JP6523152B2 - センサ中継装置 - Google Patents
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Description
[第1の実施の形態]
まず、図1を参照して、本発明の第1の実施の形態にかかるセンサ中継装置10について説明する。図1は、第1の実施の形態にかかるセンサ中継装置の構成を示すブロック図である。
処理装置20は、全体としてサーバ装置などの情報処理装置からなり、通信ネットワークNWを介して受信した中継データに基づいて、対象での事象発生を検知する機能を有している。
次に、図1を参照して、センサ中継装置10の構成について詳細に説明する。
センサ中継装置10には、主な回路部として、センサI/F回路11、ネットワークI/F回路12、中継処理LSI回路13、および外部メモリ14が設けられている。
付加価値処理回路13Dは、入力されたセンサデータに対して、複数のセンサデータを1つに集約する集約処理や、複数のセンサデータを解析してこれらの特徴を示す特徴データを抽出する解析処理など、各種の付加価値処理を実施して出力する機能を有している。
外部メモリ14は、中継処理LSI回路13のLSIチップ外部に設けられた半導体メモリである。
次に、図2を参照して、本実施の形態にかかるセンサ中継装置10の動作について説明する。図2は、第1の実施の形態にかかるセンサ中継動作を示すシーケンス図である。
これに応じて、中継処理LSI回路13の中継処理制御回路13Aは、入力されたセンサデータの保存をメモリアクセス制御回路13Bに要求する(ステップ102)。
メモリアクセス制御回路13Bは、この読出要求に応じて、指示されたデータの価値を確認し、当該データがセンサデータであり価値が低いことから、読出先として外部メモリ14を選択し(ステップ111)、外部メモリ14からセンサデータを読み出す(ステップ112)。
これに応じて、付加価値処理回路13Dは、指定されたセンサデータを取得して、集約処理や解析処理などの付加価値処理を実施し(ステップ114)、得られた中継データを中継処理制御回路13Aへ出力する(ステップ115)。
メモリアクセス制御回路13Bは、この保存要求に応じて、指示されたデータの価値を確認し、当該データが中継データであり価値が高いことから、保存先として内部メモリ13Cを選択し(ステップ117)、中継データを内部メモリ13Cへ保存する(ステップ118)。
メモリアクセス制御回路13Bは、この読出要求に応じて、指示されたデータの価値を確認し、当該データが中継データであり価値が高いことから、読出先として内部メモリ13Cを選択し(ステップ121)、内部メモリ13Cから中継データを読み出す(ステップ122)。
これに応じて、ネットワークI/F回路12は、指定された中継データを通信ネットワークNWを介して処理装置20へ送信し(ステップ124)、一連のセンサ中継動作を終了する。
このように、本実施の形態は、中継処理LSI回路13は、センサデータまたは中継データからなるデータをメモリに一時保存する際、当該データの価値の高低に応じて、自己のLSIチップ内部に搭載した内部メモリ13CまたはLSIチップ外部に設けられた外部メモリ14のいずれかを選択して保存するようにしたものである。
これにより、比較的低価値であるセンサデータについては外部メモリ14に保存され、センサデータと比較して高価値である中継データについては内部メモリ13Cに保存される。
これにより、価値の高い中継データについては、センサ中継装置10と処理装置20との間の区間において高いセキュリティ性を確保することができる。また、価値の低いセンサデータについては、センサ端末STとセンサ中継装置10と間の区間において、簡素な通信方式を採用でき、この区間においても暗号化方式でデータ通信を行う場合と比較して、セキュリティコストを削減できる。
次に、図3を参照して、本発明の第2の実施の形態にかかるセンサ中継装置10について説明する。図3は、第2の実施の形態にかかるセンサ中継装置の構成を示すブロック図である。
第1の実施の形態では、中継処理LSI回路13内に内部メモリ13Cを設け、データの価値の高低に応じて内部メモリ13Cまたは外部メモリ14のいずれかを選択して保存する場合を例として説明した。本実施の形態は、内部メモリ13Cに代えて、中継処理LSI回路13内に暗号化処理回路13Eを設け、データの価値の高低に応じて暗号化処理の要否を判定して、外部メモリ14へ保存する場合について説明する。
メモリアクセス制御回路13Bは、センサデータおよび中継データからなるデータを、自己のLSIチップ外部に設けられた外部メモリ14に一時保存する際、当該データの価値の高低に応じて暗号化処理の要否を判定する機能を有している。
