JP7748266B2 - リッジ型半導体光素子 - Google Patents

Description

本開示は、リッジ型半導体光素子に関する。

光通信用の光源として、メサストライプ構造を備えるリッジ型半導体光素子が知られている。メサストライプ構造は、真性半導体層や多重量子井戸層を含む積層体を一対の領域で彫り込んで形成される。彫り込まれた一対の領域の外側には、メサストライプ構造を保護するために、一対の土手構造が残される。メサストライプ構造と土手構造の間の領域には、さらに溝が形成される（特許文献１及び２）。溝により電流が流れる領域が制限されるので寄生容量が低減する。

特開２００３－６９１５３号公報 特開２０１２－８９６２２号公報

メサストライプ構造の上にある上部電極は、土手構造の上面に至るように拡がっているが、溝の外側では光源の駆動には実質的に寄与しない。それだけでなく、土手構造の真性半導体層や多重量子井戸層は、寄生容量を増加させ、高速動作を妨げる。メサストライプ構造の上だけに電極を配置すれば、寄生容量の増加はないが、メサストライプ構造の幅は狭い（数μｍ以下）ため、そのような電極の形成は難しい。

本開示は、電極に起因する寄生容量の低減を目的とする。

リッジ型半導体光素子は、活性層または吸収層を含み、前記活性層または前記吸収層を分離して第１方向に延びるアイソレーション溝を有し、前記アイソレーション溝の両側にそれぞれ隣接する第１領域および第２領域を含む積層体と、前記積層体の上で前記第１領域に隣接して前記第１方向に延びるメサストライプ構造と、前記積層体の上で前記第２領域に隣接して前記第１方向に延びる土手構造と、前記メサストライプ構造の上面および側面にあるリッジ電極を含み、前記土手構造の上面にあるパッド電極を含み、前記リッジ電極および前記パッド電極を接続する接続電極を含む電極パターンと、を有し、前記アイソレーション溝の内面は、前記第１領域に隣接する第１壁面と、前記第２領域に隣接する第２壁面と、前記第１領域および前記第２領域の間の底面と、を含み、前記リッジ電極は、前記メサストライプ構造の前記側面から、前記第１方向に直交する第２方向に沿って、前記アイソレーション溝の前記第２壁面を超えないように、前記土手構造に向かって拡がり、前記接続電極は、前記リッジ電極および前記パッド電極のいずれよりも、前記第１方向の幅において細くなっている。

第１の実施形態に係るリッジ型半導体光素子の平面図である。 図１に示すリッジ型半導体光素子のII－II線断面図である。 第２の実施形態に係るリッジ型半導体光素子の断面図である。 第３の実施形態に係るリッジ型半導体光素子の断面図である。 第４の実施形態に係るリッジ型半導体光素子の断面図である。 第５の実施形態に係るリッジ型半導体光素子の断面図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態を具体的かつ詳細に説明する。全図において同一の符号を付した部材は同一又は同等の機能を有するものであり、その繰り返しの説明を省略する。なお、図形の大きさは倍率に必ずしも一致するものではない。

［第１の実施形態］
図１は、第１の実施形態に係るリッジ型半導体光素子の平面図である。図２は、図１に示すリッジ型半導体光素子のII－II線断面図である。リッジ型半導体光素子は、１．３μｍ帯の直接変調型半導体レーザであるが、他の波長帯に対応したリッジ型半導体光素子であっても構わないし、レーザに限らず、他の光機能を有した光素子であっても構わない。例えばＣＷレーザや電界吸収型変調器または受光素子であっても構わない。

［積層体］
リッジ型半導体光素子は、第１導電型の半導体からなる基板１０上に、積層体１２を有する。積層体１２は、第１導電型のバッファ層１４、第１導電型の下側ＳＣＨ（Separated Confinement Heterostructure）層１６、活性層１８、第２導電型の上側ＳＣＨ層２０を含み、半導体からなる。積層体１２は、活性層１８または吸収層を含む。

