JPH10150227A - チップ型発光素子 - Google Patents
チップ型発光素子Info
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- JPH10150227A JPH10150227A JP8304811A JP30481196A JPH10150227A JP H10150227 A JPH10150227 A JP H10150227A JP 8304811 A JP8304811 A JP 8304811A JP 30481196 A JP30481196 A JP 30481196A JP H10150227 A JPH10150227 A JP H10150227A
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- chip
- light emitting
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- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
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- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 非常に小形化されたチップ型発光素子におい
てもそのパッケージが剥離しない構造のチップ型発光素
子を提供する。 【解決手段】 絶縁基板１と、該絶縁基板の両端部に設
けられる端子電極２、３と、該両端部の端子電極にそれ
ぞれ接続される２つの電極を有する発光素子チップ（Ｌ
ＥＤチップ）４と、該発光素子チップの周囲を被覆する
樹脂からなるパッケージ５とからなり、前記基板の側部
に該基板の裏面まで延びる切欠部１ａが形成され、前記
樹脂が該切欠部を介して前記基板の裏面まで回り込んで
前記パッケージが形成されている。
てもそのパッケージが剥離しない構造のチップ型発光素
子を提供する。 【解決手段】 絶縁基板１と、該絶縁基板の両端部に設
けられる端子電極２、３と、該両端部の端子電極にそれ
ぞれ接続される２つの電極を有する発光素子チップ（Ｌ
ＥＤチップ）４と、該発光素子チップの周囲を被覆する
樹脂からなるパッケージ５とからなり、前記基板の側部
に該基板の裏面まで延びる切欠部１ａが形成され、前記
樹脂が該切欠部を介して前記基板の裏面まで回り込んで
前記パッケージが形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は携帯電話機やＰＨＳ
などの携帯用電子機器の照明や表示用などの光源に用い
られるのに適した小形のチップ型発光素子に関する。さ
らに詳しくは、絶縁基板上に発光素子チップがマウント
され、その表面がモールド樹脂により被覆されてパッケ
ージが形成される構造のチップ型発光素子に関する。
などの携帯用電子機器の照明や表示用などの光源に用い
られるのに適した小形のチップ型発光素子に関する。さ
らに詳しくは、絶縁基板上に発光素子チップがマウント
され、その表面がモールド樹脂により被覆されてパッケ
ージが形成される構造のチップ型発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】携帯電話機やＰＨＳなどの携帯機器の小
形化に伴い、それらに用いられる発光素子なども軽薄短
小化が要求されている。
形化に伴い、それらに用いられる発光素子なども軽薄短
小化が要求されている。
【０００３】この種のチップ型発光素子は図７に示され
るように、基板１の両端部に端子電極２、３が形成さ
れ、一方の端子電極２の一部となる電極上に発光ダイオ
ード（以下、ＬＥＤという）チップ４がボンディングさ
れてその下部電極が端子電極２と直接接続され、その上
部電極が金線７により他方の端子電極３とワイヤボンデ
ィングされることにより、電気的に接続されている。こ
の基板１は、ガラスクロスなどに耐熱性のＢＴ樹脂を含
浸させたＢＴレジンなどからなっており、その表面側に
は、透明または乳白色のエポキシ樹脂などからなる樹脂
によりモールドされて、ＬＥＤチップ４や金線７などを
被覆して保護するパッケージ５が形成されている。この
ＢＴレジンなどからなる基板１とエポキシ樹脂などから
なるパッケージ５とは密着性がよく、基板１の表面に被
覆されるだけで固着されている。
るように、基板１の両端部に端子電極２、３が形成さ
れ、一方の端子電極２の一部となる電極上に発光ダイオ
ード（以下、ＬＥＤという）チップ４がボンディングさ
れてその下部電極が端子電極２と直接接続され、その上
部電極が金線７により他方の端子電極３とワイヤボンデ
ィングされることにより、電気的に接続されている。こ
の基板１は、ガラスクロスなどに耐熱性のＢＴ樹脂を含
浸させたＢＴレジンなどからなっており、その表面側に
は、透明または乳白色のエポキシ樹脂などからなる樹脂
によりモールドされて、ＬＥＤチップ４や金線７などを
被覆して保護するパッケージ５が形成されている。この
ＢＴレジンなどからなる基板１とエポキシ樹脂などから
なるパッケージ５とは密着性がよく、基板１の表面に被
覆されるだけで固着されている。
【０００４】前述のように、この種の発光素子は小形化
が要求され、その横（Ｄ）×縦（Ｅ）×高さ（Ｆ）が従
来の２ｍｍ×１.２５ｍｍ×０.８ｍｍ程度から１.６ｍ
ｍ×０.８ｍｍ×０.８ｍｍ程度と小さくなっており、さ
