JP7435452B2 - 硫化物固体電解質の製造方法、硫化物固体電解質、全固体電池、及び硫化物固体電解質の製造に用いる原料化合物の選択方法 - Google Patents
硫化物固体電解質の製造方法、硫化物固体電解質、全固体電池、及び硫化物固体電解質の製造に用いる原料化合物の選択方法 Download PDFInfo
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Description
特許文献2には、Li2S、P2S5、LiBr、LiI、及びLi3Nからなる原料組成物を用いて、硫化物固体電解質を製造することが記載されている。
特許文献3には、Li3Nの添加により高Liイオン伝導相の生成する温度と低Liイオン伝導相の生成する温度との差を大きくできることが記載されているものの、その差は最大でも30℃程度と小さく、更なる改善が求められていた。
本発明の他の一態様の課題は、熱的安定性の向上した硫化物固体電解質を得ること、その製造方法、及び当該硫化物固体電解質を備えた全固体電池を提供することにある。
上記原料化合物の候補として、N、元素A´、及び元素M´を含有する候補材料を選定することと、第一原理計算を用いて、上記候補材料の内部におけるNの欠陥生成エネルギーENdefectを算出することと、を備え、上記ENdefectが、4.00eV以上である場合に、上記候補材料を上記原料化合物として選択する、原料化合物の選択方法である。
本発明の他の一態様の硫化物固体電解質によれば、熱的安定性の向上した硫化物固体電解質を得ることができる。
特許文献1及び特許文献3に開示されたLi3Nを用いた硫化物固体電解質の製造方法では、Li3NのNの欠陥生成エネルギーが小さく、N2ガスが生成しやすい。
これに対し、N、元素A、及び元素Mを含有する原料化合物を用いる当該硫化物固体電解質の製造方法では、Nの欠陥生成エネルギーが大きく、硫化物固体電解質の合成過程でNの欠陥が生成しにくいために、N2ガスが生成しにくい。このため、硫化物固体電解質の製造工程におけるNの系外への排出を抑制できる。
なお、元素Mはいずれも後述する第一原理計算によって算出される、LiαMβNで表される化合物(α及びβは、元素Mの種類に応じて、化学量論比を与える数値である)におけるNの欠陥生成エネルギーが4.00eV以上である元素である。Nの欠陥生成エネルギーの定義は後述する。
これに対し、当該硫化物固体電解質の製造方法では、Nの系外への排出が抑制される。このため、HICPの熱的安定性が向上する効果を十分に発揮することができる。
なお、候補材料の結晶構造においてNの占有サイトが複数存在する場合、それぞれのNの占有サイトごとにENdefectを算出し、最も値が低いものを当該候補材料のEN defectとして用いる。
ところが、特許文献2、及び特許文献3には、Li、P、S、N、Br及びIを含有する硫化物固体電解質は、加熱温度が高いと、高Liイオン伝導相が低Liイオン伝導相に相転移することが記載されている。つまり、このような硫化物固体電解質を備えた全固体電池の作動温度は、高Liイオン伝導相の相転移温度によって制限されていた。
これに対し、当該硫化物固体電解質は、元素Mを含まない従来の硫化物固体電解質に比べてHICPの熱的安定性が高い。このため、本発明の硫化物固体電解質を備えた全固体電池は、電池の作動温度の上限を高くできる全固体電池の利点を十分に享受することができる。
[実施形態]
本発明の一実施形態に係る硫化物固体電解質の製造方法は、P、S、N、元素A、及び元素Mを含む組成物を準備する準備工程と、上記組成物を反応させて中間体を得る反応工程と、上記中間体を加熱して硫化物固体電解質を得る加熱工程と、を備え、上記組成物はN、元素A、及び元素Mを含有する原料化合物を含む。ここで、Aは、Li、Na、Kからなる群より選択される少なくとも1つの元素である。Mは、Al、Ta、Si、Sc、Mg、Nb、B、Hf、C、P、Zr、Tiからなる群より選択される少なくとも1つの元素である。
本実施形態では、元素AとしてLiを含有する場合を例に、当該硫化物固体電解質の製造方法について説明する。図1は、本実施形態に係る硫化物固体電解質の製造方法の一例を示すフローチャートであり、以下、これに沿って説明する。
本工程では、Li、P、S、N、及び元素Mを含む組成物が準備される。
上記組成物は、N、Li、及び元素Mを含有する1種以上の原料化合物(以下、Li-M-N含有化合物とも記載する)と、Li、P、及びSを含む1種以上の原料化合物との混合物であることが好ましい。
これらの観点から、上記組成物は、混合状態での元素比率が、それぞれモル比で以下の式を同時に満たすことが好ましい。
2.30≦Li/P≦4.20
0.01 00≦N/P≦1.20
上記Li/P、上記N/Pは、それぞれ以下の式を同時に満たすとより好ましい。
2.36≦Li/P≦4.12
0.02 00≦N/P≦1.11
上記Li/P、上記N/Pは、それぞれ以下の式を同時に満たすとさらに好ましい。
2.36≦Li/P≦4.00
0.06 00≦N/P≦0.900
上記Li/P、上記N/Pは、それぞれ以下の式を同時に満たすとよりさらに好ましい。
2.60≦Li/P≦3.40
0.190≦N/P≦0.710
上記Li/P、上記N/Pは、それぞれ以下の式を同時に満たすと特に好ましい。
2.77≦Li/P≦3.38
0.280≦N/P≦0.650
本工程では、Li、P、S、N、及び元素Mを含む組成物に対してメカニカルミリングを行うことで上記組成物を反応させ、中間体を得る。
なお、中間体を得る手段はこれに限定されず、他の方法で得てもよい。例えば、図1において、メカニカルミリングに代えて、溶融急冷法等をおこなってもよい。
本工程では、中間体を結晶化温度以上の温度で熱処理することにより、硫化物固体電解質が製造される。熱処理は、減圧雰囲気下で行ってもよく、不活性ガス雰囲気下で行ってもよい。結晶化温度は、示差走査熱計(DSC)による測定で求めることができる。例えば、Li7P3S11結晶構造を得るためには、熱処理温度が250℃以上400℃以下であることが好ましく、β-Li3PS4結晶構造を得るためには、熱処理温度が200℃以上400℃以下であることが好ましい。また、CuKα線を用いるX線回折測定において2θ=17.9°±0.5°、19.1°±0.5°、29.1°±0.5°及び29.8°±0.5°に回折ピークを有する第一の結晶構造を得るためには、熱処理温度が250℃以上400℃以下であることが好ましい。これは、500℃のような高温で熱処理した場合、安定相であるLi4P2S6に相転移してしまう可能性があるためである。
本発明に係る硫化物固体電解質の製造方法は、上記実施形態に限定されるものではなく、上記態様の他、種々の変更、改良を施した態様で実施することができる。
LGPS型の硫化物固体電解質としては、例えば、Li10GeP2S12等が挙げられる。Li10GeP2S12の結晶相を有する結晶構造は、CuKα線を用いるX線回折測定において2θ=14.4°±0.5°、20.1°±0.5°、20.4°±0.5°、26.9°±0.5°、29.5°±0.5°、47.3°±0.5°の位置に回折ピークを有する。
アルジロダイト型の硫化物固体電解質としては、例えば、Li6PS5Cl等が挙げられる。Li6PS5Clの結晶相を有する結晶構造は、CuKα線を用いるX線回折測定において2θ=15.6°±0.5°、25.5°±0.5°、30.0°±0.5°、31.4°±0.5°、45.0°±0.5°、52.5°±0.5°の位置に回折ピークを有する。
変形例1として、LGPS型の硫化物固体電解質を製造する態様について説明する。
上記準備工程における上記組成物にGeを含む原料化合物を加えることで、LGPS型の硫化物固体電解質を製造することができる。Geを含む原料化合物としては、例えば、GeS2等が挙げられる。LGPS型の硫化物固体電解質を製造する場合、上記組成物は、元素比率がモル比で以下の式を同時に満たすことが好ましい。
5.01≦Li/P≦5.61
0.0051≦N/P≦0.41
上記組成物における元素の含有割合を上記範囲とすることで、Li10GeP2S12の結晶相を有し、25℃におけるイオン伝導度の高い硫化物固体電解質を製造することができる。
