JP6216558B2 - ケミカルループの動作最適化方法 - Google Patents
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Description
アメリカ合衆国政府は、エネルギー省契約No.DE−FC26−07 NT 43095に従い、本発明における所定の権利を有する。
本願は、米国仮特許出願第61/674,659号("Nonliner Model Predictive Control for Chemical Looping Process."、2012年7月23日出願)(その全ての開示は参照により本明細書中に含まれる)の優先権の利益を主張する。
典型的なケミカルループ(CL)システムでは、カルシウムベースまたは金属ベースの化合物などの固体が、たとえば、第1のリアクタ(酸化器と呼ばれる)と第2のリアクタ(還元器と呼ばれる)との間で「ループされる」、高温プロセスが用いられる。酸化器内では、酸化器に注入された空気からの酸素が酸化反応において固体により捕捉される。捕捉された酸素は、その後、酸化固体により、たとえば石炭などの燃焼および/またはガス化のために用いられるべき還元器まで運ばれる。還元器内での還元反応の後、固体(もはや捕捉酸素を有しない)は再び酸化されるために酸化器に戻され、このサイクルが繰り返される。
ケミカルループプロセスに関する安定性および最大利益性という目標を達成するため、高度なプロセス制御設計は、この技術の開発における重要な要素の1つとなっている。モデル予測制御(MPC)は、モデルに基づくプロセス制御の高度な方法の1つである。これは、プロセスの内部動的モデルと、最適な制御移動を計算するための最適化ソルバとを用いる、多変数制御アルゴリズムである。非線形モデルに基づき、線形または非線形コスト関数と、状態および入力変数についての一般非線形制約とを考慮するMPCスキームは、よく考えられた非線形モデル予測制御(NMPC)である。非線形モデル予測制御(NMPC)は図1に概略的に示されている。
1.どのように非線形予測モデルを構築するか
プロセスモデルはNMPCにおいて決定的な役割を果たし、良いものの開発は産業においてNMPCを広く適用するための大きな挑戦である。
非線形モデリングは計算的(コンピュータ的)に費用がかかる傾向にあるため、計算的要件はNMPCの適用に関する基本的な制限を構成する。NMPCのケミカルループプロセスへの適用が成功するには、各制御時ステップにおける計算時間が分単位でなければならない。
多重ループ相互作用のため、ケミカルループプロセスの制御は、複雑な多重入出力制御の問題である。さらに、固体質量流量についておよびディップレッグ内の固体残留量の長さについての測定値がないことから、NMPCの利点が得られる全体制御構造をどのように設計するかは未解決の問題である。
NMPCは非線形最適化に基づく制御手法であり、NMPCは制約およびコスト関数に基づく次の最適な制御移動を与えうる。直接コスト(たとえば燃料および電力のコスト)と、間接コスト(たとえば制御パフォーマンス)との両方を含むコスト関数をどのように設計するかが、NMPCのケミカルループプロセスへの適用のメリットを決定する。
NMPC用の非線形モデルを生成する2つの方法がある。1つはテストデータに基づく経験的モデルを構築することである。もう1つは質量平衡、運動量保存およびエネルギー平衡ならびに化学種平衡を用いることにより、第一原理モデルを構築することである。
1.ケミカルループプロセスの制御に適用されるNMPC
MPCは石油化学産業および製油産業において用いられてきたが、NMPCに対する適用例は未だほとんど無い。さらに、ケミカルループプロセスは、開発途上の新たな技術であり、NMPCをこの新たな技術に適用することは初めてである。
文献にある既存のモデリング方法と異なり、本発明にかかる二層流用の次数低減モデルは、モデルに基づく制御のための簡単かつ信頼性あるモデルを構築するためのより容易な方法を提供する。さらに、モデルの予測とともに、この次数低減モデルはプロセスを最適化するためにも用いることができる。
次数低減またはモデル識別のためのニューラルネットワークモデルを用いて、NMPCモデリングへの代替的な解法が提供される。さらに、第一原理および経験的モデリングの両方を組み合わせることにより、今後のケミカルループプロセスシミュレーションおよび制御最適化に価値が加えられる。
NMPCのケミカルループ処理への適用の3つの異なる制御構造が、本発明においてまとめられている。これらの異なる制御構造には、基本的に、ケミカルループプロセスの制御におけるNMPCの3つの異なる役割が課される。
