JP6888105B2 - Ｒｆ集積電力調整コンデンサ - Google Patents

Ｒｆ集積電力調整コンデンサ Download PDF

Info

Publication number
JP6888105B2
JP6888105B2 JP2019543860A JP2019543860A JP6888105B2 JP 6888105 B2 JP6888105 B2 JP 6888105B2 JP 2019543860 A JP2019543860 A JP 2019543860A JP 2019543860 A JP2019543860 A JP 2019543860A JP 6888105 B2 JP6888105 B2 JP 6888105B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photosensitive glass
glass substrate
metal
layer
dielectric layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019543860A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2020520550A5 (ja
JP2020520550A (ja
Inventor
ジェブ エイチ． フレミング
ジェブ エイチ． フレミング
ジェフ エー． バリントン
ジェフ エー． バリントン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
3D Glass Solutions
Original Assignee
3D Glass Solutions
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 3D Glass Solutions filed Critical 3D Glass Solutions
Publication of JP2020520550A publication Critical patent/JP2020520550A/ja
Publication of JP2020520550A5 publication Critical patent/JP2020520550A5/ja
Priority to JP2021084312A priority Critical patent/JP7245547B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6888105B2 publication Critical patent/JP6888105B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
    • H05K3/0023—Etching of the substrate by chemical or physical means by exposure and development of a photosensitive insulating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
    • H10D1/60—Capacitors
    • H10D1/68—Capacitors having no potential barriers
    • H10D1/692—Electrodes
    • H10D1/696—Electrodes comprising multiple layers, e.g. comprising a barrier layer and a metal layer
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2045—Exposure; Apparatus therefor using originals with apertures, e.g. stencil exposure masks
    • G03F7/2047—Exposure with radiation other than visible light or UV light, e.g. shadow printing, proximity printing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H01G4/129—Ceramic dielectrics containing a glassy phase, e.g. glass ceramic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/228—Terminals
    • H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
    • H01G4/2325—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor characterised by the material of the terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/33—Thin- or thick-film capacitors (thin- or thick-film circuits; capacitors without a potential-jump or surface barrier specially adapted for integrated circuits, details thereof, multistep manufacturing processes therefor)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/35—Feed-through capacitors or anti-noise capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/0029—Processes of manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0094—Filling or covering plated through-holes or blind plated vias, e.g. for masking or for mechanical reinforcement
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
    • H10D1/60—Capacitors
    • H10D1/68—Capacitors having no potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
    • H10D1/60—Capacitors
    • H10D1/68—Capacitors having no potential barriers
    • H10D1/692—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
    • H10D1/60—Capacitors
    • H10D1/68—Capacitors having no potential barriers
    • H10D1/692—Electrodes
    • H10D1/711—Electrodes having non-planar surfaces, e.g. formed by texturisation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/40—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials
    • H10P14/46—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials using a liquid
    • H10P14/47—Electrolytic deposition, i.e. electroplating; Electroless plating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
    • H10P14/6326—Deposition processes
    • H10P14/6328—Deposition from the gas or vapour phase
    • H10P14/6334—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H10P14/6339—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE or pulsed CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/60—Wet etching
    • H10P50/64—Wet etching of semiconductor materials
    • H10P50/642—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P76/00—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
    • H10P76/40—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising inorganic materials
    • H10P76/408—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising inorganic materials characterised by their sizes, orientations, dispositions, behaviours or shapes
    • H10P76/4085—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising inorganic materials characterised by their sizes, orientations, dispositions, behaviours or shapes characterised by the processes involved to create the masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/095—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing rare earths
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C4/00—Compositions for glass with special properties
    • C03C4/04—Compositions for glass with special properties for photosensitive glass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/228—Terminals
    • H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0137—Materials
    • H05K2201/017—Glass ceramic coating, e.g. formed on inorganic substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/107—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by filling grooves in the support with conductive material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Description

