JP7200399B2 - アキシチニブの製造方法、中間体2-((3-ヨード-1h-インダゾール-6-イル)チオ)-n-メチルベンズアミドの精製方法、アキシチニブ塩酸塩によるアキシチニブの精製方法、アキシチニブ塩酸塩の固体形態 - Google Patents
アキシチニブの製造方法、中間体2-((3-ヨード-1h-インダゾール-6-イル)チオ)-n-メチルベンズアミドの精製方法、アキシチニブ塩酸塩によるアキシチニブの精製方法、アキシチニブ塩酸塩の固体形態 Download PDFInfo
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Description
本発明は、式(I)で表される化合物、すなわちアキシチニブ又はその塩若しくは溶媒和物の製造方法に関する。
を含む。
で表される化合物を、2-ビニルピリジンとパラジウム触媒の存在下で反応させることを含む方法に関し、ここで、パラジウム触媒は、好適な溶媒中にパラジウム源、配位子及び塩基を含む混合物であり、パラジウム触媒は別個に製造される。
a)パラジウム触媒を製造する工程、ここで、パラジウム触媒は、好適な溶媒中にパラジウム源、配位子及び塩基を含む混合物である;
b)式(III):
で表される化合物を、2-ビニルピリジン及び溶媒と混合する工程;
c)工程a)で製造したパラジウム触媒を、工程b)で製造した混合物に添加して、式(IV):
d)式(IV)で表される化合物を脱保護して、式(I)で表される化合物又はその塩を得る工程
を含む、方法にも関する。
式(III):
で表される化合物を、2-ビニルピリジンとパラジウム触媒の存在下で反応させることを含む方法に関し、ここで、パラジウム触媒は、好適な溶媒中にパラジウム源、配位子及び塩基を含む混合物であり、パラジウム触媒は別個に製造される。
a)パラジウム触媒を製造する工程、ここで、パラジウム触媒は、好適な溶媒中にパラジウム源、配位子及び塩基を含む混合物である;
b)式(III):
で表される化合物を、2-ビニルピリジン及び溶媒と混合する工程;
c)工程a)で製造したパラジウム触媒を、工程b)で製造した混合物に添加して、式(IV):
d)式(IV)で表される化合物を脱保護して、式(I)で表される化合物又はその塩を得る工程
を含む、方法にも関する。
で表される化合物を保護することにより製造できる。
a)式(V)で表される化合物を式(VI)で表される化合物と、銅又はパラジウム源の存在下で反応させて、式(VII):
で表される化合物を得る工程、
b)式(VII)で表される化合物をハロゲン化又はトリフレート化して、式(II)で表される化合物を得る工程
を含む方法によって製造できる。
a)式(II)又は式(IIa)で表される化合物を、1-メチル-2-ピロリドンと混合する工程;
b)混合物を、70℃~120℃に加熱して、式(II)又は式(IIa)で表される化合物を溶解する工程;
c)溶液を冷却することにより、式(II)又は式(IIa)で表される化合物を単離する工程
を含む方法により精製できることを見いだした。
a)式(I)で表される化合物を、溶媒中で塩化水素と反応させて、式(VIII);
b)貧溶媒を添加することにより固体の式(VIII)で表される化合物を単離する工程;
c)式(VIII)で表される化合物を溶媒中で塩基と接触させて、式(I)で表される化合物を得る工程
を含む方法で精製できることも見いだした。
a.式(I)で表される化合物を、N,N-ジメチルホルムアミド又はジメチルスルホキシドといった溶媒に溶解する工程;
b.混合物を、60℃~90℃、好ましくは70℃~80℃に加熱する工程;
c.混合物に酢酸エチルのような貧溶媒を添加する工程;
d.混合物を冷却し、場合によっては播種する工程;
e.式(I)で表される化合物の得られた固体形態IVを単離し乾燥する工程
を含む方法のいずれかで、多形形態IVに変換できる。
1.式(III)で表される化合物と2-ビニルピリジンの反応で使用する触媒の量が少なく、反応時間が短い;
2.式(I)で表される化合物中の残留Pdが少なく、10ppm未満、好ましくは5ppm未満、より好ましくは1ppm未満である;
