JP7321049B2 - 発光装置、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置および移動体 - Google Patents

Description

本発明は、発光装置、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置および移動体に関する。

素子を流れる電流に応じた輝度で発光する有機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）素子などの発光素子を含む画素が配された発光装置が知られている。特許文献１の図３８には、行方向に隣接する２つの画素の書込みトランジスタＷＳＴｒが、列方向に配される同じデータ線ＤＴＬに接続されることが示されている。

特開２０１４－１８６２５８号公報

特許文献１に記載された回路構成においてトランジスタを形成した場合、２つの画素の書込みトランジスタのデータ線に接続される側の主端子を構成する拡散領域を共用できるため、画素の微細化が可能となる。画素の微細化が進むと、トランジスタ形成時のマスクパターンのアライメント精度などによって拡散領域とゲート電極との位置関係がずれてしまった場合の影響が大きくなりうる。各画素間で拡散領域とゲート電極との位置関係がずれてしまった場合、発光素子を輝度情報に応じた輝度で発光させるための駆動トランジスタにおいて電気的特性が変化し、表示画質が低下してしまう可能性がある。拡散領域とゲート電極との位置関係のずれは、同じ露光で形成されるトランジスタ間で同じ方向にずれうる。

本発明は、発光装置において、画素を微細化し、かつ、画質の低下を低減するのに有利な技術を提供することを目的とする。

上記課題に鑑みて、本発明の実施形態に係る発光装置は、基板に複数の画素が第１方向および第１方向と交差する第２方向にアレイ状に配された発光装置であって、複数の画素のそれぞれは、発光素子と、発光素子の陽極にドレイン領域が接続された第１トランジスタと、第１トランジスタのゲート電極にドレイン領域が接続された第２トランジスタと、を備え、複数の画素は、第１方向に互いに隣接する第１画素と第２画素とを含み、第１画素の第２トランジスタのソース領域と、第２画素の第２トランジスタのソース領域と、は１つの拡散領域を共有し、第１画素の第１トランジスタのソース領域、ゲート電極、ドレイン領域および第２画素の第１トランジスタのソース領域、ゲート電極、ドレイン領域は、第１方向の正または負のうち一方の方向に、それぞれ順に配されることを特徴とする。

本発明によれば、発光装置において、画素を微細化し、かつ、画質の低下を低減するのに有利な技術を提供することができる。

本実施形態に係る発光装置の構成例を示す図。 図１の発光装置の画素の構成例を示す回路図。 図１の発光装置の２つの画素の構成例を示す回路図。 図３の画素の構成例を示す平面図。 図４の画素の構成例を示す断面図。 本実施形態に係る発光装置の構成例を示す図。 図６の発光装置の画素の構成例を示す回路図。 図６の発光装置の２つの画素の構成例を示す回路図。 図８の画素の構成例を示す平面図。 図９の画素の構成例を示す断面図。 図９の画素の変形例を示す平面図。 図９の画素の変形例を示す平面図。 図９の画素の変形例を示す平面図。 本実施形態に係る発光装置の構成例を示す図。 図１４の発光装置の画素の構成例を示す回路図。 図１４の発光装置の２つの画素の構成例を示す回路図。 図１６の画素の構成例を示す平面図。 図１７の画素の変形例を示す平面図。 図１７の画素の変形例を示す平面図。 図１７の画素の変形例を示す平面図。 図１４の発光装置の４つの画素の構成例を示す回路図。 図２１の画素の構成例を示す平面図。 本実施形態の発光装置の構成例を示す断面図 本実施形態の発光装置を用いた表示装置の一例を示す図。 本実施形態の発光装置を用いた光電変換装置の一例を示す図。 本実施形態の発光装置を用いた電子機器の一例を示す図。 本実施形態の発光装置を用いた表示装置の一例を示す図。 本実施形態の発光装置を用いた照明装置の一例を示す図。 本実施形態の発光装置を用いた移動体の一例を示す図。

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものでない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

第１の実施形態
図１～５を参照して、本開示の第１の実施形態による発光装置の構造について説明する。図１は、本実施形態に係る発光装置１０１の構成例を示す図である。図２は、図１の発光装置１０１が備える１つの画素１０２の構成例を示す回路図、図３は、互いに隣接する２つの画素１０２の接続関係を示す回路図である。

本明細書において、発光素子２０１の陽極に駆動トランジスタ２０２が接続され、画素１０２に配されるトランジスタが、すべてＰ型トランジスタである場合について説明する。しかしながら、発光装置１０１は、この構成に限定されることはない。発光素子２０１の極性および画素１０２に配されるトランジスタの導電型が全て逆であってもよい。また、例えば、駆動トランジスタ２０２はＰ型トランジスタであり、他のトランジスタはＮ型トランジスタであってもよい。発光素子２０１が、所定の光量で発光するように、適宜、極性および導電型に合わせて、供給される電位や接続を変更すればよい。したがって、以下において、例えば、トランジスタの「ドレイン領域」と「ソース領域」とは、適宜、入れ替わってもよい。

図１に示されるように、発光装置１０１の一例である有機ＥＬ発光装置は、画素アレイ部１０３と、画素アレイ部１０３の周辺に配置された駆動部と、を含む。画素アレイ部１０３は、基板に複数の画素１０２が、図２に示されるようにＸ方向およびＸ方向と交差するＹ方向にアレイ状に配される。Ｘ方向とＹ方向とは、図１に示されるように、互いに直交していていもよい。画素１０２は、図２に示されるように、発光素子２０１を有する。発光素子２０１は、陽極と陰極との電極間に発光層を含む有機層を有する。有機層は、発光層以外に、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層のうち１つまたは複数を適宜有していてもよい。

駆動部は、それぞれの画素１０２を駆動するための回路である。例えば、駆動部は、垂直走査回路１０４および信号出力回路１０５を含む。画素アレイ部１０３において、行方向（図１においてＹ方向）に沿って、走査線１０６が、画素行ごとに配されている。また、画素アレイ部１０３において、列方向（図１においてＸ方向）に沿って、信号線１０７が、画素列ごとに配されている。走査線１０６は、垂直走査回路１０４のそれぞれ対応する行の出力端に接続されている。信号線１０７は、信号出力回路１０５のそれぞれ対応する列の出力端に接続されている。垂直走査回路１０４は、画素アレイ部１０３のそれぞれの画素１０２への映像信号の書き込み時において、走査線１０６に書き込み制御信号を供給する。信号出力回路１０５は、輝度情報に応じた電圧を有する輝度信号を出力する。

図２に示されるように、画素１０２は、発光素子２０１、駆動トランジスタ２０２、書込トランジスタ２０３を含む。具体的には、駆動トランジスタ２０２の２つの主端子のうち一方（図２の構成において、ドレイン領域）は、発光素子２０１の２つの電極のうち陽極に接続されている。また、駆動トランジスタ２０２の２つの主端子のうち他方（図２の構成において、ソース領域）は、電源電位Ｖｄｄに接続されている。発光素子２０１の２つの電極のうち陰極は、電源電位Ｖｓｓに接続されている。電源電位Ｖｓｓは、例えば、接地電位であってもよい。ここで、トランジスタの主端子とは、トランジスタのソース領域またはドレイン領域として機能する拡散領域のことをいう。また、トランジスタの制御端子とは、トランジスタのゲート電極のことをいう。

書込トランジスタ２０３の２つの主端子のうち一方（図２の構成において、ドレイン領域）は、駆動トランジスタ２０２の制御端子（ゲート電極）に接続される。また、書込トランジスタ２０３の２つの主端子のうち他方（図２の構成において、ソース領域）は、信号線１０７に接続されている。書込トランジスタ２０３のゲート電極は、走査線１０６に接続されている。

ここで、トランジスタや後述する容量素子の総数や、トランジスタの導電型の組み合わせに関しては、あくまで一例に過ぎず、本構成に限定されるものではない。また、以下の説明において、素子Ａと素子Ｂとの間にトランジスタが接続されると表現する場合、素子Ａにトランジスタの主端子の一方が接続され、素子Ｂにトランジスタの主端子の他方が接続される。つまり、素子Ａと素子Ｂとの間にトランジスタが接続される表現する場合、素子Ａにトランジスタの制御端子が接続され、かつ、主端子の一方が接続されず、素子Ｂに主端子の他方が接続されない場合は含まない。

駆動トランジスタ２０２は、電源電位Ｖｄｄから発光素子２０１へ電流を供給し、発光素子２０１を発光させる。より具体的には、駆動トランジスタ２０２は、信号線１０７が有する信号電圧に応じた電流を発光素子２０１に供給する。これによって、発光素子２０１を電流駆動し発光させる。

書込トランジスタ２０３は、垂直走査回路１０４から走査線１０６を介して書込トランジスタ２０３のゲート電極に印加される書込み制御信号に応答し、導通状態となる。これによって、書込トランジスタ２０３は、信号線１０７を介して信号出力回路１０５から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を画素１０２に書き込む。この書き込まれた信号電圧は、駆動トランジスタ２０２のゲート電極に印加される。

発光素子２０１には、有機ＥＬ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ）素子が用いられうる。発光素子２０１の発光時において、信号線１０７から書込トランジスタ２０３を介して駆動トランジスタ２０２のゲート電極に印加される信号電圧に応じて、駆動トランジスタ２０２を流れる電流量が変化する。これによって、発光素子２０１の陽極と陰極との間の容量を所定の電位まで充電し、この電位差に応じた電流が流れる。これによって、発光素子２０１が所定の輝度で発光する。

次いで、図３を用いて、互いに隣接する２つの画素１０２について説明する。図３に示されるように、画素アレイ部１０３に配される複数の画素１０２は、Ｘ方向に互いに隣接する画素１０２ａと画素１０２ｂとを含む。ここで、画素１０２のうち特定の画素を示す場合、「画素１０２『ａ』」のように、参照符号の末尾に『ａ』、『ｂ』などの添え字を付記する。また、特定をせずに何れの画素であってよい場合は、単に「画素１０２」と示す。他の構成要素においても同様である。

画素１０２ａは、発光素子２０１ａ、駆動トランジスタ２０２ａ、書込トランジスタ２０３ａを含む。画素１０２ｂは、発光素子２０１ｂ、駆動トランジスタ２０２ｂ、書込トランジスタ２０３ｂを含む。画素１０２ａの書込トランジスタ２０３ａのソース領域と、画素１０２ｂの書込トランジスタ２０３ｂのソース領域と、は、信号線１０７を介して接続されている。このように、書込トランジスタ２０３のソース領域が互いに接続された２つの画素１０２ａと画素１０２ｂとは、１つの画素群３０１を構成している。

