JP7199423B2 - イオンビーム加速のためのrf共振器 - Google Patents
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Description
本出願は2017年9月15日に出願された「イオンビーム加速のためのRF共振器」という名称の米国仮出願第62/559,103号の利益を主張し、その内容全体が参照により本明細書に組み込まれる。
本発明は概してイオン注入システムに関し、より具体的には、RF高電圧発生器、またはRF共振器装置およびRFフィードスルーに関し、RF共振器装置および関連する構成要素の寿命を延ばすとともに、RF共振器からの気体漏れ、およびイオン注入システムの高真空環境からの気体漏れを概して防ぐことができる改良形態に関する。
線形RF加速器およびサイクロトロンの発明以来、イオンビーム加速のために周期的な電場が長い間使用されてきた。数MeVのエネルギーまでイオンを加速するために、RF加速器が開発され、メガボルトDC電圧を生成する際の困難を回避するために、各ステージで約100KeVの比較的低いエネルギー利得でイオンビームを繰り返し加速する。しかしながら、RF加速器は、RF電力(典型的には50オームの低インピーダンス)を高いRF電圧に変換するための高いQ共振回路の使用によって達成される、約100KVピーク電圧のRF電圧の生成を依然として必要とする。
本発明は、従来技術の制限を克服し、イオン注入システムのような真空システムに用いられる無線周波数(RF)共振器のための改良型の真空フィードスルーのためのシステム、装置、および方法を提供する。これにより、性能を改善し、真空システムの寿命を延ばす。したがって、以下は本開示のいくつかの態様の基本的な理解を提供するために、本開示の簡略化された概要を提示する。この概要は、本開示の広範な概要ではない。これは、本発明の重要な要素を識別しかつ正確に概説するものでもない。その目的は、後に提示されるより詳細な説明の前置きとして、本開示のいくつかの概念を簡略化された形式で提示することである。
図1Aは、本発明の一形態のRF共振器の断面図を示す。
本発明は一般に、半導体プロセスシステムに関し、より詳細には、イオン注入システムに用いることができる無線周波数(RF:radio frequency)共振器のための改良型の真空フィードスルーに関する。したがって、本開示はここで、図面を参照して説明され、ここで、同様の参照番号は全体を通して同様の要素を指すために使用され得る。これらの態様の説明は単に例示的なものであり、限定的な意味で解釈されるべきではないことを理解されたい。以下の説明において、説明の目的のために、本開示の完全な理解を提供するために、多数の特定の詳細が記載される。しかしながら、本開示は、これらの特定の詳細なしに実施されてもよいことは当業者には明らかであろう。
Claims (20)
- イオン注入システムのためのRFフィードスルーであって、
第1の直径を有する第1の開口部が設けられた第1のコーン端部と、第2の直径を有する第2の開口部が設けられた第2のコーン端部とを有し、概して中空である電気絶縁性コーンであって、当該第1の直径が当該第2の直径よりも大きいことにより、前記電気絶縁性コーンの側壁が概してテーパ形状に画定されている電気絶縁性コーンと、
前記電気絶縁性コーンの前記第2のコーン端部に動作可能に結合し、前記電気絶縁性コーンの前記第1の開口部および前記第2の開口部に貫通するステムと、
前記電気絶縁性コーンの前記第1のコーン端部に動作可能に結合されたフランジであって、前記第1の直径よりも小さい第3の直径を有するフランジ開口部が設けられたフランジとを備え、
前記ステムが当該フランジに対して非接触状態で当該フランジ開口部を貫通し、当該フランジは、前記電気絶縁性コーンをチャンバの壁に画定された穴に動作可能に結合させ、
前記電気絶縁性コーンおよび当該フランジは、前記チャンバの壁の前記穴を通って前記ステムを貫通させるものの、当該ステムを前記チャンバの壁から電気的に絶縁していることを特徴とするRFフィードスルー。 - 前記フランジに近接する領域に、前記ステムに動作可能に結合されたパッドキャップをさらに備え、
前記パッドキャップは、前記ステムの外径から所定の距離だけ外向きに延在しており、前記チャンバ内の或る領域から前記電気絶縁性コーンの内面への視線を概して遮っていることを特徴とする請求項1に記載のRFフィードスルー。 - 前記パッドキャップは、前記第3の直径よりも大きい第4の直径を有することを特徴とする請求項2に記載のRFフィードスルー。
- 前記フランジは、アルミニウムからなることを特徴とする請求項1に記載のRFフィードスルー。
- 前記ステムは、第1のステム端および第2のステム端を有し、
前記第1のステム端には、動作可能に結合された加速電極が設けられており、
前記第2のステム端は、共振器コイルに結合されるように構成されていることを特徴とする請求項1に記載のRFフィードスルー。 - 前記電気絶縁性コーン、前記ステム、前記フランジ、および前記チャンバの壁の各々の界面が、前記チャンバ内の或るチャンバ環境を前記共振器コイルの環境から遮断していることを特徴とする請求項5に記載のRFフィードスルー。
- 1つ以上のO-リングによって前記フランジと前記電気絶縁性コーンとの界面が概して封止されており、
別の1つ以上のO-リングによって前記ステムと前記電気絶縁性コーンとの界面が概して封止されていることを特徴とする請求項6に記載のRFフィードスルー。 - 前記電気絶縁性コーンの前記第1のコーン端部の第1の表面と、前記電気絶縁性コーンの前記第2のコーン端部の第2の表面とは、金属化されていることを特徴とする請求項1に記載のRFフィードスルー。
