．１６ｇ）を室温で攪拌し、ここに目的物６（４．０２ｇ）を加え、完全に溶解させた。ここへ目的物３（６．４６ｇ）を滴下し、室温で３時間反応させた。ここにメタノール（７ｍｌ）を加え、５０℃で１時間加温して過剰の目的物３を分解し、さらに、水を加えて酢酸エチルで抽出し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥、濃縮した。得られた油状成分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（塩化メチレン：酢酸エチル）で精製し、塩化メチレン／ヘキサンで再沈殿することにより、白色結晶の目的物７（２．７１ｇ）を得た。

このもののガラス転移温度は５３℃、融点は観測されず、窒素気流下での重量減少開始温度は４１９℃であった。
^１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３、４００ＭＨｚ）：δ７．５２（ｄ，６Ｈ）、７．３５（ｔ，６Ｈ）、７．２３〜７．１７（ｍ，９Ｈ）、６．９１（ｍ，３Ｈ）、４．６０（ｄ，６Ｈ）、４．５０（ｄ，６Ｈ）、４．１５（ｄ，６Ｈ）、１．９０（ｍ，６Ｈ）、０．９６（ｔ，９Ｈ）

（合成例３）
＜目的物８の合成＞

窒素気流中、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（６０ｍｌ）と炭酸カリウム（７．９４ｇ）と目的物２（３．００ｇ）を８０℃で攪拌し、ここにエピクロロヒドリン（５．３２ｇ）を滴下し、８０℃で１６時間反応させた。放冷後、塩化メチレンを加え、濾過により不溶物を取り除き、濾液を濃縮後、エタノールに加えた。析出物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（塩化メチレン：酢酸エチル）で精製し、塩化メチレン／メタノールで再沈殿することにより、白色結晶の目的物８（０．６６ｇ）を得た。

このもののガラス転移温度は７２℃、融点は観測されず、窒素気流下での重量減少開始温度は３９９℃であった。
ＤＥＩ−ＭＳ（ｍ／ｚ＝６８９（Ｍ^＋））により目的物８であることを確認した。

（合成例４）
＜目的物９の合成＞

窒素雰囲気下、目的物６（４．０ｇ）をテトラヒドロフラン（５０ｍｌ）に溶解し、０℃まで氷冷した後、トリエチルアミン（４．６６ｇ）を添加し、シンナモイルクロライド（７．６６ｇ）をテトラヒドロフラン（２０ｍｌ）に溶解した溶液を系内に滴下した。２０分後、氷バスをはずし、室温で２時間攪拌した。不溶物を濾過で除去し、濃縮後、メタノールに滴下した。析出した結晶を濾取した後、酢酸エチル（２０ｍｌ）に溶解し、メタノール３００ｍｌに再沈殿した。この再沈殿操作を２回繰り返した後、塩化メチレン／メタノールで再沈殿することにより、目的物９の薄黄色結晶（５．８７ｇ）を得た。

このもののガラス転移温度は７９℃であった。
ＤＥＩ−ＭＳ（ｍ／ｚ＝９１１（Ｍ^＋））により目的物９であることを確認した。

（合成例５）
＜目的物１０の合成＞

窒素気流中、目的物６（５．０ｇ）、ｐ−フルオロベンズアルデヒド（３．６９ｇ）、炭酸カリウム（３．９８ｇ）、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（５０ｍｌ）を、３．５時間、加熱還流し、室温まで放冷した。反応混合物に２０％メタノール水溶液を加え、不溶物を濾別した。得られた粗結晶を８０％メタノール水溶液で懸洗し、目的物１０（７．５３ｇ）を得た。

＜目的物１１の合成＞

窒素気流中、目的物１０（８．４５ｇ）、メチルトリフェニルホスホニウムヨーダイト（１２．７ｇ）、および脱水テトラヒドロフラン（１７０ｍｌ）に、氷冷下、ｔ−ブトキシカリウム（３．５３ｇ）を少しずつ加えた。その温度で２．５時間攪拌した後、反応混合物に水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を水洗し、濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル、２回目はトルエン）にて精製し、メタノールで洗浄することにより、目的物２（３．０９ｇ）を得た。

ＤＥＩ−ＭＳ（ｍ／ｚ＝８２８（Ｍ^＋））により目的物１１であることを確認した。
このもののガラス転移温度は明瞭には観測されず、融点は１８７℃、重量減少開始温度は５１６℃であった。

（合成例６）
＜目的物１２−１、目的物１２−２の合成＞

窒素雰囲気下、ビス（４−ブロモフェニル）エーテル（１９．６８ｇ）、ピロール（２．６８４ｇ）、ヨウ化銅（７．６２ｇ）、リン酸三カリウム（５０．９ｇ）、およびトルエン（１２０ｍｌ）の混合溶液に、攪拌しながらＮ，Ｎ’−ジメチルエチレンジアミン（８．７８ｍｌ）を加え、加熱還流下、１４．３時間攪拌した。得られた溶液に、室温下、活性白土とトルエン（１００ｍｌ）を加えて攪拌後、濾過し、濾液を濃縮した。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーおよびメタノール中での懸濁洗浄で精製し、目的物１２−１，１２−２の混合物４．４７ｇを得た。
目的物１２−１：目的物１２−２＝５８：３９（モル比）

＜目的物１３の合成＞

窒素雰囲気下、目的物１２−１と目的物１２−２の混合物（４．４７ｇ）、ビスピナコラートジボラン（３．９４ｇ）、酢酸カリウム（４．９３ｇ）、および脱水ジメチルスルホキシド（１００ｍｌ）の混合溶液に、［１，１’−ビス（ジフェニルフォスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（II）とジクロロメタン錯体の１：１（モル比）の混合物（０．３６２ｇ）を加え、８０℃で６．３時間、次いで１００℃で１．７時間攪拌した。得られた溶液を、イオン交換水（２２０ｍｌ）中に投入して、濾過、残渣をトルエン（２５０ｍｌ）に溶解させ、これを食塩水（２５０ｍｌ）で洗浄後、無水硫酸マグネシウム、および活性白土を入れてよく攪拌した。不溶分を除去した溶液を濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的物１３（２．１３ｇ）を得た。

