JP7670060B2 - 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、レジストパターンの形成方法、及びプリント配線板の製造方法 - Google Patents
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Description
本実施形態の感光性樹脂組成物は、(A)成分:ジシクロペンタニル基を有する(メタ)アクリレート化合物に由来する構造単位を含むバインダーポリマーと、(B)成分:光重合性化合物と、(C)成分:光重合開始剤と、(D)成分:340nm~430nmに吸収を有する増感剤と、(E)成分:紫外線吸収剤とを含有し、(E)成分の波長365nmの光に対するモル吸光係数が、500~50000L/(mol・cm)の範囲である。本実施形態の感光性樹脂組成物は、上記(A)~(E)成分を必須成分として含有することにより、解像性及び密着性に優れ、微細なレジストパターンを形成することができる。上記感光性樹脂組成物は、必要に応じて、水素供与体又はその他の成分を更に含有してもよい。以下、本実施形態の感光性樹脂組成物で用いられる各成分についてより詳細に説明する。
本実施形態の感光性樹脂組成物は、ジシクロペンタニル基を有する(メタ)アクリレート化合物に由来する構造単位を含むバインダーポリマーを用いることにより、解像性及び密着性をより高めることができる。
酸価=0.1×Vf×56.1/(Wp×I/100)
式中、VfはKOH水溶液の滴定量(mL)を示し、Wpは測定したバインダーポリマーを含有する溶液の質量(g)を示し、Iは測定したバインダーポリマーを含有する溶液中の不揮発分の割合(質量%)を示す。
なお、バインダーポリマーを合成溶媒、希釈溶媒等の揮発分と混合した状態で配合する場合は、精秤前に予め、揮発分の沸点よりも10℃以上高い温度で1~4時間加熱し、揮発分を除去してから酸価を測定することもできる。
(B)成分としては、エチレン性不飽和結合の少なくとも1つを有し、光重合可能な化合物であれば特に限定されない。(B)成分としては、アルカリ現像性、解像性、及び硬化後の剥離特性を向上させる観点から、ビスフェノール型(メタ)アクリレートの少なくとも1種を含むことが好ましく、ビスフェノール型(メタ)アクリレートの中でもビスフェノールA型(メタ)アクリレートを含むことがより好ましい。ビスフェノールA型(メタ)アクリレートとしては、例えば、2,2-ビス(4-((メタ)アクリロキシポリエトキシ)フェニル)プロパン、2,2-ビス(4-((メタ)アクリロキシポリプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2-ビス(4-((メタ)アクリロキシポリブトキシ)フェニル)プロパン、及び2,2-ビス(4-((メタ)アクリロキシポリエトキシポリプロポキシ)フェニル)プロパンが挙げられる。中でも、解像性、及び剥離特性を更に向上させる観点から2,2-ビス(4-((メタ)アクリロキシポリエトキシ)フェニル)プロパンが好ましい。
(C)成分としては、特に制限はないが、感度及び解像性をバランスよく向上する点で、ヘキサアリールビイミダゾール誘導体、又は、アクリジニル基を1つ以上有するアクリジン化合物を用いてよい。特に、390nm~420nmの活性光線を用いて感光層の露光を行う場合には、感度及び密着性の観点から、(C)成分は、アクリジニル基を1つ以上有するアクリジン化合物を含んでよい。
本実施形態の感光性樹脂組成物は、(D)成分として340~430nmに吸収を有する増感剤を含有することにより、感光性樹脂組成物の光感度を向上することができる。増感剤としては、例えば、ジアルキルアミノベンゾフェノン化合物、ピラゾリン化合物、アントラセン化合物、クマリン化合物、キサントン化合物、スチルベン化合物、及びトリアリールアミン化合物が挙げられる。増感剤は、感度及び密着性の観点から、ピラゾリン化合物、アントラセン化合物、クマリン化合物、及びトリアリールアミン化合物からなる群より選ばれる少なくとも1種を含んでよく、ピラゾリン化合物、アントラセン化合物、及びクマリン化合物からなる群より選ばれる少なくとも1種を含んでよい。
