JP7619268B2 - 含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体 - Google Patents

Description

本発明は、含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体に関する。
本願は、２０１９年９月１８日に、日本に出願された特願２０１９－１６９４８９号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

磁気記録再生装置の記録密度を向上させるために、高記録密度に適した磁気記録媒体の開発が進められている。
従来、磁気記録媒体として、基板上に記録層を形成し、記録層上にカーボン等の保護層を形成したものがある。保護層は、記録層に記録された情報を保護するとともに、磁気ヘッドの摺動性を高める。しかし、記録層上に保護層を設けただけでは、磁気記録媒体の耐久性は十分に得られない。このため、一般に、保護層の表面に潤滑剤を塗布して潤滑層を形成している。

磁気記録媒体の潤滑層を形成する際に用いる潤滑剤として、例えば、ＣＦ_２を含む繰り返し構造を有するフッ素系ポリマーがある。フッ素系ポリマーとしては、末端に水酸基等の極性基を有する化合物を、芳香環および／または飽和の脂環式構造で連結したものが提案されている。

特許文献１には、トリアジン、ベンゼン、ジフェニルエーテル、ポリフェニルエーテル、環状炭化水素またはそれらの誘導体からなる群より選択される中核と、前記中核から延在する１つ以上のアームとを含む組成物が開示されている。また、特許文献１には、１つ以上のアームが、パーフルオロポリエーテルまたはパーフルオロポリエーテルの誘導体を有することが開示されている。
特許文献２には、三価の原子または三価の原子団に、末端に極性基を有する３つの含フッ素エーテル基が接続された含フッ素エーテル化合物が開示されている。

特表２０１４－５０９６７７号公報 国際公開第２０１８／１５９２３２号

磁気記録再生装置においては、より一層、磁気ヘッドの浮上量を小さくすることが要求されている。このため、磁気記録媒体における潤滑層の厚みを、より薄くすることが求められている。
しかし、一般的に潤滑層の厚みを薄くすると、潤滑層の被覆性が低下して、磁気記録媒体の化学物質耐性が低下する傾向がある。また、潤滑層の厚みを薄くすると、保護層の表面を被覆している潤滑層と保護層との密着性が不足して、潤滑層中の含フッ素エーテル化合物が磁気ヘッドに付着するピックアップが発生し易くなる。

また、磁気記録再生装置は、通常、パーソナルコンピュータなどに備えられる筐体内に設置される。このため、磁気記録再生装置は、局所的に高温環境にさらされる場合がある。このことから、磁気記録媒体の潤滑層として、熱安定性（耐熱性）に優れるものが求められている。

本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、厚みを薄くしても、優れた化学物質耐性および耐熱性を有し、ピックアップの抑制された潤滑層を形成でき、磁気記録媒体用潤滑剤の材料として好適に用いることができる含フッ素エーテル化合物を提供することを課題とする。
また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体用潤滑剤を提供することを課題とする。
また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層が設けられ、優れた信頼性および耐久性を有する磁気記録媒体を提供することを課題とする。

本発明者は、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた。
その結果、パーフルオロポリエーテル鎖の第１端部に炭素数３～１３の脂環式構造を有する有機基を、特定の連結基とメチレン基を介して配置し、第２端部に２つまたは３つの極性基を含む特定の末端基を、メチレン基を介して配置した含フッ素エーテル化合物とすればよいことを見出し、本発明を想到した。
すなわち、本発明の第一の態様は以下の含フッ素エーテル化合物である。

［１］ 下記式（１）で表されることを特徴とする含フッ素エーテル化合物。
Ｒ^１－Ｒ^２－ＣＨ_２－Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｒ^４ （１）
（式（１）中、Ｒ^１は炭素数３～１３の脂環式構造を有する有機基である；Ｒ^２は下記式（２）で表され、式（２）中のａは１～３の整数である；Ｒ^３はパーフルオロポリエーテル鎖である；Ｒ^４は２つまたは３つの極性基を含み、各極性基がそれぞれ異なる炭素原子に結合し、前記極性基の結合している炭素原子同士が、極性基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している末端基である。）

本発明の第一の態様の上記含フッ素エーテル化合物は、次に述べるように、以下の特徴を好ましく含むことができる。以下の特徴は２つ以上を好ましく組み合わせてよい。
［２］ 前記Ｒ^１の脂環式構造が、飽和脂環式構造である［１］に記載の含フッ素エーテル化合物。

［３］ 前記Ｒ^１の脂環式構造が、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロへプタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロトリデカン、アダマンタンからなる群から選ばれる１種である［１］または［２］に記載の含フッ素エーテル化合物。

［４］ 前記Ｒ^１に含まれる炭素原子、酸素原子、窒素原子のうちいずれかの原子と、前記Ｒ^２に含まれる炭素原子とが結合されている［１］～［３］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。

［５］ 前記Ｒ^１の脂環式構造が、水酸基、アルコキシ基、アミド基、アミノ基、カルボニル基、カルボキシ基、ニトロ基、シアノ基、スルホ基からなる群から選ばれる官能基、または前記官能基を有するアルキル基から選ばれる置換基を有する［１］～［４］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。

［６］ 前記Ｒ^３が、下記式（３）～（５）のいずれかである［１］～［５］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
－ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｂ－（ＣＦ_２Ｏ）_ｃ－ＣＦ_２－ （３）
（式（３）中のｂ、ｃは平均重合度を示し、それぞれ独立に０～３０を表す。但し、ｂ、ｃが同時に０となることは無い。）
－ＣＦ（ＣＦ_３）－（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）_ｄ－ＯＣＦ（ＣＦ_３）－ （４）
（式（４）中のｄは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
－ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｅ－ＣＦ_２ＣＦ_２－ （５）
（式（５）中のｅは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）

［７］ 前記Ｒ^４の極性基が水酸基である［１］～［６］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。

［８］ 前記Ｒ^４が、下記式（６）～（９）のいずれかの末端基である［１］～［７］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。

（式（６）中、ｆは１～２の整数を表し、ｇは１～５の整数を表す。）
（式（７）中、ｈは２～５の整数を表す。）
（式（８）中、ｉは１～５の整数を表す。）
（式（９）中、ｊは１～２の整数を表し、ｋは１～２の整数を表す。）

［９］ 数平均分子量が５００～１００００の範囲内にある［１］～［８］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
［１０］ 前記式（１）で表される化合物が、下記式（Ａ）～（Ｃ）および（Ｇ）～（Ｏ）で表される化合物のいずれかである、［１］～［９］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。

（式（Ａ）中、ｂａ、ｃａは平均重合度を示し、ｂａは０～３０を表し、ｃａは０～３０を表す。但し、ｂａ、ｃａが同時に０となることは無い。）
（式（Ｂ）中、ｂｂ、ｃｂは平均重合度を示し、ｂｂは０～３０を表し、ｃｂは０～３０を表す。但し、ｂｂ、ｃｂが同時に０となることは無い。）
（式（Ｃ）中、ｂｃ、ｃｃは平均重合度を示し、ｂｃは０～３０を表し、ｃｃは０～３０を表す。但し、ｂｃ、ｃｃが同時に０となることは無い。）

（式（Ｇ）中、ｂｇ、ｃｇは平均重合度を示し、ｂｇは０～３０を表し、ｃｇは０～３０を表す。但し、ｂｇ、ｃｇが同時に０となることは無い。）
（式（Ｈ）中、ｂｈ、ｃｈは平均重合度を示し、ｂｈは０～３０を表し、ｃｈは０～３０を表す。但し、ｂｈ、ｃｈが同時に０となることは無い。）
（式（Ｉ）中、ｂｉ、ｃｉは平均重合度を示し、ｂｉは０～３０を表し、ｃｉは０～３０を表す。但し、ｂｉ、ｃｉが同時に０となることは無い。）

（式（Ｊ）中、ｂｊ、ｃｊは平均重合度を示し、ｂｊは０～３０を表し、ｃｊは０～３０を表す。但し、ｂｊ、ｃｊが同時に０となることは無い。）
（式（Ｋ）中、ｂｋ、ｃｋは平均重合度を示し、ｂｋは０～３０を表し、ｃｋは０～３０を表す。但し、ｂｋ、ｃｋが同時に０となることは無い。）

（式（Ｌ）中、ｂｌ、ｃｌは平均重合度を示し、ｂｌは０～３０を表し、ｃｌは０～３０を表す。但し、ｂｌ、ｃｌが同時に０となることは無い。）
（式（Ｍ）中、ｂｍ、ｃｍは平均重合度を示し、ｂｍは０～３０を表し、ｃｍは０～３０を表す。但し、ｂｍ、ｃｍが同時に０となることは無い。）
（式（Ｎ）中、ｂｎは平均重合度を示し、ｂｎは０．１～３０を表す。）
（式（Ｏ）中、ｅоは平均重合度を示し、ｅоは０．１～３０を表す。）

［１１］ 前記式（１）で表される化合物が、下記式（Ｔ）～（Ｘ）で表される化合物のいずれかである、［１］～［９］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。

（式（Ｔ）中、ｂｔ、ｃｔは平均重合度を示し、ｂｔは０～３０を表し、ｃｔは０～３０を表す。但し、ｂｔ、ｃｔが同時に０となることは無い。）
（式（Ｕ）中、ｂｕ、ｃｕは平均重合度を示し、ｂｕは０～３０を表し、ｃｕは０～３０を表す。但し、ｂｕ、ｃｕが同時に０となることは無い。）
（式（Ｖ）中、ｂｖ、ｃｖは平均重合度を示し、ｂｖは０～３０を表し、ｃｖは０～３０を表す。但し、ｂｖ、ｃｖが同時に０となることは無い。）
（式（Ｗ）中、ｂｗ、ｃｗは平均重合度を示し、ｂｗは０～３０を表し、ｃｗは０～３０を表す。但し、ｂｗ、ｃｗが同時に０となることは無い。）
（式（Ｘ）中、ｂｘ、ｃｘは平均重合度を示し、ｂｘは０～３０を表し、ｃｘは０～３０を表す。但し、ｂｘ、ｃｘが同時に０となることは無い。）
［１２］ ［１］～［１１］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体用潤滑剤。

［１３］ 基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層が順次設けられた磁気記録媒体であって、
前記潤滑層が、［１］～［１１］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体。

［１４］ 前記潤滑層の平均膜厚が０．５ｎｍ～２ｎｍである［１３］に記載の磁気記録媒体。

本発明の含フッ素エーテル化合物は、上記式（１）で表される化合物であり、磁気記録媒体用潤滑剤の材料として好適である。
本発明の磁気記録媒体用潤滑剤は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含むため、厚みが薄くても、優れた化学物質耐性および耐熱性を有し、ピックアップの抑制された潤滑層を形成できる。
本発明の磁気記録媒体は、優れた化学物質耐性および耐熱性を有し、ピックアップの抑制された潤滑層が設けられているため、優れた信頼性および耐久性を有する。

本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示した概略断面図である。

以下、本発明の含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤（以下、「潤滑剤」と略記する場合がある。）および磁気記録媒体について詳細に説明する。なお、本発明は、以下に示す実施形態のみに限定されるものではない。

［含フッ素エーテル化合物］
本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、下記式（１）で表される。
Ｒ^１－Ｒ^２－ＣＨ_２－Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｒ^４ （１）
（式（１）中、Ｒ^１は炭素数３～１３の脂環式構造を有する有機基である。Ｒ^２は下記式（２）で表される。式（２）中のａは１～３の整数である。Ｒ^３はパーフルオロポリエーテル鎖である。Ｒ^４は２つまたは３つの極性基を含み、各極性基がそれぞれ異なる炭素原子に結合し、前記極性基の結合している炭素原子同士が、極性基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している末端基である。）

ここで、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を用いて、磁気記録媒体の保護層上に潤滑層を形成した場合に、厚みが薄くても、優れた化学物質耐性および耐熱性を有し、ピックアップの抑制された潤滑層を形成できる理由について説明する。

