JP7752009B2 - 発光装置及び発光装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、発光装置、特にリードフレームに発光ダイオード（ＬＥＤ）などの半導体発光素子が実装された発光装置及び当該発光装置の製造方法に関する。

従来、インサート成形によって樹脂体をリードフレームに設け、ダイサーで切断して形成される発光装置が知られている。

例えば、特許文献１には、切り欠き部を設けたリードフレームに樹脂成形体を形成し、切り欠き部に沿って樹脂成形体とリードフレームとを切断して発光装置を形成する方法が開示されている。

また、特許文献２には、発光素子と第１及び第２のリードとを一体成形してなる第１の樹脂成形体と、発光素子を被覆する蛍光体を含有する第２の樹脂成形体と有する表面実装型発光装置が開示されている。

特開２０１０－６２２７２号公報 特開２００６－１５６７０４号公報

しかしながら、一体成形された樹脂及びリードフレームの切断によって、樹脂とリードフレームとの剥離、ダイシェア強度の低下、断線不良等の問題があった。

本発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、樹脂とリードフレームとの剥離が防止され、はんだ接合のダイシェア強度が高く、また断線不良等が生じ難い発光装置及び当該発光装置の製造方法を提供することを目的としている。

本発明の１実施形態による発光装置は、
板状の複数のリード電極と、
前記複数のリード電極の側部及び前記複数のリード電極間の離間部を覆い、前記複数のリード電極を露出する開口部を有する枠体と、
前記開口部から露出する前記複数のリード電極上に実装された発光素子と、を有し、
前記枠体の外側面は、前記枠体の上面から底面に至る凹部を有し、
前記凹部内に前記リード電極の一部が突出した突出部を有し、
前記複数のリード電極の裏面と前記突出部の裏面が同一面である。

本発明の他の実施形態による発光装置の製造方法は、
（ａ１）リードフレームの複数の単位区画に応じて、各単位区画に含まれる複数のリード電極の裏面の外周に沿って段差部を形成するとともに、隣接する単位区画の前記複数のリード電極を互いに接続するリード接続部を形成し、
（ａ２）枠体樹脂のインサート成形を行って、前記複数のリード電極の側部及び前記複数のリード電極間の離間部を覆うとともに、前記複数のリード電極を露出する素子実装のための第１の開口部及び前記リード接続部を露出する第２の開口部を有する成形樹脂体を形成し、
（ａ３）前記第２の開口部から前記リード接続部の一部を打ち抜いてリードを切断し、
（ａ４）前記第１の開口部から露出する前記複数のリード電極上に発光素子を実装し、
（ａ５）前記複数の単位区画に応じてダイシングを行って個別の発光装置に分離する、
工程を有している。

本発明の第１の実施形態による発光装置１０を模式的に示す斜視図である。 発光装置１０の上面を示す図である。 発光装置１０の裏面を示す図である。 発光装置１０の内部を模式的に示す上面図である。 リード１２Ａ及びリード１２Ｂを上面側から見た場合の上面図である。 図２Ａに示すＡ－Ａ線に沿った断面図である。 図２Ａに示すＢ－Ｂ線に沿った断面図である。 発光装置１０の右側面を示す側面図である。 リード１２Ａの詳細な構成を示す上面図である。 回路基板４１への発光装置１０の実装例を示す斜視図である。 樹脂枠体２２の凹部２３、リード１２Ａの突出部１２ＡＰを拡大して示す部分拡大斜視図である。 回路基板４１上に発光装置１０を実装した場合の凹部２３を模式的に示す斜視図である。 他の例の凹部２３及びリード１２Ａの突出部１２ＡＰの形状を模式的に示す図である。 発光装置１０の第１の製造方法を示すフローチャートである。 第１の製造方法の工程Ｓ１１を示す上面図である。 第１の製造方法の工程Ｓ１２を示す上面図である。 第１の製造方法の工程Ｓ１３を示す上面図である。 第１の製造方法の工程Ｓ１４を示す上面図である。 第１の製造方法の工程Ｓ１５を示す上面図である。 第１の製造方法の工程Ｓ１７を示す上面図である。 成形樹脂体２２Ｆの開口部２６を示す上面図である。 図８ＡのＰ－Ｐ線に沿った断面及びリード切断方法を模式的に示す断面である。 凹部２３内に突出するリード１２Ａの突出部１２ＡＰ（又はリード１２Ｂの突出部１２ＢＰ）を示す上面図である。 凹部２３内に突出する突出部１２ＡＰ又は１２ＢＰの他の例を示す上面図である。 発光装置１０の第２の製造方法を示すフローチャートである。