らに１ｍｍ×０.５ｍｍ×０.５ｍｍ程度の小形化が要求
されている。
が要求され、その横（Ｄ）×縦（Ｅ）×高さ（Ｆ）が従
来の２ｍｍ×１.２５ｍｍ×０.８ｍｍ程度から１.６ｍ
ｍ×０.８ｍｍ×０.８ｍｍ程度と小さくなっており、さ
らに１ｍｍ×０.５ｍｍ×０.５ｍｍ程度の小形化が要求
されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前述のように、チップ
型発光素子の小形化が要求される場合、その発光輝度な
どの特性を低下させることができず、ＬＥＤチップを小
さくすることは殆どできない。そのため、基板のＬＥＤ
チップなどがない部分が削減されることにより小形化さ
れる。パッケージのエポキシ樹脂は、前述のように、基
板とは馴染みがよく強い接着強度が得られるが、端子電
極の表面やＬＥＤチップの表面の電極などの金属とは馴
染みが悪く、接着強度が弱い。そのため、前述のよう
に、素子の小形化に伴い他の部品が装着されない基板部
分が削減されると、パッケージの樹脂と基板との接触部
分が殆どなくなり、接着強度が弱くなる。
型発光素子の小形化が要求される場合、その発光輝度な
どの特性を低下させることができず、ＬＥＤチップを小
さくすることは殆どできない。そのため、基板のＬＥＤ
チップなどがない部分が削減されることにより小形化さ
れる。パッケージのエポキシ樹脂は、前述のように、基
板とは馴染みがよく強い接着強度が得られるが、端子電
極の表面やＬＥＤチップの表面の電極などの金属とは馴
染みが悪く、接着強度が弱い。そのため、前述のよう
に、素子の小形化に伴い他の部品が装着されない基板部
分が削減されると、パッケージの樹脂と基板との接触部
分が殆どなくなり、接着強度が弱くなる。
【０００６】このようなチップ型発光素子がたとえば携
帯電話機のスイッチ部に用いられる場合、図８に示され
るように、カット部１２が設けられた連結基板１１のカ
ット部１２の近傍に並んで設けられ、ユーザ側で使用時
にカット部１２で切り離してその基板ごと携帯電話機な
どに組み込まれるが、このカット部１２で連結基板１１
を切り離す際にチップ型発光素子１０のパッケージに力
が加わり、パッケージが剥離することがある。また、こ
のように基板に予め取り付けられていない場合でも、部
品同志の衝突により、または組立て時のハンドリングに
よりパッケージが剥離するという問題がある。
帯電話機のスイッチ部に用いられる場合、図８に示され
るように、カット部１２が設けられた連結基板１１のカ
ット部１２の近傍に並んで設けられ、ユーザ側で使用時
にカット部１２で切り離してその基板ごと携帯電話機な
どに組み込まれるが、このカット部１２で連結基板１１
を切り離す際にチップ型発光素子１０のパッケージに力
が加わり、パッケージが剥離することがある。また、こ
のように基板に予め取り付けられていない場合でも、部
品同志の衝突により、または組立て時のハンドリングに
よりパッケージが剥離するという問題がある。
【０００７】一方、リードフレーム上に半導体素子のチ
ップがボンディングされ、モールド樹脂によりパッケー
ジが形成される半導体装置で、パッケージの剥離やリー
ドのパッケージからの抜けを防止するため、リードフレ
ームにロッキングホールを設けておき、モールド樹脂を
貫通させることにより剥離やリード抜けを防止すること
は行われている。しかし、チップ型発光素子のように、
基板がパッケージの樹脂と馴染みがよく、しかも小形化
が要求され、チップ部品の裏面に電極端子を有して直接
プリント基板などに面実装を要求される部品では、基板
がリードフレームとは異なること、ロッキングホールを
設けるスペースの確保が難かしいこと、基板裏面側の厚
さを増加できないこと、および面実装のための裏面電極
端子の形成が必要であることなどの点から通常のロッキ
ングホールの考えを適用できない。
ップがボンディングされ、モールド樹脂によりパッケー
ジが形成される半導体装置で、パッケージの剥離やリー
ドのパッケージからの抜けを防止するため、リードフレ
ームにロッキングホールを設けておき、モールド樹脂を
貫通させることにより剥離やリード抜けを防止すること
は行われている。しかし、チップ型発光素子のように、
基板がパッケージの樹脂と馴染みがよく、しかも小形化
が要求され、チップ部品の裏面に電極端子を有して直接
プリント基板などに面実装を要求される部品では、基板
がリードフレームとは異なること、ロッキングホールを
設けるスペースの確保が難かしいこと、基板裏面側の厚
さを増加できないこと、および面実装のための裏面電極
端子の形成が必要であることなどの点から通常のロッキ
ングホールの考えを適用できない。
【０００８】本発明は、このような問題を解決するため
になされたもので、非常に小形化されたチップ型発光素
子においてもそのパッケージが剥離しない構造のチップ
型発光素子を提供することを目的とする。
になされたもので、非常に小形化されたチップ型発光素
子においてもそのパッケージが剥離しない構造のチップ
型発光素子を提供することを目的とする。
【０００９】本発明の他の目的は、パッケージの剥離を
防止しながらさらに小形で薄型のチップ型発光素子を提
供することにある。
防止しながらさらに小形で薄型のチップ型発光素子を提
供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によるチップ型発
光素子は、基板と、該基板の両端部に設けられる端子電
極と、該両端部の端子電極にそれぞれ接続される２つの
