JP5321077B2 - 光導波路および光導波路モジュール - Google Patents
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Description
本発明は、光導波路および光導波路モジュールに関する。
従来、通信等の分野において、フィルム状の光導波路が使用されることがある。たとえば、発光素子と、光コネクタとをフィルム状の光導波路にて接続する。
このような光導波路においては、発光素子や、受光素子等外部の素子との間において、光の伝搬を行う際に、光の伝搬損失を低減させることが求められている。しかしながら、従来の光導波路では、このような要望に応えることが困難である。
本発明は、発光素子や、受光素子等の外部の素子との間における光の伝搬損失を低減させることができる光導波路および光導波路モジュールを提供することである。
本発明者が検討した結果、コア層の厚みを端部と中心部とで異なるものとすることで、発光素子や、受光素子等の外部の素子との間での光の伝搬損失を低減できることがわかった。なお、従来は、基板上にクラッド層を構成する組成物を塗布するとともに、この組成物上にコア層を構成する組成物を塗布し、クラッド層、コア層を積層させて光導波路を製造している（特許文献１参照）。そのため、従来の光導波路では、コア層の厚みが均一なものとなり、コア層の厚みを端部と中心部とで異なるものとすることはできない。
本発明によれば、上部クラッド層および下部クラッド層と、前記上部クラッド層と、前記下部クラッド層とに挟まれたコア層とを備え、所定方向に沿って延在する光導波路において、当該光導波路は、前記上部クラッド層、前記コア層および前記下部クラッド層が形成された感光性樹脂フィルムを備え、前記上部クラッド層、前記下部クラッド層または前記コア層は前記感光性樹脂フィルムに光を照射することによって形成されたものであり、当該光導波路の前記延在方向と交差する一端面が、前記上部クラッド層側から前記下部クラッド層側に向かって傾斜する傾斜面とされ、前記コア層の延在方向中心部における厚みと、前記コア層の端部のうち、前記傾斜面側の一方の端部の厚みとが異なっており、前記上部クラッド層および前記下部クラッド層は、前記感光性樹脂フィルムのフィルム面に対して光を照射した照射領域および光が照射されていない未照射領域のうちのいずれか一方の領域であり、前記コア層は前記感光性樹脂フィルムのフィルム面に対して光を照射した照射領域および光が照射されていない未照射領域のうちのいずれか他方の領域であり、前記上部クラッド層の光導波路延在方向に沿った側面、前記コア層の光導波路延在方向に沿った側面および前記下部クラッド層の光導波路延在方向に沿った側面が前記感光性フィルムのフィルム面を構成している光導波路が提供される。
この発明によれば、コア層の厚みを、端部と中心部とで異なるものとすることで、発光素子や、受光素子等の外部の素子との間での光の伝搬損失を低減できる。
たとえば、コア層の端部の厚みを中心部よりも薄くし、端部側に受光素子を配置すれば、コア層内を伝搬する光を絞り込んで、受光素子に確実に入射させることができる。
一方、コア層の端部の厚みを中心部よりも厚くし、端部側に発光素子を配置すれば、発光素子から発生する光をコア層内に確実に導くことが可能となる。そして、コア層内において、光を絞り込んで伝搬することができる。
たとえば、コア層の端部の厚みを中心部よりも薄くし、端部側に受光素子を配置すれば、コア層内を伝搬する光を絞り込んで、受光素子に確実に入射させることができる。
一方、コア層の端部の厚みを中心部よりも厚くし、端部側に発光素子を配置すれば、発光素子から発生する光をコア層内に確実に導くことが可能となる。そして、コア層内において、光を絞り込んで伝搬することができる。
さらに、たとえば、コア層の端部の厚みを厚くして、下部クラッド層を貫通するような形状とすれば、外部の光素子と、コア層間の光の伝搬をより確実に行うことができる。
また、本発明によれば、発光素子と、受光素子と、前記発光素子および前記受光素子を接続する光導波路とを備え、前記光導波路が、上述した光導波路である光導波路モジュールも提供できる。
本発明によれば、発光素子や、受光素子等外部の素子との間において、光の伝搬を行う際に、光の伝搬損失を低減させることができる光導波路および光導波路モジュールが提供される。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
（第一実施形態）
（光導波路）
はじめに、図１を参照し、本実施形態の光導波路３の概要について説明する。
本実施形態の光導波路３は、上部クラッド層３３および下部クラッド層３１と、上部クラッド層３３と、下部クラッド層３１とに挟まれたコア層３２とを備え、所定方向に沿って延在するものである。
光導波路３は、延在方向と交差する一対の端面（フィルム端面）が傾斜面となっている。この傾斜面は、上部クラッド層３３の端面、コア層３２の端面、下部クラッド層３１の端面で構成され、上部クラッド層３３側から、下部クラッド層３１側に向かって外側に傾斜している。この傾斜面と、コア層３２内の光軸（光導波路３の延在方向に沿った軸）とがなす角度は約４５度である。
また、コア層３２の延在方向中心部の厚みと、コア層３２の端部の厚みとが異なっている。さらに、この光導波路３は可とう性を有したフィルムである。
（第一実施形態）
（光導波路）
はじめに、図１を参照し、本実施形態の光導波路３の概要について説明する。
本実施形態の光導波路３は、上部クラッド層３３および下部クラッド層３１と、上部クラッド層３３と、下部クラッド層３１とに挟まれたコア層３２とを備え、所定方向に沿って延在するものである。
光導波路３は、延在方向と交差する一対の端面（フィルム端面）が傾斜面となっている。この傾斜面は、上部クラッド層３３の端面、コア層３２の端面、下部クラッド層３１の端面で構成され、上部クラッド層３３側から、下部クラッド層３１側に向かって外側に傾斜している。この傾斜面と、コア層３２内の光軸（光導波路３の延在方向に沿った軸）とがなす角度は約４５度である。
また、コア層３２の延在方向中心部の厚みと、コア層３２の端部の厚みとが異なっている。さらに、この光導波路３は可とう性を有したフィルムである。
次に、本実施形態の光導波路３について詳細に説明する。
図１に示すように、光導波路３は、フィルム面側からみて一方向に延在する上部クラッド層３３と、上部クラッド層３３とともに一方向に延在するコア層３２と、コア層３２とともに一方向に延在する下部クラッド層３１を有する。フィルム面側からみて、上部クラッド層３３、コア層３２、下部クラッド層３１が積層された構造となっている。
下部クラッド層３１は一方向に延在するとともに、その厚み（光導波路３の高さ方向に沿った厚み）は、一方の端部から他方の端部に向かって厚くなっている。
同様に、上部クラッド層３３は一方向に延在するとともに、その厚み（光導波路３の高さ方向に沿った厚み）は、一方の端部から他方の端部に向かって厚くなっている。
一方、コア層３２では、コア層３２の延在方向中心部における厚み（光導波路３の高さ方向に沿った厚み）と、端部の厚みとが異なっている。具体的には、本実施形態では、コア層３２の厚みは、一方の端部側から、他方の端部側に向かって徐々に薄くなっている。すなわち、コア層３２は正面側（フィルム表面側）から見て、その厚みが漸次変化し、一方の端部側から、他方の端部側に向かって厚みが連続的に薄くなっている。コア層３２の上面、下面は、コア層３２の一方の端部側から他方の側に向かって傾斜した傾斜面で構成される。
図１に示すように、光導波路３は、フィルム面側からみて一方向に延在する上部クラッド層３３と、上部クラッド層３３とともに一方向に延在するコア層３２と、コア層３２とともに一方向に延在する下部クラッド層３１を有する。フィルム面側からみて、上部クラッド層３３、コア層３２、下部クラッド層３１が積層された構造となっている。
下部クラッド層３１は一方向に延在するとともに、その厚み（光導波路３の高さ方向に沿った厚み）は、一方の端部から他方の端部に向かって厚くなっている。
同様に、上部クラッド層３３は一方向に延在するとともに、その厚み（光導波路３の高さ方向に沿った厚み）は、一方の端部から他方の端部に向かって厚くなっている。
一方、コア層３２では、コア層３２の延在方向中心部における厚み（光導波路３の高さ方向に沿った厚み）と、端部の厚みとが異なっている。具体的には、本実施形態では、コア層３２の厚みは、一方の端部側から、他方の端部側に向かって徐々に薄くなっている。すなわち、コア層３２は正面側（フィルム表面側）から見て、その厚みが漸次変化し、一方の端部側から、他方の端部側に向かって厚みが連続的に薄くなっている。コア層３２の上面、下面は、コア層３２の一方の端部側から他方の側に向かって傾斜した傾斜面で構成される。
ここで、下部クラッド層３１の下面から上部クラッド層３３の上面までの高さ方向に沿った厚みＡと、光導波路３の高さ方向と直交するとともに延在方向と直交する光導波路３の幅寸法Ｂとの比であるＡ／Ｂは２以上であることが好ましい。
なかでも、Ａ／Ｂは、光導波路３の製造性の観点から、５以上であることが好ましく、また、Ａ／Ｂは、１０以下であることが好ましい。
なお、幅寸法Ｂは、光導波路３のフィルム厚みに該当する。
なかでも、Ａ／Ｂは、光導波路３の製造性の観点から、５以上であることが好ましく、また、Ａ／Ｂは、１０以下であることが好ましい。
なお、幅寸法Ｂは、光導波路３のフィルム厚みに該当する。
（光導波路３の製造方法）
次に、図２〜図４を参照して、光導波路３の製造方法について説明する。
はじめに、図２に示すように、フィルム３４を用意する。
このフィルム３４は、表面側からみて、クラッド層３４１とコア層３４２とが、交互に配置されたものである。クラッド層３４１と、コア層３４２はそれぞれ複数づつ形成されている。コア層３４２は、光導波路３のコア層３２となるものであり、クラッド層３４１は、光導波路３の上部クラッド層３３、下部クラッド層３１となるものである。
フィルム３４の厚みは、５０〜５００μｍ程度であり、この厚みが、光導波路３の幅寸法Ｂに該当することとなる。
次に、図２〜図４を参照して、光導波路３の製造方法について説明する。
はじめに、図２に示すように、フィルム３４を用意する。
このフィルム３４は、表面側からみて、クラッド層３４１とコア層３４２とが、交互に配置されたものである。クラッド層３４１と、コア層３４２はそれぞれ複数づつ形成されている。コア層３４２は、光導波路３のコア層３２となるものであり、クラッド層３４１は、光導波路３の上部クラッド層３３、下部クラッド層３１となるものである。
フィルム３４の厚みは、５０〜５００μｍ程度であり、この厚みが、光導波路３の幅寸法Ｂに該当することとなる。
ここで、このようなフィルム３４の製造方法について一例をあげて説明する。
はじめに、フィルム３４の原料となる組成物を作製する。
この組成物は、感光性樹脂組成物であり、たとえば（Ａ）環状オレフィン樹脂と、（Ｂ）（Ａ）とは屈折率が異なり、かつ、環状エーテル基を有するモノマーおよび環状エーテル基を有するオリゴマーのうち少なくともいずれか一方と、（Ｃ）光酸発生剤と、を備える。
（Ａ）環状オレフィン樹脂
（Ａ）の環状オレフィン樹脂は、感光性樹脂組成物のフィルム成形性を確保するために添加されるものであり、ベースポリマーとなるものである。
ここで、環状オレフィン樹脂は、無置換のものであってもよいし、水素が他の基により置換されたものであってもよい。環状オレフィン樹脂としては、たとえばノルボルネン系樹脂や、ベンゾシクロブテン系樹脂である。
なかでも、耐熱性、透明性等の観点からノルボルネン系樹脂を使用することが好ましい。
はじめに、フィルム３４の原料となる組成物を作製する。
この組成物は、感光性樹脂組成物であり、たとえば（Ａ）環状オレフィン樹脂と、（Ｂ）（Ａ）とは屈折率が異なり、かつ、環状エーテル基を有するモノマーおよび環状エーテル基を有するオリゴマーのうち少なくともいずれか一方と、（Ｃ）光酸発生剤と、を備える。
（Ａ）環状オレフィン樹脂
（Ａ）の環状オレフィン樹脂は、感光性樹脂組成物のフィルム成形性を確保するために添加されるものであり、ベースポリマーとなるものである。
ここで、環状オレフィン樹脂は、無置換のものであってもよいし、水素が他の基により置換されたものであってもよい。環状オレフィン樹脂としては、たとえばノルボルネン系樹脂や、ベンゾシクロブテン系樹脂である。
なかでも、耐熱性、透明性等の観点からノルボルネン系樹脂を使用することが好ましい。
ノルボルネン系樹脂としては、例えば、
（１）ノルボルネン型モノマーを付加（共）重合して得られるノルボルネン型モノマーの付加（共）重合体、
（２）ノルボルネン型モノマーとエチレンやα−オレフィン類との付加共重合体、
（３）ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、および必要に応じて他のモノマーとの付加共重合体のような付加重合体、
（４）ノルボルネン型モノマーの開環（共）重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂、
（５）ノルボルネン型モノマーとエチレンやα−オレフィン類との開環共重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂、
（６）ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、または他のモノマーとの開環共重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加したポリマーのような開環重合体が挙げられる。これらの重合体としては、ランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体等が挙げられる。
（１）ノルボルネン型モノマーを付加（共）重合して得られるノルボルネン型モノマーの付加（共）重合体、
（２）ノルボルネン型モノマーとエチレンやα−オレフィン類との付加共重合体、
（３）ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、および必要に応じて他のモノマーとの付加共重合体のような付加重合体、
