JP7294503B2 - 感光性樹脂組成物、硬化パターンの製造方法、硬化物、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜、及び電子部品 - Google Patents
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Description
電子機器の小型化及び高機能化に伴い、樹脂膜には高解像度化が求められている。また、多様なパターン形状(パターンプロファイル)を形成することが可能な樹脂組成物が求められている。
高解像度化に対応すべく、樹脂組成物に含まれる感光剤についても様々な提案がなされており、高感度な感光剤が使用される場合がある(例えば特許文献1)。
本発明の目的は、取り扱い性に優れ、パターンプロファイルを容易に制御することができる感光性樹脂組成物を提供することである。
本発明によれば、以下の感光性樹脂組成物等が提供される。
1.下記(a)成分、(b1)成分及び(b2)成分を含む感光性樹脂組成物。
(a)下記式(1)で表される構造単位を有するポリイミド前駆体
(b1)下記式(11)で表される化合物及び下記式(12)で表される化合物からなる群から選択される1以上の化合物
(b2)下記式(21)で表される化合物及び下記式(22)で表される化合物からなる群から選択される1以上の化合物
式(12)中、R15は、-OH、-COOH、-O(CH2)OH、-O(CH2)2OH、-COO(CH2)OH又は-COO(CH2)2OHであり、R16及びR17は各々独立に水素原子、炭素数1~12のアルキル基、炭素数4~10のシクロアルキル基、フェニル基又はトリル基である。bは0~5の整数である。)
式(22)中、R24及びR25は各々独立に炭素数1~12のアルキル基であり、d及びeは各々独立に0~5の整数であり、s及びtは各々独立に0~3の整数であり、sとtの和は3である。)
2.前記(b1)成分が前記式(11)で表される化合物であり、前記(b2)成分が前記式(21)で表される化合物である1に記載の感光性樹脂組成物。
3.前記(b1)成分の含有量が前記(a)成分100質量部に対して0.05~5.0質量部であり、前記(b2)成分の含有量が前記(a)成分100質量部に対して0.5~10.0質量部である1又は2に記載の感光性樹脂組成物。
4.前記(b1)成分の含有量が前記(a)成分100質量部に対して0.05~1.0質量部である1~3のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
5.前記(b1)成分の含有量が前記(a)成分100質量部に対して0.15~0.60質量部である1~3のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
6.前記(b2)成分の含有量が前記(a)成分100質量部に対して0.5~5.0質量部である1~5のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
7.前記(b1)成分の含有量と前記(b2)成分の含有量の質量比が1:3~1:30である1~6のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
8.さらに(d)架橋剤を含む1~7のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
9.さらに(e)増感剤を含む1~8のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
10.1~9のいずれかに記載の感光性樹脂組成物を基板上に塗布し乾燥して塗膜を形成する工程と、
前記塗膜に活性光線を照射後、現像して樹脂パターンを得る工程と、
前記樹脂パターンを加熱処理する工程とを含む、
硬化パターンの製造方法。
11.1~9のいずれかに記載の感光性樹脂組成物を硬化した硬化物。
12.11に記載の硬化物を用いて作製された層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜。
13.12に記載の層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜を有する電子部品。
本明細書において、「A又はB」とは、AとBのどちらか一方を含んでいればよく、両方とも含んでいてもよい。また、以下で例示する材料は、特に断らない限り、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。さらに、本明細書において感光性樹脂組成物中の各成分の含有量は、感光性樹脂組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、感光性樹脂組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。「~」を用いて示された数値範囲は、「~」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。「(メタ)アクリロキシ」とは「メタクリロキシ」又は「アクリロキシ」を表し、「(メタ)アクリレート」は「メタクリレート」又は「アクリレート」を表す。
本発明の感光性樹脂組成物は、下記(a)成分、(b1)成分及び(b2)成分を含む。
(a)下記式(1)で表される構造単位を有するポリイミド前駆体
(b1)下記式(11)で表される化合物及び下記式(12)で表される化合物からなる群から選択される1以上の化合物
(b2)下記式(21)で表される化合物及び下記式(22)で表される化合物からなる群から選択される1以上の化合物