図４は、図３に示される回路のそれぞれのトランジスタの配置例である。図４には、それぞれ画素１０２ａおよび画素１０２ｂによって構成される４つの画素群３０１が、示されている。それぞれの画素群３０１において、画素１０２ａの駆動トランジスタ２０２ａと画素１０２ｂの駆動トランジスタ２０２ｂとの間に、画素１０２ａの書込トランジスタ２０３ａおよび画素１０２ｂの書込トランジスタ２０３ｂが配されている。

書込トランジスタ２０３ａは、Ｐ型の拡散領域４０１、ゲート電極４０２ａ、Ｐ型の拡散領域４０３ａを含み構成されている。また、書込トランジスタ２０３ｂは、Ｐ型の拡散領域４０１、ゲート電極４０２ｂ、Ｐ型の拡散領域４０３ｂを含み構成されている。図４に示されるように、書込トランジスタ２０３ａと書込トランジスタ２０３ｂとは、信号線１０７に接続された拡散領域４０１を共有している。換言すると、画素１０２ａの書込トランジスタ２０３ａのソース領域と、画素１０２ｂの書込トランジスタ２０３ｂのソース領域と、は１つの拡散領域４０１を共有している。これによって、Ｘ方向において、書込トランジスタ２０３ａのソース領域を構成する拡散領域と、書込トランジスタ２０３ｂのソース領域を構成する拡散領域と、を別々に配する場合よりも、画素１０２（画素群３０１）を微細化することが可能となる。

画素１０２ａの駆動トランジスタ２０２ａは、Ｐ型の拡散領域４０４ａ、ゲート電極４０５ａ、Ｐ型の拡散領域４０６ａを含み構成されている。拡散領域４０４ａは、電源電位Ｖｄｄに接続され、駆動トランジスタ２０２ａのソース領域として機能する。拡散領域４０６ａは、発光素子２０１ａの陽極に接続され、駆動トランジスタ２０２ａのドレイン領域として機能する。画素１０２ｂの駆動トランジスタ２０２ｂは、Ｐ型の拡散領域４０４ｂ、ゲート電極４０５ｂ、Ｐ型の拡散領域４０６ｂを含み構成されている。拡散領域４０４ｂは、電源電位Ｖｄｄに接続され、駆動トランジスタ２０２ｂのソース領域として機能する。拡散領域４０６ｂは、発光素子２０１ｂの陽極に接続され、駆動トランジスタ２０２ｂのドレイン領域として機能する。

このように、画素１０２ａの駆動トランジスタ２０２ａのソース領域（拡散領域４０４ａ）、ゲート電極４０５ａ、ドレイン領域（拡散領域４０６ａ）および画素１０２ｂの駆動トランジスタ２０２ｂのソース領域（拡散領域４０４ｂ）、ゲート電極４０５ｂ、ドレイン領域（拡散領域４０６ｂ）は、Ｘ方向の正の方向に、それぞれ順に配される。つまり、電源電位Ｖｄｄから駆動トランジスタ２０２および発光素子２０１を通り電源電位Ｖｓｓまで電流が流れる向きが、画素１０２ａと画素１０２ｂとで同じ向きとなる。ここで、正方向とは、図４において、Ｘ方向として矢印によって示されている方向である。また、図４に示されるでは、画素１０２ａおよび画素１０２ｂの駆動トランジスタ２０２ａ、２０２ｂのソース領域、ゲート電極、ドレイン領域は、Ｘ方向の正の方向に、それぞれ順に配されるが、これに限られることはない。例えば、Ｘ方向の負の方向に向かって、駆動トランジスタ２０２ａ、２０２ｂのソース領域、ゲート電極、ドレイン領域が、それぞれ配されていてもよい。

画素１０２（画素群３０１）の微細化が進むと、画素を形成する際のマスクパターンのアライメント精度などによって、拡散領域とゲート電極との位置関係が、設計に対してずれてしまう場合がある。拡散領域とゲート電極との位置関係がずれてしまった場合、形成されたトランジスタの電気的特性が、設計値から変化しうる。また、トランジスタの微細化が進むと、拡散領域とゲート電極との位置関係がずれてしまったことによる影響が、より顕著になりうる。この、拡散領域とゲート電極との位置関係のずれは、同じ露光で形成されるトランジスタ間で同じ方向にずれうる。このとき、画素１０２ａの駆動トランジスタ２０２ａと画素１０２ｂの駆動トランジスタ２０２ｂとにおいて、反対の方向に電流が流れる場合を考える。この場合、拡散領域とゲート電極との位置関係は同じ方向にずれるため、駆動トランジスタ２０２ａが設計値よりも多くの電流が流れるようになったとすると、駆動トランジスタ２０２ｂは設計値よりも流れる電流が少なくなりうる。このため、画素１０２ａと画素１０２ｂとの間で輝度むらが発生し、表示画質が低下してしまう可能性がある。

一方、本実施形態において、画素１０２ａの駆動トランジスタ２０２ａおよび画素１０２ｂの駆動トランジスタ２０２ｂを流れる発光素子２０１を発光させる電流の向きは、同じ向きとなる。このため、駆動トランジスタ２０２ａが設計値よりも多くの電流が流れるようになった場合、駆動トランジスタ２０２ｂも設計値よりも多くの電流が流れるようになりうる。これによって、本実施形態の発光装置１０１において、画素１０２間での駆動トランジスタ２０２の電気的な特性の差が生じることを低減し、表示画質の低下を低減することが可能となる。例えば、発光装置１０１の画素アレイ部１０３に配されたすべての画素１０２において、駆動トランジスタ２０２のソース領域、ゲート電極、ドレイン領域が配される向きが揃っていてもよい。

図５は、図４に示される画素群３０１のＹ１－Ｙ１’間の断面図である。発光素子２０１は、電極５０１（下部電極とも呼ばれうる。）、発光層を含む有機層５０２、電極５０３（上部電極とも呼ばれうる。）を含む。電極５０１は、発光素子２０１ごとに個別に配され、図５に示されるように、発光素子２０１ａには電極５０１ａが配され、発光素子２０１ｂには電極５０１ｂが配されている。有機層５０２および電極５０３は、複数の発光素子２０１で共有されうる。例えば、画素アレイ部１０３に配されたすべての画素１０２の発光素子２０１が、有機層５０２および電極５０３を共有していてもよい。

また、図５に示されるように、電極５０１の端部に、バンク部５０４が配されていてもよい。バンク部５０４は、電極５０１の外周を取り囲むように配されうる。バンク部５０４によって、電極５０１ａと電極５０３との間を流れる電流が、隣接する画素１０２へ漏れることを低減できる。また、電極５０１と、駆動トランジスタ２０２のソース領域として機能する拡散領域４０６と、は、ビア５０５および配線層５０６を介して接続されている。

上述の各トランジスタは、基板５１０上に形成されている。基板５１０は、例えばＰ型にドープされたシリコンなどの半導体基板でありうる。基板５１０のＰ型の半導体層５０９の上には、Ｎ型のウェル層５０７が配され、ウェル層５０７にそれぞれの拡散領域４０１、４０３、４０４、４０６が形成されている。ウェル層５０７は、電源電位Ｖｄｄに接続されている。各トランジスタは、絶縁体分離部５０８によって分離されている。絶縁体分離部５０８は、ＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）分離、ＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ Ｏｆ Ｓｉｌｉｃｏｎ）分離、Ｎ型の拡散領域分離など、適当な方法によって各トランジスタを電気的に分離する。

図５には、拡散領域４０１、４０３、４０４、４０６と、電極５０１が配されている層と、の間に、１層の配線層５０６のみが示されているが、これに限られることはなく、複数の配線層が配されていてもよい。また、この場合、拡散領域４０１、４０３、４０４、４０６のそれぞれが、別の配線層に配された配線パターンに接続されていてもよいし、同じ配線層に配された配線パターンに接続されていてもよい。

第２の実施形態
図６～１３を参照して、本開示の第２の実施形態による発光装置の構造について説明する。本実施形態において、上述の第１の実施形態と比較して、電源電位Ｖｄｄと駆動トランジスタ２０２との間に発光制御トランジスタが接続される。以下、上述の第１の実施形態とは異なる構成を中心に説明する。

図６は、本実施形態に係る発光装置１０１の構成例を示す図である。図６に示されるように、画素アレイ部１０３において、上述の第１の実施形態に追加して、Ｙ方向に沿って、走査線６０１が、画素行ごとに配されている。走査線６０１は、垂直走査回路１０４のそれぞれ対応する行の出力端に接続されており、それぞれ画素１０２へ発光制御信号を供給する。

図７は、図６の発光装置１０１が備える１つの画素１０２の構成例を示す回路図である。図７に示されるように、上述の第１の実施形態に追加して、電源電位Ｖｄｄと駆動トランジスタ２０２との間に、発光制御トランジスタ７０１が接続される。発光制御トランジスタ７０１の２つの主端子のうちの一方（図７の構成において、ドレイン領域）は、駆動トランジスタ２０２の２つの主端子のうち一方（図７の構成において、ソース領域）に接続されている。発光制御トランジスタ７０１の２つの主端子のうち他方（図７の構成において、ソース領域）は、電源電位Ｖｄｄに接続されている。発光制御トランジスタ７０１の制御端子（ゲート電極）は、走査線６０１に接続されている。さらに、容量素子７０２が、駆動トランジスタ２０２のゲート電極とソース電極との間に接続され、容量素子７０３が、駆動トランジスタ２０２のソース電極と電源電位Ｖｄｄとの間に接続されている。

発光制御トランジスタ７０１は、垂直走査回路１０４から走査線６０１を介してゲート電極に印加される発光制御信号に応答して導通状態になることによって、電源電位Ｖｄｄから駆動トランジスタ２０２への電流の供給を許容する。これによって、駆動トランジスタ２０２による発光素子２０１の駆動が可能になる。すなわち、発光制御トランジスタ７０１は、電流経路の導通状態を制御することによって、発光素子２０１の発光または非発光を制御するスイッチ素子として機能する。

このように、発光制御トランジスタ７０１のスイッチング動作によって、発光素子２０１が非発光状態となる期間（非発光期間）を設け、発光素子２０１が発光する発光期間と非発光期間との割合を制御することができる（所謂、デューティ制御）。このデューティ制御によって、１フレーム期間に亘ってそれぞれの画素１０２の発光素子２０１が発光することに伴う残像ボケを低減でき、特に動画の画品位をより優れたものとすることができる。

図８は、互いに隣接する２つの画素１０２の接続関係を示す回路図である。図８に示されるように、画素アレイ部１０３に配される複数の画素１０２は、Ｘ方向に互いに隣接する画素１０２ａと画素１０２ｂとを含む。上述の第１の実施形態と同様に、画素１０２ａの書込トランジスタ２０３ａのソース領域と、画素１０２ｂの書込トランジスタ２０３ｂのソース領域と、は、信号線１０７を介して接続され、１つの画素群８０１を構成している。画素１０２ａは、第１の実施形態の画素１０２ａに追加して、発光制御トランジスタ７０１ａ、容量素子７０２ａおよび容量素子７０３ａを含む。また、画素１０２ｂは、第１の実施形態の画素１０２ｂに追加して、発光制御トランジスタ７０１ｂ、容量素子７０２ｂおよび容量素子７０３ｂを含む。

