JP7725895B2 - 熱硬化性樹脂組成物およびその用途 - Google Patents
熱硬化性樹脂組成物およびその用途Info
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Description
本発明は、熱硬化性樹脂組成物およびその用途に関する。
従来から、ノルボルネン系樹脂は電気特性、光学特性、低吸湿性などに優れるという特徴を有し、成形品として種々の用途に用いられている。
特許文献１には、ガラス転移温度が１０１～１６０℃の環状オレフィンホモポリマーと、繊維状導電性フィラーと、他のエラストマーとを樹脂組成物が開示されている。当該樹脂組成物から得られた成形材料は、機械的強度、耐熱性、導電性に優れると記載されている。
特許文献２には、多環式オレフィンモノマーを、パラジウム触媒錯体及び連鎖移動／活性化剤の存在下で重合する多環式オレフィン重合体の製造法が開示されている。
特許文献３には、エポキシ基を備えるノルボルネン系モノマーから誘導される繰り返し単位と、ビニル基を備えるノルボルネン系モノマーから誘導される繰り返し単位とを、特定のモル量で含む、環状オレフィン系二元共重合体が開示されている。当該文献には、この環状オレフィン系二元共重合体の重量平均分子量が１，０００ｇ／ｍｏｌ～１００，０００ｇ／ｍｏｌであると記載されている。そして、当該繰り返し単位を含む環状オレフィン系二元共重合体から得られる硬化物は、銅箔との接着強度に優れ、１０ＧＨｚにおける誘電損失が改善されると記載されている。
しかしながら、特許文献１～２に記載のポリマーは熱硬化性ではなく、有機溶剤への溶解性が低く、さらに得られる硬化物の低誘電性に改善の余地があった。
特許文献３に記載の環状オレフィン系二元共重合体の硬化物には、低誘電特性に改善の余地がった。
特許文献３に記載の環状オレフィン系二元共重合体の硬化物には、低誘電特性に改善の余地がった。
本発明者らは、熱硬化性樹脂である環状オレフィン系共重合体を構成する構造単位を特定のものとし、さらに架橋剤を含む熱硬化性樹脂組成物によれば誘電率および誘電正接が低く誘電特性に優れる硬化物が得られることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、以下に示すことができる。
すなわち、本発明は、以下に示すことができる。
本発明によれば、
（Ａ）熱硬化性樹脂と、
（Ｂ）架橋剤と、
を含み、
熱硬化性樹脂（Ａ）が、
下記一般式（１）で表される構造単位ａと、
下記一般式（２）で表される構造単位ｂと、
を含み、重量平均分子量が５００以上１０，０００以下である、熱硬化性樹脂組成物を提供することができる。
（一般式（１）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ独立して水素原子、置換または無置換の炭素数１～３０の炭化水素基（末端二重結合を有する基を除く）を示す。ｎは０、１または２である。）
（一般式（２）中、Ｑは末端二重結合を有する基を示し、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３はそれぞれ独立して水素原子、炭素数１～３のアルキル基を示す。ｍは０、１または２である。）
（Ａ）熱硬化性樹脂と、
（Ｂ）架橋剤と、
を含み、
熱硬化性樹脂（Ａ）が、
下記一般式（１）で表される構造単位ａと、
下記一般式（２）で表される構造単位ｂと、
を含み、重量平均分子量が５００以上１０，０００以下である、熱硬化性樹脂組成物を提供することができる。
本発明によれば、
キャリア基材と、
前記キャリア基材上に設けられている、前記熱硬化性樹脂組成物からなる樹脂膜と、を備える、キャリア付樹脂膜が提供される。
キャリア基材と、
前記キャリア基材上に設けられている、前記熱硬化性樹脂組成物からなる樹脂膜と、を備える、キャリア付樹脂膜が提供される。
本発明によれば、
前記熱硬化性樹脂組成物からなる樹脂層中に繊維基材を含むプリプレグが提供される。
前記熱硬化性樹脂組成物からなる樹脂層中に繊維基材を含むプリプレグが提供される。
本発明によれば、
前記プリプレグの少なくとも片面上に金属層を配置してなる積層板が提供される。
前記プリプレグの少なくとも片面上に金属層を配置してなる積層板が提供される。
本発明によれば、
前記熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる絶縁層を備える、プリント配線基板が提供される。
前記熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる絶縁層を備える、プリント配線基板が提供される。
本発明によれば、
前記プリント配線基板と、
当該プリント配線基板の回路層上に搭載された、または前記プリント配線基板に内蔵された半導体素子と、を備える、半導体装置が提供される。
前記プリント配線基板と、
当該プリント配線基板の回路層上に搭載された、または前記プリント配線基板に内蔵された半導体素子と、を備える、半導体装置が提供される。
本発明によれば、耐熱性に優れるとともに、誘電率および誘電正接が低く誘電特性に優れた硬化物を得ることができる熱硬化性樹脂組成物を提供することができる。言い換えれば、これらの特性のバランスに優れた熱硬化性樹脂組成物を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。また、「Ａ～Ｂ」は特に断りがなければ「Ａ以上」から「Ｂ以下」を表す。
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂（Ａ）と、架橋剤（Ｂ）と、を含む。
［熱硬化性樹脂（Ａ）］
本実施形態の熱硬化性樹脂（Ａ）は、下記一般式（１）で表される構造単位ａと、下記一般式（２）で表される構造単位ｂと、を含み、重量平均分子量が５００以上１０，０００以下である。
本実施形態の熱硬化性樹脂（Ａ）は、下記一般式（１）で表される構造単位ａと、下記一般式（２）で表される構造単位ｂと、を含み、重量平均分子量が５００以上１０，０００以下である。
一般式（１）中、ｎは０、１または２であり、好ましくは０または１である。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ独立して水素原子、置換または無置換の炭素数１～３０の炭化水素基を示す。本実施形態において、当該炭素数１～３０の炭化水素基は、末端二重結合を有する基を含まない。熱硬化性樹脂（Ａ）中に複数存在するＲ１同士、Ｒ２同士、Ｒ３同士およびＲ４同士は、同一でも異なっていてもよい。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ独立して水素原子、置換または無置換の炭素数１～３０の炭化水素基を示す。本実施形態において、当該炭素数１～３０の炭化水素基は、末端二重結合を有する基を含まない。熱硬化性樹脂（Ａ）中に複数存在するＲ１同士、Ｒ２同士、Ｒ３同士およびＲ４同士は、同一でも異なっていてもよい。
炭素数１～３０の炭化水素基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキリデン基、アリール基、アラルキル基、アルカリル基、またはシクロアルキル等が挙げられる。
アルキル基としては、たとえばメチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、およびデシル基が挙げられる。
アルケニル基としては、たとえばアリル基、ペンテニル基等が挙げられる。アルキニル基としては、エチニル基が挙げられる。
アルキリデン基としては、たとえばエチリデン基等が挙げられる。
アルキリデン基としては、たとえばエチリデン基等が挙げられる。
アリール基としては、たとえばフェニル基、ナフチル基、およびアントラセニル基が挙げられる。アラルキル基としては、たとえばベンジル基、およびフェネチル基が挙げられる。
アルカリル基としては、たとえばトリル基、キシリル基が挙げられる。シクロアルキル基としては、たとえばアダマンチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、およびシクロオクチル基が挙げられる。
炭素数１～３０の炭化水素基は、その構造中に、Ｏ、Ｎ、Ｓ、ＰおよびＳｉから選択される少なくとも１つの原子を含んでいてもよい。
本実施形態において、前記炭素数１～３０の炭化水素基は、炭素数１～１５の炭化水素基であることが好ましく、炭素数１～１０の炭化水素基であることがより好ましい。また、炭素数１～３０の炭化水素基は、炭素数１～３０のアルキル基であることが好ましく、炭素数１～１５のアルキル基であることがより好ましく、炭素数１～１０のアルキル基であることがさらにより好ましい。
置換された炭素数１～３０炭化水素基の置換基は、水酸基、アミノ基、シアノ基、エステル基、エーテル基、アミド基、スルホンアミド基等を挙げることができ、少なくとも１種の基で置換されていてもよい。
本実施形態において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４のいずれか１つが、置換または無置換の炭素数１～３０の炭化水素基、残りが水素原子であることが好ましく、全てが水素原子であることがより好ましい。
本実施形態において、熱硬化性樹脂（Ａ）は、構造単位ａとして上述の構造を少なくとも1種含むことができる。
本実施形態において、熱硬化性樹脂（Ａ）は、構造単位ａとして上述の構造を少なくとも1種含むことができる。
一般式（２）中、ｍは０、１または２であり、好ましくは０または１である。
Ｑは末端二重結合を有する基を示す。
末端二重結合を有する基は、ビニル基、アリル基、（メタ）アクリロイル基、ビニルフェニル基、またはマレイミド基を含むことができる。
Ｑは末端二重結合を有する基を示す。
末端二重結合を有する基は、ビニル基、アリル基、（メタ）アクリロイル基、ビニルフェニル基、またはマレイミド基を含むことができる。
末端二重結合を有する基としては、ビニル基、アリル基、（メタ）アクリロイル基、ビニルフェニル基、（メタ）アクリロイルアルキル基、（メタ）アクリロイルオキシアルキル基、ビニルフェニルアルキル基、ビニルフェニルオキシアルキル基等が挙げられ、これらの基のアルキレン鎖中に、エーテル結合、チオエーテル結合を含んでいてもよい。
Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３はそれぞれ独立して水素原子、炭素数１～３のアルキル基を示す。
本実施形態において、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３のいずれか１つが、置炭素数１～３のアルキル基、残りが水素原子であることが好ましく、全てが水素原子であることがより好ましい。
本実施形態において、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３のいずれか１つが、置炭素数１～３のアルキル基、残りが水素原子であることが好ましく、全てが水素原子であることがより好ましい。
本実施形態において、熱硬化性樹脂（Ａ）は、構造単位ｂとして上述の構造を少なくとも1種含むことができる。
一般式（２）で表される構造単位ｂとしては、具体的には、５－ビニル－２－ノルボルネン由来の構造単位、ブテニルノルボルネン由来の構造単位、ヘキセニルノルボルネン由来の構造単位、以下の式で表される構造単位を挙げることができ、これらから選択される１種または２種以上を用いることができる。
一般式（２）で表される構造単位ｂとしては、具体的には、５－ビニル－２－ノルボルネン由来の構造単位、ブテニルノルボルネン由来の構造単位、ヘキセニルノルボルネン由来の構造単位、以下の式で表される構造単位を挙げることができ、これらから選択される１種または２種以上を用いることができる。
本実施形態の熱硬化性樹脂（Ａ）は、本発明の効果の観点、さらに熱硬化性および溶媒溶解性の観点から、構造単位ａに対する構造単位ｂのモル比（ｂ／ａ）が、０．１以上４以下、好ましくは０．１以上３．５以下、さらに好ましくは０．１以上３以下とすることができる。
本実施形態の熱硬化性樹脂（Ａ）は構造単位ａおよび構造単位ｂを含み、これらの構成単位以外に、他のモノマーから誘導される構造単位を含んでいてもよい。
他のモノマーとしては、インデン、スチレン、アセナフチレン、ノルボルナジエン、テルペン化合物（例えば、ピネン、リモネン等）、直鎖アルケン（例えば、ペンテン等）、環状アルケン（シクロヘキセン等）等を挙げることができる。
