JP5930263B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
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Description
前記遮光部材の縁面の、前記レンズの光軸方向に対してなす角度は、45°以上とされるようにすることができる。
前記レンズと前記固体撮像素子との間の光路上に配置される光学フィルタをさらに設け、前記遮光部材は、前記光学フィルタの前記固体撮像素子側の面に貼りつけられるようにすることができる。
本技術の第2の側面の固体撮像装置は、レンズにより取り込まれた光を光電変換する固体撮像素子と、前記レンズから固体撮像素子に入射する光の一部を遮光する遮光部材とを備え、前記遮光部材は、開口部を有し、前記遮光部材は、前記開口部の縁部から所定の範囲が、前記固体撮像素子側に所定の角度で折り曲げられており、前記レンズの有効径R、前記遮光部材の開口径L、前記レンズと前記遮光部材との距離H、前記遮光部材に対する曲げ部の角度γ、および、前記遮光部材の縁面の、前記レンズの光軸方向に対してなす角度θMは、γ≦[90°−arctan{(R−L)/2H}]/2、およびarctan{(R+L)/2H}≦θMを満たす。
本技術の第2の側面においては、遮光部材の開口部の縁部から所定の範囲が、固体撮像素子側に所定の角度で折り曲げられており、レンズの有効径R、遮光部材の開口径L、レンズと遮光部材との距離H、遮光部材に対する曲げ部の角度γ、および、遮光部材の縁面の、レンズの光軸方向に対してなす角度θMは、γ≦[90°−arctan{(R−L)/2H}]/2、およびarctan{(R+L)/2H}≦θMを満たす。
1.ワイヤボンディング構造の固体撮像装置
2.フリップチップ構造の固体撮像装置
3.キャビティレス化を図った固体撮像装置の例
4.金型による遮光部材の形成の例
[固体撮像装置の外観構成]
図2は、本技術を適用した固体撮像装置の一実施の形態の構成を示す図である。
ここで、図3乃至5を参照して、イメージセンサ10に対する遮光部材13の位置と、遮光部材13の開口部の縁面につけられる角度について説明する。なお、以下においては、遮光部材13の開口部の縁面を、適宜、単に、遮光部材13の縁面ということとする。
θL=arctan[tanθU+{(D−2σ)/G}] ・・・(1)
θM>arctan[tanθU+{(D−2σ)/G}] ・・・(2)
なお、以上においては、遮光部材13は、黒色に着色されたフィルムから形成されるものとしたが、他の材料から形成することもできる。
ここで、図6のフローチャートを参照して、印刷による遮光部材13の形成処理について説明する。
[従来のフリップチップ構造の固体撮像装置]
図8は、従来のフリップチップ構造の固体撮像装置の構成を示す図である。
図9は、本技術を適用したフリップチップ構造の固体撮像装置の一実施の形態の構成を示す図である。なお、図9は、図8の固体撮像装置において点線の四角枠で囲まれた部分に対応する部分の構成のみを示しており、図9の固体撮像装置において、図8の固体撮像装置と対応する部分については、同一の符号を付している。
[キャビティレス化されたワイヤボンディング構造の固体撮像装置]
図11は、キャビティレス化を図ったワイヤボンディング構造の固体撮像装置の構成を示す図である。なお、図11の固体撮像装置において、図3等の固体撮像装置と対応する部分においては、同一の符号を付している。
図13は、キャビティレス化を図ったフリップチップ構造の固体撮像装置の構成を示す図である。なお、図13の固体撮像装置において、図8または図9の固体撮像装置と対応する部分においては、同一の符号を付している。
上述したように、金型により大きな縁面角度を有する遮光部材を形成するのは困難であるので、遮光部材の開口部の縁部から所定の範囲を、イメージセンサ側に所定の角度で折り曲げることで、縁面角度を大きくする。
図15は、遮光部材の開口部の縁部から所定の範囲を、イメージセンサ側に所定の角度で折り曲げるようにした固体撮像装置の断面図である。
∠AOP≦(90°−θU)/2 ・・・(3)
∠QOP≦(90°−θU)/2+θU=(90°+θU)/2・・・(4)
γ≦[90°−arctan{(R−L)/2H}]/2 ・・・(5)
arctan{(R+L)/2H}≦θM ・・・(6)
次に、図19乃至図24を参照して、金型加工による、上述した遮光部材502の形成処理について説明する。図19は、金型加工による遮光部材形成処理について説明するフローチャートであり、図20乃至図24は、遮光部材形成処理において加工される遮光部材502等の断面図である。
Claims (22)
- レンズにより取り込まれた光を光電変換する固体撮像素子と、
前記レンズから固体撮像素子に入射する光の一部を遮光する遮光部材と、
前記レンズと前記固体撮像素子との間の光路上に配置される光学フィルタと、
前記固体撮像素子の受光面を除く周縁部に配置されるボンディングパッドと
を備え、
前記遮光部材の縁面の、レンズの光軸方向に対してなす角度θM、上光線の入射角θU、受光面の端部と前記ボンディングパッドとの距離D、前記遮光部材の設計上の位置からの最大誤差σ、および前記光学フィルタと前記固体撮像装置とのギャップ長Gは、
θM>arctan[tanθU+{(D−2σ)/G}]
を満たす
固体撮像装置。 - 前記固体撮像素子の受光面は、開口部を有する基板の前記開口部から入射される光を受光し、
前記開口部の縁面は、前記遮光部材の縁面の仮想延長面と交わらない
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記固体撮像素子の受光面上の空隙を封止する封止部材をさらに備え、
前記遮光部材は、前記封止部材の前記レンズ側の面または前記固体撮像素子側の面に設けられる