図９は、図８に示される回路のそれぞれのトランジスタの配置例である。図９には、それぞれ画素１０２ａおよび画素１０２ｂによって構成される４つの画素群８０１が、示されている。それぞれの画素群８０１において、画素１０２ａの駆動トランジスタ２０２ａと画素１０２ｂの駆動トランジスタ２０２ｂとの間に、画素１０２ａの書込トランジスタ２０３ａおよび画素１０２ｂの書込トランジスタ２０３ｂが配されている。さらに、Ｘ方向において、画素１０２ａの駆動トランジスタ２０２ａと書込トランジスタ２０３ａとの間に、画素１０２ａの発光制御トランジスタ７０１ａが配されている。また、Ｘ方向において、画素１０２ｂの駆動トランジスタ２０２ｂの画素１０２ａとは反対の側に、画素１０２の発光制御トランジスタ７０１ｂが配されている。

図９に示されるように、発光制御トランジスタ７０１ａは、Ｐ型の拡散領域９０１ａ、ゲート電極９０２ａ、Ｐ型の拡散領域４０４ａを含み構成されている。拡散領域９０１ａは、電源電位Ｖｄｄに接続され、発光制御トランジスタ７０１ａのソース領域として機能する。発光制御トランジスタ７０１ａのドレイン領域と、駆動トランジスタ２０２ａソース領域と、は、１つの拡散領域４０４ａを共有している。これによって、Ｘ方向において、発光制御トランジスタ７０１ａのドレイン領域を構成する拡散領域と、駆動トランジスタ２０２ａのソース領域を構成する拡散領域と、を別々に配する場合よりも、画素１０２（画素群８０１）を微細化することが可能となる。同様に、発光制御トランジスタ７０１ｂは、Ｐ型の拡散領域９０１ｂ、ゲート電極９０２ｂ、Ｐ型の拡散領域４０４ｂを含み構成されている。拡散領域９０１ｂは、電源電位Ｖｄｄに接続され、発光制御トランジスタ７０１ｂのソース領域として機能する。発光制御トランジスタ７０１ｂのドレイン領域と、駆動トランジスタ２０２ｂソース領域と、は、１つの拡散領域４０４ｂを共有している。

本実施形態においても、画素１０２ａの駆動トランジスタ２０２ａのソース領域（拡散領域４０４ａ）、ゲート電極４０５ａ、ドレイン領域（拡散領域４０６ａ）および画素１０２ｂの駆動トランジスタ２０２ｂのソース領域（拡散領域４０４ｂ）、ゲート電極４０５ｂ、ドレイン領域（拡散領域４０６ｂ）は、Ｘ方向の正の方向に、それぞれ順に配される。これによって、上述の第１の実施形態と同様に、発光装置１０１において、画素１０２間での駆動トランジスタ２０２の電気的な特性の差が生じることを低減し、表示画質の低下を低減することが可能となる。また、本実施形態において、画素１０２ａの発光制御トランジスタ７０１ａのソース領域（拡散領域９０１ａ）、ゲート電極９０２ａ、ドレイン領域（拡散領域４０４ａ）および画素１０２ｂの発光制御トランジスタ７０１ｂのソース領域（拡散領域９０１ｂ）、ゲート電極９０２ｂ、ドレイン領域（拡散領域４０４ｂ）は、Ｘ方向の正の方向に、それぞれ順に配される。このため、発光装置１０１において、画素１０２間での発光制御トランジスタ７０１の電気的な特性の差が生じることを低減し、表示画質の低下を低減することが可能となる。図９に示されるように、画素１０２において、Ｘ方向の正の方向に、駆動トランジスタ２０２のソース領域、ゲート電極、ドレイン領域が並ぶ順と、発光制御トランジスタ７０１のソース領域、ゲート電極、ドレイン領域が並ぶ順と、は、同じ順であってもよい。また、例えば、発光制御トランジスタ７０１ａ、７０１ｂは、Ｘ方向の負の方向に向かって、ソース領域、ゲート電極、ドレイン領域の順で配されていてもよい。

本実施形態において、画素１０２ａの発光制御トランジスタ７０１ａおよび画素１０２ｂの発光制御トランジスタ７０１ｂは、同じ方向に電流が流れるように配される。しかしながら、これに限られることはなく、同じ方向に電流が流れなくてもよい。例えば、画素１０２ａに配された発光制御トランジスタ７０１ａと画素１０２ｂに配された発光制御トランジスタ７０１ｂとで、逆方向に電流が流れる設計となっていてもよい。これは、駆動トランジスタ２０２は、輝度情報に応じた電圧を有する輝度信号に応じて電流を流す一方、発光制御トランジスタ７０１は、発光素子２０１の発光または非発光の制御を行うだけである。このため、発光制御トランジスタ７０１を制御する精度は、駆動トランジスタ２０２を制御する精度よりも低くてもよいためである。したがって、画素１０２および画素群８０１の配置に応じて、適宜、発光制御トランジスタ７０１における電流を流す方向を決めてもよい。

次いで、駆動トランジスタ２０２のゲート電極４０５と書込トランジスタのドレイン領域を構成する拡散領域４０３とを接続するための配線パターン９０３について説明する。上述の第１の実施形態において、図４に示されるように、駆動トランジスタ２０２のゲート電極４０５と書込トランジスタのドレイン領域を構成する拡散領域４０３との間の距離は、略同じである。このため、配線パターン９０３の長さは、画素１０２ａと画素１０２ｂとの間で略同じとなり、画素１０２ａと画素１０２ｂとの間で、配線パターン９０３が有する寄生容量は略同じである。一方、図９に示される構成において、画素１０２ａと画素１０２ｂとの間で、駆動トランジスタ２０２のゲート電極４０５と書込トランジスタのドレイン領域を構成する拡散領域４０３との間の距離が異なっている。ここで、配線パターンとは、２つ以上の対象物の間を電気的に接続するための導電体の配線である。同じ形状の配線が、必ずしも繰り返し配される必要はない。

配線パターン９０３ａは、駆動トランジスタ２０２ａのゲート電極４０５ａと、書込トランジスタ２０３ａのドレイン領域を構成する拡散領域４０３ａと、を接続するための配線パターンである。配線パターン９０３ｂは、駆動トランジスタ２０２ｂのゲート電極４０５ｂと、書込トランジスタ２０３ｂのドレイン領域を構成する拡散領域４０３ｂと、を接続するための配線パターンである。ここで、長さ９０４ａは、駆動トランジスタ２０２ａのゲート電極４０５ａと書込トランジスタ２０３ａのドレイン領域を構成する拡散領域４０３ａのコンタクト部との間の長さである。同様に、長さ９０４ｂは、駆動トランジスタ２０２ｂのゲート電極４０５ｂと書込トランジスタ２０３ｂのドレイン領域を構成する拡散領域４０３ｂのコンタクト部との間の長さである。また、長さ９０５ａは、配線パターン９０３ａが駆動トランジスタ２０２ａのゲート電極４０５ａと重なっている部分の長さである。同様に、長さ９０５ｂは、配線パターン９０３ｂが駆動トランジスタ２０２ｂのゲート電極４０５ｂと重なっている部分の長さである。

図９に示される構成において、画素１０２ａの長さ９０４ａが、画素１０２ｂの長さ９０４ｂよりも長い。これに対して、画素１０２ａの長さ９０５ａは、画素１０２ｂの長さ９０５ｂよりも短い。これによって、配線パターン９０３ｂが有する寄生容量を増加させ、配線パターン９０３ａが有する寄生容量と略等しくすることが可能となる。結果として、輝度情報に応じた電圧を保持するための、駆動トランジスタ２０２ａのゲート－ソース間の容量が、駆動トランジスタ２０２ｂのゲート－ソース間の容量と、略等しくなり、画素１０２ａと画素１０２ｂとの間の電気的な特性差が低減される。これによって、画素１０２ａと画素１０２ｂとの間で輝度むらを低減し、表示画質が低下してしまうことを低減することが可能となる。

図９に示される構成において、長さ９０４ａが長さ９０４ｂよりも長いため、長さ９０５ａが長さ９０５ｂよりも短いが、長さ９０４ａが９０４ｂよりも短い場合、長さ９０５ａを長さ９０５ｂよりも長くすればよい。また、図９に示されるように、配線パターン９０３は、ゲート電極４０５上でＸ方向に配されているが、Ｘ方向からＹ方向に曲がるように配されてもよい。また、図９に示されるように、配線パターン９０３ｂは、ゲート電極４０５ｂよりも画素１０２ａとは反対側まで延在していてもよい。

図１０は、図９に示される画素群８０１のＹ２－Ｙ２’間の断面図である。図１０に示されるように、電極５０１と駆動トランジスタ２０２のソース領域を構成する拡散領域４０６は、ビア５０５、配線層５０６、配線層１００１および配線層１００２を介して接続されている。容量素子７０２は、配線層１００１に配された電極１００３と、電極１００４と、の間に絶縁層を備える構造である。容量素子７０３は、配線層１００２に配された電極１００５と、電極１００６ａと、の間に絶縁膜を有する構造である。しかしながら、画素群８０１の構成はこれに限られることはない。例えば、配線層５０６、１００１、１００２および電極１００４を含む配線層、電極１００６を含む配線層以外の配線層が配されていてもよい。また、容量素子７０２、７０３の構成は、これに限られることはなく、他の配線層に電極が形成されていてもよい。

図１１は、図９に示される配線パターン９０３の変形例である。上述のように、画素１０２ａの長さ９０４ａが、画素１０２ｂの長さ９０４ｂよりも長い。これに対して、図１１に示される構成において、画素１０２ａにおいて配線パターン９０３ａが駆動トランジスタ２０２ａのゲート電極４０５ａと重なる面積が、画素１０２ｂにおいて配線パターン９０３ｂが駆動トランジスタ２０２ｂのゲート電極４０５ｂと重なる面積よりも小さい。また、これを実現するために、画素１０２ａの配線パターン９０３ａのうちＸ方向に沿って延在する部分の幅が、画素１０２ｂの配線パターン９０３ｂのうちＸ方向に沿って延在する部分の幅よりも細くてもよい。

これによって、配線パターン９０３ｂが有する寄生容量を増加させ、配線パターン９０３ａが有する寄生容量と略等しくすることが可能となる。結果として、輝度情報に応じた電圧を保持するための、駆動トランジスタ２０２ａのゲート－ソース間の容量が、駆動トランジスタ２０２ｂのゲート－ソース間の容量と、略等しくなり、画素１０２ａと画素１０２ｂとの間の電気的な特性差が低減される。これによって、図１１に示される構成においても、画素１０２ａと画素１０２ｂとの間で輝度むらを低減し、表示画質が低下してしまうことを低減することが可能となる。

