JP7524736B2 - 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 - Google Patents

Description

本開示は、基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体に関する。

半導体デバイスの製造工程においては、半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）について基板処理装置内の各種の処理モジュール間を搬送することで、液処理や加熱処理などの処理が行われる。ウエハはキャリアにより基板処理装置に搬送される。特許文献１には、当該キャリアに対してウエハを受け渡すキャリアブロックを備えた基板処理装置について示されている。このキャリアブロックでは、多数の基板の載置部からなる積層体を挟むように搬送機構が２つ設けられており、各搬送機構は、載置部間でのウエハの受け渡し用の保持部と、キャリアに対してのウエハの受け渡し用の保持部と、を備える。

特開２０１３－６９９１６号公報

本開示は、基板処理装置におけるスループットを高くすると共に、専有床面積を抑えることができる技術を提供する。

本開示の基板処理装置は、基板を格納するキャリアが載置されるキャリア載置部を備えるキャリアブロックと、
前記基板を各々処理し、互いに積層されて設けられる複数の処理モジュールと、前記複数の処理モジュールに共用されて前記基板を搬送する主搬送機構と、を備え、前記キャリア載置部に対して平面視、左右の一方に設けられる一の処理ブロックと、
前記基板を各々処理し、互いに積層されて設けられる複数の処理モジュールと、前記複数の処理モジュールに共用されて前記基板を搬送する主搬送機構と、を備え、前記一の処理ブロックに対して縦方向に重なる他の処理ブロックと、
平面視、前記キャリア載置部と、前記一の処理ブロック及び前記他の処理ブロックとの間に介在するように、前記キャリアブロックに設けられる前記基板の搬送領域と、
前記キャリアに対して前記基板を受け渡すために前記搬送領域に設けられる第１の搬送機構と、
前記第１の搬送機構、前記一の処理ブロックの主搬送機構、前記他の処理ブロックの主搬送機構によって夫々前記基板が受け渡される第１の載置部、第２の載置部、第３の載置部が互いに縦方向に重なって構成されると共に、平面視、前記第１の搬送機構に対して前後の一方側に設けられる載置部の積層体と、
平面視、前記第１の搬送機構と共に前記積層体を前後から挟むように前記搬送領域に設けられ、前記第１の載置部と前記第２の載置部との間、前記第１の載置部と前記第３の載置部との間で夫々前記基板を搬送するための第２の搬送機構と、
を備える。

本開示は、基板処理装置におけるスループットを高くすると共に、専有床面積を抑えることができる。

本開示の基板処理装置の一実施形態に係る塗布、現像装置の横断平面図である。 前記塗布、現像装置の縦断正面図である。 前記塗布、現像装置の縦断正面図である。 前記塗布、現像装置の左側面図である。 前記塗布、現像装置の縦断側面図である。 前記塗布、現像装置に設けられる搬送機構の動作を示す説明図である。 前記塗布、現像装置に設けられる搬送機構の動作を示す説明図である。 前記塗布、現像装置に設けられる搬送機構の動作を示す説明図である。 前記塗布、現像装置における搬送経路の概略図である。 前記塗布、現像装置における搬送経路の概略図である。 前記塗布、現像装置に形成される気流を示す模式図である。 基板処理装置におけるウエハの搬送経路を示す模式図である。

本開示の基板処理装置の一実施形態に係る塗布、現像装置１について、図１の横断平面図、図２、図３の縦断正面図を夫々参照して説明する。図２、図３については装置の異なる位置の断面を示している。塗布、現像装置１は、キャリアブロックＤ１と、第１の処理ブロックＤ２と、第２の処理ブロックＤ３と、インターフェイスブロックＤ４と、がこの順で横方向に直線状に配列され、隣り合うブロック同士が互いに接続されている。これらのブロック（キャリアブロック、第１及び第２の処理ブロック、インターフェイスブロック）Ｄ１～Ｄ４は各々筐体を備えて互いに区画されており、各筐体の内部に基板であるウエハＷの搬送領域が形成されている。

以降の説明にあたり、これらブロックＤ１～Ｄ４の配列方向を左右方向とし、キャリアブロックＤ１側を左側、インターフェイスブロックＤ４を右側とする。また、装置の前後方向について、キャリアブロックＤ１を左に見たときの手前を前方、奥を後方とする。中継ブロックであるインターフェイスブロックＤ４には、右側から露光機２０が接続されている。

ブロックＤ１～Ｄ４の各々について詳細に説明する前に、塗布、現像装置１の概略構成を述べる。塗布、現像装置１には、例えばＦＯＵＰ（Front Opening Unify Pod）と呼ばれるキャリアＣに格納された状態でウエハＷが搬送される。塗布、現像装置１は、レジストを含む各種の塗布液をウエハＷに供給することによる塗布膜の形成と、露光機２０によって露光されたレジスト膜の現像と、を行う。

第１の処理ブロック（左側の処理ブロック）Ｄ２及び第２の処理ブロック（右側の処理ブロック）Ｄ３は、各々縦方向において２分割されるように区画されている。そのように互いに区画された第１の処理ブロックＤ２の下側、上側を夫々第１の下側処理ブロックＤ２１、第１の上側処理ブロックＤ２２とする。また、互いに区画された第２の処理ブロックＤ３の下側、上側を夫々第２の下側処理ブロックＤ３１、第２の上側処理ブロックＤ３２とする。従って、第１の下側処理ブロックＤ２１及び第１の上側処理ブロックＤ２２は互いに積層され、第２の下側処理ブロックＤ３１及び第２の上側処理ブロックＤ３２は互いに積層される。そして、第１の下側処理ブロックＤ２１及び第１の上側処理ブロックＤ２２が互いに隣接し、第２の下側処理ブロックＤ３１及び第２の上側処理ブロックＤ３２が互いに隣接する。

これらの処理ブロック（Ｄ２１、Ｄ２２、Ｄ３１、Ｄ３２）の各々が上記の処理モジュールと、処理モジュールに対する受け渡しが可能な搬送機構（主搬送機構）と、を備える。さらに、第１の上側処理ブロックＤ２２及び第２の上側処理ブロックＤ３２には、そのように処理モジュールへ受け渡す搬送機構とは別の搬送機構が各々設けられる。当該別の搬送機構について、以降はシャトルとして記載する。このシャトルは、処理モジュールを経由しないようにウエハＷを下流側のブロックに向けて搬送するバイパス搬送機構であり、当該シャトルが設けられる第１の上側処理ブロックＤ２２及び第２の上側処理ブロックＤ３２は、バイパス搬送路形成ブロックである。

第１の下側処理ブロックＤ２１及び第２の下側処理ブロックＤ３１は、キャリアブロックＤ１からインターフェイスブロックＤ４へ向けてウエハＷを搬送する往路を形成する。そして、第１の上側処理ブロックＤ２２及び第２の上側処理ブロックＤ３２については、露光機２０にて露光済みのウエハＷを、インターフェイスブロックＤ４からキャリアブロックＤ１へ向けて搬送する復路を形成し、互いに同じ処理を行えるように同じ種類の処理モジュールが設けられる。当該復路においてウエハＷは、第１の上側処理ブロックＤ２２及び第２の上側処理ブロックＤ３２のうちの一方のブロックにおける搬送機構によって処理モジュールへ搬送されて処理を受け、他方のブロックではシャトルによって搬送される。

上記の往路をなす第１の下側処理ブロックＤ２１及び第２の下側処理ブロックＤ３１についてまとめて下側処理ブロックＧ１、復路をなす第１の上側処理ブロックＤ２２及び第２の上側処理ブロックＤ３２についてまとめて上側処理ブロックＧ２として記載する場合がある。これまで述べてきたように下側処理ブロックＧ１、上側処理ブロックＧ２は互いに縦方向に重なる関係となっている。そして、上記のようにシャトルが設けられることにより、上側処理ブロックＧ２ではウエハＷは２つの搬送経路のうちのいずれかの経路で搬送される。なおモジュールとは搬送機構（シャトルを含む）以外でのウエハＷが載置される場所、即ちウエハＷの載置部である。ウエハＷに処理を行うモジュールを、上記のように処理モジュールとして記載するが、この処理としては検査のために画像を取得することも含む。

以下、キャリアブロックＤ１について、図４の側面図も参照しながら説明する。塗布、現像装置１が設置されるクリーンルーム内に設けられる図示しないキャリア用の搬送機構（外部搬送機構）によって、当該キャリアブロックＤ１に対してキャリアＣが搬入出される。キャリアブロックＤ１は当該キャリアＣに対してウエハＷの搬入出を行うと共に、上側処理ブロックＧ２、下側処理ブロックＧ１に対してウエハＷを受け渡すブロックである。