本実施形態の熱硬化性樹脂（Ａ）は、エチレンやα－オレフィンから誘導される構造単位を含まず、また誘電率に影響を与えるマレイン酸、マレイミド、無水マレイン酸等から誘導される構造単位を含まない。
熱硬化性樹脂（Ａ）は、低誘電率の観点から、全構成単位１００モル％における構造単位ａと構造単位ｂとの合計量が８０モル％以上、好ましくは９０モル％、より好ましくは９５モル％以上である。上限値は特に限定されないが１００モル％以下である。
熱硬化性樹脂（Ａ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、本発明の効果の観点、さらに熱硬化性および溶媒溶解性の観点から、５００以上１０，０００以下、好ましくは６００以上８，０００以下、さらに好ましくは７００以上７，０００以下である。
本実施形態の熱硬化性樹脂（Ａ）のＭｗ（重量平均分子量）／Ｍｎ（数平均分子量）は、例えば、１．０～６．０、好ましくは１．２～５．０、より好ましくは１．５～４．０とすることができる。なお、Ｍｗ／Ｍｎは、分子量分布の幅を示す分散度である。
なお、重量平均分子量（Ｍｗ）、数平均分子量（Ｍｎ）、および分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、たとえばＧＰＣ（Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）測定により得られる標準ポリスチレン（ＰＳ）の検量線から求めた、ポリスチレン換算値を用いる。測定条件は、たとえば以下の通りである。
東ソー社製ゲルパーミエーションクロマトグラフィー装置ＨＬＣ－８３２０ＧＰＣ
カラム：東ソー社製ＴＳＫ－ＧＥＬ Ｓｕｐｅｒｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＺ－Ｍ
検出器：液体クロマトグラム用ＲＩ検出器
測定温度：４０℃
溶剤：ＴＨＦ
試料濃度：０．５ｗｔ％
東ソー社製ゲルパーミエーションクロマトグラフィー装置ＨＬＣ－８３２０ＧＰＣ
カラム：東ソー社製ＴＳＫ－ＧＥＬ Ｓｕｐｅｒｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＺ－Ｍ
検出器：液体クロマトグラム用ＲＩ検出器
測定温度：４０℃
溶剤：ＴＨＦ
試料濃度：０．５ｗｔ％
本実施形態の熱硬化性樹脂（Ａ）は、例えば２５℃におけるトルエンに対する溶解度が、３０ｗｔ％以上、好ましくは５０ｗｔ％以上、さらに好ましくは６０ｗｔ％以上である。なお、溶解度は下記式により算出される。
式：[熱硬化性樹脂（Ａ）の重量／（熱硬化性樹脂（Ａ）の重量＋トルエンの重量）]×１００
このように有機溶剤への溶解性が高いことから塗膜性や他の樹脂との相溶性に優れる。
式：[熱硬化性樹脂（Ａ）の重量／（熱硬化性樹脂（Ａ）の重量＋トルエンの重量）]×１００
このように有機溶剤への溶解性が高いことから塗膜性や他の樹脂との相溶性に優れる。
本実施形態の熱硬化性樹脂（Ａ）は溶融性に優れ（または基板作製時の埋め込み性に優れ）、その溶融温度は、例えば、２５０℃以下であり、好ましくは２３０℃以下であり、より好ましくは２００℃以下である。溶融温度の下限値は５０℃以上、好ましくは６０℃以上、より好ましくは７０℃以上である。本実施形態の熱硬化性樹脂（Ａ）は熱硬化性であり、前記溶解温度を有することから、半導体素子の多層配線構造を構成する層間絶縁膜、回路基板を構成するビルドアップ層もしくはコア層等の製造安定性に優れ、これらの半導体用途に好適に用いることができる。
［熱硬化性樹脂（Ａ）の合成方法］
本実施形態の熱硬化性樹脂（Ａ）の合成方法は、たとえば、
有機溶剤中で、重合触媒および連鎖移動剤の存在下、下記一般式（１ａ）で表される化合物ａ１と、下記一般式（２ａ）で表される化合物ｂ１と、を反応させる工程を含む。
本実施形態の熱硬化性樹脂（Ａ）の合成方法は、たとえば、
有機溶剤中で、重合触媒および連鎖移動剤の存在下、下記一般式（１ａ）で表される化合物ａ１と、下記一般式（２ａ）で表される化合物ｂ１と、を反応させる工程を含む。
一般式（１ａ）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４、ｎは一般式（１）と同義である。
一般式（２ａ）中、Ｑ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、ｍは一般式（１）と同義である。
一般式（２ａ）で表される化合物ｂ１としては、具体的に、５－ビニル－２－ノルボルネン、ブテニルノルボルネン、ヘキセニルノルボルネン、以下の式で表される化合物（左から順に、メタクリル酸ビシクロ［２．２．１］ヘプト－５－エン－２－イル、２－プロペン酸２－メチル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－５－エン－２－イルメチルエステル、２－プロペン酸ビシクロ［２．２．１］ヘプト－５－エン－２－イルメチルエステル、５－［［（４－エテニルフェニル）メトキシ］メチル］ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）を挙げることができ、これらから選択される１種または２種以上を用いることができる。
一般式（２ａ）で表される化合物ｂ１としては、具体的に、５－ビニル－２－ノルボルネン、ブテニルノルボルネン、ヘキセニルノルボルネン、以下の式で表される化合物（左から順に、メタクリル酸ビシクロ［２．２．１］ヘプト－５－エン－２－イル、２－プロペン酸２－メチル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－５－エン－２－イルメチルエステル、２－プロペン酸ビシクロ［２．２．１］ヘプト－５－エン－２－イルメチルエステル、５－［［（４－エテニルフェニル）メトキシ］メチル］ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）を挙げることができ、これらから選択される１種または２種以上を用いることができる。
本実施形態においては、まず、前記化合物ａ１および前記化合物ｂ１と、連鎖移動剤とを有機溶剤に溶解した後、４０℃～８５℃程度に予め加温する。
一般式（１ａ）で表される前記化合物ａ１に対する、下記一般式（２ａ）で表される前記化合物ｂ１のモル比（ｂ１／ａ１）は、熱硬化性の観点から、０．１以上４以下、好ましくは０．１以上３．５以下、さらに好ましくは０．１以上３以下とすることができる。
一般式（１ａ）で表される前記化合物ａ１に対する、下記一般式（２ａ）で表される前記化合物ｂ１のモル比（ｂ１／ａ１）は、熱硬化性の観点から、０．１以上４以下、好ましくは０．１以上３．５以下、さらに好ましくは０．１以上３以下とすることができる。
重合触媒と、必要に応じて用いられる助触媒とを、有機溶媒に希釈した触媒希釈液を調製し、加温された前記混合溶液に添加する。前記触媒希釈液は一括添加でもよく滴下して添加してもよい。希釈溶媒としてはトルエン、酢酸エチル、テトラヒドロフラン等が挙げられ、１種または２種以上を混合して用いることができる。
前記触媒希釈液を前記混合溶液に添加後、所定時間加熱することにより溶液重合を行う。
このとき、加熱温度は、たとえば３０℃～２００℃程度であり、加熱時間は、たとえば０．５時間～７２時間とすることができる。なお、窒素バブリングにより溶剤中の溶存酸素を除去したうえで、溶液重合を行うことがより好ましい。
また、必要に応じて分子量調整剤を使用することができる。
このとき、加熱温度は、たとえば３０℃～２００℃程度であり、加熱時間は、たとえば０．５時間～７２時間とすることができる。なお、窒素バブリングにより溶剤中の溶存酸素を除去したうえで、溶液重合を行うことがより好ましい。
また、必要に応じて分子量調整剤を使用することができる。
前記有機溶剤は、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、非環式脂肪族アルコール系溶剤、芳香族系溶剤等を挙げることができ、これらから選択される１種または２種以上を用いることができる。これらの有機溶剤としては、具体的に、シクロペンタノン、ヘプタノン、アニソール、ブタノール、トルエン等を挙げることができ、これらから選択される１種または２種以上を用いることができる。
これらの有機溶剤を用いることにより、熱硬化性であるとともに有機溶剤への溶解性に優れ、さらに低誘電性にも優れた環状オレフィン系樹脂を得ることができる。
連鎖移動剤としては、例えば、トリメチルシラン、トリエチルシラン、トリブチルシラン等のトリアルキルシラン化合物や、ビシクロ［４．２．０］オクタ－７エン等のシクロブテン化合物等を挙げることができる。これらの連鎖移動剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
これらの連鎖移動剤を用いることにより、熱硬化性であるとともに有機溶剤への溶解性に優れ、さらに低誘電性にも優れた環状オレフィン系樹脂を得ることができる。
本実施形態においては、所望の環状オレフィン系樹脂を得る観点から、前記有機溶剤と前記連鎖移動剤とを組み合わせて用いることがより好ましい。
本実施形態においては、所望の環状オレフィン系樹脂を得る観点から、前記有機溶剤と前記連鎖移動剤とを組み合わせて用いることがより好ましい。
重合触媒としては、付加重合が進行すれば特に選ばないが、例えばパラジウム錯体およびニッケル錯体に対してホスフィン系や、ジイミン系、ニトリル系などの配位子を配位させ、カウンターアニオンなどを用いても良い。このうちの一種または二種以上を使用できる。
上記パラジウム錯体としては、たとえば
パラジウム（II）（アセトニトリル）ビス（トリイソプロピルホスフィン）アセテートテトラキス（２，３，４，５，６－ペンタフルオロフェニル）ボレート、
π－アリルパラジウムクロリドダイマーなどのアリルパラジウム錯体、
パラジウムの酢酸塩、プロピオン酸塩、マレイン酸塩、ナフトエ酸塩などのパラジウムの有機カルボン酸塩、
酢酸パラジウムのトリフェニルホスフィン錯体、酢酸パラジウムのトリ（ｍ－トリル）ホスフィン錯体、酢酸パラジウムのトリシクロヘキシルホスフィン錯体、酢酸パラジウムのトリイソプロピルホスフィン錯体などのパラジウムの有機カルボン酸の錯体、
パラジウムのジブチル亜リン酸塩、ｐ－トルエンスルホン酸塩などのパラジウムの有機スルフォン酸塩、
ビス（アセチルアセトナート）パラジウム、ビス（ヘキサフロロアセチルアセトナート）パラジウム、ビス（エチルアセトアセテート）パラジウム、ビス（フェニルアセトアセテート）パラジウムなどのパラジウムのβ－ジケトン化合物、
パラジウム（II）（アセトニトリル）ビス（トリイソプロピルホスフィン）アセテートテトラキス（２，３，４，５，６－ペンタフルオロフェニル）ボレート、
π－アリルパラジウムクロリドダイマーなどのアリルパラジウム錯体、
パラジウムの酢酸塩、プロピオン酸塩、マレイン酸塩、ナフトエ酸塩などのパラジウムの有機カルボン酸塩、
酢酸パラジウムのトリフェニルホスフィン錯体、酢酸パラジウムのトリ（ｍ－トリル）ホスフィン錯体、酢酸パラジウムのトリシクロヘキシルホスフィン錯体、酢酸パラジウムのトリイソプロピルホスフィン錯体などのパラジウムの有機カルボン酸の錯体、
パラジウムのジブチル亜リン酸塩、ｐ－トルエンスルホン酸塩などのパラジウムの有機スルフォン酸塩、
ビス（アセチルアセトナート）パラジウム、ビス（ヘキサフロロアセチルアセトナート）パラジウム、ビス（エチルアセトアセテート）パラジウム、ビス（フェニルアセトアセテート）パラジウムなどのパラジウムのβ－ジケトン化合物、
ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ビス［トリ（ｍ－トリルホスフィン）］パラジウム、ジブロモビス［トリ（ｍ－トリルホスフィン）］パラジウム、アセトニルトリフェニルホスフォニウム錯体などのパラジウムのハロゲン化物錯体等が挙げられる。
上記ホスフィン配位子としては、トリフェニルホスフィン、ジシクロヘキシルフェニルホスフィン、シクロヘキシルジフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィンなどが挙げられる。
