JP7101152B2 - 電子回路、電流計測装置、および方法 - Google Patents
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Description
図1は、第1の実施形態の電子回路100の概要図である。電子回路100は、絶縁部110(図面ではIsolationと称する)を備えており、絶縁部110を介してアナログ信号を伝送する増幅回路である。このような増幅回路は、アイソレーションアンプとも呼ばれる。電子回路100は、さらに生成部101(図面ではClock Generatorと称する)、電磁界結合部102aおよび102b、周波数変換器103aおよび103b(図面ではMixと称する)、遅延器104(図面ではDelay Lineと称する)、バッファ106を備える。電磁界結合部102aは絶縁部110を介して電磁界結合しており、電磁界結合部102bも絶縁部110を介して電磁界結合している。
本実施形態では、制御回路108はすべての候補値について電圧の差分VHOLD1およびVHOLD2を比較したが、一部を省略してもよい。例えば、図9の例では、候補値がDKYKの時に電圧の差分VHOLD1はVmaxに更新される。候補値DLYK+a(aは制御回路108に設定される任意の自然数)において、電圧の差分VHOLD2がVHOLD1(Vmax)より小さいことが連続した場合、それ以降の候補値の動作を省略するようにしてもよい。このようにすることで、制御回路108の負荷を低減して遅延器104の遅延量を決定することができる。
本実施形態では、制御回路108は暫定値を内部の記憶部に保持していたが、記憶部の配置については限定しない。制御回路108の外部に設けられ、制御回路108と接続されていてもよい。記憶部は暫定値を保持できれば任意であり、例えばRAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)、PROM(Programmable ROM)、EPROM(Erasable PROM)、EEPROM(Electrically EPROM)、フラッシュメモリ、レジスタなどである。
本実施形態では、電磁界結合部102aおよび102bはキャパシタであったが、トランスとしてもよい。このような電子回路120を図10に表す。電子回路120は電磁界結合部121aおよび121bを有する。電磁界結合部121aおよび121bはトランスであり、それぞれコイルを介して電磁界結合している。このようにすることで、復元信号のSN比を向上させることができる。また、電磁界結合部はキャパシタとトランスを組み合わせて構成するようにしてもよい。
本実施形態では、遅延器104はクロック信号CLKA0およびCLKB0の位相を遅延させ、周波数変換器103bに出力していたが、電磁界結合部102aに出力するようにしてもよい。このような電子回路130を、図11に表す。この場合、電磁界結合部102aは遅延器104によって遅延されたクロック信号CLKA2およびCLKB2を電磁界結合によって周波数変換器103aに伝送する。この伝送により、周波数変換器103aにはクロック信号CLKA3およびCLKB3が入力される。周波数変換器103aは、クロック信号CLKA3およびCLKB3により駆動し、入力信号を高周波信号VA2およびVB2に変換する。電磁界結合部102bは、高周波信号VA2およびVB2を電磁界結合により伝送する。この伝送により、周波数変換器103bには高周波信号VA3およびVB3が入力される。周波数変換器103bは、生成部101から送られたクロック信号CLKA0およびCLKB0を用いて、高周波信号VA3およびVB3を、復元信号VP0およびVN0に変換する。以降は本実施形態と同様である。
電磁界結合部102aおよび102b、並びに周波数変換器103aを同じチップに配置し、その他の機器を異なるチップに配置する電子回路150を、図12に表す。Chip1には電磁界結合部102aおよび102b、並びに周波数変換器103a(図面ではPassive Mixerと称する)が配置されている。Chip2には回路部140(図面ではActive Circuitryと称する)が配置されている。回路部140は少なくとも周波数変換器103bが含まれ、電子回路100の構成要素のうち、2次側に配置された構成要素を含む。例えば、回路部140は、生成部101、周波数変換器103b、増幅部105、バッファ106、検出器107、制御回路108、電源109を含む。以降、回路部140の一部は、さらに異なるチップに配置されるようにしてもよい。
電磁界結合部102aおよび102b、並びに周波数変換器103bを同じチップに配置し、周波数変換器103aを異なるチップに配置する電子回路160を、図13に表す。Chip1には周波数変換器103aが配置されている。Chip2には電磁界結合部102aおよび102b、並びに回路部140が配置されている。
電磁界結合部102aに直列に接続される電磁界結合部102c、および電磁界結合部102bに直列に接続される電磁界結合部102dをさらに備えるようにしてもよい。このような電子回路170を図14に表す。Chip1には電磁界結合部102aおよび102b、並びに周波数変換器103aが配置されている。Chip2には電磁界結合部102cおよび102d、並びに回路部140が配置されている。電磁界結合部102が二段となることで、電子回路170の入力端子INAおよびINBと、出力端子OUTPおよびOUTNの間の絶縁性をさらに高めることができる。また、どちらか片側のチップの電磁界結合部が絶縁破壊されたとしても、もう片側で一定以上の絶縁性を保持することができ、安全性が向上する。電磁界結合部102は三段以上備えられるようにしてもよい。
