JP5268075B2 - 電気化学トランジスタ装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
‐ソース接点、
‐ドレイン接点、
‐少なくとも1つのゲート電極、
‐ソース接点とドレイン接点との間に配置してあり、これらの接点と直接電気接触している電気化学的にアクティブな要素であって、トランジスタ・チャネルを含み、そして、そのレドックス状態の変化を介してその導電率を電気化学的に変える能力を有する有機材料を含む材料で作られている電気化学的にアクティブな要素、および、
‐電気化学的にアクティブな要素および前記少なくとも1つのゲート電極と直接的に電気接触しており、電気化学的にアクティブな要素および前記ゲート電極間の電子の流れを阻止するようにそれらの間に介在する凝固電解液
からなり、
それによって、
ソース接点、ドレイン接点間の電子の流れが、前記ゲート電極に印加された電圧によって制御可能となる。
装置は、横方向装置構造を使用する。凝固電解液の層は、少なくとも部分的にゲート電極を覆うと共に、電気化学的にアクティブな要素を覆うように配置されると有利である。凝固電解液のこの層は、2つの主タイプのトランジスタ構造のどちらを実現しようとしているかに部分的に依存して、連続的であってもよいし、非連続的であってもよい(以下を参照)。
ので、ゲート電圧の除去により、レドックス反応の自動的な逆転が生じ、その結果、トランジスタ・チャネルの初期導電率が再確立される。従来技術の電気化学トランジスタとは対照的に、本発明のこの実施例によるダイナミック・トランジスタが、逆転バイアスを必要とすることなく自動的に初期導電率状態に戻ることは強調されるべきであろう。
定義
双安定電気化学トランジスタ:ゲート電圧が除去されたときに、トランジスタ・チャネルがそのレドックス状態(それ故、その導電率特性)を保持する電気化学トランジスタ装置。
定され、流れたり、漏れたりすることがない電解液を意味する。好ましいケースにおいては、このような電解液は、適切な流動学的な性質を有し、一体シートまたはパターンとして支持体上にこの材料を容易に装着することができる。堆積後、電解液は、溶媒の蒸発の際に凝固し、または、化学的試薬の添加または紫外、赤外線またはマイクロ波の照射、冷却のような物理的効果または任意他の手段によってもたらされる化学架橋反応のために凝固しなければならない。凝固電解液は、好ましくは、ゼラチンまたは重合ゲルのような水様または有機溶媒含有ゲルからなる。しかしながら、固体の重合電解液も考えられ、それも本発明の範囲内にある。さらに、この定義は、また、適切なマトリクス材料、たとえば、紙、ファブリックまたは多孔性ポリマーに吸収させた電解溶液またはこのようなマトリクス材料が主役となる任意他の方法での電解溶液も含む。本発明の或る種の実施例においては、この材料は、実際に、電気化学トランジスタ装置を配置した支持体であり、その結果、支持体が装置の一体の作動部分となる。
好ましくは、凝固電解液は、バインダを含む。このバインダは、ゲル化特性を有すると好ましい。バインダは、好ましくは、ゼラチン、ゼラチン誘導体、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリ(ビニルピロリドン)、多糖類、ポリアクリルアミド、ポリウレタン、ポリプロピレン酸化物、ポリエチレン酸化物、ポリ(スチレンスルホン酸)、ポリ(ビニルアルコール)およびそれらの塩およびコポリマーからなるグループから選択されると好ましい。そして、場合によっては架橋結合されていてもよい。凝固電解液は、好ましくは、さらに、イオン塩、好ましくは、使用されるバインダがゼラチンである場合にはマグネシウム硫酸塩を含む。凝固電解液は、好ましくは、さらに、水分を維持するために塩化マグネシウムのような吸湿性塩を含む。
電気化学的にアクティブな要素の有機材料のパターン化および接点、電極、電解液を異なった方法でパターン化することによって、2つの主要なタイプの電気化学トランジスタ装置を実現できる。これらの主要なタイプ、すなわち、双安定電気化学トランジスタ装置およびダイナミック電気化学トランジスタ装置を、それらの図およびそれらの作動原理の概略を参照しながら以下に説明する。
これら有機材料の構成要素は、すべて、支持体6上に1枚の層として堆積されている。ゲート電極4a、4bの一部およびアクティブな要素3を覆っているこの層のトップには、ゲル電解液層5がある。さらに、このゲル電解液層5は、溶媒の蒸発を防ぐために封入層7で覆われている。
双安定(タイプ1)トランジスタおよびダイナミック・トランジスタは、対イオンとしてポリ(スチレンスルホン酸塩)を有する部分的に酸化されたポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)のフィルム(本明細書では、しばしば、PEDOT:PSSと呼ぶ)をT字形の構造へパターン化することによって実現された。設計は、それぞれ、図1、2に示す双安定トランジスタおよびダイナミック・トランジスタの概略的な図面に従った。その当初の、部分的に酸化された状態において、PEDOT:PSSフィルムは、導電性であり、電気化学的にPEDOT:PSSを還元することによってトランジスタ・チャネルにおける電流を変調する機会を提供する。すべての処理および材料処理は、周囲大気内で行われた。
た(括弧内は、こうして得たゲルの重量パーセンテージ)。パターン化したPEDOT:PSSフィルム上にゲル化電解液構造物を、PEDOT:PSSフィルムのトップにゲルを印刷することによって形成した。ゲル化電解液の厚さは、20〜100μmの範囲であった。ゲル化電解液構造物は、300μmまでのライン幅で実現された。ゲル化電解液のスクリーン印刷を、32メッシュ・スクリーンを使用して実行した。ドレイン、ソース接点間の距離は、代表的には、1〜2mmであった。
