JP6460701B2

JP6460701B2 - ビニルエーテル化合物に由来する構造単位を含む化合物

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Publication number: JP6460701B2
Application number: JP2014197422A
Authority: JP
Inventors: 大塩田; 国宏野田; 博樹千坂
Original assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Current assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date: 2014-09-26
Filing date: 2014-09-26
Publication date: 2019-01-30
Anticipated expiration: 2034-09-26
Also published as: JP2016069427A

Description

本発明は、ビニルエーテル化合物に由来する構造単位を含む化合物の製造方法に関する。

縮合多環式化合物は、種々の優れた機能を有し、様々な用途に用いられている。例えば、縮合多環式芳香族化合物であるフルオレン骨格（９，９−ビスフェニルフルオレン骨格等）を有する化合物は、光透過率、屈折率等の光学的特性、耐熱性等の熱的特性において優れた機能を有することが知られている。そのため、フルオレン骨格を有する化合物は、レンズ、プリズム、フィルター、画像表示材料、光ディスク用基板、光ファイバー、光導波路、ケーシング材料、フィルム、コーティング材料等の光学部材の原料として用いられている。このようなフルオレン骨格を有する化合物としては、例えば、特許文献１に開示されているものが挙げられる。

特開２０１１−２０１７９１号公報

本発明は、新規な縮合多環式ビニルエーテル化合物に由来する構造単位を含む化合物を製造する方法を提供することを目的とする。

本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意研究を重ねた。その結果、新規な縮合多環式ビニルエーテル化合物に由来する構造単位を含む化合物を見出し、本発明を完成するに至った。具体的には、本発明は以下のものを提供する。

本発明は、下記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物を含む粗生成物から下記一般式（１０）で表されるヒドロキシエチルオキシ基含有化合物を除去することにより、上記ビニルエーテル化合物を含む精製物を得、上記精製物に含まれる上記ビニルエーテル化合物と、ビニロキシ基と反応する基を含有する化合物とを反応させることを含む、下記一般式（１）で表される構造単位を含む化合物の製造方法である。

（式中、環Ｚ^１及び環Ｚ^２は同一の又は異なる芳香族炭化水素環を示し、環Ｙ^１及び環Ｙ^２は同一の又は異なる芳香族炭化水素環を示し、Ｘ^１及びＸ^２は独立に単結合又は−Ｓ−で示される基を示し、Ｒは単結合、置換基を有してもよいメチレン基、置換基を有してもよく、２個の炭素原子間にヘテロ原子を含んでもよいエチレン基、−Ｏ−で示される基、−ＮＨ−で示される基、又は−Ｓ−で示される基を示し、Ｒ^１ａ及びＲ^１ｂは独立に単結合又は炭素数１〜４のアルキレン基を示し、Ｒ^２ａ及びＲ^２ｂは独立に１価炭化水素基、水酸基、−ＯＲ^４ａで示される基、−ＳＲ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、カルボキシル基、アミノ基、カルバモイル基、−ＮＨＲ^４ｃで示される基、−Ｎ（Ｒ^４ｄ）_２で示される基、（メタ）アクリロイルオキシ基、スルホ基、又は１価炭化水素基、−ＯＲ^４ａで示される基、−ＳＲ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、−ＮＨＲ^４ｃで示される基、もしくは−Ｎ（Ｒ^４ｄ）_２で示される基に含まれる炭素原子に結合した水素原子の少なくとも一部が１価炭化水素基、水酸基、−ＯＲ^４ａで示される基、−ＳＲ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、カルボキシル基、アミノ基、カルバモイル基、−ＮＨＲ^４ｃで示される基、−Ｎ（Ｒ^４ｄ）_２で示される基、（メタ）アクリロイルオキシ基、メシルオキシ基、もしくはスルホ基で置換された基を示し、Ｒ^３ａ及びＲ^３ｂは独立にシアノ基、ハロゲン原子、又は１価炭化水素基を示し、Ｒ^４ａ〜Ｒ^４ｄは独立に１価炭化水素基を示し、ｍ１及びｍ２は独立に０以上の整数を示し、ｎ１及びｎ２は独立に０〜４の整数を示し、＊は結合手を示す。）

（式中、環Ｚ^１、環Ｚ^２、環Ｙ^１、環Ｙ^２、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｒ、Ｒ^１ａ、Ｒ^１ｂ、Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂ、Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂ、ｍ１、ｍ２、ｎ１、及びｎ２は上記の通りである。）

本発明によれば、新規な縮合多環式ビニルエーテル化合物に由来する構造単位を含む化合物を製造する方法を提供することができる。

≪一般式（１）で表される構造単位を含む化合物の製造方法≫
本発明に係る、上記一般式（１）で表される構造単位を含む化合物の製造方法は、上記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物を含む粗生成物から上記一般式（１０）で表されるヒドロキシエチルオキシ基含有化合物を除去することにより、上記ビニルエーテル化合物を含む精製物を得、上記精製物に含まれる上記ビニルエーテル化合物と、ビニロキシ基と反応する基を含有する化合物とを反応させることを含む
＜一般式（１）で表される構造単位を含む化合物＞
上記一般式（１）で表される構造単位を含む化合物は、縮合多環式ビニルエーテル化合物に由来する構造単位を含むものである。
従来、脂環式骨格を有するビニルエーテル系化合物は、皮膚刺激性や臭気といった作業上、環境上の問題が生じにくく、保存安定性及び寸法安定性に優れるため、透明樹脂、接着剤、コーティング剤やフォトレジスト用樹脂としての使用が検討されている。例えば、特開２００７−２３１２２７号公報には、８−ビニロキシトリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカンとｎ−ブチルビニルエーテルとのビニルエーテル共重合体が開示されており、電気電子材料や光学材料樹脂への使用が意図されている。しかし、本発明者らが検討したところ、脂環式骨格を有するビニルエーテル系化合物は、耐熱性が低いという問題がある。
これに対し、上記一般式（１）で表される構造単位を含む化合物は、フルオレン系ビニルエーテル化合物等の縮合多環式ビニルエーテル化合物に由来する構造単位を含むものであり、光学的特性に優れるとともに、高い耐熱性を有するため、透明樹脂、接着剤、コーティング剤やフォトレジスト用樹脂に好適に使用することができる。これらに加えて、上記一般式（１）で表される構造単位を含む化合物は、種々の用途、例えば、配向膜及び平坦化膜（例えば、液晶表示ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等に用いられる配向膜及び平坦化膜）；反射防止膜、層間絶縁膜、カーボンハードマスク等のレジスト下層膜；液晶表示ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等のスペーサ及び隔壁；液晶表示ディスプレイのカラーフィルタの画素やブラックマトリクス；液晶表示ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等の表示装置；レンズ（例えば、マイクロレンズ等）、光ファイバー、光導波路、プリズムシート、ホログラム、高屈折フィルム、再帰反射フィルム等の光学部材；低透湿膜（例えば、水蒸気バリア層として用いられる低透湿膜）；光学材料；半導体用材料に用いることができる。

上記一般式（１）において、環Ｚ^１及び環Ｚ^２としては、例えば、ベンゼン環、縮合多環式芳香族炭化水素環［例えば、縮合二環式炭化水素環（例えば、ナフタレン環等のＣ_８−２０縮合二環式炭化水素環、好ましくはＣ_{１０−１６}縮合二環式炭化水素環）、縮合三環式芳香族炭化水素環（例えば、アントラセン環、フェナントレン環等）等の縮合２乃至４環式芳香族炭化水素環］等が挙げられる。環Ｚ^１及び環Ｚ^２は、ベンゼン環又はナフタレン環であるのが好ましい。なお、環Ｚ^１及び環Ｚ^２は、同一でも異なっていてもよく、例えば、一方の環がベンゼン環、他方の環がナフタレン環等であってもよい。また、Ｘ^１及びＸ^２の両方が直結する炭素原子にＸ^１又はＸ^２を介して結合する環Ｚ^１又は環Ｚ^２の置換位置は、特に限定されない。例えば、環Ｚ^１又は環Ｚ^２がナフタレン環の場合、上記炭素原子に結合する環Ｚ^１又は環Ｚ^２に対応する基は、１−ナフチル基、２−ナフチル基等であってもよい。

上記一般式（１）において、環Ｙ^１及び環Ｙ^２としては、例えば、ベンゼン環、縮合多環式芳香族炭化水素環［例えば、縮合二環式炭化水素環（例えば、ナフタレン環等のＣ_８−２０縮合二環式炭化水素環、好ましくはＣ_{１０−１６}縮合二環式炭化水素環）、縮合三環式芳香族炭化水素環（例えば、アントラセン環、フェナントレン環等）等の縮合２乃至４環式芳香族炭化水素環］等が挙げられる。環Ｙ^１及び環Ｙ^２は、ベンゼン環又はナフタレン環であるのが好ましい。なお、環Ｙ^１及び環Ｙ^２は、同一でも異なっていてもよく、例えば、一方の環がベンゼン環、他方の環がナフタレン環等であってもよい。

上記一般式（１）において、Ｘ^１及びＸ^２は、独立に単結合又は−Ｓ−で示される基を示し、典型的には単結合である。

上記一般式（１）において、Ｒは単結合、置換基を有してもよいメチレン基、置換基を有してもよく、２個の炭素原子間にヘテロ原子を含んでもよいエチレン基、−Ｏ−で示される基、−ＮＨ−で示される基、又は−Ｓ−で示される基を示し、典型的には単結合である。ここで、置換基としては、例えば、シアノ基、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、１価炭化水素基［例えば、アルキル基（メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基等のＣ_１−６アルキル基）、アリール基（フェニル基等のＣ_６−１０アリール基）等］等が挙げられ、ヘテロ原子としては、例えば、酸素原子、窒素原子、イオウ原子、珪素原子等が挙げられる。

上記一般式（１）において、Ｒ^１ａ及びＲ^１ｂとしては、例えば、単結合；メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、プロピレン基、ブタン−１，２−ジイル基等の炭素数１〜４のアルキレン基が挙げられ、単結合；Ｃ_２−４アルキレン基（特に、エチレン基、プロピレン基等のＣ_２−３アルキレン基）が好ましく、単結合がより好ましい。なお、Ｒ^１ａとＲ^１ｂとが同一であってもよく、異なっていてもよい。

