JP7796845B2

JP7796845B2 - 真空電子デバイスでの電子ビームの磁気静電検出、集束、および操向

Info

Publication number: JP7796845B2
Application number: JP2024196639A
Authority: JP
Inventors: ドーハティ，ダイアナ・ガムジナ
Original assignee: エルヴ・インコーポレーテッド
Priority date: 2020-11-15
Filing date: 2024-11-11
Publication date: 2026-01-09
Anticipated expiration: 2041-11-13
Also published as: US20250182994A1; JP7588266B2; US20240242916A1; TW202236719A; WO2022104166A1; EP4244880A4; US11894208B2; US20220157549A1; JP2023549863A; JP2023549866A; JP7794930B2; EP4244880A2; US20220157550A1; TWI829034B; JP2024138352A; TWI836293B; US12463000B2; KR20230104691A; JP7518293B2; EP4244912A4

Description

（関連出願の相互参照）
本出願は、（１）内容があたかも本明細書に完全に示されているかのように参照により
本明細書に組み入れられる、「Ｍｕｌｔｉ－ｌａｙｅｒｅｄｍｕｌｔｉ－ｍａｔｅｒｉ
ａｌｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇｐｒｏｃｅｓｓｆｏｒｖａｃｕｕｍｅｌｅｃ
ｔｒｏｎｉｃｄｅｖｉｃｅｓ（真空電子デバイスのための多層多材製造工程）」と題す
る、発明者ＤｉａｎａＧａｍｚｉｎａＤａｕｇｈｅｒｔｙ名義で本明細書と共有され
２０２０年１１月１５日に提出された米国仮特許出願第６３／１９８，８１７号明細書、
ならびに（２）内容があたかも本明細書に完全に示されているかのように参照により本明
細書に組み入れられる、「Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｍａｇｎｅｔｏ－ｅｌｅｃｔｒｏｓｔ
ａｔｉｃｓｅｎｓｉｎｇ，ｆｏｃｕｓｉｎｇ，ａｎｄｓｔｅｅｒｉｎｇｏｆ
ｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｓｉｎｍｉｃｒｏｗａｖｅ，ｍｉｌｌｉｍｅｔｅｒ
ｗａｖｅ，ａｎｄｎｅａｒ－ｔｅｒａｈｅｒｔｚｖａｃｕｕｍｅｌｅｃｔｒｏｎ
ｉｃｄｅｖｉｃｅｓ（マイクロ波、ミリメートル波、およびほぼテラヘルツの真空電子
デバイスでの電子ビームの電子式磁気静電検出、集束、および操向）」と題する、発明者
ＤｉａｎａＧａｍｚｉｎａＤａｕｇｈｅｒｔｙ名義で本明細書と共有され２０２０年
１１月２１日に提出された米国仮特許出願第６３／１９８，９１５号明細書に基づき優先
権の利益を主張する。

本出願は同様に、（１）「Ｍｕｌｔｉ－ｌａｙｅｒｅｄｍｕｌｔｉ－ｍａｔｅｒｉａ
ｌｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇｐｒｏｃｅｓｓｆｏｒｖａｃｕｕｍｅｌｅｃｔ
ｒｏｎｉｃｄｅｖｉｃｅｓ（真空電子デバイスのための多層多材製造工程）」と題する
、発明者ＤｉａｎａＧａｍｚｉｎａＤａｕｇｈｅｒｔｙ名義で本明細書と共有され２
０２０年１１月１５日に提出された米国仮特許出願第６３／１９８，８１７号明細書、な
らびに（２）「Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｍａｇｎｅｔｏ－ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ
ｓｅｎｓｉｎｇ，ｆｏｃｕｓｉｎｇ，ａｎｄｓｔｅｅｒｉｎｇｏｆｅｌｅｃｔ
ｒｏｎｂｅａｍｓｉｎｍｉｃｒｏｗａｖｅ，ｍｉｌｌｉｍｅｔｅｒｗａｖｅ，
ａｎｄｎｅａｒ－ｔｅｒａｈｅｒｔｚｖａｃｕｕｍｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｄｅ
ｖｉｃｅｓ（マイクロ波、ミリメートル波、およびほぼテラヘルツの真空電子デバイスで
の電子ビームの電子式磁気静電検出、集束、および操向）」と題する、発明者Ｄｉａｎａ
ＧａｍｚｉｎａＤａｕｇｈｅｒｔｙ名義で本明細書と共有され２０２０年１１月２１
日に提出された米国仮特許出願第６３／１９８，９１５号明細書に基づき優先権の利益を
主張する、本明細書と同一日付で提出された別の特許出願である、発明者ＤｉａｎａＧ
ａｍｚｉｎａＤａｕｇｈｅｒｔｙ名義で本明細書と共有される、「Ｍｕｌｔｉ－ｌａｙ
ｅｒＶａｃｕｕｍＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅａｎｄＭｅｔｈｏｄｏｆ
Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ（多層真空電子デバイスおよび製造方法）」と題する米国仮
特許出願第１７／５２５，６５８号明細書に関連すると考えられてよい。米国仮特許出願
第１７／５２５，６５８号明細書の内容は、あたかも本明細書に完全に示されているかの
ように参照により本明細書に組み入れられる。

本開示は一般に、１つまたは複数の真空電子デバイス（ｖａｃｕｕｍｅｌｅｃｔｒｏ
ｎｄｅｖｉｃｅ、ＶＥＤ）を同時に形成するために一緒に接合された、さまざまな材料
からなる複数の２次元の層を有するＶＥＤを製作するために使用する製造工程に関する。
２次元の材料層は、組み立てられ接合されて３次元の構造になったときに３次元の特徴を
形成するように、デバイス動作のために必要な特徴を含むように機械加工される。２次元
の層はろう付け、拡散接合、補助拡散接合（ａｓｓｉｓｔｅｄｄｉｆｆｕｓｉｏｎｂ
ｏｎｄｉｎｇ）、固体接合（ｓｏｌｉｄｓｔａｔｅｂｏｎｄｉｎｇ）、冷間溶接、超
音波溶接などを使用して接合される。本製造工程により、必要とされる位置精度およびバ
ッチ能力あたり多数のデバイスを維持しながら、ＶＥＤ製作のために必要とされる金属材
料、磁性材料、セラミック材料、および他の材料を組み入れることが可能になる。そのよ
うに作り出されたＶＥＤは、電子ビーム制御のために磁気レンズと静電レンズの組合せを
含む。