ここでは、第１導電型はｎ型、第２導電型はｐ型としているが、逆であっても構わない。基板１０、バッファ層１４およびクラッド層２２はＩｎＰからなる。下側ＳＣＨ層１６および上側ＳＣＨ層２０はＩｎＧａＡｓＰからなる。活性層１８は、ＩｎＧａＡｓＰの井戸層と障壁層が複数積層された多重量子井戸（ＭＱＷ、Multi Quantum Well）である。但し、これらの材料は一例であり、対応する光の波長帯や必要とする特性に応じて他の材料を選択しても構わない。

［メサストライプ構造］
リッジ型半導体光素子は、第１方向Ｄ１に延びるメサストライプ構造２６を有する。メサストライプ構造２６は、積層体１２に連続しており、第２導電型のクラッド層２２および第２導電型のコンタクト層２４を含む。なお、上側ＳＣＨ層２０とクラッド層２２との間に、図示しない回折格子層が含まれている。

積層体１２は、第１領域Ｒ１を含む。メサストライプ構造２６は、積層体１２の上で第１領域Ｒ１に隣接している。第１領域Ｒ１は、メサストライプ構造２６を挟む一対の領域である。

［アイソレーション溝］
積層体１２は、アイソレーション溝２８を有する。アイソレーション溝２８は、活性層１８または吸収層を分離して第１方向Ｄ１に延びる。アイソレーション溝２８は、活性層１８から横方向へのキャリアの拡散を阻止することを目的として形成されており、活性層１８を超えた深さがあればよい。アイソレーション溝２８は、バッファ層１４に至る深さであっても構わないし、基板１０に至る深さを有していてもよい。アイソレーション溝２８とメサストライプ構造２６の間に第１領域Ｒ１がある。

積層体１２は、第２領域Ｒ２を含む。アイソレーション溝２８の両側にそれぞれ第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２が隣接する。第２領域Ｒ２は、第１領域Ｒ１とは反対側でアイソレーション溝２８に隣接する。アイソレーション溝２８は、一対のアイソレーション溝２８である。第２領域Ｒ２は、一対のアイソレーション溝２８にそれぞれ隣接する一対の第２領域Ｒ２である。一対のアイソレーション溝２８が、それぞれ、一対の第１領域Ｒ１に隣接する。

アイソレーション溝２８の内面は、第１領域Ｒ１に隣接する第１壁面Ｓ１を含み、第２領域Ｒ２に隣接する第２壁面Ｓ２を含み、第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２の間の底面Ｓ３を含む。なお、アイソレーション溝２８は、断面において、矩形に限定されず他の形状（例えばＵ字形または丸形）であっても構わない。

［土手構造］
リッジ型半導体光素子は、第１方向Ｄ１に延びる土手構造３０を有する。土手構造３０は、メサストライプ構造２６と同様に、クラッド層２２とコンタクト層２４を有する。メサストライプ構造２６、アイソレーション溝２８および土手構造３０は、第１方向Ｄ１に、端面から逆の端面に渡って形成されている。土手構造３０は、積層体１２の上で第２領域Ｒ２に隣接している。土手構造３０は、一対の第２領域Ｒ２にそれぞれ隣接する一対の土手構造３０である。

［パッシベーション膜］
リッジ型半導体光素子は、表面に、外部環境から半導体層を保護するために、絶縁膜であるパッシベーション膜３２を有する。パッシベーション膜３２は、土手構造３０の上面からアイソレーション溝２８の内面、そしてメサストライプ構造２６の側面に配置されている。

［電極パターン］
リッジ型半導体光素子は、電極パターン３４を有する。電極パターン３４は、Ｔｉ／Ｐｔからなる下層と、Ａｕからなる上層の積層構造になっている。積層体１２と電極パターン３４との間で、メサストライプ構造２６の上面の少なくとも一部を避けて、パッシベーション膜３２が介在する。

［リッジ電極］
電極パターン３４は、リッジ電極３６を含む。パッシベーション膜３２は、メサストライプ構造２６の上面には形成されず、リッジ電極３６とコンタクト層２４との接続のためのスルーホールを形成している。リッジ電極３６は、積層された第１層Ｌ１および第２層Ｌ２を含む複数層からなる。なお、第１層Ｌ１および第２層Ｌ２のエッジは、揃える必要はなく、必要に応じてずらしても構わない。