本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、式（１）に示すように、Ｒ^３で表されるパーフルオロポリエーテル鎖（以下「ＰＦＰＥ鎖」と略記する場合がある。）を有している。ＰＦＰＥ鎖は、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を保護層上に塗布して潤滑層を形成した場合に、保護層の表面を被覆するとともに、潤滑層に潤滑性を付与して磁気ヘッドと保護層との摩擦力を低減させる。

式（１）に示すように、Ｒ^３で表されるＰＦＰＥ鎖の第１端部には、炭素数３～１３の脂環式構造を有する有機基（Ｒ^１）が、式（２）で表される連結基（Ｒ^２）とメチレン基（－ＣＨ_２－）とを介して配置されている。
式（１）に示す含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^１で示される有機基の有する炭素数３～１３の脂環式構造は熱に安定である。このため、Ｒ^１で示される有機基は、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層における耐熱性向上に寄与する。このことから、式（１）に示す含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を用いることで、優れた耐熱性を有する潤滑層が得られる。

また、式（１）に示す含フッ素エーテル化合物では、Ｒ^１で示される有機基とＲ^３で示されるＰＦＰＥ鎖との間に、式（２）で表される連結基（Ｒ^２）が配置されている。式（２）で表される連結基（Ｒ^２）は、水酸基（－ＯＨ）を１個～３個含む。このことにより、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層では、保護層に対する優れた付着性（密着性）が得られる。また、式（２）で表される連結基（Ｒ^２）は、エーテル結合（－Ｏ－）を含むため、式（１）で示される含フッ素エーテル化合物の分子構造に適度な柔軟性を付与する。これらのことから、本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、例えば、Ｒ^１で示される有機基とＲ^３で示されるＰＦＰＥ鎖とが直接結合している含フッ素エーテル化合物と比較して、これを含む潤滑層が保護膜に吸着しやすく、潤滑層と保護層との密着性に優れる。

また、式（１）に示すように、Ｒ^３で表されるＰＦＰＥ鎖のＲ^２と反対側の端部（第２端部）には、２つまたは３つの極性基を含むＲ^４で示される末端基が、メチレン基（－ＣＨ_２－）を介して配置されている。Ｒ^４で表される末端基は、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤の塗布される保護層と、潤滑剤を塗布して形成した潤滑層との密着性に寄与する。Ｒ^４で示される末端基に含まれる２つまたは３つの極性基は、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層において、含フッ素エーテル化合物と保護層とを密着させてピックアップを抑制する。

また、Ｒ^４で表される末端基に含まれる２つまたは３つの極性基は、それぞれ異なる炭素原子に結合し、前記極性基の結合している炭素原子同士が、極性基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している。このため、Ｒ^４中に含まれる２つまたは３つの極性基は、極性基同士の間の距離が適正となる。その結果、Ｒ^４で表される末端基を有する含フッ素エーテル化合物は、例えば、Ｒ^４で表される末端基に含まれる極性基の結合している炭素原子のうち、少なくとも一部同士が結合している含フッ素エーテル化合物と比較して、凝集しにくい。よって、式（１）で示される含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層では、保護層に密着（吸着）せずに存在している含フッ素エーテル化合物が凝集して、異物（スメア）として磁気ヘッドに付着することを防止でき、ピックアップが抑制される。また、含フッ素エーテル化合物同士が凝集しにくいため、潤滑層中の含フッ素エーテル化合物が、保護層上で面方向に広がって均一に延在した状態で配置されやすい。このことから、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤は、厚みが薄くても、高い被覆率で保護層の表面を被覆でき、優れた化学物質耐性を有する潤滑層を形成できる。よって、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤は、潤滑層の薄膜化（磁気スペーシングの低減）に寄与する。

以上のことから、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤は、厚みが薄くても、高い被覆率で保護層の表面を被覆でき、優れた化学物質耐性および耐熱性を有し、ピックアップの抑制された潤滑層を形成できると推定される。

（Ｒ^１で示される有機基）
式（１）で示される本実施形態の含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^１で示される有機基は、炭素数３～１３の脂環式構造を有する。炭素数３～１３の脂環式構造は、より一層優れた耐熱性を有する潤滑層が得られる含フッ素エーテル化合物となるため、飽和脂環式構造であることが好ましい。炭素数３～１３の飽和脂環式構造としては、例えば、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロへプタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロトリデカン、アダマンタン等を挙げることができる。Ｒ^１で示される有機基における炭素数３～１３の脂環式構造としては、より一層優れた耐熱性を有する潤滑層が得られる含フッ素エーテル化合物となるため、上記の中でも特に、炭素数３～９の飽和脂環式構造または熱に対する安定性の良好なアダマンタンであることが好ましい。

Ｒ^１で示される有機基の有する炭素数３～１３の脂環式構造の数は、１つのみであってもよいし、複数個であってもよい。Ｒ^１で示される有機基の有する炭素数３～１３の脂環式構造の数が複数個である場合、複数個のうち一部または全部が同じであってもよいし、各々異なっていてもよい。Ｒ^１で示される有機基の有する炭素数３～１３の脂環式構造の数は、含フッ素エーテル化合物同士が凝集しにくいものとなるため、１つのみであることが好ましい。

Ｒ^１で示される有機基の有する炭素数３～１３の脂環式構造は、１つまたは２つ以上の置換基を有していてもよい。脂環式構造が２つ以上の置換基を有している場合、２つ以上の置換基のうち一部または全部が同じであってもよいし、各々異なっていてもよい。炭素数３～１３の脂環式構造が置換基を有する場合、置換基の数は炭素数３～１３の脂環式構造の種類に応じて適宜決定でき、特に限定されない。
炭素数３～１３の脂環式構造が置換基を有する場合の置換基としては、炭素数０～１０の置換基であることが好ましい。必要に応じて、炭素数は１～８や、２～６であってもよい。置換基の炭素数が０～１０であると、炭素数が多すぎることにより置換基が立体障害となって、潤滑層の保護層に対する吸着力が抑制されることがなく、被覆性の良好な潤滑層が得られるため、好ましい。置換基の炭素数は、より好ましくは０～５であり、さらに好ましくは０～２である。

Ｒ^１で示される有機基の有する炭素数３～１３の脂環式構造が置換基を有する場合の置換基としては、具体的には、水酸基、アルコキシ基、アミド基、アミノ基、カルボニル基、カルボキシ基、ニトロ基、シアノ基、スルホ基からなる群から選ばれる少なくとも１種の官能基、または前記官能基を有するアルキル基から選ばれる置換基などが挙げられる。前記官能基を有するアルキル基において、アルキル基の炭素数は、１～３であることが好ましく、１または２であることがより好ましい。
これらの置換基の中でも、水酸基、アルコキシ基、アミド基、アミノ基、シアノ基、またはこれらを有するアルキル基から選ばれる置換基であることがより好ましい。具体的には、前記置換基として、－ＯＨ、－ＣＨ_２ＯＨ、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＨ、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＨ；－ＯＣＨ_３、－ＯＣＨ_２ＣＨ_３、－ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３；－ＯＣＨ_２ＯＨ、－ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＨ、－ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＨ；－ＣＯＮＨ_２、－ＣＨ_２ＣＯＮＨ_２、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＯＮＨ_２；－ＮＨ_２、－ＣＨ_２ＮＨ_２、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＮＨ_２、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＮＨ_２；－ＣＮ、－ＣＨ_２ＣＮ、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＮ、などが挙げられる。
また、これらの置換基の中でも、水素結合可能な極性基であるため、水酸基、アミノ基、アミド基、またはこれらを有するアルキル基から選ばれる置換基であることが特に好ましい。炭素数３～１３の脂環式構造が、これらから選ばれる１つ以上の置換基を有する場合、上記置換基と、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層に接して配置されている保護膜との相互作用により、潤滑層の保護層に対する吸着力が高まる。その結果、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤が、より一層化学物質耐性に優れるものとなり、好ましい。

式（１）で示される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^１で示される有機基と、式（２）で表される連結基Ｒ^２との結合は、合成容易の観点から、Ｒ^１に含まれる炭素原子、酸素原子、窒素原子のうちいずれかの原子と、Ｒ^２に含まれる炭素原子との結合であることが好ましく、Ｒ^１に含まれる酸素原子または窒素原子と、Ｒ^２に含まれる炭素原子との結合であることがより好ましい。特に、Ｒ^１に含まれる酸素原子によって、Ｒ^１で示される有機基とＲ^２に含まれる炭素原子とが、エーテル結合（－Ｏ－）していることが好ましい。この場合、式（１）で示される含フッ素エーテル化合物の分子構造が適度に柔軟性を有するものとなる。その結果、式（１）で示される含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層が、より一層保護層との密着性に優れるものとなり、好ましい。
Ｒ^１で示される有機基の有する炭素数３～１３の脂環式構造をＺとした場合、前記脂環式構造Ｚと、Ｒ^２に含まれる炭素原子との結合としては、具体的には、Ｚ－Ｒ^２、Ｚ－Ｏ－Ｒ^２、Ｚ－ＮＨ－Ｒ^２、Ｚ－ＣＨ_２Ｏ－Ｒ^２、Ｚ－ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－Ｒ^２、Ｚ－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－Ｒ^２、Ｚ－ＣＨ_２－Ｒ^２、Ｚ－ＣＨ_２ＣＨ_２－Ｒ^２、Ｚ－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－Ｒ^２、Ｚ－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－Ｒ^２、などが挙げられる。

式（１）で示される含フッ素エーテル化合物では、Ｒ^１で示される有機基と、式（２）で表される連結基Ｒ^２の炭素原子とが、Ｒ^１で示される有機基の有する炭素数３～１３の脂環式構造に結合している酸素原子によって、エーテル結合（－Ｏ－）していることが好ましい（すなわち、前記脂環式構造Ｚと、Ｒ^２に含まれる炭素原子との結合は、Ｚ－Ｏ－Ｒ^２であることが好ましい）。この場合においても、式（１）で示される含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層が、より一層保護層との密着性に優れるものとなり、好ましい。

本実施形態の含フッ素エーテル化合物では、Ｒ^１で表される有機基が、水酸基（－ＯＨ）を１～３個含むＲ^２に結合されている。このため、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層では、Ｒ^２に含まれる水酸基による保護層との密着性向上効果によって、Ｒ^１で表される有機基と保護層とが近接しやすく、Ｒ^１で表される有機基による耐熱性向上機能が効果的に働く。

（式（２）で表される連結基（Ｒ^２））
式（１）で示される本実施形態の含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^２は式（２）で表される。式（２）中のａは１～３の整数である。式（２）におけるａが１以上であるので、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤が、保護層との密着性に優れ、被覆率の高い潤滑層を形成できるものとなる。また、式（２）におけるａが３以下であるので、Ｒ^２中の水酸基の数が適正となり、Ｒ^２中の水酸基が多すぎることによって、含フッ素エーテル化合物の極性が高くなりすぎることがない。よって、含フッ素エーテル化合物の極性が高すぎるために、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層が異物（スメア）として磁気ヘッドに付着することを防止でき、ピックアップを抑制できる。また、Ｒ^２は式（２）で表されるものであるので、ａが２または３である場合、Ｒ^２に含まれる水酸基同士が適正な距離で配置されたものとなる。式（２）におけるａは１～２であることが好ましく、１であることがより好ましい。

（Ｒ^３で表されるパーフルオロポリエーテル鎖）
式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^３はパーフルオロポリエーテル鎖（ＰＦＰＥ鎖）である。式（１）で表される含フッ素エーテル化合物では、分子中に含まれるＰＦＰＥ鎖が１つのみであることが好ましい。分子中に含まれるＰＦＰＥ鎖が１つのみである場合、式（１）中のＲ^１およびＲ^４はＰＦＰＥ鎖を含まない。分子中に含まれるＰＦＰＥ鎖が１つであると、含フッ素エーテル化合物同士が凝集しにくい。このため、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層では、含フッ素エーテル化合物が保護層上で面方向に広がって均一に延在した状態で配置されやすく、好ましい。