真空電子デバイス（ＶＥＤ）は真空環境で動作し、１つまたは複数の電子ビームとＶＥ
Ｄの相互作用領域内に発生した電磁場との間の相互作用を利用する。ＶＥＤを構築するに
は、真空電子デバイスの陰極（電子放出体）からコレクタ（電子受容体）へ電子が通過す
るのを妨げないように真空に保持されてよい、または真空に密封されてよい単一組立体の
中に金属材料、磁性材料、または他の材料を組み入れる必要がある。真空領域はまた真空
チャンバ、またはキャビティ、またはトンネル、またはＲＦ相互作用領域とも呼ばれ、１
つまたは複数の電子ビームと１つまたは複数の電磁波の間で相互作用が行われる場所であ
る。従来技術のそのようなＶＥＤの例は粒子加速器、クライストロン、ジャイロトロン、
ジャイロクライストロン、ジャイロ増幅器、進行波管（ｔｒａｖｅｌｌｉｎｇｗａｖｅ
ｔｕｂｅ、ＴＷＴ）、ジャイロＴＷＴ、後進波発振器、誘導出力管（ｉｎｄｕｃｔｉｖ
ｅｏｕｔｐｕｔｔｕｂｅｓ、ＩＯＴＳ）、マグネトロン、交差場増幅器（ｃｒｏｓｓ
－ｆｉｅｌｄａｍｐｌｉｆｉｅｒ）、自由電子レーザ、ユビトロン（ｕｂｉｔｒｏｎ）
、メーザ、二極館、三極管、四極管、五極管などを含む（しかし、これらに限定されない
）。いくつかのガス・イオン・レーザは、厳密に真空で動作するのではなく非常に低い圧
力で動作し、一般にＲＦ相互作用領域を欠いているが、ほとんど同じように動作する。

ＶＥＤの電子ビームトンネルを通る電子ビーム伝播は従来、電子ビームトンネル内部に
電子ビームを包含する磁場または静電場を使用することにより達成される。空間電荷、す
なわち狭いビームに圧縮された負に帯電した電子の影響は、電子がすべて有する同種の電
荷が原因で互いに反発する傾向があるので、ビームを外へ広げる傾向がある。したがって
、ＶＥＤに関してより高い効率および性能を得るために相互作用領域内でＲＦ信号と電子
ビームの相互作用を長引かせてよいように、より長い期間および距離の間ビームを束ねる
ために、封じ込め技法が必要である。

永久磁石、電磁石だけではなく永久磁石と電磁石の周期的アレイも通常、ビームトンネ
ルにビームを封じ込めるために採用される。ＶＥＤを組み立てて、ＶＥＤを動作させるた
めにＶＥＤを準備するとき、２つの難題が生じる、すなわち、（１）ビームトンネル、磁
気中心線、およびビームの注入場所は多くの場合、特により高い周波数のデバイスで顕著
な製造および組立の変動が原因で完全に整列しない、（２）磁性材料の品質は、必要とさ
れる精度で個々の磁石の磁区が設計目標に従って整列することを確実にするのに適してお
らず、その結果、磁場は非一様になる。その結果、ＶＥＤの製造後、技術専門家は通常、
最適な電子ビーム伝送を達成するために、ＶＥＤの周囲の磁場を調節または微調整する際
にかなりの努力を費やす。この微調整は一般に、接着剤を使用してＶＥＤ構造の外側に手
作業で微調整磁石を適用することにより遂行される。この工程は、伝送最適化工程に関す
る手引きのための出力が限られており、ほとんどの場合、陰極電流とビーム伝送との比較
結果だけしかないのに対して、追加の微調整磁石を追加してＶＥＤ性能を最適化できる場
所が多数ある。この工程は長時間にわたり、ＶＥＤの複雑性に応じて完了するのに数時間
から数週間くらいかかる可能性がある。シート電子ビームＶＥＤ用の周期的カスプ磁石組
立体は、最近この目的のために四重極整列磁石を組み入れてきているが、整列工程を漸増
的に加速するだけであり、依然としてほぼＴＨｚのデバイスの要求に添わない。

米国仮特許出願第６３／１９８，８１７号明細書米国仮特許出願第６３／１９８，９１５号明細書米国仮特許出願第１７／５２５，６５８号明細書

これまでのＶＥＤは一般に、個々の２次元および３次元の下位構成要素を使用して、下
位構成要素を組立体に形成して、組立体を外周器に接合して構造支持物および真空外周器
を提供し、次いで従来の真空処理および密封手順を行って製造されて、機能するＶＥＤを
生み出した。そのような手順は、デバイスの複雑さに応じて、単一デバイスを完成するの
に数週間以上かかる可能性があり、非常に熟練した多くの労働者、および手順を行う大型
クリーンルームを利用した。今日、地上局から衛星への、基地局およびローカルＷｉ－Ｆ
ｉシステムおよび地上のバックボーンシステムへの無線広帯域データ通信の需要が爆発的
に増加しているので、より安価で大量のそのようなデバイスの必要性がかなりある。

本明細書で記述する主題は一般に、積層の形に組み立てられて一緒に接合された材料の
並行シートを利用して３次元真空電子デバイス（ＶＥＤ）を形成するＶＥＤ製造に関する
。この取り組み方法の有利な点は、複数のＶＥＤが同じ構造で同時に製造され、半導体デ
バイス製作で一般に行われるのとよく似て、完成したときに個々に使用するために簡単に
切り離されてよいことであり、その結果、デバイスあたりの製造費用を著しく低減する。
そのように作り出されたＶＥＤは、電子ビーム制御のために磁気レンズと静電レンズの組
合せを含む。

前述の概要は要約であり、その結果、簡略化、一般化、および詳細の省略を包含するこ
とがあり、その結果として、当業者は、概要が例示でしかなく、限定することを決して意
図しないことを認識されよう。

本明細書に組み込まれ本明細書の一部を構成する添付図面は、１つまたは複数の代表的
実施形態を例示し、代表的実施形態についての記述と共に本発明の原理および実装形態を
説明するのに役立つ。

ある実施形態によるＶＥＤの前方右側透視図である。ある実施形態による図１のＶＥＤの後方左側透視図である。ある実施形態による図１のＶＥＤの右側正面図である。ある実施形態による図１のＶＥＤの前方右側の部分的破断透視図である。ある実施形態による図１のＶＥＤの前方右側内部の部分的破断透視図である。ある実施形態による図１のＶＥＤの内部の一部分の線６－６に沿って得た横断面図である。ある実施形態による組立体から切り取られた１つのＶＥＤの前方右側透視図である。ある実施形態によるＶＥＤの内部の一部分の横断面図である。ある実施形態による図８のＶＥＤの内部の前方左側の部分的破断透視図である。ある実施形態によるＶＥＤの内部の前方左側の部分的破断透視図である。ある実施形態による図１０のＶＥＤの区域１１の内部の前方左側の部分的破断分解透視図である。ビームの操向機能および集束機能を提供する実施形態により使用されてよいさまざまな制御プレートを例示する図である。ビームの操向機能および集束機能を提供する実施形態により使用されてよいさまざまな制御プレートを例示する図である。ビームの操向機能および集束機能を提供する実施形態により使用されてよいさまざまな制御プレートを例示する図である。ビームの操向機能および集束機能を提供する実施形態により使用されてよいさまざまな制御プレートを例示する図である。本発明のある実施形態による、真空電子デバイスを製造するための工程または方法を例示する流れ図である。