リッジ電極３６は、メサストライプ構造２６の上面および側面にある。リッジ電極３６は、メサストライプ構造２６の側面から、土手構造３０に向かって拡がる。リッジ電極３６は、第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２に沿って拡がる。リッジ電極３６は、第１方向Ｄ１の幅において、全体的に均等になっている。

リッジ電極３６は、アイソレーション溝２８の第１壁面Ｓ１に一部を有し、第２壁面Ｓ２に他の一部を有し、底面Ｓ３にさらに他の一部を有する。リッジ電極３６は、アイソレーション溝２８の第２壁面Ｓ２を超えない。

［パッド電極］
電極パターン３４は、土手構造３０の上面にあるパッド電極３８を含む。パッド電極３８は、外部との電気的接続に使用され、図示しないワイヤがボンディングされたり、はんだによってボンディングされたりする。

［接続電極］
電極パターン３４は、接続電極４０を含む。接続電極４０は、リッジ電極３６およびパッド電極３８を接続する。接続電極４０は、リッジ電極３６およびパッド電極３８のいずれよりも、第１方向Ｄ１の幅において細くなっている。

［機能］
裏面電極４２が、基板１０の裏側に広く配置されている。リッジ電極３６と裏面電極４２との間に電流を注入することで、活性層１８で発光が生じ、端面から光が出射される。なお、裏面電極４２は必ずしも基板１０の裏面に配置されている必要はない。例えば、土手構造３０の一部にバッファ層１４や基板１０まで至る溝（図示せず）を形成し、それと接続するように電極（図示せず）を配置してもよい。この場合、裏面電極４２は電極パターン３４と同じ面側に配置されることになる。

［効果］
リッジ電極３６の面積が大きいことは、放熱性の観点では優れるが寄生容量の観点では不利となる。特にアイソレーション溝２８により活性層１８が寸断されているため、アイソレーション溝２８から土手構造３０までの積層体１２は、発光には関与しない。しかし、これらの領域に配置された電極パターン３４の下には、ｐ－ｉ－ｎ構造があるため、容量成分が発生する。例えばアイソレーション溝２８の底部の下には絶縁性のパッシベーション膜３２が配置されており、これが容量成分となる。アイソレーション溝２８の外側でも、パッシベーション膜３２に加えて真性半導体層である活性層１８が配置されており、やはり容量成分となる。

本実施形態では、リッジ電極３６は、アイソレーション溝２８の第２壁面Ｓ２を超えないようになっており、接続電極４０は、リッジ電極３６およびパッド電極３８のいずれよりも、第１方向Ｄ１の幅において細くなっているので、寄生容量の増加を防止することができる。その結果、高速応答性に優れた半導体光素子を提供することができる。

［製造方法］
リッジ型半導体光素子の製造方法では、基板１０の上に、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）や分子線成長法（ＭＢＥ）を用いた結晶成長を行うことで、積層体１２を含む多層膜を形成する。次に、フォトリソグラフィ技術を用いてマスクを形成し、エッチングによりアイソレーション溝２８を形成する。本工程により、メサストライプ構造２６および土手構造も形成する。全面にパッシベーション膜３２を形成後、コンタクト層２４と接する領域のみパッシベーション膜３２を除去する。

金属蒸着装置により、電極膜を全面に形成する。次に、電極パターン３４となる領域をマスクし、他の領域の電極膜を除去する。本工程により、電極パターン３４が形成される。最後に基板１０の裏面に裏面電極４２を形成する。以上のウエハ工程が完了したあと、劈開もしくはエッチングにより基板１０を分離することで、リッジ型半導体光素子が完成する。

［第２の実施形態］
図３は、第２の実施形態に係るリッジ型半導体光素子の断面図である。本実施形態は、電極パターン２３４の形状において、第１の実施形態と異なる。

リッジ電極２３６は、メサストライプ構造２２６の上面だけにあれば、最も寄生容量を低減することができる。しかし、メサストライプ構造２２６の幅は数μｍ（例えばここでは１．７μｍ）であり、第１領域Ｒ１の幅は５μｍである。

