JP7682807B2 - ウエハ加工用仮接着剤、ウエハ積層体及び薄型ウエハの製造方法 - Google Patents
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Description
1.無官能性オルガノポリシロキサンを含む熱硬化性シリコーン樹脂組成物からなる、ウエハを支持体に仮接着するためのウエハ加工用仮接着剤。
2.前記無官能性オルガノポリシロキサンを含む熱硬化性シリコーン樹脂組成物が、
(A)1分子中に2個以上のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン:100質量部、
(B)1分子中に2個以上のケイ素原子に結合した水素原子(SiH基)を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン:(A)成分中のアルケニル基の合計に対する(B)成分中のSiH基の合計が、モル比で0.3~10となる量、
(C)無官能性オルガノポリシロキサン:0.1~200質量部、及び
(D)ヒドロシリル化反応触媒:(A)、(B)及び(C)成分の合計質量に対し、金属原子量換算で0.1~5,000ppm
を含むものである1のウエハ加工用仮接着剤。
3.(C)成分の無官能性オルガノポリシロキサンの30質量%トルエン溶液の25℃における粘度が、100~500,000mPa・sである2のウエハ加工用仮接着剤。
4.前記無官能性オルガノポリシロキサンを含む熱硬化性シリコーン樹脂組成物が、更に(E)成分としてヒドロシリル化反応制御剤を前記(A)、(B)及び(C)成分の合計質量に対し、0.001~10質量部含む1~3のいずれかのウエハ加工用仮接着剤。
5.前記無官能性オルガノポリシロキサンを含む熱硬化性シリコーン樹脂組成物の硬化後、25℃でのシリコン基板に対する25mm幅の試験片の180°ピール剥離力が、2gf以上50gf以下である1~4のいずれかのウエハ加工用仮接着剤。
6.前記無官能性オルガノポリシロキサンを含む熱硬化性シリコーン樹脂組成物の硬化後、25℃での貯蔵弾性率が、1,000Pa以上1,000MPa以下である1~5のいずれかのウエハ加工用仮接着剤。
7.(a)表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有するウエハの前記回路形成面を、1~6のいずれかのウエハ加工用仮接着剤を用いて支持体に剥離可能に接着し、ウエハ積層体を形成する工程と、
(b)前記仮接着剤を熱硬化させる工程と、
(c)前記ウエハ積層体のウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程と、
(d)前記ウエハの回路非形成面に加工を施す工程と、
(e)前記加工を施したウエハを前記支持体から剥離する工程と
を含む薄型ウエハの製造方法。
8.支持体と、その上に積層された1~6のいずれかのウエハ加工用仮接着剤から得られる仮接着剤層と、表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有するウエハとを備えるウエハ積層体であって、
前記仮接着剤層が、前記ウエハの表面に剥離可能に接着されたものであるウエハ積層体。
本発明のウエハ加工用仮接着剤は、無官能性オルガノポリシロキサンを含む熱硬化性シリコーン樹脂組成物からなるものである。段差を有するシリコンウエハ等への適用性から、良好なスピンコート性を有するシリコーン樹脂組成物がウエハ加工用仮接着剤として好適に使用される。
(A)1分子中に2個以上のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン:100質量部、
(B)1分子中に2個以上のケイ素原子に結合した水素原子(SiH基)を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン:(A)成分中のアルケニル基の合計に対する(B)成分中のSiH基の合計が、モル比で0.3~10となる量、
(C)無官能性オルガノポリシロキサン:0.1~200質量部、及び
(D)ヒドロシリル化反応触媒:(A)、(B)及び(C)成分の合計質量に対し、金属原子量換算で0.1~5,000ppm。