＜目的物１４の合成＞

窒素雰囲気下、目的物１３（２．１３ｇ）、トリス（４−ブロモフェニル）アミン（０．８６２ｇ）、トルエン（３６ｍｌ）、およびエタノール（２ｍｌ）の混合溶液に、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（０．２４８ｇ）を投入後、炭酸カリウム（１．６３ｇ）とイオン交換水（５．９ｍｌ）との混合溶液を注入し、加熱還流下、７．３時間攪拌した。得られた溶液を食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥、濾過、濾液を濃縮した。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーおよびＧＰＣで精製し、目的物１４（０．１９ｇ）を得た。

ＤＥＩ−ＭＳ（ｍ／ｚ＝９４４（Ｍ^＋））より、目的物１４であることを確認した。
このものの融点は２３３℃、窒素雰囲気下における分解開始温度は３９１℃、乾燥空気中における分解開始温度は３５７℃であった。

（合成例７）
＜目的物１５の合成＞

中間体１の合成はＰｏｌｙｍｅｒ、４１、５１２５−５１３６（２０００）に記載されている。
窒素気流下、３０℃でマグネシウム（１．１５ｇ，４７．４ｍｍｏｌ）の無水エーテル溶液（１００ｍＬ）に１，２−ジブロモエタンを数滴加え、エーテルが緩やかに還流するように中間体１（１０ｇ）の無水エーテル溶液（１００ｍＬ）を滴下した。滴下終了後、３０℃で１時間攪拌し、溶液を−７８℃まで冷却した。激しく攪拌しながら、トリメトキシボラン（２２．２ｇ，１１８ｍｍｏｌ）の無水エーテル溶液（５０ｍＬ）をゆっくりと滴下した後、−７８℃で１時間攪拌し、室温で１時間攪拌した。反応混合物を水にあけ、１Ｎ塩酸でｐＨ＝１にして、３０分攪拌し、有機層を分離した。水槽を塩化メチレン（５０ｍＬ、２回）で抽出し、先の有機層と併せて飽和塩化ナトリウム水溶液（１００ｍＬ）で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、目的物１５を２．４ｇ得た。

＜目的物１６の合成＞

窒素雰囲気下、中間体２（１．５ｇ，６．８８ｍｍｏｌ）、トリス（ｐ−ヨードフェニル）アミン（１．３ｇ，２．０８ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（１８ｍｇ，３１．２μｍｏｌ）、フッ化カリウム（１．２ｇ，２０．５９ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（１０ｍＬ）溶液に、トリターシャリーブチルホスフィン（１５ｍｇ、７４．９μｍｏｌ）を滴下した。反応混合物を室温で７２時間攪拌し、水にあけ、塩化メチレン（５０ｍＬ、２回）で抽出した。有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液（２０ｍＬ、３回）で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、目的物１６（０．１２１ｇ、収率８％）を得た。

ＤＥＩ−ＭＳ（ｍ／ｚ＝７６１（Ｍ^＋））より、目的物１６であることを確認した。

（合成例８）
＜目的物１７の合成＞

窒素気流中、目的物６（６．２６ｇ）に、テトラヒドロフラン（６０ｍｌ）を加えて氷浴で０℃に冷却しながら撹拌し、ここにトリエチルアミン（５．４６ｇ）を加えた後、メタクリル酸クロライド（５．６４ｇ）を滴下し、室温まで昇温して３時間撹拌させた。不溶物を濾別し、濾液を濃縮後、メタノールにより再沈殿を行った後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：塩化メチレン＝１：３）で精製し、塩化メチレンとメタノールで再沈殿することにより、目的物１７（４．００ｇ）を得た。
このもののガラス転移温度は５８℃、融点は１５５℃、窒素気流下での重量減少開始温度は４３８℃であった。
ＤＥＩ−ＭＳ（ｍ／ｚ＝７２５（Ｍ^＋））により目的物１７であることを確認した。

（合成例９）
＜目的物１８の合成＞

窒素気流中、ジメチルスルホキシド（８０ｍｌ）の溶液に、目的物２（７．８２ｇ）を入れ、炭酸カリウム（１９．４６ｇ）、（６−ブロモヘキシロキシ）−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシラン（３６．６２ｇ）を１２回に分けて加え、１２０℃で３１時間撹拌した。反応液に水を加え、塩化メチレンで抽出してオイル層を濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン／塩化メチレン＝２０：１）で精製することにより、目的物１８（７．９１ｇ）を得た。尚、目的物１８の構造式中、ＴＢＤＭＳとはｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基を表す。

＜目的物１９の合成＞

窒素気流中、目的物１８（７．８２ｇ）に、テトラブチルアンモニウムフルオライド１ｍｏｌ／ｌテトラヒドロフラン溶液（２６ｍｌ）と、テトラブチルアンモニウムフルオライド水和物（６．１３ｇ）を加えて室温で１時間半撹拌した。ここに水（２００ｍｌ）を加え、析出した結晶を吸引濾過により濾取して、酢酸エチル５０ｍｌ、テトラヒドロフラン１００ｍｌの混合液に溶解させた。これをシリカゲルに吸着させ、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：テトラヒドロフラン＝４：１）で精製することにより、目的物１９（４．６０ｇ）を得た。

＜目的物２０の合成＞

窒素気流中、目的物１９（４．５２ｇ）に、テトラヒドロフラン（５０ｍｌ）を加えて氷浴により０℃に冷却し、３０分間撹拌した。ここへトリエチルアミン（４．５５ｇ）を加えてメタクリル酸クロライド（３．０９ｇ）を滴下し、滴下後に室温まで昇温し、そのまま４時間撹拌した。反応液を吸引濾過した後、濾液を濃縮し、メタノールへ添加して得られた結晶をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝９：１）で精製することにより、目的物２０（２．２５ｇ）を得た。
このものの融点は８０℃、ガラス転移温度は観測されず、窒素気流下での重量減少開始温度は４０４℃であった。
ＤＥＩ−ＭＳ（ｍ／ｚ：１０２５（Ｍ^＋））により目的物２０であることを確認した。

