JP6287929B2 - レーザ加工データ作成装置 - Google Patents

Description

本発明は、レーザ加工装置のレーザ光によって、導線の芯線表面を被覆する被覆層を除去する為のレーザ加工データを作成するレーザ加工データ作成装置に関するものである。

従来、レーザ加工装置は、加工対象物に対して、レーザ光を照射して加工を施すように構成されており、レーザ加工データの動作内容に従って、出射されたレーザ光を加工対象物上の任意の位置となるように順次走査することで、当該加工対象物に加工を施している。

レーザ加工装置における加工の一態様として、芯線及び被覆層を有する導線に対して、レーザ光を照射することによって、当該導線から被覆層を除去するものがあり、この点に関する発明として、特許文献１記載の発明が知られている。特許文献１記載の発明においては、被覆層を有する銅線に対して、所定の周波数のレーザ光を所定のスキャン速度でスキャンさせる第１のスキャン段階を実行させ、その後、第１のスキャン段階を経た銅線に対して、一層高い周波数のレーザ光を、より高速なスキャン速度でスキャンさせる第２のスキャン段階を実行させるように構成されている。当該特許文献１記載の発明においては、第１のスキャン段階と、第２のスキャン段階を実行させることで、レーザ光によって、銅線と被覆層の界面で剥離効果を生じさせ、銅線表面から被覆層を除去している。

特表２００７−５１６０８３号公報

しかしながら、当該特許文献１記載の発明においては、第１のスキャン段階においては、その条件が具体的に記載されているが、第２のスキャン段階については、レーザ光の周波数やスキャン速度については明示されているものの、レーザ光におけるスキャン方向やスキャン間隔については明示されていない。又、特許文献１記載の発明では、第１のスキャン段階及び第２のスキャン段階に関する諸条件については、一つの例しか記載されていない。

ここで、芯線表面に被覆層を有する導線には、その構成（例えば、芯線の構成材料や径、被覆層の構成材料や厚み等）が相違する多様な種類の導線が含まれている。従って、特許文献１記載の発明では、導線の構成や加工条件によっては、被覆層の除去が十分に行うことができなかったり、十分に被覆層を除去する為に長期の加工時間が必要となったりする場合があった。

本開示は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、レーザ加工装置のレーザ光によって、導線の構成等に応じて、適切かつ効率良く被覆層の除去を実行可能なレーザ加工データを作成し得るレーザ加工データ作成装置を提供することを目的とする。

前記目的を達成するため、本発明の一側面に係るレーザ加工データ作成装置は、レーザ加工装置のレーザ光を、導電性材料からなる芯線と、前記芯線を被覆すると共に前記レーザ光を透過可能に形成された被覆層とを有する導線に対して照射することによって、前記導線における前記被覆層を除去する為のレーザ加工データを作成するレーザ加工データ作成装置であって、前記導線に関する情報の入力を受け付ける情報入力部と、前記レーザ加工装置の前記レーザ光によって、前記導線に対して所定の第１入熱量を与えつつ、当該レーザ光を第１走査速度で第１方向へ走査させる第１走査を、前記第１方向に交差する方向に異なる位置で複数回走査させる第１工程と、前記第１工程終了後に、前記レーザ光によって、前記第１入熱量よりも小さな第２入熱量を与えつつ、当該レーザ光を、前記第１走査速度よりも高速な第２走査速度で、前記第１方向と交差する第２方向へ走査させる第２走査を、前記第２方向に交差する方向に異なる位置で複数回走査させる第２工程と、を前記レーザ加工装置に実行させる為の前記レーザ加工データの内容を、前記情報入力部によって受け付けられた前記導線に関する情報に基づいて決定する決定部と、前記決定部によって決定された内容に従って、前記レーザ加工データを作成する作成部と、を有し、前記情報入力部は、前記導線に関する情報として、前記被覆層の構成材料に関する情報の入力を受け付け、前記決定部は、前記情報入力部によって受け付けられた前記被覆層の構成材料の耐熱性が高いほど、前記第１入熱量を大きな入熱量に決定ことを特徴とする。

当該レーザ加工データ作成装置は、情報入力部と、決定部と、作成部とを有しており、前記情報入力部によって受け付けられた前記導線に関する情報に基づいて、レーザ加工装置に第１工程と第２工程を実行させる為のレーザ加工データを作成する。当該レーザ加工データにおける第１工程では、レーザ加工装置に、前記レーザ光によって、前記導線に対して所定の第１入熱量を与えつつ、当該レーザ光を第１走査速度で第１方向へ走査させる第１走査を、前記第１方向に交差する方向に異なる位置で複数回走査させる。そして、第１工程終了後に実行される第２工程では、当該レーザ加工装置に、前記レーザ光によって、前記第１入熱量よりも小さな第２入熱量を与えつつ、当該レーザ光を、前記第１走査速度よりも高速な第２走査速度で、前記第１方向と交差する第２方向へ走査させる第２走査を、前記第２方向に交差する方向に異なる位置で複数回走査させる。
当該レーザ加工データ作成装置によれば、レーザ加工装置に第１工程を実行させることで、導体における芯線と被覆層の間の界面を起点として、溶融や脆化等の変質を発生させ、被覆層を膨張させるなどして芯線表面から離間しやすくできる。更に、レーザ加工装置に第２工程を実行させることで、溶融や脆化の変質によって芯線表面から離間しやすくされた被覆層を、レーザ光の第２走査によって、効率よく飛散させることができ、もって、レーザ加工装置に、導線から被覆層を除去させることができる。そして、当該レーザ加工データ作成装置によれば、前記情報入力部によって受け付けられた前記導線に関する情報に基づいて、第１工程、第２工程の内容を決定して、レーザ加工データを作成することができる。従って、当該レーザ加工データ作成装置によれば、導線に関する情報に応じた第１工程及び第２工程を、レーザ加工装置に実行させることができ、もって、適切かつ効率の良い被覆層の除去に貢献し得る。

当該レーザ加工データ作成装置によれば、レーザ加工データの内容における入熱量は、前記被覆層の構成材料に関する情報に基づいて決定される。被覆層の構成材料が相違する場合、被覆層の物性（例えば、耐熱性等）が異なる為、レーザ光による被覆層の溶融や脆化等、変質の生じ易さも相違する。即ち、レーザ加工データ作成装置によれば、レーザ加工データの内容として、導線を構成する被覆層の構成材料に応じた入熱量を決定することができ、もって、適切かつ効率の良い被覆層の除去に貢献し得る。

本発明の他の側面に係るレーザ加工データ作成装置は、請求項１記載のレーザ加工データ作成装置であって、前記情報入力部は、前記導線に関する情報として、前記芯線の構成材料に関する情報の入力を受け付け、前記決定部は、前記情報入力部によって受け付けられた前記芯線の構成材料の吸収率が大きいほど、前記第１入熱量を補正する補正倍率を小さくし、前記第１入熱量を決定することを特徴とする。

当該レーザ加工データ作成装置によれば、レーザ加工データの内容における入熱量は、前記芯線の構成材料に関する情報に基づいて決定される。芯線の構成材料が相違する場合、芯線の物性（例えば、吸収率、熱容量、熱伝導率等）が異なる為、レーザ光による芯線の加熱の速さも相違する。即ち、レーザ加工データ作成装置によれば、レーザ加工データの内容として、導線を構成する芯線の構成材料に応じた入熱量を決定することができ、もって、適切かつ効率の良い被覆層の除去に貢献し得る。

本発明の他の側面に係るレーザ加工データ作成装置は、請求項１乃至請求項３の何れかに記載のレーザ加工データ作成装置であって、前記情報入力部は、前記導線に関する情報として、前記被覆層の厚さに関する情報の入力を受け付け、前記決定部は、前記情報入力部によって受け付けられた前記被覆層の厚さが大きいほど、前記第１入熱量を大きい入熱量に決定することを特徴とする。

当該レーザ加工データ作成装置によれば、レーザ加工データの内容における入熱量は、前記被覆層の厚さに関する情報に基づいて決定される。レーザ光は、被覆層を透過した後、芯線表面と被覆層との間の界面に作用する為、例えば被覆層通過によるレーザパワーの減衰と言う形で，被覆層の厚みは、被覆層の除去容易性に影響を与える。即ち、レーザ加工データ作成装置によれば、レーザ加工データの内容として、被覆層の厚さに応じた入熱量を決定することができ、もって、適切かつ効率の良い被覆層の除去に貢献し得る。

本発明の他の側面に係るレーザ加工データ作成装置は、請求項１乃至請求項６の何れかに記載のレーザ加工データ作成装置であって、前記導線における前記被覆層の除去に関する加工条件の入力を受け付ける加工条件入力部を有し、前記決定部は、前記加工条件入力部によって受け付けられた加工条件を、前記レーザ加工データに含めることを決定することを特徴とする。

当該レーザ加工データ作成装置は、加工条件入力部を有しており、レーザ加工データの内容を、加工条件入力部によって受け付けられた加工条件に基づいて決定することができる。即ち、当該レーザ加工データ作成装置によれば、情報入力部によって受け付けられた導線に関する情報に加えて、加工条件入力部によって受け付けられた加工条件に従って、レーザ加工データの内容を決定することができるので、被覆層の除去をユーザ所望の態様で実行させることができる。

本発明の他の側面に係るレーザ加工データ作成装置は、請求項１乃至請求項４の何れかに記載のレーザ加工データ作成装置であって、前記情報入力部は、前記導線に関する情報として、前記芯線の径に関する情報の入力を受け付け、前記決定部は、前記情報入力部によって受け付けられた前記芯線の径に関する情報に基づいて、前記第２工程における前記導線の径方向に関する前記レーザ光による入熱量の分布を、前記第２工程における第２走査のピッチが前記芯線の径方向外側に向かうにつれ小さくなるピッチとなる前記第２入熱量の分布に決定することを特徴とする。

当該レーザ加工データ作成装置によれば、レーザ加工データの内容として、前記加工条件入力部によって受け付けられた前記芯線の径に関する情報に基づいて、前記導線の径方向に関して、前記レーザ光による入熱量の分布を決定する。ここで、レーザ光が被覆層を透過して界面に到達するまでの距離は、導線の径方向における位置に対応して変化し、芯線の径の影響を受ける。従って、当該レーザ加工データ作成装置によれば、芯線の径に関する情報に基づいて、前記導線の径方向についての前記レーザ光による入熱量の分布を設定することで、均一に界面効果を発生させることができ、もって、適切かつ効率の良い被覆層の除去に貢献し得る。

当該レーザ加工データ作成装置によれば、前記加工条件入力部に入力された前記芯線の径に基づいて、前記第２工程における第２走査のピッチを、前記芯線表面に対して均一に入熱可能なピッチに設定することができる。ここで、芯線表面と被覆層の界面は、曲面状に構成されている為、レーザ光のピッチを単純に等間隔としても、芯線表面においては、レーザ光による入熱の均一性を確保し得ない。この点、当該レーザ加工データ作成装置によれば、芯線の径に関する情報に基づいて、前記レーザ光を複数回走査する際のピッチを、前記芯線表面に対して均一に入熱可能なピッチに設定することができるので、均一に界面効果を発生させることができ、もって、適切かつ効率の良い被覆層の除去に貢献し得る。

