JP5982146B2 - 有機発光構造物、有機発光構造物の製造方法、有機発光表示装置、及び有機発光表示製造方法 - Google Patents

有機発光構造物、有機発光構造物の製造方法、有機発光表示装置、及び有機発光表示製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、有機発光構造物、有機発光構造物の製造方法、有機発光表示装置、及び有機発光表示装置の製造方法に関する。より詳細には、本発明は疎水性パターンを具備する有機発光構造物、疎水性パターンを具備する有機発光構造物の製造方法、疎水性パターンを有する有機発光構造物を含む有機発光表示装置及び疎水性パターンを有する有機発光構造物を含む有機発光表示装置の製造方法に関する。
有機発光表示装置（organic light emitting display device：ＯＬＥＤ）は、有機発光層における陽極（anode）と陰極（cathode）からそれぞれ提供される正孔と電子が、結合して生成される光を利用して映像、文字などの情報を示すことのできる表示装置をいう。このような有機発光表示装置は広い視野角、速い応答速度、薄い厚さ、低消費電力などの様々な長所を有するので有望な次世代ディスプレイ装置として脚光を浴びている。
通常、従来の有機発光表示装置の製造において、前記有機発光層を形成するためにインクジェット、スピン、ノズルなどを活用したプリンティング工程、所定の膜を蒸着した後パターニングする工程、熱またはレーザーなどを活用した伝写工程などが使用されている。しかし、前述した方法を活用する場合、前記有機発光表示装置の画素領域に有機発光層を高いコントラスト（contrast）を有し、均一に形成するのには限界がある。また、前記有機発光表示装置の大きさが増加することによって、露光過程などに活用されるマスク製作が容易ではなく、有機発光層を形成するための材料の使用効率が急激に下落するという問題点がある。
本発明の一目的は、疎水性パターンを含み、向上した発光特性を有する有機発光構造物を提供することにある。
本発明の他の目的は疎水性パターンを含み、改善された発光特性を有する有機発光構造物の製造方法を提供することにある。
本発明のまた他の目的は疎水性パターンを有する有機発光構造物を具備して向上した発光特性を確保できる有機発光表示装置を提供することにある。
本発明のまた他の目的は疎水性パターンを有する有機発光構造物を具備して向上した発光特性を確保できる有機発光表示装置の製造方法を提供することにある。
ただし、本発明が解決しようとする課題は前述した課題によって限定されるのではなく、本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲で多様に拡張することができる。
上述した本発明の一目的を達成するために、本発明の例示的な実施形態に係る有機発光構造物は、第１領域及び第２領域を有する正孔輸送層、前記第１領域の正孔輸送層上に配置される有機発光層、前記第２領域の正孔輸送層上に配置される疎水性パターン、並びに前記疎水性パターン及び前記有機発光層上に配置される電子輸送層を含むことができる。ここで、前記第１領域は画素領域に該当でき、前記第２領域は非画素領域に該当することができる。
例示的な実施形態において、前記疎水性パターンによって前記有機発光層の形成領域が限定されることができる。
例示的な実施形態によれば、前記正孔輸送層下には正孔注入層が配置できる。また、前記電子輸送層上には電子注入層が配置できる。
例示的な実施形態において、前記疎水性パターンはフッ素原子が結合した炭素原子を含む高分子、オリゴマー、デンドリマー、モノマーなどを含むことができる。また、前記疎水性パターンは有機シラン系物質を含むこともできる。これらは単独、または、互いに組合わせて使われる。前記疎水性パターンは、―（ＣＦ２−ＣＦ２）ｎ−反復単位を含むフッ素系高分子を含むことができる。前記有機シラン系物質は下記の化学式（１）にて表示できる。
Figure 0005982146
前記化学式（１）において、Ｒ１〜Ｒ４は各々独立的に水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、ハロゲン、アミノ基、または、ヒドロキシ基を示し、Ｒ１〜Ｒ４のうちの少なくとも一つは炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数１〜２０のアルコキシ基であることができる。また、前記炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数１〜２０のアルコキシ基は少なくとも一つのフッ素原子置換基を有することができる。
例示的な実施形態において、前記疎水性パターンは１０００Å〜３μｍの厚さを有することができる。
例示的な実施形態において、前記正孔輸送層は前記第１領域に配置される第１パターンと前記第２領域に配置される第２パターンを含むことができる。前記第１パターンは正孔輸送物質を含むことができ、前記第２パターンは正孔輸送物質及び架橋結合または重合された感光性物質を含むことができる。前記第２パターンは前記第１パターンより実質的に小さな電気伝導性を有することができる。例えば、前記感光性物質は、アクリレート系物質、メタクリレート系物質などを含むことができる。
例示的な実施形態において、前記電子輸送層は前記有機発光層上に配置される第３パターンと前記疎水性パターン上に配置される第４パターンを含むことができる。前記第３パターンは電子輸送物質を含むことができ、前記第４パターンは電子輸送物質と、架橋結合または重合された感光性物質とを含むことができる。前記第４パターンは前記第３パターンより実質的に小さな電気伝導性を有することができる。
上述した本発明の他の目的を達成するために、本発明の例示的な実施形態に係る有機発光構造物の製造方法において、第１領域及び第２領域を有する正孔輸送層を提供した後、前記第２領域の正孔輸送層上に配置される疎水性パターンを形成できる。前記第１領域の正孔輸送層上に有機発光層を形成した後、前記疎水性パターン及び前記有機発光層上に電子輸送層を形成できる。
例示的な実施形態に係る前記疎水性パターンを形成する過程において、ドナー基板上に疎水性層を形成した後、前記疎水性層を前記正孔輸送層に対向させて前記正孔輸送層の上に前記ドナー基板を位置させることができる。前記第２領域に選択的にレーザーを照射して前記疎水性層を前記正孔輸送層上に伝写させることができる。
例示的な実施形態に係る前記疎水性パターンを形成する過程において、ドナー基板上に疎水性層を形成した後、前記疎水性層を前記正孔輸送層に対向させて前記正孔輸送層上に前記ドナー基板を位置させることができる。前記ドナー基板に熱及び圧力を加えて前記第２領域の正孔輸送層上に前記疎水性パターンを形成できる。
例示的な実施形態において、前記疎水性パターンはインクジェットプリンティング工程、ノズルプリンティング工程、スタンピング（stamping）工程、オフセットインプリンティング（offset imprinting）工程または反転オフセットインプリンティング（reverse offset imprinting）工程などを利用して形成できる。この時、前記疎水性パターンは、フッ素系物質または有機シラン系物質、及び、溶媒を含む疎水性組成物を前記第２領域の正孔輸送層上に導入する溶液性工程を通じて形成できる。一方、前記疎水性パターンは、気化或いは昇華したフッ素系物質、または、有機シラン系物質を前記第２領域の正孔輸送層上に導入する非溶液性工程を通じて形成することもできる。
例示的な実施形態に係る前記正孔輸送層を形成する過程において、感光性組成物を含む予備正孔輸送層を提供した後、前記第２領域の前記予備正孔輸送層を選択的に露光させ前記正孔輸送層を形成できる。この場合、前記第２領域の前記予備正孔輸送層は架橋反応または重合反応によって第２パターンに変化でき、前記第１領域の前記予備正孔輸送層は、第１パターンに変化することができる。例えば、前記感光性組成物は正孔輸送物質、感光性単量体、光重合開始剤及び有機溶媒を含むことができる。前記第１パターンは前記正孔輸送物質を含み、前記第２パターンは前記正孔輸送物質と前記感光性単量体が架橋結合、または、重合された高分子物質を含むことができる。
例示的な実施形態によれば、前記第２領域の前記予備正孔輸送層を選択的に露光させた後、ベイキング工程を追加的に実行できる。
例示的な実施形態において、前記第２領域の前記予備正孔輸送層を選択的に露光させた後、現像液を使って前記第１パターン上に残留する感光性単量体、光重合開始剤、有機溶媒などを除去することができる。
例示的な実施形態に係る前記電子輸送層を形成する過程において、前記有機発光層及び前記疎水性パターン上に感光性組成物を含む予備電子輸送層を形成した後、前記疎水性パターン上に形成した前記予備電子輸送層を選択的に露光させることができる。前記感光性組成物は電子輸送物質、感光性単量体、光重合開始剤、及び有機溶媒を含むことができる。
この場合、前記疎水性パターン上に形成された前記予備電子輸送層は、架橋反応または重合反応によって第４パターンに変化することができる。また、前記有機発光層上に形成された前記予備電子輸送層は、第３パターンに変化することができる。例えば、前記第３パターンは前記電子輸送物質を含むことができ、前記第４パターンは前記電子輸送物質と前記感光性単量体が、架橋結合または重合された高分子物質を含むことができる。
例示的な実施形態において、前記疎水性パターン上に形成された前記予備電子輸送層を選択的に露光させた以後、ベイキング工程を追加的に実行できる。
例示的な実施形態において、前記疎水性パターン上に形成された前記予備電子輸送層を選択的に露光させた以後、現像液を使って前記第３パターン上に残留する感光性単量体、光重合開始剤、有機溶媒などを除去することができる。
例示的な実施形態において、前記正孔輸送層を提供する前に、正孔注入層を追加的に提供することができる。また、前記電子輸送層を形成した後、前記電子輸送層上に電子注入層を追加的に形成することができる。
例示的な実施形態において、前記疎水性パターンは１０００Å〜３μｍの厚さで形成することができる。
上述した本発明のまた他の目的を達成するために、本発明の例示的な実施形態に係る有機発光表示装置は、画素領域と非画素領域を有する第１基板、前記第１基板上部に配置される第１電極、前記第１基板上部に配置され前記画素領域で前記第１電極を露出させる画素定義膜、前記画素定義膜及び前記露出した第１電極上に配置される正孔輸送層、前記非画素領域の前記正孔輸送層上に配置される疎水性パターン、前記画素領域の前記正孔輸送層上に配置される有機発光層、前記疎水性パターン及び前記有機発光層上に配置される電子輸送層、並びに前記電子輸送層上に配置される第２電極を含むことができる。
例示的な実施形態において、前記第１基板上には前記第１電極に電気的に連結されるスイッチング素子が配置されることができる。前記画素定義膜及び前記露出した第１電極と前記正孔輸送層との間には正孔注入層が配置されることができる。また、前記電子輸送層及び前記第２電極との間には電子注入層が配置されることができる。
例示的な実施形態において、前記画素定義膜は１０００Å〜４０００Åの厚さを有することができる。
例示的な実施形態において、前記正孔輸送層は、第１パターン及び前記第１パターンより電気伝導性が小さな第２パターンを含むことができる。
前記第１パターンは前記露出した第１電極と前記画素定義膜の側壁上に配置し、前記第２パターンは前記画素定義膜の上面上に配置されることができる。
前記第１パターンは前記露出した第１電極と前記画素定義膜の側壁一部上に配置し、前記第２パターンは前記画素定義膜の上面及び前記第１パターンが形成されていない前記画素定義膜の側壁一部上に配置できる。
前記第１パターンは前記露出した第１電極上に配置し、前記第２パターンは前記画素定義膜の上面及び前記画素定義膜の側壁上に配置することもできる。
前記第１パターンは前記露出した第１電極一部上に配置し、前記第２パターンは前記画素定義膜及び前記第１パターンが形成されていない前記第１電極の一部上に配置できる。
例示的な実施形態において、前記電子輸送層は、第３パターン及び前記第３パターンより電気伝導性が小さな第４パターンを含むことができる。
前記第３パターンは前記有機発光層上に配置し、前記第４パターンは前記疎水性パターン上に配置できる。
前記第３パターンは前記有機発光層一部上に配置し、前記第４パターンは前記疎水性パターン及び前記第３パターンが形成されていない前記有機発光層の部分上に配置することもできる。
前述した本発明のまた他の目的を達成するために、本発明の例示的な実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法において、画素領域及び非画素領域を有する第１基板の上部に第１電極を形成した後、前記第１基板上部に前記第１電極を露出させる画素定義膜を形成できる。前記画素定義膜及び前記露出した第１電極上に正孔輸送層を形成した後、前記非画素領域の前記正孔輸送層上に疎水性パターンを形成できる。前記画素領域の前記正孔輸送層上に有機発光層を形成した後、前記疎水性パターン及び前記有機発光層上に電子輸送層を形成できる。前記電子輸送層上に第２電極を形成できる。
例示的な実施形態において、前記疎水性パターンはフッ素原子が結びついた炭素原子を含む高分子、オリゴマー、デンドリマー、モノマーなどのようなフッ素系物質または有機シラン系物質を使って形成できる。
例示的な実施形態に係る前記疎水性パターンを形成する過程において、ドナー基板上に疎水性層を形成した後、前記疎水性層を前記正孔輸送層に対向させ前記第１基板上部に前記ドナー基板を位置させることができる。前記非画素領域に選択的にレーザーを照射して前記疎水性層を前記正孔輸送層上に転写させることができる。