（４）ノルボルネン型モノマーの開環（共）重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂、
（５）ノルボルネン型モノマーとエチレンやα−オレフィン類との開環共重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂、
（６）ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、または他のモノマーとの開環共重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加したポリマーのような開環重合体が挙げられる。これらの重合体としては、ランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体等が挙げられる。
これらのノルボルネン系樹脂は、例えば、開環メタセシス重合（ＲＯＭＰ）、ＲＯＭＰと水素化反応との組み合わせ、ラジカルまたはカチオンによる重合、カチオン性パラジウム重合開始剤を用いた重合、これ以外の重合開始剤（例えば、ニッケルや他の遷移金属の重合開始剤）を用いた重合等、公知のすべての重合方法で得ることができる。
これらの中でも、ノルボルネン系樹脂としては、付加（共）重合体が好ましい。付加（共）重合体は、透明性、耐熱性および可撓性に富むことからも好ましい。
なかでも、ノルボルネン系樹脂は、重合性基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位や、アリール基を含む置換基を有するノルボンネンの繰り返し単位を含むものが好ましい。
なかでも、ノルボルネン系樹脂は、重合性基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位や、アリール基を含む置換基を有するノルボンネンの繰り返し単位を含むものが好ましい。
重合性基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位としては、エポキシ基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位、（メタ）アクリル基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位、および、アルコキシシリル基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位がのうちの少なくとも１種が好適である。これらの重合性基は、各種重合性基の中でも、反応性が高いことから好ましい。
また、このような重合性基を含むノルボルネンの繰り返し単位を、２種以上含むものを用いれば、可撓性と耐熱性の両立を図ることが出来る。
一方、アリール基を含む置換基を有するノルボンネンの繰り返し単位を含むことにより、アリール基は、疎水性が極めて高いため、吸水による寸法変化等をより確実に防止することができる。
さらに、ノルボルネン系ポリマーは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものが好ましい。なお、アルキル基は、直鎖状または分岐状のいずれであってもよい。
アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むことにより、ノルボルネン系ポリマーは、柔軟性が高くなるため、高いフレキシビリティ（可撓性）を付与することができる。
また、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むノルボルネン系ポリマーは、特定の波長領域（特に、８５０ｎｍ付近の波長領域）の光に対する透過率が優れることからも好ましい。
以上のようなノルボルネン系樹脂は、脱離性基を有するものであることが好ましい。ここで、脱離性基とは、酸の作用により離脱するものである。
具体的には、分子構造中に、−Ｏ−構造、−Ｓｉ−アリール構造および−Ｏ−Ｓｉ−構造のうちの少なくとも１つを有するものが好ましい。かかる酸離脱性基は、カチオンの作用により比較的容易に離脱する。
具体的には、以下のようなノルボルネン系樹脂を使用することが好ましい。（１）に示される化合物はたとえば、ヘキシルノルボルネン（ＨｘＮＢ）と、ジフェニルメチルノルボルネン メトキシシランとをＮｉ触媒下で反応させることで得ることができる。
具体的には、分子構造中に、−Ｏ−構造、−Ｓｉ−アリール構造および−Ｏ−Ｓｉ−構造のうちの少なくとも１つを有するものが好ましい。かかる酸離脱性基は、カチオンの作用により比較的容易に離脱する。
具体的には、以下のようなノルボルネン系樹脂を使用することが好ましい。（１）に示される化合物はたとえば、ヘキシルノルボルネン（ＨｘＮＢ）と、ジフェニルメチルノルボルネン メトキシシランとをＮｉ触媒下で反応させることで得ることができる。
（Ｒ７は、炭素数１〜１０のアルキル基を表し、ｉは、０〜３の整数を表し、ｐ５／ｑ５が２０以下である）
（（Ｂ）環状エーテル基を有するモノマー、環状エーテル基を有するオリゴマー）
次に、（Ｂ）の成分について説明する。
（Ｂ）は、環状エーテル基を有するモノマーおよび環状エーテル基を有するオリゴマーのうち少なくともいずれか一方である。この成分（Ｂ）は、（Ａ）の樹脂と屈折率が異なり、かつ、（Ａ）の樹脂と相溶性のあるものであればよい。成分（Ｂ）と、（Ａ）の樹脂との屈折率差は、０．０１以上であることが好ましい。
なお、成分（Ｂ）の屈折率は、（Ａ）の樹脂よりも高いものであってもよいが、成分（Ｂ）は、（Ａ）の樹脂よりも屈折率が低いことが好ましい。
次に、（Ｂ）の成分について説明する。
（Ｂ）は、環状エーテル基を有するモノマーおよび環状エーテル基を有するオリゴマーのうち少なくともいずれか一方である。この成分（Ｂ）は、（Ａ）の樹脂と屈折率が異なり、かつ、（Ａ）の樹脂と相溶性のあるものであればよい。成分（Ｂ）と、（Ａ）の樹脂との屈折率差は、０．０１以上であることが好ましい。
なお、成分（Ｂ）の屈折率は、（Ａ）の樹脂よりも高いものであってもよいが、成分（Ｂ）は、（Ａ）の樹脂よりも屈折率が低いことが好ましい。
（Ｂ）の環状エーテル基を有するモノマー、環状エーテル基を有するオリゴマーは、酸の存在下において開環により重合するものである。モノマー、オリゴマーの拡散性を考慮すると、このモノマーの分子量（重量平均分子量）、オリゴマーの分子量（重量平均分子量）は、それぞれ１００以上、４００以下であることが好ましい。
（Ｂ）は、たとえば、オキセタニル基あるいは、エポキシ基を有する。このような環状エーテル基は、酸により開環しやすいため、好ましい。
（Ｂ）は、たとえば、オキセタニル基あるいは、エポキシ基を有する。このような環状エーテル基は、酸により開環しやすいため、好ましい。
オキセタニル基を有するモノマー、オキセタニル基を有するオリゴマーとしては、たとえば、式（２）や、式（３）が使用できる。これらを使用することで波長850nm近傍での透明性に優れ、可撓性と耐熱性の両立が可能という利点がある。また、これらを単独でも混合して用いても差し支えない。式（２）や、式（３）としては、東亜合成製、ＤＯＸ、ＣＡＳ＃１８９３４−００−４、東亜合成製 ＣＨＯＸ、ＣＡＳ＃４８３３０３−２５−９等がある。
また、エポキシ基を有するモノマー、エポキシ基を有するオリゴマーとしては、たとえば、以下のようなものがあげられる。このエポキシ基を有するモノマー、オリゴマーは、酸の存在下において開環により重合するものである。
エポキシ基を有するモノマー、エポキシ基を有するオリゴマーとしては、エポキシノルボルネン（プロメラス社製 ＥｐＮＢ）、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（東レ・ダウコーニング・シリコーン社製 Ｚ−６０４０）、2-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン（東京化成製 Ｅ０３２７）を使用することができる。
さらに、3、4-エポキシシクロヘキセニルメチル-3'、4'-エポキシシクロヘキセンカルボキシレート（ダイセル化学社製 セロキサイド２０２１Ｐ）や、1,2-エポキシ-4-ビニルシクロヘキサン（ダイセル化学社製 セロキサイド２０００）、1,2：8,9ジエポキシリモネン（ダイセル化学社製 セロキサイド３０００）を使用することができる。
この（Ｂ）成分は、（Ａ）成分１００重量部に対し１重量部以上、５０重量部以下であることが好ましい。なかでも2重量部以上、２０重量部以下が好ましい。これにより、コア／クラッド間の屈折率変調を可能にし、可撓性と耐熱性との両立が図れるという効果がある。
エポキシ基を有するモノマー、エポキシ基を有するオリゴマーとしては、エポキシノルボルネン（プロメラス社製 ＥｐＮＢ）、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（東レ・ダウコーニング・シリコーン社製 Ｚ−６０４０）、2-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン（東京化成製 Ｅ０３２７）を使用することができる。
さらに、3、4-エポキシシクロヘキセニルメチル-3'、4'-エポキシシクロヘキセンカルボキシレート（ダイセル化学社製 セロキサイド２０２１Ｐ）や、1,2-エポキシ-4-ビニルシクロヘキサン（ダイセル化学社製 セロキサイド２０００）、1,2：8,9ジエポキシリモネン（ダイセル化学社製 セロキサイド３０００）を使用することができる。
この（Ｂ）成分は、（Ａ）成分１００重量部に対し１重量部以上、５０重量部以下であることが好ましい。なかでも2重量部以上、２０重量部以下が好ましい。これにより、コア／クラッド間の屈折率変調を可能にし、可撓性と耐熱性との両立が図れるという効果がある。
（（Ｃ）光酸発生剤）
光酸発生剤 としては、光のエネルギーを吸収してブレンステッド酸あるいはルイス酸を生成するものであれば良く、例えば、トリフェニルスルフォニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム−トリフルオロメタンスルホネートなどのスルホニウム塩類、ｐ−ニトロフェニルジアゾニウムヘキサフルオロホスフェートなどのジアゾニウム塩類、アンモニウム塩類、ホスホニウム塩類、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、（トリキュミル）ヨードニウム−テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなどのヨードニウム塩類、キノンジアジド類、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタンなどのジアゾメタン類、１−フェニル−１−（４−メチルフェニル）スルホニルオキシ−１−ベンゾイルメタン、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミド−トリフルオロメタンサルホネートなどのスルホン酸エステル類、ジフェニルジスルホンなどのジスルホン類、トリス（２，４，６−トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３．４−メチレンジオキシフェニル）−４，６−ビス−（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジンなどのトリアジン類などの化合物を挙げることができる。これらの光酸発生剤 は、単独、または複数を組み合わせて使用することができる。
光酸発生剤 としては、光のエネルギーを吸収してブレンステッド酸あるいはルイス酸を生成するものであれば良く、例えば、トリフェニルスルフォニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム−トリフルオロメタンスルホネートなどのスルホニウム塩類、ｐ−ニトロフェニルジアゾニウムヘキサフルオロホスフェートなどのジアゾニウム塩類、アンモニウム塩類、ホスホニウム塩類、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、（トリキュミル）ヨードニウム−テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなどのヨードニウム塩類、キノンジアジド類、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタンなどのジアゾメタン類、１−フェニル−１−（４−メチルフェニル）スルホニルオキシ−１−ベンゾイルメタン、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミド−トリフルオロメタンサルホネートなどのスルホン酸エステル類、ジフェニルジスルホンなどのジスルホン類、トリス（２，４，６−トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３．４−メチレンジオキシフェニル）−４，６−ビス−（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジンなどのトリアジン類などの化合物を挙げることができる。これらの光酸発生剤 は、単独、または複数を組み合わせて使用することができる。
光酸発生剤 の含有量は、（Ａ）成分１００重量部に対し０．０１重量部以上、０．３重量部以下であることが好ましい。なかでも、０．０２重量部以上、０．２重量部以下が好ましい。これにより、反応性の向上という効果がある。
感光性樹脂組成物は、以上の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の成分に加えて、増感剤等の添加剤を含有していてもよい。
増感剤は、光に対する光酸発生剤の感度を増大して、光酸発生剤の活性化（反応または分解）に要する時間やエネルギーを減少させる機能や、光酸発生剤の活性化に適する波長に光の波長を変化させる機能を有するものである。