請求項2に記載の固体撮像装置。 - 前記封止部材の側面は、前記遮光部材の縁面の仮想延長面と交わらない
請求項3に記載の固体撮像装置。 - 前記遮光部材は、光路上に配置される光学フィルタに1回または複数回、印刷材料が印刷されてなる部材である
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記遮光部材の縁面の、前記レンズの光軸方向に対してなす角度は、45°以上とされる
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記遮光部材は、反射防止膜により形成される
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記遮光部材は、黒色に着色されてなる
請求項7に記載の固体撮像装置。 - 前記遮光部材は、UV硬化性または熱硬化性を有する
請求項8に記載の固体撮像装置。 - 前記遮光部材は、カーボンフィラー、染料で黒色化したエポキシ樹脂、アクリル樹脂、またはエポキシ−アクリル混合型の樹脂により形成される
請求項9に記載の固体撮像装置。 - 前記遮光部材は、前記光学フィルタの前記固体撮像素子側の面に貼りつけられる
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記光学フィルタは、IRCF(Infrared Ray Cut Filter)である
請求項11に記載の固体撮像装置。 - 前記封止部材は、光を透過する透明な材料により形成される
請求項3に記載の固体撮像装置。 - 前記封止部材は、ガラスおよび樹脂の少なくともいずれかにより形成される
請求項13に記載の固体撮像装置。 - レンズにより取り込まれた光を光電変換する固体撮像素子と、
前記レンズから固体撮像素子に入射する光の一部を遮光する遮光部材と
を備え、
前記遮光部材は、開口部を有し、
前記遮光部材の前記開口部の縁部から所定の範囲が、前記固体撮像素子側に所定の角度で折り曲げられており、
前記レンズの有効径R、前記遮光部材の開口径L、前記レンズと前記遮光部材との距離H、前記遮光部材に対する曲げ部の角度γ、前記遮光部材の縁面の、前記レンズの光軸方向に対してなす角度θMは、
γ≦[90°−arctan{(R−L)/2H}]/2、および
arctan{(R+L)/2H}≦θM
を満たす
固体撮像装置。 - 前記固体撮像素子の受光面は、開口部を有する基板の前記開口部から入射される光を受光し、
前記開口部の縁面は、前記遮光部材の縁面の仮想延長面と交わらない
請求項15に記載の固体撮像装置。 - 前記固体撮像素子の受光面上の空隙を封止する封止部材をさらに備え、
前記遮光部材は、前記封止部材の前記レンズ側の面または前記固体撮像素子側の面に設けられる
請求項16に記載の固体撮像装置。 - 前記封止部材の側面は、前記遮光部材の縁面の仮想延長面と交わらない
請求項17に記載の固体撮像装置。 - 前記遮光部材の縁面の、前記レンズの光軸方向に対してなす角度は、45°以上とされる
請求項15に記載の固体撮像装置。 - 前記遮光部材は、反射防止膜により形成される
請求項15に記載の固体撮像装置。 - 前記封止部材は、光を透過する透明な材料により形成される
請求項17に記載の固体撮像装置。 - 前記封止部材は、少なくともガラスおよび樹脂のいずれかにより形成される
請求項17に記載の固体撮像装置。
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| KR101849223B1 (ko) * | 2012-01-17 | 2018-04-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
| KR101762756B1 (ko) * | 2012-12-03 | 2017-07-28 | 후지필름 가부시키가이샤 | Ir 컷 필터 및 그 제조 방법, 고체 촬상 장치, 차광막의 형성 방법 |
| CN104854699B (zh) | 2012-12-03 | 2017-09-01 | 富士胶片株式会社 | 固体摄影元件用保持基板及其制造方法、固体摄影装置 |
| JP2014116358A (ja) * | 2012-12-06 | 2014-06-26 | Sony Corp | 半導体装置および電子機器 |
| WO2014148291A1 (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-25 | コニカミノルタ株式会社 | レンズアレイユニット、撮像装置、レンズアレイユニットの製造方法、及び撮像装置の製造方法 |
| KR101630009B1 (ko) * | 2013-03-29 | 2016-06-13 | 삼성전기주식회사 | 카메라 모듈 |
| WO2014175460A1 (ja) * | 2013-04-26 | 2014-10-30 | 京セラ株式会社 | 電子素子実装用基板および電子装置 |
| JP6098333B2 (ja) * | 2013-04-30 | 2017-03-22 | 株式会社ニコン | 撮像ユニットおよび撮像装置 |
| EP2814064B1 (en) * | 2013-06-10 | 2020-11-25 | Nxp B.V. | Integrated sensor chip package with directional light sensor, apparatus including such a package and method of manufacturing such an integrated sensor chip package |
