JP7567801B2 - 含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体 - Google Patents

Description

本発明は、磁気記録媒体の潤滑剤用途に好適な含フッ素エーテル化合物、それを含む磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体に関する。
本願は、２０１９年１０月１日に、日本に出願された特願２０１９－１８１３０９号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

磁気記録再生装置の記録密度を向上させるために、高記録密度に適した磁気記録媒体の開発が進められている。
従来、磁気記録媒体として、基板上に記録層を形成し、記録層上にカーボン等の保護層を形成したものがある。保護層は、記録層に記録された情報を保護するとともに、磁気ヘッドの摺動性を高める。しかし、記録層上に保護層を設けただけでは、磁気記録媒体の耐久性は十分に得られない。このため、一般に、保護層の表面に潤滑剤を塗布して潤滑層を形成している。

磁気記録媒体の潤滑層を形成する際に用いられる潤滑剤としては、例えば、ＣＦ_２を含む繰り返し構造を有するフッ素系のポリマーの末端に、水酸基等の極性基を有する化合物を含有するものが提案されている。
例えば、特許文献１には、芳香族基と水酸基を有するフルオロポリエーテル化合物が開示されている。
また、特許文献２には、分子末端に水酸基を有するフルオロポリエーテル鎖で、ベンゼン環が二または三置換されたフルオロポリエーテル化合物が開示されている。
また、特許文献３には、両方の末端部分に複数のヒドロキシル基を有し、該ヒドロキシル基間の最短距離が３原子以上離れている置換基が配置された化合物が開示されている。

特許第５８１６９１９号公報 特許第６１９８８４８号公報 特許第４６３２１４４号公報

磁気記録再生装置においては、より一層、磁気ヘッドの浮上量を小さくすることが要求されている。このため、磁気記録媒体における潤滑層の厚みを、より薄くすることが求められている。
しかし、一般的に潤滑層の厚みを薄くすると、潤滑層の被覆性が低下して、磁気記録媒体の耐摩耗性が低下する傾向がある。また、潤滑層の厚みを薄くすると、保護層の表面を被覆している潤滑層と保護層との密着性が不足して、潤滑剤層中の含フッ素エーテル化合物が磁気ヘッドに付着するピックアップが発生し易くなる。

本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、厚みを薄くしても、優れた耐摩耗性を有し、ピックアップの抑制された潤滑層を形成でき、磁気記録媒体用潤滑剤の材料として好適に用いることができる含フッ素エーテル化合物を提供することを課題とする。
また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体用潤滑剤を提供することを課題とする。
また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層を有する優れた信頼性および耐久性を有する磁気記録媒体を提供することを課題とする。

本発明者は、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた。
その結果、－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_ｍＯＨ（式中のｍは２～４の整数である。）からなる末端基がメチレン基（－ＣＨ_２－）を介して結合されているパーフルオロポリエーテル鎖が、特定の連結基に結合された置換基によって、ベンゼン環の水素のうち２つまたは３つが置換された含フッ素エーテル化合物とすればよいことを見出し、本発明を想到した。
すなわち、本発明の第一の態様は以下の含フッ素エーテル化合物である。

［１］ 下記式（１）で表されることを特徴とする含フッ素エーテル化合物。
Ｃ_６Ｈ_６－ｎ－［Ｏ－Ｒ^１－Ｏ－ＣＨ_２－Ｒ^２－ＣＨ_２－Ｒ^３］_ｎ （１）
（式（１）中、ｎは２または３の整数であり、Ｒ^１は－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２－のいずれかであり、Ｒ^２はパーフルオロポリエーテル鎖であり、Ｒ^３は－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_ｍＯＨ（式中のｍは２～４の整数である。）である。）

本発明の第一の態様の上記含フッ素エーテル化合物は、次に述べるように、以下の特徴を好ましく含むことができる。以下の特徴は２つ以上を好ましく組み合わせてよい。
［２］ 前記式（１）におけるＲ^２が、下記式（２）～（４）のいずれかで表されることを特徴とする［１］に記載の含フッ素エーテル化合物。

（式（２）中、ｐは１～３０を表し、ｑは０～３０を表す。）
（式（３）中、ｒは１～３０を表す。）
（式（４）中、ｓは１～２０を表す。）

［３］ 下記式（Ａ）～（Ｎ）で表されるいずれかの化合物であることを特徴とする［２］に記載の含フッ素エーテル化合物。

（式（Ａ）中、Ｒ^２は前記式（２）で表される。）
（式（Ｂ）中、Ｒ^２は前記式（３）で表される。）
（式（Ｃ）中、Ｒ^２は前記式（４）で表される。）
（式（Ｄ）中、Ｒ^２は前記式（２）で表される。）
（式（Ｅ）中、Ｒ^２は前記式（２）で表される。）
（式（Ｆ）中、Ｒ^２は前記式（２）で表される。）
（式（Ｇ）中、Ｒ^２は前記式（３）で表される。）
（式（Ｈ）中、Ｒ^２は前記式（４）で表される。）

（式（Ｉ）中、Ｒ^２は前記式（２）で表される。）
（式（Ｊ）中、Ｒ^２は前記式（２）で表される。）
（式（Ｋ）中、Ｒ^２は前記式（３）で表される。）
（式（Ｌ）中、Ｒ^２は前記式（４）で表される。）
（式（Ｍ）中、Ｒ^２は前記式（２）で表される。）
（式（Ｎ）中、Ｒ^２は前記式（２）で表される。）

［４］ 数平均分子量が５００～１００００の範囲内である［１］～［３］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。

［５］ ［１］～［４］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体用潤滑剤。
［６］ 基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層とが順次設けられた磁気記録媒体であって、前記潤滑層が、［１］～［４］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
［７］ 前記潤滑層の平均膜厚が、０．５ｎｍ～３ｎｍである［６］に記載の磁気記録媒体。

本発明の含フッ素エーテル化合物は、磁気記録媒体用潤滑剤の材料として好適である。
本発明の磁気記録媒体用潤滑剤は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含むため、厚みを薄くしても、優れた耐摩耗性を有し、ピックアップの抑制された潤滑層を形成できる。
本発明の磁気記録媒体は、優れた耐摩耗性を有し、ピックアップの抑制された潤滑層が設けられているため、優れた信頼性および耐久性を有する。

本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示した概略断面図である。

以下、本発明の含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤（以下、「潤滑剤」と略記する場合がある。）および磁気記録媒体の好ましい例について詳細に説明する。なお、本発明は、以下に示す実施形態のみに限定されるものではない。本発明の範囲内において、必要に応じて、数、位置、種類、量、比率、組み合わせ、数値、及びサイズなどについて、省略、変更、及び／又は追加することも可能である。

［含フッ素エーテル化合物］
本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、下記式（１）で表される。
Ｃ_６Ｈ_６－ｎ－［Ｏ－Ｒ^１－Ｏ－ＣＨ_２－Ｒ^２－ＣＨ_２－Ｒ^３］_ｎ （１）
（式（１）中、ｎは２または３の整数であり、Ｒ^１は－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２－のいずれかであり、Ｒ^２はパーフルオロポリエーテル鎖であり、Ｒ^３は－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_ｍＯＨ（式中のｍは２～４の整数である。）である。）

ここで、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を用いて、磁気記録媒体の保護層上に潤滑層を形成した場合に、厚みが薄くても、優れた耐摩耗性が得られ、ピックアップが抑制される理由について説明する。

本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、式（１）に示すように、ベンゼン環の水素のうち２つまたは３つが、置換基（－［Ｏ－Ｒ^１－Ｏ－ＣＨ_２－Ｒ^２－ＣＨ_２－Ｒ^３］）によって置換された構造を有する。
式（１）に示す含フッ素エーテル化合物に含まれるベンゼン環は、ベンゼン環の分子間相互作用、および／またはベンゼン環と保護層との相互作用により、本実施形態の含フッ素エーテル化合物と保護層との密着性向上に寄与する。このことから、式（１）に示す含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を用いることで、優れた耐摩耗性を有する潤滑層が得られる。

式（１）に示す含フッ素エーテル化合物に含まれる２つまたは３つの置換基は、それぞれＲ^２で示されるパーフルオロポリエーテル鎖（以下「ＰＦＰＥ鎖」と略記する場合がある。）を１つずつ有する。ＰＦＰＥ鎖は、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を保護層上に塗布して潤滑層を形成した場合に、保護層の表面を被覆するとともに、潤滑層に潤滑性を付与して磁気ヘッドと保護層との摩擦力を低減させる。

