JP5870895B2 - セラミック電子部品及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、セラミック電子部品及びその製造方法に関する。

近年、積層セラミックコンデンサに代表されるセラミック電子部品は、従来に比べてより過酷な環境下で使用されるようになってきている。

例えば、携帯電話、携帯音楽プレーヤーなどのモバイル機器に用いられるセラミック電子部品に対しては、落下時の衝撃に耐え得ることが求められている。具体的には、落下衝撃を受けても、実装基板から電子部品が脱落し難く、電子部品にクラックが生じ難くする必要がある。

また、ＥＣＵなどの車載機器に用いられる電子部品に対しては、熱サイクルの衝撃に耐え得ることが求められている。具体的には、熱サイクルを受けて実装基板が熱膨張収縮することにより発生するたわみ応力を受けても、セラミック電子部品や、実装用の半田にクラックが生じ難くする必要がある。

このような要求を満足するために、従来の焼成型導電ペーストに替えて、熱硬化性導電ペーストを用いて、樹脂を含む外部電極を形成することが提案されている。例えば特許文献１には、高融点の導電粒子、各々、融点が３００℃以下である金属粉末及び樹脂を含む熱硬化性導電ペーストを用いて形成された外部電極を有するセラミック電子部品が記載されている。

ＷＯ２００４／０５３９０１ 号公報

近年、内部電極と外部電極との接合強度をさらに高めたいという要望が高まってきている。

本発明は、内部電極と外部電極との接合強度が高いセラミック電子部品を提供することを主な目的とする。

本発明に係るセラミック電子部品は、セラミック素体と、内部電極と、外部電極と、接続部とを備えている。内部電極は、セラミック素体の内部に配されている。内部電極の端部がセラミック素体の表面に引き出されている。外部電極は、セラミック素体の表面の上に、内部電極の端部を覆うように配されている。外部電極は、樹脂及び金属を含む。接続部は、外部電極内からセラミック素体内に至るように設けられている。セラミック素体の表面の外部電極が設けられた部分の、内部電極が引き出される方向における接続部の長さが２．４μｍ以上である。

本発明に係るセラミック電子部品のある特定の局面では、接続部が、外部電極に含まれる金属と同種の金属と、内部電極に含まれる同種の金属とを含む。

本発明に係るセラミック電子部品の他の特定の局面では、外部電極が、第１の金属成分と、第１の金属成分よりも融点が高い第２の金属成分とを含む。接続部が、第１の金属成分を含む。

本発明に係るセラミック電子部品の別の特定の局面では、第１の金属成分がＳｎを含む。第２の金属成分がＡｇを含む。

本発明に係るセラミック電子部品のさらに他の特定の局面では、内部電極がＮｉを含む。接続部がＳｎ−Ｎｉ合金を含む。

本発明に係るセラミック電子部品のさらに別の特定の局面では、接続部の外部電極内に位置する部分の幅が、接続部のセラミック素体内に位置する部分の幅よりも大きい。

本発明に係るセラミック電子部品の製造方法では、内部に内部電極が配されており、内部電極の端部が表面に引き出されたセラミック素体を準備する。セラミック素体の表面の上に、内部電極の端部を覆うように、樹脂、第１の金属成分を含む第１の金属フィラー、及び、第１の金属成分よりも融点が高い第２の金属成分を含む第２の金属フィラーを含む電極層を形成する。電極層を加熱し、セラミック素体の表面の上に、内部電極の端部を覆うように配されており、樹脂並びに第１及び第２の金属成分を含む外部電極と、外部電極内からセラミック素体内に至るように設けられており、第１の金属成分と内部電極に含まれていた金属とを含む接続部とを形成する。