式(12)中、R15は、-OH、-COOH、-O(CH2)OH、-O(CH2)2OH、-COO(CH2)OH又は-COO(CH2)2OHであり、R16及びR17は各々独立に水素原子、炭素数1~12のアルキル基、炭素数4~10のシクロアルキル基、フェニル基又はトリル基である。bは0~5の整数である。)
式(22)中、R24及びR25は各々独立に炭素数1~12のアルキル基であり、d及びeは各々独立に0~5の整数であり、s及びtは各々独立に0~3の整数であり、sとtの和は3である。)
本発明の感光性樹脂組成物は、好ましくはネガ型の感光性樹脂組成物である。
また、本発明の感光性樹脂組成物は、感光剤の添加量増減に伴うパターンプロファイルの変化が緩やかであり、所望のパターンプロファイルを容易に得ることができる。
((a)成分)
(a)成分は、下記式(1)で表される構造単位を有するポリイミド前駆体である。
式(2e)中、Zはエーテル結合(-O-)又はスルフィド結合(-S-)である。)
R2の2価の有機基は、i線透過率の観点から下記式(5)で表わされる2価の有機基であることが好ましい。
R30~R37の1価の有機基として、炭素数1~10(好ましくは炭素数1~6)のアルキル基(例えばメチル基)、炭素数1~10(好ましくは炭素数1~6)のフッ化アルキル基(例えばトリフルオロメチル基)等が挙げられる。
シクロアルキル基(好ましくは炭素数3~20、より好ましくは炭素数5~15、さらに好ましくは炭素数6~12)としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等が挙げられる。
アルキル基の炭素数が1~10である(メタ)アクリロキシアルキル基としては、(メタ)アクリロキシエチル基、(メタ)アクリロキシプロピル基、(メタ)アクリロキシブチル基等が挙げられる。
(b1)成分及び後述する(b2)成分は感光剤であり、通常、活性光線の照射によってラジカルを発生する。(b1)成分は、例えば、活性光線に対する感度が後述する(b2)成分より高い、高感度な感光剤である。
R15は、好ましくは-O(CH2)2OHである。bは好ましくは0又は1である。R16は、好ましくは炭素数1~6のアルキル基であり、より好ましくはメチル基又はヘキシル基である。R17は、好ましくは炭素数1~6のアルキル基又はフェニル基であり、より好ましくはメチル基又はフェニル基である。
(b2)成分は、例えば、活性光線に対する感度が(b1)成分より低い、標準的な感度の感光剤である。(b2)成分は下記式(21)及び下記式(22)で表される化合物からなる群から選択される1以上の化合物である。
本発明の感光性樹脂組成物は、本質的に(a)、(b1)、(b2)及び(c)成分からなってもよいし、本質的に(a)、(b1)、(b2)及び(c)成分、並びに後述するその他の任意成分から選択される1以上の成分からなってもよい。この場合、不可避不純物を含んでもよい。
また、本発明の感光性樹脂組成物は、(a)、(b1)、(b2)及び(c)成分のみ、又は(a)、(b1)、(b2)及び(c)成分、並びに後述するその他の任意成分から選択される1以上の成分のみからなってもよい。
本発明の感光性樹脂組成物は、上記の成分に加えて、必要に応じて任意成分を含んでもよい。任意成分としては、溶剤((c)成分)、架橋剤((d)成分)、増感剤((e)成分)、有機シラン化合物((f)成分)、その他の成分等が挙げられる。
(c)成分としては、感光性樹脂組成物中の成分を十分に溶解できるものであれば特に制限はないが、(a)成分であるポリイミド前駆体を十分に溶解する極性溶剤が好ましく、極性溶剤としては、N-メチル-2-ピロリドン(NMP)、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、ヘキサメチルリン酸トリアミド、γ-ブチロラクトン、δ-バレロラクトン、γ-バレロラクトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレンカーボネート、乳酸エチル、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン等が挙げられる。
架橋剤(後述する(f)有機シラン化合物とは異なる)としては、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、1,4-ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6-ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、スチレン、ジビニルベンゼン、4-ビニルトルエン、4-ビニルピリジン、N-ビニルピロリドン、2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、1,3-(メタ)アクリロイルオキシ-2-ヒドロキシプロパン、メチレンビスアクリルアミド、N,N-ジメチルアクリルアミド、N-メチロールアクリルアミド等が挙げられる。
増感剤としては、例えば、7-N,N-ジエチルアミノクマリン、7-ジエチルアミノ-3-テノニルクマリン、3,3’-カルボニルビス(7-N,N-ジエチルアミノ)クマリン、3,3’-カルボニルビス(7-N,N-ジメトキシ)クマリン、3-チエニルカルボニル-7-N,N-ジエチルアミノクマリン、3-ベンゾイルクマリン、3-ベンゾイル-7-N,N-メトキシクマリン、3-(4’-メトキシベンゾイル)クマリン、3,3’-カルボニルビス-5,7-(ジメトキシ)クマリン、ベンザルアセトフェノン、4’-N,N-ジメチルアミノベンザルアセトフェノン、4’-アセトアミノベンザル-4-メトキシアセトフェノン、ジメチルアミノベンゾフェノン、ジエチルアミノベンゾフェノン、4,4’-ビス(N-エチル,N-メチル)ベンゾフェノン、4,4’-ビス-(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン等が挙げられる