電磁界結合部102aおよび102bをさらに異なるチップに配置するようにしてもよい。このような電子回路180を図15に表す。Chip1には周波数変換器103aが配置されている。Chip2には電磁界結合部102aおよび102bが配置されている。Chip3には回路部140が配置されている。
第1の実施形態において、周波数変換器103aの基板電位を入力端子INBに接続する際、入力端子INAの電圧が入力端子INBの電圧より大きい場合に作動させることができる。入力端子INAおよびINBの電圧の大小関係を考慮せず、入力信号を周波数変換して高周波信号とし、高周波信号を周波数変換して復元信号とすることができる電子回路200を、図16に表す。電子回路200は、電子回路100の構成要素に加えて、さらに周波数変換器103c、電磁界結合部102c、スイッチSW3およびSW4を備える。
電磁界結合によって伝送される信号は位相のずれが生じるが、電磁界結合部102の周囲における寄生成分の影響によって振幅の減少も生じうる。電子回路300は、遅延器104における遅延量の決定だけでなく、復元信号の振幅を補償する増幅部105の増幅率を決定する。電子回路300は、入力端子INAおよびINBにおける入力信号の振幅と、出力端子OUTPおよびOUTNにおける復元信号の振幅を、同程度にすることができる。なお、信号の振幅は、電圧として説明する。
第1から第3の実施形態の電子回路は、1次側に電源供給が不要な構成要素を配置することで、回路規模の削減や小型化を図っていた。第4の実施形態の電子回路400では、1次側にも電源を配置し、電源供給が必要となる構成要素を配置することで、入力端子INAおよびINBからの入力信号を用いず、既知の信号を用いることで、遅延器104の遅延量の決定および増幅部105の増幅率の決定の精度を向上させることができる。
第1から第4に説明した電子回路を用いた適用例として、電子機器や電気機器の電流を計測する電流計測装置を構成することができる。このような電流計測装置500を、図19に表す。本実施形態では一例として、電流計測装置500に備えられる電子回路は、電子回路100とするが、第1から第4に説明したいずれの電子回路も適用可能である。電流計測装置500は、抵抗部501(図面ではShunt Resistorと称する)、電子回路100(図面ではIsolation Amp.と称する)、アナログ/デジタル変換回路502(図面ではADCと称する)、マイクロコントローラ503(図面ではMicro Controller、と称する)を備える。電流計測装置500は、機器510(図面ではLoadと称する)の電流を計測する。機器510には、電子機器および電気機器が適用されうる。電子機器としては例えば、デジタル処理、アナログ処理を行う機器が適用されうる。電子機器としては例えば、モータやスマートメータが適用されうる。
101:生成部
102a、102b、102c、102d:電磁界結合部
103a、103b、103c、103d:周波数変換器
104:遅延器
1041:デジタル/アナログ変換回路
1042:カレントミラー回路
1043a、1043b:遅延インバータ回路
105、105b:増幅部
106:バッファ
107:検出器
1071a、1071b:サンプルホールド回路
1072:参照電圧生成回路
1073a、1073b:増幅回路
1074a、1074b:比較回路
1075a、1075b:ラッチ回路
108:制御回路
109:電源
110:絶縁部
120:電子回路
121a、121b:電磁界結合部
130:電子回路
140:回路部
150:電子回路
160:電子回路
170:電子回路
180:電子回路
200:電子回路
300:電子回路
301:参照電圧生成回路
302:フィードバック回路
400:電子回路
401:制御回路
402:電源
403:サンプルホールド回路
500:電流計測装置
501:抵抗部
502:アナログ/デジタル変換回路
503:マイクロコントローラ
510:機器
C1、C2、C3、C4:キャパシタ
M1、M2、M3、M4:トランジスタ
MC1、MC2:トランジスタ
CSa1、CSa2、CSb1、CSb2:電流源
Inva、Invb:インバータ回路
Ca、Cb:キャパシタ
RG1、RG2、RF1、RF2:抵抗
CF1、CF2:キャパシタ
OP1:増幅回路
SW1、SW2:スイッチ
RG3、RG4、RF3、RF4:抵抗
CF3、CF4:キャパシタ
OP2:増幅回路
T1、T2:トランス
C5、C6:キャパシタ
SW3、SW4:スイッチ
C7、C8:キャパシタ
SW5、SW6:スイッチ
Claims (13)
- 第1クロック信号を生成する生成部と、
前記第1クロック信号の位相を遅延させた第2クロック信号を出力する遅延器と、
前記第1クロック信号を電磁界結合によって伝送する第1電磁界結合部と、
前記第1電磁界結合部から伝送された前記第1クロック信号により駆動し、第1入力信号を前記第1クロック信号に対応する周波数の第1信号に変換する第1周波数変換器と、