本発明に係るセラミック電子部品の製造方法のある特定の局面では、加熱工程において、電極層を、非酸化性雰囲気下において、４８０℃以上に加熱する。

本発明に係るセラミック電子部品の製造方法の他の特定の局面では、加熱工程において、電極層を８００℃未満の温度に加熱する。

本発明に係るセラミック電子部品の製造方法の別の特定の局面では、第１の金属成分がＳｎを含む。第２の金属成分がＡｇを含む。

本発明に係るセラミック電子部品の製造方法のさらに他の特定の局面では、内部電極がＮｉを含む。

本発明によれば、内部電極と外部電極との接合強度が高いセラミック電子部品を提供することができる。

本発明の一実施形態に係るセラミック電子部品の略図的斜視図である。 本発明の一実施形態に係るセラミック電子部品の長さ方向Ｌ及び厚み方向Ｔに沿った略図的断面図である。 図２のＩＩＩ部分の略図的断面図である。 図２のＩＶ部分の略図的断面図である。 図２のＶ部分の略図的断面図である。 本発明の一実施形態におけるセラミック電子部品の製造工程を説明するための略図的断面図である。 実験例８において作製したセラミック電子部品の一部分を拡大した断面写真である。具体的には、図７は、実験例８において作製したセラミック電子部品の一部分を加速電圧１５．０ｋＶ、倍率×５０００の条件で観察した走査型電子顕微鏡写真である。

以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。

また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。

（セラミック電子部品１の構成）
図１は、本実施形態に係るセラミック電子部品の略図的斜視図である。図２は、本実施形態に係るセラミック電子部品の長さ方向Ｌ及び厚み方向Ｔに沿った略図的断面図である。図３は、図２のＩＩＩ部分の略図的断面図である。図４は、図２のＩＶ部分の略図的断面図である。図５は、図２のＶ部分の略図的断面図である。まず、図１〜図５を参照しながら、本実施形態に係るセラミック電子部品１の構成について説明する。

セラミック電子部品１は、セラミック素体１０を備えている。セラミック素体１０は、直方体状である。セラミック素体１０は、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って延びる第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂと、厚み方向Ｔ及び長さ方向Ｌに沿って延びる第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄと、厚み方向Ｔ及び幅方向Ｗに沿って延びる第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆを有する。

なお、本発明において、「直方体状」には、角部や稜線部が丸められた直方体が含まれるものとする。すなわち、「直方体状」の部材とは、第１及び第２の主面、第１及び第２の側面並びに第１及び第２の端面とを有する部材全般を意味する。また、主面、側面、端面の一部または全部に凹凸などが形成されていてもよい。

セラミック素体１０は、適宜のセラミックスからなる。セラミック素体１０を構成するセラミックスの種類は、所望するセラミック電子部品１の特性に応じて適宜選択することができる。

例えば、セラミック電子部品１が、コンデンサ（積層セラミックコンデンサ）である場合は、セラミック素体１０を誘電体セラミックスにより形成することができる。誘電体セラミックスの具体例としては、例えば、ＢａＴｉＯ_３、ＣａＴｉＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３、ＣａＺｒＯ_３、ＭｇＴｉＯ_３、ＭｇＴｉＯ_３−ＣａＴｉＯ_３、ＴｉＯ_２、ＣａＴｉＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３−Ｎｄ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２などが挙げられる。

例えば、セラミック電子部品１が、圧電部品である場合は、セラミック素体１０を圧電セラミックスにより形成することができる。圧電セラミックスの具体例としては、例えば、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）系セラミックなどが挙げられる。

例えば、セラミック電子部品１が、サーミスタである場合は、セラミック素体１０を半導体セラミックスにより形成することができる。半導体セラミックスの具体例としては、例えば、スピネル系セラミックなどが挙げられる。

例えば、セラミック電子部品１が、インダクタである場合は、セラミック素体１０を磁性体セラミックスにより形成することができる。磁性体セラミックスの具体例としては、例えば、フェライトセラミックなどが挙げられる。

図２〜図４に示されるように、セラミック素体１０の内部には、略矩形状の複数の第１及び第２の内部電極２５，２６が厚み方向Ｔに沿って等間隔に交互に配置されている。第１及び第２の内部電極２５，２６のそれぞれは、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂと平行である。第１及び第２の内部電極２５，２６は、厚み方向Ｔにおいて、セラミック層１０ｇを介して、互いに対向している。なお、セラミック層１０ｇの厚みは、例えば、０．５μｍ〜１０μｍ程度であることが好ましい。

第１及び第２の内部電極２５，２６は、端部がセラミック素体１０の表面に引き出されている。詳細には、第１の内部電極２５は、第１の端面１０ｅに露出しており、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ、第２の端面１０ｆ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄには露出していない。第２の内部電極２６は、第２の端面１０ｆに露出しており、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ、第１の端面１０ｅ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄには露出していない。詳細には、第１及び第２の内部電極２５，２６の端部は、第１または第２の端面１０ｅ、１０ｆから少しだけ後退している。