上記一般式（１）において、Ｒ^２ａ及びＲ^２ｂとしては、例えば、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等のＣ_１−１２アルキル基、好ましくはＣ_１−８アルキル基、より好ましくはＣ_１−６アルキル基等）、シクロアルキル基（シクロへキシル基等のＣ_５−１０シクロアルキル基、好ましくはＣ_５−８シクロアルキル基、より好ましくはＣ_５−６シクロアルキル基等）、アリール基（例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のＣ_６−１４アリール基、好ましくはＣ_６−１０アリール基、より好ましくはＣ_６−８アリール基等）、アラルキル基（ベンジル基、フェネチル基等のＣ_６−１０アリール−Ｃ_１−４アルキル基等）等の１価炭化水素基；水酸基；アルコキシ基（メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等のＣ_１−１２アルコキシ基、好ましくはＣ_１−８アルコキシ基、より好ましくはＣ_１−６アルコキシ基等）、シクロアルコキシ基（シクロへキシルオキシ基等のＣ_５−１０シクロアルコキシ基等）、アリールオキシ基（フェノキシ基等のＣ_６−１０アリールオキシ基）、アラルキルオキシ基（例えば、ベンジルオキシ基等のＣ_６−１０アリール−Ｃ_１−４アルキルオキシ基）等の−ＯＲ^４ａで示される基［式中、Ｒ^４ａは１価炭化水素基（上記例示の１価炭化水素基等）を示す。］；アルキルチオ基（メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基等のＣ_１−１２アルキルチオ基、好ましくはＣ_１−８アルキルチオ基、より好ましくはＣ_１−６アルキルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（シクロへキシルチオ基等のＣ_５−１０シクロアルキルチオ基等）、アリールチオ基（フェニルチオ基等のＣ_６−１０アリールチオ基）、アラルキルチオ基（例えば、ベンジルチオ基等のＣ_６−１０アリール−Ｃ_１−４アルキルチオ基）等の−ＳＲ^４ｂで示される基［式中、Ｒ^４ｂは１価炭化水素基（前記例示の１価炭化水素基等）を示す。］；アシル基（アセチル基等のＣ_１−６アシル基等）；アルコキシカルボニル基（メトキシカルボニル基等のＣ_１−４アルコキシ−カルボニル基等）；ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）；ニトロ基；シアノ基；メルカプト基；カルボキシル基；アミノ基；カルバモイル基；アルキルアミノ基（メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基、ブチルアミノ基等のＣ_１−１２アルキルアミノ基、好ましくはＣ_１−８アルキルアミノ基、より好ましくはＣ_１−６アルキルアミノ基等）、シクロアルキルアミノ基（シクロへキシルアミノ基等のＣ_５−１０シクロアルキルアミノ基等）、アリールアミノ基（フェニルアミノ基等のＣ_６−１０アリールアミノ基）、アラルキルアミノ基（例えば、ベンジルアミノ基等のＣ_６−１０アリール−Ｃ_１−４アルキルアミノ基）等の−ＮＨＲ^４ｃで示される基［式中、Ｒ^４ｃは１価炭化水素基（前記例示の１価炭化水素基等）を示す。］；ジアルキルアミノ基（ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基等のジ（Ｃ_１−１２アルキル）アミノ基、好ましくはジ（Ｃ_１−８アルキル）アミノ基、より好ましくはジ（Ｃ_１−６アルキル）アミノ基等）、ジシクロアルキルアミノ基（ジシクロへキシルアミノ基等のジ（Ｃ_５−１０シクロアルキル）アミノ基等）、ジアリールアミノ基（ジフェニルアミノ基等のジ（Ｃ_６−１０アリール）アミノ基）、ジアラルキルアミノ基（例えば、ジベンジルアミノ基等のジ（Ｃ_６−１０アリール−Ｃ_１−４アルキル）アミノ基）等の−Ｎ（Ｒ^４ｄ）_２で示される基［式中、Ｒ^４ｄは独立に１価炭化水素基（前記例示の１価炭化水素基等）を示す。］；（メタ）アクリロイルオキシ基；スルホ基；上記の１価炭化水素基、−ＯＲ^４ａで示される基、−ＳＲ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、−ＮＨＲ^４ｃで示される基、もしくは−Ｎ（Ｒ^４ｄ）_２で示される基に含まれる炭素原子に結合した水素原子の少なくとも一部が上記の１価炭化水素基、水酸基、−ＯＲ^４ａで示される基、−ＳＲ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、カルボキシル基、アミノ基、カルバモイル基、−ＮＨＲ^４ｃで示される基、−Ｎ（Ｒ^４ｄ）_２で示される基、（メタ）アクリロイルオキシ基、メシルオキシ基、もしくはスルホ基で置換された基［例えば、アルコキシアリール基（例えば、メトキシフェニル基等のＣ_１−４アルコキシＣ_６−１０アリール基）、アルコキシカルボニルアリール基（例えば、メトキシカルボニルフェニル基、エトキシカルボニルフェニル基等のＣ_１−４アルコキシ−カルボニルＣ_６−１０アリール基等）］等が挙げられる。

これらのうち、代表的には、Ｒ^２ａ及びＲ^２ｂは、１価炭化水素基、−ＯＲ^４ａで示される基、−ＳＲ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、−ＮＨＲ^４ｃで示される基、−Ｎ（Ｒ^４ｄ）_２で示される基等であってもよい。

好ましいＲ^２ａ及びＲ^２ｂとしては、１価炭化水素基［例えば、アルキル基（例えば、Ｃ_１−６アルキル基）、シクロアルキル基（例えば、Ｃ_５−８シクロアルキル基）、アリール基（例えば、Ｃ_６−１０アリール基）、アラルキル基（例えば、Ｃ_６−８アリール−Ｃ_１−２アルキル基）等］、アルコキシ基（Ｃ_１−４アルコキシ基等）等が挙げられる。特に、Ｒ^２ａ及びＲ^２ｂは、アルキル基［Ｃ_１−４アルキル基（特にメチル基）等］、アリール基［例えば、Ｃ_６−１０アリール基（特にフェニル基）等］等の１価炭化水素基（特に、アルキル基）であるのが好ましい。

なお、ｍ１が２以上の整数である場合、Ｒ^２ａは互いに異なっていてもよく、同一であってもよい。また、ｍ２が２以上の整数である場合、Ｒ^２ｂは互いに異なっていてもよく、同一であってもよい。更に、Ｒ^２ａとＲ^２ｂとが同一であってもよく、異なっていてもよい。

上記一般式（１）において、Ｒ^２ａの数ｍ１は、環Ｚ^１の種類に応じて選択でき、例えば、０〜４、好ましくは０〜３、より好ましくは０〜２であってもよい。また、上記一般式（１）において、基Ｒ^２ｂの数ｍ２は、環Ｚ^２の種類に応じて選択でき、例えば、０〜４、好ましくは０〜３、より好ましくは０〜２であってもよい。なお、ｍ１及びｍ２は、同一でも異なっていてもよい。

上記一般式（１）において、Ｒ^３ａ及びＲ^３ｂとしては、通常、非反応性置換基、例えば、シアノ基、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、１価炭化水素基［例えば、アルキル基、アリール基（フェニル基等のＣ_６−１０アリール基）等］等が挙げられ、シアノ基又はアルキル基であることが好ましく、アルキル基であることが特に好ましい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基等のＣ_１−６アルキル基（例えば、Ｃ_１−４アルキル基、特にメチル基）等が例示できる。なお、ｎ１が２以上の整数である場合、Ｒ^３ａは互いに異なっていてもよく、同一であってもよい。また、ｎ２が２以上の整数である場合、Ｒ^３ｂは互いに異なっていてもよく、同一であってもよい。更に、Ｒ^３ａとＲ^３ｂとが同一であってもよく、異なっていてもよい。また、環Ｙ^１及び環Ｙ^２に対するＲ^３ａ及びＲ^３ｂの結合位置（置換位置）は、特に限定されない。好ましい置換数ｎ１及びｎ２は、０又は１、特に０である。なお、ｎ１及びｎ２は、互いに同一でも異なっていてもよい。

上記一般式（１）において、＊は結合手を示す。この結合手を介して、上記一般式（１）で表される構造単位に結合する基としては、例えば、−ＣＨ_２−で示される基、−ＣＨ（ＣＨ_３）−で示される基、−Ｏ−で示される基が挙げられる。

上記一般式（１）で表される構造単位を含む化合物において、上記構造単位の個数は、１個でも２個以上でもよい。上記構造単位の個数が２個以上である場合、上記構造単位の少なくとも一部は繰り返し単位を形成していてもよい。繰り返し単位を形成する上記構造単位は、単独で繰り返し単位を形成してもよいし、他の構造単位とともに繰り返し単位を形成してもよい。即ち、上記構造単位を含む化合物において、上記構造単位そのものが複数個繰り返されていてもよいし、上記構造単位と他の構造単位との組み合わせが複数個繰り返されていてもよい。

上記一般式（１）で表される構造単位を含む化合物としては、例えば、上記一般式（１）で表される構造単位を含む重合体が挙げられる。この重合体は、構造単位として、上記一般式（１）で表される構造単位のみを含んでいてもよいし、更に他の構造単位を含んでいてもよい。得られる硬化膜の屈折率、光透過率、耐熱性等の観点から、上記重合体において、上記一般式（１）で表される構造単位の含有量は、上記重合体中の全構造単位に対し、３０〜１００モル％であることが好ましく、５０〜１００モル％であることがより好ましい。

上記一般式（１）で表される構造単位は、後述の一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物に由来し、このビニルエーテル化合物は、カチオン重合性モノマーとして機能する。よって、上記一般式（１）で表される構造単位と他の構造単位とを含む重合体としては、例えば、上記ビニルエーテル化合物と他のカチオン重合性モノマーとの共重合体が挙げられる。

他のカチオン重合性モノマーとしては、光酸発生剤の存在下で光照射されることで重合反応や架橋反応を起こす有機化合物であれば特に限定されず、例えば、エポキシ化合物、オキセタン化合物、オキソラン化合物、環状アセタール化合物、環状ラクトン化合物、チイラン化合物、チエタン化合物、上記ビニルエーテル化合物以外のビニルエーテル化合物、エポキシ化合物とラクトンとの反応生成物であるスピロオルソエステル化合物、エチレン性不飽和化合物、環状エーテル化合物、環状チオエーテル化合物、及びビニル化合物等が挙げられる。他のカチオン重合性モノマーは、単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。

また、上記一般式（１）で表される構造単位と他の構造単位とを含む重合体としては、例えば、下記一般式（２）で表される構造単位を含む重合体も挙げられる。

上記一般式（２）において、環Ｚ^１、環Ｚ^２、環Ｙ^１、環Ｙ^２、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｒ、Ｒ^１ａ、Ｒ^１ｂ、Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂ、Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂ、ｍ１、ｍ２、ｎ１、ｎ２、及び＊は上記の通りであり、Ｒ^５は有機基を示す。

上記一般式（２）において、Ｒ^５としては、例えば、２価炭化水素基、２価複素環式基、及びこれらが互いに結合して形成される基、並びにこれらの基のいずれかとカルボニル基とが互いに結合して形成される基が挙げられ、２価炭化水素基及び２価炭化水素基とカルボニル基とが互いに結合して形成される基（例えば、カルボニル基と２価炭化水素基とカルボニル基とがこの順番で結合して形成される基）が好ましい。２価炭化水素基及び２価複素環式基は、置換基を有してもよい。Ｒ^５は、環状構造を有することが好ましい。

２価炭化水素基としては、例えば、２価脂肪族炭化水素基、２価脂環式炭化水素基、２価芳香族炭化水素基、及びこれらが２個以上結合して形成される基が挙げられる。

２価脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基、ｓ−ブチレン基、ｔ−ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、デシレン基、ドデシレン基等の炭素数１〜２０、好ましくは１〜１０、更に好ましくは１〜３のアルキレン基；ビニレン基、プロペニレン基、１−ブテニレン基等の炭素数２〜２０、好ましくは２〜１０、更に好ましくは２〜３のアルケニレン基；エチニレン基、プロピニレン基等の炭素数２〜２０、好ましくは２〜１０、更に好ましくは２〜３のアルキニレン基等が挙げられる。

２価脂環式炭化水素基としては、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロオクチレン基等の炭素数３〜２０、好ましくは３〜１５、更に好ましくは５〜８のシクロアルキレン基；シクロペンテニレン基、シクロへキセニレン基等の炭素数３〜２０、好ましくは３〜１５、更に好ましくは５〜８のシクロアルケニレン基；パーヒドロナフチレン基、ノルボルニレン基、アダマンチレン基、テトラシクロ［４．４．０．１^２，５．１^７，１０］ドデシレン基等の炭素数４〜２０、好ましくは６〜１６、更に好ましくは７〜１２の２価の橋かけ環式炭化水素基等が挙げられる。

２価芳香族炭化水素基としては、フェニレン基、ナフチレン基、フルオレニレン基等の炭素数６〜２０、好ましくは６〜１３のアリーレン基が挙げられる。

２価脂肪族炭化水素基と２価脂環式炭化水素基とが結合して形成される基としては、例えば、シクロペンチレンメチレン基、シクロヘキシレンメチレン基、シクロヘキシレンエチレン基等のシクロアルキレン−アルキレン基（例えば、Ｃ_３−２０シクロアルキレン−Ｃ_１−４アルキレン基等）等が挙げられる。

