JP7622738B2 - 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品 - Google Patents

Description

本発明は、厚膜抵抗ペーストに関し、更に詳しくは、酸化ルテニウム含有ガラス粉末と、銀粉末、もしくはパラジウム粉末、あるいはその両方の粉末とを含有し、特に外観にクラックがなく、耐サージ性に優れた厚膜抵抗体を形成することのできる、特に低抵抗用として用いられる厚膜抵抗ペースト、その厚膜抵抗ペーストを用いた厚膜抵抗体、及びその厚膜抵抗体を備えた電子部品に関する。

厚膜抵抗ペーストは、一般に、導電粉末、ガラス粉末と、それらを印刷に適したペースト状にするための有機ビヒクルとから構成される。この厚膜抵抗ペーストを任意のパターンで印刷し、通常８００～１０００℃の高温でガラスを焼結させることで、例えば、厚膜チップ抵抗器等の電子部品を構成する厚膜抵抗体として使用されている。導電粉末としては、ガラス粉末との混合比率を変化させることで緩やかに抵抗値を変化させることができるため、酸化ルテニウム粉末やルテニウム酸鉛粉末が広く用いられている。

例えば、特許文献１には、無機材粒子にムライトを、ガラス粒子にホウケイ酸鉛ガラスを、導電粒子に二酸化ルテニウムを用いた混合物に、バインダとしてエチルセルロースを、溶剤としてトルエンおよびアルコールを用いたビヒクルを添加して得た抵抗ペーストを用いて形成した厚膜抵抗体の技術が記載されている。
また、１００Ω未満の低い抵抗値を出現させる際には、導電粉末として、更に銀、もしくはパラジウム、あるいはその両方の粉末を含有させている。

また、特許文献２には、酸化ルテニウム系導電物粉末と、ガラスフリットを含有する厚膜抵抗体用組成物において、更に銀粉末を含有させて、有機ビヒクルを加えた厚膜抵抗ペーストの技術が記載されている。

近年、厚膜チップ抵抗器等の電子部品の小型化が進み、厚膜抵抗体には電気的特性の向上が求められており、とりわけ、外観にクラックのない耐サージ性等の耐電圧性に優れた厚膜抵抗体が求められている。厚膜抵抗体に瞬間的な高電圧（サージ電圧）が印加された場合、通常、負の抵抗値変化を示すが、この抵抗値変化量は小さいほうが望ましい。このような負の抵抗値変化は、電圧印加時の発熱の影響と考えられている。従来の厚膜抵抗ペーストでは、焼結時にガラス粉末同士が結合されるが、ガラス粉末の軟化は表層のみに留まる。このため、厚膜抵抗ペーストを焼結後の厚膜抵抗体において、ガラス粒子径に相当する誘電体層が存在する。導電粉末はこの誘電体層の周囲に分布し、厚膜抵抗体に導電性を持たせている。低抵抗の抵抗体を形成する場合は、導電粉末には酸化ルテニウム粉末が好適に用いられ、より低抵抗とする場合は、銀粉末もしくはパラジウム粉末、あるいはその両方の混合粉末がさらに含有されている。酸化ルテニウムは焼結性がないため、特に、酸化ルテニウムを多量に配合した低抵抗の抵抗体ではクラックが生じやすい。

特許文献３には、炭素系導電粉末と、ｐ－ｔ－ブチルフェノールと、ホルムアルデヒドとの縮合反応により得られた置換一価フェノール樹脂とを含む抵抗ペーストにおいて、ポリカルボン酸系分散剤をさらに含むことで、クラックを低減することが可能となる技術が記載されている。

特開平４－３２０００３号公報 特開２０１９－０６２１７８号公報 特許４７０６７０３号公報

しかしながら、近年のより小型化の進む電子部品の厚膜抵抗体には、より高温での耐熱性のため、絶縁材料にガラスを用いても抵抗体にクラックの生じにくい厚膜抵抗ペーストが求められている。
本発明の目的は、ホウケイ酸鉛ガラスを使用しながら、外観にクラックの異常がなく、十分な耐サージ性を有する特に低抵抗用に優れた厚膜抵抗ペースト、その厚膜抵抗ペーストを用いた厚膜抵抗体、及びその厚膜抵抗体を備えた電子部品を提供することにある。