上記カウンターアニオンとしては、例えば、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニルカルベニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニルカルベニウムテトラキス［３，５－ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、トリフェニルカルベニウムテトラキス（２，４，６－トリフルオロフェニル）ボレート、トリフェニルカルベニウムテトラフェニルボレート、トリブチルアンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど挙げられる。
重合触媒は、ノルボルネン系モノマー（化合物ａ１および化合物ｂ１）に対して１ｐｐｍｍｏｌ～１０００ｐｐｍｍｏｌの量で用いることができる。
重合触媒は、ノルボルネン系モノマー（化合物ａ１および化合物ｂ１）に対して１ｐｐｍｍｏｌ～１０００ｐｐｍｍｏｌの量で用いることができる。
前助触媒として、弱配位性アニオン塩を含有するイオン錯体を含むのが好ましい。すなわち、前記付加型ノルボルネン系樹脂を合成する場合、前記触媒の他に助触媒を添加する方が好ましい。これにより、付加型ノルボルネン系モノマーの重合速度をより高めることができる。
前記助触媒としては、特に限定されるわけではないが、アルキルアルミニウム、ルイス酸又は、弱配位性アニオン（ＷＣＡ）塩を含むイオン錯体等を挙げることができ、それらの中でも、弱配位性アニオン（ＷＣＡ）塩を含むイオン錯体が好ましい。
また、前記助触媒としては、下記式（ｉ）で表されるものが、さらに好ましい。
［Ｃ］ｅ［ＷＣＡ］ｄ 式（ｉ）
（上記式において、Ｃは、プロトン（Ｈ＋）、有機基含有カチオン、又はアルカリ金属、アルカリ土類金属若しくは遷移金属のカチオンを表し、ＷＣＡは、上記で定義したとおりであり、ｅとｄは、それぞれ、カチオン錯体（Ｃ）と弱配位性アニオン塩（ＷＣＡ）の、総合塩錯体上の電子電荷を釣り合わせるように定められる数である。）
［Ｃ］ｅ［ＷＣＡ］ｄ 式（ｉ）
（上記式において、Ｃは、プロトン（Ｈ＋）、有機基含有カチオン、又はアルカリ金属、アルカリ土類金属若しくは遷移金属のカチオンを表し、ＷＣＡは、上記で定義したとおりであり、ｅとｄは、それぞれ、カチオン錯体（Ｃ）と弱配位性アニオン塩（ＷＣＡ）の、総合塩錯体上の電子電荷を釣り合わせるように定められる数である。）
前記弱配位性アニオン（ＷＣＡ）塩を含むイオン錯体としては、特に限定されるわけではないが、リチウム（ジエチルエーテル）２．５テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチルアニリニウム・テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチルアニリニウム・テトラキス（３，５－ビス（トリフルオロメチル）フェニル）ボレート、Ｈ（ＯＥｔ２）ｘテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、テトラキス［（４－メチル）－α，α－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンメタノラト－κＯ］アルミネート、ナトリウム・テトラキス（３，５－ビス（トリフルオロメチル）フェニル）ボレート、トリアルキル及びトリアリールホスホニウム・テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、並びにトリチル・テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート等を挙げることができる。
助触媒は、ノルボルネン系モノマー（化合物ａ１および化合物ｂ１）に対して１ｐｐｍｍｏｌ～１０００ｐｐｍｍｏｌの量で用いることができる。
助触媒は、ノルボルネン系モノマー（化合物ａ１および化合物ｂ１）に対して１ｐｐｍｍｏｌ～１０００ｐｐｍｍｏｌの量で用いることができる。
得られた熱硬化性樹脂（Ａ）を含む反応液を、例えば、ヘキサンやメタノール等のアルコール中に添加して熱硬化性樹脂（Ａ）を析出させる。次いで、熱硬化性樹脂（Ａ）を濾取し、例えば、ヘキサンやメタノール等のアルコール等により洗浄した後、これを乾燥させる。
本実施形態においては、たとえばこのようにして熱硬化性樹脂（Ａ）を合成することができる。
本実施形態においては、たとえばこのようにして熱硬化性樹脂（Ａ）を合成することができる。
［樹脂ワニス］
本実施形態においては、熱硬化性樹脂（Ａ）が有機溶剤に溶解したポリマー溶液（樹脂ワニス）を提供することができる。このポリマー溶液（樹脂ワニス）において、液温２５℃で、少なくとも一部のポリマーが溶解していればよいが、全てのポリマーが溶解していることが好ましい。
本実施形態においては、熱硬化性樹脂（Ａ）が有機溶剤に溶解したポリマー溶液（樹脂ワニス）を提供することができる。このポリマー溶液（樹脂ワニス）において、液温２５℃で、少なくとも一部のポリマーが溶解していればよいが、全てのポリマーが溶解していることが好ましい。
樹脂ワニスに用いられる有機溶剤としては、アセトン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カビトール系、アニソール、Ｎ－メチルピロリドン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、メチルエーテルアセテート、トルエン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等を挙げることができる。有機溶剤はこれらから選択される１種もしくは２種以上を混合して用いることができる。
樹脂ワニス中の熱硬化性樹脂の含有量の下限は、樹脂ワニス１００質量％に対して、例えば、５質量％以上、好ましくは７質量％以上、より好ましくは１０質量％以上、さらに好ましくは１５質量％以上である。一方、樹脂ワニス中の熱硬化性樹脂の含有量の上限は、樹脂ワニス１００質量％に対して、例えば、８０質量％以下、好ましくは７０質量％以下、より好ましくは６５質量％以下、さらに好ましくは６０質量％以下である。このような数値範囲内とすることで、樹脂ワニスのハンドリング性を向上でき、耐熱性に優れた樹脂材料を実現できる。
［熱硬化性樹脂組成物］
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、樹脂ワニスを用いて調製することができ、上述の熱硬化性樹脂（Ａ）と、架橋剤（Ｂ）とを含む。本実施形態の硬化性樹脂組成物は、低誘電率材料を提供することができる。
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、樹脂ワニスを用いて調製することができ、上述の熱硬化性樹脂（Ａ）と、架橋剤（Ｂ）とを含む。本実施形態の硬化性樹脂組成物は、低誘電率材料を提供することができる。
［架橋剤（Ｂ）］
架橋剤（Ｂ）は、熱硬化性樹脂（Ａ）を架橋することができ、本発明の効果を奏する範囲で公知の架橋剤を用いることができるが、常温（２５℃）で液状である架橋剤（ｂ１）を含むことが好ましい。
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、架橋剤（ｂ１）を含むことにより、耐熱性および低誘電特性に優れた硬化物を得ることができる。
架橋剤（Ｂ）は、熱硬化性樹脂（Ａ）を架橋することができ、本発明の効果を奏する範囲で公知の架橋剤を用いることができるが、常温（２５℃）で液状である架橋剤（ｂ１）を含むことが好ましい。
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、架橋剤（ｂ１）を含むことにより、耐熱性および低誘電特性に優れた硬化物を得ることができる。
常温（２５℃）で液状である架橋剤（ｂ１）は、２以上の反応性基を有する架橋剤を含むことができる。反応性基としては、ビニル基、アリル基、（メタ）アクリロイル基、ビニルフェニル基、マレイミド基等を挙げることができる。
２以上の反応性基を有する架橋剤としては、スチレン－ブタジエンゴム、ポリブタジエンゴム、トリアリルイソシアヌレート、ジビニルベンゼン等を挙げることができ、これらから選択される少なくとも１種を用いることができる。
架橋剤（ｂ１）は、熱硬化性樹脂（Ａ）１００質量部に対して、５質量部以上２００質量部以下、好ましくは１０質量部以上１８０質量部以下、より好ましくは２０質量部以上１５０質量部以下の量で含むことができる。
架橋剤（ｂ１）は、熱硬化性樹脂（Ａ）１００質量部に対して、５質量部以上２００質量部以下、好ましくは１０質量部以上１８０質量部以下、より好ましくは２０質量部以上１５０質量部以下の量で含むことができる。
架橋剤（Ｂ）は、架橋剤（ｂ１）とともに、常温（２５℃）で固形状である架橋剤（ｂ２）を含むことが好ましい。架橋剤（ｂ２）をさらに含むことにより、耐熱性および低誘電特性により優れた硬化物を得ることができる。
常温（２５℃）で固形状である架橋剤（ｂ２）は、重量平均分子量が１，０００以上２０，０００以下、好ましくは１，０００以上１０，０００以下、さらに好ましくは１，０００以上７，０００以下の架橋剤を含むことができる。架橋剤の重量平均分子量が当該範囲内にあれば、架橋剤は溶剤溶解性、相溶性に優れ、ワニスの粘度が低下するため加工性に優れる。
架橋剤（ｂ２）としては、末端メタクリレート変性ポリフェニレンエーテル、スチレン変性ポリフェニレンエーテル、ビスフェノールＡジメタクリレート、およびビス（３－エチル－５－メチル－４－マレイミドフェニル）メタン等を挙げることができ、これらから選択される少なくとも１種を用いることができる。
架橋剤（Ｂ）が架橋剤（ｂ２）を含む場合、架橋剤（ｂ２）は熱硬化性樹脂（Ａ）１００質量部に対して、１０質量部以上２００質量部以下、好ましくは２０質量部以上１８０質量部以下、より好ましくは３０質量部以上１５０質量部以下の量で含むことができる。
さらに、架橋剤（ｂ１）と架橋剤（ｂ２）との重量比（ｂ１：ｂ２）は、５：９５～９５：５、好ましくは２０：８０～８０：２０、さらに好ましくは２５：７５～７５：２５とすることができる。
さらに、架橋剤（ｂ１）と架橋剤（ｂ２）との重量比（ｂ１：ｂ２）は、５：９５～９５：５、好ましくは２０：８０～８０：２０、さらに好ましくは２５：７５～７５：２５とすることができる。
［ラジカル重合開始剤（Ｃ）］
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、さらにラジカル重合開始剤（Ｃ）を含むことが好ましい。
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、さらにラジカル重合開始剤（Ｃ）を含むことが好ましい。
ラジカル重合開始剤（Ｃ）としては、メチルエチルケトンパーオキサイド、メチルシクロヘキサノンパーオキサイド、メチルアセトアセテートパーオキサイド、アセチルアセトンパーオキサイド、１，１－ビス（ｔ－ブチルパーオキシ）３，３，５－トリメチルシクロヘキサン、１，１－ビス（ｔ－ヘキシルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１－ビス（ｔ－ヘキシルパーオキシ）３，３，５－トリメチルシクロヘキサン、１，１－ビス（ｔ－ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、２，２－ビス（４，４－ジ－ｔ－ブチルパーオキシシクロヘキシル）プロパン、１，１－ビス（ｔ－ブチルパーオキシ）シクロドデカン、ｎ－ブチル４，４－ビス（ｔ－ブチルパーオキシ）バレレート、２，２－ビス（ｔ－ブチルパーオキシ）ブタン、１，１－ビス（ｔ－ブチルパーオキシ）－２－メチルシクロヘキサン、ｔ－ブチルハイドロパーオキサイド、Ｐ－メンタンハイドロパーオキサイド、１，１，３，３－テトラメチルブチルハイドロパーオキサイド、ｔ－ヘキシルハイドロパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、２，５－ジメチル－２，５－ビス（ｔ－ブチルパーオキシ）ヘキサン、α，α'－ビス（ｔ－ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、ｔ－ブチルクミルパーオキサイド、ジ－ｔ－ブチルパーオキサイド、２，５－ジメチル－２，５－ビス（ｔ－ブチルパーオキシ）－３－ヘキシン、イソブチリルパーオキサイド、３，５，５－トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、桂皮酸パーオキサイド、ｍ－トルオイルