JP6233934B2 - デスモシン、イソデスモシン、およびその誘導体の製造方法 - Google Patents
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Description
下記一般式(I)に示される化合物またはその塩の製造方法であって、
下記一般式(XII)に示される化合物またはその塩と下記一般式(XIII)に示される化合物とを下記一般式(XIV)に示される化合物の存在下に反応させて、下記一般式(XV)またはその塩に示される化合物を形成する工程を含む、製造方法が提供される。
M(OTf)3 (XIV)
(上記一般式(XIV)中、Mは3価の金属原子であり、Tfはトリフルオロメチルスルホニル基である。)
下記一般式(I)に示される化合物またはその塩の製造方法であって、
下記一般式(II)に示される化合物またはその塩と下記一般式(III)に示される化合物とを下記一般式(IV)に示されるランタノイド化合物の存在下に反応させて、下記一般式(V)またはその塩に示される化合物を形成する工程と、
前記一般式(V)に示す化合物またはその塩を前記一般式(I)に示した化合物またはその塩に変換する工程と、
を含む、製造方法が提供される。
Ln(OTf)3 (IV)
(上記一般式(IV)中、LnはLa、Pr、Nd、Gd、Sc、Y、Dy、ErまたはYbであり、Tfはトリフルオロメチルスルホニル基である。)
本実施形態は、下記一般式(I)に示される製造方法に関する。本実施形態における製造方法は、以下の工程を含む。
(工程21)下記一般式(XII)に示される化合物またはその塩と下記一般式(XIII)に示される化合物とを下記一般式(XIV)に示される化合物の存在下に反応させて、下記一般式(XV)またはその塩に示される化合物を形成する工程。
M(OTf)3 (XIV)
(上記一般式(XIV)中、Mは3価の金属原子であり、Tfはトリフルオロメチルスルホニル基である。)
また、一般式(XII)に示した化合物の塩の具体例として、一般式(XII)における末端アミンの塩酸塩、トリフルオロメタンスルホン酸塩等が挙げられる。これらの塩を用いることにより、たとえば水溶性を高めることができる。
なお、一般式(XIII)に示した化合物は、公知の方法を用いて合成することができる。合成方法の具体例を実施例の項で後述する。
ランタノイド系金属の具体例として、La、Pr、Nd、Gd、Sc、Y、Dy、Er、Yb、Sm、Eu、Tb、Ho、Tm、Luが挙げられ、さらに具体的には第二の実施形態に記載のものを用いることができる。
また、遷移金属の具体例として、Cu、Fe、Znが挙げられる。
このうち、製造工程における操作性を向上させる観点からは、反応溶媒をたとえば水とする。
また、たとえば水とアルコールの混合溶媒を用いることもでき、さらに具体的には水とメタノールの混合溶媒とすることもできる。
また、反応時間は、反応温度、撹拌効率等により設定することができるが、たとえば12〜24時間程度とする。
具体的には、反応溶媒を水とし、反応温度を70℃以上、好ましくは75℃以上、また、100℃以下とすることにより、イソデスモシンまたはその誘導体を選択的に得ることができる。
また、反応溶媒を水とし、反応温度を0℃以上、好ましくは15℃以上、また、60℃以下、好ましくは40℃以下とすることにより、デスモシンまたはその誘導体と、イソデスモシンまたはその誘導体との両方を同一工程にて得ることができる。
また、反応時間は、反応温度、撹拌効率等により設定することができるが、たとえば12〜24時間程度とする。
(工程22)一般式(XV)に示す化合物またはその塩を前記一般式(I)に示した化合物またはその塩に変換する工程。
工程22における脱保護方法については、第二の実施形態においてさらに具体的に説明する。
また、以下の実施形態においては、一般式(XIV)に示した金属のトリフルオロメタンスルホン酸塩として、ランタノイド塩を用いる場合を主に例に挙げて説明する。
本実施形態は、下記一般式(I)に示される製造方法に関する。本実施形態における製造方法は、以下の工程を含む。
(工程11)下記一般式(II)に示される化合物またはその塩と下記一般式(III)に示される化合物とを下記一般式(IV)に示されるランタノイド化合物の存在下に反応させて、下記一般式(V)に示される化合物またはその塩を形成する工程、および