有機シラン化合物としては、γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、γ-アミノプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ-アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ-ウレイドプロピルトリエトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3-イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、ビス(2-ヒドロキシエチル)-3-アミノプロピルトリエトキシシラン、トリエトキシシリルプロピルエチルカルバメート、3-(トリエトキシシリル)プロピルコハク酸無水物、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、N―フェニル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-トリエトキシシリル-N-(1,3-ジメチルブチリデン)プロピルアミン、2-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等が挙げられる。
有機シラン化合物を含むと、感光性樹脂組成物の硬化後の基板への密着性を向上することができる。
本発明の感光性樹脂組成物は、防錆性をより向上させる観点から防錆剤を含んでもよい。防錆剤としては、5-アミノ-1H-テトラゾール、1-メチル-5-アミノ-テトラゾール、1-メチル-5-メルカプト-1H-テトラゾール、1-カルボキシメチル-5-アミノ-テトラゾール等が挙げられる。これらのテトラゾール化合物は、その水溶性塩であってもよい。
防錆剤を含む場合の含有量は、(a)成分100質量部に対して0.05~5.0質量部が好ましく、0.5~4.0質量部がより好ましい。
安定剤を含む場合の含有量は、(a)成分100質量部に対して0.05~5.0質量部が好ましく、0.1~2.0質量部がより好ましい。
本発明の硬化物は、上述の感光性樹脂組成物を硬化することで得ることができる。本発明の硬化物は、パターン硬化膜として用いてもよく、パターンがない硬化膜として用いてもよい。
本発明の硬化物の膜厚は、1~20μmが好ましい。
基板としては、シリコンウエハ、金属基板、セラミック基板等が挙げられる。
乾燥する際の加熱温度は80~130℃であることが好ましく、乾燥時間は30~300秒であることが好ましい。乾燥はホットプレート等の装置を用いて行なうことが好ましい。
本発明の感光性樹脂組成物はi線露光用に好適であるが、照射する活性光線としては、紫外線、遠紫外線、可視光線、電子線、X線等を用いることができる。
現像液としては特に制限はないが、1,1,1-トリクロロエタン等の難燃性溶剤;N,N-ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドン、シクロペンタノン、γ-ブチロラクトン、酢酸エステル類等の良溶媒;これら良溶媒と低級アルコール、水、芳香族炭化水素等の貧溶媒との混合溶剤などが用いられる。現像後は必要に応じて貧溶媒(例えば、水、エタノール、2-プロパノール、PGMEA(プロピレングリコール1-モノメチルエーテル2-アセタート))等でリンス洗浄を行う。
本発明の硬化物(硬化パターン)は、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜又は再配線層等として用いることができる。これら層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜及び再配線層は電子部品に用いることができる。これにより、信頼性が高い電子部品を得ることができる。
本発明の電子部品は、上述の層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜及び再配線層から選択される1以上を有すること以外は特に制限されず、様々な構造をとることができる。
[ポリマーIの合成]
4,4’-オキシジフタル酸二無水物(ODPA)31.02g(100mmol)、2-ヒドロキシエチルメタクリレート(HEMA)26.03g(100mmol)、ハイドロキノン0.1g及び触媒量のDBU(ジアザビシクロウンデセン)を、118gのNMP中に溶解して、室温で48時間撹拌してエステル(ODPA-HEMAエステル)溶液を得た。
ODPA-HEMAエステル溶液を氷浴中で冷却しながら、塩化チオニル26.17g(220mmol)を反応溶液の温度が10℃を超えないようにして滴下した後、1時間撹拌して、酸塩化物溶液を調製した。
滴下終了後、反応液を蒸留水に滴下して生じた沈殿物をろ別して集め、蒸留水で数回洗浄した後、真空乾燥してポリアミド酸エステル(ポリマーI)を得た。ポリマー1の重量平均分子量は35,000であった。
ポリマー1(0.5mg)に対して溶剤[テトラヒドロフラン(THF)/N,N-ジメチルホルムアミド(DMF)=1/1(容積比)]1mLの溶液を用いて測定した。
測定装置:検出器 株式会社島津製作所製RID-20AD
ポンプ :株式会社島津製作所製LC-20AD
株式会社島津製作所製C-R4A Chromatopac
測定条件:カラム Gelpack GL-S300MDT-5×2本
溶離液:THF/DMF=1/1(容積比)
LiBr(0.03mol/L)、H3PO4(0.06mol/L)