Ｒ^３は、特に限定されるものではなく、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能などに応じて適宜選択できる。
Ｒ^３は下記式（３）～式（５）で表されるいずれかであることが好ましい。Ｒ^３が、式（３）～式（５）のいずれかである場合、含フッ素エーテル化合物の合成が容易であり好ましい。

また、Ｒ^３が、式（３）～式（５）のいずれかである場合、パーフルオロポリエーテル鎖中の炭素原子数に対する酸素原子数（エーテル結合（－Ｏ－）数）の割合が適正である。このため、適度な硬さを有する含フッ素エーテル化合物となる。よって、保護層上に塗布された含フッ素エーテル化合物が、保護層上で凝集しにくく、より一層厚みの薄い潤滑層を十分な被覆率で形成できる。また、Ｒ^３が式（３）～式（５）のいずれかである場合、良好な化学物質耐性を有する潤滑層が得られる含フッ素エーテル化合物となる。

－ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｂ－（ＣＦ_２Ｏ）_ｃ－ＣＦ_２－ （３）
（式（３）中のｂ、ｃは平均重合度を示し、それぞれ独立に０～３０を表す。但し、ｂ、ｃが同時に０となることは無い。）

式（３）において、繰り返し単位である（ＣＦ_２－ＣＦ_２－Ｏ）と（ＣＦ_２－Ｏ）との配列順序には、特に制限はない。式（３）において、（ＣＦ_２－ＣＦ_２－Ｏ）の数ｂと（ＣＦ_２－Ｏ）の数ｃは同じであってもよいし、異なっていてもよい。但し、ｂ、ｃが同時に０となることは無い。式（３）は、モノマー単位（ＣＦ_２－ＣＦ_２－Ｏ）と（ＣＦ_２－Ｏ）とからなるランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体のいずれかを含むものであってもよい。

式（１）におけるＲ^３が式（３）である場合、平均重合度を示すｂは０～３０であり、１～２０であることが好ましく、さらに１～１５であることが好ましい。ｂは、１～１０や１～５であってもよい。式（１）においてＲ^３が式（３）である場合、平均重合度を示すｃは０～３０であり、０～２０であることが好ましく、さらに０～１５であることが好ましい。ｃは、１～１０や、１～５であってもよい。また、ｃが０の場合、ｂは１～１７であることが好ましい。

－ＣＦ（ＣＦ_３）－（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）_ｄ－ＯＣＦ（ＣＦ_３）－ （４）
（式（４）中のｄは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
式（４）において、平均重合度を示すｄが０．１～３０である場合、本実施形態の含フッ素エーテル化合物の数平均分子量が好ましい範囲になりやすい。ｄは１～３０であることが好ましく、２～２０であることがより好ましく、３～１０であることがさらに好ましい。

－ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｅ－ＣＦ_２ＣＦ_２－ （５）
（式（５）中のｅは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
式（５）において、平均重合度を示すｅが０．１～３０である場合、本実施形態の含フッ素エーテル化合物の数平均分子量が好ましい範囲になりやすい。ｅは１～２０であることが好ましく、２～１５であることがより好ましく、２～８であることがさらに好ましい。

（Ｒ^４で表される末端基）
式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^４は、２つまたは３つの極性基を含み、各極性基がそれぞれ異なる炭素原子に結合し、前記極性基の結合している炭素原子同士が、極性基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している末端基である。Ｒ^４で表される末端基は、パーフルオロポリエーテル鎖（ＰＦＰＥ鎖）を含まないことが好ましい。
Ｒ^４に含まれる極性基の数が２個または３個であるため、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤は、保護層との密着性に優れ、被覆率の高い潤滑層を形成できる。Ｒ^４に含まれる極性基の数は、２個であることが好ましい。Ｒ^４に含まれる極性基の数が多すぎると、含フッ素エーテル化合物の極性が高くなりすぎて、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層が異物（スメア）として磁気ヘッドに付着するピックアップが発生しやすくなる。本実施形態では、Ｒ^４に含まれる極性基の数が２個または３個であるため、含フッ素エーテル化合物の極性が高すぎることによるピックアップの発生を抑制できる。

Ｒ^４で表される末端基における２つまたは３つの極性基としては、例えば、水酸基（－ＯＨ）、アミノ基（－ＮＨ_２）、カルボキシ基（－ＣＯＯＨ）およびメルカプト基（－ＳＨ）などが挙げられる。なお、エーテル結合（－Ｏ－）は、Ｒ^４における極性基には含まれない。上記の極性基の中でも特に、極性基が水酸基であることが好ましい。Ｒ^４で表される末端基に含まれる２つまたは３つの極性基は、それぞれ異なっていてもよいし、全て同じであってもよく、全てが水酸基であることが好ましい。

水酸基は、磁気記録媒体の保護層、特に炭素系の材料で形成された保護層との相互作用が大きい。したがって、Ｒ^４で表される末端基における２つまたは３つの極性基のうち一部または全部が水酸基であると、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層が、より一層保護膜に対する吸着力の高いものとなり、好ましい。

Ｒ^４で表される末端基は、エーテル結合を含むことが好ましい。さらに、Ｒ^４で表される末端基は、２つまたは３つの極性基がそれぞれ異なる炭素原子に結合し、極性基の結合している炭素原子同士が、酸素原子を含む連結基（－Ｏ－（エーテル結合）を含む連結基）を介して結合していることが好ましい。エーテル結合を含む連結基は、Ｒ^４で表される末端基を有する含フッ素エーテル化合物の分子構造に柔軟性を付与する。極性基の結合している炭素原子同士が、エーテル結合を含む連結基を介して結合している場合、例えば、末端基に含まれる２つの極性基がそれぞれ異なる炭素原子に結合し、極性基の結合している炭素原子同士が結合している含フッ素エーテル化合物と比較して、これを含む潤滑層が保護膜に吸着しやすく、潤滑層と保護層との密着性に優れる。

式（１）におけるＲ^４で表される末端基は、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能などに応じて適宜選択できる。
式（１）におけるＲ^４は、下記式（６）～（９）のいずれかの末端基であることが好ましい。このようなＲ^４は、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤の塗布される保護層と、潤滑剤を塗布して形成した潤滑層との高い密着性および被覆率に寄与する。

（式（６）中、ｆは１～２の整数を表し、ｇは１～５の整数を表す。）
（式（７）中、ｈは２～５の整数を表す。）
（式（８）中、ｉは１～５の整数を表す。）
（式（９）中、ｊは１～２の整数を表し、ｋは１～２の整数を表す。）

式（６）において、ｆは１～２の整数を表し、保護層との密着性の観点から、２であることが好ましい。
式（６）において、ｇは１～５の整数を表す。ｇが１～５の整数である場合、式（６）で表される末端基中の水酸基間の距離が適正となり、保護層との密着性に優れ、被覆率の高い潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となる。ｇは、保護層との密着性の観点から、１または２であることが好ましく、１であることが最も好ましい。

式（７）において、ｈは２～５の整数を表す。この場合、Ｒ^３側の水酸基と末端の水酸基との間の距離が適正となり、保護層との密着性に優れ、被覆率の高い潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となる。ｈは、保護層との密着性の観点から、２または３であることが好ましく、２であることが最も好ましい。

式（８）において、ｉは１～５の整数を表す。この場合、Ｒ^３側の水酸基と末端の水酸基との間の距離が適正となり、保護層との密着性に優れ、被覆率の高い潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となる。ｉは、保護層との密着性の観点から、１または２であることが好ましく、１であることが最も好ましい。

式（９）において、ｊは１～２の整数を表し、保護層との密着性の観点から、２であることが好ましい。
式（９）において、ｋは１～２の整数を表す。この場合、Ｒ^３側の水酸基と末端の水酸基との間の距離が適正となり、保護層との密着性に優れ、被覆率の高い潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となる。ｋは、保護層との密着性の観点から、１であることが好ましい。

また、本実施形態の含フッ素エーテル化合物では、Ｒ^２に含まれる１～３個の水酸基と、Ｒ^４に含まれる適正な距離で配置された２個または３個の極性基が、それぞれメチレン基（－ＣＨ_２－）を介してＲ^３の両末端にバランス良く配置されている。このことから、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、保護層との付着性（密着性）に優れ、高い被覆率で保護層の表面を被覆できる。そのため、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、化学物質耐性が良好で、さらなる薄膜化が可能であり、磁気記録媒体における磁気スペーシングの低減に寄与できる。

式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、具体的には下記式（Ａ）～（Ｏ）、（Ｔ）～（Ｘ）で表されるいずれかの化合物であることが好ましい。
式（Ａ）～（Ｍ）中のｂａ～ｂｍおよびｃａ～ｃｍ、式（Ｎ）中のｂｎ、式（Ｏ）中のｅо、（Ｔ）～（Ｘ）中のｂｔ～ｂｘおよびｃｔ～ｃｘで示される繰り返し数は、いずれも平均重合度を示す値であるため、必ずしも整数とはならない。

（式（Ａ）中、ｂａ、ｃａは平均重合度を示し、ｂａは０～３０を表し、ｃａは０～３０を表す。但し、ｂａ、ｃａが同時に０となることは無い。）
（式（Ｂ）中、ｂｂ、ｃｂは平均重合度を示し、ｂｂは０～３０を表し、ｃｂは０～３０を表す。但し、ｂｂ、ｃｂが同時に０となることは無い。）
（式（Ｃ）中、ｂｃ、ｃｃは平均重合度を示し、ｂｃは０～３０を表し、ｃｃは０～３０を表す。但し、ｂｃ、ｃｃが同時に０となることは無い。）

（式（Ｄ）中、ｂｄ、ｃｄは平均重合度を示し、ｂｄは０～３０を表し、ｃｄは０～３０を表す。但し、ｂｄ、ｃｄが同時に０となることは無い。）
（式（Ｅ）中、ｂｅ、ｃｅは平均重合度を示し、ｂｅは０～３０を表し、ｃｅは０～３０を表す。但し、ｂｅ、ｃｅが同時に０となることは無い。）
（式（Ｆ）中、ｂｆ、ｃｆは平均重合度を示し、ｂｆは０～３０を表し、ｃｆは０～３０を表す。但し、ｂｆ、ｃｆが同時に０となることは無い。）

（式（Ｇ）中、ｂｇ、ｃｇは平均重合度を示し、ｂｇは０～３０を表し、ｃｇは０～３０を表す。但し、ｂｇ、ｃｇが同時に０となることは無い。）
（式（Ｈ）中、ｂｈ、ｃｈは平均重合度を示し、ｂｈは０～３０を表し、ｃｈは０～３０を表す。但し、ｂｈ、ｃｈが同時に０となることは無い。）
（式（Ｉ）中、ｂｉ、ｃｉは平均重合度を示し、ｂｉは０～３０を表し、ｃｉは０～３０を表す。但し、ｂｉ、ｃｉが同時に０となることは無い。）

（式（Ｊ）中、ｂｊ、ｃｊは平均重合度を示し、ｂｊは０～３０を表し、ｃｊは０～３０を表す。但し、ｂｊ、ｃｊが同時に０となることは無い。）
（式（Ｋ）中、ｂｋ、ｃｋは平均重合度を示し、ｂｋは０～３０を表し、ｃｋは０～３０を表す。但し、ｂｋ、ｃｋが同時に０となることは無い。）

（式（Ｌ）中、ｂｌ、ｃｌは平均重合度を示し、ｂｌは０～３０を表し、ｃｌは０～３０を表す。但し、ｂｌ、ｃｌが同時に０となることは無い。）
（式（Ｍ）中、ｂｍ、ｃｍは平均重合度を示し、ｂｍは０～３０を表し、ｃｍは０～３０を表す。但し、ｂｍ、ｃｍが同時に０となることは無い。）
（式（Ｎ）中、ｂｎは平均重合度を示し、ｂｎは０．１～３０を表す。）
（式（Ｏ）中、ｅоは平均重合度を示し、ｅоは０．１～３０を表す。）