(A)成分は、1分子中に2個以上のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサンである。(A)成分としては、1分子中に2個以上のアルケニル基を含む直鎖状又は分岐状のジオルガノポリシロキサン、1分子中に2個以上のアルケニル基を含み、SiO4/2単位で表されるシロキサン単位(Q単位)を有する三次元網目構造のオルガノポリシロキサン等が挙げられる。これらのうち、アルケニル基含有率が0.6~9モル%である、ジオルガノポリシロキサン又は三次元網目構造のオルガノポリシロキサンが好ましい。なお、本発明においてアルケニル基含有率とは、分子中のSi原子数に対するアルケニル基数の割合(モル%)である。
(B)成分は、架橋剤であり、1分子中にケイ素原子に結合した水素原子(SiH基)を少なくとも2個、好ましくは3個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンである。前記オルガノハイドロジェンポリシロキサンは、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。また、前記オルガノハイドロジェンポリシロキサンは、1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(C)成分は、無官能性オルガノポリシロキサンである。ここで「無官能性」とは、分子内にケイ素原子に直接又は任意の基を介して結合したアルケニル基、水素原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、ハロゲン原子、エポキシ基等の反応性基を有しないという意味である。
(D)成分は、ヒドロシリル化反応触媒であり、好ましくは白金族金属系ヒドロシリル化反応触媒である。(D)成分は(A)成分中のアルケニル基と、(B)成分中のヒドロシリル基との付加反応を促進する触媒である。このヒドロシリル化反応触媒は、一般に貴金属の化合物であり、高価格であることから、比較的入手しやすい白金又は白金化合物がよく用いられる。
前記熱硬化性シリコーン樹脂組成物は、更に(E)成分として反応制御剤を含んでもよい。反応制御剤は、組成物を調製したり、基材に塗布したりする際に、組成物が増粘やゲル化を起こさないようにするために必要に応じて任意に添加するものである。
本発明の薄型ウエハの製造方法は、半導体回路等を有するウエハと支持体との仮接着に、前記ウエハ加工用仮接着剤を用いることを特徴とするものである。
[工程(a)]
工程(a)は、仮接着工程であり、表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有するウエハの回路形成面を、前記ウエハ加工用仮接着剤を用いて支持体に剥離可能に接着し、ウエハ積層体を形成する工程である。
工程(b)は、仮接着剤層を熱硬化させる工程である。前記ウエハ積層体を形成した後、好ましくは50~300℃、より好ましくは100~200℃で、好ましくは1分~4時間、より好ましくは5分~2時間加熱することによって、仮接着剤層の硬化を行う。
工程(c)は、支持体と仮接着したウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程、すなわち、前記工程で得られたウエハ積層体のウエハ裏面側を研削して、該ウエハの厚みを薄くしていく工程である。ウエハ裏面の研削加工の方式には特に制限はなく、公知の研削方式が採用される。研削は、ウエハと砥石(ダイヤモンド等)に水をかけて冷却しながら行うことが好ましい。ウエハ裏面を研削加工する装置としては、例えば(株)ディスコ製DAG-810(商品名)等が挙げられる。また、ウエハ裏面側を化学機械研磨(CMP)してもよい。
工程(d)は、工程(c)で回路非形成面を研削したウエハ積層体の回路非形成面に加工を施す工程である。すなわち、裏面研削によって薄型化されたウエハ積層体のウエハの回路非形成面に加工を施す工程である。この工程には、ウエハレベルで用いられる様々なプロセスが含まれる。例としては、電極形成、金属配線形成、保護膜形成等が挙げられる。より具体的には、電極等の形成のための金属スパッタリング、金属スパッタリング層をエッチングするウェットエッチング、金属配線形成のマスクとするためのレジストの塗布、露光、及び現像によるパターンの形成、レジストの剥離、ドライエッチング、金属めっきの形成、TSV形成のためのシリコンエッチング、シリコン表面の酸化膜形成など、従来公知のプロセスが挙げられる。
工程(e)は、工程(d)で加工を施したウエハを支持体から剥離する工程、すなわち、薄型化したウエハに様々な加工を施した後、ダイシングする前にウエハを支持体から剥離する工程である。この剥離工程としては、一般に、室温から60℃程度の比較的温和な条件で実施される。剥離方法としては、ウエハ積層体のウエハ又は支持体の一方を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法、研削されたウエハの研削面に保護フィルムを貼り、ウエハと保護フィルムをピール方式でウエハ積層体から剥離する方法等が挙げられる。これらの剥離方法で剥離工程を行う場合は、通常、室温で実施される。
