JP6320239B2 - 半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シート及び半導体パッケージの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シート及び半導体パッケージの製造方法に関する。

従来、半導体パッケージの製造方法として、基板などに固定された１又は複数の半導体チップを封止樹脂で封止するという方法が知られている。このような封止樹脂として、例えば、熱硬化性樹脂シートが知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００６−１９７１４号公報

熱硬化過程における封止樹脂の体積収縮により、半導体パッケージに反り変形が生じることがある。熱硬化過程における封止樹脂の体積収縮によって反り変形が生じると、半導体パッケージをステージに充分に固定（例えば吸着固定）できず、半導体パッケージの封止樹脂を研削することが困難なことがある。

また、通常、封止樹脂の熱膨張係数は、半導体パッケージを構成する他の要素（例えば半導体チップ、基板など）より大きいため、半導体パッケージに反りが生じることがあり、信頼性の点で改善の余地がある。

本発明は前記課題を解決し、熱硬化性樹脂シートの体積収縮による反り変形を低減できるとともに、信頼性と保存性に優れた半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シート及び半導体パッケージの製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、活性化エネルギー（Ｅａ）が下記式（１）を満たし、かつ１５０℃で１時間熱硬化処理した後の熱硬化物のガラス転移温度が１２５℃以上であり、前記熱硬化物の前記ガラス転移温度以下における熱膨張係数α［ｐｐｍ／Ｋ］及び前記熱硬化物の２５℃における貯蔵弾性率Ｅ’［ＧＰａ］が下記式（２）を満たす半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シートに関する。
３０≦Ｅａ≦１２０［ｋＪ／ｍｏｌ］ ・・・（１）
１００００≦α×Ｅ’≦３０００００［Ｐａ／Ｋ］ ・・・（２）

Ｅａが１２０ｋＪ／ｍｏｌ以下であり、比較的低温で熱硬化できるため、反りを小さくできる。また、熱硬化させるために長時間加熱する必要がないため、生産性に優れる。

一方、Ｅａが３０ｋＪ／ｍｏｌ以上であるため、加熱により熱硬化性樹脂シートを凹凸（半導体チップなどにより形成された凹凸）に追従させた後に、熱硬化できる。その結果、ボイドの発生を低減できる。また、保存性が良好である。

さらに、熱硬化物のガラス転移温度以下における熱膨張係数α及び熱硬化物の２５℃における貯蔵弾性率Ｅ’が上記式（２）を満たす。このため、熱膨張係数の違いにより生じる熱応力を緩和でき、信頼性に優れた半導体パッケージを得ることができる。例えば、α×Ｅ’の数値範囲において、貯蔵弾性率Ｅ’が高い場合は、熱硬化性樹脂シートの剛性が向上して応力を吸収ないし分散できる。このとき熱膨張係数αは低くなり、熱硬化性樹脂シートの熱膨張挙動が抑制されるので、半導体パッケージを構成する他の要素（例えば半導体チップ、基板など）への機械的ダメージを低減できる。
なお、熱硬化物のガラス転移温度は１２５℃以上であるので、半導体パッケージの通常の使用温度範囲及び熱サイクル信頼性試験の温度範囲（最大１２５℃）における急激な物性変化を抑制できる。

本発明の半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シートは、エポキシ樹脂、フェノールノボラック系硬化剤、無機充填材及び硬化促進剤を含むことが好ましい。

前記無機充填材が平均粒子径０．５μｍ〜５０μｍのシリカであることが好ましい。

前記硬化促進剤がイミダゾール系硬化促進剤であることが好ましい。イミダゾール系硬化促進剤を使用することにより、活性化エネルギーを３０〜１２０ｋＪ／ｍｏｌに容易に調整できるとともに、混練温度での硬化反応を抑えられる。

前記無機充填材の含有量が２０体積％〜９０体積％であることが好ましい。

前記熱硬化物の２５℃における貯蔵弾性率Ｅ’が３ＧＰａ〜３０ＧＰａであることが好ましい。

前記熱膨張係数αが３ｐｐｍ／Ｋ〜５０ｐｐｍ／Ｋであることが好ましい。

本発明はまた、前記半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シート及び前記半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シートに埋め込まれた１又は複数の半導体チップを備える封止体を形成する工程（Ａ）と、前記封止体の樹脂シートを熱硬化する工程（Ｂ）とを含む半導体パッケージの製造方法に関する。

前記工程（Ａ）において、半導体ウェハにフリップチップ接続された前記半導体チップを前記半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シートに埋め込んで前記封止体を形成することが好ましい。

前記工程（Ａ）において、仮固定材に固定された前記半導体チップを前記半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シートに埋め込んで前記封止体を形成することが好ましい。

前記工程（Ａ）において、前記半導体ウェハにフリップチップ接続された複数の前記半導体チップを前記半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シートに埋め込んで前記封止体を形成することが好ましい。そして、本発明の半導体パッケージの製造方法は、前記工程（Ｂ）の後、前記封止体を目的の半導体チップ単位でダイシングする工程（Ｃ）をさらに含むことが好ましい。

実施形態１の樹脂シートの断面模式図である。 半導体チップをフリップチップ実装した半導体ウェハの断面模式図である。 実施形態１の樹脂シートで半導体チップを封止した様子を模式的に示す図である。 半導体パッケージの樹脂シート部分を研削した様子を模式的に示す図である。 半導体パッケージの半導体ウェハ部分を研削した様子を模式的に示す図である。 半導体パッケージに再配線層とバンプを形成した様子を模式的に示す図である。 半導体パッケージをダイシングした様子を模式的に示す図である。 仮固定材に半導体チップを固定した様子を模式的に示す図である。 樹脂シートで半導体チップを封止した様子を模式的に示す図である。 封止体から仮固定材を剥離した様子を模式的に示す図である。 半導体パッケージの樹脂シート部分を研削した様子を模式的に示す図である。 封止体に再配線とバンプを形成した様子を模式的に示す図である。 封止体をダイシングした様子を模式的に示す図である。