変形例2として、構成元素としてLi、P、S、N、元素X、及び元素Mを含有し、結晶構造を有する硫化物固体電解質を製造する態様について説明する。Xは、Cl、Br、Iからなる群より選択される少なくとも1つの元素である。
ハロゲン化リチウムとしては、例えば、LiCl、LiBr、LiI等が挙げられる。
ハロゲン化硫黄としては、例えば、SCl2、S2Cl2、SBr2、S2Br2、SI2、S2I2等が挙げられる。
ハロゲン化リンとしては、例えば、PCl3、PCl5、POCl3、PBr3、PBr5、POBr3、PI3、PCI4、P2I4等が挙げられる。
上記元素Mのハロゲン化物としては、例えば、AlBr3、BBr3、AlCl3、AlBr3、AlI3、SiCl3、SiCl4、SiBr4、SiI4、SiBrI3、SiBr2I2、SiBr3I、BCl3、BBr3、BI3等が挙げられる。
これらの中でも、ハロゲン化リチウム及びハロゲン化リンが好ましく、ハロゲン化リチウムがより好ましい。ハロゲン化リチウムとしては、LiBr及びLiIが好ましい。
元素Xを含む原料化合物は1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。また、上記組成物は元素Xとして1種を単独で含有してもよく、2種以上を含有してもよい。特に、25℃におけるイオン伝導度を高める観点から、元素XとしてBr又はIを単独で含有することが好ましく、Brを単独で含有することがより好ましい。また、BrとIとを同時に含有することも好ましい。
これらの観点から、変形例2の準備工程における組成物は、混合状態での元素比率が、それぞれモル比で以下の式を同時に満たすことが好ましい。
3.10 ≦ Li/P ≦ 4.20
0.0600 ≦ N/P ≦ 0.750
0.180 ≦ X/P ≦ 1.30
また、上記Li/P、上記N/Pは、上記X/Pは、それぞれ以下の式を同時に満たすとより好ましい。
3.10 ≦ Li/P ≦ 3.90
0.0900 ≦ N/P ≦ 0.750
0.180 ≦ X/P ≦ 1.00
また、上記組成物、元素Xとして2種類の元素X1及びX2を含む場合、上記一般式は、(100-z1-z2){(1-y)[xLi2S・(1-x)P2S5]・yLiαMβN}・z1LiX1・z2LiX2(但し、0.50≦x≦0.80、0<y≦0.50、5≦(z1+z2)≦40、α及びβは元素Mの種類に応じて化学量論比を与える数値である)で表すこともでき、この場合、x、y、z1及びz2は、それぞれ0.67≦x≦0.73、0.10≦y≦0.30、10≦(z1+z2)≦30であると好ましい。
なお、上記一般式は、Li、S、P、N、元素M、元素Xの含有割合を示したものであり、上記組成物が、Li2S、P2S5、LiαMβN、及びLiXからなることを特定するものではない。
したがって、変形例2における熱処理工程では、熱処理温度の下限はHICPの生成温度TH以上であると好ましい。また、熱処理温度の上限は、β-Li3PS4の生成温度Tβ以下であると好ましく、LICPの生成温度TL又は特定結晶構造Cの生成温度TC以下であるとより好ましい。TH、TL、TC及びTβは、XRD測定で求めることができる。
変形例2で製造される硫化物固体電解質は、Tβ-THが、Tβ-TH≧40℃であると好ましく、Tβ-TH≧50℃であるとより好ましく、Tβ-TH≧60℃であるとさらに好ましく、Tβ-TH≧70℃であると特に好ましい。
本発明の硫化物固体電解質の製造方法によれば、N、元素A、及び元素Mを含有する原料化合物を用いることで、硫化物固体電解質の製造過程でNが系外に放出されることを抑制できる。
このような効果が得られる元素A及び元素Mを選択するにあたり、本発明者らは第一原理計算を用いた。
以下、本発明の一実施形態に係る硫化物固体電解質の製造に用いる原料化合物の選択方法について説明する。
(1)N、元素A´、及び元素M´を含有し、上記元素A´及び上記元素M´の第一近接原子がNである候補材料を選定する。
(2)第一原理計算を用いて、上記候補材料の内部におけるNの欠陥生成エネルギーEN defectを算出する。
(3)上記ENdefectが4.00eV以上である場合に、上記候補材料を上記原料化合物として選択する。
Nの欠陥生成エネルギーとは、欠陥を含まない結晶構造の全エネルギーEperfec tと、N欠陥を含む結晶構造の全エネルギーENvacancyと、N原子の化学ポテンシャルμNとを用いて算出される値であり、以下の式(1)によって定義される。
ENdefect = ( ENvacancy + μN ) - Eper fect 式(1)
即ち、Nの欠陥生成エネルギーENdefectを算出する手順は次のとおりである。(a)候補材料の組成、及び結晶構造を得る。
(b)欠陥として脱離させるN原子の化学ポテンシャルμNを計算する。
(c)欠陥を含まない結晶構造の全エネルギーEperfectを構造最適化計算によって算出する。
(d)N欠陥を含む結晶構造の全エネルギーENvacancyを構造最適化計算によって算出する。
(e)式(1)に従ってNの欠陥生成エネルギーENdefectを算出する。
候補材料の結晶構造においてNの占有サイトが複数存在する場合、それぞれのNの占有サイトごとにENdefectを算出し、最も値が低いものを当該候補材料のENdef ectとして用いる。
候補材料の組成、及び結晶構造は、公知の刊行物やデータベース等から入手できるものから任意で選択できる。候補材料は、N、元素A´、及び元素M´を含む化合物であれば特に限定されないが、常温常圧下で安定な化合物であることが好ましい。
元素A´は特に限定されないが、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素、アルミニウム元素のいずれかであると好ましく、Li、Na、K、Mg、Ca、Alから選択される少なくとも1種であるとより好ましく、Liであるとよりさらに好ましい。これにより、当該硫化物固体電解質を電池として作動させることが容易になる。
第一原理計算にあたっては、計算ソフトウェア Vienna Ab-initio Simulation Package (VASP)を用いた。計算条件は次のとおりである。k点はk-resolutionの値が1000程度となるように設定した。k-resolutionはモデル中の原子数とa、b、c軸方向のk点との積である。
平面波基底関数のカットオフエネルギー :520eV
交換相関相互作用の近似法 :GGA+U
擬ポテンシャル :PAW(PBEsol)
k点 :k-resolution≒1000
SCF計算の収束条件 :10-4eV
各原子サイトの占有率(Occ.) :1
3d軌道が最外殻軌道であり、安定とされる価数のカチオンの状態で3d軌道が閉殻でなく、3d軌道に電子が存在する遷移金属元素であるV、Cr、Mn、Fe、Co、Niを含む材料の第一原理計算については、表1に示したハバードのUeff値を計算条件として使用した。これによりd軌道における電子の局在化効果を計算に反映した。表1に示したハバードのUeff値は、結晶構造データベースMaterials Project(https://materialsproject.org/#search/materials)において実施された第一原理計算の計算条件より引用したものである(2019年8月22日時点)。データベースにおいて、V、Cr、Mn、Fe、Co、Niを含む材料を検索することでUeff値を取得した。
また、V、Y、Ga、Ca、Ce、Sn、Zn、Ge、Cr、Mn、Sr、In、Co、Ni、Feの各元素は、LiαM´βNにおけるNの欠陥生成エネルギーENdefe ctが3.88eV以下と小さいことがわかる。このため、元素M´としてV、Y、Ga、Ca、Ce、Sn、Zn、Ge、Cr、Mn、Sr、In、Co、Ni、Feのいずれかを含む候補材料では、N欠陥が生成しやすく、硫化物固体電解質の製造工程におけるNの系外への排出を抑制する本発明の効果が得られない、又は効果が小さいことが予測される。
一方、Al、Ta、Si、Sc、Mg、Nb、B、Hf、C、P、Zr、Tiの各元素は、LiαM´βNにおけるNの欠陥生成エネルギーENdefectが4.00eV以上と大きいことが分かる。したがって元素M´としてAl、Ta、Si、Sc、Mg、Nb、B、Hf、C、P、Zr、Tiのいずれかを含む候補材料であれば、N欠陥が生成しにくく、硫化物固体電解質の製造工程におけるNの系外への排出を抑制する本発明の効果が発揮される可能性が極めて高いことが予測される。