式（１）に示すように、Ｒ^２で表されるＰＦＰＥ鎖のベンゼン環と反対側の端部には、メチレン基（－ＣＨ_２－）を介してＲ^３で示される末端基が結合されている。Ｒ^３で表される末端基は、－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_ｍＯＨ（式中のｍは２～４の整数である。）からなる。Ｒ^３で示される末端基に含まれる２つの水酸基（－ＯＨ）は、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層において、含フッ素エーテル化合物と保護層とを密着させてピックアップを抑制する。

Ｒ^３で表される末端基では、２つの水酸基（－ＯＨ）がそれぞれ異なる炭素原子に結合し、水酸基の結合している炭素原子同士が、酸素原子を含む連結基（－Ｏ－（エーテル結合）を含む連結基）を介して結合している。エーテル結合を含む連結基は、Ｒ^３で表される末端基に柔軟性を付与する。このため、本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、例えば、末端基に含まれる２つの水酸基がそれぞれ異なる炭素原子に結合し、水酸基の結合している炭素原子同士が結合している含フッ素エーテル化合物と比較して、これを含む潤滑層が保護膜に吸着しやすく、潤滑層と保護層との密着性に優れる。

また、式（１）に示す含フッ素エーテル化合物では、ベンゼン環とＲ^２で示されるＰＦＰＥ鎖との間に、エーテル結合（－Ｏ－）を含む連結基（－Ｏ－Ｒ^１－Ｏ－ＣＨ_２－）が配置されている。エーテル結合を含む連結基は、式（１）に示す含フッ素エーテル化合物に柔軟性を付与する。このため、本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、例えば、ベンゼン環とＲ^２で示されるＰＦＰＥ鎖とが直接結合している含フッ素エーテル化合物と比較して、これを含む潤滑層が保護膜に吸着しやすく、潤滑層と保護層との密着性に優れる。
以上のことから、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤は、厚みが薄くても、高い被覆率で保護層の表面を被覆でき、優れた耐摩耗性を有し、ピックアップの抑制された潤滑層を形成できると推定される。

式（１）で表される本実施形態の含フッ素エーテル化合物において、ベンゼン環に結合している置換基（－［Ｏ－Ｒ^１－Ｏ－ＣＨ_２－Ｒ^２－ＣＨ_２－Ｒ^３］）の数（式（１）中のｎの数）は、２つまたは３つである。
ベンゼン環に結合している２つまたは３つの置換基は、それぞれ異なるものであってもよいし、同じものが含まれていてもよい。２つまたは３つの置換基は、含フッ素エーテル化合物の合成が容易であるため、全て同じであることが好ましい。
式（１）で表される含フッ素エーテル化合物に含まれる２つまたは３つの置換基が、同じでないものを含む場合、各置換基に含まれるＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３の全てがそれぞれ異なっていてもよいし、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３のうちの一つまたは二つのみが異なっていてもよい。

式（１）で表される本実施形態の含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^１は－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２－のいずれかである。
Ｒ^１が－ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２－である場合、Ｒ^１に含まれる水酸基（－ＯＨ）が、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層において、含フッ素エーテル化合物と保護層とを密着させてピックアップを抑制するため、好ましい。

特に、式（１）中のｎの数が２個である場合、Ｒ^１が－ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２－であることが好ましい。式（１）中のｎの数が２個である場合、Ｒ^３で示される末端基に由来する含フッ素エーテル化合物中の水酸基の数が４つとなる。したがって、式（１）中のｎの数が３個である場合と比較して、Ｒ^３で示される末端基に由来する水酸基の数が２つ少なくなる。含フッ素エーテル化合物中の水酸基は、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層と保護層との密着性向上に寄与する。例えば、式（１）中のｎの数が２個であるとき、２つの置換基（－［Ｏ－Ｒ^１－Ｏ－ＣＨ_２－Ｒ^２－ＣＨ_２－Ｒ^３］）に含まれるＲ^１を両方とも－ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２－にする。この場合、含フッ素エーテル化合物中の水酸基の数は、Ｒ^１に由来する２つとＲ^３で示される末端基に由来する４つとの合計で６つとなる。その結果、ｎの数が２個であるために、ｎの数が３個である場合と比較してＲ^３で示される末端基に由来する水酸基の数が少なくても、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層と保護層との密着性が良好となり、好ましい。

式（１）で表される本実施形態の含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^２はパーフルオロポリエーテル鎖（ＰＦＰＥ鎖）である。式（１）に示す含フッ素エーテル化合物に含まれる２つまたは３つの置換基がそれぞれ有するＲ^２は、それぞれ異なっていてもよいし、同じものが含まれていてもよく、全て同じであることが好ましい。
Ｒ^２は、特に限定されるものではなく、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能などに応じて適宜選択できる。

Ｒ^２は下記式（２）～式（４）で表されるいずれかであることが好ましい。Ｒ^２が、式（２）～式（４）のいずれかである場合、含フッ素エーテル化合物の合成が容易であり好ましい。
また、Ｒ^２が、式（２）～式（４）のいずれかである場合、パーフルオロポリエーテル鎖中の炭素原子数に対する酸素原子数（エーテル結合（－Ｏ－）数）の割合が適正である。このため、適度な硬さを有する含フッ素エーテル化合物となる。よって、保護層上に塗布された含フッ素エーテル化合物が、保護層上で凝集しにくく、より一層厚みの薄い潤滑層を十分な被覆率で形成できる。また、Ｒ^２が式（２）～式（４）のいずれかである場合、良好な耐摩耗性を有する潤滑層が得られる含フッ素エーテル化合物となる。

（式（２）中、ｐは１～３０を表し、ｑは０～３０を表す。）
（式（３）中、ｒは１～３０を表す。）
（式（４）中、ｓは１～２０を表す。）

式（２）において、繰り返し単位である（ＣＦ_２－ＣＦ_２－Ｏ）と（ＣＦ_２－Ｏ）との配列順序には、特に制限はない。式（２）において、（ＣＦ_２－ＣＦ_２－Ｏ）の数ｐと（ＣＦ_２－Ｏ）の数ｑは同じであってもよいし、異なっていてもよい。式（２）は、モノマー単位（ＣＦ_２－ＣＦ_２－Ｏ）と（ＣＦ_２－Ｏ）とからなるランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体のいずれかを含むものであってもよい。

式（１）におけるＲ^２が式（２）である場合、平均重合度を示すｐは１～３０であり、１～１５であることが好ましく、さらに１～７であることが好ましい。ｐは１～６や、２～５であってもよい。式（１）においてＲ^２が式（２）である場合、平均重合度を示すｑは０～３０であり、０～１５であることが好ましく、さらに０～７であることが好ましい。ｑは１～６や、２～５であってもよい。また、ｑが０の場合、ｐは１～１０であることが好ましい。

式（３）において、平均重合度を示すｒが１～３０である場合、本実施形態の含フッ素エーテル化合物の数平均分子量が好ましい範囲になりやすい。ｒは１～１０であることが好ましく、１～５であることがより好ましい。

式（４）において、平均重合度を示すｓが１～２０である場合、本実施形態の含フッ素エーテル化合物の数平均分子量が好ましい範囲になりやすい。ｓは１～１０であることが好ましく、１～５であることがより好ましい。

式（１）中、Ｒ^３は－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_ｍＯＨ（式中のｍは２～４の整数である。）である。ｍは２～４の整数であり、２であることが好ましい。

式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、具体的には下記式（Ａ）～（Ｎ）で表されるいずれかの化合物であることが好ましい。下記式（Ａ）～（Ｎ）中のＲ^２は、上記式（２）～式（４）で表されるいずれかであり、式（２）～式（４）についての上記好ましい条件は、式（Ａ）～（Ｎ）中のＲ^２においても同様に好ましい。
式（Ａ）～（Ｎ）中のＲ^２に含まれるｐ、ｑ、ｒ、ｓは、いずれも平均重合度を示す値であるため、必ずしも整数とはならない。Ｒ^２が式（２）である場合、式（２）中のｐは１～３０を表し、ｑは０～３０を表す。Ｒ^２が式（３）である場合、式（３）中のｒは１～３０を表す。Ｒ^２が式（４）である場合、式（４）中のｓは１～２０を表す。式（Ａ）～（Ｎ）で表される化合物は、いずれもベンゼン環に結合している２つまたは３つの置換基が、全て同じものである。