２価脂肪族炭化水素基と２価芳香族炭化水素基とが結合して形成される基としては、例えば、アリーレン−アルキレン基（例えば、Ｃ_６−２０アリーレン−Ｃ_１−４アルキレン基等）、アリーレン−アルキレン−アリーレン基（例えば、Ｃ_６−２０アリーレン−Ｃ_１−４アルキレン基−Ｃ_６−２０アリーレン基等）等が挙げられる。

２個以上の２価芳香族炭化水素基同士が結合して形成される基としては、例えば、アリーレン−アリーレン基（例えば、Ｃ_６−２０アリーレン−Ｃ_６−２０アリーレン基等）、アリーレン−アリーレン−アリーレン基（例えば、Ｃ_６−１０アリーレン−Ｃ_６−１３アリーレン−Ｃ_６−１０アリーレン基等）等が挙げられる。

これらの２価炭化水素基の中でも、環状構造を有するものが好ましく、Ｃ_６−１０アリーレン−Ｃ_６−１３アリーレン基−Ｃ_６−１０アリーレン基、Ｃ_６−２０アリーレン−Ｃ_１−４アルキレン基−Ｃ_６−２０アリーレン基、炭素数７〜１２の２価の橋かけ環式炭化水素基が特に好ましい。

上記２価炭化水素基は、種々の置換基、例えば、ハロゲン原子、オキソ基、水酸基、置換オキシ基（例えば、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アシルオキシ基等）、カルボキシル基、置換オキシカルボニル基（アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基等）、置換又は無置換カルバモイル基、シアノ基、ニトロ基、置換又は無置換アミノ基、スルホ基、複素環式基等を有していてもよい。上記の水酸基及びカルボキシル基は、有機合成の分野で慣用の保護基で保護されていてもよい。また、２価脂環式炭化水素基及び２価芳香族炭化水素基の環には、芳香族性又は非芳香属性の複素環が縮合していてもよい。

２価複素環式基は、複素環式化合物から水素原子を２個除いて形成される基である。複素環式化合物は、芳香族複素環式化合物であっても非芳香族複素環式化合物であってもよい。このような複素環式化合物としては、例えば、ヘテロ原子として酸素原子を含む複素環式化合物（例えば、オキシラン等の３員環の複素環式化合物、オキセタン等の４員環の複素環式化合物、フラン、テトラヒドロフラン、オキサゾール、γ−ブチロラクトン等の５員環の複素環式化合物、４−オキソ−４Ｈ−ピラン、テトラヒドロピラン、モルホリン等の６員環の複素環式化合物、ベンゾフラン、４−オキソ−４Ｈ−クロメン、クロマン等の、縮合環を有する複素環式化合物、３−オキサトリシクロ［４．３．１．１^４，８］ウンデカン−２−オン、３−オキサトリシクロ［４．２．１．０^４，８］ノナン−２−オン等の、橋かけ環を有する複素環式化合物等）、ヘテロ原子としてイオウ原子を含む複素環式化合物（例えば、チオフェン、チアゾール、チアジアゾール等の５員環の複素環式化合物、４−オキソ−４Ｈ−チオピラン等の６員環の複素環式化合物、ベンゾチオフェン等の、縮合環を有する複素環式化合物等）、ヘテロ原子として窒素原子を含む複素環式化合物（例えば、ピロール、ピロリジン、ピラゾール、イミダゾール、トリアゾール等の５員環の複素環式化合物、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、ピペリジン、ピペラジン等の６員環の複素環式化合物、インドール、インドリン、キノリン、アクリジン、ナフチリジン、キナゾリン、プリン等の、縮合環を有する複素環式化合物等）等が挙げられる。上記２価複素環式基は、上記２価炭化水素基が有していてもよい置換基の他、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基等のＣ_１−４アルキル基等）、シクロアルキル基、アリール基（例えば、フェニル基、ナフチル基等のＣ_６−１０アリール基等）等の置換基を有していてもよい。

上記一般式（１）で表される構造単位を含む重合体の質量平均分子量は、特に限定されないが、３００，０００以下であることが好ましく、２，０００〜１００，０００であることがより好ましい。なお、本明細書において、質量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）により測定された標準ポリスチレン換算のものをいう。

上記一般式（１）で表される構造単位を含む重合体の具体例としては、下記一般式で表される重合体が挙げられる。

上記式中、環Ｚ^１、環Ｚ^２、環Ｙ^１、環Ｙ^２、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｒ、Ｒ^１ａ、Ｒ^１ｂ、Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂ、Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂ、Ｒ^５、ｍ１、ｍ２、ｎ１、ｎ２、及び＊は上記の通りであり、ｉ及びｊは２〜６００の整数を表す。

また、上記一般式（１）で表される構造単位を含む化合物としては、例えば、下記一般式（３）で表される化合物も挙げられる。

上記一般式（３）において、環Ｚ^１、環Ｚ^２、環Ｙ^１、環Ｙ^２、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｒ、Ｒ^１ａ、Ｒ^１ｂ、Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂ、Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂ、ｍ１、ｍ２、ｎ１、及びｎ２は上記の通りであり、Ｒ^６ａ及びＲ^６ｂは独立に有機基を示す。

上記一般式（３）において、Ｒ^６ａ及びＲ^６ｂとしては、例えば、１価炭化水素基、１価複素環式基、及びこれらが互いに結合して形成される基、並びにこれらの基のいずれかとカルボニル基とが互いに結合して形成される基が挙げられ、１価炭化水素基及び１価炭化水素基とカルボニル基とが互いに結合して形成される基が好ましい。１価炭化水素基及び１価複素環式基は、置換基を有してもよい。Ｒ^６ａ及びＲ^６ｂは、環状構造を有することが好ましい。

１価炭化水素基としては、例えば、１価脂肪族炭化水素基、１価脂環式炭化水素基、１価芳香族炭化水素基、及びこれらが２個以上結合して形成される基が挙げられる。

１価脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、デシル基、ドデシル基等の炭素数１〜２０、好ましくは１〜１０、更に好ましくは１〜３のアルキル基；ビニル基、アリル基、１−ブテニル基等の炭素数２〜２０、好ましくは２〜１０、更に好ましくは２〜３のアルケニル基；エチニル基、プロピニル基等の炭素数２〜２０、好ましくは２〜１０、更に好ましくは２〜３のアルキニル基等が挙げられる。

１価脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基等の炭素数３〜２０、好ましくは３〜１５、更に好ましくは５〜８のシクロアルキル基；シクロペンテニル基、シクロへキセニル基等の炭素数３〜２０、好ましくは３〜１５、更に好ましくは５〜８のシクロアルケニル基；パーヒドロナフタレン−１−イル基、ノルボルニル、アダマンチル、テトラシクロ［４．４．０．１^２，５．１^７，１０］ドデカン−３−イル基等の炭素数４〜２０、好ましくは６〜１６、更に好ましくは７〜１２の１価の橋かけ環式炭化水素基等が挙げられる。

１価芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基等の炭素数６〜２０、好ましくは６〜１３のアリール基が挙げられる。

１価脂肪族炭化水素基と１価脂環式炭化水素基とが結合して形成される基としては、例えば、シクロペンチルメチル基、シクロヘキシルメチル基、２−シクロヘキシルエチル基等のシクロアルキル−アルキル基（例えば、Ｃ_３−２０シクロアルキル−Ｃ_１−４アルキル基等）等が挙げられる。

１価脂肪族炭化水素基と１価芳香族炭化水素基とが結合して形成される基としては、例えば、アラルキル基（例えば、Ｃ_７−１８アラルキル基等）、アルキル−アリール基（例えば、Ｃ_１−４アルキル−Ｃ_６−２０アリール基、より具体的には、１〜４個のＣ_１−４アルキル基が置換したフェニル基又はナフチル基等）、アリール−アルキル−アリール基（例えば、Ｃ_６−２０アリール−Ｃ_１−４アルキル基−Ｃ_６−２０アリール基等）等が挙げられる。

２個以上の１価芳香族炭化水素基同士が結合して形成される基としては、例えば、アリール−アリール基（例えば、Ｃ_６−２０アリール−Ｃ_６−２０アリール基等）、アリール−アリール−アリール基（例えば、Ｃ_６−１０アリール−Ｃ_６−１３アリール−Ｃ_６−１０アリール基等）等が挙げられる。

これらの１価炭化水素基の中でも、環状構造を有するものが好ましく、Ｃ_６−１０アリール−Ｃ_６−１３アリール−Ｃ_６−１０アリール基、Ｃ_６−２０アリール−Ｃ_１−４アルキル基−Ｃ_６−２０アリール基、炭素数７〜１２の１価の橋かけ環式炭化水素基が特に好ましい。

上記１価炭化水素基は、種々の置換基を有していてもよい。置換基の具体例としては、上記２価炭化水素基が有していてもよい置換基として例示したものが挙げられる。また、１価脂環式炭化水素基及び１価芳香族炭化水素基の環には、芳香族性又は非芳香属性の複素環が縮合していてもよい。

１価複素環式基は、複素環式化合物から水素原子を１個除いて形成される基である。複素環式化合物は、芳香族複素環式化合物であっても非芳香族複素環式化合物であってもよい。このような複素環としては、例えば、上記２価複素環式基の説明中で例示したものが挙げられる。上記１価複素環式基は、上記１価炭化水素基が有していてもよい置換基の他、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基等のＣ_１−４アルキル基等）、シクロアルキル基、アリール基（例えば、フェニル基、ナフチル基等のＣ_６−１０アリール基等）等の置換基を有していてもよい。

＜一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物を含む精製物の調製方法＞
上記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物を含む精製物は、上記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物を含む粗生成物から上記一般式（１０）で表されるヒドロキシエチルオキシ基含有化合物を除去することを含む調製方法により、得られる。上記粗生成物から上記ヒドロキシエチルオキシ基含有化合物を除去する方法としては、特に限定されず、例えば、シリカゲルカラムクロマトグラフィー等の公知の方法が挙げられる。

上記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物を含む粗生成物は、例えば、後述する製造方法１〜３のいずれかにより合成することができる。上記粗生成物を合成する際、上記一般式（４）で表される目的のビニルエーテル化合物以外に、不純物として、上記一般式（１０）で表されるヒドロキシエチルオキシ基含有化合物が生成する。このヒドロキシエチルオキシ基含有化合物からは、更に、このヒドロキシエチルオキシ基含有化合物中のヒドロキシエチルオキシ基に含まれる水酸基の水素原子がビニル基で置換された化合物や、上記ヒドロキシエチルオキシ基含有化合物と上記ビニルエーテル化合物との反応生成物等が不純物として生成する。これらの不純物の生成により、上記粗生成物における上記ビニルエーテル化合物の純度は低下し、上記粗生成物に含まれる上記ビニルエーテル化合物と、ビニロキシ基と反応する基を含有する化合物とを反応させることにより得られる化合物を用いて成膜することにより得られる被膜の耐熱性は低下しやすくなる。

上記の調製方法により、上記粗生成物から上記一般式（１０）で表されるヒドロキシエチルオキシ基含有化合物やその他の不純物を除去することができるとともに、このヒドロキシエチルオキシ基含有化合物から新たに他の不純物が生成することを抑制することもできる。このように、上記粗生成物から上記ヒドロキシエチルオキシ基含有化合物を除去することにより得られた精製物においては、目的とする上記ビニルエーテル化合物の純度が向上しており、この精製物に含まれる上記ビニルエーテル化合物と、ビニロキシ基と反応する基を含有する化合物とを反応させることにより得られる化合物を用いて成膜することにより得られる被膜の耐熱性は向上しやすくなる。

例えば、上記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物が下記の化合物１である場合、下記の不純物１が上記一般式（１０）で表されるヒドロキシエチルオキシ基含有化合物に該当する。そして、不純物１から更に下記の不純物２や不純物３等が生成する。上記の調製方法により、不純物１及びその他の不純物が除去され、それに伴い、不純物２及び３等の新たな生成が抑制され、化合物１の純度が向上した精製物を得ることができる。