前記第1信号を電磁界結合によって伝送する第2電磁界結合部と、
前記第2クロック信号を用いて、前記第2電磁界結合部から伝送された前記第1信号を前記第1入力信号に対応する周波数の第2信号に変換する第2周波数変換器と、
前記第2信号の振幅に基づいて、前記遅延器の遅延量を決定する制御回路と、
前記第2信号を出力する出力部と、
を備えた、
電子回路。 - 第1クロック信号を生成する生成部と、
前記第1クロック信号の位相を遅延させた第2クロック信号を出力する遅延器と、
前記第2クロック信号を電磁界結合によって伝送する第1電磁界結合部と、
前記第1電磁界結合部から伝送された前記第2クロック信号により駆動し、第1入力信号を前記第2クロック信号に対応する周波数の第1信号に変換する第1周波数変換器と、
前記第1信号を電磁界結合によって伝送する第2電磁界結合部と、
前記第1クロック信号を用いて、前記第2電磁界結合部から伝送された前記第1信号を前記第1入力信号に対応する周波数の第2信号に変換する第2周波数変換器と、
前記第2信号の振幅に基づいて、前記遅延器の遅延量を決定する制御回路と、
前記第2信号を出力する出力部と、
を備えた、
電子回路。 - 前記制御回路は、前記第2信号の振幅の最大値に基づいて、前記遅延器の遅延量を決定する、
請求項1または2に記載の電子回路。 - 前記第1電磁界結合部および前記第2電磁界結合部は、キャパシタおよびトランスの少なくとも一方であり、
前記第1電磁界結合部および前記第2電磁界結合部のそれぞれは、電気的に絶縁されている絶縁部を介して電磁界結合する、
請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電子回路。 - 前記制御回路による、時間を計測する計測部をさらに備え、
前記制御回路は、前記計測部が計測する、前記遅延量を決定してからの時間に基づいて、前記遅延器における遅延量の再度の決定を開始する、
請求項1乃至4のいずれか一項に記載の電子回路。 - 前記制御回路は、前記遅延器の遅延量の決定を開始することを指示する第2信号を取得し、前記遅延器における遅延量の決定を開始する、
請求項1乃至5のいずれか一項に記載の電子回路。 - 前記電子回路は、少なくとも第1チップおよび第2チップを有し、
前記第1チップは前記第1電磁界結合部、前記第2電磁界結合部、および第1周波数変換器を含み、
前記第2チップは第2周波数変換器を含む、
請求項1乃至6のいずれか一項に記載の電子回路。 - 前記電子回路は、少なくとも第1チップおよび第2チップを有し、
前記第1チップは前記第1電磁界結合部、前記第2電磁界結合部、および第2周波数変換器を含み、
前記第2チップは第1周波数変換器を含む、
請求項1乃至6のいずれか一項に記載の電子回路。 - 前記第1電磁界結合部と接続され、前記第1電磁界結合部から伝送された信号を電磁界結合によって伝送する第3電磁界結合部と、
前記第2電磁界結合部と接続され、前記第2電磁界結合部から伝送された信号を電磁界結合によって伝送する第4電磁界結合部と、
をさらに備え、
前記電子回路は、少なくとも第1チップおよび第2チップを有し、
前記第1チップは前記第1電磁界結合部および前記第2電磁界結合部を含み、
前記第2チップは前記第3電磁界結合部および前記第4電磁界結合部を含む、
請求項1乃至6のいずれか一項に記載の電子回路。 - 前記電子回路は少なくとも第1チップ、第2チップ、および第3チップを有し、
前記第1チップは前記第1周波数変換器を含み、
前記第2チップは前記第1電磁界結合部および前記第2電磁界結合部を含み、
前記第3チップは前記第2周波数変換器を含む、
請求項1乃至6のいずれか一項に記載の電子回路。 - 電子機器または電気機器の電流を計測する電流計測装置であって、
前記電子機器に接続される抵抗部と、
請求項1乃至10のいずれか一項に記載の電子回路と、
前記第2信号をデジタル変換して出力するアナログ/デジタル変換器と、
を備え、
前記第1入力信号は前記抵抗部から取得される、
電流計測装置。 - 第1クロック信号を生成し、
前記第1クロック信号の位相を遅延させた第2クロック信号を出力し、
前記第1クロック信号を電磁界結合によって伝送し、
電磁界結合によって伝送された前記第1クロック信号により、第1入力信号を前記第1クロック信号に対応する周波数の第1信号に変換し、
前記第1信号を電磁界結合によって伝送し、
前記第2クロック信号を用いて、電磁界結合によって伝送された前記第1信号を前記第1入力信号に対応する周波数の第2信号に変換し、
前記第2信号の振幅に基づいて、前記位相の遅延量を決定し、
前記第2信号を出力する、
方法。 - 第1クロック信号を生成し、
前記第1クロック信号の位相を遅延させた第2クロック信号を出力し、
前記第2クロック信号を電磁界結合によって伝送し、
電磁界結合によって伝送された前記第2クロック信号により、第1入力信号を前記第2クロック信号に対応する周波数の第1信号に変換し、
前記第1信号を電磁界結合によって伝送し、
前記第1クロック信号を用いて、電磁界結合によって伝送された前記第1信号を前記第1入力信号に対応する周波数の第2信号に変換し、
前記第2信号の振幅に基づいて、前記位相の遅延量を決定し、
前記第2信号を出力する、
方法。
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