(工程12)一般式(V)に示す化合物またはその塩を一般式(I)に示した化合物またはその塩に変換する工程。
(上記一般式(IV)中、LnはLa、Pr、Nd、Gd、Sc、Y、Dy、ErまたはYbであり、Tfはトリフルオロメチルスルホニル基である。)
一般式(I)において、R1が−CH2CH2CH2CH(NH2)COOH基であり、R2が水素原子である化合物が、式(1)に示したデスモシンである。また、R1が水素原子であり、R2が−CH2CH2CH2CH(NH2)COOH基である化合物が、式(2)に示したイソデスモシンである。
以下、工程11、工程12の順にさらに具体的に説明する。
上記原料のうち、アミノ基を有する化合物として一般式(II)に示した化合物またはその塩が用いられる。一般式(II)中、R3はBoc基またはCbz基であり、好ましくはBoc基である。また、R4はtBu基、Bn基、メチル基またはエチル基であり、好ましくはtBu基である。
一般式(II)に示した化合物の塩の具体例としては、一般式(II)における末端アミンの塩酸塩、トリフルオロメタンスルホン酸塩等が挙げられる。これらの塩を用いることにより、たとえば水溶性を高めることができる。
なお、一般式(III)に示した化合物は、公知の方法を用いて合成することができる。合成方法の具体例を実施例の項で後述する。
また、トリフルオロメタンスルホン酸塩として、一般式(IV)に示したLn塩にかえて、第一の実施形態に記載の他の金属塩を用いることもできる。
また、反応時間は、反応温度、撹拌効率等により設定することができるが、たとえば12〜24時間程度とする。
たとえば、水とメタノールの混合溶媒を用いる場合、水に対するエタノールの割合を0体積倍より大きく10体積倍以下とし、一般式(III)に示した化合物を一般式(II)に示した化合物に対して1モル当量以上20モル当量以下使用することにより、R8が−CH2CH2CH2CH(N(R5)2)COOR6基でありR7が水素原子である化合物、つまりイソデスモシン誘導体をデスモシン誘導体に対して選択的に合成することができる。
また、工程11の溶媒を水とすることによって、デスモシン誘導体とイソデスモシン誘導体の両方を合成することができる。このとき、たとえば一般式(III)に示した化合物を一般式(II)に示した化合物に対して1モル当量以上10モル当量以下使用することにより、デスモシン誘導体とイソデスモシン誘導体の両方を合成することができる。
工程12においては、工程11で得られた一般式(V)の化合物中のアミノ基およびカルボキシル基を脱保護することにより、一般式(I)に示した化合物を得る。
たとえば、一般式(II)中のR3および一般式(III)中のR5がいずれもBoc基であり、一般式(II)中のR4がtBu基であり、一般式(III)中のR6がBn基である場合には、たとえば水素およびパラジウム炭素(Pd/C)を用いた接触還元によりBn基を除去する。接触還元の条件は、たとえばPd/C 500mol/%、室温(25℃、以下同じ。)、24時間とする。
次いで、たとえばトリフルオロ酢酸(TFA)水溶液等を用いた酸処理により、Boc基およびtBu基を除去することができる。酸処理の条件は、たとえばTFA/水=95/5、室温、2時間とする。
(工程10)一般式(VI)に示される化合物またはその塩を一般式(II)に示される化合物またはその塩に変換する工程。
(工程10−1)一般式(VI)に示した化合物を下記一般式(VII)に示す化合物に変換する工程、および
(工程10−2)一般式(VII)に示した化合物を一般式(II)に示した化合物またはその塩に変換する工程。
式(VI)に示した化合物として、市販のものを用いることができる。また、たとえばR4がtBu基の場合、実施例の項にて後述する方法のように、ウレア類を用いる反応によりtBu化することが好ましい。
たとえばR9がCbz基の場合、水素およびパラジウム炭素(Pd/C)を用いた接触還元によりCbz基を除去する。接触還元の条件は、たとえばPd/C 5mol/%、室温、2時間とする。
また、R9がBoc基の場合、TFAを用いた除去方法が好ましい。
工程10で得られた化合物は、工程11にて原料として用いることができる。