本発明は、集積ＲＦ電力調整用コンデンサを作成するステップに関する。
本発明の範囲を制限するものではないが、本発明の背景については、電力調整コンデンサと関連して説明する。
ＲＦデバイスが使用する電力は、より多くなっている。このクラスのＲＦデバイスは、１０Ｖを超える電圧及び２アンペアを超える電流でパルスを生成する。このレベルの電流及び電圧において信号のスイッチを入れたり消したりすることで、著しい量の高調波信号が作成される。これらの高調波信号は、回路の動作を妨害する可能性がある。大値集積シリコン系コンデンサでは、必要とされる静電容量を達成することができず、絶縁破壊に悩まされることになる。
本発明者らは、紫外線への露光及び熱処理の組合せを通じてガラス相からセラミック相へと変換することができる、集積感光性ガラス（photodefinable glass）−セラミックを開発した。フォトマスク又はシャドーマスクを使用する、紫外線露光の選択的適用によって、感光性ガラスにおいて、セラミック物質の領域が作成される。本発明は、高表面積構造体、誘電物質、及び１又は２以上の金属によるコーティングを備える光感受性ガラス（photosensitive glass）基板を調製することによって、１又は２以上の二次元又は三次元容量デバイスを備える基板を製作する方法を含む。
本発明の一実施形態においては、感光性ガラス上に、電力調整のための集積大キャパシタンスを、小さいフォームファクタで作製する方法は、感光性ガラス上に、感光性ガラスにおいて１又は２以上のビア開口部を形成するように加工された導電性シード層を堆積させるステップと、感光性ガラス基板を、金属を電気めっきする金属化シード層とともに配置して、感光性ガラス基板における１又は２以上の開口部を充填してビアを形成するステップと、感光性ガラス基板の前面及び後面を化学機械的に研磨して、充填されたビアのみを残すステップと、２つの隣接する充填されたビアの周囲で、光感受性ガラス基板の少なくとも１つの矩形部分を露出及び変換するステップと、矩形パテントをエッチングして、少なくとも１対の隣接する充填されたビアを露出させて、金属ポストを形成するステップと、第１の電極を形成する金属ポスト上に非酸化層をフラッシュコートするステップと、ポスト上又はその周囲に誘電層を堆積させるステップと、誘電層を金属コーティングして、第２の電極を形成するステップと、第１の金属層を、第１の電極のすべてに対して並列に接続して、コンデンサ用の単一電極を形成するステップと、第２の金属層を、第２の電極のすべてに対して並列に接続して、コンデンサ用の第２の電極を形成するステップとを含む。一態様においては、誘電層は、厚さ０．５ｎｍ〜１０００ｎｍの薄膜である。別の態様においては、誘電層は、厚さ０．０５μｍ〜１００μｍの焼結ペーストである。別の態様においては、誘電層は、１０〜１０，０００の誘電率を有する。別の態様においては、誘電層は、２〜１００の誘電率を有する。別の態様においては、誘電層は、ＡＬＤによって堆積される。別の態様においては、誘電層は、ドクターブレードによって堆積される。別の態様においては、コンデンサは、１，０００ｐｆ／ｍｍ２を超えるキャパシタンス密度を有する。
本発明の別の実施形態においては、感光性ガラス基板上に、電力調整のための集積大キャパシタンスを、小さいフォームファクタで作製する方法は、光感受性ガラス基板上で、円形パターンをマスクするステップと、光感受性ガラス基板の少なくとも一部分を、活性化ＵＶエネルギー源に対して露光するステップと、光感受性ガラス基板を、そのガラス転移温度よりも高い温度の少なくとも１０分間の加熱フェーズに加熱するステップと、光感受性ガラス基板を冷却して、露光されたガラスの少なくとも一部を結晶性物質に変換して、ガラス−セラミック結晶性基板を形成するステップと、感光性ガラス基板のセラミック相を、エッチング溶液で、部分的にエッチングして取り除くステップと、感光性ガラス上に、導電性シード層を堆積させるステップと、感光性ガラス基板を、金属を電気めっきする金属化シード層とともに配置して、感光性ガラス基板における１又は２以上の開口部を充填してビアを形成するステップと、感光性ガラス基板の前面及び後面を化学機械的に研磨して、充填されたビアのみを残すステップと、２つの隣接する充填されたビアの周囲で、光感受性ガラス基板の少なくとも１つの矩形部分を露出及び変換するステップと、矩形パテントをエッチングして、少なくとも１対の隣接する充填されたビアを露出させて、金属ポストを形成するステップと、第１の電極を形成する金属ポスト上に非酸化層をフラッシュコートするステップと、ポスト上又はその周囲に誘電層を堆積させるステップと、誘電層を金属コーティングして、第２の電極を形成するステップと、第１の金属層を、第１の電極のすべてに対して並列に接続して、コンデンサ用の単一電極を形成するステップと、第２の金属層を、第２の電極のすべてに対して並列に接続して、コンデンサ用の第２の電極を形成するステップとを含む。一態様においては、誘電層は、厚さ０．５ｎｍ〜１０００ｎｍの薄膜である。別の態様においては、誘電層は、厚さ０．０５μｍ〜１００μｍの焼結ペーストである。別の態様においては、誘電層は、１０〜１０，０００の誘電率を有する。別の態様においては、誘電層は、２〜１００の誘電率を有する。別の態様においては、誘電層は、ＡＬＤによって堆積される。別の態様においては、誘電層は、ドクターブレードによって堆積される。別の態様においては、コンデンサは、１，０００ｐｆ／ｍｍ２を超えるキャパシタンス密度を有する。
本発明のなおも別の実施形態は、光感受性ガラス基板上で、円形パターンをマスクするステップと、光感受性ガラス基板の少なくとも一部分を、活性化ＵＶエネルギー源に対して露光するステップと、光感受性ガラス基板を、そのガラス転移温度よりも高い温度の少なくとも１０分間の加熱フェーズに加熱するステップと、光感受性ガラス基板を冷却して、露光されたガラスの少なくとも一部を結晶性物質に変換して、ガラス−セラミック結晶性基板を形成するステップと、感光性ガラス基板のセラミック相を、エッチング溶液で、部分的にエッチングして取り除くステップと、感光性ガラス上に、導電性シード層を堆積させるステップと、感光性ガラス基板を、金属を電気めっきする金属化シード層とともに配置して、感光性ガラス基板における１又は２以上の開口部を充填してビアを形成するステップと、感光性ガラス基板の前面及び後面を化学機械的に研磨して、充填されたビアのみを残すステップと、２つの隣接する充填されたビアの周囲で、光感受性ガラス基板の少なくとも１つの矩形部分を露出及び変換するステップと、矩形パテントをエッチングして、少なくとも１対の隣接する充填されたビアを露出させて、金属ポストを形成するステップと、第１の電極を形成する金属ポスト上に非酸化層をフラッシュコートするステップと、ポスト上又はその周囲に誘電層を堆積させるステップと、誘電層を金属コーティングして、第２の電極を形成するステップと、第１の金属層を、第１の電極のすべてに対して並列に接続して、コンデンサ用の単一電極を形成するステップと、第２の金属層を、第２の電極のすべてに対して並列に接続して、コンデンサ用の第２の電極を形成するステップとを含む方法によって作製される、集積コンデンサを包含する。一態様においては、誘電層は、厚さ０．５ｎｍ〜１０００ｎｍの薄膜である。別の態様においては、誘電層は、厚さ０．０５μｍ〜１００μｍの焼結ペーストである。別の態様においては、誘電物質は、１０〜１０，０００の誘電率を有する。別の態様においては、誘電薄膜は、２〜１００の誘電率を有する。別の態様においては、誘電薄膜は、ＡＬＤによって堆積される。別の態様においては、誘電ペースト物質は、ドクターブレードによって堆積される。別の態様においては、コンデンサは、１，０００ｐｆ／ｍｍ２を超えるキャパシタンス密度を有する。
本発明の特色及び利点のより完全な理解のために、これより、本発明の詳細な記載について、添付の図面と併せて参照する。
銅で電気めっきされた、シード層を伴う充填された貫通ホールビアの画像である。 絶縁物質がＨｆＯ２である、ＲＦ電力調整用コンデンサ及び物質キーの断面図である。 ＲＦ電力調整用コンデンサの上面図である。 ＢａＴｉＯ３系集積電力調整コンデンサである。 直径が６５μｍであり、中心から中心までのピッチが７２μｍである、貫通ホールである。
本発明の様々な実施形態の作製及び使用について、下で詳細に考察されるが、本発明は適用可能な発明的概念を多く提供しており、これらの発明的概念は幅広い種類の個別の状況において具現化することができるということが理解されるべきである。本明細書において考察されている個別の実施形態は、本発明を作製及び使用する個別の方法の例証であるに過ぎず、本発明の範囲を定めるものではない。
本発明の理解を容易にするために、いくつかの用語を下に定義する。本明細書において定義される用語は、本発明が関連する技術分野における当業者によって一般的に理解されるような意味を有する。例えば「ある１つの（a）」、「ある１つの（an）」、及び「その（the）」などの用語は、単一の主体のみを指すことを意図するものではないが、個別の例が例証のために使用され得るものの一般的分類を包含することを意図している。本明細書における専門用語は、本発明の個別の実施形態を説明するために使用されているが、それらの使用は、特許請求の範囲において概説されているような場合を除き、本発明を限定するものではない。
感光性ガラス物質は、第一世代半導体製造装置を使用して、簡単な３つのステッププロセスで加工され、ここでの最終的な物質は、ガラス、セラミックのいずれかへと形作られるか、又はガラス及びセラミックの両方の領域を含み得る。感光性ガラスは、幅広い種類のマイクロシステム部品、チップ上のシステム、及びパッケージにおけるシステムの製作にとっての、いくつかの利点を有する。マイクロ構造体及び電子部品は、従来の半導体及びプリント回路基板（ＰＣＢ，printed circuit board）加工装置を使用して、これらの種類のガラスで比較的安価に製造されている。一般に、ガラスは、高い温度安定性、良好な機械的及び電気的特性、並びにプラスチック及び多くの種類の金属よりも良好な耐化学性を有する。
酸化セリウムは、酸化セリウムの吸収バンド内の紫外線に対して露光されると、フォトンを吸収し、電子を失うことによって、感作物質として作用する。この反応は、付近の酸化銀を還元して、銀原子を形成する。例えば、以下の通りである。
Ｃｅ３＋＋Ａｇ＋＝□Ｃｅ４＋＋Ａｇ０
銀イオンは、熱処理プロセス中に銀のナノクラスターへと合体し、周囲のガラスにおいて、結晶性セラミック相を形成するための核形成部位を誘発する。この熱処理は、ガラス転移温度付近の温度で行わなければならない。セラミック結晶相は、露光されていないガラス質の非晶質ガラス状領域よりも、例えばフッ化水素酸（ＨＦ）などのエッチング液に対して溶解性である。具体的には、ＦＯＴＵＲＡＮ（登録商標）の結晶性［セラミック］領域は、１０％ＨＦで、非晶質領域よりも約２０倍速くエッチングされ、露光された領域を取り除いた際に約２０：１の壁斜面比を有するマイクロ構造体を可能にする。T. R. Dietrich et al., "Fabrication technologies for microsystems utilizing photoetchable glass," Microelectronic Engineering 30, 497 (1996)を参照されたい。これは、参照によって本明細書に援用される。他の組成の感光性ガラスは、異なる速度でエッチングされることになる。
