JP6512231B2 - 半導体装置 - Google Patents

Description

本明細書が開示する技術は、半導体装置に関する。特に、２個の半導体素子を封止しているとともに、夫々の半導体素子の電極と導通している金属板が露出している半導体装置に関する。

２個の半導体素子を封止しているとともに、夫々の半導体素子の電極と導通している金属板が露出している半導体装置が知られている。例えば、特許文献１、２にそのような半導体装置が開示されている。半導体素子は、その両面に電極を備えている。一対の金属板が半導体素子を挟み込んでおり、夫々の電極に一対の金属板の夫々がハンダで接合されている。なお、「電極と金属板がハンダで接合されている」とは、電極とスペーサがハンダで接合され、そのスペーサの反対側で金属板がハンダで接合されている場合を含む。２個の半導体素子は樹脂パッケージに封止されている。一対の金属板は夫々の一方の面が樹脂パッケージから露出しており、放熱板の役割を果たす。説明の便宜上、２個の半導体素子を夫々、第１半導体素子、第２半導体素子と称する。第１半導体素子を挟み込んでいる一対の金属板を第１及び第２金属板と称し、第２半導体素子を挟み込んでいる一対の金属板を第３及び第４金属板と称する。第１金属板と第３金属板が樹脂パッケージの一方の面に露出しており、第２金属板と第４金属板が反対側の面に露出している。２個の半導体素子を電気的に接続するため、第１金属板の縁から第１継手が延びており、第１金属板とは反対側で樹脂パッケージから露出している第４金属板の縁から第２継手が延びており、両方の継手が樹脂パッケージの内部にてハンダで接合されている。

特開２０１５−１７０８１０号公報 特開２０１２−２３５０８１号公報

上記した半導体装置では、第１及び第２金属板の間にハンダが介在するとともに、第３及び第４金属板の間にもハンダが介在する。樹脂パッケージの両面の夫々に露出する第１及び第４金属板の縁から継手が延びており、それらがハンダで接合される。ハンダは凝固時に収縮する。金属板と半導体素子を接合する際、第１及び第２金属板の間でハンダが収縮し、第３及び第４金属板の間のハンダも収縮する。第１及び第４金属板の縁から延びている継手の間のハンダも収縮する。一対の金属板の間のハンダの合計の厚みと、継手の間のハンダの厚みが相違すると、収縮量が相違し、継手を備えた金属板が傾いてしまうおそれがある。近年は半導体素子の小型化が進み、電極面積も小さくなってきている。それゆえ、電極と金属板の接合面積と継手同士の接合面積の差が小さくなってきており、ハンダの厚みの相違による金属板の傾きが顕在化する傾向にある。ハンダの収縮に伴う金属板の傾斜を抑制する技術が望まれている。

本明細書が開示する半導体装置は、第１及び第２半導体素子と、第１−第４金属板と、樹脂パッケージを備えている。第１及び第２半導体素子の夫々は、両面に電極を備えている。第１及び第２金属板は、第１半導体素子を挟んでおり、夫々の金属板が第１半導体素子の夫々の電極とハンダで接合されている。第３及び第４金属板は、第２半導体素子を挟んでおり、夫々の金属板が第２半導体素子の夫々の電極とハンダで接合されている。樹脂パッケージは、第１半導体素子と第２半導体素子を封止している。樹脂パッケージの一面には第１金属板と第３金属板が露出しており、反対面には第２金属板と第４金属板が露出している。第１金属板の縁から第１継手が延びており、第２金属板の縁から第２継手が延びている。第１継手と第２継手が、第１金属板と第１半導体素子の積層方向からみて重なっており、両継手は樹脂パッケージの内部にてハンダで接合されている。説明の便宜上、第１金属板と第２金属板の間のハンダを第１ハンダと称し、第３金属板と第４金属板の間のハンダを第２ハンダと称し、第１継手と第２継手の間のハンダを第３ハンダと称する。第１ハンダの合計の厚みと、第３ハンダの厚みが異なっており、厚みの小さい方のハンダの凝固点が、厚みの大きい方のハンダの凝固点よりも高い。さらに、第２ハンダの合計の厚みと、第３ハンダの厚みが異なっており、厚みの小さい方のハンダの凝固点が、厚みの大きい方のハンダの凝固点よりも高い。

上記したハンダの厚みと凝固点の関係から、全てのハンダを加熱した後に冷却すると、厚みの薄い方のハンダ（凝固点の高いハンダ）が厚い方のハンダ(凝固点の低いハンダ）よりも先に凝固する。仮に、第１ハンダ（第２ハンダ）の厚みが第３ハンダの厚みよりも小さければ、継手の間のハンダ（第３ハンダ）が凝固する前に対向する金属板の間のハンダ（第１ハンダ又は第２ハンダ）が凝固する。継手の間のハンダが凝固する前に、即ち、継手同士が接合して拘束される前に、対向する金属板の間のハンダが凝固するので、対向する金属板は平行を維持したまま接合される。他方、第３ハンダの厚みが第１ハンダ（第２ハンダ）の厚みよりも小さければ、継手同士の間のハンダ（第３ハンダ）が対向する金属板間のハンダ（第１又は第２ハンダ）よりも先に収縮凝固する。このとき、継手の間のハンダ（第３ハンダ）は厚みが小さいので収縮量も小さく、継手を備える金属板の傾きに与える影響を抑えることができる。