二重ループまたは多重ループにおける固体残留量の平衡を維持するため、NMPCについてのコスト関数の設計は圧力降下の比を含むべきである。伝統的な二次コスト関数はシステム全体の安定性を保証しない場合がある。さらに、安定な反応およびエネルギー生産を維持するため、温度、圧力、固体流および空気/ガス注入がコスト関数の設計に含まれるべきである。
次数低減モデル(ROM)
NMPCに関する次数低減モデルを設計するため、2つの制約を考慮しなければならない。一方では、モデルがプロセス動的特性を捕捉し、将来の出力を正確に予測するために十分正確でなければならない。他方では、モデルはリアルタイム制御器計算を実現するために十分単純でなければならない。本発明では、単純化第一原理モデル(制御目的の「次数低減モデル(ROM)」という)が提供される。二重ループケミカルループプロセスのためのROMを構築する方法の詳細を以下に示す。さらに、このROM方法に対して課されるべきいくつかの事項が存在する。
a)NMPCは監督制御器としてケミカルループプロセスに適用可能であり、たとえば、NMPCはプロセスを直接操作しないが、線形モデル予測制御器(LMPC)または比例積分微分(PID)制御器などの従属制御器のための設定点を提供する。NMPCは、連続的にプロセスを変化させるための動的リアルタイム最適化器(RTO)エンジンとして構成可能である。
NMPCを用いた2レベルカスケード制御構造
図5は、NMPCを用いた2レベルカスケード制御構造を示す(これはまた図2を参照して説明される)。この制御構造において、NMPC100は監督モードにある。NMPC100は下位レベルのPID制御器410に設定点を供給する。しかし、ケミカルループプロセスプラント1は、NMPC100により割り当てられた設定点に従ってPID制御器により直接調整される。
NMPC100を用いた3レベルカスケード制御構造が図6に示されている。この制御構造において、NMPC100は、動的リアルタイム最適化(RTO)としての役割を果たす。NMPC100は多数の制約に対する異なる動作点における独立変数の最適値を計算する。これらの値は、外部目標としてLMPC420に渡される。次いで、下位レベル制御器LMPC420は、これらの外部目標に関する設定点をどのように動かすかを決定し、設定点の次の移動をPID制御器410に供給する。PID制御器410はシステムの操作された変数を直接制御し、システムの調整された変数をLMPC420により割り当てられた設定点に調整する。
DP47A:ライザの差圧(ループA)
P2:接合部の圧力(ループA)
DP12/(DP12+DP12b):ループAおよびBの間の圧力降下の比
P2b:接合部の圧力(ループB)
DP47B:ライザの差圧(ループB)
F1/F2:シールポット弁への信号(ループA)
PumpA:真空ポンプまたは吸い込みファンへの信号(ループA)
F4/F5:シールポット弁への信号(ループA)
S1/S2:シールポット弁への信号(ループB)
PumpB:真空ポンプまたは吸い込みファンへの信号(ループB)
S6/S7:シールポット弁への信号(ループB)
DP47s:ライザの差圧(ループA)
P2s:接合部の圧力(ループA)
Lds:ディップレッグレベル
W1:一次空気/ガス(ループA)
ms_inA:質量入力(ループA)
S6/S7:シールポット弁への信号(ループB)
W3:一次空気/ガス(ループB)
F1/F2:シールポット弁への信号(ループA)
F4/F5:シールポット弁値への信号(ループA)
PumpA:真空ポンプまたは吸い込みファンへの信号(ループA)
W1:一次空気/ガス(ループA)
ms_inA:質量入力(ループA)
S1/S2:シールポット弁への信号(ループB)
S8/S9:シールポット弁への信号(ループB)
PumpB:真空ポンプまたは吸い込みファンへの信号(ループB)
以下の入力はループBに直接供給される。
W3:一次空気/ガス(ループB)
S6/S7:シールポット弁への信号(ループB)
第一原理モデルの他に、上記に記載されかつ示されたように、経験モデルもケミカルループプロセスの制御に組み込み可能である。ニューラルネットワークは非線形システムのためのシステム識別方法の1つである。ニューラルネットワークモデルを用いたケミカルループプロセスのためのNMPCが、図10に示されている。
ケミカルループプロセスの異なる部分における圧力比は、レベルセンサ無しで制御する場合に関して、コスト関数に含まれなければならない。