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ビス（４－ｔ－ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、ジ－３－メトキシブチルパーオキシジカーボネート、ジ－２－エチルヘキシルパーオキシジカーボネート、ジ－ｓｅｃ－ブチルパーオキシジカーボネート、ジ（３－メチル－３－メトキシブチル）パーオキシジカーボネート、ジ（４－ｔ－ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、α，α'－ビス（ネオデカノイルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、クミルパーオキシネオデカノエート、１，１，３，３，－テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、１－シクロヘキシル－１－メチルエチルパーオキシネオデカノエート、ｔ－ヘキシルパーオキシネオデカノエート、ｔ－ブチルパーオキシネオデカノエート、ｔ－ヘキシルパーオキシピバレート、ｔ－ブチルパーオキシピバレート、２，５－ジメチル－２，５－ビス（２－エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン、１，１，３，３－テトラメチルブチルパーオキシ－２－エチルへキサノエート、１－シクロヘキシル－１－メチルエチルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート、ｔ－ヘキシルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート、ｔ－ブチルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート、ｔ－ブチルパーオキシイソブチレート、ｔ－ブチルパーオキシマレイックアシッド、ｔ－ブチルパーオキシラウレート、ｔ－ブチルパーオキシ－３，５，５－トリメチルヘキサノエート、ｔ－ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ－ブチルパーオキシ－２－エチルヘキシルモノカーボネート、２，５－ジメチル－２，５－ビス（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ－ブチルパーオキシアセテート、ｔ－ヘキシルパーオキシベンゾエート、ｔ－ブチルパーオキシ－ｍ－トルオイルベンゾエート、ｔ－ブチルパーオキシベンゾエート、ビス（ｔ－ブチルパーオキシ）イソフタレート、ｔ－ブチルパーオキシアリルモノカーボネート、３，３'，４，４'－テトラ（ｔ－ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノンなどが挙げられるが、これらは単独でまたは硬化性を制御するため２種類以上を混合して用いることもできる。
ラジカル重合開始剤（Ｃ）は、熱硬化性樹脂（Ａ）および架橋剤（Ｂ）の合計１００質量部に対して、０．１質量部以上５質量部以下の量で用いることができる。
［フィラー（Ｄ）］
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、さらにフィラー（Ｄ）を含むことが好ましい。
フィラー（Ｄ）としては、例えば、銀、酸化チタン、シリカ、マイカ等を挙げることができる。これらの中でもシリカを用いるのが好ましい。これにより、熱硬化性樹脂組成物の硬化物の熱特性に優れたものとすることができる。
また、シリカフィラーの形状としては、破砕シリカと球状シリカが挙げられ、球状シリカが好ましい。
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、さらにフィラー（Ｄ）を含むことが好ましい。
フィラー（Ｄ）としては、例えば、銀、酸化チタン、シリカ、マイカ等を挙げることができる。これらの中でもシリカを用いるのが好ましい。これにより、熱硬化性樹脂組成物の硬化物の熱特性に優れたものとすることができる。
また、シリカフィラーの形状としては、破砕シリカと球状シリカが挙げられ、球状シリカが好ましい。
フィラー（Ｄ）の含有量は、特に限定されないが、熱硬化性樹脂組成物全体に対して好ましくは１５～７０質量％、より好ましく２０～７０質量％の量で含まれる。これにより、熱硬化性樹脂組成物の硬化物は熱特性に優れる。
（その他の成分）
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は各用途の目的や要求特性に応じて、熱硬化性樹脂以外の樹脂、酸発生剤、耐熱向上剤、現像助剤、可塑剤、重合禁止剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、艶消し剤、消泡剤、レベリング剤、帯電防止剤、分散剤、スリップ剤、表面改質剤、揺変化剤、揺変助剤、界面活性剤、シラン系やアルミニウム系、チタン系などのカップリング剤、多価フェノール化合物、有機溶剤等のその他の成分が配合されても良い。
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は各用途の目的や要求特性に応じて、熱硬化性樹脂以外の樹脂、酸発生剤、耐熱向上剤、現像助剤、可塑剤、重合禁止剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、艶消し剤、消泡剤、レベリング剤、帯電防止剤、分散剤、スリップ剤、表面改質剤、揺変化剤、揺変助剤、界面活性剤、シラン系やアルミニウム系、チタン系などのカップリング剤、多価フェノール化合物、有機溶剤等のその他の成分が配合されても良い。
＜熱硬化性樹脂組成物及びその硬化物＞
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、上述の樹脂ワニスを用いて調製することができ、上述の成分を混合することにより調製することができる。本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、低誘電率材料を提供することができる。
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、上述の樹脂ワニスを用いて調製することができ、上述の成分を混合することにより調製することができる。本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、低誘電率材料を提供することができる。
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、所定のノルボルネン系モノマーを重合して得られるポリマーを含むものであるが、熱硬化性であり、さらにハンドリング性に優れ、低誘電率材料を提供することができることから、半導体素子の多層配線構造を構成する層間絶縁膜、回路基板を構成するビルドアップ層もしくはコア層等の製造安定性に優れ、これらの半導体用途に好適に用いることができる。
本実施形態の硬化性樹脂組成物は、必要に応じて有機溶剤を乾燥等により除去し、熱硬化により硬化物を得ることができる。熱硬化は大気下、窒素雰囲気下、真空下等で行うことができる。得られる硬化物に透明性が要求される場合は、窒素雰囲気下や真空下で実施することが好ましく、または酸化防止剤を併用することが好ましい。
本実施形態の硬化物（成形体）のガラス転移温度は、好ましくは１２０℃以上、より好ましくは１４０℃以上である。ガラス転移温度が１２０℃以上であることで、成形加工時に要求される耐熱性をクリアすることができる。ガラス転移温度の上限値は特に限定されないが３００℃以下である。
本実施形態の硬化物（成形体）の周波数１０ＧＨｚにおける比誘電率は、前記硬化物がフィラーやガラスクロスを含まない場合は、２．８以下、好ましくは２．６以下、より好ましくは２．５以下とすることができ、前記硬化物がフィラーやガラスクロスを含む場合は、４．０以下、好ましくは３．８以下、より好ましくは３．５以下とすることができる。これにより、硬化物を低誘電率材料に適用することができる。
本実施形態の硬化物（成形体）は、周波数１０ＧＨｚで測定したときの誘電正接（ｔａｎδ）が、０．００７以下であり、好ましくは０．００６以下、より好ましくは０．００５以下とすることができる。これにより、硬化物の誘電特性をより一層向上させることができる。
［用途］
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物の利用形態としては、特に限定されないが、例えば、上記熱硬化性樹脂組成物からなる樹脂膜、上記樹脂膜をキャリア基材上に設けたキャリア付樹脂膜、上記熱硬化性樹脂組成物を繊維基材に含浸してなるプリプレグ、上記プリプレグの硬化物の少なくとも一面に金属層が配置された金属張積層板、上記熱硬化性樹脂組成物の硬化物で構成された絶縁層を備える樹脂基板、上記金属張積層板または上記樹脂基板の表面に回路層が形成されたプリント配線基板等が挙げられる。
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物の利用形態としては、特に限定されないが、例えば、上記熱硬化性樹脂組成物からなる樹脂膜、上記樹脂膜をキャリア基材上に設けたキャリア付樹脂膜、上記熱硬化性樹脂組成物を繊維基材に含浸してなるプリプレグ、上記プリプレグの硬化物の少なくとも一面に金属層が配置された金属張積層板、上記熱硬化性樹脂組成物の硬化物で構成された絶縁層を備える樹脂基板、上記金属張積層板または上記樹脂基板の表面に回路層が形成されたプリント配線基板等が挙げられる。
（キャリア付き樹脂膜）
次いで、本実施形態のキャリア付樹脂膜について説明する。
図１は、本実施形態におけるキャリア付樹脂膜１００の構成の一例を示す断面図である。
次いで、本実施形態のキャリア付樹脂膜について説明する。
図１は、本実施形態におけるキャリア付樹脂膜１００の構成の一例を示す断面図である。
本実施形態のキャリア付樹脂膜１００は、図１に示すように、キャリア基材１２と、キャリア基材１２上に設けられている、上記熱硬化性樹脂組成物からなる樹脂膜１０と、を備えることができる。これにより、樹脂膜１０のハンドリング性を向上させることができる。
キャリア付樹脂膜１００は、巻き取り可能なロール形状でも、矩形形状などの枚葉形状であってもよい。
キャリア付樹脂膜１００は、巻き取り可能なロール形状でも、矩形形状などの枚葉形状であってもよい。
本実施形態において、キャリア基材１２としては、例えば、高分子フィルムや金属箔などを用いることができる。当該高分子フィルムとしては、特に限定されないが、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートなどのポリエステル、ポリカーボネート、シリコーンシート等の離型紙、フッ素系樹脂、ポリイミド樹脂などの耐熱性を有した熱可塑性樹脂シート等が挙げられる。当該金属箔としては、特に限定されないが、例えば、銅および＼または銅系合
金、アルミおよび＼またはアルミ系合金、鉄および＼または鉄系合金、銀および＼または銀系合金、金および金系合金、亜鉛および亜鉛系合金、ニッケルおよびニッケル系合金、錫および錫系合金などが挙げられる。これらの中でも、ポリエチレンテレフタレートで構成されるシートが安価および剥離強度の調節が簡便なため最も好ましい。これにより、上記キャリア付樹脂膜１００から、適度な強度で剥離することが容易となる。
樹脂膜１０の厚みの下限値は、特に限定されないが、例えば、１μｍ以上でもよく、３μｍ以上でもよく、５μｍ以上でもよい。これにより、樹脂膜１０の機械強度を高めることができる。一方、樹脂膜１０の厚みの上限値は、特に限定されないが、例えば、５００μｍ以下としてもよく、３００μｍ以下としてもよく、１００μｍ以下としてもよい。これにより、半導体装置の薄層化を図ることができる。
キャリア基材１２の厚みは、特に限定されないが、例えば、１０～１００μｍとしてもよく、１０～７０μｍとしてもよい。これにより、キャリア付樹脂膜１００を製造する際の取り扱い性が良好であり好ましい。
本実施形態のキャリア付樹脂膜１００は、単層でも多層でもよく、１種または２種以上の樹脂膜１０を含むことができる。当該樹脂シートが多層の場合、同種で構成されてもよく、異種で構成されてもよい。また、キャリア付樹脂膜１００は、樹脂膜１０上の最外層側に、保護膜を有していてもよい。