以下に実施形態を掲げ、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。

［実施形態１］
図１は、実施形態１の樹脂シート１１の断面模式図である。なお、樹脂シート１１の両面には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムなどの支持体が設けられていてもよい。樹脂シート１１からの剥離を容易に行うために、支持体には離型処理が施されていてもよい。

樹脂シート１１は熱硬化性を有する。

樹脂シート１１の活性化エネルギー（Ｅａ）は、３０ｋＪ／ｍｏｌ以上である。３０ｋＪ／ｍｏｌ以上であるので、加熱により熱硬化性樹脂シートを凹凸（半導体チップなどにより形成された凹凸）に追従させた後に、熱硬化できる。その結果、ボイドの発生を低減できる。また、保存性が良好である。樹脂シート１１の活性化エネルギーは、好ましくは４０ｋＪ／ｍｏｌ以上、より好ましくは５０ｋＪ／ｍｏｌ以上、さらに好ましくは６０ｋＪ／ｍｏｌ以上である。

また、樹脂シート１１の活性化エネルギーは、１２０ｋＪ／ｍｏｌ以下である。１２０ｋＪ／ｍｏｌ以下であり、比較的低温で熱硬化できるため、反りを小さくできる。また、熱硬化させるために長時間加熱する必要がないため、生産性に優れる。樹脂シート１１の活性化エネルギーは、好ましくは１００ｋＪ／ｍｏｌ以下である。
なお、活性化エネルギーは実施例に記載の方法で測定できる。

樹脂シート１１の活性化エネルギーは、硬化促進剤の種類、硬化促進剤の量などによりコントロールできる。

樹脂シート１１は下記式（２）を満たす。
１００００≦α×Ｅ’≦３０００００［Ｐａ／Ｋ］ ・・・（２）
上記式（２）において、αは、１５０℃で１時間熱硬化処理した後の熱硬化物のガラス転移温度以下における熱膨張係数［ｐｐｍ／Ｋ］である。
上記式（２）において、Ｅ’は１５０℃で１時間熱硬化処理した後の熱硬化物の２５℃における貯蔵弾性率［ＧＰａ］である。

樹脂シート１１は上記式（２）を満たすため、熱膨張係数の違いにより生じる熱応力を緩和できる。例えば、α×Ｅ’の数値範囲において、貯蔵弾性率Ｅ’が高い場合は、樹脂シート１１の剛性が向上して応力を吸収ないし分散できる。このとき熱膨張係数αは低くなり、樹脂シート１１の熱膨張挙動が抑制されるので、半導体パッケージを構成する他の要素（例えば半導体チップ、基板など）への機械的ダメージを低減できる。

α×Ｅ’は１０万Ｐａ／Ｋ以上が好ましい。α×Ｅ’は２０万Ｐａ／Ｋ以下が好ましい。

貯蔵弾性率Ｅ’は、好ましくは３ＧＰａ以上、より好ましくは１０ＧＰａ以上、さらに好ましくは１５ＧＰａ以上である。３ＧＰａ以上であると、熱応力の緩和効果が高い。一方、貯蔵弾性率Ｅ’の上限は特に限定されず、例えば３０ＧＰａ以下であり、好ましくは２５ＧＰａ以下である。
なお、貯蔵弾性率Ｅ’は実施例に記載の方法で測定できる。

樹脂シート１１の貯蔵弾性率Ｅ’は、無機充填材の含有量、熱可塑性樹脂の含有量によりコントロールできる。例えば、無機充填材の含有量を増加させること、熱可塑性樹脂の含有量を増加させることにより貯蔵弾性率Ｅ’を高めることができる。

熱膨張係数αは、好ましくは５０ｐｐｍ／Ｋ以下、より好ましくは２０ｐｐｍ／Ｋ以下、さらに好ましくは１５ｐｐｍ／Ｋ以下である。５０ｐｐｍ／Ｋ以下であると、熱応力の緩和効果が高い。一方、熱膨張係数αの下限は特に限定されず、例えば、３ｐｐｍ／Ｋ以上である。
なお、熱膨張係数αは実施例に記載の方法で測定できる。

樹脂シート１１の熱膨張係数αは、無機充填材の含有量などによりコントロールできる。例えば、無機充填材の含有量を増加させることにより熱膨張係数αを小さくできる。

樹脂シート１１を１５０℃で１時間熱硬化処理した後の熱硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）は１２５℃以上である。１２５℃以上であると、半導体パッケージの通常の使用温度範囲及び熱サイクル信頼性試験の温度範囲（最大１２５℃）における急激な物性変化を抑制できる。熱硬化物のガラス転移温度の上限は特に限定されず、例えば１８０℃以下であり、好ましくは１６０℃以下である。
なお、ガラス転移温度は実施例に記載の方法で測定できる。

樹脂シート１１の熱硬化物のガラス転移温度は、熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂）の官能基による架橋密度によりコントロールできる。例えば、分子中に官能基数の多い熱硬化性樹脂を適用することによりガラス転移温度を高めることができる。

樹脂シート１１は、エポキシ樹脂を含むことが好ましい。

エポキシ樹脂としては、特に限定されるものではない。例えば、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂などの各種のエポキシ樹脂を用いることができる。これらエポキシ樹脂は単独で用いてもよいし２種以上併用してもよい。