(e1)加工を施したウエハのウエハ面にダイシングテープを貼付する工程、
(e2)ダイシングテープ面を吸着面に真空吸着する工程、及び
(e3)吸着面の温度が10~100℃の範囲で、支持体を、加工を施したウエハからピールオフにて剥離する工程
を含むことが好ましい。このようにすることで、支持体を、加工を施したウエハから容易に剥離することができ、また、後のダイシング工程を容易に行うことができる。
(f)剥離したウエハの回路形成面に残存する仮接着剤層を除去する工程
を行うことが好ましい。工程(e)により支持体より剥離されたウエハの回路形成面には、仮接着剤層が一部残存している場合があり、該仮接着剤層の除去は、例えば、ウエハを洗浄することにより行うことができる。
[調製例1]
2.5モル%のビニル基を分子側鎖に有し、Mnが3万のジメチルポリシロキサン100質量部及びトルエン200質量部からなる溶液に、SiO4/2単位(Q単位)50モル%、(CH3)3SiO1/2単位(M単位)48モル%及び(CH2=CH)3SiO1/2単位(Vi単位)2モル%からなるMnが7,000のビニルメチルポリシロキサン50質量部及びトルエン100質量部からなる溶液、下記式(M-1)で表されるMnが2,800のオルガノハイドロジェンポリシロキサン230質量部、30質量%トルエン溶液の粘度(25℃)が30,000mPa・sである分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖直鎖状ジメチルポリシロキサン50質量部及びトルエン120質量部からなる溶液、並びに1-エチニルシクロヘキサノール0.6質量部を添加し、混合した。さらに、そこへヒドロシリル化反応触媒CAT-PL-5(信越化学工業(株)製、白金濃度1.0質量%(以下同様))を0.4質量部添加し、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、熱硬化性シリコーン樹脂溶液A1を調製した。樹脂溶液A1の25℃における粘度は、230mPa・sであった。
2.5モル%のビニル基を分子側鎖に有し、Mnが3万のジメチルポリシロキサン70質量部、0.15モル%のビニル基を両末端鎖に有し、Mnが6万のジメチルポリシロキサン30質量部及びトルエン200質量部からなる溶液に、SiO4/2単位(Q単位)50モル%、(CH3)3SiO1/2単位(M単位)48モル%及び(CH2=CH)3SiO1/2単位(Vi単位)2モル%からなるMnが7,000のビニルメチルポリシロキサン50質量部及びトルエン100質量部からなる溶液、式(M-1)で表されるMnが2,800のオルガノハイドロジェンポリシロキサン180質量部、30質量%トルエン溶液の粘度(25℃)が1,000mPa・sである分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖直鎖状ジメチルポリシロキサン30質量部、並びに1-エチニルシクロヘキサノール0.6質量部を添加し、混合した。さらに、そこへヒドロシリル化反応触媒CAT-PL-5を0.4質量部添加し、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、熱硬化性シリコーン樹脂溶液A2を調製した。樹脂溶液A2の25℃における粘度は、100mPa・sであった。
2.5モル%のビニル基を分子の両末端及び側鎖に有し、Mnが3万のジメチルポリシロキサン100質量部及びトルエン200質量部からなる溶液に、SiO4/2単位(Q単位)50モル%、(CH3)3SiO1/2単位(M単位)48モル%及び(CH2=CH)3SiO1/2単位(Vi単位)2モル%からなるMnが7,000のビニルメチルポリシロキサン50質量部及びトルエン100質量部からなる溶液、式(M-1)で表されるMnが2,800のオルガノハイドロジェンポリシロキサン230質量部、30質量%トルエン溶液の粘度(25℃)が100,000mPa・sである分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖直鎖状ジメチルポリシロキサン20質量部及びトルエン300質量部からなる溶液、並びに1-エチニルシクロヘキサノール0.6質量部を添加し、混合した。さらに、そこへヒドロシリル化反応触媒CAT-PL-5を0.4質量部添加し、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、熱硬化性シリコーン樹脂溶液A3を調製した。樹脂溶液A3の25℃における粘度は、330mPa・sであった。