（式（Ｔ）中、ｂｔ、ｃｔは平均重合度を示し、ｂｔは０～３０を表し、ｃｔは０～３０を表す。但し、ｂｔ、ｃｔが同時に０となることは無い。）
（式（Ｕ）中、ｂu、ｃuは平均重合度を示し、ｂuは０～３０を表し、ｃuは０～３０を表す。但し、ｂu、ｃuが同時に０となることは無い。）
（式（Ｖ）中、ｂv、ｃvは平均重合度を示し、ｂvは０～３０を表し、ｃvは０～３０を表す。但し、ｂv、ｃvが同時に０となることは無い。）
（式（Ｗ）中、ｂw、ｃwは平均重合度を示し、ｂwは０～３０を表し、ｃwは０～３０を表す。但し、ｂw、ｃwが同時に０となることは無い。）
（式（Ｘ）中、ｂx、ｃxは平均重合度を示し、ｂxは０～３０を表し、ｃxは０～３０を表す。但し、ｂx、ｃxが同時に０となることは無い。）

式（Ａ）～（Ｏ）、（Ｔ）～（Ｘ）で表される化合物は、いずれもＲ^２は式（２）で表され、Ｒ^２中のａが１である。式（Ａ）～（Ｎ）、（Ｔ）～（Ｘ）で表される化合物は、Ｒ^３が式（３）であり、式（Ｏ）で表される化合物は、Ｒ^３が式（５）である。
また、式（Ａ）～（Ｌ）、（Ｔ）～（Ｘ）で表される化合物は、いずれもＲ^４が式（９）であり、式（９）中のｊが２であり、ｋが１である。式（Ｍ）～（Ｏ）で表される化合物は、Ｒ^４が式（６）であり、式（６）中ｆが２であり、ｇが１である。

式（Ａ）で表される化合物は、Ｒ^１の脂環式構造がシクロプロパンである。
式（Ｂ）で表される化合物は、Ｒ^１の脂環式構造がシクロブタンである。
式（Ｃ）で表される化合物は、Ｒ^１の脂環式構造がシクロペンタンである。
式（Ｄ）で表される化合物は、Ｒ^１の脂環式構造がシクロノナンである。
式（Ｅ）で表される化合物は、Ｒ^１の脂環式構造がシクロトリデカンである。
式（Ｆ）で表される化合物は、Ｒ^１の脂環式構造がアダマンタンである。
式（Ｇ）～（Ｏ）、（Ｔ）で表される化合物は、Ｒ^１の脂環式構造がシクロペンタンである。
式（Ｕ）～（Ｘ）で表される化合物は、Ｒ^１の脂環式構造がシクロヘキサンである。
上記式において、ｂａ～ｂｍ、ｂｔ～ｂｘは、０であってよく、１～２０であってもよく、１～１０であってもよく、１～５であってもよい。ｃａ～ｃｍ、ｃｔ～ｃｘは、０であってもよく、１～２０であってもよく、１～１０であってもよく、１～５であってもよい。ｂｎ、ｅｏは、１～２０であってもよく、１～１０であってもよく、１～５であってもよい。

式（１）で表わされる化合物が上記式（Ａ）～（Ｏ）、（Ｔ）～（Ｘ）で表されるいずれかの化合物であると、原料が入手しやすく、しかも、厚みが薄くても、より一層優れた耐熱性および化学物質耐性を有し、より一層ピックアップの抑制された潤滑層を形成できるため好ましい。

本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、数平均分子量（Ｍｎ）が５００～１００００の範囲内であることが好ましく、７００～７０００の範囲内であることがより好ましく、１０００～３０００の範囲内であることが特に好ましい。数平均分子量が５００以上であると、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤が蒸散しにくいものとなり、潤滑剤が蒸散して磁気ヘッドに移着することを防止できる。また、数平均分子量が１００００以下であると、含フッ素エーテル化合物の粘度が適正なものとなり、これを含む潤滑剤を塗布することによって、容易に厚みの薄い潤滑層を形成できる。数平均分子量が３０００以下であると、潤滑剤に適用した場合に扱いやすい粘度となるため、より好ましい。

含フッ素エーテル化合物の数平均分子量（Ｍｎ）は、ブルカー・バイオスピン社製ＡＶＡＮＣＥＩＩＩ４００による^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲによって測定された値である。ＮＭＲ（核磁気共鳴）の測定において、試料をヘキサフルオロベンゼン、ｄ－アセトン、ｄ－テトラヒドロフランなどの単独または混合溶媒へ希釈し、測定に使用した。^１９Ｆ－ＮＭＲケミカルシフトの基準は、ヘキサフルオロベンゼンのピークを－１６４．７ｐｐｍとし、^１Ｈ－ＮＭＲケミカルシフトの基準は、アセトンのピークを２．２ｐｐｍとした。

「製造方法」
本実施形態の含フッ素エーテル化合物の製造方法は、特に限定されるものではなく、従来公知の製造方法を用いて製造できる。本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、例えば、以下に示す製造方法を用いて製造できる。
まず、式（１）における－ＣＨ_２－Ｒ^３－ＣＨ_２－に対応する化合物である、ＨＯ－ＣＨ_２－Ｒ^３－ＣＨ_２－ＯＨを合成する。次に、この化合物に、式（１）におけるＲ^１－Ｒ^２－に対応する脂環式構造を与えるエポキシドを付加反応させる。このことにより、下記式（１－１）で示される化合物を生成する。

Ｒ^１－Ｒ^２－ＣＨ_２－Ｒ^３－ＣＨ_２－ＯＨ （１－１）
（式（１－１）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３は、それぞれ式（１）中のＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３と同じである。）

式（１－１）で示される化合物の原料として使用する式（１）におけるＲ^１－Ｒ^２－に対応する脂環式構造を与えるエポキシドは、例えば、式（１）におけるＲ^１に対応する脂環式構造を有するアルコールに、エピブロモヒドリンを付加反応させる方法により製造できる。
具体的には、例えば、式（１）におけるＲ^１に対応する脂環式構造が、シクロペンタンである場合、シクロペンタノールとエピブロモヒドリンとを付加反応させることにより、式（１）におけるＲ^１－Ｒ^２－に対応する脂環式構造を与えるエポキシドを製造できる。

次に、式（１－１）で示される化合物と、１つ以上の極性基を含むエポキシドとを反応させて、式（１－１）で示される化合物の末端の水酸基（－ＯＨ）を、式（１）におけるＲ^４に置換した式（１）で示される含フッ素エーテル化合物を生成させる。
１つ以上の極性基を含むエポキシドは、例えば、エチレングリコールとエピブロモヒドリンとを付加反応させることにより製造できる。

生成した式（１）で示される含フッ素エーテル化合物は、例えば、カラムクロマトグラフィーを用いる方法により精製することが好ましい。
以上の方法により、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物が得られる。

本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、上記式（１）で表される化合物である。したがって、これを含む潤滑剤を用いて保護層上に潤滑層を形成すると、式（１）においてＲ^３で表されるＰＦＰＥ鎖によって、保護層の表面が被覆されるとともに、磁気ヘッドと保護層との摩擦力が低減される。また、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を用いて形成した潤滑層は、Ｒ^１で示される有機基の有する脂環式構造が熱に安定であるため、耐熱性に優れる。

また、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、含フッ素エーテル化合物中のＲ^２で表される連結基に含まれる１～３個の水酸基と保護層との結合、およびＲ^４で表される末端基に含まれる２つまたは３つの極性基と保護層との結合によって、保護層上に密着される。

しかも、本実施形態の含フッ素エーテル化合物では、Ｒ^４で表される末端基に含まれる２つまたは３つの極性基がそれぞれ異なる炭素原子に結合し、前記極性基の結合している炭素原子同士が連結基を介して結合している。このため、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、柔軟性が良好である。したがって、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、保護膜に吸着しやすく、保護層との密着性に優れる。
以上のことから、本実施形態の含フッ素エーテル化合物によれば、潤滑層と保護層とが強固に結合され、優れた耐熱性および化学物質耐性を有し、ピックアップの抑制された潤滑層が得られる。

［磁気記録媒体用潤滑剤］
本実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む。
本実施形態の潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むことによる特性を損なわない範囲内であれば、潤滑剤の材料として使用されている公知の材料を、必要に応じて混合して用いることができる。

公知の材料の具体例としては、例えば、ＦＯＭＢＬＩＮ（登録商標） ＺＤＩＡＣ、ＦＯＭＢＬＩＮ ＺＤＥＡＬ、ＦＯＭＢＬＩＮ ＡＭ－２００１（以上、Ｓｏｌｖａｙ Ｓｏｌｅｘｉｓ社製）、Ｍｏｒｅｓｃｏ Ａ２０Ｈ（Ｍｏｒｅｓｃｏ社製）などが挙げられる。本実施形態の潤滑剤と混合して用いる公知の材料は、数平均分子量が１０００～１００００であることが好ましい。

本実施形態の潤滑剤が、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の他の材料を含む場合、本実施形態の潤滑剤中の式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の含有量が５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましい。式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の含有量は、８０質量％以上であってもよいし、９０質量％以上であってもよい。上限は任意に選択できるが、例えば、９９質量％以下や、９５質量％以下や、９０質量％以下であってもよい。

本実施形態の潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むため、厚みを薄くしても、高い被覆率で保護層の表面を被覆でき、保護層との密着性に優れる潤滑層を形成できる。よって、本実施形態の潤滑剤によれば、厚みが薄くても、優れた化学物質耐性および耐熱性を有し、ピックアップの抑制された潤滑層が得られる。

［磁気記録媒体］
本実施形態の磁気記録媒体は、基板上に、少なくとも磁性層と保護層と潤滑層が順次設けられたものである。
本実施形態の磁気記録媒体では、基板と磁性層との間に、必要に応じて１層または２層以上の下地層を設けることができる。また、下地層と基板との間に付着層および／または軟磁性層を設けることもできる。

図１は、本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示した概略断面図である。
本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、付着層１２と、軟磁性層１３と、第１下地層１４と、第２下地層１５と、磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられた構造をなしている。

「基板」
基板１１としては、例えば、ＡｌもしくはＡｌ合金などの金属または合金材料からなる基体上に、ＮｉＰまたはＮｉＰ合金からなる膜が形成された非磁性基板等を用いることができる。
また、基板１１としては、ガラス、セラミックス、シリコン、シリコンカーバイド、カーボン、樹脂などの非金属材料からなる非磁性基板を用いてもよいし、これらの非金属材料からなる基体上にＮｉＰまたはＮｉＰ合金の膜を形成した非磁性基板を用いてもよい。

「付着層」
付着層１２は、基板１１と、付着層１２上に設けられる軟磁性層１３とを接して配置した場合に生じる、基板１１の腐食の進行を防止する。
付着層１２の材料は、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金、ＣｒＴｉ、ＮｉＡｌ、ＡｌＲｕ合金等から適宜選択できる。付着層１２は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「軟磁性層」
軟磁性層１３は、第１軟磁性膜と、Ｒｕ膜からなる中間層と、第２軟磁性膜とが順に積層された構造を有していることが好ましい。すなわち、軟磁性層１３は、２層の軟磁性膜の間にＲｕ膜からなる中間層を挟み込むことによって、中間層の上下の軟磁性膜がアンチ・フェロ・カップリング（ＡＦＣ）結合した構造を有していることが好ましい。