このような増感剤としては、光酸発生剤の感度や増感剤の吸収のピーク波長に応じて適宜選択され、特に限定されないが、たとえば、９，１０−ジブトキシアントラセン（ＣＡＳ番号第７６２７５−１４−４番）のようなアントラセン類、キサントン類、アントラキノン類、フェナントレン類、クリセン類、ベンツピレン類、フルオラセン類（fluoranthenes）、ルブレン類、ピレン類、インダンスリーン類、チオキサンテン−９−オン類（thioxanthen-9-ones）が挙げられ、これらを単独または混合物として用いられる。
増感剤は、光に対する光酸発生剤の感度を増大して、光酸発生剤の活性化（反応または分解）に要する時間やエネルギーを減少させる機能や、光酸発生剤の活性化に適する波長に光の波長を変化させる機能を有するものである。
このような増感剤としては、光酸発生剤の感度や増感剤の吸収のピーク波長に応じて適宜選択され、特に限定されないが、たとえば、９，１０−ジブトキシアントラセン（ＣＡＳ番号第７６２７５−１４−４番）のようなアントラセン類、キサントン類、アントラキノン類、フェナントレン類、クリセン類、ベンツピレン類、フルオラセン類（fluoranthenes）、ルブレン類、ピレン類、インダンスリーン類、チオキサンテン−９−オン類（thioxanthen-9-ones）が挙げられ、これらを単独または混合物として用いられる。
増感剤の具体例としては、２−イソプロピル−９Ｈ−チオキサンテン−９−オン、４−イソプロピル−９Ｈ−チオキサンテン−９−オン、１−クロロ−４−プロポキシチオキサントン、フェノチアジン（phenothiazine）またはこれらの混合物が挙げられる。
増感剤の含有量は、感光性樹脂組成物中で、０．０１重量％以上であるのが好ましく、０．５重量％以上であるのがより好ましく、１重量％以上であるのがさらに好ましい。なお、上限値は、５重量％以下であるのが好ましい。
増感剤の含有量は、感光性樹脂組成物中で、０．０１重量％以上であるのが好ましく、０．５重量％以上であるのがより好ましく、１重量％以上であるのがさらに好ましい。なお、上限値は、５重量％以下であるのが好ましい。
次に、以上のような感光性樹脂組成物を使用してフィルム３４を製造する方法について説明する。
ここでは、成分（Ｂ）が、（Ａ）環状オレフィン樹脂よりも屈折率が低い感光性樹脂組成物を使用する。
ここでは、成分（Ｂ）が、（Ａ）環状オレフィン樹脂よりも屈折率が低い感光性樹脂組成物を使用する。
はじめに、図３（Ａ）に示すように、感光性樹脂組成物を、溶媒に溶かしてワニス２０を構成し、このワニス２０を基材Ｓ上に塗布する。
感光性樹脂組成物をワニス状に調整する溶媒としては、たとえば、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）などのエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブなどのセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン、メシチレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドンなどの芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）などのアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタンなどのハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチルなどのエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホランなどの硫黄化合物系溶媒の各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒が挙げられる。
感光性樹脂組成物をワニス状に調整する溶媒としては、たとえば、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）などのエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブなどのセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン、メシチレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドンなどの芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）などのアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタンなどのハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチルなどのエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホランなどの硫黄化合物系溶媒の各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒が挙げられる。
次に、基材Ｓ上にワニス２０を塗布した後、乾燥させて、溶媒を蒸発（脱溶媒）させる。これにより、図３（Ｂ）に示すように、ワニス２０は、光導波路形成用のフィルム３４０Ａとなる。
ここで、ワニス２０を塗布する方法としては、たとえば、ドクターブレード法、スピンコート法、ディッピング法、テーブルコート法、スプレー法、アプリケーター法、カーテンコート法、ダイコート法の方法が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
ここで、ワニス２０を塗布する方法としては、たとえば、ドクターブレード法、スピンコート法、ディッピング法、テーブルコート法、スプレー法、アプリケーター法、カーテンコート法、ダイコート法の方法が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
次に、フィルム３４０Ａに対し、選択的に光（たとえば、紫外線）を照射する。
図４（Ａ）に示すように、フィルム３４０Ａの上方に開口が形成されたマスクＭを配置する。このマスクＭの開口を介して、フィルム３４０Ａに対し、光を照射する。
フィルム３４０Ａのうち、光が照射された領域では、光酸発生剤から酸が発生することとなる。発生した酸により、成分（Ｂ）が重合する。
光が照射されていない領域では、光酸発生剤から酸が発生しないため、成分（Ｂ）は重合しない。照射部分では、成分（Ｂ）が重合しポリマーとなるため、成分（Ｂ）量が少なくなる。これにより、未照射部分の成分（Ｂ）が照射部分に拡散し、これにより、照射部分と未照射部分とで屈折率差が生じる。
ここで、成分（Ｂ）が、環状オレフィン樹脂よりも屈折率が低い場合には、未照射部分の成分（Ｂ）が照射部分に拡散することで、未照射部分の屈折率が高くなるとともに、照射部分の屈折率は低くなる。
なお、成分（Ｂ）が重合したポリマーと、環状エーテル基を有するモノマーとの屈折率差は、０以上、０．００１以下程度であり、屈折率は略同じであると考えられる。
図４（Ａ）に示すように、フィルム３４０Ａの上方に開口が形成されたマスクＭを配置する。このマスクＭの開口を介して、フィルム３４０Ａに対し、光を照射する。
フィルム３４０Ａのうち、光が照射された領域では、光酸発生剤から酸が発生することとなる。発生した酸により、成分（Ｂ）が重合する。
光が照射されていない領域では、光酸発生剤から酸が発生しないため、成分（Ｂ）は重合しない。照射部分では、成分（Ｂ）が重合しポリマーとなるため、成分（Ｂ）量が少なくなる。これにより、未照射部分の成分（Ｂ）が照射部分に拡散し、これにより、照射部分と未照射部分とで屈折率差が生じる。
ここで、成分（Ｂ）が、環状オレフィン樹脂よりも屈折率が低い場合には、未照射部分の成分（Ｂ）が照射部分に拡散することで、未照射部分の屈折率が高くなるとともに、照射部分の屈折率は低くなる。
なお、成分（Ｂ）が重合したポリマーと、環状エーテル基を有するモノマーとの屈折率差は、０以上、０．００１以下程度であり、屈折率は略同じであると考えられる。
さらに、（Ａ）として、脱離性基を有する環状オレフィン樹脂を使用している場合には、以下の作用が生じる。
光を照射した部分では、光酸発生剤から発生した酸により、環状オレフィン樹脂の脱離性基が脱離することとなる。−Ｓｉ−アリール構造、−Ｓｉ−ジフェニル構造および−Ｏ−Ｓｉ−ジフェニル構造等の脱離性基の場合、離脱により樹脂の屈折率が低下することとなる。そのため、照射部分の屈折率は低下することとなる。
光を照射した部分では、光酸発生剤から発生した酸により、環状オレフィン樹脂の脱離性基が脱離することとなる。−Ｓｉ−アリール構造、−Ｓｉ−ジフェニル構造および−Ｏ−Ｓｉ−ジフェニル構造等の脱離性基の場合、離脱により樹脂の屈折率が低下することとなる。そのため、照射部分の屈折率は低下することとなる。
このように本実施形態の感光性樹脂組成物を使用した場合には、光酸発生剤から発生する酸により、成分（Ｂ）の重合を開始させることが可能である。
次に、フィルム３４０Ａを加熱する。この加熱工程において、光を照射した照射部分の成分（Ｂ）がさらに重合する。一方で、この加熱工程において、未照射部分の成分（Ｂ）は揮発することとなる。これにより、未照射部分では、成分（Ｂ）が少なくなり、環状オレフィン樹脂に近い屈折率となる。
このフィルム３４０Ａにおいては、図４（Ｂ）に示すように、光が照射された領域がクラッド層３４１となり、未照射領域がコア層３４２となる。コア層３４２の屈折率は、前記クラッド層３４１の屈折率よりも高く、コア層３４２における前記（Ｂ）由来の構造体濃度と、クラッド層３４１における前記（Ｂ）由来の構造体濃度とが異なる。具体的には、コア層３４２における（Ｂ）由来の構造体濃度は、クラッド層３４１における（Ｂ）由来の構造体濃度より低い。
クラッド層３４１は、コア層３４２よりも屈折率が低く、クラッド層３４１と、コア層３４２との屈折率差は、たとえば、０．０１以上となる。
以上の工程により、フィルム３４が得られることとなる。
なお、光が照射された領域がコア層となり、未照射領域がクラッド層となるような材料を使用してフィルム３４０Ａを形成してもよい。
クラッド層３４１は、コア層３４２よりも屈折率が低く、クラッド層３４１と、コア層３４２との屈折率差は、たとえば、０．０１以上となる。
以上の工程により、フィルム３４が得られることとなる。
なお、光が照射された領域がコア層となり、未照射領域がクラッド層となるような材料を使用してフィルム３４０Ａを形成してもよい。
次に、フィルム３４をダイシングして、光導波路３を得る。
たとえば、図２の点線に示すように、ダイシングブレードにより、クラッド層３４１をクラッド層３４１の延在方向に沿って切断し（工程１）、さらに、クラッド層３４１およびコア層３４２の延在方向に対し４５度で交差するように、複数のクラッド層３４１および複数のコア層３４２を切断する（工程２）。
工程２により、光導波路３の一方の端面に傾斜面が形成されることとなる。
その後、光導波路３の他方の端面の傾斜面を形成するために、ダイシングブレードにより、切断されたフィルムの他方の端部を切断する（工程３）。工程３においては、工程２と同様に、クラッド層３４１およびコア層３４２の延在方向に対し４５度で交差するように、複数のクラッド層３４１および複数のコア層３４２を切断すればよい。
ここで、図５に示すように、工程１から工程３のダイシングに使用するダイシングブレードＤは、円板状（円柱状）であり、刃先が平坦である。刃先と、フィルム３４表面とが平行に配置される。このダイシングブレードは、刃先がＶ字状になっていない。
また、工程１と工程２を実施する順番に特に規定はなく、工程１を行った後、工程２を実施してもよく、工程２を実施した後、工程１を実施してもよい。
その後、切断したフィルム３４を基材Ｓから剥がし、光導波路３とする。
なお、光導波路３を製造する際には、図２の傾斜した点線で示すように、フィルム３４をダイシングして一方の傾斜面を形成し、その後、フィルム３４をさらにダイシングして光導波路の他方の傾斜面を形成してもよい。この場合には、導波路の長さが異なる複数の光導波路３を得ることができる。また、図２の傾斜した点線で示すように、フィルム３４をダイシングして一方の傾斜面を形成したのち、フィルム３４を剥がし、ダイシングされた部分を並べなおして、再度ダイシングし、一度にまとめて複数の光導波路３の他方の傾斜面を形成してもよい。このようにすることで導波路の長さが等しい複数の光導波路３を得ることができる。
たとえば、図２の点線に示すように、ダイシングブレードにより、クラッド層３４１をクラッド層３４１の延在方向に沿って切断し（工程１）、さらに、クラッド層３４１およびコア層３４２の延在方向に対し４５度で交差するように、複数のクラッド層３４１および複数のコア層３４２を切断する（工程２）。
工程２により、光導波路３の一方の端面に傾斜面が形成されることとなる。
その後、光導波路３の他方の端面の傾斜面を形成するために、ダイシングブレードにより、切断されたフィルムの他方の端部を切断する（工程３）。工程３においては、工程２と同様に、クラッド層３４１およびコア層３４２の延在方向に対し４５度で交差するように、複数のクラッド層３４１および複数のコア層３４２を切断すればよい。
ここで、図５に示すように、工程１から工程３のダイシングに使用するダイシングブレードＤは、円板状（円柱状）であり、刃先が平坦である。刃先と、フィルム３４表面とが平行に配置される。このダイシングブレードは、刃先がＶ字状になっていない。
また、工程１と工程２を実施する順番に特に規定はなく、工程１を行った後、工程２を実施してもよく、工程２を実施した後、工程１を実施してもよい。
その後、切断したフィルム３４を基材Ｓから剥がし、光導波路３とする。
なお、光導波路３を製造する際には、図２の傾斜した点線で示すように、フィルム３４をダイシングして一方の傾斜面を形成し、その後、フィルム３４をさらにダイシングして光導波路の他方の傾斜面を形成してもよい。この場合には、導波路の長さが異なる複数の光導波路３を得ることができる。また、図２の傾斜した点線で示すように、フィルム３４をダイシングして一方の傾斜面を形成したのち、フィルム３４を剥がし、ダイシングされた部分を並べなおして、再度ダイシングし、一度にまとめて複数の光導波路３の他方の傾斜面を形成してもよい。このようにすることで導波路の長さが等しい複数の光導波路３を得ることができる。
