JP6100778B2 - スロット内に形成される反射壁部を備えるled混合チャンバ - Google Patents

スロット内に形成される反射壁部を備えるled混合チャンバ Download PDF

Info

Publication number
JP6100778B2
JP6100778B2 JP2014525543A JP2014525543A JP6100778B2 JP 6100778 B2 JP6100778 B2 JP 6100778B2 JP 2014525543 A JP2014525543 A JP 2014525543A JP 2014525543 A JP2014525543 A JP 2014525543A JP 6100778 B2 JP6100778 B2 JP 6100778B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
cover layer
led chip
metal ring
mixing chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014525543A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014522129A (ja
Inventor
サムベール マルク アンドレ ド
サムベール マルク アンドレ ド
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Koninklijke Philips NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips NV filed Critical Koninklijke Philips NV
Publication of JP2014522129A publication Critical patent/JP2014522129A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6100778B2 publication Critical patent/JP6100778B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/851Wavelength conversion means
    • H10H20/8511Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H10H20/8512Wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/81Bodies
    • H10H20/811Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions
    • H10H20/812Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions within the light-emitting regions, e.g. having quantum confinement structures
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/81Bodies
    • H10H20/822Materials of the light-emitting regions
    • H10H20/824Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
    • H10H20/825Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP containing nitrogen, e.g. GaN
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/851Wavelength conversion means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/852Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/852Encapsulations
    • H10H20/854Encapsulations characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/855Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H10H20/856Reflecting means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01Manufacture or treatment
    • H10H20/036Manufacture or treatment of packages
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01Manufacture or treatment
    • H10H20/036Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0361Manufacture or treatment of packages of wavelength conversion means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01Manufacture or treatment
    • H10H20/036Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0362Manufacture or treatment of packages of encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01Manufacture or treatment
    • H10H20/036Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0363Manufacture or treatment of packages of optical field-shaping means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/851Wavelength conversion means
    • H10H20/8515Wavelength conversion means not being in contact with the bodies
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/072Connecting or disconnecting of bump connectors
    • H10W72/07251Connecting or disconnecting of bump connectors characterised by changes in properties of the bump connectors during connecting
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/20Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Description