式（Ａ）で表される化合物は、ｎが２であり、Ｒ^１が－ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２－であり、Ｒ^２が式（２）であり、Ｒ^３のｍが２である。
式（Ｂ）で表される化合物は、ｎが２であり、Ｒ^１が－ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２であり、Ｒ^２が式（３）であり、Ｒ^３のｍが２である。
式（Ｃ）で表される化合物は、ｎが２であり、Ｒ^１が－ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２－であり、Ｒ^２が式（４）であり、Ｒ^３のｍが２である。
式（Ｄ）で表される化合物は、ｎが２であり、Ｒ^１が－ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２－であり、Ｒ^２が式（２）であり、Ｒ^３のｍが３である。
式（Ｅ）で表される化合物は、ｎが２であり、Ｒ^１が－ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２－であり、Ｒ^２が式（２）であり、Ｒ^３のｍが４である。
式（Ｆ）で表される化合物は、ｎが２であり、Ｒ^１が－ＣＨ_２ＣＨ_２－であり、Ｒ^２が式（２）であり、Ｒ^３のｍが２である。
式（Ｇ）で表される化合物は、ｎが２であり、Ｒ^１が－ＣＨ_２ＣＨ_２－であり、Ｒ^２が式（３）であり、Ｒ^３のｍが２である。
式（Ｈ）で表される化合物は、ｎが２であり、Ｒ^１が－ＣＨ_２ＣＨ_２－であり、Ｒ^２が式（４）であり、Ｒ^３のｍが２である。

式（Ｉ）で表される化合物は、ｎが３であり、Ｒ^１が－ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２－であり、Ｒ^２が式（２）であり、Ｒ^３のｍが２である。
式（Ｊ）で表される化合物は、ｎが３であり、Ｒ^１が－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－であり、Ｒ^２が式（２）であり、Ｒ^３のｍが２である。
式（Ｋ）で表される化合物は、ｎが３であり、Ｒ^１が－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－であり、Ｒ^２が式（３）であり、Ｒ^３のｍが２である。
式（Ｌ）で表される化合物は、ｎが３であり、Ｒ^１が－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－であり、Ｒ^２が式（４）であり、Ｒ^３のｍが２である。
式（Ｍ）で表される化合物は、ｎが３であり、Ｒ^１が－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－であり、Ｒ^２が式（２）であり、Ｒ^３のｍが３である。
式（Ｎ）で表される化合物は、ｎが３であり、Ｒ^１が－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－であり、Ｒ^２が式（２）であり、Ｒ^３のｍが４である。

（式（Ａ）中、Ｒ^２は前記式（２）で表される。）
（式（Ｂ）中、Ｒ^２は前記式（３）で表される。）
（式（Ｃ）中、Ｒ^２は前記式（４）で表される。）
（式（Ｄ）中、Ｒ^２は前記式（２）で表される。）
（式（Ｅ）中、Ｒ^２は前記式（２）で表される。）
（式（Ｆ）中、Ｒ^２は前記式（２）で表される。）
（式（Ｇ）中、Ｒ^２は前記式（３）で表される。）
（式（Ｈ）中、Ｒ^２は前記式（４）で表される。）

（式（Ｉ）中、Ｒ^２は前記式（２）で表される。）
（式（Ｊ）中、Ｒ^２は前記式（２）で表される。）
（式（Ｋ）中、Ｒ^２は前記式（３）で表される。）
（式（Ｌ）中、Ｒ^２は前記式（４）で表される。）
（式（Ｍ）中、Ｒ^２は前記式（２）で表される。）
（式（Ｎ）中、Ｒ^２は前記式（２）で表される。）

式（１）で表わされる化合物が上記式（Ａ）～（Ｎ）で表されるいずれかの化合物であると、原料が入手しやすく、しかも、厚みが薄くても、より一層優れた耐摩耗性を有し、より一層ピックアップの抑制された潤滑層を形成できるため好ましい。

本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、数平均分子量（Ｍｎ）が５００～１００００の範囲内であることが好ましい。数平均分子量が５００以上であると、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤が蒸散しにくいものとなり、潤滑剤が蒸散して磁気ヘッドに移着することを防止できる。含フッ素エーテル化合物の数平均分子量は、１０００以上であることがより好ましい。また、数平均分子量が１００００以下であると、含フッ素エーテル化合物の粘度が適正なものとなり、これを含む潤滑剤を塗布することによって、容易に厚みの薄い潤滑層を形成できる。含フッ素エーテル化合物の数平均分子量は、潤滑剤に適用した場合に扱いやすい粘度となるため、３０００以下であることが好ましい。

含フッ素エーテル化合物の数平均分子量（Ｍｎ）は、ブルカー・バイオスピン社製ＡＶＡＮＣＥＩＩＩ４００による^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲによって測定された値である。ＮＭＲ（核磁気共鳴）の測定において、試料をヘキサフルオロベンゼン、ｄ－アセトン、ｄ－テトラヒドロフランなどの単独または混合溶媒へ希釈し、測定に使用した。^１９Ｆ－ＮＭＲケミカルシフトの基準は、ヘキサフルオロベンゼンのピークを－１６４．７ｐｐｍとし、^１Ｈ－ＮＭＲケミカルシフトの基準は、アセトンのピークを２．２ｐｐｍとした。

「製造方法」
本実施形態の含フッ素エーテル化合物の製造方法は、特に限定されるものではなく、従来公知の製造方法を用いて製造できる。本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、例えば、以下に示す製造方法を用いて製造できる。

まず、式（１）におけるＲ^２に対応するパーフルオロポリエーテル鎖を有する化合物を用意し、この化合物に、２つまたは３つの炭素数が２つまたは３つのハロゲン化アルコキシ基で置換されたベンゼンあるいは、２つまたは３つのグリシジルオキシ基で置換されたベンゼンを付加反応させる。このことにより、式（１－１）で示される化合物を生成する。
Ｃ_６Ｈ_６－ｎ－［Ｏ－Ｒ^１－Ｏ－ＣＨ_２－Ｒ^２－ＣＨ_２－ＯＨ］_ｎ （１－１）
（式（１－１）中、ｎは２または３の整数であり、Ｒ^１は－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２－のいずれかであり、Ｒ^２はパーフルオロポリエーテル鎖である。）

式（１－１）で示される化合物を製造する際に使用される、３つのハロゲン化アルコキシ基で置換されたベンゼンとしては、例えば、１，３，５－トリ（ブロモプロポキシ）ベンゼン、１，２，３－トリ（ブロモプロポキシ）ベンゼン、１，２，４－トリ（ブロモプロポキシ）ベンゼン、１，３，５－トリ（ブロモエトキシ）ベンゼン、１，２，３－トリ（ブロモエトキシ）ベンゼン、１，２，４－トリ（ブロモエトキシ）ベンゼン等を挙げることができる。
２つのハロゲン化アルコキシ基で置換されたベンゼンとしては、例えば、ｏ－ジ（ブロモプロポキシ）ベンゼン、ｍ－ジ（ブロモプロポキシ）ベンゼン、ｐ－ジ（ブロモプロポキシ）ベンゼン、ｏ－ジ（ブロモエトキシ）ベンゼン、ｍ－ジ（ブロモエトキシ）ベンゼン、ｐ－ジ（ブロモエトキシ）ベンゼン等が挙げられる。

２つまたは３つのハロゲン化アルコキシ基で置換されたベンゼンは、例えば、ジヒドロキシベンゼンあるいはトリヒドロキシベンゼンと、１，３－ジブロモプロパンあるいは１，２－ジブロモエタンとを付加反応させることで得られる。

式（１－１）で示される化合物を製造する際に使用される３つのグリシジルオキシ基で置換されたベンゼンとしては、１，３，５－トリ（グリシジルオキシ）ベンゼン、１，２，３－トリ（グリシジルオキシ）ベンゼン、１，２，４－トリ（グリシジルオキシ）ベンゼン等が挙げられる。
２つのグリシジルオキシ基で置換されたベンゼンとしては、１,３－ビス（グリシジルオキシ）ベンゼン、１,２－ビス（グリシジルオキシ）ベンゼン、１,４－ビス（グリシジルオキシ）ベンゼン等が挙げられる。

２つまたは３つのグリシジルオキシ基で置換されたベンゼンは、例えば、ジヒドロキシベンゼンあるいはトリヒドロキシベンゼンと、エピクロロヒドリンあるいはエピブロモヒドリンとを付加反応させることで得られる。

次に、式（１－１）で示される化合物と、エピクロロヒドリンあるいはエピブロモヒドリンとを反応させて、式（１－１）で示される化合物の２つまたは３つの置換基（－［Ｏ－Ｒ^１－Ｏ－ＣＨ_２－Ｒ^２－ＣＨ_２－ＯＨ］）における末端の水素が、グリシジル基に置換されたパーフルオロポリエーテルを生成させる。生成させたパーフルオロポリエーテルは、末端にエポキシ基を有する２つまたは３つの置換基が、ベンゼン環に結合している化合物である。次に、エチレングリコールと１，３－プロパンジオールと１，４－ブタンジオールとから選ばれるいずれかの化合物と、上記の方法により生成させたパーフルオロポリエーテルとを反応させる。このようにして得られた化合物は、例えば、カラムクロマトグラフィーを用いる方法により分離できる。
以上の方法により、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物が得られる。