なお、本実施形態では、フィルム３４の材料として、上述したような感光性樹脂組成物を使用したが、これに限られるものではない。
たとえば、特開２００６−３２３３１８号公報に開示されているような、他の組成の感光性樹脂組成物を使用してもよい。この感光性樹脂組成物は、ポリマーと、添加剤（少なくともモノマー、助触媒および触媒前駆体を含む）とで構成される光誘発熱現像性材料（ＰＩＴＤＭ）を含有し、光の照射および加熱により、ポリマー中において、モノマーの反応が生じる材料を使用する。
ポリマーとしては、前述したようなノルボルネン系樹脂が使用できる。
モノマーは、光照射により、照射領域において反応して反応物を形成し、この反応物の存在により、照射領域と、光の未照射領域とにおいて、屈折率差を生じさせ得るような化合物である。ノルボルネン系モノマー、アクリル酸（メタクリル酸）系モノマー、エポキシ系モノマー、スチレン系モノマーが挙げられる。
たとえば、特開２００６−３２３３１８号公報に開示されているような、他の組成の感光性樹脂組成物を使用してもよい。この感光性樹脂組成物は、ポリマーと、添加剤（少なくともモノマー、助触媒および触媒前駆体を含む）とで構成される光誘発熱現像性材料（ＰＩＴＤＭ）を含有し、光の照射および加熱により、ポリマー中において、モノマーの反応が生じる材料を使用する。
ポリマーとしては、前述したようなノルボルネン系樹脂が使用できる。
モノマーは、光照射により、照射領域において反応して反応物を形成し、この反応物の存在により、照射領域と、光の未照射領域とにおいて、屈折率差を生じさせ得るような化合物である。ノルボルネン系モノマー、アクリル酸（メタクリル酸）系モノマー、エポキシ系モノマー、スチレン系モノマーが挙げられる。
触媒前駆体は、前記のモノマーの反応（たとえば、重合反応、架橋反応）を開始させ得る物質であり、光照射により活性化した助触媒の作用により、活性化温度が変化する物質である。
この触媒前駆体（プロカタリスト：procatalyst）としては、光照射に伴って活性化温度が変化（上昇または低下）するものであれば、いかなる化合物を用いてもよいが、特に、光の照射に伴って活性化温度が低下するものが好ましい。これにより、比較的低温による加熱処理でコア層を形成することができ、他の層に不要な熱が加わって、光導波路の特性（光伝送性能）が低下するのを防止することができる。
この触媒前駆体（プロカタリスト：procatalyst）としては、光照射に伴って活性化温度が変化（上昇または低下）するものであれば、いかなる化合物を用いてもよいが、特に、光の照射に伴って活性化温度が低下するものが好ましい。これにより、比較的低温による加熱処理でコア層を形成することができ、他の層に不要な熱が加わって、光導波路の特性（光伝送性能）が低下するのを防止することができる。
また、活性化温度が低下した状態（活性潜在状態）において、触媒前駆体としては、その活性化温度が本来の活性化温度よりも１０〜８０℃程度（好ましくは、１０〜５０℃程度）低くなるものが好ましい。これにより、コア層とクラッド層との間の屈折率差を確実に生じさせることができる。
かかる触媒前駆体としては、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（Ｐ（ｉ−Ｐｒ）３）２およびＰｄ（ＯＡｃ）２（Ｐ（Ｃｙ）３）２のうちの少なくとも一方を含む（主とする）ものが好適である。
なお、以下では、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（Ｐ（ｉ−Ｐｒ）３）２を「Ｐｄ５４５」と、また、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（Ｐ（Ｃｙ）３）２を「Ｐｄ７８５」と略すことがある。
Ａｃは、アセテートであり、Ｐｒはプロピルであり、Ｃｙはシクロヘキシルを示す。
なお、以下では、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（Ｐ（ｉ−Ｐｒ）３）２を「Ｐｄ５４５」と、また、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（Ｐ（Ｃｙ）３）２を「Ｐｄ７８５」と略すことがある。
Ａｃは、アセテートであり、Ｐｒはプロピルであり、Ｃｙはシクロヘキシルを示す。
助触媒は、光の照射によって活性化して、前記の触媒前駆体（プロカタリスト）の活性化温度（モノマーに反応を生じさせる温度）を変化させ得る物質である。この助触媒（コカタリスト：cocatalyst）としては、光の照射により、その分子構造が変化（反応または分解）して活性化する化合物であれば、いかなるものでも用いることができるが、特定波長の光の照射によって分解し、プロトンや他の陽イオンのカチオンと、触媒前駆体の脱離基に置換し得る弱配位アニオン（ＷＣＡ）とを発生する化合物（光開始剤）を含む（主とする）ものが好適に用いられる。
弱配位アニオンとしては、たとえば、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸イオン（ＦＡＢＡ−）、ヘキサフルオロアンチモン酸イオン（ＳｂＦ６ −）が挙げられる。
この助触媒（光酸発生剤または光塩基発生剤）としては、たとえば、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸塩やヘキサフルオロアンチモン酸塩の他、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ガリウム酸塩、アルミン酸塩類、アンチモン酸塩類、他のホウ酸塩類、ガリウム酸塩類、カルボラン類、ハロカルボラン類が挙げられる。
さらに、フィルム３４の材料としては、特開２００５−７０５５６号公報、特開２００６−２２３１７号公報、特開２００６−１５２０１６号公報、特開２００７−３１５５５号公報に開示された感光性樹脂組成物使用することができる。具体的には、エポキシ樹脂と、光硬化開始剤とを含むものである。
また、特開２００４−１２６３５号公報、特開２００４−３３３８８３号公報、特開２００６−２９９０６６号公報に開示されたポリシラン化合物を含む組成物を使用することができる。たとえば、ポリシラン化合物と、二重結合含有シリコーン化合物と、有機過酸化物とを含有する組成物を使用することができる。この組成物においては、シリコーン化合物として二重結合含有シリコーン化合物が含まれている。光を照射して照射領域をクラッド層とし、未照射領域をコア層とする。このとき、照射領域においては、ポリシランのＳｉ−Ｓｉ結合が切断され、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合が形成して屈折率が低下するとともに、二重結合による付加重合反応が生じる。これにより、コア層とクラッド層の屈折率差が生じる。
また、特開２００４−１２６３５号公報、特開２００４−３３３８８３号公報、特開２００６−２９９０６６号公報に開示されたポリシラン化合物を含む組成物を使用することができる。たとえば、ポリシラン化合物と、二重結合含有シリコーン化合物と、有機過酸化物とを含有する組成物を使用することができる。この組成物においては、シリコーン化合物として二重結合含有シリコーン化合物が含まれている。光を照射して照射領域をクラッド層とし、未照射領域をコア層とする。このとき、照射領域においては、ポリシランのＳｉ−Ｓｉ結合が切断され、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合が形成して屈折率が低下するとともに、二重結合による付加重合反応が生じる。これにより、コア層とクラッド層の屈折率差が生じる。
（光導波路モジュール）
以上のような製造方法にて得られた光導波路３は、図６に示すように、光導波路モジュール２として使用することができる。
図６（Ａ）は、光導波路モジュール２の断面図であり、図６（Ｂ）は、光導波路モジュール２の平面図である。図６（Ｃ）は、光導波路モジュール２の支持部材２３を示す平面図である。
この光導波路モジュール２は、発光素子２１と、受光素子２２と、発光素子２１および受光素子２２を接続する光導波路３と、一対の支持部材２３とを備える。
発光素子２１は、面発光素子である。
支持部材２３は、発光素子２１または受光素子２２を収容するとともに、光導波路３を支持するものである。
支持部材２３は、上面が開口した、直方体の箱形形状であり、発光素子２１または受光素子２２が設置される底面部２３１と、この底面部２３１の各辺に立設された側壁部（壁部）２３２とを有する。
一対の支持部材２３は所定の距離をあけて対向配置されている。一方の支持部材２３の側壁部２３２のうち、他方の支持部材２３の側壁部２３２と対向する側壁部２３２の上端部にはスリット２３２Ａが形成されている。同様に他方の支持部材２３の側壁部２３２のうち、一方の支持部材２３の側壁部２３２と対向する側壁部２３２の上端部にはスリット２３２Ａが形成されている。
このスリット２３２Ａに光導波路３の端部、具体的には、下部クラッド層３１の端部が嵌め込まれることとなる。
支持部材２３に支持された光導波路３の端部先端は、発光素子２１の発光領域または受光素子２２の受光領域の真上に位置することとなる。
なお、光導波路３の端部のうち、コア層３２の厚みが厚い方の端部が発光素子２１上に配置され、コア層３２の厚みが薄い方の端部が受光素子２２上に設置される。
以上のような製造方法にて得られた光導波路３は、図６に示すように、光導波路モジュール２として使用することができる。
図６（Ａ）は、光導波路モジュール２の断面図であり、図６（Ｂ）は、光導波路モジュール２の平面図である。図６（Ｃ）は、光導波路モジュール２の支持部材２３を示す平面図である。
この光導波路モジュール２は、発光素子２１と、受光素子２２と、発光素子２１および受光素子２２を接続する光導波路３と、一対の支持部材２３とを備える。
発光素子２１は、面発光素子である。
支持部材２３は、発光素子２１または受光素子２２を収容するとともに、光導波路３を支持するものである。
支持部材２３は、上面が開口した、直方体の箱形形状であり、発光素子２１または受光素子２２が設置される底面部２３１と、この底面部２３１の各辺に立設された側壁部（壁部）２３２とを有する。
一対の支持部材２３は所定の距離をあけて対向配置されている。一方の支持部材２３の側壁部２３２のうち、他方の支持部材２３の側壁部２３２と対向する側壁部２３２の上端部にはスリット２３２Ａが形成されている。同様に他方の支持部材２３の側壁部２３２のうち、一方の支持部材２３の側壁部２３２と対向する側壁部２３２の上端部にはスリット２３２Ａが形成されている。
このスリット２３２Ａに光導波路３の端部、具体的には、下部クラッド層３１の端部が嵌め込まれることとなる。
支持部材２３に支持された光導波路３の端部先端は、発光素子２１の発光領域または受光素子２２の受光領域の真上に位置することとなる。
なお、光導波路３の端部のうち、コア層３２の厚みが厚い方の端部が発光素子２１上に配置され、コア層３２の厚みが薄い方の端部が受光素子２２上に設置される。
発光素子２１にて生じた光は、下部クラッド層３１を通り、傾斜面にて反射されてコア層３２中を伝播することとなる。その後、光は、光導波路３の他方の傾斜面で反射されて、屈曲し、下部クラッド層３１を介して受光素子２２に入射する。
このような光導波路モジュール２は、光学機器等の内部に設置されることとなる。このとき、図１や図６（Ａ）に示したように、光導波路１の上部クラッド層３３が下部クラッド層３１側にたわまないように設置してもよく、また、図７（Ａ）の側面図に示すように、光導波路３の上部クラッド層３３を下部クラッド層３１側に屈曲させて設置してもよい。設置スペースに十分な高さが確保できないような場合には、光導波路３の上部クラッド層３３を下部クラッド層３１側に屈曲させて設置させることが可能である。図７（Ａ）は、光導波路３を傾斜面側から見た側面図である。
また、図７（Ｂ）の模式図に示すように、光導波路３を、たとえば、平面Ｕ字型に湾曲させて配置してもよい。光導波路３の一対の端部を対向するように、光導波路３を湾曲させて配置する。図７（Ｂ）は、光導波路３を上部クラッド層３３側から見た平面図である。
なお、支持部材２３の原料としては、セラミックスや、有機材料等を使用することができる。
また、図７（Ｂ）の模式図に示すように、光導波路３を、たとえば、平面Ｕ字型に湾曲させて配置してもよい。光導波路３の一対の端部を対向するように、光導波路３を湾曲させて配置する。図７（Ｂ）は、光導波路３を上部クラッド層３３側から見た平面図である。
なお、支持部材２３の原料としては、セラミックスや、有機材料等を使用することができる。
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
コア層３２の厚みを、端部と中心部とで異なるものとすることで、光の伝搬損失を低減できる。本実施形態のように、コア層３２の端部の厚みを中心部よりも厚くし、端部側に発光素子２１を配置すれば、発光素子２１から広がるようにして発生する光をコア層３２内に確実に導くことが可能となる。
一方、コア層３２の端部の厚みを中心部よりも薄くし、端部側に受光素子２２を配置すれば、コア層３２内を伝搬する光を絞り込んで、受光素子に入射させることができる。
また、本実施形態では、コア層３２は正面側（フィルム表面側）から見て、その厚みが漸次変化し、一方の端部側から、他方の端部側に向かって厚みが連続的に薄くなっている。これにより、コア層３２内での光の乱反射等を防止でき、光の伝搬損失を低減できる。
コア層３２の厚みを、端部と中心部とで異なるものとすることで、光の伝搬損失を低減できる。本実施形態のように、コア層３２の端部の厚みを中心部よりも厚くし、端部側に発光素子２１を配置すれば、発光素子２１から広がるようにして発生する光をコア層３２内に確実に導くことが可能となる。
一方、コア層３２の端部の厚みを中心部よりも薄くし、端部側に受光素子２２を配置すれば、コア層３２内を伝搬する光を絞り込んで、受光素子に入射させることができる。
また、本実施形態では、コア層３２は正面側（フィルム表面側）から見て、その厚みが漸次変化し、一方の端部側から、他方の端部側に向かって厚みが連続的に薄くなっている。これにより、コア層３２内での光の乱反射等を防止でき、光の伝搬損失を低減できる。