| JP2015019143A (ja) | 2013-07-09 | 2015-01-29 | ソニー株式会社 | 撮像装置、およびカメラシステム |
| US9608020B2 (en) * | 2013-10-23 | 2017-03-28 | Kyocera Corporation | Imaging element mounting substrate and imaging device |
| JP2015099262A (ja) * | 2013-11-19 | 2015-05-28 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびカメラモジュール、並びに電子機器 |
| CN204651317U (zh) * | 2014-06-10 | 2015-09-16 | 意法半导体(格勒诺布尔2)公司 | 包括光学传感器芯片的电子设备 |
| CN112904642B (zh) | 2014-12-29 | 2023-04-07 | Lg伊诺特有限公司 | 透镜移动装置 |
| CN107615477B (zh) * | 2015-06-18 | 2021-12-28 | 京瓷株式会社 | 电子元件安装用基板以及电子装置 |
| WO2017061296A1 (ja) * | 2015-10-09 | 2017-04-13 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子パッケージおよび製造方法、並びに電子機器 |
| CN105244360B (zh) * | 2015-10-29 | 2019-02-26 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 感光芯片封装结构及其封装方法 |
| WO2017169889A1 (ja) | 2016-03-31 | 2017-10-05 | ソニー株式会社 | カメラモジュール、およびカメラモジュールの製造方法、撮像装置、および電子機器 |
| JP6835485B2 (ja) * | 2016-05-31 | 2021-02-24 | 東芝テック株式会社 | スキャナ装置 |
| US10451863B2 (en) * | 2016-08-05 | 2019-10-22 | Verily Life Sciences Llc | Interposer for integration of multiple image sensors |
| CN109891870B (zh) * | 2016-08-12 | 2021-05-04 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 基于一体封装工艺的摄像模组和阵列摄像模组 |
| TWI600928B (zh) * | 2016-09-30 | 2017-10-01 | 光寶電子(廣州)有限公司 | 濾光片總成及具有該濾光片總成的相機模組 |
| CN106534652A (zh) * | 2016-12-26 | 2017-03-22 | 努比亚技术有限公司 | 一种镜头模组、镜头以及终端 |
| JP2018125672A (ja) * | 2017-01-31 | 2018-08-09 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 電子部品、カメラモジュール及び電子部品の製造方法 |
| CN206920792U (zh) * | 2017-04-15 | 2018-01-23 | 瑞声科技(新加坡)有限公司 | 镜头模组 |
| CN206671650U (zh) * | 2017-04-15 | 2017-11-24 | 瑞声科技(新加坡)有限公司 | 一种成像镜头 |
| KR102350605B1 (ko) * | 2017-04-17 | 2022-01-14 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
| JP2018200423A (ja) | 2017-05-29 | 2018-12-20 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置、および電子機器 |
| JP2018200980A (ja) | 2017-05-29 | 2018-12-20 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置および固体撮像素子、並びに電子機器 |
| JP2019040892A (ja) * | 2017-08-22 | 2019-03-14 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置、カメラモジュール、及び、電子機器 |
| JP7079258B2 (ja) | 2017-08-29 | 2022-06-01 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置、および、撮像装置の製造方法 |
| CN109510925A (zh) * | 2017-09-15 | 2019-03-22 | 南昌欧菲光电技术有限公司 | 摄像模组 |
| CN113485054B (zh) * | 2017-09-28 | 2022-12-06 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 减少杂散光的摄像模组及其感光组件 |
| TWI706180B (zh) * | 2017-09-28 | 2020-10-01 | 大陸商寧波舜宇光電信息有限公司 | 減少雜散光的攝像模組及其感光組件和電子設備 |