図１１に示される構成において、長さ９０４ａが長さ９０４ｂよりも長いため、配線パターン９０３ａとゲート電極４０５ａとが重なる面積が、配線パターン９０３ｂとゲート電極４０５ｂとが重なる面積よりも小さい。一方、長さ９０４ａが９０４ｂよりも短い場合、配線パターン９０３ａとゲート電極４０５ａとが重なる面積が、配線パターン９０３ｂとゲート電極４０５ｂとが重なる面積よりも大きくすればよい。この場合、画素１０２ａの配線パターン９０３ａのうちＸ方向に沿って延在する部分の幅が、画素１０２ｂの配線パターン９０３ｂのうちＸ方向に沿って延在する部分の幅よりも太くてもよい。

図１２は、図９、１１に示される配線パターン９０３のさらなる変形例である。ここで、画素１０２ａの配線パターン９０３ａのうちＸ方向に沿って延在する部分は、Ｙ方向に沿って延在する部分よりも画素１０２ｂの側に配された長さ１２０１ａの部分１２０２ａを含む。同様に、画素１０２ｂの配線パターン９０３ｂのうちＸ方向に沿って延在する部分は、Ｙ方向に沿って延在する部分よりも画素１０２ａの側に配された長さ１２０１ｂの部分１２０２ｂを含む。上述と同様に、画素１０２ａの長さ９０４ａが、画素１０２ｂの長さ９０４ｂよりも長い。これに対して、図１２に示される構成において、部分１２０２ａの長さ１２０１ａが、部分１２０２ｂの長さ１２０１ｂよりも短い。

これによって、配線パターン９０３ｂが有する寄生容量を増加させ、配線パターン９０３ａが有する寄生容量と略等しくすることが可能となる。結果として、輝度情報に応じた電圧を保持するための、駆動トランジスタ２０２ａのゲート－ソース間の容量が、駆動トランジスタ２０２ｂのゲート－ソース間の容量と、略等しくなり、画素１０２ａと画素１０２ｂとの間の電気的な特性差が低減される。これによって、図１２に示される構成においても、画素１０２ａと画素１０２ｂとの間で輝度むらを低減し、表示画質が低下してしまうことを低減することが可能となる。

図１２に示される構成において、長さ９０４ａが長さ９０４ｂよりも長いため、長さ１２０１ａが長さ１２０１ｂよりも短いが、長さ９０４ａが９０４ｂよりも短い場合、長さ１２０１ａを長さ１２０１ｂよりも長くすればよい。また、図１２に示されるように、配線パターン９０３の部分１２０２は、Ｘ方向に延在しているが、これに限られることはない。配線パターン９０３の部分１２０２は、Ｘ方向からＹ方向に曲がるように配されてもよいし、図１２に示される配線パターン９０３のＹ方向に延在する部分を、Ｙ方向の一方または両方に延長させ、長さの調整をしてもよい。例えば、配線パターン９０３のＹ方向に延在する部分が、Ｘ方向に延在する部分よりも図中の右側に突出していてもよい。

図１３は、図９に示されるそれぞれのトランジスタの配置の変形例である。それぞれの画素群８０１において、画素１０２ａの駆動トランジスタ２０２ａと画素１０２ｂの駆動トランジスタ２０２ｂとの間に、画素１０２ａの書込トランジスタ２０３ａおよび画素１０２ｂの書込トランジスタ２０３ｂが配されている。さらに、Ｘ方向において、画素１０２ａの駆動トランジスタ２０２ａと画素１０２ｂの駆動トランジスタ２０２ｂとの間に、画素１０２ａの発光制御トランジスタ７０１ａおよび画素１０２ｂの発光制御トランジスタ７０１ｂが配されている。ここで、画素１０２ａの発光制御トランジスタ７０１ａのソース領域と、画素１０２ｂの発光制御トランジスタ７０１ｂのソース領域と、は１つの拡散領域１３０１を共有している。また、画素１０２ａの書込トランジスタ２０３ａおよび画素１０２ｂの書込トランジスタ２０３ｂと、画素１０２ａの発光制御トランジスタ７０１ａおよび画素１０２ｂの発光制御トランジスタ７０１ｂと、がＹ方向に並んで配されている。画素１０２ａの書込トランジスタ２０３ａおよび画素１０２ｂの書込トランジスタ２０３ｂと、画素１０２ａの発光制御トランジスタ７０１ａおよび画素１０２ｂの発光制御トランジスタ７０１ｂと、の並びは、図１３に示される構成とは逆の順であってもよい。

図１３に示されるように、発光制御トランジスタ７０１ａは、Ｐ型の拡散領域１３０１、ゲート電極９０２ａ、Ｐ型の拡散領域１３０２ａを含み構成されている。同様に、発光制御トランジスタ７０１ｂは、Ｐ型の拡散領域１３０１、ゲート電極９０２ａ、Ｐ型の拡散領域１３０２ｂを含み構成されている。図１３に示されるように、発光制御トランジスタ７０１ａのソース領域と、発光制御トランジスタ７０１ｂのソース領域と、は電源電位Ｖｄｄに接続された１つの拡散領域１３０１を共有している。これによって、Ｘ方向において、発光制御トランジスタ７０１ａのソース領域を構成する拡散領域と、発光制御トランジスタ７０１ｂのソース領域を構成する拡散領域と、を別々に配する場合よりも、画素１０２（画素群８０１）を微細化することが可能となる。

第３の実施形態
図１４～２２を参照して、本開示の第３の実施形態による発光装置の構造について説明する。本実施形態において、上述の第１、２の実施形態と比較して、発光素子２０１の陽極と電源電位Ｖｓｓとの間にリセットトランジスタが接続される。以下、上述の第１、２の実施形態とは異なる構成を中心に説明する。

図１４は、本実施形態に係る発光装置１０１の構成例を示す図である。図１４に示されるように、画素アレイ部１０３において、上述の第１、２の実施形態に追加して、Ｙ方向に沿って、走査線１４０１が、画素行ごとに配されている。走査線１４０１は、垂直走査回路１０４のそれぞれ対応する行の出力端に接続されており、それぞれの画素１０２へリセット信号を供給する。

図１５は、図１４の発光装置１０１が備える１つの画素１０２の構成例を示す回路図である。図１５に示されるように、上述の第１、２の実施形態に追加して、発光素子２０１の陽極（駆動トランジスタ２０２のドレイン）と電源電位Ｖｓｓとの間に、リセットトランジスタ１５０１が接続されている。リセットトランジスタ１５０１の２つの主端子のうち一方（図１５の構成において、ソース領域）は、発光素子２０１の陽極および駆動トランジスタ２０２の主端子の一方（図８の構成において、ドレイン領域）に接続されている。リセットトランジスタ１５０１の２つの主端子のうち他方（図８の構成において、ドレイン領域）は、電源電位Ｖｓｓに接続されている。リセットトランジスタ１５０１の制御端子（ゲート電極）は、走査線１４０１に接続されている。非発光期間において、リセットトランジスタ１５０１を導通状態にすることによって、発光素子２０１の陽極が電源電位Ｖｓｓに接続され、発光素子２０１の２つの端子の間が短絡される。これによって、発光素子２０１をリセット（非発光状態）することができる（リセット動作）。画素１０２にリセットトランジスタ１５０１を設けることによって、発光素子２０１を非発光期間において確実に黒表示させ、高いコントラスト比を有する発光装置１０１が実現できる。図１４、１５において、発光制御トランジスタ７０１が配される構成が示されているが、これに限られることはない。例えば、発光制御トランジスタ７０１は、配されていなくてもよい。

図１６は、互いに隣接する２つの画素１０２の接続関係を示す回路図である。図１６に示されるように、画素アレイ部１０３に配される複数の画素１０２は、Ｘ方向に互いに隣接する画素１０２ａと画素１０２ｂとを含む。上述の第１、２の実施形態と同様に、画素１０２ａの書込トランジスタ２０３ａのソース領域と、画素１０２ｂの書込トランジスタ２０３ｂのソース領域と、は、信号線１０７を介して接続され、１つの画素群１６０１を構成している。画素１０２ａは、第１、２の実施形態の画素１０２ａに追加して、リセットトランジスタ１５０１ａを含む。また、画素１０２ｂは、第１、２の実施形態の画素１０２ｂに追加して、リセットトランジスタ１５０１ｂを含む。

図１７は、図１６に示される回路のそれぞれのトランジスタの配置例である。図１７には、それぞれ画素１０２ａおよび画素１０２ｂによって構成される４つの画素群１６０１が、示されている。それぞれの画素群１６０１において、画素１０２ａの駆動トランジスタ２０２ａと画素１０２ｂの駆動トランジスタ２０２ｂとの間に、画素１０２ａの書込トランジスタ２０３ａおよび画素１０２ｂの書込トランジスタ２０３ｂが配されている。さらに、Ｘ方向において、画素１０２ａの駆動トランジスタ２０２ａと画素１０２ｂの駆動トランジスタ２０２ａとの間に、画素１０２ａの発光制御トランジスタ７０１ａ、および、画素１０２ｂのリセットトランジスタ１５０１ｂが配されている。また、画素１０２ａの駆動トランジスタ２０２ａの画素１０２ｂとは反対の側に、画素１０２ａのリセットトランジスタ１５０１ａが配されている。また、画素１０２ｂの駆動トランジスタ２０２ｂの画素１０２ａとは反対の側に、画素１０２ｂの発光制御トランジスタ７０１ｂが配されている。また、図１７に示される構成において、Ｙ方向に、画素１０２ａの書込トランジスタ２０３ａおよび画素１０２ｂの書込トランジスタ２０３ｂと、画素１０２ａの発光制御トランジスタ７０１ａおよび画素１０２ｂのリセットトランジスタ１５０１ｂと、が並んで配される。画素１０２ａの書込トランジスタ２０３ａおよび画素１０２ｂの書込トランジスタ２０３ｂと、画素１０２ａの発光制御トランジスタ７０１ａおよび画素１０２ｂのリセットトランジスタ１５０１ｂと、並びは、図１７に示される構成と逆の順であってもよい。

図１７に示されるように、リセットトランジスタ１５０１ａは、Ｐ型の拡散領域４０６ａ、ゲート電極１７０１ａ、Ｐ型の拡散領域１７０２ａを含み構成されている。拡散領域１７０２ａは、電源電位Ｖｓｓに接続され、リセットトランジスタ１５０１ａのドレイン領域として機能する。リセットトランジスタ１５０１ａのソース領域と、駆動トランジスタ２０２ａのドレイン領域と、は、１つの拡散領域４０６ａを共有している。これによって、Ｘ方向において、リセットトランジスタ１５０１ａのソース領域を構成する拡散領域と、駆動トランジスタ２０２ａのドレイン領域を構成する拡散領域と、を別々に配する場合よりも、画素１０２（画素群１６０１）を微細化することが可能となる。同様に、リセットトランジスタ１５０１ｂは、Ｐ型の拡散領域４０６ｂ、ゲート電極１７０１ｂ、Ｐ型の拡散領域１７０２ｂを含み構成されている。拡散領域１７０２ｂは、電源電位Ｖｓｓに接続され、リセットトランジスタ１５０１ｂのドレイン領域として機能する。リセットトランジスタ１５０１ｂのソース領域と、駆動トランジスタ２０２ｂのドレイン領域と、は、１つの拡散領域４０６ｂを共有している。