本実施形態において、キャリア付樹脂膜１００を形成する方法としては、特に限定されないが、例えば、ワニス状の熱硬化性樹脂組成物をキャリア基材１２上に、各種コーター装置を用いて塗布することにより塗布膜を形成した後、当該塗布膜を適切に乾燥させることにより溶剤を除去する方法を用いることができる。
（樹脂基板）
本実施形態の樹脂基板は、熱硬化性樹脂組成物の硬化物で構成された絶縁層を備えることができる。このような樹脂基板は、ガラス繊維を含まない構成とすることができ、プリント配線基板に利用することができる。
本実施形態の樹脂基板は、熱硬化性樹脂組成物の硬化物で構成された絶縁層を備えることができる。このような樹脂基板は、ガラス繊維を含まない構成とすることができ、プリント配線基板に利用することができる。
（プリプレグ）
本実施形態のプリプレグは、上記熱硬化性樹脂組成物を繊維基材に含浸してなるものである。例えば、プリプレグは、熱硬化性樹脂組成物を繊維基材に含浸させ、その後、半硬化させて得られるシート状の材料として利用できる。このような構造のシート状材料は、誘電特性、高温多湿下での機械的、電気的接続信頼性等の各種特性に優れ、プリント配線基板の絶縁層の製造に適している。
本実施形態のプリプレグは、上記熱硬化性樹脂組成物を繊維基材に含浸してなるものである。例えば、プリプレグは、熱硬化性樹脂組成物を繊維基材に含浸させ、その後、半硬化させて得られるシート状の材料として利用できる。このような構造のシート状材料は、誘電特性、高温多湿下での機械的、電気的接続信頼性等の各種特性に優れ、プリント配線基板の絶縁層の製造に適している。
熱硬化性樹脂組成物を繊維基材に含浸させる方法としては、特に限定されないが、例えば、熱硬化性樹脂組成物を溶剤に溶かして樹脂ワニスを調製し、繊維基材を上記樹脂ワニスに浸漬する方法、各種コーターにより上記樹脂ワニスを繊維基材に塗布する方法、スプレーにより上記樹脂ワニスを繊維基材に吹き付ける方法、熱硬化性樹脂組成物からなる上記樹脂膜で繊維基材の両面をラミネートする方法等が挙げられる。
本実施形態において、プリプレグは、例えば、プリント配線基板におけるビルドアップ層中の絶縁層やコア層中の絶縁層を形成するために用いることができる。プリプレグをプリント配線基板におけるコア層中の絶縁層を形成するために用いる場合は、例えば、２枚以上のプリプレグを重ね、得られた積層体を加熱硬化することによりコア層用の絶縁層とすることもできる。
上記繊維基材としては、とくに限定されないが、ガラス織布、ガラス不織布等のガラス繊維基材；ポリアミド樹脂繊維、芳香族ポリアミド樹脂繊維、全芳香族ポリアミド樹脂繊維等のポリアミド系樹脂繊維；ポリエステル樹脂繊維、芳香族ポリエステル樹脂繊維、全芳香族ポリエステル樹脂繊維等のポリエステル系樹脂繊維；ポリイミド樹脂繊維、フッ素樹脂繊維のいずれかを主成分とする織布または不織布で構成される合成繊維基材；クラフト紙、コットンリンター紙、あるいはリンターとクラフトパルプの混抄紙等を主成分とする紙基材；等が挙げられる。これらのうち、いずれかを使用することができる。これらの中でもガラス繊維基材が好ましい。これにより、低吸水性で、高強度、低熱膨張性の樹脂基板を得ることができる。
繊維基材の厚みは、とくに限定されないが、好ましくは５μｍ以上１５０μｍ以下であり、より好ましくは１０μｍ以上１００μｍ以下であり、さらに好ましくは１２μｍ以上９０μｍ以下である。このような厚みを有する繊維基材を用いることにより、プリプレグ製造時のハンドリング性がさらに向上できる。
繊維基材の厚みが上記上限値以下であると、繊維基材中の熱硬化性樹脂組成物の含浸性が向上し、ストランドボイドや絶縁信頼性の低下の発生を抑制することができる。また炭酸ガス、ＵＶ、エキシマ等のレーザーによるスルーホールの形成を容易にすることができる。また、繊維基材の厚みが上記下限値以上であると、繊維基材やプリプレグの強度を向上させることができる。その結果、ハンドリング性が向上できたり、プリプレグの作製が容易となったり、樹脂基板の反りを抑制できたりする。
上記ガラス繊維基材として、例えば、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｔガラス、ＮＥガラス、ＵＴガラス、Ｌガラス、ＨＰガラスおよび石英ガラスから選ばれる一種または二種以上のガラスにより形成されたガラス繊維基材が好適に用いられる。
（金属張積層板）
本実施形態において、金属張積層板は、上記プリプレグの硬化物の少なくとも一面に金属層が配置されたものである。
また、プリプレグを用いた金属張積層板製造方法は、例えば以下の通りである。
本実施形態において、金属張積層板は、上記プリプレグの硬化物の少なくとも一面に金属層が配置されたものである。
また、プリプレグを用いた金属張積層板製造方法は、例えば以下の通りである。
プリプレグまたはプリプレグを２枚以上重ね合わせた積層体の外側の上下両面または片面に金属箔を重ね、ラミネーター装置やベクレル装置を用いて高真空条件下でこれらを接合する、あるいはそのままプリプレグの外側の上下両面または片面に金属箔を重ねる。また、プリプレグを２枚以上積層するときは、積層したプリプレグの最も外側の上下両面もしくは片面に金属箔を重ねる。次いで、プリプレグと金属箔とを重ねた積層体を加熱加圧成形することで金属張積層板を得ることができる。ここで、加熱加圧成形時に、冷却終了時まで加圧を継続することが好ましい。
上記金属箔を構成する金属としては、例えば、銅、銅系合金、アルミ、アルミ系合金、銀、銀系合金、金、金系合金、亜鉛、亜鉛系合金、ニッケル、ニッケル系合金、錫、錫系合金、鉄、鉄系合金、コバール（商標名）、４２アロイ、インバー、スーパーインバー等のＦｅ－Ｎｉ系の合金、Ｗ、Ｍｏ等が挙げられる。これらの中でも、金属箔１０５を構成する金属としては、導電性に優れ、エッチングによる回路形成が容易であり、また安価であることから銅または銅合金が好ましい。すなわち、金属箔１０５としては、銅箔が好ましい。
また、金属箔としては、キャリア付金属箔等も使用することができる。
金属箔の厚みは、好ましくは０．５μｍ以上２０μｍ以下であり、より好ましくは１．５μｍ以上１８μｍ以下である。
本実施形態によれば、このような樹脂膜やそれを用いたプリプレグを採用することによ
り、平面方向における線膨張係数が低減されたプリント配線基板における絶縁層を構成することが可能になる。
また、金属箔としては、キャリア付金属箔等も使用することができる。
金属箔の厚みは、好ましくは０．５μｍ以上２０μｍ以下であり、より好ましくは１．５μｍ以上１８μｍ以下である。
本実施形態によれば、このような樹脂膜やそれを用いたプリプレグを採用することによ
り、平面方向における線膨張係数が低減されたプリント配線基板における絶縁層を構成することが可能になる。
（プリント配線基板）
本実施形態のプリント配線基板は、上記の樹脂膜の硬化物（熱硬化性樹脂組成物の硬化物）で構成された絶縁層を備えるものである。
本実施形態のプリント配線基板は、上記の樹脂膜の硬化物（熱硬化性樹脂組成物の硬化物）で構成された絶縁層を備えるものである。
本実施形態において、樹脂膜の硬化物は、例えば、通常のプリント配線基板のコア層やビルドアップ層やソルダーレジスト層、コア層を有しないプリント配線基板におけるビルドアップ層やソルダーレジスト層、ＰＬＰに用いられるコアレス基板の層間絶縁層やソルダーレジスト層、ＭＩＳ基板の層間絶縁層やソルダーレジスト層等に用いることができる。このような絶縁層は、複数の半導体パッケージを一括して作成するために利用させる大面積のプリント配線基板において、当該プリント配線基板を構成する層間絶縁層やソルダーレジスト層にも好適に用いることができる。
次に、本実施形態のプリント配線基板３００の一例を、図２（ａ）（ｂ）を用いて説明する。
次に、本実施形態のプリント配線基板３００の一例を、図２（ａ）（ｂ）を用いて説明する。
本実施形態のプリント配線基板３００は、上述の樹脂膜１０の硬化物で構成された絶縁層を備えるものである。上記プリント配線基板３００は、図２（ａ）に示すように、絶縁層３０１（コア層）と絶縁層４０１（ソルダーレジスト層）とを備える構造を有していてもよい。また、上記プリント配線基板３００は、図２（ｂ）に示すように、絶縁層３０１（コア層）、絶縁層３０５（ビルドアップ層）および絶縁層４０１（ソルダーレジスト層）を備える構造を有していてもよい。これらのコア層、ビルドアップ層、ソルダーレジスト層のそれぞれは、例えば、本実施形態の樹脂膜の硬化物で構成することができる。このコア層は、本実施形態の熱硬化性樹脂組成物を繊維基材に含浸させてなるプリプレグを硬化させた硬化体で構成されていてもよい。
本実施形態の樹脂膜からなる硬化物は、ガラスクロスや紙基材等の繊維基材を含まないものとすることができる。これにより、ビルドアップ層（層間絶縁層）やソルダーレジスト層を形成するためにとくに適した構成とすることができる。
また、本実施形態に係るプリント配線基板３００は、片面プリント配線基板であってもよいし、両面プリント配線基板または多層プリント配線基板であってもよい。両面プリント配線基板とは、絶縁層３０１の両面に金属層３０３を積層したプリント配線基板である。また、多層プリント配線基板とは、メッキスルーホール法やビルドアップ法等により、コア層である絶縁層３０１に、ビルドアップ層（例えば、絶縁層３０５）を２層以上積層したプリント配線基板である。
なお、本実施形態において、ビアホール３０７は、層間を電気的に接続するための孔であればよく、貫通孔および非貫通孔いずれでもよい。ビアホール３０７は金属を埋設して形成されてもよい。この埋設した金属は、無電解金属めっき膜３０８で覆われた構造を有していてもよい。
また、本実施形態において、上記金属層３０３は、例えば、回路パターンであってもよいし、電極パットであってもよい。この金属層３０３は、例えば、金属箔１０５および電解金属めっき層３０９の金属積層構造を有していてもよい。
金属層３０３は、例えば、薬液処理またはプラズマ処理された金属箔１０５または、本実施形態の樹脂膜の硬化物からなる絶縁層（例えば、絶縁層３０１や絶縁層３０５）の面上に、ＳＡＰ（セミアディティブプロセス）法により形成される。例えば、金属箔１０５または絶縁層３０１，３０５上に無電解金属めっき膜３０８を施した後、めっきレジストにより非回路形成部を保護し、電解めっきにより電解金属めっき層３０９付けを行い、めっきレジストの除去とフラッシュエッチングによる電解金属めっき層３０９をパターニングすることにより、金属層３０３を形成する。
また、本実施形態のプリント配線基板３００は、ガラス繊維を含まない樹脂基板とすることができる。例えば、コア層である絶縁層３０１は、ガラス繊維を含有しない構成であってもよい。
また、本実施形態のプリント配線基板３００は、ガラス繊維を含まない樹脂基板とすることができる。例えば、コア層である絶縁層３０１は、ガラス繊維を含有しない構成であってもよい。
（半導体装置）
次に、本実施形態の半導体装置について説明する。図３（ａ）（ｂ）は、半導体装置４００の構成の一例を示す断面図である。
次に、本実施形態の半導体装置について説明する。図３（ａ）（ｂ）は、半導体装置４００の構成の一例を示す断面図である。
本実施形態の半導体装置４００は、プリント配線基板３００と、プリント配線基板３００の回路層上に搭載された、またはプリント配線基板３００に内蔵された半導体素子と、を備えることができる。
例えば、図３（ａ）に示される半導体装置４００は、図３（ａ）に示されるプリント配線基板３００の回路層（金属層３０３）の上に、半導体素子４０７が搭載された構造を有する。一方、図３（ｂ）に示される半導体装置４００は、図３（ｂ）に示されるプリント配線基板３００の回路層（金属層３０３）の上に、半導体素子４０７が搭載された構造を有する。半導体素子４０７は、封止材層４１３に覆われている。このような半導体パッケージは、半田バンプ４１０および金属層３０３を介して、半導体素子４０７が、プリント配線基板３００と電気的に接続するフリップチップ構造であってもよい。
本実施形態において、半導体パッケージの構造としては、上記フリップチップ接続構造に限定されずに、各種の構造を有してもよいが、例えば、ファンアウト構造を用いることができる。本実施形態の樹脂膜の硬化物からなる絶縁層は、ファンアウト構造を有する半導体パッケージの製造プロセスにおいて、基板反りや基板クラックを抑制することができる。
次に、本実施形態のプリント配線基板の変形例を説明する。図４は、プリント配線基板５００の製造プロセス一例の工程断面図である。図４（ｃ）は、コア層を有しないプリント配線基板５００を示す。