第１軟磁性膜および第２軟磁性膜の材料としては、例えば、ＣｏＺｒＴａ合金、ＣｏＦｅ合金などが挙げられる。
第１軟磁性膜および第２軟磁性膜に使用されるＣｏＦｅ合金には、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂの何れかを添加することが好ましい。これにより、第１軟磁性膜および第２軟磁性膜の非晶質化が促進され、第１下地層（シード層）の配向性を向上させることが可能になるとともに、磁気ヘッドの浮上量を低減することが可能となる。
軟磁性層１３は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「第１下地層」
第１下地層１４は、その上に設けられる第２下地層１５および磁性層１６の配向や結晶サイズを制御するための層である。
第１下地層１４としては、例えば、Ｃｒ層、Ｔａ層、Ｒｕ層、あるいはＣｒＭｏ合金層、ＣｏＷ合金層、ＣｒＷ合金層、ＣｒＶ合金層、ＣｒＴｉ合金層などが挙げられる。
第１下地層１４は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「第２下地層」
第２下地層１５は、磁性層１６の配向が良好になるように制御する層である。第２下地層１５は、ＲｕまたはＲｕ合金からなる層であることが好ましい。
第２下地層１５は、１層からなる層であってもよいし、複数層から構成されていてもよい。第２下地層１５が複数層からなる場合、全ての層が同じ材料から構成されていてもよいし、少なくとも一層が異なる材料から構成されていてもよい。
第２下地層１５は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「磁性層」
磁性層１６は、磁化容易軸が基板面に対して垂直または水平方向を向いた磁性膜からなる。磁性層１６は、例えば、ＣｏとＰｔを含む層であり、さらにＳＮＲ特性を改善するために、酸化物や、Ｃｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｚｒ等を含む層であってもよい。
磁性層１６に含有される酸化物の例としては、ＳｉＯ_２、ＳｉＯ、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＣｏＯ、Ｔａ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２等が挙げられる。

磁性層１６は、１層から構成されていてもよいし、組成の異なる材料からなる複数の磁性層から構成されていてもよい。
例えば、磁性層１６が、下から順に積層された第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、さらに酸化物を含んだ材料からなるグラニュラー構造であることが好ましい。第１磁性層に含有される酸化物としては、例えば、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｏ等の酸化物を用いることが好ましい。その中でも、特に、ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２等を好適に用いることができる。また、第１磁性層は、酸化物を２種類以上添加した複合酸化物からなることが好ましい。その中でも、特に、Ｃｒ_２Ｏ_３－ＳｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３－ＴｉＯ_２、ＳｉＯ_２－ＴｉＯ_２等を好適に用いることができる。

第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、酸化物の他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。 第２磁性層には、第１磁性層と同様の材料を用いることができる。第２磁性層は、グラニュラー構造であることが好ましい。

第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、酸化物を含まない材料からなる非グラニュラー構造であることが好ましい。第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔの他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｍｎの中から選ばれる１種類以上の元素を好ましく含むことができる。

磁性層１６が複数の磁性層で形成されている場合、隣接する磁性層の間には、非磁性層を設けることが好ましい。磁性層１６が、第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層と第２磁性層との間と、第２磁性層と第３磁性層との間に、非磁性層を設けることが好ましい。

磁性層１６の隣接する磁性層間に設けられる非磁性層は、例えば、Ｒｕ、Ｒｕ合金、ＣｏＣｒ合金、ＣｏＣｒＸ１合金（Ｘ１は、Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｂの中から選ばれる１種または２種以上の元素を表す。）等を好適に用いることができる。

磁性層１６の隣接する磁性層間に設けられる非磁性層には、酸化物、金属窒化物、または金属炭化物を含んだ合金材料を使用することが好ましい。具体的には、酸化物として、例えば、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、Ｙ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２等を用いることができる。金属窒化物として、例えば、ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＴａＮ、ＣｒＮ等を用いることができる。金属炭化物として、例えば、ＴａＣ、ＢＣ、ＳｉＣ等を用いることができる。
非磁性層は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

磁性層１６は、より高い記録密度を実現するために、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向を向いた垂直磁気記録の磁性層であることが好ましい。磁性層１６は、面内磁気記録の磁性層であってもよい。
磁性層１６は、蒸着法、イオンビームスパッタ法、マグネトロンスパッタ法等、従来の公知のいかなる方法によって形成してもよい。磁性層１６は、通常、スパッタリング法により形成される。

「保護層」
保護層１７は、磁性層１６を保護する。保護層１７は、一層から構成されていてもよいし、複数層から構成されていてもよい。保護層１７の材料としては、炭素、窒素を含む炭素、炭化ケイ素などが挙げられる。
保護層１７としては、炭素系保護層を好ましく用いることができ、特にアモルファス炭素保護層が好ましい。保護層１７が炭素系保護層であると、潤滑層１８中の含フッ素エーテル化合物に含まれる水酸基との相互作用が一層高まるため、好ましい。

炭素系保護層と潤滑層１８との付着力は、炭素系保護層を水素化炭素および／または窒素化炭素とし、炭素系保護層中の水素含有量および／または窒素含有量を調節することにより制御可能である。炭素系保護層中の水素含有量は、水素前方散乱法（ＨＦＳ）で測定したときに３～２０原子％であることが好ましい。また、炭素系保護層中の窒素含有量はＸ線光電子分光分析法（ＸＰＳ）で測定したときに、４～１５原子％であることが好ましい。

炭素系保護層に含まれる水素および／または窒素は、炭素系保護層全体に均一に含有される必要はない。炭素系保護層は、例えば、保護層１７の潤滑層１８側に窒素を含有させ、保護層１７の磁性層１６側に水素を含有させた組成傾斜層とすることが好適である。この場合、磁性層１６および潤滑層１８と、炭素系保護層との付着力が、より一層向上する。

保護層１７の膜厚は任意に選択できるが、１ｎｍ～７ｎｍとするのがよい。保護層１７の膜厚が１ｎｍ以上であると、保護層１７としての性能が充分に得られる。保護層１７の膜厚が７ｎｍ以下であると、保護層１７の薄膜化の観点から好ましい。

保護層１７の成膜方法としては、炭素を含むターゲット材を用いるスパッタ法や、エチレンやトルエン等の炭化水素原料を用いるＣＶＤ（化学蒸着法）法、ＩＢＤ（イオンビーム蒸着）法等を用いることができる。
保護層１７として炭素系保護層を形成する場合、例えばＤＣマグネトロンスパッタリング法により成膜することができる。特に、保護層１７として炭素系保護層を形成する場合、プラズマＣＶＤ法により、アモルファス炭素保護層を成膜することが好ましい。プラズマＣＶＤ法により成膜したアモルファス炭素保護層は、表面が均一で、粗さが小さいものとなる。

「潤滑層」
潤滑層１８は、磁気記録媒体１０の汚染を防止する。また、潤滑層１８は、磁気記録媒体１０上を摺動する磁気記録再生装置の磁気ヘッドの摩擦力を低減させて、磁気記録媒体１０の耐久性を向上させる。
潤滑層１８は、図１に示すように、保護層１７上に接して形成されている。潤滑層１８は、上述の含フッ素エーテル化合物を含む。

潤滑層１８は、潤滑層１８の下に配置されている保護層１７が、炭素系保護層である場合、特に、保護層１７と高い結合力で結合される。その結果、潤滑層１８の厚みが薄くても、高い被覆率で保護層１７の表面が被覆された磁気記録媒体１０が得られやすくなり、磁気記録媒体１０の表面の汚染を効果的に防止できる。

潤滑層１８の平均膜厚は任意に選択できるが、０．５ｎｍ（５Å）～２ｎｍ（２０Å）であることが好ましく、０．５ｎｍ（５Å）～１ｎｍ（１０Å）であることがより好ましい。潤滑層１８の平均膜厚が０．５ｎｍ以上であると、潤滑層１８がアイランド状または網目状とならずに均一の膜厚で形成される。このため、潤滑層１８によって、保護層１７の表面を高い被覆率で被覆できる。また、潤滑層１８の平均膜厚を２ｎｍ以下にすることで、潤滑層１８を充分に薄膜化でき、磁気ヘッドの浮上量を十分小さくできる。

保護層１７の表面が潤滑層１８によって十分に高い被覆率で被覆されていない場合、磁気記録媒体１０の表面に吸着した環境物質が、潤滑層１８の隙間を通り抜けて、潤滑層１８の下に侵入する。潤滑層１８の下層に侵入した環境物質は、保護層１７と吸着、結合し汚染物質を生成する。そして、磁気記録再生の際に、この汚染物質（凝集成分）がスメアとして磁気ヘッドに付着（転写）して、磁気ヘッドを破損したり、磁気記録再生装置の磁気記録再生特性を低下させたりする。

汚染物質を生成させる環境物質としては、例えば、シロキサン化合物（環状シロキサン、直鎖シロキサン）、イオン性不純物、オクタコサン等の比較的分子量の高い炭化水素、フタル酸ジオクチル等の可塑剤等が挙げられる。イオン性不純物に含まれる金属イオンとしては、例えば、ナトリウムイオン、カリウムイオン等を挙げることができる。イオン性不純物に含まれる無機イオンとしては、例えば、塩素イオン、臭素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、アンモニウムイオン等を挙げることができる。イオン性不純物に含まれる有機物イオンとしては、例えば、シュウ酸イオン、蟻酸イオン等を挙げることができる。

「潤滑層の形成方法」
潤滑層１８を形成する方法としては任意に選択できるが、例えば、基板１１上に保護層１７までの各層が形成された製造途中の磁気記録媒体を用意し、保護層１７上に潤滑層形成用溶液を塗布し、乾燥させる方法が挙げられる。

潤滑層形成用溶液は、例えば、上述の実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤を必要に応じて、溶媒に分散溶解させ、塗布方法に適した粘度および濃度とすることにより得られる。
潤滑層形成用溶液に用いられる溶媒としては、例えば、バートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）等のフッ素系溶媒等が挙げられる。

潤滑層形成用溶液の塗布方法は、特に限定されないが、例えば、スピンコート法、スプレイ法、ペーパーコート法、ディップ法等が挙げられる。
ディップ法を用いる場合、例えば、以下に示す方法を用いることができる。まず、ディップコート装置の浸漬槽に入れられた潤滑層形成用溶液中に、保護層１７までの各層が形成された基板１１を浸漬する。次いで、浸漬槽から基板１１を所定の速度で引き上げる。このことにより、潤滑層形成用溶液を基板１１の保護層１７上の表面に塗布する。
ディップ法を用いることで、潤滑層形成用溶液を保護層１７の表面に均一に塗布することができ、保護層１７上に均一な膜厚で潤滑層１８を形成できる。

本実施形態においては、潤滑層１８を形成した基板１１に熱処理を施すことが好ましい。熱処理を施すことにより、潤滑層１８と保護層１７との密着性が向上し、潤滑層１８と保護層１７との付着力が向上する。
熱処理温度は任意に選択できるが、１００～１８０℃とすることが好ましい。熱処理温度が１００℃以上であると、潤滑層１８と保護層１７との密着性を向上させる効果が十分に得られる。また、熱処理温度を１８０℃以下にすることで、潤滑層１８の熱分解を防止できる。熱処理時間は１０～１２０分とすることが好ましい。

本実施形態においては、潤滑層１８の保護層１７に対する付着力をより一層向上させるために、熱処理前もしくは熱処理後の基板１１の潤滑層１８に、紫外線（ＵＶ）を照射する処理を行ってもよい。

本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、少なくとも磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられたものである。本実施形態の磁気記録媒体１０では、保護層１７上に接して上述の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層１８が形成されている。この潤滑層１８は、厚みが薄くても、高い被覆率で保護層１７の表面を被覆している。よって、本実施形態の磁気記録媒体１０では、イオン性不純物などの汚染物質を生成させる環境物質が、潤滑層１８の隙間から侵入することが防止されている。したがって、本実施形態の磁気記録媒体１０は、表面上に存在する汚染物質が少ないものである。また、本実施形態の磁気記録媒体１０における潤滑層１８は、異物（スメア）を生じさせにくく、ピックアップを抑制できる。また、本実施形態の磁気記録媒体１０における潤滑層１８は、優れた化学物質耐性および耐熱性を有する。このため、本実施形態の磁気記録媒体１０は、優れた信頼性および耐久性を有する。

以下、実施例および比較例により本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、以下の実施例のみに限定されない。