| CN109585464B (zh) * | 2017-09-28 | 2024-10-15 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 摄像模组及其感光组件和制造方法 |
| CN109870751A (zh) * | 2017-12-05 | 2019-06-11 | 三赢科技(深圳)有限公司 | 挡光元件、挡光元件的制作方法及镜头模组 |
| CN108364970A (zh) * | 2018-04-20 | 2018-08-03 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 一种影像传感芯片的封装结构及其封装方法 |
| CN108447882A (zh) * | 2018-04-20 | 2018-08-24 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 一种影像传感芯片的封装结构及其封装方法 |
| WO2020038139A1 (zh) | 2018-08-21 | 2020-02-27 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 摄像模组和模塑感光组件及其制造方法以及电子设备 |
| JP2020036216A (ja) * | 2018-08-30 | 2020-03-05 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法 |
| CN109273474B (zh) * | 2018-10-22 | 2024-05-10 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 一种感光芯片封装结构及其封装方法 |
| US11453366B2 (en) * | 2018-11-06 | 2022-09-27 | Motherson Innovations Company Limited | Heatable device for use with a vehicle-mounted image acquisition unit |
| US10872915B2 (en) * | 2019-01-22 | 2020-12-22 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Optical package structure and method for manufacturing the same |
| WO2020166194A1 (ja) * | 2019-02-15 | 2020-08-20 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
| KR20230157536A (ko) * | 2019-03-08 | 2023-11-16 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 접속 구조체의 제조 방법, 및 접속 구조체, 그리고 필름 구조체, 및 필름 구조체의 제조 방법 |
| US11444111B2 (en) | 2019-03-28 | 2022-09-13 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensor package having a light blocking member |
| TWI737978B (zh) | 2019-03-29 | 2021-09-01 | 大立光電股份有限公司 | 成像鏡頭模組及電子裝置 |
| CN111751954A (zh) * | 2019-03-29 | 2020-10-09 | 三营超精密光电(晋城)有限公司 | 镜头模组及具有该镜头模组的电子装置 |
| TWI696857B (zh) | 2019-04-29 | 2020-06-21 | 大立光電股份有限公司 | 含有塑膠鏡筒的成像鏡頭模組及電子裝置 |
| CN111863843B (zh) * | 2019-04-30 | 2024-03-01 | 同欣电子工业股份有限公司 | 感测器封装结构及其感测模块 |
| TWI704404B (zh) | 2019-05-15 | 2020-09-11 | 大陽科技股份有限公司 | 相機模組與電子裝置 |
| KR102185047B1 (ko) | 2019-05-20 | 2020-12-01 | 삼성전기주식회사 | 카메라 모듈 |
| EP3993023A4 (en) * | 2019-06-28 | 2022-09-14 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | SEMICONDUCTOR HOUSING AND ELECTRONIC DEVICE |
| CN110429094A (zh) * | 2019-08-09 | 2019-11-08 | 德淮半导体有限公司 | 一种摄像头模组封装结构及其制作方法 |
| DE102019212544A1 (de) * | 2019-08-22 | 2021-02-25 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Kameramodul und Kraftfahrzeug |
| TWI707188B (zh) | 2019-09-18 | 2020-10-11 | 大立光電股份有限公司 | 相機模組與電子裝置 |
| KR102460593B1 (ko) * | 2019-12-27 | 2022-10-28 | 주식회사 센소허브 | 내방사선 특성을 갖는 이미지 센서 패키지 |