本実施形態のプリント配線基板５００は、繊維基材を有するコア層を備えないものであり、例えば、ビルドアップ層やソルダーレジスト層で構成されているコアレス樹脂基板とすることができる。これらのビルドアップ層やソルダーレジスト層は、本実施形態の樹脂膜の硬化物からなる絶縁層で構成されていることが好ましい。例えば、図４（ｃ）に示すプリント配線基板５００は、２層のビルドアップ層（絶縁層５４０，５５０）とソルダーレジスト層（絶縁層５６０）を備えるものである。なお、プリント配線基板５００のビルドアップ層は、単層でもよく、２以上の複数層を有していてもよい。
本実施形態の樹脂膜の硬化物からなる絶縁層は強靱性に優れるので、プリント配線基板５００の反りや搬送時におけるクラックを抑制することができる。
本実施形態の樹脂膜の硬化物からなる絶縁層は強靱性に優れるので、プリント配線基板５００の反りや搬送時におけるクラックを抑制することができる。
図４（ｃ）に示される金属層５４２，５５２，５６２は、回路パターンであってもよいし、電極パットであってもよく、前述のように、ＳＡＰ法で形成されていてもよい。これらの金属層５４２，５５２，５６２は、単層でも複数の金属層であってもよい。
プリント配線基板５００は、平面上に複数の半導体素子を搭載することができる大面積を有していてもよい。これにより、プリント配線基板５００に搭載された複数の半導体素子を一括封止した後、これらを個片化することにより、複数の半導体パッケージを得ることができる。なお、プリント配線基板５００は、略円形形状や矩形形状等のパネル基板とすることができる。
上記プリント配線基板５００の製造方法は、特に限定されないが、例えば、支持基板５１０上に、ビルドアップ層、ソルダーレジスト層を形成した後、この支持基板５１０を剥離することにより得ることができる。具体的には、図４（ａ）に示すように、大面積の支持基板５１０（例えば、ＳＵＳで構成される板部材）上に、キャリア箔５２０、金属箔５３０（例えば、銅箔）を配置する。このとき、支持基板５１０とキャリア箔５２０の間に不図示の接着樹脂を配置することができる。続いて、金属箔５３０上に金属層５４２を形成する。この金属層５４２を、たとえば、ＳＡＰ方法等の通常の手法によりパターニングする。続いて、加熱加圧成形法等により、上記キャリア膜付樹脂膜を積層した後、キャリア膜付樹脂膜からキャリア基材を剥離する。そして、樹脂膜を硬化する。これらを３回繰り返して、２層のビルドアップ層と１層のソルダーレジスト層を形成する。
その後、図４（ｂ）に示すように支持基板５１０を剥離する。そして、金属箔５３０をエッチング等により除去する。
その後、図４（ｂ）に示すように支持基板５１０を剥離する。そして、金属箔５３０をエッチング等により除去する。
以上により、図４（ｃ）に示すプリント配線基板５００が得られる。
次に、本実施形態のプリント配線基板の変形例を説明する。図５は、プリント配線基板６００の構成の一例を示す断面図である。
次に、本実施形態のプリント配線基板の変形例を説明する。図５は、プリント配線基板６００の構成の一例を示す断面図である。
図５に示すプリント配線基板６００は、ＰＬＰ（パネルレベルパッケージ）プロセスに用いられるコアレス樹脂基板６１０で構成されていてもよい。ＰＬＰプロセスは、例えば、配線板プロセスを利用して、ウエハ以上の大面積を有するパネルサイズパッケージを得ることができる。ＰＬＰプロセスを使用することにより、ウエハレベルプロセスよりも半導体パッケージの生産性を効率的に向上させることができる。
本実施形態において、コアレス樹脂基板６１０の絶縁層６１２（層間絶縁層）や絶縁層６３０，６３２（ソルダーレジスト層）は、本実施形態の樹脂膜の硬化物からなる絶縁層で構成されていてもよい。本実施形態の樹脂膜の硬化物は強靱性に優れているため、ＰＬＰプロセス中において、プリント配線基板６００の反りや、とくに搬送時や実装時におけるコアレス樹脂基板６１０のクラックを効果的に抑制することができる。
また、本実施形態のプリント配線基板６００は、その平面内において複数の半導体素子（不図示）を搭載することができるような大面積を有している。そして、プリント配線基板６００の面内方向に搭載された複数の半導体素子を一括して封止した後、これらを個片化することにより、複数の半導体パッケージを得ることができる。本実施形態の樹脂膜の硬化物の線膨張係数を低くすることができるので、ＰＬＰプロセスで得られた半導体パッケージにおいてパッケージ反りを抑制することができる。
プリント配線基板６００は、コアレス樹脂基板６１０と、その表面に形成されたソルダーレジスト層（絶縁層６３０，６３２）を備えることができる。コアレス樹脂基板６１０は、内蔵された半導体素子６２０を有してもよい。半導体素子６２０は、ビア配線６１６を介して電気的に接続することができる。また、コアレス樹脂基板６１０は、絶縁層６１２（層間絶縁層）およびビア配線６１６を少なくとも有することができる。ビア配線６１６を介して、下面の金属層６４０（電極パッド）と上面の金属層６１８（ポスト）とを電気的に接続することができる。また、ビア配線６１６は、例えば、金属層６１４（ポスト）を介して金属層６４０に接続することができる。コアレス樹脂基板６１０において、ビア配線６１６および金属層６１４が埋設されている。ポストである金属層６１４は、表面がコアレス樹脂基板６１０の表面と同一平面を構成してもよい。本実施形態のプリント配線基板６００において、コアレス樹脂基板６１０は、単層の層間絶縁層で構成されているが、この構成に限定されずに、複数の層間絶縁層が積層した構造を有していてもよい。このような層間絶縁層中には少なくとも層間接続配線としてビア配線６１６が形成されていてもよい。また、本実施形態において、ビア配線６１６、金属層６１４、または金属層６１８は、例えば、銅などの金属で構成されていてもよい。
また、コアレス樹脂基板６１０の上面と下面は、ソルダーレジスト層（絶縁層６３０，６３２）で覆われていてもよい。例えば、絶縁層６３０は、絶縁層６１２の表面上に形成された金属層６５０を覆うことができる。金属層６５０は、第１金属層６５２（めっき層）と第２金属層６５４（無電解めっき層）とで構成されており、例えば、ＳＡＰ法で形成された金属層であってもよい。金属層６５０は、例えば、回路パターンまたは電極パッドでもよい。
また、本実施形態のプリント配線基板６００の製造方法は、特に限定されないが、例えば、次のような方法を用いることができる。例えば、支持基板上に絶縁層６１２を形成する。続いて、絶縁層６１２にビアを形成し、ビア内をめっき方法により金属膜を埋設したビア配線６１６を形成する。続いて、絶縁層６１２の表面上に、ＳＡＰ方法により再配線（金属層６５０）を形成する。その後、このような層間接続配線を有する層間絶縁層を複数層、積層してもよい。その後、ソルダーレジスト層（絶縁層６３０，６３２）を形成する。
以上により、プリント配線基板６００を得ることができる。
以上により、プリント配線基板６００を得ることができる。
次に、本実施形態のプリント配線基板の変形例を説明する。図６は、プリント配線基板７００の構成の一例を示す断面図である。
図６に示すプリント配線基板７００は、ポスト付き基板（ＭＩＳ基板）で構成することができる。例えば、ポスト付き基板は、絶縁層７１２（層間絶縁層）内に、ビア配線７１６と金属層７１８（ポスト）が埋設された構造を有するコアレス樹脂基板７１０で構成することができる。ポスト付き基板は、個片化された後の基板であっても、個片化前の大面積を有する基板（例えば、ウエハの様な支持体）であってもよい。
本実施形態のプリント配線基板７００を用いることにより、ウエハレベルプロセスと同程度以上に、半導体パッケージの生産性を効率的に向上させることができる。
本実施形態において、コアレス樹脂基板７１０の絶縁層７１２（層間絶縁層）や絶縁層７３０，７３２（ソルダーレジスト層）は、本実施形態の樹脂膜の硬化物からなる絶縁層で構成されていてもよい。本実施形態の樹脂膜の硬化物は強靱性に優れているため、プリント配線基板７００の反りや、とくに搬送時や実装時におけるコアレス樹脂基板７１０のクラックを効果的に抑制することができる。
また、本実施形態のプリント配線基板７００は、その平面内において複数の半導体素子（不図示）を搭載することができるような大面積を有している。そして、プリント配線基板７００の面内方向に搭載された複数の半導体素子を一括して封止した後、これらを個片化することにより、複数の半導体パッケージを得ることができる。本実施形態の樹脂膜の硬化物の線膨張係数を低くすることができるので、得られた半導体パッケージにおいてパッケージ反りを抑制することができる。
プリント配線基板７００は、コアレス樹脂基板７１０と、その表面に形成されたソルダーレジスト層（絶縁層７３０，７３２）を備えることができる。コアレス樹脂基板７１０は、内蔵された半導体素子７２０を有してもよい。半導体素子７２０は、ビア配線７１６を介して電気的に接続することができる。また、コアレス樹脂基板７１０は、絶縁層７１２（層間絶縁層）およびビア配線７１６および金属層７１８（ポスト）を少なくとも有することができる。ビア配線７１６を介して、下面の金属層７１４（ポスト）と上面の金属層７１８（ポスト）とを電気的に接続することができる。また、絶縁層７１２内に埋設された金属層７１４は、絶縁層７１２の表面に形成された金属層７４０（電極パッド）に接続することができる。また、絶縁層７１２の表面は、研磨面を有していてもよい。金属層７１８の一面は、絶縁層７１２の研磨面と同一平面を構成してもよい。
本実施形態のプリント配線基板７００において、コアレス樹脂基板７１０は、単層の層間絶縁層で構成されているが、この構成に限定されずに、複数の層間絶縁層が積層した構造を有していてもよい。このような層間絶縁層中には、層間接続配線としてビア配線７１６および金属層７１８（ポスト）が形成されていてもよい。また、本実施形態において、ビア配線７１６、金属層７１４、または金属層７１８は、例えば、銅などの金属で構成されていてもよい。また、コアレス樹脂基板７１０の上面と下面は、ソルダーレジスト層（絶縁層７３０，７３２）で覆われていてもよい。
また、本実施形態のプリント配線基板７００の製造方法は、特に限定されないが、例えば、次のような方法を用いることができる。例えば、支持基板上に、絶縁層上に銅ポスト（例えば、金属層７１８）を形成する。銅ポストをさらに絶縁層で埋め込む。続いて、グラインドやケミカルエッチングなどの方法により、当該銅ポストの表面を露出する（つまり、銅ポストの頭出しを行う）。続いて、ＳＡＰ方法により再配線を形成する。このような工程により層間絶縁層を有するコアレス樹脂基板７１０を形成できる。この後、層間絶縁層を形成する工程を複数回繰り返すことにより、層間接続配線を有する層間絶縁層を複数層、積層してもよい。その後、ソルダーレジスト層（絶縁層７３０，７３２）を形成する。以上により、プリント配線基板７００を得ることができる。
以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、本発明の効果を損なわない範囲で、上記以外の様々な構成を採用することができる。
以下に、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
［合成例１］
ノルボルネン（７５％濃度トルエン溶液）を、ブチルノルボルネンに変更し、下記表１の条件にしたがい合成例３と同様に重合した。反応終了後、反応液５７ｇをトルエン１００ｇで希釈し、２００ｇのメタノールに滴下して再沈殿させた。析出したポリマーを濾別してポリマーを回収した後、２００ｇのメタノールで濾物を洗浄し、濾別した。最後に常温中真空乾燥を行い精製したポリマー１を得た。
得られたポリマー１における、ブチルノルボルネンと５－ビニル－２－ノルボルネンとの組成比は１Ｈ－ＮＭＲ測定により計算したところ５：５であった。
以下の条件で測定された、得られたポリマー１の重量平均分子量（Ｍｗ）は６，０００、数平均分子量（Ｍｎ）２，５００は、分子量分布（ＰＤＩ：Ｍｗ／Ｍｎ）は２．３であった。
（測定条件）
得られたポリマー１の重量平均分子量（Ｍｗ）、数平均分子量（Ｍｎ）、および分子量分布（ＰＤＩ：Ｍｗ／Ｍｎ）は、ＧＰＣ測定により得られる標準ポリスチレン（ＰＳ）の検量線から求めた、ポリスチレン換算値を用いた。測定条件は、以下の通りである。
東ソー（株）社製ゲルパーミエーションクロマトグラフィー装置ＨＬＣ－８３２０ＧＰＣ