2.5モル%のビニル基を分子の両末端及び側鎖に有し、Mnが3万のジメチルポリシロキサン100質量部及びトルエン200質量部からなる溶液に、SiO4/2単位(Q単位)50モル%、(CH3)3SiO1/2単位(M単位)48モル%及び(CH2=CH)3SiO1/2単位(Vi単位)2モル%からなるMnが7,000のビニルメチルポリシロキサン200質量部及びトルエン400質量部からなる溶液、式(M-1)で表されるMnが2,800のオルガノハイドロジェンポリシロキサン430質量部、30質量%トルエン溶液の粘度(25℃)が30,000mPa・sである分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖直鎖状ジメチルポリシロキサン100質量部及びトルエン120質量部からなる溶液、並びに1-エチニルシクロヘキサノール1.2質量部を添加し、混合した。さらに、そこへヒドロシリル化反応触媒CAT-PL-5を0.8質量部添加し、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、熱硬化性シリコーン樹脂溶液A4を調製した。樹脂溶液A4の25℃における粘度は、120mPa・sであった。
2.5モル%のビニル基を分子側鎖に有し、Mnが3万のジメチルポリシロキサン70質量部、0.15モル%のビニル基を両末端鎖に有し、Mnが6万のジメチルポリシロキサン30質量部及びトルエン200質量部からなる溶液に、SiO4/2単位(Q単位)50モル%、(CH3)3SiO1/2単位(M単位)48モル%及び(CH2=CH)3SiO1/2単位(Vi単位)2モル%からなるMnが7,000のビニルメチルポリシロキサン200質量部及びトルエン400質量部からなる溶液、式(M-1)で表されるMnが2,800のオルガノハイドロジェンポリシロキサン380質量部、30質量%トルエン溶液の粘度(25℃)が1,000mPa・sである分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖直鎖状ジメチルポリシロキサン150質量部、並びに1-エチニルシクロヘキサノール1.2質量部を添加し、混合した。さらに、そこへヒドロシリル化反応触媒CAT-PL-5を0.8質量部添加し、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、熱硬化性シリコーン樹脂溶液A5を調製した。樹脂溶液A5の25℃における粘度は、80mPa・sであった。
2.5モル%のビニル基を分子側鎖に有し、Mnが3万のジメチルポリシロキサン100質量部及びトルエン200質量部からなる溶液に、SiO4/2単位(Q単位)50モル%、(CH3)3SiO1/2単位(M単位)48モル%及び(CH2=CH)3SiO1/2単位(Vi単位)2モル%からなるMnが7,000のビニルメチルポリシロキサン50質量部及びトルエン100質量部からなる溶液、式(M-1)で表されるMnが2,800のオルガノハイドロジェンポリシロキサン230質量部、下記式(M-2)で表される30質量%トルエン溶液の粘度(25℃)が50,000mPa・sである分子鎖末端トリメチルシロキシ基封鎖分岐状ポリシロキサン50質量部及びトルエン120質量部からなる溶液、並びに1-エチニルシクロヘキサノール0.6質量部を添加し、混合した。さらに、そこへヒドロシリル化反応触媒CAT-PL-5を0.4質量部添加し、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、熱硬化性シリコーン樹脂溶液A6を調製した。樹脂溶液A6の25℃における粘度は、360mPa・sであった。
2.5モル%のビニル基を分子の両末端及び側鎖に有し、Mnが3万のジメチルポリシロキサン100質量部及びトルエン200質量部からなる溶液に、SiO4/2単位(Q単位)50モル%、(CH3)3SiO1/2単位(M単位)48モル%及び(CH2=CH)3SiO1/2単位(Vi単位)2モル%からなるMnが7,000のビニルメチルポリシロキサン200質量部及びトルエン400質量部からなる溶液、式(M-1)で表されるMnが2,800のオルガノハイドロジェンポリシロキサン430質量部、式(M-2)で表される30質量%トルエン溶液の粘度(25℃)が50,000mPa・sである分子鎖末端トリメチルシロキシ基封鎖分岐状ポリシロキサン100質量部及びトルエン120質量部からなる溶液、並びに1-エチニルシクロヘキサノール1.2質量部を添加し、混合した。さらに、そこへヒドロシリル化反応触媒CAT-PL-5を0.8質量部添加し、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、熱硬化性シリコーン樹脂溶液A7を調製した。樹脂溶液A7の25℃における粘度は、280mPa・sであった。