3.式(II)、式(IIa)又は式(VIII)で表される固体化合物は、式(I)で表される化合物の化学的純度をさらに改良する可能性をもたらす。
PixCell 3D検出器付きθ/2θ(トランスミションモード)によるPanalytical Empyrean回折計;
5kgの2-((3-ヨード-1H-インダゾール-6-イル)チオ)-N-メチルベンズアミド(純度94%、HPLC ES)を、6.8kgの1-メチル-2-ピロリドンに105℃で溶解した。混合物をこの温度で60分撹拌した。次いで、混合物を210分かけて0℃に冷却した。沈殿した固体を濾別し、2-((3-ヨード-1H-インダゾール-6-イル)チオ)-N-メチルベンズアミドを収率97%及び純度99.3%(HPLC ES)で得た。
実施例3で製造したアキシチニブを、2.9kgの1-メチル-2-ピロリドン及び1.55kgのテトラヒドロフランと混合した。混合物を75℃~80℃に加熱し、2.45kgのN,N-ジメチルホルムアミド中の10%塩酸溶液を添加した。混合物を15分撹拌した。次いで、混合物を65℃に冷却した。13.8kgのメタノールをこの温度で120分かけて添加し、混合物を65℃で15分撹拌した。混合物を0℃~5℃に冷却し、この温度で30分撹拌した。混合物を濾別し、濾過された塊を1.6kgの酢酸エチルで洗浄し、乾燥して、1.7kgのアキシチニブ塩酸塩(化合物(VIII)を純度99.5%(HPLC IN)で得た。得られた固体のXRPDは、図1に示したXRPDパターンに対応する。得られたアキシチニブ塩酸塩を、4.1kgの1-メチル-2-ピロリドン、1.32kgのテトラヒドロフラン及び0.93kgの1,2-ジアミノプロパンと混合した。混合物を60℃~65℃に加熱した。混合物に、0.4kgのテトラヒドロフラン中の80gの炭を添加し、次いで、混合物を30分撹拌した。混合物を濾過し、濾過ケーキを1kgのテトラヒドロフランで洗浄した。混合物に、8.4kgのメタノールを、60℃~65℃で2.5時間かけて添加した。混合物を-5℃~0℃に冷却し、この温度で30分撹拌した。混合物を濾別し、濾過ケーキを1.65kgのメタノールで洗浄し、乾燥して、1.5kgのアキシチニブを純度99.99%(HPLC ES)で得た。得られたアキシチニブ中におけるPdの含有量は0.5ppm未満であった。
窒素雰囲気下、0.55kgのアキシチニブを4.5kgのN,N-ジメチルホルムアミドと混合した。混合物を80℃~85℃に加熱し、濾過して、第1の濾液を得た。濾過ケーキを0.7kgのN,N-ジメチルホルムアミドで洗浄し、この濾液を第1の濾液と混合した。混合された濾液に、85℃~90℃で、5.4kgの酢酸エチルを30分かけて添加し、混合物を0℃に冷却し、この温度で180分撹拌した。混合物を濾別し、ケーキを2kgの酢酸エチルで洗浄した。濾過された固体にフィルター上で5時間送風し、次いで、130℃で5時間乾燥して、形態IVのアキシチニブを収率86%及び純度99.99%(HPLC ES)で得た。
以下に、出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[1] 式(I):
式(III):
で表される化合物を、2-ビニルピリジンとパラジウム触媒の存在下で反応させることを含み、前記パラジウム触媒は、好適な溶媒中にパラジウム源、配位子及び塩基を含む混合物であり、前記パラジウム触媒は別個に製造される、方法。
[2] a)パラジウム触媒を製造する工程、ここで、前記パラジウム触媒は、好適な溶媒中にパラジウム源、配位子及び塩基を含む混合物である;
b)式(III):
で表される化合物を、2-ビニルピリジン及び溶媒と混合する工程;
c)前記工程a)で製造したパラジウム触媒を、前記工程b)で製造した混合物に添加して、式(IV);
d)式(IV)で表される化合物を脱保護して、式(I)で表される化合物又はその塩を得る工程
を含む、[1]に記載の方法。
[3] 前記パラジウム源が、1%~3%(式(III)で表される化合物に基づくモル%)で使用される、[1]又は[2]に記載の方法。