カラム：東ソー（株）社製ＴＳＫ－ＧＥＬ Ｓｕｐｅｒｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＺ－Ｍ
検出器：液体クロマトグラム用ＲＩ検出器
測定温度：４０℃
溶剤：ＴＨＦ
試料濃度：２．０ｍｇ／ミリリットル
ノルボルネン（７５％濃度トルエン溶液）を、ブチルノルボルネンに変更し、下記表１の条件にしたがい合成例３と同様に重合した。反応終了後、反応液５７ｇをトルエン１００ｇで希釈し、２００ｇのメタノールに滴下して再沈殿させた。析出したポリマーを濾別してポリマーを回収した後、２００ｇのメタノールで濾物を洗浄し、濾別した。最後に常温中真空乾燥を行い精製したポリマー１を得た。
得られたポリマー１における、ブチルノルボルネンと５－ビニル－２－ノルボルネンとの組成比は１Ｈ－ＮＭＲ測定により計算したところ５：５であった。
以下の条件で測定された、得られたポリマー１の重量平均分子量（Ｍｗ）は６，０００、数平均分子量（Ｍｎ）２，５００は、分子量分布（ＰＤＩ：Ｍｗ／Ｍｎ）は２．３であった。
（測定条件）
得られたポリマー１の重量平均分子量（Ｍｗ）、数平均分子量（Ｍｎ）、および分子量分布（ＰＤＩ：Ｍｗ／Ｍｎ）は、ＧＰＣ測定により得られる標準ポリスチレン（ＰＳ）の検量線から求めた、ポリスチレン換算値を用いた。測定条件は、以下の通りである。
東ソー（株）社製ゲルパーミエーションクロマトグラフィー装置ＨＬＣ－８３２０ＧＰＣ
カラム：東ソー（株）社製ＴＳＫ－ＧＥＬ Ｓｕｐｅｒｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＺ－Ｍ
検出器：液体クロマトグラム用ＲＩ検出器
測定温度：４０℃
溶剤：ＴＨＦ
試料濃度：２．０ｍｇ／ミリリットル
［合成例２］
ノルボルネン、５－ビニル－２－ノルボルネン、フェニルエチルノルボルネンの3種のモノマーを用い、下記表１の条件にしたがい合成例３と同様に重合した。反応終了後、反応液６６ｇを４８０ｇのメタノールに滴下して再沈殿させた。析出したポリマーを濾別し、風乾させた後、６０ｇのトルエンと１１０ｇのＴＨＦに溶解させた。溶解させた液体を１０７０ｇのメタノールに滴下して再び再沈殿させ、濾別した。最後に常温中真空乾燥を行い精製したポリマー２を得た。
得られたポリマー２における、ノルボルネンとフェニルエチルノルボルネンと５－ビニル－２－ノルボルネンとの組成比は１Ｈ－ＮＭＲ測定により計算したところ３：１：１であった。
前記条件で測定された、得られたポリマー２の重量平均分子量（Ｍｗ）２，７００は、数平均分子量（Ｍｎ）１，４００は、分子量分布（ＰＤＩ：Ｍｗ／Ｍｎ）は２．０であった。
ノルボルネン、５－ビニル－２－ノルボルネン、フェニルエチルノルボルネンの3種のモノマーを用い、下記表１の条件にしたがい合成例３と同様に重合した。反応終了後、反応液６６ｇを４８０ｇのメタノールに滴下して再沈殿させた。析出したポリマーを濾別し、風乾させた後、６０ｇのトルエンと１１０ｇのＴＨＦに溶解させた。溶解させた液体を１０７０ｇのメタノールに滴下して再び再沈殿させ、濾別した。最後に常温中真空乾燥を行い精製したポリマー２を得た。
得られたポリマー２における、ノルボルネンとフェニルエチルノルボルネンと５－ビニル－２－ノルボルネンとの組成比は１Ｈ－ＮＭＲ測定により計算したところ３：１：１であった。
前記条件で測定された、得られたポリマー２の重量平均分子量（Ｍｗ）２，７００は、数平均分子量（Ｍｎ）１，４００は、分子量分布（ＰＤＩ：Ｍｗ／Ｍｎ）は２．０であった。
［合成例３］
三口フラスコに、ノルボルネン（７５％濃度トルエン溶液）、５－ビニル－２－ノルボルネン、トリエチルシラン、１－ブタノール、およびアニソールを下記表１の重量比で加え、反応液を得た。反応液を窒素バブリングした後、７５℃に加熱した。
触媒（パラジウム（II）（アセトニトリル）ビス（トリイソプロピルホスフィン）アセテートテトラキス（２，３，４，５，６－ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｐｄ－１２０６）および助触媒（Ｎ，Ｎ－ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ＤＡＮＦＡＢＡ）をトルエン：酢酸エチル＝６：４溶液に溶かしたものを用意し、ノルボルネンモノマー総量：触媒：助触媒＝２００００：１：１（モル比）になるように反応液に投入した。そして、下記表１に記載した反応温度および時間で加熱して重合した。重合終了後、放冷して反応を停止させた。
反応終了後、反応液１１０ｇを５００ｇのメタノールと１５０ｇのＴＨＦの混合液中に滴下して再沈殿させた。濾別してポリマーを回収した後、１００ｇのメタノールと１００ｇのＴＨＦの混合液で濾物を洗浄し、濾別した。最後に８０℃真空乾燥を行い精製したポリマー３を得た。
前記条件で測定された、得られたポリマー３の重量平均分子量（Ｍｗ）は２，２００、数平均分子量（Ｍｎ）は１，０００、分子量分布（ＰＤＩ：Ｍｗ／Ｍｎ）は２．２であった。
三口フラスコに、ノルボルネン（７５％濃度トルエン溶液）、５－ビニル－２－ノルボルネン、トリエチルシラン、１－ブタノール、およびアニソールを下記表１の重量比で加え、反応液を得た。反応液を窒素バブリングした後、７５℃に加熱した。
触媒（パラジウム（II）（アセトニトリル）ビス（トリイソプロピルホスフィン）アセテートテトラキス（２，３，４，５，６－ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｐｄ－１２０６）および助触媒（Ｎ，Ｎ－ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ＤＡＮＦＡＢＡ）をトルエン：酢酸エチル＝６：４溶液に溶かしたものを用意し、ノルボルネンモノマー総量：触媒：助触媒＝２００００：１：１（モル比）になるように反応液に投入した。そして、下記表１に記載した反応温度および時間で加熱して重合した。重合終了後、放冷して反応を停止させた。
反応終了後、反応液１１０ｇを５００ｇのメタノールと１５０ｇのＴＨＦの混合液中に滴下して再沈殿させた。濾別してポリマーを回収した後、１００ｇのメタノールと１００ｇのＴＨＦの混合液で濾物を洗浄し、濾別した。最後に８０℃真空乾燥を行い精製したポリマー３を得た。
前記条件で測定された、得られたポリマー３の重量平均分子量（Ｍｗ）は２，２００、数平均分子量（Ｍｎ）は１，０００、分子量分布（ＰＤＩ：Ｍｗ／Ｍｎ）は２．２であった。
［合成例４］
５－ビニル－２－ノルボルネンを、ブテニルノルボルネンに変更し、下記表１の条件にしたがい合成例３と同様に重合した。反応終了後、反応液６８ｇを５１０ｇのメタノールに滴下して再沈殿させた。析出したポリマーを濾別し、風乾させた後、４０ｇのＴＨＦに溶解させた。溶解させた液体を４３０ｇのメタノールに滴下して再び再沈殿させ、濾別した。最後に常温中真空乾燥を行い精製したポリマー４を得た。
得られたポリマー４における、ノルボルネンとブテニルノルボルネンとの組成比は１Ｈ－ＮＭＲ測定により計算したところ３：１であった。
前記条件で測定された、得られたポリマー４の重量平均分子量（Ｍｗ）は２，７００、数平均分子量（Ｍｎ）は１，３００、分子量分布（ＰＤＩ：Ｍｗ／Ｍｎ）は２．２であった。
５－ビニル－２－ノルボルネンを、ブテニルノルボルネンに変更し、下記表１の条件にしたがい合成例３と同様に重合した。反応終了後、反応液６８ｇを５１０ｇのメタノールに滴下して再沈殿させた。析出したポリマーを濾別し、風乾させた後、４０ｇのＴＨＦに溶解させた。溶解させた液体を４３０ｇのメタノールに滴下して再び再沈殿させ、濾別した。最後に常温中真空乾燥を行い精製したポリマー４を得た。
得られたポリマー４における、ノルボルネンとブテニルノルボルネンとの組成比は１Ｈ－ＮＭＲ測定により計算したところ３：１であった。
前記条件で測定された、得られたポリマー４の重量平均分子量（Ｍｗ）は２，７００、数平均分子量（Ｍｎ）は１，３００、分子量分布（ＰＤＩ：Ｍｗ／Ｍｎ）は２．２であった。
［合成例５］
５－ビニル－２－ノルボルネンを、ヘキセニルノルボルネンに変更し、下記表１の条件にしたがい合成例３と同様に重合した。反応終了後、反応液１１３ｇを８５０ｇのメタノールに滴下して再沈殿させた。析出したポリマーを濾別し、風乾させた後、９０ｇのトルエンと１８０ｇのＴＨＦに溶解させた。溶解させた液体を２４５０ｇのメタノールに滴下して再び再沈殿させ、濾別した。最後に常温下で真空乾燥を行い精製したポリマー５を得た。
得られたポリマー５における、ノルボルネンとヘキセニルノルボルネンとの組成比は１Ｈ－ＮＭＲ測定により計算したところ３：１であった。
前記条件で測定された、得られたポリマー５の重量平均分子量（Ｍｗ）は３，１００、数平均分子量（Ｍｎ）は１，５００、分子量分布（ＰＤＩ：Ｍｗ／Ｍｎ）は２．０であった。
５－ビニル－２－ノルボルネンを、ヘキセニルノルボルネンに変更し、下記表１の条件にしたがい合成例３と同様に重合した。反応終了後、反応液１１３ｇを８５０ｇのメタノールに滴下して再沈殿させた。析出したポリマーを濾別し、風乾させた後、９０ｇのトルエンと１８０ｇのＴＨＦに溶解させた。溶解させた液体を２４５０ｇのメタノールに滴下して再び再沈殿させ、濾別した。最後に常温下で真空乾燥を行い精製したポリマー５を得た。
得られたポリマー５における、ノルボルネンとヘキセニルノルボルネンとの組成比は１Ｈ－ＮＭＲ測定により計算したところ３：１であった。
前記条件で測定された、得られたポリマー５の重量平均分子量（Ｍｗ）は３，１００、数平均分子量（Ｍｎ）は１，５００、分子量分布（ＰＤＩ：Ｍｗ／Ｍｎ）は２．０であった。
［合成例６］
下記表１の条件にしたがい合成例３と同様に重合した。反応終了後、反応液５８０ｇを１４００ｇのメタノールに滴下して再沈殿させた。析出したポリマーを濾別し、風乾させた後、３５０ｇのトルエンに溶解させた。溶解させた液体を１８００ｇのメタノールと３６０ｇのＴＨＦの混合液に滴下して再び再沈殿させ、濾別した。最後に８０℃真空乾燥を行い精製したポリマー６を得た。
下記表１の条件にしたがい合成例３と同様に重合した。反応終了後、反応液５８０ｇを１４００ｇのメタノールに滴下して再沈殿させた。析出したポリマーを濾別し、風乾させた後、３５０ｇのトルエンに溶解させた。溶解させた液体を１８００ｇのメタノールと３６０ｇのＴＨＦの混合液に滴下して再び再沈殿させ、濾別した。最後に８０℃真空乾燥を行い精製したポリマー６を得た。
以下に、熱硬化性樹脂組成物の調製において用いた成分を示す。
（熱硬化性樹脂）
・ポリマー１：合成例１で得られたポリマー
・ポリマー２：合成例２で得られたポリマー
・ポリマー３：合成例３で得られたポリマー
・ポリマー４：合成例４で得られたポリマー
・ポリマー５：合成例５で得られたポリマー
（熱硬化性樹脂）
・ポリマー１：合成例１で得られたポリマー
・ポリマー２：合成例２で得られたポリマー
・ポリマー３：合成例３で得られたポリマー
・ポリマー４：合成例４で得られたポリマー
・ポリマー５：合成例５で得られたポリマー
（エポキシ樹脂）
・エポキシ樹脂１：ナフタレン変性クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（製品名：ＥＸＡ－７３２０、ＤＩＣ社製）
・エポキシ樹脂１：ナフタレン変性クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（製品名：ＥＸＡ－７３２０、ＤＩＣ社製）
（シアネート樹脂）
・シアネート樹脂１：フェノールノボラック型シアネート樹脂（製品名：ＰＴ－３０、ロンザジャパン社製）
・シアネート樹脂１：フェノールノボラック型シアネート樹脂（製品名：ＰＴ－３０、ロンザジャパン社製）
（架橋剤：常温（２５℃）で液状）
・架橋剤１：トリアリルイソシアヌレート（数平均分子量：２４９、製品名：ＴＡＩＣ、三菱ケミカル社製）
・架橋剤２：ポリブタジエンン（数平均分子量：１２００、製品名：Ｂ－１０００、日本石油化学社製）
・架橋剤３：スチレン－ブタジエンゴム（スチレン含量：２５質量％、数平均分子量：４５００、製品名：Ｒｉｃｏｎ１００、クレイバレー社製）
・架橋剤１：トリアリルイソシアヌレート（数平均分子量：２４９、製品名：ＴＡＩＣ、三菱ケミカル社製）
・架橋剤２：ポリブタジエンン（数平均分子量：１２００、製品名：Ｂ－１０００、日本石油化学社製）
・架橋剤３：スチレン－ブタジエンゴム（スチレン含量：２５質量％、数平均分子量：４５００、製品名：Ｒｉｃｏｎ１００、クレイバレー社製）
（架橋剤：常温（２５℃）で固形状）