シリカ、酸化リチウム、酸化アルミニウム、及び酸化セリウムで構成される光感受性ガラス基板を使用して金属デバイスを製作する１つの方法は、マスク及びＵＶ光を使用して、光感受性ガラス基板内に、少なくとも１つの、二次元又は三次元のセラミック相領域を有するパターンを作成することを伴う。
好ましくは、この成形ガラス構造体は、少なくとも１又は２以上の、二次元又は三次元の誘導デバイスを含む。この容量デバイスは、一連の接続された構造体を作製して、電力調整用の高表面積コンデンサを形成することによって形成される。これらの構造体は、キャパシタンスを生成するパターンを作成する、矩形、円形、楕円形、フラクタル、又は他の形状のいずれかであり得る。ＡＰＥＸ（商標）ガラスのパターン形成領域は、めっき又は気相堆積を含むいくつかの方法によって、金属、合金、複合体、ガラス、又は他の磁気媒体で充填され得る。媒体の誘電率は、デバイスにおける構造体の次元、高表面積、及び数と組み合わさって、デバイスのインダクタンスを提供する。動作周波数に応じて、誘導デバイス設計には、異なる透磁率の物質が必要とされることになるため、より高い動作周波数では、銅又は他の類似する物質などの物質が、誘導デバイスにとって一般的に好まれる媒体となる。容量デバイスが生成されると、支持用のＡＰＥＸ（商標）ガラスは定位置に留められるか、又は取り外されて、直列又は並列に取り付けることができる容量性構造体のアレイが作成される。
この方法は、ｍｍ２当たり１ｎｆ超又はそれに等しい値を伴う、集積電力調整用キャパシタンス密度にとって所望される技術的要件を上回る、大表面積コンデンサを作成するために使用することができる。使用される比誘電率及び誘電物質にとって好ましい堆積技術に基づいて、異なるデバイスアーキテクチャが存在する。本発明は、それぞれの誘電物質のためのデバイスアーキテクチャを作成する方法を提供する。
一般に、ガラスセラミックス物質が、マイクロ構造体の形成において収めてきた成功は限定的であった。マイクロ構造体の形成は、性能、均一性、他のものによる有用性、及び利用可能性の問題に悩まされる。過去のガラス−セラミック物質によって得られたエッチングのアスペクト比は、およそ１５：１であったが、対照的に、ＡＰＥＸ（登録商標）ガラスは、５０超：１の平均的エッチングアスペクト比を有する。これによって、ユーザは、より小さく、より深いフィーチャを作成することができる。加えて、我々の製造方法は、９０％超の製品収率を可能とする（これまでのガラスでの収率は、５０％付近である）。最後に、これまでのガラスセラミックスにおいては、ガラスのおよそ３０％しかセラミック状態に変換されなかったが、一方で、ＡＰＥＸ（登録商標）ガラスセラミックでは、この変換率は７０％付近である。
ＡＰＥＸ（登録商標）組成物は、その強化された性能のために、３つのメカニズムを提供する。（１）より多量の銀によって、結晶粒界においてより速くエッチングされる、より小さいセラミック結晶の形成がもたらされ、（２）シリカ（ＨＦ酸によってエッチングされる主な構成成分）の含有量の減少によって、露光されていない物質の所望されないエッチングが減少し、並びに（３）アルカリ金属及び酸化ホウ素の総重量パーセントがより高いことによって、製造中、遥かにより均質なガラスが生成される。
ガラスのセラミック化は、ガラス基板全体を、およそ２０Ｊ／ｃｍ２の３１０ｎｍ光に対して露光することによって達成される。セラミック内にガラス空間を作成しようと試みる場合、ユーザは、ガラスのまま留まるべき場所のガラスを除いて、物質のすべてを露光する。一実施形態においては、本発明は、異なる直径を有する様々な同心円を含む、石英／クロムマスクを提供する。
本発明者らによって実証された、先述の高表面積コンデンサは、ＣＶＤ法を用いる、薄膜金属化ビアを使用する。次いで、金属化ビアは、ＡＬＤ法を用いて、例えば２０ｎｍのＡｌ２Ｏ３層などの誘電物質の薄膜でコーティングされ、その後、上部金属被覆を適用して、ビア（複数可）の有効表面積及び誘電体の極薄コーティングに起因する大キャパシタンスを作製する。
本発明は、電気、マイクロ波、及び高周波用途において、ガラスセラミック構造体中又はその上に誘導デバイスを製作するための方法を包含する。ガラスセラミック基板は、幅広い数の組成変動を有する光感受性ガラス基板であってもよく、限定されるものではないが、６０〜７６重量％のシリカ；少なくとも３重量％のＫ２Ｏであり、６重量％〜１６重量％の、Ｋ２Ｏ及びＮａ２Ｏの組合せを伴う；０．００３〜１重量％の、Ａｇ２Ｏ及びＡｕ２Ｏからなる群から選択される、少なくとも１つの酸化物；０．００３〜２重量％のＣｕ２Ｏ；０．７５重量％〜７重量％のＢ２Ｏ３及び６〜７重量％のＡｌ２Ｏ３であり、Ｂ２Ｏ３及びＡｌ２Ｏ３の組合せは１３重量％を上回らない；８〜１５重量％のＬｉ２Ｏ；並びに０．００１〜０．１重量％のＣｅＯ２が挙げられる。この組成及び他の色々な組成が、一般に、ＡＰＥＸ（登録商標）ガラスと呼ばれる。
ガラスの露光された部分は、ガラス転移温度付近の温度までガラス基板を加熱することによって、結晶性物質へと変換することができる。例えばフッ化水素酸などのエッチング液でガラス基板をエッチングする際に、ガラスを広域スペクトル中紫外（約３０８〜３１２ｎｍ）投光ランプに対して露光して、少なくとも３０：１のアスペクト比を有する成形ガラス構造体を提供し、誘導構造体を作成する場合、露光されていない部分に対する、露光された部分の異方性エッチング比は、少なくとも３０：１である。露光用のマスクは、露光に対して連続的グレースケールを提供して、誘導構造体／デバイスを作成するための曲面構造体を形成する、ハーフトーンマスクのものであってもよい。デジタルマスクを、フラッド露光とともに使用することもでき、誘導構造体／デバイスの作成をもたらすために使用することができる。次いで、露光されたガラスは、典型的には２ステッププロセスでベーキングされる。４２０℃〜５２０℃での１０分間〜２時間の加熱温度範囲は、銀イオンを銀ナノ粒子に合体させ、５２０℃〜６２０℃での１０分間〜２時間の加熱温度範囲は、銀ナノ粒子の周囲において酸化リチウムを形成させる。次いで、ガラス板をエッチングする。ガラス基板は、典型的には５体積％〜１０体積％のＨＦ溶液のエッチング液でエッチングされ、広域スペクトル中紫外フラッドライトで露光した場合、露光されていない部分のエッチング比に対する、露光された部分のエッチング比は、少なくとも３０：１であり、レーザで露光した場合、３０超：１であり、少なくとも３０：１の異方性エッチング比を有する、成形ガラス構造体が提供される。図１は、銅で電気めっきされた、シード層を伴う充填された貫通ホールビアの画像を示している。
本発明は、ガラス−セラミック基板の複数の金属ポストにおいて作成される容量性構造体を包含し、このような方法は、少なくとも１又は２以上の、二次元又は三次元のコンデンサデバイスを含むウエハにおいて感光性ガラス基板を採用している。感光性ガラスウエハは、５０μｍ〜１，０００μｍの範囲であってもよく、我々のケースでは、好ましくは２５０μｍである。次いで、感光性ガラスは、円形パターンでパターン形成され、ガラスの嵩全体を通じてエッチングされる。円形パターンは、直径が５μｍ〜２５０μｍの範囲であってもよいが、好ましくは直径が３０μｍである。均一なチタンシード層が、ＣＶＤ法によって、ビアを含むウエハにまたがって堆積される。シード層の厚さは、５０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲であってもよいが、好ましくは厚さが１５０ｎｍである。次いで、ウエハは電気めっき浴中に置かれ、ここで、銅（Ｃｕ）がシード層上に堆積される。銅層は、ビアを充填するのに十分である必要があり、この場合２５μｍである。ウエハの表側及び裏側は、ラッピングされ、感光性ガラスまで再び研磨される。これは、図２Ａにおいて見ることができる。矩形パターンを、先に記載した方法を使用して感光性ガラスにおいて作製して、ガラスの１０％〜９０％、好ましくは感光性ガラスの体積の８０％を変換する。ビアはまた、例えば希釈ＨＦなどのエッチング液による追加的な低濃度のすすぎを受容してもよい。希釈ＨＦは、ビアのセラミック壁をパターン形成又はテクスチャ形成することになる。セラミック壁のテクスチャ形成は、構造体の表面積を著しく増加させ、デバイスのキャパシタンスを直接的に増加させる。露出した銅を伴う感光性ガラスは、ウエアの裏側において、銅で充填されたビアと物理的／電気的に接触して配置される金属化ポリイミドを有する。金属化ポリイミドと接触する、露出した銅カラムを伴う感光性ガラスは、電気めっき浴中に置かれ、ここで、非酸化金属、又は半導体酸化物若しくは導電性酸化物を形成する金属のフラッシュコーティングが、金属ポストの表面上に電気めっきされる。この金属は、好ましくは、金（Ａｕ）である。この薄いフラッシュコーティングは、誘電媒体／物質の堆積中の、銅ポストの酸化を防止する。原子層堆積（ＡＬＤ，atomic layer deposition）法を用いて酸化可能な金属を堆積させるか、又は例えば１０ÅのＴａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３の誘電層、若しくは限定されるものではないが、Ａｌ２Ｏ３を含む他の気相誘電体などの酸化物質を直接的に堆積させることによって、誘電体を堆積させる。ＴＭＡ及びＯ３を用いた、３８０℃のＡｌ２Ｏ３、サイクル時間：３．５秒間。次いで、Ａｌ２Ｏ３層を酸素雰囲気下で５分間３００℃に加熱して、誘電層を完全に酸化させる。この誘電層の厚さは、５ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲であってもよい。我々にとって好ましい厚さは、図２Ａにおいて見ることができるように、厚さ５ｎｍである。次に、銅のＲＬＤを堆積させて、矩形のホールを充填する。ＲＬＤは、好ましくは、シルクスクリーニング法によって堆積される銅ペーストである。次いで、ウエハを炉内に置き、これを、不活性ガス又は真空環境中において、５〜６０分間、４５０℃〜７００℃に加熱する。我々にとって好ましい温度及び時間は、アルゴンガス中６００℃で２０分間である。最後のステップは、ＲＬＤ銅を接触させ、ダイの前面を横列にし、ウエハの裏側を縦列にすることである。前面の横列のすべてを並列に結び付けて、大集積表面積コンデンサ用の電極を作製する。同様に、ダイの裏面の縦列のすべてを並列に結び付けて、大集積表面積コンデンサ用の下部電極を作製する。図２Ｂは、ＲＦ電力調整用コンデンサの上面図を示している。
