JP7716079B2 - 同軸コネクタ - Google Patents

Description

本発明は、同軸コネクタに関する。特に、同軸ケーブルの端末に取り付けた小型の同軸コネクタであって、一端部側において同軸ケーブルの外部導体と電気的に接続し、他端部側を円筒状に形成したシェルを備えた同軸コネクタの構造に関する。

同軸ケーブルの端末に固定した同軸コネクタをプリント基板に実装したリセプタクルに接続することで、高周波信号を同軸ケーブルからプリント基板に伝送できる。又は、高周波信号をプリント基板から同軸ケーブルに伝送できる。

一般に、同軸ケーブルは、円形の中心導体、中心導体の周囲を囲う誘電体、誘電体の周囲を囲う編組線などの外部導体、及び、外部導体を被覆保護する絶縁シースで構成している。

例えば、従来技術による同軸コネクタは、外部コンタクトとなる金属製のシェルを備えている。又、同軸コネクタは、ハウジングとベローズ形のコンタクトを備えている。シェルは、その一端部側において、圧着により同軸ケーブルの絶縁シースを固定している。又、シェルは、その一端部側において、同軸ケーブルの外部導体と電気的に接続している。又、シェルは、その他端部側を円筒状に形成している。

ハウジングは、シェルとコンタクトを電気的に絶縁している。コンタクトは、外部コンタクトに円環状に囲われた状態で、ハウジングの内部に配置されている。コンタクトは、同軸ケーブルの中心導体と結線している。そして、中心導体とコンタクトを電気的に接続している。

しかし、従来技術による同軸コネクタは、同軸ケーブルの中心導体が載置されたコンタクトの載置面に向かって一対の圧着片を回動することで、中心導体とコンタクトを電気的に接続していたので、一対の圧着片の突合せ面から中心導体が多少はみ出してしまう可能性があった。

従来技術による同軸コネクタは、上記のような不具合があることから、一対の圧着片の突合せ面から中心導体がはみ出すことを確実に防止する同軸コネクタが開示されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１９－１６９３６１号公報

図１２は、従来技術による同軸コネクタの構成を示す斜視図であり、同軸ケーブルを結線する前の状態図である。図１４は、従来技術による同軸コネクタの構成を示す縦断面図であり、同軸ケーブルを結線する前の状態図である。なお、本願の図１２と図１４は、特許文献１の図３と図４に相当している。

図１２又は図１４を参照すると、従来技術による同軸コネクタ（以下、同軸プラグという）９は、図示しない同軸ケーブルの端末に取り付けられている。同軸プラグ９は、ベローズ形のコンタクト９１、前円後方形状のハウジング９２、及び、外部コンタクトとなる金属のシェル９３を備えている。

図１２又は図１４を参照すると、コンタクト９１は、図示しない相手側コンタクトと同軸ケーブルを電気的に接続できる。ハウジング９２は、折り曲げ可能な一対の圧着片９２ａ・９２ｂを有している。シェル９３は、一対の第１バレル９３１・９３１、一対の第２バレル９３２・９３２、及び、一対の第３バレル９３３・９３３を有している。

図１２又は図１４を参照すると、コンタクト９１は、合成樹脂によるモールドでハウジング９２に一体成形されている。コンタクト９１は、帯板状の天板９１ｔと一対の接触片９１ｓ・９１ｓを有している。天板９１ｔの基端部側は、ハウジング９２の表面に露出した設置面９１１を形成している。天板９１ｔの先端部側には、一対の接触片９１ｓ・９１ｓを形成している。一対の接触片９１ｓ・９１ｓの間には、円筒状の相手側コンタクトを導入できる。そして、一対の接触片９１ｓ・９１ｓは、相手側コンタクトと電気的に接続できる。

図１２又は図１４を参照して、同軸ケーブルの中心導体を設置面９１１に載置して、一対の第１バレル９３１・９３１を圧着することで、同軸ケーブルの中心導体とシェル９３の間に、一対の圧着片９２ａ・９２ｂが介在した状態で、同軸ケーブルの中心導体とコンタクト９１を電気的に接続できる。

図１２又は図１４を参照すると、ハウジング９２は、円板部９２１と方形部９２２を有している。方形部９２２は、円板部９２１からその一部が外周方向に突出している。円板部９２１は、円柱状の嵌合部９２ｓをハウジング９２の板厚方向ｚに向かって突出している。方形部９２２には、一対の圧着片９２ａ・９２ｂを回動自在に連結している。