本実施形態の感光性樹脂組成物は、(E)成分として紫外線吸収剤を含有することにより、解像性に優れた微細なレジストパターンを形成することができる。厚みが10μm以下の感光層は、露光波長における吸光度が低く、基板表面のハレーションによる影響を受け易く、ライン幅/スペース幅が5/5μm以下のレジストパターンの露光時に、ハレーションした光により未露光部でも反応が進行し、未露光部の現像液への溶解性が低下し易い。露光波長における感光層の吸光度を増大させる手法として、(D)成分の含有量を増やすことが考えられるが、露光時に反応初期のラジカル発生量が増加するため、(B)成分の重合度が低下し、露光部の密着性が低下し易くなる。これに対して、(E)成分を含有する感光性樹脂組成物から形成される感光層は、露光波長における吸光度を増大させて基板表面のハレーションを抑制することで、露光部及び未露光部の溶解性に顕著な差が生じて高解像性を発現できると共に、光硬化部の密着性を向上することができる。
本実施形態の感光性樹脂組成物は、水素供与体を更に含有してよい。これにより、感光性樹脂組成物の感度が更に良好となる。水素供与体としては、例えば、ビス[4-(ジメチルアミノ)フェニル]メタン、ビス[4-(ジエチルアミノ)フェニル]メタン、N-フェニルグリシン、及びロイコクリスタルバイオレットが挙げられる。これらは1種単独で又は2種以上を組み合わせて使用される。
感光性樹脂組成物は、必要に応じて、その他の成分を更に含有することができる。その他の成分としては、例えば、分子内に少なくとも1つのカチオン重合可能な環状エーテル基を有する光重合性化合物(オキセタン化合物等)、カチオン重合開始剤、染料(マラカイトグリーン等)、トリブロモフェニルスルホン、光発色剤、熱発色防止剤、可塑剤(p-トルエンスルホンアミド等)、重合禁止剤(tert-ブチルカテコール等)、シランカップリング剤、顔料、充填剤、消泡剤、難燃剤、安定剤、密着性付与剤、レベリング剤、剥離促進剤、酸化防止剤、香料、イメージング剤、熱架橋剤等が挙げられる。これらは1種単独で又は2種以上を組み合わせて使用される。その他の成分の含有量は、それぞれ0.01~20質量%程度であってもよい。
本実施形態の感光性エレメントは、支持体と、該支持体上に形成された上記感光性樹脂組成物を含む感光層と、を備える。本実施形態の感光性エレメントを用いる場合には、感光層を基板上にラミネートした後、支持体を剥離することなく露光してもよい。
支持体としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)等のポリエステル、ポリプロピレン、ポリエチレン等のポリオレフィンなどの耐熱性及び耐溶剤性を有する重合体フィルム(支持フィルム)を用いることができる。中でも、入手し易く、かつ、製造工程におけるハンドリング性(特に、耐熱性、熱収縮率、破断強度)に優れる点で、支持体はPETフィルムであってもよい。
感光性エレメントは、上記支持体と感光層との間に、中間層を更に備えてもよい。中間層は、水溶性樹脂を含有する層であってよい。水溶性樹脂としては、例えば、主成分としてポリビニルアルコールを含む樹脂が挙げられる。
感光性エレメントは、必要に応じて保護層を更に備えてもよい。保護層としては、感光層と支持体との間の接着力よりも、感光層と保護層との間の接着力が小さくなるようなフィルムを用いてもよく、また、低フィッシュアイのフィルムを用いてもよい。具体的には、保護フィルムとして、例えば、上述する支持体として用いることができる重合体フィルムが挙げられる。感光層からの剥離性の見地から、保護フィルムはポリエチレンフィルムであってもよい。保護層の厚さは、用途により異なるが、1~100μm程度であってよい。
感光性エレメントは、例えば、以下のようにして製造することができる。上述する塗布液を調製することと、塗布液を支持体上に塗布して塗布層を形成することと、塗布層を乾燥して感光層を形成することと、を含む製造方法で製造することができる。塗布液の支持体上への塗布は、例えば、ロールコート、コンマコート、グラビアコート、エアーナイフコート、ダイコート、バーコート等の公知の方法により行うことができる。
本実施形態のレジストパターンの形成方法は、上記感光性樹脂組成物を含む感光層、又は上記感光性エレメントの感光層を基板上に積層する感光層形成工程と、感光層の所定部分に活性光線を照射して光硬化部を形成する露光工程と、感光層の所定部分以外の領域を基板上から除去する現像工程と、を有する。レジストパターンの形成方法は、必要に応じてその他の工程を有してもよい。なお、レジストパターンとは、感光性樹脂組成物の、光硬化物パターンともいえ、レリーフパターンともいえる。また、レジストパターンの形成方法は、レジストパターン付き基板の製造方法ともいえる。