第２の実施形態を、図３において見ることができる。本発明は、ガラス−セラミック基板の複数の金属ポストにおいて作成される容量性構造体を包含し、このような方法は、少なくとも１又は２以上の、二次元又は三次元のコンデンサデバイスを含むウエハにおいて感光性ガラス基板を採用している。感光性ガラスウエハは、５０μｍ〜１，０００μｍの範囲であってもよく、我々のケースでは、好ましくは２５０μｍである。次いで、感光性ガラスは、円形パターンでパターン形成され、ガラスの嵩全体を通じてエッチングされる。円形パターンは、直径が５μｍ〜２５０μｍの範囲であってもよいが、好ましくは直径が３０μｍである。均一なチタンシード層が、ＣＶＤ法によって、ビアを含むウエハにまたがって堆積される。シード層の厚さは、５０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲であってもよいが、好ましくは厚さが１５０ｎｍである。次いで、ウエハは電気めっき浴中に置かれ、ここで、銅（Ｃｕ）がシード層上に堆積される。銅層は、ビアを充填するのに十分である必要があり、この場合２５μｍである。ウエハの表側及び裏側は、ラッピングされ、感光性ガラスまで再び研磨される。これは、図３において見ることができる。矩形パターンを、先に記載した方法を使用して感光性ガラスにおいて作製して、ガラスの１０％〜９０％、好ましくは感光性ガラスの体積の８０％を変換する。ビアはまた、例えば希釈ＨＦなどのエッチング液による追加的な低濃度のすすぎを受容してもよい。金属化ポリイミドと接触する、露出した銅カラムを伴う感光性ガラスは、電気めっき浴中に置かれ、ここで、非酸化金属、又は半導体酸化物若しくは導電性酸化物を形成する金属のフラッシュコーティングが、金属ポストの表面上に電気めっきされる。この金属は、好ましくは、金（Ａｕ）である。この薄いフラッシュコーティングは、誘電媒体／物質の堆積中の、銅ポストの酸化を防止する。次いで、誘電領域を、商業的に入手可能なＢａＴｉＯ３ペーストを使用して、これを矩形のウェル内にシルクスクリーニングすることによって作成する。次いで、ウエハを炉内に置き、これを、酸素雰囲気中において、５〜６０分間、４５０℃〜７００℃に加熱する。好ましい温度及び時間は、酸素雰囲気中６００℃で３０分間である。最後のステップは、ＲＬＤ銅を接触させ、ダイの前面を横列にし、ウエハの裏側を、上部電極と並行である横列にすることである。前面の横列のすべてを並列に結び付けて、大集積表面積コンデンサ用の電極を作製する。同様に、ダイの裏面の横列のすべてを並列に結び付けて、大集積表面積コンデンサ用の下部電極を作製する。
図４は、直径が６５μｍであり、中心から中心までのピッチが７２μｍである、貫通ホールを示している。
本発明及びその利点について詳細に説明してきたが、添付の特許請求の範囲によって画定されるような本発明の趣旨及び範囲から逸脱すること無く、様々な変更、置換、及び改変を本発明に対して行うことができることを理解されたい。また、本出願の範囲は、本明細書において記載されている方法（process）、機械、製造、物の組成物、手段、方法（method）、及びステップの特定の実施形態に限定されることを意図するものではない。当業者であれば本発明の開示から容易に理解するように、本明細書において記載されている対応する実施形態と同じ機能を実質的に行うか、又はそれと同じ結果を実質的に達成する、現在存在しているか又は後程開発される、方法（process）、機械、製造、物の組成物、手段、方法（method）、又はステップが、本発明に従って活用され得る。したがって、添付の特許請求の範囲は、このような方法（process）、機械、製造、物の組成物、手段、方法（method）、又はステップを、それらの範囲内に包含することが意図される。
本発明は、費用対効果が高い、ガラスセラミック三次元コンデンサ構造体又は三次元コンデンサアレイデバイスを作成する。ガラスセラミック基板がそのような構造体を形成する能力を実証した場合、垂直面及び水平面の両方を別個に、又は同時に加工することで、二次元又は三次元の容量デバイスが形成される。
本発明は、ビア又はポストを伴う光感受性ガラス基板を準備し、さらに１又は２以上の導電層、典型的には金属、誘電物質、及び上部層導電層、典型的には金属でコーティング又は充填することによって、１又は２以上の、二次元又は三次元コンデンサデバイスを伴う基板を製作する方法を包含する。
本発明の様々な実施形態の作製及び使用について、下で詳細に考察されるが、本発明は適用可能な発明的概念を多く提供しており、これらの発明的概念は幅広い種類の個別の状況において具現化することができるということが理解されるべきである。本明細書において考察されている個別の実施形態は、本発明を作製及び使用する個別の方法の例証であるに過ぎず、本発明の範囲を制限するものではない。
本明細書において考察されるあらゆる実施形態が、本発明のあらゆる方法、キット、試薬、又は組成物に関して実装され得ることが企図されており、逆もまた同様である。さらに、本発明の組成物は、本発明の方法を達成するために使用することができる。
本明細書に記載されている特定の実施形態は、例証のために示されており、本発明を限定するために示されているものではないことが理解されるであろう。本発明の主要な特色は、本発明の範囲から逸脱すること無く、様々な実施形態において採用することができる。当業者であれば、本明細書に記載されている個別の手順に対する多数の均等物を、認識、又は通例の実験作業以上のものを使用すること無く確認することができるであろう。このような均等物は、本発明の範囲内にあるものとみなされ、特許請求の範囲によって網羅される。
本明細書において言及されているすべての刊行物及び特許出願は、本発明が関する技術分野における当業者の技能のレベルを示すものである。すべての刊行物及び特許出願は、それぞれ個々の刊行物又は特許出願について参照によって援用されることが個別具体的に示されているのと同じ程度で、参照によって本明細書に援用される。
特許請求の範囲及び／又は本明細書において、「を含む（comprising）」という用語と併用されている場合の、「ある１つの（a）」又は「ある１つの（an）」という語の使用は、「１つ」を意味する場合もあるが、「１又は２以上」、「少なくとも１つ」、及び「１又は１を超える」という意味とも整合する。特許請求の範囲における「又は（or）」という用語の使用は、ある選択肢のみを指していたり、又は選択肢が相互排他的であったりすると明示的に示されていない限り、「及び／又は」を意味するように使用されているが、本開示では、ある選択肢のみ及び「及び／又は」の両方を指す定義が採用されている。本出願の全体を通じて、「約」という用語は、ある値が、その値を求めるために用いられるデバイス、方法に内在する誤差の偏差、又は研究対象に存在する偏差を含むことを示すために使用されている。
本明細書及び特許請求の範囲において使用される場合、「含む（comprising）」（及び含むの任意の形態、例えば「含む（comprise）」及び「含む（comprises）」など）、「有する（having）」（及び有するの任意の形態、例えば「有する（have）」及び「有する（has）」など）、「含む（including）」（及び含むの任意の形態、例えば「含む（includes）」及び「含む（include）」など）、又は「含有する（containing）」（及び含有するの任意の形態、例えば「含有する（contains）」及び「含有する（contain）」など）という語は、包括的又は非限定的であり、追加的な、列挙されていない要素又は方法ステップを排除するものではない。本明細書において提供されている組成物及び方法のいずれかの実施形態において、「含む」は、「から本質的になる」又は「本質的になる」で置き換えられる場合がある。本明細書において使用される場合、「から本質的になる」という語句は、特定された完全体（複数可）又はステップだけでなく、特許請求される発明の特徴又は機能に対して実質的に影響を及ぼさないものも必要とする。本明細書において使用される場合、「からなる」という用語は、列挙された完全体（例えば、特色、要素、特徴、特性、方法／プロセスステップ、又は限界）又は完全体の群（例えば、特色（複数可）、要素（複数可）、特徴（複数可）、特性（複数可）、複数の方法／プロセスステップ、又は限界（複数可））のみの存在を示すために使用される。
本明細書において使用される場合、「又はそれらの組合せ」という用語は、この用語に先行する、列挙された項目のすべての順列及び組合せを指す。例えば、「Ａ、Ｂ、Ｃ、又はそれらの組合せ」は、Ａ、Ｂ、Ｃ、ＡＢ、ＡＣ、ＢＣ、又はＡＢＣのうちの少なくとも１つを包含することを意図しており、特定の文脈において順序が重要な場合には、ＢＡ、ＣＡ、ＣＢ、ＣＢＡ、ＢＣＡ、ＡＣＢ、ＢＡＣ、又はＣＡＢも包含することを意図している。この例を用いて続けると、１又は２以上の項目又は用語の繰り返しを含む組合せ、例えばＢＢ、ＡＡＡ、ＡＢ、ＢＢＣ、ＡＡＡＢＣＣＣＣ、ＣＢＢＡＡＡ、ＣＡＢＡＢＢ、及びその他のものなどが明確に包含される。当業者であれば、別途文脈から明白でない限りにおいては、あらゆる組合せにおいて、項目又は用語の数に対する制限は典型的には存在しないことが理解されるであろう。
本明細書において使用される場合、近似の語、例えば限定されるものではないが、「約」、「実質的な」、又は「実質的に」などは、ある状態が、そのように修飾された場合、絶対的又は完全である必要は無いものの、当業者が、その状態が存在するのを明示することを保証するには十分なほど近いとみなされ得ることを指す。記述が変動し得る程度は、どの程度の大きさまで、変化が設定され得るかということ、及び当業者に、修飾された特色が修飾されていない特色の必要とされる特徴及び能力を依然として有するものとして、依然として認識させ得るかということに左右されることになる。先行する考察に準ずることにはなるが、一般に、例えば「約」などの近似の語によって修飾されている、本明細書における数値は、その言及された値から少なくとも±１、２、３、４、５、６、７、１０、１２、又は１５％変動し得る。
本明細書において開示及び特許請求されている組成物及び／又は方法のすべては、本開示の観点から過分とされる実験作業を伴わずに作製及び実行することができる。本発明の組成物及び方法については、好ましい実施形態の見地から記載してきたが、当業者であれば、本発明の概念、趣旨、及び範囲から逸脱すること無く、これらの組成物及び／又は方法に対して、並びに本明細書に記載されている方法のステップ又はステップの筋道において、変更を加え得ることが明白であろう。当業者にとって明白である、すべてのそのような代替形態及び修正形態は、添付の特許請求の範囲によって画定されるような、本発明の趣旨、範囲、及び概念の内にあるとみなされる。
本明細書に添付される特許請求の範囲を解釈するに当たり、特許局、及び本出願に基づいて発行されるあらゆる特許のすべての読者の手助けとして、本出願人は、特定の請求項において「ための手段」又は「ためのステップ」という語が明示的に使用されていない限り、添付の特許請求の範囲のいずれも、米国特許法第１１２条第６段落、米国特許法第１１２条（ｆ）段落、又は本発明の出願日時点で存在する同等のものの発動を意図するものではないことを注記することを希求するものである。
請求項のそれぞれに関して、それぞれの従属請求項は、ありとあらゆる請求項に関して、先の請求項が請求項の用語又は要素について先行する適切な根拠を提供している限り、独立請求項及び先の従属請求項のそれぞれに従属し得る。