例示的な実施形態に係る前記疎水性パターンを形成する過程において、ドナー基板上に疎水性層を形成した後、前記疎水性層を前記正孔輸送層に対向させて前記正孔輸送層上に前記ドナー基板を位置させることができる。前記ドナー基板に熱及び圧力を加えて前記正孔輸送層上に前記疎水性パターンを形成できる。
例示的な実施形態によれば、前記疎水性パターンは、インクジェットプリンティング工程、ノズルプリンティング工程、スタンピング（stamping）工程、オフセットインプリンティング（offset imprinting）工程または反転オフセットインプリンティング（reverse offset imprinting）工程などを通じて形成することができる。この時、前記疎水性パターンはフッ素系物質または有機シラン系物質、及び、溶媒を含む疎水性組成物を前記非画素領域の正孔輸送層上に導入する溶液性工程を通じて形成することができる。一方、前記疎水性パターンは気化或いは昇華したフッ素系物質または有機シラン系物質を、前記非画素領域の正孔輸送層上に導入する非溶液性工程を通じても形成することができる。
例示的な実施形態に係る前記正孔輸送層を形成する過程において、前記画素定義膜及び前記露出した第１電極上に感光性組成物を含む予備正孔輸送層を形成した後、前記画素定義膜上に形成された前記予備正孔輸送層を選択的に露光させることができる。ここで、前記画素定義膜の上面上に形成した前記予備正孔輸送層は、架橋反応または重合反応によって第２パターンに変化できる。また、前記画素定義膜の側壁及び前記露出された第１電極上に形成した前記予備正孔輸送層は第１パターンに変化することができる。
例示的な実施形態において、前記画素定義膜上面及び前記画素定義膜の側壁一部上に形成された前記予備正孔輸送層は、架橋反応または重合反応によって第２パターンに変換され、前記第２パターンが形成されていない前記画素定義膜側壁の部分及び前記露出された第１電極上に形成した前記予備正孔輸送層は第１パターンに変換されることができる。
例示的な実施形態において、前記画素定義膜上面及び前記画素定義膜の側壁上に形成された前記予備正孔輸送層は架橋反応または重合反応によって第２パターンに変換され、前記露出された第１電極上に形成した前記予備正孔輸送層は第１パターンに変換されることもできる。
例示的な実施形態において、前記画素定義膜及び前記露出された第１電極一部上に形成された前記予備正孔輸送層は、架橋反応または重合反応によって第２パターンに変換され、前記第２パターンが形成されていない前記露出された第１電極の部分上に形成された前記予備正孔輸送層は第１パターンに変換されることもできる。
例示的な実施形態に係る前記電子輸送層を形成する過程において、前記有機発光層及び前記疎水性パターン上に感光性組成物を含む予備電子輸送層を形成した後、前記非画素領域に形成された前記予備電子輸送層を選択的に露光させることができる。
例示的な実施形態において、前記疎水性パターン上に形成された前記予備電子輸送層は架橋反応または重合反応によって第４パターンに変化できる。また、前記有機発光層上に形成された前記予備電子輸送層は第３パターンに変化できる。
例示的な実施形態において、前記疎水性パターン及び前記有機発光層一部上に形成された前記予備電子輸送層は、架橋反応または重合反応によって第４パターンに変換され、前記第４パターンが形成されていない前記有機発光層の部分上に形成された前記予備電子輸送層は第３パターンに変換されることもできる。
例示的な実施形態において、前記正孔輸送層を形成する前に、前記画素定義膜及び前記露出した第１電極上に正孔注入層を形成できる。また、前記電子輸送層を形成した後に、前記電子輸送層上に電子注入層を形成できる。
本発明の例示的な実施形態に係る有機発光表示装置は、非画素領域の正孔輸送層上に疎水性パターンを含むことができる。前記有機発光表示装置の画素領域の正孔輸送層は相対的に親水性を有するので、有機発光層が前記画素領域のみに選択的に形成されることができる。これによって、前記非画素領域に発光物質が蒸着されたりまたは広がったりまたはにじみ出たりする現象などを防止することができ、前記有機発光層が均一に形成され前記有機発光装置の解像度及びコントラストを改善させることができる。また、前記非画素領域の正孔輸送層の電気伝導性を減少させることによって前記有機発光装置の発光特性をより向上させることができる。
本発明の例示的な実施形態に係る有機発光構造物を含む有機発光表示装置を示す断面図である。 本発明の他の例示的な実施形態に係る有機発光構造物を含む有機発光表示装置を示す断面図である。 本発明の他の例示的な実施形態に係る有機発光構造物を含む有機発光表示装置を示す断面図である。 本発明の他の例示的な実施形態に係る有機発光構造物を含む有機発光表示装置を示す断面図である。 本発明の他の例示的な実施形態に係る有機発光構造物を含む有機発光表示装置を示す断面図である。 本発明のまた他の例示的な実施形態に係る有機発光構造物を含む有機発光表示装置を示す断面図である。 本発明の例示的な実施形態に係る有機発光構造物を含む有機発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の例示的な実施形態に係る有機発光構造物を含む有機発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の例示的な実施形態に係る有機発光構造物を含む有機発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の例示的な実施形態に係る有機発光構造物を含む有機発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の例示的な実施形態に係る有機発光構造物を含む有機発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の例示的な実施形態に係る有機発光構造物を含む有機発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の例示的な実施形態に係る有機発光構造物を含む有機発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の例示的な実施形態に係る有機発光構造物を含む有機発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の他の例示的な実施形態に係る有機発光構造物を含む有機発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の他の例示的な実施形態に係る有機発光構造物を含む有機発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の他の例示的な実施形態に係る有機発光構造物を含む有機発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の他の例示的な実施形態に係る有機発光構造物を含む有機発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の他の例示的な実施形態に係る有機発光構造物を含む有機発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の他の例示的な実施形態に係る有機発光構造物を含む有機発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の他の例示的な実施形態に係る有機発光構造物を含む有機発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の他の例示的な実施形態に係る有機発光構造物を含む有機発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の他の例示的な実施形態に係る有機発光構造物を含む有機発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明のまた他の例示的な実施形態に係る有機発光構造物を含む有機発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明のまた他の例示的な実施形態に係る有機発光構造物を含む有機発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明のまた他の例示的な実施形態に係る有機発光構造物を含む有機発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
以下、本発明の例示的な実施形態に係る有機発光構造物、有機発光構造物の製造方法、有機発光表示装置、及び有機発光表示装置の製造方法について添付した図面を参照して詳細に説明するが、本発明が下記実施形態によって制限されるのではなく、該当分野で通常の知識を有する者であれば本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で本発明を他の多様な形態で実現することができる。
本明細書において、特定の構造的または機能的説明は、単に本発明の実施形態を説明するための目的で例示されたものであり、本発明の実施形態は多様な形態で実施することができ、本明細書に説明された実施形態に限定すると解釈されてはならず、本発明の思想及び技術範囲に含まれるすべての変更、均等物または代替物を含むと理解するべきである。ある構成要素が他の構成要素に「連結されて」いる、または「接触されて」いると言及された場合には、その他の構成要素に直接的に連結されていたり、接触されていることも意味するが、中間に他の構成要素が存在する場合も含むと理解するべきである。一方、ある構成要素が他の構成要素に「直接連結されて」いる、または「直接接触されて」いると言及された場合には、中間に他の構成要素が存在しないと理解すべきである。構成要素の間の関係を説明する他の表現、例えば、「〜間に」と「すぐに〜間に」または「〜に隣接する」と「〜に直接隣接する」等も同じように解釈すべきである。
本明細書で使用した用語は単に特定の実施形態を説明するために使用したもので、本発明を限定するものではない。単数の表現は文脈上明白に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。本明細書で、「含む」、「備える」または「有する」等の用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品または、これを組み合わせたのが存在するということを示すものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品または、これを組み合わせたものなどの存在または、付加の可能性を、予め排除するわけではない。また、別に定義しない限り、技術的或いは科学的用語を含み、本明細書中において使用される全ての用語は本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者であれば、一般的に理解するのと同一の意味を有する。一般的に使用される辞書において定義する用語と同じ用語は関連技術の文脈上に有する意味と一致する意味を有するものと理解するべきで、本明細書において明白に定義しない限り、理想的或いは形式的な意味として解釈してはならない。
第１、第２、第３、第４等の用語が多様な構成要素を説明するのに使われるが、このような構成要素は、前記用語によって限定されるのではない。前記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的で使われる。例えば、本発明の権利範囲から逸脱せずに第１構成要素を第２、第３または第４構成要素などと命名することができ、また類似に第２、第３または第４構成要素も交互的に命名することができる。
図１は本発明の例示的な実施形態に係る有機発光構造物を含む有機発光表示装置を示す断面図である。
図１を参照すれば、例示的な実施形態に係る有機発光表示装置は、第１基板１００、スイッチング素子１４０、第１電極１６０、有機発光構造物（organic light emitting structure）２４０、第２電極２５０などを含む。
第１基板１００はガラス基板、石英基板、透明プラスチック基板などのような透明基板を含むことができる。例えば、第１基板１００で利用できる透明プラスチック基板は、ポリイミド（polyimide）、アクリル（acryl）、ポリエチレンテレフタレート（polyethylene terephthalate）、ポリカーボネート（polycarbonate）、ポリアクリレート（polyacrylate）、ポリエーテル（polyether）などからなることができる。他の例示的な実施形態によれば、第１基板１００に対し平坦化工程を実行することにより、第１基板１００は実質的に平坦な上面を有することができる。例えば、前記平坦化工程は化学機械的研磨（ＣＭＰ）工程及び／またはエッチバック（etch−back）工程を含むことができる。
例示的な実施形態において、第１基板１００上にバッファ層１０５が配置できる。バッファ層１０５は第１基板１００から発生する不純物の拡散を防止することができ、半導体パターン１１０を形成するための結晶化工程時に熱伝達速度を調節する役割を実行することができる。例えば、バッファ層１０５は酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）などのようなシリコン化合物を含むことができる。バッファ層１０５は酸化シリコン、窒化シリコン、及び／または、酸窒化シリコンを含む断層構造、または、多層構造を有することができる。他の例示的な実施形態によれば、第１基板１００上にバッファ層１０５が提供されないこともある。