本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、上記式（１）で表される化合物である。したがって、これを含む潤滑剤を用いて保護層上に潤滑層を形成すると、式（１）においてＲ^２で表されるＰＦＰＥ鎖によって、保護層の表面が被覆されるとともに、磁気ヘッドと保護層との摩擦力が低減される。また、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を用いて形成した潤滑層は、ベンゼン環の分子間相互作用、および／またはベンゼン環と保護層との相互作用により、保護層との密着性に優れる。

また、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、含フッ素エーテル化合物中のＲ^３で表される末端基にそれぞれ含まれる２つの水酸基と、保護層との結合によって、保護層上に密着される。しかも、Ｒ^３で表される末端基に含まれる２つの水酸基がそれぞれ異なる炭素原子に結合し、前記水酸基の結合している炭素原子同士が酸素原子を含む連結基を介して結合しているため、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、柔軟性が良好である。このため、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、保護膜に吸着しやすく、保護層との密着性に優れる。
以上のことから、本実施形態の含フッ素エーテル化合物によれば、潤滑層と保護層とが強固に結合され、優れた耐摩耗性を有し、ピックアップの抑制された潤滑層が得られる。

［磁気記録媒体用潤滑剤］
本実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む。
本実施形態の潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むことによる特性を損なわない範囲内であれば、潤滑剤の材料として使用されている公知の材料を、必要に応じて混合して用いることができる。

公知の材料の具体例としては、例えば、ＦＯＭＢＬＩＮ（登録商標） ＺＤＩＡＣ、ＦＯＭＢＬＩＮ ＺＤＥＡＬ、ＦＯＭＢＬＩＮ ＡＭ－２００１（以上、Ｓｏｌｖａｙ Ｓｏｌｅｘｉｓ社製）、Ｍｏｒｅｓｃｏ Ａ２０Ｈ（Ｍｏｒｅｓｃｏ社製）などが挙げられる。本実施形態の潤滑剤と混合して用いる公知の材料は、数平均分子量が１０００～１００００であることが好ましい。

本実施形態の潤滑剤が、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の他の材料を含む場合、本実施形態の潤滑剤中の式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の含有量が５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましい。８０質量％以上や、９０質量％以上であってもよい。上限は任意に選択できるが、例えば、９９質量％以下や、９５質量％以下や、９０質量％以下であってもよい。

本実施形態の潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むため、厚みを薄くしても、高い被覆率で保護層の表面を被覆でき、保護層との密着性に優れる潤滑層を形成できる。よって、本実施形態の潤滑剤によれば、厚みが薄くても、優れた耐摩耗性を有し、ピックアップの抑制された潤滑層が得られる。

［磁気記録媒体］
本実施形態の磁気記録媒体は、基板上に、少なくとも磁性層と保護層と潤滑層が順次設けられたものである。
本実施形態の磁気記録媒体では、基板と磁性層との間に、必要に応じて１層または２層以上の下地層を設けることができる。また、下地層と基板との間に付着層および／または軟磁性層を設けることもできる。

図１は、本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示した概略断面図である。
本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、付着層１２と、軟磁性層１３と、第１下地層１４と、第２下地層１５と、磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられた構造をなしている。

「基板」
基板１１としては、例えば、ＡｌもしくはＡｌ合金などの金属または合金材料からなる基体上に、ＮｉＰまたはＮｉＰ合金からなる膜が形成された非磁性基板等を用いることができる。
また、基板１１としては、ガラス、セラミックス、シリコン、シリコンカーバイド、カーボン、樹脂などの非金属材料からなる非磁性基板を用いてもよいし、これらの非金属材料からなる基体上にＮｉＰまたはＮｉＰ合金の膜を形成した非磁性基板を用いてもよい。

「付着層」
付着層１２は、基板１１と、付着層１２上に設けられる軟磁性層１３とを接して配置した場合に生じる、基板１１の腐食の進行を防止する。
付着層１２の材料は、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金、ＣｒＴｉ、ＮｉＡｌ、ＡｌＲｕ合金等から適宜選択できる。付着層１２は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「軟磁性層」
軟磁性層１３は、第１軟磁性膜と、Ｒｕ膜からなる中間層と、第２軟磁性膜とが順に積層された構造を有していることが好ましい。すなわち、軟磁性層１３は、２層の軟磁性膜の間にＲｕ膜からなる中間層を挟み込むことによって、中間層の上下の軟磁性膜がアンチ・フェロ・カップリング（ＡＦＣ）結合した構造を有していることが好ましい。

第１軟磁性膜および第２軟磁性膜の材料としては、例えば、ＣｏＺｒＴａ合金、ＣｏＦｅ合金などが挙げられる。
第１軟磁性膜および第２軟磁性膜に使用されるＣｏＦｅ合金には、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂの何れかを添加することが好ましい。これにより、第１軟磁性膜および第２軟磁性膜の非晶質化が促進され、第１下地層（シード層）の配向性を向上させることが可能になるとともに、磁気ヘッドの浮上量を低減することが可能となる。
軟磁性層１３は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「第１下地層」
第１下地層１４は、その上に設けられる第２下地層１５および磁性層１６の配向や結晶サイズを制御するための層である。
第１下地層１４としては、例えば、Ｃｒ層、Ｔａ層、Ｒｕ層、あるいはＣｒＭｏ、ＣｏＷ、ＣｒＷ、ＣｒＶ、ＣｒＴｉ合金層などが挙げられる。
第１下地層１４は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「第２下地層」
第２下地層１５は、磁性層１６の配向が良好になるように制御する層である。第２下地層１５は、ＲｕまたはＲｕ合金からなる層であることが好ましい。
第２下地層１５は、１層からなる層であってもよいし、複数層から構成されていてもよい。第２下地層１５が複数層からなる場合、全ての層が同じ材料から構成されていてもよいし、少なくとも一層が異なる材料から構成されていてもよい。
第２下地層１５は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「磁性層」
磁性層１６は、磁化容易軸が基板面に対して垂直または水平方向を向いた磁性膜からなる。磁性層１６は、例えば、ＣｏとＰｔを含む層であり、さらにＳＮＲ特性を改善するために、酸化物や、Ｃｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｚｒ等を含む層であってもよい。
磁性層１６に含有される酸化物の例としては、ＳｉＯ_２、ＳｉＯ、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＣｏＯ、Ｔａ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２等が挙げられる。

磁性層１６は、１層から構成されていてもよいし、組成の異なる材料からなる複数の磁性層から構成されていてもよい。
例えば、磁性層１６が、下から順に積層された第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、さらに酸化物を含んだ材料からなるグラニュラー構造であることが好ましい。第１磁性層に含有される酸化物としては、例えば、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｏ等の酸化物を用いることが好ましい。その中でも、特に、ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２等を好適に用いることができる。また、第１磁性層は、酸化物を２種類以上添加した複合酸化物からなることが好ましい。その中でも、特に、Ｃｒ_２Ｏ_３－ＳｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３－ＴｉＯ_２、ＳｉＯ_２－ＴｉＯ_２等を好適に用いることができる。

第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、酸化物の他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅの中から選ばれる１種類以上の元素を好ましく含むことができる。
第２磁性層には、第１磁性層と同様の材料を用いることができる。第２磁性層は、グラニュラー構造であることが好ましい。

第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、酸化物を含まない材料からなる非グラニュラー構造であることが好ましい。第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔの他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｍｎの中から選ばれる１種類以上の元素を好ましく含むことができる。

磁性層１６が複数の磁性層で形成されている場合、隣接する磁性層の間には、非磁性層を設けることが好ましい。磁性層１６が、第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層と第２磁性層との間と、第２磁性層と第３磁性層との間に、非磁性層を設けることが好ましい。

磁性層１６の隣接する磁性層間に設けられる非磁性層は、例えば、Ｒｕ、Ｒｕ合金、ＣｏＣｒ合金、ＣｏＣｒＸ１合金（Ｘ１は、Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｂの中から選ばれる１種または２種以上の元素を表す。）等を好適に用いることができる。

磁性層１６の隣接する磁性層間に設けられる非磁性層には、酸化物、金属窒化物、または金属炭化物を含んだ合金材料を使用することが好ましい。具体的には、酸化物として、例えば、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、Ｙ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２等を好ましく用いることができる。金属窒化物として、例えば、ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＴａＮ、ＣｒＮ等を好ましく用いることができる。金属炭化物として、例えば、ＴａＣ、ＢＣ、ＳｉＣ等を好ましく用いることができる。
非磁性層は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