双安定トランジスタ:図1A、1Bに概略的に示した双安定トランジスタを実現した。この双安定トランジスタは、600μmのトランジスタ・チャネル幅および800μmのゲル幅を有し、トランジスタ・チャネルは0.48cm2であった。しかしながら、反応性イオン・プラズマ・エッチングと組み合わせて、フォトリソグラフ・フォトレジスト・パターン化を使用してより小さい寸法のテストも成功した。これらの装置は、5〜20μmのチャネル幅と20μmのゲル幅を持っていた。
あった。ドレイン・ソース特性は、0Vから2Vまでのソース・ドレイン電圧を掃引することによって決定した。その結果得たI−V曲線が、図4に示してある。
gm=δIds/δVg(Vds=常数)
この双安定トランジスタ装置の相互コンダクタンスの値は、−1.2mA/Vであるとわかった。
双安定(タイプ1)トランジスタを、ポリアニリンのフィルムをパターン化することによって実現した。設計は、図1A、1Bに示した双安定トランジスタの概略的な図面に従った。
図1A、1Bに概略的に示すような双安定トランジスタを実現した。この双安定トランジスタは、3mmのトランジスタ・チャネル幅および4mmのゲル幅を有し、トランジスタ・チャネルは、12m2であった。代表的に、ゲート電極に印加されたゲート電圧Vgは、−15V〜15Vの間隔であった。ドレイン・ソース特性は、0V〜10Vのソース・ドレイン電圧を掃引することによって決定した。その結果得たI−V曲線が、図6(トルエン溶液として供給されたポリアニリン)および図7(m−クレゾール溶液として供給されたポリアニリン)に示してある。
Claims (29)
- −そのレドックス状態の変化を通じてその導電率を電気化学的に変える能力を有する有機材料の層(1,2,3);
−前記有機材料の層(1,2,3)から空間的に分離された導電性材料からなるゲート電極(4);および、
−前記ゲート電極(4)の少なくとも一部分と前記有機材料の層(1,2,3)の一部分(3)とに直接電気的に接触している、凝固電解液(5)の層;
を含む電気化学的トランジスタ装置であって、
前記有機材料の層(1,2,3)およびゲート電極(4)は、1つの共通平面に配置されており、そして、前記電解液(5)が前記有機材料の層の電気化学的にアクティブな要素(3)を覆っていることを特徴とし、
当該有機材料の層はソース接点(1)と、ドレイン接点(2)と当該電気化学的にアクティブな要素(3)とを含み、当該電気化学的にアクティブな要素は、前記ソース接点とドレイン接点(1,2)の間に配置され、これらを電気的に接続しているトランジスタ・チャネルを有し、そして、
前記トランジスタ・チャネルにおける電流は前記ゲート電極(4)に印加された電圧によって制御することができる、
電気化学トランジスタ装置。 - 前記凝固電解液の連続したまたは中断した層が、電気化学的にアクティブな要素を覆っており、そして、前記ゲート電極を少なくとも部分的に覆っている、請求項1に記載の電気化学トランジスタ装置。
- 前記ソース、ドレイン接点およびゲート電極のうち少なくとも1つが、電気化学的にア
クティブな要素と同じ材料から形成されている、請求項1または2に記載の電気化学トランジスタ装置。 - 前記ソース、ドレイン接点およびゲート電極のすべてが、電気化学的にアクティブな要素と同じ材料から形成されている、請求項3に記載の電気化学トランジスタ装置。
- ソース、ドレイン接点および電気化学的にアクティブな要素が、有機材料からなる前記材料の連続部片から形成されている、請求項3または4に記載の電気化学トランジスタ装置。
- 前記トランジスタ・チャネルが、ゲート電圧除去の際にそのレドックス状態を保つ、請求項1〜5のいずれか1つに記載の電気化学トランジスタ装置。
- 前記トランジスタ・チャネルが、ゲート電圧除去の際に自動的にその初期レドックス状態に戻る、請求項1〜5のいずれか1つに記載の電気化学トランジスタ装置。
- 電気化学的にアクティブな要素が、さらに、トランジスタ・チャネルに隣接したレドックス・シンク・ボリュームを含み、装置が、電気化学的にアクティブな要素の両側に配置された少なくとも2つのゲート電極を含み、1つのゲート電極がトランジスタ・チャネルに近く、1つのゲート電極がレドックス・シンク・ボリュームに近くなっている、請求項7に記載の電気化学トランジスタ装置。
- 前記有機材料が、ポリマーである、請求項1〜8のいずれか1つに記載の電気化学トランジスタ装置。
- 前記ポリマー材料が、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリイソチアフタレン、ポリフェニレン・ビニレンおよびそれらのコポリマーからなるグループから選択される、請求項9に記載の電気化学トランジスタ装置。
- 前記ポリマー材料が、3,4−ジアルコキシチオフェンのポリマーまたはコポリマーで
あり、前記2つのアルコキシル基が、同じであっても異なっていてもよいし、または、場合によっては置換されたオキシ−アルキレン−オキシ・ブリッジを一緒に表すものであってもよい、請求項10に記載の電気化学トランジスタ装置。 - 3,4−ジアルコキシチオフェンの前記ポリマーまたはコポリマーが、ポリ(3,4−メチレンジオキシチオフェン)、ポリ(3,4−メチレンジオキシチオフェン)誘導体、ポ
リ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)誘導体、ポリ(3,4−プロピレンジオキシチオフェン)、ポリ(3,4−プロピレンジオキシ
チオフェン)誘導体、ボリ(3,4−ブチレンジオキシチオフェン)、ポリ(3,4−ブチ
レンジオキシチオフェン)誘導体およびそれらとのコポリマーからなるグループから選択される、請求項11に記載の電気化学トランジスタ装置。 - 前記有機材料が、さらに、ポリアニオン化合物を含む、請求項1〜12のいずれか1つに記載の電気化学トランジスタ装置。
- 前記ポリアニオン化合物が、ポリ(スチレンスルホン酸)またはその塩である、請求項13に記載の電気化学トランジスタ装置。
- 前記凝固電解液が、バインダを含む、請求項1〜14のいずれか1つに記載の電気化学トランジスタ装置。