使用される用語
であり、式中、ΔPmsおよびΔPfは停止固体および摩擦の影響からの圧力降下をそれぞれ表す。
式中、aおよびbは、決定される実験定数である。
ライザは、部分IIにおける最も重要な構成要素である。部分Iにおけるパイプラインと異なり、固体速度は部分IIにおいてはるかに速い。したがって、空気とパイプ壁との間の摩擦も、モデルにおいて考慮されるべきである。
式中、cおよびdは決定される定数である。
式中、uはシステムの制御入力であり、これらはSPCVに流入する空気流であり、下記式が満たされる。
制約の設計はケミカルループプロセスの制御に大きく影響する。二種類の制約が存在する。
プラントとROMとの間のミスマッチは常に存在する。実際、このミスマッチはNMPC制御における定常状態エラーを引き起こす場合がある。この複雑性を避けるため、制御ループは、定常状態オフセットをなくすために積分器要素を含んでいなければならない。ケミカルループプロセスについてのNMPCの設計において、ライザ内の圧力降下は重要であり、これには正確な制御が必要であるため、ライザ内の圧力降下に関する積分器要素は、プラント/モデルのミスマッチからくる定常状態オフセットをなくすために非線形ROMに直接加えられて良い。
本発明は、以下において用いることができる。
1.化学的および熱的な製造と二層流輸送、たとえば循環流動層およびケミカルループプロセスを含む、化学ユニットのための設計モデルに基づく制御。
2.制御設計および制御調整をサポートする化学ユニットのシミュレーション。
3.二層流型化学ユニットにおけるプロセスおよびパフォーマンスの最適化。
Claims (8)
- クロスオーバパイプ(220,320)を介して互いに接続されたループAとループBとを含むケミカルループプラントの動作最適化方法であって、
前記ループAおよびループBの各々は、ライザ(253,353)と、分離ユニット(211,311)と、ディップレッグ(213,313)と、シールポット(215,315)と、下方パイプライン(251,351)とを備えており、
前記ライザ(253,353)は、空気/ガス中に同伴された固体粒子を上方に、次いで水平上方パイプライン(255,355)を介して、前記空気/ガスから前記固体粒子を分離する分離ユニット(211,311)へと運び、
前記分離ユニット(211,311)は、前記固体粒子を、ディップレッグ(213,313)を介してシールポット(215,315)へと下方に供給し、
前記シールポット(215,315)は、接続点において、クロスオーバパイプ(220,320)を介して他方のループへ、または、リターンレッグ(217,317)を介して下方パイプライン(251,351)へと前記固体粒子を選択的に送り、
前記空気/ガスは前記下方パイプライン(251,351)内に導かれて、前記固体粒子は前記下方パイプライン(251,351)の上方へと前記ライザ(253,353)まで吹き戻され、
前記方法は、
(a)前記ライザ(253,353)、クロスオーバパイプ(220,320)、ディップレッグ(213,313)およびリターンレッグ(217,317)について、質量平衡式から以下の次数低減モデル(ROM)を生成するステップと、
(式中、τはパイプ内の特性時間であり、gは重力加速度であり、A in はパイプの断面積であり、αは固体の摩擦係数であり、c f はファニングの摩擦係数であり、βはガスの摩擦係数であり、ν g はガス速度であり、ΔP re#A はループAのリターンレッグ(217)の圧力降下であり、ΔP re#B はループBのリターンレッグ(317)の圧力降下であり、ΔP AtoB はループAからループBへのクロスオーバパイプ(220)の圧力降下であり、ΔP BtoA はループBからループAへのクロスオーバパイプ(320)の圧力降下であり、ΔP riser#A はループAのライザ(253)の圧力降下であり、ΔP riser#B はループBのライザ(353)の圧力降下であり、m riser#A はループAのライザ(253)の固体質量流量であり、m riser#B はループBのライザ(353)の固体質量流量であり、L A はループAのディップレッグ(213)の長さであり、m L#A はループAの固体質量流量であり、m L#B はループBの固体質量流量であり、ρ s は固体密度であり、r d はディップレッグのパイプ径であり、ε dipleg はディップレッグのボイド率であり、uはシールポット(215,315)に対する制御入力であり、f 1 (u)はループAのリターンレッグ(217)の固体質量出力であり、f 2 (u)はループBのリターンレッグ(317)の固体質量出力であり、f 3 (u)はループAからループBへのクロスオーバパイプ(220)の固体質量出力であり、f 4 (u)はループBからループAへのクロスオーバパイプ(320)の固体質量出力であり、以下の式が成立する)