Claims (10)

  1. 感光性ガラス上に、電力調整のための集積大キャパシタンスを、小さいフォームファクタで作製する方法であって、
    感光性ガラス基板上に、前記感光性ガラスにおいて１又は２以上のビア開口部を形成するように加工された導電性シード層を堆積させるステップと、
    前記感光性ガラス基板を、金属を電気めっきする金属化シード層とともに配置して、前記感光性ガラス基板における１又は２以上の開口部を充填してビアを形成するステップと、
    前記感光性ガラス基板の前面及び後面を、充填されたビアまで、化学機械的に研磨するステップと、
    少なくとも１対の隣接する充填されたビアの周囲で、前記感光性ガラス基板の少なくとも１つの矩形部分を露出及び変換するステップと、
    前記矩形部分をエッチングして、前記少なくとも１対の隣接する充填されたビアを露出させて、金属ポストを形成するステップと、
    第１の電極を形成する前記金属ポスト上に非酸化層をフラッシュコートするステップと、
    前記金属ポスト上又はその周囲に誘電層を堆積させるステップと、
    前記誘電層を金属コーティングして、第２の電極を形成するステップと、
    第１の金属層を、前記第１の電極のすべてに対して並列に接続して、コンデンサ用の単一電極を形成するステップと、
    第２の金属層を、前記第２の電極のすべてに対して並列に接続して、前記コンデンサ用の第２の電極を形成するステップと
    を含む、前記方法。
  2. 誘電層が、厚さ０．５ｎｍ〜１０００ｎｍの薄膜であるか、又は厚さ０．０５μｍ〜１００μｍの焼結ペーストである、請求項１に記載の方法。
  3. 誘電層が、１０〜１０，０００の誘電率を有するか、又は２〜１００の誘電率を有する、請求項１又は２に記載の方法。
  4. 誘電層が、ＡＬＤによって、又はドクターブレードによって堆積される、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
  5. コンデンサが、１，０００ｐｆ／ｍｍ２を超えるキャパシタンス密度を有する、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
  6. 感光性ガラス基板上に、電力調整のための集積大キャパシタンスを、小さいフォームファクタで作製する方法であって、
    前記感光性ガラス基板上で、円形パターンをマスクするステップと、
    前記感光性ガラス基板の少なくとも一部分を、活性化ＵＶエネルギー源に対して露光するステップと、
    前記感光性ガラス基板を、そのガラス転移温度よりも高い温度の少なくとも１０分間の加熱フェーズに加熱するステップと、
    前記感光性ガラス基板を冷却して、露光されたガラスの少なくとも一部を結晶性物質に変換して、ガラス−セラミック結晶性基板を形成するステップと、
    前記感光性ガラス基板のセラミック相を、エッチング溶液で、部分的にエッチングして取り除くステップと、
    前記感光性ガラス基板上に、導電性シード層を堆積させるステップと、
    前記感光性ガラス基板を、金属を電気めっきする金属化シード層とともに配置して、前記感光性ガラス基板における１又は２以上の開口部を充填してビアを形成するステップと、
    前記感光性ガラス基板の前面及び後面を、充填されたビアまで、化学機械的に研磨するステップと、
    少なくとも１対の隣接する充填されたビアの周囲で、前記感光性ガラス基板の少なくとも１つの矩形部分を露出及び変換するステップと、
    前記矩形部分をエッチングして、前記少なくとも１対の隣接する充填されたビアを露出させて、金属ポストを形成するステップと、
    第１の電極を形成する前記金属ポスト上に非酸化層をフラッシュコートするステップと、
    前記金属ポスト上又はその周囲に誘電層を堆積させるステップと、
    前記誘電層を金属コーティングして、第２の電極を形成するステップと、
    第１の金属層を、前記第１の電極のすべてに対して並列に接続して、コンデンサ用の単一電極を形成するステップと、
    第２の金属層を、前記第２の電極のすべてに対して並列に接続して、前記コンデンサ用の第２の電極を形成するステップと
    を含む、前記方法。
  7. 誘電層が、厚さ０．５ｎｍ〜１０００ｎｍの薄膜であるか、又は厚さ０．０５μｍ〜１００μｍの焼結ペーストである、請求項６に記載の方法。
  8. 誘電層が、１０〜１０，０００の誘電率を有するか、又は２〜１００の誘電率を有する、請求項６又は７に記載の方法。
  9. 誘電層が、ＡＬＤによって、又はドクターブレードによって堆積される、請求項６〜８のいずれかに記載の方法。
  10. コンデンサが、１，０００ｐｆ／ｍｍ２を超えるキャパシタンス密度を有する、請求項６〜９のいずれかに記載の方法。
JP2019543860A 2018-04-10 2019-03-28 Ｒｆ集積電力調整コンデンサ Active JP6888105B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021084312A JP7245547B2 (ja) 2018-04-10 2021-05-19 Ｒｆ集積電力調整コンデンサ