- 前記バインダが、ゼラチン、ゼラチン誘導体、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリ(ビニルピロリドン)、多糖類、ポリアクリルアミド、ポリウレタン、ポリプロピレン酸化物、ポリエチレン酸化物、ポリ(スチレンスルホン酸)、ポリ(ビニルアルコール)およびそれらの塩およびコポリマーからなるグループから選択されたゲル化剤である、請求項15に記載の電気化学トランジスタ装置。
- 前記凝固電解液が、イオン塩を含む、請求項1〜16のいずれか1つに記載の電気化学トランジスタ装置。
- 自立式である、請求項1〜17のいずれか1つに記載の電気化学トランジスタ装置。
- 支持体上に配置されている、請求項1〜17のいずれか1つに記載の電気化学トランジスタ装置。
- 前記支持体が、ポリエチレン・テレフタル酸塩、ポリエチレン・ナフタレン・ジカルボキシレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、紙、コート紙、樹脂-
コート紙、紙積層体、ボール紙、波形ボードおよびガラスからなるグループから選択される、請求項19に記載の電気化学トランジスタ装置。 - −そのレドックス状態の変化を通じてその導電率を電気化学的に変える能力を有する有機材料の層(1,2,3)を支持体上に堆積させ;
−導電性の材料からなるゲート電極(4)を前記有機材料の層(1,2,3)から空間的に分離されるように支持体上に堆積させ;前記有機材料の層(1,2,3)およびゲート電極(4)は、1つの共通平面に配置されており;そして、
−凝固電解液(5)の層を前記ゲート電極(4)の一部分と前記有機材料の層(1,2,3)の一部分(3)とに直接電気的に接触するように堆積させる;
工程を含む、支持された電気化学トランジスタ装置を製造する方法であって、
−前記電解液(5)が、前記有機材料の層の電気化学的にアクティブな要素(3)を覆うように、前記電解液の層を堆積させる工程により特徴づけられ、ここで、当該有機材料の層は、ソース接点(1)と、ドレイン接点(2)と当該電気化学的にアクティブな要素(3)とを含み、当該電気化学的にアクティブな要素は、前記ソース接点とドレイン接点(1,2)の間に配置され、これらを電気的に接続しているトランジスタ・チャネルを有し、そして、
前記トランジスタ・チャネルにおける電流は前記ゲート電極(4)に印加された電圧によって制御することができるものである、
支持された電気化学トランジスタ装置の製造方法。 - 前記接点、電極、電気化学的にアクティブな要素および/または電解液が印刷技術によって堆積される、請求項21に記載の方法。
- 前記接触、電極、電気化学的にアクティブな要素および電解液が、コーティング技術によって堆積される、請求項21に記載の方法。
- 前記有機材料が、ポリマーを含み、現場重合を介しての支持体上への前記ポリマーの堆積を含む、請求項21〜23のいずれか1つに記載の方法。
- 減法的方法を用いて前記接点、電極および電気化学的にアクティブな要素のいずれか1つをパターン化する、請求項21〜24のいずれか1つに記載の方法。
- 前記パターン化が、化学エッチングを通じて実施される、請求項25に記載の方法。
- 前記パターン化が、ガス・エッチングを通じて実施される、請求項25に記載の方法。
- 前記パターン化が、スクラッチング、スコーリング、スクレーピング、ミリングを含む機械式手段によって実施される、請求項25に記載の方法。
- 前記支持された電気化学トランジスタ装置が請求項1〜17および請求項19〜20のいずれか1つに記載されたものである、請求項21〜28のいずれか1つに記載の方法。
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|---|---|---|---|---|
| DE10061297C2 (de) | 2000-12-08 | 2003-05-28 | Siemens Ag | Verfahren zur Sturkturierung eines OFETs |
| DE10061299A1 (de) | 2000-12-08 | 2002-06-27 | Siemens Ag | Vorrichtung zur Feststellung und/oder Weiterleitung zumindest eines Umwelteinflusses, Herstellungsverfahren und Verwendung dazu |
| DE10105914C1 (de) | 2001-02-09 | 2002-10-10 | Siemens Ag | Organischer Feldeffekt-Transistor mit fotostrukturiertem Gate-Dielektrikum und ein Verfahren zu dessen Erzeugung |
| US7012306B2 (en) * | 2001-03-07 | 2006-03-14 | Acreo Ab | Electrochemical device |
| US6756620B2 (en) * | 2001-06-29 | 2004-06-29 | Intel Corporation | Low-voltage and interface damage-free polymer memory device |
| US6624457B2 (en) | 2001-07-20 | 2003-09-23 | Intel Corporation | Stepped structure for a multi-rank, stacked polymer memory device and method of making same |
| DE10151036A1 (de) | 2001-10-16 | 2003-05-08 | Siemens Ag | Isolator für ein organisches Elektronikbauteil |