［実施例１］
以下に示す方法により、上記式（Ａ）で表される化合物（式（Ａ）中、平均重合度を示すｂａは４．５であり、平均重合度を示すｃａは４．５である。）を得た。
まず、１，２－シクロプロパンジオールとエピブロモヒドリンとを反応させて、下記式（１０）で表される化合物を合成した。また、３－アリルオキシ－１，２－プロパンジオール－２－メトキシメチルエーテルと、２－（ブロモプロポキシ）テトラヒドロ－２Ｈ－ピランと反応させた生成物を酸化して、下記式（１１）で表される化合物を合成した。

窒素ガス雰囲気下、２００ｍＬナスフラスコに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｓ（ＣＦ_２Ｏ）_ｔＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中、平均重合度を示すｓは４．５であり、平均重合度を示すｔは４．５である。）で表されるフルオロポリエーテル（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）（４０．０ｇ）と、上記式（１０）で表される化合物（６．１０ｇ）と、ｔ－ＢｕＯＨ（ターシャリーブチルアルコール）（４０．０ｍＬ）とを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。さらに、上記のナスフラスコに、ｔ－ＢｕＯＫ（カリウムターシャリーブトキシド）（１．３５ｇ）を加え、７０℃に加熱し、１８時間撹拌して反応させた。

その後、得られた反応生成物を２５℃に冷却し、水を加え、さらに溶媒として三井デュポンフロロケミカル社製のバートレル（登録商標）ＸＦ（以下、「バートレルＸＦ」という場合がある。）を加えて有機層を抽出し、水洗した。有機層に、無水硫酸ナトリウムを加えて脱水し、乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーによって精製し、下記式（１２）で表される化合物（１７．５ｇ）を得た。

（式（１２）中、平均重合度を示すｓは４．５であり、平均重合度を示すｔは４．５である。）

窒素ガス雰囲気下、２００ｍＬナスフラスコに、上記式（１２）で表される化合物（１７．５ｇ）と、上記式（１１）で表される化合物（２．６７ｇ）と、ｔ－ＢｕＯＨ（ターシャリーブチルアルコール）（６５．０ｍＬ）とを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。さらに、上記のナスフラスコに、ｔ－ＢｕＯＫ（カリウムターシャリーブトキシド）（０．２３５ｇ）を加え、７０℃に加熱し、１６時間撹拌して反応させた。

その後、得られた反応生成物を２５℃に冷却し、水（３．３ｍＬ）と、５－１０％塩酸／メタノール（商品名：Ｘ００４１、塩化水素－メタノール試薬（５－１０％）東京化成工業株式会社製）（２１．５ｍＬ）とを加え、室温で３時間攪拌した。得られた残渣に５％重曹水（１００ｍＬ）を加え、酢酸エチルで抽出し、有機層を水洗した。その後、有機層に無水硫酸マグネシウムを加えて脱水し、乾燥剤を濾別した後、濾液を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーによって精製し、化合物（Ａ）を１１．１ｇ得た。

得られた化合物（Ａ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．２～２．０（４Ｈ）、３．２０～４．２０（３０Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５１．９９～－５５．７２（９Ｆ）、－７８．４８（２Ｆ）、－８０．６６（２Ｆ）、－８９．１６～－９１．１４（１８Ｆ）

［実施例２］
以下に示す方法により、上記式（Ｂ）で表される化合物（式（Ｂ）中、平均重合度を示すｂｂは４．５であり、平均重合度を示すｃｂは４．５である。）を得た。
まず、１，２－シクロブタンジメタノールとエピブロモヒドリンとを反応させて、下記式（１３）で表される化合物を合成した。

そして、実施例１において用いた式（１０）で表される化合物の代わりに、式（１３）で表される化合物を６．１０ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様の操作を行い、化合物（Ｂ）を１０．５ｇ得た。

得られた化合物（Ｂ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．２～２．０（６Ｈ）、３．２０～４．２０（３４Ｈ）

［実施例３］
以下に示す方法により、上記式（Ｃ）で表される化合物（式（Ｃ）中、平均重合度を示すｂｃは４．５であり、平均重合度を示すｃｃは４．５である。）を得た。
まず、１，２－シクロペンタンジオールとエピブロモヒドリンと、２－（ブロモエトキシ）テトラヒドロ－２Ｈ－ピランとを反応させて、下記式（１４）で表される化合物を合成した。

そして、実施例１において用いた式（１０）で表される化合物の代わりに、式（１４）で表される化合物を６．１０ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様の操作を行い、化合物（Ｃ）を１１．９ｇ得た。

得られた化合物（Ｃ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．２～２．０（８Ｈ）、３．２０～４．２０（３４Ｈ）

［実施例４］
以下に示す方法により、上記式（Ｄ）で表される化合物（式（Ｄ）中、平均重合度を示すｂｄは４．５であり、平均重合度を示すｃｄは４．５である。）を得た。
まず、１，５－シクロノナンジオールとエピブロモヒドリンとを反応させて、下記式（１５）で表される化合物を合成した。

そして、実施例１において用いた式（１０）で表される化合物の代わりに、式（１５）で表される化合物を６．１０ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様の操作を行い、化合物（Ｄ）を１１．９ｇ得た。

得られた化合物（Ｄ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．２～２．０（１６Ｈ）、３．２０～４．２０（３０Ｈ）

［実施例５］
以下に示す方法により、上記式（Ｅ）で表される化合物（式（Ｅ）中、平均重合度を示すｂｅは４．５であり、平均重合度を示すｃｅは４．５である。）を得た。
まず、１，６－シクロトリデカンジオールとエピブロモヒドリンとを反応させて、下記式（１６）で表される化合物を合成した。

そして、実施例１において用いた式（１０）で表される化合物の代わりに式（１６）で表される化合物を６．７８ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様の操作を行い、化合物（Ｅ）を１２．４ｇ得た。

得られた化合物（Ｅ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．２～２．０（２４Ｈ）、３．２０～４．２０（３０Ｈ）

［実施例６］
以下に示す方法により、上記式（Ｆ）で表される化合物（式（Ｆ）中、平均重合度を示すｂｆは４．５であり、平均重合度を示すｃｆは４．５である。）を得た。
まず、１，３，５－アダマンタントリオールとエピブロモヒドリンとを反応させて、下記式（１７）で表される化合物を合成した。

そして、実施例１において用いた式（１０）で表される化合物の代わりに式（１７）で表される化合物を３．８１ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｆ）を１２．３ｇ得た。

得られた化合物（Ｆ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．２～２．０（１３Ｈ）、３．２０～４．２０（３３Ｈ）

［実施例７］
以下に示す方法により、上記式（Ｇ）で表される化合物（式（Ｇ）中、平均重合度を示すｂｇは４．５であり、平均重合度を示すｃｇは４．５である。）を得た。
まず、７－シクロペンタ－１－ヘプテンを酸化することで、下記式（１８）で表される化合物を合成した。

そして、実施例１において用いた式（１０）で表される化合物の代わりに式（１８）で表される化合物を９．９９ｇ使用した以外は、実施例１と同様の操作を行い、化合物（Ｇ）を１２．５ｇ得た。

得られた化合物（Ｇ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．２～２．０（２１Ｈ）、３．２０～４．２０（２５Ｈ）

［実施例８］
以下に示す方法により、上記式（Ｈ）で表される化合物（式（Ｈ）中、平均重合度を示すｂｈは４．５であり、平均重合度を示すｃｈは４．５である。）を得た。
まず、３－アミノ－シクロペンタ－１－オールとエピブロモヒドリンを反応させて下記式（１９）で表される化合物を合成した。

そして、実施例１において用いた式（１０）で表される化合物の代わりに式（１９）で表される化合物を２．８９ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様の操作を行い、化合物（Ｈ）を１１．３ｇ得た。

得られた化合物（Ｈ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．２～２．０（８Ｈ）、３．２０～４．２０（３１Ｈ）

［実施例９］
以下に示す方法により、上記式（Ｉ）で表される化合物（式（Ｉ）中、平均重合度を示すｂｉは４．５であり、平均重合度を示すｃｉは４．５である。）を得た。
まず、１－メトキシ－シクロペンタ－３－オールとエピブロモヒドリンを反応させて下記式（２０）で表される化合物を合成した。

そして、実施例１において用いた式（１０）で表される化合物の代わりに式（２０）で表される化合物を４．６４ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様の操作を行い、化合物（Ｉ）を１２．１ｇ得た。

得られた化合物（Ｉ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．２～２．０（８Ｈ）、３．２０～４．２０（３２Ｈ）

［実施例１０］
以下に示す方法により、上記式（Ｊ）で表される化合物（式（Ｊ）中、平均重合度を示すｂｊは４．５であり、平均重合度を示すｃｊは４．５である。）を得た。
まず、１－アミド－シクロペンタ－３－オールとエピブロモヒドリンを反応させて、下記式（２１）で表される化合物を合成した。

そして、実施例１において用いた式（１０）で表される化合物の代わりに式（２１）で表される化合物を２．６４ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｊ）を１０．９ｇ得た。

得られた化合物（Ｊ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．２～２．０（８Ｈ）、２．６（１Ｈ）、３．２０～４．２０（３０Ｈ）

［実施例１１］
以下に示す方法により、上記式（Ｋ）で表される化合物（式（Ｋ）中、平均重合度を示すｂｋは４．５であり、平均重合度を示すｃｋは４．５である。）を得た。
まず、１－メチルアミノ－シクロペンタ－３－オールとエピブロモヒドリンを反応させて、下記式（２２）で表される化合物を合成した。

そして、実施例１において用いた式（１０）で表される化合物の代わりに式（２２）で表される化合物を２．６４ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様の操作を行い、化合物（Ｋ）を１０．９ｇ得た。

得られた化合物（Ｋ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．２～２．０（９Ｈ）、３．２０～４．２０（３２Ｈ）

［実施例１２］
以下に示す方法により、上記式（Ｌ）で表される化合物（式（Ｌ）中、平均重合度を示すｂｌは４．５であり、平均重合度を示すｃｌは４．５である。）を得た。
まず、１－シアノ－シクロペンタ－３－オールとエピブロモヒドリンを反応させて、下記式（２３）で表される化合物を合成した。

そして、実施例１において用いた式（１０）で表される化合物の代わりに式（２３）で表される化合物を２．６４ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様の操作を行い、化合物（Ｌ）を１０．９ｇ得た。

得られた化合物（Ｌ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．２～２．０（８Ｈ）、２．５（１Ｈ）、３．２０～４．２０（２８Ｈ）

［実施例１３］
以下に示す方法により、上記式（Ｍ）で表される化合物（式（Ｍ）中、平均重合度を示すｂｍは４．５であり、平均重合度を示すｃｍは４．５である。）を得た。
まず、３－アリルオキシ－１，２－プロパンジオール－２－メトキシメチルエーテルと２－（ブロモエトキシ）テトラヒドロ－２Ｈ－ピランを反応させた生成物を酸化して、下記式（２４）で表される化合物を合成した。

そして、実施例３において用いた式（１１）で表される化合物の代わりに式（２４）で表される化合物を２．６４ｇ用いたこと以外は、実施例３と同様の操作を行い、化合物（Ｍ）を１０．９ｇ得た。

得られた化合物（Ｍ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．２～２．０（６Ｈ）、３．２０～４．２０（３８Ｈ）

［実施例１４］
以下に示す方法により、上記式（Ｎ）で表される化合物（式（Ｎ）中、平均重合度を示すｂｎは６．５である。）を得た。
実施例１３において用いた、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｓ（ＣＦ_２Ｏ）_ｔＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中、平均重合度を示すｓは４．５であり、平均重合度を示すｔは４．５である。）で表されるフルオロポリエーテルの代わりにＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｕＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中、平均重合度を示すｕは６．５である。）で表されるフルオロポリエーテルを４０．０ｇ用いたこと以外は、実施例１３と同様の操作を行い、化合物（Ｎ）を１０．９ｇ得た。