上記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物を含む粗生成物から上記一般式（１０）で表されるヒドロキシエチルオキシ基含有化合物を除去することにより得られた精製物において、このヒドロキシエチルオキシ基含有化合物の量は、上記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物に対して１．５質量％以下であることが好ましく、１．０質量％以下であることがより好ましく、０．７質量％以下であることが更により好ましい。

［一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物］

上記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物は、優れた光学的特性及び熱的特性を保持しつつ、ビニロキシ基を有するため、高い反応性を有する。特に、環Ｙ^１及び環Ｙ^２がベンゼン環であり、Ｒが単結合である場合、上記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物は、フルオレン骨格を有し、光学的特性及び熱的特性に更に優れる。このような上記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物は、カチオン重合することができるため、カチオン重合性モノマーとして機能する。

上述の通り、環Ｙ^１及び環Ｙ^２がベンゼン環であり、Ｒが単結合である場合、上記一般式（４）で表される化合物は、フルオレン骨格を有し、光透過率、屈折率等の光学的特性及び熱的特性に更に優れるため好ましい。また、上記一般式（４）で表される化合物において、Ｘ^１及びＸ^２がいずれも単結合であり、Ｒ^１ａ及びＲ^１ｂがいずれも単結合である場合には、光透過率、屈折率等の光学特性がより優れる傾向がある。特に、Ｒ^１ａ及びＲ^１ｂがいずれも単結合である場合には光学的特性及び熱的特性が格段に向上する傾向があり好ましい。

上記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物のうち、好ましい具体例としては、下記式で表される化合物が挙げられ、特に好ましい化合物は、下記式で表される化合物のうち、最初の２種の化合物である。

［一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物を含む粗生成物の製造方法］
（製造方法１）
上記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物は、例えば、特開２００８−２６６１６９号公報に記載の製造方法に従い、遷移元素化合物触媒及び無機塩基の存在下、下記一般式（５）で表されるビニルエステル化合物と、下記一般式（６）で表される水酸基含有化合物とを反応させることにより、合成することが可能である。上記無機塩基は、粒子径１５０μｍ未満の粒子を１０重量％以上含有する固体の無機塩基であることが好ましい。

Ｒ^７−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ＝ＣＨ_２（５）
（式中、Ｒ^７は、水素原子又は有機基を示す。）

なお、上記一般式（６）で表される化合物の製造方法は、以下の通りである。
上記一般式（６）で表される化合物のうち、Ｘ^１及びＸ^２が単結合であるものは、例えば、酸触媒の存在下、下記一般式（７−１）で表される化合物と、下記一般式（８−１）で表される化合物と、下記一般式（９）で表される化合物とを反応させることにより、合成することができる。
上記一般式（６）で表される化合物のうち、Ｘ^１が単結合であり、Ｘ^２が−Ｓ−で示される基であるものは、例えば、酸触媒の存在下、下記一般式（７−１）で表される化合物と、下記一般式（８−２）で表される化合物と、下記一般式（９）で表される化合物とを反応させることにより、合成することができる。
上記一般式（６）で表される化合物のうち、Ｘ^１が−Ｓ−で示される基であり、Ｘ^２が単結合であるものは、例えば、酸触媒の存在下、下記一般式（７−２）で表される化合物と、下記一般式（８−１）で表される化合物と、下記一般式（９）で表される化合物とを反応させることにより、合成することができる。
上記一般式（６）で表される化合物のうち、Ｘ^１及びＸ^２が−Ｓ−で示される基であるものは、例えば、酸触媒の存在下、下記一般式（７−２）で表される化合物と、下記一般式（８−２）で表される化合物と、下記一般式（９）で表される化合物とを反応させることにより、合成することができる。
反応後に、例えば、シリカゲルカラムクロマトグラフィー等の公知の分離方法により、目的とする水酸基含有化合物を分離してもよい。

（上記一般式（７−１）、（７−２）、（８−１）、（８−２）、及び（９）中、環Ｚ^１、環Ｚ^２、環Ｙ^１、環Ｙ^２、Ｒ、Ｒ^１ａ、Ｒ^１ｂ、Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂ、Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂ、ｍ１、ｍ２、ｎ１、及びｎ２は上記の通りである。）

上記一般式（６）で表される化合物の合成に用いられる酸触媒、反応条件等としては、例えば、特許文献１又は特開２００２−２５５９２９号公報において、特許請求の範囲に記載されたフルオレン系化合物の製造方法に用いることができると記載されているものが挙げられる。

（製造方法２）
上記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物を含む粗生成物は、例えば、上記一般式（６）で表される水酸基含有化合物から、下記一般式（１１）で表される脱離基含有化合物を経由して、上記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物を含む粗生成物を得ることを含む製造方法により、合成することも可能である。

（式中、Ｅは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、メタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、パラトルエンスルホニルオキシ基、又はベンゼンスルホニルオキシ基で置換された炭素数１〜４のアルキルオキシ基を示し、環Ｚ^１、環Ｚ^２、環Ｙ^１、環Ｙ^２、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｒ、Ｒ^１ａ、Ｒ^１ｂ、Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂ、Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂ、ｍ１、ｍ２、ｎ１、及びｎ２は上記の通りである。）

上記一般式（１１）で表される脱離基含有化合物は、例えば、上記一般式（６）で表される水酸基含有化合物と脱離基含有化合物とを反応させることにより、合成することができる。脱離基含有化合物としては、例えば、塩化チオニル、下記式で表される化合物等が挙げられる。また、反応温度としては、例えば、−２０〜１５０℃、好ましくは−１０〜１４０℃、より好ましくは３０〜１３０℃が挙げられる。

上記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物は、例えば、上記一般式（１１）で表される脱離基含有化合物とビニル化剤とを反応させることにより、合成することができる。ビニル化剤としては、例えば、水酸化ナトリウム、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン、ジアザビシクロウンデセン、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウム−ｔ−ブトキシド等が挙げられ、好ましくはジアザビシクロウンデセン、ナトリウムエトキシド、カリウム−ｔ−ブトキシド等が挙げられ、より好ましくはカリウム−ｔ−ブトキシドが挙げられる。また、反応温度としては、例えば、−２０〜１５０℃、好ましくは−１０〜１００℃、より好ましくは０〜６０℃が挙げられる。

（製造方法３）
上記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物は、例えば、下記一般式（１２）で表されるヒドロキシアルキルオキシ基含有化合物から、上記一般式（１１）で表される脱離基含有化合物を経由して、上記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物を含む粗生成物を得ることを含む製造方法により、合成することも可能である。

（式中、ｌ１及びｌ２は独立に１〜４の整数を示し、環Ｚ^１、環Ｚ^２、環Ｙ^１、環Ｙ^２、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｒ、Ｒ^１ａ、Ｒ^１ｂ、Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂ、Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂ、ｍ１、ｍ２、ｎ１、及びｎ２は上記の通りである。）

上記一般式（１２）で表されるヒドロキシアルキルオキシ基含有化合物の製造方法は、以下の通りである。
上記一般式（１２）で表される化合物のうち、Ｘ^１及びＸ^２が単結合であるものは、例えば、酸触媒の存在下、下記一般式（１３−１）で表される化合物と、下記一般式（１４−１）で表される化合物と、上記一般式（９）で表される化合物とを反応させることにより、合成することができる。
上記一般式（１２）で表される化合物のうち、Ｘ^１が単結合であり、Ｘ^２が−Ｓ−で示される基であるものは、例えば、酸触媒の存在下、下記一般式（１３−１）で表される化合物と、下記一般式（１４−２）で表される化合物と、上記一般式（９）で表される化合物とを反応させることにより、合成することができる。
上記一般式（１２）で表される化合物のうち、Ｘ^１が−Ｓ−で示される基であり、Ｘ^２が単結合であるものは、例えば、酸触媒の存在下、下記一般式（１３−２）で表される化合物と、下記一般式（１４−１）で表される化合物と、上記一般式（９）で表される化合物とを反応させることにより、合成することができる。
上記一般式（１２）で表される化合物のうち、Ｘ^１及びＸ^２が−Ｓ−で示される基であるものは、例えば、酸触媒の存在下、下記一般式（１３−２）で表される化合物と、下記一般式（１４−２）で表される化合物と、上記一般式（９）で表される化合物とを反応させることにより、合成することができる。
反応後に、例えば、シリカゲルカラムクロマトグラフィー等の公知の分離方法により、目的とするヒドロキシアルキルオキシ基含有化合物を分離してもよい。上記一般式（１２）で表される化合物の合成に用いられる酸触媒、反応条件等としては、例えば、上記一般式（６）で表される化合物の合成方法の説明中で例示したものが挙げられる。

（上記一般式（１３−１）、（１３−２）、（１４−１）、及び（１４−２）中、環Ｚ^１、環Ｚ^２、Ｒ^１ａ、Ｒ^１ｂ、Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂ、ｌ１、ｌ２、ｍ１、及びｍ２は上記の通りである。）

上記一般式（１１）で表される脱離基含有化合物は、例えば、上記一般式（１２）で表されるヒドロキシアルキルオキシ基含有化合物と脱離基含有化合物とを反応させることにより、合成することができる。脱離基含有化合物及び反応温度としては、例えば、上記製造方法２について例示したものが挙げられる。

上記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物は、例えば、上記一般式（１１）で表される脱離基含有化合物とビニル化剤とを反応させることにより、合成することができる。ビニル化剤及び反応温度としては、例えば、上記製造方法２について例示したものが挙げられる。

＜一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物と、ビニロキシ基と反応する基を含有する化合物との反応＞
上記の調製方法により得られた精製物に含まれる、上記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物と、ビニロキシ基と反応する基を含有する化合物とを反応させることにより、上記一般式（１）で表される構造単位を含む化合物が得られる。ビニロキシ基と反応する基としては、例えば、水酸基、エポキシ基、カルボキシル基、ビニロキシ基等が挙げられる。ビニロキシ基と反応する基を含有する化合物としては、例えば、水酸基含有化合物、エポキシ基含有化合物、カルボキシル基含有化合物、ビニロキシ基含有化合物等が挙げられる。

［一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物と水酸基含有化合物、エポキシ基含有化合物、又はカルボキシル基含有化合物との反応］
上記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物と水酸基含有化合物、エポキシ基含有化合物、又はカルボキシル基含有化合物とを反応させることにより、上記一般式（２）で表される構造単位を含む重合体又は上記一般式（３）で表される化合物を得ることができる。上記ビニルエーテル化合物、水酸基含有化合物、エポキシ基含有化合物、及びカルボキシル基含有化合物の各々は、単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。

上記反応は溶液の状態で実施することが好ましい。上記反応に使用される溶剤としては、公知の溶剤が挙げられる。上記ビニルエーテル化合物等の反応物や後述する触媒等との副反応を抑制するという観点からは、これらの物質に対して反応性を有しない溶剤を用いることが好ましい。具体的には、テトラヒドロフラン、シクロシクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、炭化水素系溶剤（例えば、ヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶剤、トルエン等の芳香族炭化水素系溶剤）等が挙げられる。溶剤は、単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。

上記反応において、反応速度を速くするために触媒を用いることが好ましい。触媒としては、通常、酸触媒が使用される。酸触媒としては、硫酸、塩酸、p−トルエンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸ピリジウム、三フッ化ホウ素等を挙げることができる。これらの中でも、特に、塩酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸ピリジウム等が好ましく用いられる。触媒の使用量は、上記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物に対して、好ましくは０．０１〜１０モル％であり、より好ましくは０．０５〜５モル％である。前処理工程で酸触媒を使用し、前処理後の液をそのまま上記反応に付する場合等には、改めて酸触媒を添加する必要はない。

上記反応の具体的な操作は、例えば、水酸基含有化合物、エポキシ基含有化合物、又はカルボキシル基含有化合物を含む溶液に、所定の反応温度において、上記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物及び必要に応じて触媒を添加することにより行うことができる。添加方法は、一括添加でもよいし、分割添加、更には連続滴下による添加でもよい。反応温度は、例えば、０〜１５０℃、好ましくは１０〜１００℃である。反応時間は、例えば、２０分〜１０時間、好ましくは３０分〜４時間である。