以下においては、本発明の好適な実施形態について説明するが、適宜改変し、組合せてもよい。また、以下の説明及び添付図面において、実質的に同一又は等価な部分には同一の参照符を付して説明する。
［第１の実施形態］
図１Ａは、本発明の第１の実施形態による発光装置１０を模式的に示す斜視図である。発光装置１０は、複数のリード電極（以下、単にリードという。）、樹脂枠体２２及び発光素子３０を有している。図１Ｂ，図１Ｃは、発光装置１０のそれぞれ上面を示す図及び裏面を示す図である。

発光装置１０は、板状のリード１２Ａ（第１電極）及びリード１２Ｂ（第２電極）を有している。リード１２Ａ及びリード１２Ｂは、Ｃｕ（銅）からなり、表面にはＮｉ／Ａｕ（ニッケル／金）がめっきされている。リード１２Ａ及び１２Ｂからなるリード対１２（以下、発光装置１０のリードフレーム１２ともいう。）は略同一面上に、離間部（スリット）１２Ｇによって互いに離間して形成されている。

樹脂枠体２２がリード１２Ａ及び１２Ｂ上に形成され、樹脂パッケージとして形成されている。樹脂枠体２２は、シリコーン樹脂及び／又はエポキシ樹脂で形成され、酸化チタン粒子等の光反射性粒子が含まれている（いわゆる白樹脂）。また、カーボンブラック等の光吸収材が含まれていてもよい。

樹脂枠体２２は矩形形状を有し、樹脂枠体２２の４つの外側面２２Ａ、２２Ｂには、樹脂枠体２２の上面から底面に至る凹部２３が設けられている。凹部２３内の樹脂枠体２２の底面側において、リード１２Ａ又はリード１２Ｂの一部が突き出て露出している。

図１に示す発光装置１０においては、リード１２Ａ及びリード１２Ｂの配列方向に平行な外側面２２Ａ（以下、縦方向の外側面２２Ａともいう。）にはリード１２Ａ及びリード１２Ｂの数に対応し、それぞれ２つ及び１つの凹部２３（計３つ）が設けられている。凹部２３内にはリード１２Ａ及びリード１２Ｂの一部が突出している。
また、当該配列方向に垂直な外側面２２Ｂ（以下、横方向の外側面２２Ｂともいう。）にはリード１２Ａ又はリード１２Ｂの一部が突出している２つの凹部２３が設けられている。

樹脂枠体２２は、枠体の内側領域である開口部２５（第１の開口部）を有し、リード１２Ａ及びリード１２Ｂの表面の一部が開口部２５から露出している。開口部２５内には発光素子３０が実装されている。

発光素子３０は、本実施形態においてＬＥＤ（Light Emitting Diode）であるが、レーザダイオードなどの他の発光素子であってもよい。

より詳細には、例えば、リード１２Ａはアノード電極、リード１２Ｂはカソード電極であり、リード１２Ａ上に発光素子３０のｐ電極が接続されて載置され、発光素子３０のｎ電極がリード１２Ｂにボンディングワイヤで接続されている。

また、発光素子３０は、ＬＥＤチップ上に蛍光体が設けられている。あるいは、発光素子３０は透光体、光学部材などを有していてもよい。蛍光体としては、特に限定されないが、例えばＹＡＧ（イットリウムムアルミニウムガーネット）、ＬｕＡＧ（ルテチウムアルミニウムガーネット）、ＧＹＡＧ（ガドリニウムアルミニウムガーネット）、α、βサイアロン、ＳＣＡＳＮ、ＣＡＳＮ、ＫＦＳ等の各種蛍光体を適宜用いることができる。

さらに、開口部２５から露出するリード１２Ａ及びリード１２Ｂ上にはツェナーダイオードである保護素子３５が設けられている。保護素子３５としてバリスタ等を用いることができる。また、キャパシタ、抵抗、受光素子等の受動素子が設けられていてもよい。