| DE10151440C1 (de) | 2001-10-18 | 2003-02-06 | Siemens Ag | Organisches Elektronikbauteil, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung |
| DE10160732A1 (de) | 2001-12-11 | 2003-06-26 | Siemens Ag | Organischer Feld-Effekt-Transistor mit verschobener Schwellwertspannung und Verwendung dazu |
| DE10212640B4 (de) | 2002-03-21 | 2004-02-05 | Siemens Ag | Logische Bauteile aus organischen Feldeffekttransistoren |
| CN100338791C (zh) | 2002-08-23 | 2007-09-19 | 波尔伊克两合公司 | 用于过电压保护的有机元件及相关电路 |
| DE10253154A1 (de) | 2002-11-14 | 2004-05-27 | Siemens Ag | Messgerät zur Bestimmung eines Analyten in einer Flüssigkeitsprobe |
| DE50306538D1 (de) | 2002-11-19 | 2007-03-29 | Polyic Gmbh & Co Kg | Organische elektronische schaltung mit stukturierter halbleitender funktionsschicht und herstellungsverfahren dazu |
| DE10300521A1 (de) * | 2003-01-09 | 2004-07-22 | Siemens Ag | Organoresistiver Speicher |
| DE10302149A1 (de) | 2003-01-21 | 2005-08-25 | Siemens Ag | Verwendung leitfähiger Carbon-black/Graphit-Mischungen für die Herstellung von low-cost Elektronik |
| US7179534B2 (en) * | 2003-01-31 | 2007-02-20 | Princeton University | Conductive-polymer electronic switch |
| DE10339036A1 (de) | 2003-08-25 | 2005-03-31 | Siemens Ag | Organisches elektronisches Bauteil mit hochaufgelöster Strukturierung und Herstellungsverfahren dazu |
| US7163734B2 (en) * | 2003-08-26 | 2007-01-16 | Eastman Kodak Company | Patterning of electrically conductive layers by ink printing methods |
| DE10340644B4 (de) | 2003-09-03 | 2010-10-07 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Mechanische Steuerelemente für organische Polymerelektronik |
| US20050129977A1 (en) * | 2003-12-12 | 2005-06-16 | General Electric Company | Method and apparatus for forming patterned coated films |
| US7358113B2 (en) * | 2004-01-28 | 2008-04-15 | Zettacore, Inc. | Processing systems and methods for molecular memory |
| US7695756B2 (en) * | 2004-04-29 | 2010-04-13 | Zettacore, Inc. | Systems, tools and methods for production of molecular memory |
| US6972427B2 (en) * | 2004-04-29 | 2005-12-06 | Infineon Technologies Ag | Switching device for reconfigurable interconnect and method for making the same |
| JP4461173B2 (ja) * | 2004-04-29 | 2010-05-12 | ゼッタコア,インコーポレーテッド. | 分子メモリとそのプロセスシステムおよびプロセス方法 |
| DE102004024271A1 (de) * | 2004-05-15 | 2005-12-01 | H.C. Starck Gmbh | Verbindungen enthaltend 3,4-Methylendioxythiophen-Einheiten |
| US7791290B2 (en) | 2005-09-30 | 2010-09-07 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Ultra-small resonating charged particle beam modulator |
| US7626179B2 (en) | 2005-09-30 | 2009-12-01 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Electron beam induced resonance |