上記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物の使用量は、水酸基含有化合物、エポキシ基含有化合物、又はカルボキシル基含有化合物に対して、好ましくは０．０１〜１０００質量％であり、より好ましくは２００〜８００質量％である。上記使用量が０．０１質量％以上であると、上記反応が進行しやすく、反応生成物が重合体である場合には、高分子膜が得られやすい。また、上記使用量が２００質量％以上であると、水酸基含有化合物、エポキシ基含有化合物、及びカルボキシル基含有化合物の種類によらず、得られる化合物から高屈折率の硬化膜が得られやすい。一方、上記使用量が１０００質量％以下であると、分子量分散度が狭く面内均一な高屈折率硬化膜が得られやすいという点で好ましい。

［一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物とビニロキシ基含有化合物との反応］
上記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物とビニロキシ基含有化合物とを反応させることにより、上記一般式（１）で表される構造単位を含む化合物を得ることができる。特に、上記ビニロキシ基含有化合物が上記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物である場合には、上記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物同士を反応させることとなり、これにより、上記一般式（１）で表される構造単位を含む重合体を得ることができる。上記ビニルエーテル化合物及びビニロキシ基含有化合物の各々は、単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。

上記反応は、公知のカチオン重合により行われる。カチオン重合に用いられるカチオン重合開始剤としては、一般的に使用されるものでよく、例えば、四臭化スズ（ＳｎＢｒ_４）、三フッ化ホウ素（ＢＦ_３）等のルイス酸、硫酸等のプロトン酸が挙げられる。カチオン重合開始剤は、単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。カチオン重合開始剤の使用量は、上記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物に対して、好ましくは０．０１〜１０モル％、より好ましくは０．０５〜５モル％である。

上記反応は、通常、溶剤中で行われる。溶剤としては、例えば、ヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶剤、トルエン等の芳香族炭化水素系溶剤、塩化メチレン等が用いられるが、特に限定されるものではない。溶剤は、単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。

反応温度は、例えば、−１００〜３０℃、好ましくは−３０〜１０℃である。反応時間は、例えば、２０分〜１０時間、好ましくは３０分〜６時間である。

［水酸基含有化合物］
水酸基含有化合物は、上記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物と反応して、上記一般式（２）で表される構造単位を含む重合体又は上記一般式（３）で表される化合物を形成することができるものである限り、特に限定されないが、環状構造を有する有機基を含有するものであることが好ましい。

上記一般式（２）で表される構造単位を含む重合体を製造する場合、水酸基含有化合物としては、例えば、下記一般式で表されるものが挙げられる。
ＨＯ−Ｒ^８−ＯＨ
（式中、Ｒ^８は有機基を示す。）

Ｒ^８としては、例えば、Ｒ^５として例示したもののうち、２価炭化水素基、２価複素環式基、及びこれらが互いに結合して形成される基が挙げられる。

上記一般式（３）で表される化合物を製造する場合、水酸基含有化合物としては、例えば、下記一般式で表されるものが挙げられる。
Ｒ^９−ＯＨ
（式中、Ｒ^９は有機基を示す。）

Ｒ^９としては、例えば、Ｒ^６ａ又はＲ^６ｂとして例示したもののうち、１価炭化水素基、１価複素環式基、及びこれらが互いに結合して形成される基が挙げられる。

水酸基含有化合物の具体例としては、下記式で表される化合物が挙げられる。

［エポキシ基含有化合物］
エポキシ基含有化合物は、上記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物と反応して、上記一般式（２）で表される構造単位を含む重合体又は上記一般式（３）で表される化合物を形成することができるものである限り、特に限定されないが、上記ビニルエーテル化合物との反応に関与するオキシラン環以外に環状構造を有する有機基を含有するものであることが好ましい。

上記一般式（２）で表される構造単位を含む重合体を製造する場合、エポキシ基含有化合物としては、例えば、下記一般式で表されるものが挙げられる。

（式中、Ｒ^１０は有機基を示し、Ｒ^１１ａ及びＲ^１１ｂは独立に水素原子又は有機基を示す。）

Ｒ^１０としては、例えば、Ｒ^５として例示したもののうち、２価炭化水素基、２価複素環式基、及びこれらが互いに結合して形成される基が挙げられる。また、有機基を示すＲ^１１ａ及びＲ^１１ｂとしては、例えば、Ｒ^６ａ又はＲ^６ｂとして例示したもののうち、１価炭化水素基、１価複素環式基、及びこれらが互いに結合して形成される基が挙げられる。ただし、Ｒ^１０、Ｒ^１１ａ、及びＲ^１１ｂの少なくとも２個が互いに結合して環が形成されていてもよい。このようにして形成される環としては、脂環式炭化水素環、芳香族炭化水素環、複素環、並びにこれらが２個以上結合及び／又は縮合して形成される環が挙げられる。

上記一般式（３）で表される化合物を製造する場合、エポキシ基含有化合物としては、例えば、下記一般式で表されるものが挙げられる。

（式中、Ｒ^１２は有機基を示し、Ｒ^１３は水素原子又は有機基を示す。）

Ｒ^１２及び有機基を示すＲ^１３としては、例えば、Ｒ^６ａ又はＲ^６ｂとして例示したもののうち、１価炭化水素基、１価複素環式基、及びこれらが互いに結合して形成される基が挙げられる。ただし、Ｒ^１２とＲ^１３とが互いに結合して環が形成されていてもよい。このようにして形成される環としては、脂環式炭化水素環、芳香族炭化水素環、複素環、並びにこれらが２個以上結合及び／又は縮合して形成される環が挙げられる。

エポキシ基含有化合物の具体例としては、下記式で表される化合物が挙げられる。

［カルボキシル基含有化合物］
カルボキシル基含有化合物は、上記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物と反応して、上記一般式（２）で表される構造単位を含む重合体又は上記一般式（３）で表される化合物を形成することができるものである限り、特に限定されないが、環状構造を有する有機基を含有するものであることが好ましい。

上記一般式（２）で表される構造単位を含む重合体を製造する場合、カルボキシル基含有化合物としては、例えば、下記一般式で表されるものが挙げられる。
ＨＯ−ＣＯ−Ｒ^１４−ＣＯ−ＯＨ
（式中、Ｒ^１４は有機基を示す。）

Ｒ^１４としては、例えば、Ｒ^５として例示したもののうち、２価炭化水素基、２価複素環式基、及びこれらが互いに結合して形成される基が挙げられる。

上記一般式（３）で表される化合物を製造する場合、カルボキシル基含有化合物としては、例えば、下記一般式で表されるものが挙げられる。
Ｒ^１５−ＣＯ−ＯＨ
（式中、Ｒ^１５は有機基を示す。）

Ｒ^１５としては、例えば、Ｒ^６ａ又はＲ^６ｂとして例示したもののうち、１価炭化水素基、１価複素環式基、及びこれらが互いに結合して形成される基が挙げられる。

カルボキシル基含有化合物の具体例としては、下記式で表される化合物が挙げられる。

［ビニロキシ基含有化合物］
ビニロキシ基含有化合物は、上記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物と反応することができるものである限り、特に限定されないが、環状構造を有する有機基を含有するものであることが好ましい。ビニロキシ基含有化合物としては、例えば、下記一般式で表されるものが挙げられる。

（式中、Ｒ^１６は有機基を示す。）

Ｒ^１６としては、例えば、Ｒ^５として例示したもののうち、２価炭化水素基、２価複素環式基、及びこれらが互いに結合して形成される基が挙げられる。

上記一般式で表されるビニロキシ基含有化合物が上記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物である場合、上記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物と、上記一般式で表されるビニロキシ基含有化合物との反応は、上記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物同士の反応に該当し、この反応により、上記一般式（１）で表される構造単位を含む重合体を得ることができる。
一方、上記一般式で表されるビニロキシ基含有化合物が上記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物以外のビニロキシ基含有化合物である場合（即ち、上記一般式において、Ｒ^１６が後述のＲ^１７である場合）、上記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物と、上記一般式で表されるビニロキシ基含有化合物との反応により、下記一般式で表される構造単位を含む重合体を得ることができる。

（式中、環Ｚ^１、環Ｚ^２、環Ｙ^１、環Ｙ^２、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｒ、Ｒ^１ａ、Ｒ^１ｂ、Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂ、Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂ、ｍ１、ｍ２、ｎ１、ｎ２、及び＊は上記の通りであり、Ｒ^１７は有機基（但し、上記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物から２個のビニロキシ基を除いた残りの２価の有機基を除く。）を示す。）

また、ビニロキシ基含有化合物としては、例えば、下記一般式で表されるものも挙げられる。

（式中、Ｒ^１８は有機基を示す。）

Ｒ^１８としては、例えば、Ｒ^６ａ又はＲ^６ｂとして例示したもののうち、１価炭化水素基、１価複素環式基、及びこれらが互いに結合して形成される基が挙げられる。

上記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物と、上記一般式で表されるビニロキシ基含有化合物との反応により、下記一般式で表される化合物を得ることができる。

（式中、環Ｚ^１、環Ｚ^２、環Ｙ^１、環Ｙ^２、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｒ、Ｒ^１ａ、Ｒ^１ｂ、Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂ、Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂ、ｍ１、ｍ２、ｎ１、及びｎ２は上記の通りであり、Ｒ^１８ａ及びＲ^１８ｂは独立に有機基を示す。Ｒ^１８ａ及びＲ^１８ｂとしては、例えば、Ｒ^１８として例示したものが挙げられる。）

ビニロキシ基含有化合物の具体例としては、下記式で表される化合物が挙げられる。

≪組成物≫
上記一般式（１）で表される構造単位を含む化合物は、組成物中の基材成分として有用である。このような組成物としては、上記化合物と、溶剤とを少なくとも含有するものが例示される。
＜一般式（１）で表される構造単位を含む化合物＞
上記組成物において、上記一般式（１）で表される構造単位を含む化合物は、単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。上記化合物の含有量は、上記組成物の固形分に対して、１〜１００質量％が好ましく、１０〜１００質量％がより好ましい。

＜溶剤＞
溶剤としては、例えば、上記一般式（１）で表される構造単位を含む化合物を製造するのに用いられる溶剤が挙げられ、具体例としては、炭化水素系溶剤（例えば、ヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶剤、トルエン等の芳香族炭化水素系溶剤）、塩化メチレン、テトラヒドロフラン、シクロシクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等が挙げられる。溶剤は、単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。溶剤の含有量は、上記組成物の固形分濃度が１〜１００質量％となる量が好ましく、５〜５０質量％となる量がより好ましい。

＜光酸発生剤又は光塩基発生剤＞
上記組成物は、光酸発生剤又は光塩基発生剤を含有していてもよい。上記組成物が光酸発生剤又は光塩基発生剤を含有すると、上記組成物から得られる硬化膜は、屈折率がより高くなりやすい。光酸発生剤及び光塩基発生剤の各々は、単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。

光酸発生剤は、光の作用により酸を発生する化合物であれば特に限定されず、従来から種々の用途で使用されている光酸発生剤から適宜選択し得る。光酸発生剤としては、例えば、オニウム塩、ジアゾメタン誘導体、グリオキシム誘導体、ビススルホン誘導体、β−ケトスルホン誘導体、ジスルホン誘導体、ニトロベンジルスルホネート誘導体、スルホン酸エステル誘導体、Ｎ−ヒドロキシイミド化合物のスルホン酸エステル誘導体等の、公知の酸発生剤が挙げられる。光酸発生剤の市販品としては、例えば、ＣＰＩ−１００Ｐ、ＣＰＩ−１１０Ｐ、ＣＰＩ−１０１Ａ、ＣＰＩ−２００Ｋ、ＣＰＩ−２１０Ｓ（以上、商品名、サンアプロ（株）製）等が挙げられる。