本発明は、発光ダイオード(LED)のための混合チャンバに関し、とりわけ、反射壁部を持つ混合チャンバを形成する方法に関する。
一般照明目的のために、又はLCDディスプレイのためのバックライトを形成するために、反射性のプリント回路基板(PCB)上にLEDのアレイを取り付け、次いで、PCBを、反射側壁部を持つボックス内に取り付けることが知られている。LEDは、その混合物が白色光を作成する赤色、緑色及び青色であってもよく、又は青色LEDだけが、白色光を作成するための蛍光体と組み合わせて用いられてもよい。必要に応じて、拡散器が、一般に、ボックスの上部に配置される。従って、混合及び拡散により、混合チャンバから大体一様な光が発せられる。
このような混合チャンバは、ばらばらのパーツの取り扱い及び組み立てを必要とする。結果として、混合チャンバは、相対的に高価である。
必要とされているものは、LEDを収容する混合チャンバを形成するための改善された技術である。
以下の技術は、本発明による混合チャンバを形成するための方法の一実施例に過ぎない。他の実施例も、本発明の範囲内にある。
電源端子に至るトレース及び金属パッドを持つ相対的に大きな基板が設けられる。前記基板は、拡散性白色表面などの反射性表面を持つ。前記基板は、或る例においては、4つの混合チャンバを形成するだろう。
むきだし(ベア)のLEDチップ又はパッケージ化LEDチップのようなLEDチップが、LEDチップの別々のアレイを形成するよう前記基板に取り付けられる。各アレイは、別々の混合チャンバ用である。この例においては、前記基板に取り付けられるLEDチップの4つのアレイが存在する。
レーザエッチング停止層としての使用のために、LEDチップの各アレイのまわりに矩形の金属リングが形成される。
前記LEDチップをカプセル化するよう、前記基板及び前記金属リングに、シリコーンなどのカプセル材料の層が堆積される。前記LEDチップをカプセル化するために、前記カプセル材料は、液体として付着され、硬化されてもよく、又は前記カプセル材料は、熱及び圧力を用いて前記基板の上に積層され、次いで硬化されてもよい。
次いで、スロットを形成するよう、前記金属リングの上の前記カプセル材料をエッチングするのに、レーザが用いられる。ここで、前記金属リングは、前記基板をエッチングするのを防止するレーザエッチング停止層の役割を果たす。前記レーザは、随意に、後の個片化プロセス中に前記カプセル材料が鋸によって切断されないように、個片化ラインに沿ってエッチングし得る。
次いで、各混合チャンバの反射壁部を形成するよう、白色塗料などの反射材料が、前記LEDアレイの各々のまわりの前記スロット内に堆積される。前記反射材料は、ペースト又は液体材料の場合には、容易に、スキージをかけて前記スロット内へ入れられ得る。次いで、必要に応じて、前記カプセル材料の表面が洗浄される。
前記LEDチップが青色光だけを発し、所望の発光が白色光である場合には、前記カプセル材料及び反射壁部に蛍光体層が堆積され得る。前記蛍光体層は、ほぼ前記基板のサイズの予め形成されたタイルであり得る。
次いで、前記4つの混合チャンバを分離するよう、前記基板が個片化される。
結果として生じる混合チャンバは、次いで、LCDディスプレイの後部に結合され、バックライトとして用いられ得る。組み立てられるばらばらのパーツがなく、多数の混合チャンバが同時に形成されることから、結果として生じる混合チャンバは、安価であり、信頼性が高い。
複数のLEDチップを相互接続するための金属パッド及びトレースを持つ反射基板の上面図であり、関連するLEDアレイに外接する金属リングが示される。 単一の混合チャンバの領域内の2つのLEDチップを示す、図1における線2−2に沿った断面図である。 基板に堆積されるカプセル材料を図示する。 レーザによってカプセル材料を貫いて形成されるスロットであって、各混合チャンバのための反射側壁部の位置を規定するスロットを図示する。 反射材料が充填されるスロットを図示する。 白色光を生成するために、必要に応じて、カプセル材料に堆積される蛍光体層を図示する。 後の鋸による切断が、有機層を通る切断をする必要がないように、レーザが、更に、個片化ラインに対応するスロットにエッチングする別の実施例を図示する。
図1は、反射基板10の上面図である。基板10は、セラミック、絶縁された金属、FR−4又は他の材料で形成されるサブマウントであり得る。基板10は、基板10に取り付けられる複数のLEDチップ12を相互接続するために、その上面に金属パッド及びトレースを持つ。上部金属パッドは、プリント回路基板又は他の装置のパッドにはんだ付けされる下部金属パッドに貫通バイア穴によって接続され得る。別の実施例においては、バイア穴は用いられず、上部金属パッドは、電源に接続される上面の他のパッドまで延在する。関連するLEDアレイに外接する、銅で形成されるような金属リング14が示されている。
基板10の上面は、反射性白色塗料、又はラミネートされた反射層などの他の適切な反射性コーティングでコーティングされ得る。
各アレイ中には、所望の混合チャンバのサイズ及び明るさに依存して、任意の数のLEDチップ12が存在してもよく、アレイは、任意の形状であり得る。或る実施例においては、LEDチップ12は、ベアのフリップチップ・チップである。LEDチップは、その代わりに、ワイヤボンディングのための1つ以上の上部電極を持ち得る。別の実施例においては、LEDチップ12は、レンズなしで又はレンズとパッケージ化される。
或る実施例においては、LEDチップ12は、全て、GaNベースのものであり、青色光を発する。別の実施例においては、赤色、緑色及び青色LEDチップ12であって、それらの光が、混合された場合に、白色光をもたらす赤色、緑色及び青色LEDチップ12が存在する。各LEDチップ12は、n型半導体層と、p型半導体層と、n型層及びp型層の間の活性層と、n型層及びp型層に電気的に接触するための少なくとも2つの電極とを有する。