第１及び第２の内部電極２５，２６は、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属や、Ａｇ−Ｐｄ合金等の、それらの金属の少なくとも一種を含む合金などの適宜の導電材料により構成することができる。なかでも、第１及び第２の内部電極２５，２６は、Ｎｉを含むことが好ましい。具体的には、第１及び第２の内部電極２５，２６は、例えば、Ｎｉや、Ｎｉ−ＣｕなどのＮｉを含む合金により構成されていることが好ましい。

第１及び第２の内部電極２５，２６のそれぞれの厚みは、例えば、０．２μｍ〜２．０μｍ程度であることが好ましい。

セラミック素体１０の表面の上には、第１及び第２の外部電極１３，１４が配されている。具体的には、第１の外部電極１３は、第１の内部電極２５が露出した第１の端面１０ｅを覆うように配されている。第１の外部電極１３は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄに至るように設けられている。第１の外部電極１３は、第１の内部電極２５に電気的に接続されている。

第２の外部電極１４は、第２の内部電極２６が露出した第２の端面１０ｆを覆うように配されている。第２の外部電極１４は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄに至るように設けられている。第２の外部電極１４は、第２の内部電極２６に電気的に接続されている。

第１及び第２の外部電極１３，１４のそれぞれは、第１の導電層１５と第２の導電層１６とを有する。第１の導電層１５は、セラミック素体１０の表面の直上に設けられている。具体的には、第１の導電層１５は、第１または第２の端面１０ｅ、１０ｆを覆い、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄに至るように設けられている。もっとも、第１の導電層１５は、第１または第２の端面１０ｅ、１０ｆの上のみに配されていてもよい。

第１の導電層１５の厚みは、例えば、５．０μｍ〜７０．０μｍ程度であることが好ましい。

第２の導電層１６は、第１の導電層１５の上に配されている。第１の導電層１５は、第２の導電層１６により実質的に被覆されている。第２の導電層１６は、めっき膜により構成されていることが好ましい。第２の導電層１６は、単一のめっき膜により構成されていてもよいし、複数のめっき膜の積層体により構成されていてもよい。具体的には、例えば、第２の導電層１６は、第１の導電層１５の上に配されており、バリア層としても機能するＮｉめっき層と、Ｎｉめっき層の上に配されており、半田濡れ性に優れたＳｎやＡｕを含むめっき層との積層体により構成されていてもよい。第２の導電層１６を構成するめっき層１層あたりの厚みは、例えば１μｍ〜１５μｍ程度であることが好ましい。

第１の導電層１５は、第１の金属成分と、第２の金属成分と、樹脂とを含む。第１の導電層１５において、第１及び第２の金属成分は、樹脂マトリクス中に配されており、これら第１及び第２の金属成分により第１の導電層１５の導電性が確保されている。なお、第１及び第２の金属成分は合金化していてもよい。

第１の導電層１５は、樹脂を含むため、例えばめっき膜や導電性ペーストの焼成物からなる導電層よりも柔軟性に富んでいる。このため、セラミック電子部品１に物理的な衝撃や熱サイクルに起因する衝撃が加わった場合であっても、第１の導電層１５が緩衝層として機能し、セラミック電子部品１が損傷しにくく、また、セラミック電子部品１を実装している半田も損傷しにくい。

第１の導電層１５に添加する好ましい樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂が挙げられる。

硬化後の第１の導電層１５における樹脂の含有量は、４６体積％〜７７体積％であることが好ましい。

第１の金属成分の融点が相対的に低く、第２の金属成分の融点が相対的に高い。第１の金属成分の融点は、例えば５５０℃以下であることが好ましく、１８０℃〜３４０℃であることがさらに好ましい。第２の金属成分の融点は、例えば８５０℃〜１０５０℃であることが好ましい。

第１の金属成分は、例えばＳｎ、Ｉｎ、Ｂｉや、これらの金属の少なくとも一種を含む合金からなることが好ましい。なかでも、第１の金属成分は、ＳｎまたはＳｎを含む合金からなることがより好ましい。Ｓｎを含む合金の具体例としては、例えば、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ等が挙げられる。