基板上に感光層を形成する方法としては、例えば、感光性樹脂組成物を塗布及び乾燥してもよく、又は、感光性エレメントから保護層を除去した後、感光性エレメントの感光層を加熱しながら上記基板に圧着してもよい。感光性エレメントを用いた場合、基板と感光層と支持体とからなり、これらが順に積層された積層体が得られる。基板としては特に制限されないが、通常、絶縁層と絶縁層上に形成された導体層とを備えた回路形成用基板、メタルマスク製造用金属基材、又は合金基材等のダイパッド(リードフレーム用基材)等が用いられる。
露光工程においては、基板上に形成された感光層の少なくとも一部に活性光線を照射することで、活性光線が照射された部分が光硬化して、潜像が形成される。この際、感光層上に存在する支持体が活性光線に対して透過性である場合には、支持体を通して活性光線を照射することができるが、支持体が遮光性の場合には、支持体を除去した後に感光層に活性光線を照射する。
現像工程においては、感光層の光硬化部以外の少なくとも一部が基板上から除去されることで、レジストパターンが基板上に形成される。感光層上に支持体が存在している場合には、支持体を除去してから、上記光硬化部以外の領域(未露光部分ともいえる)の除去(現像)を行う。現像方法には、ウェット現像とドライ現像とがあるが、ウェット現像が広く用いられている。
本実施形態のプリント配線板の製造方法は、上記レジストパターンの形成方法によりレジストパターンが形成された基板をめっき処理又はエッチング処理して、導体パターンを形成する工程を含む。プリント配線板の製造方法は、必要に応じて、レジストパターン除去工程等のその他の工程を含んでもよい。
重合性単量体(モノマー)であるメタクリル酸162g、スチレン395g、メタクリル酸ジシクロペンタニル44g、及びアゾビスイソブチロニトリル6gを混合して、溶液aを調製した。また、1-メトキシ-2-プロパノール11g及びトルエン17g(質量比2:3)を混合して、溶液bを調製した。さらに、1-メトキシ-2-プロパノール11g及びトルエン17gの混合液(質量比2:3)にアゾビスイソブチロニトリル0.6gを混合して、溶液cを調製した。
カラム:Gelpack GL-R440、Gelpack GL-R450及びGelpack GL-R400M(以上、昭和電工マテリアルズ(株)製)を連結
溶離液:テトラヒドロフラン
測定温度:40℃
流量:2.05mL/分
濃度:5mg/mL
注入量:200μL
検出器:日立 L-2490型RI((株)日立製作所製)
重合性単量体として、表1に示す質量比でメタクリル酸、メタクリル酸メチル、スチレン、及びメタクリル酸ベンジルを用いた以外は、バインダーポリマー(A-1)の溶液を得るのと同様にしてバインダーポリマー(A-2)の溶液を得た。
<感光性樹脂組成物の調製>
下記表2に示す配合量(質量部)で、バインダーポリマー(A-1)又は(A-2)を、(B)光重合性化合物、(C)光重合開始剤、(D)増感剤、(E)紫外線吸収剤、その他の成分、及び溶剤と混合することにより、実施例及び比較例の感光性樹脂組成物をそれぞれ調製した。なお、表2に示すバインダーポリマーの配合量は、不揮発分の質量(固形分量)である。
B-1:2,2-ビス(4-(メタクリロキシペンタエトキシ)フェニル)プロパン(昭和電工マテリアルズ(株)製、商品名:FA-321M)
B-2:エトキシ化ビスフェノールAジメタクリレート(EO平均4mol変性)(新中村化学工業(株)製、商品名:BPE-200)
B-3:(PO)(EO)(PO)変性ポリエチレングリコールジメタクリレート(EO平均6mol及びPO平均12mol変性)(昭和電工マテリアルズ(株)製、商品名:FA-024M)
((C)光重合開始剤)
C-1:2,2’-ビス(2-クロロフェニル)-4,4’,5,5’-テトラフェニル-1,2-ビイミダゾール(保土谷化学工業(株)製、商品名:B-CIM)
((D)増感剤)
D-1:1-フェニル-3-(4―メトキシスチリル)-5-(4-メトキシフェニル)ピラゾリン((株)日本化学工業所製、モル吸光係数(365nm):34400L/(mol・cm))
((E)紫外線吸収剤)
E-1:2,2’,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン(シプロ化成(株)製、モル吸光係数(365nm):10878L/(mol・cm))
E-2:2-ヒドロキシ-4-(オクチルオキシ)ベンゾフェノン(ケミプロ化成(株)製、モル吸光係数(365nm):1220L/(mol・cm))
((F)その他の成分)
F-1:ロイコクリスタルバイオレット(山田化学(株)製)
F-2:マラカイトグリーン(大阪有機化学工業(株)製)
F-3:tert-ブチルカテコール(富士フイルム和光純薬(株)製)