流速:1.0mL/min、検出器:UV270nm
[ポリマーIIの合成]
撹拌機、温度計を備えた1.0Lのフラスコ中に、ODPA62.0g(199.9mmol)、HEMA5.2g(40.0mmol)及び触媒量の1,4-ジアザビシクロ[2.2.2.]オクタントリエチレンジアミンを250.0gのNMP中に溶解して、45℃で1時間撹拌した後25℃まで冷却し、m-フェニレンジアミン5.5g(50.9mmol)、オキシジアニリン(4,4’-ジアミノジフェニルエーテル)23.8g(118.9mmol)及び乾燥したNMP100mLを加えた後45℃で150分撹拌した後、室温へ冷却した。この溶液へトリフルオロ酢酸無水物78.5g(373.8mmol)を滴下した後、20分撹拌した後、HEMA53.1g(408.0mmol)を加え45℃で20時間撹拌した。この反応液を蒸留水に滴下し、沈殿物をろ別して集め、減圧乾燥することによってポリアミド酸エステルを得た(ポリマーII)。
ポリマーIIの重量平均分子量は35,000であった。
[感光性樹脂組成物の調製]
表1に示す成分及び配合量にて、実施例1~17及び比較例1~6の感光性樹脂組成物を調製した。表1の配合量は、(a)成分100質量部に対する、各成分の質量部である。
用いた各成分は以下の通りである。
・ポリマーI:製造例1で得られたポリマーI
・ポリマーII:製造例2で得られたポリマーII
・NMP
・d-1:下記構造を有する化合物(SARTOMER社製、商品名「TEGDMA」
C-(CH2OOC-CH=CH2)4
・d-3:下記構造を有する化合物(新中村化学工業株式会社製、商品名「ATM-35E」)
・f-1:γ-ウレイドプロピルトリエトキシシラン(United Chemical Technologies社製、商品名「UCT-801」)
・Taobn:1,4,4-トリメチル-2,3-ジアザビシクロ[3.2.2]-ノナ-2-エン-N,N-ジクソイド(Hampford Research社製、商品名「Taobn」)
・5ATz:下記構造を有する化合物(東京化成工業株式会社製、商品名「5-アミノ-1H-テトラゾール」)
得られた感光性樹脂組成物を用いて、以下の評価を行った。
(樹脂パターンの製造)
得られた感光性樹脂組成物を6インチシリコンウエハ上にスピンコート法によって塗布し、110℃のホットプレート上で4分間加熱し、溶剤を揮発させ、膜厚13μmの塗膜を得た。この塗膜をシクロペンタノンに浸漬した場合に完全に溶解するまでの時間の2倍を現像時間として設定した。得られた塗膜について、スクウェアホールパターンを有するフォトマスクを介してi線ステッパーFPA-3000iW(キヤノン株式会社製)を用いて、表2に示す露光量で露光を行った。露光後の塗膜を、シクロペンタノンに浸漬して上記現像時間でパドル現像した後、PGMEAでリンス洗浄を行い、樹脂パターンを得た。
実施例1,2,5,7,8,10、13及び比較例2~6で得られた樹脂パターンについて、断面形状(パターンプロファイル)を走査型電子顕微鏡によって観察し、基板に対するパターンのテーパー角度を、テーパーの中点での傾きを測定することによって求めた。結果を表2に示す。また、(b1)成分と(b2)成分それぞれの(a)成分に対する質量部を表2中に示す。
実施例1で得られたパターンプロファイルの走査型顕微鏡写真を図1に示す。また、当該パターンにおけるテーパーの中点での傾きを示す補助線を図1に示す。実施例1で得られたパターンの基板に対するテーパー角度は75°であった。
尚、表2中に記載のない実施例、比較例については当該評価を行わなかった。
また、比較例5及び6から、標準的な感度の感光剤(b2-1)のみを用いる場合、添加量を変更してもパターンプロファイルはほとんど変化しなかった。
得られた感光性樹脂組成物を6インチシリコンウエハ上にスピンコート法によって塗布し、110℃のホットプレート上で4分間加熱し、溶剤を揮発させ、膜厚13μmの塗膜を得た。この塗膜をシクロペンタノンに浸漬した場合に完全に溶解するまでの時間の2倍を現像時間として設定した。得られた塗膜について、フォトマスクを介してi線ステッパーFPA-3000iW(キヤノン株式会社製)を用いて、100mJ/cm2~1100mJ/cm2において100mJ/cm2刻みで露光を行ったウエハを、シクロペンタノンに浸漬してパドル現像した後、PGMEAでリンス洗浄を行い、樹脂パターンを得た。
解像(現像)できたスクウェアホールパターンのマスク寸法の最小値を解像度(μm)とし、以下の基準に沿って評価した。結果を表3に示す。また(b1)成分と(b2)成分それぞれの(a)成分に対する質量部を表3中に示す。
A:解像度10μm以下
B:解像度10μm超15μm以下
C:解像度15μm超30μm以下
D:解像度30μm超
一方、本発明の感光性樹脂組成物は、高感度の感光剤と標準的感度の感光剤とを併用することによって、同量の高感度感光剤のみを用いた場合に比べて最適露光量範囲が大きくなった。例えば、(b1)成分のみを0.2質量部用いた場合の最適露光量範囲は300~700mJ/cm2であるのに対し(比較例4)、同量の(b1)成分に加えて(b2)成分を用いた場合の最適露光量範囲は少なくとも200~800mJ/cm2(実施例9)、最大で200~1100mJ/cm2(実施例11)となり、取り扱い性が大きく向上した。尚、実施例15の最適露光量範囲は200~400mJ/cm2であるが、これはポリマーIIの特性によるものであり、ポリマーIIに(b1)成分のみを組み合わせた場合の最適露光量範囲はさらに小さくなるものと考えられる。
また、(b1)成分の含有量を0.3質量部以下にすることによって、最適露光量範囲が一定以上の水準に達するため、感光性樹脂組成物の取り扱い性に優れることが分かった。