（合成例１０）
＜目的物２１の合成＞

水酸化カリウム（５．３８ｇ）の脱水ジメチルスルホキシド（２１０ｍｌ）溶液を、室温で３０分間撹拌後、目的物２（１０ｇ）を加えた。さらに３０分間撹拌後に（３−ブロモプロポキシ）−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシラン（１６．０２ｇ）を加え、室温で３時間半撹拌した後、６０℃で３時間撹拌した。室温まで放冷後、反応混合物を濾過した。濾取物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝２０／１）で精製し、目的物２１（８．０３ｇ）を得た。尚、目的物２１の構造式中及び後掲の目的物２４の構造式中、ＴＢＳとは、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基を表す。

＜目的物２２の合成＞

窒素気流中、目的物２１（７．３９ｇ）に、テトラブチルアンモニウムフルオライド水和物（８．３７ｇ）と、テトラブチルアンモニウムフルオライドの１Ｍテトラヒドロフラン溶液（２２ｍｌ）を加え、室温で７時間攪拌した。反応混合物に水を加え、酢酸エチルで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル／テトラヒドロフラン＝２／１〜１／１）にて精製し、目的物２２（４．３７ｇ）を得た。

＜目的物２３の合成＞

窒素雰囲気下、目的物２２（３．８４ｇ）の脱水テトラヒドロフラン（４８ｍｌ）溶液に、氷冷下、トリエチルアミン（４．１９ｇ）と、メタクロリルクロライド（６．０５ｇ）を加え、室温で４時間攪拌した。反応混合物に水を加え、塩化メチレンにて抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝３／１）にて精製し、目的物２３（０．７４ｇ）を得た。
ＤＥＩ−ＭＳ（ｍ／ｚ＝８９９（Ｍ^＋））により目的物２３であることを確認した。

（合成例１１）
＜目的物２４の合成＞

水酸化カリウム（４．３０４ｇ）の脱水ジメチルスルホキシド（１５０ｍｌ）溶液を、室温で３０分間攪拌後、目的物６（８ｇ）を加えた。さらに３０分間攪拌後にｔｅｒｔ−ブチル（４−ヨードブトキシ）ジメチルシラン（１５．９１ｇ）を加え、室温で６時間半攪拌した。反応混合物を氷水に入れ、濾過をした。濾取物を塩化メチレンに溶かして抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／塩化メチレン＝２／１）で精製し、目的物２４（７．４６ｇ）を得た。
ＤＥＩ−ＭＳ（ｍ／ｚ＝１０７９（Ｍ^＋））により目的物２４であることを確認した。

＜目的物２５の合成＞

窒素気流中、目的物２４（７．３５ｇ）に、テトラブチルアンモニウムフルオライド水和物（１０．６７ｇ）のテトラヒドロフラン（３５ｍｌ）溶液を加え、室温で６時間半攪拌した。反応混合物に水を加え、酢酸エチルで抽出し、有機層を水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル／塩化メチレン＝１０／１）にて精製し、目的物２５（４．７３ｇ）を得た。

＜目的物２６の合成＞

目的物２５（４．６ｇ）に、臭化テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム（０．６０３ｇ）の塩化メチレン（９８ｍｌ）懸濁溶液を、氷冷下、ＤＣスターラーで攪拌後、３０重量％水酸化カリウム水溶液（１３０ｍｌ）を加えた。さらに激しく攪拌しながらシンナモイルクロライド（４．３６ｇ）の塩化メチレン溶液（３２ｍｌ）を滴下し、氷冷下で３時間攪拌した。反応混合物を塩化メチレンで抽出し、有機層を水で３回洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル／塩化メチレン＝１／３０）にて精製し、目的物２６（６．６８ｇ）を得た。
このもののガラス転移温度は１９℃、窒素気流下での重量減少開始温度は３８８℃であった。
ＤＥＩ−ＭＳ（ｍ／ｚ＝１１２７（Ｍ^＋））により目的物２６であることを確認した。

（合成例１２）
＜目的物２７の合成＞

窒素気流中、氷冷下、１，４−ペンタジエン−３−オール（４．２１ｇ）と、脱水ピリジン（２０ｍｌ）の混合溶液に、６−ブロモ−ｎ−ヘキサン酸クロリド（７．４７ｍｌ）を滴下してから、室温で、３．３時間攪拌した。得られた溶液に、酢酸エチル１５０ｍｌ、炭酸水素ナトリウム水溶液１００ｍｌを加えて振り混ぜ、有機層を分取し、これを食塩水１００ｍｌで洗浄後、濃縮し、これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル）およびシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル／ヘキサン＝３／７）で精製し、目的物２７の無色液体（９．９ｇ）を得た。

＜目的物２８の合成＞

窒素気流中、目的物６（２．０７ｇ）と、炭酸カリウム（６．２２ｇ）の脱水Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（１００ｍｌ）懸濁溶液に目的物２７（８．２２ｇ）を加え、６０℃で２０時間半攪拌した。室温まで放冷後、反応混合物に水を加え、酢酸エチルにて抽出し、有機層を水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝４／１）にて精製し、目的物２８（３．８３ｇ）を得た。
ＭＡＬＤＩ−ＭＳ（ｍ／ｚ＝１０６１（Ｍ^＋））により目的物２８であることを確認した。

（合成例１３）
＜目的物２９の合成＞

５０重量％水酸化ナトリウム水溶液（２００ｍＬ）とヘキサン（１５０ｍＬ）の混合溶液に、テトラブチルアンモニウムブロマイド（２．６ｇ）を添加した。混合物を５℃まで冷却後、３−メチル−３−オキセタンメタノール（１６．７ｇ）と１，３−ジブロモプロパン（９８．９ｇ）の混合物を激しく攪拌しながら滴下した。滴下終了後、室温で３０分間攪拌し、１５分間還流させ、さらに室温で１５分間攪拌した。有機層を分離し、精製水で洗浄後、乾燥させ、溶媒を減圧下に除去し、減圧蒸留（０．５ｍｍＨｇ,６２℃）にて、目的物２９（１２．３ｇ）を得た。