エポキシ樹脂の反応性を確保する観点からは、エポキシ当量１５０〜２５０、軟化点もしくは融点が５０〜１３０℃の常温で固形のものが好ましい。なかでも、信頼性の観点から、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂がより好ましい。また、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂が好ましい。

樹脂シート１１は、フェノールノボラック系硬化剤を含むことが好ましい。フェノールノボラック系硬化剤としては、フェノールノボラック樹脂を好適に使用できる。なかでも、ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノールノボラック樹脂を特に好適に使用できる。なお、フェノールノボラック系硬化剤は単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。

フェノールノボラック系硬化剤としては、エポキシ樹脂との反応性の観点から、水酸基当量が７０〜２５０、軟化点が５０〜１１０℃のものを用いることが好ましい。

樹脂シート１１中のエポキシ樹脂及びフェノールノボラック系硬化剤の合計含有量は、５重量％以上が好ましい。５重量％以上であると、半導体チップなどに対する接着力が良好に得られる。樹脂シート１１中のエポキシ樹脂及びフェノールノボラック系硬化剤の合計含有量は、４０重量％以下が好ましく、２０重量％以下がより好ましい。４０重量％以下であると、吸湿性を低く抑えることができる。

エポキシ樹脂とフェノールノボラック系硬化剤の配合割合は、硬化反応性という観点から、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対して、フェノールノボラック系硬化剤中の水酸基の合計が０．７〜１．５当量となるように配合することが好ましく、より好ましくは０．９〜１．２当量である。

樹脂シート１１は、硬化促進剤を含むことが好ましい。

硬化促進剤としては、エポキシ樹脂とフェノールノボラック系硬化剤の硬化を進行させるものであれば特に限定されず、例えば、２−メチルイミダゾール（商品名；２ＭＺ）、２−ウンデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１１−Ｚ）、２−ヘプタデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１７Ｚ）、１，２−ジメチルイミダゾール（商品名；１．２ＤＭＺ）、２−エチル−４−メチルイミダゾール（商品名；２Ｅ４ＭＺ）、２−フェニルイミダゾール（商品名；２ＰＺ）、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（商品名；２Ｐ４ＭＺ）、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール（商品名；１Ｂ２ＭＺ）、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール（商品名；１Ｂ２ＰＺ）、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール（商品名；２ＭＺ−ＣＮ）、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１１Ｚ−ＣＮ）、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト（商品名；２ＰＺＣＮＳ−ＰＷ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（商品名；２ＭＺ−Ａ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（商品名；Ｃ１１Ｚ−Ａ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（商品名；２Ｅ４ＭＺ−Ａ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物（商品名；２ＭＡ−ＯＫ）、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（商品名；２ＰＨＺ−ＰＷ）、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（商品名；２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ）などのイミダゾール系硬化促進剤が挙げられる（いずれも四国化成工業（株）製）。

なかでも、活性化エネルギーを３０〜８０ｋＪ／ｍｏｌに容易に調整できるとともに、混練温度での硬化反応を抑えられるという理由からイミダゾール系硬化促進剤が好ましく、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンがより好ましく、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾールがさらに好ましい。

硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂及びフェノールノボラック系硬化剤の合計１００重量部に対して、好ましくは０．２重量部以上、より好ましくは０．５重量部以上、さらに好ましくは０．８重量部以上である。０．２重量部以上であると、活性化エネルギーを８０ｋＪ／ｍｏｌ以下に容易に調整できる。硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂及びフェノールノボラック系硬化剤の合計１００重量部に対して、好ましくは５重量部以下、より好ましくは２重量部以下である。５重量部以下であると、活性化エネルギーを３０ｋＪ／ｍｏｌ以上に容易に調整できる。

樹脂シート１１は、熱可塑性樹脂（エラストマー）を含むことが好ましい。

熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロンなどのポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴなどの飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂、スチレン−イソブチレン−スチレントリブロック共重合体、メチルメタクリレート−ブタジエン−スチレン共重合体（ＭＢＳ樹脂）などが挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。

樹脂シート１１中の熱可塑性樹脂の含有量は、１重量％以上が好ましい。１重量％以上であると、柔軟性、可撓性を付与できる。樹脂シート１１中の熱可塑性樹脂の含有量は、３０重量％以下が好ましい。３０重量％以下であると、半導体チップなどに対する接着力が良好に得られる。

樹脂シート１１は、無機充填材を含むことが好ましい。無機充填材を配合することにより、貯蔵弾性率Ｅ’を高められるとともに熱膨張係数αを小さくできる。

無機充填材としては、例えば、石英ガラス、タルク、シリカ（溶融シリカや結晶性シリカなど）、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素などが挙げられる。なかでも、熱膨張係数を良好に低減できるという理由から、シリカ、アルミナが好ましく、シリカがより好ましい。シリカとしては、流動性に優れるという理由から、溶融シリカが好ましく、球状溶融シリカがより好ましい。

無機充填材の平均粒子径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上である。０．５μｍ以上であると、樹脂シート１１の可撓性、柔軟性を得易い。無機充填材の平均粒子径は、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下である。５０μｍ以下であると、無機充填材を高充填率化し易い。
なお、平均粒子径は、例えば、母集団から任意に抽出される試料を用い、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定することにより導き出すことができる。

無機充填材は、シランカップリング剤により処理（前処理）されたものが好ましい。これにより、樹脂との濡れ性を向上でき、無機充填材の分散性を高めることができる。

シランカップリング剤は、分子中に加水分解性基及び有機官能基を有する化合物である。

加水分解性基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基などの炭素数１〜６のアルコキシ基、アセトキシ基、２−メトキシエトキシ基等が挙げられる。なかでも、加水分解によって生じるアルコールなどの揮発成分を除去し易いという理由から、メトキシ基が好ましい。