スイッチング素子１４０はバッファ層１０５上に配置し、半導体パターン１１０、ゲート電極１２５、ゲート絶縁膜１２０、ソース電極１３３、ドレーン電極１３５等を含むことができる。例示的な実施形態において、スイッチング素子１４０は、ポリシリコンで構成されたアクティブ領域を具備する薄膜トランジスタを含むことができる。他の例示的な実施形態によれば、スイッチング素子１４０は、半導体酸化物素子を含むことができる。この場合、スイッチング素子１４０は、バッファ層１０５上に配置されるゲート電極と、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の一側上に配置されるソース電極と、前記ゲート絶縁膜の他側上に位置するドレーン電極と、前記ソース及びドレーン電極と、前記ゲート絶縁膜上に配置される半導体酸化物で構成されたアクティブ層（active layer）などを含むことができる。
また図１を参照すれば、半導体パターン１１０はソース電極１３３と連結されるソース領域１１２、ドレーン電極１３５と連結されるドレーン領域１１６及びソース領域１１２とドレーン領域１１６との間に提供されるチャネル領域１１４を含む。例示的な実施形態において、半導体パターン１１０はポリシリコンを含むことができる。
ゲート絶縁膜１２０は半導体パターン１１０を覆ってバッファ層１０５上に配置される。ゲート絶縁膜１２０はゲート電極１２５を半導体パターン１１０から電気的に絶縁させることができる。例示的な実施形態によれば、ゲート絶縁膜１２０は酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）などのシリコン化合物を含むことができる。これらは単独または互いに混合して使われる。他の例示的な実施形態において、ゲート絶縁膜１２０は金属酸化物を含むことができる。例えば、ゲート絶縁膜１２０はアルミニウム酸化物（ＡｌＯｘ）、ジルコニウム酸化物（ＺｒＯｘ）、ハフニウム酸化物（ＨｆＯｘ）、タンタル酸化物（ＴａＯｘ）等を含むことができる。これらは単独または互いに組合わせて使われる。また、ゲート絶縁膜１２０は上述したシリコン化合物、及び／または、金属酸化物を含む断層構造または多層構造を有することができる。
ゲート絶縁膜１２０上にはゲート信号が供給されるゲート電極１２５が位置する。ゲート電極１２５はクロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、ネオジム（Ｎｄ）等のような金属、これらの合金などを含むことができる。これらは単独、または、互いに組合わせて使われる。図示はしていないが、ゲート絶縁膜１２０上にはゲート電極１２５に接続され、ゲート絶縁膜１２０上で所定の方向に沿って延長するゲートラインが配置できる。
ゲート絶縁膜１２０上にはゲート電極１２５を覆う第１層間絶縁膜１３０が配置される。第１層間絶縁膜１３０は、酸化シリコンまたはアクリル系（acryl based）樹脂、ポリイミド系（polyimide based）樹脂、シロキサン系（siloxane based）樹脂などを含む透明絶縁物質からなることができる。第１層間絶縁膜１３０はゲート電極１２５をソース電極１３３及びドレーン電極１３５から電気的に絶縁させる機能を実行することができる。
ソース電極１３３とドレーン電極１３５は、第１層間絶縁膜１３０上に配置されて、第１層間絶縁膜１３０及びゲート絶縁膜１２０を貫通して半導体パターン１１０のソース領域１１２及びドレーン領域１１６に各々接触する。ソース電極１３３及びドレーン電極１３５は、第１層間絶縁膜１３０上にゲート電極１２５を中心に互いに実質的に対称するように配置される。ソース電極１３３及びドレーン電極１３５は、それぞれクロム、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステン、銅、銀、ネオジムなどのような金属、これらの合金などを含むことができる。
第１層間絶縁膜１３０上にスイッチング素子１４０を覆う第２層間絶縁膜１５０が配置される。即ち、第２層間絶縁膜１５０はソース電極１３３及びドレーン電極１３５をカバーしながら第１層間絶縁膜１３０上に位置する。第２層間絶縁膜１５０は、スイッチング素子１４０を保護し、上部構造物からスイッチング素子１４０を電気的に絶縁させる役割を実行することができる。第２層間絶縁膜１５０は、それ自体が平坦化特性を有する透明絶縁性物質を含むことができる。例えば、第２層間絶縁膜１５０はアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、ベンゾシクロブテン（benzocyclobutene：ＢＣＢ）等を含むことができる。
第１電極１６０は第２層間絶縁膜１５０上に配置され、第２層間絶縁膜１５０を貫通してドレーン電極１３５に接続する。このような第１電極１６０とドレーン電極１３５との間の電気的な接続のために、第２層間絶縁膜１５０にはドレーン電極１３５を部分的に露出させる開口（opening）または、ホール（hole）が提供される。例示的な実施形態において、第１電極１６０は前記開口または、前記ホールを満たしながら第２層間絶縁膜１６０の一側上に延長することができる。他の例示的な実施形態によれば、第１電極１６０は前記開口または、前記ホールを部分的に満たしながら第２層間絶縁膜１５０上に延びることができる。この時、第１電極１６０は前記開口或いは前記ホールの側壁上に均一に形成される。
第１電極１６０は全面発光、背面発光などのような前記有機発光表示装置の表示タイプにより透明電極または反射電極の役割を実行することができる。第１電極１６０が透明電極として機能する場合には、第１電極１６０はインジウム錫酸化物（indium tin oxide：ＩＴＯ）、亜鉛錫酸化物（zinc tin oxide：ＺＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（indium zinc oxide：ＩＺＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯｘ）、錫酸化物（ＳｎＯ２）等の透明導電性物質を含むことができる。これに比べて、第１電極１６０が反射電極の役割をする時は、第１電極１６０は銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）等の金属、これらの合金などを含むことができる。他の例示的な実施形態において、第１電極１６０は上に述べた金属または、合金を含む第１層と上述した透明導電性物質を含む第２層で構成された多層構造を有することもできる。
図１に示したように、第２層間絶縁膜１５０及び第１電極１６０上には第１電極１６０一部を露出させて前記有機発光表示装置の第１領域（Ｉ）を定義する画素定義膜１６５が配置される。ここで、第１領域（Ｉ）は画素領域（pixel region）に該当することができる。例示的な実施形態において、画素定義膜１６５はポリイミド樹脂、アクリル樹脂などのような感光性物質を含むことができる。他の例示的な実施形態によれば、画素定義膜１６５は非感光性有機物質または、無機物質を含むこともできる。
例示的な実施形態によれば、画素定義膜１６５は約１０００〜約４０００Åの厚さを有することができる。
有機発光構造物２４０は第１電極１６０と画素定義膜１６５上に配置される。例示的な実施形態において、有機発光構造物２４０は第１電極１６０及び画素定義膜１６５上に次々と配置される正孔輸送層（hole transport layer：ＨＴＬ）２１０、疎水性パターン２１５、有機発光層（organic light emitting layer：ＥＭＬ）２２０及び電子輸送層（electron transport layer：ＥＴＬ）２３０を含む。
正孔輸送層２１０は画素定義膜１６５と画素定義膜１６５により露出した第１電極１６０上に位置する。正孔輸送層２１０は、例えば、４,４−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−Ｎ，Ｎ−ビス（３−メチルフェニル）−１,１−ビフェニル−４,４−ジアミン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ−ジ−１−ナフチル−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−１,１−ビフェニル−４,４−ジアミン（ＮＰＤ）、Ｎ−フェニルカーバゾル、ポリビニルカーバゾル、これらの混合物などを含むことができるが、このような物質に限定されるわけではではない。
他の例示的な実施形態において、正孔輸送層２１０、画素定義膜１６５及び露出した第１電極１６０の間に正孔注入層（hole injection layer：ＨＩＬ）が追加的に配置されることができる。前記正孔注入層ＨＩＬは、ＴＣＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＰＢ、２−ＴＮＡＴＡ、これらの混合物などを含むことができる。
画素定義膜１６５と正孔輸送層２１０の一部が重なる第２領域（ＩＩ）に位置する正孔輸送層１６５上には疎水性パターン２１５が配置される。ここで、第２領域（ＩＩ）は前記有機発光表示装置の非画素領域（non−pixel region）に該当することができる。前記有機発光表示装置が疎水性パターン２１５を具備することによって、前記有機発光表示装置の第２領域（ＩＩ）（非画素領域）は疎水性表面処理になる効果を有することができる。例示的な実施形態によれば、疎水性パターン２１５は約１０００Å〜約３μｍの厚さを有することができる。
例示的な実施形態において、第２領域（ＩＩ）に位置する疎水性パターン２１５はフッ素（Ｆ）原子が結合或いはハイブリッドされた少なくとも一つの炭素原子を含む高分子（polymer）、オリゴマー（oligomer）、デンドリマー（dendrimer）、モノマー（momomer）等のようなフッ素系物質を含むことができる。これらは単独、または、互いに組合わせて使われる。前記炭素原子は１つ（ＣＦ１）、２つ（ＣＦ２）或いは３つ（ＣＦ３）のフッ素原子と結合できる。一実施形態において、疎水性パターン２１５は、−（ＣＦ２−ＣＦ２）ｎ−、の反復単位を含むフッ素界高分子物質を含むことができる（ｎは２〜１０,０００の整数である）。
他の例示的な実施形態において、疎水性パターン２１５はシリコン原子にアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、ヒドロキシ基などのような有機官能基が結合した有機シラン系物質を含むことができる。例えば、前記有機シラン系物質は下記の化学式（２）にて表示できる。
Figure 0005982146
前記の化学式（２）において、Ｒ１〜Ｒ４は各々独立的に水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、ハロゲン、アミノ基、または、ヒドロキシ基などで選択できる。例示的な実施形態によれば、Ｒ１〜Ｒ４のうち少なくとも一つは炭素数１〜２０のアルキル基または、炭素数１〜２０のアルコキシ基である。また、前記炭素数１〜２０のアルキル基または、炭素数１〜２０のアルコキシ基は少なくとも一つのフッ素原子に置換されたものでありうる。
疎水性パターン２１５がフッ素系物質或いは有機シラン系物質を含むことによって正孔輸送層２１０との間に表面エネルギー差が発生して、これに伴い、有機発光層２２０は画素領域の第１領域（Ｉ）上に選択的に形成できる。
このようにして、前記有機発光表示装置の第１領域（Ｉ）（画素領域）に位置する正孔輸送層２１０上には有機発光層２２０が配置される。第１領域（Ｉ）に位置する有機発光層２２０は赤色（Ｒ）光、緑色（Ｇ）光、青色（Ｂ）光などのような互いに異なる色の光を発生させるための発光物質を含むことができる。また、有機発光層２２０は、白色光を発光するために赤色光、緑色光、青色光などの相異する色の光を発光する物質を積層してなる混合物又は組み合わせ物を含んでもよい。他の例示的な実施形態において、有機発光層２２０は上述した発光物質に比べて実質的に大きなバンドギャップ（band gap）を有するホスト物質を追加的に含むことができる。
本発明の例示的な実施形態によれば、有機発光層２２０は疎水性パターン２１５により限定される第１領域（Ｉ）（画素領域）にのみ選択的に配置されることができる。従って、第２領域（ＩＩ）（非画素領域）に発光物質が残留したり、または、第２領域（ＩＩ）に発光物質が蒸着或いは拡散されたり、または、前記非画素領域に発光物質が広がったり、または、にじみ出たりする現象を防止し、前記画素領域にのみ正確に有機発光層２２０が配置され、その結果、前記有機発光表示装置のコントラスト（contrast）を向上させることができる。
再び図１を参照すれば、疎水性パターン２１５及び有機発光層２２０上には電子輸送層２３０が配置される。例えば、電子輸送層２３０は、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ）、２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１,３,４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニル）−１,２,４−トリアゾール（ＴＡＺ）、ルブレン（rubrene）等を含むことができるが、これに限定されるわけでではない。