＜目的物３０の合成＞

水酸化カリウム（３．８７ｇ）をジメチルスルホキシド（１３０ｍｌ）に懸濁させ、２０分激しく攪拌した。ここへ目的物２（６．００ｇ）を加え、室温で３０分間攪拌した後、目的物２９（９．２４ｇ）を滴下して室温で攪拌した。反応終了後、メタノール５００ｍｌを加え、析出物を濾取した。析出物を塩化メチレンに溶解させ、水で洗浄し、有機層を濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、目的物３０（５．５２ｇ）を得た。
ＤＥＩ−ＭＳ（９４７（Ｍ^＋））により目的物３０であることを確認した。

（合成例１４）
＜目的物３１の合成＞

５０重量％水酸化ナトリウム水溶液（３００ｍｌ）とヘキサン（２５０ｍｌ）の混合溶液に、テトラブチルアンモニウムブロマイド（４．２ｇ）を添加した。混合物を５℃まで冷却後、３−メチル−３−オキセタンメタノール（２６．５ｇ）と１，６−ジブロモヘキサン（１９２ｇ）の混合物を激しく攪拌しながら滴下した。滴下終了後、室温で３０分間攪拌し、１５分間還流させ、さらに室温で１５分間攪拌した。有機層を分離し、精製水で洗浄後、乾燥させ、溶媒を減圧下に除去し、減圧蒸留（０．４ｍｍＨｇ,９６℃）にて、目的物３１（４７．７ｇ）を得た。

＜目的物３２の合成＞

水酸化カリウム（５．２ｇ）をジメチルスルホキシド（６０ｍｌ）に懸濁させ、２０分激しく攪拌した。ここへ目的物２（４．０ｇ）を加え、室温で３０分間攪拌した後、３−（８−ブロモ−２−オキサオクチル）−３−メチルオキセタン（１２．２ｇ）を滴下し、室温で攪拌した。反応終了後、氷水に添加し、沈殿を濾取した。沈殿をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、目的物３２（４．２２ｇ）を得た。
質量分析（１０７３（Ｍ^＋））により目的物３２であることを確認した。

（合成例１５）
＜目的物３３の合成＞

氷冷下、目的物２２（３．５ｇ）とテトラブチルアンモニウムブロマイド（３．５ｇ）の塩化メチレン溶液（７５ｍｌ）に、３０重量％水酸化ナトリウム水溶液(１００ｍｌ)を加え、激しく攪拌しながらシンナモイルクロライド(３．５２ｇ)の塩化メチレン溶液(２５ｍｌ)を３０分かけて滴下した。氷冷下で２時間攪拌後、反応混合物を分液し、有機層を水で３回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下に溶媒を留去した。残渣をカラムクロマトグラフィーに処し目的物２（４．６ｇ）を得た。
質量分析（１０８５（Ｍ^＋））により目的物３３であることを確認した。

（合成例１６）
＜目的物３４の合成＞

窒素気流中、目的物２（４．００ｇ）に、テトラヒドロフラン（５０ｍｌ）と、トリエチルアミン（４．６６ｇ）を加えて氷浴で０℃に冷却しながら攪拌し、メタクリル酸クロライド（４．８１ｇ）のテトラヒドロフラン（１０ｍｌ）溶液を滴下し、室温まで昇温して３時間攪拌させた。反応液をメタノールへ添加し、析出物を濾取し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：塩化メチレン＝１：２）で精製後、塩化メチレン溶液からメタノールへ再沈殿することにより目的物３４（２．５５ｇ）を得た。
ＤＥＩ−ＭＳ（ｍ／ｚ＝７２５（Ｍ^＋））により目的物３４であることを確認した。

［ガラス基板上の不溶化試験１（加熱架橋）］
以下の不溶化試験で用いた化合物の構造式を以下に示す。

（実施例１−１）
２５ｍｍ×３７．５ｍｍサイズのガラス基板を超純水で洗浄し、乾燥窒素で乾燥して、ＵＶ／オゾン洗浄を行った。下記表１に記載の濃度で、上記構造式（Ｈ１）の本発明の有機化合物（正孔輸送材料）、上記構造式（Ａ１）の４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート（添加剤：電子受容性化合物）、およびキシレン（溶媒）を含む有機電界発光素子用組成物を調製し、該組成物を洗浄したガラス基板にスピンコートして膜を形成した。スピンコートは気温２３℃、相対湿度６０％の大気中で行い、スピナ回転数は１５００ｒｐｍ、スピナ回転時間は３０秒とした。成膜後、大気中、ホットプレート上で下記表１に示す条件で加熱した後、約１ｍｍ幅で膜を掻き取り、膜厚計（テンコールＰ−１５）で膜厚Ｌ１（ｎｍ）を測定した。

その後、この基板をスピナにセットし、キシレンを膜厚測定した箇所に垂らし、１０秒後にスピナ回転数１５００ｒｐｍ、スピナ時間３０秒でスピン処理し、再び同じ箇所の膜厚Ｌ２（ｎｍ）を測定し、キシレンのスピン処理後の減少膜厚Ｌ１−Ｌ２（ｎｍ）を算出し、不溶化の程度を評価した。

成膜後ホットプレート上での加熱温度、加熱時間、キシレンスピン処理前の膜厚Ｌ１（ｎｍ）、キシレンスピン前後の膜厚減少量Ｌ１−Ｌ２（ｎｍ）とを下記表１に示す。
キシレンスピン処理後に膜厚は減少せず、溶解性の低い、不溶化された膜であることが確認された。

（実施例１−２〜実施例１−７）
表１に記載の条件で有機電界発光素子用組成物を調製し、表１に記載の条件で成膜した他は、実施例１−１と同様にして成膜および膜厚の測定を行った。結果を表１に示す。
いずれも、キシレンスピン処理後に膜厚は減少しないか或いは非常に少ない減少であり、溶解性の低い、不溶化された膜であることが確認された。