リッジ電極２３６の形成方法では、全面に電極膜を蒸着した後、リッジ電極２３６が残る領域をマスクして、他の領域を除去する。マスク合わせの精度は数μｍである。従って、メサストライプ構造２２６の上面だけをマスクしようとしても、マスクがメサストライプ構造２２６の上からずれて形成される恐れがある。マスクがずれると、リッジ電極２３６の位置がずれてしまう。最悪のケースとしては、リッジ電極２３６がメサストライプ構造２２６の上面に全く形成されない場合もある。

そこで、本実施形態では、リッジ電極２３６は、アイソレーション溝２２８の内面には至らないように、第１領域Ｒ１の上に拡がる。第１領域Ｒ１の幅は５μｍあり、両方の第１領域Ｒ１の幅とメサストライプ構造２２６の幅を合わせると１１．７μｍある。この領域内で、マスク合わせ精度を加味してリッジ電極２３６の幅を決定すれば、確実にメサストライプ構造２２６の上面にリッジ電極２３６を形成することが可能となる。積層体２１２は、メサストライプ構造２２６とその両側の第１領域Ｒ１の下方において、実際の発光に寄与する。

本実施形態は、寄生容量の観点で第１の実施形態と比較して優れており、寄生容量の低減と製造容易性の両方を実現している。なお、第１層Ｌ１および第２層Ｌ２のエッジは、揃える必要はなく、必要に応じてずらしても構わない。

［第３の実施形態］
図４は、第３の実施形態に係るリッジ型半導体光素子の断面図である。リッジ電極３３６は、アイソレーション溝３２８の第１壁面Ｓ１および底面Ｓ３に一部を有するが、第２壁面Ｓ２にはない。

第１の実施形態は、リッジ電極３６はアイソレーション溝２８の第２壁面Ｓ２まで延びているので、寄生容量が大きいが、放熱性の観点では優れている。第２の実施形態は、寄生容量の観点では第１の実施形態より優れているが、放熱性の観点では劣る。

本実施形態は、それらの中間に位置する。特に、発熱量は活性層３１８において最も大きいので、活性層３１８の側面をリッジ電極３３６が覆っていることで、放熱経路を確保することができ、単純なリッジ電極３３６の面積拡大による放熱量の増加以上の効果を得られる。

リッジ型半導体光素子にとって高速応答性は重要な特性だが、同時に光出力強度も重要な特性である。放熱量を増加させることは光出力強度の増加につながる。従って、必要となる特性に応じて、リッジ電極３３６の端部を配置すれば、高速応答性と製造容易性の両方を実現することができる。

［第４の実施形態］
図５は、第４の実施形態に係るリッジ型半導体光素子の断面図である。リッジ電極４３６は、アイソレーション溝４２８の第１壁面Ｓ１および底面Ｓ３に一部を有するが、アイソレーション溝４２８の第２壁面Ｓ２にはない。

リッジ電極４３６は、積層された第１層Ｌ１Ｄおよび第２層Ｌ２Ｕを含む複数層からなる。第１層Ｌ１Ｄは下層であり、第２層Ｌ２Ｕは上層である。第２層Ｌ２Ｕは、第１層Ｌ１Ｄの一部のみに重なる。第１層Ｌ１Ｄは、アイソレーション溝４２８の内面に一部を有する。第２層Ｌ２Ｕは、アイソレーション溝４２８の内面にはない。

第２層Ｌ２ＵはＡｕから構成されている。第２層Ｌ２Ｕは、リッジ電極４３６の最表層であって、外部との接続のために他の層よりも厚くなっており、そのために半導体層への応力が大きくなる。特に活性層４１８は応力による信頼性・特性への影響を受けやすい。そこで、第２層Ｌ２Ｕを、活性層４１８の側面に配置しないことは、活性層４１８への応力低減につながる。寄生容量の観点では、本実施形態は第３の実施形態と同等である。