本発明の他の側面に係るレーザ加工データ作成装置は、請求項７記載のレーザ加工データ作成装置であって、前記加工条件入力部は、前記加工条件として、前記レーザ光を前記導線に対して走査させる際の走査パターンの種別の入力を受け付け、前記決定部は、前記加工条件入力部に入力された前記走査パターンの種別が第１の種別である場合、前記レーザ加工データにおける走査パターンの内容を、第１走査を前記第１方向の一方側から他方側へ行った後、前記レーザ光の照射を継続して他方側から一方側へ戻りつつ前記第２方向へ異なる位置に移動させる走査パターンに決定し、前記加工条件入力部に入力された前記走査パターンの種別が第２の種別である場合、前記レーザ加工データにおける走査パターンの内容を、第１走査を前記第１方向の一方側から他方側へ行った後、前記レーザ光の照射を停止して前記第２方向の異なる位置に移動させ、第１走査を前記第１方向の他方側から一方側へ行う走査パターンに決定することを特徴とする。

当該レーザ加工データ作成装置によれば、前記加工条件入力部に入力された前記走査パターンに基づいて、前記レーザ加工データにおける走査パターンの内容を設定することができる。即ち、当該レーザ加工データ作成装置によれば、レーザ加工データにおける走査パターンの内容を設定することで、被覆層の除去に関する迅速性と確実性の優先度を、ユーザ所望の態様に設定することができる。

本発明の他の側面に係るレーザ加工データ作成装置は、請求項７又は請求項８に記載のレーザ加工データ作成装置であって、前記加工条件入力部は、前記加工条件として、前記第２工程における第２走査の走査回数の入力を受け付け、前記決定部は、前記加工条件入力部に入力された前記走査回数を、前記レーザ加工データにおける第２工程での第２走査の前記第２工程の走査回数に決定することを特徴とする。

当該レーザ加工データ作成装置によれば、前記加工条件入力部に入力された前記走査回数に基づいて、前記レーザ加工データにおける前記第２工程での第２走査の走査回数を決定することができる。第２工程における第２走査の走査回数は、第１工程によって芯線表面から離間した被覆層を飛散させる為の走査回数である為、当該レーザ加工データ作成装置によれば、レーザ加工装置における被覆層の除去に関する確実性を、ユーザ所望の態様に設定することができる。

本実施形態に係るレーザ加工システムの概略構成を示す説明図である。 レーザ加工装置におけるレーザヘッド部の構成を示す平面図である。 レーザ加工システムの制御系を示すブロック図である。 加工データ作成処理プログラムのフローチャートである。 本実施形態に係る導線Ｗの構成を示す説明図である。 導線情報設定ウィンドウの一表示例を示す説明図である。 被覆層材質テーブルの一例を示す説明図である。 芯線材質テーブルの一例を示す説明図である。 被覆層厚テーブルの一例を示す説明図である。 パルスレーザの走査ピッチ（走査軌跡の間隔）の補正に関する説明図である。 加工パラメータ設定処理プログラムのフローチャートである。 パラメータ設定ウィンドウの一表示例を示す説明図である。

以下、本発明に関するレーザ加工データ作成装置を、レーザ加工装置１と共に、レーザ加工システム１００を構成するデータ作成装置７に具体化した実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。

（レーザ加工システム１００の概略構成）
先ず、本実施形態に関するレーザ加工システム１００の概略構成について、図１を参照しつつ詳細に説明する。レーザ加工システム１００は、レーザ加工装置１と、本発明のレーザ加工データ作成装置に相当するデータ作成装置７を有しており、データ作成装置７によって作成された加工データに従って、レーザ加工装置１を制御することで、加工対象物の表面上に対して、パルスレーザＬを２次元走査してマーキング加工を行うように構成されている。本実施形態に係るレーザ加工装置１においては、加工対象物としての導線Ｗに対して、パルスレーザＬを照射して２次元走査することによって、導線Ｗの被覆層Ｅを芯線Ｃの周囲から除去するように構成されている。

（レーザ加工装置の概略構成）
次に、レーザ加工システム１００を構成するレーザ加工装置１の概略構成について、図面を参照しつつ詳細に説明する。図１に示すように、本実施形態に関するレーザ加工装置１は、レーザ加工装置本体部２と、レーザコントローラ５と、電源ユニット６により構成されている。

レーザ加工装置本体部２は、加工対象物に対してパルスレーザＬを照射し、当該パルスレーザＬを２次元走査して、加工対象物の表面上にマーキング加工を行い得る。そして、レーザコントローラ５は、コンピュータで構成され、データ作成装置７と双方向通信可能に接続されると共に、レーザ加工装置本体部２及び電源ユニット６と電気的に接続されている。データ作成装置７は、パーソナルコンピュータ等から構成され、加工データの作成等に用いられる。そして、レーザコントローラ５は、データ作成装置７から送信された加工データ、制御パラメータ、各種指示情報等に基づいてレーザ加工装置本体部２及び電源ユニット６を駆動制御する。

尚、図１は、レーザ加工システム１００及びレーザ加工装置１の概略構成を示すものであるため、レーザ加工装置本体部２を模式的に示している。従って、当該レーザ加工装置本体部２の具体的な構成については、後述する。

（レーザ加工装置本体部２の概略構成）
次に、レーザ加工装置本体部２の概略構成について、図１、図２に基づいて説明する。尚、レーザ加工装置本体部２の説明において、図１の左方向、右方向、上方向、下方向が、それぞれレーザ加工装置本体部２の前方向、後方向、上方向、下方向である。従って、レーザ発振器２１のパルスレーザＬの出射方向が前方向である。本体ベース１１及びパルスレーザＬに対して垂直な方向が上下方向である。そして、レーザ加工装置本体部２の上下方向及び前後方向に直交する方向が、レーザ加工装置本体部２の左右方向である。

レーザ加工装置本体部２は、パルスレーザＬと可視レーザ光Ｍをｆθレンズ２０から同軸上に出射するレーザヘッド部３（図２参照）と、レーザヘッド部３が上面に固定される略箱体状の加工容器（図示せず）とから構成されている。

図２に示すように、レーザヘッド部３は、本体ベース１１と、パルスレーザＬを出射するレーザ発振ユニット１２と、光シャッター部１３と、光ダンパー１４と、ハーフミラー１５と、ガイド光部１６と、反射ミラー１７と、光センサ１８と、ガルバノスキャナ１９と、ｆθレンズ２０等から構成され、略直方体形状の筐体カバー（図示せず）で覆われている。

レーザ発振ユニット１２は、レーザ発振器２１と、ビームエキスパンダ２２と、取付台２３とから構成されている。レーザ発振器２１は、ファイバコネクタと、集光レンズと、反射鏡と、レーザ媒質と、受動Ｑスイッチと、出力カプラーと、ウィンドウとをケーシング内に有している。ファイバコネクタには、光ファイバＦが接続されており、電源ユニット６を構成する励起用半導体レーザ部４０から出射された励起光が、光ファイバＦを介して入射される。

集光レンズは、ファイバコネクタから入射された励起光を集光する。反射鏡は、集光レンズによって集光された励起光を透過すると共に、レーザ媒質から出射されたレーザ光を高効率で反射する。レーザ媒質は、励起用半導体レーザ部４０から出射された励起光によって励起されてレーザ光を発振する。レーザ媒質としては、例えば、レーザ活性イオンとしてネオジウム（Ｎｄ）が添加されたネオジウム添加ガドリニウムバナデイト（Ｎｄ：ＧｄＶＯ４）結晶や、ネオジウム添加イットリウムバナデイト（Ｎｄ：ＹＶＯ４）結晶や、ネオジウム添加イットリウムアルミニウムガーネット（Ｎｄ：ＹＡＧ）結晶等を用いることができる。

受動Ｑスイッチは、内部に蓄えられた光エネルギーが或る一定値を超えたとき、透過率が高くなるという性質を持った結晶である。従って、受動Ｑスイッチは、レーザ媒質によって発振されたレーザ光をパルス状のパルスレーザとして発振するＱスイッチとして機能する。受動Ｑスイッチとしては、例えば、クロームＹＡＧ（Ｃｒ：ＹＡＧ）結晶やＣｒ：ＭｇＳｉＯ４結晶等を用いることができる。

出力カプラーは、反射鏡とレーザ共振器を構成する。出力カプラーは、例えば、表面に誘電体層膜をコーティングした凹面鏡により構成された部分反射鏡で、波長１０６４ｎｍでの反射率は、８０％〜９５％である。ウィンドウは、合成石英等から形成され、出力カプラーから出射されたレーザ光を外部へ透過させる。従って、レーザ発振器２１は、受動Ｑスイッチを介してパルスレーザを発振し、導線Ｗ表面から被覆層Ｅを除去するためのパルスレーザＬとして、パルスレーザを出力する。

ビームエキスパンダ２２は、パルスレーザＬのビーム径を変更するものであり、レーザ発振器２１と同軸に設けられている。取付台２３は、レーザ発振器２１がパルスレーザＬの光軸を調整可能に取り付けられ、本体ベース１１の前後方向中央位置よりも後側の上面に対して、各取付ネジ２５によって固定されている。

光シャッター部１３は、シャッターモータ２６と、平板状のシャッター２７とから構成されている。シャッターモータ２６は、ステッピングモータ等で構成されている。シャッター２７は、シャッターモータ２６のモータ軸に取り付けられて同軸に回転する。シャッター２７は、ビームエキスパンダ２２から出射されたパルスレーザＬの光路を遮る位置に回転した際には、パルスレーザＬを光シャッター部１３に対して右方向に設けられた光ダンパー１４へ反射する。一方、シャッター２７がビームエキスパンダ２２から出射されたパルスレーザＬの光路上に位置しないように回転した場合には、ビームエキスパンダ２２から出射されたパルスレーザＬは、光シャッター部１３の前側に配置されたハーフミラー１５に入射する。

光ダンパー１４は、シャッター２７で反射されたパルスレーザＬを吸収する。尚、光ダンパー１４の発熱は、本体ベース１１に熱伝導されて冷却される。ハーフミラー１５は、パルスレーザＬの光路に対して斜め左下方向に４５度の角度を形成するように配置される。ハーフミラー１５は、後側から入射されたパルスレーザＬのほぼ全部を透過する。又、ハーフミラー１５は、後側から入射されたパルスレーザＬの一部を、４５度の反射角で反射ミラー１７へ反射する。反射ミラー１７は、ハーフミラー１５のパルスレーザＬが入射される後側面の略中央位置に対して左方向に配置される。