ＴＷＴなどのＶＥＤに関連して、本明細書で代表的実施形態について記述する。以下の
記述は代表的でしかなく、限定することを決して意図しないことを当業者は認識されよう
。他の実施形態は、本開示の利益を有するそのような当業者に容易に思い浮かぶであろう
。次に、添付図面に例示するような代表的実施形態の実装形態を詳細に参照する。図面お
よび以下の記述全体を通して可能な範囲で同じ参照番号を使用して、同じ項目または類似
する項目を指す。

明確にするために、本明細書で記述する実装形態のありきたりの特徴すべについて示し
説明するわけではない。当然のことながら、任意のそのような実際の実装形態を開発する
際、適用分野関連および業務関連の制約を遵守するなど開発者の特有の目標を達成するた
めに実装特有の判断を数多く行わなければならいこと、ならびにこれらの特有の目標は、
実装形態ごとに、および開発者ごとに変わることを認識されよう。その上、そのような開
発努力は、複雑になり多くの時間を必要とすることがあるが、それにもかかわらず、本開
示の恩恵を受ける当業者にとって技術者の日常的な仕事であることが認識されよう。

本明細書で「一実施形態」もしくは「ある実施形態」、または「一実装形態」もしくは
「ある実装形態」などについての言及は、代表的実施形態に関連して記述する特定の特徴
、構造、部分、機能、または特性が少なくとも１つの代表的実施形態に含まれる可能性が
あることを意味する。本明細書の範囲内で異なる場所で「一実施形態では」または「一実
装形態では」などのような語句が出現することは、必ずしもすべて同じ実施形態または実
装形態について言及しているわけではなく、また他の実施形態を必ず相互に排除する別個
の代替実施形態でもない。

本開示によれば、本明細書で記述する構成要素および工程ステップは、本明細書で開示
する発明の概念の精神および範囲を逸脱することなくさまざまな技法を使用して実装され
てよい。

本明細書で記述することは、本発明の実施形態の例を含む。当然のことながら、特許請
求する主題について記述する目的で構成要素または方法論の考えられるあらゆる組合せに
ついて記述することは不可能であるが、主題の革新の他の組合せおよび置換がさらに可能
であることを認識されたい。それに応じて、特許請求する主題は、添付の特許請求の範囲
の精神および範囲に入るそのような代替形態、修正形態、および変形形態すべてにわたる
ことが意図される。その上、要約で記述することを含む、主題の開示について例示する実
施形態についての上記の記述は、排他的であることも、開示する実施形態を、開示するま
さにその形態に限定することも意図しない。例示する目的で特有の実施形態、例、および
実装形態について本明細書で記述するが、当業者が認識できるように、そのような実施形
態および例の範囲に入ると考えられるさまざまな修正形態が可能である。

詳細には、上記で記述する構成要素、デバイス、システムなどが遂行するさまざまな機
能に関して、そのような構成要素について記述するために使用する用語は、特に示さない
限り、たとえ特許請求する主題について本明細書で例示する代表的様態で機能を遂行する
開示する構造に構造的に等価ではないとしても、記述する構成要素の指定された機能を遂
行する任意の構成要素（たとえば、機能的均等物）に対応することが意図される。

それに加えて、本発明の特定の特徴についていくつかの実装形態のうち１つだけに関し
て開示してきたことがあるが、そのような特徴は、任意の所与の適用分野または特定の適
用分野に望まれてよい、または有利であってよいようなその他の実装形態の１つまたは複
数の他の特徴と組み合わせられてよい。さらに、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）」、「含む
（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、「有する（ｈａｓ）」、「包含する（ｃｏｎｔａｉｎｓ）」
という用語、それらの変形形態、および他の類似する用語は、詳細な記述および特許請求
の範囲で使用される限りにおいて、どんな追加要素または他の要素も排除することなく排
他的ではない移行語として用語「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」に類似する手法で包
括的であることが意図される。

その上「例」または「代表的」という言葉は、本明細書では例、実例、または例証とし
て役立つことを意味するために使用される。本明細書で「代表的」として記述する任意の
様態または設計は、他の様態または設計に対して好ましい、または有利であると必ずしも
解釈されるべきではない。むしろ「例」または「代表的」という言葉を使用することは、
具体的様式で概念を提示することが意図される。本出願で使用するとき、用語「または（
ｏｒ）」は、排他的「または」ではなくむしろ包括的「または」を意味することが意図さ
れる。すなわち、特に指定しない限り、または前後関係から明白ではない限り、「ＸがＡ
またはＢを用いる」は自然な包括的置換のいずれも意味することが意図される。すなわち
、ＸがＡを用いる、ＸがＢを用いる、またはＸがＡもＢも用いる場合、「ＸがＡまたはＢ
を用いる」は、前述の実例のいずれの下でも満たされる。それに加えて、冠詞「ａ」およ
び「ａｎ」は、本出願および添付の特許請求の範囲で使用するとき、特に指定しない限り
、または単数形に誘導するように前後関係から明白ではない限り、一般に「１つまたは複
数」を意味すると解釈されるべきである。

図では、２つ以上の図でコールアウト番号または参照記号を使用する場合、本開示の前
後関係からそのように明確に意図されない限り、同じ、または類似する部分、構成要素、
またはステップを指すことが意図される。

本明細書で記述するデバイスおよび方法はペンシルビーム、シートビーム、長方形ビー
ム、楕円ビーム、中空ビーム、分散ビーム、および多重ビームを利用するＶＥＤのために
用いることができる。

以下の記述の大部分は、電子ビームの下から電子ビームの上までプレートが電子ビーム
に並行に整列した層の形でＶＥＤを造ることに対処するが、さらにまた、そのようなデバ
イスは、本明細書の教示に示される比較的簡単な手法で電子ビームに垂直に構築されてよ
いことが企図される。そのようなデバイスはまた、所望であれば、たとえば分散ビームデ
バイスのように電子ビームに対して任意の角度で構築されてよい。