分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖直鎖状ジメチルポリシロキサン50質量部及びトルエン120質量部からなる溶液を添加しなかったこと以外は、調製例1と同様の方法で熱硬化性シリコーン樹脂溶液CA1を調製した。樹脂溶液CA1の25℃における粘度は、150mPa・sであった。
分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖直鎖状ジメチルポリシロキサン30質量部を添加しなかったこと以外は、調製例2と同様の方法で熱硬化性シリコーン樹脂溶液CA2を調製した。樹脂溶液CA2の25℃における粘度は、180mPa・sであった。
分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖直鎖状ジメチルポリシロキサン50質量部を、下記式(M-3)で表される側鎖にエポキシ基を含むポリシロキサン(30質量%トルエン溶液の粘度(25℃):33,000mPa・s)50質量部に変更したこと以外は、調製例1と同様の方法で熱硬化性シリコーン樹脂溶液CA3を調製した。樹脂溶液CA3の25℃における粘度は、260mPa・sであった。
分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖直鎖状ジメチルポリシロキサン30質量部を、下記式(M-4)で表される側鎖にトリメトキシシリル基を含むポリシロキサン(30質量%トルエン溶液の粘度(25℃):2,500mPa・s)30質量部に変更したこと以外は、調製例2同様の方法で熱硬化性シリコーン樹脂溶液CA4を調製した。樹脂溶液CA4の25℃における粘度は、190mPa・sであった。
[実施例1~7及び比較例1~4]
表面に高さ10μm、直径40μmの銅ポストが全面に形成された直径200mmのシリコンウエハ(厚さ:725μm)上に、熱硬化性シリコーン樹脂溶液A1~A7及びCA1~CA4をそれぞれスピンコートし、ホットプレートにて100℃で2分間加熱して、下記表1及び2に示す膜厚で仮接着剤層をウエハバンプ形成面に成膜した。直径200mm(厚さ:500μm)のガラス板を支持体として、仮接着剤層を有するシリコンウエハ及びガラス板をそれぞれ、仮接着剤層とガラス板が合わさるように、EVG社のウエハ接合装置EVG520ISを用いて100℃、10-3mbar以下、荷重5kNにて真空貼り合わせを行い、ウエハ積層体を作製した。なお、基板接着後の異常を目視で判別するために支持体としてガラス板を使用したが、ウエハ等の光を透過しないシリコン基板も使用可能である。
前記ウエハ積層体を180℃で1時間オーブンを用いて加熱し、室温まで冷却した後、ウエハ界面の接着状況を目視で確認し、界面に気泡等の異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
前記ウエハ積層体を用いて、グラインダー((株)ディスコ製DAG-810)でダイヤモンド砥石を用いてシリコンウエハの裏面研削を行った。基板の厚さが50μmになるまでグラインドした後、光学顕微鏡(100倍)にてクラック、剥離等の異常の有無を調べた。異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
(2)裏面研削耐性試験を終えた後のウエハ積層体をCVD装置に導入し、2μmのSiO2膜の成膜実験を行い、その際の外観異常の有無を目視観察によって調べた。外観異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、ボイド、ウエハ膨れ、ウエハ破損等の外観異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。CVD耐性試験の条件は、以下のとおりである。
装置名:サムコ(株)製プラズマCVD、PD270STL
RF500W、内圧40Pa
TEOS(テトラエチルオルソシリケート):O2=20sccm:680sccm