磁性層１６は、より高い記録密度を実現するために、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向を向いた垂直磁気記録の磁性層であることが好ましい。磁性層１６は、面内磁気記録の磁性層であってもよい。
磁性層１６は、蒸着法、イオンビームスパッタ法、マグネトロンスパッタ法等、従来の公知のいかなる方法によって形成してもよい。磁性層１６は、通常、スパッタリング法により形成される。

「保護層」
保護層１７は、磁性層１６を保護する。保護層１７は、一層から構成されていてもよいし、複数層から構成されていてもよい。保護層１７の材料としては、炭素、窒素を含む炭素、炭化ケイ素などが挙げられる。
保護層１７としては、炭素系保護層を好ましく用いることができ、特にアモルファス炭素保護層が好ましい。保護層１７が炭素系保護層であると、潤滑層１８中の含フッ素エーテル化合物に含まれる水酸基との相互作用が一層高まるため、好ましい。

炭素系保護層と潤滑層１８との付着力は、炭素系保護層を水素化炭素および／または窒素化炭素とし、炭素系保護層中の水素含有量および／または窒素含有量を調節することにより制御可能である。炭素系保護層中の水素含有量は、水素前方散乱法（ＨＦＳ）で測定したときに３～２０原子％であることが好ましい。また、炭素系保護層中の窒素含有量はＸ線光電子分光分析法（ＸＰＳ）で測定したときに、４～１５原子％であることが好ましい。

炭素系保護層に含まれる水素および／または窒素は、炭素系保護層全体に均一に含有される必要はない。炭素系保護層は、例えば、保護層１７の潤滑層１８側に窒素を含有させ、保護層１７の磁性層１６側に水素を含有させた組成傾斜層とすることが好適である。この場合、磁性層１６および潤滑層１８と、炭素系保護層との付着力が、より一層向上する。

保護層１７の膜厚は任意に選択できるが、１ｎｍ～７ｎｍとすることがよい。保護層１７の膜厚が１ｎｍ以上であると、保護層１７としての性能が充分に得られる。保護層１７の膜厚が７ｎｍ以下であると、保護層１７の薄膜化の観点から好ましい。

保護層１７の成膜方法としては、炭素を含むターゲット材を用いるスパッタ法や、エチレンやトルエン等の炭化水素原料を用いるＣＶＤ（化学蒸着法）法、ＩＢＤ（イオンビーム蒸着）法等を用いることができる。
保護層１７として炭素系保護層を形成する場合、例えばＤＣマグネトロンスパッタリング法により成膜することができる。特に、保護層１７として炭素系保護層を形成する場合、プラズマＣＶＤ法により、アモルファス炭素保護層を成膜することが好ましい。プラズマＣＶＤ法により成膜したアモルファス炭素保護層は、表面が均一で、粗さが小さいものとなる。

「潤滑層」
潤滑層１８は、磁気記録媒体１０の汚染を防止する。また、潤滑層１８は、磁気記録媒体１０上を摺動する磁気記録再生装置の磁気ヘッドの摩擦力を低減させて、磁気記録媒体１０の耐久性を向上させる。
潤滑層１８は、図１に示すように、保護層１７上にかつ接して形成されている。潤滑層１８は、上述の含フッ素エーテル化合物を含む。

潤滑層１８は、潤滑層１８の下に配置されている保護層１７が、炭素系保護層である場合、特に、保護層１７と高い結合力で結合される。その結果、潤滑層１８の厚みが薄くても、高い被覆率で保護層１７の表面が被覆された磁気記録媒体１０が得られやすくなり、磁気記録媒体１０の表面の汚染を効果的に防止できる。

潤滑層１８の平均膜厚は任意に選択できるが、０．５ｎｍ（５Å）～３ｎｍ（３０Å）であることが好ましく、０．５ｎｍ（５Å）～１ｎｍ（１０Å）であることがより好ましい。潤滑層１８の平均膜厚が０．５ｎｍ以上であると、潤滑層１８がアイランド状または網目状とならずに均一の膜厚で形成される。このため、潤滑層１８によって、保護層１７の表面を高い被覆率で被覆できる。また、潤滑層１８の平均膜厚を３ｎｍ以下にすることで、潤滑層１８を充分に薄膜化でき、磁気ヘッドの浮上量を十分小さくできる。

保護層１７の表面が潤滑層１８によって十分に高い被覆率で被覆されていない場合、磁気記録媒体１０の表面に吸着した環境物質が、潤滑層１８の隙間を通り抜けて、潤滑層１８の下に侵入する。潤滑層１８の下層に侵入した環境物質は、保護層１７と吸着、結合し汚染物質を生成する。そして、磁気記録再生の際に、この汚染物質（凝集成分）がスメアとして磁気ヘッドに付着（転写）して、磁気ヘッドを破損したり、磁気記録再生装置の磁気記録再生特性を低下させたりする。

汚染物質を生成させる環境物質としては、例えば、シロキサン化合物（環状シロキサン、直鎖シロキサン）、イオン性不純物、オクタコサン等の比較的分子量の高い炭化水素、フタル酸ジオクチル等の可塑剤等が挙げられる。イオン性不純物に含まれる金属イオンとしては、例えば、ナトリウムイオン、カリウムイオン等を挙げることができる。イオン性不純物に含まれる無機イオンとしては、例えば、塩素イオン、臭素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、アンモニウムイオン等を挙げることができる。イオン性不純物に含まれる有機物イオンとしては、例えば、シュウ酸イオン、蟻酸イオン等を挙げることができる。

「潤滑層の形成方法」
潤滑層１８を形成する方法としては任意に選択できるが、例えば、基板１１上に保護層１７までの各層が形成された製造途中の磁気記録媒体を用意し、保護層１７上に潤滑層形成用溶液を塗布し、乾燥させる方法が挙げられる。

潤滑層形成用溶液は、例えば、上述の実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤を必要に応じて、溶媒に分散溶解させ、塗布方法に適した粘度および濃度とすることによって得られる。
潤滑層形成用溶液に用いられる溶媒としては、例えば、バートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）等のフッ素系溶媒等が挙げられる。

潤滑層形成用溶液の塗布方法は、特に限定されないが、例えば、スピンコート法、スプレイ法、ペーパーコート法、ディップ法等が挙げられる。
ディップ法を用いる場合、例えば、以下に示す方法を用いることができる。まず、ディップコート装置の浸漬槽に入れられた潤滑層形成用溶液中に、保護層１７までの各層が形成された基板１１を浸漬する。次いで、浸漬槽から基板１１を所定の速度で引き上げる。このことにより、潤滑層形成用溶液を基板１１の保護層１７上の表面に塗布する。
ディップ法を用いることで、潤滑層形成用溶液を保護層１７の表面に均一に塗布することができ、保護層１７上に均一な膜厚で潤滑層１８を形成できる。

本実施形態においては、潤滑層１８を形成した基板１１に熱処理を施すことが好ましい。熱処理を施すことにより、潤滑層１８と保護層１７との密着性が向上し、潤滑層１８と保護層１７との付着力が向上する。
熱処理温度は任意に選択できるが、１００～１８０℃とすることが好ましい。熱処理温度が１００℃以上であると、潤滑層１８と保護層１７との密着性を向上させる効果が十分に得られる。また、熱処理温度を１８０℃以下にすることで、潤滑層１８の熱分解を防止できる。熱処理時間は１０～１２０分とすることが好ましい。

本実施形態においては、潤滑層１８の保護層１７に対する付着力をより一層向上させるために、熱処理前もしくは熱処理後の基板１１の潤滑層１８に、紫外線（ＵＶ）を照射する処理を行ってもよい。

本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、少なくとも磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられたものである。本実施形態の磁気記録媒体１０では、保護層１７上に接して上述の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層１８が形成されている。この潤滑層１８は、厚みが薄くても、高い被覆率で保護層１７の表面を被覆している。よって、本実施形態の磁気記録媒体１０では、イオン性不純物などの汚染物質を生成させる環境物質が、潤滑層１８の隙間から侵入することが防止されている。したがって、本実施形態の磁気記録媒体１０は、表面上に存在する汚染物質が少ないものである。また、本実施形態の磁気記録媒体１０における潤滑層１８は、異物（スメア）を生じさせにくく、ピックアップを抑制できる。また、本実施形態の磁気記録媒体１０における潤滑層１８は、優れた耐摩耗性を有する。このため、本実施形態の磁気記録媒体１０は、優れた信頼性および耐久性を有する。

以下、実施例および比較例により本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、以下の実施例のみに限定されない。