電極を有する発光素子チップと、該発光素子チップの周
囲を被覆する樹脂からなるパッケージとからなり、前記
基板の側部に該基板の裏面まで延びる切欠部が形成さ
れ、前記パッケージの樹脂が該切欠部を介して前記基板
の裏面まで回り込んで前記パッケージが形成されてい
る。
光素子は、基板と、該基板の両端部に設けられる端子電
極と、該両端部の端子電極にそれぞれ接続される２つの
電極を有する発光素子チップと、該発光素子チップの周
囲を被覆する樹脂からなるパッケージとからなり、前記
基板の側部に該基板の裏面まで延びる切欠部が形成さ
れ、前記パッケージの樹脂が該切欠部を介して前記基板
の裏面まで回り込んで前記パッケージが形成されてい
る。
【００１１】この構造にすることにより、基板には貫通
孔ではなく、切欠部が形成されるだけでよく、基板の面
積を大きくする必要がない。しかもパッケージの樹脂が
基板の表面側から裏面に回り込んでいるため、パッケー
ジが剥離することがない。
孔ではなく、切欠部が形成されるだけでよく、基板の面
積を大きくする必要がない。しかもパッケージの樹脂が
基板の表面側から裏面に回り込んでいるため、パッケー
ジが剥離することがない。
【００１２】前記端子電極が前記基板の裏面まで回り込
んで形成される構造で、前記基板の裏面まで回り込んで
形成される樹脂は前記基板の裏面の端子電極のない部分
で、前記端子電極の厚さだけ設けられることにより、裏
面側への寸法も大きくならないで、薄型のままでパッケ
ージをしっかりと固着することができる。
んで形成される構造で、前記基板の裏面まで回り込んで
形成される樹脂は前記基板の裏面の端子電極のない部分
で、前記端子電極の厚さだけ設けられることにより、裏
面側への寸法も大きくならないで、薄型のままでパッケ
ージをしっかりと固着することができる。
【００１３】前記発光素子チップは、該発光素子チップ
の発光層の外形が長方形状になるような直方体に形成さ
れ、前記長方形状の長辺側の面が前記基板表面と平行に
なるように前記基板に設けられていることにより、厚さ
方向も薄く形成され、一層薄型のチップ型発光素子が得
られながら、パッケージをしっかりと固着することがで
きる。
の発光層の外形が長方形状になるような直方体に形成さ
れ、前記長方形状の長辺側の面が前記基板表面と平行に
なるように前記基板に設けられていることにより、厚さ
方向も薄く形成され、一層薄型のチップ型発光素子が得
られながら、パッケージをしっかりと固着することがで
きる。
【００１４】ここに発光層とは、ｐ型層とｎ型層とが直
接接するｐｎ接合面の近傍やｐ型層とｎ型層とにより挟
持される活性層などの電子と正孔の再結合により光を発
生させる領域を意味する。
接接するｐｎ接合面の近傍やｐ型層とｎ型層とにより挟
持される活性層などの電子と正孔の再結合により光を発
生させる領域を意味する。
【００１５】
【発明の実施の形態】つぎに、図面を参照しながら本発
明のチップ型発光素子について説明をする。
明のチップ型発光素子について説明をする。
【００１６】本発明のチップ型発光素子は、図１（ａ）
〜（ｂ）に斜視図および（ａ）のＩ−Ｉ線断面図がそれ
ぞれ示されるような構造になっている。すなわち、基板
１の両端部に端子電極２、３が基板１の裏面側に亘って
設けられており、ＬＥＤチップ４の下部電極が端子電極
２の一部にボンディングされ、上部電極は金線７により
他方の端子電極３とワイヤボンディングされて、それぞ
れ電気的に接続されている。その周囲がエポキシ樹脂な
どからなるパッケージ５により被覆されることにより形
成されている。このパッケージ５は、基板１の側部に設
けられた切欠部１ａを介して基板１の裏面にまで回り込
んで設けられている。
〜（ｂ）に斜視図および（ａ）のＩ−Ｉ線断面図がそれ
ぞれ示されるような構造になっている。すなわち、基板
１の両端部に端子電極２、３が基板１の裏面側に亘って
設けられており、ＬＥＤチップ４の下部電極が端子電極
２の一部にボンディングされ、上部電極は金線７により
他方の端子電極３とワイヤボンディングされて、それぞ
れ電気的に接続されている。その周囲がエポキシ樹脂な
どからなるパッケージ５により被覆されることにより形
成されている。このパッケージ５は、基板１の側部に設
けられた切欠部１ａを介して基板１の裏面にまで回り込
んで設けられている。
【００１７】基板１は、たとえばガラスクロスに耐熱性
のＢＴ樹脂を含浸させたＢＴレジンなどの絶縁性の基板
からなっており、小形化が要求されるこの種のチップ型
発光素子では、その大きさが０.８ｍｍ×１.６ｍｍ程度
で、その厚さが０.１〜０.２ｍｍ程度である。この基板
は、製造段階では１０ｃｍ×５ｃｍ程度の大きな基板に
多数の素子がマトリクス状に形成され、最終的に各チッ
プ素子に切断されることにより形成される。したがっ
て、前述の切欠部１ａは大きな基板の状態では、図２に
端子電極２、３が形成された状態の１列分の部分図が示
されているように、隣接するチップ間に跨って設けられ
た貫通孔になっており、モールドされた後にダイシング
カット線Ｇで切断されることにより、図１に示されるよ
うな切欠部１ａにモールドの樹脂が充填された構造とな
る。なお、端子電極２、３側の隣接するチップとの間に
はスリットが形成されており、その端面が露出してい
る。
のＢＴ樹脂を含浸させたＢＴレジンなどの絶縁性の基板
からなっており、小形化が要求されるこの種のチップ型
発光素子では、その大きさが０.８ｍｍ×１.６ｍｍ程度
で、その厚さが０.１〜０.２ｍｍ程度である。この基板