[実施形態1]
本発明の一実施形態に係る硫化物固体電解質は、P、S、N、元素A、及び元素Mを含む組成物であって、N、元素A、及び元素Mを含有する原料化合物を準備することと、上記組成物を反応させて中間体を得ることと、上記中間体を加熱して硫化物固体電解質を得ることと、を備える製造方法によって製造される。以下、元素AとしてLiを含有する場合を例に、当該硫化物固体電解質について説明する。
架橋硫黄を実質的に含有しないことは、励起波長532nmのレーザでラマン分光スペクトルを測定した際に、架橋硫黄構造に対応するピークが検出されないことによって確認できる。例えば、S3P-S-PS3構造を実質的に含有しないことは、励起波長532nmのレーザでラマン分光スペクトルを測定した際に、402cm-1にピークが検出されないことによって確認できる。
なお、当該硫化物固体電解質は、少量の架橋硫黄を含有しても差し支えない。この場合、ラマン分光スペクトル測定における、オルト組成のアニオン構造に帰属されるピークの強度IOに対する、架橋硫黄に帰属されるピークの強度IPの比IP/IOが、0.7以下であると好ましく、0.5以下であるとより好ましく、0.35以下であるとさらに好ましい。例えば、当該硫化物固体電解質がLi2S-P2S5系固体電解質である場合、PS4 3-構造由来の417cm-1におけるピーク強度が上記IOに相当し、S3P-S-PS3構造由来の402cm-1におけるピーク強度が上記IPに相当する。
これらの観点から、当該硫化物固体電解質は、元素比率がそれぞれモル比で以下の式を同時に満たすことが好ましい。
2.30≦Li/P≦4.20
0.01 00≦N/P≦1.20
上記Li/P、上記N/Pは、それぞれ以下の式を同時に満たすとより好ましい。
2.36≦Li/P≦4.12
0.02 00≦N/P≦1.11
上記Li/P、上記N/Pは、それぞれ以下の式を同時に満たすとさらに好ましい。
2.36≦Li/P≦4.00
0.06 00≦N/P≦0.900
上記Li/P、上記N/Pは、それぞれ以下の式を同時に満たすとよりさらに好ましい。
2.60≦Li/P≦3.40
0.190≦N/P≦0.710
上記Li/P、上記N/Pは、それぞれ以下の式を同時に満たすと特に好ましい。
2.77≦Li/P≦3.38
0.280≦N/P≦0.650
本発明の他の実施形態に係る硫化物固体電解質は、Li、P、S、N、元素X、及び元素Mを含有する。元素Xは、Cl、Br、Iからなる群より選択される少なくとも1つの元素を示す。
これらの事情から、当該硫化物固体電解質は、上記Pに対する上記Liの含有割合Li/P、上記Pに対する上記Nの含有割合N/P、及び上記Pに対する上記Xの含有割合X/Pが、それぞれモル比で以下の式を同時に満たすことが好ましい。
3.10<Li/P<4.20
0.0600<N/P<0.750
0.180<X/P<1.30
また、上記Li/P、上記N/P、及び上記X/Pは、それぞれ以下の式を同時に満たすとより好ましい。
3.10<Li/P<3.90
0.0900<N/P<0.750
0.180<X/P<1.00
また、当該硫化物固体電解質が、元素Xとして2種類の元素X1及びX2を含む場合、上記一般式は、(100-z1-z2){(1-y)[xLi2S・(1-x)P2S5]・yLiαMβN}・z1LiX1・z2LiX2(但し、0.50≦x≦0.80、0<y≦0.50、5≦(z1+z2)≦40、α及びβは元素Mの種類に応じて化学量論比を与える数値である)で表すこともでき、この場合のx、y、z1及びz2は、それぞれ0.67≦x≦0.73、0.10≦y≦0.30、10≦(z1+z2)≦30であると好ましい。
なお、上記一般式は、Li、S、P、N、元素M、元素Xの含有割合を示したものであり、上記組成物が、Li2S、P2S5、LiαMβN、及びLiXからなることを特定するものではない。
当該硫化物固体電解質がBr及びIを同時に含有する場合、当該硫化物固体電解質に含まれるBrとIとの合計量に対するBrの含有量は、1mol%以上99mol%以下が好ましく、5mol%以上80mol%以下がより好ましい。
当該硫化物固体電解質は、少量のLICPを含んでも差し支えない。この場合、CuKα線を用いるX線回折測定における2θ=20.2°±0.5°の回折ピーク強度IHに対する、2θ=21.0°±0.5°の回折ピーク強度ILの、回折ピーク強度比IL/IHは、0<IL/IH<3.2であると好ましく、0<IL/IH<2.5であるとより好ましく、0<IL/IH<2.0であるとさらに好ましく、0<IL/IH<1.0であるとよりさらに好ましい。回折ピーク強度比IL/IHは、当該硫化物固体電解質に含まれるHICPと、LICPとの存在比率を示す。つまり、回折ピーク強度比IL/IHが小さいことは、HICPに対して、LICPの量が相対的に少ないことを示す。
当該全固体電池は、負極層と、固体電解質層と、正極層とを備える。図2は、本発明の一実施形態における全固体電池を示す模式的断面図である。二次電池である全固体電池10は、負極層1と、正極層2とが固体電解質層3を介して配置される。負極層1は、負極基材層4及び負極合剤層5を有し、負極基材層4が負極層1の最外層となる。正極層2は、正極基材層7及び正極合剤層6を有し、正極基材層7が正極層2の最外層となる。図2に示す全固体電池10においては、正極基材層7上に、正極合剤層6、固体電解質層3、負極合剤層5及び負極基材層4がこの順で積層されている。
負極層1は、負極基材層4と、この負極基材層4の表面に積層される負極合剤層5とを備える。負極層1は負極基材層4と負極合剤層5との間に図示しない中間層を有していてもよい。
負極基材層4は導電性を有する層である。負極基材層4の材質としては、導電体であれば限定されない。例えば、銅、アルミニウム、チタン、ニッケル、タンタル、ニオブ、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマス、アンチモン、金、銀、鉄、白金、クロム、スズ、インジウム及びこれらの一種以上を含む合金並びにステンレス合金からなる群から選択される一種以上の金属を挙げることができる。
負極合剤層5は、負極活物質を含むいわゆる負極合剤から形成することができる。負極合剤は、負極活物質と当該硫化物固体電解質とを含む負極混合物又は負極複合体を含有してもよい。負極合剤は、必要に応じて、当該硫化物固体電解質以外の固体電解質、導電剤、バインダー、フィラー等の任意成分を含む。
負極活物質としては、通常、リチウムイオンを吸蔵及び放出することができる材料が用いられる。具体的な負極活物質としては、例えば、金属リチウム;Si、Sn等の金属又は半金属;Si酸化物、Sn酸化物等の金属酸化物又は半金属酸化物;ポリリン酸化合物;黒鉛(グラファイト)、非黒鉛質炭素(易黒鉛化性炭素又は難黒鉛化性炭素)等の炭素材料;チタン酸リチウム等のリチウム金属複合酸化物等が挙げられる。
上記負極混合物とは、負極活物質及び当該硫化物固体電解質をメカニカルミリング等で混合することにより作製される混合物である。例えば、負極活物質と当該硫化物固体電解質との混合物は、粒子状の負極活物質及び粒子状の当該硫化物固体電解質を混合して得ることができる。
上記負極複合体としては、負極活物質及び当該硫化物固体電解質間で化学的又は物理的な結合を有する複合体、負極活物質及び当該硫化物固体電解質を機械的に複合化させた複合体等が挙げられる。上記複合体は、一粒子内に負極活物質及び当該硫化物固体電解質が存在しているものであり、例えば、負極活物質及び当該硫化物固体電解質が凝集状態を形成しているもの、負極活物質の表面の少なくとも一部に当該硫化物固体電解質含有皮膜が形成されているものなどが挙げられる。
上記負極混合物又は負極複合体は、当該硫化物固体電解質以外の固体電解質を含有してもよい。
負極合剤が含有する負極活物質及び当該硫化物固体電解質が、負極混合物又は負極複合体を構成することで、イオン伝導度を向上できる。