得られた化合物（Ｎ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．２～２．０（６Ｈ）、３．２０～４．２０（３８Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－７７．８５～－７９．００（４Ｆ）、－８８．５０～－９１．２２（２６Ｆ）

［実施例１５］
以下に示す方法により、上記式（Ｏ）で表される化合物（式（Ｏ）中、平均重合度を示すｅоは４．５である。）を得た。
実施例１３において用いた、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｓ（ＣＦ_２Ｏ）_ｔＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中、平均重合度を示すｓは４．５であり、平均重合度を示すｔは４．５である。）で表されるフルオロポリエーテルの代わりにＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｖＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中、平均重合度を示すｖは４．５である。）で表されるフルオロポリエーテルを４０．０ｇ用いたこと以外は、実施例１３と同様の操作を行い、化合物（Ｏ）を１０．７ｇ得た。

得られた化合物（Ｏ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．２～２．０（６Ｈ）、３．２０～４．２０（３８Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－８２．６６～－８４．００（２０Ｆ）、－８５．１６～－８６．９１（４Ｆ）、－１２３．１６～－１２４．９１（４Ｆ）、－１２８．４７～－１３０．２０（４Ｆ）

［実施例１６］
以下に示す方法により、上記式（Ｔ）で表される化合物（式（Ｔ）中、平均重合度を示すｂｔは４．５であり、平均重合度を示すｃｔは４．５である。）を得た。
まず、１，２－シクロペンタンジオールとエピブロモヒドリンと、２－（ブロモプロポキシ）テトラヒドロ－２Ｈ－ピランとを反応させて、下記式（２８）で表される化合物を合成した。

実施例１において用いた式（１０）で表される化合物の代わりに、式（２８）で表される化合物を５．９０ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様の操作を行い、化合物（Ｔ）を１１．９ｇ得た。

得られた化合物（Ｔ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．２～２．０（１０Ｈ）、３．２０～４．２０（３４Ｈ）

［実施例１７］
以下に示す方法により、上記式（Ｕ）で表される化合物（式（Ｕ）中、平均重合度を示すｂｕは４．５であり、平均重合度を示すｃｕは４．５である。）を得た。
まず、１，３，５－シクロヘキサントリオールとｔ－ブチルジメチルクロロシランと、エピブロモヒドリンと、２－（ブロモエトキシ）テトラヒドロ－２Ｈ－ピランとを反応させて、下記式（２９）で表される化合物を合成した。

（式（２９）中、ＴＢＳはｔ－ブチルジメチルシリル基を表す。）

そして、実施例１において用いた式（１０）で表される化合物の代わりに、式（２９）で表される化合物を７．２０ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様の操作を行い、化合物（Ｕ）を１０．８ｇ得た。

得られた化合物（Ｕ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．２～２．０（８Ｈ）、３．２０～４．２０（３６Ｈ）

［実施例１８］
以下に示す方法により、上記式（Ｖ）で表される化合物（式（Ｖ）中、平均重合度を示すｂｖは４．５であり、平均重合度を示すｃｖは４．５である。）を得た。
まず、１，３，５－シクロヘキサントリオールとｔ－ブチルジメチルクロロシランと、エピブロモヒドリンと、２－（ブロモプロポキシ）テトラヒドロ－２Ｈ－ピランとを反応させて、下記式（３０）で表される化合物を合成した。

（式（３０）中、ＴＢＳはｔ－ブチルジメチルシリル基を表す。）

実施例１において用いた式（１０）で表される化合物の代わりに、式（３０）で表される化合物を７．５０ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様の操作を行い、化合物（Ｖ）を１０．４ｇ得た。

得られた化合物（Ｖ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．２～２．０（１０Ｈ）、３．２０～４．２０（３６Ｈ）

［実施例１９］
以下に示す方法により、上記式（Ｗ）で表される化合物（式（Ｗ）中、平均重合度を示すｂｗは４．５であり、平均重合度を示すｃｗは４．５である。）を得た。
まず、１，３，５－シクロヘキサントリオールと、エピブロモヒドリンと、２－（ブロモエトキシ）テトラヒドロ－２Ｈ－ピランとを反応させて、下記式（３１）で表される化合物を合成した。

実施例１において用いた式（１０）で表される化合物の代わりに、式（３１）で表される化合物を６．５０ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様の操作を行い、化合物（Ｗ）を９．５ｇ得た。

得られた化合物（Ｗ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．２～２．０（８Ｈ）、３．２０～４．２０（４０Ｈ）

［実施例２０］
以下に示す方法により、上記式（Ｘ）で表される化合物（式（Ｘ）中、平均重合度を示すｂｘは４．５であり、平均重合度を示すｃｘは４．５である。）を得た。
まず、１，３，５－シクロヘキサントリオールと、エピブロモヒドリンと、２－（ブロモプロポキシ）テトラヒドロ－２Ｈ－ピランとを反応させて、下記式（３２）で表される化合物を合成した。

実施例１において用いた式（１０）で表される化合物の代わりに、式（３２）で表される化合物を５．５０ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様の操作を行い、化合物（Ｘ）を８．４ｇ得た。

得られた化合物（Ｘ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．２～２．０（１２Ｈ）、３．２０～４．２０（４０Ｈ）

［比較例１］
以下に示す方法により、下記式（Ｐ）で表される化合物を得た。

（式（Ｐ）中、平均重合度を示すｂｐは４．５であり、平均重合度を示すｃｐは４．５である。）

まず、アリルアルコールとエピブロモヒドリンを反応させて、下記式（２５）で表される化合物を合成した。

そして、実施例１３において用いた式（１４）で表される化合物の代わりに式（２５）で表される化合物を２．６４ｇ用いたこと以外は、実施例１３と同様の操作を行い、化合物（Ｐ）を１０．９ｇ得た。

得られた化合物（Ｐ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝３．２０～４．２０（２９Ｈ）、５．００～６．００（３Ｈ）

［比較例２］
以下に示す方法により、下記式（Ｑ）で表される化合物を得た。

（式（Ｑ）中、平均重合度を示すｂｑは４．５であり、平均重合度を示すｃｑは４．５である。）

まず、フェノールとエピブロモヒドリンを反応させて、下記式（２６）で表される化合物を合成した。

そして、実施例１３において用いた式（１４）で表される化合物の代わりに式（２６）で表される化合物を２．６４ｇ用いたこと以外は、実施例１３と同様な操作を行い、化合物（Ｑ）を１０．９ｇ得た。

得られた化合物（Ｑ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝３．２０～４．２０（２７Ｈ）、６．６～７．４（５Ｈ）

［比較例３］
以下に示す方法により、下記式（Ｒ）で表される化合物を得た。

（式（Ｒ）中、平均重合度を示すｂｒは４．５であり、平均重合度を示すｃｒは４．５である。）

まず、１－ブタノールとエピブロモヒドリンを反応させて、下記式（２７）で表される化合物を合成した。

そして、実施例１３において用いた式（１４）で表される化合物の代わりに式（２７）で表される化合物を２．６４ｇ用いたこと以外は、実施例１３と同様な操作を行い、化合物（Ｒ）を１０．９ｇ得た。

得られた化合物（Ｒ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．２～２．０（７Ｈ）、３．２０～４．２０（２９Ｈ）

［比較例４］
以下に示す方法により、下記式（Ｓ）で表される化合物を得た。

（式（Ｓ）中、平均重合度を示すｂｓは４．５であり、平均重合度を示すｃｓは４．５である。）

実施例１３において用いた式（１４）で表される化合物の代わりに式（２４）で表される化合物を２．６４ｇ用いたこと以外は、実施例１３と同様な操作を行い、化合物（Ｓ）を１０．９ｇ得た。

得られた化合物（Ｓ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝３．２０～４．２０（３８Ｈ）

このようにして得られた実施例１～２０および比較例１～４の化合物の数平均分子量を、上述した^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲの測定により求めた。その結果を表１に示す。なお、化合物の原料として用いたフルオロポリエーテルの分子量分布、化合物を合成する際の操作の差異などによって、合成した化合物の平均分子量の値には１～５程度のばらつきが存在しているものと推定される。

（耐熱性試験）
以下に示す方法により、実施例１～２０および比較例１～４の化合物の耐熱性試験を行い、評価した。ＴＧ－ＤＴＡ（メーカ名：セイコーインスツルメンツ、型番：ＥＸＳＴＡＲ６０００）により、各化合物の温度上昇に対する重量減少を測定し、重量減５％における温度を熱分解温度と定義した。測定条件は、昇温速度を１０℃／ｍｉｎ、Ａｉｒ流量を２００ｍＬ／ｍｉｎとした。その結果を表１に示す。

「耐熱性評価」
○（良）：熱分解温度が２５０℃以上
△（可）：熱分解温度が１００℃以上、２５０℃未満
×（不可）：熱分解温度が１００℃未満

次に、以下に示す方法により、実施例１～２０および比較例１～４で得られた化合物を用いて潤滑層形成用溶液を調製した。そして、得られた潤滑層形成用溶液を用いて、以下に示す方法により、磁気記録媒体の潤滑層を形成し、実施例１～２０および比較例１～４の磁気記録媒体を得た。

「潤滑層形成用溶液」
実施例１～２０および比較例１～４で得られた化合物を、それぞれフッ素系溶媒であるバートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）に溶解し、保護層上に塗布した時の膜厚が９Å～１０Åになるように、さらに、バートレルＸＦで希釈し、潤滑層形成用溶液とした。

「磁気記録媒体」
直径６５ｍｍの基板上に、付着層と軟磁性層と第１下地層と第２下地層と磁性層と保護層とを順次設けた磁気記録媒体を用意した。保護層は、炭素からなるものとした。
保護層までの各層の形成された磁気記録媒体の保護層上に、実施例１～２０および比較例１～４の潤滑層形成用溶液を、ディップ法により塗布した。ディップ法は、浸漬速度１０ｍｍ／ｓｅｃ、浸漬時間３０ｓｅｃ、引き上げ速度１．２ｍｍ／ｓｅｃの条件で行った。
その後、潤滑層形成用溶液を塗布した磁気記録媒体を、１２０℃の恒温槽に入れ、１０分間加熱して潤滑層形成用溶液中の溶媒を除去することにより、保護層上に潤滑層を形成し、磁気記録媒体を得た。

（膜厚測定）
このようにして得られた実施例１～２０および比較例１～４の磁気記録媒体の有する潤滑層の膜厚を、ＦＴ－ＩＲ（商品名：Ｎｉｃｏｌｅｔ ｉＳ５０、Ｔｈｅｒｍｏ Ｆｉｓｈｅｒ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）を用いて測定した。その結果を表１に示す。

また、実施例１～２０および比較例１～４の磁気記録媒体に対して、以下に示す化学物質耐性試験とピックアップ抑制試験を行なった。その結果を表１に示す。

（化学物質耐性試験）
以下に示す評価手法により、高温環境下において汚染物質を生成させる環境物質による磁気記録媒体の汚染を調べた。なお、以下に示す評価手法では、環境物質としてＳｉイオンを用い、環境物質によって生成された磁気記録媒体を汚染する汚染物質の量としてＳｉ吸着量を測定した。

具体的には、評価対象である磁気記録媒体を、温度８５℃、湿度０％の高温環境下で、シロキサン系Ｓｉゴムの存在下に２４０時間保持した。次に、磁気記録媒体の表面に存在するＳｉ吸着量を、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）を用いて分析測定し、Ｓｉイオンによる汚染の程度をＳｉ吸着量として評価した。Ｓｉ吸着量の評価は、比較例１の結果を１．００としたときの数値を用いて評価した。その結果を表１に示す。数値が小さいほど、化学物質耐性が優れている。

（ピックアップ抑制試験）
スピンスタンドに磁気記録媒体および磁気ヘッドを装着し、常温減圧下（約２５０ｔｏｒｒ）で、磁気記録媒体を回転させながら、１０分間磁気ヘッドを定点浮上させた。その後、磁気ヘッドの磁気記録媒体と相対する面（潤滑層の表面）を、ＥＳＣＡ（Electron Spectroscopy for Chemical Analysis）分析装置を用いて分析した。そして、ＥＳＣＡで測定したフッ素由来のピークの強度（信号強度（ａ．ｕ．））から、磁気ヘッドへの潤滑剤の付着量を以下に示す基準により評価した。