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862655618P 2018-04-10 2018-04-10
US62/655,618 2018-04-10
PCT/US2019/024496 WO2019199470A1 (en) 2018-04-10 2019-03-28 Rf integrated power condition capacitor

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021084312A Division JP7245547B2 (ja) 2018-04-10 2021-05-19 Ｒｆ集積電力調整コンデンサ

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2020520550A JP2020520550A (ja) 2020-07-09
JP2020520550A5 JP2020520550A5 (ja) 2021-04-08
JP6888105B2 true JP6888105B2 (ja) 2021-06-16

Family

ID=68163292

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019543860A Active JP6888105B2 (ja) 2018-04-10 2019-03-28 Ｒｆ集積電力調整コンデンサ
JP2021084312A Active JP7245547B2 (ja) 2018-04-10 2021-05-19 Ｒｆ集積電力調整コンデンサ

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021084312A Active JP7245547B2 (ja) 2018-04-10 2021-05-19 Ｒｆ集積電力調整コンデンサ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11076489B2 (ja)
EP (1) EP3643148B1 (ja)
JP (2) JP6888105B2 (ja)
KR (2) KR102145746B1 (ja)
WO (1) WO2019199470A1 (ja)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10665377B2 (en) 2014-05-05 2020-05-26 3D Glass Solutions, Inc. 2D and 3D inductors antenna and transformers fabricating photoactive substrates
US12165809B2 (en) 2016-02-25 2024-12-10 3D Glass Solutions, Inc. 3D capacitor and capacitor array fabricating photoactive substrates
AU2018297035B2 (en) 2017-07-07 2021-02-25 3D Glass Solutions, Inc. 2D and 3D RF lumped element devices for RF system in a package photoactive glass substrates
US10854946B2 (en) 2017-12-15 2020-12-01 3D Glass Solutions, Inc. Coupled transmission line resonate RF filter
AU2018399638B2 (en) 2018-01-04 2021-09-02 3D Glass Solutions, Inc. Impedance matching conductive structure for high efficiency RF circuits
US10903545B2 (en) 2018-05-29 2021-01-26 3D Glass Solutions, Inc. Method of making a mechanically stabilized radio frequency transmission line device
EP3821496B1 (en) 2018-07-13 2023-10-25 Knowles Cazenovia, Inc. Millimeter wave filter array
AU2019344542B2 (en) 2018-09-17 2022-02-24 3D Glass Solutions, Inc. High efficiency compact slotted antenna with a ground plane
EP3903347A4 (en) 2018-12-28 2022-03-09 3D Glass Solutions, Inc. HETEROGENE INTEGRATION FOR HF, MICROWAVE AND MM WAVE SYSTEMS ON PHOTOACTIVE GLASS SUBSTRATES
AU2019416327B2 (en) 2018-12-28 2021-12-09 3D Glass Solutions, Inc. Annular capacitor RF, microwave and MM wave systems
KR20210147040A (ko) 2019-04-05 2021-12-06 3디 글래스 솔루션즈 인코포레이티드 유리 기반의 빈 기판 집적 도파관 디바이스
JP7407484B2 (ja) * 2020-03-11 2024-01-04 スリーディー グラス ソリューションズ，インク 超高表面積集積コンデンサ
JP2023516817A (ja) 2020-04-17 2023-04-20 スリーディー グラス ソリューションズ，インク 広帯域誘導
JP7322838B2 (ja) * 2020-09-03 2023-08-08 株式会社村田製作所 電子部品および電子部品モジュール
KR20240019226A (ko) * 2021-06-04 2024-02-14 3디 글래스 솔루션즈 인코포레이티드 광활성 유리 기판들의 rf 시스템용 세라믹상 커패시터들 디바이스들
WO2022265783A1 (en) * 2021-06-15 2022-12-22 3D Glass Solutions, Inc. Radio frequency (rf) integrated power-conditioning capacitor
EP4470023A4 (en) * 2022-01-26 2026-01-21 3D Glass Solutions Inc Photoactive substrates used for the fabrication of a 3D capacitor and a capacitor array