| US11710945B2 (en) | 2020-05-25 | 2023-07-25 | Apple Inc. | Projection of patterned and flood illumination |
| US11699715B1 (en) * | 2020-09-06 | 2023-07-11 | Apple Inc. | Flip-chip mounting of optoelectronic chips |
| CN112415645A (zh) * | 2020-11-20 | 2021-02-26 | 广州市佳禾光电科技有限公司 | 滤光片及摄像头组件 |
| JP2021064422A (ja) * | 2021-02-01 | 2021-04-22 | 東芝テック株式会社 | スキャナ装置 |
| TWI753795B (zh) | 2021-02-09 | 2022-01-21 | 大立光電股份有限公司 | 成像鏡頭、相機模組與電子裝置 |
| US20240206322A1 (en) * | 2021-03-29 | 2024-06-20 | Kaneka Corporation | Optical semiconductor device, method for manufacturing same, solid-state imaging device, and electronic device |
| TWI777499B (zh) | 2021-04-16 | 2022-09-11 | 大立光電股份有限公司 | 成像鏡頭模組、成像鏡頭驅動模組、相機模組與電子裝置 |
| KR20230041498A (ko) * | 2021-09-17 | 2023-03-24 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 패키지 및 이를 포함하는 시스템 |
| TWI782857B (zh) * | 2022-01-18 | 2022-11-01 | 勝麗國際股份有限公司 | 感測器封裝結構 |
| JP7708691B2 (ja) * | 2022-02-28 | 2025-07-15 | 京セラ株式会社 | 光学部品収容用パッケージ、光学装置及び光学モジュール |
| JPWO2023190837A1 (ja) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | ||
| US12313812B2 (en) | 2022-09-20 | 2025-05-27 | Apple Inc. | MOE-based illumination projector |
| TWI859696B (zh) * | 2023-01-11 | 2024-10-21 | 同欣電子工業股份有限公司 | 晶片封裝結構 |
| US12123589B1 (en) | 2023-05-22 | 2024-10-22 | Apple Inc. | Flood projector with microlens array |
Family Cites Families (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0239465A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-08 | Nec Corp | 二次元ccd |
| JP2684861B2 (ja) | 1991-03-01 | 1997-12-03 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置 |
| JPH0538916U (ja) * | 1991-10-25 | 1993-05-25 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
| JPH0677448A (ja) * | 1992-08-25 | 1994-03-18 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
| JPH0888339A (ja) * | 1994-09-16 | 1996-04-02 | Fuji Film Micro Device Kk | 固体撮像素子 |
| JP5140895B2 (ja) * | 2000-01-21 | 2013-02-13 | 株式会社ニコン | 固体撮像装置 |
| JP3880278B2 (ja) * | 2000-03-10 | 2007-02-14 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP2002261260A (ja) | 2001-02-28 | 2002-09-13 | Nikon Corp | 固体撮像装置 |
| JP2004214495A (ja) | 2003-01-07 | 2004-07-29 | Innotech Corp | トランジスタとそれを用いた半導体メモリ、および半導体メモリの製造方法 |
| JP4306265B2 (ja) * | 2003-02-04 | 2009-07-29 | 株式会社ニコン | 固体撮像装置 |
| JP4485151B2 (ja) * | 2003-05-30 | 2010-06-16 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置の製造方法および固体撮像装置。 |
| JP2005352314A (ja) * | 2004-06-11 | 2005-12-22 | Canon Inc | 撮像装置および電子機器 |
| JP4365743B2 (ja) * | 2004-07-27 | 2009-11-18 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 撮像装置 |