（実施例１）
以下に示す方法により、下記式（５）で示される化合物を製造した。

（式（５）中、Ｒ^２は下記式（２）で表される。）
（式（２）中、ｐは３．０であり、ｑは３．０である。）

１，３－ジヒドロキシベンゼンとエピクロロヒドリンとを用いて、アセトン溶媒中、炭酸カリウム存在下で反応させることにより、下記式（６）で表される化合物を合成した。

そして、窒素ガス雰囲気下、１００ｍＬナスフラスコにＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｐ（ＣＦ_２Ｏ）_ｑＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中のｑは３．０であり、ｑは３．０である。）で表される化合物（数平均分子量６５０、分子量分布１．１）３０．０ｇと、式（６）で示される化合物１．３５ｇ（分子量２２２、６．１ｍｍｏｌ）と、ｔ－ブタノール（ｔ－ＢｕＯＨ）２０ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にさらにカリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（ｔ－ＢｕＯＫ）を０．５０ｇ（分子量１１２、４．５ｍｍｏｌ）加え、７０℃で１６時間撹拌して反応させた。

得られた反応生成物を２５℃に冷却し、水４０ｍＬが入った分液漏斗へ移し、酢酸エチルを１００ｍＬ用いて２回抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによって脱水した。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、下記式（７）で示される化合物７．６ｇ（数平均分子量１６６９、４．６ｍｍｏｌ）を得た。

（式（７）中、Ｒ^２は下記式（２）で表される。）
（式（２）中、ｐは３．０であり、ｑは３．０である。）

次いで、式（７）で示される化合物７．５ｇと、エピブロモヒドリン１．２５ｇ（分子量１３７、９．１ｍｍｏｌ）と、ｔ－ＢｕＯＨ２５ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にさらにｔ－ＢｕＯＫを１．００ｇ（分子量１１２、８．９ｍｍｏｌ）加え、７０℃で６時間撹拌して反応させた。
得られた反応生成物を２５℃に冷却し、水３０ｍＬが入った分液漏斗へ移し、酢酸エチル１００ｍＬで２回抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによって脱水した。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、下記式（８）で示される化合物６．３ｇ（数平均分子量１７８１、３．５ｍｍｏｌ）を得た。

（式（８）中、Ｒ^２は下記式（２）で表される。）
（式（２）中、ｐは３．０であり、ｑは３．０である。）

次いで、式（８）で示される化合物６．０ｇと、エチレングリコール１．６７ｇ（分子量６２、２６．９ｍｍｏｌ）と、ｔ－ＢｕＯＨ３０ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にさらにｔ－ＢｕＯＫを０．４０ｇ（分子量１１２、３．６ｍｍｏｌ）加え、７０℃で６時間撹拌して反応させた。
得られた反応生成物を２５℃に冷却し、水３０ｍＬが入った分液漏斗へ移し、酢酸エチル１００ｍＬで２回抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによって脱水した。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、上記式（５）で示される化合物４．３ｇを得た。

得られた化合物（５）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
（同定データ）
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］３．３～４．２（３６Ｈ）、６．６～６．８（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１２Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（２４Ｆ）

（実施例２）
実施例１において用いたＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｐ（ＣＦ_２Ｏ）_ｑＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中のｐは３．０であり、ｑは３．０である。）で表されるフルオロポリエーテルの代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｐ（ＣＦ_２Ｏ）_ｑＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中のｐは４．５であり、ｑは０である。）で表されるフルオロポリエーテル（数平均分子量６５０、分子量分布１．２）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、下記式（９）で示される化合物４．４ｇを得た。

（式（９）中、Ｒ^２は下記式（２）で表される。）
（式（２）中、ｐは４．５であり、ｑは０である。）

得られた化合物（９）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
（同定データ）
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］３．３～４．２（３６Ｈ）、６．６～６．８（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－７８．５（４Ｆ）、－８１．３（４Ｆ）、－９０．０～－８８．５（３６Ｆ）

（実施例３）
実施例１において用いたＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｐ（ＣＦ_２Ｏ）_ｑＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中のｐは３．０であり、ｑは３．０である。）で表されるフルオロポリエーテルの代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｒＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中のｒは２．５である。）で表されるフルオロポリエーテル（数平均分子量６５０、分子量分布１．２）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、下記式（１０）で示される化合物４．４ｇを得た。

（式（１０）中、Ｒ^２は下記式（３）で表される。）
（式（３）中、ｒは２．５である。）

得られた化合物（１０）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
（同定データ）
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］３．３～４．２（３６Ｈ）、６．６～６．８（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（２０Ｆ）、－８６．４（８Ｆ）、－１２４．３（８Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１０Ｆ）

（実施例４）
実施例１において用いたＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｐ（ＣＦ_２Ｏ）_ｑＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中のｐは３．０であり、ｑは３．０である。）で表されるフルオロポリエーテルの代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｓＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中のｓは１．５である。）で表されるフルオロポリエーテル（数平均分子量６５０、分子量分布１．２）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、下記式（１１）で示される化合物３．９ｇを得た。

（式（１１）中、Ｒ^２は下記式（４）で表される。）
（式（４）中、ｓは１．５である。）

得られた化合物（１１）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
（同定データ）
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］３．３～４．２（３６Ｈ）、６．６～６．８（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（２０Ｆ）、－１２２．５（８Ｆ）、－１２６．０（１２Ｆ）、－１２９．０～－１２８．０（８Ｆ）

（実施例５）
実施例１において用いたエチレングリコールの代わりに、１，３－プロパンジオールを用いたこと以外は実施例１と同様にして、下記式（１２）で示される化合物４．５ｇを得た。

（式（１２）中、Ｒ^２は下記式（２）で表される。）
（式（２）中、ｐは３．０であり、ｑは３．０である。）

得られた化合物（１２）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
（同定データ）
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］１．００～１．４０（４Ｈ）、３．３～４．２（３６Ｈ）、６．６～６．８（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１２Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（２４Ｆ）

（実施例６）
実施例１において用いたエチレングリコールの代わりに、１，４－ブタンジオールを用いたこと以外は実施例１と同様にして、下記式（１３）で示される化合物４．２ｇを得た。

（式（１３）中、Ｒ^２は下記式（２）で表される。）
（式（２）中、ｐは３．０であり、ｑは３．０である。）

得られた化合物（１３）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
（同定データ）
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］１．００～１．４０（８Ｈ）、３．３～４．２（３６Ｈ）、６．６～６．８（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１２Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（２４Ｆ）

（実施例７）
１，３－ジヒドロキシベンゼンと１，２－ジブロモエタンとを用いて、塩基性条件下、置換反応させる方法により、下記式（１４）で表される化合物を合成した。

そして、実施例１において用いた上記式（６）で示される化合物の代わりに、上記式（１４）で示される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様にして、下記式（１５）で示される化合物３．８ｇを得た。

（式（１５）中、Ｒ^２は下記式（２）で表される。）
（式（２）中、ｐは３．０であり、ｑは３．０である。）

得られた化合物（１５）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
（同定データ）
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］３．３～４．２（３４Ｈ）、６．６～６．８（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１２Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（２４Ｆ）

（実施例８）
実施例１において用いたＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｐ（ＣＦ_２Ｏ）_ｑＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中のｐは３．０であり、ｑは３．０である。）で表されるフルオロポリエーテルの代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｐ（ＣＦ_２Ｏ）_ｑＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中のｐは４．５であり、ｑは０である。）で表されるフルオロポリエーテル（数平均分子量６５０、分子量分布１．２）を用いたこと、上記式（６）で示される化合物の代わりに、上記式（１４）で示される化合物を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、下記式（１６）で示される化合物３．９ｇを得た。

（式（１６）中、Ｒ^２は下記式（２）で表される。）
（式（２）中、ｐは４．５であり、ｑは０である。）

得られた化合物（１６）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
（同定データ）
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］３．３～４．２（３４Ｈ）、６．６～６．８（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－７８．５（４Ｆ）、－８１．３（４Ｆ）、－９０．０～－８８．５（３６Ｆ）

（実施例９）
実施例１において用いたＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｐ（ＣＦ_２Ｏ）_ｑＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中のｐは３．０であり、ｑは３．０である。）で表されるフルオロポリエーテルの代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｒＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中のｒは２．５である。）で表されるフルオロポリエーテル（数平均分子量６５０、分子量分布１．２）を用いたこと、上記式（６）で示される化合物の代わりに、上記式（１４）で示される化合物を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、下記式（１７）で示される化合物３．９ｇを得た。

（式（１７）中、Ｒ^２は下記式（３）で表される。）
（式（３）中、ｒは２．５である。）

得られた化合物（１７）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
（同定データ）
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］３．３～４．２（３４Ｈ）、６．６～６．８（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（２０Ｆ）、－８６．４（８Ｆ）、－１２４．３（８Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１０Ｆ）