・架橋剤４：末端メタアクリル基変性ポリフェニレンエーテル（数平均分子量：１，７００、製品名：ＳＡ－９０００、ＳＡＢＩＣイノベーティブプラスチクスジャパン合同会社製）
・架橋剤５：スチレン変性ポリフェニレンエーテル（数平均分子量：２，２００、製品名：ＯＰＥ－２ｓｔ－２２００、三菱瓦斯化学社製、）
・架橋剤４：末端メタアクリル基変性ポリフェニレンエーテル（数平均分子量：１，７００、製品名：ＳＡ－９０００、ＳＡＢＩＣイノベーティブプラスチクスジャパン合同会社製）
・架橋剤５：スチレン変性ポリフェニレンエーテル（数平均分子量：２，２００、製品名：ＯＰＥ－２ｓｔ－２２００、三菱瓦斯化学社製、）
（ラジカル重合開始剤）
・ラジカル重合開始剤１：ビス（ｔ－ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン（製品名：パーブチルＰ、日本油脂社製）
・ラジカル重合開始剤１：ビス（ｔ－ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン（製品名：パーブチルＰ、日本油脂社製）
（硬化促進剤）
・硬化促進剤１：２－フェニル－４－メチルイミダゾール（製品名：２Ｐ４ＭＺ、四国化成社製）
・硬化促進剤１：２－フェニル－４－メチルイミダゾール（製品名：２Ｐ４ＭＺ、四国化成社製）
（シリカフィラー）
・シリカフィラー１：アドマテックス社製、ＳＣ４０５０、粒径１．１μｍ
・シリカフィラー１：アドマテックス社製、ＳＣ４０５０、粒径１．１μｍ
［実施例１～１０、比較例１］
表２に示す各成分を溶解または分散させ、トルエンで不揮発分６０質量％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して、ワニス状の熱硬化性樹脂組成物を調製した。
調製した熱硬化性樹脂組成物を、ポリイミドフィルム上に塗布し、乾燥し１００μｍの樹脂膜を得た。樹脂膜の上にポリイミドフィルムを重ね、真空減圧下、２００～２２５℃９０分間、押圧力０．２ＭＰａで真空プレスを行った。
室温まで冷却後、硬化膜をポリイミドフィルムから剥離して、これを試験片とした。
得られた樹脂板について以下の測定法により、誘電特性（比誘電率、誘電正接）、ガラス転移温度を測定した。結果を表１に示す。
表２に示す各成分を溶解または分散させ、トルエンで不揮発分６０質量％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して、ワニス状の熱硬化性樹脂組成物を調製した。
調製した熱硬化性樹脂組成物を、ポリイミドフィルム上に塗布し、乾燥し１００μｍの樹脂膜を得た。樹脂膜の上にポリイミドフィルムを重ね、真空減圧下、２００～２２５℃９０分間、押圧力０．２ＭＰａで真空プレスを行った。
室温まで冷却後、硬化膜をポリイミドフィルムから剥離して、これを試験片とした。
得られた樹脂板について以下の測定法により、誘電特性（比誘電率、誘電正接）、ガラス転移温度を測定した。結果を表１に示す。
＜空洞共振器法による誘電特性（比誘電率、誘電正接）の測定＞
実施例において得られた樹脂板を室温まで冷却後、硬化膜をポリイミドフィルムから剥離して、これを試験片とした。
試験片は、２２±１℃、６０±５％ＲＨの環境下に１２時間置いて前処理した。
測定装置としては、ネットワークアナライザＨＰ８５１０Ｃ、シンセサイズドスイーパＨＰ８３６５１ＡおよびテストセットＨＰ８５１７Ｂ（全てアジレント・テクノロジー社製）を準備した。円筒空洞共振器の寸法は内径φ４２ｍｍ、高さ３０ｍｍであり、共振器は試料未挿入の場合にＴＥ０１１モードが１０ＧＨｚ近傍になるように設計されている。
上記共振器内に試験片を挿入した状態と、未挿入状態とで、共振周波数、３ｄＢ帯域幅、透過電力比などを測定した。そして、これら測定結果をソフトウェアで解析的に計算することで、誘電正接等の誘電特性を求めた。なお、測定モードはＴＥ０１１モードとした。
実施例において得られた樹脂板を室温まで冷却後、硬化膜をポリイミドフィルムから剥離して、これを試験片とした。
試験片は、２２±１℃、６０±５％ＲＨの環境下に１２時間置いて前処理した。
測定装置としては、ネットワークアナライザＨＰ８５１０Ｃ、シンセサイズドスイーパＨＰ８３６５１ＡおよびテストセットＨＰ８５１７Ｂ（全てアジレント・テクノロジー社製）を準備した。円筒空洞共振器の寸法は内径φ４２ｍｍ、高さ３０ｍｍであり、共振器は試料未挿入の場合にＴＥ０１１モードが１０ＧＨｚ近傍になるように設計されている。
上記共振器内に試験片を挿入した状態と、未挿入状態とで、共振周波数、３ｄＢ帯域幅、透過電力比などを測定した。そして、これら測定結果をソフトウェアで解析的に計算することで、誘電正接等の誘電特性を求めた。なお、測定モードはＴＥ０１１モードとした。
＜ガラス転移温度＞
前記試験片に対し、動的粘弾性測定（ＤＭＡ装置、ＴＡインスツルメント社製、Ｑ８００）を用いて、昇温速度５℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚで動的粘弾性測定を行った。ガラス転移温度は、損失正接ｔａｎδが最大値を示す温度とした。
前記試験片に対し、動的粘弾性測定（ＤＭＡ装置、ＴＡインスツルメント社製、Ｑ８００）を用いて、昇温速度５℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚで動的粘弾性測定を行った。ガラス転移温度は、損失正接ｔａｎδが最大値を示す温度とした。
表２に記載のように、実施例で得られた本発明に係る熱硬化性樹脂組成物は、耐熱性に優れるとともに、誘電率および誘電正接が低く誘電特性に優れた硬化物を得ることができた。つまり、本発明の熱硬化性樹脂組成物は、これらの特性のバランスに優れた硬化物を得ることができた。
［実施例１１］
表３に示す各成分を溶解または分散させ、トルエンで不揮発成分６０質量％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して、ワニス状の熱硬化性樹脂組成物を調製した。
調製した熱硬化性樹脂組成物を、銅箔上に塗布し、乾燥し３０μｍの樹脂膜を得た。樹脂膜２枚の間にガラスクロスを挟み、真空減圧下、２２５℃９０分間、押圧力３ＭＰａで真空プレスを行った。得られた基板をエッチング処理して銅箔を除去し、これを誘電率測定の試験片とした。
得られた試験片について前記測定法により、誘電特性（比誘電率、誘電正接）、ガラス転移温度を測定した。結果を表３に示す。
表３に示す各成分を溶解または分散させ、トルエンで不揮発成分６０質量％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して、ワニス状の熱硬化性樹脂組成物を調製した。
調製した熱硬化性樹脂組成物を、銅箔上に塗布し、乾燥し３０μｍの樹脂膜を得た。樹脂膜２枚の間にガラスクロスを挟み、真空減圧下、２２５℃９０分間、押圧力３ＭＰａで真空プレスを行った。得られた基板をエッチング処理して銅箔を除去し、これを誘電率測定の試験片とした。
得られた試験片について前記測定法により、誘電特性（比誘電率、誘電正接）、ガラス転移温度を測定した。結果を表３に示す。
表３に記載のように、実施例１１で得られた本発明に係るフィラーを含む熱硬化性樹脂組成物は、耐熱性に優れるとともに、誘電率および誘電正接が低く誘電特性に優れた硬化物を得ることができた。つまり、本発明の熱硬化性樹脂組成物は、これらの特性のバランスに優れた硬化物を得ることができた。
１０ 樹脂膜
１２ キャリア基材
１００ キャリア付樹脂膜
１０５ 金属箔
３００ プリント配線基板
３０１ 絶縁層
３０３ 金属層
３０５ 絶縁層
３０７ ビアホール
３０８ 無電解金属めっき膜
３０９ 電解金属めっき層
４００ 半導体装置
４０１ 絶縁層
４０７ 半導体素子
４１０ 半田バンプ
４１３ 封止材層
５００ プリント配線基板
５１０ 支持基板
５２０ キャリア箔
５３０ 金属箔
５４０ 絶縁層
５４２ 金属層
５５０ 絶縁層
５５２ 金属層
５６０ 絶縁層
５６２ 金属層
６００ プリント配線基板
６１０ コアレス樹脂基板
６１２ 絶縁層
６１４ 金属層
６１６ ビア配線
６１８ 金属層
６２０ 半導体素子
６３０ 絶縁層
６３２ 絶縁層
６４０ 金属層
６５０ 金属層
６５２ 第１金属層
６５４ 第２金属層
７００ プリント配線基板
７１０ コアレス樹脂基板
７１２ 絶縁層
７１４ 金属層
７１６ ビア配線
７１８ 金属層
７２０ 半導体素子
７３０ 絶縁層
７３２ 絶縁層
７４０ 金属層
１２ キャリア基材
１００ キャリア付樹脂膜
１０５ 金属箔
３００ プリント配線基板
３０１ 絶縁層
３０３ 金属層
３０５ 絶縁層
３０７ ビアホール
３０８ 無電解金属めっき膜
３０９ 電解金属めっき層
４００ 半導体装置
４０１ 絶縁層
４０７ 半導体素子
４１０ 半田バンプ
４１３ 封止材層
５００ プリント配線基板
５１０ 支持基板
５２０ キャリア箔
５３０ 金属箔
５４０ 絶縁層
５４２ 金属層
５５０ 絶縁層
５５２ 金属層
５６０ 絶縁層
５６２ 金属層
６００ プリント配線基板
６１０ コアレス樹脂基板
６１２ 絶縁層
６１４ 金属層
６１６ ビア配線
６１８ 金属層
６２０ 半導体素子
６３０ 絶縁層
６３２ 絶縁層
６４０ 金属層
６５０ 金属層
６５２ 第１金属層
６５４ 第２金属層
７００ プリント配線基板
７１０ コアレス樹脂基板
７１２ 絶縁層
７１４ 金属層
７１６ ビア配線
７１８ 金属層
７２０ 半導体素子
７３０ 絶縁層
７３２ 絶縁層
７４０ 金属層
Claims (15)
- （Ａ）熱硬化性樹脂と、
（Ｂ）架橋剤と、
を含み、
熱硬化性樹脂（Ａ）が、
下記一般式（１）で表される構造単位ａと、
下記一般式（２）で表される構造単位ｂと、
を含み、重量平均分子量が５００以上１０，０００以下であり、
熱硬化性樹脂（Ａ）は、エチレンやα－オレフィンから誘導される構造単位を含まず、
架橋剤（Ｂ）は、常温（２５℃）で液状である架橋剤（ｂ１）と、常温（２５℃）で固形状である架橋剤（ｂ２）とを含む、熱硬化性樹脂組成物（ただし、含フッ素単量体に由来する重合単位、及び、炭素－炭素二重結合を２個以上有するノルボルネン単量体に由来する重合単位からなる含フッ素重合体を含む場合を除く）。
- 熱硬化性樹脂（Ａ）は、全構成単位における構造単位ａと構造単位ｂとの合計量が８０モル％以上である、請求項１に記載の熱硬化性樹脂組成物。
- 前記一般式（２）のＱにおける、末端二重結合を有する基は、ビニル基、アリル基、（メタ）アクリロイル基、ビニルフェニル基、またはマレイミド基を含む、請求項１または２に記載の熱硬化性樹脂組成物。
- 架橋剤（ｂ１）は、２以上の反応性基を有する架橋剤を含む、請求項１～３のいずれかに記載の熱硬化性樹脂組成物。
- 架橋剤（ｂ２）は、重量平均分子量が１，０００以上２０，０００以下の架橋剤を含む、請求項１～４のいずれかに記載の熱硬化性樹脂組成物。
- さらにラジカル重合開始剤（Ｃ）を含む、請求項１～５のいずれかに記載の熱硬化性樹脂組成物。
- さらにフィラー（Ｄ）を含む、請求項１～６のいずれかに記載の熱硬化性樹脂組成物。
- キャリア基材と、前記キャリア基材の少なくとも一方に設けられた樹脂膜と、を備えるキャリア付樹脂膜において、前記樹脂膜を形成するために用いられる請求項１～７のいずれかに記載の熱硬化性樹脂組成物。
- 樹脂層中に繊維基材を含むプリプレグにおいて、前記樹脂層を形成するために用いられる請求項１～７のいずれかに記載の熱硬化性樹脂組成物。
- 前記繊維基材がガラスクロスを含む、請求項９に記載の熱硬化性樹脂組成物。
- キャリア基材と、
前記キャリア基材上に設けられている、請求項１～７のいずれかに記載の熱硬化性樹脂組成物からなる樹脂膜と、を備える、キャリア付樹脂膜。 - 請求項１～７のいずれかに記載の熱硬化性樹脂組成物からなる樹脂層中に繊維基材を含むプリプレグ。
- 請求項１２に記載のプリプレグの少なくとも片面上に金属層を配置してなる積層板。
- 請求項１～７のいずれかに記載の熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる絶縁層を備える、プリント配線基板。
- 請求項１４に記載のプリント配線基板と、
前記プリント配線基板の回路層上に搭載された、または前記プリント配線基板に内蔵された半導体素子と、を備える、半導体装置。
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