電子輸送層２３０上には第２電極２５０が配置される。第２電極２５０は反射電極或いは透過電極の役割を実行することができる。第２電極２５０が反射電極として機能する時は、第２電極２５０はリチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム／カルシウム（ＬｉＦ／Ｃａ）、フッ化リチウム／アルミニウム（ＬｉＦ／Ａｌ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）等のような金属、これらの合金などを含むことができる。これとは異なって、第２電極２５０が透過電極の役割を実行する場合、第２電極２５０はインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、亜鉛錫酸化物（ＺＴＯ）、亜鉛酸化物、錫酸化物などの透明導電物質を含むことができる。また、第２電極２５０は前記金属、及び／または、これらの合金を含む第１層と前記透明導電物質を含む第２層を含む多層構造を有することもできる。
他の例示的な実施形態において、電子輸送層２３０と第２電極２５０との間には電子注入層（electron injection layer：ＥＩＬ）が追加的に配置できる。ここで、前記電子注入層はアルカリ金属、アルカリ土金属、これらのフッ化物、これらの酸化物などを含むことができる。これらは単独、または、互いに組合わせて使われる。
図示はしていないが、第２電極２５０上には保護層と第２基板が順次に配置される。前記保護層は透明絶縁物質からなることができ、前記第２基板は透明絶縁基板を含むことができる。
図２〜図５は本発明の他の例示的な実施形態に係る有機発光構造物を含む有機発光表示装置を示す断面図である。図２〜図５に図示した有機発光表示装置は図１を参照して説明した有機発光表示装置と実質的に類似の構造を有することができる。
図２〜図５に示したように、前記有機発光表示装置は、第１基板１００上に配置されるスイッチング素子１４０、第１層間絶縁膜１３０、第２層間絶縁膜１５０、第１電極１６０、画素定義膜１６５、有機発光構造物、第２電極２５０等を含む。第１基板１００、スイッチング素子１４０、第１層間絶縁膜１３０、第２層間絶縁膜１５０、第１電極１６０、画素定義膜１６５、第２電極２５０等の構成要素は、図１を参照して説明した有機発光表示装置の構成要素と実質的に同一または実質的に類似しているのでこれらに対する詳細な説明は省略する。
図２を参照すれば、前記有機発光構造物は正孔輸送層２１２、疎水性パターン２１５、有機発光層２２０、及び電子輸送層２３０を含む。疎水性パターン２１５、有機発光層２２０、電子輸送層２３０等の構成要素は図１を参照して説明した有機発光表示装置の構成要素と実質的に同一または実質的に類似しているのでこれらに対する詳細な説明は省略する。
正孔輸送層２１２は画素定義膜１６５及び第１電極１６０上に配置される。正孔輸送層２１２は画素領域の第１領域（Ｉ）に配置される第１パターン２１２ａと非画素領域の第２領域（ＩＩ）に位置する第２パターン２１２ｂを含む。即ち、正孔輸送層２１２の第１パターン２２１ａは画素定義膜１６５により露出する第１電極１６０と画素定義膜１６５の側壁上に配置する。正孔輸送層２１２の第２パターン２１２ｂは第２領域（ＩＩ）に存在する画素定義膜１６５上面上に位置する。
第１パターン２１２ａは、ＮＰＢ、ＴＰＤ、α−ＮＰＤ、Ｎ−フェニルカバゾール、ポリビニルカバゾールなどのような正孔輸送物質を含むことができる。第２パターン２１２ｂは前述した正孔輸送物質と共に架橋結合或いは重合された感光性物質を追加的に含むことができ、このような架橋結合または重合された感光性物質によって第２パターン２１２ｂの電気伝導性が減少することができる。
図３を参照すれば、正孔輸送層２１２は正孔輸送物質を含む第１パターン２１２ｃ及び前記正孔輸送物質及び架橋結合或いは重合された感光性物質を含む第２パターン２１２ｄを含む。第２パターン２１２ｄは画素定義膜１６５の上面のみならず画素定義膜１６５側壁の一部上にも配置される。この場合、第１パターン２１２ｃは第１電極１６０及び第２パターン２１２ｄが形成されていない画素定義膜１６５の側壁一部上に配置される。
図４を参照すれば、正孔輸送層２１２の第２パターン２１２ｆは画素定義膜１６５の上面及び側壁上に配置される。この場合、第１パターン２１２ｅは第１電極１６０上に配置される。
図５を参照すれば、正孔輸送層２１２の第２パターン２１２ｈは画素定義膜１６５上面及び側壁上に配置され、第１電極１６０の一部上にも配置される。この場合、第１パターン２１２ｇは第２パターン２１２ｈが形成されていない第１電極１６０一部上に配置される。
図２〜図５に示したように、電気伝導性が減少した第２パターン２１２ｂ、２１２ｄ、２１２ｆ、２１２ｈが配置される領域を調節することによって正孔が移動或いは輸送される領域を適切に限定することができる。これは上述した疎水性パターン２１５が有機発光層２２０の形成領域を限定する効果と結合して有機発光表示装置の解像度及びコントラストを向上させる効果を有する。
他の例示的な実施形態において、画素定義膜１６５及び第１電極１６０上に正孔注入層が配置され、このような正孔注入層上に正孔輸送層２１２が配置される。前記正孔注入層は、ＴＣＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＰＢ、２−ＴＮＡＴＡ、これらの混合物などを含むことはできるが、これに限定されるわけではない。
疎水性パターン２１５及び有機発光層２２０は正孔輸送層２１２上に配置される。疎水性パターン２１５は前記非画素領域に位置し、有機発光層２２０は前記画素領域に配置される。この場合、疎水性パターン２１５により有機発光層２２０は前記画素領域にのみ限定されて形成できる。
有機発光層２２０上には電子輸送層２３０及び第２電極２５０が次々と配置される。他の例示的な実施形態によれば、電子輸送層２３０と第２電極２５０との間には電子注入層を追加的に配置できる。例示的な実施形態において、第２電極２５０上には保護層（図示せず）が配置され、このような保護層上には第２基板（図示せず）が位置する。
図６は本発明のまた他の例示的な実施形態に係る有機発光構造物を含む有機発光表示装置を示す断面図である。図６に図示した有機発光表示装置は、有機発光構造物を除けば図２〜図５を参照して説明した有機発光構造物と実質的に同一または実質的に類似する構成を有することができる。
図６を参照すれば、前記有機発光構造物の電子輸送層２３５は画素領域の第１領域（Ｉ）に配置される第３パターン２３５ａと非画素領域の第２領域（ＩＩ）に位置する第４パターン２３５ｂを含む。即ち、電子輸送層２３５の第３パターン２３５ａと第４パターン２３５ｂは、それぞれ有機発光層２２０と疎水性パターン２１５上に配置される。また、有機発光層２２０と疎水性パターン２１５はそれぞれ正孔輸送層２１２の第１パターン２１２ａ及び第２パターン２１２ｂ上に位置する。前記有機発光構造物は、電子輸送層２３５の構成を除けば図２〜図５を参照して説明した有機発光層と実質的に同一または実質的に類似する構成を有することができる。
電子輸送層２３５の第３パターン２３５ａは、Ａｌｑ、ＰＢＤ、ＴＡＺ、ルブレンなどのような電子輸送物質を含むことができる。第４パターン２３５ｂは前記電子輸送物質と共に架橋結合或いは重合された感光性物質を含むことができる。このような架橋結合或いは重合された感光性物質によって第４パターン２３５ｂは低い電気伝導性を有することができる。
図示はしていないが、第４パターン２３５ｂは疎水性パターン２１５のみならず、有機発光層２２０一部上にも配置される。この場合、第３パターン２３５ａは第４パターン２３５ｂが形成されていない有機発光層２２０一部上に配置される。即ち、電気伝導性の低い第４パターン２３５ｂが配置される領域を調節して電子が移動或いは輸送される領域を適切に限定することができる。
図７〜図１４は本発明の例示的な実施形態に係る有機発光構造物を含む有機発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
図７を参照すれば、第１基板１００上に半導体パターン１１０とゲート絶縁膜１２０が形成されている。第１基板１００としてガラス基板、透明プラスチック基板などのような透明基板を使うことができる。
例示的な実施形態において、第１基板１００上にバッファ層１０５を形成した後、バッファ層１０５上に半導体パターン１１０を形成できる。バッファ層１０５は窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコンなどのシリコン化合物を化学気相蒸着（chemical vapor deposition：ＣＶＤ）工程、プラズマ促進化学気相蒸着（plasma enhanced chemical vapor deposition：ＰＥＣＶＤ）工程、高密度プラズマ−化学気相蒸着（high density plasma-chemical vapor deposition：ＨＤＰ−ＣＶＤ）工程などで第１基板１００上に蒸着して形成される。バッファ層１０５は窒化シリコン、酸化シリコン及び／または、酸窒化シリコンを含む断層構造或いは多層構造で形成されることもできる。
例示的な実施形態によれば、バッファ層１０５上に予備半導体パターン（図示せず）を形成した後、前記予備半導体パターンを結晶化して半導体パターン１１０を得る。。ここで、前記予備半導体パターンはアモルファス（amorphous）シリコンを使って形成できる。また、前記予備半導体パターンは、スパッタリング（sputtering）工程、化学気相蒸着（ＣＶＤ）工程、低圧化学気相蒸着工程（low pressure chemical vapor deposition：ＬＰＣＶＤ）工程、真空蒸着工程などを利用して形成できる。他の例示的な実施形態において、前記予備半導体パターンまたは、半導体パターン１１０に含まれることのできる水素を除去するために、半導体パターン１１０に対して熱処理工程を追加的に実行できる。
上述した通り、前記予備半導体パターンに対する結晶化工程を通じてバッファ層１０５上にポリシリコンを含む半導体パターン１１０が形成される。例示的な実施形態によれば、前記結晶化工程は、アニーリング（annealing）工程、レーザー工程などを含むことができる。例えば、急速熱アニーリング（rapid thermal annealing：ＲＴＡ）工程、固相液晶化（solid phase crystallization：ＳＰＣ）工程、ＭＩＣ（metal induced crystallization）、ＭＩＬＣ（metal induced lateral crystallization）工程、ＳＧＳ（super grain silicon）工程、エクシマーレーザ結晶化（excimer laser crystallization：ＥＬＡ）工程、ＳＬＳ（sequential lateral solidification）工程などを利用して前記予備半導体パターンから半導体パターン１１０を得ることができる。
他の例示的な実施形態において、前記予備半導体パターンの決定化を促進させるためにニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、鉄（Ｆｅ）、錫（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）等のような金属触媒を使うことができる。
例示的な実施形態によれば、前記有機発光表示装置のスイッチング素子のしきい電圧を調節するために、前記予備半導体パターン及び／または半導体パターン１１０にＮ型不純物或いはＰ型不純物を注入することができる。
バッファ層１０５上に半導体パターン１１０を覆ってゲート絶縁膜１２０を形成する。例えば、ゲート絶縁膜１２０は酸化シリコン、金属酸化物などを化学気相蒸着（ＣＶＤ）工程、プラズマ促進化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）工程、原子層積層（ＡＬＤ）工程、スパッタリング工程、真空蒸着工程などでバッファ層１０５上に蒸着して形成される。ゲート絶縁膜１２０は前記酸化シリコン及び／または、前記金属酸化物を含む断層構造または、多層構造で形成される。
ゲート絶縁膜１２０上にゲート電極１２５を形成する。例示的な実施形態において、ゲート絶縁膜１２０上に第１導電膜（図示せず）を形成した後、写真エッチング工程や追加的なエッチングマスクを利用する工程を通じて前記第１導電膜をパターニングすることによってゲート絶縁膜１２０上にゲート電極１２５を形成できる。前記第１導電膜はクロム、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステン、銅、銀、ネオジムなどの金属、これらの合金などをスパッタリング工程、化学気相蒸着（ＣＶＤ）工程、原子層積層（ＡＬＤ）工程、真空蒸着工程、プリンティング（printing）工程などで蒸着して形成できる。図７に示したように、ゲート電極１２５は引き続き形成される半導体パターン１１０のチャネル領域１１４上部に位置することができる。
ゲート電極１２５をマスクとして使って半導体パターン１１０に不純物を注入することによって、半導体パターン１１０にソース領域１１２及びドレーン領域１１６を形成する。この場合、ソース領域１１２とドレーン領域１１６との間の半導体パターン１１０の部分はチャネル領域１１４として定義される。チャネル領域１１４は上部に形成されたゲート電極１２５と実質的にオーバーラップすることができる。