このほかの構成については、図1と同様であり、ここでの詳細な説明は省略する。
次に、図4を参照して、本実施の形態にかかるセンサ中継装置10の動作について説明する。図4は、第2の実施の形態にかかるセンサ中継動作を示すシーケンス図である。
これに応じて、中継処理LSI回路13の中継処理制御回路13Aは、入力されたセンサデータの保存をメモリアクセス制御回路13Bに要求する(ステップ202)。
メモリアクセス制御回路13Bは、この読出要求に応じて、指示されたデータの価値を確認し、当該データがセンサデータであり価値が低いことから復号不要と判定し(ステップ211)、外部メモリ14からセンサデータを読み出して復号せずに出力する(ステップ212)。
これに応じて、付加価値処理回路13Dは、指定されたセンサデータを取得して、集約処理や解析処理などの付加価値処理を実施し(ステップ214)、得られた中継データを中継処理制御回路13Aへ出力する(ステップ215)。
メモリアクセス制御回路13Bは、この保存要求に応じて、指示されたデータの価値を確認し、当該データが中継データであり価値が高いことから暗号化が必要と判定して(ステップ217)、暗号化処理回路13Eで暗号化した後(ステップ218)、外部メモリ14へ保存する(ステップ219)。
メモリアクセス制御回路13Bは、この読出要求に応じて、指示されたデータの価値を確認し、当該データが中継データであり価値が高いことから復号必要と判定して(ステップ221)、外部メモリ14から中継データを読み出して(ステップ222)、暗号化処理回路13Eで復号する(ステップ223)。
これに応じて、ネットワークI/F回路12は、指定された中継データを通信ネットワークNWを介して処理装置20へ送信し(ステップ225)、一連のセンサ中継動作を終了する。
このように、本実施の形態は、中継処理LSI回路13は、センサデータまたは中継データからなるデータをメモリに一時保存する際、当該データの価値の高低に応じて、暗号化処理の要否を判定するようにしたものである。
これにより、比較的低価値であるセンサデータについては暗号化されずに外部メモリ14に保存され、センサデータと比較して高価値である中継データについては暗号化された後、外部メモリ14に保存される。
次に、図5を参照して、本発明の第3の実施の形態にかかるセンサ中継装置10について説明する。図5は、第3の実施の形態にかかるセンサ中継装置の構成を示すブロック図である。
第2の実施の形態では、中継処理LSI回路13内に内部メモリ13Cを設け、データの価値の高低に応じて内部メモリ13Cまたは外部メモリ14のいずれかを選択して保存する場合を例として説明した。本実施の形態は、内部メモリ13Cに代えて、中継処理LSI回路13内に分散処理回路13Fを設け、データの価値の高低に応じて分散処理の要否を判定して、外部メモリ14へ保存する場合について説明する。
メモリアクセス制御回路13Bは、センサデータおよび中継データからなるデータを、自己のLSIチップ外部に設けられた外部メモリ14に一時保存する際、当該データの価値の高低に応じて分散化処理の要否を判定する機能を有している。
このほかの構成については、図1と同様であり、ここでの詳細な説明は省略する。
次に、図6を参照して、本実施の形態にかかるセンサ中継装置10の動作について説明する。図6は、第3の実施の形態にかかるセンサ中継動作を示すシーケンス図である。
これに応じて、中継処理LSI回路13の中継処理制御回路13Aは、入力されたセンサデータの保存をメモリアクセス制御回路13Bに要求する(ステップ302)。
メモリアクセス制御回路13Bは、この読出要求に応じて、指示されたデータの価値を確認し、当該データがセンサデータであり価値が低いことから集約化不要と判定し(ステップ311)、外部メモリ14からセンサデータを読み出して集約化せずに出力する(ステップ312)。
これに応じて、付加価値処理回路13Dは、指定されたセンサデータを取得して、集約処理や解析処理などの付加価値処理を実施し(ステップ314)、得られた中継データを中継処理制御回路13Aへ出力する(ステップ315)。
メモリアクセス制御回路13Bは、この保存要求に応じて、指示されたデータの価値を確認し、当該データが中継データであり価値が高いことから分散化が必要と判定して(ステップ317)、分散処理回路13Fで分散化した後(ステップ318)、外部メモリ14のうち異なる複数のアドレスへ分散して書き込む(ステップ319)。
メモリアクセス制御回路13Bは、この読出要求に応じて、指示されたデータの価値を確認し、当該データが中継データであり価値が高いことから集約化が必要と判定して(ステップ321)、外部メモリ14から中継データを読み出して(ステップ322)、分散処理回路13Fで集約化する(ステップ323)。