本発明の重要な利益は、この発明を使用して単一試作デバイスさえ作ることが従来技術
よりも費用対効果がはるかに高いことが証明されているが、一回のバッチで複数のＶＥＤ
を同時に製作可能にし、次いで複数のＶＥＤを切断して個々の構成要素にする本発明の能
力にある。

典型的には、磁石を使用して、ＶＥＤで電子ビームの形成および照準の機能のうち少な
くともいくつかを提供する。電子ビームは、陰極から陽極に適切に誘導されない場合、Ｖ
ＥＤ構造の何らかの他の部分に衝突することがあり、損傷を引き起こし、真空区域を汚染
する。さまざまな磁石材料タイプを組み入れる能力は、ＶＥＤの組立に有益である。Ｈａ
ｌｂａｃｈ、すなわち四重極アレイは多くの場合、電子ビームからいくらか距離を置いて
電子ビームの周囲にソレノイドを導入するので、電子ビームを集束させるために用いられ
る。本発明の別の重要な利益は、本発明により真空チャンバ内部に磁石を置くことなく電
子ビームのはるかに近くに磁石を持って行くことができるようになるので（電磁ソレノイ
ドの、または固定した）所与の磁石に関して電子ビームの所でより高強度の磁場を提供す
る本発明の能力にある。磁石から得られる磁場は、磁石からの距離の二乗で低減するので
、磁石をより近くに持って行くことができ、本発明によって磁石をより小さく作ることが
できる。磁気操向は、実際の磁石だけではなく、磁石と併せて、ＶＥＤ内部で所望の磁場
を確立して電子ビームを適切に操向する、磁気的に影響されやすい材料と磁石との組合せ
も用いて遂行できる。磁性材料ならびに／または鉄およびニッケルを含有する材料は良好
な導電体ではないので、電磁回路は典型的には、電子ビームから遠くに集束構造を動かす
銅（またはらせんタイプのデバイス用のタングステン）のような材料から作られる。磁石
、ならびに／または鉄およびニッケルを含有する材料は、銅などの高導電率材料で電気め
っきでき、この問題を軽減するために用いることができるが、しかしながら、そのような
配列は、そのような材料がＶＥＤ内で経時的に劣化する可能性があるので、ＶＥＤに関し
て潜在的な真空純度の問題を生み出す可能性がある。

静電集束はまた、ＶＥＤで電子ビームの形成および照準の機能のうちいくつかを提供す
るために使用されてよい。このとき、真空構造の中に導電体を導入する本発明の能力は、
電子ビーム周辺に配置された２つ以上のプレートの両端に電圧を印加することにより真空
構造内部で正確な静電集束を使用できるようにする。特有の適用分野で所望である、また
は必要とされる場合、いくつかの組のそのようなプレートを用いてよい。

本明細書で記述する製造の取り組み方法は、さまざまな周波数でＶＥＤを製造するため
に用いることができるが、約２５ＧＨｚ～約１ＴＨｚの間で動作するＶＥＤで特に有益で
ある。手作業による従来のデバイス組立体を使用するそのようなデバイスの製造は（場合
によっては、マイクロメートルからミリメートルの）小さな特徴スケールが原因で困難で
ある。

本明細書で記述する実施形態は、一般にＶＥＤ内部での改善された電子ビーム電流検出
、電子ビーム集束、および電子ビーム操向に関する。具体的には、実施形態は、電子ビー
ムの近傍から近い範囲で電子ビームの上に静電場を加えるための導電体（電極）を利用す
ることにより、封じ込める磁場内部で電子ビーム伝播を電子的に検出および制御するため
の新規な機構を例示する。電極は、ＶＥＤ回路構造に沿ってビーム伝送および損失を詳細
に検出するためだけではなく、電子ビーム周辺の領域に電位を加えて（一般に単一電位要
素である静電レンズを使用することにより）電子ビームを集束させる、または（一般に２
つまたは４つの電位要素である静電偏光器を使用することにより）ビームを操向するため
にも採用されてよい。この場合、従来の設計の電子制御システムを採用して、センサから
得られる電流を検出し、それによりこれまでの取り組み方法よりもはるかに短い時間を消
費する比較的簡単な手法で、さまざまな電極の電位を調節して電子ビームを通る電流を最
大にし、ＶＥＤの本体の中に入る電流を最小にできる。

ここで図に目を向けると、図１は、ある実施形態によるＶＥＤ１００の前方右側透視図
である。図１のＶＥＤ１００は、たとえばシートビームＴＷＴであってよい。図１のＶＥ
Ｄ１００は、ある実施形態によればいくつかの一緒に積層され接合された層の形で製作さ
れてよい。層は、電子（シート）ビーム軸（軸の一方の端部を１０２と呼ぶ）に並行にな
るように並行に配列されてよい、または所望であればその軸に垂直に、もしくは何らかの
他の角度で配列されてよい。図１によれば、内部は要素１０４、１０６、１０８、１１０
、および１１２の反復パターンを備え、要素１０８は、同じく永久磁石であってよい、ま
たは鉄もしくはニッケルなどの磁性材料から形成されてよい要素１０６および１１０によ
り両側でサンドイッチ状になった永久磁石である。サンドイッチ構造を完成するのは、電
気絶縁体（たとえば、アルミナ）である要素１０４および１１２である。制御プレートバ
イアス信号（以下でより詳細に論じる）および／またはＲＦ入出力信号などの電気信号は
端子１１４、１１６、１１８、および１２０で運ばれる。これらの端子は、図示するよう
に、それぞれ絶縁体１２２、１２４、１２６、および１２８、ならびにそれぞれ導体絶縁
体１３０、１３２、１３４、および１３６により構造の他の部分から絶縁される。ＶＥＤ
１００の右側に４極（四重極）静電操向／集束組立体１３８を示す。組立体１３８は、４
つの電極端子１４０、１４２、１４４、および１４６を含み、それぞれ絶縁体片１４８、
１５０、１５２、および１５４によりＶＥＤ１００の構造から絶縁される。ＶＥＤ１００
の外側本体を形成する要素１５６、１５８、および１６０は、銅などの導電体から形成さ
れる。この静電四重極集束の取り組み方法は、シートビームおよびペンシルビームのＶＥ
Ｄに特に有用である。要素１６２、１６４は、軸１０２に沿って移動する電子ビームを封
じ込めて集束させるのに役立つ磁石である。要素１５６と１６０の間には、周期的カスプ
磁石、周期的永久磁石、ウィグラー磁石、Ｈａｌｂａｃｈ磁石、永久磁石、電磁石－永久
磁石などのタイプのうち１つまたは複数からなってよい、ＶＥＤの磁気組立体または磁気
回路が位置する。