| US7586097B2 (en) | 2006-01-05 | 2009-09-08 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Switching micro-resonant structures using at least one director |
| EP1648040B1 (en) * | 2004-08-31 | 2016-06-01 | Osaka University | Thin-layer chemical transistors and their manufacture |
| JP4858804B2 (ja) * | 2004-08-31 | 2012-01-18 | 国立大学法人大阪大学 | 薄層化学トランジスター及びその製造方法 |
| DE102005009820A1 (de) | 2005-03-01 | 2006-09-07 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Elektronikbaugruppe mit organischen Logik-Schaltelementen |
| US7642546B2 (en) * | 2005-12-01 | 2010-01-05 | Zettacore, Inc. | Molecular memory devices including solid-state dielectric layers and related methods |
| US7579609B2 (en) | 2005-12-14 | 2009-08-25 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Coupling light of light emitting resonator to waveguide |
| US7443358B2 (en) | 2006-02-28 | 2008-10-28 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Integrated filter in antenna-based detector |
| US7876793B2 (en) | 2006-04-26 | 2011-01-25 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Micro free electron laser (FEL) |
| US7646991B2 (en) | 2006-04-26 | 2010-01-12 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Selectable frequency EMR emitter |
| WO2007128620A1 (en) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Agfa-Gevaert | Conventionally printable non-volatile passive memory element and method of making thereof. |
| US7656094B2 (en) * | 2006-05-05 | 2010-02-02 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Electron accelerator for ultra-small resonant structures |
| US7728702B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-06-01 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Shielding of integrated circuit package with high-permeability magnetic material |
| US8188431B2 (en) | 2006-05-05 | 2012-05-29 | Jonathan Gorrell | Integration of vacuum microelectronic device with integrated circuit |
| US7986113B2 (en) | 2006-05-05 | 2011-07-26 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Selectable frequency light emitter |
| US7718977B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-05-18 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Stray charged particle removal device |
| US7710040B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-05-04 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Single layer construction for ultra small devices |
| US7746532B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-06-29 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Electro-optical switching system and method |