は、製造段階では１０ｃｍ×５ｃｍ程度の大きな基板に
多数の素子がマトリクス状に形成され、最終的に各チッ
プ素子に切断されることにより形成される。したがっ
て、前述の切欠部１ａは大きな基板の状態では、図２に
端子電極２、３が形成された状態の１列分の部分図が示
されているように、隣接するチップ間に跨って設けられ
た貫通孔になっており、モールドされた後にダイシング
カット線Ｇで切断されることにより、図１に示されるよ
うな切欠部１ａにモールドの樹脂が充填された構造とな
る。なお、端子電極２、３側の隣接するチップとの間に
はスリットが形成されており、その端面が露出してい
る。
【００１８】端子電極２、３は大きな基板の状態でその
表面と裏面にスクリーン印刷などにより銀ペーストが塗
布され、乾燥させることにより、その端面（側面）にも
銀ペーストが流れて、図１（ａ）に示されるように、基
板１の表面から裏面に亘って設けられている。
表面と裏面にスクリーン印刷などにより銀ペーストが塗
布され、乾燥させることにより、その端面（側面）にも
銀ペーストが流れて、図１（ａ）に示されるように、基
板１の表面から裏面に亘って設けられている。
【００１９】ＬＥＤチップ４は、たとえば図３にその斜
視図が示されるように、ＧａＡｓやＧａＰなどの化合物
半導体からなるｎ型半導体層４１とｐ型半導体層４２と
からなり、その境界面に発光層となるｐｎ接合面４３が
形成され、それぞれの半導体層に電極４４、４５が設け
られる通常の構造のものを使用することができる。しか
し、活性層をｎ型半導体層とｐ型半導体層とにより挟持
する構造のものでもよい。
視図が示されるように、ＧａＡｓやＧａＰなどの化合物
半導体からなるｎ型半導体層４１とｐ型半導体層４２と
からなり、その境界面に発光層となるｐｎ接合面４３が
形成され、それぞれの半導体層に電極４４、４５が設け
られる通常の構造のものを使用することができる。しか
し、活性層をｎ型半導体層とｐ型半導体層とにより挟持
する構造のものでもよい。
【００２０】パッケージ５は、ＬＥＤチップ４からの光
を透過する透明または乳白色のエポキシ樹脂などをモー
ルド成形することにより形成される。このモールド成形
は、下金型にＬＥＤチップ４がマウントされた基板１を
載置し、パッケージ５用のキャビティが形成された上金
型を被せてモールド用の樹脂を注入することにより行わ
れる。本発明では、基板１の裏面にも端子電極２、３の
裏面電極が設けられて裏面電極のない部分では下金型と
基板１の裏面との間に間隙が形成されており、しかも基
板１のチップの隣接部分に切欠部（製造段階においては
貫通孔）１ａが設けられているため、注入された樹脂は
切欠部（貫通孔）１ａを介して基板１の裏面側にも流れ
込む。そのため、基板１の表面に形成されるパッケージ
５は基板１の裏面側にも回り込んで形成される。このよ
うに、基板１の裏面側に設けられるパッケージ５は、も
ともと基板１の裏面の端子電極の間の空隙部に充填され
ているもので、その厚さも端子電極の裏面の厚さと同じ
であるため、外形寸法としては全然大きくなっていな
い。また、基板１に切欠部１ａが設けられているだけで
モールド時の製造工程には何等の変更もなく、従来と比
較して工数増も生じない。
を透過する透明または乳白色のエポキシ樹脂などをモー
ルド成形することにより形成される。このモールド成形
は、下金型にＬＥＤチップ４がマウントされた基板１を
載置し、パッケージ５用のキャビティが形成された上金
型を被せてモールド用の樹脂を注入することにより行わ
れる。本発明では、基板１の裏面にも端子電極２、３の
裏面電極が設けられて裏面電極のない部分では下金型と
基板１の裏面との間に間隙が形成されており、しかも基
板１のチップの隣接部分に切欠部（製造段階においては
貫通孔）１ａが設けられているため、注入された樹脂は
切欠部（貫通孔）１ａを介して基板１の裏面側にも流れ
込む。そのため、基板１の表面に形成されるパッケージ
５は基板１の裏面側にも回り込んで形成される。このよ
うに、基板１の裏面側に設けられるパッケージ５は、も
ともと基板１の裏面の端子電極の間の空隙部に充填され
ているもので、その厚さも端子電極の裏面の厚さと同じ
であるため、外形寸法としては全然大きくなっていな
い。また、基板１に切欠部１ａが設けられているだけで
モールド時の製造工程には何等の変更もなく、従来と比
較して工数増も生じない。
【００２１】本発明のチップ型発光素子によれば、基板
側部に設けられた切欠部と基板裏面の端子電極との間に
形成される空隙部とを利用してパッケージ用の樹脂を基
板の裏面側に回り込ませているため、ロッキングホール
のためのスペースを確保する必要がなく、また端子電極
の裏面電極と同じ厚さだけ設けられているため、素子の
外形は全然大きくならない。しかも、パッケージ用の樹
脂の一部を基板の裏面側に回り込ませているため、パッ
ケージの剥離を確実に防止することができ、基板とパッ
ケージとの密着性を考慮する必要がなく、一層の小形化
を達成することができる。
側部に設けられた切欠部と基板裏面の端子電極との間に
形成される空隙部とを利用してパッケージ用の樹脂を基
板の裏面側に回り込ませているため、ロッキングホール
のためのスペースを確保する必要がなく、また端子電極
の裏面電極と同じ厚さだけ設けられているため、素子の
外形は全然大きくならない。しかも、パッケージ用の樹
脂の一部を基板の裏面側に回り込ませているため、パッ
ケージの剥離を確実に防止することができ、基板とパッ