キャリアブロックＤ１を構成する既述の筐体を１１とする。当該筐体１１は角型に形成されており、その下部側は左方へと突出して支持台１２を形成している。また支持台１２の上側における筐体１１の左側面について、縦方向に互いに離間した２箇所が左方に突出し、各々支持台１３、１４を形成している。下方側の支持台、上方側の支持台を夫々１３、１４とする。

支持台１２～１４については例えば４つずつ、前後方向に間隔を空けてキャリアＣを載置することが可能であり、そのように各々キャリアＣを載置するステージが設けられており、当該ステージについては左方から見て、例えば３×４の行列状に配置される。なお、支持台１２の左端部は支持台１３、１４よりも左方側に突出しており、支持台１２におけるステージは当該支持台１２の右側で、支持台１３、１４の下方位置に設けられている。支持台１２の内部は、既述のように第１の処理ブロックＤ２及び第２の処理ブロックＤ３における液処理用の処理液が貯留されたボトルが格納される領域とされる。

後述するキャリア移載機構２１により、各ステージ間でのキャリアＣの移載が可能である。この各ステージについて述べると、支持台１３、１４の各々の前方側の２つのステージは、装置に対してウエハＷの搬入出を行うためにキャリアＣが載置される移動ステージ１５として構成されている。従って、計４つの移動ステージ１５は、左方から見て２×２の行列状に配置されている。当該移動ステージ１５は、上記のウエハＷの搬入出を行うための右方側のロード位置と、キャリア移載機構２１との間でキャリアＣの受け渡しを行うための左方側のアンロード位置との間で移動する。本例では、支持台１２の移動ステージ１５は装置内へ未処理のウエハＷを払い出すためにキャリアＣを載置するステージ、支持台１３の移動ステージ１５は装置にて処理済みのウエハＷを格納するためにキャリアＣを載置するステージとして、用途が区別される。

他のステージについて述べると、支持台１３、１４における後側の２つのステージ及び支持台１４における２つのステージは仮置きステージ１６として構成されている。また、支持台１４における他の２つのステージは搬入ステージ１７、搬出ステージ１８として構成されている。例えば、支持台１４の後端側のステージ、前端側のステージが夫々、搬入ステージ１７、搬出ステージ１８である。これらの搬入ステージ１７、搬出ステージ１８は、既述した外部搬送機構が当該塗布、現像装置１に対してキャリアＣの搬入、搬出を夫々行うために当該キャリアＣが載置されるステージである。

キャリアＣは、搬入ステージ１７→支持台１２の移動ステージ１５→支持台１３の移動ステージ１５→搬出ステージ１８の順で移載される。このように各ステージ間でキャリアＣを移載するにあたり、移載先のステージが空いてなければ（他のキャリアＣにより占有されていれば）、当該キャリアＣは当該移載先のステージが空くまで、仮置きステージ１６に載置されて待機する。

支持台１２の左側の上方には、キャリア移載機構２１が設けられる。キャリア移載機構２１は、キャリアＣの上部に設けられた被保持部を保持することができる多関節アーム２２と、当該多関節アーム２２を昇降移動及び前後移動させることができる移動機構２３と、を備え、既述したようにステージ間でキャリアＣを移載することができる。

筐体１１の左側壁には、ウエハＷの搬入出を行うための搬送口２４が４つ形成されており、上記の移動ステージ１５の配置に合わせて２×２の行列状に形成されている。各搬送口２４にはドア２５が設けられている。当該ドア２５は上記のロード位置における移動ステージ１５上のキャリアＣの蓋を保持可能であると共に、当該蓋を保持した状態で移動して搬送口２４を開閉可能である。

上記の搬送口２４は、筐体１１内に形成されるウエハＷの搬送領域３１に面している。当該搬送領域３１は、平面視、前後に長い直線状に形成されており、平面視、キャリア載置部である移動ステージ１５と、第１の処理ブロックＧ２との間に介在して設けられている。当該搬送領域３１の前方側（前後の他方側）には、搬送機構３２が設けられている。当該搬送機構３２は前後移動自在、昇降自在、且つ鉛直軸まわりに回動自在な基台と、基台上を進退自在なウエハＷの保持部と、を備える。第１の搬送機構である当該搬送機構３２は、既述のロード位置における移動ステージ１５上のキャリアＣと、後述のモジュール積層体Ｔ１及び処理前検査モジュール４１と、にアクセスしてウエハＷの受け渡しを行うことができる。

キャリアブロックＤ１には第３の処理モジュールである処理前検査モジュール４１が設けられており、当該処理前検査モジュール４１は、塗布、現像装置１による処理前のウエハＷの表面を撮像する。その撮像により得られた画像データが後述の制御部１０に送信され、当該制御部１０により当該画像データに基づいてウエハＷの異常の有無の判定が行われる。処理前検査モジュール４１は左右に細長で扁平な直方体形状の筐体を備えており、右側が搬送領域３１の前後の中央部に位置し、左側は筐体１１の左側壁を貫き、当該筐体１１の外側に突出している。

処理前検査モジュール４１の筐体内には、当該モジュール内を左右で移動自在なステージ４２と、ステージ４２の移動路の上方に設けられたハーフミラー４３と、ハーフミラー４３を介して下方に光を照射する照明部４４と、ハーフミラー４３の左方に設けられたカメラ４５と、が設けられる（図３参照）。筐体内の右側に位置するステージ４２に対して搬送機構３２によりウエハＷが受け渡される。そのようにウエハＷが受け渡されたステージ４２が筐体内の左側へ移動してハーフミラー４３の下方を通過中に、照明部４４により光が照射されると共に、カメラ４５によるハーフミラー４３に映ったウエハＷの撮像が行われ、上記の画像データが取得される。

そして、図１に示すように搬送領域３１において、平面視、処理前検査モジュール４１の後方に位置するように第２の搬送機構である搬送機構３３が設けられている。当該搬送機構３３は、昇降自在、且つ鉛直軸まわりに回動自在な基台と、基台上を進退自在なウエハＷの保持部と、を備え、後述のモジュール積層体Ｔ１及び第１の上側処理ブロックＤ２２のシャトル用のＴＲＳ１２に対して、ウエハＷを受け渡し可能である。

続いて、モジュール積層体Ｔ１について説明する。このモジュール積層体Ｔ１は、ウエハＷを各々仮置きする受け渡しモジュールＴＲＳと、温度調整モジュールＳＣＰＬと、が縦方向に重なることで構成されており、搬送領域３１の前後の中央部に設けられている。従ってモジュール積層体Ｔ１は、平面視、搬送機構３２の後方に位置すると共に、搬送機構３２、３３により前後から挟まれるように位置しており、且つ処理前検査モジュール４１の右側に重なっている。そのため、処理前検査モジュール４１は平面視、積層体Ｔ１に重なる位置から左方へ延伸されるように構成されている。また、既述したキャリアＣ用のステージについて、移動ステージ１５を含む前方側の縦２列のステージはモジュール積層体Ｔ１よりも前方側に配置されている。そして後方側の縦２列のステージについて、１つの列はモジュール積層体Ｔ１の左方に位置し、他の１つの列はモジュール積層体Ｔ１よりも後方に位置している。

受け渡しモジュールＴＲＳについては、例えば横方向に並んだ複数のピンを備え、搬送機構の昇降動作によって当該ピンに対してウエハＷが受け渡される。ＳＣＰＬについては例えばウエハＷが載置されるプレートに冷媒流路が接続されることで仮置きされたウエハＷが冷却される構成とされており、搬送機構の昇降動作によって当該プレートに対してウエハＷが受け渡される。なお、ＳＣＰＬはキャリアブロックＤ１以外のブロックにも設けられており、Ｄ１以外のブロックのＳＣＰＬについても、例えばキャリアブロックＤ１のＳＣＰＬと同様の構成である。そしてＴＲＳについてもＤ１以外のブロックにも設けられている。それらのＴＲＳについては、後述のシャトルとの間でウエハＷを受け渡すシャトル用のＴＲＳ以外はキャリアブロックＤ１のＴＲＳと同様の構成である。

以降は仮置きモジュールである各所のＳＣＰＬ、ＴＲＳを互いに区別するために、ＳＣＰＬ、ＴＲＳの後に数字を付して示す。そして、各所のＴＲＳ、ＳＣＰＬは例えば複数、積層されて設けられる。つまり同じ数字を付すＴＲＳ、ＳＣＰＬについて各々複数ずつ設けられるが、図示の便宜上、一つのみ表示する。なお、本明細書においてモジュールの積層体とは平面視、重なって設けられるモジュールのことを意味するものであり、モジュール同士が互いに離れていてもよいし、接していてもよい。