| US7728397B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-06-01 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Coupled nano-resonating energy emitting structures |
| US7741934B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-06-22 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Coupling a signal through a window |
| US7732786B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-06-08 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Coupling energy in a plasmon wave to an electron beam |
| US7723698B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-05-25 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Top metal layer shield for ultra-small resonant structures |
| US7679067B2 (en) | 2006-05-26 | 2010-03-16 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Receiver array using shared electron beam |
| US7655934B2 (en) | 2006-06-28 | 2010-02-02 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Data on light bulb |
| GB2449928A (en) * | 2007-06-08 | 2008-12-10 | Seiko Epson Corp | Electrochemical thin-film transistor |
| GB2449926A (en) | 2007-06-08 | 2008-12-10 | Seiko Epson Corp | Method for manufacturing an electrolyte pattern |
| GB2449927A (en) | 2007-06-08 | 2008-12-10 | Seiko Epson Corp | Electrolyte gated TFT |
| US7990336B2 (en) | 2007-06-19 | 2011-08-02 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Microwave coupled excitation of solid state resonant arrays |
| WO2009006318A1 (en) | 2007-06-29 | 2009-01-08 | Artificial Muscle, Inc. | Electroactive polymer transducers for sensory feedback applications |
| TWI392087B (zh) * | 2007-07-26 | 2013-04-01 | Ind Tech Res Inst | 固態電解質記憶元件及其製造方法 |
| US7791053B2 (en) * | 2007-10-10 | 2010-09-07 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Depressed anode with plasmon-enabled devices such as ultra-small resonant structures |
| US7724499B2 (en) * | 2007-11-13 | 2010-05-25 | Industrial Technology Research Institute | Electrolyte transistor |
| PT103999B (pt) | 2008-03-20 | 2012-11-16 | Univ Nova De Lisboa | Processo de utilização e criação de papel à base de fibras celulósicas naturais, fibras sintéticas ou mistas como suporte físico e meio armazenador de cargas elétricas em transístores de efeito de campo com memória autossustentáveis usando óxidos sem |
| PT103998B (pt) * | 2008-03-20 | 2011-03-10 | Univ Nova De Lisboa | Dispositivos electrónicos e optoelectrónicos de efeito de campo compreendendo camadas de fibras naturais, sintéticas ou mistas e respectivo processo de fabrico |
| EP2120107A1 (en) | 2008-05-05 | 2009-11-18 | Acreo AB | Device for integrating and indicating a parameter over time |