図２は、ある実施形態による図１のＶＥＤ１００の後方左側透視図である。要素１６６
、１６８は、軸１０２に沿って移動する電子ビームを封じ込めて集束させるのに役立つ磁
石である。制御プレートバイアス信号（以下でより詳細に論じる）および／またはＲＦ入
出力信号などの電気信号は端子１７０、１７２、１７４、１７６、１７８、および１８０
で運ばれる。これらの端子は、図示するように、それぞれ絶縁体１８２、１８４、１８６
、１８８、１９０、および１９２により構造の他の部分から絶縁される。

図３は、ある実施形態による、図１のＶＥＤ１００の右側正面図である。図３は、組立
体１３８の詳細を示す。追加でここに示すのは、導体絶縁体１９８、２００により要素１
５８から絶縁される電気端子１９４、１９６である。

図４は、ある実施形態による、図１のＶＥＤ１００の前方右側の破断透視図である。こ
の実施形態によれば、要素１５６ａおよび１６０ａは図１、図２、および図３に要素１５
６および１６０として示す要素のように導電性材料ではなくむしろ絶縁材から形成される
。要素１５８は、図４（および図５）では２つの部分１５８ａおよび１５８ｂを有すると
して示されている。破断図では、電子シート・ビーム・トンネル２０２は、結合キャビテ
ィタイプの構造であるように見えてよい。

図５は、ある実施形態による、図１のＶＥＤ１００の前方右側内部の部分的破断透視図
である。

図６は、ある実施形態による図１のＶＥＤ１００の内部の一部分の線６－６に沿って得
た横断面図である。制御プレートバイアス信号（以下でより詳細に論じる）および／また
はＲＦ入出力信号などの電気信号は、端子２０４、２０６、２０８、２１０、２１２、お
よび２１４で運ばれる。これらの端子は、図示するように、それぞれ絶縁体２１６、２１
８、２２０、２２２、２２４、および２２６により構造の他の部分から絶縁される。要素
２２８は、外部導電性カバーであり、要素２３０は、たとえば銅から形成された導電性部
分である。

図７は、ある実施形態による組立体７０２から切り取られた１つのＶＥＤ７００の前方
右側透視図である。この実施形態によれば、ＶＥＤ７００は材料７０４、７０６、７０８
、７１０、７１２、７１４、７１６の複数の並行シートを備え、これらの材料のうち少な
くとも７０６、７０８、７１０、７１２、および７１４は銅などの導電性材料を備え、７
０４および７１６は鉄またはニッケルなどの磁性材料であってよい。層７０２、７０４、
７０６、７０８、７１０、７１２、７１４、７１６は一緒に接合される。相互作用領域７
１８は層７０８、７１０、７１２を備え、ＶＥＤ７００の電子ビームがＲＦ信号と相互作
用する場所である。そのようなＲＦ信号は、たとえば導体７２０を介して相互作用領域７
１８に導入されて、導体７２２を介して抽出されてよい。製作後、組立体７０２は切断（
たとえば、レーザ切断または水ジェット切断）されてＶＥＤ７００などの個々の構成要素
を解放し、ギャップ７２４を残す。

図８は、ある実施形態によるＶＥＤ８００の内部の一部分の横断面図である。ＶＥＤ８
００は、デバイスの電子ビーム軸８０２に対して水平または垂直であってよい接合層の組
立体から形成されてよい。電子ビームトンネルまたは相互作用領域を８０４に示す。ＶＥ
Ｄ８００は要素８０８、８１０、および８１２を備える反復する１組のブロック８０６を
備える。要素８０８および８１２は、ＶＥＤ８００の１つまたは複数の電子ビームを封じ
込めるのに役立てるための永久磁石である。要素８１０は、鉄またはニッケルなどの磁性
材料の断片からなる永久磁石であってよい。要素８１４、８１６、８１８、８２０、８２
２、および８２４は、ＶＥＤ８００の電子ビームが移動する導電性要素である。絶縁体８
２６、８２８、８３０、８３２、８３４、８３６、８３８、８４０、および８４２は、Ｖ
ＥＤ８００の本体の導電性部分からさまざまな制御プレート８４４、８４６、８４８、８
５０、および８５２を絶縁する。制御プレート８５４、８５６、および８５８はたとえば
、制御プレートにさまざまな電気バイアス（直流電圧）を印加することにより電子ビーム
を集束させるために使用されてよい。制御プレート８６０は３つの絶縁体８３８、８４０
、および８４２，ならびに２つの伝導性プレート８５０、８５２を備え、たとえばプレー
ト８５０、８５２にさまざまな電気バイアス（直流電圧）を、たとえば、一方は正であっ
てよく一方は負であってよい電気バイアスを印加することにより２軸静電ビーム操向（プ
レート当たり１つの軸）のために使用されてよい。要素８６２は、鉄またはニッケルなど
の磁性材料の断片からなる永久磁石であってよい。要素８６４、８６６、８６８、および
８７０は、ＶＥＤ８００の電子ビームが移動する導電性要素である。

効率改善のために電子ビームを「パンチする」または「前もってパンチする」ことが望
ましい場合、一電極静電レンズに連続直流電圧信号ではなくむしろパルス化または変調さ
れた電圧信号を提供できる。

図９は、ある実施形態による図８のＶＥＤ８００の内部の前方左側の部分的破断透視図
である。

図１０は、ある実施形態による図８のＶＥＤ８００の前方左側の部分的破断透視図であ
る。

図１１は、ある実施形態による図１０のＶＥＤ８００の区域１１の内部の前方左側の部
分的破断分解透視図である。

図１２Ａ、図１２ｂ、図１２Ｃ、および図１２Ｄは、ある実施形態によればビームの検
出（電流）、操向（偏向）、および集束（バイアス）の機能を提供するために使用してよ
いさまざまな制御プレートまたは静電レンズ１２００、１２０２、１２０４、および１２
０６を例示する図である。ビーム集束は、たとえば電子ビームの至る所で完全に伝導性の
プレート内に導入された単一電圧を用いて達成できる。これを図１２Ａに例示する。プレ
ート１２００は、銅または別の真空に適した材料などの導体から形成されてよい。電子ビ
ームは、プレート１２００内の開口１２０８を通り抜け、端子１２１０に（正または負の
）電圧が印加される。負に帯電した電子は、帯電したプレート１２００によりいくらか引
き寄せられ、または反発し、集束機能を提供する。