[4] 前記パラジウム源が、酢酸パラジウム、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム又は塩化パラジウムから選択される、[1]~[3]のいずれかに記載の方法。
[5] 前記パラジウム源が酢酸パラジウムである、[4]に記載の方法。
[6] 前記配位子が、トリフェニルホスフィン、ホスフィノオキサゾリン又は4,5-ビス(ジフェニルホスフィノ)-9,9-ジメチルキサンテンから選択される、[1]~[5]のいずれかに記載の方法。
[7] 前記配位子が4,5-ビス(ジフェニルホスフィノ)-9,9-ジメチルキサンテンである、[6]に記載の方法。
[8] 前記塩基が、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素ナトリウム、酢酸ナトリウム、トリメチルアミントリエチルアミン、モルホリン、N,N-ジイソプロピルエチルアミン又はN,N-ジシクロヘキシルメチルアミンから選択される、[1]~[7]のいずれかに記載の方法。
[9] 前記塩基がN,N-ジシクロヘキシルメチルアミンである、[8]に記載の方法。
[10] 前記XがIである、[1]~[9]のいずれかに記載の方法。
[11] 前記保護基が、アシル、アセチル、ホルミル、スルホニル又はカルバメートから選択される、[1]~[10]のいずれかに記載の方法。
[12] 前記保護基がアセチルである、[11]に記載の方法。
[13] 式(III)で表される化合物が、式(II)
で表される化合物を保護することによって製造される、[1]又は[12]のいずれかに記載の方法。
[14] 式(II)で表される化合物が、
a)式(V)で表される化合物を式(VI)で表される化合物と、銅又はパラジウム源の存在下で反応させて、式(VII):
で表される化合物を得る工程、
b)式(VII)で表される化合物をハロゲン化又はトリフレート化して、式(II)で表される化合物を得る工程
を含む方法によって製造される、[1]~[13]のいずれかに記載の方法。
[15] 前記銅又はパラジウム源が、酢酸銅(II)、CuI、CuBr、(CuOTf) 2 C 6 H 6 、CuCl、CuTC、Cu(MCN) 4 PF 6 、酢酸銅(I)、ビス(1,3-プロパンジアミン)銅(II)二塩化物、ビス(8-キノリノラト)銅(II)、ビス(2,4-ペンタンジオナト)銅(II)、シアン化銅(I)、2-チオフェンカルボン酸銅(I)、テトラフルオロホウ酸銅(II)、ジ-μ-ヒドロキソ-ビス[(N,N,N',N'-テトラメチルエチレンジアミン)銅(II)]塩化物、ジクロロ(1,10-フェナントロリン)銅(II)、トリフルオロメタンスルホン酸銅(II)、トリフルオロメタンスルホン酸銅(I)ベンゼン錯体、テトラキス(アセトニトリル)銅(I)ヘキサフルオロリン酸塩、テトラキス(アセトニトリル)銅(I)テトラフルオロホウ酸塩、酢酸パラジウム、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム又は塩化パラジウムから選択される、[14]に記載の方法。
[16] 式(IIa):
a)式(IIa)で表される化合物を1-メチル-2-ピロリドンと混合する工程;
b)前記混合物を70℃~125℃に加熱して、式(IIa)で表される化合物を溶解する工程;
c)前記溶液を冷却することによって式(IIa)で表される化合物を単離する工程
を含む、方法。
[17] 前記工程b)における混合物を100℃~110℃に加熱する、[16]に記載の方法。
[18] 前記工程c)における混合物を-10℃~20℃に冷却する、[16]又は[17]に記載の方法。
[19] 式(I)で表される化合物又はその塩が10ppm未満のPdを含む、[1]~[18]のいずれかに記載の方法。
[20] 式(I)で表される化合物の精製方法であって、
a)式(I)で表される化合物を塩化水素と、溶媒又は溶媒混合物中で反応させて、式(VIII):
b)貧溶媒を添加することによって固体の式(VIII)で表される化合物を単離する工程;
c)式(VIII)で表される化合物と塩基を、溶媒中で接触させて、式(I)で表される化合物を得る工程