本実施形態においても、画素１０２ａの駆動トランジスタ２０２ａのソース領域（拡散領域４０４ａ）、ゲート電極４０５ａ、ドレイン領域（拡散領域４０６ａ）および画素１０２ｂの駆動トランジスタ２０２ｂのソース領域（拡散領域４０４ｂ）、ゲート電極４０５ｂ、ドレイン領域（拡散領域４０６ｂ）は、Ｘ方向の正の方向に、それぞれ順に配される。これによって、上述の第１、２の実施形態と同様に、発光装置１０１において、画素１０２間での駆動トランジスタ２０２の電気的な特性の差が生じることを低減し、表示画質の低下を低減することが可能となる。また、本実施形態において、画素１０２ａに配されたリセットトランジスタ１５０１ａのソース領域（拡散領域４０６ａ）、ゲート電極１７０１ａ、ドレイン領域（拡散領域１７０２ａ）および画素１０２ｂに配されたリセットトランジスタ１５０１ｂのソース領域（拡散領域４０６ｂ）、ゲート電極１７０１ｂ、ドレイン領域（拡散領域１７０２ｂ）は、Ｘ方向の正の方向に向かって、それぞれ順に配される。このため、発光装置１０１において、画素１０２間でのリセットトランジスタ１５０１の電気的な特性の差が生じることを低減し、表示画質の低下を低減することが可能となる。図１７に示されるように、画素１０２において、Ｘ方向の正の方向に、駆動トランジスタ２０２のソース領域、ゲート電極、ドレイン領域が並ぶ順と、リセットトランジスタ１５０１のソース領域、ゲート電極、ドレイン領域が並ぶ順と、は、同じ順であってもよい。また、例えば、リセットトランジスタ１５０１ａ、１５０１ｂは、Ｘ方向の負の方向に向かって、ソース領域、ゲート電極、ドレイン領域の順で配されていてもよい。

本実施形態において、画素１０２ａのリセットトランジスタ１５０１ａおよび画素１０２ｂのリセットトランジスタ１５０１ｂは、同じ方向に電流が流れるように配される。しかしながら、これに限られることはなく、同じ方向に電流が流れなくてもよい。例えば、画素１０２ａに配されたリセットトランジスタ１５０１ａと画素１０２ｂに配されたリセットトランジスタ１５０１ｂとで、逆方向に電流が流れる設計となっていてもよい。これは、駆動トランジスタ２０２は、輝度情報に応じた電圧を有する輝度信号に応じて電流を流す一方、リセットトランジスタ１５０１は、発光素子２０１のリセットを行うだけである。このため、リセットトランジスタ１５０１を制御する精度は、駆動トランジスタ２０２を制御する精度よりも低くてもよいためである。したがって、画素１０２および画素群１６０１の配置に応じて、適宜、リセットトランジスタ１５０１における電流を流す方向を決めてもよい。

本実施形態においても、画素１０２ａと画素１０２ｂとの間で、駆動トランジスタ２０２のゲート電極４０５と書込トランジスタのドレイン領域を構成する拡散領域４０３との間の距離が異なっている場合、上述の第２の実施形態と同様に、画素１０２ａと画素１０２ｂとの間で、配線パターン９０３の形状を異ならせてもよい。図１７に示される構成において、長さ１７０３ａは、画素１０２ａにおける、駆動トランジスタ２０２ａのゲート電極４０５ａと書込トランジスタ２０３ａのドレイン領域を構成する拡散領域４０３ａのコンタクト部との間の長さである。同様に、長さ１７０３ｂは、画素１０２ｂにおける、駆動トランジスタ２０２ｂのゲート電極４０５ｂと書込トランジスタ２０３ｂのドレイン領域を構成する拡散領域４０３ｂのコンタクト部との間の長さである。また、長さ１７０４ａは、配線パターン９０３ａが駆動トランジスタ２０２ａのゲート電極４０５ａと重なっている部分の長さである。同様に、長さ１７０４ｂは、配線パターン９０３ｂが駆動トランジスタ２０２ｂのゲート電極４０５ｂと重なっている部分の長さである。

図１７に示される構成において、画素１０２ａの長さ１７０３ａが、画素１０２ｂの長さ１７０３ｂよりも短い。これに対して、画素１０２ａの長さ１７０４ａは、画素１０２ｂの長さ１７０４ｂよりも長い。これによって、配線パターン９０３ａが有する寄生容量を増加させ、配線パターン９０３ｂが有する寄生容量と略等しくすることが可能となる。結果として、輝度情報に応じた電圧を保持するための、駆動トランジスタ２０２ａのゲート－ソース間の容量が、駆動トランジスタ２０２ｂのゲート－ソース間の容量と、略等しくなり、画素１０２ａと画素１０２ｂとの間の電気的な特性差が低減される。これによって、本実施形態においても、画素１０２ａと画素１０２ｂとの間で輝度むらを低減し、表示画質が低下してしまうことを低減することが可能となる。

図１７に示される構成において、長さ１７０３ａが長さ１７０３ｂよりも短いため、長さ１７０４ａが長さ１７０４ｂよりも短いが、長さ１７０３ａが１７０３ｂよりも長い場合、長さ１７０４ａを長さ１７０４ｂよりも短くすればよい。また、図１７に示されるように、配線パターン９０３は、ゲート電極４０５上でＸ方向に配されているが、Ｘ方向からＹ方向に曲がるように配されてもよい。また、図９に示されるように、配線パターン９０３ａは、ゲート電極４０５ａよりも画素１０２ｂとは反対側まで延在していてもよい。また、書込トランジスタ２０３ａ、２０３ｂの位置を調整し、画素１０２ａと画素１０２ｂとの間で、駆動トランジスタ２０２のゲート電極４０５と書込トランジスタのドレイン領域を構成する拡散領域４０３との間の距離が、同じになるようにしてもよい。この場合、配線パターン９０３ａと配線パターン９０３ｂとは、同じ長さや面積を有していてもよい。例えば、配線パターン９０３ａと配線パターン９０３ｂとが、拡散領域４０１のＸ方向の中央を通るＹ方向の線に対して線対称の形状をしていてもよい。

図１８は、図１７に示される配線パターン９０３の変形例である。上述の図１１に示される構成と同様に、配線パターン９０３と駆動トランジスタ２０２のゲート電極４０５とが重なる面積によって、配線パターン９０３が有する寄生容量を調整してもよい。図１８に示される構成において、長さ１７０３ａが長さ１７０３ｂよりも短いため、配線パターン９０３ａとゲート電極４０５ａとが重なる面積が、配線パターン９０３ｂとゲート電極４０５ｂとが重なる面積よりも大きい。これによって、配線パターン９０３ａが有する寄生容量を増加させ、配線パターン９０３ｂが有する寄生容量と略等しくすることが可能となる。このとき、図１８に示されるように、配線パターン９０３のうちＸ方向に沿って延在する部分の幅を、画素１０２ａと画素１０２ｂとの間で異なる幅にすることによって、配線パターン９０３が有する寄生容量を調整してもよい。

図１９は、図１７、１８に示される配線パターン９０３のさらなる変形例である。配線パターン９０３ａのＸ方向に沿って延在する部分のうちＹ方向に沿って延在する部分よりも画素１０２ｂの側に配された部分１９０２ａの長さを長さ１９０１ａとする。同様に、配線パターン９０３ｂのＸ方向に沿って延在する部分のうちＹ方向に沿って延在する部分よりも画素１０２ａの側に配された部分１９０２ｂの長さを長さ１９０１ｂとする。このとき、上述の図１２に示される構成と同様に、長さ１９０１ａと長さ１９０１ｂとを調整することによって、配線パターン９０３が有する寄生容量を調整してもよい。図１９に示される構成において、長さ１７０３ａが長さ１７０３ｂよりも短いため、長さ１９０１ａが長さ１９０１ｂよりも長い。これによって、配線パターン９０３ａが有する寄生容量を増加させ、配線パターン９０３ｂが有する寄生容量と略等しくすることが可能となる。

図２０は、図１７に示されるそれぞれのトランジスタの配置の変形例である。それぞれの画素群８０１において、画素１０２ａの駆動トランジスタ２０２ａと画素１０２ｂの駆動トランジスタ２０２ｂとの間に、画素１０２ａの書込トランジスタ２０３ａおよび画素１０２ｂの書込トランジスタ２０３ｂが配されている。さらにＸ方向において、画素１０２ａの駆動トランジスタ２０２ａと画素１０２ｂの駆動トランジスタ２０２ｂとの間に、画素１０２ａのリセットトランジスタ１５０１ａおよび画素１０２ａのリセットトランジスタ１５０１ｂが配されている。また、画素１０２ａの駆動トランジスタ２０２ａと画素１０２ａの書込トランジスタ２０３ａとの間に、画素１０２ａの発光制御トランジスタ７０１ａが配されている。また、画素１０２ｂの駆動トランジスタ２０２ｂの画素１０２ａとは反対の側に、画素１０２ｂの発光制御トランジスタ７０１ｂが配されている。ここで、画素１０２ａのリセットトランジスタ１５０１ａのドレイン領域と、画素１０２ｂに配されたリセットトランジスタのドレイン領域と、が、電源電位Ｖｓｓに接続される１つの拡散領域２００１を共有している。これによって、Ｘ方向において、リセットトランジスタ１５０１ａのドレイン領域を構成する拡散領域と、リセットトランジスタ１５０１ｂのドレイン領域を構成する拡散領域と、を別々に配する場合よりも、画素１０２（画素群１６０１）を微細化することが可能となる。

また、Ｙ方向に、画素１０２ａの書込トランジスタ２０３ａおよび画素１０２ｂの書込トランジスタ２０３ｂと、画素１０２ａのリセットトランジスタ１５０１ａおよび画素１０２ｂのリセットトランジスタ１５０１ｂと、が並んで配されている。画素１０２ａの書込トランジスタ２０３ａおよび画素１０２ｂの書込トランジスタ２０３ｂと、画素１０２ａのリセットトランジスタ１５０１ａおよび画素１０２ｂのリセットトランジスタ１５０１ｂとの並びは、図２０に示される構成とは逆の順であってもよい。