図１２Ｂは、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）などの絶縁体から形成された類似プレート１２０
２を例示する。アルミナは、当業者に公知のように、容易にろう付けされる。図１２Ｂに
示す例では（１２時および６時の所に配置された）２つの電極１２１２および１２１４が
形成される（めっきもしくは電気めっき、または別の等価な方法によるなど）。電子ビー
ムは、電極１２１２および１２１４の一方または両方に正または負の電圧を印加すること
によりいくらか操向されても動かされてもよい。たとえば、電極１２１２および１２１４
の一方は正にバイアスをかけられてよく、他方は負にバイアスをかけられてよい。代わり
に、電極１２１２および・BR>P２１４の一方は完全に省かれてよく、電圧は単に残りの電極に
印加されてよい。

図１２Ｃは、図１２Ｂのプレート１２０２に類似するが異なる角度に（この場合、９０
°ずれた３時および９時の所に）配向されたプレート１２０４を例示する。４つの電極制
御が望まれる場合、プレート１２０２０および１２０４を互いに近く積層するが互いに絶
縁して、プレート１２０４の電極１２１６および１２１８を追加してそのような制御を提
供してよい。

図１２Ｄは、たった今記述したばかりの概念であるが、４つの電極１２２０、１２２２
、１２２４、および１２２６を有する単一プレートの形で実装された概念を例示する。所
望であれば、さらに多くの電極を提供してよく、異なる角度位置を使用してよいことに留
意されたい。電極に加える最終的電圧は集束効果を提供してよく、不平衡電圧は電子ビー
ム偏向効果を提供してよい。

図１２Ａ、図１２Ｂ、図１２Ｃ、および図１２Ｄは、ある実施形態による、電子ビーム
の検出、集束、および操向（所望であれば、さらにまたビーム加速／減速も）のために使
用できる制御プレートを例示する。たとえば、図８では、制御プレートは要素８５４、８
５６、８５８、および８６０のために使用できる。本明細書で言及するＶＥＤは、相互作
用領域内部でビームトンネル領域に電子ビームを封じ込める磁石を具備する。磁石は、Ｖ
ＥＤを取り囲むソレノイドタイプであってよい、または本明細書で例示するように、電子
ビームにより近く（さらにより効果的に）磁石を置くためにＶＥＤの構造の中に組み入れ
られた固定タイプであってよい。いくつかの種類の封じ込める力がなければ、電子ビーム
はホースから現れる水のように広がる。磁気封じ込めは、電子ビームを狭く保ち、電子ビ
ームがＶＥＤを損傷し電子ビームのエネルギーを浪費する、ＶＥＤの構造の上へ直接入射
する範囲外に電子ビームを保つように、電子ビームの経路に沿って電子ビームを封じ込め
る磁気レンズのように作用する。

制御プレートは静電レンズである。電子ビームに沿って周期的に導入された静電レンズ
は、電子ビームを操向し集束させ、電子ビームの周囲に組み入れられ（電子レンズはその
中心が中空であってビームが通過できるようにする）、伝播経路は固定磁場に沿って電場
を加える。これらの制御プレートは、１つまたは複数の電気的接続を有してよい。これら
の制御プレートは互いに近く積層されてよい。静電レンズはＶＥＤの磁気構造に沿って集
積されてよく、ＶＥＤの磁気構造を時折遮断し、ビーム軸でより高い磁気強度を達成する
ために、磁気構造がビームトンネルに、より近くなることができるようにする。

その上、電子ビームトンネルに沿ってさまざまな場所に静電レンズを組み入れることに
より、電子ビームトンネルに沿って電子ビーム損失の増分測定（ｉｎｃｒｅｍｅｎｔａｌ
ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ）が可能になる、および／またはその結果、回路が磁気組立体
または電子ビーム整列に関して問題がある区域を識別するのに役立てることができるよう
になる。静電レンズは、ある軸の場所で電子ビームトンネルに沿って連続的に伸びるよう
に配向されてよい、電子ビームを取り囲むように配向されてよい、またはある別個の場所
で、かつ固定した軸の場所で電子ビームに沿って置かれてよい。

静電レンズ（個々の導体）は、電子ビームに沿って各センサの場所で電子電流密度を検
出するように働いてよい。静電レンズは、静電レンズの電位を調節して電極およびＶＥＤ
構造に届けられる電子ビーム電流を最小にすることにより、電子ビームの集束または操向
のために使用されてよい。この技法は、ミリメートル波およびほぼＴＨｚの周波数で動作
するＶＥＤがそのようなデバイスで通常遭遇する磁場の不規則性を補償するために特に有
益である。

制御プレートは、ビームトンネル内部での電子ビームの位置、および円形である場合に
は電子ビームの同心性を特徴づけるのに役立つ、電子ビームを取り囲む複数の電極を提供
するように適合できる。

磁気－静電集束設計は、本明細書で記述する多層多材製造の取り組み方法により可能に
なる。その取り組み方法によれば、集束／操向／検出システムの製造で金属材料、磁性材
料、およびセラミック材料を採用する。

この取り組み方法はシートビーム、中空ビーム、ペンシルビーム、分散ビーム、多重ビ
ームデバイスなどのようなビームタイプで使用されてよい。

検出された電子ビーム電流は、利用できる静電レンズに電位を加えて電子ビーム伝播を
最適化することにより、電子ビームトンネルに沿って電子ビーム伝播を最適化するために
採用されてよく、その結果、技術者による組立および微調整の必要性を低減する。

最大性能を得るために電子ビームを完全に集束させて位置決めするために、ビームから
接地へ流れるがコレクタに流れない電流は、監視して、ＶＥＤの周囲の磁場に、および電
子ビームに沿って導入されたさまざまな制御プレートへの静電電圧入力に調節を適用する
ことにより最小にできる。

図１３は、本発明のある実施形態による、真空電子デバイスを製造するための工程また
は方法１３００を例示する流れ図である。図１３に関連して記述する工程ステップは順に
行ってよい、または一部もしくはすべてを一度に行ってよい。

ブロック１３０２は第１のステップであり、非磁性導電性材料から第１の平面状非磁性
導体プレートを形成する。

ブロック１３０４は第２のステップであり、非磁性導電性材料から第２の平面状非磁性
導体プレートを形成する。

ブロック１３０６は第３のステップであり、相互作用構造が電子ビームトンネルを包含
するように、互いに並行に配列された複数の平面状非磁性相互作用構造形成プレートから
相互作用構造を形成し、相互作用構造は、相互作用構造の外部に至る少なくとも１つの導
電性経路を有する少なくとも１つの静電レンズ要素を包含し、導電性経路は、導電性経路
に印加された電圧が静電レンズ要素に伝導するように相互作用構造から電気的に絶縁され
る。

ブロック１３０８は第４のステップであり、第１の平面状非磁性導体プレートおよび第
２の平面状非磁性導体プレートが積層の外側になるように、第１の平面状非磁性導体プレ
ート、相互作用構造、および第２の平面状非磁性導体プレートを積層の形に配置する。