本実施形態では、下部クラッド層３１の下面から上部クラッド層３３の上面までの高さ方向に沿った厚みＡと、光導波路３の高さ方向と直交するとともに光導波路１の延在方向と直交する光導波路１の幅寸法Ｂとの比であるＡ／Ｂを２以上としている。
これにより、種々の設置形態をとることができる。
たとえば、図７（Ｂ）に示したように、光導波路３を上部クラッド層側からの平面視において、Ｕ字型に湾曲させて配置することが可能となる。これにより、狭い設置スペースにも設置することができ、たとえば、光学機器等のケースの角部に光導波路を設置することができる。
さらに、図７（Ａ）に示すように、光導波路３を屈曲させて設置することが可能となる。
これにより、たとえば、設置スペースの高さ寸法が低い場所であっても、光導波路３を設置することができる。
なお、前述したように、設置場所によっては、光導波路３は、屈曲させずにまっすぐな状態で配置してもよい。
このように、本実施形態によれば、種々の設置形態をとることが可能である光導波路を提供できる。これにより、設置スペースの省スペース化に対応することができる。
さらに、光導波路３の幅寸法Ｂは、光導波路３のフィルム厚みに該当する寸法であるため、設置スペースの幅が狭くても、設置することが可能である。
これにより、種々の設置形態をとることができる。
たとえば、図７（Ｂ）に示したように、光導波路３を上部クラッド層側からの平面視において、Ｕ字型に湾曲させて配置することが可能となる。これにより、狭い設置スペースにも設置することができ、たとえば、光学機器等のケースの角部に光導波路を設置することができる。
さらに、図７（Ａ）に示すように、光導波路３を屈曲させて設置することが可能となる。
これにより、たとえば、設置スペースの高さ寸法が低い場所であっても、光導波路３を設置することができる。
なお、前述したように、設置場所によっては、光導波路３は、屈曲させずにまっすぐな状態で配置してもよい。
このように、本実施形態によれば、種々の設置形態をとることが可能である光導波路を提供できる。これにより、設置スペースの省スペース化に対応することができる。
さらに、光導波路３の幅寸法Ｂは、光導波路３のフィルム厚みに該当する寸法であるため、設置スペースの幅が狭くても、設置することが可能である。
さらに、本実施形態では、光導波路３の高さ寸法Ａと、光導波路１の幅寸法Ｂとの比であるＡ／Ｂを１０以下としている。
これにより、たとえば、図１のように光導波路３を屈曲させずに配置する場合に、光導波路３がたわんでしまうことを防止できる。そのため、光の伝搬損失の発生を確実に抑制することが可能となる。
これにより、たとえば、図１のように光導波路３を屈曲させずに配置する場合に、光導波路３がたわんでしまうことを防止できる。そのため、光の伝搬損失の発生を確実に抑制することが可能となる。
また、本実施形態では、光導波路３を支持するための支持部材２３にスリット２３２Ａを形成している。これにより、光導波路３が設置しやすくなる。
特に、光導波路３は、下部クラッド層３１の下面から上部クラッド層３３の上面までの高さ方向に沿った厚みＡと、光導波路３の高さ方向と直交するとともに光導波路３の延在方向と直交する光導波路３の幅寸法Ｂとの比であるＡ／Ｂを２以上としている。
これにより、たとえば、上部クラッド３３を把持しながら、スリット２３２Ａに光導波路３を差し込むことができるため、光導波路３を容易に設置することができる。
特に、光導波路３は、下部クラッド層３１の下面から上部クラッド層３３の上面までの高さ方向に沿った厚みＡと、光導波路３の高さ方向と直交するとともに光導波路３の延在方向と直交する光導波路３の幅寸法Ｂとの比であるＡ／Ｂを２以上としている。
これにより、たとえば、上部クラッド３３を把持しながら、スリット２３２Ａに光導波路３を差し込むことができるため、光導波路３を容易に設置することができる。
さらに、本実施形態では、感光性樹脂組成物を基材Ｓ上に塗布し、フィルム３４を形成し、このフィルム３４に光を選択的に照射することで、コア層、クラッド層を形成している。
フィルム３４上に配置するマスクの形状を所望の形状とすることで、コア層の厚み分布を調整できるので、比較的容易に、コア層３２の厚みが、端部と中心部とで異なる構造の光導波路３を得ることができる。
フィルム３４上に配置するマスクの形状を所望の形状とすることで、コア層の厚み分布を調整できるので、比較的容易に、コア層３２の厚みが、端部と中心部とで異なる構造の光導波路３を得ることができる。
また、特許文献１に開示されているように、従来、光導波路を製造する際には、刃先がＶ字型のダイシングブレードを使用していた。
Ｖ字型の刃先は、摩耗しやすく、刃先の摩耗状態がダイシング面の形状（光導波路の傾斜した端面の形状）に影響を大きく及ぼしていた。これに対し、本実施形態では、刃先が平坦なダイシングブレードを使用するので、このような問題が生じない。
Ｖ字型の刃先は、摩耗しやすく、刃先の摩耗状態がダイシング面の形状（光導波路の傾斜した端面の形状）に影響を大きく及ぼしていた。これに対し、本実施形態では、刃先が平坦なダイシングブレードを使用するので、このような問題が生じない。
さらに、光導波路を製造する際に、導波路ごとにフィルムをダイシング（個片化）する場合には、刃先が平坦なダイシングブレードを使用する必要がある。そのため、Ｖ字の溝を形成するためのダイシングブレードと、導波路ごとにフィルムをダイシング（個片化）するためのダイシングブレードとは異なるものを使用しなければならない。この場合には、ダイシングブレードを交換しなければならないので、手間を要する。
これに対し、本実施形態では、光導波路３の傾斜面を形成するためのダイシングブレードと、各光導波路３ごとにフィルム３４をダイシングする（個片化する）ためのダイシングブレードとを同じブレードを使用することができる。そのため、製造に手間を要しない。
これに対し、本実施形態では、光導波路３の傾斜面を形成するためのダイシングブレードと、各光導波路３ごとにフィルム３４をダイシングする（個片化する）ためのダイシングブレードとを同じブレードを使用することができる。そのため、製造に手間を要しない。
（第二実施形態）
図８を参照して、本発明の第二実施形態について説明する。
ここでは、光導波路モジュール４の支持部材４３の構造が前記実施形態と異なっている。他の点は、前記実施形態と同様である。
この光導波路モジュール４は、発光素子２１と、受光素子２２と、発光素子２１および受光素子２２を接続する光導波路３、一対の支持部材４３とを備える。
支持部材４３は、上面が開口した、直方体の箱形形状であり、発光素子２１または受光素子２２が設置される底面部４３１と、この底面部４３１の各辺に立設された側壁部４３２（壁部）とを有する。
図８を参照して、本発明の第二実施形態について説明する。
ここでは、光導波路モジュール４の支持部材４３の構造が前記実施形態と異なっている。他の点は、前記実施形態と同様である。
この光導波路モジュール４は、発光素子２１と、受光素子２２と、発光素子２１および受光素子２２を接続する光導波路３、一対の支持部材４３とを備える。
支持部材４３は、上面が開口した、直方体の箱形形状であり、発光素子２１または受光素子２２が設置される底面部４３１と、この底面部４３１の各辺に立設された側壁部４３２（壁部）とを有する。
一対の支持部材４３は所定の距離をあけて対向配置されている。一方の支持部材４３の側壁部のうち、他方の支持部材４３の側壁部４３２と対向する側壁部４３２の上端部にはスリット４３２Ａが形成されている。同様に他方の支持部材４３の側壁部４３２のうち、一方の支持部材２３の側壁部４３２と対向する側壁部４３２の上端部にはスリット４３２Ａが形成されている。
このスリット４３２Ａに光導波路３の端部、具体的には、下部クラッド層３１の端部が嵌め込まれることとなる。
このスリット４３２Ａに光導波路３の端部、具体的には、下部クラッド層３１の端部が嵌め込まれることとなる。
また、支持部材４３のスリット４３２Ａが形成された側壁部４３２と対向する側壁部４３２の上端部には、切り欠き４３２Ｂが形成されている。具体的には側壁部４３２の上端のうち、内側の上端縁に切り欠き４３２Ｂが形成されている。この切り欠き４３２Ｂ内には、光導波路３の端部先端が設置され、切り欠き４３２Ｂにより、光導波路３の端部先端が当接する当接面が形成される。
なお、光導波路３を支持部材４３上に設置する際には、光導波路３の端部先端、具体的には下部クラッド層３１の先端を厚み方向にそって切断して、前記当接面に当接する平坦面３１１を形成することが好ましい（図８および図９参照）。
支持部材４３に支持された光導波路３の端部は、発光素子２１の発光領域または受光素子２２の受光領域の真上に位置することとなる。
支持部材４３に支持された光導波路３の端部は、発光素子２１の発光領域または受光素子２２の受光領域の真上に位置することとなる。
このような本実施形態によれば、第一実施形態と同様の効果を奏することができるうえ、以下の効果を奏することができる。
支持部材４３に当接面を形成し、さらに、光導波路３に平坦面３１１を形成することで、光導波路３が設置しやすくなる。
（第三実施形態）
図１０を参照して、本発明の第三実施形態について説明する。
本実施形態の光導波路６は、図１０（Ａ）に示すように、上部クラッド層６３および下部クラッド層６１と、前記上部クラッド層６３と、前記下部クラッド層６１とに挟まれたコア層６２とを備え、一方向に沿って延在するものである。光導波路６は可とう性を有したフィルム状である。
光導波路６は、延在方向と交差する一対の端面が傾斜面となっている。この傾斜面は、上部クラッド層６３の端面、コア層６２の端面、下部クラッド層６１の端面で構成され、上部クラッド層６３側から、下部クラッド層６１側に向かって外側に傾斜している。この傾斜面と、コア層６２内の光軸とがなす角度は４５度である。
図１０を参照して、本発明の第三実施形態について説明する。
本実施形態の光導波路６は、図１０（Ａ）に示すように、上部クラッド層６３および下部クラッド層６１と、前記上部クラッド層６３と、前記下部クラッド層６１とに挟まれたコア層６２とを備え、一方向に沿って延在するものである。光導波路６は可とう性を有したフィルム状である。
光導波路６は、延在方向と交差する一対の端面が傾斜面となっている。この傾斜面は、上部クラッド層６３の端面、コア層６２の端面、下部クラッド層６１の端面で構成され、上部クラッド層６３側から、下部クラッド層６１側に向かって外側に傾斜している。この傾斜面と、コア層６２内の光軸とがなす角度は４５度である。
上部クラッド層６３、下部クラッド層６１それぞれの厚みは、延在方向に沿って均一である。
コア層６２は、延在方向中心部における厚みと、端部の厚みとが異なっている。具体的には、コア層６２は、各クラッド層６１，６３に沿って延在するとともに、一方の端部が前記下部クラッド層６１側に屈曲している。そして、この一方の端部は、前記下部クラッド層６１を貫通して延在している。これにより、コア層６２の延在方向中心部における厚みと、コア層６２の端部の厚みとが異なるものとなる。ここで、コア層６２の端部の厚みとは、コア層の一方の端部におけるコア層下面から、傾斜面のうちコア層６２と上部クラッド層６３との境界線までの厚みＨのことをいう。
コア層６２の下部クラッド層６１を貫通している部分６２１（一方の端部）の幅Ｗ（前記各クラッド層の延在方向に沿った幅）は、上部クラッド層６３側から下部クラッド層６１側まで均一である。
また、光導波路の幅Ｂと、厚みＡとの比は前記実施形態と同様である。
コア層６２の下部クラッド層６１を貫通している部分６２１（一方の端部）の幅Ｗ（前記各クラッド層の延在方向に沿った幅）は、上部クラッド層６３側から下部クラッド層６１側まで均一である。
また、光導波路の幅Ｂと、厚みＡとの比は前記実施形態と同様である。
なお、図１０（Ａ）では、光導波路６の一方の端部を示しているが、他方の端部も同様の構成としてもよく、また、他方の端部側では、第一実施形態のように、コア層が屈曲せずに、各クラッド層６１，６３に沿って延在するものとしてもよい。
このような構造の光導波路６は、図１０（Ｂ）に示すようなフィルム６４を用いて製造することができる。フィルム６４の材料は前記実施形態と同様であり、その製造方法も前記実施形態と同様であるが、マスクの形状をコア層の形状に応じたものとすればよい。
すなわち、フィルム６４は、複数のコア層６４２と、クラッド層６４１とが交互に配置されたものとなる。そして、コア層６４２は、クラッド層６４１とともに延在する第一の領域６４２Ａと、この第一の領域６４２Ａからクラッド層６４１中に屈曲した第二の領域６４２Ｂとを有するものとなる。図１０（Ｂ）の点線で示すように、第一実施形態と同様のダイシングブレードにてフィルム６４を切断することで、光導波路６を得ることができる。
このような構造の光導波路６は、図１０（Ｂ）に示すようなフィルム６４を用いて製造することができる。フィルム６４の材料は前記実施形態と同様であり、その製造方法も前記実施形態と同様であるが、マスクの形状をコア層の形状に応じたものとすればよい。
すなわち、フィルム６４は、複数のコア層６４２と、クラッド層６４１とが交互に配置されたものとなる。そして、コア層６４２は、クラッド層６４１とともに延在する第一の領域６４２Ａと、この第一の領域６４２Ａからクラッド層６４１中に屈曲した第二の領域６４２Ｂとを有するものとなる。図１０（Ｂ）の点線で示すように、第一実施形態と同様のダイシングブレードにてフィルム６４を切断することで、光導波路６を得ることができる。
このような光導波路６は、第一実施形態や、第二実施形態で示した支持部材２３，４３を使用して、光モジュールとして使用することができる。
支持部材４３を使用する場合には、光導波路６に前記実施形態の光導波路３と同様の平坦面３１１を形成することが好ましい。
本実施形態によれば、前記実施形態と同様の効果を奏することができるうえ、以下の効果を奏することができる。
たとえば、コア層６２の端部を下部クラッド層６１側に屈曲させているので、このコア層６２の端部に近接配置された光素子に対し、光を確実に入射させたり、光素子からの光を確実にコア層６２内に入射させたりことができる。
支持部材４３を使用する場合には、光導波路６に前記実施形態の光導波路３と同様の平坦面３１１を形成することが好ましい。