硬化後の第１の導電層１５における第１の金属成分の含有量は、８体積％〜１８体積％であることが好ましい。

第２の金属成分は、例えばＡｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕなどの金属やこれらの金属のうちの少なくとも一種を含む合金からなることが好ましい。なかでも、第２の金属成分は、Ａｇや、Ａｇ−Ｐｄ合金などのＡｇ合金からなることがより好ましい。

硬化後の第１の導電層１５における第２の金属成分の含有量は、１９体積％〜２５体積％であることが好ましい。

外部電極１３，１４の第１の導電層１５と、内部電極２５，２６とは、接続部１８によって接続されている。接続部１８は、外部電極１３，１４内からセラミック素体１０内に至るように設けられている。セラミック素体１０の表面の外部電極１３，１４が設けられた部分（端面１０ｅ、１０ｆ）の、内部電極２５，２６が引出される方向（長さ方向）における接続部１８の長さＬは、２．４μｍ以上である。なお、接続部１８の長さＬは、９．６μｍ以下であることが好ましい。

接続部１８の外部電極１３，１４内に設けられた部分の幅Ｗ１は、接続部１８のセラミック素体１０内に設けられた部分の幅Ｗ２よりも大きい。

接続部１８は、外部電極１３，１４に含まれる金属と同種の金属と、内部電極２５，２６に含まれる金属と同種の金属とを含むことが好ましい。接続部１８は、融点が比較的低い第１の金属成分を含むことがより好ましい。例えば、第１の金属成分がＳｎを含み、内部電極２５，２６がＮｉを含む場合は、接続部１８は、Ｓｎ−Ｎｉ合金を含むことが好ましい。

（セラミック電子部品１の製造方法）
次に、セラミック電子部品１の製造方法の一例について説明する。

まず、第１及び第２の内部電極２５，２６を有するセラミック素体１０を準備する。具体的には、まず、セラミック粉末を含むセラミックペーストを、例えばスクリーン印刷法などによりシート状に塗布し、乾燥させることにより、セラミックグリーンシートを作製する。次に、セラミックグリーンシートの上に、内部電極形成用の導電ペーストを、例えばスクリーン印刷法などにより所定のパターンに塗布し、内部電極形成用導電パターンが形成されたセラミックグリーンシートと、内部電極形成用導電パターンが形成されていないセラミックグリーンシートとを用意する。なお、セラミックペーストや、内部電極形成用の導電ペーストには、例えば公知のバインダーや溶媒が含まれていてもよい。

次に、内部電極形成用導電パターンが形成されていないセラミックグリーンシートを所定枚数積層し、その上に、内部電極形成用導電パターンが形成されたセラミックグリーンシートを順次積層し、さらに、内部電極形成用導電パターンが形成されていないセラミックグリーンシートを所定枚数積層することにより、マザー積層体を作製する。必要に応じて、静水圧プレスなどの手段により、マザー積層体を積層方向にプレスしてもよい。

次に、マザー積層体を所定の形状寸法にカットし、生のセラミック素体を複数作製する。なお、生のセラミック素体に対してバレル研磨等を施し、稜線部や角部を丸めてもよい。

次に、生のセラミック素体を焼成することにより、内部に第１及び第２の内部電極２５，２６が配されており、第１及び第２の内部電極２５，２６の端部が第１または第２の端面１０ｅ、１０ｆに引き出されたセラミック素体１０を完成させる。なお、生のセラミック素体の焼成温度は、用いたセラミック材料や導電材料に応じて適宜設定することができる。生のセラミック素体の焼成温度は、例えば、９００℃〜１３００℃程度とすることができる。

次に、熱硬化性樹脂などの樹脂１７ｃと、第１の金属成分を含む第１の金属フィラー１７ａと、第１の金属成分よりも融点が高い第２の金属成分を含む第２の金属フィラー１７ｂとを含む外部電極形成用のペーストを用意する。