（実施例１０）
実施例１において用いたＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｐ（ＣＦ_２Ｏ）_ｑＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中のｐは３．０であり、ｑは３．０である。）で表されるフルオロポリエーテルの代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｓＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中のｓは１．５である。）で表されるフルオロポリエーテル（数平均分子量６５０、分子量分布１．２）を用いたこと、上記式（６）で示される化合物の代わりに、上記式（１４）で示される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様にして、下記式（１８）で示される化合物４．１ｇを得た。

（式（１８）中、Ｒ^２は下記式（４）で表される。）
（式（４）中、ｓは１．５である。）

得られた化合物（１８）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
（同定データ）
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］３．３～４．２（３４Ｈ）、６．６～６．８（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（２０Ｆ）、－１２２．５（８Ｆ）、－１２６．０（１２Ｆ）、－１２９．０～－１２８．０（８Ｆ）

（実施例１１）
１，３，５－トリヒドロキシベンゼンとエピクロロヒドリンとを用いたこと以外は、実施例１の式（６）で表される化合物と同様にして、下記式（１９）で表される化合物を合成した。

そして、実施例１において用いた上記式（６）で示される化合物の代わりに、上記式（１９）で示される化合物を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、下記式（２０）で示される化合物３．４ｇを得た。

（式（２０）中、Ｒ^２は下記式（２）で表される。）
（式（２）中、ｐは３．０であり、ｑは３．０である。）

得られた化合物（２０）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
（同定データ）
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］３．３～４．２（５４Ｈ）、６．６～６．８（３Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１８Ｆ）、－７８．５（６Ｆ）、－８０．５（６Ｆ）、－９１．０～－８８．５（３６Ｆ）

（実施例１２）
１，３，５－トリヒドロキシベンゼンと１，３－ジブロモプロパンとを用いたこと以外は、実施例７の式（１４）で表される化合物と同様にして、下記式（２１）で表される化合物を合成した。

そして、実施例１において用いた上記式（６）で示される化合物の代わりに、上記式（２１）で示される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様にして、下記式（２２）で示される化合物４．７ｇを得た。

（式（２２）中、Ｒ^２は下記式（２）で表される。）
（式（２）中、ｐは３．０であり、ｑは３．０である。）

得られた化合物（２２）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
（同定データ）
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］３．３～４．２（５７Ｈ）、６．６～６．８（３Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１８Ｆ）、－７８．５（６Ｆ）、－８０．５（６Ｆ）、－９１．０～－８８．５（３６Ｆ）

（実施例１３）
実施例１において用いたＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｐ（ＣＦ_２Ｏ）_ｑＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中のｐは３．０であり、ｑは３．０である。）で表されるフルオロポリエーテルの代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｐ（ＣＦ_２Ｏ）_ｑＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中のｐは４．５であり、ｑは０である。）で表されるフルオロポリエーテル（数平均分子量６５０、分子量分布１．２）を用いたこと、上記式（６）で示される化合物の代わりに、上記式（２１）で示される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様にして、下記式（２３）で示される化合物４．８ｇを得た。

（式（２３）中、Ｒ^２は下記式（２）で表される。）
（式（２）中、ｐは４．５であり、ｑは０である。）

得られた化合物（２３）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
（同定データ）
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］３．３～４．２（５７Ｈ）、６．６～６．８（３Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－７８．５（６Ｆ）、－８１．３（６Ｆ）、－９０．０～－８８．５（５４Ｆ）

（実施例１４）
実施例１において用いたＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｐ（ＣＦ_２Ｏ）_ｑＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中のｐは３．０であり、ｑは３．０である。）で表されるフルオロポリエーテルの代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｒＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中のｒは２．５である。）で表されるフルオロポリエーテル（数平均分子量６５０、分子量分布１．２）を用いたこと、上記式（６）で示される化合物の代わりに、上記式（２１）で示される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様にして、下記式（２４）で示される化合物４．７ｇを得た。

（式（２４）中、Ｒ^２は下記式（３）で表される。）
（式（３）中、ｒは２．５である。）

得られた化合物（２４）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
（同定データ）
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］３．３～４．２（５７Ｈ）、６．６～６．８（３Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（３０Ｆ）、－８６．４（１２Ｆ）、－１２４．３（１２Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１５Ｆ）

（実施例１５）
実施例１において用いたＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｐ（ＣＦ_２Ｏ）_ｑＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中のｐは３．０であり、ｑは３．０である。）で表されるフルオロポリエーテルの代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｓＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中のｓは１．５である。）で表されるフルオロポリエーテル（数平均分子量６５０、分子量分布１．２）を用いたこと、上記式（６）で示される化合物の代わりに、上記式（２１）で示される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様にして、下記式（２５）で示される化合物４．２ｇを得た。

（式（２５）中、Ｒ^２は下記式（４）で表される。）
（式（４）中、ｓは１．５である。）

得られた化合物（２５）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
（同定データ）
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］３．３～４．２（５７Ｈ）、６．６～６．８（３Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（３０Ｆ）、－１２２．５（１２Ｆ）、－１２６．０（１８Ｆ）、－１２９．０～－１２８．０（１２Ｆ）

（実施例１６）
実施例１において用いた上記式（６）で示される化合物の代わりに、上記式（２１）で示される化合物を用いたこと、エチレングリコールの代わりに、１，３－プロパンジオールを用いたこと以外は実施例１と同様にして、下記式（２６）で示される化合物４．６ｇを得た。

（式（２６）中、Ｒ^２は下記式（２）で表される。）
（式（２）中、ｐは３．０であり、ｑは３．０である。）

得られた化合物（２６）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
（同定データ）
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］１．００～１．４０（６Ｈ）、３．３～４．２（５７Ｈ）、６．６～６．８（３Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）： δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１８Ｆ）、－７８．５（６Ｆ）、－８０．５（６Ｆ）、－９１．０～－８８．５（３６Ｆ）

（実施例１７）
実施例１において用いた上記式（６）で示される化合物の代わりに、上記式（２１）で示される化合物を用いたこと、エチレングリコールの代わりに、１，４－ブタンジオールを用いたこと以外は実施例１と同様にして、下記式（２７）で示される化合物４．６ｇを得た。

（式（２７）中、Ｒ^２は下記式（２）で表される。）
（式（２）中、ｐは３．０であり、ｑは３．０である。）

得られた化合物（２７）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
（同定データ）
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］１．００～１．４０（１２Ｈ）、３．３～４．２（５７Ｈ）、６．６～６．８（３Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１８Ｆ）、－７８．５（６Ｆ）、－８０．５（６Ｆ）、－９１．０～－８８．５（３６Ｆ）

（比較例１）
下記式（２８）で表される化合物を特許文献１に記載の方法で合成した。

（式（２８）中、Ｒ^２は下記式（４）で表される。）
（式（４）中、ｓは１．５である。）

（比較例２）
下記式（２９）で表される化合物を特許文献１に記載の方法で合成した。

（式（２９）中、Ｒ^２は下記式（４）で表される。）
（式（４）中、ｓは１．５である。）

（比較例３）
下記式（３０）で表される化合物を特許文献２に記載の方法で合成した。

（式（３０）中、Ｒ^２は下記式（４）で表される。）
（式（４）中、ｓは１．５である。）

（比較例４）
下記式（３１）で表される化合物を特許文献３に記載の方法で合成した。

（式（３１）中、ｐは９．０であり、ｑは９．０である。）

このようにして得られた実施例１～１７の化合物における式（１）中のｎの数（ベンゼン置換基数）、Ｒ^３のｍの数、Ｒ^１～Ｒ^２の構造を表１に示す。

このようにして得られた実施例１～１７および比較例１～４の化合物の数平均分子量を、上述した^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲの測定により求めた。その結果を表２に示す。

表２中、◎は優れた結果を意味し、○は良い結果を意味し、△は可の結果を意味し、×は劣った結果を意味する。

次に、以下に示す方法により、実施例１～１７および比較例１～４で得られた化合物を用いて潤滑層形成用溶液を調製した。そして、得られた潤滑層形成用溶液を用いて、以下に示す方法により、磁気記録媒体の潤滑層を形成し、実施例１～１７および比較例１～４の磁気記録媒体を得た。

「潤滑層形成用溶液」
実施例１～１７および比較例１～４で得られた化合物を、それぞれフッ素系溶媒であるバートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）に溶解し、保護層上に塗布した時の膜厚が９Å～１０Åになるように、さらにバートレルＸＦで希釈し、潤滑層形成用溶液とした。