図2は、基板10の個片化前の単一の混合チャンバにおける使用のための4つのLEDチップ12のうちの2つを示す、図1における線2−2に沿った断面図である。LEDチップ12の底面に形成されるLED電極16は、基板10上の対応する金属パッド18及び20に接合される。接合は、超音波溶接、はんだ付け又は他の手段によるものであり得る。LEDチップ12は、この例においては、LED電極16間に接続されるトレースによって直列に接続される。金属パッド18及び20の少なくとも幾つかは、LEDチップ12に電力を供給するプリント回路基板又は他の装置にはんだ付けするためのロバストな下部金属パッド23及び24に、金属充填バイア穴22によって接続される。
各混合チャンバの境界を規定する金属リング14が示されている。
金属層は、印刷(例えば、銅層の積層に続く選択的なエッチング)、スパッタリング、又は任意の他の適切な技術によって、形成され得る。
LEDチップ12は、約1mm2のものであり得る。基板10は、30cm以上の辺を持つ正方形のような任意のサイズのものであり得る。
図3は、LEDチップ12を密封し、高屈折率界面材料を供給するために、基板10に堆積されるカプセル材料26の例を図示している。カプセル材料26は、シリコーン、SU8、エポキシ、又は他の材料であり得る。カプセル材料26は、スピンオンされてもよく、又はそうでない場合には、液体として付着され、硬化されてもよい。他の例においては、カプセル材料16は、軟化シートとして予め形成され、熱及び圧力を用いて基板10上に積層されてもよい。カプセル材料26は、次いで、硬化される。この例においては、カプセル材料26の上面は、実質的に平坦であるが、他の表面形状も用いられ得る。カプセル材料26の厚さは、混合チャンバの壁部の高さを規定する。カプセル材料26の厚さは、数ミリメートルしかなくてもよい。
図4は、例示的な355nmパルスレーザによってカプセル材料26を貫いて形成されるスロット28であって、各混合チャンバのための反射側壁部の位置を規定するスロット28を図示している。金属リング14は、基板10に対する損傷を防止するためにレーザのためのエッチング停止層を供給する。レーザは、自動的に、金属リング14に位置合わせされ得る。レーザの代わりに、任意の他の適切なマスキング及びエッチングプロセスが用いられてもよい。
図5は、カプセル材料26の表面にわたってスキージをかけられる、(例えば、TiOを含む)適切な白色塗料などの反射材料30が充填されるスロット28を図示している。スクリーン印刷又は他のプロセスも用いられ得る。反射材料30は、液体、ペースト、乾燥粒子又は他の適切な材料であり得る。反射材料30は、硬化後に混合チャンバの反射壁部を形成する。必要に応じて、カプセル材料26の上面は、次いで、洗浄される。カプセル材料の上面は、光抽出の増大のために、及び/又は光を拡散させるために、粗くされてもよい。
図6は、白色光を生成するために、必要に応じて、カプセル材料26の上面に堆積される蛍光体層34を図示している。蛍光体層34は、任意の方法で堆積され得る。或る実施例においては、蛍光体層34は、例えばシリコーンの薄い層によってカプセル材料26に固定される予め形成されたシートである。他の実施例においては、蛍光体層34は、最初は、液体又は部分的に硬化した材料であり、吹き付けられる、スピンオンされる、又は他の方法で堆積される。更に、蛍光体層34は、連続層として堆積されてもよく、(ドットなどの)所定のパターンとして堆積されてもよく、傾斜厚みを持つよう堆積されてもよく、又は後処理ステップを用いてパターン形成されてもよい。蛍光体層34を通る個片化をしないことが望ましい場合には、蛍光体は、個片化ラインの上にはないように堆積されてもよい。
RGBのLEDチップ12が用いられる場合には、蛍光体層34は、拡散層に置き換えられてもよい。随意に、蛍光体層34に拡散層が堆積されもよい。
基板10は、次いで、鋸による切断などによって、金属リング14間で個片化される。各混合チャンバは、図6のようであり得る。様々なLEDチップ12からの光は、各LEDチップ12からの広角発光、基板10の表面からの反射、及び側壁部からの反射によって、混合されるだろう。蛍光体層34も、光を拡散させる。発光の一様性の向上のために必要に応じて、拡散層が挿入されてもよく、又はカプセル材料26の上面が、蛍光体層34を堆積させる前にマイクロレンズを持つよう形成される又は粗くされる。
図7は、後の鋸による切断が、有機層を通る切断をする必要がないように、レーザが、更に、個片化ライン44に対応するカプセル材料26を貫通するスロット40エッチングする別の実施例を図示している。このような場合には、金属リング14が、レーザエッチング停止層の役割を果たすよう、混合チャンバの境界にわたって延在し得る。
或る実施例においては、各混合チャンバは、単一のLEDチップしか含まないかもしれず、光線の混合は、混合チャンバの境界内の実質的に一様な発光をもたらす。
見られるように、取り扱うべき又は組み立てるべき別々のパーツなしに、ウエハ・スケールで多くの混合チャンバが同時に製造される。結果として生じる混合チャンバは、それ故、安価であり、信頼性が高い。
混合チャンバは、任意のサイズのLCDをバックライトで照らすのに用いられ得る。混合チャンバは、一般照明目的のための白色光を生成するために用いられてもよい。
本発明の特定の実施例を示し、記載しているが、本発明のより幅広い態様において、本発明から外れずに、変更及び修正がなされ得ることは、当業者には明らかであろう。それ故、添付の請求項は、本発明の本来の趣旨及び範囲に入るようなこのような変更及び修正を、全て、それらの範囲内に含む。