本発明者らは、種々の研究を行った結果、特定の組成で構成された酸化ルテニウム含有ガラス粉末を用いた厚膜抵抗ペーストにより厚膜抵抗体を形成したときに、従来よりもクラックの発生率が低くなることを見出し、本発明を導出するに至った。

すなわち、本発明による厚膜抵抗ペーストは、銀粉末もしくはパラジウム粉末、あるいはその両方の混合粉末と、酸化ルテニウム含有ガラス粉末と、有機ビヒクルを含有してなり、前記酸化ルテニウム含有ガラス粉末が、酸化ルテニウムを１０質量％以上６０質量％以下含有し、かつ、ガラス組成がガラス成分１００質量％に対して、酸化ケイ素を３３質量％以上６０質量％以下、酸化鉛を３０質量％以上９０質量％以下、酸化ホウ素を５質量％以上５０質量％以下含有し、かつ、酸化ケイ素と酸化鉛と酸化ホウ素の合計含有量がガラス成分１００質量％に対して５０質量％以上であることを特徴とする。

また、本発明の厚膜抵抗ペーストにおいては、前記酸化ルテニウム含有ガラス粉末の平均粒子径が５μｍ以下であることが好ましい。

また、本発明による厚膜抵抗体は、上記本発明のいずれかの厚膜抵抗ペーストの焼結体からなることを特徴とする。

また、本発明による低抵抗用電子部品は、上記本発明の厚膜抵抗体を備えてなることを特徴とする。

本発明によれば、従来よりも抵抗体表面に生じるクラックの発生率を低減させることができ、かつ、十分な耐サージ性を有する特に低抵抗用に優れた厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品を提供することができる。

実施例１に係る抵抗体表面の金属顕微鏡写真である。 比較例１に係る抵抗体表面の金属顕微鏡写真である。

以下、本発明の実施形態について説明するが、本発明は、下記の実施形態に制限されるものではなく、本発明の範囲内で、下記実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。
本実施形態の厚膜抵抗ペーストは、銀粉末もしくはパラジウム粉末、あるいはその両方の混合粉末と、酸化ルテニウム含有ガラス粉末と有機ビヒクルを含有してなる。以下、各成分について詳細に説明する。

（導電物）
本発明の厚膜抵抗ペーストにおける導電物には、銀もしくはパラジウム、あるいはその両方の混合物と、酸化ルテニウムを用いる。一般的な厚膜抵抗ペーストは、導電物と、ガラスとを、それぞれ粉末状で含有した構造であるが、本発明の厚膜抵抗ペーストにおいては、導電物である酸化ルテニウム粉末を単独では用いず、酸化ルテニウムとガラスを用いて作製された酸化ルテニウム含有ガラスを粉砕して得られる、酸化ルテニウム含有ガラス粉末を用いた構造となっている。
酸化ルテニウム含有ガラス粉末を形成するのに用いる酸化ルテニウムの粒径は、特に限定されないが、比表面積５ｍ^２／ｇ以上となる粒径にするのが望ましい。比表面積５ｍ^２／ｇ未満では、酸化ルテニウムの粒径が大きすぎて、厚膜抵抗体内の導電域の均一性を低下させ、耐サージ性を悪化させる虞がある。
また、本発明の厚膜抵抗ペーストにおいては、低い抵抗値を効率よく発現させるため、銀粉末もしくはパラジウム粉末、あるいはその両方の混合粉末を含有させる。
銀粉末、およびパラジウム粉末の粒径は、特に限定されないが、小型化の進む電子部品用として、銀粉末は平均粒径１μｍ以上１０μｍ以下、パラジウム粉末は平均粒径０．２μｍ以上１μｍ以下のものを使用するのが望ましい。銀粉末やパラジウム粉末の種類、および平均粒径の選定は、使用する対象の抵抗体のサイズや特性に合わせて、適宜選定すればよい。