これに応じて、ネットワークI/F回路12は、指定された中継データを通信ネットワークNWを介して処理装置20へ送信し(ステップ325)、一連のセンサ中継動作を終了する。
このように、本実施の形態は、中継処理LSI回路13は、センサデータまたは中継データからなるデータをメモリに一時保存する際、当該データの価値の高低に応じて、暗号化処理の要否を判定するようにしたものである。
これにより、比較的低価値であるセンサデータについては分散化されずに外部メモリ14に保存され、センサデータと比較して高価値である中継データについては分散化された後、外部メモリ14の異なる複数のアドレスに分散して保存される。
以上、実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細には、本発明のスコープ内で当業者が理解しうる様々な変更をすることができる。また、各実施形態については、矛盾しない範囲で任意に組み合わせて実施することができる。
Claims (5)
- 複数のセンサ端末で検出されたセンサデータを、処理装置へ中継転送するセンサ中継装置であって、
前記センサ端末から通信回線を介してセンサデータを受信するセンサI/F回路と、
前記センサデータに対して付加価値処理を実施することにより中継データを生成する中継処理LSI回路と、
前記中継データを通信ネットワークを介して前記処理装置へ転送するネットワークI/F回路とを備え、
前記中継処理LSI回路は、前記センサデータまたは前記中継データからなるデータをメモリに一時保存する際、当該データの価値の高低に応じて、自己のLSIチップ内部に搭載した内部メモリまたはLSIチップ外部に設けられた外部メモリのいずれかを選択して保存し、
前記中継データが流れる信号配線は、プリント配線基板の内部層またはLSIチップの裏側面に形成されている
ことを特徴とするセンサ中継装置。 - 複数のセンサ端末で検出されたセンサデータを、処理装置へ中継転送するセンサ中継装置であって、
前記センサ端末から通信回線を介してセンサデータを受信するセンサI/F回路と、
前記センサデータに対して付加価値処理を実施することにより中継データを生成する中継処理LSI回路と、
前記中継データを通信ネットワークを介して前記処理装置へ転送するネットワークI/F回路とを備え、
前記中継処理LSI回路は、前記センサデータおよび前記中継データからなるデータを暗号化した後、自己のLSIチップ外部に設けられた外部メモリに一時保存する際、当該データの価値の高低に応じて暗号化処理の要否を判定し、
前記中継データが流れる信号配線は、プリント配線基板の内部層またはLSIチップの裏側面に形成されている
ことを特徴とするセンサ中継装置。 - 複数のセンサ端末で検出されたセンサデータを、処理装置へ中継転送するセンサ中継装置であって、
前記センサ端末から通信回線を介してセンサデータを受信するセンサI/F回路と、
前記センサデータに対して付加価値処理を実施することにより中継データを生成する中継処理LSI回路と、
前記中継データを通信ネットワークを介して前記処理装置へ転送するネットワークI/F回路とを備え、
前記中継処理LSI回路は、前記センサデータおよび前記中継データからなるデータを、自己のLSIチップ外部に設けられた外部メモリのうち、異なる複数のアドレスに分散保存する際、当該データの価値の高低に応じて分散保存の要否を判定し、
前記中継データが流れる信号配線は、プリント配線基板の内部層またはLSIチップの裏側面に形成されている
ことを特徴とするセンサ中継装置。 - 請求項1〜請求項3に記載のセンサ中継装置において、
前記センサI/F回路は、前記センサ端末から前記センサデータを受信する際、オープンアクセス方式でデータ通信を行い、
前記ネットワークI/F回路は、前記処理装置へ前記中継データを送信する際、暗号化方式でデータ通信を行う
ことを特徴とするセンサ中継装置。 - 複数のセンサ端末で検出されたセンサデータを、処理装置へ中継転送するセンサ中継装置であって、
前記センサ端末から通信回線を介してセンサデータを受信するセンサI/F回路と、
前記センサデータに対して付加価値処理を実施することにより中継データを生成する中継処理LSI回路と、
前記中継データを通信ネットワークを介して前記処理装置へ転送するネットワークI/F回路とを備え、
前記センサI/F回路は、前記センサ端末から前記センサデータを受信する際、オープンアクセス方式でデータ通信を行い、
前記ネットワークI/F回路は、前記処理装置へ前記中継データを送信する際、暗号化方式でデータ通信を行い、
前記中継データが流れる信号配線は、プリント配線基板の内部層またはLSIチップの裏側面に形成されている
ことを特徴とするセンサ中継装置。
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