上記導電剤としては、特に限定されない。このような導電剤としては、天然又は人造の黒鉛、ファーネスブラック、アセチレンブラック、ケッチェンブラック等のカーボンブラック、金属、導電性セラミックスなどが挙げられる。導電剤の形状としては、粉状、繊維状等が挙げられる。上記負極合剤における導電剤の含有量としては、例えば0.5質量%以上30質量%以下とすることができる。上記負極合剤は、導電剤を含有しなくてもよい。
上記中間層は、負極基材層4の表面の被覆層であり、炭素粒子等の導電性粒子を含むことで負極基材層4と負極合剤層5との接触抵抗を低減する。中間層の構成は特に限定されず、例えば樹脂バインダー及び導電性粒子を含有する組成物により形成できる。
正極層2は、正極基材層7と、この正極基材層7の表面に積層される正極合剤層6とを備える。正極層2は、負極層1と同様、正極基材層7と正極合剤層6との間に中間層を有していてもよい。この中間層は負極層1の中間層と同様の構成とすることができる。
正極基材層7は、負極基材層4と同様の構成とすることができる。正極基材層7の材質としては、導電体であれば限定されない。例えば、銅、アルミニウム、チタン、ニッケル、タンタル、ニオブ、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマス、アンチモン、金、銀、鉄、白金、クロム、スズ、インジウム及びこれらの一種以上を含む合金、並びにステンレス合金からなる群から選択される一種以上の金属を挙げることができる。
正極合剤層6は、正極活物質を含むいわゆる正極合剤から形成することができる。正極合剤は、正極活物質と固体電解質とを含む正極混合物又は正極複合体を含有してもよい。上記固体電解質として、当該硫化物固体電解質を用いてもよい。正極合剤層6を形成する正極合剤は、負極合剤と同様、必要に応じて、固体電解質、導電剤、バインダー、フィラー等の任意成分を含む。なお、正極合剤層は固体電解質を含まない形態であってもよい。
正極合剤層6に含まれる正極活物質としては、全固体電池に通常用いられる公知のものが使用できる。上記正極活物質としては、例えばLixMeOy(Meは少なくとも一種の遷移金属を表す)で表される複合酸化物(層状のα-NaFeO2型結晶構造を有するLixCoO2、LixNiO2、LixMnO3、LixNiαCo(1-α)O2、LixNiαMnβCo(1-α-β)O2等、スピネル型結晶構造を有するLixMn2O4、LixNiαMn(2-α)O4等)、LiwMex(AOy)z(Meは少なくとも一種の遷移金属を表し、Aは例えばP、Si、B、V等を表す)で表されるポリアニオン化合物(LiFePO4、LiMnPO4、LiNiPO4、LiCoPO4、Li3V2(PO4)3、Li2MnSiO4、Li2CoPO4F等)が挙げられる。これらの化合物中の元素又はポリアニオンは、他の元素又はアニオン種で一部が置換されていてもよい。正極活物質層においては、これら化合物の1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。
上記正極混合物は、負極の場合と同様、正極活物質及び固体電解質等をメカニカルミリング等で混合することにより作製される混合物である。例えば、正極活物質と固体電解質等との混合物は、粒子状の正極活物質及び粒子状の固体電解質等を混合して得ることができる。
上記正極複合体も、負極の場合と同様、正極活物質及び固体電解質等間で化学的又は物理的な結合を有する複合体、正極活物質及び固体電解質等を機械的に複合化させた複合体等が挙げられる。上記複合体は、一粒子内に正極活物質及び固体電解質等が存在しているものであり、例えば、正極活物質及び固体電解質等が凝集状態を形成しているもの、正極活物質の表面の少なくとも一部に固体電解質等含有皮膜が形成されているものなどが挙げられる。
上記正極混合物又は正極複合体は、当該硫化物固体電解質以外の固体電解質を含有してもよい。
正極合剤が含有する正極活物質及び固体電解質等が、正極混合物又は正極複合体を構成することで、イオン伝導度を向上できる。
固体電解質層3は、固体電解質層用電解質を含有する。固体電解質層用電解質としては、上述の当該硫化物固体電解質以外にも、例えば酸化物系固体電解質、その他の硫化物固体電解質、ドライポリマー電解質、ゲルポリマー電解質、擬似固体電解質などを挙げることができる。これらの中では、イオン伝導度が良好であり、界面形成が容易であるなどの観点から硫化物固体電解質が好ましく、当該硫化物固体電解質がより好ましい。固体電解質層3が、当該硫化物固体電解質を含有することで、固体電解質層が高いイオン伝導度を発現できるため、全固体電池の内部抵抗を低減できる。
特に、元素Xを含有する当該硫化物固体電解質は熱的安定性が高いため、当該全固体電池の構成を上記のようにすることで、電池の作動温度の上限を高くできる全固体電池の利点を十分に享受することができる。
当該全固体電池の製造方法は、例えば硫化物固体電解質作製工程と、負極合剤作製工程と、固体電解質層用電解質作製工程と、正極合剤作製工程と、負極層、固体電解質層及び正極層を積層する積層工程とを主に備える。
本工程では、例えば、当該硫化物固体電解質の製造方法によって、硫化物固体電解質を作製する。
本工程では、負極層を形成するための負極合剤が作製される。負極合剤が、負極活物質と当該硫化物固体電解質とを含む混合物又は複合体を含有する場合、本工程では、例えばメカニカルミリング法等を用いて負極活物質と、当該硫化物固体電解質とを混合し、負極活物質と当該硫化物固体電解質との混合物又は複合体を作製することを備える。
本工程では、固体電解質層を形成するための上記固体電解質層用電解質が作製される。本工程では、固体電解質層用電解質の所定の材料をメカニカルミリング法により処理して得ることができる。溶融急冷法により固体電解質層用電解質の所定の材料を溶融温度以上に加熱して所定の比率で両者を溶融混合し、急冷することにより固体電解質層用電解質を作製してもよい。その他の固体電解質層用電解質の合成方法としては、例えば減圧封入して焼成する固相法、溶解析出などの液相法、気相法(PLD)、メカニカルミリング後にアルゴン雰囲気下で焼成することなどが挙げられる。なお、固体電解質層用電解質が当該硫化物固体電解質である場合は、固体電解質層用電解質の作製工程では、上述の硫化物固体電解質作製工程が行われる。
本工程では、正極層を形成するための正極合剤が作製される。正極合剤の作製方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、正極活物質の圧縮成形、正極合剤の所定の材料のメカニカルミリング処理、正極活物質のターゲット材料を用いたスパッタリング等が挙げられる。正極合剤が、正極活物質と当該硫化物固体電解質とを含む混合物又は複合体を含有する場合、本工程では、例えばメカニカルミリング法等を用いて正極活物質と、当該硫化物固体電解質とを混合し、正極活物質と当該硫化物固体電解質との混合物又は複合体を作製することを備える。
本工程は、負極基材層及び負極合剤層を有する負極層、固体電解質層、並びに正極基材層及び正極合剤層を有する正極層が積層される。本工程では、負極層、固体電解質層、及び正極層を順次形成してもよいし、この逆であってもよく、各層の形成の順序は特に問わない。上記負極層は、負極基材及び負極合剤を加圧成型することにより形成され、上記固体電解質層は、固体電解質層用電解質を加圧成型することにより形成され、上記正極層は、正極基材及び正極合剤を加圧成型することにより形成される。
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、上記態様の他、種々の変更、改良を施した態様で実施することができる。
[実施例1]
以下の処理により、80(0.70Li2S・0.30P2S5)・20Li3/2Al1/2Nを合成した。
(準備工程)
Li3N及びAlNをモル比で1.2:1となるように秤量し、乳鉢で混合した後ペレット化した。次に、750℃で1時間熱処理してLi3/2Al1/2Nを作製した。作製したLi3/2Al1/2Nは、XRD測定によって主相がLi3/2Al1/2Nであることを確認した。
次に、露点-50℃以下のアルゴン雰囲気のグローブボックス内でLi2S(99.98%、Aldrich)、P2S5(99%、Aldrich)及びLi3/2Al1/ 2Nをモル比で56:24:20となるように秤量したのちに、乳鉢で混合し、Li、P、S、N、及びAlを含む組成物を準備した。
