JP6367226B2 - パターン化された構造化転写テープ - Google Patents
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Description
「化学線」は、ポリマーを架橋又は硬化させることができる放射線の波長を指し、紫外、可視、及び赤外波長を含んでもよく、ラスター(rastered)レーザーによるデジタル露光、サーマルデジタルイメージング、及び電子ビーム走査を含み得る。
本明細書に開示した積層転写フィルムは、多様な目的に使用することができる。例えば、上記に開示したように、積層転写フィルムを使用して、構造化層をOLEDデバイス内に転写することができる。
固体光学表面のパターニング用の構造化転写フィルムの作製には、6つの主要なクラスの材料が必要である。キャリアフィルム、レセプター基板、テンプレート層、剥離層、バックフィル、及び調節可能な屈折率の平坦化材料、並びに、製造後、積層前にバックフィル層を保護するためのライナー。
ライナー又はキャリア基板は、他の層のための機械的な支持を提供する可撓性フィルムを用いて実施することができる。キャリアフィルムの一例は、ポリエチレンテレフタレート(PET)である。いくつかの実施形態では、キャリアは、紙、剥離紙(剥離コーティングされた紙)、不織布、織布(布地)、金属フィルム、及び金属箔を含んでもよい。
レセプター基板の例としては、ディスプレイマザーガラス、照明マザーガラス、建築用ガラス、板ガラス、ロールガラス、及び可撓性ガラス(ロールツーロールプロセスに使用し得る)等のガラスが挙げられる。可撓性ロールガラスの例は、Corning Incorporated製のWILLOWガラス製品である。レセプター基板の他の例としては、金属シート及び箔のような金属が挙げられる。更に他のレセプター基板の例としては、サファイア、シリコン、シリカ、及び炭化ケイ素が挙げられる。更に他の例としては、布地、不織布、及び紙が挙げられる。
テンプレート層は、バックフィル層に構造を付与する層である。テンプレート層は、テンプレート材料から形成されている。テンプレート層は、例えば、エンボス加工、複製プロセス、押出成形、注型成形、又は表面構造化を介して形成することができる。構造化表面は、ナノ構造、ミクロ構造、又は階層的構造を含み得る。ナノ構造は、1マイクロメートル以下の次元(例えば、高さ、幅、又は長さ)を少なくとも1つ有するフィーチャを含む。ミクロ構造は、1ミリメートル以下の次元(例えば、高さ、幅、又は長さ)を少なくとも1つ有するフィーチャを含む。階層的構造は、ナノ構造とミクロ構造との組み合わせである。いくつかの実施形態では、テンプレート層は、パターニング、化学線パターニング、エンボス加工、押出成形、及び共押出成形に適合可能であり得る。
テンプレート層は、バックフィル層から除去される必要がある。テンプレート層に対するバックフィル層の接着を低下させる1つの方法は、フィルムに剥離コーティングを適用することである。テンプレート層の表面に剥離コーティングを適用する1つの方法は、プラズマ蒸着を用いる。オリゴマーを使用して、プラズマ架橋された剥離コーティングを形成することができる。オリゴマーはコーティング前に液体又は固体形態であってもよい。典型的には、オリゴマーは1000を超える分子量を有する。また、オリゴマーは、オリゴマーの揮発性が高過ぎないように、一般に10,000未満の分子量を有する。10,000を超える分子量を有するオリゴマーは、一般に不揮発性であり、コーティング中に液滴が形成され得る。一実施形態において、オリゴマーは、3000を超え、かつ7000未満の分子量を有する。別の実施形態では、オリゴマーは、3500を超え、かつ5500未満の分子量を有する。典型的には、オリゴマーは、低摩擦表面コーティングを提供する特性を有する。好適なオリゴマーとしては、シリコーン含有炭化水素類、反応性シリコーン含有トリアルコキシシラン類、芳香族及び脂肪族炭化水素類、フッ素性化学物質類、並びにこれらの組み合わせが挙げられる。例えば、好適な樹脂としては、ジメチルシリコーン、炭化水素系ポリエーテル、フルオロケミカルポリエーテル、エチレンテトラフルオロエチレン、及びフルオロシリコーン類が挙げられるが、これらに限定されない。またフルオロシラン表面化学、真空蒸着、及び表面フッ素化を用いて剥離コーティングを提供してもよい。
バックフィル層は、隣接した層(例えば、テンプレート層)を実質的に平坦化できる一方でまた、レセプター層の表面に一致することができる材料である。バックフィル層は、あるいは、2つの異なる材料の二層でもよく、その場合、二層が多層構造を有するか、又はそれらの材料の一方が他方の材料に少なくとも部分的に埋め込まれる。二層の2つの材料は、所望により、異なる屈折率を有し得る。二層の一方は、所望により、接着促進層を含み得る。
P%=(1−(t1/h1))*100
等式(1)
P.Chiniwalla,IEEE Trans.Adv.Packaging 24(1),2001,41に更に開示されているように、式中、t1は、表面層のレリーフ高さであり、h1は、表面層により覆われるフィーチャのフィーチャ高さである。
接着促進層は、転写フィルムの性能に実質的に有害な影響を及ぼさずに、レセプター基板への転写フィルムの接着力を高める任意の材料を用いて実施され得る。バックフィル層及び平坦化層についての代表的な材料を接着促進層にもまた使用することができる。接着促進層に典型的な材料は、表1に記載したCYCLOTENE樹脂である。開示した物品及び方法に有用な、他の有用な接着促進材料としては、フォトレジスト(ポジティブ及びネガティブ)、自己組織化単層、シランカップリング剤、及び巨大分子が挙げられる。いくつかの実施形態では、シルセスキオキサンが接着促進層として機能し得る。他の代表的な材料としては、エポキシド、エピスルフィド、ビニル、ヒドロキシル、アリルオキシ、(メタ)アクリレート、イソシアネート、シアノエステル、アセトキシ、(メタ)アクリルアミド、チオール、シラノール、カルボン酸、アミノ、ビニルエーテル、フェノール系、アルデヒド、アルキルハライド、シンナメート、アジド、アジリジン、アルケン、カルバメート類、イミド、アミド、アルキン、及びこれらの群の任意の誘導体又は組み合わせ等の非常に多様な反応性基で官能基化された、ベンゾシクロブタン類、ポリイミド類、ポリアミド類、シリコーン類、ポリシロキサン類、シリコーンハイブリッドポリマー、(メタ)アクリレート類、及び他のシラン類又は巨大分子を挙げることができる。
バックフィル層は、場合により、一時的剥離ライナーで覆われてもよい。剥離ライナーは、取り扱い中にパターン化構造化バックフィルを保護することができ、所望の際に容易に除去して、構造化バックフィル、又は構造化バックフィルの一部をレセプター基板に転写することができる。開示したパターン化構造化テープに有用な代表的なライナーは、PCT特許出願公開第WO 2012/082536号(Baran et al.)に開示されている。
バックフィル及び接着促進層に含まれる他の好適な添加剤は、抗酸化剤、安定剤、オゾン劣化防止剤、並びに/又はフィルムの保管、出荷及び取り扱いのプロセス中の時期尚早の硬化を防止する阻害剤である。時期尚早の硬化の防止により、前述した全実施形態の積層転写に必要な粘着が維持され得る。抗酸化剤は、電子移動、及び重合等の連鎖反応をもたらし得るフリーラジカル種の形成を防止することができる。抗酸化剤を使用して、それらの種を分解することができる。好適な抗酸化剤としては、例えば、商標名IRGANOXの抗酸化剤を挙げることができる。抗酸化剤の分子構造は、典型的には、2,6−ジ−tert−ブチルフェノール、2,6−ジ−tert−ブチル−4−メチルフェノールのようなヒンダードフェノール系構造、又は芳香族アミン類に基づく構造である。ヒドロペルオキシドラジカルの分解には、ホスファイト類又はホスホナイト類、有機硫黄含有化合物、及びジチオホスホネート類等の二次抗酸化剤も使用される。典型的な重合阻害剤としては、ヒドロキノン、2,5ジ−tert−ブチル−ヒドロキノン、モノメチルエーテルヒドロキノン等のキノン構造、又は4−tertブチルカテコール等のカテコール誘導体が挙げられる。使用される任意の抗酸化剤、安定剤、オゾン劣化防止剤、及び阻害剤は、バックフィル及び接着促進層に可溶である必要がある。
テンプレート/剥離コーティング
ベースフィルムは、UVACURE 1500(Cytec(Woodland Park,NY))及びトリメチロールプロパントリアクリレート(TMPTA)の50/50ブレンドを1% OMAN 071光開始剤(Gelest(Morrisville,PA)から入手可能)と共に含む化学線硬化プライマーでプライミングした火炎処理2mil(50μm)KAPTON Hであった。