このペーストにおいて、第１の金属フィラー１７ａ、第２の金属フィラー１７ｂ及び樹脂１７ｃの合計重量に対する第１の金属フィラー１７ａの含有量は、２０重量％〜４０重量％であることが好ましく、２２．０重量％〜３７．２重量％であることがより好ましい。第１の金属フィラー１７ａの含有量が少なすぎると、接続部１８の形成が不十分となる場合がある。第１の金属フィラー１７ａの含有量が多すぎると、外部電極１３，１４に残存する、第２の金属フィラー１７ｂと未反応の第１の金属フィラー１７ａが多くなり、例えばリフロー時に加わる熱等により外部電極１３，１４が変形してしまう場合がある。

なお、第１の金属フィラー１７ａの形状は、特に限定されない。第１の金属フィラー１７ａは、球状、扁平状等であってもよい。

第１の金属フィラー１７ａの平均粒子径は、特に限定されない。第１の金属フィラー１７ａの平均粒子径は、例えば、１．０〜１０μｍ程度であってもよい。

このペーストにおいて、第１の金属フィラー１７ａ、第２の金属フィラー１７ｂ及び樹脂１７ｃの合計重量に対する第２の金属フィラー１７ｂの含有量は、３０重量％〜７０重量％であることが好ましく、４１．２重量％〜６４重量％であることがより好ましい。第２の金属フィラー１７ｂの含有量が少なすぎると、外部電極１３，１４の導電率が低下し、セラミック電子部品１の等価直列抵抗（ＥＳＲ）が高くなる場合がある。第２の金属フィラー１７ｂの含有量が多すぎると、外部電極１３，１４における樹脂１７ｃの含有量が少なくなりすぎ、外部電極１３，１４の応力緩和効果が低くなりすぎる場合がある。

なお、第２の金属フィラー１７ｂの形状は、特に限定されない。第２の金属フィラー１７ｂは、球状、扁平状等であってもよい。

第２の金属フィラー１７ｂの平均粒子径は、特に限定されない。第２の金属フィラー１７ｂの平均粒子径は、例えば、０．５〜５．０μｍ程度であってもよい。

このペーストにおいて、第１の金属フィラー１７ａ、第２の金属フィラー１７ｂ及び樹脂１７ｃの合計重量に対する樹脂１７ｃの含有量は、５重量％〜４０重量％であることが好ましく、９．８重量％〜３１．５重量％であることがより好ましい。樹脂１７ｃの含有量が少なすぎると、外部電極１３，１４の応力緩和効果が低くなりすぎ、外部から応力が加わった際に外部電極１３，１４で十分に衝撃が吸収されなくなる場合がある。樹脂１７ｃの含有量が多すぎると、外部電極１３，１４の導電率が低下し、セラミック電子部品１の等価直列抵抗（ＥＳＲ）が高くなる場合がある。

次に、図６に示すように、上記ペーストをセラミック素体１０の表面上に塗布することにより、電極層１７を形成する。なお、ペーストの塗布は、例えば、各種印刷法やディップ法等により行うことができる。

次に、電極層１７を加熱する。電極層１７の加熱温度は、第１の金属成分と第２の金属成分との合金における結晶状態が熱力学的に変化する温度（第１の金属成分の電極層１７外部への拡散が促進される温度域）以上であることが好ましい。電極層１７の加熱温度は、例えば、４８０℃以上であることが好ましい。電極層１７の加熱は、還元性雰囲気または窒素ガス雰囲気等の中性雰囲気などの非酸化性雰囲気下で行うことが好ましい。電極層１７の加熱は、酸素濃度が１００ｐｐｍ以下の雰囲気下で行うことが好ましい。このような高温に電極層１７を加熱することにより、セラミック素体１０の表面の上に、内部電極２５，２６の端部を覆うように配されており、樹脂並びに第１及び第２の金属成分を含む外部電極１３，１４と、外部電極１３，１４内からセラミック素体１０内に至るように設けられており、第１金属成分及び内部電極に含まれていた金属とを含む接続部１８を形成する。

なお、電極層１７の加熱温度が高すぎると、樹脂１７ｃを含む第１の導電層１５が好適に形成されなくなる場合がある。このため、電極層１７の加熱温度は、８００℃未満であることが好ましく、６５０℃以下であることがより好ましい。

最後に、めっき法等により、第２の導電層１６を形成することにより、セラミック電子部品１を完成させることができる。

以上説明したように、本実施形態では、外部電極１３，１４に樹脂１７ｃが含まれるため、セラミック電子部品１は、耐衝撃性や熱サイクル耐性に優れている。しかも、接続部１８の長さＬが２．４μｍ以上とされている。このため、内部電極２５，２６と外部電極１３，１４との高い接合強度が実現されている。