（ガラス成分）
本発明の厚膜抵抗ペースト中の酸化ルテニウム含有ガラスに用いるガラス成分は、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、酸化鉛（ＰｂＯ）および酸化ホウ素（Ｂ_２Ｏ_３）を含有する。その他、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化カドミウム（ＣｄＯ）、酸化錫（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ビスマス（Ｂｉ_２Ｏ_３）等を含有させてもよい。また、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）を含有させてもよい。

（酸化ケイ素：ＳｉＯ_２）
ＳｉＯ_２は、本発明のガラス成分の骨格となる成分であり、配合量は酸化ルテニウム含有ガラスに含まれるガラス成分１００質量％に対し、３質量％以上６０質量％以下である。６０質量％よりも多いと、形成するガラスの軟化点が高くなりすぎてしまう。また、３質量％よりも少ないと化学的に安定したガラスが得られない。

（酸化鉛：ＰｂＯ）
ＰｂＯは、軟化点を低下させる働きと、酸化ルテニウムとの濡れを促進し、分散性を高める働きを持つ。配合量は酸化ルテニウム含有ガラスに含まれるガラス成分１００質量％に対し、３０質量％以上９０質量％以下である。３０質量％未満だと、形成するガラスの軟化点が高くなりすぎてしまう。また、９０質量％よりも多いと、化学的に安定したガラス状態を得ることが難しくなる。

（酸化ホウ素：Ｂ_２Ｏ_３）
Ｂ_２Ｏ_３は、ＳｉＯ_２とともに本発明のガラス成分の骨格となる成分であり、形成するガラスの軟化点を低下させる効果がある。配合量は酸化ルテニウム含有ガラスに含まれるガラス成分１００質量％に対し、５質量％以上５０質量％以下である。５質量％未満では形成するガラスの靱性が低下し、クラックが入りやすくなり、レーザートリミング性が悪化する。また、５０質量％よりも多いとガラス成分の分相を起こしやすく、耐水性も低下する。

（必須ガラス成分の合計含有量）
ＳｉＯ_２、ＰｂＯ、およびＢ_２Ｏ_３の合計含有量は、酸化ルテニウム含有ガラスに含まれるガラス成分１００質量％に対し、５０質量％以上である。５０質量％未満では、ガラスを安定して形成することが困難であり、本発明の厚膜抵抗体の電気特性において、耐サージ性を満足させることが困難になる。

（その他のガラス成分）
上記必須ガラス成分の他、各種特性を向上させるために、酸化ルテニウム含有ガラスの特性を悪化させない範囲で、酸化物をガラス成分として更に含有させることができる。具体的には、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣｄＯ、ＳｎＯ、ＺｎＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３等を含有させることができる。これらのガラス成分の配合量は、酸化ルテニウム含有ガラスに含まれるガラス成分１００質量％に対し、それぞれ２０質量％以下である。

（酸化ルテニウム含有ガラス）
本発明の厚膜抵抗ペーストに用いる酸化ルテニウム含有ガラスにおいて、導電物である酸化ルテニウムと、ガラス成分の配合割合は、酸化ルテニウム含有ガラス組成１００質量％に対し、酸化ルテニウムを１０質量％以上６０質量％以下、ガラス成分を４０質量％以上９０質量％以下とする。酸化ルテニウムが１０質量％未満では製造された酸化ルテニウム含有ガラス粉末の抵抗値が高くなりすぎ、ほとんど導電性を示さない。また、６０質量％より多いと、ガラス成分が酸化ルテニウム粉末を覆いきれず、酸化ルテニウム含有ガラスが脆くなってしまう。酸化ルテニウムとガラス成分の配合割合を調整することで、厚膜抵抗体の抵抗値を、目的の抵抗値近傍に調整することが可能である。
酸化ルテニウム含有ガラスは、平均粒径が５μｍ以下になるように粉砕する。平均粒径が５μｍより大きいと、厚膜抵抗体の均一性が低下し、耐サージ性に劣り、厚膜抵抗体表面にクラックを生じる虞があるので好ましくない。粉砕方法はボールミル、遊星ミル、ビーズミルなどを用いることができる。
なお、本発明において、平均粒径とはメディアン径を意味し、ヘキサメタリン酸ナトリウム水溶液２ｇ／Ｌに測定する粉末を超音波分散し、純水溶媒を用いた粒度分布計（ＨＰＡ９３２０－１００Ｘ、マイクロトラックベル社製）を用いて測定された数値である。