長さ(120cm×30cm)の複製テンプレートフィルムを、平らな金属プレート上に配置した。PERMANEW 6000 L510−1(California Hardcoat(Chula Vista,CA)から入手可能)をイソプロパノール中で10% w/wに希釈し、室温とした。およそ5mLのPERMANEW 6000 L510−1を複製フィルムに適用し、次いでフィルム上に#10 Mayerバーを用いてコーティングして、バックフィルされたサンプルを生成した。フィルムを50℃で10分間乾燥させた。次いで、サンプルを室温に冷却した。
最初に、50mm×50mmの磨きガラススライドをリントのない布で清拭し、次いで、洗浄チャンバにて洗剤で20分間超音波処置し、次いで、温水を有する2つのカスケードリンスチャンバのそれぞれに20分間入れた。次いで、空気循環炉内でスライドを20分間乾燥させた。スライドをModel WS−6505−6npp/liteスピンコーターの真空チャック上に装着した。64kPa(48mmのHg)の真空を適用して、サンプルをチャックに保持した。スピンコーターは、500RPMで5秒間(コーティング適用工程)、次いで2000RPMで15秒間(スピン工程)、次いで1000RPMで10秒間(乾燥工程)にプログラムした。
バックフィルしたテンプレートを、熱フィルムラミネータ(GBC Catena 35、GBC Document Finishing(Lincolnshire,IL))を使用して、コーティングされた面を下にして、CYCLOTENEでコーティングされた清浄なガラススライドに230°F(110℃)で積層した。積層したサンプルをホットプレートから除去し、室温に冷却した。
サンプルからテンプレートツールを剥がし、複製したバックフィル材料をガラススライドに転写した。積層したサンプルを箱形炉内に配置し、約5℃/分の速度で25℃から500℃とした。炉を500℃で1時間保持し、その後、炉及びサンプルを自然冷却した。結果はナノ構造を有する透明なガラス基板であり、図12に示されている。
剥離コーティングしたテンプレート層を実施例1のように構成した。
米国特許出願公開第2006/0004166号(Olson)に記載されている、光開始剤(0.1% 2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィン(trimethylbenzoydiphenylphosphine))オキシド及び0.35% 2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン)を含む、アクリレート樹脂系(2−プロペン酸(1−メチルエチリデン)ビス[(2,6−ジブロモ−4,1−フェニレン)オキシ(2−ヒドロキシ−3,1−プロパンジイル)]エステル、フェノキシエチルアクリレート及びトリメチロールプロパントリアクリレート(65/25/10)を、できる限り薄い層で、複製テンプレートフィルム上にナイフコーティングした。この層の機能は、最終的なフィルムに耐久性を付加するであろう硬質アクリレートでナノ構造を満たすことのみである。アクリレートコーティングされたテンプレートを、Fusion Hバルブを装着したベルト供給硬化チャンバ(RPC industries)内で、窒素中で硬化させた(2回通過、20fpm(6メートル/分))。サンプルをチャンバから取り出し、室温に冷却した。
サンプルを室温にて一枚のガラスに手動で積層した。次いで、このガラスをホットプレート上で90℃に加熱し、再び手動で積層した。このサンプルを、Fusion Hバルブを装着したベルト供給硬化チャンバ(RPC industries)内で、窒素中で硬化させた(2回通過、20fpm(6メートル/分))。サンプルをチャンバから取り出し、室温に冷却した。ポリエチレン複製テンプレートをサンプルから除去し、硬化ナノ構造をガラス基板上に残留させた。
多官能性アクリレートを添加した高分子感圧接着剤組成物は相当の初期接着力を有するが、放射線硬化後に接着力は有意に低下し、感圧接着剤はテンプレートフィルムから容易に除去することができる。
エチルアセテート及びトルエン中26重量%固体の、イソオクチルアクリレート/メタクリレート/アクリル酸から作製された放射線剥離性感圧接着剤(PSA)系は、モノマー比57.5/35/7.5のコポリマーであり、米国再発行特許第24,906号(Ulrich)に記載されているように調製される。このPSA系を25% w/w SR494(Sartomer Co.製のペンタエリスリトール(pentaerithrotol)テトラアクリレート)及び1重量% DAROCUR 1173(Ciba/BASF製の光開始剤)と混合した。この混合物をエチルアセテート/トルエン中で20%固体に希釈した。上記に開示したPSA系を、ドクターブレードを使用して、上記に開示した複製テンプレートフィルムの一部分上にコーティングした。フィルムを90℃で10分間乾燥させた。次いで、サンプルを室温に冷却した。
サンプルを室温にて一枚のガラスに手動で積層した。次いで、このガラスをホットプレート上で90℃に加熱し、再び手動で積層した。このサンプルを、Fusion Hバルブを装着したベルト供給硬化チャンバ(RPC industries)内で、窒素中で硬化させた(2回通過、20fpm(6メートル/分))。サンプルをチャンバから取り出し、室温に冷却した。複製テンプレートをサンプルから除去し、硬化ナノ構造をガラス基板上に残留させた。
QPAC 100(Empower Materials)をCLEARSILシリコーン剥離ライナーT−50(CPFilms Inc(Dubvai,UAE)から入手可能)の裏面上にコーティングし、2012年7月20出願の「STRUCTURED LAMINATION TRANSFER FILMS AND METHODS」と題された米国特許出願第13/553,987号に開示されているように、ナノスケールフィーチャをエンボス加工した。コーティングされたフィルムは、厚さおよそ4マイクロメートルであり、エンボス加工した模様は600nmピッチであり、1:1の高さ対ピッチの比の鋸歯パターンであった。シリコーン材料SYLGARD 184(Dow)を文献の手順に従って調製した。SYLGARD 184ベース樹脂をプラスチックカップ内にて10:1の比で架橋剤と混合した。この混合物を、均質の溶液が得られるまで、スパチュラで3分間ゆっくり撹拌した。この混合物をデシケーター(dessicator)内に減圧下で約1時間配置して、樹脂混合物から全ての捕捉気泡を除去した。この混合物をエンボス加工QPAC100の上部上に注ぎ、1mil(25μm)間隙でノッチバーコーティングし、次いで80℃の真空炉内に3時間配置した。真空環境を使用して、硬化プロセス中、ナノスケールフィーチャからの捕捉空気の除去を補助した。硬化後、SYLGARD 184/QPAC100/T50スタックをガラス顕微鏡スライドと共にプラズマチャンバ内に配置した。両方の材料を酸素プラズマに1分間曝露し(75W、0.6mトル(0.08Pa)、50sccm O2)、次いでSYLGARD 184スタックをひっくり返し、ガラス面と直ちに接触させると共に0.1ft/分(3.0cm/分)で積層した。このサンプルを120℃炉内で30分間加熱して、シリコーンとガラス表面とを互いに結合した。最終的に、QPAC100/T50鋳型をSYLGARD 184から剥がし、ナノエンボス加工フィーチャのネガティブレプリカを残した。
QPAC 100(Empower Materials)をT50剥離ライナーの裏面上にコーティングし、実施例4に開示したように、ナノスケールフィーチャをエンボス加工した。コーティングされたフィルムは、厚さおよそ4マイクロメートルであり、エンボス加工した模様は600nmピッチであり、IS N019969に開示された1:1の高さ対ピッチの比の鋸歯パターンであった。UV硬化性シリコーン材料を以下の手順に従って調製した。VQM−135(Gelest)ベース樹脂を、プラスチックカップ内にて架橋剤SYL−OFF 7678(Dow)と10:1の比で混合した。10ppmの白金光ヒドロシリル化触媒(MeCp)PtMe3、Alfa Aesar)を樹脂溶液に加え、スパチュラで3分間撹拌した。この混合物を80℃ホットプレート上に15分間配置して、コーティング前に粘度を低下させた。この混合物をエンボス加工QPAC100の上部上に注ぎ、1mil(25μm)間隙でノッチバーコーティングし、次いで高強度紫外線ランプ下で硬化させた(Fusion Dバルブ、20フィート/分(6メートル/分)で3回通過)。PSE−002/QPAC100/T50スタックをひっくり返し、酸素プラズマ処理したガラス面と直ちに接触させると共に0.1ft/分(3.0cm/分)で積層した。このサンプルを120℃炉内で20分間加熱して、シリコーンの硬化を完了し、シリコーンをガラスに結合した。アルミニウムプレート上でサンプルを冷却した後、QPAC100/T50鋳型をPSE−002から剥がし、ナノエンボス加工フィーチャのネガティブレプリカを残した。