有機官能基としては、ビニル基、エポキシ基、スチリル基、メタクリル基、アクリル基、アミノ基、ウレイド基、メルカプト基、スルフィド基、イソシアネート基などが挙げられる。なかでも、エポキシ樹脂、フェノールノボラック系硬化剤と反応し易いという理由から、エポキシ基が好ましい。

シランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシランなどのビニル基含有シランカップリング剤；２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシランなどのエポキシ基含有シランカップリング剤；ｐ−スチリルトリメトキシシランなどのスチリル基含有シランカップリング剤；３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシランなどのメタクリル基含有シランカップリング剤；３−アクリロキシプロピルトリメトキシシランなどのアクリル基含有シランカップリング剤；Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチル−ブチリデン）プロピルアミン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（ビニルベンジル）−２−アミノエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシランなどのアミノ基含有シランカップリング剤；３−ウレイドプロピルトリエトキシシランなどのウレイド基含有シランカップリング剤；３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランなどのメルカプト基含有シランカップリング剤；ビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィドなどのスルフィド基含有シランカップリング剤；３−イソシアネートプロピルトリエトキシシランなどのイソシアネート基含有シランカップリング剤などが挙げられる。

シランカップリング剤により無機充填材を処理する方法としては特に限定されず、溶媒中で無機充填材とシランカップリング剤を混合する湿式法、気相中で無機充填材とシランカップリング剤を処理させる乾式法などが挙げられる。

シランカップリング剤の処理量は特に限定されないが、未処理の無機充填材１００重量部に対して、シランカップリング剤を０．１〜１重量部処理することが好ましい。

樹脂シート１１中の無機充填材の含有量は、好ましくは２０体積％以上であり、より好ましくは７０体積％以上であり、さらに好ましくは７４体積％以上である。２０体積％以上であると、α×Ｅ’を１００００Ｐａ／Ｋ以上に容易に調整できる。一方、無機充填材の含有量は、好ましくは９０体積％以下であり、より好ましくは８５体積％以下である。９０体積％以下であると、良好な凹凸追従性が得られる。また、α×Ｅ’を３０００００Ｐａ／Ｋ以下に容易に調整できる。

無機充填材の含有量は、「重量％」を単位としても説明できる。代表的にシリカの含有量について、「重量％」を単位として説明する。
シリカは通常、比重２．２ｇ／ｃｍ^３であるので、シリカの含有量（重量％）の好適範囲は例えば以下のとおりである。
すなわち、樹脂シート１１中のシリカの含有量は、８１重量％以上が好ましく、８４重量％以上がより好ましい。樹脂シート１１中のシリカの含有量は、９４重量％以下が好ましく、９１重量％以下がより好ましい。

アルミナは通常、比重３．９ｇ／ｃｍ^３であるので、アルミナの含有量（重量％）の好適範囲は例えば以下のとおりである。
すなわち、樹脂シート１１中のアルミナの含有量は、８８重量％以上が好ましく、９０重量％以上がより好ましい。樹脂シート１１中のアルミナの含有量は、９７重量％以下が好ましく、９５重量％以下がより好ましい。

樹脂シート１１は、前記成分以外にも、封止樹脂の製造に一般に使用される配合剤、例えば、難燃剤成分、顔料、シランカップリング剤などを適宜含有してよい。

難燃剤成分としては、例えば水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化鉄、水酸化カルシウム、水酸化スズ、複合化金属水酸化物などの各種金属水酸化物；ホスファゼン化合物などを用いることができる。なかでも、難燃性、硬化後の強度に優れるという理由から、ホスファゼン化合物が好ましい。

顔料としては特に限定されず、カーボンブラックなどが挙げられる。

樹脂シート１１の製造方法は特に限定されないが、前記各成分（例えば、エポキシ樹脂、フェノールノボラック系硬化剤、無機充填材及び硬化促進剤など）を混練して得られる混練物をシート状に塑性加工する方法が好ましい。これにより、無機充填材を高充填でき、熱膨張係数を低く設計できる。

具体的には、エポキシ樹脂、フェノールノボラック系硬化剤、無機充填材及び硬化促進剤などをミキシングロール、加圧式ニーダー、押出機などの公知の混練機で溶融混練することにより混練物を調製し、得られた混練物をシート状に塑性加工する。混練条件として、温度の上限は、１４０℃以下が好ましく、１３０℃以下がより好ましい。温度の下限は、上述の各成分の軟化点以上であることが好ましく、例えば３０℃以上、好ましくは５０℃以上である。混練の時間は、好ましくは１〜３０分である。また、混練は、減圧条件下（減圧雰囲気下）で行うことが好ましく、減圧条件下の圧力は、例えば、１×１０^−４〜０．１ｋｇ／ｃｍ^２である。

溶融混練後の混練物は、冷却することなく高温状態のままで塑性加工することが好ましい。塑性加工方法としては特に制限されず、平板プレス法、Ｔダイ押出法、スクリューダイ押出法、ロール圧延法、ロール混練法、インフレーション押出法、共押出法、カレンダー成形法などが挙げられる。塑性加工温度としては上述の各成分の軟化点以上が好ましく、エポキシ樹脂の熱硬化性および成形性を考慮すると、例えば４０〜１５０℃、好ましくは５０〜１４０℃、さらに好ましくは７０〜１２０℃である。