なお、厚みの大きい方のハンダが先に収縮凝固してしまうと、その大きな収縮量により、凝固前の厚みの小さい方のハンダの厚みがさらに薄くなってしまい、十分なハンダ厚みを確保できないおそれがある。さらには、ハンダ厚みがゼロとなり、金属板と半導体素子、あるいは、継手同士が干渉してしまうおそれがある。厚みの小さい方のハンダが厚みの大きい方のハンダよりも先に収縮凝固することで、凝固後のハンダが厚み不足となることを回避できる。

本明細書が開示する半導体装置では、第１ハンダの合計の厚みが、第３ハンダの厚みよりも小さく、第２ハンダの合計の厚みが第３ハンダの厚みよりも小さいことが望ましい。先の凝固点の関係を含めると、第３ハンダの厚みが第１ハンダと第２ハンダの凝固点よりも低いことになる。即ち、対向する第１及び第２金属板の間のハンダ（第１ハンダ）と対向する第３及び第４金属板の間のハンダ（第２ハンダ）が継手の間のハンダ（第３ハンダ）よりも先に凝固することになる。金属板の縁から延びている継手の間のハンダ（第３ハンダ）が凝固する前、すなわち、継手が拘束される前に、対向する金属板の間のハンダが凝固することで、対向する金属板は平行を保持したまま接合される。

本明細書が開示する技術の詳細とさらなる改良は以下の「発明を実施するための形態」にて説明する。

半導体装置の斜視図である。 半導体装置の等価回路図である。 半導体装置の分解図である（１）。 半導体装置の分解図である（２）。 半導体素子と放熱板のアセンブリの斜視図である。 図１のVI−VI線に沿った断面図である。 図６において符号VIIが示す範囲の拡大図である。 放熱板と半導体素子のアセンブリを加熱／冷却する炉の温度プロファイルの一例を示すグラフである。 第１変形例の半導体装置の部分断面図である。 第２変形例の半導体装置の部分断面図である。

図面を参照して実施例の半導体装置２を説明する。図１に、半導体装置２の斜視図を示す。半導体装置２は、樹脂製のパッケージ（樹脂パッケージ９）に４個の半導体素子が封止されているデバイスである。半導体装置２の等価回路図を図２に示す。半導体装置２は、２個のトランジスタ１０３、１０５と２個のダイオード１０４、１０６で構成される回路を有している。２個のトランジスタ１０３、１０５と２個のダイオード１０４、１０６は、いずれも、電力変換に用いられるパワー半導体素子に属する。具体的には、トランジスタ１０３、１０５とダイオード１０４、１０６の夫々は、許容電流が１００アンペア以上であり、主に電力変換に用いられる素子である。半導体装置２は、典型的には、電気自動車、ハイブリッド車、燃料電池車などにおいて、走行用モータに供給する交流電力を作るインバータに用いられる。

２個のトランジスタ１０３、１０５は直列に接続されている。ダイオード１０４はトランジスタ１０３に逆並列に接続されており、ダイオード１０６はトランジスタ１０５に逆並列に接続されている。説明の都合上、直列接続の両端の端子のうち、高電位側に接続される端子をＨＩＧＨ端子と称し、低電位側に接続される端子をＬＯＷ端子と称する。また、直列接続の中点をＯＵＴ端子と称する。図１のＰ端子２４がＨＩＧＨ端子に相当し、図１のＮ端子３４がＬＯＷ端子に相当し、図１のＯ端子１４がＯＵＴ端子に相当する。また、トランジスタ１０５のゲート端子ＧＨが図１の制御端子８１ａのうちの１本に相当する。トランジスタ１０３のゲート端子ＧＬが図１の制御端子８１ｂのうちの１本に相当する。制御端子８１ａ、８１ｂの残りの端子は、半導体素子の状態をモニタするための信号端子などである。

図１に示されているように、樹脂パッケージ９の一側面に放熱板１５、２５が露出している。放熱板１５は、一方の面が樹脂パッケージ９の一側面に露出しており、他方の面が樹脂パッケージ９の内部で、後述する第１トランジスタ素子３及び第１ダイオード素子４と接合されている。放熱板２５は、一方の面が樹脂パッケージ９の一側面に露出しており、他方の面が樹脂パッケージ９の内部で後述する第２トランジスタ素子５及び第２ダイオード素子６と接合されている。図１では隠れて見えないが、樹脂パッケージ９の他方の側面にも２個の放熱板１２、２２が露出している。放熱板１２、１５、２２、２５は金属製であり、より具体的には、銅で作られている。以下では、４枚の放熱板を区別する場合には、第１放熱板１２、第２放熱板１５、第３放熱板２２、第４放熱板２５と称する場合がある。