樹脂枠体２２の開口部２５は、封止樹脂又は被覆樹脂である被覆部材３６によって発光素子３０の周囲の空間が充填されている。なお、図１Ａにおいては、内部構造の説明のため、被覆部材３６は図示されていない。そして、発光素子３０の表面は被覆部材３６から露出している。また、被覆部材３６としては、シリコーン樹脂に酸化チタン粒子等が含有された光反射性の樹脂を例示することができるが、これに限定されない。

図２Ａは、発光装置１０の内部を模式的に示す上面図である。なお、被覆部材３６は図示されていない。図２Ｂは、リード１２Ａ及びリード１２Ｂを上面側から見た場合の上面図である。図２Ｃ及び２Ｄは、それぞれ図２Ａに示すＡ－Ａ線、Ｂ－Ｂ線に沿った断面図である。図２Ｅは、発光装置１０の右側面を示す側面図である。

図２Ａの上面図に示すように、樹脂枠体２２は上面視において矩形形状を有し、枠体の内側領域である矩形柱形状の開口部２５を有する。開口部２５内は、被覆部材３６（図示省略）によって充填されている。なお、開口部２５は矩形柱形状に限らず、円柱形状等の形状を有していてもよい。

リード１２Ａ上には発光素子３０が接合され、リード１２Ｂ上には保護素子３５が接合されて実装されている。発光素子３０の一方の電極、及び保護素子３５の一方の電極がボンディングワイヤによって、それぞれリード１２Ｂ及びリード１２Ａに接続されている。

図２Ｂに示すように、リード１２Ａ及び１２Ｂはスリット１２Ｇによって隔てられている。また、リード１２Ａ及び１２Ｂは、樹脂枠体２２の凹部２３に対応した位置に突出部を有している。以下、特にこれら突出部をリード１２Ａ及び１２Ｂの突出部１２ＡＰ及び１２ＢＰと称して説明する。

また、リード１２Ａ及び１２Ｂは、リード１２Ａ及び１２Ｂの外周に沿って形成された矩形環状の段差部１２Ｄが裏面に設けられている。段差部１２Ｄは幅ＬＳを有し、ハーフエッチングによって、リード１２Ａ及び１２Ｂの厚さに対して、例えば５０％程度の深さで削られて形成されている。

なお、図２Ｂ、図２Ｃ及び図２Ｄに示すように、リード１２Ａ及び１２Ｂの突出部１２ＡＰ及び１２ＢＰの形成領域ＲＧでは段差部１２Ｄは溝として形成され、それ以外の部分、すなわちリード１２Ａ及び１２Ｂの本体部の縁部では段差として形成されている。

また、段差部１２Ｄはリード１２Ａ及び１２Ｂの外周の全体に亘って形成されている場合を例に説明するが、これに限らない。リード１２Ａ及び１２Ｂの外周の一部に段差部１２Ｄが形成されていてもよく、例えば、リード１２Ａ及び１２Ｂの角部を除く外周に沿って形成されていてもよい。また、突出部１２ＡＰ及び１２ＢＰの形成領域ＲＧを除く外周に沿って形成されていてもよい。

図２Ｃ～図２Ｅに示すように、樹脂枠体２２は、リード１２Ａ及び１２Ｂの周囲の側部を覆うようにインサート成形されている。また、樹脂枠体２２は、リード１２Ａ及び１２Ｂ間のスリット１２Ｇ内に充填されている。また、樹脂枠体２２は、リード１２Ａ及び１２Ｂの段差部１２Ｄ内にも充填されている。なお、段差部１２Ｄが完全に埋め込まれる程度に樹脂枠体２２が充填されていることが好ましいが、一定程度の深さ以上で段差部１２Ｄが埋め込まれていてもよい。

したがって、図２Ｃに示すように、リード１２Ａ及び１２Ｂの縁部は樹脂枠体２２の樹脂によって覆われるので、樹脂枠体２２の剥離が防止される。

図２Ｃに示すように、発光素子３０は、半導体素子であるＬＥＤチップ（ダイ）３１と、ＬＥＤチップ３１上に載置された蛍光体３２とを有している。また、図１Ｂに示すように、樹脂枠体２２の開口部２５に被覆樹脂が充填され、発光素子３０の周囲を被覆するように被覆部材３６が形成されている。