光塩基発生剤は、光の作用により塩基を発生する化合物であれば特に限定されず、従来から種々の用途で使用されている光塩基発生剤から適宜選択し得る。光塩基発生剤としては、例えば、トリフェニルメタノール、ベンジルカルバメート、ベンゾインカルバメート等の光活性なカルバメート；Ｏ−カルバモイルヒドロキシルアミド、Ｏ−カルバモイルオキシム、アロマティックスルホンアミド、アルファーラクタム、Ｎ−（２−アリルエチニル）アミド等のアミド及びその他のアミド；オキシムエステル；α−アミノアセトフェノン；コバルト錯体；１−（アントラキノン−２−イル）エチルイミダゾールカルボキシレートが挙げられる。光塩基発生剤の市販品としては、例えば、ＷＰＢＧ−０１８、ＷＰＢＧ−０２７、ＷＰＢＧ−０８２、ＷＰＢＧ−１４０、ＷＰＢＧ−１６５、ＷＰＢＧ−１６６、ＷＰＢＧ−１６７、ＷＰＢＧ−１６８、ＷＰＢＧ−１７２（以上、商品名、和光純薬社製）等が挙げられる。

光酸発生剤及び光塩基発生剤の使用量は、所望の屈折率向上効果が得られる量であることが好ましく、得られる硬化膜の屈折率等に応じて適宜調整される。

＜その他の成分＞
上記組成物は、所望により、光重合開始剤、光重合性モノマー、酸架橋性物質、着色剤、分散剤、増感剤、その他の各種の添加剤等を含有していてもよい。

≪光学素子封止剤及び光学素子≫
上記組成物は、光学素子封止剤として有用である。この光学素子封止剤によって封止される光学素子としては、例えば、ＬＥＤ、半導体レーザー、フォトダイオード、フォトトランジスタ、太陽電池、ＣＣＤ等が挙げられる。このような光学素子は、上記光学素子封止剤を上記光学素子に塗布し、例えば、１２０〜３００℃、好ましくは１５０〜２５０℃で加熱して成膜することにより、封止することができる。加熱時間は、０．５分〜５時間程度、特に１分〜３時間程度でよいが、ＬＥＤ封止等において精度が要求される場合には、加熱時間を長めにすることが好ましい。上記の通りに成膜されることにより、上記組成物は、通常、無色透明かつ高屈折率（屈折率１．５４以上、特に１．６０〜１．８０）の膜を与える。

≪成形体≫
上記一般式（１）で表される構造単位を含む重合体からは、この重合体を成形してなる成形体が得られる。上記重合体としては、例えば、上記一般式（２）で表される構造単位を含む重合体が挙げられる。これらの重合体は、熱可塑性であり、加熱することで容易に溶融する。よって、上記成形体の成形方法としては、例えば、射出成形等が挙げられる。

以下、実施例を示して本発明を更に具体的に説明するが、本発明の範囲は、これらの実施例に限定されるものではない。

［合成例１］
２５ｍＬ反応器にエチレングリコール（１．００ｇ、０．０１６１ｍｏｌ）、トリエチルアミン（３．４２ｇ０．０３３８ｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（３．３８ｍＬ）を加え、窒素置換した後に、０℃まで冷却した。メタンスルホニルクロライド（３．８８ｇ，０．０３３８ｍｏｌ）を２時間かけて滴下し、１時間熟成後、水を加えて反応を停止した。ここに酢酸エチルを添加し、有機層を分離し、エバポレーターで溶媒を留去することによって、収率８０％で、エチレングリコールにメタンスルホニル基が付加した化合物（下記式で表される化合物。以下、「ＥＧ−ＤＭｓ」ともいう。）を得た。
（ＥＧ−ＤＭｓ）^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：３．１０（ｓ、６Ｈ）、４．４７（ｓ、４Ｈ）

［合成例２］
２５ｍＬ反応器に６，６−（９−フルオレニリデン）−２，２−ジナフトール（下記左側の式で表される化合物。１．００ｇ、０．００２２ｍｏｌ。以下、化合物２ともいう。）、炭酸カリウム（０．６４ｇ，０．００４７ｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（３．３８ｍＬ）を加え、窒素置換した。ここに、合成例１で合成したＥＧ−ＤＭｓ（１．０２ｇ，０．００４７ｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（１．１２ｍＬ）溶液を室温で添加後、６０℃まで昇温し、１５時間熟成した。反応液をＨＰＬＣで分析した結果、化合物２の転化率９９％、選択率６５％で化合物３（下記右側の式で表される化合物）が合成されたことを確認した。
（化合物３）^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：３．０８（ｓ、６Ｈ）、４．３２（ｔ、４Ｈ、Ｊ＝４．４Ｈｚ）、４．６０（ｔ、４Ｈ、Ｊ＝４．４Ｈｚ）、７．０５−７．８３（ｍ、２０Ｈ）

［合成例３］
化合物３（２．００ｇ、０．００２８８ｍｏｌ），ジプロピレングリコールジメチルエーテル（２．２５ｍＬ）を仕込んだ２５ｍＬ反応器に、カリウム−ｔ−ブトキシド（１．４５ｇ，０．０１３０ｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（２．２５ｍＬ）溶液を２０℃〜４０℃の範囲で滴下し、１００℃で２時間熟成した。反応液をＨＰＬＣで分析した結果、化合物３の転化率９９％にて、選択率５８％で９，９’−ビス（６−ビニルオキシ−２−ナフチル）フルオレン（下記左側の式で表される化合物。以下、化合物１ともいう。）が合成され、選択率３２％でモノビニルモノメシル体（下記右側の式で表される化合物。以下、化合物４ともいう。）が合成されたことを確認した。
（化合物１）^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：４．４８（ｄｄ、２Ｈ、Ｊ＝１．５Ｈｚ、６．５Ｈｚ）、４．８１（ｄｄ、２Ｈ、Ｊ＝１．５Ｈｚ、１３．５Ｈｚ）、６．７３（ｄｄ、２Ｈ、Ｊ＝６．５Ｈｚ、１３．５Ｈｚ）、７．１３−７．８３（ｍ、２０Ｈ）
（化合物４）^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：３．１０（ｓ、３Ｈ）、４．３４（ｔ、２Ｈ、Ｊ＝３．６Ｈｚ）、４．４９（ｄｄ、１Ｈ、Ｊ＝１．２Ｈｚ、５．２Ｈｚ）、４．６２（ｔ、２Ｈ、Ｊ＝３．６Ｈｚ）、４．８１（ｄｄ、１Ｈ、Ｊ＝１．２Ｈｚ、１１．２Ｈｚ）、６．７３（ｄｄ、１Ｈ、Ｊ＝５．２Ｈｚ、１１．２Ｈｚ）、７．０６−７．８３（ｍ、２０Ｈ）

［合成例４］
合成例３で得られた反応液を、水で洗浄した後に、加熱減圧下で乾燥し、残留物をトルエンに溶解し、メタノールへ滴下して再沈殿を行い、化合物１の粗生成物を得た。ＨＰＬＣによる分析の結果、この粗生成物において、化合物１の含有量が９０．９質量％、下記の不純物１の含有量が３．５２質量％、下記の不純物２の含有量が２．４７質量％、下記の不純物３の含有量が０．７３質量％、その他の不純物の含有量が２．３８質量％であることを確認した。

［合成例５］
合成例４で得た粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに供して分離精製を実施し、化合物１の精製物を得た。ＨＰＬＣによる分析の結果、この精製物において、化合物１の含有量が９８．７質量％、不純物１の含有量が０．０９質量％、不純物２の含有量が０．５４質量％、不純物３の含有量が０質量％、その他の不純物の含有量が０．６７質量％であることを確認した。

≪ビニルエーテル化合物に由来する構造単位を含む化合物の調製≫
＜ビニルエーテル化合物同士の反応＞
［実施例１］
窒素置換後、十分に水分を除去したガラス製フラスコ内で、合成例５で得た化合物１の精製物３０ｍｍｏｌをトルエンに溶解した。ついで、イソブチルビニルエーテルの酢酸付加物（ＩＢＥＡ）のトルエン溶液と２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルピリジンのトルエン溶液を加え、０℃まで冷却し、四臭化すず（ＳｎＢｒ_４）のトルエン溶液を加えて重合を開始した。なお、化合物１、ＩＢＥＡ、２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルピリジン、及びＳｎＢｒ_４の最終濃度は、それぞれ０．３Ｍ、５ｍＭ、０．２ｍＭ、及び０．５ｍＭであった。５時間後、反応溶液を水洗し、トルエンを濃縮した後、メタノールで重合体を析出させた。得られた重合体は、化合物１同士が反応してビニロキシ基のα位の炭素原子間で新たに結合を生成することにより得られた直鎖状の重合体（ｐ１）と、化合物１同士が反応してビニロキシ基のα位とβ位との間で新たに結合を生成することにより得られた櫛状の重合体（ｐ２）との混合物であった。得られた重合体について、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）により標準ポリスチレン換算の質量平均分子量を測定した。結果を表１に示す。

（上記式（ｐ１）及び（ｐ２）中、＊は結合手を示し、ｉ１及びｊ１は、実施例１において混合物として得られた重合体の質量平均分子量が２０，０００となる数である。）

（評価）
得られた重合体をトルエンに溶解して固形分濃度２０質量％の溶液を調製した。
・屈折率
上記溶液をコーターにて、Ｓｉウエハー上に塗布した。ホットプレート上で１００℃にて１２０秒間加熱（プリベーク）を行った。その後、オーブン中で２３０℃にて２０分間加熱（ポストベーク）を行い、硬化膜（膜厚０．２５μｍ）を形成した。屈折率計を用いて、この硬化膜の波長２４８及び１９３ｎｍでの屈折率（ｎ値）と光学吸光係数（ｋ値）を測定した。このうち、波長６３３ｎｍでの屈折率の測定結果を表１に示す。

・光透過率（初期）
上記溶液をコーターにて、ガラス基板上に塗布した。ホットプレート上で１００℃にて１２０秒間加熱（プリベーク）を行った。その後、オーブン中で１８０℃にて２０分間加熱（ポストベーク）を行い、硬化膜（膜厚２．０μｍ）を形成した。透過率計を用いて、この硬化膜の波長４５０ｎｍでの光透過率を測定した。結果を表１に示す。

・光透過率（高温放置後）
硬化膜の耐熱性を評価するため、以下の測定を行った。上記溶液をコーターにて、ガラス基板上に塗布した。ホットプレート上で１００℃にて１２０秒間加熱（プリベーク）を行った。その後、オーブン中で１８０℃にて１００時間加熱（ポストベーク）を行い、硬化膜（膜厚２．０μｍ）を形成した。透過率計を用いて、この硬化膜の波長４５０ｎｍでの光透過率を測定した。結果を表１に示す。

・Ｔ_ｄ５％
硬化膜の耐熱性を更に評価するため、以下の測定を行った。「光透過率（初期）」と同様にして硬化膜を形成した。この硬化膜を室温（約２０℃）から１分間に１０℃ずつの割合で昇温加熱して大気中で熱重量分析を行い、分析開始時の質量を基準として、質量が５％減少する温度Ｔ_ｄ５％を測定した。結果を表１に示す。

［比較例１］
合成例５で得た化合物１の精製物の代わりに、合成例４で得た化合物１の粗生成物を用いた以外は、実施例１と同様にして重合体を得、各種評価を行った。結果を表１に示す。

［反応性評価］
合成例４で得た化合物１の粗生成物及び合成例５で得た化合物１の精製物の各々をテトラヒドロフランに溶解して１０質量％溶液を調製し、−３０℃に冷却した後、この溶液に触媒量の三フッ化ホウ素を添加して反応液を調製した。−３０℃から２℃／分の割合で、この反応液を昇温し、赤外分光法によりビニル基の減少開始温度をモニタリングすることで、化合物１同士の反応開始温度を測定し、下記の基準で評価した。また、目視にて反応系の着色の有無を確認した。結果を表２に示す。
反応開始温度の評価基準
Ｓ：反応開始温度が０℃以下であった。
Ａ：０℃超２０℃以下であった。
Ｂ：２０℃超であった。