モジュール積層体Ｔ１を構成するモジュールの一部は、処理前検査モジュール４１の下側に、他の一部は処理前検査モジュール４１の上側に夫々設けられている。例えば下側から上側に向けてＴＲＳ１、ＴＲＳ２、ＳＣＰＬ１、ＴＲＳ３、ＳＣＰＬ２の順で設けられており、ＳＣＰＬ１とＴＲＳ３との間に処理前検査モジュール４１が位置している（図３参照）。そして、例えばＴＲＳ１、ＴＲＳ２、ＳＣＰＬ１については、第１の下側処理ブロックＤ２１の高さに各々位置し、ＴＲＳ３、ＳＣＰＬ２については、第１の上側処理ブロックＤ２２の高さに各々位置している。搬送機構３３はこれらのモジュール積層体Ｔ１を構成する各モジュールにアクセスすることが可能であり、搬送機構３２は、ＴＲＳ１、ＴＲＳ２にアクセスすることが可能である。なお、キャリアＣに対するウエハＷの受け渡し及びモジュール積層体Ｔ１のモジュール間での受け渡しについて、搬送機構３２がキャリアＣに対する受け渡し専用であり、搬送機構３３が当モジュール積層体Ｔ１のモジュール間での受け渡し専用となっている。

ＴＲＳ１、ＴＲＳ２は、搬送機構３２、３３間でのウエハＷの受け渡しに用いられ、共にキャリアＣに対してのウエハＷの受け渡しに用いられる第１の載置部なす。ＳＣＰＬ１は、第１の下側処理ブロックＤ２１とキャリアブロックＤ１との間でのウエハＷの受け渡しに用いられる。従って、第２の載置部であるＳＣＰＬ１には、後述する第１の下側処理ブロックＤ２１の搬送機構６Ａもアクセス可能である。また、第３の載置部であるＴＲＳ３は、第１の上側処理ブロックＤ２２とキャリアブロックＤ１との間でのウエハＷの受け渡しに用いられる。従ってＴＲＳ３には、後述の第１の上側処理ブロックＤ２２の搬送機構６Ｂもアクセス可能である。ＳＣＰＬ２については、第１の上側処理ブロックＤ２２にて現像処理を受ける前のウエハＷの温度調整を行うためのモジュールであり、搬送機構６Ｂがアクセスする。

搬送機構３３の後方側（前後の一方側）には、塗布膜の形成前にウエハＷに処理ガスを供給して疎水化処理を行う第４の処理モジュールである疎水化処理モジュール３０が設けられている。例えば、疎水化処理モジュール３０は第２の上側処理ブロックＤ２２の高さに複数積層されて設けられており、搬送機構３３により当該疎水化処理モジュール３０に対してウエハＷの受け渡しが行われる。疎水化処理モジュール３０は、後述する加熱モジュール５４に設けられる熱板５５と同様にウエハＷを載置する熱板と、当該熱板を覆う昇降自在なカバーとを含み、当該カバーによって形成される熱板上の密閉空間に処理ガスが供給されることで、ウエハＷに疎水化処理が行われる。

続いて、第１の処理ブロックＤ２について、縦断側面図である図５も参照して説明する。第１の処理ブロックＤ２の前方側は縦方向において区画されることで８つの階層が形成されており、各階層について下側から上側に向けてＥ１～Ｅ８とする。下側のＥ１～Ｅ４の階層が第１の下側処理ブロックＤ２１に、上側のＥ５～Ｅ８の階層が第１の上側処理ブロックＤ２２に夫々含まれる。各階層は、液処理モジュールを設置可能な領域をなす。

先ず、第１の上側処理ブロックＤ２２について説明する。階層Ｅ５～Ｅ８には液処理モジュールとして、現像モジュール５１が各々設けられている。現像モジュール５１は、左右に並ぶと共にウエハＷを各々収納する２つのカップ５２と、ノズル（不図示）と、を備えており、図示しないポンプによって上記のボトルから供給される現像液をウエハＷの表面に供給して処理を行う。

階層Ｅ５～Ｅ８の後方側にはウエハＷの搬送領域５３が設けられており、上側処理ブロックＤ２２の左端から右端に亘って、平面視直線状に形成されている。従って、搬送領域５３の伸長方向は、キャリアブロックＤ１の搬送領域３１の伸長方向に直交している。なお、搬送領域５３は階層Ｅ５の高さから階層Ｅ８の高さに亘って形成されている。つまり、搬送領域５３は、階層Ｅ５～Ｅ８毎に区画されていない。

そして搬送領域５３の後方には、処理モジュールが例えば縦方向に７段に積層されて設けられており、その処理モジュールの積層体が２つ、左右に並んで配列されている。即ち、この処理モジュールの積層体及び上記のカップ５２の各々は、搬送領域５３の伸長方向に沿って設けられている。

上記の左右に並んだ処理モジュールの積層体を後部側処理部５０とする。この後部側処理部５０を構成する処理モジュールとして、複数の加熱モジュール５４及び複数の処理後検査モジュール５７が含まれる。加熱モジュール５４は露光後の加熱（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）を行うモジュールであり、ウエハＷを載置して加熱する熱板５５と、ウエハＷの温度調整を行う冷却プレート５６と、を備えている。冷却プレート５６は、後述の搬送機構６Ｂの昇降動作によりウエハＷが受け渡される前方位置と、熱板５５に重なる後方位置との間を移動可能である。熱板５５が備える図示しないピンの昇降動作と、冷却プレート５６の当該移動との協働により、熱板５５と冷却プレート５６との間でウエハＷが受け渡される。

処理後検査モジュール５７は処理前検査モジュール４１と同様の構成であり、撮像時におけるウエハＷの移動方向が前後方向となるように配置される。この処理後検査モジュール５７は、塗布、現像装置１により処理済みのウエハＷの表面、より具体的には現像によりレジストパターンが形成されたウエハＷの表面の画像データを取得して、制御部１０に送信する。

主搬送路である搬送領域５３には既述した主搬送機構である搬送機構６Ｂが設けられており、搬送機構６Ｂは左右移動自在、昇降自在、且つ鉛直軸まわりに回動自在な基台６１と、基台６１上を進退自在なウエハＷの保持部６２と、を備える。なお、この搬送機構６Ｂを含む塗布、現像装置１内におけるシャトル以外の各搬送機構の保持部は２つずつ設けられ、基台上を互いに独立して進退可能である。

上記の搬送機構６Ｂの基台６１を左右移動させるための移動機構６３が後部側処理部５０の下方に設けられており、当該移動機構６３と後部側処理部５０との間には扁平なスペース７１Ａが形成されている（図５参照）。スペース７１Ａは、第１の上側処理ブロックＤ２２の左端から右端に亘って形成されている。そして、シャトル及び当該シャトル用のＴＲＳ１２、ＴＲＳ１４が当該スペース７１Ａに設置されているが、これらについては後に詳述する。上記の搬送機構６Ｂは、第１の上側処理ブロックＤ２２内の各処理モジュール、上記のキャリアブロックＤ１のＴＲＳ３及びＳＣＰＬ２、シャトル用のＴＲＳ１４に対してウエハＷの受け渡しを行うことができる。つまり、積層された複数の階層に設けられる各液処理モジュール、後部側処理部５０を構成する各処理モジュールに対して、搬送機構６Ｂは共用される。

続いて、第１の下側処理ブロックＤ２１について説明する。当該第１の下側処理ブロックＤ２１は、既述の第１の上側処理ブロックＤ２２と概ね同様の構成であり、以下、第１の上側処理ブロックＤ２２との差異点を中心に説明する。階層Ｅ１には処理モジュールは設けられておらず、階層Ｅ２～Ｅ４に液処理モジュールとして反射防止膜形成モジュール４７が設けられている。第１の処理モジュールであり且つ塗布膜形成モジュールである反射防止膜形成モジュール４７は、ノズルから現像液の代わりに反射防止膜形成用の塗布液を供給することを除いて、第２の処理モジュールである現像モジュール５１と同様の構成である。