Family Cites Families (213)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2515941A (en) 1946-09-09 1950-07-18 Corning Glass Works Photosensitive opal glass
NL71886C (ja) 1946-09-09
US2628160A (en) 1951-08-30 1953-02-10 Corning Glass Works Sculpturing glass
BE513836A (ja) 1951-08-30
US2971853A (en) 1953-03-05 1961-02-14 Corning Glass Works Ceramic body and method of making it
JPS5321827B2 (ja) 1973-02-12 1978-07-05
US3993401A (en) 1975-02-10 1976-11-23 Minnesota Mining And Manufacturing Company Retroreflective material including geometric fresnel zone plates
US3985531A (en) 1975-03-19 1976-10-12 Corning Glass Works Spontaneously-formed fluormica glass-ceramics
US4029605A (en) 1975-12-08 1977-06-14 Hercules Incorporated Metallizing compositions
US4131516A (en) 1977-07-21 1978-12-26 International Business Machines Corporation Method of making metal filled via holes in ceramic circuit boards
US4413061A (en) 1978-02-06 1983-11-01 International Business Machines Corporation Glass-ceramic structures and sintered multilayer substrates thereof with circuit patterns of gold, silver or copper
JPS56155587A (en) 1980-05-02 1981-12-01 Fujitsu Ltd Printed circuit board
US4537612A (en) 1982-04-01 1985-08-27 Corning Glass Works Colored photochromic glasses and method
US4647940A (en) 1982-09-27 1987-03-03 Rogers Corporation Parallel plate waveguide antenna
US5078771A (en) 1989-02-07 1992-01-07 Canyon Materials, Inc. Method of making high energy beam sensitive glasses
US4514053A (en) 1983-08-04 1985-04-30 Corning Glass Works Integral photosensitive optical device and method
JPS61231529A (ja) 1985-04-08 1986-10-15 Agency Of Ind Science & Technol 光制御型光スイツチ装置
US4692015A (en) 1986-03-14 1987-09-08 Xerox Corporation Short focal lens array with multi-magnification properties
JPS63128699A (ja) 1986-11-19 1988-06-01 株式会社日立製作所 感光性ガラス−セラミツク多層配線基板
CA1320507C (en) 1987-10-07 1993-07-20 Elizabeth A. Boylan Thermal writing on glass or glass-ceramic substrates and copper-exuding glasses
US4788165A (en) 1987-10-07 1988-11-29 Corning Glass Works Copper-exuding, boroaluminosilicate glasses
US4942076A (en) 1988-11-03 1990-07-17 Micro Substrates, Inc. Ceramic substrate with metal filled via holes for hybrid microcircuits and method of making the same
JP2737292B2 (ja) 1989-09-01 1998-04-08 富士通株式会社 銅ペースト及びそれを用いたメタライズ方法
US5147740A (en) 1990-08-09 1992-09-15 Rockwell International Corporation Structure and process for fabricating conductive patterns having sub-half micron dimensions
US5215610A (en) 1991-04-04 1993-06-01 International Business Machines Corporation Method for fabricating superconductor packages
BE1004844A7 (fr) 1991-04-12 1993-02-09 Laude Lucien Diego Methodes de metallisation de surfaces a l'aide de poudres metalliques.
US5212120A (en) 1991-06-10 1993-05-18 Corning Incorporated Photosensitive glass
US5395498A (en) 1991-11-06 1995-03-07 Gombinsky; Moshe Method for separating biological macromolecules and means therfor
JPH05139787A (ja) 1991-11-19 1993-06-08 Seikosha Co Ltd 感光性ガラスの加工方法
US5374291A (en) 1991-12-10 1994-12-20 Director-General Of Agency Of Industrial Science And Technology Method of processing photosensitive glass
US6258497B1 (en) 1992-07-29 2001-07-10 International Business Machines Corporation Precise endpoint detection for etching processes
US5371466A (en) 1992-07-29 1994-12-06 The Regents Of The University Of California MRI RF ground breaker assembly
US6017681A (en) 1992-11-09 2000-01-25 Fujitsu Limited Method of coupling optical parts and method of forming a mirror
JPH0826767A (ja) 1994-07-13 1996-01-30 Nippon Glass Kk ソーダ石灰シリカ系感光性ガラス及びその製造方法
JPH08179155A (ja) 1994-12-26 1996-07-12 Ricoh Co Ltd レンズと光ファイバとの結合方法及びレンズ基板の作成方法
JP3438383B2 (ja) 1995-03-03 2003-08-18 ソニー株式会社 研磨方法およびこれに用いる研磨装置
EP0821726B1 (en) 1995-03-10 2014-05-07 Meso Scale Technologies, LLC. Multi-array, multi-specific electrochemiluminescence testing
US5919607A (en) 1995-10-26 1999-07-06 Brown University Research Foundation Photo-encoded selective etching for glass based microtechnology applications
US5733370A (en) 1996-01-16 1998-03-31 Seagate Technology, Inc. Method of manufacturing a bicrystal cluster magnetic recording medium
JPH107435A (ja) 1996-06-26 1998-01-13 Ngk Spark Plug Co Ltd ガラスセラミック配線基板およびその製造方法
DE69739681D1 (de) 1996-09-26 2010-01-14 Asahi Glass Co Ltd Schutzplatte für ein Plasma-Display und Verfahren zur Herstellung derselben
US6562523B1 (en) 1996-10-31 2003-05-13 Canyon Materials, Inc. Direct write all-glass photomask blanks
JPH10199728A (ja) 1997-01-07 1998-07-31 Murata Mfg Co Ltd 薄膜型コイル部品及びその製造方法
US5850623A (en) 1997-03-14 1998-12-15 Eastman Chemical Company Method for standardizing raman spectrometers to obtain stable and transferable calibrations
WO1998049698A2 (en) 1997-04-25 1998-11-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing an enveloped multilayer capacitor and an envelope multilayer capacitor
US5998224A (en) 1997-05-16 1999-12-07 Abbott Laboratories Magnetically assisted binding assays utilizing a magnetically responsive reagent
US6287965B1 (en) 1997-07-28 2001-09-11 Samsung Electronics Co, Ltd. Method of forming metal layer using atomic layer deposition and semiconductor device having the metal layer as barrier metal layer or upper or lower electrode of capacitor
JPH11176815A (ja) 1997-12-15 1999-07-02 Ricoh Co Ltd ドライエッチングの終点判定方法およびドライエッチング装置
US6598291B2 (en) 1998-03-20 2003-07-29 Viasystems, Inc. Via connector and method of making same
US6115521A (en) 1998-05-07 2000-09-05 Trw Inc. Fiber/waveguide-mirror-lens alignment device
US6686824B1 (en) 1998-05-29 2004-02-03 Nissha Printing Co., Ltd. Toroidal printed coil
US6171886B1 (en) 1998-06-30 2001-01-09 Eastman Kodak Company Method of making integrated hybrid silicon-based micro-actuator devices
JP2000199827A (ja) 1998-10-27 2000-07-18 Sony Corp 光導波装置およびその製造方法
US6136210A (en) 1998-11-02 2000-10-24 Xerox Corporation Photoetching of acoustic lenses for acoustic ink printing
JP2000228615A (ja) 1999-02-05 2000-08-15 Tokin Corp Ｌｃバンドパスフィルタ
US6511793B1 (en) 1999-03-24 2003-01-28 Lg Electronics Inc. Method of manufacturing microstructure using photosensitive glass substrate
JP3756041B2 (ja) 1999-05-27 2006-03-15 Ｈｏｙａ株式会社 多層プリント配線板の製造方法
US6485690B1 (en) 1999-05-27 2002-11-26 Orchid Biosciences, Inc. Multiple fluid sample processor and system
FR2795745B1 (fr) 1999-06-30 2001-08-03 Saint Gobain Vitrage Procede de depot d'une couche a base de tungstene et/ou de molybdene sur un substrat verrier, ceramique ou vitroceramique, et substrat ainsi revetu
JP2001033664A (ja) 1999-07-21 2001-02-09 Hitachi Cable Ltd 光ファイバブロック
US6278352B1 (en) 1999-07-26 2001-08-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company High efficiency thin film inductor
US7179638B2 (en) 1999-07-30 2007-02-20 Large Scale Biology Corporation Microarrays and their manufacture by slicing
US6538775B1 (en) 1999-09-16 2003-03-25 Reveo, Inc. Holographically-formed polymer dispersed liquid crystals with multiple gratings
US6403286B1 (en) 1999-11-04 2002-06-11 Corning Incorporated High aspect ratio patterning of glass film
JP2001206735A (ja) 2000-01-25 2001-07-31 Central Glass Co Ltd めっき方法
US6579817B2 (en) 2000-04-26 2003-06-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dielectric ceramic composition and method for producing the same, and device for communication apparatus using the same
US6329702B1 (en) 2000-07-06 2001-12-11 Tyco Electronics Corporation High frequency carrier
US6510264B2 (en) 2000-07-31 2003-01-21 Corning Incorporated Bulk internal bragg gratings and optical devices
US7829348B2 (en) 2000-09-22 2010-11-09 Iowa State University Research Foundation, Inc. Raman-active reagents and the use thereof
US6716629B2 (en) 2000-10-10 2004-04-06 Biotrove, Inc. Apparatus for assay, synthesis and storage, and methods of manufacture, use, and manipulation thereof
US7033821B2 (en) 2000-11-08 2006-04-25 Surface Logix, Inc. Device for monitoring cell motility in real-time
KR100392956B1 (ko) 2000-12-30 2003-07-28 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 제조방법
US6932933B2 (en) 2001-03-30 2005-08-23 The Aerospace Corporation Ultraviolet method of embedding structures in photocerams
US6824974B2 (en) 2001-06-11 2004-11-30 Genorx, Inc. Electronic detection of biological molecules using thin layers
WO2003001889A2 (en) 2001-06-29 2003-01-09 Meso Scale Technologies, Llc. Assay plates reader systems and methods for luminescence test measurements
WO2003007379A1 (en) * 2001-07-12 2003-01-23 Hitachi, Ltd. Electronic circuit component
US6843902B1 (en) 2001-07-20 2005-01-18 The Regents Of The University Of California Methods for fabricating metal nanowires
US20030025227A1 (en) 2001-08-02 2003-02-06 Zograph, Llc Reproduction of relief patterns
CA2500453A1 (en) 2001-09-28 2003-04-03 Biovalve Technologies, Inc. Microneedle with membrane
KR100814806B1 (ko) 2001-10-15 2008-03-19 삼성에스디아이 주식회사 스페이서 제조 방법 및 이 스페이서를 갖는 평판 표시 소자
US20040171076A1 (en) 2001-12-20 2004-09-02 Dejneka Matthew J. Detectable micro to nano sized structures, methods of manufacture and use
US7064103B2 (en) 2002-01-04 2006-06-20 Becton, Dickinson And Company Binding protein as biosensors
US7470518B2 (en) 2002-02-12 2008-12-30 Cellectricon Ab Systems and method for rapidly changing the solution environment around sensors
US20030156819A1 (en) 2002-02-15 2003-08-21 Mark Pruss Optical waveguide
WO2003079082A2 (en) 2002-03-14 2003-09-25 Corning Incorporated Fiber array and methods of fabrication
AU2003221788A1 (en) 2002-04-30 2003-11-17 University Of Maryland, Baltimore Fluorescence sensing
JP2003329877A (ja) 2002-05-14 2003-11-19 Nippon Sheet Glass Co Ltd 光モジュール
US6580054B1 (en) 2002-06-10 2003-06-17 New Wave Research Scribing sapphire substrates with a solid state UV laser
EP1546696B1 (en) 2002-09-11 2012-02-29 Synamem Corporation Membrane-based assays
US6875544B1 (en) 2002-10-03 2005-04-05 Sandia Corporation Method for the fabrication of three-dimensional microstructures by deep X-ray lithography
US20040184705A1 (en) 2003-01-08 2004-09-23 Mikihiro Shimada Optical waveguide component and method of manufacturing the same
US6783920B2 (en) 2003-01-15 2004-08-31 The Aerospace Corporation Photosensitive glass variable laser exposure patterning method
DE10304606B3 (de) 2003-02-05 2004-06-03 Magnet-Physik Dr. Steingroever Gmbh Transformator zur Erzeugung hoher elektrischer Ströme
US7601491B2 (en) 2003-02-06 2009-10-13 Becton, Dickinson And Company Pretreatment method for extraction of nucleic acid from biological samples and kits therefor
US7150569B2 (en) 2003-02-24 2006-12-19 Nor Spark Plug Co., Ltd. Optical device mounted substrate assembly
US20040198582A1 (en) 2003-04-01 2004-10-07 Borrelli Nicholas F. Optical elements and methods of making optical elements
US6909137B2 (en) 2003-04-07 2005-06-21 International Business Machines Corporation Method of creating deep trench capacitor using a P+ metal electrode
US7579077B2 (en) 2003-05-05 2009-08-25 Nanosys, Inc. Nanofiber surfaces for use in enhanced surface area applications
US7335972B2 (en) 2003-11-13 2008-02-26 Sandia Corporation Heterogeneously integrated microsystem-on-a-chip
US20050170670A1 (en) 2003-11-17 2005-08-04 King William P. Patterning of sacrificial materials
US7316063B2 (en) 2004-01-12 2008-01-08 Micron Technology, Inc. Methods of fabricating substrates including at least one conductive via
JP4153442B2 (ja) 2004-02-02 2008-09-24 シャープ株式会社 光モジュールの製造方法
CN1262500C (zh) 2004-04-16 2006-07-05 武汉理工大学 制备纳米孔微晶玻璃/玻璃载体材料的方法
DE202004019052U1 (de) 2004-06-09 2005-10-27 Schott Ag Aufbau diffraktiver Optiken durch strukturierte Glasbeschichtung
US7176152B2 (en) 2004-06-09 2007-02-13 Ferro Corporation Lead-free and cadmium-free conductive copper thick film pastes
JP4622359B2 (ja) 2004-07-22 2011-02-02 コニカミノルタホールディングス株式会社 インクジェットヘッドの製造方法
US7132054B1 (en) 2004-09-08 2006-11-07 Sandia Corporation Method to fabricate hollow microneedle arrays
US20060147344A1 (en) 2004-09-30 2006-07-06 The University Of Cincinnati Fully packed capillary electrophoretic separation microchips with self-assembled silica colloidal particles in microchannels and their preparation methods
JP4795677B2 (ja) * 2004-12-02 2011-10-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびそれを用いた半導体モジュール、ならびに半導体装置の製造方法
JP2006179564A (ja) * 2004-12-21 2006-07-06 Nec Corp 半導体接続基板、半導体装置、半導体デバイス及び半導体基板並びに半導体接続基板の製造方法
DE102005003594B4 (de) 2004-12-31 2016-02-18 Schott Ag Verfahren zur Herstellung eines optischen Bauteils, verfahrensgemäß hergestelltes Bauteil sowie derartige Bauteile umfassende Einrichtung
KR100682919B1 (ko) 2005-01-20 2007-02-15 삼성전자주식회사 미세 금속 박막 패턴 형성 방법, 이를 채용한 생체물질고정용 기판 및 바이오칩
US7714688B2 (en) 2005-01-20 2010-05-11 Avx Corporation High Q planar inductors and IPD applications
US7964380B2 (en) 2005-01-21 2011-06-21 Argylia Technologies Nanoparticles for manipulation of biopolymers and methods of thereof
JP2006236516A (ja) 2005-02-28 2006-09-07 Hitachi Ltd 光へッド、光情報再生装置及びその製造方法
EP1873923A4 (en) 2005-04-18 2013-12-04 Murata Manufacturing Co HIGH FREQUENCY MODULE