Claims

下記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物を含む粗生成物から下記一般式（１０）で表されるヒドロキシエチルオキシ基含有化合物を除去することにより、前記ビニルエーテル化合物を含む精製物を得、前記精製物に含まれる前記ビニルエーテル化合物と、ビニロキシ基と反応する基を含有する化合物とを反応させることを含む、下記一般式（１）で表される構造単位を含む化合物の製造方法であって、
遷移元素化合物触媒及び無機塩基の存在下、下記一般式（５）で表されるビニルエステル化合物と、下記一般式（６）で表される水酸基含有化合物とを反応させることにより、前記粗生成物を得る製造方法。

（式中、環Ｚ^１及び環Ｚ^２は同一の又は異なる芳香族炭化水素環を示し、環Ｙ^１及び環Ｙ^２は同一の又は異なる芳香族炭化水素環を示し、Ｘ^１及びＸ^２は独立に単結合又は−Ｓ−で示される基を示し、Ｒは単結合、置換基を有してもよいメチレン基、置換基を有してもよく、２個の炭素原子間にヘテロ原子を含んでもよいエチレン基、−Ｏ−で示される基、−ＮＨ−で示される基、又は−Ｓ−で示される基を示し、Ｒ^１ａ及びＲ^１ｂは独立に単結合又は炭素数１〜４のアルキレン基を示し、Ｒ^２ａ及びＲ^２ｂは独立に１価炭化水素基、水酸基、−ＯＲ^４ａで示される基、−ＳＲ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、カルボキシル基、アミノ基、カルバモイル基、−ＮＨＲ^４ｃで示される基、−Ｎ（Ｒ^４ｄ）_２で示される基、（メタ）アクリロイルオキシ基、スルホ基、又は１価炭化水素基、−ＯＲ^４ａで示される基、−ＳＲ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、−ＮＨＲ^４ｃで示される基、もしくは−Ｎ（Ｒ^４ｄ）_２で示される基に含まれる炭素原子に結合した水素原子の少なくとも一部が１価炭化水素基、水酸基、−ＯＲ^４ａで示される基、−ＳＲ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、カルボキシル基、アミノ基、カルバモイル基、−ＮＨＲ^４ｃで示される基、−Ｎ（Ｒ^４ｄ）_２で示される基、（メタ）アクリロイルオキシ基、メシルオキシ基、もしくはスルホ基で置換された基を示し、Ｒ^３ａ及びＲ^３ｂは独立にシアノ基、ハロゲン原子、又は１価炭化水素基を示し、Ｒ^４ａ〜Ｒ^４ｄは独立に１価炭化水素基を示し、ｍ１及びｍ２は独立に０以上の整数を示し、ｎ１及びｎ２は独立に０〜４の整数を示し、＊は結合手を示す。）

（式中、環Ｚ^１、環Ｚ^２、環Ｙ^１、環Ｙ^２、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｒ、Ｒ^１ａ、Ｒ^１ｂ、Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂ、Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂ、ｍ１、ｍ２、ｎ１、及びｎ２は前記の通りである。）

（式中、環Ｚ^１、環Ｚ^２、環Ｙ^１、環Ｙ^２、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｒ、Ｒ^１ａ、Ｒ^１ｂ、Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂ、Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂ、ｍ１、ｍ２、ｎ１、及びｎ２は前記の通りである。）
Ｒ ^７ −ＣＯ−Ｏ−ＣＨ＝ＣＨ _２（５）
（式中、Ｒ ^７は、水素原子又は有機基を示す。）

（式中、環Ｚ ^１、環Ｚ ^２、環Ｙ ^１、環Ｙ ^２、Ｘ ^１、Ｘ ^２、Ｒ、Ｒ ^１ａ、Ｒ ^１ｂ、Ｒ ^２ａ、Ｒ ^２ｂ、Ｒ ^３ａ、Ｒ ^３ｂ、ｍ１、ｍ２、ｎ１、及びｎ２は前記の通りである。）
下記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物を含む粗生成物から下記一般式（１０）で表されるヒドロキシエチルオキシ基含有化合物を除去することにより、前記ビニルエーテル化合物を含む精製物を得、前記精製物に含まれる前記ビニルエーテル化合物と、ビニロキシ基と反応する基を含有する化合物とを反応させることを含む、下記一般式（１）で表される構造単位を含む化合物の製造方法であって、
下記一般式（６）で表される水酸基含有化合物から、下記一般式（１１）で表される脱離基含有化合物を経由して、前記粗生成物を得る製造方法。

（式中、環Ｚ ^１及び環Ｚ ^２は同一の又は異なる芳香族炭化水素環を示し、環Ｙ ^１及び環Ｙ ^２は同一の又は異なる芳香族炭化水素環を示し、Ｘ ^１及びＸ ^２は独立に単結合又は−Ｓ−で示される基を示し、Ｒは単結合、置換基を有してもよいメチレン基、置換基を有してもよく、２個の炭素原子間にヘテロ原子を含んでもよいエチレン基、−Ｏ−で示される基、−ＮＨ−で示される基、又は−Ｓ−で示される基を示し、Ｒ ^１ａ及びＲ ^１ｂは独立に単結合又は炭素数１〜４のアルキレン基を示し、Ｒ ^２ａ及びＲ ^２ｂは独立に１価炭化水素基、水酸基、−ＯＲ ^４ａで示される基、−ＳＲ ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、カルボキシル基、アミノ基、カルバモイル基、−ＮＨＲ ^４ｃで示される基、−Ｎ（Ｒ ^４ｄ） _２で示される基、（メタ）アクリロイルオキシ基、スルホ基、又は１価炭化水素基、−ＯＲ ^４ａで示される基、−ＳＲ ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、−ＮＨＲ ^４ｃで示される基、もしくは−Ｎ（Ｒ ^４ｄ） _２で示される基に含まれる炭素原子に結合した水素原子の少なくとも一部が１価炭化水素基、水酸基、−ＯＲ ^４ａで示される基、−ＳＲ ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、カルボキシル基、アミノ基、カルバモイル基、−ＮＨＲ ^４ｃで示される基、−Ｎ（Ｒ ^４ｄ） _２で示される基、（メタ）アクリロイルオキシ基、メシルオキシ基、もしくはスルホ基で置換された基を示し、Ｒ ^３ａ及びＲ ^３ｂは独立にシアノ基、ハロゲン原子、又は１価炭化水素基を示し、Ｒ ^４ａ〜Ｒ ^４ｄは独立に１価炭化水素基を示し、ｍ１及びｍ２は独立に０以上の整数を示し、ｎ１及びｎ２は独立に０〜４の整数を示し、＊は結合手を示す。）

（式中、環Ｚ ^１、環Ｚ ^２、環Ｙ ^１、環Ｙ ^２、Ｘ ^１、Ｘ ^２、Ｒ、Ｒ ^１ａ、Ｒ ^１ｂ、Ｒ ^２ａ、Ｒ ^２ｂ、Ｒ ^３ａ、Ｒ ^３ｂ、ｍ１、ｍ２、ｎ１、及びｎ２は前記の通りである。）

（式中、環Ｚ ^１、環Ｚ ^２、環Ｙ ^１、環Ｙ ^２、Ｘ ^１、Ｘ ^２、Ｒ、Ｒ ^１ａ、Ｒ ^１ｂ、Ｒ ^２ａ、Ｒ ^２ｂ、Ｒ ^３ａ、Ｒ ^３ｂ、ｍ１、ｍ２、ｎ１、及びｎ２は前記の通りである。）

（式中、環Ｚ ^１、環Ｚ ^２、環Ｙ ^１、環Ｙ ^２、Ｘ ^１、Ｘ ^２、Ｒ、Ｒ ^１ａ、Ｒ ^１ｂ、Ｒ ^２ａ、Ｒ ^２ｂ、Ｒ ^３ａ、Ｒ ^３ｂ、ｍ１、ｍ２、ｎ１、及びｎ２は前記の通りである。）

（式中、Ｅは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、メタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、パラトルエンスルホニルオキシ基、又はベンゼンスルホニルオキシ基で置換された炭素数１〜４のアルキルオキシ基を示し、環Ｚ ^１、環Ｚ ^２、環Ｙ ^１、環Ｙ ^２、Ｘ ^１、Ｘ ^２、Ｒ、Ｒ ^１ａ、Ｒ ^１ｂ、Ｒ ^２ａ、Ｒ ^２ｂ、Ｒ ^３ａ、Ｒ ^３ｂ、ｍ１、ｍ２、ｎ１、及びｎ２は上記の通りである。）
下記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物を含む粗生成物から下記一般式（１０）で表されるヒドロキシエチルオキシ基含有化合物を除去することにより、前記ビニルエーテル化合物を含む精製物を得、前記精製物に含まれる前記ビニルエーテル化合物と、ビニロキシ基と反応する基を含有する化合物とを反応させることを含む、下記一般式（１）で表される構造単位を含む化合物の製造方法であって、
下記一般式（１２）で表されるヒドロキシアルキルオキシ基含有化合物から、下記一般式（１１）で表される脱離基含有化合物を経由して、前記粗生成物を得る製造方法。

（式中、環Ｚ ^１及び環Ｚ ^２は同一の又は異なる芳香族炭化水素環を示し、環Ｙ ^１及び環Ｙ ^２は同一の又は異なる芳香族炭化水素環を示し、Ｘ ^１及びＸ ^２は独立に単結合又は−Ｓ−で示される基を示し、Ｒは単結合、置換基を有してもよいメチレン基、置換基を有してもよく、２個の炭素原子間にヘテロ原子を含んでもよいエチレン基、−Ｏ−で示される基、−ＮＨ−で示される基、又は−Ｓ−で示される基を示し、Ｒ ^１ａ及びＲ ^１ｂは独立に単結合又は炭素数１〜４のアルキレン基を示し、Ｒ ^２ａ及びＲ ^２ｂは独立に１価炭化水素基、水酸基、−ＯＲ ^４ａで示される基、−ＳＲ ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、カルボキシル基、アミノ基、カルバモイル基、−ＮＨＲ ^４ｃで示される基、−Ｎ（Ｒ ^４ｄ） _２で示される基、（メタ）アクリロイルオキシ基、スルホ基、又は１価炭化水素基、−ＯＲ ^４ａで示される基、−ＳＲ ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、−ＮＨＲ ^４ｃで示される基、もしくは−Ｎ（Ｒ ^４ｄ） _２で示される基に含まれる炭素原子に結合した水素原子の少なくとも一部が１価炭化水素基、水酸基、−ＯＲ ^４ａで示される基、−ＳＲ ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、カルボキシル基、アミノ基、カルバモイル基、−ＮＨＲ ^４ｃで示される基、−Ｎ（Ｒ ^４ｄ） _２で示される基、（メタ）アクリロイルオキシ基、メシルオキシ基、もしくはスルホ基で置換された基を示し、Ｒ ^３ａ及びＲ ^３ｂは独立にシアノ基、ハロゲン原子、又は１価炭化水素基を示し、Ｒ ^４ａ〜Ｒ ^４ｄは独立に１価炭化水素基を示し、ｍ１及びｍ２は独立に０以上の整数を示し、ｎ１及びｎ２は独立に０〜４の整数を示し、＊は結合手を示す。）

（式中、環Ｚ ^１、環Ｚ ^２、環Ｙ ^１、環Ｙ ^２、Ｘ ^１、Ｘ ^２、Ｒ、Ｒ ^１ａ、Ｒ ^１ｂ、Ｒ ^２ａ、Ｒ ^２ｂ、Ｒ ^３ａ、Ｒ ^３ｂ、ｍ１、ｍ２、ｎ１、及びｎ２は前記の通りである。）