本実施形態によれば、前記実施形態と同様の効果を奏することができるうえ、以下の効果を奏することができる。
たとえば、コア層６２の端部を下部クラッド層６１側に屈曲させているので、このコア層６２の端部に近接配置された光素子に対し、光を確実に入射させたり、光素子からの光を確実にコア層６２内に入射させたりことができる。
なお、図１０（Ａ）では、コア層６２の下部クラッド層６１を貫通している部分６２１（一方の端部）の幅Ｗ（前記各クラッド層の延在方向に沿った幅）は、上部クラッド層側から下部クラッド層側まで均一であるとしたが、これに限られるものではない。たとえば、図１１（Ａ）に示すように、コア層６２の下部クラッド層６１を貫通している部分６２１（一方の端部）の幅Ｗ（前記各クラッド層の延在方向に沿った幅）を、下部クラッド上面側から下面側に向かって広くなるものとしてもよい。
これにより、たとえば、コア層６２の部分６２１の下方に発光素子を配置することで、発光素子の光を確実にコア層６２内に入射させることができる。
なお、図１１（Ａ）では、光導波路の一方の端部を示しているが、他方の端部も同様の構成としてもよく、また、他方の端部側では、第一実施形態のように、コア層が屈曲せずに、各クラッド層に沿って延在するものとしてもよい。
これにより、たとえば、コア層６２の部分６２１の下方に発光素子を配置することで、発光素子の光を確実にコア層６２内に入射させることができる。
なお、図１１（Ａ）では、光導波路の一方の端部を示しているが、他方の端部も同様の構成としてもよく、また、他方の端部側では、第一実施形態のように、コア層が屈曲せずに、各クラッド層に沿って延在するものとしてもよい。
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
たとえば、コア層の形状を図１１（Ｂ）に示すような形状としてもよい。図１１（Ｂ）は、コア層５２は、各クラッド層５１，５３に沿って延在するとともに、一方の端部が前記下部クラッド層５１側に屈曲し、前記下部クラッド層５１を貫通して延在している。これにより、コア層５２の延在方向中心部における厚みと、コア層５２の端部の厚みとが異なるものとなる。ここで、コア層５２の端部の厚みとは、コア層の一方の端部におけるコア層下面から、傾斜面のうちコア層と上部クラッド層との境界線までの厚みＨのことをいう。また、コア層５２は、一方の端部側から他方の端部側にむかって厚みがあつくなっている。
より詳細に説明すると、コア層５２の前記クラッド層５１，５３に沿って所定の方向に延在する領域において、一方の端部側に向かって、コア層５２の厚みが厚くなっている。より詳細に説明すると、コア層５２は、コア層５２の厚みが均一な第一の領域５２１と、この第一の領域５２１に接続され、端部に向かって厚みが徐々に大きくなる第二の領域５２２と、第二の領域５２２に接続され、厚みが均一な第三の領域５２３とを有する。
第二の領域５２２は、光導波路５のフィルム面側からみて漸次厚みがあつくなるように形成されている。
第三の領域５２３は、第一の領域５２１よりも厚みが厚い。
ただし、コア層５２の第一の領域５２１、第二の領域５２２、第三の領域５２３の厚みの中心位置は、略同位置であり、傾斜面はコア層５２の光軸に対し４５度に傾斜している。
なお、クラッド層５１，５３は、それぞれ、コア層の広がりに応じて厚みが薄くなっており、光導波路５全体の厚みは、均一である。
たとえば、コア層の形状を図１１（Ｂ）に示すような形状としてもよい。図１１（Ｂ）は、コア層５２は、各クラッド層５１，５３に沿って延在するとともに、一方の端部が前記下部クラッド層５１側に屈曲し、前記下部クラッド層５１を貫通して延在している。これにより、コア層５２の延在方向中心部における厚みと、コア層５２の端部の厚みとが異なるものとなる。ここで、コア層５２の端部の厚みとは、コア層の一方の端部におけるコア層下面から、傾斜面のうちコア層と上部クラッド層との境界線までの厚みＨのことをいう。また、コア層５２は、一方の端部側から他方の端部側にむかって厚みがあつくなっている。
より詳細に説明すると、コア層５２の前記クラッド層５１，５３に沿って所定の方向に延在する領域において、一方の端部側に向かって、コア層５２の厚みが厚くなっている。より詳細に説明すると、コア層５２は、コア層５２の厚みが均一な第一の領域５２１と、この第一の領域５２１に接続され、端部に向かって厚みが徐々に大きくなる第二の領域５２２と、第二の領域５２２に接続され、厚みが均一な第三の領域５２３とを有する。
第二の領域５２２は、光導波路５のフィルム面側からみて漸次厚みがあつくなるように形成されている。
第三の領域５２３は、第一の領域５２１よりも厚みが厚い。
ただし、コア層５２の第一の領域５２１、第二の領域５２２、第三の領域５２３の厚みの中心位置は、略同位置であり、傾斜面はコア層５２の光軸に対し４５度に傾斜している。
なお、クラッド層５１，５３は、それぞれ、コア層の広がりに応じて厚みが薄くなっており、光導波路５全体の厚みは、均一である。
このような光導波路５では、たとえば、コア層５２の一方の端部の下方に発光素子を配置することで、発光素子の光を確実にコア層５２内に入射させることができる。
また、コア層５２の第一の領域５２１、第二の領域５２２、第三の領域５２３の厚みの中心位置を略同位置とすることで、光軸に対する傾斜面の傾きを正確に４５度とすることができる。
このような光導波路５は、第一実施形態や、第二実施形態で示した支持部材２３，４３を使用して、光モジュールとして使用することができる。支持部材４３を使用する場合には、図１１（Ｂ）で示す光導波路フィルムに光導波路３と同様の平坦面３１１を形成することが好ましい。
また、コア層５２の第一の領域５２１、第二の領域５２２、第三の領域５２３の厚みの中心位置を略同位置とすることで、光軸に対する傾斜面の傾きを正確に４５度とすることができる。
このような光導波路５は、第一実施形態や、第二実施形態で示した支持部材２３，４３を使用して、光モジュールとして使用することができる。支持部材４３を使用する場合には、図１１（Ｂ）で示す光導波路フィルムに光導波路３と同様の平坦面３１１を形成することが好ましい。
さらに、前記各実施形態では、下部クラッド層の下方に発光素子、受光素子を配置したが、これに限られず、光導波路を上下反転させて配置し、光導波路の上部に発光素子、受光素子を配置してもよい。
また、前記各実施形態では、光導波路は、一対の傾斜面を有するものであるとしたが、これに限らず、一対の端面のうち、一方の端面のみが傾斜面となっていてもよい。たとえば、傾斜面が形成された端部側に発光素子を配置し、他方の端面側には、光ファイバ等を接続する場合には、一方の端面のみを傾斜面として配置してもよい。
また、前記各実施形態では、光導波路は、一対の傾斜面を有するものであるとしたが、これに限らず、一対の端面のうち、一方の端面のみが傾斜面となっていてもよい。たとえば、傾斜面が形成された端部側に発光素子を配置し、他方の端面側には、光ファイバ等を接続する場合には、一方の端面のみを傾斜面として配置してもよい。
さらに、前記実施形態では、支持部材２３，４３は、直方体形状としたが、これに限らず、たとえば、上面が開口した円柱形状としてもよい。この場合には、受光素子あるいは発光素子の周囲を囲む壁部を有し、この壁部に、スリットや、切り欠きが形成されていればよい。
切り欠きは、スリットと対向する位置に形成されていることが好ましい。
切り欠きは、スリットと対向する位置に形成されていることが好ましい。
また、前記各実施形態では、光導波路３，６は、クラッド層として、上部クラッド層３３，６３、下部クラッド層３１，６１を有するものとしたが、これに加えて、コア層３２，６２の側方にクラッド層を有するものとしてもよい。光導波路の設置スペースが十分に確保できる場合には、コア層の側方にそれぞれクラッド層を配置することで、光閉じ込め効果を高めることができる。なお、コア層３２、６２の側方にクラッド層を有する場合も、光導波路の厚みは、５００μｍ以下であることが好ましい。
さらに、第一実施形態では、コア層３２の厚みが一方の端部側から他方の端部側に向かって連続的に薄くなっていたが、これに限らず、コア層３２の厚みが段階的に薄くなるような構造としてもよい。たとえば、コア層を、厚みが均一であり、クラッド層とともに延在する第一の領域と、この第一の領域よりも厚みが薄く、かつ、厚みが均一である第二の領域とを備えるような構成としてもよい。
さらに、第一実施形態では、コア層３２の厚みが一方の端部側から他方の端部側に向かって連続的に薄くなっていたが、これに限らず、コア層３２の厚みが段階的に薄くなるような構造としてもよい。たとえば、コア層を、厚みが均一であり、クラッド層とともに延在する第一の領域と、この第一の領域よりも厚みが薄く、かつ、厚みが均一である第二の領域とを備えるような構成としてもよい。
次に、本発明の実施例について説明する。
以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
（調製例）
（１）光導波路形成用のフィルムの調製
<ヘキシルノルボルネン（ＨｘＮＢ）／ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン（ｄｉＰｈＮＢ）系コポリマーの合成>
ＨｘＮＢ（ＣＡＳ番号：第２２０９４−８３−３番）（９．６３ｇ、０．０５４モル）、ｄｉＰｈＮＢ（ＣＡＳ番号：第３７６６３４−３４−３番）（４０．３７ｇ、０．１２６モル）、１−ヘキセン（４．５４ｇ、０．０５４モル）及びトルエン（１５０ｇ）を、ドライボックス内の５００ｍＬ容シーラムボトルに入れて混合し、さらにオイルバスにおいて８０℃に加熱しながら撹拌して溶液とした。得られた溶液に、（Ｐｄ１４４６）（１．０４×１０−２ｇ、７．２０×１０−６モル）及びＮ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（略称：ＤＡＮＦＡＢＡ）（２．３０×１０−２ｇ、２．８８×１０−５モル）を、それぞれ濃縮ジクロロメタン溶液（０．１ｍＬ）の形態で添加した。添加後の混合物を、マグネチックスターラで８０℃において２時間撹拌した。その後、反応混合物（トルエン溶液）をより大きなビーカーに移し変え、これに貧溶媒であるメタノール（１Ｌ）を滴下すると、繊維状の白色固形分が沈殿した。沈殿した固形分をろ過して６０℃のオーブン内で真空乾燥させたところ、乾燥質量１９．０ｇ（収率３８％）の生成物が得られた。得られた生成物の分子量をゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ：ＴＨＦ溶媒、ポリスチレン換算）で測定したところ、質量平均分子量（Ｍｗ）は１１８，０００であり、数平均分子量（Ｍｎ）は６０，０００であった。得られた生成物を１Ｈ−ＮＭＲで測定し、下記構造式で表されるＨｘＮＢ／ｄｉＰｈＮＢ系コポリマー（ｘ＝０．３２、ｙ＝０．６８、ｎ＝５）であることを同定した。このコポリマーの屈折率をプリズムカップリング法で測定したところ、波長６３３ｎｍにおいて、ＴＥモードが１．５６９５、そしてＴＭモードが１．５６８１であった。
（調製例）
（１）光導波路形成用のフィルムの調製
<ヘキシルノルボルネン（ＨｘＮＢ）／ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン（ｄｉＰｈＮＢ）系コポリマーの合成>
ＨｘＮＢ（ＣＡＳ番号：第２２０９４−８３−３番）（９．６３ｇ、０．０５４モル）、ｄｉＰｈＮＢ（ＣＡＳ番号：第３７６６３４−３４−３番）（４０．３７ｇ、０．１２６モル）、１−ヘキセン（４．５４ｇ、０．０５４モル）及びトルエン（１５０ｇ）を、ドライボックス内の５００ｍＬ容シーラムボトルに入れて混合し、さらにオイルバスにおいて８０℃に加熱しながら撹拌して溶液とした。得られた溶液に、（Ｐｄ１４４６）（１．０４×１０−２ｇ、７．２０×１０−６モル）及びＮ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（略称：ＤＡＮＦＡＢＡ）（２．３０×１０−２ｇ、２．８８×１０−５モル）を、それぞれ濃縮ジクロロメタン溶液（０．１ｍＬ）の形態で添加した。添加後の混合物を、マグネチックスターラで８０℃において２時間撹拌した。その後、反応混合物（トルエン溶液）をより大きなビーカーに移し変え、これに貧溶媒であるメタノール（１Ｌ）を滴下すると、繊維状の白色固形分が沈殿した。沈殿した固形分をろ過して６０℃のオーブン内で真空乾燥させたところ、乾燥質量１９．０ｇ（収率３８％）の生成物が得られた。得られた生成物の分子量をゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ：ＴＨＦ溶媒、ポリスチレン換算）で測定したところ、質量平均分子量（Ｍｗ）は１１８，０００であり、数平均分子量（Ｍｎ）は６０，０００であった。得られた生成物を１Ｈ−ＮＭＲで測定し、下記構造式で表されるＨｘＮＢ／ｄｉＰｈＮＢ系コポリマー（ｘ＝０．３２、ｙ＝０．６８、ｎ＝５）であることを同定した。このコポリマーの屈折率をプリズムカップリング法で測定したところ、波長６３３ｎｍにおいて、ＴＥモードが１．５６９５、そしてＴＭモードが１．５６８１であった。
<光導波路形成用ワニスの調製>
イエローライト下、上記ＨｘＮＢ／ｄｉＰｈＮＢ系コポリマーをメシチレンに溶解して１０質量％のコポリマー溶液（３０ｇ）を調製した。これとは別に、１００ｍＬ容ガラス瓶に、ＨｘＮＢ（４２．０３ｇ、０．２４モル）及びビス−ノルボルネンメトキシジメチルシラン（ＳｉＸ、ＣＡＳ番号：第３７６６０９−８７−９番）（７．９７ｇ、０．０２６モル）を入れ、さらに２種類の酸化防止剤［Ｃｉｂａ社製Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６（０．５ｇ）及びＩｒｇａｆｏｓ１６８（０．１２５ｇ）］を加えてモノマー酸化防止剤溶液を得た。上記のコポリマー溶液３０．０ｇに、上記のモノマー酸化防止剤溶液３．０ｇと、Ｐｄ（ＰＣｙ３）２（ＯＡｃ）２（Ｐｄ７８５）（メチレンクロライド０．１ｍＬあたり、４．９５×１０−４ｇ、６．２９×１０−７モル）と、吸収極大波長２２０ｎｍの光酸発生剤［ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ（登録商標）ＰＨＯＴＯＩＮＩＴＩＡＴＯＲ ２０７４（ＣＡＳ番号：第１７８２３３−７２−２番）］（メチレンクロライド０．１ｍＬあたり、２．５５×１０−３ｇ、２．５１×１０−６モル）とを加えて均一に溶解させた後、細孔径０．２μｍのフィルターでろ過して光導波路形成用ワニスを調製した。