Claims (18)

  1. LEDを収容する混合チャンバを製造する方法であって、
    基板を設けるステップであって、前記基板が第1の複数の混合チャンバ領域を持つステップと、
    前記基板の上面に第1の複数のLEDチップを取り付けるステップであって、各混合チャンバ領域が少なくとも1つのLEDチップを収容するステップと、
    前記複数のLEDチップを取り囲んで前記基板の上に金属リングを設けるステップであって、前記金属リングはエッチング停止層を提供し、前記金属リングは少なくともデバイスの個片化ラインまで延在する幅を有する、ステップと、
    前記基板及びLEDチップを覆うカバー層を形成するステップと、
    前記カバー層を形成するステップの後に、前記金属リングの上に位置するスロットを形成するよう、前記カバー層の少なくとも一部をエッチングするステップと、
    各混合チャンバを取り囲む反射壁部を形成するよう、前記スロット反射材料少なくとも部分的に充填するステップと、
    個々の混合チャンバに分離するよう、前記基板を個片化するステップとを有し、
    前記反射壁部は、前記複数のLEDチップに面する内表面と、外表面とを有し、
    前記カバー層の一部が、前記反射材料の前記外表面の周囲に存在し、
    前記金属リングは、前記反射材料の前記外表面の外側に前記カバー層まで延在する、
    方法。
  2. 前記基板の前記上面の少なくとも一部が反射性である請求項1に記載の方法。
  3. 前記エッチングするステップが、前記金属リングの少なくとも一部が露出されるまで前記カバー層をエッチングすることを有する請求項に記載の方法。
  4. 前記エッチングするステップが、レーザを用いて前記カバー層をエッチングすることを有する請求項1に記載の方法。
  5. 前記スロット少なくとも部分的に充填するステップが、前記スロット内に反射材料を堆積させることを有する請求項1に記載の方法。
  6. 各混合チャンバ領域が、第2の複数のLEDチップを含む請求項1に記載の方法。
  7. 前記カバー層が、カプセル化層である請求項1に記載の方法。
  8. 前記LEDチップがベアチップである請求項1に記載の方法。
  9. 前記基板が、金属パッドを持ち、前記基板の前記上面に前記LEDチップを取り付けるステップが、前記金属パッドに前記LEDチップの電極を接合することを有する請求項1に記載の方法。
  10. 前記LEDチップが、青色光を発し、前記方法が、前記LEDチップの上方に蛍光体層を堆積させるステップを更に有する請求項1に記載の方法。
  11. 前記カバー層が、実質的に平坦な表面を持つ請求項1に記載の方法。
  12. LEDを収容する混合チャンバであって、
    基板であって、前記基板の上面の少なくとも一部が反射性である基板と、
    前記基板の前記上面に取り付けられる複数のLEDチップと、
    前記複数のLEDチップを取り囲んで前記基板の上に形成された金属リングであって、前記金属リングはエッチング停止層を提供し、前記金属リングは少なくともデバイスの個片化ラインまで延在する幅を有する、金属リングと、
    前記基板及びLEDチップを覆うカバー層と、
    前記金属リングの上に位置して前記カバー層に形成されスロットであって、前記スロットが、前記混合チャンバの外形寸法に対応するスロットと、
    前記スロット少なくとも部分的に充填し、前記混合チャンバを取り囲む反射壁部を形成する反射材料と
    を有し、
    前記反射壁部は、前記複数のLEDチップに面する内表面と、外表面とを有し、
    前記カバー層の一部が、前記反射材料の前記外表面の周囲に存在し、
    前記金属リングは、前記反射材料の前記外表面の外側に前記カバー層まで延在している、
    ャンバ。
  13. 前記LEDチップが、青色光を発し、前記チャンバが、前記カバー層を覆う波長変換層を更に有する請求項12に記載のチャンバ。
  14. 前記波長変換層が、シート材料、液体材料、部分的に硬化した材料、又はスピンオン材料として付される請求項13に記載のチャンバ。
  15. 前記カバー層が、実質的に平坦な上面を持つ請求項12に記載のチャンバ。
  16. 前記カバー層が、前記LEDチップをカプセル化している請求項12に記載のチャンバ。
  17. 前記LEDチップがベアチップである請求項12に記載のチャンバ。
  18. 前記基板が、金属パッドを持ち、前記金属パッドに前記LEDチップの電極が接合されている請求項12に記載のチャンバ。
JP2014525543A 2011-08-16 2012-08-14 スロット内に形成される反射壁部を備えるled混合チャンバ Active JP6100778B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161523869P 2011-08-16 2011-08-16
US61/523,869 2011-08-16
PCT/IB2012/054128 WO2013024428A1 (en) 2011-08-16 2012-08-14 Led mixing chamber with reflective walls formed in slots