［正孔注入層上の不溶化試験２（加熱架橋）］
（参考例１）
実施例１−１において構造式（Ｈ−１）で表される化合物の代りに、以下の構造式（Ｐ１）に示す正孔輸送性高分子（単独重合体。Ｍｗ＝２７，０００、Ｍｎ＝１３，０００）を用い、以下の条件で組成物を調製し、この組成物を用いて加熱条件を以下の通りとしたこと以外は実施例１−１と同様に成膜およびキシレンスピン処理前後の膜厚の測定を行った。

＜組成物調製条件＞
溶媒：安息香酸エチル
正孔輸送性高分子（Ｐ１）濃度：２重量％
電子受容性化合物（Ａ１）濃度：０．８０重量％
＜加熱条件＞
ホットプレート上で８０℃、１分間加熱乾燥の後、オーブン内で２３０℃、１８０
分間加熱乾燥

その結果、キシレンスピン処理前の膜厚Ｌ１は３４ｎｍで、キシレンスピン処理後の減少膜厚Ｌ１−Ｌ２は２ｎｍ以下であり、このことから、塗布乾燥後の膜はキシレンに対し不溶化していることが確認された。

（参考例２）
成膜、乾燥後のキシレンスピン処理に変えて、トルエンスピン処理を行った以外は、参考例１と同様に成膜および膜厚の測定を行ったところ、塗布乾燥後の膜は、トルエンに対しても不溶化していることが確認された。

（実施例２−１）
参考例１と同様にして形成された正孔輸送性高分子（Ｐ１）と電子受容性化合物（Ａ１）の混合物の薄膜上に、表２に示す条件で、前述の構造式（Ｈ１）の本発明の有機化合物をキシレン（溶媒）に溶解させて調製した有機電界発光素子組成物をスピンコートして成膜した。スピンコートは気温２３℃、相対湿度６０％の大気中で行い、スピナ回転数は１５００ｒｐｍ、スピナ回転時間は３０秒とした。成膜後、大気中、ホットプレート上で表２に示す条件で加熱した。

成膜された膜について、実施例１−１と同様にして、キシレンスピン処理前後の膜厚を測定し、同様に不溶化の程度の評価を行った。
キシレンスピン処理前の、有機化合物（Ｈ１）を含む正孔輸送材料膜の膜厚Ｌ３（ｎｍ）、キシレンスピン前後の膜厚減少量Ｌ１−Ｌ２（ｎｍ）を下記表２に示す。
なお、正孔輸送材料膜の膜厚Ｌ３（ｎｍ）はキシレンスピン処理前の有機材料の膜厚Ｌ１（ｎｍ）から参考例１の正孔輸送性高分子含有膜の膜厚３４ｎｍを除することより算出した。
その結果、キシレンスピン処理後、膜厚の減少は非常に少なく、溶解性の低い、不溶化された膜であることが確認された。

（実施例２−２〜実施例２−８）
表２に記載の条件で有機電界発光素子用組成物を調製し、表２に記載の条件で成膜した他は、実施例２−１と同様にして成膜および膜厚の測定を行った。結果を表２に示す。
いずれも、キシレンスピン処理後に膜厚は減少しないか或いは非常に少ない減少であり、溶解性の低い、不溶化された膜であることが確認された。

（参考例３）
実施例１−１において、構造式（Ｈ１）で表される化合物の代りに、以下の構造式（Ｐ２）に示す正孔輸送性高分子（Ｍｗ＝２７，０００、Ｍｎ＝１２，０００）を用い、以下の条件で組成物を調製し、この組成物を用いて加熱条件を以下の通りとしたこと以外は実施例１−１と同様に成膜およびキシレンスピン処理前後の膜厚の測定を行った。

＜組成物調製条件＞
溶媒：アニソール
正孔輸送性高分子（Ｐ２）濃度：１．５重量％
電子受容性化合物（Ａ１）濃度：０．３重量％
＜加熱条件＞
ホットプレート上で８０℃、１分間加熱乾燥の後、オーブン内で２３０℃、１８０
分間加熱乾燥

その結果、キシレンスピン処理前の膜厚Ｌ１は３０ｎｍで、キシレンスピン処理後の減少膜厚Ｌ１−Ｌ２は２ｎｍ以下であり、このことから、塗布乾燥後の膜はキシレンに対し不溶化していることが確認された。

（参考例４）
成膜、乾燥後のキシレンスピン処理に変えて、トルエンスピン処理を行った以外は、参考例３と同様に成膜および膜厚の測定を行ったところ、塗布乾燥後の膜は、トルエンに対しても不溶化していることが確認された。

（実施例３−１）
参考例３と同様にして形成された正孔輸送性高分子（Ｐ２）と電子受容性化合物（Ａ１）の混合物の薄膜上に、表３に示す条件で、前述の構造式（Ｈ１）の本発明の有機化合物をキシレン（溶媒）に溶解させた調製した有機電界発光素子組成物をスピンコートして成膜した。スピンコートは気温２３℃、相対湿度６０％の大気中で行い、スピナ回転数は１５００ｒｐｍ、スピナ回転時間は３０秒とした。成膜後、大気中、ホットプレート上で表３に示す条件で加熱した。

成膜された膜について、実施例１−１と同様にして、キシレンスピン処理前後の膜厚を測定し、同様に不溶化の程度の評価を行った。
キシレンスピン処理前の、有機化合物（Ｈ１）を含む正孔輸送材料膜の膜厚Ｌ３（ｎｍ）、キシレンスピン前後の膜厚減少量Ｌ１−Ｌ２（ｎｍ）を下記表２に示す。
なお、正孔輸送材料膜の膜厚Ｌ３（ｎｍ）はキシレンスピン処理前の有機材料の膜厚Ｌ１（ｎｍ）から参考例３の正孔輸送性高分子含有膜の膜厚３０ｎｍを除することより算出した。
その結果、キシレンスピン処理後、膜厚の減少はなく、溶解性の低い、不溶化された膜であることが確認された。