- 前記電気絶縁性コーンの前記第1のコーン端部の前記第1の表面と前記フランジとの間に配設された1つ以上の金属短絡ストリップと、
前記電気絶縁性コーンの前記第2のコーン端部の前記第2の表面と前記ステムとの間に配設された1つ以上の金属短絡ストリップと、
をさらに備えることを特徴とする請求項8に記載のRFフィードスルー。 - 前記1つ以上の金属短絡ストリップは、1つ以上の金属バネを備えていることを特徴とする請求項9に記載のRFフィードスルー。
- 前記電気絶縁性コーンの本体は、セラミックからなることを特徴とする請求項1に記載のRFフィードスルー。
- 前記電気絶縁性コーンの本体は、アルミナおよび石英のうちの1つまたは複数を含むことを特徴とする請求項1に記載のRFフィードスルー。
- 前記電気絶縁性コーンを前記フランジに動作可能に結合するように構成された1つまたは複数の位置決め機構をさらに備え、
前記1つまたは複数の位置決め機構を介して、前記電気絶縁性コーンの位置が前記フランジに対して選択的に固定されることを特徴とする請求項1に記載のRFフィードスルー。 - 前記電気絶縁性コーンは、前記第1のコーン端部から、前記電気絶縁性コーンの前記第2のコーン端部に向かって変曲点まで所定の距離だけ延在する円筒形領域を含み、前記円筒形領域は一定の直径を有し、前記電気絶縁性コーンの内径は、前記変曲点から前記電気絶縁性コーンの前記第2のコーン端部に向かって先細りになっていることを特徴とする請求項1に記載のRFフィードスルー。
- 前記電気絶縁性コーンは、前記電気絶縁性コーンの前記第1のコーン端部と前記フランジとの間に界面表面を含み、
前記界面表面は、前記円筒形領域における前記電気絶縁性コーンの内面に対して概ね垂直であることを特徴とする請求項14に記載のRFフィードスルー。 - 前記フランジは、前記電気絶縁性コーンの前記第1のコーン端部の領域から前記電気絶縁性コーンの前記第2のコーン端部に向かって延在するリップを有し、
前記リップは、前記フランジと前記電気絶縁性コーンとの間のアーク放電を改善するための湾曲領域を有することを特徴とする請求項14に記載のRFフィードスルー。 - イオン注入システムのためのRF共振器であって、
チャンバ環境を画定する共振器チャンバであって、当該チャンバ環境が当該共振器チャンバの壁によって真空環境から概して隔離されている共振器チャンバと、
前記共振器チャンバ内に配設された共振器コイルと、
RFフィードスルーと、
を備え、
前記RFフィードスルーは、
第1の直径を有する第1の開口部が設けられた第1のコーン端部と、第2の直径を有する第2の開口部が設けられた第2のコーン端部とを有し、概して中空である電気絶縁性コーンであって、当該第1の直径が当該第2の直径よりも大きいことにより、前記電気絶縁性コーンの側壁が概してテーパ形状に画定されている電気絶縁性コーンと、
前記電気絶縁性コーンの前記第2のコーン端部に動作可能に結合し、前記電気絶縁性コーンの前記第1の開口部および前記第2の開口部に貫通するステムと、
前記電気絶縁性コーンの前記第1のコーン端部に動作可能に結合されたフランジであって、前記第1の直径よりも小さい第3の直径を有するフランジ開口部が設けられたフランジとを備え、
前記ステムが当該フランジに対して非接触状態で当該フランジ開口部を貫通し、当該フランジは、前記電気絶縁性コーンを前記チャンバの前記壁に画定された穴に動作可能に結合させて、前記電気絶縁性コーンおよび当該フランジは、前記チャンバの壁の前記穴を通って前記ステムを貫通させるものの、当該ステムを前記チャンバの壁から電気的に絶縁させており、
前記フランジに近接する領域において前記ステムに動作可能に結合され、前記ステムの外径から所定の距離だけ外向きに延在しており、前記チャンバ内の或る領域から前記電気絶縁性コーンの内面への視線を概して遮っている、前記第3の直径よりも大きい第4の直径を有するパッドキャップをさらに備え、
前記フランジ、前記パッドキャップ、および前記ステムによって、前記チャンバ内の或る領域から前記電気絶縁性コーンの内面への視線を概して遮っている、
ことを特徴とするRF共振器。 - 前記電気絶縁性コーンは前記電気絶縁性コーンの前記第1のコーン端部から前記電気絶縁性コーンの前記第2のコーン端部に向かって変曲点まで所定の距離だけ延在する円筒形領域を含み、前記円筒形領域は、一定の直径を有し、前記電気絶縁性コーンの内径は、前記変曲点から前記電気絶縁性コーンの前記第2のコーン端部に向かって先細りになっていることを特徴とする請求項17に記載のRF共振器。
- 前記電気絶縁性コーンの前記第1のコーン端部の第1の表面と、前記電気絶縁性コーンの前記第2のコーン端部の第2の表面とは、金属化されており、
前記RFフィードスルーは、
前記電気絶縁性コーンの前記第1のコーン端部の前記第1の表面と前記フランジとの間に配設された1つ以上の金属短絡ストリップと、
前記電気絶縁性コーンの前記第2のコーン端部の前記第2の表面と前記ステムとの間に配設された1つ以上の金属短絡ストリップと、
をさらに備える、
ことを特徴とする請求項17に記載のRF共振器。 - 前記ステムは第1のステム端および第2のステム端を含み、前記第1のステム端はそれに動作可能に結合された加速電極を含み、前記第2のステム端は、共振器コイルに結合されるように構成されている、ことを特徴とする請求項17に記載のRF共振器。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201762559103P | 2017-09-15 | 2017-09-15 | |