そして後部側処理部５０は加熱モジュール５４により構成されている。ただし、この第１の下側処理ブロックＤ２１及び後述の第２の下側処理ブロックＤ３２に設けられる加熱モジュール５４は、第１の上側処理ブロックＤ２２の加熱モジュール５４とは異なり、塗布膜中の溶剤除去用である。搬送領域５３に設けられる主搬送機構については搬送機構６Ａとして示しており、既述の搬送機構６Ｂと同様の構成である。当該搬送機構６Ａは、第１の下側処理ブロックＤ２１の各処理モジュール、上記のモジュール積層体Ｔ１のＳＣＰＬ１、後述するモジュール積層体Ｔ２に対してウエハＷを受け渡す。なお、第１の下側処理ブロックＤ２１にはシャトル及びシャトル用のＴＲＳが設けられていない。

ところで、第１の処理ブロックＤ２にはモジュール積層体Ｔ２が設けられている（図１、図３参照）。このモジュール積層体Ｔ２は、第１の下側処理ブロックＤ２１の搬送領域５３の右側、第２の上側処理ブロックＤ２２の搬送領域の右側に設けられ、ＳＣＰＬにより構成されている。第１の下側処理ブロックＤ２１の当該ＳＣＰＬをＳＣＰＬ３、第１の上側処理ブロックＤ２２の当該ＳＣＰＬをＳＣＰＬ４として示している。なお、モジュール積層体Ｔ２はその右端部が若干、第２の処理ブロックＤ３に進入するように設けられている。ＳＣＰＬ３は、後述の第２の下側処理ブロックＤ２２のレジスト膜形成モジュールでの処理前のウエハＷの温度調整用、ＳＣＰＬ４は後述の第２の上側処理ブロックＤ２２の現像モジュール５１での処理前のウエハＷの温度調整用である。

第１の上側処理ブロックＤ２２及び第１の下側処理ブロックＤ２１におけるモジュールのレイアウトについて補足しておくと、後部側処理部５０、液処理モジュールのカップ５２の各々については、搬送機構６Ａ、６Ｂによる受け渡しが可能であるように、モジュール積層体Ｔ２よりも左側に位置する。液処理モジュール及び後部側処理部５０のレイアウトについては、第１及び第２の下側処理ブロックＤ２１、Ｄ３１、第１及び第２の上側処理ブロックＤ２２、Ｄ３２間で共通である。従って、後述する第２の下側処理ブロックＤ３１及び第２の上側処理ブロックＤ３２についても、後部側処理部５０及び液処理モジュールのカップ５２は、ブロックの右端部から離れた位置に設けられている。

続いて、第２の処理ブロックＤ３について説明する。当該第２の処理ブロックＤ３は、上記のモジュール積層体Ｔ２が設けられないことを除いて、第１の処理ブロックＤ２と略同様の構成であり、以下、第１の処理ブロックＤ２との差異点を中心に説明する。先ず、第２の上側処理ブロックＤ３２について述べる。この第２の上側処理ブロックＤ３２における主搬送機構を６Ｄとする。この搬送機構６Ｄを移動させる移動機構６３と後部側処理部５０との間にも、第１の上側処理ブロックＤ２２のスペース７１Ａと同様のスペース７１Ｂが形成されている。スペース７１Ｂはスペース７１Ａと同じ高さに位置し、当該スペース７１Ａに連通している。スペース７１Ｂには、シャトル及びシャトル用のＴＲＳ１１、ＴＲＳ１３が設置されているが、これらについては後述する。上記の搬送機構６Ｄは、上側処理ブロックＤ２２内の各処理モジュール、後述のインターフェイスブロックＤ４のモジュール積層体Ｔ３、シャトル用のＴＲＳ１１に対してウエハＷの受け渡しを行う。

続いて、第２の下側処理ブロックＤ３１について説明する。階層Ｅ２～Ｅ４にレジスト膜形成モジュール４９が設けられている。当該レジスト膜形成モジュール４９は、ウエハＷに供給する処理液が現像液の代わりにレジストであることを除いて、現像モジュール５１と同様の構成である。また、後部側処理部５０については、第１の下側処理ブロックＤ２１の後部側処理部５０と同様の構成である。そして、第２の下側処理ブロックＤ３１における主搬送機構を搬送機構６Ｃとする。当該搬送機構６Ｃは、下側処理ブロックＤ２１内の各処理モジュール、インターフェイスブロックＤ４のモジュール積層体Ｔ３に対してウエハＷの受け渡しを行う。

以降はインターフェイスブロックＤ４について説明する。インターフェイスブロックＤ４は、前後の中央部にモジュール積層体Ｔ３を備える。このモジュール積層体Ｔ３は、互いに積層されたＴＲＳ５～ＴＲＳ７、温度調整モジュールＩＣＰＬにより構成されている。なお、これらのモジュールの他に例えばウエハＷを一時待機させるバッファモジュールなどが設けられるが、説明は省略する。ＩＣＰＬは露光の直前にウエハＷが搬送されるモジュールであり、モジュール積層体Ｔ３の下部側に設けられ、ＳＣＰＬと同様に載置されたウエハＷの温度を調整する。ＴＲＳ５、ＴＲＳ６は下側処理ブロックＧ１の高さに、ＴＲＳ７は上側処理ブロックＧ２の高さに夫々設けられている。モジュール積層体Ｔ３の前方、後方、右方には夫々搬送機構３６、３７、３８が設けられている。

搬送機構３６、３７は、搬送機構３３と同様に構成され、モジュール積層体Ｔ３を構成する各モジュール間でウエハＷを搬送可能である。なお、搬送機構３６は、後述の裏面洗浄モジュール６５にもウエハＷを搬送可能であり、搬送機構３７は、シャトル用のＴＲＳ１３、後述の露光後洗浄モジュール６６にもウエハＷを搬送可能である。搬送機構３８は、搬送機構３２と同様に構成され、ＩＣＰＬとＴＲＳ６と露光機２０との間でウエハＷを搬送する。

また、搬送機構３６の前方には裏面洗浄モジュール６５が複数、積層されて設けられる。裏面洗浄モジュール６５は、ウエハＷの表面に現像液を供給するノズルが設けられる代わりにウエハＷの裏面に洗浄液を供給するノズルが設けられること、カップ５２が１つであることを除いて、現像モジュール５１と同様の構成である。搬送機構３７の後方には露光後洗浄モジュール６６が複数、積層されて設けられる。露光後洗浄モジュール６６は、ウエハＷの表面に現像液を供給する代わりにウエハＷの表面に洗浄液を供給すること、カップ５２が１つであることを除いて、現像モジュール５１と同様の構成である。

続いて、第１の上側処理ブロックＤ２２、第２の上側処理ブロックＤ３２に設けられるシャトルについて、夫々７Ａ、７Ｂとして説明する。シャトル７Ａは、移動機構７２Ａと、移動体７３Ａと、支持体７４Ａと、を備えている。移動機構７２Ａは左右に伸びる長尺な部材として構成されると共に、既述した第１の上側処理ブロックＤ２２のスペース７１Ａに収まるように設けられている。移動体７３Ａは移動機構７２Ａに対して前方側に接続されており、左右に伸長している。支持体７４Ａは移動体７３Ａに対して前方側に接続されており、左右に細長の直方体状に形成されている。この支持体７４Ａ上にウエハＷが支持されて、水平な直線状且つ左右方向に沿って搬送される。

移動機構７２Ａにより、移動体７３Ａが当該移動機構７２Ａに対して左右に移動自在である。そして、この移動機構７２Ａに対する移動体７３Ａの移動に応じて、移動体７３Ａに対して支持体７４Ａが左右に移動する（図６～図８参照）。移動体７３Ａは、その右端が移動機構７２Ａの右端よりも右側（インターフェイスブロックＤ４側）に位置する右位置と、その左端が移動機構７２Ａの左端よりも左側（キャリアブロックＤ１側）に位置する左位置と、の間で移動する。移動体７３Ａが上記の右位置に位置するとき、支持体７４Ａの右端が移動体７３Ａの右端よりも右側に位置する状態（図６に示す状態）となる。当該状態の支持体７４Ａの位置を右搬送位置とする。移動体７３Ａが上記の左位置に位置するとき、支持体７４Ａの左端が移動体７３Ａの左端よりも左側に位置する状態（図８に示す状態）となる。当該状態の支持体７４Ａの位置を左搬送位置とする。