（式中、環Ｚ ^１、環Ｚ ^２、環Ｙ ^１、環Ｙ ^２、Ｘ ^１、Ｘ ^２、Ｒ、Ｒ ^１ａ、Ｒ ^１ｂ、Ｒ ^２ａ、Ｒ ^２ｂ、Ｒ ^３ａ、Ｒ ^３ｂ、ｍ１、ｍ２、ｎ１、及びｎ２は前記の通りである。）

（式中、Ｅは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、メタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、パラトルエンスルホニルオキシ基、又はベンゼンスルホニルオキシ基で置換された炭素数１〜４のアルキルオキシ基を示し、環Ｚ ^１、環Ｚ ^２、環Ｙ ^１、環Ｙ ^２、Ｘ ^１、Ｘ ^２、Ｒ、Ｒ ^１ａ、Ｒ ^１ｂ、Ｒ ^２ａ、Ｒ ^２ｂ、Ｒ ^３ａ、Ｒ ^３ｂ、ｍ１、ｍ２、ｎ１、及びｎ２は上記の通りである。）

（式中、ｌ１及びｌ２は独立に１〜４の整数を示し、環Ｚ ^１、環Ｚ ^２、環Ｙ ^１、環Ｙ ^２、Ｘ ^１、Ｘ ^２、Ｒ、Ｒ ^１ａ、Ｒ ^１ｂ、Ｒ ^２ａ、Ｒ ^２ｂ、Ｒ ^３ａ、Ｒ ^３ｂ、ｍ１、ｍ２、ｎ１、及びｎ２は上記の通りである。）
前記ビニロキシ基と反応する基を含有する化合物が水酸基含有化合物、エポキシ基含有化合物、カルボキシル基含有化合物、又はビニロキシ基含有化合物である請求項１から３のいずれか１項記載の製造方法。
上記一般式（１）で表される構造単位を含む化合物が上記一般式（１）で表される構造単位を含む重合体である請求項１から４のいずれか１項記載の製造方法。
下記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物を含む粗生成物から下記一般式（１０）で表されるヒドロキシエチルオキシ基含有化合物を除去することにより、前記ビニルエーテル化合物を含む精製物を得、前記精製物に含まれる前記ビニルエーテル化合物と水酸基含有化合物、エポキシ基含有化合物、又はカルボキシル基含有化合物とを反応させることを含む、下記一般式（２）で表される構造単位を含む重合体の製造方法であって、
前記水酸基含有化合物は、下記一般式
ＨＯ−Ｒ ^８ −ＯＨ
（式中、Ｒ ^８は２価炭化水素基、２価複素環式基、又はこれらが互いに結合して形成される基を示す。）
で表され、
前記エポキシ基含有化合物は、下記一般式

（式中、Ｒ ^１０は２価炭化水素基、２価複素環式基、又はこれらが互いに結合して形成される基を示し、Ｒ ^１１ａ及びＲ ^１１ｂは独立に水素原子又は１価炭化水素基、１価複素環式基、もしくはこれらが互いに結合して形成される基を示し、ただし、Ｒ ^１０、Ｒ ^１１ａ、及びＲ ^１１ｂの少なくとも２個が互いに結合して環が形成されていてもよい。）
で表され、
前記カルボキシル基含有化合物は、下記一般式
ＨＯ−ＣＯ−Ｒ ^１４ −ＣＯ−ＯＨ
（式中、Ｒ ^１４は２価炭化水素基、２価複素環式基、又はこれらが互いに結合して形成される基を示す。）
で表される製造方法。

（式中、環Ｚ ^１及び環Ｚ ^２は同一の又は異なる芳香族炭化水素環を示し、環Ｙ ^１及び環Ｙ ^２は同一の又は異なる芳香族炭化水素環を示し、Ｘ ^１及びＸ ^２は独立に単結合又は−Ｓ−で示される基を示し、Ｒは単結合、置換基を有してもよいメチレン基、置換基を有してもよく、２個の炭素原子間にヘテロ原子を含んでもよいエチレン基、−Ｏ−で示される基、−ＮＨ−で示される基、又は−Ｓ−で示される基を示し、Ｒ ^１ａ及びＲ ^１ｂは独立に単結合又は炭素数１〜４のアルキレン基を示し、Ｒ ^２ａ及びＲ ^２ｂは独立に１価炭化水素基、水酸基、−ＯＲ ^４ａで示される基、−ＳＲ ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、カルボキシル基、アミノ基、カルバモイル基、−ＮＨＲ ^４ｃで示される基、−Ｎ（Ｒ ^４ｄ） _２で示される基、（メタ）アクリロイルオキシ基、スルホ基、又は１価炭化水素基、−ＯＲ ^４ａで示される基、−ＳＲ ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、−ＮＨＲ ^４ｃで示される基、もしくは−Ｎ（Ｒ ^４ｄ） _２で示される基に含まれる炭素原子に結合した水素原子の少なくとも一部が１価炭化水素基、水酸基、−ＯＲ ^４ａで示される基、−ＳＲ ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、カルボキシル基、アミノ基、カルバモイル基、−ＮＨＲ ^４ｃで示される基、−Ｎ（Ｒ ^４ｄ） _２で示される基、（メタ）アクリロイルオキシ基、メシルオキシ基、もしくはスルホ基で置換された基を示し、Ｒ ^３ａ及びＲ ^３ｂは独立にシアノ基、ハロゲン原子、又は１価炭化水素基を示し、Ｒ ^４ａ〜Ｒ ^４ｄは独立に１価炭化水素基を示し、ｍ１及びｍ２は独立に０以上の整数を示し、ｎ１及びｎ２は独立に０〜４の整数を示し、＊は結合手を示し、
前記ビニルエーテル化合物と前記水酸基含有化合物又は前記エポキシ基含有化合物とを反応させる場合、Ｒ^５は、２価炭化水素基、２価複素環式基、又はこれらが互いに結合して形成される基を示し、
前記ビニルエーテル化合物と前記カルボキシル基含有化合物とを反応させる場合、Ｒ ^５は、カルボニル基と、２価炭化水素基、２価複素環式基、及びこれらが互いに結合して形成される基のいずれかと、カルボニル基とがこの順番で結合して形成される基を示す。）

（式中、環Ｚ ^１、環Ｚ ^２、環Ｙ ^１、環Ｙ ^２、Ｘ ^１、Ｘ ^２、Ｒ、Ｒ ^１ａ、Ｒ ^１ｂ、Ｒ ^２ａ、Ｒ ^２ｂ、Ｒ ^３ａ、Ｒ ^３ｂ、ｍ１、ｍ２、ｎ１、及びｎ２は前記の通りである。）

（式中、環Ｚ ^１、環Ｚ ^２、環Ｙ ^１、環Ｙ ^２、Ｘ ^１、Ｘ ^２、Ｒ、Ｒ ^１ａ、Ｒ ^１ｂ、Ｒ ^２ａ、Ｒ ^２ｂ、Ｒ ^３ａ、Ｒ ^３ｂ、ｍ１、ｍ２、ｎ１、及びｎ２は前記の通りである。）
下記一般式（４）で表されるビニルエーテル化合物を含む粗生成物から下記一般式（１０）で表されるヒドロキシエチルオキシ基含有化合物を除去することにより、前記ビニルエーテル化合物を含む精製物を得、前記精製物に含まれる前記ビニルエーテル化合物と水酸基含有化合物、エポキシ基含有化合物、又はカルボキシル基含有化合物とを反応させることを含む、下記一般式（３）で表される化合物の製造方法であって、
前記水酸基含有化合物は、下記一般式
Ｒ ^９ −ＯＨ
（式中、Ｒ ^９は１価炭化水素基、１価複素環式基、又はこれらが互いに結合して形成される基を示す。）
で表され、
前記エポキシ基含有化合物は、下記一般式

（式中、Ｒ ^１２は１価炭化水素基、１価複素環式基、又はこれらが互いに結合して形成される基を示し、Ｒ ^１３は水素原子又は１価炭化水素基、１価複素環式基、もしくはこれらが互いに結合して形成される基を示し、ただし、Ｒ ^１２とＲ ^１３とが互いに結合して環が形成されていてもよい。）
で表され、
前記カルボキシル基含有化合物は、下記一般式
Ｒ ^１５ −ＣＯ−ＯＨ
（式中、Ｒ ^１５は１価炭化水素基、１価複素環式基、又はこれらが互いに結合して形成される基を示す。）
で表される製造方法。

（式中、環Ｚ ^１及び環Ｚ ^２は同一の又は異なる芳香族炭化水素環を示し、環Ｙ ^１及び環Ｙ ^２は同一の又は異なる芳香族炭化水素環を示し、Ｘ ^１及びＸ ^２は独立に単結合又は−Ｓ−で示される基を示し、Ｒは単結合、置換基を有してもよいメチレン基、置換基を有してもよく、２個の炭素原子間にヘテロ原子を含んでもよいエチレン基、−Ｏ−で示される基、−ＮＨ−で示される基、又は−Ｓ−で示される基を示し、Ｒ ^１ａ及びＲ ^１ｂは独立に単結合又は炭素数１〜４のアルキレン基を示し、Ｒ ^２ａ及びＲ ^２ｂは独立に１価炭化水素基、水酸基、−ＯＲ ^４ａで示される基、−ＳＲ ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、カルボキシル基、アミノ基、カルバモイル基、−ＮＨＲ ^４ｃで示される基、−Ｎ（Ｒ ^４ｄ） _２で示される基、（メタ）アクリロイルオキシ基、スルホ基、又は１価炭化水素基、−ＯＲ ^４ａで示される基、−ＳＲ ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、−ＮＨＲ ^４ｃで示される基、もしくは−Ｎ（Ｒ ^４ｄ） _２で示される基に含まれる炭素原子に結合した水素原子の少なくとも一部が１価炭化水素基、水酸基、−ＯＲ ^４ａで示される基、−ＳＲ ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、カルボキシル基、アミノ基、カルバモイル基、−ＮＨＲ ^４ｃで示される基、−Ｎ（Ｒ ^４ｄ） _２で示される基、（メタ）アクリロイルオキシ基、メシルオキシ基、もしくはスルホ基で置換された基を示し、Ｒ ^３ａ及びＲ ^３ｂは独立にシアノ基、ハロゲン原子、又は１価炭化水素基を示し、Ｒ ^４ａ〜Ｒ ^４ｄは独立に１価炭化水素基を示し、ｍ１及びｍ２は独立に０以上の整数を示し、ｎ１及びｎ２は独立に０〜４の整数を示し、
前記ビニルエーテル化合物と前記水酸基含有化合物又は前記エポキシ基含有化合物とを反応させる場合、Ｒ^６ａ及びＲ^６ｂは独立に１価炭化水素基、１価複素環式基、又はこれらが互いに結合して形成される基を示し、
前記ビニルエーテル化合物と前記カルボキシル基含有化合物とを反応させる場合、Ｒ ^６ａ及びＲ ^６ｂは独立に１価炭化水素基、１価複素環式基、及びこれらが互いに結合して形成される基のいずれかとカルボニル基とが互いに結合して形成される基を示す。）

（式中、環Ｚ ^１、環Ｚ ^２、環Ｙ ^１、環Ｙ ^２、Ｘ ^１、Ｘ ^２、Ｒ、Ｒ ^１ａ、Ｒ ^１ｂ、Ｒ ^２ａ、Ｒ ^２ｂ、Ｒ ^３ａ、Ｒ ^３ｂ、ｍ１、ｍ２、ｎ１、及びｎ２は前記の通りである。）

（式中、環Ｚ ^１、環Ｚ ^２、環Ｙ ^１、環Ｙ ^２、Ｘ ^１、Ｘ ^２、Ｒ、Ｒ ^１ａ、Ｒ ^１ｂ、Ｒ ^２ａ、Ｒ ^２ｂ、Ｒ ^３ａ、Ｒ ^３ｂ、ｍ１、ｍ２、ｎ１、及びｎ２は前記の通りである。）
前記Ｒ^６ａ及びＲ^６ｂが環状構造を有する請求項７記載の製造方法。