樹脂シート１１の厚みは特に限定されないが、好ましくは１００μｍ以上、より好ましくは１５０μｍ以上である。また、樹脂シート１１の厚みは、好ましくは２０００μｍ以下、より好ましくは１０００μｍ以下である。上記範囲内であると、半導体チップを良好に封止できる。

なお、図１では、樹脂シート１１が単層である場合を示しているが、樹脂シート１１はこれに限定されず、複層であってもよい。

樹脂シート１１は半導体チップを封止するために使用される。

［半導体パッケージの製造方法］
例えば、以下の工程を行うことで半導体パッケージを得ることができる。

（準備工程）
準備工程では、複数の半導体チップ１３をフリップチップ実装する半導体ウェハ１２を準備する（図２参照）。通常、半導体チップ１３の回路形成面（活性面）には、バンプ１３ａが形成されている。また、通常、半導体ウェハ１２の回路形成面（活性面）には、電極１２ａが形成されている。半導体チップ１３と半導体ウェハ１２とは、通常、電気的に接続されている。図２では、半導体チップ１３と半導体ウェハ１２とは、バンプ１３ａと電極１２ａを介して電気的に接続されている例を示している。半導体チップ１３の半導体ウェハ１２への搭載には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。また、必要に応じて、半導体チップ１３と半導体ウェハ１２の間にアンダーフィル材１４を充填する。

（封止工程）
封止工程では、半導体チップ１３を樹脂シート１１で封止する（図３参照）。これにより、樹脂シート１１及び樹脂シート１１に埋め込まれた半導体チップ１３を備える封止体１５（半導体パッケージ１５）を得る。半導体チップ１３を樹脂シート１１で封止する方法としては、例えば、半導体ウェハ１２にフリップチップ接続された半導体チップ１３上に樹脂シート１１を積層した後、半導体ウェハ１２、半導体ウェハ１２にフリップチップ接続された半導体チップ１３及び半導体チップ１３上に配置された樹脂シート１１を備える積層体を平行平板方式で熱プレスすることにより、樹脂シート１１に半導体チップ１３を埋め込む方法などが挙げられる。

樹脂シート１１に半導体チップ１３を埋め込む際の熱プレス条件としては、温度が、例えば、４０〜１００℃、好ましくは５０〜９０℃であり、圧力が、例えば、０．１〜１０ＭＰａ、好ましくは０．５〜８ＭＰａであり、時間が、例えば０．３〜１０分間、好ましくは０．５〜５分間である。また、樹脂シート１１の半導体チップ１３及び半導体ウェハ１２への密着性および追従性の向上を考慮すると、減圧条件下（例えば０．１〜５ｋＰａ）においてプレスすることが好ましい。

（熱硬化工程）
封止体１５の樹脂シート１１を熱硬化する。

樹脂シート１１は上記式（１）を満たすため、比較的低温で熱硬化できる。熱硬化処理の条件は特に限定されないが、例えば以下のとおりである。

熱硬化処理の条件として、加熱温度が好ましくは１００℃以上、より好ましくは１２０℃以上である。一方、加熱温度の上限が、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１８０℃以下である。加熱温度が上記範囲であると、封止体１５の反りを小さくできるとともに、ボイドの発生を低減できる。
加熱時間が、好ましくは１０分以上、より好ましくは３０分以上である。一方、加熱時間の上限が、好ましくは３００分以下、より好ましくは１８０分以下である。また、必要に応じて加圧してもよく、好ましくは０．１ＭＰａ以上、より好ましくは０．５ＭＰａ以上である。一方、上限は好ましくは１０ＭＰａ以下、より好ましくは５ＭＰａ以下である。

（研削工程）
必要に応じて、封止体１５の樹脂シート１１を研削する（図４参照）。研削方法としては、例えば、高速回転する砥石を用いるグラインディング法などが挙げられる。

（再配線層形成工程）
必要に応じて、封止体１５の半導体ウェハ１２を研削する。研削により、ビア（Ｖｉａ）１２ｂを形成できる（図５参照）。研削方法としては、例えば、高速回転する砥石を用いるグラインディング法などが挙げられる。次いで、必要に応じて、封止体１５に配線２１を有する再配線層２２を形成する（図６参照）。次いで、必要に応じて、配線２１上にバンプ２３を形成する。図６では、ビア１２ｂと配線２１とが接続されている例を示している。

（ダイシング工程）
必要に応じて、封止体１５のダイシングを行う（図７参照）。これにより、チップ状の半導体パッケージ１６を得ることができる。

（基板実装工程）
必要に応じて、封止体１５又は半導体パッケージ１６を基板に実装する。

（レーザーマーキング工程）
レーザーマーキングは、封止体１５又は半導体パッケージ１６に任意のタイミングで行うことができる。例えば、熱硬化前の封止体１５にレーザーマーキングを行ってもよく、熱硬化後の封止体１５にレーザーマーキングを行ってもよく、半導体パッケージ１６にレーザーマーキングを行ってもよい。

［半導体パッケージの製造方法］
例えば、以下の工程を行うことでも半導体パッケージを得ることができる。以下の工程は、Ｆａｎ−ｏｕｔ（ファンアウト）型ウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）の製造に好適である。

（仮固定工程）
まず、仮固定材４１に複数の半導体チップ１３を固定する（図８参照）。このとき、必要に応じて、半導体チップ１３の回路形成面が仮固定材４１と対向するように配置固定する。半導体チップ１３の固定には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。

仮固定材４１は、通常、支持体４２と、支持体４２上に積層された粘着剤層４３とを有する。

粘着剤層４３としては特に限定されないが、容易に剥離できるという理由から、通常は、熱剥離性粘着剤層、放射線硬化型粘着剤層等を使用する。支持体４２の材料としては特に限定されない。例えば、ＳＵＳ等の金属材料、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルサルフォン等のプラスチック材料等である。