図３は、リード１２Ａの詳細な構成を示す上面図である。リード１２Ａには、発光素子３０の搭載領域の周囲に発光素子３０の外側面に応じて延在するアライメント溝１２Ｌが設けられている。アライメント溝１２Ｌは、例えばリード１２Ａの表面をエッチングすることによって形成されている。

リード１２Ａ上にアライメント溝１２Ｌが形成されているので、ＬＥＤチップ３１をＡｕＳｎなどの接合材で融着接合する際にＬＥＤチップ３１がアライメントされる（セルフアライメント）。

図４は、回路基板４１への発光装置１０の実装例を示す斜視図である。回路基板４１上に２つの発光装置１０が実装されて発光システム４０が形成される。

回路基板４１は、Ｃｕ（銅）などを金属コアとする基板層４２と、基板層４２上に配された絶縁膜４３と、絶縁膜４３上に形成された配線回路４４とを有している。絶縁膜４３は、例えばアルミナなどのセラミックス又はポリイミドや耐熱エポキシ等の樹脂からなる。配線回路４４は、例えばＣｕ上にＮｉ（ニッケル）／Ａｕが形成された配線層で形成されている。

あるいは、回路基板４１には、セラミックス等の絶縁基板の表面に金属配線が形成された基板を好適に用いることができる。当該絶縁基板としては、Ａｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ、ＳｉＮなど熱伝導性に優れた材料からなる基板を用いることが好適である。

発光装置１０は、はんだ等の接合材を用いて配線回路４４上に接合される。より詳細には、発光装置１０のリード１２Ａ（アノード電極）及びリード１２Ｂ（カソード電極）は、それぞれ配線回路４４のアノード配線４４Ａ及びカソード配線４４Ｂに接続される。

図５Ａは、樹脂枠体２２の凹部２３、リード１２Ａの突出部１２ＡＰを拡大して示す部分拡大斜視図である。なお、以下においては、リード１２Ａについて説明するが、リード１２Ｂの突出部１２ＢＰについても同様である。また、樹脂枠体２２の縦方向の外側面２２Ａ及び横方向の外側面２２Ｂにおける凹部２３についても同様である。

図５Ａに示すように、リード１２Ａの突出部１２ＡＰは、樹脂枠体２２の凹部２３内において露出している。すなわち、凹部２３は内壁面２３Ｖ，２３Ｗを有し、リード１２Ａの突出部１２ＡＰが内壁面２３Ｗから突き出て外部に露出している。また、突出部１２ＡＰは、樹脂枠体２２の外側面２２Ａよりも内側に後退した位置に配置されている。かかる構造によって、発光装置１０を回路基板４１上に実装する前に上方からプローブ探針を当てて点灯確認を簡便に実施できる。

また、回路基板４１上に発光装置１０をはんだで実装した場合、図５Ｂに示すように、凹部２３内において突出しているリード１２Ａの突出部１２ＡＰの上面にはんだ４５が這い上がるので、ダイシェア強度、はんだ接合強度ともに向上する。

図５Ｃは、他の例の凹部２３及びリード１２Ａの突出部１２ＡＰの形状を模式的に示す図である。図５Ａに示す場合では、凹部２３の内壁面２３Ｖ，２３Ｗは、リード１２Ａに対して略垂直面であるが、図５Ｃに示すように、内壁面２３Ｖ，２３Ｗは、当該垂直面から傾斜し、リード１２Ａから離れるに従って開口が大きくなるようなテーパ面であってもよい。あるいは、リード１２Ａの突出部１２ＡＰの側面に接する内壁面２３Ｕが、樹脂枠体２２の裏面の方向に開口が大きくなるようなテーパ面であってもよい。
［製造方法］
以下に発光装置１０の第１及び第２の製造方法についてフローチャート及び図面を参照して詳細に説明する。

［Ａ］第１の製造方法
図６は、発光装置１０の第１の製造方法を示すフローチャートである。また、図７Ａ～７Ｆは、各工程を示す上面図である。図６、図７Ａ～７Ｆを参照しつつ、以下に発光装置１０の製造方法について説明する。