ガイド光部１６は、可視レーザ光として、例えば、赤色レーザ光を出射する可視半導体レーザ２８と、可視半導体レーザ２８から出射された可視レーザ光Ｍを平行光に収束するレンズ群（図示せず）とから構成されている。可視レーザ光Ｍは、レーザ発振器２１から出射されるパルスレーザＬと異なる波長である。ガイド光部１６は、ハーフミラー１５のパルスレーザＬが出射される略中央位置に対して右方向に配置されている。この結果、可視レーザ光Ｍは、ハーフミラー１５のパルスレーザＬが出射される略中央位置において、ハーフミラー１５の前側面にあたる反射面に対して４５度の入射角で入射され、４５度の反射角でパルスレーザＬの光路上に反射される。即ち、可視半導体レーザ２８は、可視レーザ光ＭをパルスレーザＬの光路上に出射する。

反射ミラー１７は、パルスレーザＬの光路に対して平行な前後方向に対して斜め左下方向に４５度の角度を形成するように配置され、ハーフミラー１５の後側面において反射されたパルスレーザＬの一部が、反射面の略中央位置に対して４５度の入射角で入射される。そして、反射ミラー１７は、反射面に対して４５度の入射角で入射されたパルスレーザＬを、４５度の反射角で前側方向へ反射する。

光センサ１８は、パルスレーザＬの発光強度を検出するフォトダイオード等で構成され、反射ミラー１７のパルスレーザＬが反射される略中央位置に対して、図２中、前側方向に配置されている。この結果、光センサ１８は、反射ミラー１７で反射されたパルスレーザＬが入射され、この入射されたパルスレーザＬの発光強度を検出する。従って、光センサ１８を介してレーザ発振器２１から出力されるパルスレーザＬの強度を検出することができる。

ガルバノスキャナ１９は、本体ベース１１の前側端部に形成された貫通孔２９の上側に取り付けられ、レーザ発振ユニット１２から出射されたパルスレーザＬと、ハーフミラー１５で反射された可視レーザ光Ｍとを下方へ２次元走査する。ガルバノスキャナ１９は、ガルバノＸ軸モータ３１と、ガルバノＹ軸モータ３２と、本体部３３により構成されており、ガルバノＸ軸モータ３１とガルバノＹ軸モータ３２は、それぞれのモータ軸が互いに直交するように外側からそれぞれの取付孔に嵌入、保持されて本体部３３に取り付けられている。従って、当該ガルバノスキャナ１９においては、各モータ軸の先端部に取り付けられた走査ミラーが内側で互いに対向している。そして、ガルバノＸ軸モータ３１、ガルバノＹ軸モータ３２の回転をそれぞれ制御して、各走査ミラーを回転させることによって、パルスレーザＬと可視レーザ光Ｍとを下方へ２次元走査する。この２次元走査方向は、前後方向（Ｘ方向）と左右方向（Ｙ方向）である。

ｆθレンズ２０は、下方に配置された加工対象物（例えば、導線Ｗ）表面に対して、ガルバノスキャナ１９によって２次元走査されたパルスレーザＬと可視レーザ光Ｍとを同軸に集光する。従って、ガルバノＸ軸モータ３１、ガルバノＹ軸モータ３２の回転を制御することによって、パルスレーザＬと可視レーザ光Ｍが、導線Ｗ表面上において、所望の加工パターンで前後方向（Ｘ方向）と左右方向（Ｙ方向）に２次元走査される。

（電源ユニットの概略構成）
次に、レーザ加工装置１における電源ユニット６の概略構成について、図１を参照しつつ説明する。図１に示すように、電源ユニット６は、励起用半導体レーザ部４０と、レーザドライバ５１と、電源部５２と、冷却ユニット５３とを、ケーシング５５内に有している。電源部５２は、励起用半導体レーザ部４０を駆動する駆動電流を、レーザドライバ５１を介して励起用半導体レーザ部４０に供給する。レーザドライバ５１は、レーザコントローラ５から入力される駆動情報に基づいて、励起用半導体レーザ部４０を直流でオンオフ駆動する。

励起用半導体レーザ部４０は、光ファイバＦによってレーザ発振器２１に光学的に接続されている。励起用半導体レーザ部４０は、レーザドライバ５１から入力されるパルス状の駆動電流に対して、レーザ光を発生する閾値電流を超えた電流値に比例した出力の波長のレーザ光である励起光を、光ファイバＦ内に出射する。従って、レーザ発振器２１には、励起用半導体レーザ部４０からの励起光が光ファイバＦを介して入射される。励起用半導体レーザ部４０には、例えば、ＧａＡｓを用いたレーザバーを用いることができる。

冷却ユニット５３は、電源部５２及び励起用半導体レーザ部４０を、所定の温度範囲内に調整する為のユニットであり、例えば、電子冷却方式により冷却することで、励起用半導体レーザ部４０の温度制御を行っており、励起用半導体レーザ部４０の発振波長を微調整する。尚、冷却ユニット５３は、水冷式の冷却ユニットや、空冷式の冷却ユニット等を用いるようにしてもよい。

（レーザ加工システム１００の制御系）
次に、レーザ加工システム１００を構成するレーザ加工装置１の制御系構成について、図面を参照しつつ説明する。図３に示すように、レーザ加工装置１は、レーザ加工装置１の全体を制御するレーザコントローラ５と、レーザドライバ５１と、ガルバノコントローラ５６と、ガルバノドライバ５７と、可視光レーザドライバ５８等を有して構成されている。レーザコントローラ５には、レーザドライバ５１と、ガルバノコントローラ５６と、光センサ１８と、可視光レーザドライバ５８等が電気的に接続されている。

レーザコントローラ５は、レーザ加工装置１の全体の制御を行う演算装置及び制御装置としてのＣＰＵ６１、ＲＡＭ６２、ＲＯＭ６３、時間を計測するタイマ６４等を備えている。又、ＣＰＵ６１、ＲＡＭ６２、ＲＯＭ６３、タイマ６４は、バス線（図示せず）により相互に接続されて、相互にデータのやり取りが行われる。

ＲＡＭ６２は、ＣＰＵ６１により演算された各種の演算結果や加工走査パターンのＸＹ座標データ等を一時的に記憶させておくためのものである。ＲＯＭ６３は、各種のプログラムを記憶させておくものであり、データ作成装置７から送信された加工データに基づいて加工走査パターンのＸＹ座標データを算出してＲＡＭ６２に記憶する等の各種プログラムが記憶されている。

そして、ＣＰＵ６１は、ＲＯＭ６３に記憶されている各種の制御プログラムに基づいて各種の演算及び制御を行なうものである。例えば、ＣＰＵ６１は、データ作成装置７から入力された加工データに基づいて算出した加工走査パターンのＸＹ座標データ、ガルバノ走査速度情報等をガルバノコントローラ５６に出力する。又、ＣＰＵ６１は、データ作成装置７から入力された加工データに基づいて設定した励起用半導体レーザ部４０の励起光出力、励起光の出力期間等の励起用半導体レーザ部４０の駆動情報をレーザドライバ５１に出力する。又、ＣＰＵ６１は、加工走査パターンのＸＹ座標データ、ガルバノスキャナ１９のＯＮ・ＯＦＦを指示する制御信号等をガルバノコントローラ５６に出力する。

レーザドライバ５１は、レーザコントローラ５から入力された励起用半導体レーザ部４０の励起光出力、励起光の出力期間等のレーザ駆動情報等に基づいて、励起用半導体レーザ部４０を駆動制御する。具体的には、レーザドライバ５１は、レーザコントローラ５から入力されたレーザ駆動情報の励起光出力に比例した電流値のパルス状の駆動電流を発生し、レーザ駆動情報の励起光の出力期間に基づく期間、励起用半導体レーザ部４０に出力する。これにより、励起用半導体レーザ部４０は、励起光出力に対応する強度の励起光を出力期間の間、光ファイバＦ内に出射する。

ガルバノコントローラ５６は、レーザコントローラ５から入力された加工走査パターンのＸＹ座標データ、ガルバノ走査速度情報等に基づいて、ガルバノＸ軸モータ３１とガルバノＹ軸モータ３２の駆動角度、回転速度等を算出して、駆動角度、回転速度を表すモータ駆動情報をガルバノドライバ５７へ出力する。

ガルバノドライバ５７は、ガルバノコントローラ５６から入力された駆動角度、回転速度を表すモータ駆動情報に基づいて、ガルバノＸ軸モータ３１とガルバノＹ軸モータ３２を駆動制御して、パルスレーザＬを２次元走査する。

可視光レーザドライバ５８は、レーザコントローラ５から出力される制御信号に基づいて、可視半導体レーザ２８を含むガイド光部１６の制御を行い、例えば、制御信号に基づいて、可視半導体レーザ２８から出射される可視レーザ光Ｍの発光タイミングや光量を制御する。

図１、図３に示すように、レーザコントローラ５には、データ作成装置７が双方向通信可能に接続されており、データ作成装置７から送信された加工内容を示す加工データ、レーザ加工装置本体部２の制御パラメータ、ユーザからの各種指示情報等を受信可能に構成されている。

（データ作成装置の制御系）
続いて、レーザ加工システム１００を構成するデータ作成装置７の制御系構成について、図面を参照しつつ説明する。図３に示すように、データ作成装置７は、データ作成装置７の全体を制御する制御部７０と、マウスやキーボード等から構成される入力操作部７６と、液晶ディスプレイ７７と、ＣＤ−ＲＯＭ７９に対する各種データ、プログラム等の書き込み及び読み込みを行うためのＣＤ−Ｒ／Ｗ７８等から構成されている。

制御部７０は、データ作成装置７の全体の制御を行う演算装置及び制御装置としてのＣＰＵ７１と、ＲＡＭ７２と、ＲＯＭ７３と、時間を計測するタイマ７４と、ＨＤＤ７５等を備えている。又、ＣＰＵ７１と、ＲＡＭ７２と、ＲＯＭ７３と、タイマ７４は、バス線（図示せず）により相互に接続されて、相互にデータのやり取りが行われる。又、ＣＰＵ７１とＨＤＤ７５は、入出力インターフェース（図示せず）を介して接続され、相互にデータのやり取りが行われる。

ＲＡＭ７２は、ＣＰＵ７１により演算された各種の演算結果等を一時的に記憶させておくためのものである。ＲＯＭ７３は、各種の制御プログラムやデータテーブルを記憶させておくものである。

そして、ＨＤＤ７５は、各種アプリケーションソフトウェアのプログラム、各種データファイルを記憶する記憶装置である。本実施形態に係るＨＤＤ７５は、導線Ｗから被覆層Ｅを除去する為の加工データを作成する為の加工データ作成処理プログラム（図４参照）や加工パラメータ設定処理プログラム（図１０参照）、後述する被覆層材質テーブル（図７参照）、芯線材質テーブル（図８参照）及び被覆層厚テーブル（図９参照）を記憶している。

そして、ＣＤ−Ｒ／Ｗ７８は、アプリケーションプログラム、各種データテーブル及びデータベース７５Ｄを構成する各データ群を、ＣＤ−ＲＯＭ７９から読み込む、又は、ＣＤ−ＲＯＭ７９に対して書き込む。即ち、データ作成装置７は、ＣＤ−Ｒ／Ｗ７８を介して、加工データ作成処理プログラム（図４参照）や加工パラメータ設定処理プログラム（図１１参照）、被覆層材質テーブル（図７参照）、芯線材質テーブル（図８参照）及び被覆層厚テーブル（図９参照）をＣＤ−ＲＯＭ７９から読み込み、ＨＤＤ７５に格納すると共に、種々のデータ群を記憶することでデータベース７５ＤをＨＤＤ７５内に形成する。