（その他の添加剤）
本発明の厚膜抵抗ペーストには、厚膜抵抗体の抵抗値、ＴＣＲ、その他特性を調整、改善する目的で導電物を含まないホウケイ酸ガラスおよび、一般的に使用される添加剤をさらに含有させてもよい。また、分散性を向上させるために添加剤として分散剤を含有させてもよい。主な添加剤としては、酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）、酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）、酸化チタン（ＴｉＯ_２）、酸化銅（ＣｕＯ）、酸化マンガン（ＭｎＯ_２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）等が挙げられる。添加剤の含有量は、目的とする改善特性に応じて調整できるが、無機物の総量１００質量％中に１０質量％以下であるのが好ましい。

（有機ビヒクル）
本発明の厚膜抵抗ペーストに使用する有機ビヒクルは特に制限がなく、一般的な抵抗ペーストに用いられている、ターピネオール等の溶剤にエチルセルロース、ロジン等の樹脂を溶解したもの等を使用することができる。有機ビヒクルの配合量は、印刷方法等に応じて適宜調整すればよいが、一般的には抵抗ペーストの総量１００質量％に対して、２０質量％以上５０質量％以下である。

（厚膜抵抗ペーストの製造方法）
銀粉末もしくはパラジウム粉末、あるいはその両方の混合粉末と、酸化ルテニウム含有ガラス粉末、および有機ビヒクルを、必要に応じてさらにホウケイ酸鉛ガラス粉末や添加剤等を添加して混合し、厚膜抵抗ペーストを製造する方法は、特に限定されず、一般的な３本ロールミルやビーズミル等を使用することができる。

（厚膜抵抗体の製造方法）
得られた厚膜抵抗ペーストをセラミック基板上に印刷し、有機溶剤を乾燥処理により除去した後、例えば８００℃～９００℃の温度で焼成することにより、厚膜抵抗体を得ることができる。

以下、本発明をさらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されるものではない。

（実施例１ 面積抵抗値１０Ω抵抗体の評価）
ガラス材料を６０質量％と酸化ルテニウムを４０質量％の割合で混合、溶融した後、冷却して酸化ルテニウム含有ガラスを作製した。作製した導電物含有ガラスのガラス組成は、ガラス成分１００質量％に対して、ＳｉＯ_２が３３質量％、ＰｂＯが４８質量％、Ａｌ_２Ｏ_３が５質量％、Ｂ_２Ｏ_３が７質量％、ＺｎＯが２質量％、ＣａＯが５質量％である。
得られた酸化ルテニウム含有ガラスをボールミルで平均粒径が約１μｍとなるように粉砕した。酸化ルテニウム含有ガラス粉末を２８質量％、ホウケイ酸鉛ガラス粉末を１０質量％、パラジウムを被覆した銀粉末（パラジウムと銀の質量比３０対７０）を３２質量％、添加剤としてＭｎ_２Ｏ_３を１質量％、Ｎｂ_２Ｏ_５を１質量％含有し、残部が有機ビヒクルからなる厚膜抵抗体組成物を、３本ロールミルにて各種無機材料が有機ビヒクル中に分散するように混錬し、実施例１の厚膜抵抗ペーストを作製した。なお、ホウケイ酸鉛ガラス粉末には、ガラス成分１００質量％に対して、ＳｉＯ_２が３３質量％、ＰｂＯが４８質量％、Ａｌ_２Ｏ_３が５質量％、Ｂ_２Ｏ_３が７質量％、ＺｎＯが２質量％、ＣａＯが５質量％含有するものを、有機ビヒクルにはターピネオール１００質量部に対してエチルセルロースを２０質量部溶解したものを用いた。実施例１の厚膜抵抗ペーストの組成及び厚膜抵抗ペーストの製造に用いた酸化ルテニウム含有ガラスの組成を表１に示す。