図３は、樹脂パッケージ９と放熱板１５、２５を除く半導体装置２の分解図である。図４は、放熱板１５、２５を分離した斜視図である。図５は、樹脂パッケージ９を除く半導体装置２（即ち、放熱板と半導体素子のアセンブリ２ａ）の斜視図である。なお、図３−図５では、Ｎ端子３４、Ｐ端子２４、Ｏ端子１４と、制御端子８１ａ、８１ｂは、ランナー４２ａ、４２ｂで連結されており、一つの部品（リードフレーム４２）を構成している。図５のアセンブリ２ａに樹脂パッケージ９を成形した後にランナー４２ａ、４２ｂを切り離すと、図１の半導体装置２が完成する。説明の便宜上、図中の座標系のＸ軸正方向を「上」と称し、Ｘ軸負方向を「下」と称する。以降の図でも「上」、「下」との表現を用いる場合がある。

２枚の放熱板（第１放熱板１２と第３放熱板２２）が最も下側に位置する。第１放熱板１２の一つの縁からＯ端子１４が伸びており、別の縁から第１継手１３が伸びている。第３放熱板２２の一つの縁からＰ端子２４が伸びている。Ｏ端子１４とＰ端子２４の間にはＮ端子３４が配置されている。Ｎ端子３４の縁からは、継手３２が伸びている。先に述べたように、Ｎ端子３４、Ｐ端子２４（第３放熱板２２）、Ｏ端子１４（第１放熱板１２）は、最初の段階では、制御端子８１ａ、８１ｂとともに、ランナー４２ａ、４２ｂで連結されており、相互の位置関係が固定されている。

第１放熱板１２の上に、第１トランジスタ素子３が積層され、ハンダ（不図示）で接合される。第１放熱板１２の上には、また、第１ダイオード素子４が積層され、ハンダ（不図示）で接合される。なお第１トランジスタ素子３は平板型であり、両面の夫々に電極が備えられている。第１トランジスタ素子３の下面にはコレクタ電極３ａ（後述する図６参照）が備えられており、上面にはエミッタ電極３ｂが備えられている。また、第１トランジスタ素子３の上面には、ゲート電極を含む信号端子３ｄが備えられている。第１ダイオード素子４の下面にはカソード電極が備えられており、上面にはアノード電極４ｂが備えられている。第１放熱板１２は、第１トランジスタ素子３のコレクタ電極３ａと第１ダイオード素子４のカソード電極を接続する。第１トランジスタ素子３の上面のエミッタ電極３ｂにはハンダ（不図示）を介してスペーサ７ａが接合される。第１ダイオード素子４の上面のアノード電極４ｂにはハンダ（不図示）を介してスペーサ７ｂが接合される。スペーサ７ａとスペーサ７ｂの上に、ハンダ（不図示）を介して第２放熱板１５が接合される（図４参照）。第２放熱板１５は、第１トランジスタ素子３のエミッタ電極３ｂと第１ダイオード素子４のアノード電極４ｂを接続する。第１トランジスタ素子３の上面のゲート電極を含む信号端子３ｄにはボンディングワイヤ８２の一端が接合される（図４参照）。ボンディングワイヤ８２の他端は制御端子８１ｂに接合される。

第３放熱板２２の上に、第２トランジスタ素子５が積層され、ハンダ（不図示）で接合される。第３放熱板２２の上には、また、第２ダイオード素子６が積層され、ハンダ（不図示）で接合される。第２トランジスタ素子５も平板型であり、両面の夫々に電極が備えられている。第２トランジスタ素子５の下面にはコレクタ電極５ａ（後述する図６参照）が備えられており、上面にはエミッタ電極５ｂが備えられている。また、第２トランジスタ素子５の上面には、ゲート電極を含む信号端子５ｄが備えられている。第２ダイオード素子６の下面にはカソード電極が備えられており、上面にはアノード電極６ｂが備えられている。第３放熱板２２は、第２トランジスタ素子５のコレクタ電極５ａと第２ダイオード素子６のカソード電極を接続する。第２トランジスタ素子５の上面のエミッタ電極５ｂにはハンダ（不図示）を介してスペーサ７ｃが接合される。第２ダイオード素子６の上面のアノード電極６ｂにはハンダ（不図示）を介してスペーサ７ｄが接合される。スペーサ７ｃとスペーサ７ｄの上にハンダ（不図示）を介して第４放熱板２５が接合される（図４参照）。第４放熱板２５は、第２トランジスタ素子５のエミッタ電極５ｂと第２ダイオード素子６のアノード電極６ｂを接続する。第２トランジスタ素子５の上面のゲート電極を含む信号端子５ｄにはボンディングワイヤ８２の一端が接合される。ボンディングワイヤ８２の他端は制御端子８１ａに接合される。