シャトル７Ａは、第２の上側処理ブロックＤ３２に設けられるＴＲＳ１１から第１の上側処理ブロックＤ２２に設けられるＴＲＳ１２（第４の載置部）に向けてウエハＷを搬送する。ＴＲＳ１１は、平面視左側が開放される凹部をなすように形成された載置部本体をなす支持板７５と、当該支持板７５から上側に突出する３本のピン７６と、支持板７５を昇降させる昇降機構（不図示）と、を備え、例えば第２の上側処理ブロックＤ３２の左端部に位置する。昇降機構は、例えばシリンダーやモーター等のアクチュエータでよく、各支持板７５の裏側（下側）に接続され、移動体７３Ａや支持体７４Ａの移動軌道と干渉しない位置に設けられている。支持板７５の昇降により、ピン７６は上昇位置と下降位置との間で移動し、ウエハＷの下面を支持する。上記の右搬送位置における支持体７４Ａの右端部は、平面視、支持板７５がなす上記の凹部に収まった状態となり、ピン７６の昇降により、支持体７４ＡとＴＲＳ１１との間でウエハＷを受け渡すことができる。

ＴＲＳ１２については、支持板７５が平面視右側が開放される凹部をなすように形成されることを除き、ＴＲＳ１１と同様の構成である。そして、上記の左搬送位置における支持体７４Ａの左端部は、平面視、支持板７５がなす上記の凹部に収まった状態となり、支持体７４ＡとＴＲＳ１２との間でウエハＷを受け渡すことができる。ＴＲＳ１２は、キャリアブロックＤ１の搬送機構３３との間でもウエハＷを受け渡せるように、第１の上側処理ブロックＤ２２の左端部に設けられる。支持体７４に支持された基板（ウエハＷ）の搬送は、前に述べたことから、移動体７３Ａと支持体７４Ａのように前後方向に設けられた複数の部材が、互いの相対的な左右方向の位置を変えながら行われると言える。そのように基板が搬送されることで、支持体７４Ａに対して左右方向夫々に位置するＴＲＳ１１、ＴＲＳ１２は移動体７３Ａと干渉し難くなり、基板を容易に支持可能な３箇所以上の位置にピン７６を配置することが可能になっている。

第２のバイパス搬送機構であるシャトル７Ｂについては、シャトル７Ａとは異なる高さに設けられ、例えばシャトル７Ａよりも下方に位置している。シャトル７Ｂは、シャトル７Ａと同様に構成されており、シャトル７Ｂの構成部材である移動機構、移動体、支持体の各符号は、シャトル７Ａの構成部材と区別するために、数字の後のＡの代わりにＢを付して示す。具体的には、例えばシャトル７Ｂの移動機構は７２Ｂとして示す。そして、この移動機構７２Ｂは、第２の上側処理ブロックＤ３２のスペース７１Ｂに収まるように設けられる。

シャトル７Ｂは、第２の上側処理ブロックＤ３２に設けられるＴＲＳ１３から第１の上側処理ブロックＤ２２に設けられるＴＲＳ１４に向けてウエハＷを搬送する。ＴＲＳ１３はＴＲＳ１１と同様の構成であり、インターフェイスブロックＤ４との間でもウエハＷを受け渡せるように、第２の上側処理ブロックＤ３２の右端部に設けられている。ＴＲＳ１４はＴＲＳ１２と同様の構成であり、搬送機構６Ｂとの間でウエハＷの受け渡しが行えるようにモジュール積層体Ｔ２よりも左側に設けられており、ＴＲＳ１２よりは右側に位置する。

上記のようにシャトル７Ｂはシャトル７Ａの下方に設けられているので、第２のバイパス用基板載置部であるＴＲＳ１３及びＴＲＳ１４が位置する高さは、第１のバイパス用基板載置部であるＴＲＳ１１及びＴＲＳ１２が位置する高さよりも低い。つまり、図２に示すように、シャトル７Ａ、ＴＲＳ１１及びＴＲＳ１２の組、シャトル７Ｂ、ＴＲＳ１３、ＴＲＳ１４の組は、縦方向（垂直方向）において互いにずれた位置に設けられている。

そして、シャトル７ＡによるウエハＷの搬送路（第１のバイパス搬送路）、シャトル７ＢによるウエハＷの搬送路（第２のバイパス搬送路）を夫々７７Ａ、７７Ｂとすると、これらの搬送路７７Ａ、７７Ｂの前後の位置は互いに同じである。既述のＴＲＳ１１～ＴＲＳ１４の位置に対応して、搬送路７７Ａは第２の上側処理ブロックＤ２２へ突出すると共に、搬送路７７Ｂは第１の上側処理ブロックＤ２２へ突出している。そのように突出することで搬送路７７Ａの右側と搬送路７７Ｂの左側とが平面視、互いに重なっている。なお搬送路７７Ａ、７７Ｂは、例えば平面視、加熱モジュール５４の熱板５５から外れ、冷却プレート５６の待機位置と重なる位置としてもよい。そのように熱板５５から比較的離れて搬送路を配置することで、搬送されるウエハＷが熱の影響を受けることを、より確実に抑えることができる。

シャトル７ＡによるウエハＷの搬送について、図６～図８を参照しながら順を追って説明する。第２の上側処理ブロックＤ３２の搬送機構６Ｄは、を第２の上側処理ブロックＤ３２内の各処理モジュールで処理されたウエハＷを、ＴＲＳ１１の上昇位置におけるピン７６上に受け渡す。ピン７６が下降位置へと移動し、既述の右搬送位置における支持体７４ＡにウエハＷが受け渡される（図６）。移動体７３Ａ及び支持体７４Ａが各々左側へ移動する一方で、ＴＲＳ１１のピン７６は上昇位置に戻る（図７）。

支持体７４Ａが既述の左搬送位置に移動すると、ＴＲＳ１２の下降位置におけるピン７６が上昇位置に移動してウエハＷを支持する（図８）。支持体７４Ａが右搬送位置へ向けて移動すると、ピン７６が下降位置に戻る。以降は、キャリアブロックＤ１の搬送機構３３がウエハＷを受け取る。このように、シャトル７Ａは下流側のブロックであるキャリアブロックＤ１に向けてウエハＷを搬送する。シャトル７Ｂ、ＴＲＳ１３、ＴＲＳ１４についてもシャトル７Ａ、ＴＲＳ１１、ＴＲＳ１２と夫々同様に動作し、ＴＲＳ１３からＴＲＳ１４へウエハＷが搬送される。つまり、シャトル７Ｂは下流側のブロックである第１の上側処理ブロックＤ２２に向けてウエハＷを搬送する。

また、塗布、現像装置１は、制御部１０を備えている（図１参照）。この制御部１０はコンピュータにより構成されており、プログラム、メモリ、ＣＰＵを備えている。プログラムには、塗布、現像装置１における一連の動作を実施することができるようにステップ群が組み込まれている。そして、当該プログラムによって制御部１０は塗布、現像装置１の各部に制御信号を出力し、当該各部の動作が制御される。具体的に搬送機構６Ａ～６Ｄ、シャトル７Ａ、７Ｂ、各処理モジュールの動作が制御される。それにより、後述のウエハＷの搬送、ウエハＷの処理、ウエハＷの異常判定が行われる。上記のプログラムは、例えばコンパクトディスク、ハードディスク、ＤＶＤなどの記憶媒体に格納されて、制御部１０にインストールされる。

続いて、塗布、現像装置１におけるウエハＷの処理及び搬送経路について、既述した往路、復路を夫々示す図９、図１０を参照して説明する。図９、図１０では、モジュール間でのウエハＷの搬送を表す一部の矢印上あるいは矢印の近傍に、当該搬送に用いる搬送機構を表示している。

先ず、支持台１２の移動ステージ１５に載置されたキャリアＣから、搬送機構３２によりウエハＷが搬出される。そして、当該搬送機構３２によりウエハＷは処理前検査モジュール４１に搬送され、画像データが取得されて異常の有無が判定される。

その後、ウエハＷは搬送機構３２によりＴＲＳ１に搬送される。然る後、当該ウエハＷは搬送機構３３により疎水化処理モジュール３０、ＳＣＰＬ１の順に搬送された後、搬送機構６Ａにより第１の下側処理ブロックＤ２１に取り込まれ、反射防止膜形成モジュール４７→加熱モジュール５４の順で搬送されることで、反射防止膜が形成される。その後、ウエハＷはモジュール積層体Ｔ２のＳＣＰＬ４に搬送され、搬送機構６Ｃにより、レジスト膜形成モジュール４９→加熱モジュール５４の順で搬送されることで、レジスト膜が形成される。その後、ウエハＷはモジュール積層体Ｔ３のＴＲＳ５に搬送される。

然る後、ウエハＷは前方側の搬送機構３６により裏面洗浄モジュール６５、ＩＣＰＬを経由して、搬送機構３８により露光機２０に搬送され、所定のパターンに沿って当該ウエハＷの表面のレジスト膜が露光される。露光後のウエハＷは、搬送機構３８によりＴＲＳ６に搬送され、その後、後方側の搬送機構３７により、露光後洗浄モジュール６６に搬送される。

