JP6571573B2 - 電気化学センサ及び電気化学センサの製造方法 - Google Patents
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Description
、水分透過性を有する層状物質又は粒状物質を含み、銀塩化銀電極を覆う保護膜を備えている。そのため、本発明の電気化学センサでは、当該保護膜により、銀塩化銀の溶出が抑えられ、参照電極としての銀塩化銀電極の電位が安定することにもなる。
への拡散溶出を抑制する制限膜であることが好ましい。これにより、銀塩化銀電極近傍に銀及び銀クロライド錯体が保持され、平衡状態がAgClの電離及びクロライド錯体の形成が起こらない方向へシフトし、銀塩化銀電極の継続的な溶解が抑制される。また、当該保護膜に含まれる層状物質及び粒状物質は、無機物質であっても良い。更に、銀塩化銀電極を覆う保護膜に含まれる層状物質は、スメクタイト又は酸化グラフェンであっても良いし、銀塩化銀電極を覆う保護膜に粒状物質は、セラミック粒子であっても良い。尚、本発明の電気化学センサに、どの程度の水分透過性を有する層状物質又は粒状物質を採用するかは、電気化学センサの用途や具体的な構成等に基づき定めることができる。
記構造体上に塗布する工程を含むものを採用しておけば、他の工程(例えば、マスク層の形成、真空蒸着等からなる工程)を採用した場合よりも、容易に銀塩化銀電極を形成することができる。
作用電極22との間を電気的に接続する配線25b及びコンタクトパッド26cと下地電極23cとの間を電気的に接続する配線25cを備える。
形成したものであっても良い。
シエチルメタクリレート)及びこれらを含むコポリマーを用いることができる。ポリマー
膜34は、単一の材料であってもよいし、複数の材料を用いた混合膜であってもよい。
いてさらに詳細に説明する。尚、以下で説明する実施例1、2及び比較例に係る電気化学センサは、主として、保護膜32の機能評価のために製造したものである。
まず、基材11としてのポリエーテルエーテルケトン基材上にAu(金)をスパッタ法により形成した。次いで、基材11上のAu膜をレーザートリミングすることにより基材11上に下地電極23c、配線25c及びコンタクトパッド26c等を形成した。その後、下地電極23c等を形成した基材11上をパリレン(日本パリレン合同会社の登録商標)で被覆した。次いで、フォトレジスト貼付後のドライエッチングによりパリレンをパターニングすることで、0.04mm2の開口部を有し、開口部から下地電極23cが露出
する形状の絶縁層30を形成した。
法で塗布することにより、下地電極23c及び絶縁層30上に銀塩化銀電極23が形成されたセンサを得た。その後、銀塩化銀電極23を覆うように、酸化グラフェン(5g/L)を分注装置で40nL(ナノリットル)塗布した。次いで、当該センサを40℃で2時間乾燥させることにより、銀塩化銀電極23を覆う保護膜32を形成した。このように形成された保護膜32の厚さは、例えば、0.5μm以上1μm以下である。
実施例2に係る電気化学センサは、実施例1に係る電気化学センサを得る処理(工程)と同じ手順で銀塩化銀電極23の形成までを行ったセンサに対して、以下の処理を行うことにより製造したものである。
比較例1に係る電気化学センサでは、実施例1、2に係る電気化学センサと同じ手順で銀塩化銀電極23の形成を行い、銀塩化銀電極23を覆うようにポリマー膜34を形成した。従って、比較例1に係る電気化学センサでは、銀塩化銀電極23上に保護膜32を形成していない。
上記のようにして製造した実施例1、2及び比較例に係る電気化学センサの銀塩化銀電極23の電位の安定性を評価した。
上記手順で製造した実施例1、2及び比較例に係る電気化学センサを、37℃のPBS(Phosphate Buffered Saline)溶液中に浸漬し、各センサの銀塩化銀電極23の電位を、
ビー・エー・エス社製銀塩化銀電極(内部液3M NaCl)を基準に測定し、各電位の推移を10日間記録した。
1上には、下地電極23cの一部が露出する状態で下地電極23cを覆う絶縁層30が設けられている。そのため、本実施形態に係る電気化学センサでは、絶縁層30の外縁よりも内側に銀塩化銀電極23を形成することにより、銀塩化銀電極23と他電極(対電極11や作用電極22)との短絡は生じない。
は銀クロライド錯体の外部溶液への拡散溶出を抑制する制限膜としての機能を有する。従って、銀塩化銀電極23の近傍に銀及び銀クロライド錯体が保持され、平衡状態がAgClの電離及びクロライド錯体の形成が起こらない方向へシフトし、銀塩化銀電極23の継続的な溶解が抑制される。また、本実施形態に係る電気化学センサでは、作用電極22を活性化する工程やポリマー膜34の塗布工程で用いる有機溶媒に保護膜32が溶解しないため、これらの工程において保護膜32の浸食は起こらない。本実施形態に係る電気化学センサでは、保護膜32により銀塩化銀の溶出が抑えられ、銀塩化銀電極23(参照電極)の電位が安定する(図3〜図5参照)。
上記した実施形態に係る電気化学センサは、各種の変形が可能である。例えば、センサ用構造体(電気化学センサ)の基材11の形状、基材11上の各部の形状及び位置関係は、図2に示した通りのものでなくても良い。ただし、下地電極23cと他電極(対電極21及び/又は作用電極22)とが基材11の短手方向に並んだ構成を採用した場合には、絶縁層30の、基材11の短手方向のサイズが、基材11上の他電極の存在により制限されることになる。従って、下地電極23cと他電極とが基材11の短手方向に並んだ電気化学センサと、各電極が基材11上に基材11の長手方向に沿って並んだ電気化学センサ(図2参照)とを同じ基材11を用いて製造した場合、前者の電気化学センサは、後者の電気化学センサよりも、絶縁層30のサイズが小さくなる。
21 対電極
22 作用電極
23 銀塩化銀電極
23c 下地電極
24 酵素試薬層
25a、25b、25c 配線
26a、26b、26c コンタクトパッド
30 絶縁層
32 保護膜
34 ポリマー膜
Claims (6)
- 基材と、
前記基材上に配置された導体と、
前記導体の一部が露出する状態で前記導体を覆う絶縁層と、
少なくとも前記導体の露出した部分上に形成された銀塩化銀電極と、
水分透過性を有する層状物質又は粒状物質を含み、前記銀塩化銀電極を覆う保護膜と、
を備えることを特徴とする電気化学センサ。 - 前記銀塩化銀電極が、前記導体の露出した部分及び前記絶縁層上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の電気化学センサ。
- 前記保護膜が、銀塩化銀からの溶出成分の透過を制限する制限膜であることを特徴とする請求項1又は2に記載の電気化学センサ。
- 前記層状物質及び前記粒状物質は、無機物質であることを特徴とする請求項1から3の何れか一項に記載の電気化学センサ。
- 前記層状物質は、スメクタイト又は酸化グラフェンであり、前記粒状物質は、セラミック粒子であることを特徴とする請求項1から4の何れか一項に記載の電気化学センサ。
- 基材、前記基材上に配置された導体、及び、前記導体の一部が露出する状態で前記導体を覆う絶縁層を含む構造体を形成する工程と、
少なくとも前記導体の露出した部分と接触するように前記構造体上に銀塩化銀電極を形成する工程と、
水分透過性を有する層状物質又は粒状物質を含み、前記銀塩化銀電極を覆う保護膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする電気化学センサの製造方法。
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| JP2016061957A JP6571573B2 (ja) | 2016-03-25 | 2016-03-25 | 電気化学センサ及び電気化学センサの製造方法 |
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