イエローライト下、上記ＨｘＮＢ／ｄｉＰｈＮＢ系コポリマーをメシチレンに溶解して１０質量％のコポリマー溶液（３０ｇ）を調製した。これとは別に、１００ｍＬ容ガラス瓶に、ＨｘＮＢ（４２．０３ｇ、０．２４モル）及びビス−ノルボルネンメトキシジメチルシラン（ＳｉＸ、ＣＡＳ番号：第３７６６０９−８７−９番）（７．９７ｇ、０．０２６モル）を入れ、さらに２種類の酸化防止剤［Ｃｉｂａ社製Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６（０．５ｇ）及びＩｒｇａｆｏｓ１６８（０．１２５ｇ）］を加えてモノマー酸化防止剤溶液を得た。上記のコポリマー溶液３０．０ｇに、上記のモノマー酸化防止剤溶液３．０ｇと、Ｐｄ（ＰＣｙ３）２（ＯＡｃ）２（Ｐｄ７８５）（メチレンクロライド０．１ｍＬあたり、４．９５×１０−４ｇ、６．２９×１０−７モル）と、吸収極大波長２２０ｎｍの光酸発生剤［ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ（登録商標）ＰＨＯＴＯＩＮＩＴＩＡＴＯＲ ２０７４（ＣＡＳ番号：第１７８２３３−７２−２番）］（メチレンクロライド０．１ｍＬあたり、２．５５×１０−３ｇ、２．５１×１０−６モル）とを加えて均一に溶解させた後、細孔径０．２μｍのフィルターでろ過して光導波路形成用ワニスを調製した。
<光導波路形成用のフィルムの作製>
前記実施形態と同様の方法で、光導波路形成用のフィルムを作製した。厚さ２５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムの上に、光導波路形成用ワニス１０ｇを注ぎ、これをドクターブレードでほぼ一定の厚さになるように広げて光導波路形成用ワニスの塗膜を形成させた（乾燥前の厚さ７０μｍ）。得られた塗膜をＰＥＴフィルムと共にホットプレート上に配置して５０℃で４５分間加熱することによりトルエンを蒸発させて厚さ５０μｍの乾燥塗膜を得た。得られた乾燥塗膜に、クラッド層３１，３３（図１３参照）に対応する開口パターンを有するフォトマスクを通して、高圧水銀ランプ又はメタルハライドランプを用いて波長３００ｎｍ未満又は３６５ｎｍ以下の紫外光を照射した（照射量５００ｍＪ／ｃｍ２）。照射後の塗膜をオーブンに入れ、最初に５０℃で３０分間、続いて８５℃で３０分間、その後１５０℃で６０分間の加熱処理を施した。最初の５０℃で１０分間加熱した時点で、塗膜内の導波路パターンを目視で確認することができた。加熱処理後、塗膜をＰＥＴフィルムから剥離して光導波路形成用のフィルムを得た（図１３参照）。
前記実施形態と同様の方法で、光導波路形成用のフィルムを作製した。厚さ２５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムの上に、光導波路形成用ワニス１０ｇを注ぎ、これをドクターブレードでほぼ一定の厚さになるように広げて光導波路形成用ワニスの塗膜を形成させた（乾燥前の厚さ７０μｍ）。得られた塗膜をＰＥＴフィルムと共にホットプレート上に配置して５０℃で４５分間加熱することによりトルエンを蒸発させて厚さ５０μｍの乾燥塗膜を得た。得られた乾燥塗膜に、クラッド層３１，３３（図１３参照）に対応する開口パターンを有するフォトマスクを通して、高圧水銀ランプ又はメタルハライドランプを用いて波長３００ｎｍ未満又は３６５ｎｍ以下の紫外光を照射した（照射量５００ｍＪ／ｃｍ２）。照射後の塗膜をオーブンに入れ、最初に５０℃で３０分間、続いて８５℃で３０分間、その後１５０℃で６０分間の加熱処理を施した。最初の５０℃で１０分間加熱した時点で、塗膜内の導波路パターンを目視で確認することができた。加熱処理後、塗膜をＰＥＴフィルムから剥離して光導波路形成用のフィルムを得た（図１３参照）。
（２）クラッドフィルム材料の調製
<デシルノルボルネン（ＤｅＮＢ）／メチルグリシジルエーテルノルボルネン（ＡＧＥＮＢ）系コポリマーの合成>
ＤｅＮＢ（ＣＡＳ番号：第２２０９４−８５−５番）（１６．４ｇ、０．０７モル）、ＡＧＥＮＢ（ＣＡＳ番号：第３１８８−７５−８番）（５．４１ｇ、０．０３モル）及びトルエン（５８．０ｇ）を、ドライボックス内の５００ｍＬ容シーラムボトルに入れて混合し、さらにオイルバスにおいて８０℃に加熱しながら撹拌して溶液とした。この溶液に、（η６−トルエン）Ｎｉ（Ｃ６Ｆ５）２（０．６９ｇ、０．００１４モル）のトルエン溶液（５ｇ）を添加した。添加後の混合物を、マグネチックスターラで室温において４時間撹拌した。その混合物に、トルエン（８７．０ｇ）を加えて激しく撹拌した。その後反応混合物（トルエン溶液）をより大きなビーカーに移し変え、これに貧溶媒であるメタノール（１Ｌ）を滴下すると、繊維状の白色固形分が沈殿した。固形分をろ過して集めて６０℃のオーブン内で真空乾燥させたところ、乾燥質量１７．００ｇ（収率８７％）の生成物が得られた。得られた生成物の分子量をＧＰＣ（ＴＨＦ溶媒、ポリスチレン換算）で測定したところ、Ｍｗは７５，０００であり、Ｍｎは３０，０００であった。得られた生成物を１Ｈ−ＮＭＲで測定し、下記構造式で表されるＤｅＮＢ／ＡＧＥＮＢ系コポリマー（ｘ＝０．７７、ｙ＝０．２３、ｎ＝１０）であることを同定した。このコポリマーの屈折率をプリズムカップリング法で測定したところ、波長６３３ｎｍにおいて、ＴＥモードが１．５１５３、そしてＴＭモードが１．５１５１であった。
<デシルノルボルネン（ＤｅＮＢ）／メチルグリシジルエーテルノルボルネン（ＡＧＥＮＢ）系コポリマーの合成>
ＤｅＮＢ（ＣＡＳ番号：第２２０９４−８５−５番）（１６．４ｇ、０．０７モル）、ＡＧＥＮＢ（ＣＡＳ番号：第３１８８−７５−８番）（５．４１ｇ、０．０３モル）及びトルエン（５８．０ｇ）を、ドライボックス内の５００ｍＬ容シーラムボトルに入れて混合し、さらにオイルバスにおいて８０℃に加熱しながら撹拌して溶液とした。この溶液に、（η６−トルエン）Ｎｉ（Ｃ６Ｆ５）２（０．６９ｇ、０．００１４モル）のトルエン溶液（５ｇ）を添加した。添加後の混合物を、マグネチックスターラで室温において４時間撹拌した。その混合物に、トルエン（８７．０ｇ）を加えて激しく撹拌した。その後反応混合物（トルエン溶液）をより大きなビーカーに移し変え、これに貧溶媒であるメタノール（１Ｌ）を滴下すると、繊維状の白色固形分が沈殿した。固形分をろ過して集めて６０℃のオーブン内で真空乾燥させたところ、乾燥質量１７．００ｇ（収率８７％）の生成物が得られた。得られた生成物の分子量をＧＰＣ（ＴＨＦ溶媒、ポリスチレン換算）で測定したところ、Ｍｗは７５，０００であり、Ｍｎは３０，０００であった。得られた生成物を１Ｈ−ＮＭＲで測定し、下記構造式で表されるＤｅＮＢ／ＡＧＥＮＢ系コポリマー（ｘ＝０．７７、ｙ＝０．２３、ｎ＝１０）であることを同定した。このコポリマーの屈折率をプリズムカップリング法で測定したところ、波長６３３ｎｍにおいて、ＴＥモードが１．５１５３、そしてＴＭモードが１．５１５１であった。
<クラッド層形成用ワニスの調製>
イエローライト下、上記コポリマー１０ｇを脱水トルエンに溶解して２０質量％のコポリマー溶液（５０ｇ）を調製した。この溶液に、２種類の酸化防止剤［Ｃｉｂａ社製Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６（０．０１ｇ）及びＩｒｇａｆｏｓ１６８（０．００２５ｇ）］と吸収極大波長３３５ｎｍの第２の光酸発生剤（東洋インキ製造社製、商品名「ＴＡＧ−３８２」）（０．２ｇ）とを加えて均一に溶解させた後、細孔径０．２μｍのフィルターでろ過してクラッド層形成用ワニスを調製した。
イエローライト下、上記コポリマー１０ｇを脱水トルエンに溶解して２０質量％のコポリマー溶液（５０ｇ）を調製した。この溶液に、２種類の酸化防止剤［Ｃｉｂａ社製Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６（０．０１ｇ）及びＩｒｇａｆｏｓ１６８（０．００２５ｇ）］と吸収極大波長３３５ｎｍの第２の光酸発生剤（東洋インキ製造社製、商品名「ＴＡＧ−３８２」）（０．２ｇ）とを加えて均一に溶解させた後、細孔径０．２μｍのフィルターでろ過してクラッド層形成用ワニスを調製した。
<クラッドフィルム材料の作製>
水平台の上に配置した厚み１００μｍのＰＥＴフィルムの上に、クラッド用ワニス１０ｇを注ぎ、ドクターブレードでほぼ一定の厚さになるように広げてクラッド用ワニスの塗膜を形成させた（乾燥前の厚み：３０μｍ）。この塗膜をＰＥＴフィルムと共に乾燥機に入れて５０℃で１５分間加熱することによりトルエンを蒸発させて厚み２０μｍの乾燥塗膜を得た。その後、乾燥塗膜をＰＥＴフィルムから剥離してクラッドフィルム材料とした。
水平台の上に配置した厚み１００μｍのＰＥＴフィルムの上に、クラッド用ワニス１０ｇを注ぎ、ドクターブレードでほぼ一定の厚さになるように広げてクラッド用ワニスの塗膜を形成させた（乾燥前の厚み：３０μｍ）。この塗膜をＰＥＴフィルムと共に乾燥機に入れて５０℃で１５分間加熱することによりトルエンを蒸発させて厚み２０μｍの乾燥塗膜を得た。その後、乾燥塗膜をＰＥＴフィルムから剥離してクラッドフィルム材料とした。
（３）光導波路の作製
（１）で得た光導波路形成用のフィルム（大きさ：２０×２０ｃｍ）を挟むように、上記クラッドフィルム材料（大きさ：２０×２０ｃｍ）を配置して、３層積層フィルムを得た。得られた３層積層フィルムを、１２０℃に設定されたラミネータに投入して、０．２ＭＰａの圧力下、５分間熱圧着させた。その後３層積層フィルムを室温・常圧に戻し、これと高圧水銀ランプとの間に３００ｎｍ以下の波長を遮蔽する波長カットフィルターとして厚み１００μｍのＰＥＴフィルムを配置した。次いで、高圧水銀ランプから波長カットフィルターを通して紫外光を照射した（照射量：１００ｍＪ／ｃｍ２）。照射後の３層積層体を、放置することなく直ちに（放置時間０分）乾燥機に入れ、１５０℃で３０分間加熱することにより、クラッドフィルム材料を硬化させ（クラッド層化）、（１）で得た光導波路形成用のフィルムと、クラッドフィルム材料との密着力強化を完了させて、厚み９０μm（光導波路の幅寸法（フィルム厚み）に該当：Ｂ）の積層フィルムを得た。
（１）で得た光導波路形成用のフィルム（大きさ：２０×２０ｃｍ）を挟むように、上記クラッドフィルム材料（大きさ：２０×２０ｃｍ）を配置して、３層積層フィルムを得た。得られた３層積層フィルムを、１２０℃に設定されたラミネータに投入して、０．２ＭＰａの圧力下、５分間熱圧着させた。その後３層積層フィルムを室温・常圧に戻し、これと高圧水銀ランプとの間に３００ｎｍ以下の波長を遮蔽する波長カットフィルターとして厚み１００μｍのＰＥＴフィルムを配置した。次いで、高圧水銀ランプから波長カットフィルターを通して紫外光を照射した（照射量：１００ｍＪ／ｃｍ２）。照射後の３層積層体を、放置することなく直ちに（放置時間０分）乾燥機に入れ、１５０℃で３０分間加熱することにより、クラッドフィルム材料を硬化させ（クラッド層化）、（１）で得た光導波路形成用のフィルムと、クラッドフィルム材料との密着力強化を完了させて、厚み９０μm（光導波路の幅寸法（フィルム厚み）に該当：Ｂ）の積層フィルムを得た。
（評価）
得られた３層積層フィルムダイシングし、下部クラッド層、コア層、上部クラッド層を備えるとともに、コア層の側方に一対のクラッド層を有する光導波路を形成した。この光導波路は、前記実施形態と異なり、端面に傾斜面が形成されておらず、端面にはミラーが形成されていない。
レーザーダイオードから発生させた光を、光ファイバを通してコア層の一端から入力し、他端からの出力を測定し、コア層の長さを数段階の長さにカットして、各長さについて光出力を測定するカットバック法で測定した。各長さのコア層での総光損失は、下記式で表される。
総光損失（ｄＢ）＝−１０ｌｏｇ（Ｐｎ／Ｐ０）
上式中、Ｐｎは、Ｐ１、Ｐ２、‥Ｐｎの各長さのコア層の他端で測定された出力であり、Ｐ０は、光ファイバをコア層の一端に結合する前の光ファイバーの端部における光源の測定出力である。
次に、総光損失は、図１２のようにプロットされる。このデータの回帰直線は、下記式によって表される。
ｙ＝ｍｘ＋ｎ
上式中、ｍは光伝搬損失を示し、ｎは、結合損失（ｃｏｕｐｌｉｎｇ ｌｏｓｓ）を示す。実施例１の導波路の伝搬損失は０．０７ｄＢ／ｃｍであった。
得られた３層積層フィルムダイシングし、下部クラッド層、コア層、上部クラッド層を備えるとともに、コア層の側方に一対のクラッド層を有する光導波路を形成した。この光導波路は、前記実施形態と異なり、端面に傾斜面が形成されておらず、端面にはミラーが形成されていない。
レーザーダイオードから発生させた光を、光ファイバを通してコア層の一端から入力し、他端からの出力を測定し、コア層の長さを数段階の長さにカットして、各長さについて光出力を測定するカットバック法で測定した。各長さのコア層での総光損失は、下記式で表される。
総光損失（ｄＢ）＝−１０ｌｏｇ（Ｐｎ／Ｐ０）
上式中、Ｐｎは、Ｐ１、Ｐ２、‥Ｐｎの各長さのコア層の他端で測定された出力であり、Ｐ０は、光ファイバをコア層の一端に結合する前の光ファイバーの端部における光源の測定出力である。
次に、総光損失は、図１２のようにプロットされる。このデータの回帰直線は、下記式によって表される。
ｙ＝ｍｘ＋ｎ
上式中、ｍは光伝搬損失を示し、ｎは、結合損失（ｃｏｕｐｌｉｎｇ ｌｏｓｓ）を示す。実施例１の導波路の伝搬損失は０．０７ｄＢ／ｃｍであった。
（加工例）
上記の（３）にて作製した積層フィルムをダイシングフィルムに貼り付け、前記実施形態と同様の方法で、ダイシングを行った。具体的には図１３の一点鎖線で示すコア層３２中心線に対して45度になるようにダイシングソー（株式会社ディスコ製ＤＡＤ３２１、ブレード：株式会社ディスコ製ＮＢＣ−ＺＨ−２２６Ｊ：刃先が積層フィルムのフィルム面と平行となる平坦面で構成されている）で積層フィルムの両側の切断を行った（図１３の直線ａ−ａ’、ｃ−ｃ’）。なお、図１３では、クラッドフィルム材料は図示していない。コア層３２中心に対して平行になるように前記ダイシングソーを使用し、クラッド層の切断を行い（図１３の直線ａ−ｃ、ｂ−ｄ）、短冊状の光導波路３を得た。この光導波路３における導波路幅ａ−ｂ（厚みＡ）は１８０μm、コア層３２の一方の端部の厚みｈ−ｉは１００μm、コア層３２の他方の端部の厚みｊ−ｋは５０μmであった。
