JP7801899B2 - 新規な1,10-フェナントロリン化合物を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子、及び有機エレクトロルミネッセンス照明 - Google Patents
新規な1,10-フェナントロリン化合物を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子、及び有機エレクトロルミネッセンス照明Info
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Description
これらの弊害は、いずれも素子の寿命に重大な影響を与えることが知られている。(例えば非特許文献3)
1)下記一般式〔1〕
で示された1,10‐フェナントロリン化合物類を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
2)下記一般式〔2〕
で示された1,10‐フェナントロリン化合物類を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
3)1)記載の1,10‐フェナントロリン化合物類を電子輸送層及び/又は発光層に用いた有機エレクトロルミネッセンス素子。
4)2)記載の1,10‐フェナントロリン化合物類を電子輸送層及び/又は発光層に用いた有機エレクトロルミネッセンス素子。
5)3)記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた有機エレクトロルミネッセンス照明。
6)4)記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた有機エレクトロルミネッセンス照明。
7)3)記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた深赤色有機エレクトロルミネッセンス照明。
8)4)記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた深赤色有機エレクトロルミネッセンス照明。
今回発明した化合物類は、密度汎関数法計算では、従来電子輸送材料として使用される2,9‐ジ‐2‐ナフタレニル‐4,7‐ジフェニル‐1,10‐フェナントレン(以下、NBPhenと略す)の最低空軌道(LUMO)準位の値‐2.16eVに比べて最低空軌道(LUMO)準位が深いことから、電子注入性の向上が期待される。実際、実験的に求められた電子親和力が、陰極に使用される電極、例えばアルミニウム金属の仕事関数-4.1eVに近い-3.6eVを示すことからも陰極電極からの電子注入が容易である。
有機エレクトロルミネッセンスの材料に要求される耐熱性については、ガラス転移温度が130℃以上を示すため、本発明の1,10‐フェナントロリン化合物は素子で発生する熱には十分に耐えることができ、かつ熱による変性が起きにくい。
また電気化学的安定性に優れているため、緑色発光材料との組み合わせにおいて輝度1000cd/m2時において、従来の材料であるNBphenに比べて寿命が長い。深赤色発光材料との組み合わせでは、内部でのエネルギーの閉じ込め効果が高いため、周辺の材料へのエネルギーの漏れが生じず色純度の高い赤色発光が得られる。
また結晶化を起こしにくい本発明の1,10‐フェナントロリン化合物を用いることで従来からの有機エレクトロルミネッセンス素子を簡便に作製することができ、時間的効果および経済的効果に寄与する。
よって本発明は、産業上利用できる発明として極めて有用であると考えられる。
本発明の新規な1,10-フェナントロリン化合物については、鈴木‐宮浦カップリング(以下、鈴木カップリングと略す。)によって製造することができる。反応式で示すと以下の通りである。
リン触媒との併用を前提として使用できるパラジウム触媒として、酢酸パラジウム、塩化パラジウム、トリスベンジリデンアセトンジパラジウムおよびビスベンジリデンアセトンパラジウム等を例示することができる。
併用するリン触媒としては、トリフェニルホスフィン、トリオルソトリルホスフィン、2‐ジシクロヘキシルホスフィノ‐2’,4’,6’‐トリイソプロピルビフェニル(X-phos)、2-ジシクロヘキシルホスフィノ‐2’,6’‐ジメトキシビフェニル(S‐phos)、2-ジシクロヘキシルホスフィノ‐2’-ジメチルアミノビフェニル(Davephos)や2-ジシクロヘキシルホスフィノ‐2’,6’‐ジイソプロポキシビフェニル(Ruphos)やトリシクロヘキシルホスフィンなどを例示することができる。