F-4:ベンゾトリアゾール誘導体(サンワ化成(株)製、商品名:SF-808H、モル吸光係数(365nm):100L/(mol・cm)以下)
F-5:3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業(株)製)
感光性樹脂組成物の溶液を、16μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製、商品名「QS69」)上に均一に塗布し、90℃の熱風対流式乾燥機で10分間乾燥した後、ポリエチレンフィルム(タマポリ(株)製、商品名「NF-15A」)で保護し、支持体、感光層及び保護フィルムが積層された積層体(感光性エレメント)を得た。感光層の乾燥後の膜厚は、6μmであった。
スライドガラス(松浪硝子工業(株)製、白スライドグラス 切放No.1 S1126)表面に、感光性エレメントをラミネート(積層)した。ラミネートは、保護層を剥離しながら、感光性エレメントの感光層がスライドガラス表面に接するようにして、110℃のヒートロールを用いて、0.2MPaの圧着圧力、1.0m/分のロール速度で行った。スライドガラス上に、感光層を積層した後、支持体を剥離した。感光層の吸光度は、U-3310形分光光度計((株)日立ハイテクサイエンス製、測定条件 波長範囲:330~700nm、スキャンスピード:300nm/分、スキャン間隔:0.50nm)を用いて測定した。ベースライン測定は、リファレンス及びサンプルに未処理のスライドガラスを用いて行った。得られた測定スペクトルから、露光波長(365nm)における吸光度(Atotal)を記録し、感光層の吸光度とした。紫外線吸収剤を含まない比較例1の吸光度を、光重合開始剤及び増感剤由来の吸光度(AD)とし、紫外線吸収剤由来の吸光度(AE)を、AtotalからADを差し引いた値とした。
銅層を有する基板(Ra:40nm)を酸洗及び水洗後、空気流で乾燥した。その後、基板を80℃に加温し、感光性エレメントを基板の銅表面にラミネート(積層)した。ラミネートは、保護層を剥離しながら、感光性エレメントの感光層が基板の銅表面に接するようにして、110℃のヒートロールを用いて、0.4MPaの圧着圧力、1.0m/分のロール速度で行った。こうして、基板と感光層と支持体とがこの順で積層された積層体を得た。得られた積層体は以下に示す試験の試験片として用いた。
試験片の支持体上に、解像性及び密着性評価用ネガとしてガラスクロムタイプのフォトツール(解像性ネガ:ライン幅/スペース幅がx/x(x:1~10、単位:μm)の配線パターンを有するもの、密着性ネガ:ライン幅/スペース幅がx/x(x:1~18、単位:μm)の配線パターンを有するもの)を使用し、超高圧水銀ランプ(365nm)を光源とする投影露光装置(ウシオ電機(株)製、商品名「UX-44101SM」)を用いて、所定のエネルギー量で感光層を露光した。露光後、支持体を剥離し、感光層を露出させ、27℃の1質量%炭酸ナトリウム水溶液を最短現像時間(未露光部分が除去される最短時間)の3倍の時間でスプレーし、未露光部分を除去した(現像処理)。
現像処理後のレジストパターンのうち、ライン幅/スペース幅=2/2μmのパターンについて、走査型電子顕微鏡(SEM、SU-8010、(株)日立ハイテクノロジーズ製)、加速電圧:5.0kV)を用いて、レジスト上部(x)及び底部(y)の線幅を測定した。その測定値から、レジスト形状の評価基準としてテーパー率(x/y)を求めた。テーパー率が1に近いほどレジスト形状が矩形に近く、良好といえる。レジスト形状は、テーパー率が0.9以上~1.1未満を「A」、テーパー率が1.1以上~1.3未満を「B」、テーパー率が1.3以上を「C」と評価した。
Claims (14)
- ジシクロペンタニル基を有する(メタ)アクリレート化合物に由来する構造単位を含むバインダーポリマーと、光重合性化合物と、光重合開始剤と、340~430nmに吸収を有する増感剤と、紫外線吸収剤と、を含有し、
前記光重合開始剤が、ヘキサアリールビイミダゾール誘導体、又は、アクリジニル基を1つ以上有するアクリジン化合物を含み、
前記増感剤が、ピラゾリン化合物、アントラセン化合物、及びトリアリールアミン化合物からなる群より選ばれる少なくとも1種を含み、
前記紫外線吸収剤が、ヒドロキシ基を有するベンゾフェノン化合物を含み、