＜評価試験＞
（評価用試料の作製）
予め、アルミナ基板上に印刷された１．０ｍｍ間隔の５対の電極間に、作製した厚膜抵抗ペーストを幅１．０ｍｍで印刷し、ピーク温度１５０℃×５分のベルト炉で乾燥処理した。その後、ピーク温度８５０℃×９分のベルト炉で焼成した。同様の処理をした試料をアルミナ基板単位で５枚作製し、評価用試料１の厚膜抵抗体（合計２５個）を得た。
また、０．３ｍｍ間隔の電極間に、幅０．３ｍｍで印刷した以外は評価用試料１と同様の方法で、アルミナ基板単位で１枚、評価用試料２の厚膜抵抗体（５個）を得た。

（膜厚測定）
膜厚は、触針式の表面粗さ計を用いて、評価用試料１の中からアルミナ基板単位で任意の１枚を選択し、５個の厚膜抵抗体の膜厚をそれぞれ測定し、その５点の平均値を実測膜厚とした。

（換算面積抵抗値）
５枚のアルミナ基板上に形成された、それぞれ５個の評価用試料１（合計２５個）の２５℃の抵抗値を回路計（２００１ＭＵＬＴＩＭＥＴＥＲ、ＫＥＩＴＨＬＥＹ社製）を用いて計測し、その平均値を実測抵抗値とした。次式（１）を用いて、膜厚を７μｍとしたときの換算面積抵抗値を算出した。算出した換算面積抵抗値を表３に示す。

換算面積抵抗値（Ω）＝実測抵抗値（Ω）×（実測膜厚（μｍ）／７（μｍ））・・・（１）

（抵抗温度係数：ＴＣＲ）
１枚のアルミナ基板上に形成された、評価試料１の厚膜抵抗体５個について、恒温槽にて－５５℃、２５℃、および１２５℃で３０分間保持した時のそれぞれの抵抗値を測定した。測定したそれぞれの抵抗値をＲ_－５５、Ｒ_２５、Ｒ_１２５とし、次式（２）を用いて低温ＴＣＲを、次式（３）を用いて高温ＴＣＲをそれぞれ算出した。算出した５点の低温ＴＣＲ及び高温ＴＣＲの平均値を表３に示す。

低温ＴＣＲ（ｐｐｍ／℃）＝[（Ｒ_－５５－Ｒ_２５）／Ｒ_２５]／（－８０）×１０^６・・・（２）
高温ＴＣＲ（ｐｐｍ／℃）＝[（Ｒ_１２５－Ｒ_２５）／Ｒ_２５]／（１００）×１０^６・・・（３）

（耐サージ性の評価：抵抗値変化率）
評価試料２の厚膜抵抗体に対し、半導体デバイス静電気試験器（ＥＳＳ－６００８、ノイズ研究所製）を用いて、２００ｐＦの電気容量、内部抵抗０Ωの条件にて電圧を印加する静電気放電試験を実施した。４ｋＶの印加電圧を１秒間隔で５回、評価試料２の厚膜抵抗体に印加し、電圧印加前の抵抗値Ｒｓと電圧印加後の抵抗値Ｒｅを測定し、その抵抗値変化率を次式（４）を用いて算出した。算出した５点の抵抗変化率の平均値を表３に示す。

抵抗値変化率（％）＝（Ｒｅ－Ｒｓ）／Ｒｓ×１００・・・（４）

（厚膜抵抗体表面観察）
評価試料１の厚膜抵抗体の表面を、金属顕微鏡を用いて観察した。焼結に伴う微細な空隙が部分的に存在するレベルの外観は「〇」、複数の空隙が繋がるなどしてクラック状の欠陥が存在するレベルの外観は「×」と評価した。評価結果を表３に、表面観察した金属顕微鏡の写真を図１に示す。