第２放熱板１５の縁から継手１６が伸びている。第４放熱板２５の縁から第２継手２６が伸びている。第２放熱板１５の継手１６はＮ端子３４の継手３２と対向し、ハンダ（不図示）で接合される。第４放熱板２５の第２継手２６は第１放熱板１２の第１継手１３と対向し、ハンダで接合される。なお、第１継手１３と第２継手２６は、第１放熱板１２と第１トランジスタ素子３と第２放熱板１５の積層方向（図中のＸ方向）からみて重なっており、それらをハンダがつないでいる。以上の接続により、図２に示した回路が完成する。第１トランジスタ素子３が図２のトランジスタ１０３に対応し、第２トランジスタ素子５が図２のトランジスタ１０５に対応する。第１ダイオード素子４が図２のダイオード１０４に対応し、第２ダイオード素子６が図２のダイオード１０６に対応する。

図５のアセンブリ２ａの周囲に樹脂パッケージ９が形成される。樹脂パッケージ９は、アセンブリ２ａを金型に入れ、金型の内部に溶融樹脂を射出して作られる。即ち、樹脂パッケージ９は、樹脂の射出成形で作られる。樹脂パッケージ９は、第１トランジスタ素子３、第２トランジスタ素子５、第１ダイオード素子４、第２ダイオード素子６を封止している。第１放熱板１２と第３放熱板２２は樹脂パッケージ９の一方の面に露出しており、第２放熱板１５と第４放熱板２５は、反対側の面に露出している。

先に述べたように、第１トランジスタ素子３などの半導体素子と、放熱板１２、１５、２２、２５と、スペーサ７ａ−７ｄは、ハンダで接合される。図３−図５では、ハンダの図示を省略していた。以下、図６を参照して、第１トランジスタ素子３などの半導体素子と、放熱板１２、１５、２２、２５と、スペーサ７ａ−７ｄと、それらを接合するハンダについて説明する。

図６は、図１のVI−VI線に沿った断面図である。先に述べたように、第１トランジスタ素子３の下面にはコレクタ電極３ａが備えられており、上面にはエミッタ電極３ｂが備えられている。第１放熱板１２と第１トランジスタ素子３のコレクタ電極３ａはハンダ１８ａによって接合されている。第１トランジスタ素子３のエミッタ電極３ｂとスペーサ７ａはハンダ１８ｂによって接合されている。スペーサ７ａと第２放熱板１５はハンダ１８ｃによって接合されている。第２放熱板１５は、ハンダ１８ｂ、１８ｃとスペーサ７ａによって第１トランジスタ素子３と接合されている。第１放熱板１２と第２放熱板１５は、第１トランジスタ素子３を挟み込んでおり、それらは、ハンダ１８ａ、１８ｂ、１８ｃとスペーサ７ａによって第１トランジスタ素子３の電極と接合されている。以下、説明の便宜上、対向する第１放熱板１２及び第２放熱板１５の間に存在するハンダ１８ａ、１８ｂ、１８ｃを、第１ハンダ１８と総称する。

第１放熱板１２と第２放熱板１５の間には、スペーサ７ｂと第１ダイオード素子４も挟まれている（図３−図５参照）。第１ダイオード素子４と第１放熱板１２は、ハンダ１８ａと同じ材質同じ厚みのハンダで接合されている。第１ダイオード素子４とスペーサ７ｂは、ハンダ１８ｂと同じ材質同じ厚みのハンダで接合されている。スペーサ７ｂと第２放熱板１５は、ハンダ１８ｃと同じ材質同じ厚みのハンダで接合されている。

第２トランジスタ素子５の下面にはコレクタ電極５ａが備えられており、上面にはエミッタ電極５ｂが備えられている。第３放熱板２２と第２トランジスタ素子５のコレクタ電極５ａはハンダ２８ａによって接合されている。第２トランジスタ素子５のエミッタ電極５ｂとスペーサ７ｃはハンダ２８ｂによって接合されている。スペーサ７ｃと第４放熱板２５はハンダ２８ｃによって接合されている。第４放熱板２５は、ハンダ２８ｂ、２８ｃとスペーサ７ｃによって第２トランジスタ素子５の電極と接合されている。第３放熱板２２と第４放熱板２５は、第２トランジスタ素子５を挟み込んでおり、それらは、ハンダ２８ａ、２８ｂ、２８ｃとスペーサ７ｃによって第２トランジスタ素子５の電極と接合されている。以下、説明の便宜上、対向する第３放熱板２２及び第４放熱板２５の間に存在するハンダ２８ａ、２８ｂ、２８ｃを、第２ハンダ２８と総称する。

第３放熱板２２と第４放熱板２５の間には、スペーサ７ｄと第２ダイオード素子６も挟まれている（図３−図５参照）。第２ダイオード素子６と第３放熱板２２は、ハンダ２８ａと同じ材質同じ厚みのハンダで接合されている。第２ダイオード素子６とスペーサ７ｄは、ハンダ２８ｂと同じ材質同じ厚みのハンダで接合されている。スペーサ７ｄと第４放熱板２５は、ハンダ２８ｃと同じ材質同じ厚みのハンダで接合されている。

第１放熱板１２の縁から第１継手１３が延びており、第４放熱板２５の縁から第２継手２６が延びている。第１継手１３と第２継手２６は、第１放熱板１２の法線方向（図中のＸ方向）からみて重なっており、両者はハンダ３８で接合されている。ハンダ３８を第１ハンダ１８、第２ハンダ２８と区別するため、第３ハンダ３８と称する。