QPAC 100(Empower Materials)を、実施例4の手順に従って、T50剥離ライナーの裏面上にコーティングした。コーティングされたフィルムは、厚さおよそ4マイクロメートルであり、エンボス加工した模様は600nmピッチであり、1:1の高さ対ピッチの比の鋸歯パターンであった。HARDSIL AMハードコート溶液をGelestから購入し、エンボス加工QPAC100の上部上に1mil(25μm)間隙でノッチバーコーティングし、90℃で一晩乾燥させた(15時間)。UV硬化性シリコーン材料を以下の手順に従って調製した。VQM−135(Gelest)ベース樹脂を、プラスチックカップ内にて架橋剤SYL−OFF 7678(Dow)と10:1の比で混合した。10ppmの白金光ヒドロシリル化触媒((MeCp)PtMe3、Alfa Aesar)を樹脂溶液に加え、スパチュラで3分間撹拌した。この混合物を硬化HARDSIL AMの上部上に注ぎ、2mil(50μm)間隙でノッチバーコーティングし、次いで高強度紫外線ランプ下で硬化させ(Fusion Dバルブ、20フィート/分(6メートル/分)で3回通過)、その後90℃で一晩硬化させた(15時間)。PSE−002上面及びガラススライドを酸素プラズマに1分間曝露し(75W、0.6mトル(0.08Pa)、50sccm O2)、次いで2つの材料を直ちに接触させると共に、0.1ft/分(3.0cm/分)で積層した。2つの表面間の一滴の水は、積層転写工程中の均一性を改善した。サンプルを120℃のホットプレート上で5分間加熱して、シリコーンをガラススライドに結合した。アルミニウムプレート上でサンプルを冷却した後、QPAC100/T50鋳型をHardsil AM/PSE−002/ガラスから剥がし、ナノエンボス加工フィーチャのネガティブレプリカをガラス上に残した。
実施例7:パターン化ハードコート
剥離コーティングしたテンプレート層を実施例1のように構成した。
長さ(120cm×30cm)の複製テンプレートフィルムを、平らな金属プレート上に配置した。PERMANEW 6000 L510−1(California Hardcoat(Chula Vista,CA)から入手可能)をイソプロパノール中で10%w/wに希釈し、室温とした。5mLのPERMANEW 6000 L510−1を複製フィルムに適用し、次いでフィルム上にMayerバー(#10)コーティングして、バックフィルされたサンプルを生成した。フィルムを50℃で10分間乾燥させた。次いで、サンプルを室温に冷却した。
最初に、50mm×50mmの磨きガラススライドをリントのない布で清拭し、次いで、洗浄チャンバにて洗剤で20分間超音波処置し、次いで、温水を有する2つのカスケードリンスチャンバのそれぞれに20分間入れた。次いで、空気循環炉内でスライドを20分間乾燥させた。スライドを80℃で20〜30分間予備焼成した。このスライドをKarl Sussスピンコーターのチャック上に装着した。スピンコーターを、2000rpm上昇させて、4000RPMで40秒間にプログラムした。スピンサイクルのコーティング適用部分の間、TOK TELR−P003PMポジティブフォトレジスト(Tokyo Ohka Kogyo Co.,Ltd.(Kanagawa,JAPAN)の溶液をサンプルに適用した。次いで、スピンコーターからサンプルを取り出し、ホットプレート上にて95℃で20分間軟焼成(soft bake)した。コーティングされたサンプルを、一定のピッチを有するピクセルサイズ試験パターンで撮像し、66mJ/cm2のUV強度で2.44秒間範囲を変更した。レジストをMICROPOSIT MF−319現像液(Rohm and Haas Electronic Materials LLC(Marlborough,MA 01752アメリカ合衆国))で60秒間、振盪しながら現像し、次いでカスケードDI水中で濯ぎ、窒素で乾燥させた。次いで、サンプルを最初に200℃で2〜3分間予熱した後、ホットプレート上にて250℃で30分間焼成することにより硬焼成した。
バックフィルされたテンプレートフィルムを、熱フィルムラミネータ(GBC Catena 35、GBC Document Finishing(Lincolnshire,IL))を使用して、コーティングされた面を下にして、パターン化フォトレジストでコーティングされた清浄なガラススライドに230°F(110℃)で積層した。積層したサンプルをホットプレートから除去し、室温に冷却した。サンプルからテンプレートツールを剥がし、複製したバックフィル材料をガラススライド上のフォトレジストに転写した。結果はパターン化ナノ構造を有する透明なガラス基板であり、図13に示されている。
犠牲材料層のコーティング及びエンボス加工
連続フィルムコーティング装置で、幅10.2cm(4インチ)のスロットタイプのコーティングダイに、30cm3/分の速度で、1,3−ジオキソラン中5重量%のQPAC 100溶液を送達した。この溶液を、厚さ0.051mm(0.002インチ)のT50シリコーン剥離ライナーの裏面にコーティングした。コーティングされたウェブは、約2.4m(8フィート)進んでから、3ゾーン全てを65.5℃(150°F)に設定した、およそ9.1m(30フィート)の従来の空気浮上式ドライヤーに入った。この基板を、3.05m/分(10ft/分)の速度で移動させ、約80マイクロメートルのウェットコーティング厚を達成した。
Universal Compak電源(Enercon Industries Corporation(Menomonee Falls,WI))で駆動される二重セラミックバー装置を使用して、エンボス加工されたフィルムの一部分をロールツーロールプロセスで空気コロナ処理した。このシステムは、セラミックバーとサンプルとの間に3.2mm(1/8インチ)の間隙を開けて、空気中で1.5m/分(1.3フィート/分)でサンプルに0.75Jを適用するように構成した。
最初に、50mm×50mmの磨きガラススライドをリントのない布で清拭し、次いで、洗浄チャンバにて洗剤で20分間超音波処置し、次いで、温水を有する2つのカスケードリンスチャンバのそれぞれに20分間入れた。次いで、空気循環炉内でスライドを20分間乾燥させた。このスライドを80℃で20〜30分間予備焼成した。スライドをKarl Sussスピンコーターのチャック上に装着した。スピンコーターを、2000rpm上昇させて、4000RPMで40秒間にプログラムした。スピンサイクルのコーティング適用部分の間、TOK TELR−P003PMポジティブフォトレジスト(TOKYO OHKA KOGYO CO.,LTD.(KANAGAWA,JAPAN))の溶液をサンプルに適用した。次いで、スピンコーターからサンプルを取り出し、ホットプレート上にて95℃で20分間軟焼成した。
一滴の脱イオン水をパターン化ガラススライドに適用して、PERMANEW 6000とパターン化フォトレジストとの間の接着を促進し、熱フィルムラミネータ(GBC Catena 35、GBC Document Finishing(Lincolnshire,IL))を使用して、バックフィルされたテンプレートフィルムを、コーティング面を下にして、パターン化フォトレジストでコーティングされた清浄なガラススライドに230°F(110℃)で積層した。積層したサンプルを室温に冷却した。積層工程により残された任意の気泡を除去するために、積層サンプルを75℃及び6.5psi(45kPa)のオートクレーブ内に30分間配置した。T50フィルムをサンプルから剥がし、犠牲テンプレート及びバックフィル材料をパターン化ガラススライドに転写した。
積層サンプルを、室温の環状炉内に配置した。実験の持続期間中、窒素ガスで炉をパージした。次いで、温度を10℃/分で25℃から300℃まで上昇させ、300℃で3時間保持した。炉及びサンプルを周囲温度に冷却した。得られたナノ構造化サンプルは透明であり、線形光学格子に特徴的なイリデッセンスを示した。
犠牲テンプレートの除去後、脱イオン水で満たしたグラスビーカー内にナノ構造化サンプルを配置し、ビーカーを超音波洗浄器(PC3、L&R Ultrasonics(Kearny,NJ)製)内に30分間配置した。結果はパターン化ナノ構造を有する透明なガラス基板であった。この結果を図14に示す。より明るい矩形は、ナノ構造が基板に転写されなかった範囲である。
剥離コーティングしたテンプレート層を実施例1のように構成した。
ビニルトリエトキシシラン(100g)(Gelest Inc.(Morrisville,PA USA))、脱イオン水(50g)、及びシュウ酸(0.5g)(Sigma−Aldrich(St.Louis,Mo))を、冷却器を備えた500mLの丸底フラスコ内にて室温で互いに混合した。この混合物を室温で6〜8時間撹拌した後、溶媒(水/エタノール混合物)を蒸発させた。得られた粘性液体をメチルエチルケトン(100mL)に溶解し、脱イオン水(100mL)で3回洗浄した。洗浄後、メチルエチルケトン及び残留水を減圧下で蒸発させて、ビニルシルセスキオキサンを粘性液体として得た。ビニルシルセスキオキサンをメチルエチルケトンに再溶解して、1% w/w IRGACURE 184(Ciba/BASF製の光開始剤)を有する30% w/w溶液とすることによって、ビニルシルセスキオキサン放射線硬化性系を調製した。