その後のウエハＷの搬送経路は、上記したように第１の上側処理ブロックＤ２２で処理を行う経路（第１の経路とする）と、第２の上側処理ブロックＤ３２で処理を行う経路（第２の経路とする）と、に分かれる。第２の経路について説明すると、搬送機構３７はモジュール積層体Ｔ３のＴＲＳ７にウエハＷを搬送し、搬送機構６Ｄによって当該ウエハＷが第２の上側処理ブロックＤ３２に取り込まれる。そしてウエハＷは、加熱モジュール５４→ＳＣＰＬ３→現像モジュール５１→処理後検査モジュール５７の順で搬送されることで、レジストパターンが形成された後に画像データが取得されて、異常の有無が判定される。

その後、ウエハＷは図６～図８で説明したように搬送機構６Ｄ→ＴＲＳ１１→シャトル７Ａ→ＴＲＳ１２の順で搬送された後、キャリアブロックＤ１の搬送機構３３が当該ウエハＷを受け取り、ＴＲＳ２に搬送する。このようにバイパス搬送路形成ブロックである第１の上側処理ブロックＤ２２及び第２の上側処理ブロックＤ２２の主搬送機構である搬送機構６Ｂ，６Ｄのうち６Ｄと、シャトル７Ａと、によってウエハＷが下流側のブロックへ向けて搬送される。その後、ウエハＷは搬送機構３２により、支持台１３の移動ステージ１５上のキャリアＣに格納される。

続いて上記の第１の経路について説明すると、ウエハＷは搬送機構３７→ＴＲＳ１３→シャトル７Ｂ→ＴＲＳ１４→搬送機構６Ｂの順で搬送されて、第１の上側処理ブロックＤ２２にウエハＷが取り込まれる。そして、当該ウエハＷは搬送機構６Ｂにより、加熱モジュール５４→ＳＣＰＬ２→現像モジュール５１→処理後検査モジュール５７の順で搬送され、第２の経路のウエハＷと同様に処理を受けた後、キャリアブロックＤ１のＴＲＳ３に搬送される。このようにバイパス搬送路形成ブロックである第１の上側処理ブロックＤ２２及び第２の上側処理ブロックＤ２２の主搬送機構である搬送機構６Ｂ，６Ｄのうち６Ｂと、シャトル７Ｂと、によってウエハＷが下流側のブロックへ向けて搬送される。続いてウエハＷは、搬送機構３３によりＴＲＳ２に搬送され、以降は第２の経路のウエハＷと同様、搬送機構３２により支持台１３の移動ステージ１５上のキャリアＣへ搬送される。

以上に述べたように、塗布、現像装置１におけるキャリアブロックＤ１については、キャリアＣ、下側処理ブロック（一の処理ブロック）Ｇ１、上側処理ブロック（他の処理ブロック）Ｇ２に対してウエハＷを各々受け渡すためのＴＲＳ、ＳＣＰＬを含むモジュール積層体Ｔ１が設けられる。そして、搬送機構３２、３３が夫々設けられ、搬送機構３２がキャリアＣに対する受け渡しを、搬送機構３３がモジュール積層体Ｔ１のモジュール間での受け渡しを夫々受け持つ。このように搬送機構３２と搬送機構３３との役割が分かれることで、搬送機構３２はキャリアＣに対するウエハＷの搬入出を速やかに行うことができる。一方で、搬送機構３３を介してウエハＷが搬送される下側処理ブロックＧ１及び上側処理ブロックＧ２をなす各処理ブロックＤ２１、Ｄ２２、Ｄ３１、Ｄ３２においては処理モジュールが積層され、各々の処理モジュールでウエハＷを処理可能である。従って塗布、現像装置１によれば、高いスループットを得ることができる。さらに、キャリアＣに対してウエハＷを受け渡す搬送口２４が臨む搬送領域３１が前後に伸び、この搬送領域３１において搬送機構３２、３３がモジュール積層体Ｔ１の前方、後方に夫々設けられることにより、キャリアブロックＤ１の左右の幅を比較的小さくすることができる。従って、塗布、現像装置１によれば、フットプリント（占有床面積）を小さくすることができる。

そして、キャリアブロックＤ１には処理前検査モジュール４１が設けられている。この処理前検査モジュール４１は、モジュール積層体Ｔ１に右端部が重なると共に筐体１１の側壁を貫くことで、その左端部が搬送領域３１から突出している。つまり、上記のモジュール積層体Ｔ１を配置することによって搬送領域３１の前後の中央に形成されるスペース及びキャリアＣの移載を行う筐体１１の外側のスペースを利用して、処理前検査モジュール４１が配置されている。即ち、処理前検査モジュール４１をキャリアブロックＤ１に設置しつつ、当該キャリアブロックＤ１のフットプリントの増大が防止されている。

さらに搬送機構３３の後方側に処理モジュールとして疎水化処理モジュール３０を配置し、搬送機構３３によりアクセスされるようにしている。この疎水化処理モジュール３０の配置によっても、塗布、現像装置１の左右の幅の拡大が防止されている。そして搬送機構３３が疎水化処理モジュール３０に対して、搬送機構３２が処理前検査モジュール４１に対して、夫々ウエハＷを受け渡す。それにより搬送機構３２、３３間での負荷の偏りが抑制され、これらの処理モジュールを設けることによるスループットの低下が防止されている。ただし、搬送機構３３により、処理前検査モジュール４１にウエハＷが受け渡される構成としてもよい。

また、ウエハＷの搬入出用にキャリアＣが載置される移動ステージ１５を複数設けるにあたり、モジュール積層体Ｔ１に対して前方側に複数段に設けている。このようにモジュール積層体Ｔ１の前方側に移動ステージ１５が集約されるように配置されることで、十分なスループットを確保するために必要な数の移動ステージ１５の設置を可能にしつつ、搬送領域３１の前後の中央部を当該モジュール積層体Ｔ１及び処理前検査モジュール４１の設置領域とすることができる。そして、そのようにモジュール積層体Ｔ１を配置することで、その後方に搬送機構３３を配置することができる。従って、既述したように各移動ステージ１５をモジュール積層体Ｔ１に対して前方側、且つ互いに異なる高さに設けることは、スループットを高くしつつ、装置のフットプリントを低減させることに寄与することになる。

ところで、キャリア用の仮置き部である仮置きステージ１６を設けることで不要なキャリアＣを移動ステージ１５から退避させることができるので、キャリアＣに対するウエハＷの搬入出を効率良く行うことができる。キャリアブロックＤ１では、その仮置きステージ１６については、前後方向においてモジュール積層体Ｔ１と同じ位置、及び当該モジュール積層体Ｔ１に対して後方の位置に設けられている。つまり、既述したレイアウトで移動ステージ１５を設けることで、搬送機構３２によるアクセスが行われない空いたスペースを利用して仮置きステージ１６が設けられていることになる。即ち、仮置きステージ１６は、キャリアブロックＤ１の大型化が防止されるレイアウトで配置されている。

さらに塗布、現像装置１によればシャトル７Ａ、７Ｂが設けられ、これらのシャトル７Ａ、７Ｂにより、キャリアブロックＤ１へ向けてウエハＷが搬送される。それにより第１の上側処理ブロックＤ２２及び第２の上側処理ブロックＤ３２のうち、一方のブロックで処理が行われるウエハＷについて、他方のブロックの処理モジュールがバイパスされるようにキャリアブロックＤ１に向けて搬送される。従って、第１の上側処理ブロックＤ２２の搬送機構６Ｂ及び第２の上側処理ブロックＤ３２の搬送機構６Ｄの負荷（より詳しくはブロック内で必要な搬送工程の数）が低減される。結果として、塗布、現像装置１におけるスループットを、より向上させることができる。

ところでキャリアブロックＤ１の筐体１１の上部、第１及び第２の処理ブロックＤ２、Ｄ３の各筐体の上部、インターフェイスブロックＤ４の筐体の上部には、図示しない気流形成ユニットが設けられる。各気流形成ユニットは、塗布、現像装置１の外側の空気を取り込んで当該気流形成ユニットが設けられるブロックにおけるウエハＷの搬送路に供給して、気流を形成する。図１１には、キャリアブロックＤ１、第２の処理ブロックＤ２２の気流形成ユニットを夫々８１、８２として示している。図示の便宜上、これらの気流形成ユニット８１、８２はキャリアブロックＤ１、第１の処理ブロックＤ２から夫々離れた位置に表示している。