内部電極２５，２６と外部電極１３，１４との接合強度をさらに高める観点からは、接続部１８が外部電極１３，１４に含まれる金属と同種の金属と、内部電極２５，２６に含まれる金属と同種の金属とを含むことが好ましく、第１の金属成分と、内部電極２５，２６に含まれる金属と同種の金属とを含むことがより好ましい。

以下、本発明について、具体的な実験例に基づいて、さらに詳細に説明するが、本発明は以下の実験例に何ら限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。

（実験例）
上記実施形態に係るセラミック電子部品１と同様の構成を有するセラミック電子部品を以下の条件で各条件につき、５０００個ずつ作製した。その後、以下の条件で外部電極と内部電極との間の絶縁抵抗を測定した。その結果、絶縁抵抗が１００ＭΩ以下のサンプルを不良として、不良サンプルの数をカウントした。結果を下記の表１に示す。なお、この実験では、内部電極と外部電極との接合強度の指標として絶縁抵抗を用いた。これは、内部電極と外部電極の接合強度が低い、すなわち内部電極と外部電極との間の接触抵抗が高い場合、コンデンサの充電速度が低下する現象を利用したものである。わずかな時間でコンデンサに充電を行った場合、接触抵抗が低い試料では充電が完了して電流が流れなくなるため、抵抗値が高く測定されるのに対し、接触抵抗が高い試料では充電が完了せず電流が流れ続けているため、抵抗値が低く測定される。

また、接続部の長さについては、以下の通り測定した。まず、各試料群からそれぞれ３個ずつ試料を取り出し、図２に示したようなＬＴ断面が露出するように、Ｗ方向１／２程度まで各試料を研磨した。次に、ＬＴ断面を電子顕微鏡で観察し、一方の外部電極でみて、Ｔ方向１／２程度に位置する任意の３つの接続部の長さを測定した。このように、各試料群について９個の測定値を求め、この平均値を接続部の長さとした。結果を下記の表１に示す。なお、一方の外部電極について測定したのは、一対の外部電極が対称に形成されているため接続部の形成状態に大きな違いはないと推定されるためであり、Ｔ方向１／２程度に位置する任意の３つの接続部について測定したのは、Ｔ方向に沿って接続部の長さに大きな違いはないと推定されるためである。

また、図７に、実験例８において作製したセラミック電子部品の一部分を拡大した断面写真を示す。

セラミック素体１０の寸法：１．０ｍｍ×０．５ｍｍ×０．５ｍｍ
セラミック材料：ＢａＴｉＯ_３
セラミック層１０ｇの厚み：１．９０μｍ
内部電極２５，２６の材料：Ｎｉ
内部電極２５，２６の厚み：０．６１μｍ
内部電極２５，２６の枚数：１５６枚
最も外側の内部電極から主面までの距離（片側外層の厚み）：６０μｍ
樹脂１７ｃ：熱硬化性のエポキシ樹脂
第１の導電性フィラーの材料：Ｓｎ
第２の導電性フィラーの材料：Ａｇ
第１の導電性フィラーと第２の導電性フィラーと樹脂１７ｃの合計量における第１の導電性フィラーの含有量：２５．６重量％
第１の導電性フィラーと第２の導電性フィラーと樹脂１７ｃの合計量における第２の導電性フィラーの含有量：６０重量％
第１の導電性フィラーと第２の導電性フィラーと樹脂１７ｃの合計量における樹脂１７ｃの含有量：１４．４重量％
熱処理雰囲気：窒素ガス雰囲気
熱処理時間：表１に示す通り。
熱処理温度：表１に示す通り。
第２の導電層１６：Ｎｉめっき層とＳｎめっき層との積層体（Ｓｎめっき層が最外層を構成）