(b)制御器システムによって、前記次数低減モデル(ROM)に前記質量入力(u)を供給し、前記次数低減モデル(ROM)の質量出力(f 1 (u)〜f 4 (u))を求めて、前記ケミカルループプラントに関する最適設定を決定するステップと、
(c)制御器システムによって、前記ケミカルループプラントの最適動作を得るために、前記最適設定を前記ケミカルループプラントのループA及びループBの各々のシールポット(215,315)に対する最適信号として供給するステップと
を含む、方法。 - 前記制御器システムが非線形モデル予測制御器(NMPC)とオブザーバとを備えており、前記ステップ(b)および(c)が、
ループAおよびループBの両方の、複数のユーザ設定値、複数の圧力測定値、複数の固体質量流量および複数の固体レベルを非線形モデル予測制御器(NMPC)によって受け取るステップと、
ループAおよびループBに関する、シールポット(215,315)に対する最適信号(F1/F2、F4/F5、S1/S2、S6/S7)および真空ポンプ/吸い込みファンに対する最適信号(PumpA、PumpB)を前記非線形モデル予測制御器(NMPC)によって生成するステップと、
シールポット弁を制御するための前記信号(F1/F2、F4/F5)および真空ポンプ/吸い込みファンを制御するための前記信号(PumpA)をループAに前記非線形モデル予測制御器(NMPC)によって供給するステップと、
シールポット弁を制御するための前記の算出された設定(S1/S2、S6/S7)および真空ポンプ/吸い込みファンを制御するための前記の算出された設定(PumpB)をループBに前記非線形モデル予測制御器(NMPC)によって供給するステップと、
ループAおよびループBから圧力および差圧の測定値をオブザーバによって受け取るステップと、
ループAおよびループBにおける固体質量流量および固体レベルを前記オブザーバによって計算するステップと、
前記ループAおよびループBの固体質量流量および固体レベルを前記非線形モデル予測制御器(NMPC)の次数低減モデル(ROM)に前記オブザーバによって供給するステップと
からなる、請求項1記載の方法。 - 前記ユーザ設定値は、ループAの差圧(DP47A)およびループBの差圧(DP47B)、ループAの圧力(P2)、ループBの圧力(P2b)、ならびに、ループAにおける差圧の、ループAおよびループBの両方の全体差圧に対する比(DP12/(DP12+DP12b))である、請求項2記載の方法。
- 前記制御器システムが非線形モデル予測制御器(NMPC)とオブザーバとを備えており、前記ステップ(b)および(c)が、
ループAおよびループBの両方の、複数のユーザ設定値、複数の圧力測定値、複数の固体質量流量および複数の固体レベルを非線形モデル予測制御器(NMPC)によって受け取るステップと、
ループAおよびループBの、シールポット(215,315)に対する最適信号(F1/F2、F4/F5、S1/S2、S6/S7)および真空ポンプ/吸い込みファンに対する最適信号(PumpA、PumpB)を前記非線形モデル予測制御器(NMPC)によって生成するステップと、
ループAに、シールポット弁を制御するための前記信号(F1/F2、F4/F5)および真空ポンプ/吸い込みファンを制御するための前記信号(PumpA)を前記非線形モデル予測制御器(NMPC)によって供給するステップと、
ループBに、シールポット弁を制御するための前記の算出信号(S1/S2、S6/S7)および真空ポンプ/吸い込みファンを制御するための前記の算出信号(PumpB)を前記非線形モデル予測制御器(NMPC)によって供給するステップと、
ループAおよびループBから圧力および差圧の測定値をオブザーバによって受け取るステップと、
ループAおよびループBにおける固体質量流量を前記オブザーバによって計算するステップと、
ループAおよびループBの前記固体質量流量を非線形モデル予測制御器(NMPC)の次数低減モデル(ROM)に前記オブザーバによって供給するステップと