（実施例２～１２）
ガラス材料、酸化ルテニウムをそれぞれ表１に示す割合で混合、溶融した後、冷却して酸化ルテニウム含有ガラスを作製した。作製したそれぞれの導電物含有ガラスのガラス組成は、ガラス成分１００質量％に対する、ＳｉＯ _２ 、ＰｂＯ、Ａｌ _２ Ｏ _３ 、Ｂ _２ Ｏ _３ 、ＺｎＯ、ＣａＯそれぞれの含有量が表１に示す割合となっている。
得られたそれぞれの酸化ルテニウム含有ガラスをボールミルで平均粒径が表１に示す値となるように粉砕した。酸化ルテニウム含有ガラス粉末、ホウケイ酸鉛ガラス粉末、パラジウムを被覆した銀粉末（パラジウムと銀の質量比３０対７０）、添加剤、有機ビヒクルを表１に示す割合で含有してなる厚膜抵抗体組成物を、３本ロールミルにて各種無機材料が有機ビヒクル中に分散するように混錬し、実施例２～１２の厚膜抵抗ペーストを作製した。ホウケイ酸鉛ガラス粉末、有機ビヒクルは、実施例１で用いたのと同じ組成である。
また、実施例１と同様の方法で評価用試料の厚膜抵抗体を作製し、実施例１と同様の評価を行った。各評価結果を表３に示す。
なお、実施例４、７、９、１０は参考例である。

（比較例１）
酸化ルテニウム含有ガラスを用いず、導電物とガラスとを、それぞれ粉末状で添加する従来の製造方法で厚膜抵抗ペーストを作製した。ただし、酸化ルテニウム含有ガラスを粉砕して得られる、酸化ルテニウム含有ガラス粉末を用いずに、酸化ルテニウム粉末とガラス粉末をそれぞれ添加した場合、厚膜抵抗ペーストに適した抵抗値に調整すると、電気特性（ＴＣＲ）等に差が生じてしまう。そのため、従来の製造方法で作成する比較例１では、ＴＣＲ等を調整するため、導電物として、酸化ルテニウム粉末に加え、ルテニウム酸鉛粉末を配合し、酸化ルテニウム粉末とルテニウム酸鉛粉末、パラジウムを被覆した銀粉末（パラジウムと銀の質量比３０対７０）等の配合量を調整した。すなわち、酸化ルテニウム粉末を２０質量％、ルテニウム酸鉛粉末を５質量％、パラジウムを被覆した銀粉末（パラジウムと銀の質量比３０対７０）を４２質量％、ガラス粉末を３０質量％、添加剤としてＭｎ_２Ｏ_３を１質量％、Ｎｂ_２Ｏ_５を１質量％含有し、残部が有機ビヒクルからなる配合量の厚膜抵抗体組成物とし、３本ロールミルにより各種無機材料が有機ビヒクル中に分散するように混錬し、比較例１の厚膜ペーストを作製した。作製した厚膜抵抗ペースト内のガラス組成は、ガラス成分１００質量％に対して、ＳｉＯ_２が３３質量％、ＰｂＯが４７質量％、Ａｌ_２Ｏ_３が５質量％、Ｂ_２Ｏ_３が７質量％、ＺｎＯが３質量％、ＣａＯが５質量％である。有機ビヒクルは、実施例１で用いたのと同じ組成である。比較例１の厚膜抵抗ペーストの組成及び厚膜抵抗ペーストの製造に用いたガラスの組成を表２に示す。
また、実施例１と同様の方法で評価用試料の厚膜抵抗体を作製し、実施例１と同様の評価を行った。各評価結果を表３に、表面観察した金属顕微鏡の写真を図２に示す。