上記の解像度評価で現像を行った樹脂パターンを、縦型拡散炉(光洋リンドバーグ株式会社製)を用いて、窒素雰囲気下、225℃で1時間加熱硬化して、硬化パターンを得た。良好な硬化パターンが得られた。
上記の解像度評価で現像を行った樹脂パターンについて、現像前の膜厚(13μm)と現像後の膜厚から下記式により現像後残膜率を算出し、以下の基準に沿って評価した。結果を表4に示す。また(b1)成分と(b2)成分それぞれの(a)成分に対する質量部を表4中に示す。
現像後残膜率(%)=(現像後膜厚/現像前膜厚)×100
膜厚の測定は、光干渉式膜厚計「ラムダエース VM-2210」(大日本スクリーン製造株式会社製)で行った。尚、現像後の膜厚は、樹脂パターンにおいてパターンを形成していない部分について測定を行った。
A:現像後残膜率85%以上
B:現像後残膜率80%以上85%未満
C:現像後残膜率80%未満
この明細書に記載の文献及び本願のパリ優先の基礎となる日本出願明細書の内容を全てここに援用する。
Claims (12)
- 下記(a)成分、(b1)成分、(b2)成分及び(d)成分を含む感光性樹脂組成物。
(a)下記式(1)で表される構造単位を有するポリイミド前駆体
(b1)下記式(11)で表される化合物及び下記式(12)で表される化合物からなる群から選択される1以上の化合物
(b2)下記式(b2-1)で表される化合物
(d)下記式(d-1)で表される化合物
(式(1)中、R1は4,4’-オキシジフタル酸二無水物に由来する構造であり、R2は2価の有機基であり、R3及びR4は各々独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、又は炭素-炭素不飽和二重結合を有する1価の有機基である。)
(式(11)中、R11は炭素数1~12のアルキル基であり、aは0~5の整数である。R12は水素原子又は炭素数1~12のアルキル基である。R13及びR14は各々独立に水素原子、炭素数1~12のアルキル基、フェニル基又はトリル基を示す。
式(12)中、R15は、-OH、-COOH、-O(CH2)OH、-O(CH2)2OH、-COO(CH2)OH又は-COO(CH2)2OHであり、R16及びR17は各々独立に水素原子、炭素数1~12のアルキル基、炭素数4~10のシクロアルキル基、フェニル基又はトリル基である。bは0~5の整数である。)
- 前記(b1)成分が前記式(11)で表される化合物である請求項1に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記(b1)成分の含有量が前記(a)成分100質量部に対して0.05~5.0質量部であり、前記(b2)成分の含有量が前記(a)成分100質量部に対して0.5~10.0質量部である請求項1又は2に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記(b1)成分の含有量が前記(a)成分100質量部に対して0.05~1.0質量部である請求項1~3のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
- 前記(b1)成分の含有量が前記(a)成分100質量部に対して0.15~0.60質量部である請求項1~3のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
- 前記(b2)成分の含有量が前記(a)成分100質量部に対して0.5~5.0質量部である請求項1~5のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
- 前記(b1)成分の含有量と前記(b2)成分の含有量の質量比が1:3~1:30である請求項1~6のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
- さらに(e)増感剤を含む請求項1~7のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
- 請求項1~8のいずれかに記載の感光性樹脂組成物を基板上に塗布し乾燥して塗膜を形成する工程と、
前記塗膜に活性光線を照射後、現像して樹脂パターンを得る工程と、
前記樹脂パターンを加熱処理する工程とを含む、
硬化パターンの製造方法。 - 請求項1~8のいずれかに記載の感光性樹脂組成物を硬化した硬化物。
- 請求項10に記載の硬化物を用いて作製された層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜。
- 請求項11に記載の層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜を有する電子部品。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017032368 | 2017-02-23 | ||
| JP2017032368 | 2017-02-23 | ||
| JP2019501408A JP7095676B2 (ja) | 2017-02-23 | 2018-02-22 | 感光性樹脂組成物、硬化パターンの製造方法、硬化物、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜、及び電子部品 |