図６において符号VIIが示す範囲の拡大図を図７に示す。符号Ｗ１ａ、Ｗ１ｂ、Ｗ１ｃは、夫々、ハンダ１８ａ、１８ｂ、１８ｃの厚みを示している。第１放熱板１２と第２放熱板１５の間の第１ハンダ１８の合計の厚みＷ１は、Ｗ１＝Ｗ１ａ＋Ｗ１ｂ＋Ｗ１ｃとなる。符号Ｗ２ａ、Ｗ２ｂ、Ｗ２ｃは、夫々、ハンダ２８ａ、２８ｂ、２８ｃの厚みを示している。第３放熱板２２と第４放熱板２５の間の第２ハンダ２８の合計の厚みＷ２は、Ｗ２＝Ｗ２ａ＋Ｗ２ｂ＋Ｗ２ｃとなる。符号Ｗ３は、第３ハンダ３８の厚みを示している。第３ハンダ３８の厚みＷ３は、第１ハンダ１８の合計の厚みＷ１よりも大きく、第２ハンダ２８の合計の厚みＷ２よりも大きい。また、第３ハンダ３８には、第１ハンダ１８及び第２ハンダ２８とは異なる材料が使われている。第１ハンダ１８の凝固点Ｔ１は、第３ハンダ３８の凝固点Ｔ３よりも高い。第２ハンダ２８の凝固点Ｔ２は、第３ハンダ３８の凝固点Ｔ３よりも高い。図７では、凝固点の高い第１ハンダ１８と第２ハンダ２８を、凝固点の低い第３ハンダ３８よりも密度の高いドットハッチで表している。例えば、第１ハンダ１８、第２ハンダ２８には、Ｓｎ−０．７Ｃｕのハンダ材料が用いられる。その凝固点は２２７［℃］である。また、第３ハンダ３８には、例えば、Ｓｎ−３．０Ａｇ−．５Ｃｕのハンダ材が用いられる。その凝固点は２１７［℃］である。上記した厚みと凝固点の関係は、次の利点を与える。

ハンダは、凝固すると収縮する。厚みが大きいほど、厚み方向の収縮量は大きくなる。図７の構造の場合、第３ハンダ３８の厚みＷ３が、第１ハンダ１８の厚みＷ１と第２ハンダ２８の厚みＷ２よりも大きい。仮に、第１ハンダ１８、第２ハンダ２８、第３ハンダ３８が同じ凝固点を有すると、ハンダ１８、２８、３８は、冷却時に同時に収縮を開始する。そうすると、厚みの大きい第３ハンダ３８の収縮によって、第１継手１３と第２継手２６が近づき、第１放熱板１２と第４放熱板２５が傾いてしまう。しかし、実施例の半導体装置２では、厚みの小さい第１ハンダ１８と第２ハンダ２８が厚みの大きい第３ハンダよりも先に凝固する。即ち、第１継手１３が第２継手２６との接合によって拘束される前に第１ハンダ１８（即ち、対向する第１及び第２放熱板１２、１５の間のハンダ）が凝固する。同様に、第２継手２６が第１継手１３との接合によって拘束される前に第２ハンダ２８（即ち、対向する第３及び第４放熱板２２、２５の間のハンダ）が凝固する。このことにより、対向する第１及び第２放熱板１２、１５は、平行を保持したまま接合される。同様に、対向する第３及び第４放熱板２２、２５は、平行を保持したまま接合される。

半導体装置２におけるハンダの厚みと凝固点の関係は、さらに、次の利点も与える。仮に、厚みの大きい継手間の第３ハンダ３８が先に収縮凝固してしまうと、対向する第１及び第２放熱板１２、１５の間隔、及び、対向する第３及び第４放熱板２２、２５の間隔が狭くなってしまう。そうすると、もともと厚みの小さい第１ハンダ１８と第２ハンダ２８は継手間の接合に伴って薄くされてから収縮凝固が開始されることになる。その結果、接合後の厚みがさらに小さくなってしまう。しかし、実施例の半導体装置２では、厚みの小さい第１ハンダ１８、第２ハンダ２８が厚みの大きい第３ハンダ３８よりも先に収縮凝固するので、接合後の厚みが不足することが回避される。

先に述べたように、ダイオード素子と放熱板とスペーサの間のハンダは材料も厚みもトランジスタ素子と放熱板とスペーサの間の対応するハンダと同じであるので、上記の説明は、ダイオード素子を接合するハンダを考慮に入れても成立する。

図６、図７では、理解を助けるためにハンダの厚みを実際よりも厚く描いてある。ハンダの厚みは、５０ミクロン−５００ミクロン程度の範囲で定められる。

次に、半導体装置２の製造方法について説明する。ここでは、図５のアセンブリ２ａ（即ち、樹脂パッケージ９を成形する前の半導体装置２の半完成品）を炉に入れてハンダを溶融／凝固させる工程から説明する。なお、アセンブリ２ａにおいて、放熱板と半導体素子とスペーサの間には、溶融前のハンダが配置されている。