（封止工程）
封止工程では、半導体チップ１３を樹脂シート１１で封止する（図９参照）。これにより、樹脂シート１１及び樹脂シート１１に埋め込まれた半導体チップ１３を備える封止体５１を得る。半導体チップ１３を樹脂シート１１で封止する方法としては、例えば、仮固定材４１上に配置された半導体チップ１３上に樹脂シート１１を積層した後、仮固定材４１、仮固定材４１上に配置された半導体チップ１３及び半導体チップ１３上に配置された樹脂シート１１を備える積層体を平行平板方式で熱プレスすることにより、樹脂シート１１に半導体チップ１３を埋め込む方法などが挙げられる。

樹脂シート１１に半導体チップ１３を埋め込む際の熱プレス条件は、前述の製法で説明した内容を採用できる。

（熱硬化工程）
封止体５１を熱硬化する（封止体５１の樹脂シート１１を熱硬化する）。

熱硬化処理の条件は、前述の製法で説明した内容を採用できる。

（剥離工程）
次いで、封止体５１から仮固定材４１を剥離する（図１０参照）。剥離方法は特に限定されないが、粘着剤層４３の粘着力を低下させた後に剥離することが好ましい。例えば、粘着剤層４３が熱剥離性粘着剤層である場合、粘着剤層４３を加熱し、粘着剤層４３の粘着力を低下させた後に剥離する。

（研削工程）
次いで、必要に応じて、封止体５１の樹脂シート１１を研削する（図１１参照）。研削方法としては、例えば、高速回転する砥石を用いるグラインディング法などが挙げられる。

（配線層形成工程）
次いで、セミアディティブ法などを利用して、封止体５１に再配線５２を形成する（図１２参照）。図１２では、再配線５２と半導体チップ１３とが接続されている例を示している。

その後、封止体５１の再配線５２を形成した面に、ポリイミドやポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）などの絶縁層を形成する。絶縁層は、例えば、ドライフィルムレジストなどのフィルムをラミネートすることで形成できる。

次いで、再配線５２上にバンプ５３を形成するバンピング加工を行う。バンピング加工は、半田ボールや半田メッキ等公知の方法で行うことができる。

（ダイシング工程）
半導体チップ１３、樹脂シート１１及び再配線５２などを備える封止体５１のダイシングを行ってもよい（図１３参照）。以上により、チップ領域の外側に配線を引き出した半導体パッケージ６１得ることができる。なお、ダイシングせずに封止体５１をそのまま半導体パッケージとして使用してもよい。

（基板実装工程）
必要に応じて、半導体パッケージ６１を基板に実装する。

（レーザーマーキング工程）
レーザーマーキングは、封止体５１又は半導体パッケージ６１に任意のタイミングで行うことができる。例えば、熱硬化前の封止体５１にレーザーマーキングを行ってもよく、熱硬化後の封止体５１にレーザーマーキングを行ってもよく、半導体パッケージ６１にレーザーマーキングを行ってもよい。

以上のとおり、例えば、樹脂シート１１及び樹脂シート１１に埋め込まれた１又は複数の半導体チップ１３を備える封止体１５、５１を形成する工程（Ａ）と、封止体１５、５１の樹脂シート１１を熱硬化する工程（Ｂ）とを含む方法により、半導体パッケージ１６、６１を製造できる。

工程（Ａ）において、半導体ウェハ１２にフリップチップ接続された半導体チップ１３を樹脂シート１１に埋め込むことにより封止体１５を形成してもよい。このとき、工程（Ａ）において、半導体ウェハ１２にフリップチップ接続された複数の半導体チップ１３を樹脂シート１１に埋め込んで封止体１５を形成することができる。そして、上記方法は、工程（Ｂ）の後、封止体１５を目的の半導体チップ単位でダイシングする工程（Ｃ）をさらに含んでもよい。

工程（Ａ）において、仮固定材４１に固定された半導体チップ１３を樹脂シート１１に埋め込むことにより封止体５１を形成してもよい。

以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている材料や配合量などは、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。

実施例で使用した成分について説明する。
エポキシ樹脂Ａ：新日鐵化学（株）製のＹＳＬＶ−８０ＸＹ（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキン当量２００ｇ／ｅｑ．軟化点８０℃）
エポキシ樹脂Ｂ：日本化薬社製のＥＰＰＮ５０１−ＨＹ（エポキシ当量１６９ｇ／ｅｑ．軟化点６０℃）
フェノール樹脂Ａ：明和化成社製のＭＥＨ−７８５１−ＳＳ（ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノールノボラック樹脂、水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．軟化点６７℃）
フェノール樹脂Ｂ：明和化成社製のＭＥＨ−７５００−３Ｓ（フェノールノボラック樹脂、水酸基当量１０３ｇ／ｅｑ．軟化点８３℃）
硬化促進剤Ａ：四国化成工業社製の２ＰＨＺ−ＰＷ（２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール）
硬化促進剤Ｂ：北興化学工業社製のＴＰＰ−Ｋ（テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート）
硬化促進剤Ｃ：四国化成工業社製の２Ｅ４ＭＺ−Ａ（２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン）
エラストマーＡ：カネカ社製のＳＩＢＳＴＡＲ ０７２Ｔ（スチレン−イソブチレン−スチレントリブロック共重合体）
エラストマーＢ：下記合成例１により得られたアクリル共重合体（ブチルアクリレート：アクリロニトリル：グリシジルメタクリレート＝８５：８：７重量％からなる共重合体、重量平均分子量８０万）
無機充填材Ａ：電気化学工業社製のＦＢ−９４５４（球状溶融シリカ粉末、平均粒子径２０μｍ）
無機充填材Ｂ：アドマテックス社製のＳＯ−２５Ｒ（球状溶融シリカ粉末、平均粒子径０．５μｍ）
シランカップリング剤：信越化学社製のＫＢＭ−４０３（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）
カーボンブラック：三菱化学社製の＃２０