からなる、請求項1記載の方法。 - 前記ユーザ設定値は、ループAの差圧(DP47A)、ループBの差圧(DP47B)、ループAの圧力(P2)、ループBの圧力(P2b)、および、ループAおよびループBの両方の全体差圧に対する比(DP12/(DP12+DP12b))である、請求項4記載の方法。
- 前記制御器システムが非線形モデル予測制御器(NMPC)を備えており、前記ステップ(b)および(c)が、
複数のユーザ設定値、ループAおよびループBの両方の、複数の内部状態変数の値を非線形モデル予測制御器(NMPC)によって受け取るステップと、
ループAおよびループBの、シールポット(215,315)に対する最適信号(F1/F2、F4/F5、S1/S2、S6/S7)および真空ポンプ/吸い込みファンに対する最適信号(PumpA、PumpB)を前記非線形モデル予測制御器(NMPC)によって生成するステップと、
ループAに、シールポット弁を制御するための前記信号(F1/F2、F4/F5)および真空ポンプ/吸い込みファンを制御するための前記信号(PumpA)を前記非線形モデル予測制御器(NMPC)によって供給するステップと、
ループBに、シールポット弁を制御するための前記の算出信号(S1/S2、S6/S7)および真空ポンプ/吸い込みファンを制御するための前記の算出信号(PumpB)を前記非線形モデル予測制御器(NMPC)によって供給するステップと
からなり、
ループAは、前記ループAの内部状態変数の値を前記非線形モデル予測制御器(NMPC)の次数低減モデル(ROM)に供給し、
ループBは、前記ループBの内部状態変数の値を前記非線形モデル予測制御器(NMPC)の次数低減モデル(ROM)に供給する、
請求項1記載の方法。 - 前記ユーザ設定値は、ループA内の固体質量流量速度(msA)、ループB内の固体質量流量速度(msB)、ループAからループBへの固体質量流量(msAtoB)、ループBからループAへの固体質量流量(msBtoA)およびディップレッグ(213,313)における固体レベル(Lds)である、請求項6記載の方法。
- 前記制御器システムがニューラルネットワーク型非線形モデル予測制御器(NN NMPC)を備えており、前記ステップ(b)および(c)が、
ループAの差圧(DP47A)およびループBの差圧(DP47B)をニューラルネットワーク型非線形モデル予測制御器(NN NMPC)によって受け取るステップと、
ループAのシールポット弁に対する最適信号(F1/F2)、ならびに、ループBのシールポット弁に対する最適信号(S1/S2)を前記ニューラルネットワーク型非線形モデル予測制御器(NN NMPC)によって生成するステップと、
ループAおよびループBに、シールポット弁を制御するために前記信号(F1/F2、S1/S2)をそれぞれ前記ニューラルネットワーク型非線形モデル予測制御器(NN NMPC)によって供給するステップと、
ループBに、シールポット弁を制御するために前記信号(S1/S2、S6/S7)を前記ニューラルネットワーク型非線形モデル予測制御器(NN NMPC)によって供給するステップと、
差分装置によって、ループAから圧力(P2A)およびループBから圧力(P2B)を受け取り、差圧信号(DP6)を生成するステップと、
前記差分装置に接続された第2のPID(PID2)によって、前記差圧信号(DP6)を受け取り、ループBの空気ポンプを駆動する信号(PumpB)を生成するステップと、
比装置によって、ループAから差圧(DP12A)およびループBから差圧(DP12B)を受け取り、入力値の比に関連した比信号(DP12Ratio)を生成するステップと、
前記比装置に接続された第1のPID(PID1)によって、前記比信号(DP12Ratio)を受け取り、ループBの前記シールポット弁を動作する信号(S6/S7)を生成するステップと、
負荷ベースFF制御器によって、ループAに供給される一次空気/ガスの信号(W1)、および、ループBに供給される一次空気/ガスの信号(W3)を生成するステップと
からなり、
ループAは、ループAの圧力信号(P2A)、ループAの差圧信号(DP12A)およびループAの差圧信号(DP47A)を前記差分装置、前記比装置および前記ニューラルネットワーク型非線形モデル予測制御器(NN NMPC)にそれぞれ供給し、
ループBは、ループBの圧力信号(P2B)、ループBの差圧信号(DP12B)およびループBの差圧信号(DP47B)を前記差分装置、前記比装置および前記ニューラルネットワーク型非線形モデル予測制御器(NN NMPC)にそれぞれ供給する、
請求項1記載の方法。
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