ケージとの密着性を考慮する必要がなく、一層の小形化
を達成することができる。
【００２２】なお、基板裏面の端子電極の間の空隙部の
全体にパッケージ用の樹脂を回り込ませないで、図４に
側面図が示されるように、一部には空隙部５ａが残るよ
うに下金型に突起部を設けておくことにより、空隙部５
ａによるハンダブリッジを防止することもできる。な
お、図４において、図１と同じ部分には同じ符号を付し
てその説明を省略する。
全体にパッケージ用の樹脂を回り込ませないで、図４に
側面図が示されるように、一部には空隙部５ａが残るよ
うに下金型に突起部を設けておくことにより、空隙部５
ａによるハンダブリッジを防止することもできる。な
お、図４において、図１と同じ部分には同じ符号を付し
てその説明を省略する。
【００２３】つぎに、図１のチップ型発光素子の製法に
ついて説明をする。なお、製造段階では、前述のように
大きな基板にマトリクス状に複数個形成され、最後の工
程で各チップに切断分離される。
ついて説明をする。なお、製造段階では、前述のように
大きな基板にマトリクス状に複数個形成され、最後の工
程で各チップに切断分離される。
【００２４】まず、図５にＬＥＤチップがボンディング
された状態の平面図が１個の素子分で示されるように、
基板１の素子が並んで形成される素子の端子電極２、３
側と異なる境界部に貫通孔により切欠部１ａを設け、表
面および裏面に銀ペーストなどをスクリーン印刷して乾
燥させることにより、端子電極２、３側の境界部のスリ
ットにより露出した端面（側面）にも電極が形成され、
基板１の表面から裏面に亘る端子電極２、３が形成され
る。つぎに、図３に示されるようなＬＥＤチップ４を図
示しない吸着コレットなどにより搭載し、導電性接着剤
により端子電極２とＬＥＤチップ４の下部電極４４とを
電気的に接続すると共に固着する。その後、金線７を電
極４５と端子電極３との間にワイヤボンディングする。
なお、ＬＥＤチップ４は通常の発光素子のウェハ工程お
よびダイシングにより製造される。
された状態の平面図が１個の素子分で示されるように、
基板１の素子が並んで形成される素子の端子電極２、３
側と異なる境界部に貫通孔により切欠部１ａを設け、表
面および裏面に銀ペーストなどをスクリーン印刷して乾
燥させることにより、端子電極２、３側の境界部のスリ
ットにより露出した端面（側面）にも電極が形成され、
基板１の表面から裏面に亘る端子電極２、３が形成され
る。つぎに、図３に示されるようなＬＥＤチップ４を図
示しない吸着コレットなどにより搭載し、導電性接着剤
により端子電極２とＬＥＤチップ４の下部電極４４とを
電気的に接続すると共に固着する。その後、金線７を電
極４５と端子電極３との間にワイヤボンディングする。
なお、ＬＥＤチップ４は通常の発光素子のウェハ工程お
よびダイシングにより製造される。
【００２５】その後、複数個のＬＥＤチップ４がマトリ
クス状に設けられた大きな基板１をモールド金型の下金
型にセッティングし、表面側のパッケージ用キャビティ
が設けられた上金型を被せて透明または乳白色のエポキ
シ樹脂などのモールド用の樹脂を注入することにより、
パッケージ５を形成する。この際、基板１の裏面には端
子電極の裏面電極が設けられているため、下金型に基板
１をセッティングするとき、裏面電極のない部分は下金
型と基板１の裏面との間には裏面電極の厚さ分だけ隙間
ができる。また、基板１の素子隣接部には、切欠部１ａ
が設けられているため、モールド用の樹脂を注入する際
に、その樹脂は切欠部１ａを経て基板１と下金型の間の
隙間にも流れ込む。そのため、基板１に切欠部１ａが設
けられるだけで、特別の工程の追加や製造工程の変更を
必要とすることなく、基板１の裏面に回り込んだパッケ
ージ５が形成される。
クス状に設けられた大きな基板１をモールド金型の下金
型にセッティングし、表面側のパッケージ用キャビティ
が設けられた上金型を被せて透明または乳白色のエポキ
シ樹脂などのモールド用の樹脂を注入することにより、
パッケージ５を形成する。この際、基板１の裏面には端
子電極の裏面電極が設けられているため、下金型に基板
１をセッティングするとき、裏面電極のない部分は下金
型と基板１の裏面との間には裏面電極の厚さ分だけ隙間
ができる。また、基板１の素子隣接部には、切欠部１ａ
が設けられているため、モールド用の樹脂を注入する際
に、その樹脂は切欠部１ａを経て基板１と下金型の間の
隙間にも流れ込む。そのため、基板１に切欠部１ａが設
けられるだけで、特別の工程の追加や製造工程の変更を
必要とすることなく、基板１の裏面に回り込んだパッケ
ージ５が形成される。
【００２６】その後、基板１を図２に示されるダイシン
グカット線Ｇで切断することにより、図１に示されるチ
ップ型発光素子が得られる。
グカット線Ｇで切断することにより、図１に示されるチ
ップ型発光素子が得られる。
【００２７】図６は、さらに薄型化したチップ型発光素
子の例を示す図で、（ａ）は側断面図、（ｂ）は基板１
上にＬＥＤチップ４をボンディングした状態の斜視説明
図、（ｃ）は、ＬＥＤチップの斜視説明図である。
子の例を示す図で、（ａ）は側断面図、（ｂ）は基板１
上にＬＥＤチップ４をボンディングした状態の斜視説明
図、（ｃ）は、ＬＥＤチップの斜視説明図である。
【００２８】この例は、図６（ｃ）に示されるように、
ＬＥＤチップ４がｎ型半導体層４１およびｐ型半導体層
４２により形成されるｐｎ接合面４３からなる発光層の
外形が長方形の直方体形状に形成されている。このＬＥ