気流形成ユニット８２は図示しないダクトを介して、第１の処理ブロックＤ２をなす第１の下側処理ブロックＤ２１、第１の上側処理ブロックＤ２２の各搬送領域５３の天井部に設けられるフィルタに空気を供給する。当該フィルタから供給された空気は搬送領域５３を下方に向かい、図示しない第１の下側処理ブロックＤ２１、第１の上側処理ブロックＤ２２の下部側に設けられる図示しない排気口から排気される。

例えばキャリアブロックＤ１においては、例えば図１１に示すように搬送領域３１の前方側の端部に縦長に形成されたフィルタ８３が設けられる。そして、気流形成ユニット８１からフィルタ８３に供給された空気は、当該フィルタ８３から搬送領域３１の後方に向けて供給される。モジュール積層体Ｔ１よりも後方における例えばブロックの底部には排気孔８４が開口しており、フィルタ８３から供給された空気が当該排気孔８４から排気される。

各ブロックにおける空気の供給量及び排気量のバランスが調整されることにより、第１の下側処理ブロックＤ２１、第１の上側処理ブロックＤ２２の方が、搬送領域３１よりも圧力が高い状態とされる。それにより、上記のように搬送領域５３に供給される空気の一部が搬送領域３１に流れ込み、排気孔８４から排気される。図１１は、このように搬送領域３１、５３に形成される気流を矢印で示している。このように形成される気流により、疎水化処理モジュール３０で使用する処理ガスが、搬送領域３１に流入することがより確実に防止される。仮に、当該処理ガスが搬送領域３１を介して現像モジュール５１に流入して現像液と反応すると現像欠陥を発生させるおそれがあるが、上記の気流の形成により、そのような欠陥の発生が防止されることになる。即ち、当該気流の形成により、ウエハＷから製造される製品の歩留りの低下が防止される。なおフィルタ８３、気流形成ユニット８１、８２は、気流形成機構をなす。

ところで既述の処理前検査モジュール４１が設けられる位置に、当該処理前検査モジュール４１の代わりに処理後検査モジュール５７を設けてもよい。その場合には、図９で述べた往路については、検査モジュールへの搬送が行われない経路とすればよい。具体的にはウエハＷをキャリアＣ→搬送機構３２→ＴＲＳ１→搬送機構３３→ＳＣＰＬ１の順で搬送して、第１の下側処理ブロックＤ２１に搬入すればよい。そして図１０で述べた復路については、そのようにキャリアブロックＤ１に設けた処理後検査モジュール５７を経由するものとすればよい。具体的には、処理を終えてキャリアブロックＤ１のＴＲＳ２に搬送されたウエハＷを、搬送機構３２は処理後検査モジュール５７に搬送した後にキャリアＣに戻すようにすればよい。

そのようにキャリアブロックＤ１に処理後検査モジュール５７を配置した場合は、処理前検査モジュール４１は、例えば第１の下側処理ブロックＤ２１の後部側処理部５０を構成する処理モジュールとして設けてもよい。なお、キャリアブロックＤ１に、処理前検査モジュール４１及び処理後検査モジュール５７のいずれも設けられない構成であってもよく、その場合にもモジュール積層体Ｔ１の各モジュールを利用して搬送機構３２、３３間でウエハＷを受け渡して適宜、搬送を行えばよい。

上記の搬送例では、ウエハＷを搬出するためにキャリアＣを載置する移動ステージ１５（ローダー）と、ウエハＷを搬入するためにキャリアＣを載置する移動ステージ１５（アンローダー）とが異なる。ただし一つの移動ステージ１５が、ローダーとアンローダーとを兼用してもよい。上記の搬送機構３２は４つの移動ステージ１５に共用される構成であるため、このように移動ステージ１５の用途の切替えを容易に行うことができる利点が有る。

なお、塗布、現像装置１において、上側処理ブロックＧ２をウエハＷの往路、下側処理ブロックＧ１をウエハＷの復路としてもよい。具体的には、例えば装置内で反射防止膜の形成は行わず、第１の上側処理ブロックＤ２２、第２の上側処理ブロックＤ３２の液処理モジュールとして、各々レジスト膜形成モジュール４９を設ける。そして第１の下側処理ブロックＤ２１、第２の下側処理ブロックＤ３１の液処理モジュールとして、現像モジュール５１を各々設置する。そして既述した搬送経路とは逆の搬送経路でブロック間においてウエハＷを搬送することで、レジスト膜の形成、露光、現像を順に行い、レジストパターンを形成するようにしてもよい。従って、シャトルとしては復路を形成することに限られないし、キャリアブロックＤ１についても復路をなすシャトル用のＴＲＳにウエハＷを受け渡す構成であることには限られない。また、シャトルについては第１の下側処理ブロックＤ２１、第２の下側処理ブロックＤ３１に設けてもよい。例えばこれら第１の下側処理ブロックＤ２１、第２の下側処理ブロックＤ３１の液処理モジュールが共にレジスト膜形成モジュール４９であり、シャトルを用いていずれか一方のブロックのレジスト膜形成モジュール４９でウエハＷが処理されるように装置を構成することもできる。

また、装置で行う液処理としては上記した例に限られず、薬液の塗布による絶縁膜の形成や、薬液の塗布によるレジスト膜の表面を保護するための保護膜の形成や、ウエハＷを互いに貼り合わせるための接着剤の塗布処理などが含まれていてもよい。また、ウエハＷの表面あるいは裏面に洗浄液を供給する洗浄処理を行ってもよい。従って、本技術の基板処理装置としては塗布、現像装置であることには限られない。

さらに下側処理ブロックＧ１、上側処理ブロックＧ２としては、インターフェイスブロックＤ４により互いに接続されていなくてもよい。図１２の基板処理装置８の概略図を参照して説明する。モジュール積層体Ｔ１にはＴＲＳ２１～ＴＲＳ２３が含まれるとする。ＴＲＳ２１がキャリアＣに対する受け渡し用で、搬送機構３２によりキャリアＣ－ＴＲＳ２１間でウエハＷが搬送される。ＴＲＳ２２、ＴＲＳ２３が下側処理ブロックＧ１、上側処理ブロックＧ２に対する受け渡し用で、ＴＲＳ２１－ＴＲＳ２２間、ＴＲＳ２１－ＴＲＳ２３間でウエハＷが夫々搬送機構３３により搬送される。キャリアＣからＴＲＳ２１を経由してＴＲＳ２２、ＴＲＳ２３から下側処理ブロックＧ１、上側処理ブロックＧ２に夫々搬入されたウエハＷは、処理後にＴＲＳ２２、ＴＲＳ２３からＴＲＳ２１を経由してキャリアＣに戻される。つまり、下側処理ブロックＧ１及び上側処理ブロックＧ２の一方でのみウエハＷは処理を受けて、キャリアＣに戻されるように装置が構成されていてもよい。

また、下側処理ブロックＧ１、上側処理ブロックＧ２の各々は左右に並ぶ２つの処理ブロックにより構成することに限られず、１つの処理ブロックにより構成されていてもよい。また、下側処理ブロックＧ１、上側処理ブロックＧ２の各々は３つ以上の左右に並んだ複数の処理ブロックにより構成され、左右に並ぶ処理ブロック間でウエハＷが搬送されるようにしてもよい。

なお各処理ブロックにおいて、液処理モジュールが前方、後部側処理部５０をなす処理モジュールが後方に位置するが、このレイアウトは前後逆であってもよい。また、キャリアブロックＤ１においても搬送機構３２、３３やキャリアＣ用の各ステージ等のレイアウトは前後逆であってもよい。また、キャリアブロックＤ１と、他のブロックの並びも左右逆であってもよい。

そしてキャリアブロックＤ１においては、疎水化処理モジュール３０の代りに、処理後検査モジュール５７などの他のモジュールを設け、搬送機構３３により搬送が行われるようにしてもよい。ただし、疎水化処理モジュール３０は処理を行うにあたり、ウエハＷを載置する載置部（熱板）を横方向に移動させなくてよい。つまり、搬送機構３３の後方に処理モジュールを設けるにあたり、そのようにウエハＷの載置部を横方向に移動させずに処理を行う処理モジュールを設けることが、キャリアブロックＤ１の大型化、ひいては基板処理装置の大型化を防ぐために好ましい。なお、モジュール積層体Ｔ１を構成するＴＲＳ、ＳＣＰＬの順番は装置内においてウエハＷを搬送可能な範囲で、適宜高さを変更したり、重ねられる順番を入れ替えたりしてもよい。