［第５の実施形態］
図６は、第５の実施形態に係るリッジ型半導体光素子の断面図である。リッジ電極５３６は、アイソレーション溝５２８の第１壁面Ｓ１および底面Ｓ３に一部を有するが、第２壁面Ｓ２にはない。

リッジ電極５３６は、積層された第１層Ｌ１Ｕおよび第２層Ｌ２Ｄを含む複数層からなる。第１層Ｌ１Ｕは上層であり、第２層Ｌ２Ｄは下層である。第２層Ｌ２Ｄは、第１層Ｌ１Ｕの一部のみに重なる。第１層Ｌ１Ｕは、アイソレーション溝５２８の内面に一部を有する。第２層Ｌ２Ｄは、アイソレーション溝５２８の内面にはない。

第２層Ｌ２Ｄの端部は第１領域Ｒ１に位置し、第１層Ｌ１Ｕの端部はアイソレーション溝５２８の内面に配置されている。応力の観点では、Ａｕからなる厚い第１層Ｌ１Ｕは、活性層５１８の側面に配置しないことが好ましい。しかし、放熱性の観点では、Ａｕからなる厚い第１層Ｌ１Ｕは、Ｔｉ／Ｐｔからなる薄い第２層Ｌ２Ｄより優れている。したがって、本実施形態は第４の実施形態より放熱性に優れる。また第２層Ｌ２Ｄも応力起因になるため、第３の実施形態と比較して応力の観点でも優れている。

［実施形態の概要］
（１）活性層１８または吸収層を含み、前記活性層１８または前記吸収層を分離して第１方向Ｄ１に延びるアイソレーション溝２８を有し、前記アイソレーション溝２８の両側にそれぞれ隣接する第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２を含む積層体１２と、前記積層体１２の上で前記第１領域Ｒ１に隣接して前記第１方向Ｄ１に延びるメサストライプ構造２６と、前記積層体１２の上で前記第２領域Ｒ２に隣接して前記第１方向Ｄ１に延びる土手構造３０と、前記メサストライプ構造２６の上面および側面にあるリッジ電極３６を含み、前記土手構造３０の上面にあるパッド電極３８を含み、前記リッジ電極３６および前記パッド電極３８を接続する接続電極４０を含む電極パターン３４と、を有し、前記アイソレーション溝２８の内面は、前記第１領域Ｒ１に隣接する第１壁面Ｓ１と、前記第２領域Ｒ２に隣接する第２壁面Ｓ２と、前記第１領域Ｒ１および前記第２領域Ｒ２の間の底面Ｓ３と、を含み、前記リッジ電極３６は、前記メサストライプ構造２６の前記側面から、前記第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２に沿って、前記アイソレーション溝２８の前記第２壁面Ｓ２を超えないように、前記土手構造３０に向かって拡がり、前記接続電極４０は、前記リッジ電極３６および前記パッド電極３８のいずれよりも、前記第１方向Ｄ１の幅において細くなっているリッジ型半導体光素子。

リッジ電極３６は、アイソレーション溝２８の第２壁面Ｓ２を超えないようになっており、接続電極４０は、リッジ電極３６およびパッド電極３８のいずれよりも、第１方向Ｄ１の幅において細くなっているので、寄生容量の増加を防止することができる。

（２）（１）に記載されたリッジ型半導体光素子であって，前記リッジ電極２３６は、前記アイソレーション溝２２８の前記内面には至らないように、前記第１領域Ｒ１の上に拡がるリッジ型半導体光素子。

（３）（１）に記載されたリッジ型半導体光素子であって，前記リッジ電極３６は、前記アイソレーション溝２８の前記第１壁面Ｓ１に一部を有するリッジ型半導体光素子。

（４）（３）に記載されたリッジ型半導体光素子であって，前記リッジ電極３６は、前記アイソレーション溝２８の前記底面Ｓ３に他の一部を有するリッジ型半導体光素子。

（５）（４）に記載されたリッジ型半導体光素子であって，前記リッジ電極３６は、前記アイソレーション溝２８の前記第２壁面Ｓ２にさらに他の一部を有するリッジ型半導体光素子。