＜ステップＳ１１＞：リードフレームのハーフエッチ、プレッシング及びメッキ
リードフレーム１１は、マトリクス状に配列された複数の単位区画１１Ｕを有している。より詳細には、リードフレーム１１は、横方向（ｘ方向）及び縦方向（ｙ方向）に等間隔で配置された縦ダイシング線５１及び横ダイシング線５２により複数の単位区画１１Ｕに区画されている。各単位区画１１Ｕは、１つの発光装置１０のリードフレーム１２に対応している。

まず、図７Ａに示すように、リードフレーム１１の裏面にハーフエッチングによって所定の幅及び深さで削って段差部１２Ｄを形成する。次に、型抜き（プレッシング）を行い、リード接続部１１Ｃ、スリット１２Ｇを形成する。これにより、リード１２Ａ及び１２Ｂからなるリード対１２と、隣接する単位区画１１Ｕのリード対１２を互いに接続するリード接続部１１Ｃとが形成される。

続いて、リードフレーム１１の表面及び裏面にめっき、例えばＮｉ／Ａｕめっきを施す。

＜ステップＳ１２＞：枠体樹脂のインサート成形
図７Ｂに示すように、枠体樹脂のインサート成形を行い、成形樹脂体２２Ｆを形成する。より詳細には、リードフレーム１１を上金型及び下金型で挟み込み、熱硬化性樹脂を注入して成形樹脂体２２Ｆを形成する。

なお、図７Ｂ～７Ｆにおいては、図の明確さ及び理解の容易さのため、縦ダイシング線５１及び横ダイシング線５２、及び、後述する打ち抜き孔（打ち抜き部２６Ｈ）に対応する部分については実線で示している。

成形樹脂体２２Ｆは、単位区画１１Ｕの各々に対応して、樹脂枠体２２の内側領域である開口部２５が設けられている。また、リード接続部１１Ｃを露出する開口部２６（第２の開口部）が設けられている。

リード接続部１１Ｃが露出する開口部２６は、後述するダイシングによって切断され、前述の凹部２３が形成される。開口部２６は、凸部が設けられた上金型によってリードフレーム１１のステー部（リード部）を押さえることによって形成される。したがって、樹脂インサート時のフレームのバタつきを抑制できるので、切断端部の裏面側に樹脂が回り込む不良を防止することができる。

＜ステップＳ１３＞：リード切断
続いて、開口部２６からリード接続部１１Ｃを打ち抜いてリードが切断される。図８Ａは、成形樹脂体２２Ｆの開口部２６を示す上面図であり、図８Ｂは、図８ＡのＰ－Ｐ線に沿った断面及びリード切断方法を模式的に示す断面である。

図８Ａには、リードフレーム１１の単位区画１１Ｕの周囲に設けられた開口部２６及びリード接続部１１Ｃの一部が打ち抜かれた部分である打ち抜き部（打ち抜き孔）２６Ｈを示している。

図８Ｂに示すように、成形樹脂体２２Ｆが形成されたリードフレーム１１は下刃ＢＬ上に載置される。上方から上刃ＢＵによってリード接続部１１Ｃの中央部の一部が打ち抜かれることによって打ち抜き部２６Ｈが形成され、リード接続部１１Ｃが切断される。

なお、リードフレーム１１の上面側の打ち抜き部２６Ｈに対応する部分をハーフエッチングして打ち抜き易くすることもできる。

図９Ａは、リード接続部１１Ｃの中央部の一部が打ち抜かれて形成されたリード１２Ａの突出部１２ＡＰ又はリード１２Ｂの突出部１２ＢＰを示す上面図である。打ち抜きによって残ったリード接続部１１Ｃの一部が樹脂枠体２２の凹部２３内の空間に突出している。

なお、図９Ｂに示すように、リード接続部１１Ｃの全体が打ち抜かれ、リード１２Ａ（又はリード１２Ｂ）の側面と同一側面であるリード１２Ａの一部が凹部２３内に突出するように形成されていてもよい。

図７Ｃに示すように、隣接する単位区画１１Ｕ間のリードを接続しているリード接続部１１Ｃの全てが切断されることによって、各発光装置１０のリードフレーム１２が分離される。