図８に、アセンブリ２ａを入れる炉の温度プロファイルを示す。図８の横軸は時間であり、縦軸は炉内温度である。温度Ｔ１は第１ハンダ１８の凝固点（溶融温度）であり、温度Ｔ２は第２ハンダ２８の凝固点（溶融温度）である。温度Ｔ３は第３ハンダ３８の凝固点（溶融温度）である。ここでは、説明を容易にするために、凝固点と溶融温度は等しいと仮定する。

まず、炉内温度を第１ハンダ１８、第２ハンダ２８の凝固点（溶融温度）Ｔ１、Ｔ２よりも高い温度ＴＨまで昇温する。炉内温度を一定時間の間、温度ＴＨに維持することで、全てのハンダが溶融する。次に、炉内温度を下げていく。時刻ｔ１で炉内温度が第１、第２ハンダ１８、２８の凝固点Ｔ１、Ｔ２まで下がり、時刻ｔ２で炉内温度が第３ハンダ３８の凝固点Ｔ３まで下がる。時刻ｔ１からｔ２の間で第１ハンダ１８と第２ハンダ２８が凝固する。このとき、第３ハンダ３８は溶融したままである。

時刻ｔ２に達したときには第１ハンダ１８と第２ハンダ２８は凝固している。第３ハンダ３８は、時刻ｔ２以降で凝固する。こうして、厚みの小さい第１ハンダ１８と第２ハンダ２８が凝固した後に第３ハンダ３８が凝固する。先に述べたように、厚みの小さい第１ハンダ１８と第２ハンダ２８を厚みの大きい第３ハンダ３８よりも先に凝固させることで、第１放熱板１２と第２放熱板１５は平行を維持したまま接合される。第３放熱板２２と第４放熱板２５も同様に平行に維持したまま接合される。

全てのハンダが凝固した後、アセンブリ２ａを炉から射出成形の金型へ移し、樹脂パッケージ９を成形する。次に、第１放熱板１２と第３放熱板２２が露出した面を研磨し、第１放熱板１２と第３放熱板２２と樹脂パッケージ９の面を面一にする。同様に、第２放熱板１５と第４放熱板２５が露出した面を研磨し、第２放熱板１５と第４放熱板２５と樹脂パッケージ９の反対側の面を面一にする。このとき、放熱板が傾いていないので、樹脂パッケージ９の表面と放熱板が面一となるまでの研磨を低コストで完遂することができる。

上記したように半導体装置２を製造する際、対向する放熱板の間のハンダ（第１ハンダ１８、第２ハンダ２８）と、継手の間のハンダ（第３ハンダ３８）を別々に加熱／冷却させる必要はない。半導体装置２を製造する場合、第１−第４放熱板１２、１５、２２、２５と半導体素子（トランジスタ素子３、５、ダイオード素子４、６）のアセンブリを炉に入れて全てのハンダの融点よりも高い温度までアセンブリを昇温した後に全てのハンダの凝固点よりも低い温度までアセンブリの温度を下げればよい。そうすることで、厚みの薄い方のハンダ（凝固点の高いハンダ）が他方のハンダ（凝固点の低いハンダ）よりも先に凝固する。

（第１変形例）次に、図９を参照して第１変形例の半導体装置１０２を説明する。図９は、第１変形例の半導体装置１０２の部分断面図である。以下では、説明を簡単にするために、トランジスタ素子の電極と放熱板が接合されていることを、トランジスタ素子と放熱板が接合されている、と表現することにする。また、ダイオード素子と放熱板の間のハンダは、対応するトランジスタ素子と放熱板の間のハンダと同じ材料、同じ厚みであるとする。従って、ダイオード素子とその両側の放熱板の間のハンダについては説明を省略する。

この変形例では、第２放熱板１５と第１トランジスタ素子３がスペーサなしにハンダ１１８ｂで直接に接合されている。第１トランジスタ素子３と第１放熱板１２は、ハンダ１１８ａで接合されている。ハンダ１１８ａとハンダ１１８ｂが、第１放熱板１２と第２放熱板１５の間の第１ハンダ１１８に相当する。第４放熱板２５と第２トランジスタ素子５は、スペーサなしにハンダ１２８ｂで直接に接合されている。第２トランジスタ素子５と第３放熱板２２は、ハンダ１２８ａで接合されている。ハンダ１２８ａとハンダ１２８ｂが、第３放熱板２２と第４放熱板２５の間の第２ハンダ１２８に相当する。第１放熱板１２の縁から延びる第１継手１１３と第４放熱板２５の縁から延びる第２継手２６は、第３ハンダ１３８で接合されている。