（６）（４）に記載されたリッジ型半導体光素子であって，前記リッジ電極３３６は、前記アイソレーション溝３２８の前記第２壁面Ｓ２にはないリッジ型半導体光素子。

（７）（１）から（６）のいずれか１項に記載されたリッジ型半導体光素子であって，前記リッジ電極３６は、積層された第１層Ｌ１および第２層Ｌ２を含む複数層からなるリッジ型半導体光素子。

（８）（７）に記載されたリッジ型半導体光素子であって，前記第２層Ｌ２Ｕは、前記第１層Ｌ１Ｄの一部のみに重なるリッジ型半導体光素子。

（９）（８）に記載されたリッジ型半導体光素子であって，前記第１層Ｌ１Ｄは、前記アイソレーション溝２８の前記内面に一部を有し，前記第２層Ｌ２Ｕは、前記アイソレーション溝２８の前記内面にはないリッジ型半導体光素子。

（１０）（７）から（９）のいずれか１項に記載されたリッジ型半導体光素子であって，前記第１層Ｌ１Ｄは下層であり、前記第２層Ｌ２Ｕは上層であるリッジ型半導体光素子。

（１１）（７）から（９）のいずれか１項に記載されたリッジ型半導体光素子であって，前記第１層Ｌ１Ｕは上層であり、前記第２層Ｌ２Ｄは下層であるリッジ型半導体光素子。

（１２）（１）から（１１）のいずれか１項に記載されたリッジ型半導体光素子であって，前記積層体１２と前記電極パターン３４との間で、前記メサストライプ構造２６の前記上面の少なくとも一部を避けて介在するパッシベーション膜３２をさらに有するリッジ型半導体光素子。

（１３）（１）から（１２）のいずれか１項に記載されたリッジ型半導体光素子であって，前記リッジ電極３６は、前記第１方向Ｄ１の前記幅において、全体的に均等になっているリッジ型半導体光素子。

（１４）（１）から（１３）のいずれか１項に記載されたリッジ型半導体光素子であって，前記第１領域Ｒ１は、前記メサストライプ構造２６を挟む一対の第１領域Ｒ１であり，前記アイソレーション溝２８は、前記一対の第１領域Ｒ１にそれぞれ隣接する一対のアイソレーション溝２８であり，前記第２領域Ｒ２は、前記一対のアイソレーション溝２８にそれぞれ隣接する一対の第２領域Ｒ２であり，前記土手構造３０は、前記一対の第２領域Ｒ２にそれぞれ隣接する一対の土手構造３０であるリッジ型半導体光素子。

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態を説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。

１０ 基板、１２ 積層体、１４ バッファ層、１６ 下側ＳＣＨ層、１８ 活性層、２０ 上側ＳＣＨ層、２２ クラッド層、２４ コンタクト層、２６ メサストライプ構造、２８ アイソレーション溝、３０ 土手構造、３２ パッシベーション膜、３４ 電極パターン、３６ リッジ電極、３８ パッド電極、４０ 接続電極、４２ 裏面電極、２１２ 積層体、２２６ メサストライプ構造、２２８ アイソレーション溝、２３４ 電極パターン、２３６ リッジ電極、３１８ 活性層、３２８ アイソレーション溝、３３６ リッジ電極、４１８ 活性層、４２８ アイソレーション溝、４３６ リッジ電極、５１８ 活性層、５２８ アイソレーション溝、５３６ リッジ電極、Ｄ１ 第１方向、Ｄ２ 第２方向、Ｌ１ 第１層、Ｌ１Ｄ 第１層、Ｌ１Ｕ 第１層、Ｌ２ 第２層、Ｌ２Ｄ 第２層、Ｌ２Ｕ 第２層、Ｒ１ 第１領域、Ｒ２ 第２領域、Ｓ１ 第１壁面、Ｓ２ 第２壁面、Ｓ３ 底面。

Claims (14)