ゲート絶縁膜１２０上にゲート電極１２５を覆う第１層間絶縁膜１３０を形成する。第１層間絶縁膜１３０は酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、透明絶縁物質などを化学気相蒸着（ＣＶＤ）工程、プラズマ促進化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）工程、高密度プラズマ−化学気相蒸着（ＨＤＰ−ＣＶＤ）工程、スピンコーティング工程などで蒸着して形成される。第１層間絶縁膜１３０は、シリコン化合物または透明絶縁物質を含む断層構造、或いは、多層構造で形成されることができる。
図８を参照すれば、第１層間絶縁膜１３０上に半導体パターン１１０のソース領域１１２及びドレーン領域１１６と各々接触するソース電極１３３及びドレーン電極１３５を形成する。例示的な実施形態によれば、第１層間絶縁膜１３０及びゲート絶縁膜１２０を部分的にエッチングして半導体パターン１１０のソース領域１１２及びドレーン領域１１６をそれぞれ露出させる開口またはホールを形成する。この後、第１層間絶縁膜１３０、ソース領域１１２及びドレーン領域１１６上に前記開口または前記ホールを埋めるように第２導電膜（図示せず）を形成する。次に、フォトレジストパターンまたはその他のマスクパターンを利用して前記第２導電膜をパターニングすることによって、ソース領域１１２及びドレーン領域１１６にそれぞれ電気的に接続されるソース電極１３３及びドレーン電極１３５を形成する。前記第２導電膜はクロム、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステン、銅、銀、ネオジムなどのような金属、これらの合金などをスパッタリング工程、化学気相蒸着（ＣＶＤ）工程、原子層積層（ＡＬＤ）工程、真空蒸着工程、プリンティング工程などで蒸着して形成できる。
ソース電極１３３及びドレーン電極１３５の形成により、第１基板１００上には半導体パターン１１０、ゲート絶縁膜１２０、ゲート電極１２５、ソース電極１３３及びドレーン電極１３５等を含むスイッチング素子１４０が形成される。例示的な実施形態において、スイッチング素子１４０は半導体パターン１１０を含む薄膜トランジスタに該当する。他の例示的な実施形態によれば、スイッチング素子１４０として酸化物半導体素子が使われる。
図９を参照すれば、第１層間絶縁膜１３０上にスイッチング素子１４０を覆って第２層間絶縁膜１５０が形成される。第２層間絶縁膜１５０はアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）等の透明絶縁物質を使って形成されることができる。また、第２層間絶縁膜１５０はスピンコーティング（spin coating）工程、スリットコーティング（slit coating）工程などを適用して第１層間絶縁膜１３０上に形成されることができる。例示的な実施形態によれば、第２層間絶縁膜１５０はそれ自体で平坦性（self−planarizing property）を有する物質を使って形成されることができる。他の例示的な実施形態において、第２層間絶縁膜１５０に対して平坦化工程を遂行し、第２層間絶縁膜１５０が平坦な上面を有することができる。
第２層間絶縁膜１５０上にドレーン電極１３５に接触する第１電極１６０を形成する。例示的な実施形態によれば、第２層間絶縁膜１５０を部分的にエッチングしてドレーン電極１３５の一部を露出させるコンタクトホール（図示せず）を形成する。第２層間絶縁膜１５０及び前記コンタクトホールを通じて露出するドレーン電極１３５上に第３導電膜（図示せず）を形成した後、前記第３導電膜をパターニングして第１電極１６０を形成する。ここで、前記第３導電膜はクロム、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステン、銅、銀、ネオジムなどの金属、合金などを使って形成することができる。また、前記第３導電膜はスパッタリング工程、化学気相蒸着工程、原子層積層工程、真空蒸着工程、プリンティング工程等を通じて取得できる。他の例示的な実施形態において、前記第３導電膜はインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、亜鉛錫酸化物（ＺＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、亜鉛酸化物、錫酸化物などのような透明導電性物質を使って形成されることができる。また他の例示的な実施形態によれば、前記第３導電膜は第２層間絶縁膜１５０上に上述した金属、これらの合金などを含む第１層を形成した後、前記第１層上に前述した透明導電性物質を含む第２層を形成して得られる。
図１０を参照すれば、第２層間絶縁膜１５０及び第１電極１６０上に画素定義膜１６５と正孔輸送層２１０を形成する。例示的な実施形態において、アクリル系樹脂、ポリイミド、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）等のような感光性物質層（図示せず）を第２層間絶縁膜１５０と第１電極１６０上に形成する。露光マスクを利用して前記感光性物質層を選択的に露光させた後に、露光された感光性物質層を現像し、第２層間絶縁膜１５０上に第１電極１６０の一部を露出させる画素定義膜１６５を形成できる。他の例示的な実施形態によれば、非感光性有機物質層或いは無機物質層を第２層間絶縁膜１５０と第１電極１６０上に形成した後、前記非感光性有機物質層或いは前記無機物質層を部分的にエッチングして画素定義膜１６５を形成できる。
画素定義膜１６５の形成により前記有機発光表示装置の画素領域の第１領域（Ｉ）と非画素領域の第２領域（ＩＩ）が定義される。
この場合、画素定義膜１６５により露出する第１電極１６０は前記画素領域に位置し、前記非画素領域には第１電極１６０の一部と画素定義膜１６５が位置する。
例示的な実施形態において、画素定義膜１６５は約１０００〜約４０００Åの厚さを有するように形成できる。画素定義膜１６５の厚さが１０００Å未満の場合、画素領域の第１領域（Ｉ）と非画素領域の第２領域（ＩＩ）が明確に区分できなくて有機発光表示装置の解像度が低下することができる。画素定義膜１６５の厚さが４０００Åを超過する場合、画素定義膜１６５及び第１電極１６０上に正孔輸送層２１０または、正孔注入層を連続的な形状で均一なプロファイルを有するように蒸着するのが容易でないこともある。
画素定義膜１６５と露出した第１電極１６０上に正孔輸送層２１０を提供する。即ち、正孔輸送層２１０は前記画素領域及び前記非画素領域に全部形成される。例えば、正孔輸送層２１０はＮＰＢ、ＴＰＤ、α−ＮＰＤ、Ｎ−フェニルカバゾール、ポリビニルカバゾールなどのような正孔輸送物質を真空蒸着工程、熱蒸着工程、スリットコーティング工程、スピンコーティング工程、全面プリンティング工程などで蒸着して形成される。
他の例示的な実施形態において、正孔輸送層２１０を形成する前に画素定義膜１６５及び露出した第１電極１６０上に先に正孔注入層を提供した後、前記正孔注入層上に正孔輸送層２１０を形成できる。ここで、前記正孔注入層は、ＴＣＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＰＢ、２−ＴＮＡＴＡなどのような物質を使って形成し、真空蒸着工程、熱蒸着工程、スリットコーティング工程、スピンコーティング工程、全面プリンティング工程などを適用して得ることができる。
図１１を参照すれば、前記非画素領域の第２領域（ＩＩ）に位置する正孔輸送層２１０上に疎水性パターン２１５を形成する。例示的な実施形態によれば、疎水性パターン２１５はフッ素原子が結合或いはハイブリッドされた炭素原子を含む高分子、オリゴマー、デンドリマー、モノマー物質などのようなフッ素系物質を使って形成されることができる。これらは単独、または、互いに組合わせて使われる。
例示的な実施形態によれば、前記炭素原子は１つ（ＣＦ１）、２つ（ＣＦ２）或いは３つ（ＣＦ３）のフッ素原子と結合することができる。一実施形態において、疎水性パターン２１５は、−（ＣＦ２−ＣＦ２）ｎ−、の反復単位を含むフッ素系高分子物質を使って形成される（ｎは２〜１０,０００の整数である）。
他の例示的な実施形態によれば、疎水性パターン２１５はシリコン原子にアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン、アミノ基、ヒドロキシ基などのような有機官能基が結合した有機シラン系物質を使って形成されることができる。例えば、前記有機シラン系物質は下記の化学式（３）にて表示されることができる。
Figure 0005982146
前記の化学式（３）において、Ｒ１〜Ｒ４は、各々独立的に水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ基または、ヒドロキシ基などから選択できる。例示的な実施形態によれば、Ｒ１〜Ｒ４のうち少なくとも一つは、炭素数１〜２０のアルキル基または、炭素数１〜２０のアルコキシ基である。また、前記炭素数１〜２０のアルキル基または、炭素数１〜２０のアルコキシ基は少なくとも一つのフッ素原子に置換されたものであることができる。
疎水性パターン２１５が前記フッ素系物質或いは有機シラン系物質を含むことによって正孔輸送層２１０との間の表面エネルギーの差が発生し、これによって、有機発光層２２０は画素領域の第１領域（Ｉ）上に選択的に形成されることができる。
例示的な実施形態において、疎水性パターン２１５はレーザー熱転写（laser induced thermal imaging：ＬＩＴＩ）工程などを利用して得られることができる。
図１２は本発明の例示的な実施形態により正孔輸送層２１０上に疎水性パターン２１５を形成する過程を説明するための断面図である。
図１２を参照すれば、まず、ドナー（donor）基板１０上にフッ素系の高分子、オリゴマー、デンドリマー、モノマー物質などの前記フッ素系物質または、前記有機シラン系物質を使って疎水性層２１４を形成する。
疎水性層２１４と正孔輸送層２１０を実質的に対向させながらドナー基板１０を第１基板１００上部に位置または接着させた後、マスク１５を使って前記非画素領域の第２領域（ＩＩ）に位置する疎水性層２１４に選択的にレーザーを照射（矢印参照）する。このようなレーザー照射によって疎水性層２１４が前記非画素領域（第２領域（ＩＩ））に位置する正孔輸送層２１０上にだけ選択的に転写されることによって、図１１に示したように前記非画素領域にのみ疎水性パターン２１５を形成できる。
他の例示的な実施形態によれば、ドナー基板１０と疎水性層２１４の間に光−熱変換層が追加的に形成することができる。このような光−熱変換層はレーザーのような光を吸収してこれを熱に変換させる機能を持つことができる。前記光−熱変換層はアルミニウム、銀、これらの酸化物、これらの硫化物などを使って形成されることができる。これとは異なって、前記光−熱変換層はカーボンブラック、黒鉛、光の波長による染料を含む高分子などを使って形成されることもできる。
また他の例示的な実施形態によれば、前述したレーザー照射工程を実行しないで疎水性パターン２１５を得ることができる。例えば、ドナー基板１０上に形成された疎水性層２１４を正孔輸送層２１０に接着（laminating）させた後、熱と圧力を加えることによって正孔輸送層２１０上に疎水性パターン２１５を形成できる。正孔輸送層２１０は、前記非画素領域と前記画素領域との間に段差を有するので、このような正孔輸送層２１０の段差によって前記非画素領域の第２領域（ＩＩ）の正孔輸送層２１０上にのみ選択的に疎水性パターン２１５を形成できる。
また他の例示的な実施形態において、疎水性パターン２１５はインクジェットプリンティング（inkjet printing）工程、ノズルプリンティング（nozzle printing）工程などのようなプリンティング工程を通じて前記非画素領域の正孔輸送層２１０上に形成されることができる。前記インクジェットプリンティング工程、或いは、ノズルプリンティング工程は溶液性工程で実行されることができる。即ち、前記フッ素系物質、及び／または、有機シラン系物質を溶媒に混合し疎水性組成物を製造する。前記疎水性組成物をインクジェットプリンティング装置、或いは、ノズルプリンティング装置のノズルを通じて前記非画素領域の正孔輸送層２１０上にプリンティングすることによって疎水性層を形成した後、乾燥工程等を通じて疎水性パターン２１５を形成できる。
これとは異なって、前記インクジェットプリンティング工程、或いは、ノズルプリンティング工程は非溶液性工程で実行されることもできる。例えば、前記疎水性組成物をインクジェットプリンティング装置或いはノズルプリンティング装置のノズル内に注入した後、１次加熱を通じて前記ノズル内温度を上昇させて前記疎水性組成物の溶媒を蒸発させる。溶媒が除去された前記疎水性組成物を２次加熱を通じて気化或いは昇華させ、気化或いは昇華した前記疎水性組成物を前記ノズルを通じて前記非画素領域の正孔輸送層２１０上に選択的にプリンティングすることによって疎水性パターン２１５を形成できる。この時、正孔輸送層２１０上には溶媒が除去された前記疎水性組成物がプリンティングできるので、別途の乾燥工程を実行しない場合がある。前記１次及び２次加熱時ノズル内の温度は前記溶媒及びフッ素系物質、及び／または、有機シラン系物質の種類によって沸点及び昇華点を考慮して適切に調節することができる。
また他の例示的な実施形態において、前記疎水性パターン２１５はスタンピング（stamping）工程またはオフセット（offset）或いは反転オフセット（reverse offset）方式などのインプリンティング（imprinting）工程等を通じて前記非画素領域の正孔輸送層２１０上に選択的に形成されることもできる。