（比較例２～１０）
ガラス材料、酸化ルテニウムをそれぞれ表１に示す割合で混合、溶融した後、冷却して酸化ルテニウム含有ガラスを作製した。作製したそれぞれの導電物含有ガラスのガラス組成は、ガラス成分１００質量％に対する、ＳｉＯ_２、ＰｂＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｂ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＣａＯそれぞれの含有量が表１に示す割合となっている。
得られたそれぞれの酸化ルテニウム含有ガラスをボールミルで平均粒径が表１に示す値となるように粉砕した。酸化ルテニウム含有ガラス粉末、ホウケイ酸鉛ガラス粉末、パラジウムを被覆した銀粉末（パラジウムと銀の質量比３０対７０）、添加剤、有機ビヒクルを表１に示す割合で含有してなる厚膜抵抗体組成物を、３本ロールミルにて各種無機材料が有機ビヒクル中に分散するように混錬し、比較例２～１０の厚膜抵抗ペーストを作製した。ホウケイ酸鉛ガラス粉末、有機ビヒクルは、実施例１で用いたのと同じ組成である。
また、実施例１と同様の方法で評価用試料の厚膜抵抗体を作製し、実施例１と同様の評価を行った。各評価結果を表３に示す。

表３に示す通り、本発明の酸化ルテニウム含有ガラス粉末を用いて作製した厚膜抵抗ペーストにより形成された実施例１～１２の厚膜抵抗体は、酸化ルテニウム含有ガラス粉末を用いずに作製した従来の厚膜抵抗ペーストにより形成された比較例１の厚膜抵抗体に比べ、厚膜抵抗体表面のクラック発生が抑制され、静電気放電試験前後の抵抗値変化率も小さく耐サージ性に優れていることが認められた。
また、酸化ルテニウムの含有量が本発明の請求範囲より少ない酸化ルテニウム含有ガラスを用いて得た厚膜抵抗ペーストにより形成された比較例２の厚膜抵抗体は、導電物含有ガラス粉末の抵抗値が高くなりすぎ、ほとんど導電性を示さないことが認められた。
また、酸化ルテニウムの含有量が本発明の請求範囲より多い酸化ルテニウム含有ガラスを用いて得た厚膜抵抗ペーストにより形成された比較例３の厚膜抵抗体は、表面にクラック状の欠陥が認められた。
また、酸化ケイ素、酸化鉛、もしくは酸化ホウ素の含有量、または、これら必須ガラス成分の合計含有量が本発明の請求範囲を外れたガラス成分を用いて得た厚膜抵抗ペーストにより形成された比較例４～１０の厚膜抵抗体は、実施例１～１２の厚膜抵抗体に比べて静電気放電試験前後の抵抗値変化率が高く、耐サージ性に劣っていることが認められた。

以上の試験結果から、本発明の厚膜抵抗ペーストを用いて形成された厚膜抵抗体は、クラック発生が抑制され、耐サージ性に優れることにより、近年の小型化の進む電子部品に好適に用いることができることが認められる。

Claims (4)

1. 銀粉末もしくはパラジウム粉末、あるいはその両方の混合粉末と、酸化ルテニウム含有ガラス粉末と、有機ビヒクルを含有してなり、
   前記酸化ルテニウム含有ガラス粉末が、酸化ルテニウムを１０質量％以上６０質量％以下含有し、
   かつ、ガラス組成がガラス成分１００質量％に対して、酸化ケイ素を３３質量％以上６０質量％以下、酸化鉛を３０質量％以上９０質量％以下、酸化ホウ素を５質量％以上５０質量％以下含有し、
   かつ、酸化ケイ素と酸化鉛と酸化ホウ素の合計含有量がガラス成分１００質量％に対して５０質量％以上であること、
   を特徴とする厚膜抵抗ペースト。
2. 前記酸化ルテニウム含有ガラス粉末の平均粒子径が５μｍ以下であること、を特徴とする請求項１に記載の厚膜抵抗ペースト。
3. 請求項１又は２に記載の厚膜抵抗ペーストの焼結体からなる厚膜抵抗体。
4. 請求項３に記載の厚膜抵抗体を備えた電子部品。