(反応工程)
上記組成物を、直径4mmのジルコニアボールが160g入った密閉式の80mLジルコニアポットに投入した。遊星ボールミル(FRITSCH社製、型番Premium line P-7)によって公転回転数510rpmで45時間のミリング処理を行い、中間体を得た。
(熱処理工程)
上記中間体を2時間熱処理して硫化物固体電解質を得た。この熱処理は、結晶化温度以上であって、結晶化温度より100℃以上とならない温度にて行った。結晶化温度はDSCを測定することにより求めた。DSC測定は、以下の条件にて行った。即ち、DSC装置(リガク社製、Thermo Plus DSC8230)を用い、SUS製密閉パンを用い、室温から400℃まで10℃/minで昇温した。
上記合成手順で作製した組成物を試料a、中間体を試料b、硫化物固体電解質を試料cとした。
準備工程を以下のとおり変更したこと以外は実施例1と同様にして、80(0.70Li2S・0.30P2S5)・20Li3/2B1/2Nを合成した。
(準備工程)
Li3N及びBNをモル比で1.1:1となるように秤量し、乳鉢で混合した後ペレット化した。次に、800℃で10分熱処理してLi3/2B1/2Nを作製した。作製したLi3/2B1/2Nは、XRD測定によって主相がLi3/2B1/2Nであることを確認した。
次に、露点-50℃以下のアルゴン雰囲気のグローブボックス内でLi2S(99.98%、Aldrich)、P2S5(99%、Aldrich)及びLi3/2B1/2Nをモル比で56:24:20となるように秤量したのちに、乳鉢で混合し、Li、P、S、N、及びBを含む組成物を準備した。
準備工程を以下のとおり変更したこと以外は実施例1と同様にして、56.8Li2S・27.0P2S5・16.2Li3Nを合成した。
(準備工程)
露点-50℃以下のアルゴン雰囲気のグローブボックス内でLi2S(99.98%、Aldrich)、P2S5(99%、Aldrich)、及びLi3Nをモル比で56.8:27.0:16.2となるように秤量したのちに、乳鉢で混合し、Li、P、S、及びNを含む組成物を準備した。
準備工程を以下のとおり変更したこと以外は実施例1と同様にして、80(0.70Li2S・0.30P2S5)・20Li3/2Al1/2Nを合成した。
(準備工程)
露点-50℃以下のアルゴン雰囲気のグローブボックス内でLi2S(99.98%、Aldrich)、P2S5(99%、Aldrich)、Li3N、及びAlNをモル比で56:24:10:10となるように秤量したのちに、乳鉢で混合し、Li、P、S、N、及びAlを含む組成物を準備した。
準備工程を以下のとおり変更したこと以外は実施例1と同様にして、80(0.70Li2S・0.30P2S5)・20Li7/4V1/4Nを合成した。
(準備工程)
Li3N及びVNをモル比で3:1となるように秤量し、乳鉢で混合した後ペレット化した。次に、750℃で10時間熱処理してLi7/4V1/4Nを作製した。作製したLi7/4V1/4Nは、XRD測定によって主相がLi7/4V1/4Nであることを確認した。
次に、露点-50℃以下のアルゴン雰囲気のグローブボックス内でLi2S(99.98%、Aldrich)、P2S5(99%、Aldrich)及びLi7/4V1/4Nをモル比で56:24:20となるように秤量したのちに、乳鉢で混合し、Li、P、S、N、及びVを含む組成物を準備した。
(1)XRD
以下の方法にてX線回折測定を行った。気密性のX線回折測定用試料ホルダーを用い、露点-50℃以下のアルゴン雰囲気下で実施例及び比較例の硫化物固体電解質粉末を充填した。X線回折装置(Rigaku社製「miniFlex II」)を用いて粉末X線回折測定を行った。線源はCuKα線、管電圧は30kV、管電流は15mAとし、回折X線は厚み30μmのKβフィルターを通し高速一次元検出器(型番:D/teX Ultra2)にて検出した。サンプリング幅は0.01°、スキャンスピードは5°/分、発散スリット幅は0.625°、受光スリット幅は13mm(OPEN)、散乱スリット幅は8mmとした。
イオン伝導度(σ25)は、25℃におけるイオン伝導度を、(Bio-Logic)社製「VMP-300」を用いて上述の方法で交流インピーダンスを測定して求めた。また、一部の実施例及び比較例については、-30℃、-20℃、-10℃、0℃、50℃の各温度におけるイオン伝導度も測定し、アレニウス式により活性化エネルギー(Ea)を算出した。
よって、実施例1、実施例2、比較例1、比較例2、及び比較例3は、類似の構造を有すると言える。
一方、比較例1、比較例2及び比較例3では、試料a、試料b、及び試料cにおけるNの含有割合が試料a、試料b、試料cの順に小さくなることが分かる。つまり、比較例1、比較例2及び比較例3では、Nの含有率が、反応工程、熱処理工程の各工程を経るごとに減少し、系外へNが排出されてしまうことが分かる。
以上より、第一原理計算を用いてNの排出抑制効果を予測して選定された、Al、及びBについて、実際に効果が得られることが実証された。さらに、第一原理計算を用いてNの排出抑制効果が得られないことが予測されたVについて、実際に効果が得られないことも実証された。
[実施例3]
以下の処理により、組成式85(0.80(0.70Li2S・0.30P2S5)・0.20Li3/2Al1/2N)・10LiBr・5LiIで表される硫化物固体電解質を合成した。
Li3N及びAlNをモル比で1.2:1となるように秤量し、乳鉢で混合した後ペレット化した。次に、750℃で1時間熱処理してLi3/2Al1/2Nを作製した。作製したLi3/2Al1/2Nは、XRD測定によって主相がLi3/2Al1/2Nであることを確認した。
次に、露点-50℃以下のアルゴン雰囲気のグローブボックス内でLi2S(99.98%、Aldrich)、P2S5(99%、Aldrich)、LiBr(99.999%、Aldrich)、LiI(99.999%、Aldrich)、及びLi3/2Al1/2Nをモル比で47.6:20.4:10:5:17となるように秤量したのちに、乳鉢で混合した。この混合試料を、直径4mmのジルコニアボールが160g入った密閉式の80mLジルコニアポットに投入した。遊星ボールミル(FRITSCH社製、型番Premium line P-7)によって公転回転数510rpmで45時間のミリング処理を行った。245℃で2時間熱処理して実施例3の硫化物固体電解質を得た。この熱処理温度は、結晶化温度以上であって、結晶化温度より100℃以上とならないように設定した。結晶化温度は、ミリング処理後の試料の一部を取り出し、DSC測定に供することにより求めた。DSC測定は、以下の条件にて行った。即ち、DSC装置(リガク社製、Thermo Plus DSC8230)を用い、SUS製密閉パンを用い、室温から400℃まで10℃/minで昇温した。
硫化物固体電解質の組成を、85(0.75Li2S・0.25P2S5)・10LiBr・5LiI、85(0.72Li2S・0.25P2S5・0.020Li3N)・10LiBr・5LiIに変更し、熱処理温度をいずれも225℃としたこと以外は、実施例3と同様にして、比較例4及び比較例5の硫化物固体電解質を合成した。
硫化物固体電解質の組成を80(0.80(0.70Li2S・0.30P2S5)・0.20Li3/2Al1/2N)・12LiBr・8LiI、80(0.70(0.67Li2S・0.33P2S5)・0.30Li3/2Al1/2N)・12LiBr・8LiI、80(0.80(0.70Li2S・0.30P2S5)・0.20Li3/ 2B1/2N)・12LiBr・8LiI、80(0.80(0.70Li2S・0.30P2S5)・0.20Li5/3Si1/3N)・12LiBr・8LiI、80(0.6975Li2S・0.25P2S5・0.035Li3N)・12LiBr・8LiIに変更し、熱処理温度をそれぞれ255℃、275℃、270℃、270℃、250℃としたこと以外は、実施例3と同様にして、実施例4乃至実施例7、及び比較例6の硫化物固体電解質を合成した。