| US62/559,103 | 2017-09-15 | ||
| PCT/US2018/050587 WO2019055467A1 (en) | 2017-09-15 | 2018-09-12 | RF RESONATOR FOR ION BEAM ACCELERATION |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020534639A JP2020534639A (ja) | 2020-11-26 |
| JP7199423B2 true JP7199423B2 (ja) | 2023-01-05 |
Family
ID=63708479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020512718A Active JP7199423B2 (ja) | 2017-09-15 | 2018-09-12 | イオンビーム加速のためのrf共振器 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10342114B2 (ja) |
| JP (1) | JP7199423B2 (ja) |
| KR (1) | KR102630956B1 (ja) |
| CN (1) | CN111052297B (ja) |
| TW (1) | TWI800529B (ja) |
| WO (1) | WO2019055467A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US11094504B2 (en) | 2020-01-06 | 2021-08-17 | Applied Materials, Inc. | Resonator coil having an asymmetrical profile |
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Family Cites Families (9)
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| US9881772B2 (en) * | 2012-03-28 | 2018-01-30 | Lam Research Corporation | Multi-radiofrequency impedance control for plasma uniformity tuning |
-
2018
- 2018-09-07 US US16/124,676 patent/US10342114B2/en active Active
- 2018-09-12 JP JP2020512718A patent/JP7199423B2/ja active Active
- 2018-09-12 TW TW107132032A patent/TWI800529B/zh active
- 2018-09-12 KR KR1020207009355A patent/KR102630956B1/ko active Active
- 2018-09-12 WO PCT/US2018/050587 patent/WO2019055467A1/en not_active Ceased
- 2018-09-12 CN CN201880055563.7A patent/CN111052297B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000124149A (ja) | 1998-09-28 | 2000-04-28 | Eaton Corp | イオン注入用加速器のための共振回路 |
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| US20140145581A1 (en) | 2012-11-29 | 2014-05-29 | Manuel A. Jerez | Ion Implanter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US10342114B2 (en) | 2019-07-02 |
| US20190088443A1 (en) | 2019-03-21 |
| KR20200053516A (ko) | 2020-05-19 |
| KR102630956B1 (ko) | 2024-01-29 |
| WO2019055467A1 (en) | 2019-03-21 |
| TW201923812A (zh) | 2019-06-16 |
| TWI800529B (zh) | 2023-05-01 |
| CN111052297A (zh) | 2020-04-21 |
| CN111052297B (zh) | 2023-07-14 |
| JP2020534639A (ja) | 2020-11-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210818 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220624 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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