昇華する場合は、精製効果を出すために加熱温度勾配をつけるのが一般的である。また大気圧では昇華することがないので真空ポンプで減圧する必要がある。昇華精製の状況については、被昇華物によって所要時間が異なるため目視にて判断するのが通常である。
評価用の素子については、前処理した電極が付着している石英ガラス等の基板に金属マスクを使用し2ミリ角程度の大きさの正方形の形状をしたものを作製する。素子については、石英ガラス上に1か所若しくは複数個作製する。通常であれば複数個作製するのが望ましい。
陽極電極のついた基板は、評価用のセルにあった大きさにダイヤモンドカッター等を使用し切り分ける。基板には電極の金属を付着した際に残留した微細なゴミ等が存在するためにこれを洗浄し除去する。特に金属はスパッタリング等により基板に付着させるために表面上が荒れていることが多い。このまま素子として使用した場合、素子が短絡を起こしたり蒸着膜が均等に積層できないため不発光部分が生じたりする。これが素子の寿命評価等に大きく関与してくる。
そこでまず金属電極表面を平滑化するのと基板全体の脱脂を行うため、不繊布ワイパー(例えばベンコット(ベンコットは旭化成株式会社登録商標(登録1153841号他6件)))にアセトン(電子材料用)を含ませて切り分けた基板の表面を軽く研磨する。ついで洗剤(例えばセミコクリーン(セミコクリーンはフルウチ化学株式会社登録商標(登録6017459号))を水で希釈した水溶液を入れた超音波洗浄機に浸け10分程度超音波洗浄をおこなう。これにより研磨カス等を基板から除去することができる。
基板に付着した洗剤を除去するために、蒸留水を満たした超音波洗浄機に浸け10分程度超音波洗浄をおこなう。
さらに基板上に水分が残ると製膜に影響するのと、寿命にも影響を与えるためにアセトン(電子工業用)およびイソプロピルアルコール(同)の順でそれぞれ入った超音波洗浄機にそれぞれ10分程度浸し超音波洗浄を行う。最後にイソプロピルアルコール(同)の沸騰している溶液に5分浸けたのち、紫外線オゾン洗浄を行いデシケーター中で減圧下乾燥させる。
これら一連の操作については、アセトンやイソプロピルアルコールの引火性の問題もありドラフト内で行う。
陽極はこれらの電極材料を用いて、蒸着、スパッタリング、塗布などの方法により形成することができる。陽極のシート電気抵抗は数百Ω/cm2以下が好ましい。陽極の膜厚は材料にもよるが、一般に5~1,000nm程度、好ましくは10~500nmである。
陰極はこれらの電極材料を用いて、蒸着、スパッタリングなどの方法により作製することができる。
陰極のシート電気抵抗は数百Ω/cm2以下が好ましい。陰極の膜厚は材料にもよるが、一般に5~1,000nm程度、好ましくは10~500nmである。本発明の有機EL素子の発光を効率よく取り出すために、陽極または陰極の少なくとも一方の電極は透明もしくは半透明であることが好ましい。
正孔注入層とは、陽極より有機薄膜に注入される正孔(ホール)の注入性を向上させるために挿入する層である。陽極で使用する金属は仕事関数が大きく、一般に‐5eV程度である。このためこの仕事関数に近い最高被占軌道(HOMO)を有する有機化合物であれば正孔注入層は必要でないが、そのような条件に合致するものは少なく、陽極の仕事関数と有機薄膜の最高被占軌道(HOMO)の間に幾分かの差があるため、それが障壁となって発生する。それが原因となり陽極に発生した正孔が効率良く有機薄膜に移動することができない。そのためこの問題を解決するために設ける層である。
通常10~200nmの厚みで積層される。
正孔輸送層は、正孔伝達化合物からなるもので、陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有している。電界が与えた2つの電極の間に正孔伝達化合物が配置されて陽極から正孔が注入された場合、少なくとも10-6cm2/V秒以上のホール移動度を有する正孔伝達物質が好ましい。このような正孔伝達物質は、従来から光導電材料において正孔の電荷注入材料として慣用されている材料や有機EL素子の正孔輸送層に使用されている公知の材料の中から任意のものを選択して用いることができる。
また熱活性化遅延蛍光については、1930年代よりエオシンY等で現象が現れることを確認されていた。本格的にこの分野で利用を試みたのは、2010年の九州大学の安達教授らのグループである。
ハイパーフルオレッセンス技術は、一重項励起子を使用する蛍光材料と三重項励起子を使用する熱活性化遅延蛍光材料の良い面を活用し、有機EL素子の高効率化および長寿命化を達成することができる技術であり国内外より注目されている。