また、本実施形態によれば、原料として一般式(II)に示したアミノ酸誘導体および(III)に示したアミノ酸アルデヒドを用い、ランタノイド系化合物を触媒としたChichibabinピリジン合成を鍵反応とすることにより、デスモシン、イソデスモシンおよびこれらの誘導体を少ない工程数で収率良く得ることができる。また、ピリジン環を安定的に形成するとともに、ピリジン環の側鎖の位置を制御することも可能となる。
以上の実施形態において、一般式(I)に示した化合物またはその塩中、一または二以上の水素原子、一または二以上の炭素原子、あるいは一または二以上の窒素原子が、同位体で置換されていてもよい。たとえば、一または二以上の水素原子が重水素(D)で置換されていてもよい。また、一または二以上の炭素原子(12C)が13Cに置換されていてもよい。また、一または二以上の窒素原子(14N)が15Nに置換されていてもよい。一般式(I)に示した化合物を重水素等により同位体標識することにより、COPDバイオマーカーとして使用しうる化合物を安定的に得ることができる。
また、同位体標識する位置に特に制限はないが、側鎖の外れやすさの観点からは、ピリジン環の1位(N位)の側鎖を同位体標識するよりも、ピリジン環を構成する炭素原子に結合する側鎖を同位体標識することが好ましい。また、ピリジン環を構成する窒素または炭素原子を同位体置換してもよい。
同位体標識の方法に特に制限はないが、たとえば以下のスキーム1〜3に示す方法が挙げられる。スキーム1〜3中、黒丸(●)は13Cを示す。
一般式(III)に示した化合物の合成方法の具体例については、実施例の項で後述するが、一般式(III)に示した化合物の製造工程中、たとえばWittig反応の際に13Cを導入し、ヒドロホウ素化酸化でβ位にDを導入する。
そして、工程11において、一般式(III)に示した化合物として、上記同位体標識されたものを用いることにより、ピリジン環を構成する炭素原子を同位体置換するとともに、ピリジン環を構成する炭素原子に結合する側鎖中の水素原子を重水素化することができる。
この方法では、アリシン保護体にWittig反応において13Cを導入しておき、これと、市販の15Nの入ったリシン保護体とを用いて式(I)に示した化合物を合成する。Dを用いないため同位体率を低下させにくいという点で好ましい。
そして、工程11において、一般式(II)および一般式(III)に示した化合物として、それぞれ上記同位体標識されたものを用いることにより、ピリジン環を構成する炭素原子および窒素原子を同位体置換することができる。
そして、工程11において、一般式(III)に示した化合物として、上記重水素化したものを用いることにより、ピリジン環を構成する炭素原子に結合する側鎖中の水素原子を重水素化することができる。
[1]下記一般式(I)に示される化合物またはその塩の製造方法であって、
下記一般式(II)に示される化合物またはその塩と下記一般式(III)に示される化合物とを下記一般式(IV)に示されるランタノイド化合物の存在下に反応させて、下記一般式(V)またはその塩に示される化合物を形成する工程と、
前記一般式(V)に示す化合物またはその塩を前記一般式(I)に示した化合物またはその塩に変換する工程と、
を含む、製造方法。
Ln(OTf)3 (IV)
(上記一般式(IV)中、LnはLa、Pr、Nd、Gd、Sc、Y、Dy、ErまたはYbであり、Tfはトリフルオロメチルスルホニル基である。)
[2] [1]に記載の製造方法において、
下記一般式(VI)に示される化合物またはその塩を前記一般式(II)に示される化合物またはその塩に変換する工程をさらに含む、製造方法。
[3] [1]または[2]に記載の製造方法において、一般式(V)に示される化合物を形成する前記工程を、アルコールと水との混合溶媒中でおこなう、製造方法。
本例では、下記スキーム4に示す方法でアリシン保護体である化合物6を合成した。
市販のグルタミン酸保護体である化合物29(5.00g、1.0当量)のCH2Cl2(50mL)溶液にトリエチルアミン(Et3N)を1.5当量加え、混合物を0℃に冷却した。そして、N,N−ジメチル−4−アミノピリジン(DMAP、0.1当量)およびMeOCOCl(1.2当量)を順に添加した。得られた溶液を室温まで温め、0.5時間攪拌した。反応混合物をCH2Cl2で希釈し、1MのNaHCO3水溶液で洗浄した後、CH2Cl2で3回抽出した。得られた有機層をNa2SO4にて乾燥させた。シリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/EtOAc=2/1)により精製し、無色の油状物として化合物30を5.16g得た(収率99%)。