を含む、方法。
[21] 工程a)における前記溶媒が、テトラヒドロフラン若しくは1-メチル-2-ピロリドン又はそれらの混合物を含む群から選択される、[20]に記載の方法。
[22] 前記溶媒が、テトラヒドロフラン及び1-メチル-2-ピロリドンの混合物であり、テトラヒドロフラン:1-メチル-2-ピロリドンが1:1.4~1:2.5(重量比)である、[21]に記載の方法。
[23] 前記テトラヒドロフラン:1-メチル-2-ピロリドンが1:1.6~1:2.1(重量比)である、[22]に記載の方法。
[24] 式(VIII)で表される化合物の前記固体形態、形態Jが、CuKα1線で測定した場合に、2θが、約6.1°、10.4°、12.2°、13.1°、14.3°、16.9°、18.0°、23.1°、24.7°及び27.7°(±0.2°)のピークを含むXRPDパターンによって特徴付けられる、[20]~[23]のいずれかに記載の方法。
[25] 前記塩基が、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、酢酸ナトリウム、トリメチルアミン、トリエチルアミン、モルホリン、N,N-ジイソプロピルエチルアミン、N,N-ジシクロヘキシルメチルアミン又は1,2-ジアミノプロパンからなる群から選択される、[20]~[24]のいずれかに記載の方法。
[26] 前記塩基が1,2-ジアミノプロパンである、[25]に記載の方法。
[27] 前記工程c)における溶媒が、プロパノール、2-プロパノール又はメタノールからなる群から選択される、[20]~[26]のいずれかに記載の方法。
[28] 前記溶媒がメタノールである、[27]に記載の方法。
[29] 前記式(I)で表される化合物を、CuKα1線で測定した場合に、2θが、約8.9°、12.0°、14.6°、15.2°、15.7°、17.8°、19.2°、20.5°、21.6°、23.2°、24.2°、24.8°、26.2°及び27.5°(±0.2°)のピークを含むXRPDパターンによって特徴付けられる式(I)で表される化合物の固体形態IVに変換することをさらに含む、[20]又は[28]のいずれかに記載の方法。
[30] CuKα1線で測定した場合に、2θが、約6.1°、10.4°、12.2°、13.1°、14.3°、16.9°、18.0°、23.1°、24.7°及び27.7°(±0.2°)のピークを含むXRPDパターンによって特徴付けられる、式(VIII)で表される化合物の固体形態、形態J。
Claims (9)
- 前記パラジウム源が、1%~3%(式(III)で表される化合物に基づくモル%)で使用される、請求項1に記載の方法。
- 前記パラジウム源が、酢酸パラジウム、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム又は塩化パラジウムから選択される、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記パラジウム源が酢酸パラジウムである、請求項3に記載の方法。
- 前記配位子が、トリフェニルホスフィン、ホスフィノオキサゾリン又は4,5-ビス(ジフェニルホスフィノ)-9,9-ジメチルキサンテンから選択される、請求項1~4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記XがIである、請求項1~5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記保護基が、アシル、アセチル、ホルミル、スルホニル又はカルバメートから選択される、請求項1~6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記保護基がアセチルである、請求項7に記載の方法。
- 式(I)で表される化合物又はその塩が10ppm未満のPdを含む、請求項1~8のいずれか一項に記載の方法。
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