＜ステップＳ１４＞：ダイボンディング、ワイヤボンディング、蛍光体の接着
続いて、図７Ｄに示すように、ＬＥＤチップ３１がリード１２Ａ上にＡｕＳｎ接合材を用いて接合される。また、保護素子３５がリード１２Ｂに接合される。ＬＥＤチップ３１及び保護素子３５の上面に形成された電極は、それぞれリード１２Ｂ及びリード１２Ａにワイヤボンディングによって接続される。

次に、ＬＥＤチップ３１上に接着剤を用いて蛍光体３２が接着され、発光素子３０が形成される。

＜ステップＳ１５＞：被覆部材充填及び硬化
続いて、図７Ｅに示すように、発光素子３０の表面が露出するように、樹脂枠体２２の開口部２５を、酸化チタン粒子を含有する光反射性の樹脂によって被覆し、硬化して被覆部材３６を形成する。

＜ステップＳ１６＞：通電チェック
この段階で、各発光装置１０の通電チェック等、電気的特性の試験を行う。すなわち、リード切断（ステップＳ１３）によって、リード接続部１１Ｃが切断されるので、隣接する発光装置１０のリードフレーム（リード対１２）は電気的に切断されている。したがって、ダイシング等によって各発光装置１０に分離（個片化）する前に発光装置１０の通電チェックを行うことが可能である。

＜ステップＳ１７＞：個片化
最後に、図７Ｆに示すように、縦ダイシング線５１及び横ダイシング線５２に沿ってダイシングして、すなわち成形樹脂体２２Ｆを切断して個別の発光装置１０に分離する。以上の工程により、発光装置１０の製造が完了する。

［Ｂ］第２の製造方法
以下に発光装置１０の第２の製造方法について、図１０のフローチャートを参照して説明する。第２の製造方法は以下の工程からなる。第２の製造方法は上記した第１の製造方法とは工程の順序が異なっている。なお、以下において、「ステップＳ２１（＝ステップＳ１１）」等は、ステップＳ２１が上記したステップＳ１１と同内容の工程であることを意味し、具体的な説明は省略する。

第２の製造方法は以下の工程からなる。
＜ステップＳ２１（＝ステップＳ１１）＞：リードフレームのハーフエッチ、プレッシング及びメッキ
＜ステップＳ２２（＝ステップＳ１２）＞：枠体樹脂のインサート成形
＜ステップＳ２３（＝ステップＳ１４）＞：ダイボンディング、ワイヤボンディング、蛍光体の接着
＜ステップＳ２４（＝ステップＳ１５）＞：被覆部材充填及び硬化
＜ステップＳ２５（＝ステップＳ１３）＞：リード切断
＜ステップＳ２６（＝ステップＳ１６）＞：通電チェック
＜ステップＳ２７（＝ステップＳ１７）＞：個片化
以上の工程により、発光装置１０の製造が完了する。

［Ｃ］第１及び第２の製造方法の利点
（Ｃ－１）第１及び第２の製造方法に共通の利点
第１及び第２の製造方法によれば、ダイシング等によって個別の発光装置１０に分離（個片化）する前に、各発光装置１０間のリード接続部１１Ｃが切断され、各発光装置１０のリードが分離される。

したがって、ダイシング等によって各発光装置１０を分離する前に発光装置１０の各々の通電チェックを独立に行うことが可能である。

また、ダイシングによる個片化工程（ステップＳ１７、Ｓ２７）においては、成形樹脂体２２Ｆを切断し、リードを切断しないので、リードフレームの撓み等が発生し難く、断線不良が防止される。

また、個片化工程（ステップＳ１７、Ｓ２７）の以前にリード切断（ステップＳ１３、Ｓ２５）を行う。すなわち、金属製のリードフレームの切断と、樹脂製の枠体の切断とを別々に行うので、樹脂枠体２２とリード１２Ａ及び１２Ｂとの剥離を防止することができる。また、切断ツールを金属及び樹脂に対して最適化できるので切断面を綺麗に仕上げることができる。
（Ｃ－２）第１の製造方法の利点
枠体樹脂のインサート成形後にリード切断を行うので、成形体シートの撓みを防止することができる。また、ＬＥＤチップ３１を接合するダイボンディングにおいて、成形体シートの変形を防止することができる。