尚、加工データ作成処理プログラム（図４参照）や加工パラメータ設定処理プログラム（図１１参照）、被覆層材質テーブル（図７参照）、芯線材質テーブル（図８参照）及び被覆層厚テーブル（図９参照）は、ＲＯＭ７３に記憶されていても良いし、ＣＤ−ＲＯＭ７９等の記憶媒体から読み込まれても良い。又、インターネット等のネットワーク（図示せず）を介して、ダウンロードされてもよい。

そして、データ作成装置７には、入出力インターフェース（図示せず）を介して、マウスやキーボード等から構成される入力操作部７６と、液晶ディスプレイ７７等が電気的に接続されている。従って、データ作成装置７は、入力操作部７６や、液晶ディスプレイ７７を用いて、導線Ｗから被覆層Ｅを除去する為の加工データの作成や制御パラメータの設定等に利用される。

（データ作成処理プログラムの処理内容）
続いて、データ作成装置７において実行されるデータ作成処理プログラムの処理内容について、図４〜図１２を参照しつつ詳細に説明する。当該データ作成処理プログラムは、パルスレーザＬを照射することによって、後述する導線Ｗから被覆層Ｅを除去し、芯線Ｃを露出させる為の加工データを作成する為のアプリケーションプログラムであり、データ作成装置７のＣＰＵ７１によって実行される。

（導線Ｗの構成）
ここで、本実施形態に係るレーザ加工システム１００において、加工対象物として用いられる導線Ｗの構成について、図５を参照しつつ説明する。当該導線Ｗは、電気を伝導する為の線であり、芯線Ｃと、被覆層Ｅとを有して構成されている。芯線Ｃは、電気伝導性を有する金属（例えば、銅、アルミ等）によって、芯線外径Ｄを有する線材として形成されている。被覆層Ｅは、絶縁性を有する樹脂材（例えば、ポリウレタン、ポリエステル等）によって、パルスレーザＬを透過可能に構成されており、芯線Ｃを絶縁・保護する為に配設されている。当該被覆層Ｅは、所定の被覆層厚Ｔをもって、芯線Ｃの外周面を被覆している。

尚、以下の説明においては、導線Ｗの径方向に沿ったパルスレーザＬの走査方向を「主走査方向」とし、導線Ｗの軸方向（即ち、主走査方向に直交する方向）を「副走査方向」とする。そして、本実施形態における「主走査方向」は、本発明における第１方向に相当し、「副走査方向」は、本発明における第２方向に相当する。

（導線Ｗにおける被覆層Ｅの除去加工に関する基本的工程）
続いて、本実施形態に係るレーザ加工システム１００において、データ作成装置７により作成された加工データに基づいて、導線Ｗに対して実行される被覆層Ｅの除去加工の内容について説明する。

本実施形態において、データ作成装置７により作成される加工データは、第１工程と、第２工程を含んでおり、第１工程の後、第２工程を実行するように規定されている。加工データに基づく第１工程においては、レーザ加工装置１は、レーザヘッド部３から出射されたパルスレーザＬによって、導線Ｗの芯線Ｃに対して所定の第１入熱量を付与しつつ、第１走査速度（例えば、１０（ｍｍ／ｓ））で主走査方向へ走査させる主走査を、副走査方向へ異なる位置で複数回走査させるように制御される。

この第１工程を実行することによって、パルスレーザＬは、導線Ｗの被覆層Ｅを透過して、芯線Ｃと被覆層Ｅとの界面を起点として、芯線Ｃを構成する金属に入熱することで、被覆層Ｅの溶融や脆化を発生させる。第１工程が実行されることで、被覆層Ｅの溶融や脆化が発生し、被覆層Ｅを膨張させるようにして、芯線Ｃの外周面から被覆層Ｅを剥離させることができる。

第１工程に続いて実行される第２工程では、レーザ加工装置１は、レーザヘッド部３から出射されたパルスレーザＬによって、前記第１入熱量よりも小さな第２入熱量を与えつつ、パルスレーザＬを、前記第１走査速度よりも高速な第２走査速度（例えば、１５００（ｍｍ／ｓ））で、副走査方向へ走査させる副走査を、前記主走査方向に異なる方向に異なる位置で複数回走査させるように制御される。第２工程における副走査のうち、少なくとも１本の副走査が、主走査方向に異なる位置で走査されていればよい。つまり、第２工程における副走査の一部は同じ位置を走査してもよい。

そして、この第２工程を実行させることで、パルスレーザＬは、第１入熱量よりも小さな第２入熱量をもって副走査を行う為、被覆層Ｅの溶融や変性を発生させることなく、より高速な第２走査速度で副走査を行うことで、溶融や脆化によって芯線Ｃ表面から離間した被覆層Ｅを効率よく飛散させることができる。

本実施形態に係るレーザ加工システム１００においては、データ作成装置７により作成された加工データは、第１工程と、第２工程を含んでおり、第１工程の後、第２工程を実行するように規定されている為、第１工程による溶融や脆化によって芯線Ｃ表面から離間した被覆層Ｅを、第２工程によって効率よく飛散させることができ、もって、レーザ加工装置１に、導線Ｗから被覆層Ｅを除去させることができる。

（加工データ作成処理プログラムの処理内容）
次に、本実施形態に係るデータ作成装置７において、上述した第１工程及び第２工程を含む加工データを作成する際に実行される加工データ作成処理プログラムの処理内容について、図４を参照しつつ詳細に説明する。当該加工データ作成処理プログラムは、データ作成装置７のＨＤＤ７５に格納されており、ＣＰＵ７１によって実行される。

図４に示すように、加工データ作成処理プログラムの実行を開始すると、ＣＰＵ７１は、先ず、導線Ｗに関する種々の構成を示す導線情報を入力する為の導線情報設定ウィンドウ８０を、液晶ディスプレイ７７に表示する（Ｓ１）。導線情報設定ウィンドウ８０を液晶ディスプレイ７７に表示した後、ＣＰＵ７１は、Ｓ２に処理を移行する。

（導線情報設定ウィンドウ８０の構成）
ここで、液晶ディスプレイ７７上に表示される導線情報設定ウィンドウ８０について、図面を参照しつつ詳細に説明する。図６に示すように、導線情報設定ウィンドウ８０は、被覆層材質設定部８１と、芯線材質設定部８２と、被覆層厚設定部８３と、芯線外径設定部８４と、加工所要時間設定部８５と、決定ボタン８６とを有している。

被覆層材質設定部８１は、導線情報の一つとして、被覆層Ｅを構成する材質を入力・設定する際に用いられる。本実施形態において、被覆層材質設定部８１は、被覆層Ｅの材質として、例えば、「ＵＥＷ（ポリウレタン銅線）」「ＰＥＷ（ポリエステル銅線）」「ＨＭＷ（ポリアミドイミド銅線）」等を選択可能に構成されている。従って、ユーザは、データ作成装置７の入力操作部７６を用いて、導線情報設定ウィンドウ８０の被覆層材質設定部８１に対する操作を行うことで、導線Ｗにおける被覆層Ｅの材質を、導線情報の一つとして設定し得る。

芯線材質設定部８２は、導線情報の一つとして、芯線Ｃを構成する材質を入力・設定する際に用いられる。本実施形態において、芯線材質設定部８２は、芯線Ｃの材質として、例えば、「銅」「アルミ」等を選択可能に構成されている。従って、ユーザは、データ作成装置７の入力操作部７６を用いて、導線情報設定ウィンドウ８０の芯線材質設定部８２に対する操作を行うことで、導線Ｗにおける芯線Ｃの材質を、導線情報の一つとして設定し得る。

被覆層厚設定部８３は、導線情報の一つとして、導線Ｗにおける被覆層Ｅの厚みである被覆層厚Ｔを入力・設定する際に用いられる。本実施形態において、被覆層厚設定部８３は、「薄い（例えば、０．１ｍｍ以下）」「中間（例えば、０．１ｍｍよりも大きく、０．２ｍｍ以下）」「厚い（例えば、０．２ｍｍよりも大きく、０．５ｍｍ以下）」の３段階から、被覆層厚Ｔを選択可能に構成されている。従って、ユーザは、データ作成装置７の入力操作部７６を用いて、導線情報設定ウィンドウ８０の被覆層厚設定部８３に対する操作を行うことで、導線Ｗにおける被覆層厚Ｔを、導線情報の一つとして設定し得る。

芯線外径設定部８４は、導線情報の一つとして、導線Ｗにおける芯線Ｃの外径である芯線外径Ｄを入力・設定する際に用いられる。本実施形態において、芯線外径設定部８４は、導線Ｗの芯線Ｃについての芯線外径Ｄの数値を入力可能に構成されている。従って、ユーザは、データ作成装置７の入力操作部７６を用いて、導線情報設定ウィンドウ８０の芯線外径設定部８４に、芯線外径Ｄを入力することで、導線Ｗにおける芯線外径Ｄを、導線情報の一つとして設定し得る。

加工所要時間設定部８５は、導線情報の一つとして、導線Ｗにおける被覆層Ｅの除去に関する加工所要時間を入力・設定する際に用いられる。加工所要時間設定部８５は、「標準」を含む異なる時間から、加工所要時間を選択可能に構成されている。従って、ユーザは、データ作成装置７の入力操作部７６を用いて、導線情報設定ウィンドウ８０の加工所要時間設定部８５に対する操作を行うことで、加工所要時間を、導線情報の一つとして設定し得る。

決定ボタン８６は、被覆層材質設定部８１、芯線材質設定部８２、被覆層厚設定部８３、芯線外径設定部８４、加工所要時間設定部８５に入力された導線情報の入力を確定する際に操作される。従って、本実施形態においては、ＣＰＵ７１は、決定ボタン８６の入力操作が行われた時点で、被覆層材質設定部８１、芯線材質設定部８２、被覆層厚設定部８３、芯線外径設定部８４、加工所要時間設定部８５に入力された内容を導線情報としてＲＡＭ７２に格納し、Ｓ２に処理を移行する。

Ｓ２においては、ＣＰＵ７１は、入力操作部７６による入力操作に基づいて、導線情報設定ウィンドウ８０の被覆層材質設定部８１を用いて、被覆層Ｅの材質を導線情報の一つとして受け付けたか否かを判断する。被覆層Ｅの材質を導線情報の一つとして受け付けた場合（Ｓ２：ＹＥＳ）、ＣＰＵ７１は、Ｓ３に処理を移行する。一方、被覆層Ｅの材質を導線情報の一つとして受け付けていない場合（Ｓ２：ＮＯ）、ＣＰＵ７１は、被覆層Ｅの材質を導線情報として受け付けるまで、処理を待機する。