5.1cm×7.6cm(2インチ×3インチ)より僅かに大きい一片のテンプレートフィルムを、厚さ1mmの5.1cm×7.6cm(2インチx3インチ)ガラス顕微鏡スライド(VWR International(Radnor PA)から入手可能)にテープで接着した。次いで、ガラススライド及びサンプルを、Model WS−6505−6npp/liteスピンコーター(Laurell Technologies Corporation(North Wales PA)から入手可能)上にて真空チャック上に直接置いた。64kPa(19インチのHg)の真空を適用して、サンプルをチャックに保持した。スピンコーターを、500RPMで5秒間(コーティング適用工程)、次いで1000RPMで15秒間(スピン工程)、次いで1000RPMで20秒間(乾燥工程)にプログラムした。スピンサイクルのコーティング適用部分の間、およそ1〜2mLのビニルシルセスキオキサン放射線硬化性系をテンプレートフィルムに適用して、バックフィルされたサンプルを生成した。
剥離コーティングしたテンプレート層を実施例1のように構成した。
5.1cm×7.6cm(2インチ×3インチ)より僅かに大きい一片のテンプレートフィルムを、厚さ1mmの5.1cm×7.6cm(2インチ×3インチ)ガラス顕微鏡スライド(VWR International(Radnor,PA)から入手可能)にテープで接着した。次いで、ガラススライド及びサンプルを、Model WS−6505−6npp/liteスピンコーター(Laurell Technologies Corporation(North Wales PA)から入手可能)上にて真空チャック上に直接置いた。64kPa(483mm Hg)の真空を適用して、サンプルをチャックに保持した。スピンコーターを、500RPMで5秒間(コーティング適用工程)、次いで1000RPMで15秒間(スピン工程)、次いで1000RPMで20秒間(乾燥工程)にプログラムした。スピンサイクルのコーティング適用部分の間、およそ1〜2mLのビニルシルセスキオキサン放射線硬化性系をテンプレートフィルムに適用して、バックフィルされたサンプルを生成した。
剥離ライナーをサンプルから除去し、コーティング面を上にして、厚さ1mmの5.1cm×7.6cm(2インチ×3インチ)ガラス顕微鏡スライド(VWR International(Radnor PA)から入手可能)にテープで接着した。次いで、ガラススライド及びサンプルを、Model WS−6505−6npp/liteスピンコーター(Laurell Technologies Corporation(North Wales PA)から入手可能)上にて真空チャック上に直接置いた。64kPa(19インチのHg)の真空を適用して、サンプルをチャックに保持した。スピンコーターを、500RPMで5秒間(コーティング適用工程)、次いで1000RPMで15秒間(スピン工程)、次いで1000RPMで20秒間(乾燥工程)にプログラムした。スピンサイクルのコーティング適用部分の間、およそ1〜2mLのビニルシルセスキオキサン放射線硬化性系をテンプレートフィルムに適用して、バックフィルされたサンプルを生成した。
剥離コーティングしたテンプレート層を実施例1のように構成した。
5.1cm×7.6cm(2インチ×3インチ)より僅かに大きい一片のテンプレートフィルムを、厚さ1mmの5.1cm×7.6cm(2インチ×3インチ)ガラス顕微鏡スライド(VWR International(Radnor PA)から入手可能)にテープで接着した。次いで、ガラススライド及びサンプルを、Model WS−6505−6npp/liteスピンコーター(Laurell Technologies Corporation(North Wales PA)から入手可能)上にて真空チャック上に直接置いた。64kPa(19インチのHg)の真空を適用して、サンプルをチャックに保持した。スピンコーターを、500RPMで5秒間(コーティング適用工程)、次いで1000RPMで15秒間(スピン工程)、次いで1000RPMで20秒間(乾燥工程)にプログラムした。スピンサイクルのコーティング適用部分の間、およそ1〜2mLのビニルシルセスキオキサン放射線硬化性系をテンプレートフィルムに適用して、バックフィルされたサンプルを生成した。
ポリマー溶液Iの合成
8オンスの茶色ビンの中に、27gのイソオクチルアクリレート、3.0gのヒドロエチルアクリレート、2.25gの3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、80gのエチルアセテート、及び0.15gのVazo 67を混合した。この混合物を20分間N2下で泡立たせ、次いでこの混合物を70℃において24時間油浴の中に定置した。この結果として、31.04重量%の固体を含む光学透明溶液を得た。
滴下漏斗、温度調節器、パドルスターラー、及び蒸留ヘッドを備えた2Lの丸底フラスコ内に、177gのNTB−1溶液(15重量%の、pH 4を有する二酸化チタン水溶液、Denko Corporation(Japan)から入手可能)及び200gの1−メトキシ−2−プロパノールを入れ、これらを互いに混合した。3.24gのフェニルトリメトキシシラン、30gのトルエン、及びポリマー溶液Iを急速な撹拌下で加えた。15分後、48℃まで昇温させて、追加の240gのトルエンを添加した。次いで、混合物を80℃に16時間加熱した。
剥離コーティングしたテンプレート層を実施例1のように構成した。
5.1cm×7.6cm(2インチ×3インチ)より僅かに大きい一片のテンプレートフィルムを、厚さ1mmの5.1cm×7.6cm(2インチ×3インチ)ガラス顕微鏡スライド(VWR International(Radnor PA)から入手可能)にテープで接着した。次いで、ガラススライド及びサンプルを、Model WS−6505−6npp/liteスピンコーター(Laurell Technologies Corporation(North Wales PA)から入手可能)上にて真空チャック上に直接置いた。64kPa(19インチのHg)の真空を適用して、サンプルをチャックに保持した。スピンコーターを、500RPMで5秒間(コーティング適用工程)、次いで1000RPMで15秒間(スピン工程)、次いで1000RPMで20秒間(乾燥工程)にプログラムした。スピンサイクルのコーティング適用部分の間、およそ1〜2mLの上述した光結合層をテンプレートフィルムに適用して、バックフィルされたサンプルを生成した。
剥離コーティングしたテンプレート層を実施例1のように構成した。
5.1cm×7.6cm(2インチ×3インチ)より僅かに大きい一片のテンプレートフィルムを、厚さ1mmの5.1cm×7.6cm(2インチ×3インチ)ガラス顕微鏡スライド(VWR International(Radnor PA)から入手可能)にテープで接着した。次いで、ガラススライド及びサンプルを、Model WS−6505−6npp/liteスピンコーター(Laurell Technologies Corporation(North Wales PA)から入手可能)上にて真空チャック上に直接置いた。64kPa(19インチのHg)の真空を適用して、サンプルをチャックに保持した。スピンコーターを、500RPMで5秒間(コーティング適用工程)、次いで1000RPMで15秒間(スピン工程)、次いで1000RPMで20秒間(乾燥工程)にプログラムした。スピンサイクルのコーティング適用部分の間、およそ1〜2mLの実施例12に記載した光結合材料をテンプレートフィルムに適用して、バックフィルされたサンプルを生成した。
5.1cm×7.6cm(2インチ×3インチ)より僅かに大きい一片のテンプレートフィルムを、厚さ1mmの5.1cm×7.6cm(2インチ×3インチ)ガラス顕微鏡スライド(VWR International(Radnor PA)から入手可能)にテープで接着した。次いで、ガラススライド及びサンプルを、Model WS−6505−6npp/liteスピンコーター(Laurell Technologies Corporation(North Wales PA)から入手可能)上にて真空チャック上に直接置いた。64kPa(19インチのHg)の真空を適用して、サンプルをチャックに保持した。スピンコーターを、500RPMで5秒間(コーティング適用工程)、次いで1000RPMで15秒間(スピン工程)、次いで1000RPMで20秒間(乾燥工程)にプログラムした。スピンサイクルのコーティング適用部分の間、およそ1〜2ミリリットルの光結合材料をテンプレートフィルムに適用して、バックフィルされたサンプルを生成した。
[1]
キャリアと、
前記キャリアに適用された第1の表面を有し、かつ前記第1の表面の反対側の第2の表面を有するテンプレート層であって、前記第2の表面が非平面状の構造化表面を含む、テンプレート層と、