| PCT/JP2018/006424 WO2018155547A1 (ja) | 2017-02-23 | 2018-02-22 | 感光性樹脂組成物、硬化パターンの製造方法、硬化物、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜、及び電子部品 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019501408A Division JP7095676B2 (ja) | 2017-02-23 | 2018-02-22 | 感光性樹脂組成物、硬化パターンの製造方法、硬化物、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜、及び電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022123000A JP2022123000A (ja) | 2022-08-23 |
| JP7294503B2 true JP7294503B2 (ja) | 2023-06-20 |
Family
ID=63253739
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019501408A Active JP7095676B2 (ja) | 2017-02-23 | 2018-02-22 | 感光性樹脂組成物、硬化パターンの製造方法、硬化物、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜、及び電子部品 |
| JP2022092957A Active JP7294503B2 (ja) | 2017-02-23 | 2022-06-08 | 感光性樹脂組成物、硬化パターンの製造方法、硬化物、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜、及び電子部品 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019501408A Active JP7095676B2 (ja) | 2017-02-23 | 2018-02-22 | 感光性樹脂組成物、硬化パターンの製造方法、硬化物、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜、及び電子部品 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11226560B2 (ja) |
| JP (2) | JP7095676B2 (ja) |
| KR (1) | KR102646304B1 (ja) |
| CN (1) | CN110325912B (ja) |
| PH (1) | PH12019501809A1 (ja) |
| TW (1) | TWI781144B (ja) |
| WO (1) | WO2018155547A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020031240A1 (ja) * | 2018-08-06 | 2020-02-13 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、硬化膜、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜及び電子部品 |
| KR20210146882A (ko) * | 2019-03-27 | 2021-12-06 | 도레이 카부시키가이샤 | 감광성 수지 조성물, 감광성 수지 시트, 중공 구조의 제조 방법 및 전자 부품 |
| JP7431241B2 (ja) | 2019-07-29 | 2024-02-14 | 旭化成株式会社 | ネガ型感光性樹脂組成物、ポリイミドの製造方法、硬化レリーフパターンの製造方法、及び半導体装置 |
| JP7588957B2 (ja) * | 2020-01-30 | 2024-11-25 | 旭化成株式会社 | ネガ型感光性樹脂組成物、並びにこれを用いたポリイミド及び硬化レリーフパターンの製造方法 |
| JP7543691B2 (ja) * | 2020-04-20 | 2024-09-03 | Hdマイクロシステムズ株式会社 | 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、硬化膜、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜及び電子部品 |
| CN118605083B (zh) * | 2024-06-07 | 2025-03-07 | 上海镭利电子材料有限公司 | 一种干膜型感光性树脂组合物及其制备方法和应用 |
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| JP2015127817A (ja) | 2009-04-14 | 2015-07-09 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | 感光性樹脂組成物及びこれを用いた回路形成用基板 |
| JP2015187750A (ja) | 2010-05-20 | 2015-10-29 | 日立化成株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性フィルム、リブパターンの形成方法、中空構造とその形成方法及び電子部品 |
| JP2016008992A (ja) | 2014-06-20 | 2016-01-18 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品 |
| JP2016200643A (ja) | 2015-04-07 | 2016-12-01 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品 |