［ガラス板上の不溶化試験３（光架橋）］
（実施例４−１）
２５ｍｍ×３７．５ｍｍサイズのガラス基板を超純水で洗浄し、乾燥窒素で乾燥して、ＵＶ／オゾン洗浄を行った。下記表４に記載の濃度で、前記構造式（Ｈ３）の本発明の有機化合物（正孔輸送材料）、下記構造式（Ａ２）に示す長瀬産業株式会社製イルガキュア６５１、および溶媒を含む有機電界発光素子用組成物を調製し、該組成物を洗浄したガラス基板にスピンコートして成膜した。スピンコートは気温２３℃、相対湿度６０％の大気中で行い、スピナ回転数は１５００ｒｐｍ、スピナ回転時間は３０秒とした。成膜後、ウシオ電機株式会社製露光装置ＵＸ−１０００ＳＭ−ＡＣＳ０１を用いて、５００Ｗ超高圧水銀ランプ光を表４に示す光量照射した。光照射は気温２３℃、相対湿度６０％の大気中で行った。照射面における３６５ｎｍ光（ｇ線）の強度は２８ｍＷ／ｃｍ^２であった。光照射後、大気中ホットプレート上で１２０℃にて１時間加熱した。

形成された膜について、実施例１−１と同様にして、キシレンスピン処理前後の膜厚を測定し、同様に不溶化の程度の評価を行った。

有機電界発光素子用組成物中の正孔輸送材料およびその濃度、添加剤およびその濃度、使用溶媒、塗布後露光装置での積算光照射量、光照射時間、キシレンスピン処理前の膜厚Ｌ１（ｎｍ）、キシレンスピン前後の膜厚減少量Ｌ１−Ｌ２（ｎｍ）を下記表４に示す。
キシレンスピン処理後、膜厚の減少は少なく、溶解性の低い、不溶化された膜であることが確認された。

（実施例４−２〜実施例４−３）
表４に記載の条件で成膜した他は、実施例４−１と同様にして成膜および膜厚の測定を行った。結果を表４に示す。
いずれも、キシレンスピン処理後に膜厚は減少しないか或いは非常に少ない減少であり、溶解性の低い、不溶化された膜であることが確認された。

［正孔注入層上の不溶化試験４（光架橋）］
（実施例５−１）
参考例１と同様にして成膜した正孔輸送性高分子（Ｐ１）と電子受容性化合物（Ａ１）の混合物の膜上に、下記構造式（Ｈ４）で示される本発明の有機化合物および溶媒を用いて調製した有機電界発光素子用組成物を、スピンコートして成膜した。スピンコートは気温２３℃、相対湿度６０％の大気中で行い、スピナ回転数は１５００ｒｐｍ、スピナ回転時間は３０秒とした。成膜後、ウシオ電機株式会社製露光装置ＵＸ−１０００ＳＭ−ＡＣＳ０１を用いて、５００Ｗ超高圧水銀ランプ光を表に示す光量照射した。光照射は気温２３℃、相対湿度６０％の大気中で行った。照射面における３６５ｎｍ光（ｇ線）の強度は２８ｍＷ／ｃｍ^２であった。光照射後、大気中ホットプレート上で１２０℃にて１時間加熱した。

形成された膜について、実施例３−１と同様にしてキシレンスピン処理前後の膜厚を測定し、同様に不溶化の評価を行った。

塗布液中の正孔輸送材料およびその濃度、添加剤およびその濃度、使用溶媒、塗布後露光装置での積算光照射量、光照射時間、正孔輸送材料膜の膜厚Ｌ３（ｎｍ）、キシレンスピン前後の膜厚減少量Ｌ１−Ｌ２（ｎｍ）を下記表５に示す。
キシレンスピン処理後、膜厚の減少は少なく、溶解性の低い、不溶化された膜であることが確認された。

（実施例５−２〜実施例５−４）
表５に記載の条件で成膜した他は、実施例５−１と同様にして成膜および膜厚の測定を行った。結果を表５に示す。
いずれも、キシレンスピン処理後に膜厚は減少しないか或いは非常に少ない減少であり、溶解性の低い、不溶化された膜であることが確認された。

［有機電界発光素子の作製１］
（実施例６−１〜６−１６）
図１に示す有機電界発光素子を作製した。
ガラス基板１上に、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を１２０ｎｍの厚さに堆積したもの（三容真空社製、スパッタ成膜品）を、通常のフォトリソグラフィー技術と塩酸エッチングを用いて２ｍｍ幅のストライプにパターニングして陽極２を形成した。パターン形成したＩＴＯ基板を、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄後、圧縮空気で乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。

まず、先の構造式（Ｐ１）に示す繰り返し構造を有する正孔輸送性高分子２重量％と、構造式（Ａ１）に示す４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート０．８重量％を、溶媒としての安息香酸エチルに溶解した後、孔径０．２μｍのＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）製メンブレンフィルターを用いて濾過し、塗布組成物を作製した。この塗布組成物を上記ガラス基板上にスピンコートした。スピンコートは気温２３℃、相対湿度６０％の大気中で行い、スピナ回転数は１５００ｒｐｍ、スピナ時間は３０秒とした。スピンコート後、ホットプレート上で８０℃、１分間加熱乾燥した後、オーブンにて常圧大気雰囲気中、２３０℃で１８０分間加熱した。このようにして、膜厚３４ｎｍの正孔注入層３を形成した。

引き続き、表６に示す条件で有機電界発光素子組成物を調製し、孔径０．２μｍＰＴＦＥ製メンブレンフィルターを用いて濾過し、上記正孔注入層３上にスピンコートした。スピンコートは気温２３℃、相対湿度６０％の、表６に示す雰囲気中にて行い、スピナ回転数は１５００ｒｐｍ、スピナ時間は３０秒とした。スピンコート後、ホットプレートにて表６に示す加熱雰囲気、加熱温度、加熱時間の条件で加熱を行った。このようにして、膜厚１８〜５０ｎｍの正孔輸送層４を形成した。