前記テンプレート層の前記非平面状の構造化表面上に配置された剥離コーティングと、
前記剥離コーティングの前記非平面状の構造化表面上に配置され、かつ前記表面に一致するバックフィル層と、を含み、
前記テンプレート層が、前記バックフィル層の前記構造化表面の少なくとも一部分を実質的に損傷なく残しながら、前記バックフィル層から除去されることが可能である、転写テープ。
[2]
前記バックフィル層上に配置された剥離ライナーを更に含む、項目1に記載の転写テープ。
[3]
前記キャリアが透明ポリマーを含む、項目1に記載の転写テープ。
[4]
前記テンプレート層が光硬化性有機樹脂を含む、項目1に記載の転写テープ。
[5]
前記剥離コーティングが化学蒸着されたテトラメチルシランポリマーを含む、項目1に記載の転写テープ。
[6]
前記バックフィル層が平坦化層である、項目1に記載の転写テープ。
[7]
前記バックフィル層が、2つの異なる材料の二層を含む、項目1に記載の転写テープ。
[8]
前記二層の一方が接着促進層を含む、項目7に記載の転写テープ。
[9]
前記バックフィル層がシルセスキオキサンを含む、項目1に記載の転写テープ。
[10]
前記シルセスキオキサンがポリビニルシルセスキオキサンを含む、項目9に記載の転写テープ。
[11]
項目1に記載の転写テープと、
前記バックフィル層に隣接したレセプター基板と、を含む、物品。
[12]
前記レセプター基板が可撓性ガラスを含む、項目11に記載の物品。
[13]
前記バックフィル層が2つ以上の材料を含む、項目11に記載の物品。
[14]
前記2つ以上の材料の1つが接着促進層である、項目13に記載の物品。
[15]
前記接着促進層がパターン化されている、項目14に記載の物品。
[16]
前記バックフィル層が架橋されている、項目11に記載の物品。
[17]
前記バックフィル層が、構造化非架橋パターン及び構造化架橋パターンを含む、項目11に記載の物品。
[18]
前記テンプレート層の前記構造化面上に配置された前記剥離コーティングと、前記剥離コーティング上に配置された前記バックフィル層とが、前記転写テープから分離された際、前記構造化非架橋パターンがリフローし、実質的に非構造化される、項目17に記載の物品。
[19]
前記バックフィル層が硬化されている、項目14に記載の物品。
[20]
キャリアと、
前記キャリアに適用された第1の表面を有し、かつ前記第1の表面の反対側の第2の表面を有するテンプレート層であって、前記第2の表面が非平面状の構造化表面を含む、テンプレート層と、
前記非平面状の構造化表面上に配置されたパターン化硬化バックフィル層と、を含む、転写テープ。
[21]
前記パターン化硬化バックフィル層上に配置された剥離ライナーを更に含む、項目20に記載の転写テープ。
[22]
前記パターン化硬化バックフィル層と接触し、前記パターン化硬化バックフィル層で覆われていない前記テンプレート層の部分とも接触した架橋非構造化層を更に含む、項目20に記載の転写テープ。
[23]
キャリアと、
前記キャリアに適用された第1の表面を有し、かつ前記第1の表面の反対側の第2の表面を有するテンプレート層であって、前記第2の表面が非平面状の構造化表面を含む、テンプレート層と、
前記非平面状の構造化表面上に配置された非パターン化硬化犠牲バックフィル層と、
前記バックフィル層との境界面を有するレセプター基板と、を含み、
前記バックフィル層と前記レセプター基板との間の前記境界面に、結合領域及び非結合領域が存在する、転写テープ。
Claims (6)
- キャリアと、
前記キャリアに適用された第1の表面を有し、かつ前記第1の表面の反対側の第2の表面を有するテンプレート層であって、前記第2の表面が、剥離コーティングを有する、非平面状の構造化表面を含む、テンプレート層と、
ポリシロキサン樹脂、ポリシラザン、ブリッジ又はラダー型シルセスキオキサン、T−樹脂メチルシルセスキオキサン、T−Q樹脂メチルシルセスキオキサン、水素シルセスキオキサン、メチルトリメトキシシランとビストリエトキシシリルエタンとのコポリマー、シリコーン、シリコーンハイブリッド材料、ポリイミド、又はベンゾシクロブテンを含む硬化性樹脂を含み、前記非平面状の構造化表面上に配置され、かつ前記表面に一致する、未硬化のバックフィル層と、を含み、
前記テンプレート層が、前記バックフィル層の前記構造化表面の少なくとも一部分を実質的に損傷なく残しながら、前記バックフィル層から除去されることが可能である、転写テープ。 - 請求項1に記載の転写テープと、
前記バックフィル層に隣接したレセプター基板と、を含む、物品。 - キャリアと、
前記キャリアに適用された第1の表面を有し、かつ前記第1の表面の反対側の第2の表面を有するテンプレート層であって、前記第2の表面が非平面状の構造化表面を含む、テンプレート層と、
ナノ粒子;及び
ポリシロキサン樹脂、ポリシラザン、ブリッジ又はラダー型シルセスキオキサン、T−樹脂メチルシルセスキオキサン、T−Q樹脂メチルシルセスキオキサン、水素シルセスキオキサン、メチルトリメトキシシランとビストリエトキシシリルエタンとのコポリマー、シリコーン、シリコーンハイブリッド材料、ポリイミド、又はベンゾシクロブテンを含む硬化性樹脂;
を含み、前記非平面状の構造化表面上に配置され、かつ前記表面に一致する、パターン化硬化されたバックフィル層と、
前記パターン化硬化されたバックフィル層上に配置された剥離ライナーと、を含む、転写テープ。 - キャリアと、
前記キャリアに適用された第1の表面を有し、かつ前記第1の表面の反対側の第2の表面を有するテンプレート層であって、前記第2の表面が非平面状の構造化表面を含む、テンプレート層と、
ナノ粒子;及び
ポリシロキサン樹脂、ポリシラザン、ブリッジ又はラダー型シルセスキオキサン、T−樹脂メチルシルセスキオキサン、T−Q樹脂メチルシルセスキオキサン、水素シルセスキオキサン、メチルトリメトキシシランとビストリエトキシシリルエタンとのコポリマー、シリコーン、シリコーンハイブリッド材料、ポリイミド、又はベンゾシクロブテンを含む硬化性樹脂;
を含み、前記非平面状の構造化表面上に配置され、かつ前記表面に一致する、未硬化のバックフィル層と、
前記バックフィル層との境界面を有するレセプター基板と、を含み、
前記バックフィル層と前記レセプター基板との間の前記境界面に、結合領域及び非結合領域が存在する、転写テープ。 - キャリアと、
前記キャリアに適用された第1の表面を有し、かつ前記第1の表面の反対側の第2の表面を有するテンプレート層であって、前記第2の表面が、剥離コーティングを有する、非平面状の構造化表面を含む、テンプレート層と、
ナノ粒子;及び
ポリシロキサン樹脂、ポリシラザン、ブリッジ又はラダー型シルセスキオキサン、T−樹脂メチルシルセスキオキサン、T−Q樹脂メチルシルセスキオキサン、水素シルセスキオキサン、メチルトリメトキシシランとビストリエトキシシリルエタンとのコポリマー、シリコーン、シリコーンハイブリッド材料、ポリイミド、又はベンゾシクロブテンを含む硬化性樹脂;
を含み、前記非平面状の構造化表面上に配置され、かつ前記表面に一致する、未硬化のバックフィル層と、を含み、
前記テンプレート層が、前記バックフィル層の前記構造化表面の少なくとも一部分を実質的に損傷なく残しながら、前記バックフィル層から除去されることが可能である、転写テープ。 - レセプター基板上にバイアを有する構造を形成するための、請求項1〜5のいずれか一項に記載の転写テープ。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| WO2015108773A1 (en) * | 2014-01-20 | 2015-07-23 | 3M Innovative Properties Company | Lamination transfer films for forming reentrant structures |
| US20150202834A1 (en) | 2014-01-20 | 2015-07-23 | 3M Innovative Properties Company | Lamination transfer films for forming antireflective structures |
| JP2017511755A (ja) | 2014-01-22 | 2017-04-27 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | ガラス用微小光学要素 |
| TW201539736A (zh) | 2014-03-19 | 2015-10-16 | 3M新設資產公司 | 用於藉白光成色之 oled 裝置的奈米結構 |
| US9643381B2 (en) | 2014-05-19 | 2017-05-09 | Vindicoat, Llc | Composite binding materials |