また、疎水化処理モジュール３０は、モジュール積層体Ｔ１をなすＴＲＳ、ＳＣＰＬに重なるように配置してもよい。ただし、モジュール積層体Ｔ１に多数のＴＲＳ、ＳＣＰＬを配置してウエハＷを載置することで、キャリアブロックＤ１と第１の処理ブロックＤ２間、及びキャリアＣとキャリアブロックＤ１との間でのウエハＷの受け渡しが速やかに行われるようにすることができる。従って、疎水化処理モジュール３０は既述したように搬送領域３１の後方側に配置することが好ましい。さらに塗布、現像装置１において、処理前検査モジュール４１に搬送機構３２によりウエハＷを搬送した後、搬送機構３３が当該検査モジュール４１にてウエハＷを受け取り、ＳＣＰＬ１に搬送し、下側処理ブロックＤ２１にウエハＷが取込まれるようにしてもよい。つまり、搬送機構３２、３３間でのウエハＷの受け渡しは、仮置きモジュールにて行うことには限られない。

そして、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更及び組み合わせがなされてもよい。

Ｃ キャリア
Ｄ２ 第１の処理ブロック
Ｄ２１ 第１の下側処理ブロック
Ｄ２２ 第１の上側処理ブロック
１５ 移動ステージ
ＴＲＳ 受け渡しモジュール
Ｔ１ モジュール積層体
Ｗ ウエハ
３１ 搬送領域
３２、３３ 搬送機構
６Ａ、６Ｂ、６Ｃ、６Ｄ 搬送機構

Claims (15)

1. 基板を格納するキャリアが載置されるキャリア載置部を備えるキャリアブロックと、
   前記基板を各々処理し、互いに積層されて設けられる複数の処理モジュールと、前記複数の処理モジュールに共用されて前記基板を搬送する主搬送機構と、を備え、前記キャリア載置部に対して平面視、左右の一方に設けられる一の処理ブロックと、
   前記基板を各々処理し、互いに積層されて設けられる複数の処理モジュールと、前記複数の処理モジュールに共用されて前記基板を搬送する主搬送機構と、を備え、前記一の処理ブロックに対して縦方向に重なる他の処理ブロックと、
   平面視、前記キャリア載置部と、前記一の処理ブロック及び前記他の処理ブロックとの間に介在するように、前記キャリアブロックに設けられる前記基板の搬送領域と、
   前記キャリアに対して前記基板を受け渡すために前記搬送領域に設けられる第１の搬送機構と、
   前記第１の搬送機構、前記一の処理ブロックの主搬送機構、前記他の処理ブロックの主搬送機構によって夫々前記基板が受け渡される第１の載置部、第２の載置部、第３の載置部が互いに縦方向に重なって構成されると共に、平面視、前記第１の搬送機構に対して前後の一方側に設けられる載置部の積層体と、
   平面視、前記第１の搬送機構と共に前記積層体を前後から挟むように前記搬送領域に設けられ、前記第１の載置部と前記第２の載置部との間、前記第１の載置部と前記第３の載置部との間で夫々前記基板を搬送するための第２の搬送機構と、
   を備える基板処理装置。
2. 前記一の処理ブロックの処理モジュール、前記他の処理ブロックの処理モジュールを夫々第１の処理モジュール、第２の処理モジュールとすると、
   平面視で前記積層体に重なる位置に、前記第１の搬送機構または第２の搬送機構により前記基板が受け渡される第３の処理モジュールが設けられる請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記第３の処理モジュールは前記基板の検査を行うための検査モジュールである請求項２記載の基板処理装置。
4. 前記検査モジュールは、平面視前記積層体に重なる位置から左右の他方へ延伸され、前記搬送領域を形成する筐体の外側へ突出して設けられる請求項３記載の基板処理装置。
5. 前記検査モジュールには、前記一の処理ブロック及び前記他の処理ブロックへ搬送される前の前記基板が搬送される請求項３または４記載の基板処理装置。
6. 前記第２の搬送機構に対して前後の一方側に、当該第２の搬送機構により前記基板が受け渡される第４の処理モジュールが設けられ、
   前記第３の処理モジュールには前記第１の搬送機構により前記基板が受け渡される請求項２ないし５のいずれか一つに記載の基板処理装置。
7. 前記第２の搬送機構に対して前後の一方側に、当該第２の搬送機構により前記基板が受け渡される第４の処理モジュールが設けられ、
   前記一の処理ブロックの処理モジュール、前記他の処理ブロックの処理モジュールを夫々第１の処理モジュール、第２の処理モジュールとすると、
   前記複数の第１の処理モジュールまたは複数の第２の処理モジュールには、前記基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成モジュールが含まれ、
   前記第４の処理モジュールは、前記塗布液の供給前に前記基板をガス処理して疎水化する疎水化処理モジュールである請求項１ないし６のいずれか一つに記載の基板処理装置。
8. 前記搬送領域において前後の他方側から前記第４の処理モジュールに向う気流及び前記一の処理ブロック及び前記他の処理ブロックから前記搬送領域に向う気流を各々形成する気流形成機構が設けられる請求項７記載の基板処理装置。
9. 前記キャリア載置部は、前記積層体に対して前記前後の他方側に複数、互いに異なる高さに設けられる請求項１ないし８のいずれか一つに記載の基板処理装置。
10. 前記搬送領域に対して左右の一方側において、
    前後において前記積層体と同じ位置かあるいは当該積層体に対して前後の一方側に設けられる、前記キャリアを仮置きするためのキャリア用の仮置き部と、
    前記仮置き部と、前記キャリア載置部との間で前記キャリアを移載するキャリア移載機構と、を備える請求項９記載の基板処理装置。
11. 前記一の処理ブロック及び前記他の処理ブロックの左右の一方には、当該一の処理ブロックと当該他の処理ブロックとの間で前記基板を搬送するための昇降搬送機構を備えた中継ブロックが接続され、
    前記基板は前記キャリアブロックから前記一の処理ブロックを経由して前記中継ブロックへ向う往路と、前記中継ブロックから前記他の処理ブロックを経由して前記キャリアブロックへ向う復路と、を搬送される請求項１ないし１０のいずれか一つに記載の基板処理装置。
12. 前記一の処理ブロック及び前記他の処理ブロックのうちの少なくとも一方の処理ブロックには、前記主搬送機構とは別の第３の搬送機構と、当該第３の搬送機構と前記第２の搬送機構との間で前記基板を受け渡すために前記基板が仮置きされる第４の載置部が設けられる請求項１１記載の基板処理装置。
13. 前記一の処理ブロック及び他の処理ブロックのうちの少なくとも一方の処理ブロックは、前記積層される複数の処理モジュール及び前記主搬送機構を各々備えると共に、左右に並ぶ左側の処理ブロック、右側の処理ブロックにより構成され、
    前記第３の搬送機構は、前記処理モジュールを経由せずに前記基板を下流側のブロックへ向けて搬送するために、前記左側の処理ブロック、前記右側の処理ブロックの各々に設けられる請求項１２記載の基板処理装置。
14. 基板を格納するキャリアをキャリアブロックに設けられるキャリア載置部に載置する工程と、
    前記基板を各々処理し、互いに積層されて設けられる複数の処理モジュールと、前記複数の処理モジュールに共用されて前記基板を搬送する主搬送機構と、を備え、前記キャリア載置部に対して平面視、左右の一方に設けられる一の処理ブロックにて前記基板を搬送する工程と、
    前記基板を各々処理し、互いに積層されて設けられる複数の処理モジュールと、前記複数の処理モジュールに共用されて前記基板を搬送する主搬送機構と、を備え、前記一の処理ブロックに対して縦方向に重なる他の処理ブロックにて前記基板を搬送する工程と、
    平面視、前記キャリア載置部と、前記一の処理ブロック及び前記他の処理ブロックとの間に介在するように前記キャリアブロックに設けられた前記基板の搬送領域に設けられる第１の搬送機構により、前記キャリアに対して前記基板を受け渡す工程と、
    互いに縦方向に重なって構成されると共に、平面視、前記第１の搬送機構に対して前後の一方側に設けられる載置部の積層体を構成する第１の載置部、第２の載置部、第３の載置部に夫々、前記第１の搬送機構、前記一の処理ブロックの主搬送機構、前記他の処理ブロックの主搬送機構によって前記基板を受け渡す工程と、
    平面視、前記第１の搬送機構と共に前記積層体を前後から挟むように前記搬送領域に設けられる第２の搬送機構により、前記第１の載置部と前記第２の載置部の間、前記第１の載置部と前記第３の載置部との間で夫々前記基板を搬送する工程と、
    を備える基板処理方法。
15. 基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶する記憶媒体であって、
    前記コンピュータプログラムは、請求項１４記載の基板処理方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。

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