| JP2017004017A (ja) | 2011-03-28 | 2017-01-05 | 日立化成株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性フィルム、リブパターンの形成方法、中空構造の形成方法及び電子部品 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69904073T2 (de) * | 1998-10-29 | 2003-07-17 | Ciba Speciality Chemicals Holding Inc., Basel | Oximderivate und ihre verwendung als latente saüre |
| NL1014545C2 (nl) * | 1999-03-31 | 2002-02-26 | Ciba Sc Holding Ag | Oxim-derivaten en de toepassing daarvan als latente zuren. |
| KR100875612B1 (ko) * | 2001-06-01 | 2008-12-24 | 시바 홀딩 인크 | 치환된 옥심 유도체 및 이를 포함하는 조성물 |
| ATE458010T1 (de) * | 2005-12-20 | 2010-03-15 | Basf Se | Oximester-photoinitiatoren |
| US8293436B2 (en) * | 2006-02-24 | 2012-10-23 | Fujifilm Corporation | Oxime derivative, photopolymerizable composition, color filter, and process for producing the same |
| JP5535065B2 (ja) * | 2007-05-11 | 2014-07-02 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | オキシムエステル光重合開始剤 |
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-
2018
- 2018-02-22 WO PCT/JP2018/006424 patent/WO2018155547A1/ja not_active Ceased
- 2018-02-22 CN CN201880013138.1A patent/CN110325912B/zh active Active
- 2018-02-22 US US16/487,948 patent/US11226560B2/en active Active
- 2018-02-22 JP JP2019501408A patent/JP7095676B2/ja active Active
- 2018-02-22 KR KR1020197022433A patent/KR102646304B1/ko active Active
- 2018-02-23 TW TW107106045A patent/TWI781144B/zh active
-
2019
- 2019-08-06 PH PH12019501809A patent/PH12019501809A1/en unknown
-
2022
- 2022-06-08 JP JP2022092957A patent/JP7294503B2/ja active Active
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| JP2016008992A (ja) | 2014-06-20 | 2016-01-18 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品 |
| JP2016200643A (ja) | 2015-04-07 | 2016-12-01 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110325912B (zh) | 2023-07-14 |
| TWI781144B (zh) | 2022-10-21 |
| PH12019501809A1 (en) | 2020-06-15 |
| JPWO2018155547A1 (ja) | 2019-12-12 |
| KR102646304B1 (ko) | 2024-03-11 |
| US11226560B2 (en) | 2022-01-18 |
| KR20190112727A (ko) | 2019-10-07 |
| JP7095676B2 (ja) | 2022-07-05 |
| US20200041900A1 (en) | 2020-02-06 |
| JP2022123000A (ja) | 2022-08-23 |
| WO2018155547A1 (ja) | 2018-08-30 |
| TW201841984A (zh) | 2018-12-01 |
| CN110325912A (zh) | 2019-10-11 |
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Legal Events
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|
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|
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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