図２１は、互いに隣接している４つの画素１０２の接続関係を示す回路図である。複数の画素１０２は、画素１０２ａに対してＹ方向に隣接して配された画素１０２ｃと、画素１０２ｃに対してＸ方向に隣接し、かつ、画素１０２ｂに対してＹ方向に隣接して配された画素１０２ｄと、をさらに含む。上述の各実施形態と同様に、画素１０２ａの書込トランジスタ２０３ａのソース領域と、画素１０２ｂの書込トランジスタ２０３ｂのソース領域と、は、信号線１０７ａｂを介して接続される。また、画素１０２ｃの書込トランジスタ２０３ｃのソース領域と、画素１０２ｄの書込トランジスタ２０３ｄのソース領域と、は、信号線１０７ｃｄを介して接続される。さらに、Ｙ方向に隣り合う画素１０２ａと画素１０２ｃとにおいて、画素１０２ａのリセットトランジスタ１５０１ａのドレイン領域と、画素１０２ｃのリセットトランジスタ１５０１ｃのドレイン領域と、が電源電位Ｖｓｓに接続された同じノードに接続される。同様に、Ｙ方向に隣り合う画素１０２ｂと画素１０２ｄとにおいて、画素１０２ｂのリセットトランジスタ１５０１ｂのドレイン領域と、画素１０２ｄのリセットトランジスタ１５０１ｄのドレイン領域と、が電源電位Ｖｓｓに接続された同じノードに接続される。これら、画素１０２ａ、画素１０２ｂ、画素１０２ｃおよび画素１０２ｄは、画素群２１０１を構成している。

図２２は、図２１に示される回路のそれぞれのトランジスタの配置例である。図２２に示されるように、画素１０２ａのリセットトランジスタ１５０１ａは、Ｐ型の拡散領域２２０１、ゲート電極２２０２ａ、Ｐ型の拡散領域１７０２ａを含み構成されている。画素１０２ｂのリセットトランジスタ１５０１ｂは、拡散領域２２０１、ゲート電極２２０２ｂ、Ｐ型の拡散領域１７０２ｂを含み構成されている。画素１０２ｃのリセットトランジスタ１５０１ｃは、拡散領域２２０１、ゲート電極２２０２ａ、Ｐ型の拡散領域１７０２ｃを含み構成されている。画素１０２ｄのリセットトランジスタ１５０１ｄは、拡散領域２２０１、ゲート電極２２０２ｂ、Ｐ型の拡散領域１７０２ｄを含み構成されている。つまり、画素１０２ａのリセットトランジスタ１５０１ａのドレイン領域と、画素１０２ｂのリセットトランジスタ１５０１ｂのドレイン領域と、画素１０２ｃのリセットトランジスタ１５０１ｃのドレイン領域と、画素１０２ｄのリセットトランジスタ１５０１ｄのドレイン領域と、が１つの拡散領域２２０１を共有している。これによって、画素１０２（画素群２１０１）を微細化することが可能となる。

ここで、発光素子２０１について説明する。発光素子２０１は、基板の上に、陽極、有機化合物層、陰極を形成して設けられる。陰極の上には、保護層、カラーフィルタなどを設けてよい。カラーフィルタを設ける場合は、保護層とカラーフィルタとの間に平坦化層を設けてよい。平坦化層はアクリル樹脂などで構成することができる。

上述の各実施形態において、基板としてシリコンなどの半導体基板を用いることを述べた。しかしながら、これに限られることはなく、基板として、石英、ガラス、シリコンウエハ、樹脂、金属などが用いられてもよい。また、基板上には、上述の各実施形態のように、トランジスタなどのスイッチング素子や配線を備え、その上に絶縁層を備えてもよい。絶縁層としては、発光素子２０１の陽極と基板に形成されたトランジスタなどとの導通を確保するために、コンタクトホールを形成可能で、かつ、接続しない配線パターンとの絶縁を確保できれば、材料は問わない。例えば、ポリイミドなどの樹脂、酸化シリコン、窒化シリコンなどを用いることができる。

電極は、一対の電極（上述の電極５０１、５０３）を用いることができる。一対の電極は、陽極と陰極であってよい。発光素子２０１が発光する方向に電界を印加する場合に、電位が高い電極が陽極であり、他方が陰極である。また、発光素子２０１の発光層にホールを供給する電極が陽極であり、電子を供給する電極が陰極であるということもできる。

陽極の構成材料として、仕事関数が大きい材料が用いられうる。例えば、金、白金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、コバルト、セレン、バナジウム、タングステンなどの金属単体やこれらを含む混合物、あるいはこれらを組み合わせた合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウムなどの金属酸化物が、陽極として使用できる。また、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェンなどの導電性ポリマーも、陽極として使用できる。

これらの電極物質は一種類を単独で使用してもよいし、二種類以上を併用して使用してもよい。また、陽極は一層で構成されていてもよく、複数の層で構成されていてもよい。

陽極を反射電極として用いる場合、例えば、クロム、アルミニウム、銀、チタン、タングステン、モリブデン、またはこれらの合金、積層したものなどを用いることができる。また、陽極を透明電極として用いる場合には、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛などの酸化物透明導電層などを用いることができるが、これらに限定されるものではない。電極の形成には、フォトリソグラフィ技術を用いることができる。

一方、陰極の構成材料としては仕事関数の小さな材料が用いられうる。例えば、リチウムなどのアルカリ金属、カルシウムなどのアルカリ土類金属、アルミニウム、チタニウム、マンガン、銀、鉛、クロムなどの金属単体、またはこれらを含む混合物が挙げられる。また、これら金属単体を組み合わせた合金も使用することができる。例えば、マグネシウム－銀、アルミニウム－リチウム、アルミニウム－マグネシウム、銀－銅、亜鉛－銀などが、陰極として使用できる。酸化錫インジウム（ＩＴＯ）などの金属酸化物の利用も可能である。これらの電極物質は一種類を単独で使用してもよいし、二種類以上を併用して使用してもよい。また、陰極は一層構成でもよく、多層構成でもよい。陰極として、銀を用いてもよく、銀の凝集を低減するため、銀合金としてもよい。銀の凝集が低減できれば、合金の比率は問わない。例えば、銀と銀以外の材料との比が１：１であってよい。

陰極は、ＩＴＯなどの酸化物導電層を使用してトップエミッション素子としてもよいし、アルミニウム（Ａｌ）などの反射電極を使用してボトムエミッション素子としてもよいし、特に限定されない。陰極の形成方法としては、特に限定されないが、直流および交流スパッタリング法などを用いると、膜のカバレッジがよく、抵抗を下げやすい。

陰極の上に、保護層を設けてもよい。例えば、陰極上に吸湿剤を設けたガラスを接着することによって、有機ＥＬ層などの発光層に対する水などの浸入を低減し、表示不良の発生を低減することができる。また、別の実施形態としては、陰極上に窒化ケイ素などのパッシベーション膜を設け、発光層に対する水などの浸入を低減してもよい。例えば、陰極を形成後に真空を破らずに別のチャンバーに搬送し、化学気相成長法（ＣＶＤ法）で厚さ２μｍの窒化ケイ素膜を形成することによって、保護層としてもよい。ＣＶＤ法の成膜の後で原子堆積法（ＡＬＤ法）を用いた保護層を設けてもよい。

保護層の上にカラーフィルタを設けてもよい。例えば、発光素子２０１のサイズを考慮したカラーフィルタを別の基板上に設け、カラーフィルタを設けた基板と発光素子２０１を設けた基板と貼り合わせてもよいし、上述した保護層上にフォトリソグラフィ技術を用いて、カラーフィルタをパターニングしてもよい。カラーフィルタは、高分子で構成されてよい。

カラーフィルタと保護層との間に平坦化層を有していてもよい。平坦化層は有機化合物で構成されてもよく、低分子材料によって構成されても、高分子材料によって構成されてもよい。例えば、平坦化層は、高分子の有機化合物によって形成されうる。

平坦化層は、カラーフィルタの上下に設けられてもよく、その構成材料は同じであってもよいし異なっていてもよい。具体的には、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ＡＢＳ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、尿素樹脂などがあげられる。

平坦化層の上に、対向基板を有してよい。対抗基板は、前述の基板と対応する位置に設けられるため、対向基板と呼ばれる。対向基板の構成材料は、前述の基板と同じであってよい。

本開示の一実施形態に係る発光素子２０１を構成する有機層５０２（正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層など）は、以下に示す方法により形成される。有機層５０２は、真空蒸着法、イオン化蒸着法、スパッタリング法、プラズマなどを用いたドライプロセスを用いることができる。また、ドライプロセスに代えて、適当な溶媒に溶解させ、公知の塗布法（例えば、スピンコーティング法、ディッピング法、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法など）によって層を形成するウェットプロセスを用いることもできる。

ここで真空蒸着法や溶液塗布法などによって有機層５０２を形成すると、結晶化などが起こりにくく経時安定性に優れる。また塗布法で有機層５０２成膜する場合、適当なバインダー樹脂と組み合わせて膜を形成することもできる。

上記バインダー樹脂としては、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ＡＢＳ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、尿素樹脂などが挙げられる。しかしながら、これらに限定されるものではない。

また、これらバインダー樹脂は、ホモポリマーまたは共重合体として一種類を単独で使用してもよいし、二種類以上を混合して使用してもよい。さらに必要に応じて、公知の可塑剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤などの添加剤を併用してもよい。

次に、図面を参照しながら本実施形態に係る発光装置について説明する。図２３は、上述の発光素子２０１の一例である発光素子とこの発光素子に接続されるＴＦＴ素子とを有する発光装置の上述の図５、１０に示した断面図とは別の例を示す断面模式図である。ＴＦＴ素子は、能動素子の一例である。

図２３の発光装置２３１０は、ガラス、シリコンなどの基板２３１１とその上部に絶縁層２３１２が設けられている。絶縁層２３１２の上には、ＴＦＴ２３１８などの能動素子が配されており、ＴＦＴ２３１８のゲート電極２３１３、ゲート絶縁膜２３１４、半導体層２３１５が配置されている。図２３に示されるＴＦＴ２３１８は、上述の駆動トランジスタ２０２の一例である。ＴＦＴ２３１８は、他にも半導体層２３１５とドレイン電極２３１６とソース電極２３１７とを含み構成されている。ＴＦＴ２３１８の上部には絶縁膜２３１９が設けられている。絶縁膜２３１９に設けられたコンタクトホール２３２０を介して発光素子を構成する陽極２３２１とソース電極２３１７とが接続されている。

なお、発光素子に含まれる電極（陽極、陰極）とＴＦＴに含まれる電極（ソース電極、ドレイン電極）との電気接続の方式は、図２３に示される態様に限られるものではない。つまり、陽極または陰極のうちいずれか一方と、ＴＦＴ２３１８のソース電極またはドレイン電極のいずれか一方とが電気接続されていればよい。ＴＦＴは、薄膜トランジスタを指す。