図１２又は図１４を参照すると、嵌合部９２ｓは、コンタクト収容室９２ｈを中心部に有している。コンタクト収容室９２ｈは、コンタクト９１を導入自在に、嵌合部９２ｓの一方の面を略矩形に開口している。そして、コンタクト収容室９２ｈには、一対の接触片９１ｓ・９１ｓを内部に配置している。

図１２又は図１４を参照して、嵌合部９２ｓは、相手側同軸コネクタに形成した円筒形シェル（図示せず）の内部に挿入できる。嵌合部９２ｓを円筒形シェルの内部に挿入することで、円筒形シェルの中心部に配置した円筒状の相手側コンタクトと一対の接触片９１ｓ・９１ｓを電気的に接続できる。

図１２又は図１４を参照すると、嵌合部９２ｓは、コンタクト収容室９２ｈを中心部に有している。コンタクト収容室９２ｈは、図示しない相手側コンタクトを導入自在に、嵌合部９２ｓの一方の面を略矩形に開口している。そして、コンタクト収容室９２ｈは、一対の接触片９１ｓ・９１ｓを内部に配置している。

図１２又は図１４を参照すると、シェル９３は、ハウジング９２を内部に収容している。シェル９３は、ハウジング９２を覆っており、同軸プラグ９の外殻を構成している。

図１２又は図１４を参照すると、シェル９３は、一対の第１バレル９３１・９３１、一対の第２バレル９３２・９３２、及び、一対の第３バレル９３３・９３３をシェル９３の長手方向ｘに沿って配置している。

図１２又は図１４を参照して、端末処理した同軸ケーブルの端末を一対の第２バレル９３２・９３２及び一対の第３バレル９３３・９３３の底面に外周方向から導入し、一対の第２バレル９３２・９３２を圧着することで、同軸ケーブルの外部導体とシェル９３を電気的に接続できる。又、一対の第３バレル９３３・９３３を圧着することで、同軸ケーブルの絶縁シースを圧着できる。これにより、同軸ケーブルの端末に同軸プラグ９を固定できる。

又、図１４を参照すると、同軸プラグ９は、コンタクト９１（天板９１ｔ）とシェル９３の底面との距離がコンタクト９１の先端部側と基端部側で異なっている。コンタクト９１の先端部側とシェル９３の底面との距離ｄ１と、コンタクト９１の基端部側とシェル９３の底面との距離ｄ２の差が大きく形成されている。コンタクト９１の先端部側では、ハウジング９２の肉厚が薄く、コンタクト９１の基端部側では、ハウジング９２の肉厚が厚く形成されている。つまり、ｄ１＜ｄ２の関係にある。

図１４を参照して、コンタクト９１とシェル９３の底面との距離が大きい場合は、コンタクト９１に流れる高周波信号のインピーダンスが大きく、コンタクト９１とシェル９３の底面との距離が小さい場合は、コンタクト９１に流れる高周波信号のインピーダンスが小さくなっている。コンタクト９１の基端部側での距離ｄ２とコンタクト９１の先端部側での距離ｄ１の差が大きい場合には、インピーダンスが整合しないことから、コンタクト９１に流れる高周波信号に不要な反射波が生じる。これにより、コンタクト９１に流れる高周波信号の高周波帯域での実現が困難になるという問題がある。

同軸コネクタの構造を変えることで、コンタクトに流れる高周波信号の高周波帯域での実現を可能とする同軸コネクタが求められている。そして、以上のことが本発明の課題といってよい。

本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、コンタクトに流れる高周波信号の高周波帯域での実現を可能とする同軸コネクタを提供することを目的とする。

本発明者は、コンタクトの基端部側と先端部側とでシェルとの距離の差が極力つかないように、シェルの先端部側をテーパ形状にすることで、インピーダンスの不整合を抑制でき、コンタクトに流れる高周波信号の高周波帯域での実現できると考え、これに基づいて、以下のような新たな同軸コネクタを発明するに至った。