なお、実施例4の硫化物固体電解質は、熱処理温度を255℃とした試料に加えて、熱処理温度を215℃、230℃、275℃、290℃、310℃とした試料も合成した。実施例5の硫化物固体電解質は、熱処理温度を275℃とした試料に加えて、熱処理温度を235℃、290℃、310℃、330℃とした試料も合成した。実施例6の硫化物固体電解質は、熱処理温度を270℃とした試料に加えて、熱処理温度を230℃、270℃、290℃、310℃、330℃とした試料も合成した。実施例7の硫化物固体電解質は、熱処理温度を270℃とした試料に加えて、熱処理温度を230℃、290℃、310℃、330℃とした試料も合成した。また、比較例6の硫化物固体電解質は、熱処理温度を250℃とした試料に加えて、熱処理温度を210℃、及び230℃とした試料も合成した。
各熱処理温度で合成した硫化物固体電解質は、熱処理温度が低い順に、それぞれ実施例4-1乃至実施例4-6、実施例5-1乃至実施例5-5、実施例6-1乃至実施例6-5、実施例7-1乃至実施例7-5、及び比較例6-1乃至比較例6-3とする。
硫化物固体電解質の組成を75(0.80(0.70Li2S・0.30P2S5)・0.20Li3/2Al1/2N)・15LiBr・10LiI、75(0.72Li2S・0.25P2S5・0.020Li3N)・15LiBr・10LiIに変更し、熱処理温度をそれぞれ215℃、195℃としたこと以外は、実施例1と同様にして、実施例8及び比較例7の硫化物固体電解質を合成した。
硫化物固体電解質の組成を90(0.80(0.70Li2S・0.30P2S5)・0.20Li3/2Al1/2N)・10LiBr、80(0.80(0.70Li2S・0.30P2S5)・0.20Li3/2Al1/2N)・20LiBr、70(0.80(0.70Li2S・0.30P2S5)・0.20Li3/2Al1/2N)・30LiBr、90(0.72Li2S・0.25P2S5・0.020Li3N)・10LiBrに変更し、熱処理温度をそれぞれ265℃、250℃、240℃、225℃としたこと以外は、実施例3と同様にして、実施例9、実施例10、実施例11及び比較例8の硫化物固体電解質を合成した。
硫化物固体電解質の組成を90(0.80(0.70Li2S・0.30P2S5)・0.20Li3/2Al1/2N)・10LiI、80(0.80(0.7Li2S・0.30P2S5)・0.20Li3/2Al1/2N)・20LiIに変更し、熱処理温度をそれぞれ255℃、240℃としたこと以外は、実施例3と同様にして、実施例12、実施例13の硫化物固体電解質を合成した。
硫化物固体電解質の組成を80(0.97(0.745Li2S・0.255P2S5)・0.03Li3/2B1/2N)・12LiBr・8LiI、80(0.95(0.74Li2S・0.26P2S5)・0.05Li3/2B1/2N)・12LiBr・8LiI、80(0.90(0.73Li2S・0.27P2S5)・0.10Li3/ 2B1/2N)・12LiBr・8LiI、80(0.85(0.715Li2S・0.285P2S5)・0.15Li3/2B1/2N)・12LiBr・8LiIに変更し、熱処理温度をそれぞれ250℃としたこと以外は、実施例3と同様にして、実施例14乃至実施例17の硫化物固体電解質を合成した。
硫化物固体電解質の組成を75(0.80(0.70Li2S・0.30P2S5)・0.20Li3/2B1/2N)・15LiBr・10LiI、70(0.80(0.70Li2S・0.30P2S5)・0.20Li3/2B1/2N)・17LiBr・13LiI、65(0.80(0.70Li2S・0.30P2S5)・0.20Li3/ 2B1/2N)・20LiBr・15LiIに変更し、熱処理温度をそれぞれ230℃、195℃、185℃としたこと以外は、実施例3と同様にして、実施例18乃至実施例20の硫化物固体電解質を合成した。
なお、表中、「HICP」は、CuKα線を用いるX線回折測定において2θ=20.2°±0.5°、23.6°±0.5°に回折ピークを有する結晶相を表す。「LICP」は、CuKα線を用いるX線回折測定において2θ=21.0°±0.5°、28.0°±0.5°に回折ピークを有する結晶相を表す。「特定結晶構造C」は、CuKα線を用いるX線回折測定において2θ=17.5°±0.5°、24.9°±0.5°に回折ピークを有する結晶相を表す。「β-Li3PS4」は、CuKα線を用いるX線回折測定において2θ=17.5°±0.5°、18.1°±0.5°、29.1°±0.5°、29.9°±0.5°、31.2°±0.5°に回折ピークを有する結晶相を表す。「Unknown」は、結晶相が帰属不明なピークを表す。
また、図3に実施例4-1乃至実施例4-6のXRDパターンを示す。図4に比較例6-1乃至比較例6-3のXRDパターンを示す。
以下の方法にてDSC測定を行った。DSC装置(リガク社製、Thermo Plus DSC8230)を用い、SUS製密閉パンを用い、室温から400℃まで10℃/minで昇温した。
また、Brの含有量が同一である実施例9及び比較例8を対比すると、比較例8ではHICP及びLICPのいずれも生成しなかったのに対し、実施例9ではHICPが生成したことが分かる。つまり、硫化物固体電解質がLi、P、S、N、元素X、及び元素Mを含有する場合には、元素Mを含まない場合に比して、より少ない元素Xの含有量でHICPを生成できる効果が認められた。
また、図6から、実施例6及び実施例14乃至実施例17の硫化物固体電解質は、比較例6の硫化物固体電解質と比較して、HICP由来と推測される結晶化ピークと、β-Li3PS4由来の結晶化ピークとの温度差が大きくなることが分かる。例えば、比較例6ではHICP由来と推測される結晶化ピークとβ-Li3PS4由来の結晶化ピークとは、それぞれ190℃付近と260℃付近に観測されたのに対し、実施例14では、それぞれ190℃付近と280℃付近に観測される。このことから、実施例の硫化物固体電解質では、HICPが安定に存在する温度範囲が広がり、高Liイオン伝導相の熱的安定性が向上することが理解できる。
なお、図6におけるHICP由来と推測される結晶化ピークとは、概ね180℃から220℃の範囲に観測されたピークを示す。図6におけるβ-Li3PS4由来の結晶化ピークとは、実施例6、実施例14乃至実施例16、及び比較例6において、それぞれ345℃付近、280℃付近、300℃付近、310℃付近、335℃付近、及び260℃付近に観測されたピークを示す。
以上より、当該硫化物固体電解質のPに対するNの含有割合N/Pが、0.060、0.10、0.21、0.31、0.42となる場合であっても、高Liイオン伝導相の熱的安定性が向上する効果が得られることが分かる。
一方で、実施例4-1乃至実施例4-6から、実施例4の硫化物固体電解質では、熱処理温度を290℃まで高めてもHICPが存在し、高いイオン伝導度を維持できることが分かる。
また、実施例5-1乃至実施例5-5から、実施例5の硫化物固体電解質においても、広い温度範囲でHICPが存在し、高いイオン伝導度を維持できることが分かる。
さらに、実施例6-1乃至実施例6-5、及び実施例7-1乃至実施例7-5から、元素MとしてAlに代えてB及びSiを含有する場合であっても、広い温度範囲で高いイオン伝導度を維持できる本発明の効果が得られることが分かる。
つまり、表13から、実施例4乃至実施例7の硫化物固体電解質では、イオン伝導度が低下しない熱処理温度範囲が広がることが理解できる。
また、表13の実施例6及び実施例7と実施例4及び実施例5との対比から、当該硫化物固体電解質が元素MとしてSi及びBのいずれかを含む場合に、イオン伝導度が低下しない熱処理温度範囲が少なくとも80℃の範囲に亘って存在し、特に優れた高Liイオン伝導相の熱的安定性を示すことが分かる。なお、図5の実施例6及び実施例7のDSC曲線における210℃付近のピークは、HICP由来と推測される結晶化ピークである。したがって、実施例6及び実施例7では、イオン伝導度が低下しない熱処理温度範囲が100℃の範囲に亘って存在することも推測できる。このような結果が得られた理由は定かでは無いが、例えば、Si及びBのいずれかとNとの結合エネルギーの強さが、本発明の効果を発揮するのに適した値であったことが考えられる。
以下の処理により、組成式(100-z)(yLi2S・(1-y)P2S5)・zLiαMβNにおけるLiαMβNがLi3/2Al1/2Nであり、z=1、y=0.70である硫化物固体電解質、即ち99(0.7Li2S・0.3P2S5)・1Li3/ 2Al1/2Nを合成した。