Ｄチップ４が、図６（ｂ）に示されるように、横倒しに
されて、その幅の広い面が基板１の表面に面するように
載置され、両面の電極４４、４５が直接基板１の端子電
極２、３とハンダ付けまたは銀ペーストなどの導電性接
着剤６により固着されている。その他の基板１に切欠部
１ａが形成され、図６（ａ）に示されるように、モール
ド用樹脂が基板１の裏面側にも回り込んで、基板１の裏
面にもパッケージ５の一部が形成されることは、図１の
例と同じである。その結果、ＬＥＤチップ４の高さが低
く、薄型でありながらパッケージが剥離しにくいチップ
型発光素子が得られる。
ＬＥＤチップ４がｎ型半導体層４１およびｐ型半導体層
４２により形成されるｐｎ接合面４３からなる発光層の
外形が長方形の直方体形状に形成されている。このＬＥ
Ｄチップ４が、図６（ｂ）に示されるように、横倒しに
されて、その幅の広い面が基板１の表面に面するように
載置され、両面の電極４４、４５が直接基板１の端子電
極２、３とハンダ付けまたは銀ペーストなどの導電性接
着剤６により固着されている。その他の基板１に切欠部
１ａが形成され、図６（ａ）に示されるように、モール
ド用樹脂が基板１の裏面側にも回り込んで、基板１の裏
面にもパッケージ５の一部が形成されることは、図１の
例と同じである。その結果、ＬＥＤチップ４の高さが低
く、薄型でありながらパッケージが剥離しにくいチップ
型発光素子が得られる。
【００２９】このＬＥＤチップ４を横倒しにしてボンデ
ィングする場合、ＬＥＤチップ４の両電極４４、４５お
よび端子電極２、３のボンディング部にはハンダペース
トまたは銀ペーストなどを塗布したり、ハンダバンプを
形成しておくと、その接続が容易になるため好ましい。
なお、ＬＥＤチップ４の基板１への搭載は、たとえば切
断分離されたＬＥＤチップ４をパーツフィーダにより振
動させながらＬＥＤチップ４の幅狭面より大きく幅広面
より小さい吸込口を有する吸着コレットを用いて吸引す
ることによりＬＥＤチップの向きが正しくないものは吸
着されず、常に幅広面が上下に向いたチップのみが吸着
され、正しく搭載される。
ィングする場合、ＬＥＤチップ４の両電極４４、４５お
よび端子電極２、３のボンディング部にはハンダペース
トまたは銀ペーストなどを塗布したり、ハンダバンプを
形成しておくと、その接続が容易になるため好ましい。
なお、ＬＥＤチップ４の基板１への搭載は、たとえば切
断分離されたＬＥＤチップ４をパーツフィーダにより振
動させながらＬＥＤチップ４の幅狭面より大きく幅広面
より小さい吸込口を有する吸着コレットを用いて吸引す
ることによりＬＥＤチップの向きが正しくないものは吸
着されず、常に幅広面が上下に向いたチップのみが吸着
され、正しく搭載される。
【００３０】この直方体形状のＬＥＤチップ４は、ウェ
ハからのダイシングの際に、縦と横とでその間隔を変え
て切断することにより形成され、その狭い幅の寸法Ｈ
（図６（ｃ）参照）は０.１７〜０.２ｍｍ程度、広い幅
の寸法Ｗは０.４〜０.５５ｍｍ程度に形成され、その厚
さＴは従来と同様に０.２〜０.３ｍｍ程度に形成され
る。
ハからのダイシングの際に、縦と横とでその間隔を変え
て切断することにより形成され、その狭い幅の寸法Ｈ
（図６（ｃ）参照）は０.１７〜０.２ｍｍ程度、広い幅
の寸法Ｗは０.４〜０.５５ｍｍ程度に形成され、その厚
さＴは従来と同様に０.２〜０.３ｍｍ程度に形成され
る。
【００３１】この例によれば、基板１の表面からの高さ
を非常に低くしながら、スペースに余裕のある基板の幅
方向の長さを長くすることにより、その発光層の面積を
十分に確保することができる。すなわち、発光層の外形
である長方形状の一辺を小さくしても他の辺を大きくす
ることにより、ｐｎ接合面４３の面積を一定にすること
ができ、前述の立方体形状の場合と同程度にすることが
できる。そのため、チップ型発光素子の高さを低くして
薄型の発光素子としながら、入力電流の量を多くしない
で十分な発光量が得られ、信頼性が高く薄型のチップ型
発光素子が得られる。さらに、ＬＥＤチップ４の電極と
基板１の端子電極２、３との接続が直接導電性接着剤に
より接続されているため、電極の接続のためのワイヤボ
ンディングの必要がなく、一層の薄型化が可能となる。
なお、この場合もＬＥＤチップ４の構造は、前述のｐｎ
接合構造のものに限定されるものではなく、活性層がｐ
型層とｎ型層とにより挟持される構造のものでもよい。
を非常に低くしながら、スペースに余裕のある基板の幅
方向の長さを長くすることにより、その発光層の面積を
十分に確保することができる。すなわち、発光層の外形
である長方形状の一辺を小さくしても他の辺を大きくす
ることにより、ｐｎ接合面４３の面積を一定にすること
ができ、前述の立方体形状の場合と同程度にすることが
できる。そのため、チップ型発光素子の高さを低くして
薄型の発光素子としながら、入力電流の量を多くしない
で十分な発光量が得られ、信頼性が高く薄型のチップ型
発光素子が得られる。さらに、ＬＥＤチップ４の電極と
基板１の端子電極２、３との接続が直接導電性接着剤に
より接続されているため、電極の接続のためのワイヤボ
ンディングの必要がなく、一層の薄型化が可能となる。
なお、この場合もＬＥＤチップ４の構造は、前述のｐｎ
接合構造のものに限定されるものではなく、活性層がｐ
型層とｎ型層とにより挟持される構造のものでもよい。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、発光素子チップなどを