図２３の発光装置２３１０では有機層２３２２を１つの層の如く図示をしているが、有機層２３２２は、複数層であってもよい。陰極２３２３の上には発光素子の劣化を低減するための保護層２３２４や保護層２３２５が設けられている。

図２３の発光装置２３１０ではスイッチング素子としてトランジスタを使用しているが、これに代えて他のスイッチング素子として用いてもよい。

また図２３の発光装置２３１０に使用されるトランジスタは、単結晶シリコンウエハを用いたトランジスタに限らず、基板の絶縁性表面上に活性層を有する薄膜トランジスタでもよい。活性層として、単結晶シリコン、アモルファスシリコン、微結晶シリコンなどの非単結晶シリコン、インジウム亜鉛酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物などの非単結晶酸化物半導体が挙げられる。なお、薄膜トランジスタはＴＦＴ素子とも呼ばれる。

図２３の発光装置２３１０に含まれるトランジスタは、Ｓｉ基板などの基板内に形成されていてもよい。ここで基板内に形成されるとは、Ｓｉ基板などの基板自体を加工してトランジスタを作製することを意味する。つまり、基板内にトランジスタを有することは、基板とトランジスタとが一体に形成されていると見ることもできる。

本実施形態に係る発光素子はスイッチング素子の一例であるＴＦＴにより発光輝度が制御され、発光素子を複数面内に設けることでそれぞれの発光輝度により画像を表示することができる。なお、本実施形態に係るスイッチング素子は、ＴＦＴに限られず、低温ポリシリコンで形成されているトランジスタ、Ｓｉ基板などの基板上に形成されたアクティブマトリクスドライバーであってもよい。基板上とは、その基板内ということもできる。基板内にトランジスタを設けるか、ＴＦＴを用いるかは、表示部の大きさによって選択され、例えば０．５インチ程度の大きさであれば、Ｓｉ基板上に有機発光素子を設けてもよい。

ここで、上述の各実施形態の発光装置１０１を表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置、移動体に適用した応用例について図２４～２９を用いて説明する。他にも、発光装置１０１には、電子写真方式の画像形成装置の露光光源や液晶表示装置のバックライト、白色光源にカラーフィルタを有する発光装置などの用途がある。表示装置は、エリアＣＣＤ、リニアＣＣＤ、メモリーカード等からの画像情報を入力する画像入力部を有し、入力された情報を処理する情報処理部を有し、入力された画像を表示部に表示する画像情報処理装置でもよい。また、カメラやインクジェットプリンタが有する表示部は、タッチパネル機能を有していてもよい。このタッチパネル機能の駆動方式は、赤外線方式でも、静電容量方式でも、抵抗膜方式であっても、電磁誘導方式であってもよく、特に限定されない。また表示装置はマルチファンクションプリンタの表示部に用いられてもよい。

図２４は、本実施形態の発光装置１０１を用いた表示装置の一例を表す模式図である。表示装置２４００は、上部カバー２４０１と、下部カバー２４０９と、の間に、タッチパネル２４０３、表示パネル２４０５、フレーム２４０６、回路基板２４０７、バッテリー２４０８を有していてもよい。タッチパネル２４０３および表示パネル２４０５は、フレキシブルプリント回路ＦＰＣ２４０２、２４０４が接続されている。回路基板２４０７には、トランジスタなどの能動素子が配される。バッテリー２４０８は、表示装置２４００が携帯機器でなければ、設けなくてもよいし、携帯機器であっても、この位置に設ける必要はない。表示パネル２４０５に、有機層５０２の発光層が有機ＥＬなどの有機発光材料を含む上述の発光装置１０１が適用できる。表示パネル２４０５として機能する発光装置１０１は、回路基板２４０７に配されたトランジスタなどの能動素子と接続され動作する。

図２４に示される表示装置２４００は、複数のレンズを有する光学部と、当該光学部を通過した光を受光し電気信号に光電変換する撮像素子とを有する光電変換装置（撮像装置）の表示部に用いられてもよい。光電変換装置は、撮像素子が取得した情報を表示する表示部を有してもよい。また、表示部は、光電変換装置の外部に露出した表示部であっても、ファインダ内に配置された表示部であってもよい。光電変換装置は、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラであってもよい。

図２５は、本実施形態の発光装置１０１を用いた光電変換装置の一例を表す模式図である。光電変換装置２５００は、ビューファインダ２５０１、背面ディスプレイ２５０２、操作部２５０３、筐体２５０４を有してよい。光電変換装置２５００は、撮像装置とも呼ばれうる。表示部であるビューファインダ２５０１に、有機層５０２の発光層が有機発光材料を含む上述の発光装置１０１が適用できる。この場合、発光装置１０１は、撮像する画像のみならず、環境情報、撮像指示などを表示してもよい。環境情報には、外光の強度、外光の向き、被写体の動く速度、被写体が遮蔽物に遮蔽される可能性などであってよい。

撮像に適するタイミングはわずかな時間である場合が多いため、少しでも早く情報を表示した方がよい。したがって、上述の有機層５０２の発光層が有機発光材料を含む発光装置１０１がビューファインダ２５０１に用いられうる。有機発光材料は応答速度が速いためである。有機発光材料を用いた発光装置１０１は、表示速度が求められる、これらの装置に、液晶表示装置よりも適して用いることができる。

光電変換装置２５００は、不図示の光学部を有する。光学部は複数のレンズを有し、光学部を通過した光を受光する筐体２５０４内に収容されている光電変換素子（不図示）に結像する。複数のレンズは、その相対位置を調整することで、焦点を調整することができる。この操作を自動で行うこともできる。

有機層５０２の発光層が有機発光材料を含む上述の発光装置１０１は、電子機器の表示部に適用されてもよい。その際には、表示機能と操作機能との双方を有してもよい。携帯端末としては、スマートフォンなどの携帯電話、タブレット、ヘッドマウントディスプレイなどが挙げられる。

図２６は、本実施形態の発光装置１０１を用いた電子機器の一例を表す模式図である。電子機器２６００は、表示部２６０１と、操作部２６０２と、筐体２６０３と、を有する。筐体２６０３には、回路、当該回路を有するプリント基板、バッテリー、通信部、を有してよい。操作部２６０２は、ボタンであってもよいし、タッチパネル方式の反応部であってもよい。操作部２６０２は、指紋を認識してロックの解除等を行う、生体認識部であってもよい。通信部を有する携帯機器は通信機器ということもできる。表示部２６０１には、有機層５０２の発光層が有機発光材料を含む上述の発光装置１０１が適用できる。

図２７（ａ）、２７（ｂ）は、本実施形態の発光装置１０１を用いた表示装置の一例を表す模式図である。図２７（ａ）は、テレビモニタやＰＣモニタなどの表示装置である。表示装置２７００は、額縁２７０１を有し表示部２７０２を有する。表示部２７０２に、有機層５０２の発光層が有機発光材料を含む上述の発光装置１０１が適用できる。表示装置２７００は、額縁２７０１と表示部２７０２とを支える土台２７０３を有していてもよい。土台２７０３は、図２７（ａ）の形態に限られない。例えば、額縁２７０１の下辺が土台２７０３を兼ねていてもよい。また、額縁２７０１および表示部２７０２は、曲がっていてもよい。その曲率半径は、５０００ｍｍ以上６０００ｍｍ以下であってよい。

図２７（ｂ）は、本実施形態の発光装置１０１を用いた表示装置の他の例を表す模式図である。図２７（ｂ）の表示装置２７１０は、折り曲げ可能に構成されており、いわゆるフォルダブルな表示装置である。表示装置２７１０は、第１表示部２７１１、第２表示部２７１２、筐体２７１３、屈曲点２７１４を有する。第１表示部２７１１と第２表示部２７１２とには、有機層５０２の発光層が有機発光材料を含む上述の発光装置１０１が適用できる。第１表示部２７１１と第２表示部２７１２とは、つなぎ目のない１枚の表示装置であってよい。第１表示部２７１１と第２表示部２７１２とは、屈曲点で分けることができる。第１表示部２７１１と第２表示部２７１２とは、それぞれ異なる画像を表示してもよいし、第１表示部２７１１と第２表示部２７１２とで１つの画像を表示してもよい。

図２８は、本実施形態の発光装置１０１を用いた照明装置の一例を表す模式図である。照明装置２８００は、筐体２８０１と、光源２８０２と、回路基板２８０３と、光学フィルム２８０４と、光拡散部２８０５と、を有していてもよい。光源２８０２には、有機層５０２の発光層が有機発光材料を含む上述の発光装置１０１が適用できる。光学フィルム２８０４は光源の演色性を向上させるフィルタであってよい。光拡散部２８０５は、ライトアップなど、光源の光を効果的に拡散し、広い範囲に光を届けることができる。必要に応じて、最外部にカバーを設けてもよい。照明装置２８００は、光学フィルム２８０４と光拡散部２８０５との両方を有していてもよいし、何れか一方のみを有していてもよい。

照明装置２８００は例えば室内を照明する装置である。照明装置２８００は白色、昼白色、その他青から赤のいずれの色を発光するものであってよい。それらを調光する調光回路を有してよい。照明装置２８００は、光源２８０２として機能する発光装置１０１に接続される電源回路を有していてもよい。電源回路は、交流電圧を直流電圧に変換する回路である。また、白とは色温度が４２００Ｋで昼白色とは色温度が５０００Ｋである。また、照明装置２８００は、カラーフィルタを有してもよい。また、照明装置２８００は、放熱部を有していてもよい。放熱部は装置内の熱を装置外へ放出するものであり、比熱の高い金属、液体シリコンなどが挙げられる。

図２９は、本実施形態の発光装置１０１を用いた車両用の灯具の一例であるテールランプを有する自動車の模式図である。自動車２９００は、テールランプ２９０１を有し、ブレーキ操作などを行った際に、テールランプ２９０１を点灯する形態であってもよい。本実施形態の発光装置１０１は、車両用の灯具としてヘッドランプに用いられてもよい。自動車は移動体の一例であり、移動体は船舶やドローン、航空機、鉄道車両などであってもよい。移動体は、機体とそれに設けられた灯具を有してよい。灯具は機体の現在位置を知らせるものであってもよい。

テールランプ２９０１に、有機層５０２の発光層が有機発光材料を含む上述の発光装置１０１が適用できる。テールランプ２９０１は、テールランプ２９０１として機能する発光装置１０１を保護する保護部材を有してよい。保護部材は、ある程度高い強度を有し、透明であれば材料は問わないが、ポリカーボネートなどで構成されてもよい。また、保護部材は、ポリカーボネートにフランジカルボン酸誘導体、アクリロニトリル誘導体などを混ぜてよい。

自動車２９００は、車体２９０３、それに取り付けられている窓２９０２を有してもよい。窓は、自動車の前後を確認するための窓であってもよいし、透明なディスプレイであってもよい。当該透明なディスプレイは、有機層５０２の発光層が有機発光材料を含む上述の発光装置１０１が用いられてもよい。この場合、発光装置１０１が有する電極などの構成材料は透明な部材で構成される。