（１）本発明による同軸コネクタは、中心導体、この中心導体を包囲する誘電体、この誘電体を覆う外部導体、及び、この外部導体を被覆する絶縁シースを有する同軸ケーブルの端末を結線する同軸コネクタであって、円筒状の相手側コンタクトに接続できるコンタクトであって、三点接触により相手側コンタクトに外接し、同軸ケーブルの軸方向に沿って配置された帯板状の天板の先端部側から起立した一対の固定端子及び弾性変形可能な可動端子を有するコンタクトと、相手側コンタクトを導入自在に一方の面を開口し、一対の前記固定端子及び前記可動端子を内部に配置した収容室を有する円盤部、及び、この円盤部から一部が外周方向に突出した方形部を有する前円後方形状のハウジングと、一対の前記固定端子が突出する方向と同じ方向から、一方の面に向って前記円盤部を収容自在な円筒部、及び、この円筒部から一部が外周方向に突出し、前記方形部を内部に収容自在な樋状の延在部を有する導電性のシェルと、を備え、前記シェルの延在部は、その底面から延出し、前記円筒部の底面を覆う底板片を有し、前記円盤部を前記円筒部に収容した状態では、前記底板片は、前記円盤部の底面を覆うと共に、前記円筒部の先端部に向かって下り傾斜している。

（２）一対の前記固定端子は、相手側コンタクトに内接した仮想の正三角形の一組の頂点に位置し、前記可動端子は、仮想の前記正三角形の他の頂点に位置し、一対の前記固定端子の中間部に向かって対向した状態で配置していることが好ましい。

（３）前記コンタクトは、前記ハウジングに一体成形されており、前記コンタクトは、前記天板の基端部が前記方形部の上面に露出し、前記中心導体が接触可能な設置面と、一対の前記固定端子の稜部が前記ハウジングの収容室に露出し、相手側コンタクトが接触可能な接触縁と、を有していることが好ましい。

（４）本発明による同軸コネクタは、前記中心導体を外周方向から導入可能なスロットを切り欠き、前記収容室の開口側から前記方形部に向かって挿入できるクリンプハウジングを更に備え、前記シェルの延在部は、前記クリンプハウジングを前記方形部に圧着自在な一対の第１バレルと、前記外部導体を圧着自在な一対の第２バレルと、を含んでいることが好ましい。

本発明による同軸コネクタは、コンタクトの基端部側と先端部側とでシェルとの距離の差が極力つかないように、シェルの先端部側をテーパ形状にすることで、インピーダンスの不整合を抑制でき、コンタクトに流れる高周波信号の高周波帯域の向上が実現できる。

本発明の一実施形態による同軸コネクタの構成を示す斜視図であり、相手側同軸コネクタを対向配置した状態図である。 前記実施形態による同軸コネクタの構成を示す斜視図であり、同軸ケーブルの端末を結線した同軸コネクタをウラ面から観た状態図である。 前記実施形態による同軸コネクタの構成を示す図であり、図３（Ａ）は、同軸ケーブルの端末を結線した同軸コネクタをウラ面から観た下面図、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）の右側面図である。 前記実施形態による同軸コネクタの構成を示す縦断面図であり、図３（Ａ）のＸ－Ｘ矢視図である。 前記実施形態による同軸コネクタの構成を示す斜視図であり、同軸ケーブルの端末を圧着する前の状態を同軸コネクタのウラ面から観た状態図である。 前記実施形態による同軸コネクタの構成を示す斜視分解組立図である。 前記実施形態による同軸コネクタに備わるハウジングの構成を示す斜視図であり、コンタクトをハウジングに一体成形する前の状態図である。 前記実施形態による同軸コネクタに備わるハウジングの構成を示す図であり、図８（Ａ）は、ハウジングの平面図、図８（Ｂ）はハウジングの下面図である。 前記実施形態による同軸コネクタの構成を示す横断面図であり、図４のＡ－Ａ矢視図である。 前記実施形態による同軸コネクタに備わるクリンプハウジングの構成を示す斜視図である。 前記実施形態による同軸コネクタに備わるクリンプハウジングの構成を示す正面図であり、図１１（Ａ）は、クリンプハウジングをハウジングの方形部に挿入する前の状態図、図１１（Ｂ）は、クリンプハウジングをハウジングの方形部に挿入した状態図である。 従来技術による同軸コネクタと実施形態による同軸コネクタにおけるＶＳＷＲ値と周波数の関係を示したグラフであり、グラフの縦軸はＶＳＷＲ値を示し、グラフの縦軸は周波数を示している。 従来技術による同軸コネクタの構成を示す斜視図であり、同軸ケーブルを結線する前の状態図である。 従来技術による同軸コネクタの構成を示す縦断面図であり、同軸ケーブルを結線する前の状態図である。