| EP2143768A1 (en) | 2008-07-11 | 2010-01-13 | Acreo AB | Waterbased casting or printing composition |
| US7948151B1 (en) | 2009-04-09 | 2011-05-24 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Electroactive polymer-based artificial neuromuscular unit |
| EP2239793A1 (de) | 2009-04-11 | 2010-10-13 | Bayer MaterialScience AG | Elektrisch schaltbarer Polymerfilmaufbau und dessen Verwendung |
| US8067875B1 (en) | 2009-04-13 | 2011-11-29 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Networked structure of electroactive polymer-based artificial neuromuscular units |
| DE102010026098A1 (de) * | 2010-07-05 | 2012-01-05 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Ionisch gesteuertes Dreitorbauelement |
| KR101942025B1 (ko) | 2010-08-20 | 2019-01-24 | 로디아 오퍼레이션스 | 전기적 전도성 중합체를 포함하는 막 |
| US9709867B2 (en) | 2010-10-05 | 2017-07-18 | Rise Acreo Ab | Display device |
| WO2012118916A2 (en) | 2011-03-01 | 2012-09-07 | Bayer Materialscience Ag | Automated manufacturing processes for producing deformable polymer devices and films |
| TW201250288A (en) | 2011-03-22 | 2012-12-16 | Bayer Materialscience Ag | Electroactive polymer actuator lenticular system |
| JP6035458B2 (ja) | 2011-04-05 | 2016-12-07 | リンテック株式会社 | 電極上での自己整列電解質に基づく電気化学デバイスの製造方法 |
| CN103650070A (zh) * | 2011-04-07 | 2014-03-19 | 拜耳知识产权有限责任公司 | 导电聚合物熔断器 |
| WO2013007362A1 (en) * | 2011-07-08 | 2013-01-17 | Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg | Process for the production of a layered body and layered bodies obtainable therefrom |
| US9653159B2 (en) * | 2012-01-18 | 2017-05-16 | Xerox Corporation | Memory device based on conductance switching in polymer/electrolyte junctions |
| WO2013142552A1 (en) | 2012-03-21 | 2013-09-26 | Bayer Materialscience Ag | Roll-to-roll manufacturing processes for producing self-healing electroactive polymer devices |
| KR20150031285A (ko) | 2012-06-18 | 2015-03-23 | 바이엘 인텔렉쳐 프로퍼티 게엠베하 | 연신 공정을 위한 연신 프레임 |
| US9590193B2 (en) | 2012-10-24 | 2017-03-07 | Parker-Hannifin Corporation | Polymer diode |
| US9893369B2 (en) | 2013-07-30 | 2018-02-13 | Elwha Llc | Managed access electrochemical energy generation system |
| US9484601B2 (en) * | 2013-07-30 | 2016-11-01 | Elwha Llc | Load-managed electrochemical energy generation system |
| US9343783B2 (en) | 2013-07-30 | 2016-05-17 | Elwha Llc | Electrochemical energy generation system having individually controllable cells |
| EP3038177B1 (en) | 2014-12-22 | 2019-12-18 | Nokia Technologies Oy | Modular electronics apparatuses and methods |
| US10497866B1 (en) * | 2018-06-19 | 2019-12-03 | National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc | Ionic floating-gate memory device |