| JP2006222249A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Canon Inc | 固体撮像素子パッケージ |
| JP2006303589A (ja) | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Ricoh Co Ltd | 画像読取ユニット、画像読取装置および画像形成装置 |
| JP4950542B2 (ja) * | 2006-04-07 | 2012-06-13 | 岩手東芝エレクトロニクス株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP4924941B2 (ja) * | 2006-10-13 | 2012-04-25 | Nltテクノロジー株式会社 | 光学素子、照明光学装置、表示装置および電子機器。 |
| JP2008148222A (ja) * | 2006-12-13 | 2008-06-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置とその製造方法 |
| JP2008193441A (ja) * | 2007-02-06 | 2008-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学デバイス及びその製造方法 |
| JP2008263550A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| CN100546026C (zh) * | 2007-04-29 | 2009-09-30 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 影像摄取装置 |
| JP2009111334A (ja) * | 2007-10-12 | 2009-05-21 | Panasonic Corp | 光学デバイスおよびその製造方法、並びに半導体デバイス |
| US8120128B2 (en) * | 2007-10-12 | 2012-02-21 | Panasonic Corporation | Optical device |
| JP4543072B2 (ja) | 2007-10-24 | 2010-09-15 | シャープ株式会社 | ケース部材、センサモジュールおよび電子情報機器 |
| US20090321861A1 (en) * | 2008-06-26 | 2009-12-31 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic imagers with stacked lens assemblies and processes for wafer-level packaging of microelectronic imagers |
| JP2010040672A (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| KR100982270B1 (ko) * | 2008-08-08 | 2010-09-15 | 삼성전기주식회사 | 카메라 모듈 및 이의 제조 방법 |
| JP2010161140A (ja) * | 2009-01-07 | 2010-07-22 | Panasonic Corp | 固体撮像装置 |
| JP2011054925A (ja) * | 2009-01-14 | 2011-03-17 | Panasonic Corp | 光学デバイス、固体撮像装置、及び方法 |
| KR101776955B1 (ko) * | 2009-02-10 | 2017-09-08 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 전자 기기 |
| JP5197421B2 (ja) * | 2009-02-17 | 2013-05-15 | 新光電気工業株式会社 | カメラモジュール |
| JP2010283597A (ja) * | 2009-06-04 | 2010-12-16 | Toshiba Corp | 半導体撮像装置 |
| JP5489543B2 (ja) | 2009-06-09 | 2014-05-14 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| KR20110001659A (ko) * | 2009-06-30 | 2011-01-06 | 삼성테크윈 주식회사 | 카메라 모듈 |
| JP2011048303A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Sharp Corp | 光学素子モジュールおよびその製造方法、電子素子モジュールおよびその製造方法、電子情報機器 |
| JP2011060974A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Canon Inc | 固体撮像装置及びデジタルカメラ |
| JP5930263B2 (ja) * | 2011-02-18 | 2016-06-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP2012174799A (ja) | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Sony Corp | 固体撮像装置および製造方法 |
-
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