化合物30(0.50g、1.0当量)のMeCN(3.0mL)溶液に、DMAP(0.2当量)を加えた。得られた混合物に、(Boc)2O(4.0当量)のMeCN(2.0mL)溶液を加え、室温にて20時間攪拌した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/EtOAc=3/1)より精製し、無色の油状物として化合物31を0.62g得た(収率97%)。
化合物31(2.00g、1.0当量)のEt2O(6.2mL)溶液を−78℃に冷却し、これに水素化ジイソブチルアルミニウム(DIBAL−H、ヘキサン中1M溶液、1.4当量)を3分間かけて滴下した。反応混合物を5分間攪拌した後、水(150μL)を加えて反応停止し、室温に戻した。得られた白色濃厚液をCelite(登録商標)粉末にて濾過し、Et2Oにて3回洗浄した。濾液を濃縮し、トルエンを用いた共沸により残留する微量の水を除去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/EtOAc=5/1)より精製し、無色の油状物として化合物32を1.66g得た(収率89%)。
本例では、化合物32をWittig反応により増炭し、化合物27を得た。
すなわち、メチルトリフェニルホスフィンブロミド(MePPh3Br、807mg、1.2当量)のTHF(20mL)懸濁液に、−78℃にてn−BuLi(ヘキサン中2.64M溶液、1.1当量)を滴下した。0℃に昇温し、得られた混合物を1.5時間攪拌した後、得られたイリド溶液に化合物32(0.793g、1.0当量)のTHF(10mL)溶液を添加した。0℃にて0.5時間攪拌した後、飽和NH4Cl水溶液にて反応を停止させた。EtOAcにて3回抽出した。有機層をあわせてNa2SO4により乾燥させた。シリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/EtOAc=19/1)より精製し、無色の油状物として化合物27を0.54g得た(収率68%)。
化合物27(0.455g、1.0当量)のTHF(3.0mL)溶液を0℃に冷却し、これにNaBH4(1.3当量)を添加した。10分間攪拌した後、この溶液にBF3・Et2O(1.3当量)を添加した。混合物を室温まで温め、26時間攪拌した。その後、溶液を0℃に冷却し、1M NaOH(1.5当量)を添加した後、30%H2O2(1.33mL)を添加し、3時間攪拌した。混合物を水で希釈し、EtOAcにて3回抽出した。有機層をあわせてNa2SO4により乾燥させた。シリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/EtOAc=1/1)より精製し、無色の油状物として化合物25を0.377g得た(収率80%)。
本例では、化合物25のDess-Martin酸化により、化合物6を得た。
すなわち、化合物25(100mg、0.229mmol)をジクロロメタン(2.86mL)に溶かし、0℃にした後、DMP(デス−マーチンペルヨージナン、145.4mg、0.343mmol)を加え1時間撹拌した。重曹/チオ硫酸ナトリウム=1/1の溶液を加え反応を停止し、酢酸エチルで抽出した。抽出した有機層を硫酸ナトリウムで乾燥、減圧下濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/酢酸エチル=4/1)で単離精製を行い、化合物6を98%(97.6mg)で得た。
本例では、アリシン保護体である化合物54(2-(S)-Bis-tert-butoxycarbonylamino-6-oxo-hexanoic acid tert-butyl ester)を合成した。
以下の反応式により、化合物54を得た。
以下のスキーム5に示す手順により化合物53を合成し、得られた化合物53から化合物54を得た。
以下の式に示すように、化合物30を合成した。
以下の式に示すように、化合物11を合成した。
以下の式に示すように、化合物12を合成した。