前記紫外線吸収剤の波長365nmの光に対するモル吸光係数が、500~50000L/(mol・cm)の範囲である、感光性樹脂組成物。 - 前記紫外線吸収剤の含有量が、前記バインダーポリマー及び前記光重合性化合物の総量100質量部に対して、0.05~5.0質量部である、請求項1に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記ジシクロペンタニル基を有する(メタ)アクリレート化合物に由来する構造単位の含有量が、前記バインダーポリマーを構成する重合性単量体に由来する構造単位の全質量を基準として、1~50質量%である、請求項1又は2に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記光重合性化合物が、ビスフェノールA型(メタ)アクリレートを含む、請求項1~3のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記ビスフェノールA型(メタ)アクリレートが、2,2-ビス(4-((メタ)アクリロキシポリエトキシ)フェニル)プロパンを含む、請求項4に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記ビスフェノールA型(メタ)アクリレートが、2,2-ビス(4-((メタ)アクリロキシジプロポキシ)フェニル)プロパンを含む、請求項4に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記ビスフェノールA型(メタ)アクリレートが、2,2-ビス(4-(メタクリロキシペンタエトキシ)フェニル)プロパンを含む、請求項4に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記光重合性化合物が、ポリアルキレングリコールジ(メタ)アクリレートを含む、請求項1~7のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記バインダーポリマーが、スチレン又はスチレン誘導体に由来する構造単位を更に含む、請求項1~8のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記ジシクロペンタニル基を有する(メタ)アクリレート化合物に由来する構造単位及び前記スチレン又はスチレン誘導体に由来する構造単位の含有量が、前記バインダーポリマーを構成する重合性単量体に由来する構造単位の全質量を基準として、50質量%以上である、請求項9に記載の感光性樹脂組成物。
- 支持体と、該支持体上に形成された請求項1~10のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物を含む感光層と、を備える感光性エレメント。
- 請求項1~10のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物を含む感光層、又は請求項11に記載の感光性エレメントの感光層を基板上に積層する感光層形成工程と、
前記感光層の所定部分に活性光線を照射して光硬化部を形成する露光工程と、
前記感光層の前記所定部分以外の領域を前記基板上から除去する現像工程と、を有するレジストパターンの形成方法。 - 前記活性光線の波長が340nm~430nmの範囲内である、請求項12に記載のレジストパターンの形成方法。
- 請求項12又は請求項13に記載のレジストパターンの形成方法によりレジストパターンが形成された基板をエッチング処理又はめっき処理して、導体パターンを形成する工程を含む、プリント配線板の製造方法。
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|---|---|---|---|---|
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002196490A (ja) | 2000-12-27 | 2002-07-12 | Chisso Corp | 感光性樹脂組成物、スペーサーおよび液晶表示素子 |
| JP2005043412A (ja) | 2003-07-22 | 2005-02-17 | Hitachi Chem Co Ltd | 反射下地感光性エレメント及びこれを用いた反射板の製造方法 |
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| JP2010072425A (ja) | 2008-09-19 | 2010-04-02 | Hitachi Chem Co Ltd | 感光性樹脂組成物、並びにこれを用いた感光性エレメント及びプリント配線板の製造方法 |
| JP2016143064A (ja) | 2015-02-04 | 2016-08-08 | 東友ファインケム株式会社Dongwoo Fine−Chem Co., Ltd. | 感光性樹脂組成物、感光性樹脂組成物から形成された光硬化パターン、及び光硬化パターンを備えた画像表示装置 |