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014522129A JP2014522129A (ja) 2014-08-28
JP6100778B2 true JP6100778B2 (ja) 2017-03-22

Family

ID=47137976

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014525543A Active JP6100778B2 (ja) 2011-08-16 2012-08-14 スロット内に形成される反射壁部を備えるled混合チャンバ

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9246072B2 (ja)
EP (1) EP2745320B1 (ja)
JP (1) JP6100778B2 (ja)
KR (1) KR101945532B1 (ja)
TW (1) TWI573295B (ja)
WO (1) WO2013024428A1 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013024428A1 (en) * 2011-08-16 2013-02-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led mixing chamber with reflective walls formed in slots
US10043960B2 (en) * 2011-11-15 2018-08-07 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) packages and related methods
CN103311261B (zh) * 2013-05-24 2016-02-17 安徽三安光电有限公司 集成led发光器件及其制作方法
CN103892940B (zh) * 2013-12-02 2016-08-17 北京工业大学 一种充液型笼球式主动脉瓣支架系统
US9954144B2 (en) * 2014-01-10 2018-04-24 Cree, Inc. Wafer level contact pad solder bumping for surface mount devices with non-planar recessed contacting surfaces
EP3800673B1 (en) 2015-11-30 2024-12-25 Nichia Corporation Light emitting device
US10256218B2 (en) * 2017-07-11 2019-04-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device package
US11450648B2 (en) 2019-03-19 2022-09-20 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device package and application thereof
US11437551B2 (en) * 2019-03-19 2022-09-06 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device package and application thereof
US11940662B2 (en) * 2020-10-27 2024-03-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor structure and method for forming the same