［合成例１］
ブチルアクリレート、アクリロニトリル、グリシジルメタクリレートを８５：８：７の仕込み重量比率にて、２，２’−アゾビスイソブチロニトリルを重合開始剤に用い、メチルエチルケトン中で窒素気流下、７０℃で５時間と８０℃で１時間のラジカル重合を行うことにより、上記アクリル共重合体を得た。

［実施例及び比較例］
表１に記載の配合比に従い、各成分をミキサーにてブレンドし、２軸混練機により１２０℃で２分間溶融混練し、続いてＴダイから押出しすることにより、厚さ５００μｍの樹脂シートを作製した。

［評価］
得られた樹脂シートを用いて下記の評価を行った。結果を表１に示す。

（活性化エネルギー）
活性化エネルギーは、Ｆｒｉｅｄｍａｎ（フリードマン）法を用いて、以下の手順で算出した。
まず、樹脂シートを１０ｍｇ秤量した。１０ｍｇの樹脂シートについて、装置名：Ｑ２０００（ＴＡ インスツルメンツ社製）を用いて、昇温速度１ｄｅｇＣ／ｍｉｎ、２ｄｅｇＣ／ｍｉｎ、５ｄｅｇＣ／ｍｉｎ及び１０ｄｅｇＣ／ｍｉｎでＤＳＣ測定して、ＤＳＣ曲線を得た。
得られたＤＳＣ曲線において、発熱ピークにおける積分値がピーク全体において２０％に達する温度をＴ１、６０％に達する温度をＴ２とし、Ｔ１からＴ２まで昇温するのにかかった時間をｄｔとして、ｌｎ（ｄα／ｄｔ）を算出した（ｄα＝０．６−０．２＝０．４）。
得られたｌｎ（ｄα／ｄｔ）を各測定条件における１／Ｔ２軸でプロットし、各プロットから最小二乗法を用いてグラフ（直線）の傾きを算出した。グラフの傾きがＥａ／Ｒとなるので、これを利用してＥａを算出した（下記式参照）。

（貯蔵弾性率Ｅ’の測定）
樹脂シートを１５０℃で１時間熱硬化処理してから、固体粘弾性測定装置（レオメトリックサイエンティック社製：形式：ＲＳＡ−ＩＩＩ）を用いて貯蔵弾性率を測定した。すなわち、サンプルサイズを長さ４０ｍｍ×幅１０ｍｍ×厚さ２００μｍとし、測定試料をフィルム引っ張り測定用治具にセットし−５０〜３００℃の温度域での引張貯蔵弾性率及び損失弾性率を、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件下で測定し、２５℃での貯蔵弾性率（Ｅ’）を読み取ることにより得た。

（熱膨張率αの測定）
樹脂シートを１５０℃で１時間熱硬化処理した後、熱硬化物から、長さ１５ｍｍ×幅５ｍｍ×厚さ２００μｍの測定試料を切り出した。測定試料を熱機械測定装置（ティーエーインスツルメント社製：形式Ｑ−４００ＥＭ）のフィルム引張測定用治具にセットした後、−５０〜３００℃の温度域で、引張荷重２ｇ、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件下におき、５０℃〜７０℃での膨張率から熱膨張係数αを算出した。

（ガラス転移温度の測定）
樹脂シートを１５０℃で１時間の加熱処理により熱硬化させ、その後厚さ２００μｍ、長さ４０ｍｍ（測定長さ）、幅１０ｍｍの短冊状にカッターナイフで切り出し、固体粘弾性測定装置（ＲＳＡＩＩＩ、レオメトリックサイエンティフィック（株）製）を用いて、−５０〜３００℃における貯蔵弾性率及び損失弾性率を測定した。測定条件は、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／ｍｉｎとした。さらに、ｔａｎδ（Ｇ’’（損失弾性率）／Ｇ’（貯蔵弾性率））の値を算出することによりガラス転移温度を得た。

（キュア評価）
１１０℃で５時間加熱処理した後の樹脂シートと加熱処理前の樹脂シートについて、装置名：Ｑ２０００（ＴＡ インスツルメンツ社製）を用いて、ＤＳＣ測定して、発熱量を求めた（昇温速度１０℃／ｍｉｎ）。加熱処理後の樹脂シートにおいて発熱ピークが観測されない場合、又は加熱処理後の樹脂シートの発熱量が加熱処理前の樹脂シートの発熱量の１０％以下の場合を○と判定した。加熱処理後の樹脂シートの発熱量が加熱処理前の樹脂シートの発熱量の１０％より大きい場合を×と判定した。

（反り評価）
キャリア（３００ｍｍ×４００ｍｍ×厚み１．４ｍｍのガラス板（テンパックスガラス）に仮固定粘着シート（日東電工社製のＮｏ．３１９５Ｖ）を積層し、さらに仮固定粘着シート上に６ｍｍ×６ｍｍ×厚み２００μｍの半導体素子を９ｍｍ間隔となるように配列したもの）に樹脂シートを積層し、１５０℃で１時間加熱した。キャリアから樹脂シートを剥離した後、樹脂シートの反り量を測定し、１ｍｍ以下である場合を○と判定し、１ｍｍより大きいものを×と判定した。