Family Cites Families (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07140650A (ja) * | 1993-06-16 | 1995-06-02 | Hitachi Chem Co Ltd | 感光性樹脂組成物及びこれを用いた感光性フィルム |
| JPH07159998A (ja) * | 1993-12-06 | 1995-06-23 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | レジスト組成物 |
| JP2001290265A (ja) | 2000-04-05 | 2001-10-19 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物及びこれを用いたフォトリソグラフィ |
| TW200642995A (en) * | 2005-03-15 | 2006-12-16 | Showa Denko Kk | (Meth)acryloyl group-containing aromatic isocyanate compound and production process thereof |
| JP4761909B2 (ja) * | 2005-10-05 | 2011-08-31 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 感光性樹脂組成物及び積層体 |
| JP2007272138A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Nippon Zeon Co Ltd | レジストパターン形成方法及び感光性樹脂組成物 |
| JP4992534B2 (ja) | 2007-04-27 | 2012-08-08 | 三菱化学株式会社 | 光重合性組成物 |
| KR101320225B1 (ko) * | 2008-03-21 | 2013-10-21 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 감광성 수지 조성물, 감광성 엘리먼트, 레지스트 패턴의 형성방법 및 프린트 배선판의 제조방법 |
| JP5332350B2 (ja) * | 2008-07-03 | 2013-11-06 | Jnc株式会社 | 感光性重合体組成物 |
| JP5174124B2 (ja) * | 2010-11-02 | 2013-04-03 | 富士フイルム株式会社 | Mems構造部材用感光性樹脂組成物、パターン作製方法、並びに、mems構造体及びその作製方法 |
| JP5635449B2 (ja) * | 2011-03-11 | 2014-12-03 | 富士フイルム株式会社 | 樹脂パターン及びその製造方法、mems構造体の製造方法、半導体素子の製造方法、並びに、メッキパターン製造方法 |
| JP5803350B2 (ja) * | 2011-07-04 | 2015-11-04 | Jnc株式会社 | 感光性樹脂組成物の製造方法、及び、有機膜の製造方法 |
| JP5983151B2 (ja) * | 2011-07-29 | 2016-08-31 | Dic株式会社 | ドライエッチングレジスト材料、レジスト膜及びパターン形成物 |
| JP5935297B2 (ja) * | 2011-11-09 | 2016-06-15 | Jnc株式会社 | ポジ型感光性組成物 |
| JP2013195712A (ja) | 2012-03-19 | 2013-09-30 | Hitachi Chemical Co Ltd | 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法 |
| JP2015022228A (ja) * | 2013-07-22 | 2015-02-02 | Jnc株式会社 | ポジ型感光性組成物 |
| US10104781B2 (en) * | 2013-12-27 | 2018-10-16 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for forming resist pattern, and method for producing printed wiring board |