ブロック１３１０は第５のステップであり、第１の平面状非磁性導体プレート、相互作
用構造、および第２の平面状非磁性導体プレートを一緒に接合する。

ブロック１３１２は第６のステップであり、電子ビームトンネル内部に電子ビームを封
じ込めるように配列された少なくとも１つの磁石で電子ビームトンネル領域を取り囲む。

ブロック１３１４は第７の任意選択のステップであり、静電レンズ要素上に配置された
少なくとも１つの電気的に絶縁された導体上に提供される電気バイアス信号を届けるよう
に構成されるように少なくとも１つの静電レンズ要素を形成する。

ブロック１３１６は第７の任意選択のステップであり、静電レンズ要素上に配置された
少なくとも２つの別個の電気的に絶縁された導体上に提供される少なくとも２つの別個の
電気バイアス信号を届けるように構成されるように少なくとも１つの静電レンズ要素を形
成する。

ブロック１３１８は第７の任意選択のステップであり、静電レンズ要素上に配置された
少なくとも４つの別個の電気的に絶縁された導体上に提供される少なくとも４つの別個の
電気バイアス信号を届けるように構成されるように少なくとも１つの静電レンズ要素を形
成する。

ここで当業者は、これらのステップが、製造するのに最も好適な順序で遂行でき、固定
された手順で行う必要がないことを認識されよう。たとえば、接合するステップは、すべ
て一度に行うことができ、形成するステップは、後の組立体用の部品を製作するために前
もって行うことができるなどである。

２次元シートを一緒に接合するステップでは、ろう付け、拡散接合、補助拡散接合（ａ
ｓｓｉｓｔｅｄｄｉｆｆｕｓｉｏｎｂｏｎｄｉｎｇ）、固体接合（ｓｏｌｉｄｓｔ
ａｔｅｂｏｎｄｉｎｇ）、冷間溶接、超音波溶接、前述のうち１つまたは複数の組合せ
などの工程を使用してよい。２つの隣接するシートの間に形成された接合箇所は、１×１
０^－６トールよりも良好な真空環境を維持すべきである。接合は水素、窒素、真空などの
ような非反応性環境で行われるべきである。接合する前に、対応する層を洗浄またはプラ
ズマエッチングして表面酸化物層を除去すべきであり、良好な漏れ止め接合の形成を支援
するために、接合する前に、対応する層を真空環境で維持すべきである。必要とされる場
合、対応する層は（異種の材料であってよい）２つの対応する層の間に真空に適合する界
面の作成を強化する、真空に適合する材料でコート（スパッタ、でんきめっき、金属化、
および／または塗装）されてよい。コーティングはニッケル、金、銀、モリブデン－マン
ガン、銅、銅－金、銅－銀、チタン－ニッケル、金－銅－チタン、銅－銀－チタン、銅－
銀－チタン－アルミニウム、チタン－ニッケル－銅、金－銅－チタン－アルミニウム、銀
－銅－インジウム－チタン、銅－ゲルマニウム、パラジウム－ニッケル－銅－銀、金－パ
ラジウム－マグネシウム、銀－パラジウム、金－銅－ニッケル、金－銅－インジウム、銀
－銅－インジウム、金－ニッケル、金－ニッケル－クロムなどのうち１つまたは複数を含
んでよい。この手法では、接合された層は高強度組立体を形成し、その結果、比較的高出
力を取り扱う能力、および高勾配能力のＶＥＤが得られる。

層は同様に、ＶＥＤ内の電位だけではなく熱の流れも管理するために、電気的に絶縁す
る材料または導電性材料でコート（スパッタ、電気めっき、金属化、および／または塗装
）されてよい。コーティングはまた、ＶＥＤ内部の、およびＶＥＤから離れた熱の流れを
よりよく管理するために、熱を伝導するように設計された材料（たとえば、ダイヤモンド
膜、ダイヤモンド伝導チャネル、熱パイプなど）を含んでよい。層は、次いで電極、およ
び電極にバイアスをかける電気経路を形成するために伝導経路と共にめっきされる絶縁体
（たとえばＡｌ_２Ｏ_３）から製作されてよい。

切り抜きまたはポケットはフライス加工、旋盤細工、放電フライス加工、リソグラフィ
、エッチング、レーザ切断、電子ビーム切断、水ジェット切断などのような技術を使用し
てＶＥＤの導電性シート内に形成されてよい。そのように形成された切り抜きまたはポケ
ットはセラミック材料、真空窓、回路切断材料（デバイスの安定性を改善するために使用
する減衰器）、電子放射性材料、真空ポンピング材料、ゲッター（ｇｅｔｔｅｒ）材料、
磁石、鉄片、遮蔽材料、分離材料、導線、コネクタ、導波管、カップラなどのような構成
要素により場所を占められてよい。

セラミック材料を組み入れることにより集束、伝播、誘導、操向、パンチング、および
最終的に陰極とコレクタの間の電子ビーム伝播の改善を支援する、静電ビーム形成レンズ
または静電ビーム形成区域をＶＥＤ内部に追加可能になる。ＶＥＤの真空領域の外側にこ
の能力を提供するのではなくむしろＶＥＤ自体の中にこの能力を組み込むことにより、電
子ビームをより細かく、より低消費電力で制御可能になる。

製造工程中にＶＥＤ内部で、隣接する材料層または材料シートを整列させることは、整
列特徴１１２を使用して達成されてよい。そのような特徴は、本明細書の他の所で論じる
ような整列孔、整列ピン、長方形の特徴、それらの組合せ、ロボット組立技法に適した光
学的（可視の）印などであってよい。シートの組立は手作業による組立、ロボット組立、
並進ステージ、自動並進、ロボット配置、マイクロスケールからナノスケールまでのビデ
オ整列、バーニャなどにより影響を受けることがある。

代表的な実施形態および適用分野について示し記述してきたが、本開示の利益を有する
当業者には、添付の特許請求の範囲により規定された本発明の範囲を逸脱することなく、
本明細書で記述するさまざまな代表的実施形態に上記で具体的に述べていない数多くの修
正、変形、および適応を行ってよいことが明らかであろう。