図９において符号Ｗ１１ａがハンダ１１８ａの厚みを示しており、符号Ｗ１１ｂがハンダ１１８ｂの厚みを示している。また、符号Ｗ１２ａがハンダ１２８ａの厚みを示しており、符号Ｗ１２ｂがハンダ１２８ｂの厚みを示している。第１ハンダ１１８の厚みＷ１は、Ｗ１＝Ｗ１１ａ＋Ｗ１１ｂである。第２ハンダ１２８の厚みＷ２は、Ｗ２＝Ｗ１２ａ＋Ｗ１２ｂである。符号Ｗ１３が第３ハンダ１３８の厚みを示している。第１変形例の場合、第１ハンダ１１８の厚みＷ１は、第３ハンダ１３８の厚みＷ３よりも大きい。また、第２ハンダ１２８の厚みＷ２も、第３ハンダ１３８の厚みＷ３よりも大きい。この変形例の場合、厚みの小さい第３ハンダ１３８の凝固点Ｔ３は、厚みの大きい第１ハンダ１１８の凝固点Ｔ１よりも高く、厚みの大きい第２ハンダ１２８の凝固点Ｔ２よりも高い。図９では、凝固点の高い第３ハンダ１３８を、凝固点の低い第１ハンダ１１８、第２ハンダ１２８よりも密度の高いドットハッチで示してある。

第１変形例の半導体装置１０２では、上記の凝固点と厚みの関係により、放熱板１２、１５、２２、２５と半導体素子のアセンブリを加熱して冷却すると、厚みが最も薄い第３ハンダ１３８が先に凝固し、次いで厚みの大きい第１ハンダ１１８と第２ハンダ１２８が凝固する。この変形例では、継手の間のハンダ（第３ハンダ１３８）が、放熱板の間のハンダ（第１ハンダ１１８と第２ハンダ１２８）よりも先に凝固する。

第１放熱板１２と第４放熱板２５は、夫々の縁から延びる継手の間の第３ハンダ１３８が先に収縮凝固するので傾く。しかし、第３ハンダ１３８の厚みは第１ハンダ１１８、第２ハンダ１２８よりも小さいので、第１放熱板１２と第４放熱板２５の傾きに与える影響を抑えることができる。第１変形例の半導体装置１０２は、図３〜図７に示した半導体装置２ほどではないが、放熱板の傾きを抑える効果が期待できる。

（第２変形例）次に、図１０を参照して第２変形例の半導体装置２０２を説明する。図１０は、第２変形例の半導体装置２０２の部分断面図である。この変形例でも、ダイオード素子と放熱板の間のハンダは、対応するトランジスタ素子と放熱板の間のハンダと同じ材料、同じ厚みであるとする。従って、ダイオード素子とその両側の放熱板の間のハンダについては説明を省略する。

この第２変形例では、第２放熱板１５と第１トランジスタ素子３がスペーサ２０７ａとハンダ２１８ｂ、２１８ｃで接合されている。スペーサ２０７ａは、図３−図７に示したスペーサ７ａよりも厚く、ハンダ２１８ｂ、２１８ｃの厚みは、先のハンダ１８ｂ、１８ｃの厚みよりも小さい。第１トランジスタ素子３と第１放熱板１２は、ハンダ２１８ａで接合されている。ハンダ２１８ａ、２１８ｂ、２１８ｃが、第１放熱板１２と第２放熱板１５の間の第１ハンダ２１８に相当する。第４放熱板２５と第２トランジスタ素子５は、スペーサなしにハンダ２２８ｂで直接に接合されている。第２トランジスタ素子５と第３放熱板２２は、ハンダ２２８ａで接合されている。ハンダ２２８ａとハンダ２２８ｂが、第３放熱板２２と第４放熱板２５の間の第２ハンダ２２８に相当する。第１放熱板１２の縁から延びる第１継手２１３と第４放熱板２５の縁から延びる第２継手２６は、第３ハンダ２３８で接合されている。

図１０において符号Ｗ２１ａがハンダ２１８ａの厚みを示しており、符号Ｗ２１ｂがハンダ２１８ｂの厚みを示しており、符号Ｗ２１ｃがハンダ２１８ｃの厚みを示している。また、符号Ｗ２２ａがハンダ２２８ａの厚みを示しており、符号Ｗ２２ｂがハンダ２２８ｂの厚みを示している。第１ハンダ２１８の厚みＷ１は、Ｗ１＝Ｗ２１ａ＋Ｗ２１ｂ＋Ｗ２１ｃである。第２ハンダ２２８の厚みＷ２は、Ｗ２＝Ｗ２２ａ＋Ｗ２２ｂである。符号Ｗ２３が第３ハンダ２３８の厚みを示している。第２変形例では、第３ハンダ２３８の厚みＷ３は、第２ハンダ２２８の厚みＷ２よりも小さい。また、第１ハンダ２１８の厚みＷ１は、第３ハンダ２３８の厚みＷ３よりも小さい。即ち、Ｗ２＞Ｗ３＞Ｗ１の関係が成立する。この変形例の場合、第３ハンダ１３８の凝固点Ｔ３は、厚みの最も大きい第２ハンダ２２８の凝固点Ｔ２よりも低く、厚みの最も小さい第１ハンダ２１８の凝固点Ｔ１よりも高い。図１０では、凝固点が高いハンダほど、密度の高いドットハッチで描いてある。