例示的な実施形態によれば、疎水性パターン２１５は約１０００Å〜約３μｍの厚さで形成されることができる。疎水性パターン２１５の厚さが１０００Å未満の場合、有機発光層２２０を画素領域の第１領域（Ｉ）にのみ選択的に形成することが容易でないこともある。疎水性パターン２１５の厚さが３μｍを超過する場合は非経済的であり、有機発光表示装置の小型化に不利である。
図１３を参照すれば、前記画素領域の第１領域（Ｉ）に位置する正孔輸送層２１０上に有機発光層２２０が形成される。有機発光層２２０は赤色光、緑色光、青色光などのように互いに異なる色の光を発生させるための有機発光物質を使って形成されることができる。他の例示的な実施形態において、有機発光層２２０は前記有機発光物質を混合して白色光を発光させる構造で形成される。また、有機発光層２２０は前記発光有機物質をドーパント（dopant）として使い、さらに、ホスト（host）物質を追加的に含ませて形成されることもできる。ここで、有機発光層２２０で光を発生させるメカニズムが蛍光方式或いは燐光方式であるかによって適切なドーパント及びホスト物質を選択することができる。
例示的な実施形態によれば、有機発光層２２０はスピンコーティング工程、ロールプリンティング工程、ノズルプリンティング工程、インクジェットプリンティング工程、ドナー基板を活用した転写工程などを利用して形成することができる。この場合、前記非画素領域の第２領域（ＩＩ）に位置する疎水性パターン２１５が有機発光層２２０の形成領域を前記画素領域の第１領域（Ｉ）に限定し、有機発光層２２０が相対的に親水性を有する前記画素領域の正孔輸送層２１０上にのみ選択的に形成できる。ここで、有機発光層２２０の底面は正孔輸送層２１０の上面に接触することができ、有機発光層２２０の側面は正孔輸送層２１０及び疎水性パターン２１５の側面に接触することができる。
図１４を参照すれば、疎水性パターン２１５及び有機発光層２２０上に電子輸送層２３０を形成した後、電子輸送層２３０上に第２電極２５０が形成される。電子輸送層２３０と第２電極２５０は、それぞれ有機発光層２２０と疎水性パターン２１５のプロファイルに沿って均一に形成されることができる。例えば、電子輸送層２３０は、Ａｌｑ、ＰＢＤ、ＴＡＺ、ルブレンなどの電子輸送物質を真空蒸着工程、熱蒸着工程、スリットコーティング工程、スピンコーティング工程などで積層して形成される。
また、第２電極２５０はリチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム／カルシウム（ＬｉＦ／Ｃａ）、フッ化リチウム／アルミニウム（ＬｉＦ／Ａｌ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）等の金属、これらの合金などを使うスパッタリング工程、化学気相蒸着工程、原子層積層工程、真空蒸着工程、プリンティング工程等を通じて形成される。一方、第２電極２５０の構造により、第２電極２５０は前記金属、及び／または、これらの合金で構成された第１層、及び／または、透明導電物質からなる第２層を含む多層構造で形成される。
他の例示的な実施形態において、第２電極２５０を形成する前に、電子輸送層２３０上に電子注入層を追加的に形成することができる。例えば、前記電子注入層はリチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Na）、セシウム（Ｃｓ）、バリウム（Ｂａ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土金属、これらのフッ化物、これらの塩化物、これらの酸化物などを使って、真空蒸着工程、熱蒸着工程、スリットコーティング工程、スピンコーティング工程等を通して形成されることができる。
図示はしていないが、第２電極２５０上に保護層を形成した後、このような保護層上に第１基板１００に実質的に対向する第２基板を形成する。前記保護層は透明物質を使って形成され、前記第２基板は第１基板１００と実質的に同一または実質的に類似の基板を使って形成されることができる。
図１５〜図２３は本発明の他の例示的な実施形態に係る有機発光構造物を含む有機発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
図１５を参照すれば、図４〜図９を参照して説明した工程と実質的に同一または実質的に類似の工程を実行し、第１基板１００上に第１層間絶縁膜１３０、スイッチング素子１４０、及び第２層間絶縁膜１５０を形成した後、第２層間絶縁膜１５０上にスイッチング素子１４０のドレーン電極１３５に電気的に連結される第１電極１６０を形成する。
図１６を参照すれば、第２層間絶縁膜１５０及び第１電極１６０上に第１電極１６０の一部を露出させる画素定義膜１６５を形成する。例示的な実施形態によれば、画素定義膜１６５はアクリル系樹脂、ポリイミド、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）等のような感光性物質層を第２層間絶縁膜１５０と第１電極１６０上に形成した後、前記感光性物質層を選択的に露光及び現像して形成されることができる。これとは異なって、画素定義膜１６５は非感光有機物質層或いは無機物質層を形成した後、前記非感光有機物質層または前記無機物質層をエッチングして形成されることもできる。
画素定義膜１６５が形成されることによって、露出した第１電極１６０が位置する画素領域の第１領域（Ｉ）が定義され、画素定義膜１６５によりカバーされる非画素領域の第２領域（ＩＩ）も定義される。
図１７を参照すれば、画素定義膜１６５及び露出した第１電極１６０上に予備正孔輸送層２１１を形成できる。例示的な実施形態によれば、予備正孔輸送層２１１は正孔輸送物質、感光性単量体、光重合開始剤、有機溶媒などを含む感光性組成物を使って形成されることができる。また、予備正孔輸送層２１１は真空蒸着工程、熱蒸着工程、スリットコーティング工程、スピンコーティング工程、プリンティング工程などを利用して画素定義膜１６５及び露出された第１電極１６０上に形成されることができる。例えば、前記正孔輸送物質はＴＰＤ、α−ＮＰＤ、Ｎ−フェニルカバゾール、ポリビニルカバゾールなどを含むことができる。これらは単独或いは２つ以上を組み合わせて使うことができる。前記感光性単量体は露光によって架橋反応を起こす物質を含むことができる。前記感光性単量体はアクリレート系物質、メタクリレート系物質などを含むことができる。例えば、前記感光性単量体は、１,４−ブタンジオールアクリレート、１,３−ブチレングリコールジアクリレート、１,６−ヘキサンジオールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、ジプロピレングリコールジアクリレート、ソルビトールトリアクリレート、ビスフェノールＡジアクリレート誘導体、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールジアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、トリメチルプロパンエトキシトリアクルリレート、または、これらのメタアクリレート類などを含むことができる。これらは単独或いは２つ以上を混合して使うことができる。
前記光重合開始剤はアセトフェノン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、チオキサントン系化合物、ベンゾイン系化合物、トリアジン系化合物などを含むことができる。これらは単独または２つ以上を混合して使うことができる。前記アセトフェノン系化合物の例としては、２,２'−ジエトキシアセトフェノン、２,２'−ジブトキシアセトフェノン、ｐ−t−ブチルトリクロロアセトフェノン、４−クロロアセトフェノンなどを挙げることができる。前記ベンゾフェノン系化合物の例としては、４,４'−ジメチルベンゾフェノン、４,４'−ジクロロベンゾフェノン、３,３'−ジメチル−２−メトキシベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、アクリル化ベンゾフェノン、４−フェニルベンゾフェノンなどを挙げることができる。前記チオキサントン系化合物の例としては、チオキサントン、２−メチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、２,４−ジエチルチオキサントン、２,４−ジイソプロピルチオキサントン、２−クロロチオキサントンなどを挙げることができる。前記ベンゾイン系化合物の例としては、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチールエーテルなどを挙げることができる。前記トリアジン系化合物の例としては、２,４,６−トリクロロ−ｓ−トリアジン、２−フェニル−４,６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３',４'−ジメトキシスチリル）−４,６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４'−メトキシナフチル）−４,６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４,６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジンなどを挙げることができる。前記有機溶媒は前記正孔輸送物質、感光性単量体及び光重合開始剤を溶解させることができる適切な溶媒を含むことができ、種類において特別に制限されるのではない。他の例示的な実施形態において、前記感光性組成物は塗布性向上のために界面活性剤をさらに含むことができる。
図１８を参照すれば、予備正孔輸送層２１１に対して選択的露光工程を実行し、前記画素領域の第１領域（Ｉ）に形成された予備正孔輸送層２１１を第１パターン２１２ａに変化させ、前記非画素領域の第２領域（ＩＩ）に形成された予備正孔輸送層２１１を第２パターン２１２ｂに変化させる。これに伴い、第１パターン２１２ａ及び第２パターン２１２ｂを含む正孔輸送層２１２を形成することができる。
例示的な実施形態によれば、予備正孔輸送層２１１上部に透過部（１２）及び遮光部（１４）を含むマスク１５を位置させる。マスク１５の透過部（１２）は前記非画素領域の予備正孔輸送層２１１に実質的に重なることができ、マスク１５の遮光部（１４）は前記画素領域の予備正孔輸送層２１１に実質的に重なることができる。続いて、レーザー、紫外線などの光を利用してマスク１５を通じて前記非画素領域の予備正孔輸送層２１１を選択的に露光させる。この時、前記光がマスク１５により前記非画素領域（第２領域（ＩＩ））の予備正孔輸送層２１１上にのみ照射され、前記非画素領域の予備正孔輸送層２１１で架橋反応或いは重合反応が起きる。従って、前記非画素領域の予備正孔輸送層２１１に含まれた前記感光性単量体が前記光重合開始剤によって架橋反応或いは重合反応を誘導して感光性高分子を形成することになり、前記非画素領域に位置する正孔輸送層２１２は第２パターン２１２ｂに変化する。
前記画素領域の第１領域（Ｉ）に形成された予備正孔輸送層２１２では架橋反応或いは重合反応が起きないので感光性高分子が形成されない。この時、前記画素領域に形成された予備正孔輸送層２１１に残留する感光性単量体、光重合開始剤、有機溶媒などは蒸発して除去することによって、前記画素領域に第１パターン２１２ａを形成できる。他の例示的な実施形態によれば、第２パターン２１２ｂに含まれた感光性高分子を硬化させ、第１パターン２１２ａに残留する感光性単量体、光重合開始剤、有機溶媒などを除去するためにベイキング（baking）工程を追加的に実行できる。また他の例示的な実施形態において、別途の現像液を使って前記画素領域（第１領域（Ｉ））上に形成された予備正孔輸送層２１１上に残留する感光性単量体、光重合開始剤、有機溶媒などを除去することができる。
一方、マスク１５に含まれる遮光部１４の幅を調節することによって第２パターン２１２ｂが形成される領域を適切に調節することもできる。
図１９を参照すれば、第２パターン２１２ｄは画素定義膜１６５上面のみならず画素定義膜１６５側壁の一部上にも形成されることができる。この場合、第１パターン２１２ｃは第１電極１６０及び第２パターン２１２ｄが形成されていない画素定義膜１６５側壁一部上に形成されることができる。
図２０を参照すれば、第２パターン２１２ｆは画素定義膜１６５上面及び側壁上に形成されることができる。この時、第１パターン２１２ｅは第１電極１６０上に形成されることができる。
図２１を参照すれば、第２パターン２１２ｈは画素定義膜１６５上面及び側壁上に形成され、第１電極１６０の一部上にも形成されることができる。ここで、第１パターン２１２ｇは第２パターン２１２ｈが形成されていない第１電極１６０一部上に形成されることができる。
例示的な実施形態によれば、上述した選択的露光工程によって正孔輸送層２１２は前記画素領域に位置する第１パターン２１２ａ及び前記非画素領域に位置する第２パターン２１２ｂを含む。第１パターン２１２ａは感光性単量体、光重合開始剤、有機溶媒などが除去され正孔輸送物質のみが残留するので電気伝導性を有することができる。第２パターン２１２ｂは前記正孔輸送物質と共に感光性単量体が架橋結合或いは重合されて形成された感光性高分子を含むことができる。従って、第２パターン２１２ｂは第１パターン２１２ａに比べて実質的に低い電気伝導性を有することができる。即ち、前記画素領域の正孔輸送層２１２のみで選択的に電気伝導性を付与することによって、前記画素領域から電荷が側面に広がることを防止できる。また、図１９〜図２１に示したように、第２パターン２１２ｄ、２１２ｆ、２１２ｈが形成される領域を調節し、正孔が移動或いは輸送される領域を適切に限定することができる。その結果前記有機発光表示装置の発光特性、色純度、輝度分布などの多様な特性を向上させることができる。