「ピックアップ抑制試験評価」
◎（優）：ＥＳＣＡ信号強度が５００以下と非常に小さい（ヘッドへの潤滑剤の付着量が非常に少ない）
〇（良）：ＥＳＣＡ信号強度が５０１以上１０００以下と小さい（ヘッドへの潤滑剤の付着量が少ない）
×（不可）：ＥＳＣＡ信号強度が１００１以上と大きい（ヘッドへの潤滑剤の付着量が多量である）

また、実施例１～２０および比較例１～４の化合物および磁気記録媒体について、以下に示す基準に基づいて総合評価を行った。その結果を表１に示す。
（総合評価）
〇（良）：耐熱性評価が〇であり、Ｓｉ吸着量が０．６０以下、かつピックアップ抑制試験評価が◎（優）または〇（良）である。
×（不可）：総合評価の〇（良）の基準を満たさない。

表１に示すように、実施例１～２０では、耐熱性試験、化学物質耐性試験（Ｓｉ吸着量）、およびピックアップ抑制試験の結果が、いずれも良好であり、総合評価が○（良）であった。
これに対し、比較例１～４は、耐熱性試験、化学物質耐性試験（Ｓｉ吸着量）、およびピックアップ抑制試験の結果を総合すると、実施例１～２０と比較して劣る結果であり、総合評価が×（不可）であった。

より詳細には、式（１）におけるＲ^１で示される有機基に代えて、二重結合を含む鎖状構造を有する化合物（Ｐ）を用いた比較例１では、耐熱性試験の評価が×であり、化学物質耐性試験の結果が劣るものであった。
また、式（１）におけるＲ^１で示される有機基に代えて、ベンゼン環を有する化合物（Ｑ）を用いた比較例２では、ピックアップ抑制試験の評価が×（不可）であった。
また、式（１）におけるＲ^１で示される有機基に代えて、直鎖アルキル基を有する化合物（Ｒ）を用いた比較例３では、化学物質耐性試験の結果が劣るものであった。
また、式（１）におけるＲ^１で示される有機基に代えて、末端が水酸基で置換された直鎖アルキル基を有する化合物（Ｓ）を用いた比較例４では、化学物質耐性試験の結果が劣るものであった。

以上の結果から、磁気記録媒体の保護層上に、実施例１～２０の化合物を含む潤滑層を形成することで、厚みが９Å～１０Åと薄くても、ピックアップが生じにくく、化学物質耐性および耐熱性に優れた潤滑層が得られることがわかった。

本発明は、厚みを薄くしても、優れた化学物質耐性および耐熱性を有し、ピックアップの抑制された潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物を提供する。
本発明の含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体用潤滑剤を用いることにより、厚みが薄くても、優れた耐熱性および化学物質耐性を有し、ピックアップの抑制された潤滑層を形成できる。

１０・・・磁気記録媒体、１１・・・基板、１２・・・付着層、１３・・・軟磁性層、１４・・・第１下地層、１５・・・第２下地層、１６・・・磁性層、１７・・・保護層、１８・・・潤滑層。

Claims (9)

1. 下記式（１）で表されることを特徴とする含フッ素エーテル化合物。
   Ｒ^１－Ｒ^２－ＣＨ_２－Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｒ^４ （１）
   （式（１）中、Ｒ^１はシクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサンからなる群から選ばれる１種であって、１つまたは２つ以上の置換基を有していてもよい脂環式構造を有する有機基であり、前記置換基が、－ＯＨ、－ＣＨ _２ ＯＨ、－ＣＨ _２ ＣＨ _２ ＯＨ、－ＣＨ _２ ＣＨ _２ ＣＨ _２ ＯＨ；－ＯＣＨ _３ 、－ＯＣＨ _２ ＣＨ _３ 、－ＯＣＨ _２ ＣＨ _２ ＣＨ _３ ；－ＯＣＨ _２ ＯＨ、－ＯＣＨ _２ ＣＨ _２ ＯＨ、－ＯＣＨ _２ ＣＨ _２ ＣＨ _２ ＯＨ；－ＣＯＮＨ _２ 、－ＣＨ _２ ＮＨ _２ 、－ＣＨ _２ ＣＨ _２ ＮＨ _２ 、－ＣＨ _２ ＣＨ _２ ＣＨ _２ ＮＨ _２ ；－ＣＮからなる群から選ばれ、前記脂環式構造をＺとした場合、前記脂環式構造ＺとＲ ^２ に含まれる炭素原子との結合が、Ｚ－Ｒ ^２ 、Ｚ－Ｏ－Ｒ ^２ 、Ｚ－ＮＨ－Ｒ ^２ 、Ｚ－ＣＨ _２ Ｏ－Ｒ ^２ 、Ｚ－ＣＨ _２ ＣＨ _２ Ｏ－Ｒ ^２ 、Ｚ－ＣＨ _２ ＣＨ _２ ＣＨ _２ Ｏ－Ｒ ^２ 、Ｚ－ＣＨ _２ －Ｒ ^２ 、Ｚ－ＣＨ _２ ＣＨ _２ －Ｒ ^２ 、Ｚ－ＣＨ _２ ＣＨ _２ ＣＨ _２ －Ｒ ^２ 、Ｚ－ＣＨ _２ ＣＨ _２ ＣＨ _２ ＣＨ _２ －Ｒ ^２ から選ばれる１種である；Ｒ^２は下記式（２）で表され、式（２）中のａは１～３の整数である；Ｒ^３はパーフルオロポリエーテル鎖である；Ｒ^４は下記式（６）～（９）のいずれかの末端基である。）
   

   

   

   
   （式（６）中、ｆは１～２の整数を表し、ｇは１～５の整数を表す。）
   （式（７）中、ｈは２～５の整数を表す。）
   （式（８）中、ｉは１～５の整数を表す。）
   （式（９）中、ｊは１～２の整数を表し、ｋは１～２の整数を表す。）
2. 前記Ｒ^３が、下記式（３）～（５）のいずれかである請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。
   －ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｂ－（ＣＦ_２Ｏ）_ｃ－ＣＦ_２－ （３）
   （式（３）中のｂ、ｃは平均重合度を示し、それぞれ独立に０～３０を表す。但し、ｂ、ｃが同時に０となることは無い。）
   －ＣＦ（ＣＦ_３）－（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）_ｄ－ＯＣＦ（ＣＦ_３）－ （４）
   （式（４）中のｄは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
   －ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｅ－ＣＦ_２ＣＦ_２－ （５）
   （式（５）中のｅは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
3. 前記置換基が、－ＯＨ、－ＣＨ _２ ＯＨ、－ＯＣＨ _３ 、－ＯＣＨ _２ ＣＨ _２ ＯＨ、－ＯＣＨ _２ ＣＨ _２ ＣＨ _２ ＯＨ、－ＣＯＮＨ _２ 、－ＣＨ _２ ＮＨ _２ 、－ＣＮからなる群から選ばれ、前記脂環式構造をＺとした場合、前記脂環式構造ＺとＲ ^２ に含まれる炭素原子との結合が、Ｚ－Ｏ－Ｒ ^２ 、Ｚ－ＮＨ－Ｒ ^２ 、Ｚ－ＣＨ _２ Ｏ－Ｒ ^２ 、Ｚ－ＣＨ _２ ＣＨ _２ ＣＨ _２ ＣＨ _２ －Ｒ ^２ から選ばれる１種である、請求項１または請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物。
4. 数平均分子量が５００～１００００の範囲内にある請求項１～請求項３のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
5. 前記式（１）で表される化合物が、下記式（Ａ）～（Ｃ）および（Ｇ）～（Ｏ）で表される化合物のいずれかである、請求項１～請求項４のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
   

   

   
   （式（Ａ）中、ｂａ、ｃａは平均重合度を示し、ｂａは０～３０を表し、ｃａは０～３０を表す。但し、ｂａ、ｃａが同時に０となることは無い。）
   （式（Ｂ）中、ｂｂ、ｃｂは平均重合度を示し、ｂｂは０～３０を表し、ｃｂは０～３０を表す。但し、ｂｂ、ｃｂが同時に０となることは無い。）
   （式（Ｃ）中、ｂｃ、ｃｃは平均重合度を示し、ｂｃは０～３０を表し、ｃｃは０～３０を表す。但し、ｂｃ、ｃｃが同時に０となることは無い。）
   

   

   
   （式（Ｇ）中、ｂｇ、ｃｇは平均重合度を示し、ｂｇは０～３０を表し、ｃｇは０～３０を表す。但し、ｂｇ、ｃｇが同時に０となることは無い。）
   （式（Ｈ）中、ｂｈ、ｃｈは平均重合度を示し、ｂｈは０～３０を表し、ｃｈは０～３０を表す。但し、ｂｈ、ｃｈが同時に０となることは無い。）
   （式（Ｉ）中、ｂｉ、ｃｉは平均重合度を示し、ｂｉは０～３０を表し、ｃｉは０～３０を表す。但し、ｂｉ、ｃｉが同時に０となることは無い。）
   

   

   
   （式（Ｊ）中、ｂｊ、ｃｊは平均重合度を示し、ｂｊは０～３０を表し、ｃｊは０～３０を表す。但し、ｂｊ、ｃｊが同時に０となることは無い。）
   （式（Ｋ）中、ｂｋ、ｃｋは平均重合度を示し、ｂｋは０～３０を表し、ｃｋは０～３０を表す。但し、ｂｋ、ｃｋが同時に０となることは無い。）
   

   

   
   （式（Ｌ）中、ｂｌ、ｃｌは平均重合度を示し、ｂｌは０～３０を表し、ｃｌは０～３０を表す。但し、ｂｌ、ｃｌが同時に０となることは無い。）
   （式（Ｍ）中、ｂｍ、ｃｍは平均重合度を示し、ｂｍは０～３０を表し、ｃｍは０～３０を表す。但し、ｂｍ、ｃｍが同時に０となることは無い。）
   （式（Ｎ）中、ｂｎは平均重合度を示し、ｂｎは０．１～３０を表す。）
   （式（Ｏ）中、ｅоは平均重合度を示し、ｅоは０．１～３０を表す。）
6. 前記式（１）で表される化合物が、下記式（Ｔ）～（Ｘ）で表される化合物のいずれかである、請求項１～請求項４のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
   

   

   
   （式（Ｔ）中、ｂｔ、ｃｔは平均重合度を示し、ｂｔは０～３０を表し、ｃｔは０～３０を表す。但し、ｂｔ、ｃｔが同時に０となることは無い。）
   （式（Ｕ）中、ｂｕ、ｃｕは平均重合度を示し、ｂｕは０～３０を表し、ｃｕは０～３０を表す。但し、ｂｕ、ｃｕが同時に０となることは無い。）
   （式（Ｖ）中、ｂｖ、ｃｖは平均重合度を示し、ｂｖは０～３０を表し、ｃｖは０～３０を表す。但し、ｂｖ、ｃｖが同時に０となることは無い。）
   （式（Ｗ）中、ｂｗ、ｃｗは平均重合度を示し、ｂｗは０～３０を表し、ｃｗは０～３０を表す。但し、ｂｗ、ｃｗが同時に０となることは無い。）
   （式（Ｘ）中、ｂｘ、ｃｘは平均重合度を示し、ｂｘは０～３０を表し、ｃｘは０～３０を表す。但し、ｂｘ、ｃｘが同時に０となることは無い。）
7. 請求項１～請求項６のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体用潤滑剤。
8. 基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層が順次設けられた磁気記録媒体であって、
   前記潤滑層が、請求項１～請求項６のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
9. 前記潤滑層の平均膜厚が０．５ｎｍ～２ｎｍである請求項８に記載の磁気記録媒体。

Images