以下の式に示すように、化合物13を合成した。
以下の式に示すように、化合物14を合成した。
以下の式に示すように、化合物15を合成した。
以下の式に示すように、化合物53を合成した。
以下の式に示すように、化合物54を合成した。
本例の方法により、ウレア系の化合物を用いずに式54の化合物を得ることができた。
本実施例においては、合成例1で得られた化合物6を用いて、イソデスモシンの全合成をおこなった。
実施例1において、化合物5および化合物6から化合物28を得る際の溶媒組成を変更し、実施例1に準じて合成反応をおこなった。
すなわち、反応溶媒について、実施例1では水/メタノールを2/1としたのに変えて、本例では水/メタノールを3/1とし、それ以外については実施例1に準じて化合物28を合成した。
その結果、本例においても化合物28を収率24%で得ることができた。
本例では、化合物5の塩酸塩5'(5-(S)-tert-Butoxycarbonyl-5-tert-butoxycarbonylamino-pentyl-ammonium chloride)を得た。
本例では、化合物4を原料として、化合物5の塩酸塩5'(5-(S)-tert-Butoxycarbonyl-5-tert-butoxycarbonylamino-pentyl-ammonium chloride)を得た。
本例では、以下のスキーム6に示す手順により、合成例2−2に記載の方法に準じて化合物12および18を合成し、さらに式5'の化合物を得た。
以下の式に示すように、化合物18を合成した。
以下の式に示すように、化合物16を合成した。
以下の式に示すように、化合物17を合成した。
以下の式に示すように、化合物5'を合成した。
本例の方法により、ウレア系の化合物を用いずに式5'の化合物を得ることができた。式12の化合物から式5'の化合物を得た際の総収率は26%となった。
本実施例は、デスモシン、イソデスモシンを一挙に合成できたChichibabinピリジン合成に関する。
具体的には、本実施例においては、合成例2で得られた化合物54および合成例3で得られた化合物5'を用いて、デスモシンおよびイソデスモシンの全合成をおこなった。
実施例3において、化合物5'および化合物54から化合物55、56を得る際の化合物5'および化合物54の仕込み組成比を変更し、それ以外については実施例3に準じて合成反応をおこなった。
また、化合物5'に変えて実施例1で使用した化合物5を用いるとともに、化合物5および化合物54の仕込み組成比を変更し、それ以外については実施例1に準じて合成反応をおこなった。
結果を表1に示す。表1より、原料の仕込み比および溶媒の組成比を調整することにより、デスモシンの合成中間体またはイソデスモシンの合成中間体の収率を調整することができる。
実施例3において、触媒として用いたLn(OTf)3の種類を変更し、それ以外については実施例1に準じて合成反応をおこなった。
結果を表2に示す。表2より、各種Ln(OTf)3を用いた場合にも、デスモシンの合成中間体およびイソデスモシンの合成中間体が得られた。
実施例3において、化合物5'および化合物54から化合物55、56を得る際の化合物5'および化合物54の仕込み組成比ならびに反応温度を変更し、それ以外については実施例1に準じて合成反応をおこなった。
結果を表3に示す。表3より、反応温度を80℃または100℃とすることにより、イソデスモシンの合成中間体を選択的に得ることができた。一方、室温または40℃においては、デスモシンの合成中間体およびイソデスモシンの合成中間体を得ることができた。
本例では、ピリジン環を構成する炭素原子および窒素原子が同位体標識されたデスモシン標識体およびイソデスモシン標識体の合成をおこなった。
[(6)-13C]-N,N-Bis[(1,1-dimethylethoxy)carbonyl]-6-oxo-1,1-dimethylethyl ester(化合物24)の合成手順をスキーム7に示す。
以下の式に示すように、化合物22を合成した。
以下の式に示すように、化合物23を合成した。
以下の式に示すように、化合物24を合成した。
以下の式に示すように、化合物41を合成した。
以下の式に示すように、化合物42を合成した。