Ｓ３では、ＣＰＵ７１は、Ｓ２で導線情報として受け付けた被覆層Ｅの材質に関する情報と、被覆層材質テーブル（図７参照）に基づいて、導線Ｗにおける被覆層Ｅの除去加工を行う際に、パルスレーザＬによって芯線Ｃに入熱される基礎入熱量を設定する。設定した基礎入熱量をＲＡＭ７２に格納した後、ＣＰＵ７１は、Ｓ４に処理を移行する。

（被覆層材質テーブルの内容）
ここで、Ｓ３において、基礎入熱量を設定する際に参照される被覆層材質テーブルの内容について、図７を参照しつつ詳細に説明する。図７に示すように、被覆層材質テーブルは、被覆層Ｅの材質に対して、当該導線Ｗから被覆層Ｅを除去する際のパルスレーザＬによる基礎入熱量を対応付けて構成されている。被覆層Ｅの材質は、被覆層Ｅの耐熱性に直接的に関連する。被覆層Ｅが耐熱性の高い材質で構成されている場合、パルスレーザＬによって被覆層Ｅの溶融や脆化等を発生させる為には、より大きな入熱量を付与する必要が生じる。一方、被覆層Ｅが耐熱性の低い材質で構成されている場合、小さな入熱量を付与すれば、パルスレーザＬによって被覆層Ｅの溶融や脆化等を発生させることができる。即ち、本実施形態に係る被覆層材質テーブルは、被覆層Ｅの材質ごとの耐熱性の高低に応じて、当該導線Ｗから被覆層Ｅを除去する際のパルスレーザＬによる基礎入熱量を対応付けて構成されている。ＰＥＷに対応する入熱量は、例えば、スポット径内に入る見かけの投入エネルギーであり、３．３（ｍＪ／ＰＵＬＳＥ）である。ＵＥＷに対応する入熱量は、例えば、スポット径内に入る見かけの投入エネルギーであり、２．８（ｍＪ／ＰＵＬＳＥ）である。ＨＭＷに対応する入熱量は、例えば、スポット径内に入る見かけの投入エネルギーであり、４．７（ｍＪ／ＰＵＬＳＥ）である。

従って、Ｓ３においては、ＣＰＵ７１は、Ｓ２で導線情報として受け付けた被覆層Ｅの材質に関する情報と、被覆層材質テーブル（図７参照）を参照して、基礎入熱量を設定することによって、被覆層Ｅの材質に応じた適切な基礎入熱量を設定する。

Ｓ４では、ＣＰＵ７１は、入力操作部７６による入力操作に基づいて、導線情報設定ウィンドウ８０の芯線材質設定部８２を用いて、芯線Ｃの材質を導線情報の一つとして受け付けたか否かを判断する。芯線Ｃの材質を導線情報の一つとして受け付けた場合（Ｓ４：ＹＥＳ）、ＣＰＵ７１は、Ｓ５に処理を移行する。一方、芯線Ｃの材質を導線情報の一つとして受け付けていない場合（Ｓ４：ＮＯ）、ＣＰＵ７１は、芯線Ｃの材質を導線情報として受け付けるまで、処理を待機する。

Ｓ５においては、ＣＰＵ７１は、導線情報の一つとして受け付けた芯線Ｃの材質に関する情報と、芯線材質テーブル（図８参照）に基づいて、入熱量補正処理を実行することで、芯線Ｃの材質に基づいて、パルスレーザＬによって芯線Ｃに入熱される入熱量を補正する。具体的には、入熱量補正処理（Ｓ５）では、ＣＰＵ７１は、Ｓ４で導線情報として受け付けた芯線Ｃの材質に関する情報と、芯線材質テーブル（図８参照）に基づいて、芯線Ｃの材質に対応する補正倍率を特定し、Ｓ３で設定された基礎入熱量に対して、特定した補正倍率を乗算することで、パルスレーザＬによって芯線Ｃに入熱される入熱量を、被覆層Ｅ及び芯線Ｃに対応した適切な入熱量に補正する。補正した入熱量をＲＡＭ７２に格納した後、ＣＰＵ７１は、Ｓ６に処理を移行する。

（芯線材質テーブルの内容）
次に、Ｓ５において、入熱量を補正する為の補正倍率を特定する際に参照される芯線材質テーブルの内容について、図８を参照しつつ詳細に説明する。図８に示すように、芯線材質テーブルは、芯線Ｃの材質に対して、Ｓ３で設定された基礎入熱量を補正する為の補正倍率を対応付けて構成されている。当該補正倍率は、芯線Ｃの材質に係る密度と、比熱と、吸収率に基づいて算出される。具体的には、各補正倍率は、芯線Ｃの材質に係る密度と、比熱と、吸収率を乗算した値の逆数を取り、銅を基準として規格化して特定される。

従って、Ｓ５においては、ＣＰＵ７１は、Ｓ４で導線情報として受け付けた芯線Ｃの材質に関する情報と、芯線材質テーブル（図８参照）を参照して、芯線Ｃの材質に対応する補正倍率を特定し、基礎入熱量に対して特定した補正倍率を乗算することで、被覆層Ｅ及び芯線Ｃの材質に応じた適切なパルスレーザＬの入熱量を設定することができる。

Ｓ６に移行すると、ＣＰＵ７１は、入力操作部７６による入力操作に基づいて、導線情報設定ウィンドウ８０の被覆層厚設定部８３を用いて、被覆層厚Ｔに関する情報の入力を導線情報の一つとして受け付けたか否かを判断する。被覆層厚Ｔに関する情報を導線情報の一つとして受け付けた場合（Ｓ６：ＹＥＳ）、ＣＰＵ７１は、Ｓ７に処理を移行する。一方、被覆層厚Ｔに関する情報を導線情報の一つとして受け付けていない場合（Ｓ６：ＮＯ）、ＣＰＵ７１は、被覆層厚Ｔに関する情報を導線情報として受け付けるまで、処理を待機する。

Ｓ７では、ＣＰＵ７１は、導線情報の一つとして受け付けた被覆層厚Ｔに関する情報と、被覆層厚テーブル（図９参照）に基づいて、入熱量補正処理を実行することで、被覆層厚Ｔに基づいて、パルスレーザＬによって芯線Ｃに入熱される入熱量を補正する。具体的には、入熱量補正処理（Ｓ７）では、ＣＰＵ７１は、Ｓ６で導線情報として受け付けた被覆層厚Ｔに関する情報と、被覆層厚テーブル（図９参照）に基づいて、被覆層厚Ｔに対応する補正倍率を特定し、Ｓ５で補正された入熱量に対して、特定した補正倍率を乗算することで、パルスレーザＬによって芯線Ｃに入熱される入熱量を、被覆層Ｅ、芯線Ｃ及び被覆層厚Ｔに対応した適切な入熱量に補正する。補正した入熱量をＲＡＭ７２に格納した後、ＣＰＵ７１は、Ｓ８に処理を移行する。

（被覆層厚テーブルの内容）
続いて、Ｓ７において、入熱量を補正する為の補正倍率を特定する際に参照される被覆層厚テーブルの内容について、図９を参照しつつ詳細に説明する。図９に示すように、被覆層厚テーブルは、被覆層厚Ｔに対して、Ｓ５で補正された入熱量を更に補正する為の補正倍率を対応付けて構成されている。被覆層厚Ｔは、被覆層Ｅにおける熱の伝導しやすさや、被覆層Ｅに発生した亀裂の進展しやすさに影響する為、被覆層厚Ｔに対して夫々補正倍率を対応付けることによって、被覆層厚Ｔに対応する入熱量をもって、被覆層Ｅの除去加工を行い得る。

従って、Ｓ７においては、ＣＰＵ７１は、Ｓ６で導線情報として受け付けた被覆層厚Ｔに関する情報と、被覆層厚テーブル（図９参照）を参照して、被覆層厚Ｔに対応する補正倍率を特定し、Ｓ５で補正された入熱量に対して特定した補正倍率を乗算することで、被覆層Ｅ、芯線Ｃの材質及び被覆層厚Ｔに応じた適切なパルスレーザＬの入熱量を設定することができる。

Ｓ８に移行すると、ＣＰＵ７１は、入力操作部７６による入力操作に基づいて、導線情報設定ウィンドウ８０の芯線外径設定部８４を用いて、芯線外径Ｄに関する情報を導線情報の一つとして受け付けたか否かを判断する。芯線外径Ｄに関する情報を導線情報の一つとして受け付けた場合（Ｓ８：ＹＥＳ）、ＣＰＵ７１は、Ｓ９に処理を移行する。一方、芯線外径Ｄに関する情報を導線情報の一つとして受け付けていない場合（Ｓ８：ＮＯ）、ＣＰＵ７１は、芯線外径Ｄに関する情報を導線情報として受け付けるまで、処理を待機する。

Ｓ９においては、ＣＰＵ７１は、導線情報として受け付けた芯線外径Ｄに関する情報に基づいて、芯線Ｃの主走査方向におけるパルスレーザＬによる入熱量の分布を補正する。具体的には、ＣＰＵ７１は、芯線外径Ｄに関する情報に基づいて、主走査方向における芯線Ｃの外表面に対して、均一に入熱可能な入熱量の分布を補正する。

ここで、芯線Ｃは、図５に示すように、副走査方向に伸びる略円柱形状を為している。そして、上述したように、レーザ加工装置１は、加工容器内に配置された芯線Ｃに対してパルスレーザＬを照射する為、パルスレーザＬは、芯線Ｃの略真上から照射されることになる（図１参照）。この場合において、パルスレーザＬの走査を主走査方向に均等なピッチで入熱すると、芯線Ｃの外周面は曲面である為、芯線Ｃ外周面における入熱量は、主走査方向（径方向）における内外位置に応じて変動してしまう。又、パルスレーザＬが被覆層Ｅを透過して界面に到達するまでの距離は、導線Ｗの径方向における位置に対応して変化し、芯線外径Ｄの影響を受ける。

この為、入熱量分布の補正（Ｓ９）を実行することで、具体的には主走査方向におけるパルスレーザＬの走査ピッチ（走査軌跡ＬＳの間隔）を、芯線外径Ｄに応じて、芯線Ｃの径方向外側に向かうにつれて小さくする補正する（図１０（Ａ）（Ｂ）参照）。これにより、図１０（Ｃ）に示すように、芯線Ｃの外周面を展開すると、パルスレーザＬの走査ピッチ（走査軌跡ＬＳの間隔）を、芯線Ｃの外周面に対して均等なピッチに補正することができ、芯線Ｃ外周面に対して均一に入熱することができる。このようにして、芯線Ｃの主走査方向におけるパルスレーザＬによる入熱量の分布を補正した後、ＣＰＵ７１は、Ｓ１０に処理を移行する。

Ｓ１０に移行すると、ＣＰＵ７１は、導線情報として受け付けた芯線外径Ｄに基づいて、第２工程における複数の副走査を行う際に、主走査方向への走査ピッチの最小値を設定する。具体的には、ＣＰＵ７１は、芯線Ｃの主走査方向へ異なる位置で、２回の副走査を実行可能なように、第２工程における主走査方向への走査ピッチを設定する。その後、ＣＰＵ７１は、Ｓ１１に処理を移行する。