他の例示的な実施形態において、正孔輸送層２１２を形成する前に、画素定義膜１６５及び露出した第１電極１６０上に正孔注入層を形成した後、前記正孔注入層上に正孔輸送層２１２を形成することもできる。前記正孔注入層はＴＣＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＰＢ、２−ＴＮＡＴＡなどの物質を使って形成することができる。また、前記正孔注入層は真空蒸着工程、熱蒸着工程、スピンコーティング工程、スリットコーティング工程、プリンティング工程などを利用して形成される。
以下では、図１８に示したように、第２パターン２１２ｂが画素定義膜１６５上面上に限定されて形成される場合を例示的に説明する。
図２２を参照すれば、前記非画素領域に形成された正孔輸送層２１２の第２パターン２１２ｂ上に疎水性パターン２１５が形成される。疎水性パターン２１５は図１１及び図１２を参照して説明した工程と実質的に同一または類似の工程を実行することによって得られる。この場合、第２パターン２１２ｂが電気伝導性の低い高分子物質を含むので、疎水性パターン２１５がより容易に前記非画素領域にだけ選択的に形成されることができる。
図２３を参照すれば、図１３及び図１４を参照して説明した工程と実質的に同一または類似の工程を実行し、前記画素領域の正孔輸送層２１２上に有機発光層２２０を形成した後、疎水性パターン２１５と有機発光層２２０上に電子輸送層２３０と第２電極２５０が順次に形成されるのが示される。ここで、前記非画素領域には疎水性パターン２１５が形成されているので、有機発光層２２０は相対的に親水性を有する前記画素領域にのみ選択的に形成されることができる。
他の例示的な実施形態によれば、電子輸送層２３０と第２電極２５０との間に電子注入層を追加的に形成することができる。このような電子注入層はリチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、セシウム（Ｃｓ）、バリウム（Ｂａ）などのようなアルカリ金属或いはアルカリ土金属、これらのフッ化物、これらの塩化物、これらの酸化物などを使って形成されることができる。また、前記電子注入層は真空蒸着工程、熱蒸着工程、スリットコーティング工程、スピンコーティング工程などを利用して形成されることができる。
図２４〜図２６は本発明のまた他の例示的な実施形態に係る有機発光構造物を含む有機発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
図２４に示すように、図１５〜図２２を参照して説明した工程と実質的に同一または実質的に類似の工程等を遂行し、第１基板１００上にスイッチング素子１４０を提供した後、第１基板１００上部に第２層間絶縁膜１５０、第１電極１６０、画素定義膜１６５、第１パターン２１２ａ及び第２パターン２１２ｂを含む正孔輸送層２１２、疎水性パターン２１５等を形成する。疎水性パターン２１５は前記有機発光表示装置の非画素領域に形成され、前記有機発光表示装置の画素領域に位置する正孔輸送層２１２上には有機発光層２２０が形成される。ここで、有機発光層２２０は疎水性パターン２１５により形成領域が限定できる。
一方、図示されることはなかったが、前記第１パターン及び第２パターンが形成される領域は図１９〜図２１に示したように調節できる。下記では第２パターン２１２ａが画素定義膜１６５の上面に限定し形成される場合を例示的に説明する。
図２５を参照すれば、疎水性パターン２１５と有機発光層２２０上に予備電子輸送層２３３を形成する。予備電子輸送層２３３は電子輸送物質、感光性単量体、光重合開始剤、有機溶媒などを含む感光性組成物を使って形成されることができる。また、予備電子輸送層２３３は真空蒸着工程、熱蒸着工程、スリットコーティング工程、スピンコーティング工程、プリンティング工程などを利用して得られる。
例示的な実施形態において、前記電子輸送物質はＡｌｑ、ＰＢＤ、ＴＡＺ、ルブレンなどと同じ物質を含むことができる。予備電子輸送層２３３に含まれる感光性単量体及び光重合開始剤は図１７を参照して説明した予備正孔輸送層２１１を形成するための物質と実質的に同一または実質的に類似とすることができる。
図２６を参照すれば、図１８を参照して説明した工程と実質的に同一または実質的に類似の工程を予備電子輸送層２３３に対して遂行し、前記画素領域に位置する予備電子輸送層２３３を第３パターン２３５ａで変化させ、前記非画素領域に位置する予備電子輸送層２３３を第４パターン２３５ｂで変化させる。これに伴い、有機発光層２２０と疎水性パターン２１５上に第３パターン２３５ａ及び第４パターン２３５ｂを含む電子輸送層２３５が形成することができる。
一方、図示されることはなかったが、第４パターン２３５ｂは疎水性パターン２１５のみならず有機発光層２２０一部上にも形成されることができる。この場合、第３パターン２３５ａは第４パターン２３５ｂが形成されていない有機発光層２２０部分上に形成されることができる。
例示的な実施形態において、電子輸送層２３５の第３パターン２３５ａから感光性単量体、光重合開始剤、有機溶媒などが除去されて電子輸送物質だけが残留することがあるので第３パターン２３５ａは所定の電気伝導性を有することができる。反面、電子輸送層２３５の第４パターン２３５ｂは電子輸送物質と共に感光性単量体が架橋結合または、重合されて形成された感光性高分子を含むので第３パターン２３５ａに比べて実質的に低い電気伝導性を有することができる。
例示的な実施形態によれば、正孔輸送層２１２のみならず電子輸送層２３５も前記非画素領域に位置する部分の電気伝導性を減少させることによって電荷が側面方向に移動することを防止きるし、電気伝導性が低い第４パターン２３５ｂが配置される領域を調節し電子が移動或いは輸送される領域を適切に限定することができる。これに伴い、前記有機発光表示装置の発光特性をより一層向上させることができる。
図示はしていないが、図２３を参照して説明した工程と実質的に同一または実質的に類似の工程を遂行して電子輸送層２３５上に第２電極を形成できる。他の例示的な実施形態において、前記第２電極を形成する前に、電子輸送層２３５上に電子注入層を追加的に形成することもできる。前記第２電極上には保護層と第２基板が形成される。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範囲内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと理解される。
本発明の実施形態に係る有機発光構造物を含む有機発光表示装置において、有機発光層を画素領域にだけ選択的に均一に形成することがあるので、特に大きなディスプレイ面積を有する高解像度のディスプレイ装置に有用に活用できる。
１０ ドナー基板
１２、１４ 遮光部
１４ 遮光部
１５ マスク
１００ 第１基板
１０５ バッファ層
１１０ 半導体パターン
１１２ ソース領域
１１４ チャネル領域
１１６ ドレーン領域
１２０ ゲート絶縁膜
１２５ ゲート電極
１３０ 第１層間絶縁膜
１３３ ソース電極
１３５ ドレーン電極
１５０ 第２層間絶縁膜
１６０ 第１電極
１６５ 画素定義膜
２１０、２１２ 正孔輸送層
２１１ 予備正孔輸送層
２１２ａ、２１２ｃ、２１２ｅ、２１２ｇ 第１パターン
２１２ｂ、２１２ｄ、２１２ｆ、２１２ｈ 第２パターン
２１４ 疎水性層
２１５ 疎水性パターン
２２０ 有機発光層
２３０、２３５ 電子輸送層
２３５ａ 第３パターン
２３５ｂ 第４パターン
２３３ 予備電子輸送層
２４０ 有機発光構造物
２５０ 第２電極

Claims (61)

  1. 第１領域及び第２領域を有する正孔輸送層と、
    前記第１領域の正孔輸送層上に配置された有機発光層と、
    前記第２領域の正孔輸送層上に、感光性物質に対応して選択的に配置された疎水性パターンと、
    前記疎水性パターン及び前記有機発光層上に配置される電子輸送層と、を含み、
    前記正孔輸送層は、
    前記第１領域に配置される第１パターンと、
    前記第２領域に配置される第２パターンと、を含み、
    前記第１パターンは正孔輸送物質を含み、架橋結合または重合された感光性物質は前記第２パターンだけに含まれることを特徴とする有機発光構造物。
  2. 前記第１領域は画素領域であり、前記第２領域は非画素領域であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光構造物。
  3. 前記疎水性パターンによって前記有機発光層の形成領域が限定されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光構造物。
  4. 前記正孔輸送層下に配置される正孔注入層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有機発光構造物。
  5. 前記電子輸送層上に配置される電子注入層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有機発光構造物。
  6. 前記疎水性パターンは、フッ素原子が結合した炭素原子を含む高分子、オリゴマー、デンドリマー、及びモノマーからなるグループから選択された少なくとも一つのフッ素系物質または有機シラン系物質を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機発光構造物。
  7. 前記フッ素系物質は、−（ＣＦ２−ＣＦ２）ｎ−、の反復単位を含むフッ素界高分子であることを特徴とする請求項６に記載の有機発光構造物。
  8. 前記有機シラン系物質は下記化学式（１）にて表示されることを特徴とする請求項６に記載の有機発光構造物。
    Figure 0005982146
     （前記化学式（１）において、Ｒ１〜Ｒ４は各々独立的に水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、ハロゲン、アミノ基または、ヒドロキシ基を示し、Ｒ１〜Ｒ４のうち少なくとも一つは炭素数１〜２０のアルキル基または、炭素数１〜２０のアルコキシ基である。）
  9. 前記炭素数１〜２０のアルキル基、または、炭素数１〜２０のアルコキシ基は少なくとも一つのフッ素原子置換基を有することを特徴とする請求項８に記載の有機発光構造物。
  10. 前記疎水性パターンは１０００Å〜３μｍの厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の有機発光構造物。
  11. 前記第２パターンは前記第１パターンより小さい電気伝導性を有することを特徴とする請求項１記載の有機発光構造物。
  12. 前記感光性物質はアクリレート系物質、または、メタクリレート系物質を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機発光構造物。
  13. 前記電子輸送層は前記第１領域にオーバーラップされる第３パターン及び前記第２領域に重なる第４パターンを含むことを特徴とする請求項１に記載の有機発光構造物。
  14. 前記第３パターンは電子輸送物質を含み、前記第４パターンは電子輸送物質及び架橋結合または重合された感光性物質を含むことを特徴とする請求項１３に記載の有機発光構造物。
  15. 前記第４パターンは前記第３パターンより小さい電気伝導性を有することを特徴とする請求項１４に記載の有機発光構造物。
  16. 画素領域と非画素領域を有する第１基板と、
    前記第１基板上部に配置される第１電極と、
    前記第１基板上部に配置され、前記画素領域で前記第１電極を露出させる画素定義膜と、
    前記画素定義膜及び前記露出した第１電極上に配置される正孔輸送層と、
    前記非画素領域の前記正孔輸送層上に、感光性物質に対応して選択的に配置される疎水性パターンと、
    前記画素領域の前記正孔輸送層上に配置される有機発光層と、
    前記疎水性パターン及び前記有機発光層上に配置される電子輸送層と、
    前記電子輸送層上に配置される第２電極と、を含み、
    前記正孔輸送層は第１パターン及び前記第１パターンより小さい電気伝導性を有する第２パターンを含み、前記第１パターンは前記画素領域に配置され、前記第２パターンは前記非画素領域に配置されることを特徴とする有機発光表示装置。
  17. 前記第１基板上に配置し、前記第１電極に電気的に連結されるスイッチング素子をさらに含むことを特徴とする請求項１６に記載の有機発光表示装置。
  18. 前記画素定義膜及び前記露出した第１電極と前記正孔輸送層との間に配置される正孔注入層をさらに含むことを特徴とする請求項１６に記載の有機発光表示装置。
  19. 前記電子輸送層と前記第２電極との間に配置される電子注入層をさらに含むことを特徴とする請求項１６に記載の有機発光表示装置。
  20. 前記画素定義膜は１０００Å〜４０００Åの厚さを有することを特徴とする請求項１６に記載の有機発光表示装置。
  21. 前記第１パターンは前記露出した第１電極と前記画素定義膜の側壁上に配置され、前記第２パターンは前記画素定義膜の上面上に配置されることを特徴とする請求項１６に記載の有機発光表示装置。
  22. 前記第１パターンは前記露出した第１電極と前記画素定義膜の側壁一部上に配置され、前記第２パターンは前記画素定義膜の上面及び前記第１パターンが形成されていない前記画素定義膜の側壁一部上に配置されることを特徴とする請求項１６に記載の有機発光表示装置。