以下、図面を参照して本発明を実施するための形態を説明する。
［同軸コネクタの構成］
最初に、本発明の一実施形態による同軸コネクタの構成を説明する。

（全体構成）
図１から図６を参照すると、本発明の一実施形態による同軸コネクタ（以下、同軸プラグという）１０は、同軸ケーブルＣｂの端末を結線できる。同軸ケーブルＣｂは、中心導体Ｗｃ、中心導体Ｗｃを包囲する誘電体Ｄｉ、誘電体Ｄｉを覆う編組線などの外部導体Ｗｂ、及び、外部導体Ｗｂを被覆する絶縁シースＷｉを有している。

図１から図６を参照すると、同軸プラグ１０は、三点接触によるコンタクト１、前円後方形状のハウジング３、及び、導電性のシェル５を備えている。又、ハウジング３は、直方体状のクリンプハウジング７を有している。更に、シェル５は、一対の第１バレル５２１・５２１と一対の第２バレル５２２・５２２を有している。

図２又は図４及び図６又は図７を参照すると、コンタクト１は、相手側コンタクトとなる円筒状の中心コンタクト２と同軸ケーブルＣｂの中心導体Ｗｃを電気的に接続できる（図１参照）。

図７を参照すると、コンタクト１は、帯板状に形成した天板１１ｔ、一対の固定端子１１ｓ・１１ｓ、及び、弾性変形可能な可動端子１２ｓを有している。天板１１ｔは、同軸ケーブルＣｂの軸方向に沿って配置されている。一対の固定端子１１ｓ・１１ｓ及び可動端子１２ｓは、天板１１ｔの先端部側から起立している。一対の固定端子１１ｓ・１１ｓ及び可動端子１２ｓで囲われた空間には、中心コンタクト２を導入できる（図１参照）。

図７を参照すると、一対の固定端子１１ｓ・１１ｓは、天板１１ｔが延在する方向と略直交する方向に対向配置されている。可動端子１２ｓは、一対の固定端子１１ｓ・１１ｓの中間部に向かって対向した状態で配置されている。一対の固定端子１１ｓ・１１ｓ及び可動端子１２ｓで囲われた空間に、中心コンタクト２を導入すると、一対の固定端子１１ｓ・１１ｓ及び可動端子１２ｓは、三点接触により中心コンタクト２の外周に外接できる。

図２から図６を参照すると、コンタクト１は、ハウジング３に一体成形されている。コンタクト１は、中心導体Ｗｃが接触可能な設置面３２１を有している。設置面３２１は、天板１１ｔの基端部が後述する方形部３２の上面に露出している。中心導体Ｗｃを設置面３２１に載置し、クリンプハウジング７をハウジング３に向かって押し下げることで（図１１参照）、中心導体Ｗｃとコンタクト１を電気的に接続できる。

図６から図８を参照すると、ハウジング３は、円盤部３１と方形部３２を有している。方形部３２は、円盤部３１からその一部が外周方向に突出している。円盤部３１は、収容室３１ｒを中心部に有している（図２又は図３参照）。

図２又は図３及び図５を参照すると、収容室３１ｒは、中心コンタクト２を導入自在に、ハウジング３の一方の面を矩形に開口している。そして、収容室３１ｒには、一対の固定端子１１ｓ・１１ｓ及び可動端子１２ｓを内部に配置している。

図５を参照すると、シェル５は、円筒部５１と樋状の延在部５２を有している。円筒部５１は、一対の固定端子１１ｓ・１１ｓが突出する方向と同じ方向から、円筒部５１の一方の面に向って、ハウジング３の円盤部３１を収容できる。

図５を参照すると、円筒部５１は、その内部に外部コンタクト６を導入できる（図１参照）。外部コンタクト６を円筒部５１の内部に相対的に挿入すると、シェル５と外部コンタクト６を電気的に接続できる。又、コンタクト１と中心コンタクト２を電気的に接続できる。

図１から図６を参照すると、延在部５２は、円筒部５１の外周の一部が連結して略平行に延びている。そして、延在部５２には、その内部にハウジング３の方形部３２を収容できる（図２又は図５参照）。

図１から図６を参照すると、延在部５２は、一対の第１バレル５２１・５２１と一対の第２バレル５２２・５２２を有している。一対の第１バレル５２１・５２１は、クリンプハウジング７を方形部３２に圧着できる。一対の第２バレル５２２・５２２は、誘電体Ｄｉの上から外部導体Ｗｂを圧着できる。