2-{4'-(tert-butoxycarbonyl)-4'-(S)-[bis-(tert-butoxycarbonyl)-amino]-butyl}-3,5-bis-{3'-(tert-butoxycarbonyl)-3'-(S)-[bis-(tert-butoxycarbonyl)-amino]-propyl}-1-{5'-(tert-butoxcarbonyl)-5'-(S)-[bis-(tert-butoxycarbonyl)-amino]-pentyl}-pyridinium-13C (2), 13C (4), 13C (6), 15N (1)(化合物43)の合成
以下の式に示すように、化合物43を合成した。
以下の式に示すように、化合物44すなわちイソデスモシンの同位体標識体を得た。
Me:メチル
Et:エチル
Bu:ブチル
Ph:フェニル
Ac:アセチル
rt:室温
h:時間
d:日
以下、参考形態の例を付記する。
1. 下記一般式(I)に示される化合物またはその塩の製造方法であって、
(上記一般式(I)中、R 1 およびR 2 の一方は−CH 2 CH 2 CH 2 CH(NH 2 )COOH基であり、他方は水素原子である。また、上記一般式(I)中、一または二以上の水素原子、一または二以上の炭素原子、あるいは一または二以上の窒素原子が、同位体で置換されていてもよい。)
下記一般式(XII)に示される化合物またはその塩と下記一般式(XIII)に示される化合物とを下記一般式(XIV)に示される化合物の存在下に反応させて、下記一般式(XV)またはその塩に示される化合物を形成する工程を含む、製造方法。
(上記一般式(XII)中、X 1 は保護されていてもよいアミノ基であり、Y 1 は保護されていてもよいカルボキシル基である。また、上記一般式(XII)中、一または二以上の水素原子、一または二以上の炭素原子、あるいは一または二以上の窒素原子が、同位体で置換されていてもよい。)
(上記一般式(XIII)中、X 2 は保護されていてもよいアミノ基であり、Y 2 は保護されていてもよいカルボキシル基である。また、上記一般式(XIII)中、一または二以上の水素原子、一または二以上の炭素原子、あるいは一または二以上の窒素原子が、同位体で置換されていてもよい。)
M(OTf) 3 (XIV)
(上記一般式(XIV)中、Mは3価の金属原子であり、Tfはトリフルオロメチルスルホニル基である。)
(上記一般式(XV)中、X 1 およびY 1 はそれぞれ前記一般式(XII)におけるX 1 およびY 1 と同一であり、X 2 およびY 2 はそれぞれ前記一般式(XIII)におけるX 2 およびY 2 と同一である。また、R 17 およびR 18 の一方は−CH 2 CH 2 CH 2 CHX 2 Y 2 基であり、他方は水素原子であって、X 2 およびY 2 はそれぞれ前記一般式(XIII)におけるX 2 およびY 2 と同一である。また、上記一般式(XV)中、一または二以上の水素原子、一または二以上の炭素原子、あるいは一または二以上の窒素原子が、同位体で置換されていてもよい。)
2. 1.に記載の製造方法において、前記一般式(XII)におけるX 1 、Y 1 、前記一般式(XIII)におけるX 2 およびY 2 のうち、少なくとも1つが保護された基であり、
前記一般式(XV)に示す化合物またはその塩を前記一般式(I)に示した化合物またはその塩に変換する工程をさらに含む、製造方法。
3. 2.に記載の製造方法において、
前記一般式(XII)に示した化合物またはその塩が、下記一般式(II)に示される化合物またはその塩であり、
前記一般式(XIII)に示した化合物が、下記一般式(III)に示される化合物である、製造方法。
(上記一般式(II)中、R 3 はtert−ブチルオキシカルボニル基またはベンジルオキシカルボニル基であり、R 4 はtert−ブチル基、ベンジル基、メチル基またはエチル基である。また、上記一般式(II)中、一または二以上の水素原子、一または二以上の炭素原子、あるいは一または二以上の窒素原子が、同位体で置換されていてもよい。)
(上記一般式(III)中、R 5 は各々独立してtert−ブチルオキシカルボニル基またはベンジルオキシカルボニル基であり、R 6 はtert−ブチル基、ベンジル基、メチル基またはエチル基である。また、上記一般式(III)中、一または二以上の水素原子、一または二以上の炭素原子、あるいは一または二以上の窒素原子が、同位体で置換されていてもよい。)