以上、詳細に説明したように、本発明によれば、枠体とリードフレームとの剥離が防止され、はんだ接合のダイシェア強度が高く、また断線不良等が生じ難い発光装置及び発光装置の製造方法を提供することができる。

１０：発光装置
１１：リードフレーム
１１Ｃ：リード接続部
１１Ｕ：単位区画
１２Ａ，１２Ｂ：リード
１２ＡＰ，１２ＢＰ：突出部
１２Ｄ：段差部
１２Ｇ：離間部（スリット）
１２Ｌ：アライメント溝
２２：樹脂枠体
２２Ａ、２２Ｂ：外側面
２３：凹部
２５：開口部
２６：開口部
２６Ｈ：打ち抜き部
３０：発光素子
３１：ＬＥＤチップ３１
５１，５２：ダイシング線

Claims (7)

1. 板状の複数のリード電極と、
   前記複数のリード電極の側部及び前記複数のリード電極間の離間部を覆い、前記複数のリード電極を露出する開口部を有する枠体と、
   前記開口部から露出する前記複数のリード電極上に実装された発光素子と、を有し、
   前記枠体は上面から見て矩形形状を有し、
   前記複数のリード電極の配列方向に平行な前記枠体の外側面、または、前記複数のリード電極の配列方向に垂直な前記枠体の外側面は、前記枠体の上面から底面に至る凹部を有し、
   前記枠体の底面から上面までの高さは、前記複数のリード電極の厚みより大きく、
   前記凹部内に前記リード電極の一部が突出した突出部を前記枠体の底面側に有し、
   前記突出部は、前記枠体の前記外側面よりも内側に配置されていて、
   前記突出部の側面は、前記枠体の前記凹部を構成する内壁面と接し、
   前記複数のリード電極の裏面と前記突出部の裏面が同一面である、発光装置。
2. 前記複数のリード電極は、前記複数のリード電極の裏面の外周に沿って形成された段差部を有する、請求項１に記載の発光装置。
3. 前記発光素子の周囲を被覆するように前記開口部に充填された被覆部材を有する、請求項１又は２に記載の発光装置。
4. 前記発光素子は、発光ダイオードと前記発光ダイオード上に載置された光学部材とを有する、請求項１ないし３のいずれか一項に記載の発光装置。
5. 前記リード電極の前記発光素子の載置部の周囲に、前記発光素子の外側面に沿った溝が設けられている、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の発光装置。
6. （ａ１）リードフレームの複数の単位区画に応じて、各単位区画に含まれる複数のリード電極の裏面の外周に沿って段差部を形成するとともに、隣接する単位区画の前記複数のリード電極を互いに接続するリード接続部を形成し、
   （ａ２）枠体樹脂のインサート成形を行って、前記複数のリード電極の側部及び前記複数のリード電極間の離間部を覆うとともに、前記複数のリード電極を露出する素子実装のための第１の開口部及び前記リード接続部を露出する第２の開口部を有する成形樹脂体を形成し、
   （ａ３）前記第２の開口部から前記リード接続部の一部を打ち抜いてリードを切断し、
   （ａ４）前記第１の開口部から露出する前記複数のリード電極上に発光素子を実装し、
   （ａ５）前記複数の単位区画に応じてダイシングを行って個別の発光装置に分離する、工程を有し、
   前記個別の発光装置の枠体は上面から見て矩形形状を有し、
   前記複数のリード電極の配列方向に平行な前記枠体の外側面、または、前記複数のリード電極の配列方向に垂直な前記枠体の外側面は、前記枠体の上面から底面に至る、前記単位区画に応じたダイシングによって前記第２の開口部が切断されることによって生じた凹部を有し、
   前記枠体の底面から上面までの高さは、前記複数のリード電極の厚みより大きく、
   前記凹部内に前記リード電極の一部が突出した突出部を前記枠体の底面側に有し、
   前記突出部は、前記枠体の前記外側面よりも内側に配置されていて、
   前記突出部の側面は、前記枠体の前記凹部を構成する内壁面と接している、
   発光装置の製造方法。
7. 前記工程（ａ４）及び（ａ５）の間に、前記発光素子の電気試験を行う工程を有する、請求項６に記載の発光装置の製造方法。