図１から図６を参照して、一対の第２バレル５２２・５２２が誘電体Ｄｉの上から外部導体Ｗｂを圧着することで、外部導体Ｗｂとシェル５を電気的に接続できる。又、同軸プラグ１０を同軸ケーブルＣｂの端末に固定できる。

図１から図６を参照すると、延在部５２は、その底面から延出し、円筒部５１の底面を覆う底板片５２ｂを有している。円盤部３１を円筒部５１に収容した状態では、底板片５２ｂは、円盤部３１の底面を覆っている。図４を参照すると、底板片５２ｂは、先端部に向かって下り傾斜している。言い換えれば、円筒部５１は、その底面が方形部３２と反対側に向かって下り傾斜している。

（相手側コネクタの構成）
次に、実施形態による同軸プラグ１０が接続されるリセプタクル（相手側コネクタ）２０の構成を説明する。図１を参照すると、実施形態によるリセプタクル２０は、図示しないプリント基板に表面実装されている。リセプタクル２０は、先端部を閉塞した円筒状の中心コンタクト２、誘電体からなるハウジング４、及び、円環状の外部コンタクト６を備えている。

図１を参照すると、中心コンタクト２は、そのリード端子２ｒをプリント基板の信号パターンにハンダ接合できる。外部コンタクト６は、その本体部６１が上面を開口している。又、本体部６１は、中心コンタクト２の本体部２１を囲うように、本体部２１を同軸上に内部に配置している。外部コンタクト６は、そのリード端子６ｒをプリント基板のグラウンドパターンにハンダ接合できる。

図１を参照すると、ハウジング４は、矩形の板状に形成している。ハウジング４は、中心コンタクト２及び外部コンタクト６をハウジング４に一体成形することで、中心コンタクト２と外部コンタクト６を固定している。ハウジング４の内部では、中心コンタクト２と外部コンタクト６を電気的に絶縁するように、ハウジング４で充実している。

図１を参照して、同軸プラグ１０をリセプタクル２０に接続すると、同軸ケーブルＣｂに内在する中心導体Ｗｃを中心コンタクト２に接続でき、同軸ケーブルＣｂに内在する外部導体Ｗｂを外部コンタクト６に接続できる。そして、同軸ケーブルＣｂから高周波信号をプリント基板に伝送でき、プリント基板から高周波信号を同軸ケーブルＣｂに伝送できる。

（コンタクトの構成）
次に、実施形態によるコンタクト１の構成を説明する。図７を参照すると、コンタクト１は、導電性を有する金属板からなることが好ましく、導電性を有する金属板を打ち抜き加工及び折り曲げ加工することで、所望の形状の三点接触によるコンタクト１を得ることができる。コンタクト１は、銅合金からなることが好ましいが、銅合金に限定されない。

図３（Ａ）又は図８（Ｂ）を参照すると、一対の固定端子１１ｓ・１１ｓは、中心コンタクト２に内接した仮想の正三角形の一組の頂点に位置している。一方、可動端子１２ｓは、仮想の正三角形の他の頂点に位置している。そして、可動端子１２ｓは、一対の固定端子１１ｓ・１１ｓの中間部に向かって対向した状態で配置されている。

図１又は図３（Ａ）及び図８（Ｂ）を参照して、中心コンタクト２を円盤部３１の収容室３１ｒに挿入すると、中心コンタクト２の外周を収容室３１ｒに露出した一対の固定端子１１ｓ・１１ｓの稜部に接触できる。又、中心コンタクト２の外周を可動端子１２ｓに接触できる。このように、コンタクト１は、中心コンタクト２に三点接触できる。

（ハウジングの構成）
次に、実施形態によるハウジング３の構成を説明する。図２から図８を参照すると、ハウジング３は、絶縁性を有する合成樹脂からなることが好ましく、絶縁性を有する合成樹脂を成形して所望の形状のハウジング３を得ることができる。

図４を参照すると、同軸プラグ１０は、コンタクト１（天板１１ｔ）とシェル５の底面との距離がコンタクト１の先端部側と基端部側で略同じになっている。円筒部５１は、その底面が方形部３２と反対側に向かって下り傾斜している。

図４を参照すると、コンタクト１の先端部側とシェル５の底面との距離Ｄ１と、コンタクト１の基端部側とシェル５の底面との距離Ｄ２の差が小さく形成されている。コンタクト１の先端部と基端部側では、ハウジング３の肉厚が略同じになっている。つまり、Ｄ１≒Ｄ２の関係にある。