ここで、Ｓ１０の処理に関して説明する。上述したように、第２工程は、第２走査速度で副走査方向に高速走査することで、第１工程を経て芯線Ｃ表面から剥離した被覆層Ｅを飛散させて除去することに重点を置いた工程である。従って、第２工程では、副走査方向へのパルスレーザＬの高速走査である、副走査を、主走査方向（即ち、芯線Ｃの径方向）に異なる位置で複数回行うことが望ましい。Ｓ１０を実行することで、芯線外径Ｄに対応する第２工程における主走査方向の走査ピッチを設定することができるので、第２工程において、芯線Ｃに対して、確実に、パルスレーザＬの副走査を複数回行うことが可能となる。

Ｓ１１では、ＣＰＵ７１は、入力操作部７６による入力操作に基づいて、導線情報設定ウィンドウ８０の加工所要時間設定部８５を用いて、加工所要時間の入力を受け付けたか否かを判断する。加工所要時間の入力を受け付けた場合（Ｓ１１：ＹＥＳ）、ＣＰＵ７１は、Ｓ１２に処理を移行する。一方、加工所要時間の入力を受け付けていない場合（Ｓ１１：ＮＯ）、ＣＰＵ７１は、加工所要時間の入力を受け付けるまで、処理を待機する。

Ｓ１２においては、ＣＰＵ７１は、加工パラメータ設定処理に移行し、導線Ｗにおける被覆層Ｅの除去加工に関して、ユーザ所望の加工パラメータの設定を行う。加工パラメータ設定処理（Ｓ１２）においては、ＣＰＵ７１は、ＨＤＤ７５から加工パラメータ設定処理プログラムを実行する。

（加工パラメータ設定処理プログラムの処理内容）
ここで、加工パラメータ設定処理（Ｓ１２）で実行される加工パラメータ設定処理プログラムの処理内容について、図１１を参照しつつ詳細に説明する。加工パラメータ設定処理（Ｓ１２）に移行すると、ＣＰＵ７１は、先ず、導線Ｗにおける被覆層Ｅの除去加工に関して、ユーザ所望の加工パラメータを設定する為のパラメータ設定ウィンドウ９０を、液晶ディスプレイ７７に表示する（Ｓ２１）。パラメータ設定ウィンドウ９０を、液晶ディスプレイ７７に表示した後、ＣＰＵ７１は、Ｓ２２に処理を移行する。

（導線情報設定ウィンドウ８０の構成）
ここで、液晶ディスプレイ７７上に表示されるパラメータ設定ウィンドウ９０について、図面を参照しつつ詳細に説明する。図１２に示すように、パラメータ設定ウィンドウ９０は、走査パターン設定部９１と、走査間隔設定部９２と、走査速度設定部９３と、反復回数設定部９４と、レーザ強度設定部９５と、設定完了ボタン９６とを有している。

走査パターン設定部９１は、第１工程における複数回の主走査を行う際の走査パターンを設定する際に用いられ、「時間優先」という走査パターンと、「品質優先」という走査パターンとを選択可能に構成されている。従って、ユーザは、データ作成装置７の入力操作部７６を用いて、パラメータ設定ウィンドウ９０の走査パターン設定部９１に対する操作を行うことで、加工パラメータの一つとして、所望の走査パターンを設定し得る。

ここで、図１２に示すように、「時間優先」という走査パターンは、パルスレーザＬを照射しつつ、主走査方向の一方側から他方側へ走査する主走査を行った後、パルスレーザＬの照射を継続して、主走査方向の他方側から一方側へ戻りつつ副走査方向へ異なる位置へ移動させる（主走査方向と副走査方向に関して斜めに移動させる）走査パターンである。この「時間優先」に係る走査パターンでは、複数回の主走査の間において、主走査方向と副走査方向に関して斜めに移動させる過程でも、パルスレーザＬによる入熱が行われる為、第１工程に要する時間を短縮することができる。尚、この場合、第１工程における芯線Ｃに対する入熱は不均一になってしまう為、被覆層Ｅの除去加工に関する加工品質を低下してしまう虞がある。

一方、「品質優先」という走査パターンは、パルスレーザＬを照射しつつ、主走査方向の一方側から他方側へ走査する主走査を行った後、パルスレーザＬの照射を停止して、副走査方向の異なる位置へ移動させ、その後、パルスレーザＬを照射しつつ、主走査方向の他方側から一方側へ走査する主走査を行う走査パターンである。この「品質優先」に係る走査パターンによれば、第１工程において、パルスレーザＬによる芯線Ｃに対する入熱を均一に行うことができる。尚、この場合、第１工程を行う際に主走査方向及び副走査方向への経路が長くなり、且つ、パルスレーザＬの出射に関するＯＮ・ＯＦＦの切替が生じる為、第１工程に要する時間が長期化する場合がある。

走査間隔設定部９２は、加工パラメータとして、導線Ｗに対してパルスレーザＬの走査を行う場合の走査間隔（即ち、走査ピッチ）を入力・設定する際に用いられ、所謂、スライダによって構成されている。走査間隔設定部９２は、入力操作部７６の操作を受け付けることで、最小値から最大値の数値範囲の間における任意の数値を設定することができる。本実施形態において、走査間隔設定部９２における最小値は、例えばパルスレーザＬのビーム径であり、例えば、５０（μｍ）である。第１工程における最大値は、被覆層Ｅの除去加工が可能な上限値であり、例えば、１５０（μｍ）である。そして、第２工程における最大値は、芯線外径Ｄの１／２である。従って、ユーザは、データ作成装置７の入力操作部７６を用いて、パラメータ設定ウィンドウ９０の走査間隔設定部９２を操作することで、所望の走査間隔を加工パラメータとして設定することができる。

走査速度設定部９３は、加工パラメータとして、第１工程における主走査方向への走査速度（即ち、第１走査速度）を入力・設定する際に用いられ、所謂、スライダによって構成されている。走査速度設定部９３は、入力操作部７６の操作を受け付けることで、最小値から最大値の数値範囲の間における任意の数値を設定することができる。本実施形態において、走査速度設定部９３における最小値は、被覆層Ｅの除去加工の結果、芯線Ｃ表面に、酸化による黒変が生じることがない程度の走査速度を示し、走査速度設定部９３の最大値は、被覆層Ｅの除去加工が可能な上限値であり、例えば、２０（ｍｍ／ｓ）である。従って、ユーザは、データ作成装置７の入力操作部７６を用いて、パラメータ設定ウィンドウ９０の走査速度設定部９３を操作することで、所望の第１走査速度を加工パラメータとして設定することができる。ここで、本実施形態とは異なるが、走査速度が所定の速度に固定されていてもよい。例えば、第２走査の走査速度は、ある程度以上では除去に対する影響がないとして、第２走査の走査速度が１５００（ｍｍ／ｓ）に固定されていてもよい。

反復回数設定部９４は、加工パラメータとして、第２工程における副走査の反復回数を入力・設定する際に用いられ、所謂、スライダによって構成されている。反復回数設定部９４は、入力操作部７６の操作を受け付けることで、最小値から最大値の数値範囲の間における任意の数値を設定することができる。本実施形態において、反復回数設定部９４における最小値は、被覆層Ｅの除去加工が可能な下限値であり、例えば、１０回を示す。そして、反復回数設定部９４の最大値は、被覆層Ｅの除去加工の結果、芯線Ｃ表面に、酸化による黒変が生じることがない程度の反復回数を示す。従って、ユーザは、データ作成装置７の入力操作部７６を用いて、パラメータ設定ウィンドウ９０の反復回数設定部９４を操作することで、加工パラメータとして、第２工程における副走査の反復回数を、所望の回数に設定することができる。ここで、本実施形態とは異なるが、走査の回数が所定の回数に固定されていてもよい。例えば、第１走査の回数が1回に固定されていてもよい。

レーザ強度設定部９５は、加工パラメータとして、被覆層Ｅの除去加工におけるパルスレーザＬのレーザ強度を入力・設定する際に用いられ、所謂、スライダによって構成されている。レーザ強度設定部９５は、入力操作部７６の操作を受け付けることで、最小値から最大値の数値範囲の間における任意の数値を設定することができる。レーザ強度設定部９５における最大値は、レーザ加工装置１が出力可能なパルスレーザＬのレーザ強度の最大値を示し、本実施形態においては、５（Ｗ）である。そして、レーザ強度設定部９５における最小値は、例えば、４（Ｗ）である。従って、ユーザは、データ作成装置７の入力操作部７６を用いて、パラメータ設定ウィンドウ９０のレーザ強度設定部９５を操作することで、加工パラメータとして、被覆層Ｅの除去加工におけるパルスレーザＬのレーザ強度を、所望のレーザ強度に設定することができる。

設定完了ボタン９６は、走査パターン設定部９１、走査間隔設定部９２、走査速度設定部９３、反復回数設定部９４、レーザ強度設定部９５に入力された加工パラメータの設定を確定する際に操作される。

Ｓ２２においては、ＣＰＵ７１は、設定入力受付処理を実行することにより、パラメータ設定ウィンドウ９０を構成する各部に対する入力を受け付ける。具体的には、ＣＰＵ７１は、データ作成装置７の入力操作部７６からの操作信号に基づいて、走査パターン設定部９１、走査間隔設定部９２、走査速度設定部９３、反復回数設定部９４、レーザ強度設定部９５、設定完了ボタン９６に対する入力を受け付ける。その後、ＣＰＵ７１は、Ｓ２３に処理を移行する。

Ｓ２３に移行すると、ＣＰＵ７１は、入力操作部７６による入力操作に基づいて、パラメータ設定ウィンドウ９０の設定完了ボタン９６に対する入力操作が行われたか否かを判断する。設定完了ボタン９６に対する入力操作が行われた場合（Ｓ２３：ＹＥＳ）、ＣＰＵ７１は、Ｓ２４に処理を移行する。一方、設定完了ボタン９６に対する入力操作が行われていない場合（Ｓ２３：ＮＯ）、ＣＰＵ７１は、設定入力受付処理（Ｓ２２）に処理を戻し、走査パターン設定部９１、走査間隔設定部９２、走査速度設定部９３、反復回数設定部９４、レーザ強度設定部９５、設定完了ボタン９６に対する入力を受け付ける。

Ｓ２４では、ＣＰＵ７１は、設定実行処理を実行することで、パラメータ設定ウィンドウ９０の各部における設定内容を、各加工パラメータとして確定する。具体的には、ＣＰＵ７１は、設定完了ボタン９６の入力操作が行われた時点で、走査パターン設定部９１、走査間隔設定部９２、走査速度設定部９３、反復回数設定部９４、レーザ強度設定部９５に入力されている内容を、加工パラメータとしてＲＡＭ７２に格納する。そして、設定実行処理を終了すると、ＣＰＵ７１は、加工パラメータ設定処理プログラムを終了し、データ作成処理プログラム（図４参照）のＳ１３に処理を移行する。