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。

１０１：発光装置、１０２：画素、２０１：発光素子、５１０：基板

Claims (23)

1. 基板に複数の画素が第１方向および前記第１方向と交差する第２方向にアレイ状に配された発光装置であって、
   前記複数の画素のそれぞれは、発光素子と、前記発光素子の陽極にドレイン領域が接続された第１トランジスタと、前記第１トランジスタのゲート電極にドレイン領域が接続された第２トランジスタと、を備え、
   前記複数の画素は、前記第１方向に互いに隣接する第１画素と第２画素とを含み、
   前記第１画素の前記第２トランジスタのソース領域と、前記第２画素の前記第２トランジスタのソース領域と、は１つの拡散領域を共有し、
   前記第１画素の前記第１トランジスタのソース領域、ゲート電極、ドレイン領域および前記第２画素の前記第１トランジスタのソース領域、ゲート電極、ドレイン領域は、前記第１方向の正または負のうち一方の方向に、それぞれ順に配されることを特徴とする発光装置。
2. 前記複数の画素のそれぞれは、前記第１トランジスタのゲート電極と前記第２トランジスタのドレイン領域とを接続するための配線パターンをさらに備え、
   前記第１画素および前記第２画素のうち一方の画素の前記第１トランジスタのゲート電極と前記第２トランジスタのドレイン領域との間の長さが、前記第１画素および前記第２画素のうち他方の画素の前記第１トランジスタのゲート電極と前記第２トランジスタのドレイン領域との間の長さよりも長いことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
3. 前記一方の画素において前記配線パターンが前記第１トランジスタのゲート電極と重なる長さが、前記他方の画素において前記配線パターンが前記第１トランジスタのゲート電極と重なる長さよりも短いことを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
4. 前記一方の画素において前記配線パターンが前記第１トランジスタのゲート電極と重なる面積が、前記他方の画素において前記配線パターンが前記第１トランジスタのゲート電極と重なる面積よりも小さいことを特徴とする請求項２または３に記載の発光装置。
5. 前記一方の画素の前記配線パターンのうち前記第１方向に沿って延在する部分の幅が、前記他方の画素の前記配線パターンのうち前記第１方向に沿って延在する部分の幅よりも細いことを特徴とする請求項２乃至４の何れか１項に記載の発光装置。
6. 前記配線パターンは、前記第１方向に沿って延在する部分と前記第２方向に沿って延在する部分とを含み、
   前記一方の画素の前記配線パターンのうち前記第１方向に沿って延在する部分は、前記第２方向に沿って延在する部分よりも前記第２画素の側に配された第１部分を含み、
   前記他方の画素の前記配線パターンのうち前記第１方向に沿って延在する部分は、前記第２方向に沿って延在する部分よりも前記第１画素の側に配された第２部分を含み、
   前記第１部分の長さが、前記第２部分の長さよりも短いことを特徴とする請求項２乃至５の何れか１項に記載の発光装置。
7. 前記第１画素の前記第１トランジスタと前記第２画素の前記第１トランジスタとの間に、前記第１画素の前記第２トランジスタおよび前記第２画素の前記第２トランジスタが配されることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の発光装置。
8. 前記複数の画素のそれぞれは、前記第１トランジスタのソース領域にドレイン領域が接続された、前記発光素子の発光または非発光を制御するための第３トランジスタをさらに備えることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の発光装置。
9. 前記複数の画素のそれぞれは、前記第１トランジスタのソース領域にドレイン領域が接続された、前記発光素子の発光または非発光を制御するための第３トランジスタをさらに備え、
   前記第１方向において、
   前記第１画素の前記第１トランジスタと前記第２トランジスタとの間に、前記第１画素の前記第３トランジスタが配され、
   前記第２画素の前記第１トランジスタの前記第１画素とは反対の側に、前記第２画素の前記第３トランジスタが配されることを特徴とする請求項７に記載の発光装置。
10. 前記複数の画素のそれぞれは、前記第１トランジスタのソース領域にドレイン領域が接続された、前記発光素子の発光または非発光を制御するための第３トランジスタをさらに備え、
    前記第１方向において、前記第１画素の前記第１トランジスタと前記第２画素の前記第１トランジスタとの間に、前記第１画素の前記第３トランジスタおよび前記第２画素の前記第３トランジスタが配され、
    前記第１画素の前記第３トランジスタのソース領域と、前記第２画素の前記第３トランジスタのソース領域と、は１つの拡散領域を共有し、
    前記第１画素の前記第２トランジスタおよび前記第２画素の前記第２トランジスタと、前記第１画素の前記第３トランジスタおよび前記第２画素の前記第３トランジスタと、が前記第２方向に並んで配されることを特徴とする請求項７に記載の発光装置。
11. 前記第１画素の前記第３トランジスタのソース領域、ゲート電極、ドレイン領域および前記第２画素の前記第３トランジスタのソース領域、ゲート電極、ドレイン領域は、前記第１方向の正または負のうち一方の方向に、それぞれ順に配されることを特徴とする請求項８乃至１０の何れか１項に記載の発光装置。
12. 前記複数の画素のそれぞれは、前記発光素子をリセットするための第４トランジスタをさらに備えることを特徴とする請求項１乃至１１の何れか１項に記載の発光装置。
13. 前記複数の画素のそれぞれは、前記第１トランジスタのソース領域にドレイン領域が接続された、前記発光素子の発光または非発光を制御するための第３トランジスタと、前記発光素子をリセットするための第４トランジスタと、をさらに備え、
    前記第１方向において、
    前記第１画素の前記第１トランジスタと前記第２画素の前記第１トランジスタとの間に、前記第１画素の第３トランジスタ、および、前記第２画素の第４トランジスタが配され、
    前記第１画素の前記第１トランジスタの前記第２画素とは反対の側に、前記第１画素の前記第４トランジスタが配され、
    前記第２画素の前記第１トランジスタの前記第１画素とは反対の側に、前記第２画素の前記第３トランジスタが配され、
    前記第２方向に、前記第１画素の前記第２トランジスタおよび前記第２画素の前記第２トランジスタと、前記第１画素の第３トランジスタおよび前記第２画素の第４トランジスタと、が並んで配されることを特徴とする請求項７に記載の発光装置。
14. 前記複数の画素のそれぞれは、前記第１トランジスタのソース領域にドレイン領域が接続された、前記発光素子の発光または非発光を制御するための第３トランジスタと、前記発光素子をリセットするための第４トランジスタと、をさらに備え、
    前記第１方向において、
    前記第１画素の前記第１トランジスタと前記第２画素の前記第１トランジスタとの間に、前記第１画素の前記第４トランジスタおよび前記第２画素の前記第４トランジスタが配され、
    前記第１画素の前記第１トランジスタと前記第１画素の前記第２トランジスタとの間に、前記第１画素の前記第３トランジスタが配され、
    前記第２画素の前記第１トランジスタの前記第１画素とは反対の側に、前記第２画素の前記第３トランジスタが配され、
    前記第２方向に、前記第１画素の前記第２トランジスタおよび前記第２画素の前記第２トランジスタと、前記第１画素の前記第４トランジスタおよび前記第２画素の前記第４トランジスタと、が並んで配されることを特徴とする請求項７に記載の発光装置。
15. 前記第１画素の前記第４トランジスタのドレイン領域と、前記第２画素の前記第４トランジスタのドレイン領域と、が１つの拡散領域を共有していることを特徴とする請求項１３に記載の発光装置。
16. 前記複数の画素は、前記第１画素に対して前記第２方向に隣接して配された第３画素と、前記第３画素に対して前記第１方向に隣接し、かつ、前記第２画素に対して前記第２方向に隣接して配された第４画素と、をさらに含み、
    前記第１方向において、
    前記第３画素の前記第１トランジスタと前記第４画素の前記第１トランジスタとの間に、前記第３画素の前記第２トランジスタおよび前記第４画素の前記第２トランジスタと前記第３画素の前記第４トランジスタおよび前記第４画素の前記第４トランジスタと、が配され、
    前記第３画素の前記第１トランジスタと前記第３画素の前記第２トランジスタとの間に、前記第３画素の前記第３トランジスタが配され、
    前記第４画素の前記第１トランジスタの前記第３画素とは反対の側に、前記第４画素の前記第３トランジスタが配され、
    前記第２方向に、前記第１画素の前記第２トランジスタおよび前記第２画素の前記第２トランジスタと前記第３画素および前記第４画素の前記第２トランジスタとの間に、前記第１画素の前記第４トランジスタ、前記第２画素の前記第４トランジスタ、前記第３画素の前記第４トランジスタおよび前記第４画素の前記第４トランジスタが配され、
    前記第１画素の前記第４トランジスタのドレイン領域と、前記第２画素の前記第４トランジスタのドレイン領域と、前記第３画素の前記第４トランジスタのドレイン領域と、前記第４画素の前記第４トランジスタのドレイン領域と、が１つの拡散領域を共有していることを特徴とする請求項１３に記載の発光装置。
17. 前記第１画素の前記第３トランジスタのソース領域、ゲート電極、ドレイン領域および前記第２画素に配された前記第３トランジスタのソース領域、ゲート電極、ドレイン領域は、前記第１方向の正または負のうち一方の方向に、それぞれ順に配されることを特徴とする請求項１３乃至１６の何れか１項に記載の発光装置。
18. 前記第１画素の前記第４トランジスタおよび前記第２画素の前記第４トランジスタは、前記第１方向に沿って前記第１画素から前記第２画素に向かって、それぞれドレイン領域、ゲート電極、ソース領域の順に配されることを特徴とする請求項１２乃至１７の何れか１項に記載の発光装置。
19. 請求項１乃至１８の何れか１項に記載の発光装置と、前記発光装置に接続されている能動素子とを有することを特徴とする表示装置。
20. 複数のレンズを有する光学部と、前記光学部を通過した光を受光する撮像素子と、画像を表示する表示部と、を有し、
    前記表示部は、前記撮像素子が撮像した画像を表示する表示部であり、かつ、請求項１乃至１８の何れか１項に記載の発光装置を有することを特徴とする光電変換装置。
21. 表示部が設けられた筐体と、前記筐体に設けられ、外部と通信する通信部と、を有し、
    前記表示部は、請求項１乃至１８の何れか１項に記載の発光装置を有することを特徴とする電子機器。
22. 光源と、光拡散部および光学フィルムの少なくとも一方と、を有する照明装置であって、
    前記光源は、請求項１乃至１８の何れか１項に記載の発光装置を有することを特徴とする照明装置。
23. 機体と、前記機体に設けられている灯具を有し、
    前記灯具は、請求項１乃至１８の何れか１項に記載の発光装置を有することを特徴とする移動体。

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