また、下部クラッド層３１の下面から上部クラッド層３３の上面までの高さ方向に沿った厚みＡと、当該光導波路３の高さ方向と直交するとともに前記延在方向と直交する当該光導波路の幅寸法であり、当該光導波路３のフィルム厚みに該当する寸法Ｂとの比であるＡ／Ｂは、２であった。
なお、図１３では、積層フィルムは、一つのコア層と、このコア層を挟むように配置される一対のクラッド層だけが図示されているが、図２のように、複数のコア層と、クラッド層とが交互に配置された構造となっている。そして、前記実施形態と同様にダイシングにより、複数の光導波路３が得られる構成となっている。
（測定例）
得られた傾斜面付き光導波路３の下部クラッド層３１側からレーザーダイオードの光を光ファイバを通して入力し、ａ−ａ’で示される傾斜面で反射させた。その後、光はコア層３２内を伝播し、ｃ−ｃ’で示される傾斜面で反射した。この反射した光をｃ’−ｄの面においてフォトダイオードで強度の測定を行い、下記式で表される総光損失を求めた。
総光損失（ｄＢ）＝−１０ｌｏｇ（Ｐ１／Ｐ０）
上式中、Ｐ１は光導波路の光出力側の端部で測定された出力であり、Ｐ０は、光ファイバーを光導波路の光入力側の端部に結合する前の光ファイバーの端部における光源の測定出力である。得られた総光損失から直線部分の損失を差し引いて、光導波路の一対の端面（傾斜面）における損失を算出した。実施例１の導波路フィルムの一対の端面（傾斜面）における損失は２ｄＢであり、良好であった。
上記の（３）にて作製した積層フィルムをダイシングフィルムに貼り付け、前記実施形態と同様の方法で、ダイシングを行った。具体的には図１３の一点鎖線で示すコア層３２中心線に対して45度になるようにダイシングソー（株式会社ディスコ製ＤＡＤ３２１、ブレード：株式会社ディスコ製ＮＢＣ−ＺＨ−２２６Ｊ：刃先が積層フィルムのフィルム面と平行となる平坦面で構成されている）で積層フィルムの両側の切断を行った（図１３の直線ａ−ａ’、ｃ−ｃ’）。なお、図１３では、クラッドフィルム材料は図示していない。コア層３２中心に対して平行になるように前記ダイシングソーを使用し、クラッド層の切断を行い（図１３の直線ａ−ｃ、ｂ−ｄ）、短冊状の光導波路３を得た。この光導波路３における導波路幅ａ−ｂ（厚みＡ）は１８０μm、コア層３２の一方の端部の厚みｈ−ｉは１００μm、コア層３２の他方の端部の厚みｊ−ｋは５０μmであった。
また、下部クラッド層３１の下面から上部クラッド層３３の上面までの高さ方向に沿った厚みＡと、当該光導波路３の高さ方向と直交するとともに前記延在方向と直交する当該光導波路の幅寸法であり、当該光導波路３のフィルム厚みに該当する寸法Ｂとの比であるＡ／Ｂは、２であった。
なお、図１３では、積層フィルムは、一つのコア層と、このコア層を挟むように配置される一対のクラッド層だけが図示されているが、図２のように、複数のコア層と、クラッド層とが交互に配置された構造となっている。そして、前記実施形態と同様にダイシングにより、複数の光導波路３が得られる構成となっている。
（測定例）
得られた傾斜面付き光導波路３の下部クラッド層３１側からレーザーダイオードの光を光ファイバを通して入力し、ａ−ａ’で示される傾斜面で反射させた。その後、光はコア層３２内を伝播し、ｃ−ｃ’で示される傾斜面で反射した。この反射した光をｃ’−ｄの面においてフォトダイオードで強度の測定を行い、下記式で表される総光損失を求めた。
総光損失（ｄＢ）＝−１０ｌｏｇ（Ｐ１／Ｐ０）
上式中、Ｐ１は光導波路の光出力側の端部で測定された出力であり、Ｐ０は、光ファイバーを光導波路の光入力側の端部に結合する前の光ファイバーの端部における光源の測定出力である。得られた総光損失から直線部分の損失を差し引いて、光導波路の一対の端面（傾斜面）における損失を算出した。実施例１の導波路フィルムの一対の端面（傾斜面）における損失は２ｄＢであり、良好であった。
（実施例２）
実施例１と同様の方法で短冊状の光導波路を得た。ただし、この光導波路における導波路幅ａ−ｂは９００μm、コア層３２の一方の端部の厚みｈ−ｉは１００μm、コア層３２の他方の端部の厚みｊ−ｋは５０μmであった。他の点は、実施例１と同じである。
また、下部クラッド層３１の下面から上部クラッド層３３の上面までの高さ方向に沿った厚みＡと、当該光導波路３の高さ方向と直交するとともに前記延在方向と直交する当該光導波路３の幅寸法であり、当該光導波路３のフィルム厚みに該当する寸法Ｂとの比であるＡ／Ｂは、１０であった。
実施例１と同様の方法で短冊状の光導波路を得た。ただし、この光導波路における導波路幅ａ−ｂは９００μm、コア層３２の一方の端部の厚みｈ−ｉは１００μm、コア層３２の他方の端部の厚みｊ−ｋは５０μmであった。他の点は、実施例１と同じである。
また、下部クラッド層３１の下面から上部クラッド層３３の上面までの高さ方向に沿った厚みＡと、当該光導波路３の高さ方向と直交するとともに前記延在方向と直交する当該光導波路３の幅寸法であり、当該光導波路３のフィルム厚みに該当する寸法Ｂとの比であるＡ／Ｂは、１０であった。
（評価）
実施例１と同様に、レーザーダイオードから発生させた光を、光ファイバを通してコア層の一端から入力し、他端からの出力を測定し、コア層の長さを数段階の長さにカットして、各長さについて光出力を測定するカットバック法でコア層の伝搬損失を測定した。実施例２の光導波路フィルムの伝搬損失は０．０７ｄＢ／ｃｍであった。
実施例１と同様に、レーザーダイオードから発生させた光を、光ファイバを通してコア層の一端から入力し、他端からの出力を測定し、コア層の長さを数段階の長さにカットして、各長さについて光出力を測定するカットバック法でコア層の伝搬損失を測定した。実施例２の光導波路フィルムの伝搬損失は０．０７ｄＢ／ｃｍであった。
（測定例）
得られた傾斜面付き光導波路３の下部クラッド層３１側からレーザーダイオードの光を光ファイバを通して入力し、ａ−ａ’で示される傾斜面で反射させた。その後、光はコア層３２内を伝播し、ｃ−ｃ’で示される傾斜面で反射した。この反射した光をｃ’−ｄの面においてフォトダイオードで強度の測定を行い、下記式で表される総光損失を求めた。
総光損失（ｄＢ）＝−１０ｌｏｇ（Ｐ１／Ｐ０）
上式中、Ｐ１は光導波路の光出力側の端部で測定された出力であり、Ｐ０は、光ファイバーを光導波路の光入力側の端部に結合する前の光ファイバーの端部における光源の測定出力である。得られた総光損失から直線部分の損失を差し引いて、光導波路の一対の端面（傾斜面）における損失を算出した。実施例１の導波路の一対の端面（傾斜面）における損失は２ｄＢであり、良好であった。
また、実施例１，２の光導波路に対し、発光素子、受光素子を配置した場合、発光素子や、受光素子等外部の素子との間において、光の伝搬を行う際に、光の伝搬損失を確実に低減させることができることがわかった。これにより、実施例１，２の光導波路は非常に優れたものであることが確認された。
得られた傾斜面付き光導波路３の下部クラッド層３１側からレーザーダイオードの光を光ファイバを通して入力し、ａ−ａ’で示される傾斜面で反射させた。その後、光はコア層３２内を伝播し、ｃ−ｃ’で示される傾斜面で反射した。この反射した光をｃ’−ｄの面においてフォトダイオードで強度の測定を行い、下記式で表される総光損失を求めた。
総光損失（ｄＢ）＝−１０ｌｏｇ（Ｐ１／Ｐ０）
上式中、Ｐ１は光導波路の光出力側の端部で測定された出力であり、Ｐ０は、光ファイバーを光導波路の光入力側の端部に結合する前の光ファイバーの端部における光源の測定出力である。得られた総光損失から直線部分の損失を差し引いて、光導波路の一対の端面（傾斜面）における損失を算出した。実施例１の導波路の一対の端面（傾斜面）における損失は２ｄＢであり、良好であった。
また、実施例１，２の光導波路に対し、発光素子、受光素子を配置した場合、発光素子や、受光素子等外部の素子との間において、光の伝搬を行う際に、光の伝搬損失を確実に低減させることができることがわかった。これにより、実施例１，２の光導波路は非常に優れたものであることが確認された。
２ 光導波路モジュール
３ 光導波路
４ 光導波路モジュール
５ 光導波路
６ 光導波路
２０ ワニス
２１ 発光素子
２２ 受光素子
２３ 支持部材
３１ 下部クラッド層
３２ コア層
３３ 上部クラッド層
３４ フィルム
４３ 支持部材
５１，５３ クラッド層
５２ コア層
６１ 下部クラッド層
６２ コア層
６３ 上部クラッド層
６４ フィルム
２３１ 底面部
２３２Ａ スリット
２３２ 側壁部
３１１ 平坦面
３４０Ａ フィルム
３４１ クラッド層
３４２ コア層
４３１ 底面部
４３２Ａ スリット
４３２Ｂ 切欠
４３２ 側壁部
５２１ 第一の領域
５２２ 第二の領域
５２３ 第三の領域
６２１ 部分
６４１ クラッド層
６４２ コア層
６４２Ａ 第一の領域
６４２Ｂ 第二の領域
Ｄ ダイシングブレード
Ｍ マスク
Ｓ 基材
３ 光導波路
４ 光導波路モジュール
５ 光導波路
６ 光導波路
２０ ワニス
２１ 発光素子
２２ 受光素子
２３ 支持部材
３１ 下部クラッド層
３２ コア層
３３ 上部クラッド層
３４ フィルム
４３ 支持部材
５１，５３ クラッド層
５２ コア層
６１ 下部クラッド層
６２ コア層
６３ 上部クラッド層
６４ フィルム
２３１ 底面部
２３２Ａ スリット
２３２ 側壁部
３１１ 平坦面
３４０Ａ フィルム
３４１ クラッド層
３４２ コア層
４３１ 底面部
４３２Ａ スリット
４３２Ｂ 切欠
４３２ 側壁部
５２１ 第一の領域
５２２ 第二の領域
５２３ 第三の領域
６２１ 部分
６４１ クラッド層
６４２ コア層
６４２Ａ 第一の領域
６４２Ｂ 第二の領域
Ｄ ダイシングブレード
Ｍ マスク
Ｓ 基材
Claims (10)
- 上部クラッド層および下部クラッド層と、
前記上部クラッド層と、前記下部クラッド層とに挟まれたコア層とを備え、所定方向に沿って延在する光導波路において、
当該光導波路は、前記上部クラッド層、前記コア層および前記下部クラッド層が形成された感光性樹脂フィルムを備え、
前記上部クラッド層、前記下部クラッド層または前記コア層は前記感光性樹脂フィルムに光を照射することによって形成されたものであり、
当該光導波路の前記延在方向と交差する一端面が、前記上部クラッド層側から前記下部クラッド層側に向かって傾斜する傾斜面とされ、
前記コア層の延在方向中心部における厚みと、前記コア層の端部のうち、前記傾斜面側の一方の端部の厚みとが異なっており、
前記上部クラッド層および前記下部クラッド層は、前記感光性樹脂フィルムのフィルム面に対して光を照射した照射領域および光が照射されていない未照射領域のうちのいずれか一方の領域であり、前記コア層は前記感光性樹脂フィルムのフィルム面に対して光を照射した照射領域および光が照射されていない未照射領域のうちのいずれか他方の領域であり、
前記上部クラッド層の光導波路延在方向に沿った側面、前記コア層の光導波路延在方向に沿った側面および前記下部クラッド層の光導波路延在方向に沿った側面が前記感光性フィルムのフィルム面を構成している光導波路。 - 請求項１に記載の光導波路において、
前記延在方向と交差する一対の端面が、前記上部クラッド層側から前記下部クラッド層側に向かって傾斜する傾斜面とされ、
前記コア層の厚みは、前記コア層の前記一方の端部側から、他方の端部側に向かって薄くなる光導波路。 - 請求項１に記載の光導波路において、
前記傾斜面は、前記上部クラッド層側から前記下部クラッド層側に向かって外側に傾斜しており、
前記コア層は、前記各クラッド層に沿って延在するとともに、前記一方の端部が前記下部クラッド層側に屈曲し、前記下部クラッド層を貫通して延在している光導波路。 - 請求項３に記載の光導波路において、
前記コア層の前記クラッド層に沿って所定の方向に延在する領域において、前記コア層の他方の端部側から、前記一方の端部側に向かって、前記コア層の厚みが厚くなる光導波路。 - 請求項３に記載の光導波路において、
前記コア層の前記一方の端部の前記各クラッド層の延在方向に沿った幅は、前記下部クラッド層上面側から下面側に向かって広くなる光導波路。 - 請求項１に記載の光導波路において、
当該光導波路はフィルム状である光導波路。 - 発光素子と、
受光素子と、
前記発光素子および前記受光素子を接続する光導波路とを備え、
前記光導波路が、請求項１乃至６のいずれかに記載の光導波路である光導波路モジュール。 - 請求項７に記載の光導波路モジュールにおいて、
前記光導波路は、支持部材により支持されて、前記光導波路の一方の端部が前記発光素子の上部に配置されるとともに、他方の端部が前記受光素子の上部に配置され、
前記支持部材には、前記光導波路を嵌め込むスリットが形成されている光導波路モジュール。 - 請求項８に記載の光導波路モジュールにおいて、
前記支持部材は、一対の対向配置された壁部を有し、この一対の壁部間に前記発光素子が設置された第一支持部材と、
一対の対向配置された壁部を有し、この一対の壁部間に前記受光素子が設置された第二支持部材とを有し、
前記第一支持部材は、前記光導波路の一方の端部を支持するとともに、前記第二支持部材は、前記光導波路の他方の端部を支持し、
前記第一支持部材の壁部のうち、前記光導波路の端部先端側に配置される一方の壁部には、前記光導波路の端部先端が当接する当接面が形成され、他方の壁部には、前記スリットが形成され、
前記第二支持部材の壁部のうち、前記光導波路の端部先端側に配置される一方の壁部には、前記光導波路の端部先端が当接する当接面が形成され、他方の壁部には、前記スリットが形成されている光導波路モジュール。 - 請求項９に記載の光導波路モジュールにおいて、
前記光導波路は、前記傾斜面が形成されている端部の先端に、前記第一支持部材の前記当接面あるいは前記第二支持部材の前記当接面に当接する平坦面が形成されている光導波路モジュール。
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