「磁気記録媒体」
直径６５ｍｍの基板上に、付着層と軟磁性層と第１下地層と第２下地層と磁性層と保護層とを順次設けた磁気記録媒体を用意した。保護層は、炭素からなるものとした。
保護層までの各層の形成された磁気記録媒体の保護層上に、実施例１～１７および比較例１～４の潤滑層形成用溶液を、ディップ法により塗布した。なお、ディップ法は、浸漬速度１０ｍｍ／ｓｅｃ、浸漬時間３０ｓｅｃ、引き上げ速度１．２ｍｍ／ｓｅｃの条件で行った。
その後、潤滑層形成用溶液を塗布した磁気記録媒体を、１２０℃の恒温槽に入れ、１０分間加熱して潤滑層形成用溶液中の溶媒を除去することにより、保護層上に潤滑層を形成し、磁気記録媒体を得た。

このようにして得られた実施例１～１７および比較例１～４の磁気記録媒体の有する潤滑層の膜厚を、ＦＴ－ＩＲ（商品名：Ｎｉｃｏｌｅｔ ｉＳ５０、Ｔｈｅｒｍｏ Ｆｉｓｈｅｒ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）を用いて測定した。その結果を表２に示す。

また、実施例１～１７および比較例１～４の磁気記録媒体に対して、以下に示す潤滑層と保護層との密着性（ボンド率）測定と、ピックアップ抑制試験および耐摩耗性試験を行なった。その結果を表２に示す。

（潤滑層と保護層との密着性（ボンド率）測定）
潤滑層の形成された磁気記録媒体を、溶媒であるバートレルＸＦ中に１０分間浸漬して、引き上げる方法により洗浄した。磁気記録媒体を溶媒中に浸漬する速度は１０ｍｍ／ｓｅｃとし、引き上げる速度は１．２ｍｍ／ｓｅｃとした。
その後、洗浄前に行った潤滑層の膜厚の測定と同じ方法で、潤滑層の膜厚を測定した。

そして、洗浄前の潤滑層の膜厚をＡ、洗浄後（溶媒浸漬後）の潤滑層の膜厚をＢとし、ＡとＢとの比（（Ｂ／Ａ）×１００（％））から潤滑剤の結合率（ボンド率）を算出した。算出したボンド率を用いて、以下に示す基準により、潤滑層と保護層との密着性を評価した。

「密着性（ボンド率）評価」
○（良）：ボンド率が６５％以上
△（可）：ボンド率が５０％以上、６５％未満
×（不可）：ボンド率が５０％未満

（ピックアップ抑制試験）
スピンスタンドに磁気記録媒体および磁気ヘッドを装着し、常温減圧下（約２５０ｔｏｒｒ）で、磁気記録媒体を回転させながら、１０分間磁気ヘッドを定点浮上させた。その後、磁気ヘッドの磁気記録媒体と相対する面（潤滑層の表面）を、ＥＳＣＡ（Electron Spectroscopy for Chemical Analysis）分析装置を用いて分析した。そして、ＥＳＣＡで測定したフッ素由来のピークの強度（信号強度（ａ．ｕ．））から、磁気ヘッドへの潤滑剤の付着量を表３に示す基準により評価した。

表３中、◎は優れた結果を意味し、○は良い結果を意味し、×は劣った結果を意味する。

（耐摩耗性試験）
ピンオンディスク型摩擦摩耗試験機を用い、接触子としての直径２ｍｍのアルミナの球を、荷重４０ｇｆ、摺動速度０．２５ｍ／ｓｅｃで、磁気記録媒体の潤滑層上で摺動させ、潤滑層の表面の摩擦係数を測定した。そして、潤滑層の表面の摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間を測定した。摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間は、各磁気記録媒体の潤滑層について４回ずつ測定し、その平均値（時間）を潤滑剤塗膜の耐摩耗性の指標とした。

実施例１～１７および比較例１～４の磁気記録媒体において、摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間による耐摩耗性の評価は、以下のとおりとした。
「耐摩耗性（摺動時間）評価」
◎（優）：６５０ｓｅｃ以上
○（良）：５５０ｓｅｃ以上、６５０ｓｅｃ未満
△（可）：４５０ｓｅｃ以上、５５０ｓｅｃ未満
×（不可）：４５０ｓｅｃ未満

なお、摩擦係数が急激に増大するまでの時間は、以下に示す理由により、潤滑層の耐摩耗性の指標として用いることができる。磁気記録媒体の潤滑層は、磁気記録媒体を使用することにより摩耗が進行し、摩耗により潤滑層が無くなると、接触子と保護層とが直接接触して、摩擦係数が急激に増大するためである。本摩擦係数が急激に増大するまでの時間は、フリクション試験とも相関があると考えられる。

表２に示すように、実施例１～１７では、潤滑層と保護層との密着性（ボンド率）の評価結果、ピックアップ抑制試験および耐摩耗性試験の結果が、いずれも良好であった。これに対し、末端基が、－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_ｍＯＨ（式中のｍは２～４の整数である。）ではなく、－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＨである化合物を用いた比較例１～比較例２では、ピックアップ抑制試験の評価が×（不可）であった。
そして、末端基が－ＯＨである化合物を用いた比較例３では、ボンド率およびピックアップ抑制試験の評価が×（不可）であった。
また、分子の中央にパーフルオロポリエーテル鎖が配置されている化合物を用いた比較例４では、ボンド率およびピックアップ抑制試験の評価が×（不可）であった。
比較例１～４は、実施例１～１７と比較して、ボンド率、ピックアップ抑制試験、耐摩耗性試験のいずれも劣る結果であった。

以上の結果から、磁気記録媒体の保護層上に、実施例１～１７の化合物を含む潤滑層を形成することで、厚みが９Å～１０Åと薄くても、保護層との密着性に優れ、ピックアップが生じにくく、耐摩耗性に優れた潤滑層が得られることがわかった。

本発明は、厚みを薄くしても、優れた耐摩耗性を有し、ピックアップの抑制された潤滑層を形成でき、磁気記録媒体用潤滑剤の材料として好適に用いることができる含フッ素エーテル化合物を提供する。本発明の含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体用潤滑剤を用いることにより、厚みが薄くても、優れた耐摩耗性を有し、ピックアップの抑制された潤滑層を形成できる。

１０・・・磁気記録媒体、１１・・・基板、１２・・・付着層、１３・・・軟磁性層、１４・・・第１下地層、１５・・・第２下地層、１６・・・磁性層、１７・・・保護層、１８・・・潤滑層。

Claims (7)

1. 下記式（１）で表されることを特徴とする含フッ素エーテル化合物。
   Ｃ_６Ｈ_６－ｎ－［Ｏ－Ｒ^１－Ｏ－ＣＨ_２－Ｒ^２－ＣＨ_２－Ｒ^３］_ｎ （１）
   （式（１）中、ｎは２または３の整数であり、Ｒ^１は－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２－のいずれかであり、Ｒ^２はパーフルオロポリエーテル鎖であり、Ｒ^３は－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_ｍＯＨ（式中のｍは２～４の整数である。）である。）
2. 前記式（１）におけるＲ^２が、下記式（２）～（４）のいずれかで表されることを特徴とする請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。
   

   

   
   （式（２）中、ｐは１～３０を表し、ｑは０～３０を表す。）
   （式（３）中、ｒは１～３０を表す。）
   （式（４）中、ｓは１～２０を表す。）
3. 下記式（Ａ）～（Ｎ）で表されるいずれかの化合物であることを特徴とする請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物。
   

   

   
   （式（Ａ）中、Ｒ^２は前記式（２）で表される。）
   （式（Ｂ）中、Ｒ^２は前記式（３）で表される。）
   （式（Ｃ）中、Ｒ^２は前記式（４）で表される。）
   （式（Ｄ）中、Ｒ^２は前記式（２）で表される。）
   （式（Ｅ）中、Ｒ^２は前記式（２）で表される。）
   （式（Ｆ）中、Ｒ^２は前記式（２）で表される。）
   （式（Ｇ）中、Ｒ^２は前記式（３）で表される。）
   （式（Ｈ）中、Ｒ^２は前記式（４）で表される。）
   

   

   
   （式（Ｉ）中、Ｒ^２は前記式（２）で表される。）
   （式（Ｊ）中、Ｒ^２は前記式（２）で表される。）
   （式（Ｋ）中、Ｒ^２は前記式（３）で表される。）
   （式（Ｌ）中、Ｒ^２は前記式（４）で表される。）
   （式（Ｍ）中、Ｒ^２は前記式（２）で表される。）
   （式（Ｎ）中、Ｒ^２は前記式（２）で表される。）
4. 数平均分子量が５００～１００００の範囲内である請求項１～請求項３のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
5. 請求項１～請求項４のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体用潤滑剤。
6. 基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層とが順次設けられた磁気記録媒体であって、前記潤滑層が、請求項１～請求項４のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
7. 前記潤滑層の平均膜厚が、０．５ｎｍ～３ｎｍである請求項６に記載の磁気記録媒体。

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