図４を参照して、コンタクト１（天板１１ｔ）とシェル５の距離間の差を小さくすることで、インピーダンスの乱れを抑制できる。これにより、同軸プラグ１０に伝送される高周波信号の高周波帯域を大きくできる。例えば、ＶＳＷＲ（電圧定在波比）を６０ＧＨｚまで「１.５」未満に抑制できる（図１２参照）。

（シェルの構成）
次に、実施形態によるシェル５の構成を説明する。図１から図６を参照して、シェル５は、導電性を有する金属板からなり、所定の外形に加工された導電性を有する展開板を成形加工して、所望の形状のシェル５を得ることが好ましい。シェル５は、円筒部５１と樋状の延在部５２を成形しておくことが好ましい。

又、図５を参照して、延在部５２には、一対の第１バレル５２１・５２１と一対の第２バレル５２２・５２２を開口した状態で、折り曲げ成形しておくことが好ましい。

図１から図６を参照すると、延在部５２は、一対の第１バレル５２１・５２１と一対の第２バレル５２２・５２２を含んでいる。一対の第１バレル５２１・５２１は、クリンプハウジングを方形部３２に圧着できる（図６及び図１１（Ｂ）参照）。

図１から図６を参照すると、一対の第２バレル５２２・５２２は、誘電体Ｄｉの上から外部導体Ｗｂを圧着できる。これにより、外部導体Ｗｂとシェル５を電気的に接続できる。そして、一対の第２バレル５２２・５２２は、同軸ケーブルＣｂの端末に同軸コネクタ１０を固定できる（図１参照）。

（クリンプハウジングの構成）
次に、実施形態によるクリンプハウジング７の構成を説明する。図６又は図９及び図１１を参照すると、クリンプハウジング７は、Ｕ字状のスロット７ｓを底面側から切り欠いている。スロット７ｓには、中心導体Ｗｃを外周方向から導入できる（図１１参照）。クリンプハウジング７は、収容室３１ｒの開口側から方形部３２に向かって挿入できる。

図１０を参照すると、クリンプハウジング７は、一対のランス７ｒ・７ｒを一方の端部に設けている。一対のランス７ｒ・７ｒは、スロット７ｓに跨って配置されている。一方、図６又は図７を参照すると、ハウジング３は、ランス７ｒに係止可能な段差３２ｄを方形部３２に形成している。クリンプハウジング７を方形部３２に押し込むと、ランス７ｒが段差３２ｄに係止することで、クリンプハウジング７を方形部３２に保持できる。

図１１（Ａ）を参照して、中心導体Ｗｃを設置面３２１に載置し、クリンプハウジング７を方形部３２に保持した状態から、一対の第１バレル５２１・５２１を圧着することで、スロット７ｓの底部が中心導体Ｗｃを設置面３２１に押圧できる（図１１（Ａ）参照）。これにより、中心導体Ｗｃをコンタクト１に結線できる。

実施形態による同軸プラグ１０は、クリンプハウジング７を用いて、一対の第１バレル５２１・５２１を圧着することで、中心導体Ｗｃを設置面３２１に押し付けている。そして、中心導体Ｗｃをコンタクト１に結線している。

［同軸コネクタの作用］
次に、実施形態による同軸コネクタ１０の作用及び効果を説明する。

図４を参照すると、実施形態による同軸プラグ１０は、コンタクト１の先端部と基端部側で、コンタクト１（天板１１ｔ）とシェル５の距離間の差を小さくすることで、インピーダンスの乱れを抑制できる。これにより、同軸プラグ１０に伝送される高周波信号の高周波帯域を大きくできる。

図１２を参照すると、従来技術によるコネクタ９は、コンタクト９１の基端部側と先端部側とでシェル９３との距離の差が大きいので（図１４参照）、ＶＳＷＲの特性曲線αが１５ＧＨｚ帯域まで急峻に立ち上がっており、従来技術によるコネクタ９は、６ＧＨｚ帯域までしか使用できないことが判る。一方、実施形態によるコネクタ１０は、コンタクト１の基端部側と先端部側とでシェル５との距離の差が小さいので（図４参照）、ＶＳＷＲの特性曲線βが６０ＧＨｚ帯域まで「１.５」を超えておらず、実施形態によるコネクタ１０は、６０ＧＨｚ帯域まで使用できることが判る。