4. 3.に記載の製造方法において、
下記一般式(VI)に示される化合物またはその塩を前記一般式(II)に示される化合物またはその塩に変換する工程をさらに含む、製造方法。
(上記一般式(VI)中、R 3 は前記一般式(II)におけるR 3 と同一であり、R 9 はtert−ブチルオキシカルボニル基またはベンジルオキシカルボニル基であってR 3 とは異なる基である。)
5. 1.乃至4.いずれか一項に記載の製造方法において、一般式(XV)に示される化合物を形成する前記工程における反応溶媒を水とし、反応温度を70℃以上100℃以下とする、製造方法。
Claims (5)
- 下記一般式(I)に示される化合物またはその塩の製造方法であって、
(上記一般式(I)中、R1およびR2の一方は−CH2CH2CH2CH(NH2)COOH基であり、他方は水素原子である。また、上記一般式(I)中、一または二以上の水素原子、一または二以上の炭素原子、あるいは一または二以上の窒素原子が、同位体で置換されていてもよい。)
下記一般式(XII)に示される化合物またはその塩と下記一般式(XIII)に示される化合物とを下記一般式(XIV)に示される化合物の存在下に反応させて、下記一般式(XV)またはその塩に示される化合物を形成する工程を含む、製造方法。
(上記一般式(XII)中、X1は保護されていてもよいアミノ基であり、Y1は保護されていてもよいカルボキシル基である。また、上記一般式(XII)中、一または二以上の水素原子、一または二以上の炭素原子、あるいは一または二以上の窒素原子が、同位体で置換されていてもよい。)
(上記一般式(XIII)中、X2は保護されていてもよいアミノ基であり、Y2は保護されていてもよいカルボキシル基である。また、上記一般式(XIII)中、一または二以上の水素原子、一または二以上の炭素原子、あるいは一または二以上の窒素原子が、同位体で置換されていてもよい。)
M(OTf)3 (XIV)
(上記一般式(XIV)中、Mは3価の金属原子であり、Tfはトリフルオロメチルスルホニル基である。)
(上記一般式(XV)中、X1およびY1はそれぞれ前記一般式(XII)におけるX1およびY1と同一であり、X2およびY2はそれぞれ前記一般式(XIII)におけるX2およびY2と同一である。また、R17およびR18の一方は−CH2CH2CH2CHX2Y2基であり、他方は水素原子である。また、上記一般式(XV)中、一または二以上の水素原子、一または二以上の炭素原子、あるいは一または二以上の窒素原子が、同位体で置換されていてもよい。) - 請求項1に記載の製造方法において、前記一般式(XII)におけるX1、Y1、前記一般式(XIII)におけるX2およびY2のうち、少なくとも1つが保護された基であり、
前記一般式(XV)に示す化合物またはその塩を前記一般式(I)に示した化合物またはその塩に変換する工程をさらに含む、製造方法。 - 請求項2に記載の製造方法において、
前記一般式(XII)に示した化合物またはその塩が、下記一般式(II)に示される化合物またはその塩であり、
前記一般式(XIII)に示した化合物が、下記一般式(III)に示される化合物である、製造方法。
(上記一般式(II)中、R3はtert−ブチルオキシカルボニル基またはベンジルオキシカルボニル基であり、R4はtert−ブチル基、ベンジル基、メチル基またはエチル基である。また、上記一般式(II)中、一または二以上の水素原子、一または二以上の炭素原子、あるいは一または二以上の窒素原子が、同位体で置換されていてもよい。)
(上記一般式(III)中、R5は各々独立してtert−ブチルオキシカルボニル基またはベンジルオキシカルボニル基であり、R6はtert−ブチル基、ベンジル基、メチル基またはエチル基である。また、上記一般式(III)中、一または二以上の水素原子、一または二以上の炭素原子、あるいは一または二以上の窒素原子が、同位体で置換されていてもよい。) - 請求項1乃至4いずれか一項に記載の製造方法において、一般式(XV)に示される化合物を形成する前記工程における反応溶媒を水とし、反応温度を70℃以上100℃以下とする、製造方法。
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