| CN113156767A (zh) * | 2014-11-17 | 2021-07-23 | 昭和电工材料株式会社 | 感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀图案的形成方法和印刷配线板的制造方法 |
| WO2016104585A1 (ja) * | 2014-12-25 | 2016-06-30 | 日立化成株式会社 | 感光性樹脂組成物、並びにこれを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法、及びプリント配線板の製造方法 |
| JP2017129663A (ja) * | 2016-01-19 | 2017-07-27 | 富士フイルム株式会社 | アレイ基板の製造方法、液晶表示装置の製造方法、及び、アレイ基板における共通電極−画素電極間絶縁膜用感光性組成物 |
| JP2017191171A (ja) * | 2016-04-12 | 2017-10-19 | 日立化成株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法 |
| JP2018169548A (ja) * | 2017-03-30 | 2018-11-01 | 日立化成株式会社 | 感光性樹脂積層体、及びレジストパターンの形成方法 |
| JP2018204011A (ja) * | 2017-06-08 | 2018-12-27 | Jsr株式会社 | 組成物、硬化膜の製造方法及び電子部品 |
| JP2019049648A (ja) * | 2017-09-11 | 2019-03-28 | 日立化成株式会社 | 感光性エレメント、半導体装置及びレジストパターンの形成方法 |
| CN111868627B (zh) * | 2018-03-23 | 2023-10-17 | 东丽株式会社 | 感光性树脂组合物、固化膜、颜色转换基板、图像显示装置及固化膜的制造方法 |
| CN120178600A (zh) * | 2018-06-22 | 2025-06-20 | 旭化成株式会社 | 感光性树脂组合物和抗蚀图案的形成方法 |
| KR20210124281A (ko) * | 2019-02-05 | 2021-10-14 | 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 | 감광성 수지 조성물, 감광성 엘리먼트, 레지스트 패턴의 형성 방법 및 프린트 배선판의 제조 방법 |
| JP7220641B2 (ja) * | 2019-06-13 | 2023-02-10 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、回路基板の製造方法、電子デバイス、転写材料、及び積層体 |
| KR102828789B1 (ko) * | 2020-08-07 | 2025-07-04 | 가부시끼가이샤 레조낙 | 감광성 수지 조성물, 감광성 엘리먼트, 레지스트 패턴의 형성 방법, 및 프린트 배선판의 제조 방법 |
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002196490A (ja) | 2000-12-27 | 2002-07-12 | Chisso Corp | 感光性樹脂組成物、スペーサーおよび液晶表示素子 |
| JP2005043412A (ja) | 2003-07-22 | 2005-02-17 | Hitachi Chem Co Ltd | 反射下地感光性エレメント及びこれを用いた反射板の製造方法 |
| WO2010001691A1 (ja) | 2008-07-01 | 2010-01-07 | Jsr株式会社 | ネガ型感放射線性樹脂組成物 |
| JP2010072425A (ja) | 2008-09-19 | 2010-04-02 | Hitachi Chem Co Ltd | 感光性樹脂組成物、並びにこれを用いた感光性エレメント及びプリント配線板の製造方法 |
| JP2016143064A (ja) | 2015-02-04 | 2016-08-08 | 東友ファインケム株式会社Dongwoo Fine−Chem Co., Ltd. | 感光性樹脂組成物、感光性樹脂組成物から形成された光硬化パターン、及び光硬化パターンを備えた画像表示装置 |
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