| CN109638166A (zh) * | 2018-12-19 | 2019-04-16 | 福州大学 | 一种全固态有机电化学光晶体管及其制备方法 |
| CN111063260B (zh) * | 2019-12-27 | 2021-12-24 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示装置及其弯折方法 |
| CN115963666B (zh) * | 2021-10-12 | 2025-12-19 | 南京林业大学 | 一种用于电致变色器件的高稳定性型水凝胶电解质 |
| CN114583050B (zh) * | 2022-02-18 | 2023-07-25 | 电子科技大学 | 一种可拉伸有机电化学晶体管及其制备方法 |
| CN116794141A (zh) * | 2022-03-17 | 2023-09-22 | 武汉纺织大学 | 积累工作模式的有机电化学晶体管及复合半导体材料 |
| CN115942756B (zh) * | 2022-11-23 | 2026-04-24 | 武汉纺织大学 | 垂直型纤维基有机电化学晶体管及其制备方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4936956A (en) * | 1984-11-23 | 1990-06-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Microelectrochemical devices based on inorganic redox active material and method for sensing |
| DE3721793A1 (de) | 1986-07-01 | 1988-04-07 | Mitsubishi Electric Corp | Elektrisches element mit verwendung von oxidations-reduktions-substanzen |
| JPH01202866A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-08-15 | Seiko Epson Corp | 分子素子 |
| DE69018348T2 (de) * | 1989-07-25 | 1995-08-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Speicherbauelement aus organischem Halbleiter mit einer MISFET-Struktur und sein Kontrollverfahren. |
| JP3169617B2 (ja) * | 1989-12-27 | 2001-05-28 | 日本石油化学株式会社 | 電気伝導度制御方法 |
| EP0440957B1 (de) * | 1990-02-08 | 1996-03-27 | Bayer Ag | Neue Polythiophen-Dispersionen, ihre Herstellung und ihre Verwendung |
| FR2664430B1 (fr) * | 1990-07-04 | 1992-09-18 | Centre Nat Rech Scient | Transistor a effet de champ en couche mince de structure mis, dont l'isolant et le semiconducteur sont realises en materiaux organiques. |
| JPH0575127A (ja) * | 1991-09-17 | 1993-03-26 | Canon Inc | 薄膜半導体装置 |
| SE517720C2 (sv) | 1996-08-08 | 2002-07-09 | Olle Inganaes | Elektrokemiska komponenter baserade på polymerer |
| EP0968537B1 (en) * | 1997-08-22 | 2012-05-02 | Creator Technology B.V. | A method of manufacturing a field-effect transistor substantially consisting of organic materials |
| US6207034B1 (en) * | 1997-12-05 | 2001-03-27 | Massachusetts Institute Of Technology | Method of manufacture of polymer transistors with controllable gap |
| US6506438B2 (en) * | 1998-12-15 | 2003-01-14 | E Ink Corporation | Method for printing of transistor arrays on plastic substrates |
| US6387727B1 (en) * | 1999-03-29 | 2002-05-14 | Agere Systems Guardian Corp. | Device comprising n-channel semiconductor material |
| US6444400B1 (en) * | 1999-08-23 | 2002-09-03 | Agfa-Gevaert | Method of making an electroconductive pattern on a support |
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