基板の剥離性は、まず、(3)CVD耐性試験を終えたウエハ積層体のウエハ側にダイシングフレームを用いてダイシングテープ(日東電工(株)製ELP UB-3083D)を貼り、このダイシングテープ面を真空吸着によって、吸着板にセットした。その後、室温にて、ガラスの1点をピンセットにて持ち上げることで、ガラス基板を剥離した。50μm厚のウエハを割ることなく剥離できた場合を「○」で示し、割れ等の異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
(4)剥離性試験終了後のダイシングテープを介してダイシングフレームに装着された直径200mmウエハ(CVD耐性試験条件に晒されたもの)を、剥離面を上にしてスピンコーターにセットし、洗浄溶剤としてSPIS-TA-CLEANER 25(信越化学工業(株)製)を5分間噴霧したのち、ウエハを回転させながらイソプロピルアルコール(IPA)を噴霧してリンスを行った。その後、外観を観察して残存する接着剤の有無を目視でチェックした。樹脂の残存が認められないものを良好と評価して「○」で示し、樹脂の残存が認められたものを不良と評価して「×」で示した。
直径200mmのシリコンウエハ(厚さ:725μm)上に熱硬化性シリコーン樹脂溶液A1~A7及びCA1~CA4をそれぞれスピンコートし、ホットプレートにて100℃で2分間加熱することで、表1及び2に示す膜厚でウエハバンプ形成面にシリコーン樹脂層を成膜した。その後、オーブンにて180℃で1時間かけてシリコーン樹脂層を硬化させ、室温まで冷却した後、前記ウエハ上のシリコーン樹脂層上に150mm長×25mm幅のポリイミドテープを5本貼り付け、テープが貼られていない部分の仮接着剤層を除去した。(株)島津製作所のAUTOGRAPH (AG-1)を用いて25℃、300mm/分の速度でテープの一端から180°剥離で120mm剥がし、そのときにかかる力の平均(120mmストローク×5回)を、そのシリコーン樹脂層のピール剥離力とした。
ガラス基板上に熱硬化性シリコーン樹脂溶液A1~A7及びCA1~CA4をそれぞれスピンコートし、ホットプレートにて100℃で2分間加熱することで、表1及び2に示す膜厚でガラス基板上にシリコーン樹脂層を成膜した。その後、オーブンにて180℃で1時間かけてシリコーン樹脂層を硬化させ、室温まで冷却した。得られたシリコーン樹脂層を含むガラス基板を、TAインスツルメント社製レオメーター(アレスG2)を使用し、シリコーン樹脂層に50gfの荷重がかかるよう25mmアルミニウムプレートで挟んだ状態で25℃、1Hzで弾性率測定を行い、得られた貯蔵弾性率の値をシリコーン樹脂層の貯蔵弾性率とした。
Claims (7)
- 無官能性オルガノポリシロキサンを含む熱硬化性シリコーン樹脂組成物からなる、ウエハを支持体に仮接着するためのウエハ加工用仮接着剤であって、
前記無官能性オルガノポリシロキサンを含む熱硬化性シリコーン樹脂組成物が、
(A)1分子中に2個以上のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン:100質量部、
(B)1分子中に2個以上のケイ素原子に結合した水素原子(SiH基)を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン:(A)成分中のアルケニル基の合計に対する(B)成分中のSiH基の合計が、モル比で1.0~10となる量、
(C)無官能性オルガノポリシロキサン:10~170質量部、及び
(D)ヒドロシリル化反応触媒:(A)、(B)及び(C)成分の合計質量に対し、金属原子量換算で0.1~5,000ppm
を含むものであるウエハ加工用仮接着剤であって、
(C)成分の無官能性オルガノポリシロキサンの30質量%トルエン溶液の25℃における粘度が、200~100,000mPa・sであるウエハ加工用仮接着剤。 - (A)成分が、下記式(A-1)で表されるオルガノポリシロキサン、下記式(A-2)で表されるオルガノポリシロキサン及び下記式(A-3)で表されるオルガノポリシロキサンから選ばれる少なくとも1種を含むものである請求項1記載のウエハ加工用仮接着剤。
(式中、R1~R16は、それぞれ独立に、脂肪族不飽和炭化水素基以外の1価炭化水素基である。X1~X5は、それぞれ独立に、アルケニル基含有1価有機基である。a及びbは、それぞれ独立に、0~3の整数である。c1、c2、d1及びd2は、0≦c1≦10、2≦c2≦10、0≦d1≦100及び0≦d2≦100を満たす整数である。ただし、a+b+c1≧2である。eは、1~3の整数である。f1、f2及びf3は、(f2+f3)/f1が0.3~3.0となり、f3/(f1+f2+f3)が0.01~0.6となるような数である。) - 前記無官能性オルガノポリシロキサンを含む熱硬化性シリコーン樹脂組成物が、更に(E)成分としてヒドロシリル化反応制御剤を前記(A)、(B)及び(C)成分の合計質量に対し、0.001~10質量部含む請求項1又は2記載のウエハ加工用仮接着剤。