Ｓ１３に移行すると、ＣＰＵ７１は、加工実行処理を実行し、導線Ｗにおける被覆層Ｅの除去加工の開始を指示する加工開始指示と共に、Ｓ１〜Ｓ１２を経て作成された加工データを、レーザコントローラ５に対して送信する。当該加工データは、Ｓ１〜Ｓ１１までの処理に従って規定された上述した第１工程、第２工程の内容と、Ｓ１２によって設定された種々の加工パラメータを含んで構成されている。加工開始指示及び加工データを、レーザコントローラ５に対して送信した後、ＣＰＵ７１は、データ作成処理プログラムを終了する。

そして、加工実行処理（Ｓ１３）で送信された加工開始指示及び加工データを受信すると、レーザコントローラ５のＣＰＵ６１は、受信した加工データに従って、レーザドライバ５１及びガルバノドライバ５７を制御する。これにより、本実施形態に係るレーザ加工装置１によれば、導線Ｗにおける被覆層Ｅの除去加工を、導線Ｗの構成に対応した態様で、第１工程及び第２工程の順に行うことができ、もって、適切かつ効率の良い導線Ｗにおける被覆層Ｅの除去を実現し得る。

以上説明したように、本実施形態に関するデータ作成装置７によれば、データ作成処理プログラム（図４）に従って、導線情報設定ウィンドウ８０を用いて入力された導線情報に基づいて、第１工程及び第２工程を含む加工データを作成することができる。

加工データに基づく第１工程においては、レーザ加工装置１は、レーザヘッド部３から出射されたパルスレーザＬによって、導線Ｗの芯線Ｃに対して所定の第１入熱量を付与しつつ、第１走査速度（例えば、１０（ｍｍ／ｓ））で主走査方向へ走査させる主走査を、副走査方向へ異なる位置で複数回走査させるように制御される。第１工程に続いて実行される第２工程では、レーザ加工装置１は、レーザヘッド部３から出射されたパルスレーザＬによって、前記第１入熱量よりも小さな第２入熱量を与えつつ、パルスレーザＬを、前記第１走査速度よりも高速な第２走査速度（例えば、１５００（ｍｍ／ｓ））で、副走査方向へ走査させる副走査を、前記主走査方向に異なる方向に異なる位置で複数回走査させるように制御される。

当該データ作成装置７によれば、加工データに従って、レーザ加工装置１に第１工程を実行させることで、導線Ｗにおける芯線Ｃと被覆層Ｅの間の界面を起点として、溶融や脆化等を発生させ、被覆層Ｅを膨張させるようにして芯線Ｃ表面から離間させることができる。そして、レーザ加工装置１に第２工程を実行させることで、溶融や脆化によって芯線Ｃ表面から離間した被覆層Ｅを、レーザ光の副走査によって、効率よく飛散させることができる。当該データ作成装置７によれば、データ作成処理プログラム（図４）に従って、加工データを作成して送信することで、レーザ加工装置１に、導線Ｗにおける被覆層Ｅの除去加工を、適切かつ効率の良く実行させることができる。

又、データ作成装置７によれば、導線情報設定ウィンドウ８０によって受け付けられた導線情報に基づいて、加工データにおける第１工程、第２工程の内容（パルスレーザＬによる入熱量等）を決定して、加工データを作成することができる。当該データ作成装置７によれば、導線情報に基づく導線Ｗの構成（例えば、芯線Ｃ、被覆層Ｅの材質）に応じた第１工程及び第２工程を、レーザ加工装置１に実行させることができ、もって、適切かつ効率の良い被覆層Ｅの除去に貢献し得る。

そして、当該データ作成装置７によれば、導線情報設定ウィンドウ８０の被覆層材質設定部８１で入力された導線情報としての、被覆層Ｅの構成材料に関する情報と、被覆層材質テーブル（図７参照）に基づいて、パルスレーザＬにおける基礎入熱量を決定することができる（Ｓ３）。被覆層Ｅの構成材料が相違する場合、被覆層Ｅの物性（例えば、耐熱性等）が異なる為、パルスレーザＬによる被覆層Ｅの溶融や脆化等の生じ易さも相違する。即ち、データ作成装置７によれば、加工データの内容として、導線Ｗにおける被覆層Ｅの構成材料に応じた基礎入熱量を設定することができ、もって、適切かつ効率の良い被覆層Ｅの除去に貢献し得る。

又、当該データ作成装置７によれば、加工データにおけるパルスレーザＬによる入熱量を、導線情報設定ウィンドウ８０の芯線材質設定部８２を用いて入力された芯線Ｃの材質に関する情報と、芯線材質テーブル（図８参照）に基づいて、パルスレーザＬによる入熱量を補正し得る（Ｓ５）。芯線Ｃの構成材料が相違する場合、芯線Ｃの物性（例えば、吸収率、熱容量、熱伝導率等）が異なる為、パルスレーザＬによる芯線Ｃの加熱の速さも相違する。即ち、当該データ作成装置７によれば、加工データの内容として、導線Ｗにおける芯線Ｃの構成材料に応じて、パルスレーザＬによる入熱量を補正することができ、もって、適切かつ効率の良い被覆層Ｅの除去加工に貢献し得る。

そして、当該データ作成装置７によれば、加工データに規定されたパルスレーザＬによる入熱量を、導線情報設定ウィンドウ８０の被覆層厚設定部８３を用いて入力された被覆層厚Ｔに関する情報と、被覆層厚テーブル（図９参照）に基づいて補正し得る。パルスレーザＬは、被覆層Ｅを透過した後、芯線Ｃ表面と被覆層Ｅとの間の界面に作用する為、被覆層厚Ｔは、被覆層Ｅの除去に関する容易性に影響を与える。即ち、データ作成装置７によれば、加工データの内容として、被覆層厚Ｔに応じて、パルスレーザＬにおける入熱量を補正することができ、もって、適切かつ効率の良い被覆層Ｅの除去に貢献し得る。

又、当該データ作成装置７によれば、パラメータ設定ウィンドウ９０を用いて、種々の加工パラメータの入力・設定することができ、導線Ｗにおける被覆層Ｅの除去加工に関する加工パラメータとして、所望のパラメータを設定することができる。即ち、当該データ作成装置７によれば、導線情報設定ウィンドウ８０で入力された導線情報（即ち、導線Ｗの構成）に加えて、パラメータ設定ウィンドウ９０で入力された加工パラメータに従って、加工データの内容を決定することができるので、導線Ｗにおける被覆層Ｅの除去をユーザ所望の態様で実行させることができる。

そして、当該データ作成装置７によれば、加工データの内容として、導線情報設定ウィンドウ８０の芯線外径設定部８４によって受け付けられた芯線外径Ｄに関する情報に基づいて、芯線Ｃの径方向（主走査方向）に関して、前記パルスレーザＬによる入熱量の分布を補正する（Ｓ９）。ここで、パルスレーザＬが被覆層Ｅを透過して界面に到達するまでの距離は、導線Ｗの径方向における位置に対応して変化し、芯線外径Ｄの影響を受ける。従って、当該データ作成装置７によれば、芯線外径Ｄに関する情報に基づいて、前記導線Ｗの主走査方向（径方向）についてのパルスレーザＬによる入熱量の分布を補正することで（Ｓ９）、均一に界面効果を発生させることができ、もって、適切かつ効率の良い被覆層Ｅの除去に貢献し得る。

又、当該データ作成装置７によれば、導線情報設定ウィンドウ８０の芯線外径設定部８４によって受け付けられた芯線外径Ｄに関する情報に基づいて、第２工程における複数回の副走査を行う際の走査ピッチを、芯線Ｃ表面に対して均一に入熱可能な走査ピッチに設定することができる（Ｓ１０）。ここで、芯線Ｃ表面と被覆層Ｅの界面は、曲面状に構成されている為、パルスレーザＬの走査ピッチを単純に等間隔としても、芯線Ｃ表面においては、パルスレーザＬによる入熱の均一性を確保し得ない。この点、データ作成装置７によれば、芯線外径Ｄに関する情報に基づいて、第２工程における複数回の副走査を行う際の走査ピッチを、芯線Ｃ表面に対して均一に入熱可能な走査ピッチに設定できるので、均一に界面効果を発生させることができ、もって、適切かつ効率の良い被覆層Ｅの除去に貢献し得る。

そして、データ作成装置７によれば、パラメータ設定ウィンドウ９０の走査パターン設定部９１を用いて、第１工程におけるパルスレーザＬの走査パターンを、「時間優先」に係る走査パターンと、「品質優先」に係る走査パターンとから選択して、加工パラメータとして、加工データに設定することができる（Ｓ１２）。即ち、データ作成装置７によれば、加工データにおける第１工程の走査パターンを、加工パラメータとして、所望の走査パターンに設定することができ、被覆層Ｅの除去に関する迅速性（時間優先）と確実性（品質優先）の優先度を、ユーザ所望の態様に設定することができる。

又、当該データ作成装置７によれば、パラメータ設定ウィンドウ９０における反復回数設定部９４を用いて、第２工程における副走査に関する反復回数を、所望の回数に設定することができる（Ｓ１２）。第２工程における副走査の反復回数は、第１工程によって芯線Ｃ表面から離間した被覆層Ｅを飛散させる為の走査回数である為、データ作成装置７によれば、レーザ加工装置１における被覆層Ｅの除去に関する確実性を、ユーザ所望の態様に設定することができる。

尚、上述した実施形態において、データ作成装置７は、本発明におけるレーザ加工データ作成装置の一例である。そして、レーザ加工装置１及びレーザ加工システム１００は、本発明におけるレーザ加工装置の一例であり、入力操作部７６、液晶ディスプレイ７７、導線情報設定ウィンドウ８０は、本発明における情報入力部の一例である。又、制御部７０、ＣＰＵ７１、ＲＡＭ７２、ＨＤＤ７５は、本発明における決定部の一例であり、作成部の一例である。そして、入力操作部７６、液晶ディスプレイ７７、パラメータ設定ウィンドウ９０は、本発明における加工条件入力部の一例である。又、導線Ｗは、本発明における導線の一例であり、芯線Ｃは、本発明における芯線の一例である。そして、導線Ｗは、本発明における被覆層の一例である。

以上、実施形態に基づき本発明を説明したが、本発明は上述した実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の改良変更が可能である。例えば、上述した実施形態においては、データ作成装置７において、導線情報設定ウィンドウ８０における導線情報の入力を受け付けると共に、パラメータ設定ウィンドウ９０における加工パラメータの入力を受けつけ、入力された内容に基づいて、加工データを作成していた（Ｓ１３）が、この態様に限定されるものではない。例えば、データ作成装置７において、導線情報や加工パラメータに関する入力を受け付け、その内容をレーザコントローラ５に送信することで、レーザコントローラ５において、導線情報や加工パラメータを反映した加工データを作成するように構成することも可能である。

そして、上述した実施形態における導線情報や、加工パラメータは、夫々一例であり、更に多くの導線情報及び加工パラメータを採用することも可能である。多くの導線情報や加工パラメータを用いることで、より適切かつ効率よく、導線Ｗにおける被覆層Ｅの除去加工を実行することができる。