そのためレアメタルを含有せずリン光材料と同様三重項励起子を使用することができる熱活性化遅延蛍光材料については、特にコストの面においてリン光材料の欠点を十分に補うことができる。
一般に赤色や緑色の発光材料は、青色発光材料のエネルギーギャップほど大きくないためいずれの色の発光材料の電荷の閉じ込めも十分に行うことが可能である。
真空蒸着法により正孔輸送層、発光層、電子輸送層などの各層を形成する場合、真空蒸着条件は特に限定されるものではない。通常10-5Torr程度以下の真空下で50~500℃程度のボート温度(蒸着原温度)、-50~300℃程度の基板温度で、0.01~50nm/sec.程度蒸着することが好ましい。正孔輸送層、発光層、電子輸送層の各層を複数の化合物を使用して形成する場合、化合物を入れたボートをそれぞれ温度制御しながら共蒸着することが好ましい。
本発明の有機EL素子は、酸素や水分等の接触を遮断する目的で保護層(封止層)を設けまたは不活性物質中に素子を封入して保護することができる。不活性物質としては、パラフィン、シリコンオイル、フルオロカーボン等が挙げられる。保護層に使用する材料としては、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル、ポリカーボネート、光硬化性樹脂等がある。
図27は、基板1上に陽極2、正孔注入層7、正孔輸送層5、発光層3、正孔ブロック層9、電子輸送層6、電子注入層8および陰極4を順次設けた例である。この場合、正孔注入層7を設けることにより、陽極2と正孔輸送層5の密着性を高め、陽極からの正孔の注入を良くし、発光素子の低電圧化に効果が構成である。また、この例は、正孔ブロック層9を挿入した例である。これは電荷輸送と発光の機能を分離したものであり、材料選択の自由度が増すために、発光の高効率化や発光色の自由度が増すことになる。正孔ブロック層9については、発光層3と電子輸送層6の間に挿入することができる。
所定の時間が経過した後室温まで冷却し、析出した結晶を吸引ろ過にて回収した。
得られた結晶は、オルソジクロロベンゼン200mlと活性白土1g加え再結晶を行った。この操作により目的の化合物番号(I)の化合物を8.6g回収した。収率は82.4%であった。
このうち8gを昇華精製した。昇華条件は、高温側310℃、中温側290℃および低温側230℃で真空下4.5時間加熱した。室温まで冷却し目的物を5.8g回収した。この操作での回収率は、72.5%であった。得られた結晶は、素子化に使用した。
昇華精製後の化合物について、元素分析を行い化合物の同定を行った。その結果を表1に示す。高速液体クロマトグラフでの純度確認は、99.78%であった。
所定の時間が経過した後室温まで冷却し、析出した結晶を吸引ろ過にて回収した。
得られた結晶は、オルソジクロロベンゼン200mlと活性白土1g加え再結晶を行った。この操作により目的の化合物番号(II)-2の化合物を8.8g回収した。収率は80.4%であった。
このうち8gを昇華精製した。昇華条件は、高温側310℃、中温側290℃および低温側230℃で真空下4.5時間加熱した。室温まで冷却し目的物を5.4g回収した。この操作での回収率は、67.5%であった。
所定の時間が経過した後室温まで冷却し、析出した結晶を吸引ろ過にて回収した。
得られた結晶は、オルソジクロロベンゼン200mlと活性白土1g加え再結晶を行った。この操作により目的の化合物番号(VI)の化合物を8.4g回収した。収率は80.4%であった。
このうち7.3gを昇華精製した。昇華条件は、高温側330℃、中温側310℃および低温側250℃で真空下3時間加熱した。室温まで冷却し目的物を6.2g回収した。この操作での回収率は、84.9%であった。得られた結晶は、素子化に使用した。
昇華精製後の化合物について、元素分析を行い化合物の同定を行った。その結果を表2に示す。高速液体クロマトグラフでの純度確認は、99.63%であった。
所定の時間が経過した後室温まで冷却し、析出した結晶を吸引ろ過にて回収した。
得られた結晶は、オルソジクロロベンゼン200mlと活性白土1g加え再結晶を行った。この操作により目的の化合物番号(VII)-2の化合物を8.3g回収した。収率は75.9%であった。
このうち7.5gを昇華精製した。昇華条件は、高温側330℃、中温側310℃および低温側250℃で真空下3時間加熱した。室温まで冷却し目的物を6.7g回収した。この操作での回収率は、89.3%であった。
所定の時間が経過した後室温まで冷却し、析出した結晶を吸引ろ過にて回収した。