第２変形例の場合、放熱板１２、１５、２２、２５と半導体素子のアセンブリを加熱して冷却すると、厚みが最も薄い第１ハンダ２１８がまず凝固し、次いで第３ハンダ２３８が凝固し、最後に厚みの最も大きい第２ハンダ２２８が凝固する。この変形例では、継手の間のハンダ（第３ハンダ２３８）が凝固する前に第１放熱板１２と第２放熱板１５の間の第１ハンダ２１８が凝固するので、第１放熱板１２と第２放熱板１５は、平行を維持したまま、第１トランジスタ素子３に接合される。

また、継手間の第３ハンダ２３８が凝固した後に、第３放熱板２２と第４放熱板２５の間の第２ハンダ２２８が凝固する。第２ハンダ２２８よりも厚みの小さい第３ハンダ２３８の収縮量は、第２ハンダ２２８の収縮量よりも小さいので、第４放熱板２５の傾きが抑制される。この第２変形例の半導体装置２０２は、図３−図７で示した半導体装置２ほどではないが、第４放熱板２５の傾斜を抑えることができる。

実施例で説明した技術に関する留意点を述べる。実施例の半導体装置２、１０２、２０２は、一対の放熱板１２、１５（２２、２５）の間に、トランジスタ素子とダイオード素子を挟んでいる。近年、トランジスタとダイオードの逆並列回路をワンチップ化した半導体素子が開発されている。そのような半導体素子の一例は、ＲＣ−ＩＧＢＴと呼ばれる。トランジスタ素子とダイオードがワンチップ化された半導体素子を採用した場合、放熱板と半導体素子の電極との接合面積と、継手同士の接合面積の差が小さくなる。放熱板と半導体素子の電極との接合面積と、継手同士の接合面積の差が小さくなると、継手同士の接合が放熱板の傾きに与える影響が顕著になる。本明細書が開示する技術は、一対の放熱板の間に一つの小型の半導体素子が挟まれる半導体装置に特に有効である。また、図３−図７で示したように、継手の間のハンダ（第３ハンダ３８）の厚みを、放熱板の間のハンダ（第１ハンダ１８と第２ハンダ２８）の厚みよりも大きくすることで、最も高い効果を得ることができる。

実施例の第１トランジスタ素子３と第１ダイオード素子４が第１半導体素子の一例に相当する。実施例の第２トランジスタ素子５と第２ダイオード素子６が第２半導体素子の一例に相当する。第１放熱板１２、第２放熱板１５、第３放熱板２２、第４放熱板２５が、夫々、第１金属板、第２金属板、第３金属板、第４金属板の一例に相当する。

以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。

２、１０２、２０２：半導体装置
２ａ：アセンブリ
３：第１トランジスタ素子
４：第１ダイオード素子
５：第２トランジスタ素子
５ｂ：エミッタ電極
６：第２ダイオード素子
７ａ−７ｄ、２０７ａ：スペーサ
９：樹脂パッケージ
１２、１５、２２、２５：放熱板
１３、１１３、２１３：第１継手
１４：Ｏ端子
１６：継手
１８ａ、１８ｂ、１８ｃ、１１８ａ、１１８ｂ：ハンダ（第１ハンダ）
２８ａ、２８ｂ、２８ｃ、１２８ａ、１２８ｂ：ハンダ（第２ハンダ）
３８、１３８、２３８：ハンダ（第３ハンダ）
４２：リードフレーム
２１８ａ、２１８ｂ、２１８ｃ：ハンダ（第１ハンダ）
２２８ａ、２２８ｂ、２２８ｃ：ハンダ（第２ハンダ）

Claims (2)

1. 両面に電極を備えている第１半導体素子及び第２半導体素子と、
   前記第１半導体素子を挟んでおり、前記第１半導体素子の夫々の前記電極と第１ハンダで接合されている第１及び第２金属板と、
   前記第２半導体素子を挟んでおり、前記第２半導体素子の夫々の前記電極と第２ハンダで接合されている第３及び第４金属板と、
   前記第１半導体素子と前記第２半導体素子を封止している樹脂パッケージであって、その一面に前記第１金属板と前記第３金属板が露出しているとともに、反対面に前記第２金属板と前記第４金属板が露出している樹脂パッケージと、
   を備えており、
   前記第１金属板の縁から第１継手が延びているとともに前記第４金属板の縁から第２継手が延びており、前記第１継手と前記第２継手が、前記第１金属板と前記第１半導体素子の積層方向からみて重なっているとともに第３ハンダで接合されており、
   前記第１金属板と前記第２金属板の間の前記第１ハンダの合計の厚みと、前記第１継手と前記第２継手の間の前記第３ハンダの厚みが異なっており、厚みの小さい方のハンダの凝固点が、厚みの大きい方のハンダの凝固点よりも高く、
   前記第３金属板と前記第４金属板の間の前記第２ハンダの合計の厚みと、前記第３ハンダの厚みが異なっており、厚みの小さい方のハンダの凝固点が、厚みの大きい方のハンダの凝固点よりも高い、半導体装置。
2. 前記第１ハンダの合計の厚みが、前記第３ハンダの厚みよりも小さく、前記第２ハンダの合計の厚みが前記第３ハンダの厚みよりも小さい、請求項１に記載の半導体装置。