（充填性）
キャリア（３００ｍｍ×４００ｍｍ×厚み１．４ｍｍのガラス板（テンパックスガラス）に仮固定粘着シート（日東電工社製のＮｏ．３１９５Ｖ）を積層し、さらに仮固定粘着シート上に６ｍｍ×６ｍｍ×厚み２００μｍの半導体素子を９ｍｍ間隔となるように配列したもの）に樹脂シートを積層し、１５０℃で１時間加熱した。キャリアから樹脂シートを剥離した後、樹脂シートのチップ周辺部（半導体素子周辺部）を観察した。チップ周辺部にボイドがない場合を○と判定し、ボイドがある場合を×と判定した。

（熱サイクル試験）
キャリア（３００ｍｍ×４００ｍｍ×厚み１．４ｍｍのガラス板（テンパックスガラス）に仮固定粘着シート（日東電工社製のＮｏ．３１９５Ｖ）を積層し、さらに仮固定粘着シート上に６ｍｍ×６ｍｍ×厚み２００μｍの半導体素子を９ｍｍ間隔となるように配列したもの）に樹脂シートを積層し、１５０℃で１時間加熱した。その後、積層体（成形物）を個片化し、半導体パッケージを得た。得られた半導体パッケージに対し、熱サイクル試験（温度−５０℃〜１２５℃、１サイクル１時間）を実施した。熱サイクル試験後に半導体パッケージを観察し、２０００サイクル以上で樹脂の割れ及び剥離が生じなかったものを◎と判定し、１０００サイクル以上で樹脂の割れ及び剥離が生じなかったものを○と判定し、樹脂の割れ又は剥離が生じたものを×と判定した。

上記式（１）及び上記式（２）を満たす樹脂シートを用いた実施例では、樹脂シートの反り変形を低減できた。また、実施例では、比較的低温の加熱処理（１１０℃で５時間加熱処理）で、熱硬化反応が進んだ。また、実施例では、１５０℃で１時間の加熱により、樹脂シートがキャリアの凹凸に追従し、チップ周辺部にボイドが見られなかった。また、実施例では、熱サイクル試験において、割れや剥離が生じなかった。
一方、上記式（１）及び上記式（２）のいずれかを満たさない比較例では、いずれかの性能が劣っていた。例えば、比較例３は熱硬化反応の進行が速く、樹脂シートによりチップ周辺部を充填できなかった。

１１ 樹脂シート
１２ 半導体ウェハ
１２ａ 電極
１２ｂ ビア
１３ 半導体チップ
１３ａ バンプ
１４ アンダーフィル材
１５ 封止体
１６ 半導体パッケージ
２１ 配線
２２ 再配線層
２３ バンプ
４１ 仮固定材
４２ 支持体
４３ 粘着剤層
５１ 封止体
５２ 再配線
５３ バンプ
６１ 半導体パッケージ

Claims (12)

1. 活性化エネルギー（Ｅａ）が下記式（１）を満たし、かつ
   １５０℃で１時間熱硬化処理した後の熱硬化物のガラス転移温度が１２５℃以上であり、
   前記熱硬化物の前記ガラス転移温度以下における熱膨張係数α［ｐｐｍ／Ｋ］及び前記熱硬化物の２５℃における貯蔵弾性率Ｅ’［ＧＰａ］が下記式（２）を満たす半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シート。
   ３０≦Ｅａ≦１２０［ｋＪ／ｍｏｌ］ ・・・（１）
   １００００≦α×Ｅ’≦３０００００［Ｐａ／Ｋ］ ・・・（２）
2. エポキシ樹脂、フェノールノボラック系硬化剤、無機充填材及び硬化促進剤を含む請求項１に記載の半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シート。
3. 前記無機充填材が平均粒子径０．５μｍ〜５０μｍのシリカである請求項２に記載の半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シート。
4. 前記硬化促進剤がイミダゾール系硬化促進剤である請求項２又は３に記載の半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シート。
5. 前記無機充填材の含有量が２０体積％〜９０体積％である請求項２〜４のいずれかに記載の半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シート。
6. エポキシ樹脂及びイミダゾール系硬化促進剤を含む、請求項１に記載の半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シート。
7. 前記熱硬化物の２５℃における貯蔵弾性率Ｅ’が３ＧＰａ〜３０ＧＰａである請求項１〜６のいずれかに記載の半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シート。
8. 前記熱膨張係数αが３ｐｐｍ／Ｋ〜５０ｐｐｍ／Ｋである請求項１〜７のいずれかに記載の半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シート。
9. 請求項１〜８のいずれかに記載の半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シート及び前記半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シートに埋め込まれた１又は複数の半導体チップを備える封止体を形成する工程（Ａ）と、
   前記封止体の樹脂シートを熱硬化する工程（Ｂ）とを含む半導体パッケージの製造方法。
10. 前記工程（Ａ）において、半導体ウェハにフリップチップ接続された前記半導体チップを前記半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シートに埋め込んで前記封止体を形成する請求項９に記載の半導体パッケージの製造方法。
11. 前記工程（Ａ）において、仮固定材に固定された前記半導体チップを前記半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シートに埋め込んで前記封止体を形成する請求項９に記載の半導体パッケージの製造方法。
12. 前記工程（Ａ）において、前記半導体ウェハにフリップチップ接続された複数の前記半導体チップを前記半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シートに埋め込んで前記封止体を形成し、
    前記工程（Ｂ）の後、前記封止体を目的の半導体チップ単位でダイシングする工程（Ｃ）をさらに含む請求項９又は１０に記載の半導体パッケージの製造方法。

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