| KR102387234B1 (ko) | 2014-06-13 | 2022-04-18 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 스파클 감소를 위한 광학 적층물 |
| US9472788B2 (en) | 2014-08-27 | 2016-10-18 | 3M Innovative Properties Company | Thermally-assisted self-assembly method of nanoparticles and nanowires within engineered periodic structures |
| JP7009992B2 (ja) * | 2014-10-20 | 2022-01-26 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 断熱グレージングユニット及び微細構造化拡散部を含む微小光学層並びに方法 |
| US10518512B2 (en) * | 2015-03-31 | 2019-12-31 | 3M Innovative Properties Company | Method of forming dual-cure nanostructure transfer film |
| US10106643B2 (en) | 2015-03-31 | 2018-10-23 | 3M Innovative Properties Company | Dual-cure nanostructure transfer film |
| CN107820461B (zh) * | 2015-06-19 | 2019-12-17 | 3M创新有限公司 | 分段式转印带及其制备和使用方法 |
| US11086056B2 (en) * | 2015-06-19 | 2021-08-10 | 3M Innovative Properties Company | Micro-optical assemblies including transparent substrates having graphic layer and method of making thereof |
| WO2016205115A2 (en) | 2015-06-19 | 2016-12-22 | 3M Innovative Properties Company | Segmented and non-segmented transfer tapes, articles therefrom and method of making and use thereof |
| US10656312B2 (en) | 2015-06-30 | 2020-05-19 | 3M Innovative Properties Company | Insulated glazing units and microoptical layer including microstructured anisotropic diffuser and methods |
| KR102288354B1 (ko) * | 2015-08-10 | 2021-08-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법 |
| CN108349814B (zh) * | 2015-11-11 | 2021-09-28 | 阿莫泰克有限公司 | 铁氧体片的制造方法及使用其的铁氧体片 |
| US11491772B2 (en) | 2016-09-16 | 2022-11-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Substrate bonding method and laminated body production method |
| CA3037211A1 (en) * | 2016-09-20 | 2018-03-29 | Sharklet Technologies, Inc. | Imprinting tape, method of manufacture thereof and articles comprising the same |
| US10367169B2 (en) * | 2016-10-17 | 2019-07-30 | Corning Incorporated | Processes for making light extraction substrates for an organic light emitting diode using photo-thermal treatment |
| CN107021644B (zh) * | 2017-04-13 | 2019-09-13 | 宁波大学 | 一种光伏玻璃的制备方法 |
| JP7219606B2 (ja) * | 2018-12-21 | 2023-02-08 | 東京応化工業株式会社 | 半導体基板の製造方法 |
| US11825568B2 (en) * | 2021-04-01 | 2023-11-21 | Whirlpool Corporation | Segmented thermoresistive heating system |
| CN114179536A (zh) * | 2021-12-15 | 2022-03-15 | 上海豪承信息技术有限公司 | 一种图案的处理方法 |
| US11878935B1 (en) * | 2022-12-27 | 2024-01-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of coating a superstrate |
| CN115974422B (zh) * | 2022-12-29 | 2025-04-11 | 蓝思科技(长沙)有限公司 | 玻璃表面纹理的制备方法、具有纹理的玻璃和应用 |
Family Cites Families (69)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE24906E (en) | 1955-11-18 | 1960-12-13 | Pressure-sensitive adhesive sheet material | |
| US4567073A (en) | 1982-07-02 | 1986-01-28 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Composite low surface energy liner of perfluoropolyether |
| US4472480A (en) | 1982-07-02 | 1984-09-18 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Low surface energy liner of perfluoropolyether |
| US4614667A (en) | 1984-05-21 | 1986-09-30 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Composite low surface energy liner of perfluoropolyether |
| GB8911806D0 (en) | 1989-05-23 | 1989-07-12 | Rolls Royce Plc | Gas turbine engine fuel control system with enhanced relight capability |
| US5234740A (en) * | 1991-08-28 | 1993-08-10 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Slip control sheeting and articles covered with same |
| KR100219954B1 (ko) * | 1991-09-12 | 1999-09-01 | 스프레이그 로버트 월터 | 문양화된 압감접착제 전이 테이프 |
| US5591958A (en) | 1993-06-14 | 1997-01-07 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and apparatus |
| US5691846A (en) | 1993-10-20 | 1997-11-25 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Ultra-flexible retroreflective cube corner composite sheetings and methods of manufacture |
| JP3444053B2 (ja) | 1995-10-13 | 2003-09-08 | ソニー株式会社 | 薄膜半導体装置 |