  23. 前記第１パターンは前記露出した第１電極上に配置され、前記第２パターンは前記画素定義膜の上面及び前記画素定義膜の側壁上に配置されることを特徴とする請求項１６に記載の有機発光表示装置。
  24. 前記第１パターンは前記露出した第１電極一部上に配置され、前記第２パターンは前記画素定義膜及び前記第１パターンが形成されていない前記第１電極の一部上に配置されることを特徴とする請求項１６に記載の有機発光表示装置。
  25. 前記電子輸送層は第３パターン及び前記第３パターンより小さい電気伝導性を有する第４パターンを含むことを特徴とする請求項１６に記載の有機発光表示装置。
  26. 前記第３パターンは前記有機発光層上に配置され、前記第４パターンは前記疎水性パターン上に配置されることを特徴とする請求項２５に記載の有機発光表示装置。
  27. 前記第３パターンは前記有機発光層一部上に配置され、前記第４パターンは前記疎水性パターン及び前記第３パターンが形成されていない前記有機発光層の部分上に配置されることを特徴とする請求項２５に記載の有機発光表示装置。
  28. 第１領域及び第２領域を有する正孔輸送層を提供する段階と、
    前記第２領域の正孔輸送層上に配置される疎水性パターンを形成する段階と、
    前記第１領域の正孔輸送層上に有機発光層を形成する段階と、
    前記疎水性パターン及び前記有機発光層上に電子輸送層を形成する段階と、を含み、
    前記正孔輸送層を形成する段階は、
    感光性組成物を含む予備正孔輸送層を提供する段階と、
    前記第２領域の前記予備正孔輸送層を選択的に露光させる段階と、を含み、
    前記第２領域の前記予備正孔輸送層は架橋反応または、重合反応によって第２パターンに変換され、
    前記第１領域の前記予備正孔輸送層は第１パターンに変換されることを特徴とする有機発光構造物の製造方法。
  29. 前記疎水性パターンを形成する段階は、
    ドナー基板上に疎水性層を形成する段階と、
    前記疎水性層が前記正孔輸送層に対向するように前記正孔輸送層の上に前記ドナー基板を位置させる段階と、
    前記第２領域に選択的にレーザーを照射して前記疎水性層を前記正孔輸送層上に転写させる段階と、を含むことを特徴とする請求項２８に記載の有機発光構造物の製造方法。
  30. 前記疎水性パターンを形成する段階は、
    ドナー基板上に疎水性層を形成する段階と、
    前記疎水性層が前記正孔輸送層に対向するように前記正孔輸送層上に前記ドナー基板を位置させる段階と、
    前記ドナー基板に熱及び圧力を加えて前記第２領域の正孔輸送層上に前記疎水性パターンを形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項２８に記載の有機発光構造物の製造方法。
  31. 前記疎水性パターンを形成する段階は、インクジェットプリンティング工程、ノズルプリンティング工程、スタンピング工程、オフセットインプリンティング工程、及び反転オフセットインプリンティング工程のうち選択されたいずれか一つの工程を通じて遂行されることを特徴とする請求項２８に記載の有機発光構造物の製造方法。
  32. 前記疎水性パターンを形成する段階は、フッ素系物質または有機シラン系物質及び溶媒を含む疎水性組成物を前記第２領域の正孔輸送層上に導入する溶液性工程を通じて実行されることを特徴とする請求項３１に記載の有機発光構造物の製造方法。
  33. 前記疎水性パターンを形成する段階は、気化或いは昇華したフッ素系物質または、有機シラン系物質を前記第２領域の正孔輸送層上に導入する非溶液性工程を通じて実行されることを特徴とする請求項３１に記載の有機発光構造物の製造方法。
  34. 前記感光性組成物は、正孔輸送物質、感光性単量体、光重合開始剤及び有機溶媒を含むことを特徴とする請求項２８に記載の有機発光構造物の製造方法。
  35. 前記第１パターンは前記正孔輸送物質を含み、前記第２パターンは前記正孔輸送物質と前記感光性単量体が、架橋結合または重合された高分子物質を含むことを特徴とする請求項３４に記載の有機発光構造物の製造方法。
  36. 前記第２領域の前記予備正孔輸送層を選択的に露光させる段階後、ベイキング工程を実行する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２８に記載の有機発光構造物の製造方法。
  37. 前記第２領域の前記予備正孔輸送層を選択的に露光させる段階後、現像液を使って前記第１パターン上に残留する前記感光性単量体、光重合開始剤、及び有機溶媒を除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項３４に記載の有機発光構造物の製造方法。
  38. 前記電子輸送層を形成する段階は、前記有機発光層及び前記疎水性パターン上に感光性組成物を含む予備電子輸送層を形成する段階と、
    前記疎水性パターン上に形成された前記予備電子輸送層を選択的に露光させる段階と、
    を含むことを特徴とする請求項２８に記載の有機発光構造物の製造方法。
  39. 前記感光性組成物は電子輸送物質、感光性単量体、光重合開始剤及び有機溶媒を含むことを特徴とする請求項３８に記載の有機発光構造物の製造方法。
  40. 前記疎水性パターン上に形成された前記予備電子輸送層は架橋反応、または、重合反応によって第４パターンに変換され、前記有機発光層上に形成された前記予備電子輸送層を第３パターンに変換されることを特徴とする請求項３９に記載の有機発光構造物の製造方法。
  41. 前記第３パターンは前記電子輸送物質を含み、前記第４パターンは前記電子輸送物質と前記感光性単量体が、架橋結合または重合された高分子物質を含むことを特徴とする請求項４０に記載の有機発光構造物の製造方法。
  42. 前記疎水性パターン上に形成された前記予備電子輸送層を選択的に露光させる段階以後に、ベイキング工程を実行する段階をさらに含むことを特徴とする請求項３８に記載の有機発光構造物の製造方法。
  43. 前記疎水性パターン上に形成された前記予備電子輸送層を選択的に露光させる段階以後に、現像液を使って前記第３パターン上に残留する前記感光性単量体、光重合開始剤、及び有機溶媒を除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項４０に記載の有機発光構造物の製造方法。
  44. 前記正孔輸送層を提供する前に、正孔注入層を提供する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２８に記載の有機発光構造物の製造方法。
  45. 前記電子輸送層を形成した後に、前記電子輸送層上に電子注入層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２８に記載の有機発光構造物の製造方法。
  46. 前記疎水性パターンは１０００Å〜３μｍの厚さで形成されることを特徴とする請求項２８に記載の有機発光構造物の製造方法。
  47. 画素領域及び非画素領域を有する第１基板の上部に第１電極を形成する段階と、
    前記第１基板上部に前記第１電極を露出させる画素定義膜を形成する段階と、
    前記画素定義膜及び前記露出した第１電極上に正孔輸送層を形成する段階と、
    前記非画素領域の前記正孔輸送層上に疎水性パターンを形成する段階と、
    前記画素領域の前記正孔輸送層上に有機発光層を形成する段階と、
    前記疎水性パターン及び前記有機発光層上に電子輸送層を形成する段階と、
    前記電子輸送層上に第２電極を形成する段階と、を含み、
    前記正孔輸送層を形成する段階は、前記画素定義膜及び前記露出した第１電極上に感光性組成物を含む予備正孔輸送層を形成する段階と、前記画素定義膜上に形成された前記予備正孔輸送層を選択的に露光させる段階とを含み、
    前記画素定義膜の上面上に形成された前記予備正孔輸送層は架橋反応または重合反応によって第２パターンに変換し、
    前記画素定義膜の側壁及び前記露出した第１電極上に形成された前記予備正孔輸送層は第１パターンに変換されることを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。
  48. 前記疎水性パターンはフッ素原子が結合された炭素原子を含む高分子、オリゴマー、デンドリマー、及びモノマーからなるグループから選択された少なくとも一つのフッ素系物質または、有機シラン系物質を使って形成されることを特徴とする請求項４７に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  49. 前記疎水性パターンを形成する段階は、
    ドナー基板上に疎水性層を形成する段階と、
    前記疎水性層を前記正孔輸送層に対向させて前記第１基板上部に前記ドナー基板を位置させる段階と、
    前記非画素領域に選択的にレーザーを照射する段階と、を含むことを特徴とする請求項４７に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  50. 前記疎水性パターンを形成する段階は、
    ドナー基板上に疎水性層を形成する段階;前記疎水性層を前記正孔輸送層に対向させて前記正孔輸送層上に前記ドナー基板を位置させる段階と、
    前記ドナー基板に熱及び圧力を加える段階を含むことを特徴とする請求項４７に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  51. 前記疎水性パターンを形成する段階は、インクジェットプリンティング工程、ノズルプリンティング工程、スタンピング工程、オフセットインプリンティング工程、及び反転オフセットインプリンティング工程から選択されたいずれか一つの工程を通じて実行されることを特徴とする請求項４７に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  52. 前記疎水性パターンを形成する段階は、フッ素系物質または有機シラン系物質及び溶媒を含む疎水性組成物を前記非画素領域の正孔輸送層上に導入する溶液性工程を通じて実行されることを特徴とする請求項５１に記載の有機発光構造物の製造方法。
  53. 前記疎水性パターンを形成する段階は、気化或いは昇華したフッ素系物質または有機シラン系物質を前記非画素領域の正孔輸送層上に導入する非溶液性工程を通じて実行されることを特徴とする請求項５１に記載の有機発光構造物の製造方法。
  54. 前記画素定義膜上面及び前記画素定義膜の側壁一部上に形成された前記予備正孔輸送層は、架橋反応または重合反応によって第２パターンに変換し、前記第２パターンが形成されていない前記画素定義膜側壁の部分及び前記露出した第１電極上に形成された前記予備正孔輸送層は第１パターンに変換することを特徴とする請求項４７に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  55. 前記画素定義膜上面及び前記画素定義膜の側壁上に形成された前記予備正孔輸送層は、架橋反応または重合反応によって第２パターンに変換され、前記露出した第１電極上に形成された前記予備正孔輸送層は第１パターンに変換されることを請求項４７に記載の特徴とする有機発光表示装置の製造方法。
  56. 前記画素定義膜及び前記露出した第１電極一部上に形成された前記予備正孔輸送層は、架橋反応または重合反応によって第２パターンに変換され、前記第２パターンが形成されていない前記露出した第１電極の部分上に形成された前記予備正孔輸送層は第１パターンに変換されることを特徴とする請求項４７に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  57. 前記電子輸送層を形成する段階は、
    前記有機発光層及び前記疎水性パターン上に感光性組成物を含む予備電子輸送層を形成する段階と、
    前記非画素領域に形成された前記予備電子輸送層を選択的に露光させる段階と、を含むことを特徴とする請求項４７に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  58. 前記疎水性パターン上に形成された前記予備電子輸送層は、架橋反応または重合反応によって第４パターンに変換され、前記有機発光層上に形成された前記予備電子輸送層は第３パターンに変換されることを特徴とする請求項５７に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  59. 前記疎水性パターン及び前記有機発光層一部上に形成された前記予備電子輸送層は架橋反応または重合反応によって第４パターンに変換され、前記第４パターンが形成されていない前記有機発光層の部分上に形成された前記予備電子輸送層は第３パターンに変換されることを特徴とする請求項５７に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  60. 前記正孔輸送層を形成する前に、前記画素定義膜及び前記露出した第１電極上に正孔注入層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項４７に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  61. 前記電子輸送層を形成した後に、前記電子輸送層上に電子注入層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項４７に記載の有機発光表示装置の製造方法。
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