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001148517A (ja) * 1994-12-06 2001-05-29 Sharp Corp 発光デバイス
DE10051159C2 (de) 2000-10-16 2002-09-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Modul, z.B. Weißlichtquelle
JP2004071895A (ja) * 2002-08-07 2004-03-04 Sony Corp 導電層形成用の型及びその製造方法
JP2004200531A (ja) * 2002-12-20 2004-07-15 Stanley Electric Co Ltd 面実装型led素子
TWI246783B (en) * 2003-09-24 2006-01-01 Matsushita Electric Works Ltd Light-emitting device and its manufacturing method
US9368428B2 (en) * 2004-06-30 2016-06-14 Cree, Inc. Dielectric wafer level bonding with conductive feed-throughs for electrical connection and thermal management
KR100638868B1 (ko) * 2005-06-20 2006-10-27 삼성전기주식회사 금속 반사 층을 형성한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
JP4945106B2 (ja) * 2005-09-08 2012-06-06 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
KR100702569B1 (ko) * 2005-09-12 2007-04-02 김광희 반사면 부착형 발광소자
JP5214128B2 (ja) 2005-11-22 2013-06-19 シャープ株式会社 発光素子及び発光素子を備えたバックライトユニット
TWI285449B (en) * 2006-04-14 2007-08-11 Gigno Technology Co Ltd Light emitting unit
TW200801713A (en) * 2006-06-22 2008-01-01 Radiant Opto Electronics Corp Light emitting diode (LED) back light module and applycation thereof
TWI418054B (zh) * 2006-08-08 2013-12-01 Lg電子股份有限公司 發光裝置封裝與製造此封裝之方法
CN101536179B (zh) * 2006-10-31 2011-05-25 皇家飞利浦电子股份有限公司 照明设备封装
JP5013905B2 (ja) * 2007-02-28 2012-08-29 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
US7777412B2 (en) * 2007-03-22 2010-08-17 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Phosphor converted LED with improved uniformity and having lower phosphor requirements
EP2221885A4 (en) * 2007-11-19 2013-09-25 Panasonic Corp SEMICONDUCTOR LIGHTING ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR LIGHTING ELEMENT
JP2009176661A (ja) * 2008-01-28 2009-08-06 Nec Lighting Ltd Led照明装置
TW200947665A (en) * 2008-05-02 2009-11-16 Asda Technology Co Ltd High color rendering light-emitting diodes
CN102017204A (zh) * 2008-05-07 2011-04-13 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有包含发光材料的自支撑网格的led照明器件和制作自支撑网格的方法
US8415870B2 (en) * 2008-08-28 2013-04-09 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device and backlight source, backlight source system, display device and electronic device using the same
KR101639793B1 (ko) 2008-09-25 2016-07-15 코닌클리케 필립스 엔.브이. 코팅된 발광 장치 및 그 코팅 방법
US8033693B2 (en) * 2009-04-30 2011-10-11 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Lighting structure with multiple reflective surfaces
US8097894B2 (en) 2009-07-23 2012-01-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with molded reflective sidewall coating
JP5550886B2 (ja) * 2009-11-13 2014-07-16 シチズン電子株式会社 Led発光装置
JP2011204376A (ja) * 2010-03-24 2011-10-13 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
US20110254030A1 (en) * 2010-04-15 2011-10-20 Perkinelmer Elcos Gmbh Liquid reflector
WO2013024428A1 (en) * 2011-08-16 2013-02-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led mixing chamber with reflective walls formed in slots

Also Published As

Publication number Publication date
US20140175466A1 (en) 2014-06-26
WO2013024428A1 (en) 2013-02-21
KR101945532B1 (ko) 2019-02-07
EP2745320A1 (en) 2014-06-25
TWI573295B (zh) 2017-03-01
US20160133801A1 (en) 2016-05-12
EP2745320B1 (en) 2017-02-22
JP2014522129A (ja) 2014-08-28
US9246072B2 (en) 2016-01-26
CN103733335A (zh) 2014-04-16
KR20140053316A (ko) 2014-05-07
TW201322501A (zh) 2013-06-01
US9391246B2 (en) 2016-07-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6100778B2 (ja) スロット内に形成される反射壁部を備えるled混合チャンバ
JP3820408B2 (ja) 蛍光体を用いた波長変換型発光ダイオードパッケージの製造方法
US10431567B2 (en) White ceramic LED package
US9512968B2 (en) LED module
TWI513064B (zh) A light emitting device and a manufacturing method thereof
US11189601B2 (en) Reflective solder mask layer for LED phosphor package
EP2312657B1 (en) Method of manufacturing light emitting diode device
TWI645577B (zh) 具有用於側發光之定型生長基板之發光二極體
KR100976607B1 (ko) 씨오엠(com) 형 발광다이오드 패키지, 이를 이용한 발광다이오드 모듈 및 그 제조방법
EP2479810A2 (en) Light-emitting device package and method of manufacturing the same
JP4386789B2 (ja) 発光ダイオード素子の製造方法
CN105023987A (zh) Led承载座及其制造方法
JP2012134295A (ja) 半導体発光装置及びその製造方法
TWI565101B (zh) 發光二極體封裝體及其製造方法
CN103733335B (zh) 具有形成在槽中的反射壁的led混合室
KR20120114041A (ko) 글래스 커버를 갖는 led 패키지 제조 방법
KR20120114043A (ko) 글래스 커버를 갖는 led 패키지 및 그 제조 방법
KR101461156B1 (ko) 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법
KR101647068B1 (ko) 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법
KR20130091102A (ko) Led 패키지 및 그 제조방법
JP2019012804A (ja) Led照明装置
TW201539795A (zh) 發光半導體封裝及相關方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20150511

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150811

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160622

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160705

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160826

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170131

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170223

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6100778

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250