| EP0945254B1 (en) * | 1998-03-17 | 2004-12-22 | Chi Mei Optoelectronics Corporation | Material comprising an anti-reflective coating on a flexible glass substrate |
| US6329058B1 (en) * | 1998-07-30 | 2001-12-11 | 3M Innovative Properties Company | Nanosize metal oxide particles for producing transparent metal oxide colloids and ceramers |
| US6521324B1 (en) * | 1999-11-30 | 2003-02-18 | 3M Innovative Properties Company | Thermal transfer of microstructured layers |
| US6838142B2 (en) * | 2001-05-18 | 2005-01-04 | 3M Innovative Properties Company | Specular laminates |
| US6858253B2 (en) | 2001-05-31 | 2005-02-22 | 3M Innovative Properties Company | Method of making dimensionally stable composite article |
| JP4436030B2 (ja) | 2002-05-10 | 2010-03-24 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | アクリル系剥離剤前駆体、剥離剤物品及び剥離剤物品の製造方法 |
| US6849558B2 (en) | 2002-05-22 | 2005-02-01 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Replication and transfer of microstructures and nanostructures |
| US6805809B2 (en) * | 2002-08-28 | 2004-10-19 | Board Of Trustees Of University Of Illinois | Decal transfer microfabrication |
| EP1537445B1 (en) * | 2002-09-05 | 2012-08-01 | Nanosys, Inc. | Nanocomposites |
| KR100638091B1 (ko) | 2003-07-02 | 2006-10-25 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 나노입자 패터닝 방법 및 이를 이용한 소결체의 제조 방법 |
| US20050147838A1 (en) | 2003-12-30 | 2005-07-07 | 3M Innovative Properties Company | Polymerizable compositions for optical articles |
| JP2005193473A (ja) | 2004-01-06 | 2005-07-21 | Three M Innovative Properties Co | 転写用成形型及びその製造方法ならびに微細構造体の製造方法 |
| US7419912B2 (en) | 2004-04-01 | 2008-09-02 | Cree, Inc. | Laser patterning of light emitting devices |
| US7490547B2 (en) * | 2004-12-30 | 2009-02-17 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| US7645478B2 (en) * | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
| DE102005017170B4 (de) | 2005-04-13 | 2010-07-01 | Ovd Kinegram Ag | Transferfolie, Verfahren zu deren Herstellung sowie Mehrschichtkörper und dessen Verwendung |
| US20060270806A1 (en) * | 2005-05-26 | 2006-11-30 | Hale Wesley R | Miscible high Tg polyester/polymer blend compositions and films formed therefrom |
| MX2007016039A (es) | 2005-06-17 | 2008-10-27 | Univ North Carolina | Metodos, sistemas y materiales de fabricacion de nanoparticulas. |
| US20070020451A1 (en) | 2005-07-20 | 2007-01-25 | 3M Innovative Properties Company | Moisture barrier coatings |
| US7569254B2 (en) | 2005-08-22 | 2009-08-04 | Eastman Kodak Company | Nanocomposite materials comprising high loadings of filler materials and an in-situ method of making such materials |
| US20070077349A1 (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Eastman Kodak Company | Patterning OLED device electrodes and optical material |
| US7677877B2 (en) * | 2005-11-04 | 2010-03-16 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| US20090128916A1 (en) * | 2006-01-16 | 2009-05-21 | Masaki Noro | Curable composition and cured product, laminate film and antireflective film using the same and polarizing plate and image display device using the antireflective film |
| JP2007335253A (ja) | 2006-06-15 | 2007-12-27 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 有機el表示装置 |
| US20070298176A1 (en) | 2006-06-26 | 2007-12-27 | Dipietro Richard Anthony | Aromatic vinyl ether based reverse-tone step and flash imprint lithography |
| JP5084194B2 (ja) * | 2006-07-18 | 2012-11-28 | エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社 | 表面改質組成物および積層体 |
| US7604916B2 (en) | 2006-11-06 | 2009-10-20 | 3M Innovative Properties Company | Donor films with pattern-directing layers |
| US20080233404A1 (en) | 2007-03-22 | 2008-09-25 | 3M Innovative Properties Company | Microreplication tools and patterns using laser induced thermal embossing |
| US7604381B2 (en) | 2007-04-16 | 2009-10-20 | 3M Innovative Properties Company | Optical article and method of making |