（絶縁抵抗測定条件）
充電電圧：２．５Ｖ
充電時間：３０ｍ秒
放電時間：３ｍ秒

表１に示す結果から、接続部の長さが１．８μｍである実験例１では不良数が多くなっていることが分かる。また、接続部の長さが１１．２μｍである実験例１５でも不良数が多くなっていることが分かる。ただし、実験例１５については、接続部が成長しすぎた結果、接続部が第１の導電層を持ち上げてしまうことに起因する接触不良が生じているものと推測され、実験例１とはモードが異なると考えられる。なお、表１に示す実験例とは別に、熱処理温度を８００℃とする実験を行ったが、その場合は、樹脂１７ｃが飛散してしまい、外部電極に実質的に樹脂１７ｃが含まれなくなった。

１…セラミック電子部品
１０…セラミック素体
１０ａ、１０ｂ…主面
１０ｃ、１０ｄ…側面
１０ｅ、１０ｆ…端面
１０ｇ…セラミック層
１３…第１の外部電極
１４…第２の外部電極
１５…第１の導電層
１６…第２の導電層
１７…電極層
１７ａ…第１の金属フィラー
１７ｂ…第２の金属フィラー
１７ｃ…樹脂
１８…接続部
２５…第１の内部電極
２６…第２の内部電極

Claims (8)

1. セラミック素体と、
   前記セラミック素体の内部に配されており、端部が前記セラミック素体の表面に向かって引き出されている内部電極と、
   前記セラミック素体の表面の上に、前記内部電極の端部を覆うように配されており、樹脂及び金属を含む外部電極と、
   前記外部電極内から前記セラミック素体内に至るように設けられている接続部と、
   を備え、
   前記外部電極は、熱硬化性樹脂と、第１の金属成分と、前記第１の金属成分よりも融点が高い第２の金属成分とを含み、
   前記接続部は、前記内部電極に含まれる金属と前記第１の金属成分との合金を含み、前記セラミック素体の内部電極が引き出されている表面の内側から外側に延びており、前記内側の部分よりもセラミック素体の前記表面より外側の部分の幅が広くなっており、
   前記セラミック素体の表面の前記外部電極が設けられた部分の、前記内部電極が引き出される方向における前記接続部の長さが２．４μｍ以上であり、
   前記外部電極は、前記接続部の外側に配されており、前記第１及び第２の金属成分と前記熱硬化性樹脂とを含む導電層と、
   前記第１の金属成分と、前記第２の金属成分との合金を含む第２の部分と、を有し、第２の部分が前記セラミック素体の前記表面上の前記接続部間に位置している、セラミック電子部品。
2. 前記第１の金属成分がＳｎを含み、
   前記第２の金属成分がＡｇを含む、請求項１に記載のセラミック電子部品。
3. 前記内部電極がＮｉを含み、
   前記接続部がＳｎ−Ｎｉ合金を含む、請求項２に記載のセラミック電子部品。
4. 内部に内部電極が配されており、前記内部電極の端部が表面に向かって引き出されたセラミック素体を準備する工程と、
   前記セラミック素体の表面の上に、前記内部電極の端部を覆うように、熱硬化性樹脂、第１の金属成分を含む第１の金属フィラー、及び、前記第１の金属成分よりも融点が高い第２の金属成分を含む第２の金属フィラーを含む電極層を形成する工程と、
   前記セラミック素体の表面の上に、前記内部電極の端部を覆うように配されており、前記熱硬化性樹脂並びに前記第１及び第２の金属成分を含む外部電極と、前記第１の金属成分との合金とを含み、前記内部電極の端部が引き出されている前記セラミック素体の前記表面の内側から外側に延び、前記セラミック素体の前記表面の内側に位置している部分よりも外側に位置している部分の幅が広がっている接続部とを形成するように、かつ前記第１の金属成分と、前記第２の金属成分との合金を含む第２の部分が、前記接続部間に位置するように前記電極層を加熱する、セラミック電子部品の製造方法。
5. 前記加熱工程において、前記電極層を、非酸化性雰囲気下において、４８０℃以上に加熱する、請求項４に記載のセラミック電子部品の製造方法。
6. 前記加熱工程において、前記電極層を８００℃未満の温度に加熱する、請求項５に記載のセラミック電子部品の製造方法。
7. 前記第１の金属成分がＳｎを含み、
   前記第２の金属成分がＡｇを含む、請求項４に記載のセラミック電子部品の製造方法。
8. 前記内部電極がＮｉを含む、請求項４に記載のセラミック電子部品の製造方法。