- 前記無官能性オルガノポリシロキサンを含む熱硬化性シリコーン樹脂組成物の硬化後、25℃でのシリコン基板に対する25mm幅の試験片の180°ピール剥離力が、2gf以上50gf以下である請求項1~3のいずれか1項記載のウエハ加工用仮接着剤。
- 前記無官能性オルガノポリシロキサンを含む熱硬化性シリコーン樹脂組成物の硬化後、25℃での貯蔵弾性率が、1,000Pa以上1,000MPa以下である請求項1~4のいずれか1項記載のウエハ加工用仮接着剤。
- (a)表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有するウエハの前記回路形成面を、請求項1~5のいずれか1項記載のウエハ加工用仮接着剤を用いて支持体に剥離可能に接着し、ウエハ積層体を形成する工程と、
(b)前記仮接着剤を熱硬化させる工程と、
(c)前記ウエハ積層体のウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程と、
(d)前記ウエハの回路非形成面に加工を施す工程と、
(e)前記加工を施したウエハを前記支持体から剥離する工程と
を含む薄型ウエハの製造方法。 - 支持体と、その上に積層された請求項1~5のいずれか1項記載のウエハ加工用仮接着剤から得られる仮接着剤層と、表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有するウエハとを備えるウエハ積層体であって、
前記仮接着剤層が、前記ウエハの表面に剥離可能に接着されたものであるウエハ積層体。
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016119438A (ja) | 2014-12-24 | 2016-06-30 | 信越化学工業株式会社 | ウエハの仮接着方法及び薄型ウエハの製造方法 |
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| KR101278460B1 (ko) | 2005-03-01 | 2013-07-02 | 다우 코닝 코포레이션 | 반도체 가공을 위한 임시 웨이퍼 접착방법 |
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| DE102011079687A1 (de) * | 2011-07-22 | 2013-01-24 | Wacker Chemie Ag | Temporäre Verklebung von chemisch ähnlichen Substraten |
| JP6339761B2 (ja) * | 2012-12-17 | 2018-06-06 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 熱伝導性シリコーン組成物及び熱伝導性部材 |
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| US10340172B2 (en) * | 2015-07-03 | 2019-07-02 | Mitsui Chemicals Tohcello, Inc. | Semiconductor wafer surface protection film and method for manufacturing semiconductor device |
| KR102673414B1 (ko) * | 2017-09-11 | 2024-06-13 | 다우 도레이 캄파니 리미티드 | 라디칼 반응성을 가지는 실리콘 엘라스토머 경화물 및 그 용도 |
| KR102581574B1 (ko) * | 2017-12-20 | 2023-09-25 | 다우 도레이 캄파니 리미티드 | 실리콘계 접착시트, 이를 포함하는 적층체, 반도체 장치의 제조방법 |
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Patent Citations (5)
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