得られた結晶は、オルソジクロロベンゼン200mlと活性白土1g加え再結晶を行った。この操作により目的の化合物を9.0g回収した。収率は86.2%であった。
このうち5.5gを昇華精製した。昇華条件は、高温側350℃、中温側330℃および低温側270℃で真空下2時間加熱した。室温まで冷却し目的物を4.24g回収した。この操作での回収率は、77.1%であった。
昇華精製後の化合物について、元素分析を行い化合物の同定を行った。その結果を表3に示す。高速液体クロマトグラフでの純度確認は、99.88%であった。
合成例1での化合物番号(I)の化合物(以下4iq‐Bphenと記す)と合成例6での化合物番号(VI)の化合物(以下6q‐Bphenと記す)および比較例の2,9‐ジ(キノリン‐3‐イル)‐4,7‐ジフェニル‐1,10‐フェナントロリン(以下3q‐Bphenと記す)と[0098]の[化54]記載のNBphenを用いた素子を作製した。
作製した素子の例を図1に、
4iq‐Bphen、6q‐Bphenおよび3q‐Bphenのそれぞれの素子上でのエネルギーダイアグラムを図2に、
4iq‐Bphen、6q‐Bphen、3q‐BphenにNBphenを加えたそれぞれを用いた素子からの発光を示すELスペクトルを図3に、
電流密度‐電圧特性を図4に、
輝度‐電圧特性を図5に、
電力効率‐輝度特性を図6に、
外部量子効率‐輝度特性を図7に、
駆動寿命(半減寿命)測定を図8に示す。
また駆動寿命測定(初期輝度1000cd/m一定にて計算)の結果を表4(20wt%Liq添加あり)及び表5(Liq添加なし)に示す。ここで、図1に示すLiq(8-ヒドロキシキノリノラート-リチウム)は、有機EL素子の電子輸送層に用いる材料に添加することで長寿命化が可能であることから、有機EL素子の耐久性の向上に広く用いられている。表4、表5より、Liqを添加しない有機EL素子において4iq‐Bphen、6q‐Bphenの寿命が長かったため、図2~8はいずれもLiq添加なしの有機ELの測定結果を示す。
一方本発明の4iq‐Bphenや6q‐Bphenは、輝度の大きさとは関係なく電力効率および外部量子効率の変化も小さい。これはこれらを使用して作製した素子の中で電荷の滞留が起こりにくく、電荷の注入、移動および再結合のバランスがほぼ安定した状況で行われた結果と考えられる。
さらに、有機EL素子において、Liq添加することで電子輸送層の再結晶化が抑制され、長寿命化が可能であると考えられているが、4iq‐Bphenや6q‐Bphenでは、予想に反しLiqを添加しない有機EL素子において10000時間を超える駆動寿命を示した。ここでの結果より、4iq‐Bphenや6q‐Bphenは、Liq等のリチウム錯体の添加がなくても再結晶化しにくく、実用に足る駆動寿命を達成することができ、有機EL素子の簡素化を実現できることが示された。
4iq‐Bphen、6q‐Bphenおよび比較例の3q‐Bphenを用いた素子を作製した。なお発光層には、[化67]で示される600nm付近の橙色発光を示すIr(pq)2acacを使用した。
ITO(100nm)(陽極)/PTPD-1:PPBI(20nm)(正孔注入層)/α-NPD(20nm)(正孔輸送層)/ α‐NPD:4iq‐Bphen若しくは6q‐Bphenまたは3q‐Bphen(1:1),3 wt.% Ir(pq)2acac (40nm)(発光層) /NBPhen(50 nm)(電子輸送層)/NBPhen:20 wt.%Liq(20 nm)(電子輸送層)/Liq(1nm)(電子注入層)/Al(80nm)(陰極)
作製した素子の例を図9に、
4iq‐Bphen、6q‐Bphen、3q‐BphenにNBphenを加えたそれぞれを用いた素子からの発光を示すELスペクトルを図10に、
電流密度‐電圧特性を図11に、
輝度‐電圧特性を図12に、
電力効率‐輝度特性を図13に、
外部量子効率‐輝度特性を図14に、
駆動寿命(半減寿命)測定を図15に示す。
表6にデバイス測定結果のまとめを示す。
4iq‐Bphen、6q‐Bphenおよび比較例の3q‐Bphenを用いた素子を作製した。なお発光層には、[化30]で示される670nm付近の深赤色発光を示す(DPQ)2Ir(dpm)を使用した。
実施例2と同様に正孔注入層には正孔注入性を向上させ、ITO界面の膜質改善の目的で[化11]および[化12]記載のPTPD-1:PPBIを、正孔輸送層には[化16]記載のα-NPDを成膜した。電子注入性向上のためにリチウム錯体(Liq)を使用し、陰極にはAlを使用した。