| US20090015142A1 (en) * | 2007-07-13 | 2009-01-15 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction film for organic light emitting diode display devices |
| CN101795961B (zh) * | 2007-09-06 | 2013-05-01 | 3M创新有限公司 | 用于制备微结构化制品的工具 |
| US8236668B2 (en) * | 2007-10-10 | 2012-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
| US8293354B2 (en) * | 2008-04-09 | 2012-10-23 | The Regents Of The University Of Michigan | UV curable silsesquioxane resins for nanoprint lithography |
| US20090263668A1 (en) | 2008-04-21 | 2009-10-22 | 3M Innovative Properties Company | Durable coating of an oligomer and methods of applying |
| US20100062043A1 (en) | 2008-07-15 | 2010-03-11 | Basf Catalysts Llc | Methods, Systems and Devices for Administration of Chlorine Dioxide |
| TWI365812B (en) * | 2008-10-23 | 2012-06-11 | Compal Electronics Inc | Transfer film, method of manufacturing the same, transfer method and object surface structure |
| US7957621B2 (en) | 2008-12-17 | 2011-06-07 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction film with nanoparticle coatings |
| US8222352B2 (en) | 2008-12-24 | 2012-07-17 | Nitto Denko Corporation | Silicone resin composition |
| JP5052534B2 (ja) * | 2009-01-08 | 2012-10-17 | 株式会社ブリヂストン | 光硬化性転写シート、及びこれを用いた凹凸パターンの形成方法 |
| US20100188751A1 (en) | 2009-01-29 | 2010-07-29 | 3M Innovative Properties Company | Optical films with internally conformable layers and method of making the films |
| US8899148B2 (en) * | 2009-07-02 | 2014-12-02 | E I Du Pont De Nemours And Company | Method for printing a material onto a substrate |
| JP2011066100A (ja) * | 2009-09-16 | 2011-03-31 | Bridgestone Corp | 光硬化性転写シート、及びこれを用いた凹凸パターンの形成方法 |
| US20110091694A1 (en) * | 2009-10-20 | 2011-04-21 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for forming fine electrode patterns |
| KR20110054841A (ko) * | 2009-11-18 | 2011-05-25 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP2011105894A (ja) | 2009-11-20 | 2011-06-02 | Konica Minolta Holdings Inc | 付着テープの製造方法 |
| KR20120123741A (ko) | 2010-01-13 | 2012-11-09 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 미세 구조화 저 굴절률 나노공극형 층을 갖는 광학 필름 및 이의 제조 방법 |
| JP2011221470A (ja) * | 2010-04-14 | 2011-11-04 | Sony Corp | 光学素子、およびその製造方法、表示装置、ならびに太陽電池 |
| US20110305787A1 (en) * | 2010-06-11 | 2011-12-15 | Satoshi Ishii | Stamper for transfer of microscopic structure and transfer apparatus of microscopic structure |
| US8469551B2 (en) | 2010-10-20 | 2013-06-25 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction films for increasing pixelated OLED output with reduced blur |
| WO2012077738A1 (ja) | 2010-12-09 | 2012-06-14 | 旭化成株式会社 | 微細構造積層体、微細構造積層体の作製方法及び微細構造体の製造方法 |
| WO2012082536A2 (en) | 2010-12-17 | 2012-06-21 | 3M Innovative Properties Company | Transfer article having multi-sized particles and methods |
| US8692446B2 (en) | 2011-03-17 | 2014-04-08 | 3M Innovative Properties Company | OLED light extraction films having nanoparticles and periodic structures |
| US9415539B2 (en) | 2011-05-31 | 2016-08-16 | 3M Innovative Properties Company | Method for making microstructured tools having discontinuous topographies, and articles produced therefrom |
| SG195168A1 (en) | 2011-05-31 | 2013-12-30 | 3M Innovative Properties Co | Methods for making differentially pattern cured microstructured articles |
| US9780335B2 (en) | 2012-07-20 | 2017-10-03 | 3M Innovative Properties Company | Structured lamination transfer films and methods |
| US9711744B2 (en) | 2012-12-21 | 2017-07-18 | 3M Innovative Properties Company | Patterned structured transfer tape |
| US20140175707A1 (en) * | 2012-12-21 | 2014-06-26 | 3M Innovative Properties Company | Methods of using nanostructured transfer tape and articles made therefrom |
| EP3069384A4 (en) * | 2013-11-11 | 2017-07-12 | 3M Innovative Properties Company | Nanostructures for oled devices |
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