保護するパッケージが基板の表面側だけでなく、基板の
裏面側にも回り込んで設けられているため、少々の外力
がパッケージに加わってもパッケージが剥離することが
ない。そのため、たとえば連結基板の分離部付近にチッ
プ型発光素子が取り付けられた連結基板をカットしてセ
ットに組み込む場合でも、パッケージを誤って剥すこと
がなく、取扱が容易になると共に、不良品の発生がな
く、高歩留りとなる。しかも、素子としては、基板の側
部に切欠部が形成されるだけであるため、小形で安価な
チップ型発光素子が得られる。
保護するパッケージが基板の表面側だけでなく、基板の
裏面側にも回り込んで設けられているため、少々の外力
がパッケージに加わってもパッケージが剥離することが
ない。そのため、たとえば連結基板の分離部付近にチッ
プ型発光素子が取り付けられた連結基板をカットしてセ
ットに組み込む場合でも、パッケージを誤って剥すこと
がなく、取扱が容易になると共に、不良品の発生がな
く、高歩留りとなる。しかも、素子としては、基板の側
部に切欠部が形成されるだけであるため、小形で安価な
チップ型発光素子が得られる。
【００３３】また、発光素子チップが直方体形状に形成
され、横倒しにされてその幅広面が基板表面と平行にな
るように取り付けられることにより、一層の薄型化を達
成することができると共に、基板とパッケージとの接触
面積が少なくなるが、裏面側に回り込んだ樹脂によりパ
ッケージは充分に固着される。この際、発光素子チップ
が基板の両端子電極に直接ハンダ付けまたは銀ペースト
により接続されることにより、ワイヤボンディングをす
るスペースも不要となり、パッケージがしっかりと固着
されたチップ型発光素子の厚さを０.５ｍｍ程度以下の
薄型にすることができる。
され、横倒しにされてその幅広面が基板表面と平行にな
るように取り付けられることにより、一層の薄型化を達
成することができると共に、基板とパッケージとの接触
面積が少なくなるが、裏面側に回り込んだ樹脂によりパ
ッケージは充分に固着される。この際、発光素子チップ
が基板の両端子電極に直接ハンダ付けまたは銀ペースト
により接続されることにより、ワイヤボンディングをす
るスペースも不要となり、パッケージがしっかりと固着
されたチップ型発光素子の厚さを０.５ｍｍ程度以下の
薄型にすることができる。
【００３４】その結果、携帯電話機やＰＨＳなどの携帯
機器のスイッチボタンなどに用いられる光源を非常に薄
くすることができ、携帯機器などのさらなる軽薄短小化
に寄与することができる。
機器のスイッチボタンなどに用いられる光源を非常に薄
くすることができ、携帯機器などのさらなる軽薄短小化
に寄与することができる。
【図１】本発明のチップ型発光素子の一実施形態の説明
図である。
図である。
【図２】図１のチップ型発光素子の製造段階での基板上
に端子電極が形成された状態の説明図である。
に端子電極が形成された状態の説明図である。
【図３】図１のＬＥＤチップの拡大説明図である。
【図４】本発明のチップ型発光素子の他の例を示す側面
図である。
図である。
【図５】図１のチップ型発光素子の製造段階の一工程の
平面説明図である。
平面説明図である。
【図６】本発明のチップ型発光素子のさらに他の例を示
す説明図である。
す説明図である。
【図７】従来のチップ型発光素子の説明図である。
【図８】従来のチップ型発光素子の使用例を示す図であ
る。
る。
１ 基板 １ａ 切欠部 ２、３ 端子電極 ４ ＬＥＤチップ ５ パッケージ
Claims (3)
- 【請求項１】 基板と、該基板の両端部に設けられる端
子電極と、該両端部の端子電極にそれぞれ接続される２
つの電極を有する発光素子チップと、該発光素子チップ
の周囲を被覆する樹脂からなるパッケージとからなり、
前記基板の側部に表面から裏面に至る切欠部が形成さ
れ、前記樹脂が該切欠部を介して前記基板の裏面まで回
り込んで前記パッケージが形成されてなるチップ型発光
素子。 - 【請求項２】 前記端子電極が前記基板の裏面まで回り
込んで形成され、前記基板の裏面に形成されるパッケー
ジは前記基板の裏面の端子電極のない部分で、該端子電
極の厚さだけ設けられてなる請求項１記載のチップ型発
光素子。 - 【請求項３】 前記発光素子チップは、該発光素子チッ
プの発光層の外形が長方形状になるような直方体に形成
され、前記長方形状の長辺側の面が前記基板表面と平行
になるように前記基板に設けられてなる請求項１または
２記載のチップ型発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8304811A JPH10150227A (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | チップ型発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8304811A JPH10150227A (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | チップ型発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10150227A true JPH10150227A (ja) | 1998-06-02 |
Family