図１から図９を参照すると、実施形態による同軸プラグ１０は、三点接触により中心コンタクト２に外接し、仮想の正三角形の一組の頂点に位置する一対の固定端子１１ｓ・１１ｓと、仮想の正三角形の他の頂点に位置し、一対の固定端子１１ｓ・１１ｓの中間部に向かって弾性変位可能な可動端子１２ｓでコンタクト１を構成しているので、同軸コネクタを小型化できる。

図１１を参照すると、中心導体Ｗｃを設置面３２１に載置し、クリンプハウジング７を方形部３２に保持した状態から、一対の第１バレル５２１・５２１を圧着することで、スロット７ｓの底部が中心導体Ｗｃを設置面３２１に押圧できる（図１１（Ａ）参照）。これにより、中心導体Ｗｃをコンタクト１に結線できる。

実施形態による同軸プラグ１０は、コンタクトの接触構造を二点接触式から一対の固定端子と可動端子による三点接触式に変えることで同軸コネクタを小型化できる。

１ コンタクト
３ ハウジング
５ シェル
１０ 同軸プラグ（同軸コネクタ）
１１ｓ・１１ｓ 一対の固定端子
１１ｔ 天板
１２ｓ 可動端子
３１ 円盤部
３１ｒ 収容室
３２ 方形部
５１ 円筒部
５２ 延在部
Ｃｂ 同軸ケーブル
Ｄｉ 誘電体
Ｗｂ 外部導体
Ｗｃ 中心導体
Ｗｉ 絶縁シース

Claims (4)

1. 中心導体、この中心導体を包囲する誘電体、この誘電体を覆う外部導体、及び、この外部導体を被覆する絶縁シースを有する同軸ケーブルの端末を結線する同軸コネクタであって、
   円筒状の相手側コンタクトに接続できるコンタクトであって、三点接触により前記相手側コンタクトに外接し、同軸ケーブルの軸方向に沿って配置された帯板状の天板の先端部側から起立した一対の固定端子及び弾性変形可能な可動端子を有し、一対の前記固定端子が前記天板の延在する方向と直交する方向に対向配置されるように前記天板の端部から屈曲して形成された四角棒状で前記相手側コンタクトが接触する稜部を有し、前記可動端子が一対の前記固定端子の中間部に向かって弾性変形可能に前記中間部に向かって対向した状態で配置されるコンタクトと、
   前記相手側コンタクトを導入自在に一方の面を開口し、一対の前記固定端子及び前記可動端子を内部に配置した収容室を有する円盤部、及び、この円盤部から一部が外周方向に突出した方形部を有する前円後方形状のハウジングと、
   一対の前記固定端子が突出する方向と同じ方向から、一方の面に向って前記円盤部を収容自在な円筒部、及び、この円筒部から一部が外周方向に突出し、前記方形部を内部に収容自在な樋状の延在部を有する導電性のシェルと、を備え、
   前記シェルの延在部は、その底面から延出し、前記円筒部の底面を覆う底板片を有し、
   前記円盤部を前記円筒部に収容した状態では、前記底板片は、前記円盤部の底面を覆うと共に、前記円筒部の先端部に向かって下り傾斜している、同軸コネクタ。
2. 一対の前記固定端子は、前記相手側コンタクトに内接した仮想の正三角形の一組の頂点に位置し、
   前記可動端子は、仮想の前記正三角形の他の頂点に位置し、一対の前記固定端子の中間部に向かって対向した状態で配置している、請求項１記載の同軸コネクタ。
3. 前記コンタクトは、前記ハウジングに一体成形されており、
   前記コンタクトは、
   前記天板の基端部が前記方形部の上面に露出し、前記中心導体が接触可能な設置面と、
   一対の前記固定端子の稜部が前記ハウジングの前記収容室に露出し、前記相手側コンタクトが接触可能な接触縁と、を有している、請求項１又は２記載の同軸コネクタ。
4. 前記中心導体を外周方向から導入可能なスロットを切り欠き、前記収容室の開口側から前記方形部に向かって挿入できるクリンプハウジングを更に備え、
   前記シェルの延在部は、
   前記クリンプハウジングを前記方形部に圧着自在な一対の第１バレルと、
   前記外部導体を圧着自在な一対の第２バレルと、を含んでいる、請求項１から３のいずれかに記載の同軸コネクタ。