Li3N及びAlNをモル比で1.2:1となるように秤量し、乳鉢で混合した後ペレット化した。次に、750℃で1時間熱処理してLi3/2Al1/2Nを作製した。
次に、露点-50℃以下のアルゴン雰囲気のグローブボックス内でLi2S(99.98%、Aldrich)、P2S5(99%、Aldrich)及びLi3/2Al1/ 2Nをモル比で69.3:29.7:1.0となるように秤量したのちに、乳鉢で混合した。この混合試料を、直径4mmのジルコニアボールが160g入った密閉式の80mLジルコニアポットに投入した。遊星ボールミル(FRITSCH社製、型番Premium line P-7)によって公転回転数510rpmで45時間のミリング処理を行った。2時間熱処理して実施例1の硫化物固体電解質を得た。この熱処理は、結晶化温度以上であって、結晶化温度プラス100℃以下の温度にて行った。結晶化温度はDSCを測定することにより求めた。DSC測定は、以下の条件にて行った。即ち、DSC装置(リガク社製、Thermo Plus DSC8230)を用い、SUS製密閉パンを用い、室温から400℃まで10℃/minで昇温した。
硫化物固体電解質の組成式(100-z)(yLi2S・(1-y)P2S5)・zLiαMβNにおけるzの値を、5、7、10、15、20、25、30、40に変更したこと以外は実施例21と同様にして、実施例22乃至実施例29の硫化物固体電解質を合成した。
硫化物固体電解質の組成式(100-z)(yLi2S・(1-y)P2S5)・zLiαMβNにおいて、y=0.67とし、zの値を20、25、30にそれぞれ変更したこと以外は実施例21と同様にして、実施例30乃至実施例32の硫化物固体電解質を合成した。
Li3N及びBNをモル比で1.1:1となるように秤量し、乳鉢で混合した後ペレット化した後、800℃で10分間熱処理してLi3/2B1/2Nを作製した。作製したLi3/2B1/2Nについて、XRD測定によって主相がLi3/2B1/2Nであることを確認した。
硫化物固体電解質の組成式(100-z)(yLi2S・(1-y)P2S5)・zLiαMβNにおけるLiαMβNをLi3/2B1/2Nに変更し、zの値を1、10、20、30に変更したこと以外は実施例21と同様にして、実施例33乃至実施例36の硫化物固体電解質を合成した。
Li3N及びSi3N4をモル比で5.1:1となるように秤量し、乳鉢で混合した後ペレット化した後、800℃で10分間熱処理してLi5/3Si1/3Nを作製した。作製したLi5/3Si1/3Nについて、XRD測定によって主相がLi5/3Si1 /3Nであることを確認した。
硫化物固体電解質の組成式(100-z)(yLi2S・(1-y)P2S5)・zLiαMβNにおけるLiαMβNをLi5/3Si1/3Nに変更し、zの値を1.5、15、20、30、45に変更したこと以外は実施例21と同様にして、実施例37乃至実施例41の硫化物固体電解質を合成した。
硫化物固体電解質の組成式(100-z)(yLi2S・(1-y)P2S5)・zLiαMβNにおけるLiαMβNをLi3Nに変更し、zの値を20に変更したこと以外は実施例21と同様にして、比較例9の硫化物固体電解質を合成した。
硫化物固体電解質の組成式(100-z)(yLi2S・(1-y)P2S5)・zLiαMβNにおいて、y=0.68とし、zの値を16に変更したこと以外は比較例9と同様にして、比較例10の硫化物固体電解質を合成した。
(1)XRD、イオン伝導度(σ)
上述の方法でX線回折測定を行った。また、25℃におけるイオン伝導度(σ25)を、(Bio-Logic)社製「VMP-300」を用いて上述の方法で交流インピーダンスを測定して求めた。
以下の方法にてラマンスペクトルを測定した。レーザラマン分光光度計(堀場製作所社製「LabRAM HR Revolution」)を用い、励起レーザ波長532nm(YAGレーザ)、グレーティング600gr/mmの条件において、100cm-1から1800cm-1の波数範囲でラマン分光測定を行った。
このような結果が得られた理由は定かでは無いが、Li3Nと他の原料化合物とが劇的に反応してLi2Sを析出するためと考えられる。
実施例32の硫化物固体電解質は、比較例10とyの値が略同一であり、Li/Pも同一であるにも関わらず、Li2Sのピークが観測されなかった。
硫化物固体電解質では、Liの含有量が多い場合にLi2Sが析出する傾向があるところ、上記のような結果が得られたことから、実施例の硫化物固体電解質の製造方法では、Li2Sの析出が抑制されることが示唆された。
2 正極層
3 固体電解質層
4 負極基材層
5 負極合剤層
6 正極合剤層
7 正極基材層
10 全固体電池
Claims (42)
- 硫化物固体電解質の製造方法であって、
P、S、N、元素A、及び元素Mを含む組成物を準備することと、
上記組成物を反応させて中間体を得ることと、
上記中間体を加熱して硫化物固体電解質を得ることと、を備え、
上記組成物が、Nと元素Aと元素Mとを含有する原料化合物を含む、硫化物固体電解質の製造方法。
(Aは、Li、Na、Kからなる群より選択される少なくとも1つの元素を示す。Mは、Al、Ta、Si、Sc、Mg、Nb、B、Hf、C、P、Zr、Tiからなる群より選択される少なくとも1つの元素を示す。) - 元素Mの窒化物と元素Aの窒化物とを反応させて上記Nと元素Aと元素Mとを含有する原料化合物を得ることを備える、請求項1に記載の硫化物固体電解質の製造方法。
- 元素Mが、Al、Ta、Si、Sc、Mg、Nb、Bからなる群より選択される少なくとも1つの元素である、請求項1又は請求項2に記載の硫化物固体電解質の製造方法。
- 上記組成物が、硫化リチウム、硫化リン、並びに上記Nと元素Aと元素Mとを含有する原料化合物を含む、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の硫化物固体電解質の製造方法。
- 上記元素AがLiを含有し、
上記組成物におけるPに対するLiの含有割合がモル比で2.30以上4.20以下であり、
上記組成物におけるPに対するNの含有割合がモル比で0.0100以上1.20以下である、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の硫化物固体電解質の製造方法。 - 上記元素AがLiを含有し、
上記組成物におけるPに対するLiの含有割合がモル比で2.77以上3.38以下であり、
上記組成物におけるPに対するNの含有割合がモル比で0.280以上0.650以下である、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の硫化物固体電解質の製造方法。 - 上記組成物が元素Xを含有する、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の硫化物固体電解質の製造方法。
(Xは、Cl、Br、Iからなる群より選択される少なくとも1つの元素を示す。) - 上記組成物におけるPに対するLiの含有割合がモル比で3.10以上4.20以下であり、
上記組成物におけるPに対するNの含有割合がモル比で0.0600以上0.750以下であり、
上記組成物におけるPに対するXの含有割合がモル比で0.180以上1.30以下である、請求項7に記載の硫化物固体電解質の製造方法。 - 硫化物固体電解質の製造に用いる原料化合物の選択方法であって、
上記原料化合物の候補として、Nと元素A’と元素M’とを含有する候補材料を選定することと、
第一原理計算を用いて、上記候補材料の内部におけるNの欠陥生成エネルギーENdefectを算出することと、を備え、
上記ENdefectが、4.00eV以上である場合に、上記候補材料を上記原料化合物として選択する、硫化物固体電解質の製造に用いる原料化合物の選択方法。 - 上記ENdefectが4.10eV以上である場合に、上記候補材料を上記原料化合物として選択する、請求項9に記載の硫化物固体電解質の製造に用いる原料化合物の選択方法。
- 上記ENdefectが4.35eV以上である場合に、上記候補材料を上記原料化合物として選択する、請求項9又は請求項10に記載の原料化合物の選択方法。
- 硫化物固体電解質の製造方法であって、
