JP6821055B2 - 無方向性電磁鋼板およびその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の他の実施例の目的は、Sn、Sb、Pの代わりができる新たな添加元素を含む無方向性電磁鋼板の製造方法を提供することにある。
[式1]
0.2≦([Si]+[Al]+0.5×[Mn])/(([Ga]+[Ge])×1000)≦5.27
ただし、[Si]、[Al]、[Mn]、[Ga]および[Ge]は、それぞれSi、Al、Mn、GaおよびGeの含有量(重量%)を示す。
[式2]
3.3≦([Si]+[Al]+0.5×[Mn])≦5.5
ただし、[Si]、[Al]および[Mn]は、それぞれSi、AlおよびMnの含有量(重量%)を示す。
[式1]
0.2≦([Si]+[Al]+0.5×[Mn])/(([Ga]+[Ge])×1000)≦5.27
ただし、[Si]、[Al]、[Mn]、[Ga]および[Ge]は、それぞれSi、Al、Mn、GaおよびGeの含有量(重量%)を示す。
[式2]
3.3≦([Si]+[Al]+0.5×[Mn])≦5.5
ただし、[Si]、[Al]および[Mn]は、それぞれSi、AlおよびMnの含有量(重量%)を示す。
Si:2.0〜3.5重量%
ケイ素(Si)は、材料の比抵抗を高めて鉄損を低める役割を果たし、過度に少なく添加される場合、高周波鉄損改善の効果が不足することがある。反対に過度に多く添加される場合、材料の硬度が上昇して冷間圧延性が極度に悪化して生産性および打抜性が劣位になることがある。したがって、前述した範囲でSiを添加することができる。
アルミニウム(Al)は、材料の比抵抗を高めて鉄損を低める役割を果たし、過度に少なく添加されると高周波鉄損低減に効果がなく、窒化物が微細に形成されて磁性を劣化させることがある。反対に過度に多く添加されると製鋼と連続鋳造などのすべての工程上に問題を発生させて生産性を大きく低下させることがある。したがって、前述した範囲でAlを添加することができる。
マンガン(Mn)は、材料の比抵抗を高めて鉄損を改善し、硫化物を形成させる役割を果たし、過度に少なく添加されるとMnSが微細に析出されて磁性を劣化させることがある。反対に過度に多く添加されると磁性に不利な[111]集合組織の形成を助長して磁束密度が減少することがある。したがって、前述した範囲でMnを添加することができる。
ガリウム(Ga)、ゲルマニウム(Ge)は、鋼板の表面および結晶粒系に偏析して焼鈍時に表面酸化を抑制し、集合組織を改善する役割を果たす。本発明の一実施例でGaおよびGeのうちの1種以上が含まれてもよい。つまり、Gaのみを単独で含むか、Geのみを単独で含むか、GaおよびGeを同時に含むことができる。Geのみを単独で含む場合、Geが0.0005〜0.03重量%含まれてもよい。Gaのみを単独で含む場合、Gaが0.0005〜0.03重量%含まれてもよい。GaおよびGeを同時に含む場合、GaおよびGeの合計量が0.0005〜0.03重量%になるように含まれてもよい。GaおよびGeのうちの1種以上が過度に少なく添加されるとその効果がなく、過度に多く添加されると結晶粒系に偏析されて材料の靭性を低下させて磁性改善に比べて生産性が低下するため好ましくない。具体的にGaおよびGeを同時に含み、Gaを0.0005〜0.02重量%およびGeを0.0005〜0.02重量%含むことができる。より具体的にGaを0.0005〜0.01重量%およびGeを0.0005〜0.01重量%含むことができる。
窒素(N)は、母材内部に微細で長いAlN析出物を形成するだけでなく、その他不純物と結合して微細な窒化物を形成して結晶粒成長を抑制して鉄損を悪化させるため、0.0040重量%以下、より具体的には0.0030重量%以下に制限することがよい。
炭素(C)は、磁気時効を起こし、その他不純物元素と結合して炭化物を生成して磁気的特性を低下させるため、0.0040重量%以下、より具体的には0.0030重量%以下に制限することがよい。
硫黄(S)は、Mnと反応してMnSなどの硫化物を形成して結晶粒成長性を低下させ、磁区移動を抑制する役割を果たすため、0.0040重量%以下に制御することが好ましい。より具体的には0.0030重量%以下に制限することがよい。
チタニウム(Ti)は、炭化物または窒化物を形成して結晶粒成長性および磁区移動を抑制する役割を果たすため、0.0030重量%以下、より具体的には0.0020重量%以下に制限することがよい。
ニオビウム(Nb)は、炭化物または窒化物を形成して結晶粒成長性および磁区移動を抑制する役割を果たすため、0.0030重量%以下、より具体的には0.0020重量%以下に制限することがよい。
バナジウム(V)は、炭化物または窒化物を形成して結晶粒成長性および磁区移動を抑制する役割を果たすため、0.0030重量%以下、より具体的には0.0020重量%以下に制限することがよい。
前述した元素以外にも、Mo、Mg、Cuなどの不可避に混入される不純物が含まれてもよい。これら元素は、微量であるが、鋼内介在物形成などを通じた磁性悪化を招き得るため、Mo、Mg:それぞれ0.005重量%以下、Cu:0.025重量%以下に管理されなければならない。
[式1]
0.2≦([Si]+[Al]+0.5×[Mn])/(([Ga]+[Ge])×1000)≦5.27
ただし、[Si]、[Al]、[Mn]、[Ga]および[Ge]は、それぞれSi、Al、Mn、GaおよびGeの含有量(重量%)を示す。
[式2]