Claims

高周波（ＲＦ）増幅器または発振器用の真空電子デバイスであって、
平面状の第１の非磁性導体プレートと、
平面状の第２の非磁性導体プレートと、
前記第１の非磁性導体プレートと前記第２の非磁性導体プレートの間に積層の形に配置され、電子ビームトンネル領域を収容するＲＦ相互作用構造を形成する、平面状の複数の非磁性相互作用構造形成プレートであって、前記第１の非磁性導体プレート、前記第２の非磁性導体プレート、および前記複数の非磁性相互作用構造形成プレートは一緒に接合されている、前記複数の非磁性相互作用構造形成プレートと、
前記電子ビームトンネル領域に電子ビームを封じ込めるためＲＦ相互作用を印加するために、前記電子ビームトンネル領域の周囲に配置された１つまたは複数の磁気要素と、
前記ＲＦ相互作用構造から電気的に絶縁された少なくとも１つの制御要素であって、前記ＲＦ相互作用構造の外部に至り且つ前記ＲＦ相互作用構造から電気的に絶縁されるように配置された少なくとも１つの電気的に絶縁された導体に結合される、前記少なくとも１つの制御要素と、
を備え、前記少なくとも１つの電気的に絶縁された導体は、前記電子ビームトンネル領域の中で前記電子ビームに修正のための操向力または集束力を加えるように構成される、真空電子デバイス。
前記少なくとも１つの制御要素は、前記制御要素上に配置された少なくとも１つの電気的に絶縁された導体上に提供される電気バイアス信号を届けるように構成される、請求項１に記載の真空電子デバイス。
前記少なくとも１つの制御要素は、前記制御要素上に配置された少なくとも２つの別個の電気的に絶縁された導体上に提供される少なくとも２つの別個の電気バイアス信号を届けるように構成される、請求項１に記載の真空電子デバイス。
前記少なくとも１つの制御要素は、前記制御要素上に配置された少なくとも４つの別個の電気的に絶縁された導体上に提供される少なくとも４つの別個の電気バイアス信号を届けるように構成される、請求項１に記載の真空電子デバイス。
前記少なくとも１つの電気的に絶縁された導体は、さらに電子電流密度を検出するように構成される、請求項１に記載の真空電子デバイス。
高周波（ＲＦ）増幅器または発振器用の真空電子デバイス（ＶＥＤ）であって：
電子ビームトンネルを収容する相互作用構造の複数の導電性セクションを含み、前記複数の導電性セクションは、積層の形に配列され、一緒に接合された、平面状の複数の非磁性導電性プレートから形成され、前記電子ビームトンネルは、前記相互作用構造に平行な長手方向軸を有し、少なくとも１つの磁気要素が、前記電子ビームトンネルに電子ビームを封じ込めるためにＲＦ相互作用を印加するように、前記電子ビームトンネルの周囲に配置され、
前記複数の導電性セクションは、前記電子ビームトンネルに沿った第１の位置では電気絶縁体の第１の対により分離され、前記電子ビームトンネルに沿った第２の位置では電気絶縁体の第２の対により分離され、前記電気絶縁体の第１の対および前記電気絶縁体の第２の対の各々は、前記長手方向軸に垂直に配置された少なくとも１つの静電レンズ要素を間に挟み、
各前記静電レンズ要素は、前記相互作用構造の外部に至る少なくとも１つの導電性経路を備え、前記導電性経路は、前記相互作用構造から電気的に絶縁されて、前記導電性経路に印加された電圧が前記静電レンズ要素に伝導して前記電子ビームトンネルの中の電子ビームに修正のための操向力または集束力を加える、真空電子デバイス。
前記少なくとも１つの静電レンズ要素は、前記静電レンズ要素上に配置された少なくとも１つの電気的に絶縁された導体上に提供される電気バイアス信号を届けるように構成される、請求項６に記載の真空電子デバイス。
前記少なくとも１つの静電レンズ要素は、前記静電レンズ要素上に配置された少なくとも２つの別個の電気的に絶縁された導体上に提供される少なくとも２つの別個の電気バイアス信号を届けるように構成される、請求項６に記載の真空電子デバイス。
前記少なくとも１つの静電レンズ要素は、前記静電レンズ要素上に配置された少なくとも４つの別個の電気的に絶縁された導体上に提供される少なくとも４つの別個の電気バイアス信号を届けるように構成される、請求項６に記載の真空電子デバイス。
少なくとも１つの導電性経路が、電子電流密度を検出するように構成される、請求項６に記載の真空電子デバイス。
ラジオ周波数（ＲＦ）増幅器または発振器用の真空電子デバイスの製造方法であって：
非磁性導電性材料から平面状の第１の非磁性導体プレートを形成するステップ；
非磁性導電性材料から平面状の第２の非磁性導体プレートを形成するステップ；
電子ビームトンネル領域を収容するように互いに配置された平面状の複数の導電性非磁性相互作用構造形成プレートを一緒に接合して相互作用構造を形成するステップであって、前記相互作用構造が、前記相互作用構造の外部に至る少なくとも１つの導電性経路を有する少なくとも１つの静電レンズ要素を含み、前記少なくとも１つの導電性経路は、前記少なくとも１つの導電性経路に印加された電圧が前記少なくとも１つの静電レンズ要素に伝導するように、前記少なくとも１つの導電性経路が前記相互作用構造から電気的に絶縁され、前記少なくとも１つの静電レンズ要素は、前記少なくとも１つの静電レンズ要素上に配置された少なくとも１つの電気的に絶縁された導体に電気バイアス信号を届けるように構成され、前記少なくとも１つの電気的に絶縁された導体は、前記電子ビームトンネル領域の中の電子ビームに修正のための操向力または集束力を加えるように構成される、ステップ；
前記第１の非磁性導体プレート、前記相互作用構造、および前記第２の非磁性導体プレートを、前記第１の非磁性導体プレートおよび前記第２の非磁性導体プレートが積層の外側になるように積層の形に配置するステップ；
前記第１の非磁性導体プレート、前記相互作用構造、および前記第２の非磁性導体プレートを結合するステップと；
前記電子ビームトンネル領域の周囲に少なくとも１つの磁気要素を配置して、ＲＦ相互作用を印加して前記電子ビームを前記電子ビームトンネル領域に封じ込めるステップと；
を備える、方法。
前記少なくとも１つの静電レンズ要素を、前記静電レンズ要素上に配置された少なくとも２つの別個の電気的に絶縁された導体上に提供される少なくとも２つの別個の電気バイアス信号を届けるように形成し、各前記電気的に絶縁された導体は、前記電子ビームトンネル領域の中の前記電子ビームに、それぞれの修正のための操向力または集束力を加えるステップ
を備える、請求項１１に記載の方法。
前記少なくとも１つの静電レンズ要素を、前記静電レンズ要素上に配置された少なくとも４つの別個の電気的に絶縁された導体上に提供される少なくとも４つの別個の電気バイアス信号を届けるように形成し、各前記電気的に絶縁された導体は、前記電子ビームトンネル領域の中の電子ビームに、それぞれの修正のための操向力または集束力を加えるステップ
をさらに備える、請求項１１に記載の方法。