1. 活性層または吸収層を含み、前記活性層または前記吸収層を分離して第１方向に延びるアイソレーション溝を有し、前記アイソレーション溝の両側にそれぞれ隣接する第１領域および第２領域を含む積層体と、
   前記積層体の上で前記第１領域に隣接して前記第１方向に延びるメサストライプ構造と、
   前記積層体の上で前記第２領域に隣接して前記第１方向に延びる土手構造と、
   前記メサストライプ構造の上面および側面にあるリッジ電極を含み、前記土手構造の上面にあるパッド電極を含み、前記リッジ電極および前記パッド電極を接続する接続電極を含む電極パターンと、
   を有し、
   前記アイソレーション溝の内面は、前記第１領域に隣接する第１壁面と、前記第２領域に隣接する第２壁面と、前記第１領域および前記第２領域の間の底面と、を含み、
   前記リッジ電極は、前記メサストライプ構造の前記側面を超えて、前記第１方向に直交する第２方向に沿って、前記アイソレーション溝の前記第２壁面を超えないように、前記土手構造に向かって拡がり、
   前記接続電極は、前記リッジ電極および前記パッド電極のいずれよりも、前記第１方向の幅において細くなっており、
   前記接続電極は、前記メサストライプ構造の前記側面を超えて、前記第２方向に沿って、前記アイソレーション溝の前記第２壁面を超えない位置で、前記リッジ電極に接続するリッジ型半導体光素子。
2. 請求項１に記載されたリッジ型半導体光素子であって、
   前記リッジ電極は、前記アイソレーション溝の前記内面には至らないように、前記第１領域の上に拡がるリッジ型半導体光素子。
3. 請求項１に記載されたリッジ型半導体光素子であって、
   前記リッジ電極は、前記アイソレーション溝の前記第１壁面に一部を有するリッジ型半導体光素子。
4. 請求項３に記載されたリッジ型半導体光素子であって、
   前記リッジ電極は、前記アイソレーション溝の前記底面に他の一部を有するリッジ型半導体光素子。
5. 請求項４に記載されたリッジ型半導体光素子であって、
   前記リッジ電極は、前記アイソレーション溝の前記第２壁面にさらに他の一部を有するリッジ型半導体光素子。
6. 請求項４に記載されたリッジ型半導体光素子であって、
   前記リッジ電極は、前記アイソレーション溝の前記第２壁面にはないリッジ型半導体光素子。
7. 請求項１から６のいずれか１項に記載されたリッジ型半導体光素子であって、
   前記リッジ電極は、積層された第１層および第２層を含む複数層からなるリッジ型半導体光素子。
8. 請求項７に記載されたリッジ型半導体光素子であって、
   前記第２層は、前記第１層の一部のみに重なるリッジ型半導体光素子。
9. 請求項８に記載されたリッジ型半導体光素子であって、
   前記第１層は、前記アイソレーション溝の前記内面に一部を有し、
   前記第２層は、前記アイソレーション溝の前記内面にはないリッジ型半導体光素子。
10. 請求項７から９のいずれか１項に記載されたリッジ型半導体光素子であって、
    前記第１層は下層であり、前記第２層は上層であるリッジ型半導体光素子。
11. 請求項７から９のいずれか１項に記載されたリッジ型半導体光素子であって、
    前記第１層は上層であり、前記第２層は下層であるリッジ型半導体光素子。
12. 請求項１から１１のいずれか１項に記載されたリッジ型半導体光素子であって、
    前記積層体と前記電極パターンとの間で、前記メサストライプ構造の前記上面の少なくとも一部を避けて介在するパッシベーション膜をさらに有するリッジ型半導体光素子。
13. 請求項１から１２のいずれか１項に記載されたリッジ型半導体光素子であって、
    前記リッジ電極は、前記第１方向の前記幅において、全体的に均等になっているリッジ型半導体光素子。
14. 請求項１から１３のいずれか１項に記載されたリッジ型半導体光素子であって、
    前記第１領域は、前記メサストライプ構造を挟む一対の第１領域であり、
    前記アイソレーション溝は、前記一対の第１領域にそれぞれ隣接する一対のアイソレーション溝であり、
    前記第２領域は、前記一対のアイソレーション溝にそれぞれ隣接する一対の第２領域であり、
    前記土手構造は、前記一対の第２領域にそれぞれ隣接する一対の土手構造であるリッジ型半導体光素子。