3.3≦([Si]+[Al]+0.5×[Mn])≦5.5
ただし、[Si]、[Al]および[Mn]は、それぞれSi、AlおよびMnの含有量(重量%)を示す。
実施例1
下記表1のように組成されるスラブを製造した。表1に記載された成分以外のC、S、N、Ti、Nb、Vなどはすべて0.003%以下に制御した。スラブを1150℃で加熱し、850℃で熱間仕上げ圧延して板厚さ2.0mmの熱延板を作製した。熱間圧延された熱延板は1100℃で4分間焼鈍した後に酸洗した。その後、冷間圧延して板厚さを0.25mmにした後、1000℃温度で38秒間最終焼鈍を行った。磁性は単板試験器(Single Sheet tester)を利用して圧延方向および垂直方向の平均値で決定して下記表2に示した。透磁率は100A/mでの透磁率であり、保磁力はB=2.0Tでの保磁力である。集合組織は1/2tまで鋼板を切削し、XRD(X線回折分析)試験方法を利用してそれぞれの面強度を求めた。
Claims (10)
- 重量%で、Si:2.0〜3.5%、Al:0.30〜2.5%、Mn:0.30〜2.5%、GaおよびGeのうちの1種以上をそれぞれ単独またはその合計量で0.0005〜0.03%、N:0%より大で0.0040%以下、C:0%より大で0.0040%以下、S:0%より大で0.0040%以下、Ti:0%より大で0.0030%以下、Nb:0%より大で0.0030%以下およびV:0%より大で0.0040%以下、並びに残部はFeおよび不可避な不純物からなり、
下記式1および式2を満足する無方向性電磁鋼板。
[式1]
0.20≦([Si]+[Al]+0.5×[Mn])/(([Ga]+[Ge])×1000)≦5.27
(ただし、[Si]、[Al]、[Mn]、[Ga]および[Ge]は、それぞれSi、Al、Mn、GaおよびGeの含有量(重量%)を示す。)
[式2]
3.3≦([Si]+[Al]+0.5×[Mn])≦5.5
(ただし、[Si]、[Al]および[Mn]は、それぞれSi、AlおよびMnの含有量(重量%)を示す。) - Ga:0.0005〜0.02重量%およびGe:0.0005〜0.02重量%を含む請求項1に記載の無方向性電磁鋼板。
- 前記鋼板の厚さの1/2t〜1/4t領域をXRD試験する時、集合組織の強度比がP200/(P211+P310)≧0.5を満足する請求項1または請求項2に記載の無方向性電磁鋼板。
(ただし、1/2tとは、全体鋼板厚さで1/2厚さを意味し、1/4tとは、全体鋼板厚さで1/4厚さを意味し、P200はXRD試験で、<200>面が鋼板垂直方向に15度以内で平行に置かれている集合組織の面強度を意味し、P211は<211>面が鋼板垂直方向に15度以内で平行に置かれている集合組織の面強度を意味し、P310は<310>面が鋼板垂直方向に15度以内で平行に置かれている集合組織の面強度を意味する。) - 平均結晶粒径が50〜95μmである請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の無方向性電磁鋼板。
- 100A/mでの透磁率が8000以上であり、B=2.0Tでの保磁力が40A/m以下である請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の無方向性電磁鋼板。
- 比抵抗が55〜75μΩ・cmである請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の無方向性電磁鋼板。
- 重量%で、Si:2.0〜3.5%、Al:0.30〜2.5%、Mn:0.30〜2.5%、GaおよびGeのうちの1種以上をそれぞれ単独またはその合計量で0.0005〜0.03%、N:0%より大で0.0040%以下、C:0%より大で0.0040%以下、S:0%より大で0.0040%以下、Ti:0%より大で0.0030%以下、Nb:0%より大で0.0030%以下およびV:0%より大で0.0040%以下、並びに残部はFeおよび不可避な不純物からなり、
下記式1および式2を満足するスラブを加熱する段階、
スラブを熱間圧延して熱延板を製造する段階、
前記熱延板を冷間圧延して冷延板を製造する段階、および
前記冷延板を最終焼鈍する段階、を含む無方向性電磁鋼板の製造方法。
[式1]
0.20≦([Si]+[Al]+0.5×[Mn])/(([Ga]+[Ge])×1000)≦5.27
(ただし、[Si]、[Al]、[Mn]、[Ga]および[Ge]は、それぞれSi、Al、Mn、GaおよびGeの含有量(重量%)を示す。)
〔式2〕
3.3≦([Si]+[Al]+0.5×[Mn])≦5.5
(ただし、[Si]、[Al]および[Mn]は、それぞれSi、AlおよびMnの含有量(重量%)を示す。) - 前記スラブは、Ga:0.0005〜0.02重量%およびGe:0.0005〜0.02重量%を含む請求項7に記載の無方向性電磁鋼板の製造方法。
- 前記スラブを加熱する段階以前に、
溶鋼を製造する段階、
前記溶鋼にSi合金鉄、Al合金鉄およびMn合金鉄を添加する段階、および
前記溶鋼にGaおよびGeのうちの1種以上を添加し、連続鋳造してスラブを製造する段階、をさらに含む請求項7または請求項8に記載の無方向性電磁鋼板の製造方法。 - 前記熱延板を製造する段階以降、
前記熱延板を熱延板焼鈍する段階をさらに含む請求項7乃至請求項9のいずれか一項に記載の無方向性電磁鋼板の製造方法。
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