ITO(130nm)(陽極)/PTPD-1:PPBI(20nm)(正孔注入層)/α-NPD(20nm)(正孔輸送層)/α-NPD:4iq‐Bphen若しくは6q‐Bphenまたは3q‐Bphen(1:1)、1wt.%(DPQ)2Ir(dpm)(40nm)(発光層)/4iq‐Bphen若しくは6q‐Bphenまたは3q‐Bphen(50nm)(電子輸送層)/4iq‐Bphen若しくは6q‐Bphenまたは3q‐Bphen、20wt.% Liq(20nm)(電子注入性を向上させた電子輸送層)/Liq(1nm)(電子注入層)/Al(80nm)(陰極)
作製した素子の4iq‐Bphen、6q‐Bphenおよび3q‐Bphenのそれぞれの素子上でのエネルギーダイアグラムを図16に、
4iq‐Bphen、6q‐Bphen、および3q‐Bphenをそれぞれ用いた素子からの発光を示すELスペクトルを図17に、
電流密度‐電圧特性を図18に、
輝度‐電圧特性を図19に、
外部量子効率‐輝度特性を図20に、
駆動寿命(半減寿命)測定を図21に示す。
表7にデバイス測定結果のまとめを示す。
4iq‐Bphenと、6q‐Bphenとを用いた素子を作製した。
なおここでの比較化合物としては、3q‐Bphenの代わりに、山形大学と本出願人が共同で出願した特許第6580613号公報記載の[化68]で表される4DBT46TRZを使用した。また電子輸送層と電子注入層にはNBPhenを使用した。
ITO(130nm)(陽極)/PTPD-1:PPBI(20nm)(正孔注入層)/α-NPD(20nm)(正孔輸送層)/α-NPD:4iq‐Bphen若しくは6q‐Bphenまたは4DBT46TRZ(1:1)、1wt.%(DPQ)2Ir(dpm)(40nm)(発光層)/NBPhen(50nm)(電子輸送層)/NBPhen、20wt.% Liq(20nm)(電子注入性を向上させた電子輸送層)/Liq(1nm)(電子注入層)/Al(80nm)(陰極)
作製した素子の4iq‐Bphen、6q‐Bphen、および4DBT46TRZをそれぞれ用いた素子からの発光を示すELスペクトルを図22に、
電流密度‐電圧特性を図23に、
輝度‐電圧特性を図24に、
外部量子効率‐輝度特性を図25に、
駆動寿命(半減寿命)測定を図26に示す。
表8にデバイス測定結果のまとめを示す。
2 陽極(ITO)
3 発光層
4 陰極
5 正孔(ホール)輸送層
6 電子輸送層
7 正孔(ホール)注入層
8 電子注入層
9 正孔(ホール)ブロック層
Claims (8)
- 下記一般式〔1〕
〔式中、R1は水素またはメチル基、エチル基、ノルマルプロピル基およびイソプロピル基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である。〕
で示された1,10‐フェナントロリン化合物類を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 下記一般式〔2〕
〔式中、R2は水素またはメチル基、エチル基、ノルマルプロピル基およびイソプロピル基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である。〕
で示された1,10‐フェナントロリン化合物類を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 請求項1記載の1,10‐フェナントロリン化合物類を電子輸送層及び/又は発光層に用いた有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 請求項2記載の1,10‐フェナントロリン化合物類を電子輸送層及び/又は発光層に用いた有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 請求項3記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた有機エレクトロルミネッセンス照明。
- 請求項4記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた有機エレクトロルミネッセンス照明。
- 請求項3記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた深赤色有機エレクトロルミネッセンス照明。
- 請求項4記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた深赤色有機エレクトロルミネッセンス照明。
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