請求項9から請求項11のいずれか1項に記載の硫化物固体電解質の製造に用いる原料化合物の選択方法により選択された原料化合物を含む組成物を準備することと、
上記組成物を反応させて中間体を得ることと、
上記中間体を加熱して硫化物固体電解質を得ることと、を備える硫化物固体電解質の製造方法。 - 構成元素として、P、S、N、元素A、元素X、及び元素Mを含有し、結晶構造を有する硫化物固体電解質。
(Aは、Li、Na、Kからなる群より選択される少なくとも1つの元素を示す。Xは、Cl、Br、Iからなる群より選択される少なくとも1つの元素を示す。Mは、Al、Ta、Si、Sc、Mg、Nb、B、Hf、C、Zr、Tiからなる群より選択される少なくとも1つの元素を示す。) - 元素Mが、Al、Ta、Si、Sc、Mg、Nb、Bからなる群より選択される少なくとも1つの元素である、請求項13に記載の硫化物固体電解質。
- 上記結晶構造が、CuKα線を用いるX線回折測定において2θ=20.2°±0.5°、23.6°±0.5°に回折ピークを有する、請求項13又は請求項14に記載の硫化物固体電解質。
- 上記元素AがLiを含有し、
Pに対するLiの含有割合がモル比で3.10超4.20未満であり、
Pに対するNの含有割合がモル比で0.0600超0.750未満であり、
Pに対するXの含有割合がモル比で0.180超1.30未満である、請求項13から請求項15のいずれか1項に記載の硫化物固体電解質。 - 上記元素AがLiを含有し、
Pに対するLiの含有割合がモル比で3.10超3.90未満であり、
Pに対するNの含有割合がモル比で0.0900超0.750未満であり、
Pに対するXの含有割合がモル比で0.180超1.00未満である、請求項13から請求項16のいずれか1項に記載の硫化物固体電解質。 - 上記元素XとしてBrを単独で含有する、請求項13から請求項17のいずれか1項に記載の硫化物固体電解質。
- 上記元素XとしてIを単独で含有する、請求項13から請求項17のいずれか1項に記載の硫化物固体電解質。
- 上記元素XとしてBrとIとを含有する、請求項13から請求項17のいずれか1項に記載の硫化物固体電解質。
- BrとIとの合計含有量に対するBrの含有量が1mol%以上99mol%以下である、請求項20に記載の硫化物固体電解質。
- 上記元素AがLiであり、
一般式(100-z){(1-y)[xLi 2 S・(1-x)P 2 S 5 ]・yLi α M β N}・zLiX(但し、0.50≦x≦0.80、0<y≦0.50、5≦z≦40、α及びβは元素Mの種類に応じて化学量論比を与える数値である)で表される組成を有する、請求項13から請求項15のいずれか1項に記載の硫化物固体電解質。 - 上記元素AがLiであり、
一般式(100-z){(1-y)[xLi 2 S・(1-x)P 2 S 5 ]・yLi α M β N}・zLiX(但し、0.67≦x≦0.73、0.10≦y≦0.30、10≦z≦30、α及びβは元素Mの種類に応じて化学量論比を与える数値である)で表される組成を有する、請求項13から請求項15及び請求項22のいずれか1項に記載の硫化物固体電解質。 - 上記元素AがLiであり、
上記元素Xとして2種類の元素X 1 及び元素X 2 を含み、
一般式(100-z 1 -z 2 ){(1-y)[xLi 2 S・(1-x)P 2 S 5 ]・yLi α M β N}・z 1 LiX 1 ・z 2 LiX 2 (但し、0.50≦x≦0.80、0<y≦0.50、5≦(z 1 +z 2 )≦40、α及びβは元素Mの種類に応じて化学量論比を与える数値である)で表される組成を有する、請求項13から請求項15のいずれか1項に記載の硫化物固体電解質。 - 上記元素AがLiであり、
上記元素Xとして2種類の元素X 1 及び元素X 2 を含み、
一般式(100-z 1 -z 2 ){(1-y)[xLi 2 S・(1-x)P 2 S 5 ]・yLi α M β N}・z 1 LiX 1 ・z 2 LiX 2 (但し、0.67≦x≦0.73、0.10≦y≦0.30、10≦(z 1 +z 2 )≦30、α及びβは元素Mの種類に応じて化学量論比を与える数値である)で表される組成を有する、請求項13から請求項15及び請求項24のいずれか1項に記載の硫化物固体電解質。 - CuKα線を用いるX線回折測定における2θ=20.2°±0.5°の回折ピーク強度I H に対する、2θ=21.0°±0.5°の回折ピーク強度I L の回折ピーク強度比I L /I H が0超3.2未満である、請求項13から請求項25のいずれか1項に記載の硫化物固体電解質。
- 上記回折ピーク強度比I L /I H が0超1.0未満である、請求項26に記載の硫化物固体電解質。
- P、S、N、元素A、及び元素Mを含み、結晶性を有する硫化物固体電解質。
(Aは、Li、Na、Kからなる群より選択される少なくとも1つの元素を示す。Mは、Al、Ta、Si、Sc、Mg、Nb、B、Hf、C、Zr、Tiからなる群より選択される少なくとも1つの元素を示す。) - 元素Mが、Al、Ta、Si、Sc、Mg、Nb、Bからなる群より選択される少なくとも1つの元素である、請求項28に記載の硫化物固体電解質。
- 上記元素AがLiを含有し、
Pに対するLiの含有割合がモル比で2.30以上4.20以下であり、
Pに対するNの含有割合がモル比で0.0100以上1.20以下である、請求項28又は請求項29に記載の硫化物固体電解質。 - 上記元素AがLiを含有し、
Pに対するLiの含有割合がモル比で2.36以上4.12以下であり、
Pに対するNの含有割合がモル比で0.0200以上1.11以下である、請求項28から請求項30のいずれか1項に記載の硫化物固体電解質。 - 上記元素AがLiを含有し、
Pに対するLiの含有割合がモル比で2.36以上4.00以下であり、
Pに対するNの含有割合がモル比で0.0600以上0.900以下である、請求項28から請求項31のいずれか1項に記載の硫化物固体電解質。 - 上記元素AがLiを含有し、
Pに対するLiの含有割合がモル比で2.60以上3.40以下であり、
Pに対するNの含有割合がモル比で0.190以上0.710以下である、請求項28から請求項32のいずれか1項に記載の硫化物固体電解質。 - 上記元素AがLiを含有し、
Pに対するLiの含有割合がモル比で2.77以上3.38以下であり、
Pに対するNの含有割合がモル比で0.280以上0.650以下である、請求項28から請求項33のいずれか1項に記載の硫化物固体電解質。 - 上記元素AがLiであり、
一般式(100-z)(yLi 2 S・(1-y)P 2 S 5 )・zLi α M β N(但し、0<z≦40、0.50≦y≦0.75、α及びβは、元素Mの種類に応じて、化学量論比を与える数値である)で表される組成を有する、請求項28又は請求項29に記載の硫化物固体電解質。 - 全アニオン構造に対するオルト組成のアニオン構造の含有量が50mol%以上100mol%未満である、請求項28から請求項35のいずれか1項に記載の硫化物固体電解質。
- 励起波長532nmのレーザーで測定したラマン分光スペクトルにおいて、PS 4 3- 構造由来の417cm -1 におけるピーク強度I O に対する、S 3 P-S-PS 3 構造由来の402cm -1 におけるピーク強度I P の比I P /I O が0.7以下である、請求項28から請求項36のいずれか1項に記載の硫化物固体電解質。
- CuKα線を用いるX線回折測定において、2θ=27.0±0.5°、31.2±0.5°、44.8±0.5°、53.1±0.5°に回折ピークを有する結晶構造を含まない、請求項28から請求項37のいずれか1項に記載の硫化物固体電解質。
- 請求項13から請求項38のいずれか1項に記載の硫化物固体電解質を含有する全固体電池。
- 請求項13から請求項38のいずれか1項に記載の硫化物固体電解質を含有する負極層を備える全固体電池。
- 請求項13から請求項38のいずれか1項に記載の硫化物固体電解質を含有する固体電解質層を備える全固体電池。
- 請求項13から請求項38のいずれか1項に記載の硫化物固体電解質を含有する正極層を備える全固体電池。
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