US7355704B2 (en) 2005-06-13 2008-04-08 Solaris Nanosciences, Inc. Chemical and biological sensing using metallic particles in amplifying and absorbing media
JP2006352750A (ja) 2005-06-20 2006-12-28 Denso Corp アンテナコイル、それを用いた共振アンテナ及びカード型無線機
DE102005039323B4 (de) 2005-08-19 2009-09-03 Infineon Technologies Ag Leitbahnanordnung sowie zugehöriges Herstellungsverfahren
US7410763B2 (en) 2005-09-01 2008-08-12 Intel Corporation Multiplex data collection and analysis in bioanalyte detection
TW200721064A (en) 2005-11-29 2007-06-01 Novatek Microelectronics Corp Timing controller chip
US8003408B2 (en) 2005-12-29 2011-08-23 Intel Corporation Modification of metal nanoparticles for improved analyte detection by surface enhanced Raman spectroscopy (SERS)
GB2434913A (en) 2006-02-02 2007-08-08 Xsil Technology Ltd Support for wafer singulation
US7812416B2 (en) 2006-05-22 2010-10-12 Cardiomems, Inc. Methods and apparatus having an integrated circuit attached to fused silica
JP2007318002A (ja) 2006-05-29 2007-12-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法
US8192795B2 (en) 2006-06-28 2012-06-05 Northwestern University Etching and hole arrays
US8061017B2 (en) 2006-08-28 2011-11-22 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Methods of making coil transducers
US7847669B2 (en) 2006-12-06 2010-12-07 Georgia Tech Research Corporation Micro-electromechanical switched tunable inductor
US7556440B2 (en) 2006-12-22 2009-07-07 Lightwire Inc. Dual-lensed unitary optical receiver assembly
KR100849791B1 (ko) 2007-03-12 2008-07-31 삼성전기주식회사 캐패시터 내장형 인쇄회로기판
JP2008225339A (ja) 2007-03-15 2008-09-25 Hitachi Cable Ltd 光学系接続構造、光学部材及び光伝送モジュール
WO2008119080A1 (en) 2007-03-28 2008-10-02 Life Bioscience Inc. Compositions and methods to fabricate a photoactive substrate suitable for shaped glass structures
JP4458296B2 (ja) 2007-03-30 2010-04-28 Ｔｄｋ株式会社 誘電体共振器、誘電体フィルタ及びその特性調整方法
US8143431B2 (en) 2007-06-05 2012-03-27 Air Products And Chemicals, Inc. Low temperature thermal conductive inks
WO2008154931A1 (en) 2007-06-18 2008-12-24 Danmarks Tekniske Universitet (Technical University Of Denmark) Adsorbent beads suitable for use in separation of biological molecules
TW200905703A (en) 2007-07-27 2009-02-01 Delta Electronics Inc Magnetic device and manufacturing method thereof
US8492315B2 (en) 2007-08-28 2013-07-23 Life Bioscience, Inc. Method of providing a pattern of biological-binding areas for biological testing
US8211625B2 (en) 2007-11-07 2012-07-03 Massachusetts Institute Of Technology Method of forming a locally periodic 3D structure with larger-scale variation in periodic properties and applications thereof
JP5133047B2 (ja) * 2007-12-28 2013-01-30 太陽誘電株式会社 電子部品の製造方法
US7792823B2 (en) 2008-01-15 2010-09-07 International Business Machines Corporation Maintained symbol table only index
US8569678B2 (en) 2008-03-04 2013-10-29 The Regents Of The University Of California Micron-scale lens array having diffracting structures
CN101970228A (zh) 2008-03-12 2011-02-09 大日本印刷株式会社 三维加工用装饰片材
WO2009126649A2 (en) 2008-04-07 2009-10-15 Life Bioscience, Inc. Method of providing particles having biological-binding areas for biological applications
US7948342B2 (en) 2008-07-24 2011-05-24 Cutt-A-Watt Enterprises, Llc Electromotive rectification system
WO2010011939A2 (en) 2008-07-25 2010-01-28 Life Bioscience, Inc. Assay plates, methods and systems having one or more etched features
US20100237462A1 (en) 2009-03-18 2010-09-23 Benjamin Beker Package Level Tuning Techniques for Propagation Channels of High-Speed Signals
EP2417427A4 (en) 2009-04-03 2012-08-08 Res Triangle Inst OPTICAL MEMS SCANNING DEVICE WITH SUPPORT ARM AND SYSTEM AND METHOD THEREFOR
KR100941691B1 (ko) 2009-04-10 2010-02-12 (주)제이스 감광성 유리 기판, 이의 제조 방법 및 반도체 프로브 칩
US7989248B2 (en) 2009-07-02 2011-08-02 Advanced Microfab, LLC Method of forming monolithic CMOS-MEMS hybrid integrated, packaged structures
JP5460155B2 (ja) * 2009-07-14 2014-04-02 新光電気工業株式会社 キャパシタ及び配線基板
WO2011011721A2 (en) 2009-07-24 2011-01-27 Amazentis Sa Compounds, compositions and methods for protecting brain health in neurodegenerative disorders
TWI410380B (zh) 2009-11-11 2013-10-01 Ind Tech Res Inst 光敏玻璃微結構之製造方法及用以製造該微結構之系統
US8479375B2 (en) 2010-01-13 2013-07-09 The Aerospace Corporation Method of making an embedded electromagnetic device
US20110217657A1 (en) * 2010-02-10 2011-09-08 Life Bioscience, Inc. Methods to fabricate a photoactive substrate suitable for microfabrication
CN102869630A (zh) 2010-02-10 2013-01-09 生命生物科学有限公司 制造适合微细加工的光敏基底的方法
KR101825149B1 (ko) 2010-03-03 2018-02-02 조지아 테크 리서치 코포레이션 무기 인터포저상의 패키지-관통-비아(tpv) 구조 및 그의 제조방법
US8411459B2 (en) 2010-06-10 2013-04-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Interposer-on-glass package structures
US9564320B2 (en) 2010-06-18 2017-02-07 Soraa, Inc. Large area nitride crystal and method for making it
US8492818B2 (en) * 2010-09-14 2013-07-23 International Business Machines Corporation High capacitance trench capacitor
JP5644340B2 (ja) 2010-10-04 2014-12-24 株式会社デンソー キャパシタ構造体およびその製造方法
US8502340B2 (en) 2010-12-09 2013-08-06 Tessera, Inc. High density three-dimensional integrated capacitors
US8835217B2 (en) 2010-12-22 2014-09-16 Intel Corporation Device packaging with substrates having embedded lines and metal defined pads
JP2012194455A (ja) 2011-03-17 2012-10-11 Enplas Corp レンズアレイ
KR101167691B1 (ko) * 2011-08-09 2012-07-20 주식회사 비티엔아이티솔루션스 감광성 유리 기판을 구비한 적층형 캐패시터, 이의 제조방법 및 이의 용도
US9287614B2 (en) 2011-08-31 2016-03-15 The Regents Of The University Of Michigan Micromachined millimeter-wave frequency scanning array
JP2013062473A (ja) 2011-09-15 2013-04-04 Toppan Printing Co Ltd 配線基板およびその製造方法
JP5541425B2 (ja) 2012-01-16 2014-07-09 株式会社村田製作所 Ｒｆ信号用遮断装置
JP6011958B2 (ja) 2012-03-28 2016-10-25 株式会社エンプラス 光レセプタクルおよびこれを備えた光モジュール
JP2013217989A (ja) 2012-04-04 2013-10-24 Hitachi Chemical Co Ltd 光ファイバコネクタ
US8896521B2 (en) 2012-04-24 2014-11-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Metal-insulator-metal capacitors on glass substrates
US8815638B2 (en) 2012-06-19 2014-08-26 E I Du Pont De Nemours And Company Method of manufacturing thick-film electrode
US20140035935A1 (en) * 2012-08-03 2014-02-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Passives via bar
US10115671B2 (en) 2012-08-03 2018-10-30 Snaptrack, Inc. Incorporation of passives and fine pitch through via for package on package
WO2014028022A1 (en) 2012-08-16 2014-02-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Diagonal openings in photodefinable glass
US8872349B2 (en) 2012-09-11 2014-10-28 Intel Corporation Bridge interconnect with air gap in package assembly
WO2014043267A1 (en) 2012-09-12 2014-03-20 Life Bioscience, Inc. Methods of fabricating photoactive substrates suitable for electromagnetic transmission and filtering applications
US20140104284A1 (en) 2012-10-16 2014-04-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Through substrate via inductors
CN104884243B (zh) 2012-10-19 2017-07-18 新泽西鲁特格斯州立大学 制备石墨烯补强的聚合物基质复合材料的原位剥离法
US20140144681A1 (en) * 2012-11-27 2014-05-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Adhesive metal nitride on glass and related methods
US9035457B2 (en) 2012-11-29 2015-05-19 United Microelectronics Corp. Substrate with integrated passive devices and method of manufacturing the same
TWI565989B (zh) 2012-12-14 2017-01-11 鴻海精密工業股份有限公司 光纖連接器
US20140247269A1 (en) * 2013-03-04 2014-09-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. High density, low loss 3-d through-glass inductor with magnetic core
US9598787B2 (en) * 2013-03-14 2017-03-21 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Method of filling through-holes
US20140272688A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Photronics, Inc. Grayscale lithography of photo definable glass
JP6015567B2 (ja) 2013-06-12 2016-10-26 株式会社デンソー 貫通型コンデンサ
US20150079738A1 (en) 2013-06-18 2015-03-19 Stephen P. Barlow Method for producing trench high electron mobility devices
US9093975B2 (en) 2013-08-19 2015-07-28 Harris Corporation Microelectromechanical systems comprising differential inductors and methods for making the same
US9449753B2 (en) 2013-08-30 2016-09-20 Qualcomm Incorporated Varying thickness inductor
KR20160052576A (ko) * 2013-09-06 2016-05-12 위-춘 짱 액체 유리의 응용
KR102052294B1 (ko) 2013-09-27 2019-12-04 인텔 코포레이션 수동 부품용 중첩체 기판을 구비한 다이 패키지
EP3055871A1 (en) 2013-10-07 2016-08-17 Koninklijke Philips N.V. Precision batch production method for manufacturing ferrite rods
JP2017504828A (ja) 2013-12-19 2017-02-09 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー マルチモード光学コネクタ
KR101519760B1 (ko) * 2013-12-27 2015-05-12 전자부품연구원 금속 배선의 형성 방법 및 이에 의해 제조된 금속 배선 기판
US20150201495A1 (en) 2014-01-14 2015-07-16 Qualcomm Incorporated Stacked conductive interconnect inductor
US20170003421A1 (en) 2014-01-24 2017-01-05 3D Glass Solutions, Inc Methods of Fabricating Photoactive Substrates for Micro-lenses and Arrays
US10665377B2 (en) 2014-05-05 2020-05-26 3D Glass Solutions, Inc. 2D and 3D inductors antenna and transformers fabricating photoactive substrates
KR102233579B1 (ko) 2014-08-12 2021-03-30 삼성전자주식회사 극자외선 리소그래피용 펠리클
US9647306B2 (en) 2015-03-04 2017-05-09 Skyworks Solutions, Inc. RF filter comprising N coaxial resonators arranged in a specified interdigitation pattern
US20160265974A1 (en) 2015-03-09 2016-09-15 Corning Incorporated Glass waveguide spectrophotometer
US9913405B2 (en) * 2015-03-25 2018-03-06 Globalfoundries Inc. Glass interposer with embedded thermoelectric devices
US9385083B1 (en) 2015-05-22 2016-07-05 Hrl Laboratories, Llc Wafer-level die to package and die to die interconnects suspended over integrated heat sinks
US9853624B2 (en) 2015-06-26 2017-12-26 Qorvo Us, Inc. SAW resonator with resonant cavities
US9712131B2 (en) 2015-09-15 2017-07-18 Karl L. Thorup High isolation power combiner/splitter and coupler
US10070533B2 (en) 2015-09-30 2018-09-04 3D Glass Solutions, Inc. Photo-definable glass with integrated electronics and ground plane
WO2017127197A1 (en) 2016-01-21 2017-07-27 Applied Materials, Inc. Process and chemistry of plating of through silicon vias
US20190177213A1 (en) 2016-01-31 2019-06-13 3D Glass Solutions, Inc. Multi-Layer Photo Definable Glass with Integrated Devices
KR102479144B1 (ko) 2016-02-25 2022-12-20 3디 글래스 솔루션즈 인코포레이티드 3d 커패시터 및 커패시터 어레이 제작용 광활성 기재
WO2017177171A1 (en) 2016-04-08 2017-10-12 3D Glass Solutions, Inc. Methods of fabricating photosensitive substrates suitable for optical coupler
US9635757B1 (en) 2016-08-11 2017-04-25 Unimicron Technology Corp. Circuit board and manufacturing method thereof
US10367243B2 (en) 2017-05-02 2019-07-30 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Miniature LTCC coupled stripline resonator filters for digital receivers
JP7083600B2 (ja) 2017-05-25 2022-06-13 凸版印刷株式会社 キャパシタ内蔵ガラス回路基板及びその製造方法
JP2019106429A (ja) * 2017-12-11 2019-06-27 凸版印刷株式会社 ガラス配線基板、その製造方法及び半導体装置
JP2019114723A (ja) * 2017-12-25 2019-07-11 凸版印刷株式会社 キャパシタ内蔵ガラス回路基板及びキャパシタ内蔵ガラス回路基板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11076489B2 (en) 2021-07-27
JP2021145131A (ja) 2021-09-24
KR102626372B1 (ko) 2024-01-16
EP3643148A1 (en) 2020-04-29
EP3643148A4 (en) 2021-03-31
KR20190119609A (ko) 2019-10-22
KR20200130678A (ko) 2020-11-19
JP2020520550A (ja) 2020-07-09
KR102145746B1 (ko) 2020-08-19
US20200383209A1 (en) 2020-12-03
JP7245547B2 (ja) 2023-03-24
WO2019199470A1 (en) 2019-10-17
EP3643148B1 (en) 2025-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6888105B2 (ja) Ｒｆ集積電力調整コンデンサ
US11264167B2 (en) 3D capacitor and capacitor array fabricating photoactive substrates
JP7053084B2 (ja) グランドプレーンを備えた高効率のコンパクトなスロット付きアンテナ
JP7241433B2 (ja) 光活性ガラス基板におけるｒｆ、マイクロ波及びｍｍ波システムのためのヘテロジニアスインテグレーション
KR102687037B1 (ko) 초고표면적 집적 커패시터
US20210313417A1 (en) Radio frequency (RF) integrated power-conditioning capacitor
US20190093233A1 (en) Non-Seed Layer Electroless Plating of Ceramic
US11908617B2 (en) Broadband induction
US12165809B2 (en) 3D capacitor and capacitor array fabricating photoactive substrates
CA3051140C (en) Rf integrated power condition capacitor
WO2022265783A1 (en) Radio frequency (rf) integrated power-conditioning capacitor
CA3051140A1 (en) Rf integrated power condition capacitor
WO2023146729A1 (en) 3d capacitor and capacitor array fabricating photoactive substrates

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191016

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20191016

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20191016

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20200331

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200615

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20200909

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201124

A524 Written submission of copy of amendment under article 19 pct

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524

Effective date: 20210222

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210420

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210519

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6888105

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250