又、上述した実施形態においては、光シャッター部１３は、シャッターモータ２６のモータ軸と共に、シャッター２７を回転させることで、パルスレーザＬの光路を開放・遮断する構成であったが、シャッター２７を移動させることで、パルスレーザＬの光路を開放・遮断可能な構成であれば、種々の態様を採用することができる。例えば、ソレノイドによって、シャッター２７を回転移動させてもよい。又、ソレノイドによって、シャッター２７をスライド移動させる構成であってもよい。

１ レーザ加工装置
３ レーザヘッド部
５ レーザコントローラ
６ 電源ユニット
７ データ作成装置
１２ レーザ発振ユニット
１９ ガルバノスキャナ
７０ 制御部
７１ ＣＰＵ
７２ ＲＡＭ
７３ ＲＯＭ
７５ ＨＤＤ
７６ 入力操作部
７７ 液晶ディスプレイ
８０ 導線情報設定ウィンドウ
９０ パラメータ設定ウィンドウ
Ｌ パルスレーザ
Ｗ 導線
Ｃ 芯線
Ｅ 被覆層

Claims (12)

1. レーザ加工装置のレーザ光を、導電性材料からなる芯線と、前記芯線を被覆すると共に前記レーザ光を透過可能に形成された被覆層とを有する導線に対して照射することによって、前記導線における前記被覆層を除去する為のレーザ加工データを作成するレーザ加工データ作成装置であって、
   前記導線に関する情報の入力を受け付ける情報入力部と、
   前記レーザ加工装置の前記レーザ光によって、前記導線に対して所定の第１入熱量を与えつつ、当該レーザ光を第１走査速度で第１方向へ走査させる第１走査を、前記第１方向に交差する方向に異なる位置で複数回走査させる第１工程と、前記第１工程終了後に、前記レーザ光によって、前記第１入熱量よりも小さな第２入熱量を与えつつ、当該レーザ光を、前記第１走査速度よりも高速な第２走査速度で、前記第１方向と交差する第２方向へ走査させる第２走査を、前記第２方向に交差する方向に異なる位置で複数回走査させる第２工程と、を前記レーザ加工装置に実行させる為の前記レーザ加工データの内容を、前記情報入力部によって受け付けられた前記導線に関する情報に基づいて決定する決定部と、
   前記決定部によって決定された内容に従って、前記レーザ加工データを作成する作成部と、を有し、
   前記情報入力部は、前記導線に関する情報として、前記被覆層の構成材料に関する情報の入力を受け付け、
   前記決定部は、前記情報入力部によって受け付けられた前記被覆層の構成材料の耐熱性が高いほど、前記第１入熱量を大きな入熱量に決定する
   ことを特徴とするレーザ加工データ作成装置。
2. 前記情報入力部は、前記導線に関する情報として、前記芯線の構成材料に関する情報の入力を受け付け、
   前記決定部は、前記情報入力部によって受け付けられた前記芯線の構成材料の吸収率が大きいほど、前記第１入熱量を補正する補正倍率を小さくし、前記第１入熱量を決定する
   ことを特徴とする請求項１記載のレーザ加工データ作成装置。
3. 前記情報入力部は、前記導線に関する情報として、前記芯線の構成材料に関する情報の入力を受け付け、
   前記決定部は、前記情報入力部によって受け付けられた前記芯線の構成材料の吸収率と、密度と、比熱を乗算した値が大きいほど、前記第１入熱量を小さい入熱量に決定する
   ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のレーザ加工データ作成装置。
4. 前記情報入力部は、前記導線に関する情報として、前記被覆層の厚さに関する情報の入力を受け付け、
   前記決定部は、前記情報入力部によって受け付けられた前記被覆層の厚さが大きいほど、前記第１入熱量を大きい入熱量に決定する
   ことを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れかに記載のレーザ加工データ作成装置。
5. 前記情報入力部は、前記芯線の径に関する情報の入力を受け付け、
   前記決定部は、前記情報入力部によって受け付けられた前記芯線の径に関する情報に基づいて、前記第２工程における前記導線の径方向に関する前記レーザ光による入熱量の分布を、前記第２工程における第２走査のピッチが前記芯線の径方向外側に向かうにつれ小さくなるピッチとなる前記第２入熱量の分布に決定する
   ことを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れかに記載のレーザ加工データ作成装置。
6. 前記情報入力部は、前記芯線の径の入力を受け付け、
   前記決定部は、前記情報入力部に入力された前記芯線の径に基づいて、前記第２工程における第２走査のピッチを、前記芯線に対して、前記芯線の径方向へ異なる位置で２回の副走査を実行可能なピッチに決定する
   ことを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れかに記載のレーザ加工データ作成装置。
7. 前記導線における前記被覆層の除去に関する加工条件の入力を受け付ける加工条件入力部を有し、
   前記決定部は、前記加工条件入力部によって受け付けられた加工条件を、前記レーザ加工データに含めることを決定する
   ことを特徴とする請求項１乃至請求項６の何れかに記載のレーザ加工データ作成装置。
8. 前記加工条件入力部は、前記加工条件として、前記レーザ光を前記導線に対して走査させる際の走査パターンの種別の入力を受け付け、
   前記決定部は、前記加工条件入力部に入力された前記走査パターンの種別が第１の種別である場合、前記レーザ加工データにおける走査パターンの内容を、第１走査を前記第１方向の一方側から他方側へ行った後、前記レーザ光の照射を継続して他方側から一方側へ戻りつつ前記第２方向へ異なる位置に移動させる走査パターンに決定し、
   前記加工条件入力部に入力された前記走査パターンの種別が第２の種別である場合、前記レーザ加工データにおける走査パターンの内容を、第１走査を前記第１方向の一方側から他方側へ行った後、前記レーザ光の照射を停止して前記第２方向の異なる位置に移動させ、第１走査を前記第１方向の他方側から一方側へ行う走査パターンに決定する
   ことを特徴とする請求項７記載のレーザ加工データ作成装置。
9. 前記加工条件入力部は、前記加工条件として、前記第２工程における第２走査の走査回数の入力を受け付け、
   前記決定部は、前記加工条件入力部に入力された前記走査回数を、前記レーザ加工データにおける前記第２工程での第２走査の走査回数に決定する
   ことを特徴とする請求項７又は請求項８に記載のレーザ加工データ作成装置。
10. レーザ加工装置のレーザ光を、導電性材料からなる芯線と、前記芯線を被覆すると共に前記レーザ光を透過可能に形成された被覆層とを有する導線に対して照射することによって、前記導線における前記被覆層を除去する為のレーザ加工データを作成するレーザ加工データ作成装置であって、
    前記導線に関する情報の入力を受け付ける情報入力部と、
    前記レーザ加工装置の前記レーザ光によって、前記導線に対して所定の第１入熱量を与えつつ、当該レーザ光を第１走査速度で第１方向へ走査させる第１走査を、前記第１方向に交差する方向に異なる位置で複数回走査させる第１工程と、前記第１工程終了後に、前記レーザ光によって、前記第１入熱量よりも小さな第２入熱量を与えつつ、当該レーザ光を、前記第１走査速度よりも高速な第２走査速度で、前記第１方向と交差する第２方向へ走査させる第２走査を、前記第２方向に交差する方向に異なる位置で複数回走査させる第２工程と、を前記レーザ加工装置に実行させる為の前記レーザ加工データの内容を、前記情報入力部によって受け付けられた前記導線に関する情報に基づいて決定する決定部と、
    前記決定部によって決定された内容に従って、前記レーザ加工データを作成する作成部と、を有し、
    前記情報入力部は、前記導線に関する情報として、前記芯線の構成材料に関する情報の入力を受け付け、
    前記決定部は、前記情報入力部によって受け付けられた前記芯線の構成材料の吸収率が大きいほど、前記第１入熱量を補正する補正倍率を小さくし、前記第１入熱量を決定する
    ことを特徴とするレーザ加工データ作成装置。
11. レーザ加工装置のレーザ光を、導電性材料からなる芯線と、前記芯線を被覆すると共に前記レーザ光を透過可能に形成された被覆層とを有する導線に対して照射することによって、前記導線における前記被覆層を除去する為のレーザ加工データを作成するレーザ加工データ作成装置であって、
    前記導線に関する情報の入力を受け付ける情報入力部と、
    前記レーザ加工装置の前記レーザ光によって、前記導線に対して所定の第１入熱量を与えつつ、当該レーザ光を第１走査速度で第１方向へ走査させる第１走査を、前記第１方向に交差する方向に異なる位置で複数回走査させる第１工程と、前記第１工程終了後に、前記レーザ光によって、前記第１入熱量よりも小さな第２入熱量を与えつつ、当該レーザ光を、前記第１走査速度よりも高速な第２走査速度で、前記第１方向と交差する第２方向へ走査させる第２走査を、前記第２方向に交差する方向に異なる位置で複数回走査させる第２工程と、を前記レーザ加工装置に実行させる為の前記レーザ加工データの内容を、前記情報入力部によって受け付けられた前記導線に関する情報に基づいて決定する決定部と、
    前記決定部によって決定された内容に従って、前記レーザ加工データを作成する作成部と、を有し、
    前記情報入力部は、前記導線に関する情報として、前記芯線の構成材料に関する情報の入力を受け付け、
    前記決定部は、前記情報入力部によって受け付けられた前記被覆層の厚さが大きいほど、前記第１入熱量を大きい入熱量に決定する
    ことを特徴とするレーザ加工データ作成装置。
12. レーザ加工装置のレーザ光を、導電性材料からなる芯線と、前記芯線を被覆すると共に前記レーザ光を透過可能に形成された被覆層とを有する導線に対して照射することによって、前記導線における前記被覆層を除去する為のレーザ加工データを作成するレーザ加工データ作成装置であって、
    前記導線に関する情報の入力を受け付ける情報入力部と、
    前記レーザ加工装置の前記レーザ光によって、前記導線に対して所定の第１入熱量を与えつつ、当該レーザ光を第１走査速度で第１方向へ走査させる第１走査を、前記第１方向に交差する方向に異なる位置で複数回走査させる第１工程と、前記第１工程終了後に、前記レーザ光によって、前記第１入熱量よりも小さな第２入熱量を与えつつ、当該レーザ光を、前記第１走査速度よりも高速な第２走査速度で、前記第１方向と交差する第２方向へ走査させる第２走査を、前記第２方向に交差する方向に異なる位置で複数回走査させる第２工程と、を前記レーザ加工装置に実行させる為の前記レーザ加工データの内容を、前記情報入力部によって受け付けられた前記導線に関する情報に基づいて決定する決定部と、
    前記決定部によって決定された内容に従って、前記レーザ加工データを作成する作成部と、を有し、
    前記情報入力部は、前記導線に関する情報として、前記芯線の構成材料に関する情報の入力を受け付け、
    前記決定部は、前記情報入力部によって受け付けられた前記芯線の径に関する情報に基づいて、前記第２工程における前記導線の径方向に関する前記レーザ光による入熱量の分布を、前記第２工程における第２走査のピッチが前記芯線の径方向外側に向かうにつれ小さくなるピッチとなる前記第２入熱量の分布に決定する
    ことを特徴とするレーザ加工データ作成装置。

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