次に、下記構造式（Ｃ−１）で表される化合物２０ｍｇ、下記構造式（Ｃ−２）で表される化合物２０ｍｇ、および、下記構造式（Ｃ−３）で表される化合物２ｍｇを、キシレン２．０ｇに溶解させ、発光層溶液を調製した。この発光層溶液を、先の正孔輸送層４の上にスピンコートにて８０ｎｍの厚さに塗布し、発光層５を形成した。スピンコートは窒素雰囲気中で行い、スピナ回転数は１５００ｒｐｍ、スピナ時間は６０秒とした。塗布後、真空度０．０１ＭＰａ、１３０℃で１時間加熱乾燥した。

次に、正孔注入層３と正孔輸送層４と発光層５を塗布成膜した基板を真空蒸着装置内に設置し、油回転ポンプにより装置の粗排気を行った後、装置内の真空度が２×１０^−６Ｔｏｒｒ（約２．７×１０^−４Ｐａ）以下になるまでクライオポンプを用いて排気し、装置内に配置されたセラミック製ルツボに入れた下記構造式（Ｃ−４）で表される化合物を加熱して蒸着を行った。蒸着時の真空度は１．３×１０^−６Ｔｏｒｒ（約１．７×１０^−４Ｐａ）、蒸着速度は約１Å／秒で、膜厚５ｎｍの膜を発光層の上に積層して正孔阻止層６を形成した。

次いで同装置内に配置されたセラミック製ルツボに入れた、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウムを加熱して蒸着を行った。蒸着時の真空度は１．３×１０^−６Ｔｏｒｒ（約１．７×１０^−４Ｐａ）、蒸着速度は約２Å／秒で、膜厚３０ｎｍの膜を正孔阻止層６の上に積層して電子輸送層７を形成した。

ここで、蒸着を行った素子を一度真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして２ｍｍ幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極２のＩＴＯストライプと直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して、有機層蒸着時と同様にして装置内の真空度が２×１０^−６Ｔｏｒｒ（約２．６×１０^−４Ｐａ）になるまで排気した。

陰極８として、先ずフッ化リチウム（ＬｉＦ）を、モリブデンボートを用いて、蒸着速度０．０５Å／秒、真空度２．０×１０^−６Ｔｏｒｒ（約２．６×１０^−４Ｐａ）で、０．５ｎｍの膜厚で電子輸送層の上に成膜した。次に、アルミニウムを同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度４Å／秒、真空度５×１０^−６Ｔｏｒｒ（６．５×１０^−４Ｐａ）で膜厚８０ｎｍのアルミニウム層を形成して陰極８を形成した。以上の２層型陰極の蒸着時の基板温度は室温に保持した。

引き続き、素子が保管中に大気中の水分等で劣化することを防ぐため、以下に記載の方法で封止処理を行った。
窒素で内部を充填したドライボックス中で、２３ｍｍ×２３ｍｍサイズのガラス板の外周部に、約１ｍｍの幅で光硬化性樹脂（株式会社スリーボンド製３０Ｙ−４３７）を塗布し、中央部に水分ゲッターシート（ダイニック株式会社製）を設置した。この上に、陰極形成を終了した基板を、蒸着された面が乾燥剤シートと対向するように貼り合わせた。その後、光硬化性樹脂が塗布された領域のみに紫外光を照射し、樹脂を硬化させた。
以上の様にして、２ｍｍ×２ｍｍのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。
得られた有機電界発光素子の輝度１００ｃｄ／ｍ^２の時の電圧と電流発光効率を下記表７に示す。

実施例６−１６で使用した正孔輸送材料（Ｈ５）は以下の通りであり、実施例６−１６で作製した素子の輝度１００ｃｄ／ｍ^２における発光効率は２１．８ｌｍ／ｗ、輝度２５００ｃｄ／ｍ^２における電圧は８．９Ｖで輝度／電流は３５．２ｃｄ／Ａであった。

［有機電界発光素子の作製２］
（実施例７）
実施例６−１と同様に陽極２の形成および洗浄を行ったガラス基板１上に、正孔注入層を形成するための塗布組成物として、先の構造式（Ｐ２）に示す繰り返し構造を有する正孔輸送性高分子２重量％と、構造式（Ａ１）に示す４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート０．４重量％を、溶媒としての安息香酸エチルに溶解した後、孔径０．２μｍＰＴＦＥ製メンブレンフィルターを用いて濾過して調製したものを用いたこと以外は、実施例６−１と同様の条件でスピンコートにより膜厚３０ｎｍの正孔注入層３を形成した。

引き続き、表８に示す条件で調製した有機電界発光素子用組成物を、孔径０．２μｍＰＴＦＥ製メンブレンフィルターを用いて濾過し、上記正孔注入層３上にスピンコートした。スピンコートは気温２３℃、相対湿度６０％の大気中にて行い、スピナ回転数は１５００ｒｐｍ、スピナ時間は３０秒とした。スピンコート後、ホットプレートにて表８に示す加熱雰囲気、加熱温度、加熱時間の条件で加熱を行った。このようにして、膜厚３７ｎｍの正孔輸送層４を形成した。

正孔輸送層４の形成後は、実施例６−１と同様の手順により、各層の成膜を行って、２ｍｍ×２ｍｍのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子を作製した。
得られた有機電界発光素子の輝度１００ｃｄ／ｍ^２の時の電圧と電流発光効率を下記表８に示す。

［有機電界発光素子の作製３］
（実施例８−１〜８−７）
実施例６−１と同様にしてガラス基板１上に陽極２の形成、洗浄および正孔注入層３の形成を行った後、表９に示す条件で調製した有機電界発光素子用組成物を、実施例６−１と同様に濾過して正孔注入層３上に同様の条件でスピンコートした。その後、ウシオ電機株式会社製露光装置ＵＸ−１０００ＳＭ−ＡＣＳ０１を用いて、５００Ｗ超高圧水銀ランプ光を表に示す光量照射した。光照射は気温２３℃、相対湿度６０％の大気中で行った。照射面における３６５ｎｍ光（ｇ線）の強度は２８ｍＷ／ｃｍ^２であった。さらに、光照射後、ホットプレートにて表９に示す加熱雰囲気、加熱温度、加熱時間の条件で加熱を行った。このようにして、膜厚１８〜３７ｎｍの正孔輸送層４を形成した。