ID=17937542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8304811A Pending JPH10150227A (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | チップ型発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10150227A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001332767A (ja) * | 2000-05-24 | 2001-11-30 | Rohm Co Ltd | Ｌｅｄ素子及びその製造方法 |
| WO2004082034A1 (ja) * | 2003-03-14 | 2004-09-23 | Sumitomo Electric Industries Ltd. | 半導体装置 |
| JP2007142479A (ja) * | 2003-03-14 | 2007-06-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置 |
| JP2007287805A (ja) * | 2006-04-13 | 2007-11-01 | Sharp Corp | 発光装置およびその製造方法 |
| KR100811206B1 (ko) | 2006-03-22 | 2008-03-07 | (주) 아모센스 | 엘이디 패키지 |
| KR100821222B1 (ko) | 2006-12-19 | 2008-04-11 | 서울반도체 주식회사 | 막대형 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법 |
| JP2011507291A (ja) * | 2007-12-19 | 2011-03-03 | バイエル・マテリアルサイエンス・アクチェンゲゼルシャフト | Ｌｅｄｄｉｅを有する発光体およびその製造方法 |
| JP2024094400A (ja) * | 2019-02-26 | 2024-07-09 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
-
1996
- 1996-11-15 JP JP8304811A patent/JPH10150227A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001332767A (ja) * | 2000-05-24 | 2001-11-30 | Rohm Co Ltd | Ｌｅｄ素子及びその製造方法 |
| US7504671B2 (en) | 2003-03-14 | 2009-03-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device |
| JPWO2004082034A1 (ja) * | 2003-03-14 | 2006-06-15 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置 |
| JP2007142479A (ja) * | 2003-03-14 | 2007-06-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置 |
| US7335925B2 (en) | 2003-03-14 | 2008-02-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device |
| US7420223B2 (en) | 2003-03-14 | 2008-09-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device |
| WO2004082034A1 (ja) * | 2003-03-14 | 2004-09-23 | Sumitomo Electric Industries Ltd. | 半導体装置 |
| KR101007164B1 (ko) * | 2003-03-14 | 2011-01-12 | 스미토모 덴키 고교 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
| KR100811206B1 (ko) | 2006-03-22 | 2008-03-07 | (주) 아모센스 | 엘이디 패키지 |
| JP2007287805A (ja) * | 2006-04-13 | 2007-11-01 | Sharp Corp | 発光装置およびその製造方法 |
| KR100821222B1 (ko) | 2006-12-19 | 2008-04-11 | 서울반도체 주식회사 | 막대형 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법 |
| JP2011507291A (ja) * | 2007-12-19 | 2011-03-03 | バイエル・マテリアルサイエンス・アクチェンゲゼルシャフト | Ｌｅｄｄｉｅを有する発光体およびその製造方法 |
| JP2024094400A (ja) * | 2019-02-26 | 2024-07-09 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
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