正孔輸送層４の形成後は、実施例６−１と同様の手順により、各層の成膜を行って、２ｍｍ×２ｍｍのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子を作製した。
得られた有機電界発光素子の輝度１００ｃｄ／ｍ^２の時の電圧と電流効率と、得られた有機電界発光素子を初期輝度１０００ｃｄ／ｍ^２でＤＣ駆動した時の電圧および電流密度と、輝度が８００ｃｄ／ｍ^２に低下した時間およびその時の電圧を表１０（実施例８−１〜８−３）に示す。
また、得られた有機電界発光素子の輝度１００ｃｄ／ｍ^２の時の電圧、輝度／電流、および発光効率と、輝度２５００ｃｄ／ｍ^２の時の電圧および輝度／電流を表１１（実施例８−４〜８−７）に示す。

なお、実施例８−４〜８−７で使用した正孔輸送材料（Ｈ６）〜（Ｈ９）は以下の通りである。

（比較例１）
正孔輸送層を設けないこと以外は、実施例６−１と同様の手順により２ｍｍ×２ｍｍのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子を作製した。
得られた有機電界発光素子を初期輝度１０００ｃｄ／ｍ^２でＤＣ駆動した時の電圧および電流密度と、輝度が８００ｃｄ／ｍ^２に低下した時間およびその時の電圧を表１０に示す。

（実施例８−８〜８−９）
実施例６−１と同様にしてガラス基板１上に陽極２の形成、洗浄および正孔注入層３の形成を行った後、表１２に示す条件で調製した有機電界発光素子用組成物を、実施例６−１と同様に濾過して正孔注入層３上に同様の条件でスピンコートした。その後、ウシオ電機株式会社製露光装置ＵＸ−１０００ＳＭ−ＡＣＳ０１を用いて、５００Ｗ超高圧水銀ランプ光を表１２に示す光照射条件で照射した。光照射は気温２３℃、相対湿度６０％の大気中で行った。照射面における３６５ｎｍ光（ｇ線）の強度は２８ｍＷ／ｃｍ^２であった。さらに、光照射後、ホットプレートにて表１２に示す加熱雰囲気、加熱温度、加熱時間の条件で加熱を行った。このようにして、膜厚２０〜４０ｎｍの正孔輸送層４を形成した。

次に、上記構造式（Ｃ−１）で表される化合物１．８重量％、前記構造式（Ｃ−２）で表される化合物０．２重量％、および、前記構造式（Ｃ−３）で表される化合物０．１重量％を、キシレンに溶解させ、発光層溶液を調製した。この発光層溶液を、先の正孔輸送層４の上にスピンコートにて４０ｎｍの厚さに塗布し、発光層５を形成した。スピンコートは窒素雰囲気中で行い、スピナ回転数は１５００ｒｐｍ、スピナ時間は６０秒とした。塗布後、真空度０．０１ＭＰａ、１３０℃で１時間加熱乾燥した。

発光層５の形成後は、実施例６−１と同様の手順により、各層の成膜を行って、２ｍｍ×２ｍｍのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子を作製した。
また、得られた有機電界発光素子の輝度１００ｃｄ／ｍ^２の時の電圧、輝度／電流、および発光効率と、輝度２５００ｃｄ／ｍ^２の時の電圧および輝度／電流を表１３に示す。

なお、実施例８−８〜８−９で使用した正孔輸送材料（Ｈ１０）〜（Ｈ１１）は以下の通りである。

本発明は、有機電界発光素子が使用される各種の分野、例えば、フラットパネル・ディスプレイ（例えばＯＡコンピュータ用や壁掛けテレビ）や面発光体としての特徴を生かした光源（例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源）、表示板、標識灯等の分野において、好適に使用することが出来る。

本発明の有機電界発光素子の構造の一例を模式的に示す断面図である。

符号の説明

１ 基板
２ 陽極
３ 正孔注入層
４ 正孔輸送層
５ 有機発光層
６ 正孔阻止層
７ 電子注入層
８ 陰極

Claims (7)

1. 下記式（Ｉ−１）で表され、下記架橋基が、下記式（ａ）、（ｂ）、（ｃ）のいずれかで表される環状エーテル基である有機化合物。
   

   

   （式中、Ｔ ^１ 、Ｔ^２ およびＴ ^３ は、それぞれ独立に、直接又は連結基を介してｐ−ビフェニル基に結合する架橋基を表す。該連結基はアルキレン基、エーテル基、スルフィド基から選択される。ｎはＴ ^１ の置換数を表し、ｍはＴ ^２ の置換数を表し、それぞれ独立に、０〜２の整数を表す。但し、ｍ＋ｎは２以上の整数である。ｐは、Ｔ^３の置換数を表し、０〜２の整数を表す。）
   

   

   （式（ａ）〜（ｃ）において、※は連結位置を示す。）
2. 前記式（Ｉ−１）が下記式（Ｉ−２）で表される請求項１に記載の有機化合物。
   

   

   （式中、Ｔ^１１〜Ｔ^１３は、それぞれ独立に、前記式（ａ）、（ｂ）、（ｃ）のいずれかで表される架橋基を表す。ｍ、ｎ、およびｐは、それぞれ式（Ｉ−１）におけるものと同義である。）
3. 請求項１または２に記載の有機化合物を含有する有機電界発光素子用組成物。
4. 基板上に、陽極、陰極、および該陽極と該陰極に挟持された１層または２層以上の有機層を有する有機電界発光素子において、該有機層の少なくとも１層が、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の有機化合物を含有する有機電界発光素子。
5. 該有機化合物を含有する層が、正孔輸送層である請求項４に記載の有機電界発光素子。
6. 該正孔輸送層上に、発光層を有する請求項５に記載の有機電界発光素子。
7. 前記有機層が、正孔注入層、正孔輸送層および発光層を有し、正孔注入層、正孔輸送層および発光層の全てが湿式成膜法により形成される請求項４ないし６のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。

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